Каковы основные параметры и характеристики транзистора КТ859А. Где применяется данный высоковольтный транзистор. Какие аналоги существуют для КТ859А. Как правильно использовать КТ859А в электронных схемах.
Основные параметры и характеристики транзистора КТ859А
КТ859А — это кремниевый высоковольтный биполярный транзистор n-p-n структуры. Он относится к серии мощных высоковольтных транзисторов и обладает следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 800 В
- Максимальный ток коллектора: 3 А (постоянный), 4 А (импульсный)
- Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт
- Корпус: TO-220AB
- Коэффициент усиления по току (h21э): не менее 10
- Частота единичного усиления: не менее 20 МГц
КТ859А отличается высоким пробивным напряжением коллектор-эмиттер, что позволяет использовать его в высоковольтных цепях. При этом транзистор способен коммутировать достаточно большие токи, что делает его универсальным для различных применений.
Области применения транзистора КТ859А
Благодаря своим характеристикам, КТ859А находит широкое применение в следующих областях электроники:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Усилители мощности
- Переключающие устройства
Транзистор КТ859А особенно востребован в схемах, где требуется коммутация высокого напряжения при относительно небольших токах. Его часто используют в качестве ключевого элемента в импульсных преобразователях и стабилизаторах напряжения.
Применение в импульсных источниках питания
В импульсных источниках питания КТ859А может выполнять роль ключевого транзистора в первичной цепи. Высокое пробивное напряжение позволяет работать непосредственно от выпрямленного сетевого напряжения, а достаточная скорость переключения обеспечивает эффективное преобразование энергии на частотах до нескольких десятков килогерц.
Использование в драйверах электродвигателей
При управлении электродвигателями КТ859А может применяться в качестве силового ключа, коммутирующего обмотки двигателя. Высокое напряжение пробоя позволяет работать с индуктивной нагрузкой без риска выхода транзистора из строя от перенапряжений, возникающих при коммутации индуктивности.
Особенности включения и эксплуатации КТ859А
При использовании КТ859А в электронных схемах следует учитывать ряд особенностей:
- Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода из-за значительной рассеиваемой мощности
- Чувствительность к статическому электричеству, требующая соблюдения мер предосторожности при монтаже
- Рекомендация использовать цепи снаббера для защиты от перенапряжений при работе с индуктивной нагрузкой
Как правильно обеспечить теплоотвод для КТ859А? Транзистор следует устанавливать на радиатор с применением теплопроводящей пасты. Площадь радиатора выбирается исходя из расчета рассеиваемой мощности в конкретной схеме. Для максимальной мощности 40 Вт рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 100-150 см².
Аналоги транзистора КТ859А
Для КТ859А существует ряд отечественных и зарубежных аналогов, которые могут быть использованы для замены в большинстве схем:
- Отечественные: КТ872А, КТ8116А
- Зарубежные: BUL128, 2SC3856, STW9NK90Z
При выборе аналога следует обращать внимание не только на основные параметры (напряжение, ток, мощность), но и на второстепенные характеристики, такие как время переключения и емкости переходов, которые могут оказаться критичными в некоторых схемах.
Методы проверки работоспособности КТ859А
Для проверки исправности транзистора КТ859А можно использовать несколько методов:
- Проверка мультиметром в режиме «прозвонки» диодов
- Измерение статических параметров с помощью специализированного тестера транзисторов
- Проверка в реальной схеме с ограничением тока для безопасности
Как проверить КТ859А мультиметром? Установите мультиметр в режим проверки диодов. Подключите черный щуп к эмиттеру, а красный поочередно к базе и коллектору. Вы должны увидеть падение напряжения около 0,6-0,7 В. При обратном подключении щупов показания должны быть «бесконечность» или «перегрузка».
Особенности производства и качество КТ859А
Транзисторы КТ859А производятся на нескольких предприятиях в России. Качество продукции может варьироваться в зависимости от производителя и года выпуска. При выборе поставщика рекомендуется обращать внимание на следующие аспекты:
- Наличие сертификатов качества
- Отзывы других потребителей
- Возможность проведения входного контроля партии
Стоит отметить, что современные партии КТ859А обычно имеют более стабильные характеристики по сравнению с транзисторами, выпущенными в 1990-х годах. Это связано с улучшением технологии производства и контроля качества.
Перспективы использования КТ859А в современной электронике
Несмотря на то, что КТ859А является достаточно старой моделью, он все еще находит применение в современной электронике. Основные причины его востребованности:
- Проверенная временем надежность
- Доступность и низкая стоимость
- Наличие большой базы схемотехнических решений
Однако в новых разработках все чаще используются более современные полупроводниковые приборы, такие как MOSFET-транзисторы и IGBT-модули, которые обладают лучшими характеристиками по быстродействию и энергоэффективности.
Как долго еще будет актуален КТ859А? Вероятно, этот транзистор будет востребован еще как минимум 5-10 лет, особенно в области ремонта и обслуживания существующего оборудования. Однако в новых разработках его использование будет постепенно сокращаться.
Рекомендации по выбору КТ859А для конкретных применений
При выборе КТ859А для использования в конкретной схеме следует учитывать несколько факторов:
- Максимальное напряжение в схеме (не должно превышать 800 В с учетом запаса)
- Требуемый ток коллектора (не более 3 А в непрерывном режиме)
- Частота переключения (до 20 МГц)
- Температурный режим работы (максимальная температура перехода 150°C)
Для критичных применений рекомендуется выбирать транзисторы с запасом по напряжению и току. Например, если в схеме максимальное напряжение составляет 600 В, лучше использовать КТ859А с запасом в 200 В, что повысит надежность устройства.
Выбор КТ859А для импульсных источников питания
В импульсных источниках питания КТ859А часто используется в качестве ключевого элемента. При выборе транзистора для такого применения следует обратить внимание на следующие параметры:
- Время включения и выключения (должно быть минимальным для снижения потерь)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (влияет на потери в открытом состоянии)
- Устойчивость к лавинному пробою (важно для защиты от перенапряжений)
Как правильно рассчитать потери на КТ859А в импульсном режиме? Общие потери складываются из статических потерь в открытом состоянии, динамических потерь при переключении и потерь в закрытом состоянии. Для точного расчета необходимо учитывать форму импульсов тока и напряжения, а также частоту переключения.
Транзистор КТ859А —
Драгоценные металлы в транзисторе КТ859А согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ859А.
Золото: 0.0004 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: Из справочника Связь-Инвест.
Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ859А сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.
Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,
Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,
Фото транзистора марки КТ859А:
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).
Схемы включения полевых транзисторов
Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).
Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.
Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем.
Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ859А включая его характеристики:
Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.
Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения).
Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на КТ859А:
Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ859А:
Транзистор C4106: характеристики (параметры), цоколевка, аналоги
C4106 — кремниевый транзистор, со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный и высокоскоростной, применяется в переключающих устройствах. Конструктивное исполнение – TO-220 (AB, C).
Содержание
- Предназначение
- Корпус, цоколевка и монтажные размеры
- Характерные особенности
- Предельные эксплуатационные характеристики
- Электрические характеристики
- Схема измерения временных параметров
- Модификации (версии) транзистора
- Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
- Графические иллюстрации характеристик
Предназначение
Транзистор разработан для применения в импульсных переключающих устройствах.
Корпус, цоколевка и монтажные размеры
Характерные особенности
- Высокое пробивное напряжение коллектор-эмиттер: U(BR)CEO = 400 В (Min).
- Высокая скорость переключения.
- Расширенная область безопасной работы транзистора.
- П/п структура многобазового (MBIT-process) типа.
- Минимальный разброс параметров при поставке от партии к партии.
Предельные эксплуатационные характеристики
| Характеристика | Обозначение | Величина |
|---|---|---|
| Напряжение коллектор – база транзистора, В | UCBO | 500 |
| Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В | UCEO | 400 |
| Напряжение эмиттер – база транзистора, В | UEBO | 7 |
| Ток коллектора постоянный, А | IC ٭ | 7 |
| Ток коллектора импульсный, А | ICP | 14 |
| Ток базы постоянный, А | IB | 3 |
| Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт | PC | 1,75 |
| Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт | 50 | |
| Предельная температура полупроводниковой структуры, °С | Tj | 150 |
| Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° | Tstg | -55…+150 |
٭ — снято при длительности импульса ≤ 300 мкс и скважности ≤ 10%.
Электрические характеристики
| Характеристика | Обозначение | Параметры при измерениях | Значения | |
|---|---|---|---|---|
| Пробивное напряжение коллектор-база, В | U(BR)CBO | IC = 1,0 мА, IE = 0 | ˃ 500 | |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В | U(BR)CEO | IC = 5,0 мА, RBE = ∞ | ˃ 400 | |
| Пробивное напряжение эмиттер-база, В | U(BR)EBO | IE = 1,0 мА, IC = 0 | ˃ 7,0 | |
| Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В | UCEX(sus) | IC = 3 А, IB1 = 0,3 А, IB2 = -1,2 А, | ˃ 400 | |
| L = 1 мГн, с введенными ограничениями | ||||
| Ток коллектора выключения, мкА | ICBO | UCB = 400 В, IE = 0 | ˂ 10 | |
| Ток эмиттера выключения, мкА | IEBO | UEB = 5,0 В, IC = 0 | ˂ 10 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | UCE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 0,8 | |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, В | UBE(sat) | IC = 4,0 А, IB = 0,8 А | ˂ 1,5 | |
| Статический коэффициент усиления по току | hFE (1) ٭ | UCE = 5,0 В, IC = 0,8 А | 15…50 | |
| hFE (2) | UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А | ≥ 10 | ||
| hFE (3) | UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА | ≥ 10 | ||
| Частотная полоса передачи (частота среза), МГц | fT | UCE = 10,0 В, IC = 0,8 А | 20 | |
| Выходная емкость коллекторного перехода, пФ | Cob | UCB = 10 В, f = 1 МГц | 80 | |
| Время переключения, мкс | Время нарастания | ton | IC = 5 А, IB1 = 1,0 А, IB2 = -2 А, RL = 40 Ом, UCC = 200 В См.  схему измерений на Рис. 1. | ˂ 0,5 |
| Время сохранения | ts | ˂ 2,5 | ||
| Время спадания | tf | ˂ 0,3 | ||
٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:
| Обозначение группы | L | M | N |
|---|---|---|---|
| Диапазон значений hFE | 15…30 | 20…40 | 30…50 |
Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.
Схема измерения временных параметров
Рис. 1. Схема измерения временных параметров транзистора ton, ts, tf.
На рисунке:
- INPUT – входной сигнал. Длительность импульса (P.W.) = 20 мкс. Скважность импульса (Duty Cycle) ≤ 1%.
- OUTPUT – измеряемый выходной сигнал.
- UBE = -5 В – напряжение смещения.
- UCC = 200 В.
Единицы измерения: сопротивление резисторов – Ом, емкость конденсаторов – Ф.
Модификации (версии) транзистора
| Тип | Корпус | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | ton / tstg / tf, мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | TO-220C | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4106 | TO-220AB | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| HC4106 | TO-220 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / — | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| PMC4106 | TO-220AB | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
Все версии транзисторов разбиты на группы по величине статического коэффициента усиления тока базы в соответствии с таблицей:
| Обозначение группы, идущее после обозначения типа транзистора | L | M | N |
|---|---|---|---|
| Диапазон значений hFE | 15…30 | 20…40 | 30…50 |
Аналоги
Для замены C4106 могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Отечественное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| КТ840А | 60 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 0,6 | 1,5 | 8…15 | — | 10…100 | TO-3 | 0,2 / 3,5 / 0,6 |
| КТ840Б | 750 | 350 | 5 | — | |||||||||
| КТ840В | 800 | 375 | 5 | — | |||||||||
| КТ841А | 50 | 600 | 350 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 2,2 | 10…25 | 300 | 12…45 | TO-3 | 0,08 / 0,8 / 0,5 |
| КТ841Е | 800 | 400 | |||||||||||
| КТ841Д | 500 | 400 | |||||||||||
| КТ854А | 60 | 600 | 500 | 5 | 10 / 15 | 150 | 2 | — | 10 | — | 20 | TO-220AB | — |
| 2Т856А | 125 | — | 950 | 5 | 10 / 12 | — | 1,5 | — | — | — | 10…60 | TO-3 | — / — / 0,5 |
| 2Т856Б | — | 750 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856В | — | 550 | — | — | — | — | |||||||
| 2Т856Г | — | 850 | — | — | — | — | |||||||
| КТ858А | 60 | 400 | 400 | 6 | 7 / 10 | 150 | 1 | 1,2 | — | — | 10 | TO-220AB | — / 2,5 / 0,75 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 / 4 | 150 | 1,5 | 1,4 | — | — | 10 | TO-220AB | 0,35 / 3,5 / 0,35 |
| КТ862В | 50 | 600 | 400 | 5 | 10 / 15 | 150 | 1,5 | 1,6 | 20…30 | 250 | 12…50 | TO-3 | 0,4 / 2 / 0,5 |
| КТ868А | 70 | 900 | 400 | 5 | 6 / 8 | 150 | 1,5 | — | 8 | — | 10…100 | TO-3 | — |
| КТ868Б | 750 | 375 | 6 / 8 | 150 | — | — | — | ||||||
| КТ8110 | 60 | 500 | 500 | 7 | 7 / 14 | 175 | 0,8 | 1,5 | — | — | 15…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,7 |
Зарубежное производство
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC/ICP | TJ | UCE (sat) | UBE (sat) | fT | Cob | hFE | Корпус | Временные параметры: ton / tstg / tf мкс |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC4106 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 / 14 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 80 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC3158 | 60 | 500 | 400 | 7 | 7 | — | 1 | 1,2 | — | — | 20 | TO-220F | 1 / 2,5 / 1 |
| 2SC4055 | 60 | 600 | 450 | 7 | 8 | 180 | 1 | 1,5 | 20 | — | 100 | TO-220 | 0,5 / 2 / 0,2 |
| 2SC4105 | 40 | 500 | 400 | 7 | 4 / 8 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 50 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4107 | 60 | 500 | 400 | 7 | 10 / 20 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 120 | 10…50 | TO-220C | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4108 | 100 | 500 | 400 | 7 | 12 / 25 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 160 | 10…50 | TO-3PB | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 2SC4109 | 140 | 500 | 400 | 7 | 16 / 32 | 150 | 0,8 | 1,5 | 20 | 230 | 10…50 | TO-3PN | 0,5 / 2,5 / 0,3 |
| 3DK3039 | 50 | 500 | 400 | 7 | 7 | 175 | 1 | 1,5 | — | — | 25 | TO-220 ٭ | 1 / — / 1 |
| SGSD00020 | 70 | 650 | 400 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | 1000 | TO-220 | — |
| SGSF341 | 85 | 850 | 400 | — | 10 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF343 | 85 | 1000 | 450 | — | 8 | 175 | — | — | — | — | — | TO-220 | — |
| SGSF344 | 85 | 1200 | 600 | 7 | 7 | 175 | 1,5 | 1,5 | — | — | — | TO-220 | 1,2 / 3,5 / 0,4 |
| SM2175 | 60 | — | 400 | — | 15 | 200 | — | — | 20 | — | 200 | TO-220 | — |
| BUL128 | 70 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…40 | TO-220 | — / 3 / 0,4 |
| BUL128B-D | 70 | 700 | 400 | 9…18 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…32 | TO-220 | — / 0,6 / 0,1 |
| BUL128DR7 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220 | — / 4 / 0,8 |
| BUL128DR8 | 75 | 700 | 400 | 9 | 4 | 150 | 0,8 | 1,2 | 7 | — | 10…40 | TO-220F | — / 4 / 0,8 |
| BUL128FP | 31 | 700 | 400 | 9 | 4 / 8 | 150 | 1,5 | 1,3 | — | — | 10…45 | TO-220FP | — / 2,9 / 0,4 |
Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы (указаны на поле рисунка).
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 3. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока коллектора I C от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В при нескольких значениях температуры внешней среды.
Характеристика для схемы с общим эмиттером.
Рис. 4. Зависимость статического коэффициента усиления транзистора hFE от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты при нескольких значениях температуры внешней среды и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 5 В.
Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U
Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы IC/IB = 5 и при нескольких значениях температуры внешней среды.
Рис. 7. Графики изменений временных параметров ton, ts, tf при изменении коллекторной нагрузки IC.
Характеристики сняты (пояснения на поле рисунка) при резистивной нагрузке, напряжении питания UCC = 200 В и соотношении токов: IC = 5IB1 = -2,5IB2, (tstg = ts).
Рис. 8. Область безопасной работы транзистора для случая резистивной нагрузки, температуре корпуса Tc = 25°C. Ограничения:
— по току коллектора для постоянного тока — IC (режим DC OPERATION), для однократного импульса — ICP разных длительностей: ≤ 50 мкс, 100 мкс, 1 мс,10 мс;
— по напряжению UCEO = 400 В;
— режим ограничений рассеиваемой мощности по условиям вторичного пробоя: S/B Limited (пояснения на поле рисунка).
