Кт907А параметры: КТ907А транзистор >> 284 шт недорого купить

Транзистор d718 параметры в Нижнем Новгороде: 221-товар: бесплатная доставка [перейти]

Партнерская программаПомощь

Нижний Новгород

Каталог

Каталог Товаров

Одежда и обувь

Одежда и обувь

Стройматериалы

Стройматериалы

Текстиль и кожа

Текстиль и кожа

Здоровье и красота

Здоровье и красота

Детские товары

Детские товары

Продукты и напитки

Продукты и напитки

Электротехника

Электротехника

Дом и сад

Дом и сад

Промышленность

Промышленность

Мебель и интерьер

Мебель и интерьер

Сельское хозяйство

Сельское хозяйство

Все категории

ВходИзбранное

KEC Транзистор 2SD718O Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор AOD482, K228-31 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕ

245 000

Арочный металлодетектор Dahua ISC-D718 1000мм Тип: металлодетектор, Тип металлодетектора: арочный

ПОДРОБНЕЕ

40 594

Portwell Процессорная плата Portwell RUBY-D718VG2AR-C236 Тип: процессорная плата, Производитель:

ПОДРОБНЕЕ

2SD718 TO-3P бип (8А 120В NPN) транзистор 10шт Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕ

166 313

Арочный металлодетектор Dahua DHI-ISC-D718-S2 Тип: металлодетектор, Тип металлодетектора: арочный

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор PNP биполярный DIODES INCORPORATED FMMT718TA (FMMT718TA) Тип: транзистор, Производитель:

ПОДРОБНЕЕ

2SD718 транзистор Тип: транзистор, Производитель: Electronics

ПОДРОБНЕЕ

409 673

Арочный металлодетектор с мониторингом температуры тела Dahua DHI-ISC-D718-TS2 Тип:

ПОДРОБНЕЕ

426 743

Арочный металлодетектор Dahua DHI-ISC-D718-TS2 Тип: металлодетектор, Производитель: TS, Досмотр:

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор IGBT NPT IXYS IXDR30N120D1 (IXDR30N120D1) Тип: транзистор, Производитель: IXYS

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор полевой 2SK2677 N-канальный 900V 10A 65W TO-3Pf Транзисторы импортные Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор FDS4435, K14-18 Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕ

390 000

Арочный металлодетектор Dahua DHI-ISC-D718-T с Тепловизором Тип: металлодетектор, Тип

ПОДРОБНЕЕ

2SD718 (120V 10A 80W npn) TO3P Транзистор Тип: корпус

ПОДРОБНЕЕ

MD1803DFX, Транзистор NPN 700В 10А 57Вт Тип: транзистор

ПОДРОБНЕЕ

2SD718 to-3P бип (8А 120В NPN) транзистор 2 шт Тип: транзистор, Производитель: Без бренда

ПОДРОБНЕЕ

Транзистор d718 параметры

Разработка структурной и принципиальной схемы радиопередающего устройства.

Расчет частотно- модулированного автогенератора, страница 3

Пусть коэффициент усиления по мощности на частоте 36.1 МГц составляет , тогда мощность возбудителя определиться по формуле (1.1)

Полная структурная схема изображена на рис. 1. 1

f=36.1МГц f=36.1МГц  f=108.3МГц f=108.3МГц              f=325МГц

Р=154мкВт   Р=0.002Вт    Р=0.02Вт   Р=0.34Вт Р=0.51Вт Р=1.46Вт Р=6.64Вт  Р=33Вт

 

      Возб.        Ус-ль1       УЧ1          Ус-ль2        УЧ2          Ус-ль3        ПОК          ОК 

ГТ387(1)  ГТ387(1)  КТ920А(1)  КТ914А(1) КТ934А(1)КТ907А(1) КТ909Б(1) 

ОЭ              ОЭ               ОЭ              ОЭ           ОЭ               ОЭ             ОЭ  

+6В                        +7В                    +12.6В                   +28В 

 

ИСТОЧНИК ПИТАНИЯ

Рисунок 1.1 Полная структурная схема проектируемого передатчика

2. Электрический расчет режимов каскадов ВЧ  

                           тракта  передатчика

Электрический расчет режимов каскадов передатчика подразумевает расчет параметров транзисторного генератора в критическом режиме по напряженности. Расчет производится, как в ОК так и в ПОК.

2.1 Расчет ОК в режиме усиления ЧМ колебаний

Как излагалось выше,  в ОК используется транзистор типа КТ909Б. Для  расчета режимов работы ОК выписанных параметров транзистора недостаточно, поэтому сведем из [2] дополнительные параметры транзистора в таблица 2.1.1. Исходя из методики расчета транзисторного генератора в критическом режиме [3], рассчитаем ОК  и ПОК. Для расчета генератора нужно задаться углом отсечки коллекторнрго тока. Исходя из рекомендаций данных в [2] выберем .

Таблица 2.1.1 Дополнительные параметры транзистора

Транзистор

КТ909Б

1

0. 5    

0.05   

20     

650    

40 

300

0.35

1.7

2

Транзистор

КТ909Б

60

3. 5

13

500

35

2.1

60

28

0.318

0.5

2.1.1  Расчет коллекторной цепи

Определим коэффициент использования коллекторного напряжения.

 ,                                            

где

Определим амплитуду напряжения на коллекторе

Определим амплитуду первой гармоники коллекторного тока

Определим постоянную составляющую коллекторного тока

 <  

Определим максимальное напряжение на коллекторе

Определим максимальное значение коллекторного тока

Определим сопротивление коллекторной нагрузки

Определим мощность потребляемую коллекторной цепью

Определим КПД коллекторной цепи

Определим мощность рассеиваемую на коллекторе

2. 1.2 Расчет базовой цепи

Определим амплитуду первой гармоники базового тока

, где

Определим  максимальное значение напряжения на базе                   , где 

Так как  , то пересчитаем значение  по следующей формуле

Определим постоянную составляющую базового тока

Определим постоянную составляющую эммитерного тока

Определим напряжение смещения на базе

Определим активную часть входного сопротивления базы

 , где

, где

   

Тогда

Определим реактивную часть входного сопротивления базы

 , где

Определим полное комплексное сопротивление

Определим входную мощность

S-параметров

S-параметров
S-параметры
общих транзисторов

Параметры рассеяния (S-параметры) транзисторов необходимы для ВЧ имитация цепи. Используя вычислительные инструменты (такие как Microwave Office, или его бесплатный аналог RFsim99, который раньше был здесь, но теперь его можно найти в другом месте) один может прогнозировать усиление схемы, ее устойчивость, ее вход и выход импедансы.

Кроме того, можно спроектировать входное и выходное согласование и фильтрацию. сети чтобы получить максимальное усиление в нужном диапазоне частот и уменьшать потери на отражение. Альтернативный способ определения данных транзистора для моделирование будет использовать набор параметров для модели Гуммеля-Пуна и ее производные (набор параметров SPICE).

В 2008 г. в Дорстене была представлена ​​статья о расчетах и ​​моделировании микроволновых усилителей мощности с использованием S-параметров (на немецком языке) транзисторов.

К сожалению, S-параметры наиболее распространенных транзисторов с Ft ниже 1000 МГц не указаны в их спецификациях. Эти параметры может разбросать в зависимости от производителя, и даже от производства дата. Тем не менее, собирать S-параметры стоит, т.к. даже незначительно отклоняющиеся от реальности параметры обеспечивают хорошую основу для оценки свойств транзисторов и обеспечивают пусковые точка для схемотехники. Важно помнить, что S-параметры зависят от рабочей точки и указаны для слабых сигналов, значительно ниже точки компрессии -1 дБ.

Последнее может быть важно, если вы разрабатываете усилитель мощности. Для измерения S-параметров лучше всего использовать сетевой анализатор. Однако это дорогостоящее оборудование редко присутствует в хижине ветчины. Экономически эффективный (но несколько сложный в использования) альтернатива была разработана и будет опубликована, ссылка на вас должен найти здесь скоро.

Эта страница содержит файлы с параметрами разброса транзисторы которые я оценил до сих пор и которые были внесены другими. Если ты может внести свой вклад в список, ваш вклад приветствуется. Тем не менее, ваши данные появятся на этом странице только в том случае, если вы предоставите полную информацию, включая, помимо измеренные S-параметры в формате .s2p, следующие:

1) рабочие точки транзистора во время измерения (т.е. ток коллектора и напряжение коллектор-эмиттер)
2) производитель или происхождение транзистора, предпочтительно включая дата производства, любые коды на упаковке и у дистрибьютора
3) используемый метод измерения (тип анализатора цепей и его режим, ссылка на литературу или описание схемы измерения, любой применимый)
4) ваш телефонный звонок или имя для возможных запросов радиолюбителей, которые используют ваши данные

Параметры устаревшие, старого типа, снятые с производства, или зарубежные транзисторы такие же как добро пожаловать , как у современных транзисторы. Единственное ограничение состоит в том, что их S-параметры не должны быть готовым доступны для широкой публики в настоящее время, например, из опубликовано техническая спецификация. Предпочтение отдается широко распространенным видам.

К сожалению, я не собираюсь проверять внесенные измерений, и я не могу гарантировать, что информация здесь верна, поэтому, пожалуйста Используйте его на свой страх и риск. Что касается моих собственных измерений, я их выполняю только а также и столько из них, сколько я считаю разумным… Наконец, это не более чем мое хобби.


Деталь № Производитель  Данные Метод Участник
BF199 CDIL
Филипс
10 В 7 мА
10 В 7 мА
Микрополосковые ответвители, аттенюаторы, измер.
линия, микровольтметр СМВ-8 
Рассчитано по модели SPICE Philips
ДФ4АЭ/УТ5УАК
DF4AE/UT5UAK
BF414 Аналоговые системы
появится один раз
BF506 Телефункен
появится один раз
BF959 Моторола 10 В 20 мА Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, сумматор, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
BFG591
Филипс
различные

данные производителя
КТ606а 
КТ606А
СССР (1W,
70 см, 28 В)
20 В 100 мА Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, сумматор, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ610б
КТ610Б
СССР (1W,
70 см, 12 В)
10 В 150 мА Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, сумматор, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ907а
КТ907А
СССР (5W,
70 см, 28В)
20 В 500 мА
Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, сумматор, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
2T909b
2Т909Б
СССР (10 Вт,
70 см, 28В)
20 В 500 мА
Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, сумматор, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ911а
КТ911А
СССР (1,5 Вт,
23 см, 28В)
22 В 50 мА
Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, полевой транзистор смеситель, микровольтметр СМВ-8
ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ911б
КТ911Б
СССР (2W,
70 см, 28В)
22 В 54 мА
Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, полевой транзистор смеситель, микровольтметр СМВ-8
ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ913а
КТ913А
СССР 20 В 250 мА скоро появится ДФ4АЭ/УТ5УАК
КТ919б
КТ919Б
СССР (1,6W,
23 см, 28 В)
23 В 19 мА
23 В 150 мА
Микрополосковые аттенюаторы, изм. линия, смеситель FET, микровольтметр СМВ-8 ДФ4АЭ/УТ5УАК
2N3553 США (военный?)
скоро появится
2SC1162
15 В 500 мА
появится один раз

Последнее обновление: 21. 01.2008

















Интернет-магазин радиоламп и редких электронных компонентов

153 товар(а) Дом › ТРАНЗИСТОРЫ › КВ/УКВ ТРАНЗИСТОРЫ

Сортировать по релевантностиСортировать по цене (↑)Сортировать по цене (↓)Сортировать по названию5 из 15310 из 15320 из 15350 из 153100 из 153153 из 153

Вид сетки Переключиться на представление сетки

«1 2 3 4 5 6 7 8 9 10»

Мощный ВЧ импульсный транзистор 2T935A/KT935A/50MHz 60W 80V 30A СССР военный

Силовой ВЧ импульсный транзистор 2T935A/KT935A/50МГц 60Вт 80В 30А Военный СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Si-npn

Предназначен для использования при переключении. и импульсные приложения 50 МГц 60 Вт 80 В 20 А /30 А/

Доступен в металлическом корпусе с полоской в ​​виде булавки. .

Цена: 9.60лв.

Количество:

Сила ХФ, ВН транзистор КТ926А /2Н1902/ 50МХз 50В 150В СССР

Мощность ВЧ, ВН транзистор КТ926А /2N1902/ 150МГц 50Вт 150В СССР

Аналог-2N1902

Si-npn

Предназначен для использования в импульсных модуляторах 50МГц 50Вт 150В /200В / 15А /20А/

Доступен в металлическом корпусе с полоской в ​​виде булавки. .

Цена: 9.60лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2Т903А/КТ903Б/120МГц 3А 60В 30Вт СССР военный

Силовой ВЧ транзистор КТ903А / КТ903А / 120МГц 3А 60В 30Вт СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Si — npn

Транзисторы КТ903А кремниевые структуры n-p-n.

Предназначен для использования в усилителях мощности и генераторах.

Параметры 30Вт 3А/10А-импульс/ч31э — 15-70 . Fmax -120 МГц.

Рабочая температура    -60…+125  0 C

Цена: 3.60лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2Т903Б/КТ903Б/120МГц 3А 60В 30Вт СССР военный

Силовой ВЧ транзистор КТ903Б / КТ903Б/ 120МГц 3А 60В 30Вт СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Si — npn

Транзисторы 2Т903В кремниевые структуры n-p-n.

Предназначен для использования в усилителях мощности и генераторах.

Параметры 30Вт 3А/10А-импульс/ч31э-40-180 . Fmax -120 МГц.

Рабочая температура    -60…+125  0 C

Цена: 4.80лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2T912B/2N5070/1,5-30МГц 20А 27В 30Вт СССР

Транзистор силовой ВЧ КТ912А / 2N5070 / 1,5-30 МГц 20А 27В 30Вт СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Аналог —  ​​ 2N5070

Si-npn

Предназначен для использования в линейных усилителях мощности на частотах 1,5. ..30 МГц при напряжении питания 27 В

30Вт 20А х31е — 20-100. Fmax -90MHz  Рабочая температура  -60…+125  0 C

Выпускается в металлической упаковке с полоской в ​​виде булавки.

Цена: 14.40лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2Т931А / КТ931А / СССР военный номер

Силовой ВЧ транзистор 2T931А / КТ931А / СССР военный № с

Обозначено ромбом ♦ российская военная заявка

Si-npn

Предназначен для использования в широкополосных усилителях мощности, умножителях и генераторах частоты на частоты 50…200 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускается в металлокерамическом корпусе со штыревой нашивкой. . Военный ранг. Золотые булавки.

Цена: 36.00лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2Т950А 30-80 МГц 10А 84Вт Военное золото СССР

Мощный ВЧ транзистор 2Т950А 30-80 МГц 10А 84Вт Военное золото СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Si-npn

Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах 30-80 МГц при напряжении питания 28 В

Параметры 84Вт 10А 28В х31э — 15-100. Fmax -150MHz  Рабочая температура  -60…+125 0 С

Доступен в металлическом корпусе с позолотой

.

Цена: 96.00лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор 2Т951А 30-80 МГц 5А 45Вт Военное золото СССР

Мощный ВЧ транзистор 2T951А 30-80 МГц 5А 45Вт Военное золото СССР

♦ — российский стандарт военного назначения

Si-npn

Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах 30-80 МГц при напряжении питания 28 В

Параметры 45Вт 5А 28В х31э — 15-100. Fmax -150MHz Рабочая температура -60…+125 0 C

Доступен в металлическом корпусе с позолотой

.

Цена: 72.00лв.

Количество:

Мощный ВЧ транзистор КТ903Б/КТ903Б/120МГц 3А 60В 30Вт СССР

Силовой ВЧ транзистор КТ903Б / КТ903Б/ 120МГц 3А 60В 30Вт СССР

Si — npn

Транзисторы КТ903В кремниевые структуры n-p-n.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *