Кт837Б параметры: Транзистор КТ837 — DataSheet

Содержание

Транзистор КТ837 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ837А BD534, TIP42C, 2N3192 *3, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
КТ837Б BD536, 2N6106, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837В BD234, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

КТ837Г BD225, 2N5162 *3, 2N3191
*3
, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Д 2SB434, 2N6108, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3
 КТ837Е 2N6125, 2N6108, 2N6109, 

BD738 *2

 КТ837Ж 2N6124, 2N6132, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837И 2SB435, 2N6132, TIP42 *2
 КТ837К BD944, 2N6110, RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

 КТ837Л 2N6126,  2N3192
*3
, 2N3188 *3, 2N3180 *3, 2N3176 *3, 2N3196 *3, 2N3184 *3
 КТ837М BD223, MJF6107 *3, 2N5981 *1, NTB708, NTB707, 2N5975 *3, 2N6133 *2
КТ837Н BD223, 2N6106, MJF6107 *3, KSB707, 2SB707, 2SB1097M,

2SB1097L, KSB1097

 КТ837П 2SB435G, 2N5162 *3, 2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3, 2N3195 *3, 2N3183 *3
 КТ837Р 2SB434, RCA1C06, KP055 *3, 40876, 2N5974 *3 
 КТ837С BD225, 
2N6108, 2N6109, BD738 *2
 КТ837Т BD948,  2N3191 *3, 2N3187 *3, 2N3179 *3, 2N3175 *3
 КТ837У 2SB435,  2N6132, TIP42 *2
КТ837Ф BD224,  RCA1C11, BD544,

 40980, 2N6110 *2, 2N6111 *2, 2SA1129M *2

Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ837А 30* Вт
КТ837Б 30*
КТ837В 30*
КТ837Г 30*
 КТ837Д 30*
 КТ837Е 30*
 КТ837Ж 30*
 КТ837И 30*
 КТ837К 30*
 КТ837Л 30*
 КТ837М 30*
КТ837Н 30*
 КТ837П 30*
 КТ837Р 30*
 КТ837С 30*
 КТ837Т 30*
 КТ837У 30*
КТ837Ф 30*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ837А ≥1 МГц
КТ837Б ≥1
КТ837В ≥1
КТ837Г ≥1
 КТ837Д ≥1
 КТ837Е ≥1
 КТ837Ж ≥1
 КТ837И ≥1
 КТ837К ≥1
 КТ837Л ≥1
 КТ837М ≥1
КТ837Н ≥1
 КТ837П ≥1
 КТ837Р ≥1
 КТ837С ≥1
 КТ837Т ≥1
 КТ837У ≥1
КТ837Ф ≥1
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ837А 80 В
КТ837Б 80
КТ837В 80
КТ837Г 60
 КТ837Д 60
 КТ837Е 60
 КТ837Ж 45
 КТ837И 45
 КТ837К 45
 КТ837Л 80
 КТ837М 80
КТ837Н 80
 КТ837П 60
 КТ837Р 60
 КТ837С 60
 КТ837Т 45
 КТ837У 45
КТ837Ф 45
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб. КТ837А 15 В
КТ837Б 15
КТ837В 15
КТ837Г 15
 КТ837Д 15
 КТ837Е 15
 КТ837Ж 15
 КТ837И 15
 КТ837К 15
 КТ837Л 5
 КТ837М 5
КТ837Н 5
 КТ837П 5
 КТ837Р 5
 КТ837С 5
 КТ837Т 5
 КТ837У 5
КТ837Ф 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ837А 7. 5 А
КТ837Б
7.5
КТ837В 7.5
КТ837Г 7.5
 КТ837Д 7.5
 КТ837Е 7.5
 КТ837Ж 7.5
 КТ837И 7.5
 КТ837К 7.5
 КТ837Л 7.5
 КТ837М 7.5
КТ837Н 7.5
 КТ837П 7. 5
 КТ837Р 7.5
 КТ837С 7.5
 КТ837Т 7.5
 КТ837У 7.5
КТ837Ф 7.5
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ837А 80 В ≤0.15 мА
КТ837Б 80 В ≤0.15
КТ837В 80 В ≤0.15
КТ837Г 60 В ≤0.15
 КТ837Д 60 В ≤0.15
 КТ837Е 60 В ≤0.15
 КТ837Ж 45 В ≤0.15
 КТ837И 45 В ≤0.15
 КТ837К 45 В ≤0.15
 КТ837Л 80 В ≤0.15
 КТ837М 80 В ≤0.15
КТ837Н 80 В ≤0.15
 КТ837П 60 В ≤0.15
 КТ837Р 60 В ≤0.15
 КТ837С 60 В ≤0.15
 КТ837Т 45 В ≤0.15
 КТ837У 45 В ≤0.15
КТ837Ф 45 В ≤0.15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ837А 5 В; 2 А 10…40*
КТ837Б 5 В; 2 А 20…80*
КТ837В 5 В; 2 А 50…150*
КТ837Г 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Д 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837Е 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Ж 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837И 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837К 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Л 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837М 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Н 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837П 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837Р 5 В; 2 А 20…80*
 КТ837С 5 В; 2 А 50…150*
 КТ837Т 5 В; 2 А 10…40*
 КТ837У 5 В; 2 А 20…80*
КТ837Ф 5 В; 2 А 50…150*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ837А пФ
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ837А ≤0.8 Ом, дБ
КТ837Б ≤0.8
КТ837В ≤0.8
КТ837Г ≤0.3
 КТ837Д ≤0.3
 КТ837Е ≤0.3
 КТ837Ж ≤0.25
 КТ837И ≤0.25
 КТ837К ≤0.25
 КТ837Л ≤0.8
 КТ837М ≤0.8
КТ837Н ≤0.8
 КТ837П ≤0.3
 КТ837Р ≤0.3
 КТ837С ≤0.3
 КТ837Т ≤0.25
 КТ837У ≤0.25
КТ837Ф ≤0.25
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ837А Дб, Ом, Вт
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф  —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ837А пс
КТ837Б
КТ837В
КТ837Г
 КТ837Д
 КТ837Е
 КТ837Ж
 КТ837И  —
 КТ837К
 КТ837Л
 КТ837М
КТ837Н
 КТ837П  —
 КТ837Р
 КТ837С
 КТ837Т
 КТ837У
КТ837Ф  —

КТ837, 2Т837 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ837
Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
 Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
КТ837А 7,5 60 80 15 30 10…40 2,5 0,15 ≤1
КТ837Б 7,5 60 80 15 30 20…80 2,5 0,15 ≤1
КТ837В 7,5 60 80 15 30 50…150 2,5 0,15 ≤1
КТ837Г 7,5 45 60 15 30 10…40 0,5 0,15 ≤1
КТ837Д 7,5 45 60 15 30 20…80 0,5 0,15 ≤1
КТ837Е 7,5 45 60 15 30 50…150 0,5 0,15 ≤1
КТ837Ж 7,5 30 45 15 30 10…40 2,5 0,15 ≤1
КТ837И 7,5 30 45 15 30 20…80 2,5 0,15 ≤1
КТ837К 7,5 30 45 15 30 50…150 2,5 0,15 ≤1
КТ837Л 7,5 60 80 5 30 10…40 2,5 0,15 ≤1
КТ837М 7,5 60 80 5 30 20…80 2,5 0,15 ≤1
КТ837Н 7,5 60 80 5 30 50…150 2,5 0,15 ≤1
КТ837П 7,5 45 60 5 30 10…40 0,9 0,15 ≤1
КТ837Р 7,5 45 60 5 30 20…80 0,9 0,15 ≤1
КТ837С 7,5 45 60 5 30 50…150 0,9 0,15 ≤1
КТ837Т 7,5 30 45 5 30 10…40 0,5 0,15 ≤1
КТ837У 7,5 30 45 5 30 20…80 0,5 0,15 ≤1
КТ837Ф 7,5 30 45 5 30 50…150 0,5 0,15 ≤1

Основные технические параметры транзистора 2Т837
Транз
истор
IК, макс
А
UКЭ макс
В
UКБ макс
В
UЭБ макс
В
PК макс
Вт
h21Э UКЭ нас
В
IКБ0
мА
fгр
МГц
2Т837А 8 55 80 15 30 15…120 0,9 0,15 3
2Т837Б 8 45 60 15 30 30…120 0,9 0,15 3
2Т837В 8 35 45 15 30 40…180 0,9 0,15 3
2Т837Г 8 55 80 5 30 15…120 0,9 0,15 3
2Т837Д 8 45 60 5 30 30…150 0,9 0,15 3
2Т837Е 8 35 45 5 30 40…180 0,9 0,15 3

Обозначение на схеме кремниевого PNP транзистора КТ837

Цоколёвка и размеры транзистора КТ837

Внешний вид транзистора на примере КТ837Х

Транзистор КТ837: характеристики, параметры, цоколевка, аналоги

Транзистор КТ837 – кремниевый эпитаксиально-планарный низкочастотный, мощный биполярный транзистор p-n-p структуры. Применяется в выходных каскадах низкочастотных усилителей, преобразователях, стабилизаторах постоянного напряжения и переключающих устройствах. Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Цоколевка транзистора КТ837

Характеристики транзистора КТ837

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ837А 80 60 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837Б 80 60 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837В 80 60 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
КТ837Г 60 45 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837Д 60 45 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837Е 60 45 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
КТ837Ж 45 30 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837И 45 30 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837К 45 30 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
КТ837Л 80 60 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837М 80 60 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837Н 80 60 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
КТ837П 60 45 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837Р 60 45 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837С 60 45 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
КТ837Т 45 30 7,5 (30) 10-40 ≤ 1
КТ837У 45 30 7,5 (30) 20-80 ≤ 1
КТ837Ф 45 30 7,5 (30) 50-150 ≤ 1
2Т837А 80 55 8 (30) 15-120 3
2Т837Б 60 45 8 (30) 30-150 3
2Т837В 45 35 8 (30) 40-180 3
2Т837Г 80 55 8 (30) 15-120 3
2Т837Д 60 45 8 (30) 30-150 3
2Т837Е 45 35 8 (30) 40-180 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ837

КТ837А — 2SD685
КТ837Б — 2T7534C
КТ837В — 2SB834, 2SB906
КТ837Д — 2N6111

Транзистор кт837 характеристики цоколевка — Строительство домов и бань

КТ837Аp-n-p80607500(30)10-40150«>1КТ837Б80607500(30)20-80150«>1КТ837В80607500(30)50-150150«>1КТ837Г60457500(30)10-40150«>1КТ837Д60457500(30)20-80150«>1КТ837Е60457500(30)50-150150«>1КТ837Ж45307500(30)10-40150«>1КТ837И45307500(30)20-80150«>1КТ837К45307500(30)50-150150«>1КТ837Л80607500(30)10-40150«>1КТ837М80607500(30)20-80150«>1КТ837Н80607500(30)50-150150«>1КТ837П60457500(30)10-40150«>1КТ837Р60457500(30)20-80150«>1КТ837С60457500(30)50-150150«>1КТ837Т45307500(30)10-40150«>1КТ837У45307500(30)20-80150«>1КТ837Ф45307500(30)50-150150«>1

Корпус:

Uкбо— Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо— Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои— Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax— Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и— Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т— Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h21э— Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо— Обратный ток коллектора
fгр— граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн— напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Я помню, эти транзиторы использовались в качестве выходных силовых стабилизаторов напряжения лампово-полупроводниковых телевизоров и более современных конца 80-х. середины 90-х, телевизорах 2-го и 3-го поколения с импульсными источниками питания в качестве стабилизаторов напряжения по линии 12В. Отличные, надежные приборы. У меня установлен в самодельном стабилизаторе напряжения, все идеально, не забывайте только при работе о рассеиваемой мощности, устанавливайте на радиатор 🙂

Эти транзисторы были специально разработаны для замены германиевых транзисторов П213. П217 и являются их полными аналогами. В первых пачках этих транзисторов даже лежал вкладыш с таблицей, где было написано, что в связи с нехваткой германия.
А также была таблица соответствия транзисторов КТ837 с определённой буквой транзисторам П213-П217. Вот бы эту таблицу найти!

На «ЖИГУЛЕ» в реле зарядки 121.3702 КТ837Ф замкнул второй раз за три года.

Хотелось бы и проводимость узнать (прямая или обратная)!

КТ837 , 2Т837 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ837Ф

В наличии лишь 1

  • Описание
  • Отзывы (0)

Описание

КТ837Ф

Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.403 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:

• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Характеристики транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н, КТ837П, КТ837Р, КТ837С, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф, КТ837Х:

Тип
транзистора
СтруктураПредельные значения параметров при Тп=25°СЗначения параметров при Тп=25°С
max
Т
max

max
IК. И.
max
UКЭR max
(UКЭ0 max)
UКБ0 maxUЭБ0 maxРК max
(РК. Т. max)
h31ЭUКЭ
нас.
IКБОIЭБОIКЭRf гp.СКСЭ
ААВВBВтВмАмAмАМГцпФпФ°С°С
КТ837Аp-n-p7,57080151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Бp-n-p7,57080151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Вp-n-p7,57080151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Гp-n-p7,55560151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Дp-n-p7,55560151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Еp-n-p7,55560151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Жp-n-p7,54045151 (30)10…401125-60…+100
КТ837Иp-n-p7,54045151 (30)20…801125-60…+100
КТ837Кp-n-p7,54045151 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Лp-n-p7,5708051 (30)10…401125-60…+100
КТ837Мp-n-p7,5708051 (30)20…801125-60…+100
КТ837Нp-n-p7,5708051 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Пp-n-p7,5556051 (30)10…401125-60…+100
КТ837Рp-n-p7,5556051 (30)20…801125-60…+100
КТ837Сp-n-p7,5556051 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Тp-n-p7,5404551 (30)10…401125-60…+100
КТ837Уp-n-p7,5404551 (30)20…801125-60…+100
КТ837Фp-n-p7,5404551 (30)50…1501125-60…+100
КТ837Хp-n-p7,518018051 (30)>151125-60…+100

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:

IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
СК — емкость коллекторного перехода.
СЭ — емкость коллекторного перехода.
ТП max — максимально допустимая температура перехода.
Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.

Отзывы

Отзывов пока нет.

Только зарегистрированные клиенты, купившие этот товар, могут публиковать отзывы.

Транзистор кт837 характеристики цоколевка

ГлавнаяО сайтеТеорияПрактикаКонтакты

Высказывания:
Творческое мышление, возможно, означает всего-навсего понимание, что нет никакой особой добродетели в том, чтобы вести дела так, как их всегда вели до нас.

Основные параметры биполярного низкочастотного pnp транзистора КТ837Р

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора КТ837Р . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
300006055575001000000

Производитель: Интеграл
Сфера применения:
Популярность: 567
Дополнительные параметры транзистора КТ837Р: Корпус: TO-220.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора КТ837Р

Общий вид транзистора КТ837Р.Цоколевка транзистора КТ837Р.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Дата создания страницы: 2016-08-25 11:24:37.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора КТ837Р.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Транзисторы КТ837(2Т837)

Т ранзисторы КТ837(2Т837) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-пластик. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Ж, КТ837И, КТ837Т — от 10 до 40
У транзисторов КТ837В, КТ837Е, КТ837К, КТ837М, КТ837П, КТ837У — от 20 до 80
У транзисторов КТ837Н, КТ837Ф — от 50 до 150
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — от 15 до 120
У транзисторов 2Т837Б, 2Т837Д — от 30 до 150
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — от 40 до 180

Граничная частота передачи тока.3МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837М, КТ837Л, КТ837Н — 60 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837П, КТ837Р, КТ837С — 45 в.
У транзисторов КТ837Ж, КТ837И, КТ837К, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — 30 в.
У транзисторов 2Т837А, 2Т837Г — 55 в.
У транзисторов 2Т837Д, 2Т837Б — 45 в.
У транзисторов 2Т837В, 2Т837Е — 35 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ837 — 7,5 А.
У всех транзисторов 2Т837 — 8 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер.
У транзисторов КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Ж, КТ837К, КТ837Л, КТ837М, КТ837Н — не более 2,5 в.
У транзисторов КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е, КТ837Т, КТ837У, КТ837Ф — не более 0,5 в.
У транзисторов КТ837П, КТ837Р, КТ837С — не более 0,9 в.

Обратный ток коллектора. — не более 0,15 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора.30 Вт(с радиатором).

Зарубежные аналоги транзисторов КТ837

КТ837А — 2SD685
КТ837Б — 2T7534C
КТ837В — 2SB834, 2SB906
КТ837Д — 2N6111

Транзисторы КТ829

Транзисторы КТ829 — кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры — n-p-n.
Корпус металло-пластиковый. Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — 750.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ829А — 100в.
У транзисторов КТ829Б — 80в.
У транзисторов КТ829А — 60в.
У транзисторов КТ829Г — 45в.

Максимальный ток коллектора8 А.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении эмиттер-коллектор близкому к максимальному и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию — не более 1,5 мА.
При температуре окружающей среды +85 по Цельсию — не более 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в — не более 2 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА — не более 2 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3,5А и базовом 14мА:
— не более 2,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора.60 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ829

КТ829А — 2SD686
КТ829Б — BD263
КТ829В — TIP122
КТ829Д — BDX53E

Особености проверки(прозвонки)на целосность транзисторов КТ829.

Так как транзистор КТ829 является составным, его вполне можно заменить несложной схемой КТ817+КТ819.

Не удивительно, что при проверки тестером переход база-эмиттер будет звониться в обе стороны, причем у разных КТ829 может наблюдаться значительный разброс по значению обратного сопротивления. От суммы сопротивлений изображенных в схеме на картинке, до гораздо меньших значений (7 кОм, к примеру). Отчего разброс так велик, автору доподлинно не известно, но то что на работоспособность КТ829 это влияет незначительно — это точно. Ведь имеющееся сопротивление эмиттер-база всего лишь слегка «подпирает» транзистор.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например — «Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ837 можно обнаружить в блоке усилителя активной акустической системы 35АС-013(Радиотехника S-70).
в усилителях «Радиотехника У-7101 стерео,» «Радиотехника У-101 стерео.» На главную страницу
В начало

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Описание «КТ837Ф»

КТ837Ф
Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50. 150;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом

Оценка статьи:

Загрузка…Транзистор кт837 характеристики цоколевка Ссылка на основную публикацию wpDiscuzAdblock
detector

Транзистор КТ916Б

Сверхвысокочастотный n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор КТ916Б в металлическом корпусе предназначен для использования в усилительных схемах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 60 до + 100 С

Корпусное исполнение

Маркировка

  • 916А – белая точка
  • 916Б – зеленая точка
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Коллектор (К)
№2 Эмиттер (Э)
№3 База (Б)
№4 Эмиттер (Э)
Основные электрические параметры КТ916 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектор– эмиттер

КТ916А

КТ916Б

Iкэr мА Uкэ=55B Rэб=10 Ом 25

40

Емкость коллекторного перехода* Cк* пФ Uкб=30 B f=10МГц 20
Граничная частота коэффициента передачи тока*

КТ916А

КТ916Б

Fгр* МГц Uкэ=10B f=300МГц Iк=1,5А 1100

900

Обратный ток эмиттера Iэбо мА Uэб=3,5 B 4
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас) В Iк=250мА,Iб=30мA 1
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=250мА,Iб=30мA 0,4

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ916
Параметры Обозначение Ед. изм. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В 55
Напряжение коллектор-эмиттер (Rбэ=10кОм) Uкэ max В 55
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 3,5
Постоянный ток коллектора Iк max мА 2000
Импульсный ток коллектора Iки max А 4
Температура перехода Тj C 160
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Рк max Вт 30

характеристики (параметры), цоколевка, зарубежные аналоги

  • Биполярный кремниевый, низкочастотный, большой мощности.
  • Изготовлен по эпитаксиально-планарной технологии.
  • Структура PNP.
  • Выпускается в пластиковом корпусе ТО-220.
  • Документация производителя – АО.336.403 / 03.
  • Диапазон рабочих температур -60…+100 °С.
  • Для создания комплементарной пары используется, – КТ837.

Назначение

Универсальный транзистор широкого применения. Используется в оконечных каскадах низкочастотных усилителей, в качестве силового элемента преобразовательных устройств, блоков питания и стабилизации. Широко применяется в профессиональном и любительском радиотехническом оборудовании различного назначения.

Предельно допустимые значения

Не допускается работа транзистора с превышением одного или нескольких значений, указанных в таблице. Нарушение требования может повредить или нарушить функционирование активного радиоэлемента: пропадут или изменятся усилительные и переключающие характеристики полупроводникового прибора.

Длительная работа транзистора в области предельно допустимых значений может привести к уменьшению срока эксплуатации элемента и скорейшему выходу его из строя.

Параметры таблицы действительны для температуры окружающей среды +25°C.

Обозн.ПараметрЗнач.Ед. изм
Uкб maxПостоянное напряжение коллектор-базаВ
КТ837А, Б, В, Л, М, Н80
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С60
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф45
Uкэ maxПостоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=∞ Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н60В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С45
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф30
Uкэ maxПостоянное напряжение коллектор-эмиттер Rэб=100 Ом
КТ837А, Б, В, Л, М, Н70В
КТ837Г, Д, Е, П, Р, С55
КТ837Ж, И, К, Т, У, Ф40
Uэб maxПостоянное напряжение эмиттер-база
КТ837А — К15В
КТ837Л — Ф5
Iк maxПостоянный ток коллектора7.5А
Iб maxМаксимально допустимый постоянный ток базы1А
Pк maxПост. рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода1Вт
Pк maxПост. рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом30Вт

Электрические характеристики, при Та=25°C

Обозн.ПараметрРежим изм.Мин.Макс.Ед. изм
IкэrОбратный ток коллектор-эмиттерUкэ = Uкэ max
при Rэб =∞
10мA
IкэrОбратный ток коллектор-эмиттерUкэ = Uкэ max
при Rэб= 100 Ом
10мА
IкбоОбратный ток коллектор-базаUкб = Uкб max0,15мA
IэбоОбратный ток эмиттераUэб =15 В
Uэб =5 В
мА
КТ837А — К0,3
КТ837 Л — Ф0,3
h21эСтат. коэффициент передачи токаUкэ =5 B, Iк =2A
КТ837А, Л, Г, П, Ж, Т1040
КТ837Б, М, Д, Р, И, У2080
КТ837В, Н, Е, С, К, Ф40150
Uкэ насНапряжение насыщения коллектор-эмиттерВ
КТ837А — В, Л — НIк= 3 A, Iб= 0,37 A2,5
КТ837Г — Е, П — СIк= 3 A, Iб= 0,37 A0,9
КТ837Ж — К, Т — ФIк= 2 А, Iб= 0,3 A0,5
Uбэ насНапряжение насыщения база-эмиттерIк= 2 A, Iб=0,5 A1,5В

Зарубежные аналоги транзистора

ОригиналАналогUКЭIКPhFEfT
КТ837А2SD68540010100400
КТ837Б2T7534C454401003
КТ837В2SB83460330609
КТ837В2SB90650320601,5
КТ837Д2N611130740300,5
КТ837НBD22370436300,8
КТ837Р2SB43450325401
КТ837Р2SB435G40325401,5
КТ837СBD22560436200,8
КТ837У2SB43535325401
КТ837ФBD22440436300,8

Основные графические зависимости

Зависимость тока базы (IБ) от напряжения база-эмиттер (UБЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зависимость статического коэффициента передачи тока (h21э) от напряжения коллектор-эмиттер (IК).

Области максимально допустимых режимов работы: ток коллектора (IК) от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зависимость тока коллектора (IК) модификаций транзистора КТ837 от напряжения коллектор-эмиттер (UКЭ).

Зона возможных значений напряжения насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ нас) от тока коллектора (IК).

Требования к монтажу

Однократно допускается изгибать вывода транзистора. При этом: угол изгиба не должен превышать 90 градусов, расстояние до корпуса более 5 мм, радиус изгиба более 1,5 мм.

Пайку проводить при температуре не более 260 °С длительностью не более 3 сек. Перед операцией проверить заземление паяльника.

Разрешенное статическое напряжение – 500 В.

Как определить параметры транзистора?

Лучше все это делать с помощью специального избирательного прибора типа Л2-51, Л2-56 или аналогичного, который на экране рисует непосредственно семейство входных, выходных или проходных характеристик транзисторов.

Но такие приборы вряд ли есть в кладовке простого радиолюбителя, так что придётся ограничиться мультиметром. А лучше двумя. Потому что любой параметр — это зависимость чего-то от чего-то, то есть измеряются одновременно две величины, входная и выходная, и удобнее делать это двумя приборами параллельно. Хотя, безусловно, можно и одним, всё время его перетыкая с места на место и переключая режим работы (потому что часто измерять надо и напряжение, и ток).

Ну дык по порядку.

Параметр, который интересует публику чаще всего, — это коэффициент усиления по току в схеме с общим эмиттером. Причём, как и почти всякий параметр, он существует в двух ипостасях — статический (h31э) и динамический (h31э), или «по переменному сигналу».

Схема для измерения: транзистор подключается эмиттером на землю, коллектором через (милли)амперметр к источнику питания, базой через небольшой резистор — к регулируемому источнику напряжения. Хотя входным параметром тут является ток, устанавливать точно ток базы для «чистой» схемы с ОЭ затруднительно из-за экспоненциального вида входной характеристики транзистора. Поэтому и нужен базовый резистор.

Величина базового резистора выбирается исходя из тех токов, на которых предполагается работа транзистора. Если это мощный транзистор, типа показанного на фотографии, то речь идёт о коллекторных токах в сотни мА или даже в единица ампер, так что и базовый ток может быть значительным — десятые доли ампера. Поэтому резистор должен быть в несколько десятков ом. Для маломощных транзисторов и измерений на уровне тока коллектора в единицы мА ток базы будет в десятки мкА, поэтому резистор должен быть килоомной величины.

Процедура измерения: изменяется напряжение регулируемого источника питания, и для каждой величины этого напряжения измеряется падение напряжения на базовом резисторе. Которое, как должно быть понятно, определяется величиной тока базы. Одновременно для каждой точки измеряется и ток коллектора транзистора. После чего для каждого значения выходного тока рассчитываются статический и динамический коэффициенты усиления:

h31э = Iк/Iб

h31 = [Iк(n)-Iк(n-1)]/[Iб(­n)-Iб(n-1)]

Имейте в виду, что из-за эффекта модуляции толщины базы оба этих параметра зависят от напряжения на коллекторе.

Следующий параметр, который может интересовать, — входное напряжение транзистора. Потому что от этого зависит расчёт цепей смещения, правильность выставления рабочей точки каскада и балансировка дифференциальных каскадов.

Схема для измерения такая же, как и для измерения коэффициента усиления, разве что нам не надо измерять тока коллектора. Зато надо измерять напряжение база-эмиттер.

Процедура измерения до безобразия простая: меняя напряжение регулируемого источника питания, измерять одновременно ток базы (по падению напряжения на базовом резисторе) и напряжение на базе относительно эмиттера. Вот так, по точкам, и строится эта характеристика. По ней же можно вычислить и дифференциальное входное сопротивление транзистора — догадайтесь сами, как именно 🙂

Для транзисторов, которые предполагается использовать в выходных каскадах или в стабилизаторах напряжения, полезно знать напряжение насыщения при некотором токе коллектора. Схема для измерения: на этот раз регулируемый источник понадобится не только для питания базы, но и для питания коллектора (либо запастись обоймой разных коллекторных нагрузок). Питание подключается к коллектору через небольшой резистор, величина которого выбирается исходя из значения тока, на котором мы хотим измерить Uнас, и из диапазона регулировки источника питания коллектора. Попросту, Rк = Uпит/Iк. Если, скажем, измерить напряжение насыщения надо на токе в 200 мА, а имеющийся в нашем распоряжении резистор — 50 Ом, то понадобится источник питания с диапазоном регулировки от чего-то меньше 10 В до чего-то порядка 15 В. Ну и не забудьте про мощность рассеяния этого резистора.

Процедура измерения: ставим коллекторное напряжение заведомо выше того, которое брали для расчёта Rк. Напряжение базового источника начинаем плавно увеличивать от 0 до величины, при которой ток коллектора станет равным нужному (200 мА, к примеру). Ток измеряем опять же по падению напряжения на коллекторной нагрузке. Как только дошли до этого тока, оставляем базовый источник в покое и начинаем уменьшать напряжение питания коллектора, контролируя напряжение на коллекторе относительно эмиттера. Как только оно перестанет уменьшаться с тем же темпом, что и напряжение питания, — всё, насыщение достигнуто, а то, что мы видим, и есть Uнас.

Если источник питания коллектора нерегулируемый, то придётся выбрать вполне определённое значение сопротивления коллекторной нагрузки, по той же формуле. Затем начинаем увеличивать напряжение базового источника, отслеживая напряжение коллектор-эмиттер. Как только оно перестало уменьшаться — достигнуто насыщение, и то, что показывает мультиметр на выходе, и есть искомый параметр.

Не первое время хватит. Если надо что-то ещё — обращайтесь :). Но учтите, что халява на этом кончилась: для измерения большинства других параметров, в первую очередь тех, которые важны на переменном токе, обычного мультиметра мало. Понадобятся осциллограф и генератор.

KT837 pdf Лист данных P1 Номер детали — IC-ON-LINE

Оптек Технологии
Деталь № KT837L15 KT837W15 KT837L55 KT837L51 KT837W51 KT837W55 KT840L11 KT842L55 KT842W15 KT842W55 KT845L11 KT840L15 KT845W51 KT840L51 KT840L55 KT840W11 KT840W15 KT840W51 KT841L15 KT841L51 KT841L55 KT841W55 KT842L15 KT845L51 KT845L55 KT845W11 KT845W55 KT846L51 KT847W15 KT830L51 KT830L15 KT830W15 KT830L11 KT830L55 KT830W11 KT830W51 KT831L15 KT830W55 KT831L51 KT831L55 KT831W15 KT831W51 KT831W55 KT832L15 KT832L51 KT832L55 KT832W15 KT832W51 KT832W55 KT835L11 KT835L15 KT835L51 KT835L55 KT835W11 KT835W15 KT835W55 KT835W51 KT836L15 KT836L51 KT847W51 KT847W55 KT836W15 KT846W15
Описание Выход для фототранзистора с прорезью оптического переключателя.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение.Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Отверстие перед датчиком.050 дюймов. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами.320 дюймов. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами.220 дюймов. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Отверстие перед датчиком.010 дюймов. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение.Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма.Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма.Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами.220 дюймов. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Размер файла 283,53 К / 7 стр.

Вид это Онлайн

Загрузить лист данных

Для KT837 Найден файл технических данных :: 3+ страница :: | |

▲ До Поиск ▲



Bom2Buy.com


Цена и наличие


cctc-hfpcb.com

ДЖИТОНГ TECHNOLOGY
(CHINA HK & SZ)
Спонсор Datasheet.hk

Деталь: KT8555J
Производитель: SEC
Упаковка: CDIP
Наличие: 487
Цена за единицу для:
50: 1 доллар.28
100: 1,22 доллара США
1000: 1,15 $

Электронная почта: [email protected]

Свяжитесь с нами

Зарядное устройство

Свитязь своими руками. Как сделать зарядку автомобильного аккумулятора от трансформатора

Иногда бывает, что аккумулятор в машине садится и его уже не получается, так как на стартере не хватает напряжения и соответственно тока для поворота вала мотора.В этом случае вы можете «увидеть» от другого хозяина машины, чтобы двигатель заработал и аккумулятор начал заряжаться от генератора, но для этого нужны специальные провода и человек, который хочет вам помочь. Вы также можете зарядить аккумулятор самостоятельно с помощью специализированного зарядного устройства, но оно довольно дорогое, и особо не используется для их использования. Поэтому в этой статье мы подробно рассмотрим самодельное устройство, а также инструкцию, как сделать зарядное устройство для автомобильного аккумулятора своими руками.

Аппарат самодельный

Нормальное напряжение на аккумуляторной батарее, отключенной от автомобиля, составляет от 12,5 В до 15 В. Следовательно, зарядное устройство должно выдавать такое же напряжение. Ток заряда должен быть примерно 0,1 от бака, он может быть меньше, но это увеличит время зарядки. Для стандартной батареи емкость 70-80 А / ч должна составлять 5-10 ампер в зависимости от конкретной батареи. Наше самодельное зарядное устройство для АКБ должно соответствовать этим параметрам. Для сборки зарядного устройства автомобильного аккумулятора нам потребуются следующие предметы:

Трансформатор. Подходит любой из старых или купленных на рынке электроприборов габаритной мощностью около 150 Вт, можно больше, но не меньше, иначе будет очень жарко и может выйти из строя. Отлично, если напряжение его выходных обмоток будет 12,5-15 В, а ток порядка 5-10 ампер. Вы можете увидеть эти параметры в документации к вашему товару. Если нет необходимой вторичной обмотки, то потребуется перемотать трансформатор на другое выходное напряжение. Для этого:

Итак, мы нашли или собрали идеальный трансформатор, чтобы сделать зарядное устройство своими руками.

Нам также понадобятся:


Подготовьте все материалы, можно переходить к процессу сборки автомобильной памяти.

Строительная техника

Чтобы сделать зарядное устройство для автомобильного аккумулятора своими руками, нужно следовать пошаговой инструкции:

  1. Создать схему самодельной зарядки для АКБ. В нашем случае это будет выглядеть так:
  2. Используем трансформатор ТС-180-2. Имеет несколько первичных и вторичных обмоток. Для работы с ним нужно последовательно соединить две первичные и две вторичные обмотки, чтобы получить на выходе нужное напряжение и ток.

  3. С помощью медной проволоки соедините выводы 9 и 9 ‘.
  4. На пластину из стеклопластика собираем диодный мост из диодов и радиаторов (как показано на фото).
  5. Выводы 10 и 10 ‘Подключаем к диодному мосту.
  6. Между выводами 1 и 1 ‘устанавливаем перемычку.
  7. К выводам 2 и 2 ‘паяльником закрепите сетевой шнур вилкой.
  8. В первичной цепи подключаем предохранитель на 0.5 А, 10-амперный соответственно во вторичную обмотку.
  9. В зазор между диодным мостом и аккумулятором подключите амперметр и длину нихромового провода. Один конец которого закреплен, а второй должен обеспечивать подвижный контакт, поэтому сопротивление изменится и ограничит ток, подаваемый на батарею.
  10. Изолируйте все соединения термоусадочной лентой или лентой и поместите устройство в корпус. Необходимо избегать поражения электрическим током.
  11. Устанавливаем подвижный контакт на конец провода так, чтобы он был длинным и соответственно сопротивление было максимальным.И подключаем аккум. Уменьшая и увеличивая длину провода, необходимо выставить желаемое значение тока для вашего аккумулятора (0,1 его емкости).
  12. В процессе зарядки ток, подаваемый на аккумулятор, будет уменьшаться, и когда он достигнет 1 А, можно сказать, что аккумулятор заряжен. Также желательно напрямую контролировать напряжение на аккумуляторе, однако его для этого нужно отключить с / у, так как оно будет немного выше реальных значений.

Первый пуск собранной цепи любого источника питания или трансфокатора всегда производится через лампу накаливания, если она загорелась на полном нагреве — либо где-то ошибка, либо замкнута первичная обмотка! Лампа накаливания устанавливается в разрыв фазного или нулевого провода, питающего первичную обмотку.

Данная схема самодельного зарядного устройства для АКБ имеет один большой недостаток — она ​​не умеет самостоятельно отключать аккумулятор от зарядки после достижения нужного напряжения. Поэтому придется постоянно следить за показаниями вольтметра и амперметра. Есть конструкция, лишенная этого недостатка, однако для ее сборки потребуются дополнительные детали и больше усилий.

Наглядный образец готового продукта

Правила эксплуатации

Недостаток самодельного зарядного устройства для аккумулятора на 12В в том, что после полной зарядки аккумулятора не происходит автоматического отключения устройства.Именно поэтому вам придется периодически смотреть на табло, чтобы вовремя его выключить. Еще один немаловажный нюанс — проверка памяти «на искру» категорически запрещена.

Привет ув. Читатель блога «Моя лаборатория Радио Питнера».

В сегодняшней статье речь пойдет о длинной «записанной», но очень полезной схеме тиристорного фазоимпульсного регулятора мощности, который мы будем использовать в качестве зарядного устройства для свинцовых аккумуляторов.

Начнем с того, что Зарядное устройство на CU202 имеет ряд преимуществ:
— способность выдерживать ток заряда до 10 ампер
— Токовый импульс заряда, что, по мнению многих радиолюбителей, помогает продлить срок службы аккумулятора.
— Схема собрана с недефицитных недорогих запчастей, что делает ее очень доступной в своей ценовой категории.
— И последний плюс — простота повторения, которая позволит повторить его, как новичку в радиотехнике, так и просто владельцу автомобиля, без знаний в радиотехнике, которому нужна качественная и простая зарядка.

Со временем попробовал модифицированную схему с автоматическим отключением батареи, рекомендую прочитать
В свое время собрал эту схему на коленке за 40 минут вместе с обратной стороной платы и подготовкой компонентов схемы.Что ж, хватит историй, давайте рассмотрим схему.

Схема тиристорного зарядного устройства на КУ202

Перечень компонентов, используемых на схеме
C1 = 0,47-1 мкФ 63V

R1 = 6,8K — 0,25W
R2 = 300 — 0,25W
R3 = 3,6K — 0,25W
R4 = 110 — 0,25W
R5 = 15K — 0,25W
R6 = 50 — 0,25 W
R7 = 150 — 2 Вт
FU1 = 10A.
VD1 = Current 10a, мост желательно брать с запасом.Ну на 15-25а и обратном напряжении не ниже 50В
VD2 = Любой импульсный диод, на обратном напряжении не ниже 50В
VS1 = КУ202, Т-160, Т-250
VT1 = kt361a, kt3107, кт502
ВТ2 = кт315а, кт3102, кт503

Как было сказано ранее, схема представляет собой тиристорный фазоимпульсный регулятор мощности с электронным регулятором зарядного тока.
Управление тиристорным электродом осуществляется цепочкой на транзисторах VT1 и VT2. Управляющий ток проходит через VD2, необходимый для защиты схемы от обратных скачков тока тиристора.

Резистор R5 определяет ток зарядки аккумулятора, который должен составлять 1/10 от емкости аккумулятора. Например, аккумулятор емкостью 55а следует заряжать током 5,5А. Поэтому на выходе перед выводами зарядного устройства желательно поставить амперметр для контроля зарядного тока.

По мощности, для этой схемы подбираем трансформатор с переменным напряжением 18-22В, желательно по мощности без запаса, потому что в управлении мы используем тиристор.Если напряжение больше — поднимаем R7 до 200м.

Также не забываем, что диодный мост и управляющий тиристор необходимо надевать на радиаторы через теплопроводящую пасту. Просто если вы используете простые диоды типа Д242-Д245, КД203, помните, что их нужно изолировать от корпуса радиатора.

Ставим предохранитель на нужные вам токи, если не планируете заряжать аккумулятор выше 6а, то предохранитель 6,3а головой.
Также для защиты аккумулятора и зарядного устройства рекомендую поставить мой или, помимо защиты от спекания, защитить зарядное устройство от подключения разряженных аккумуляторов с напряжением менее 10.5В.
Ну в принципе Схема ЗУ на КУ202 рассматривался.

Печатная плата тиристорного зарядного устройства на КУ202

Собрана от Сергея

Удачи вам с повторением и жду ваших вопросов в комментариях

Для безопасной, качественной и надежной зарядки любых типов аккумуляторов рекомендую

Что бы не пропустить последние обновления в мастерской, подписывайтесь на обновления в контакте с одноклассниками, так же можете подписаться на обновления по электронной почте в колонке спрей

Не хочу копаться в Рутинах Радиоэлектроники? Рекомендую обратить внимание на предложения наших китайских друзей.За вполне приемлемую цену можно приобрести более качественные зарядные устройства

.

Простое зарядное устройство со светодиодным индикатором зарядки, зеленый аккумулятор заряжается, красный аккумулятор заряжен.

Есть защита от короткого замыкания, есть защита от кексов. Идеально подходит для зарядки Мото Акб емкостью до 20а \ час, Акб 9А \ час заряжается за 7 часов, 20а \ час — за 16 часов. Стоимость этого зарядного устройства всего 403 рубля с доставкой бесплатно

Зарядное устройство данного типа позволяет автоматически заряжать практически любые типы автомобильных и мотоаккумуляторов от 12В до 80А \ ч.Он имеет уникальный метод зарядки, состоящий из трех этапов: 1. Зарядка постоянным током, 2. Зарядка постоянным напряжением, 3. Капельная зарядка до 100%.
На передней панели два индикатора, первый показывает напряжение и процент заряда, второй показывает ток заряда.
Довольно качественная бытовая техника, цена всего 781,96 руб, доставка бесплатная. На момент написания этих строк , количество заказов 1392, оценка 4,8 из 5. При заказе не забудьте указать Евровилку.

Зарядное устройство для различных типов аккумуляторов 12-24В с током до 10а и пиком 12а. Возможность зарядки гелиевого аккумулятора и са \ са. Технология зарядки как на предыдущих трех этапах. Зарядное устройство способно заряжать как автоматически, так и вручную. На панели есть ЖК-индикатор, индикатор напряжения, тока заряда и процента заряда.

Сейчас нет смысла собирать самостоятельное зарядное устройство для автомобильных аккумуляторов: в магазинах огромный выбор готовых устройств, цены на них приемлемые.Однако не будем забывать, что сделать что-то полезное своими руками приятно, тем более что простое зарядное устройство для автомобильного аккумулятора вполне можно собрать у подруги, а цена на него будет копейка.

Единственное, о чем нужно сразу предупредить: схемы без точной регулировки тока и выходного напряжения, которые не имеют отсечки по току в конце заряда, подходят для зарядки только свинцово-кислотных аккумуляторов. Для AGM и использование такой зарядки приводит к повреждению аккумуляторной батареи!

Как сделать простейший трансформаторный прибор

Схема этого зарядного устройства от трансформатора примитивна, но исправна и собирается из имеющихся деталей — точно так же устроены и заводские зарядные устройства простейшего типа.

По сути, это двухпроводной выпрямитель, отсюда и требования к трансформатору: Поскольку на выходе таких выпрямителей напряжение равно номинальному напряжению переменного тока, умноженному на корень из двух, то на 10в на обмотки трансформатора, на выходе зарядного устройства получаем 14,1 В. На диодный мост принимают любой постоянный ток более 5 ампер или собирают его из четырех отдельных диодов, а также подбирают измерительный амперметр по току. Главное, разместить его на радиаторе, который в простейшем случае представляет собой алюминиевую пластину площадью не менее 25 см2.

В примитивности такого устройства есть не только минус: за счет того, что в нем нет ни регулировки, ни автоматического отключения, его можно использовать для реанимации сульфатированных аккумуляторов. Но не стоит забывать об отсутствии в этой схеме защиты от коржей.

Основная проблема — где найти трансформатор подходящей мощности (не менее 60 Вт) и с заданным напряжением. Можно использовать, если идет советский равный трансформатор. Однако его выходные обмотки имеют напряжение 6.3V, так что придется подключать два последовательно, один из них кажется таким, чтобы в сумме на выходе получилось 10V. Подойдет недорогой трансформатор ТП207-3, у которого вторичные обмотки соединены следующим образом:

Разрежьте обмотку между выводами 7-8 с обмоткой.

Восточное зарядное устройство с электронной регулировкой

Однако можно обойтись и без проема, добавив на выходе схему с электронным стабилизатором напряжения. К тому же такая схема будет удобнее в гаражном применении, так как будет корректировать ток заряда при использовании фаз питающего напряжения, при необходимости применяется для автомобильных аккумуляторов небольшой емкости.

Роль регулятора здесь выполняет составной транзистор Кт837-КТ814, переменный резистор регулирует ток на выходе устройства. При сборке зарядки Stabitron 1N754A можно заменить на советский D814a.

Схема регулируемого зарядного устройства легко повторяется, и ее легко собрать путем монтажа без необходимости запуска печатной платы. Однако учтите, что на радиаторе размещены полевые транзисторы, нагрев которых будет ощущаться.Использовать кулер старого компьютера удобнее, подключив его вентилятор к выходам зарядного устройства. Резистор R1 должен иметь мощность не менее 5 Вт, проще намотать из нихрома или фехраля самостоятельно или подключить параллельно 10 моноваттных резисторов на 10 Ом. Его нельзя ставить, но нельзя забывать, что он защищает транзисторы в случае выводов.

При выборе трансформатора можно ориентироваться на выходное напряжение 12,6-16В, взять либо небольшой трансформатор, соединяя последовательно две обмотки, либо выбрать готовую модель с нужным напряжением.

Видео: Самое простое зарядное устройство для аккумулятора

Переделка зарядного устройства от ноутбука

Однако можно обойтись без поисков трансформатора, если под рукой окажется ненужное зарядное устройство от ноутбука — с несложной переделкой мы получим компактный и легкий импульсный блок питания, способный заряжать автомобильные аккумуляторы. Так как нам нужно получить на розетке напряжение 14,1-14,3 В, готовый блок питания не подойдет, но переделка несложная.
Давайте посмотрим на сайте типовая схема, по которой собраны подобные устройства:

В них поддержание стабилизированного напряжения выполняет схема микросхемы TL431, управляющая оптусом (на схеме не показан): как только выходное напряжение превысит значение, указанное на резисторах R13 и R12, микросхема поджигает опт Квартира светодиодная, по данным ШИМ-регулятора преобразователя для снижения самочувствия на импульсном трансформаторе.Сложный? На самом деле все просто сделать своими руками.

Открываем зарядное устройство, находим рядом с выходным разъемом TL431 и два резистора связанных с ножками REF. Удобнее регулировать верхнее плечо делителя (на схеме — резистор R13): уменьшая сопротивление, уменьшаем и напряжение на выходе зарядного устройства, увеличивая — поднимаем. Если у нас память на 12 В, нам понадобится резистор с большим сопротивлением, если зарядное на 19 В — то с меньшим.

Видео: Зарядка аккумуляторов Авто. Защита от короткого замыкания и тортов. Сделай сам

Вытаскиваем резистор и устанавливаем заранее настроенный мультиметром подстроечный резистор на такое же сопротивление. Затем, подключив нагрузку (лампочку от фары) к выходу зарядного устройства, включите сеть и плавно вращайте ротор двигателя, одновременно контролируя напряжение. Как только мы получим напряжение в пределах 14,1-14,3 В, отключаем память от сети, фиксируем двигатель подстроечного резистора лаком (хотя бы для гвоздей) и собираем корпус обратно.Это займет не больше времени, чем вы потратили на чтение этой статьи.

Есть более сложные схемы стабилизации, и их уже можно встретить в китайских блоках. Например, вот опполяр управляется микросхемой TEA1761:

Однако принцип настройки тот же: сопротивление резистора меняется между плюсовым выводом источника питания и 6-м выводом микросхемы. На схеме для этого используются два поляризованных резистора (таким образом получается сопротивление, выходящее из стандартного ряда).Нам нужно вместо них иметь мешалку и настроить выход на желаемое напряжение. Вот пример одной из этих плат:

По звонку можно понять, что в этой плате интересует одиночный резистор R32 (развалился красным) — нам нужно насытиться.

В интернете часто можно встретить похожие рекомендации, как сделать из блока питания компьютера самодельное зарядное устройство. Но учтите, что все они по сути являются перепечатками старых статей начала двухтысячных, и подобные рекомендации для более-менее современных блоков питания не применимы.В них невозможно просто поднять напряжение 12 В до нужного значения, так как другие выходные напряжения контролируются, и они неминуемо будут «плыть» с этой настройкой, и сработает защита блока питания. Можно использовать зарядные устройства для ноутбуков, выдающие только выходное напряжение, они намного удобнее переделывать.

15LED20M-TO_181161.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

PART Описание Чайник
13LED20M-ST Типичные оптические и электрические характеристики.
Anadigics Inc
GDSSF2301B-15 ТИПОВЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Высокая мощность и возможность передачи тока
GOOD-ARK Электроника
106501-2000 106501-1000 106501-0019 106501-0026 10 Герметичные блоки SFP Интегрированные оптические и электрические розетки
Molex Electronics Ltd.
AN649 HFTA-04.0: Оптическое / электрическое преобразование в волоконно-оптических системах SDH / SONET
Maxim Integrated Products, Inc.
MAXIM [Maxim Integrated Products]
BGA318 Q62702-G0043 Из старой системы технических данных
Кремниевый биполярный MMIC-усилитель (каскадный блок усиления 50 Вт, типовое усиление 16 дБ на частоте 1,0 ГГц, типовое усиление 12 дБмВт на частоте 1,0 ГГц) 硅 双极 单片 放大器 (级 0 瓦 , 模块 十六增益 .0 GHz2 dBm 的 P — 1dB 的 在 1.0 千 兆赫)
Кремниевый биполярный MMIC-усилитель (каскадный блок усиления 50 Вт, типовое усиление 16 дБ при 1.0 ГГц 12 дБмВт (тип. P-1 дБ на частоте 1,0 ГГц) 0 МГц — 1200 МГц ВЧ / СВЧ / СВЧ ШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
SIEMENS AG
BGA318 Кремниевый биполярный MMIC-усилитель (каскадный блок усиления 50 Вт, типовое усиление 16 дБ на частоте 1,0 ГГц, типовое значение 12 дБмВт на частоте 1,0 ГГц)
Группа полупроводников Сименс
ACC701-000 Устройство демаркации электрических сетей Ethernet со скоростью 10/100 Мбит / с.
JDS Uniphase Corporation
ENW1D-D28-L00128 ENW1D-D28-M00128 ENW1D-D28-M00128 ВРАЩАЮЩИЙСЯ ЭНКОДЕР ОПТИЧЕСКОГО ПОЛОЖЕНИЯ КОМПАКТНЫЙ ПАКЕТ-5
ВРАЩАЮЩИЙСЯ ЭНКОДЕР ОПТИЧЕСКОГО ПОЛОЖЕНИЯ ROHS COMPLIANT, COMPACT PACKAGE-5
ЭНКОДЕР — ВРАЩАЮЩИЙСЯ ОПТИЧЕСКИЙ ВРАЩАТЕЛЬНЫЙ ЭНКОДЕР ОПТИЧЕСКОГО ПОЛОЖЕНИЯ
Энкодеры 256-цикловый осевой энкодер ПОЛОЖЕНИЯ
ВРАЩАЮЩИЙСЯ ЭНКОДЕР ОПТИЧЕСКОГО ПОЛОЖЕНИЯ
Энкодеры 256Cycle Radial ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER
20CODER — ROTARY OPTICAL ROTARY OPTICAL POSITION ENCODER
Encoders 64Cycle Radial ROTARY OPTICAL POSITION ENCODARY 100ycle
Radial Encoders 9
Bourns, Inc.
BOURNS INC
FCBP110LD1L10 Finisar стремится исключить оптический модуль из оптической связи
Список неклассифицированных производителей
MCP619-I / P MCP619-I / SL MCP619-I / ST MCP617-I / MS MCP Счетверенный операционный усилитель (ОУ) MCP619 имеет произведение коэффициента усиления на полосу пропускания 190 кГц при низком типичном рабочем токе 19 …
Сдвоенный операционный усилитель (ОУ) MCP617 имеет произведение на ширину полосы усиления 190 кГц с низким типичный рабочий ток 19…
Операционный усилитель MCP618 имеет произведение коэффициента усиления на полосу пропускания 190 кГц при низком типичном рабочем токе 19 мкА …
Операционный усилитель (операционный усилитель) MCP616 имеет произведение на ширину полосы усиления 190 кГц с низкий типовой рабочий ток 19 мкА …
Микрочип
V23815-K1306-M230 V23814-K1306-M230 V23815-K1306-M Параллельный оптический канал: PAROLI TM Rx DC / DEMUX-DEC
Параллельный оптический канал: PAROLI TM Tx DC / MUX-ENC
Параллельный оптический канал: PAROLI TM Rx AC
Параллельный оптический канал: PAROLI TM Tx AC
Из старой системы технических данных
Инфинеон
HEDS-5500 HEDS-5540 HEDS-5505-A14 HEDS5540 HEDM-55 HEDL-5561 # J06 · Драйверы линии кодировщика
HEDS-5540 # A01 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDS-5140 # A02 · Двух- и трехканальные кодовые колеса
HEDS-5505 # A04 · Быстрая сборка двух- и трехканального Оптический кодировщик
HEDM-5505 # B04 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDS-5600 # A06 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDS-5500 # A01 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDM- 5605 # B06 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDM-5600 # B06 · Быстрая сборка двух- и трехканального оптического кодировщика
HEDS-5120 # A01 · Двух- и трехканальные кодовые колеса
HEDM-5120 # B02 · Двух- и трехканальный Codewheels
HEDM-5500 # B01 · Быстрая сборка Двух- и трехканальный оптический кодировщик
HEDS-8910 # 001 · Инструмент для выравнивания 3-канальных кодировщиков быстрой сборки HEDS-554X / 564X Series
Быстрая сборка Двух- и трехканальные оптические кодеры
Agilent (Hewlett-Packard)
HP [Agilent (Hewlett-Packard)]

TCST123006_4548367.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

PART Описание Чайник
TCST110309 Прозрачный оптический датчик с выходом на фототранзисторе
Vishay Siliconix
TCST210309 Прозрачный оптический датчик с выходом на фототранзисторе
Vishay Siliconix
TCPT1300X01 TCPT1300X0111 Сверхминиатюрный пропускающий оптический датчик с транзисторным выходом
Vishay Siliconix
TCST2000 TCST1000 Прозрачный оптический датчик без апертуры 透射 光学 传感器 无 孔径
Из старой системы технических данных
Thomas
Vishay Siliconix
Vishay Telefunken
TCST2202 TCST1300 TCST110 TCST1103 TCST2300 TCST21 Прозрачный оптический датчик с выходом на фототранзисторе 透射 光 传感器 输出 的 光电 晶体管
Из старой системы технических данных
Vishay Intertechnology, Inc.
Vishay Siliconix
Vishay Telefunken
TCYS5201 Прозрачный оптический датчик с триггерным логическим выходом Шмитта
Из старой системы технических данных
VISAY [Vishay Siliconix]
TCUT120007 Сверхминиатюрный двухканальный пропускающий оптический датчик с выходами на фототранзисторах, соответствует требованиям RoHS, выпущен для процесса пайки без свинца (Pb)
Vishay Siliconix
KT872N15 KT872N55 KT872P51 KT872P55 KT872T55 KT872 Выход для фототранзистора оптического переключателя с прорезями.Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона с.02 дюйма SQ, выводы. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с размером 0,02 дюйма. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Ширина апертуры перед датчиком 0,010 дюйма. Ширина апертуры перед излучателем.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с.02inches SQ, ведет. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Отверстие перед датчиком 0,050 дюйма. Ширина апертуры перед излучателем
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .01
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ.Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами.320 дюймов. Отверстие перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .050i
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Ширина апертуры перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма.Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .0
Выход фототранзистора с прорезью оптического переключателя. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Отверстие перед датчиком.050 дюймов. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма.Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов
Выход для фототранзистора с прорезью оптического переключателя. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .01
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с.02inches SQ, ведет. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем .05
Технологии Оптек
KT837L15 KT837W15 KT837L55 KT837L51 KT837W51 KT837 Выход для фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами.320 дюймов. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами.320 дюймов. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение.Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма.Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма.Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение.Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма.Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,010 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем.010 дюймов.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед излучателем 0,050 дюйма.
Технологии Оптек
HOA1881-013 HOA1881 HOA1881-011 HOA1881-012 Передающий датчик
Центр твердотельной электроники Honeywell

AN649_1209933.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

PART Описание Чайник
AN649 HFTA-04.0: оптическое / электрическое преобразование в волоконно-оптических системах SDH / SONET
MAXIM — Dallas Semiconductor
AN649 HFTA-04.0: оптическое / электрическое преобразование в волоконно-оптических системах SDH / SONET
Maxim Integrated Products, Inc.
MAXIM [Maxim Integrated Products]
13 светодиодов 20M-К Типичные оптические и электрические характеристики.
Anadigics Inc
ACC702-000 Устройство демаркации оптических сетей Ethernet со скоростью 10/100 Мбит / с
JDS Uniphase Corporation
KT872N15 KT872N55 KT872P51 KT872P55 KT872T55 KT872 Выход для фототранзистора оптического переключателя с прорезями.Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Непрозрачные дискретные оболочки из полисульфона с.02 дюйма SQ, выводы. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с размером 0,02 дюйма. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Ширина апертуры перед датчиком 0,010 дюйма. Ширина апертуры перед излучателем.
Выход для фототранзистора с щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с.02inches SQ, ведет. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Отверстие перед датчиком 0,050 дюйма. Ширина апертуры перед излучателем
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .01
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ.Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами.320 дюймов. Отверстие перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .050i
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,320 дюйма. Ширина апертуры перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма.Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .0
Выход фототранзистора с прорезью оптического переключателя. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Отверстие перед датчиком.050 дюймов. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма.Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем.050 дюймов
Выход для фототранзистора с прорезью оптического переключателя. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,010 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем. Дискретные оболочки из непрозрачного полисульфона с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр B, расстояние между выводами 0,320 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером 0,050 дюйма
Выход фототранзистора со щелевым оптическим переключателем.Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,010 дюйма. Апертура перед эмиттером .05
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с выводами 0,02 дюйма SQ. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Апертура перед эмиттером .01
Выход фототранзистора оптического переключателя с прорезями. Дискретные оболочки из полисульфона, пропускающие ИК-излучение, с.02inches SQ, ведет. Электрический параметр C. Расстояние между выводами 0,220 дюйма. Апертура перед датчиком 0,050 дюйма. Отверстие перед излучателем .05
Технологии Оптек
RX2.7GBIT / S TX2.7GBIT / S V23832-T2131-M101 V23832-T PAROLI 2 Tx AC, 2,7 Гбит / с 2 个 发送 , 交流 2,7 千兆 /
Параллельные оптические каналы (PAROLI) — PAROLI? 2 Rx AC, 2,7 Гбит / с,
Параллельные оптические каналы (PAROLI) — PAROLI? 2 Tx AC, 2,7 Гбит / с, мультистандартный электрический интерфейс
PAROLI 2 Tx AC, 1.25 Гбит / с
Infineon Technologies AG
HEDS-5500I11 HEDM-5505B04 HEDS-5500F02 HEDM-5500 Двух- и трехканальные оптические энкодеры для быстрой сборки
ОДНОКАНАЛЬНЫЙ, 2-КАНАЛЬНЫЙ, ВРАЩАЮЩИЙСЯ ЭНКОДЕР ОПТИЧЕСКОГО ПОЛОЖЕНИЯ
AVAGO TECHNOLOGIES LIMI …
OPB980 OPB990 OPB992N11 РАЗЪЕМ ШИРИНА 3,11 мм, ОПТИЧЕСКИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С 1 КАНАЛОМ ВЫХОДНОЙ ПЛАСТИКОВЫЙ ПАКЕТ-5
Photologic TM Оптические переключатели с прорезями
ТТ электроника ОПТЭК Технологии
ОПТЭК [ОПТЭК Технологии]
PXA255 GDPXA255A0E400 LUPXA255A0E400 LUPXA255A0C20 Электрические, механические и тепловые характеристики
Intel? Электрические, механические и тепловые характеристики процессора PXA255
Корпорация Intel
HEDS-9730 HEDS-9731 HEDS-9732 HEDS-9733 HEDS-9733U Малые модули оптического кодера 小型 光学 编码 器 模
HEDS-9733 # T50 · Малые модули оптического кодера
HEDS-9732 # T50 · Малые модули оптического кодера
HEDS-9731 # 150 · Малые модули оптического кодера
HEDS-9730 # 250 · Малые модули оптического кодировщика
Avago Technologies, Ltd.
Agilent (Hewlett-Packard)
HLMP-CB28-STD00 HLMP-CB28-RU000 HLMP-CB28-RU0DD HL HLMP-CB28-STD00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB28-RU000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB28-RU0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB29-RU000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB29-RU0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE18-WZ000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE18-WZ0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE19-WZ000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE19-WZ0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB39-QT000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB39-QT0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB18-TW000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB18-TW0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM18-YZC00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE29-VY000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE29-VY0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB19-TW000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB19-TW0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB38-QRA00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB38-QRADD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB28-STDDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB38-QT000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB38-QT0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM28-WXCDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM39-WXDDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM28-WXC00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM18-YZCDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB18-UVA00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB18-UVADD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE28-VY000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE28-VY0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CB39-RSDDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE38-TW000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE38-TW0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM38-UVC00 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM38-UVCDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CM39-UVCDD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE39-TW000 · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
HLMP-CE39-TW0DD · T-1 3/4 (5 мм) сверхяркая прецизионная светодиодная лампа InGaN с оптическими характеристиками.
Agilent (Hewlett-Packard)

ремонт и модификация.Как сделать автономные импульсные блоки питания

Как отремонтировать и доработать импульсный блок питания китайского производства на 12 вольт

Хочу начать с того, что мне в руки попало несколько сгоревших и кто-то уже «отремонтировал» блоки питания 220 / 12В. Все блоки были одного типа — HF55W-S-12, поэтому, забив в заголовок поисковика, я надеялся найти схему. Но кроме фото внешнего вида, параметров и цен на них я ничего не нашел.Поэтому пришлось самому рисовать схему с доски. Схема составлена ​​не для изучения принципа работы БП, а исключительно в ремонтных целях. Поэтому сетевой выпрямитель не нарисован, поэтому импульсный трансформатор я не видел и не знаю, где делается отвод (начало / конец) на 2-й обмотке трансформатора. Только не считайте опечатку С14 -62 Ом, — на плате маркировка и маркировка под электролитическим конденсатором (+ показан на схеме), но везде на его месте стояли резисторы номиналом 62 Ом.

При ремонте таких устройств их необходимо подключать через лампочку (лампа накаливания 100-200 Вт, последовательно с нагрузкой), чтобы в случае короткого замыкания в нагрузке выходной транзистор не выходил из строя и дорожки на плате не горело. Да и домочадцам поспокойнее, если вдруг вдруг в квартире погаснет свет.
Основная неисправность — пробник Q1 (FJP5027 — 3А, 800В, 15МГц) и как следствие — обрыв в резисторах R9, R8 и выход из строя Q2 (2SC2655 50В \ 2А 100МГц).На схеме они выделены цветом. Q1 можно заменить любым подходящим транзистором по току и напряжению. Ставил БУТ11, БУ508. Если мощность нагрузки не превышает 20 Вт, можно даже поставить J1003, который можно найти на плате от сгоревшей энергосберегающей лампы. В одном блоке совсем не было ВД-01 (диод Шоттки STPR1020CT -140 В \ 2х10 А), поставил вместо него MBR2545CT (45 В \ 30 А), что типично, при нагрузке 1,8 А вообще не греется (использовалась автомобильная лампочка 21 Вт \ 12 В).Родной диод за минуту работы (без радиатора) греется так, что рукой нельзя дотронуться. Проверил ток, потребляемый прибором (с лампочкой на 21 ватт) родным диодом и с MBR2545CT — ток (потребляемый от сети, у меня напряжение 230 В) упал с 0,115 А до 0,11 А. Мощность был уменьшен на 1,15 Вт, что так сильно рассеивался на родном диоде.
Заменить Q2 было не на чем, под рукой был транзистор S945. Пришлось «помочь» его схему с транзистором КТ837 (рис.2). Ток остался под контролем и при сравнении тока с родной схемой на 2SC2655 оказалось очередное снижение энергопотребления при той же нагрузке на 1 Вт.

В итоге при нагрузке 21 Вт и работе 5 минут выходной транзистор и выпрямительный диод (без радиатора) нагреваются до 40 градусов (слегка греются). В оригинальном варианте после минуты работы без радиатора их уже нельзя было трогать. Следующим шагом к повышению надежности блоков, выполненных по данной схеме, является замена электролитического конденсатора С12 (который со временем высыхает электролит) на обычный неполярно-неэлектролитический.Тот же номинал 0,47 мкФ и напряжение не ниже 50 В.
При таких характеристиках БП теперь можно легко подключать светодиодные ленты, не опасаясь, что эффективность блока питания ухудшит эффект экономии. светодиодного освещения.

Устанавливается во многих электроприборах. Их основным элементом считается индуктор. По своим параметрам он может быть самым разным, и в первую очередь это связано с пороговым напряжением в сети.

Дополнительно следует учитывать мощность самого устройства. Сделать простой блок питания в домашних условиях довольно просто. Однако в этом случае необходимо иметь возможность рассчитать индекс частотной модуляции. Для этого учитывается вектор сетевых прерываний и параметр интегрирования.

Как сделать блок для компьютера?

Чтобы собрать своими руками импульсные блоки питания для компьютеров, потребуются индукторы средней мощности.Сдвиг частоты в этом случае будет полностью зависеть от типа используемых конденсаторов. Кроме того, перед началом работы следует рассчитать коэффициент модуляции. Важно учитывать пороговое напряжение в системе.

Если параметр модуляции находится в районе 80%, можно использовать конденсаторы с емкостью менее 4 пФ. Однако стоит позаботиться о наличии мощных транзисторов. Основной проблемой этих агрегатов считается перегрев обмотки катушки.В этом случае человек может наблюдать небольшой дым. Ремонт импульсного блока питания в этом случае следует начинать с отключения всех конденсаторов. После этого контакты необходимо тщательно очистить. Если в конце концов проблема не будет устранена, индуктор необходимо полностью заменить.

Модель 3 В

Импульсные источники питания 3 В можно сделать с помощью обычных катушек индуктивности серии PP202. Показатели электропроводности на среднем уровне. В этой ситуации параметр модуляции в системе не должен превышать 70%.В противном случае пользователь может столкнуться со сдвигом частоты, который произойдет в блоке.

Кроме того, важно подбирать конденсаторы емкостью не менее 5 пФ. Принцип работы импульсного блока питания этого типа основан на фазовом переходе. При этом нередко специалисты дополнительно устанавливают преобразователи. Все это нужно для того, чтобы промежуточная частота была как можно меньше. Кулеры на такие типы блоков устанавливаются крайне редко.

Устройство на 5 В

Чтобы сделать импульсный блок питания своими руками, необходимо выбрать выпрямитель, исходя из мощности электроприбора.Конденсаторы в этом случае используются емкостью до 6 пФ. Кроме того, в устройство дополнительно устанавливаются транзисторы. Это необходимо для того, чтобы довести индекс модуляции до уровня 80%.

Все это тоже повысит параметр индуктивности. Проблемы этих агрегатов чаще всего связаны с перегревом конденсаторов. При этом особой нагрузки на катушку нет. Ремонт импульсного блока питания в этом случае следует начинать стандартно — с зачистки контактов.Только после этого устанавливается более мощный преобразователь.

Что нужно для блока на 12 В?

Стандартная схема импульсного источника питания этого типа включает индуктор, конденсаторы, а также выпрямитель вместе с фильтрами. Параметр модуляции в этом случае существенно зависит от предельной частоты. Также важно учитывать скорость встроенного процессора. Транзисторы для блока этого типа чаще всего выбираются для полевого обзора.

Конденсаторы нужны только емкостью 5 пФ.Все это в конечном итоге значительно снизит риск повышения температуры в системе. Катушки индуктивности устанавливаются, как правило, средней мощности. В этом случае обмотки для них должны быть медными. Регулируемый импульсный блок питания 12В за счет специальных контроллеров. Однако многое в этой ситуации зависит от типа электроприбора.

Блоки с фильтрами ММ1

Схема импульсного источника питания с фильтрами этой серии включает, помимо индуктора, выпрямитель, конденсатор и резистор вместе с преобразователем.Использование фильтров в устройстве может значительно снизить риск повышения температуры. Повышена чувствительность модели. Коэффициент модуляции в этом случае напрямую зависит от прерывания сигнала.

Для повышения порогового напряжения резисторы специалисты рекомендуют использовать только полевого типа. При этом емкость конденсатора должна быть не менее 4 Ом. Основной проблемой таких устройств считается увеличение отрицательного сопротивления. В результате все резисторы на плате довольно быстро перегорают.Ремонт агрегата в такой ситуации нужно начинать с замены внешней обмотки индуктора. Кроме того, проверьте полярность резисторов. В некоторых случаях увеличение отрицательного сопротивления в цепи связано с увеличением частотного диапазона. В этом случае разумнее поставить более мощный преобразователь.

Как собрать блок с выпрямителем?

Чтобы сделать своими руками импульсные блоки питания с выпрямителем, потребуются транзисторы закрытого типа.При этом в системе должно быть предусмотрено не менее четырех единиц. Минимальная емкость должна быть на уровне 5 пФ. Принцип работы импульсного блока питания этого типа основан на изменении фазы тока. Этот процесс происходит непосредственно за счет преобразователя. Фильтры в таких моделях устанавливаются довольно редко. Это в значительной степени связано с тем, что пороговое напряжение значительно увеличивается в результате их использования.


Модели со сглаживающими фильтрами

Схема импульсного источника питания 12В с конденсаторами сглаживающих фильтров обеспечивает ёмкость не менее 4 пФ.Благодаря этому показатель модуляции должен быть на уровне 70%. Чтобы стабилизировать процесс преобразования, многие используют только резисторы закрытого типа. У них небольшая мощность, но они решают проблему. Принцип импульсного источника питания основан на изменении фазы устройства. Фильтры часто устанавливают сразу возле змеевика.

Блоки повышенной стабилизации

Блок данного типа может быть изготовлен с использованием индуктора только большой мощности. При этом в системе должно быть не менее пяти единиц.Также заранее необходимо рассчитать количество необходимых резисторов. Если преобразователь используется в низкочастотном блоке, то резисторы нужно использовать только в двух. В противном случае они также устанавливаются на выходе. Фильтры для этих систем используются по-разному.

В этой ситуации многое зависит от индекса модуляции. Основной проблемой таких систем считается перегрев резисторов. Это связано с резким повышением порогового напряжения. В этом случае и преобразователь выходит из строя.Ремонт агрегата в такой ситуации также нужно начинать со снятия изоляции с контактов. Только после этого можно будет проверить уровень отрицательного сопротивления. Если этот параметр больше 5 Ом, все конденсаторы в устройстве необходимо полностью заменить.

Модели с конденсаторами ПК

Изготовить блоки с конденсаторами этой серии довольно просто. Резисторы для них используются только закрытого типа. В этом случае полевые аналоги существенно снижают параметр модуляции до 50%. Катушки индуктивности с конденсаторами средней мощности.Прерывание сигнала в этом случае напрямую зависит от скорости нарастания ограничивающего напряжения. Конвертеры в устройствах используются довольно редко. В этом случае интегрирование происходит путем изменения положения резистора.


Устройства с конденсаторами CX

Изготавливать блоки этого типа можно только на замкнутых резисторах. На них можно устанавливать катушки индуктивности с разной мощностью. В этом случае параметр модуляции зависит исключительно от порогового напряжения.Если рассматривать модели для телевизоров, то блок лучше сразу делать с системой фильтрации. В этом случае низкочастотный шум будет отфильтровываться сразу на входе. Конденсаторов в аппарате должно быть не менее пяти. Средняя емкость 5 пФ.

Если вы устанавливаете их непосредственно возле индуктора, лучше всего использовать дополнительный многослойный конденсатор. Контроллеры в этом случае устанавливаются только поворотного типа. В этом случае регулировка импульсного блока питания будет достаточно плавной.


Как сделать блок с синусовым дросселем?

В схему импульсного источника питания 12 В с синусным дросселем входят катушка, конденсатор, а также преобразователь. Последний элемент выбирается исходя из уровня отрицательного сопротивления в цепи. Также важно заранее рассчитать параметр предельной частоты. В среднем оно должно быть не менее 45 Гц. За счет этого значительно повысится стабильность работы системы. Работа импульсного источника питания этого типа основана на изменении фазы из-за увеличения модуляции.


Блоки на керамических конденсаторах

Сделать мощный импульсный блок питания с керамическими конденсаторами довольно сложно из-за большого сопротивления схемы. В результате встретить такие модификации на сегодняшний день проблематично. Как правило, они изредка используются на различном звуковом оборудовании. Резисторы в этом случае подходят только полевого типа. Также необходимо заранее выбрать качественный преобразователь. Обмотка на нем должна быть только медной.

При этом повороты нужно направлять сверху вниз, а снизу вверх. Прерывание сигнала в этом случае напрямую зависит от скорости процесса преобразования. Если температура в системе повышается достаточно быстро, в первую очередь страдают конденсаторы. При этом дым над доской появляется довольно часто. В этом случае ремонт агрегата следует начинать с замены конденсаторов. После этого проверяется пороговое напряжение на внешней катушке индуктора.Завершить работу следует зачисткой контактов.


Модели с каплевидными конденсаторами

Принцип работы блоков с каплевидными конденсаторами стандартен при изменении фазы. В этом случае преобразователь играет ключевую роль в процессе. Для стабильной работы системы параметр отрицательного сопротивления должен быть не менее 5 Ом. В противном случае конденсаторы будут перегружены. В этом случае можно использовать индуктор. При этом параметр модуляции должен быть в районе 70%.Резисторы для таких блоков используются только векторные. Ток, проходящий через них, довольно велик. При этом они дешевы на рынке.


Применение варисторов

Варисторы в маломощных блоках используются крайне редко. Тем самым они могут значительно повысить стабильность работы устройства. Эти элементы устанавливаются, как правило, рядом с индуктором. Скорость процесса интеграции в этом случае напрямую зависит от типа конденсаторов. Если вы используете их с максимальной емкостью 5 пФ, то коэффициент модуляции будет на уровне 60%.

Обрыв сигнала в этом случае может произойти из-за выхода из строя преобразователя. Ремонт агрегата нужно начинать с осмотра состояния контактов. Только после этого проверяется целостность катушки индуктора. Контроллеры для таких агрегатов очень разнообразны. В последнюю очередь следует рассматривать кнопочные варианты. Управление агрегатом во многом будет зависеть от проводимости контактов.

Импульсные источники питания на 12 В в настоящее время все чаще используются в повседневной жизни.С их помощью заряжаются разные виды аккумуляторов, реализуются некоторые виды освещения, даже бесперебойное питание компьютеров и других сетей. Конечно, самый простой способ приобрести необходимый импульсный блок питания — это купить его в магазине. Например, импульсный блок питания на tl494.

Но нас интересует возможность собрать это устройство своими руками. Итак, импульсный блок питания — это схема, детали и рекомендации по его сборке.

Если рассматривать структурную схему, то она состоит из четырех элементов:

  • Выпрямитель сетевой.
  • Выпрямитель напряжения.
  • Система управления.

Структура блока питания показана на нижнем рисунке.

Итак, какие функции выполняет каждый из этих элементов. Сетевой выпрямитель преобразует переменный ток в постоянный. То есть сглаживается пульсация напряжения. И наоборот, высокочастотный преобразователь преобразует постоянное напряжение в переменное.При этом форма импульсов становится, во-первых, прямоугольной, а во-вторых, необходимой амплитуды.

Выпрямитель напряжения частично сглаживает напряжение. Кстати, в некоторых блоках питания этот элемент отсутствует, электрический ток идет напрямую на сглаживающий фильтр, который своим выходом подключается к нагрузке. На схеме видно, что система управления связана как с высокочастотным преобразователем, так и с выпрямителем. Дело в том, что управление VCP происходит за счет обратной связи с выпрямителем.

Эта блок-схема простого импульсного блока питания 12 В, между прочим, имеет большое количество критиков, которые уверяют, что КПД довольно мал. В принципе, это так, но если правильно подойти к выбору всех элементов, если правильно провести расчеты, то этот тип импульсных блоков питания будет иметь КПД не менее 90%. А это кое-что и значит.

Принципиальные схемы

Итак, в основе сборки импульсного блока питания лежит не только принципиальная схема, а точнее ее разумный выбор, но и выбор основных ее элементов.В принципе, в этом случае необходимо точно выделить два элемента:

О них и пойдет речь.

Фактически, это длинное имя можно заменить коротким — инвертор. Он может быть одно- или двухтактным, в котором используется импульсный трансформатор. Вот несколько схем этого элемента:

Схема высокочастотного преобразователя

Самая простая схема, в которой установлен только трансформатор, несимметричная (первая позиция). Простота порождает недостатки:

  • Необходимо установить трансформатор больших размеров, потому что это устройство действует на частную петлю гистерезиса.
  • Чтобы выходной ток был большим, необходимо увеличить его амплитуду импульса.

Поэтому эту схему чаще всего используют в блоках питания для маломощных устройств, где влияние этих недостатков не повлияет на работу самого устройства.

Вторая позиция — это двухтактная схема, которая называется двухтактной. Недостатков однотактности нет, но есть и недостатки: повышенные требования к максимальному значению напряжения ключей и более сложная конструкция самого трансформатора.

Третья позиция — двухтактный полумост. Фактически, это предыдущая модель только с упрощенным трансформатором. Именно этот критерий стал основой для импульсных источников питания, которые применяются для электроприборов мощностью не более 3 кВт.

Четвертая позиция — это мостовой импульсный источник питания. Он увеличивает количество клавиш питания вдвое, что дает возможность увеличить мощность. И это выгодно как с технической точки зрения, так и с экономической точки зрения.

Выбор трансформатора

Импульсный источник питания, а точнее его мощность, будет зависеть от типа выбранного сердечника трансформатора. Для блоков питания до 1 кВт устанавливается трансформатор с ферритовым сердечником.

Внимание! Необходимо помнить, что в трансформаторах с ферритовым сердечником большие потери напряжения возникают, если его частота приближается к 100 Гц.

Выпрямитель напряжения

Существуют три основные схемы выпрямления напряжения номиналом 220 вольт.

  • Двухполупериодный.
  • Двухполупериодный.
  • Ноль или, как и предыдущий, только со средней точкой.


Первая схема — самая простая, в которой используется минимальное количество полупроводниковых элементов. Единственный его недостаток — высокая пульсация выходного напряжения. Хотя можно было бы добавить небольшой коэффициент выпрямления (0,45), поэтому, используя эту схему, вам придется установить мощный фильтр.

Zero обладает высоким коэффициентом выпрямления — 0,9.Правда, необходимо почти в два раза увеличить количество выпрямительных диодов. Недостаток — наличие сетевого трансформатора. То есть его габаритные размеры мало связаны с концепцией малогабаритных устройств, особенно если речь идет об импульсном блоке питания.

Третья позиция такая же, как вторая, только без трансформатора. Его заменяют емкостным фильтром, имеющим недостаток — это большой импульс выходного тока. Правда, этот недостаток не критичен.

Заключение по теме

Как видите, принципиальная схема импульсных блоков питания имеет несколько разновидностей. Но для того, чтобы каждый из них работал корректно, необходимо правильно подобрать его составляющие. Конечно, все это не так просто, как может показаться на первый взгляд, но если учесть наши рекомендации, можно самостоятельно собрать небольшой блок питания, например, для освещения комнаты светодиодными лампами.

Похожие записи:

kt84 техническое описание и примечания к применению

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.

Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Y89KPJ PHASE CONTROL THYRISTOR Характеристики : Центральный усилительный вентиль n Металлический корпус с керамическим изолятором n Низкие потери в открытом состоянии и коммутационные потери Типичные области применения n Контроллеры переменного тока n Управление двигателем постоянного и переменного тока n Управляемые выпрямители IT AV VDRM / VRRM ITSM I2t 3211 A


Оригинал
PDF Y89KPJ 100-4200В 103A2S КТ84дТ 300 мА
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Y89KKG БЫСТРОЕ ОТКЛЮЧЕНИЕ ТИРИСТОР Характеристики : Чередующиеся усилительные вентили Быстрое включение и высокое di / dt n Низкие коммутационные потери Типичное применение n Индуктивный нагрев n Электронные сварочные аппараты n Самокоммутируемые инверторы IT AV VDRM / VRRM tq ITSM I2t 3416A 1900 ~ 2500 В


Оригинал
PDF Y89KKG 103A2S КТ84дТ
КТ84Л

Реферат: датчик температуры kty84-130 KTY84 KT84L datasheet nxp 544 KTY84-130 KTY84 / 151
Текст: Серия KTY84 Кремниевые датчики температуры Ред.06 — 8 мая 2008 г. Паспорт продукта 1. Профиль продукта 1.1 Общее описание Датчики температуры серии KTY84 имеют положительный температурный коэффициент сопротивления и подходят для использования в системах измерения и управления. Датчики


Оригинал
PDF KTY84 DO-34) КТ84Л kty84-130 датчик температуры KT84L лист данных nxp 544 KTY84-130 KTY84 / 151
Y89KKG

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Y89KKG БЫСТРО ОТКЛЮЧЕНИЕ ТИРИСТОР Характеристики  Чередующиеся усилительные вентили  Быстрое включение и высокое di / dt  Низкие коммутационные потери Типичные применения  Индуктивный нагрев  Электронные сварочные аппараты  Самокоммутируемые инверторы IT AV VDRM / VRRM tq ITSM I2t


Оригинал
PDF Y89KKG 103A2S пик2000 450 мА Y89KKG
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Y89KPH ТИРИСТОР ФАЗОВОГО УПРАВЛЕНИЯ Характеристики : Центральный усилительный вентиль n Металлический корпус с керамическим изолятором n Низкие потери в открытом состоянии и коммутационные потери Типичные области применения n Контроллеры переменного тока n Управление двигателем постоянного и переменного тока n Управляемые выпрямители IT AV VDRM / VRRM ITSM I2t 3835 A


Оригинал
PDF Y89KPH 900-3000В 103A2S КТ84дТ I10580 300 мА
2T3130A9

Абстракция: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b KT117G kt117a kt816g kt3102e
Текст: Tranzistory -Speciální KT117AM KT117BM KT117G KT117GM KT117VM 2N1923 2N739 BSV56C, HEP310 2N844 2N1573 Øízené polem 2P934A KP302A KP302A KP302B KP303B KP303G KP303V KP305A KP307Ž KP333A KP333B KP402A KP909A, В, V KP922A KP922A1 KP935G KP960A, В, V


Оригинал
PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2N1923 2N739 BSV56C, HEP310 2N844 2Т3130А9 HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b КТ117Г kt117a kt816g kt3102e
кт84л

Реферат: KTY84 KT84M kty84-130 датчик температуры KTY84 применение KTY84 / 130 kt84 MGU220 DSA00489403 маркировка 1334
Текст: ПАСПОРТ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ dbook, половина страницы M3D050 Серия KTY84 Кремниевые датчики температуры Технические характеристики продукта Заменяют данные от 25 августа 2003 г. 15 сентября 2003 г. Philips Semiconductors Технические характеристики изделия Кремниевые датчики температуры серии KTY84 ОПИСАНИЕ


Оригинал
PDF M3D050 KTY84 MGU220 KTY84 / 130 КТ84М KTY84 / 151 DO-34) КТ84Л KTY84 / 150 kt84l КТ84М kty84-130 датчик температуры Приложение KTY84 KTY84 / 130 kt84 MGU220 DSA00489403 маркировка 1334
КТ837

Аннотация: КТ835 входной КТ837 кт830 фототранзистор К-Т КТ83С КТ847 А кт840 КТ846 КТ841
Текст: РАЗЪЕМНЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА r — T ‘M KT830 — KT840 СЕРИЯ Oplek Technology, Inc 345 Industrial Blvd.Мак-Кинни, Техас 75069 214 542-9461 ОПИСАНИЕ Оптические переключатели серии KT830 / KT840 с прорезью обеспечивают инженеру-проектировщику гибкость


OCR сканирование
PDF КТ830 KT840 КТ830 / КТ840 P1700-935) KT837 KT835 ввод КТ837 фототранзистор К-Т КТ83С КТ847 А KT846 KT841
вход KT837

Реферат: KT837 KT342 OPTEK Датчик углеводородов kt KTS40 KT830 KT847 A kt841 kt835
Текст: 7b OPTEK TECHNOLOGY INC DE IbTTflSflO 000D0S3 1 3 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ ОПТИЧЕСКИХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ ВЫХОД ФОТОТРАНЗИСТОРА KT830 — СЕРИЯ KT840 Oplak Technology, Inc 345 Industrial Blvd.McKinney, Texas 75069 214 542-9461 SEaSgæ ОПИСАНИЕ Оптические переключатели серии KT830 / KT840 с прорезями обеспечивают инженерам-проектировщикам гибкость


OCR сканирование
PDF КТ830 KT840 000D0S3 Т-41-13 КТ830 / КТ840 P1700-935) ввод КТ837 KT837 КТ342 ОПТЭК тыс. 7ù £ -à.f§ W% a s Ü lg S I W M 7 \ w Jkw s i 4; h # »ik« W ‘ï illl ¡P * te ili -X \ S I Iw 11 4-S U E S T am Ir ¿«1 1 1», ü i a Î3 & & C nPA BO H H M K


OCR сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2T603 2Т921А
КТ840

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Бюллетень продукта OPTEK OPB830 Май 1993 г. Щелевые оптические переключатели Типы OPB83QL, OPB84QL Series + G- C O.ле к т о р о — Ji 1 .24Q 6, I0 .190 (4.83) _ .170 (4,32 ‘T -425 00.60) .40500,29) i • Паз шириной 0,125 дюйма • Выбор апертуры • Выбор непрозрачного или пропускающего ИК


OCR сканирование
PDF OPB830 OPB83QL, OPB84QL OPB830L OPB832L OPB84DL OPB842L KT840

OCR сканирование
PDF
КТ840А

Реферат: КТ840Б скан-048 DSAGER00036
Текст: I.HHKax iureaHaa TeJieBh4opoB. yCOIQBHH 3KGEH7ATM5IH 2 .1. lÿaHSHCïopH flonyoKajoT sKonnyaTamno b yojioBiMx h nocjie BOi £ ieraas m hhx «aew upK MexaHnneoKEx BaipyaoK:


OCR сканирование
PDF 250Ce КТ840А КТ840Б сканы-048 DSAGER00036
1282 дискретный вход

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: Бюллетень по продукту OPTEK OPB830W Май 1993 г. Щелевые оптические переключатели Типы OPB83QW, OPB84QW Серии Характеристики Абсолютные максимальные характеристики Ta = 25 ° C, если не указано иное • 0. a s a aaotnn m Q> H Бюллетень продукции QPTEK OPB830; Июль 1989 г. заменяет щелевые оптические переключатели января 1988 г. Типы OPB830L, OPB840L Series, 26fi 6,60> _, 240 (6,10, 3 js_


OCR сканирование
PDF OPB830 OPB830L, OPB840L OPB830LthtU OP8832L OPB840L OPB842L OPB835L OPB837L CP8845L KT840
КТ853

Аннотация: KT853A OH90U KT826 K8702 KT851A KT850B KT8150 KR8803 kt853a2
Текст:> PTEK TECHNOLOGY S7E НА CD • b7TA 5ôü OOO llba □ НОМЕР СТРАНИЦЫ ЗАМЕНЕН БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ it 6N140ATXV NEU 2N СЕРИИ БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ * СЕРИЯ CLVA БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ 3N243 3N244 3N245 БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ БЕЗ ИЗМЕНЕНИЙ 12-4 12-4 -4 CNY17 / Î CNY17 / 2 CNY17 / 3 CNY17 / 4


OCR сканирование
PDF 3N243 3N244 3N245 3N243TX 3N243R 3N244TX 3N244R 3N245TX 3N245R КТ853 КТ853А OH90U KT826 K8702 КТ851А КТ850Б КТ8150 KR8803 kt853a2
OPB840W

Аннотация: ОПТЭК щелевой диод кт840 27е
Текст: OPTEK TECHNOLOGY 27E INC b7TöSöü oooDTaa t m OPTEK D Product Bulletin OPB83QW Июль 1989 г. Заменяет щелевые оптические переключатели, январь 1988 г.ЖИЛЬЕ G AGENTS »


OCR сканирование
PDF OPB830W, OPB840W OPB83QW, QPB840W 26AWG ОПТЭК прорезной kt840 диод 27e
КТ853

Аннотация: KT850 KT853A LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825B
Текст: Конкурс перекрестных ссылок Honeywell P / N P / N 100 H 0A0871-N55 50B2-4204 ФОТОДИОДЫ ВЫЗОВА, T 0 1 8 T A LL PIN 101 HOA1872-12 BC TR AN S A S S Y. PTX 5082-4205 ФОТОДИОДЫ ВЫЗОВА.P P PIN 10501 H 0A 1872-1 BC TRAN S A S S Y, PTX 5082-4207 ФОТОДИОДЫ ВЫЗОВА. T 0 1 8 T A LL PIN


OCR сканирование
PDF 1N5722 1N5723 1N5724 1N5725 1N6264 1N6265 1N6266 2004-90xx 3N24x 24xTX КТ853 КТ850 КТ853А LTR-305D H0A0872-n55 H0A1405-1 h0a2001 MOC70T3 HOA708-1 smd диод 825в