Кт920. Транзистор КТ920: характеристики, применение и аналоги

Какие основные параметры транзистора КТ920. Для каких целей применяется КТ920 в электронных схемах. Какие существуют аналоги и замены для КТ920. Как проверить работоспособность транзистора КТ920.

Основные характеристики транзистора КТ920

Транзистор КТ920 представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор n-p-n структуры средней мощности. Основные параметры КТ920:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 36 В
  • Максимальный ток коллектора: 5 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 12,6 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока: 10-100
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 400 МГц
  • Максимальная температура перехода: 150°C

КТ920 выпускается в металлическом корпусе TO-5. Транзистор предназначен для работы в импульсных и высокочастотных схемах.

Область применения транзистора КТ920

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ920 находит применение в следующих областях:

  • Импульсные преобразователи напряжения
  • Высокочастотные усилители мощности
  • Генераторы высокочастотных сигналов
  • Ключевые каскады
  • Драйверы управления электродвигателями

КТ920 часто используется в промышленной и специальной электронной аппаратуре, где требуется работа на высоких частотах при средних токах и напряжениях.


Аналоги и замены транзистора КТ920

В качестве аналогов и возможных замен для КТ920 можно рассмотреть следующие транзисторы:

  • 2Т920А — улучшенная версия КТ920 с немного лучшими параметрами
  • КТ922А — близкий по характеристикам транзистор в корпусе ТО-3
  • 2N3055 — популярный зарубежный аналог схожей мощности
  • BDX33C — современный транзистор с похожими параметрами

При замене следует внимательно сравнивать параметры и проверять работоспособность схемы, так как полных аналогов у КТ920 нет.

Как проверить работоспособность транзистора КТ920

Для проверки исправности КТ920 можно воспользоваться следующими методами:

  1. Прозвонка мультиметром переходов база-эмиттер и база-коллектор
  2. Измерение коэффициента усиления по току с помощью специального тестера транзисторов
  3. Проверка работы транзистора в простой тестовой схеме усилителя

При прозвонке мультиметром переход база-эмиттер должен открываться при прямом включении и закрываться при обратном. То же самое для перехода база-коллектор. Между коллектором и эмиттером сопротивление должно быть высоким в обоих направлениях.


Особенности эксплуатации транзистора КТ920

При использовании КТ920 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

  • Необходимость обеспечения хорошего теплоотвода из-за значительной рассеиваемой мощности
  • Чувствительность к статическому электричеству, требуется осторожное обращение
  • Возможность самовозбуждения на высоких частотах, что требует применения цепей коррекции
  • Разброс параметров у разных экземпляров, желательна индивидуальная подборка

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную работу транзистора КТ920 в составе электронных устройств.

Схемотехника на основе транзистора КТ920

Рассмотрим несколько типовых схем применения КТ920:

Усилитель мощности

КТ920 часто используется в качестве выходного каскада усилителей мощности. Типовая схема включения:

  • Эмиттерная стабилизация с помощью резистора 0,1-0,3 Ом
  • Базовый делитель для задания рабочей точки
  • Конденсатор в цепи коллектора для развязки по высокой частоте
  • Дроссель в цепи питания для улучшения частотных свойств

Такая схема позволяет получить усиление по мощности до 10-20 дБ на частотах до 100-200 МГц.


Ключевой каскад

В импульсных схемах КТ920 может работать в ключевом режиме. Особенности включения:

  • Форсирующая емкость в базовой цепи для ускорения переключения
  • Шунтирующий диод для защиты от перенапряжений
  • Снабберная RC-цепочка в коллекторной цепи

Это обеспечивает быстрое переключение и надежную работу транзистора при коммутации индуктивной нагрузки.

Измерение параметров транзистора КТ920

Для точного определения характеристик конкретного экземпляра КТ920 можно провести ряд измерений:

  • Статический коэффициент передачи тока при различных токах коллектора
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Входная и выходная емкость транзистора
  • Граничная частота коэффициента передачи тока

Эти измерения позволят подобрать оптимальный режим работы транзистора и обеспечить стабильность параметров схемы.

Заключение

Транзистор КТ920, несмотря на свой почтенный возраст, остается востребованным в ряде применений благодаря удачному сочетанию параметров. При правильном применении он обеспечивает надежную работу в высокочастотных и импульсных схемах средней мощности.



Транзистор 2Т920, КТ920 | Радиодетали в приборах

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор 2Т920, КТ920
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т920, КТ920

Золото: 0.0682
Серебро: 0.0313
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Tags: транзистор

Транзистор КТ920 —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ920 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ920.
Золото: 0.0558271 грамм.
Серебро: 0.0278631 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ920 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ920:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ920 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов — Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ920:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ920:

KT920_7673361.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE

Номер связанной детали
ЧАСТЬ Описание Производитель
SDT13204 SDT1617 SDT1618 SDT1621 SDT1622 SDT1623 S ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 175В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 450В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | ТО-210АС
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 175В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 200В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 40В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 100В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 125В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 150В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 400В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | ТО-39
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | STR-10
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-111
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 40В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | STR-10
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-5
5-контактный µP контрольные цепи со сторожевым устройством и ручным сбросом
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 550В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-210AC
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 700В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-210AC
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | STR-10
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 600В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-210AC
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 750В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-210AC
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 60В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 80В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | ПНП | 40В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | ТО-66
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 750В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 800В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-3
晶体管|晶体管|叩| 60V的五(巴西)总裁| 5A条一c)|11
晶体管|晶体管|叩| 40V的五(巴西)总裁| 5A条一c)|11
晶体管|晶体管|叩| 80V的五(巴西)总裁| 5A条一c)|11
5-контактный µP контрольные цепи со сторожевым устройством и ручным сбросом БДТ | НПН | 120В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | TO-210AC 晶体管|晶体管| npn型| 120伏特五(巴西)总裁| 10A条一(c)|10AC
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 50В В(BR)Генеральный директор | 5А I(С) | TO-5 晶体管|晶体管|叩| 50V五(巴西)总裁| 5A条一(c)|
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 400В В(BR)Генеральный директор | 10А I(С) | TO-210AC 晶体管|晶体管|叩| 400V五(巴西)总裁| 10A条一(c)|10AC
Электронные корпуса Serpac
Atmel, Corp.
AUK, Corp.
CIL148C CIL148A CIL148B CIL476 CIL768 CIL769 CIL61 ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 20В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 20В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-105
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 12В В(BR)Генеральный директор | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 15В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 80В В(BR)Генеральный директор | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | TO-106 晶体管|晶体管|叩| 60V的五(巴西)总裁| 200 мА的一(c)|06
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 45В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | TO-106 晶体管|晶体管|叩| 45V的五(巴西)总裁| 200 мА的一(c)|06
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 25В В(BR)Генеральный директор | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 32В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 50В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-106
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 100В В(BR)Генеральный директор | 200 мА I(С) | ТО-106
Electronic Theater Controls, Inc.
ZXT11N15DF ZXT11N15DFTC ZXT11N15DFTA Дискретный — Биполярные транзисторы — Транзистор (BJT) Основная таблица — Транзисторы
3000 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 3 PIN
15 В NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ
NPN Low Sat Transistor
Diodes, Inc.
Diodes Incorporated
Зетекс Полупроводники
УПА812Т-Т1 УПА812 УПА812Т УПА812ТГБ-Т1 ПА812Т Малошумящий высокочастотный усилитель NPN-транзистор(楂??浣??澹版?澶у?NPN?朵?绠?
Малошумящий высокочастотный усилитель NPN-транзистор(高频低噪声放大器NPN晶体
ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА) УСИЛИТЕЛЬ ШУМА NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО ВСТРОЕННЫМИ 2 x 2SC4227 МАЛЕНЬКОЙ МИНИ-ФОРМОЙ
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПАРА | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | SOT-363
NEC[NEC]
NEC Corp.
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B
Комплементарные кремниевые силовые транзисторы
Кремниевый NPN-транзистор большой мощности
Кремниевый NPN-переключающий транзистор
Кремниевый NPN-транзистор
Силовой PNP-транзистор
Малосигнальный NPN-транзистор
Кремниевый NPN-транзистор средней мощности транзисторы 模拟IC
Аналоговые ИС 模拟IC
RECOM Electronic GmbH
Vishay Intertechnology, Inc.
BFG25AW BFG25AW_X BFG25AW/X BFG25X NPN Широкополосный транзистор 5 ГГц C BAND, Si, NPN, RF МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
NPN Широкополосный транзистор 5 ГГц (NPN 5G赫兹 宽带晶体
NXP Semiconductors N.V.
PHILIPS[Philips Semiconductors]
BC550C BC550C_RR BC549 BC549C BC550 ТРАНЗИСТОРSOT-54
ТРАНЗИСТОР|BJT|NPN|45VV(BR)CEO|100MAI(C)|TO-92
Транзисторы NPN общего назначения 100 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
http://
PHILIPS [Philips Semiconductors]
NXP Semiconductors N.V.
2SD1616A 2SD1616 D1616 2SD1616AU 2SD1616-L 1000 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
NPN КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN硅三极管
ТРАНЗИСТОР | БДТ | НПН | 60В В(BR)Генеральный директор | 1А I(С) | ТО-92
NEC, корп.
NEC Corp.
NEC[NEC]
BFP650 Цифровые транзисторы — ВЧ-транзистор NPN SiGe, усилители высокой мощности, малошумящий ВЧ-транзистор в корпусе SOT343, 4 В, 150 мА
NPN Кремниевый германиевый ВЧ-транзистор
Инфинеон Текнолоджиз АГ
КТЦ1027 КТЦ1027О КТЦ1027-15 ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Транзистор общего назначения
800 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
KEC (Korea Electronics)
Korea Electronics (KEC)
61084-300 61084 61084-001 61084-002 61084-101 6108 TV 29C 29#20-КОНТАКТНАЯ ВИЛКА 150 мА, 20 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
TV 42C 36#22D 6#8(TWINAX) SKT 150 мА, 20 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
МОНТАЖ НА ПОВЕРХНОСТИ (NPN) ТРАНЗИСТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ
Микропак Индастриз, Инк.
МИКРОПАК [Микропак Индастриз]
МПШ20ПСТОА FXT3866СТЗ УЗТХ415СТОА УЗТХ415СТОБ ЗТХ УВЧ-ДИАПАЗОН, Si, NPN, РЧ МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР TO-92, СОВМЕСТИМЫЙ, E-LINE PACKAGE-3
100 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
200 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
500 мА, 300 В, PNP, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Diodes, Inc.
Zetex Semiconductor PLC
ZETEX PLC
DIODES INC
 
 Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска
КТ920 Тест KT920 тип файла:pdf КТ920 макс КТ920 байт КТ920 тип
КТ920 Регулятор KT920 替换表 КТ920 Диод KT920 Эпитаксиальный Конфигурация KT920
 

920, 2920, кт920 , ,

920, 2920, кт920 , ,


920, 2920 ( , n-p-n)

Т = 25°С Р , С/
    Т = 25С                      
I , макс. , я , макс , У 0 ,
Р макс ,)
У макс , U 0 макс , U 0 макс , (P макс ,)
P , макс ,
Т , К т макс , к т макс , к ч 21 У

),

я , У , я р , ф , Р , ф, , Ф, С , С ,
920 0,5 1 (36) 12,6   4 5 50 150 85         2 400 2 175 7 175 15   20
920 1 2 (36) 12,6   4 10 50 150 85         4 400 5 175 6 175 25   20
920 3 7 (36) 12,6   4 25 50 150 85         7,5 400 20 175 3 175 75   10
920 3 7 (36) 12,6   4 25 50 150 85         7,5 350 15 175 3 175 75   10
2920 0,5 1 (36) 12,6   4 5 50 150 125 10. ..100 5 0,05 0,75 1 400 2 175 7 175 15 55 20
2920 1 2 (36) 12,6   4 10 50 150 125 10…100 5 0,1 0,75 2 400 7 175 6 175 25 200 20
2920 3 7 (36) 12,6   4 25 50 150 125 10.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *