Кт961. Транзистор КТ961: характеристики, применение и аналоги

Какие основные характеристики имеет транзистор КТ961. Где применяется этот транзистор. Какие существуют аналоги КТ961. Каковы особенности разных модификаций КТ961.

Основные характеристики транзистора КТ961

Транзистор КТ961 представляет собой усилительный кремниевый n-p-n транзистор планарной структуры. Он выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами массой около 0,8 грамма.

Основные электрические параметры транзистора КТ961:

  • Коэффициент передачи тока: от 20 до 500 (зависит от модификации)
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 50 МГц
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 35 В до 100 В (зависит от модификации)
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 1,5-2 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт без теплоотвода, до 12,5 Вт с теплоотводом

Транзистор способен работать в диапазоне температур от -45°C до +85°C.

Модификации транзистора КТ961

Транзистор КТ961 выпускается в нескольких модификациях, различающихся некоторыми параметрами:


  • КТ961А — базовая модель
  • КТ961Б — повышенный коэффициент усиления
  • КТ961В — еще более высокий коэффициент усиления
  • КТ961Г — широкий диапазон коэффициента усиления, повышенный максимальный ток

Чем различаются эти модификации? Основные отличия заключаются в следующем:

Коэффициент передачи тока:

  • КТ961А: 40-100
  • КТ961Б: 63-160
  • КТ961В: 100-250
  • КТ961Г: 20-500

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:

  • КТ961А: 80 В
  • КТ961Б: 60 В
  • КТ961В: 45 В
  • КТ961Г: 35 В

Максимальный постоянный ток коллектора:

  • КТ961А, КТ961Б, КТ961В: 1,5 А
  • КТ961Г: 2 А

Области применения транзистора КТ961

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ961 находит применение в различных электронных устройствах:

  • Импульсные схемы
  • Усилители низкой частоты
  • Источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Стабилизаторы напряжения
  • Драйверы электродвигателей

Где конкретно используется транзистор КТ961? Вот несколько примеров:

  1. Выходные каскады усилителей звуковой частоты средней мощности
  2. Ключевые схемы в импульсных блоках питания
  3. Регуляторы оборотов коллекторных электродвигателей
  4. Схемы управления светодиодным освещением
  5. Драйверы в схемах управления реле и электромагнитными клапанами

Аналоги транзистора КТ961

При необходимости замены транзистора КТ961 можно использовать ряд отечественных и зарубежных аналогов. Какие транзисторы могут служить заменой КТ961?


Отечественные аналоги:

  • КТ817 — близкий аналог по большинству параметров
  • КТ818 — аналог с повышенной мощностью
  • КТ815 — подходит для замены КТ961 в маломощных схемах

Зарубежные аналоги:

  • BD139 — практически полный аналог КТ961А
  • BD137 — аналог КТ961Б
  • BD135 — может заменить КТ961В в ряде применений
  • 2N6178 — близкий функциональный аналог

При выборе аналога следует учитывать конкретную модификацию КТ961 и требования схемы. Необходимо сравнивать основные параметры: максимальное напряжение, ток, коэффициент усиления, частотные свойства.

Особенности применения транзистора КТ961

При использовании транзистора КТ961 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

  • Необходимость теплоотвода при работе на больших токах
  • Чувствительность к статическому электричеству
  • Зависимость коэффициента усиления от тока коллектора
  • Возможность самовозбуждения в высокочастотных схемах

Как обеспечить надежную работу транзистора КТ961? Вот несколько рекомендаций:

  1. Используйте теплоотвод при рассеиваемой мощности более 1 Вт
  2. Применяйте защитные диоды в схемах с индуктивной нагрузкой
  3. Обеспечьте надежное заземление при монтаже
  4. В ключевых режимах обеспечивайте надежное насыщение транзистора
  5. Используйте конденсаторы для подавления паразитных колебаний в ВЧ схемах

Маркировка и цоколевка транзистора КТ961

Для правильного применения транзистора КТ961 важно знать его маркировку и расположение выводов. Как выглядит маркировка КТ961?


  • На корпусе нанесено буквенно-цифровое обозначение, например «КТ961А»
  • Может присутствовать цветовая маркировка для обозначения модификации
  • Иногда наносится дата изготовления в формате год/неделя

Цоколевка транзистора КТ961 стандартная для корпуса TO-126:

  1. Эмиттер (E)
  2. Коллектор (C)
  3. База (B)

При монтаже важно правильно ориентировать транзистор, учитывая расположение выводов. Ошибка может привести к выходу транзистора из строя.

Перспективы использования и альтернативы КТ961

Транзистор КТ961, несмотря на свой «возраст», продолжает использоваться в электронике. Однако технологии не стоят на месте. Какие существуют современные альтернативы КТ961?

  • MOSFET-транзисторы — обладают лучшими частотными характеристиками и меньшим тепловыделением
  • IGBT-транзисторы — эффективны для работы с большими токами и напряжениями
  • Интегральные схемы драйверов — заменяют дискретные транзисторы в ряде применений

Тем не менее, КТ961 сохраняет свои позиции благодаря:

  1. Простоте применения в схемах
  2. Доступности и низкой стоимости
  3. Хорошей изученности характеристик
  4. Наличию большой базы схемотехнических решений

Это обеспечивает транзистору КТ961 стабильный спрос в секторе ремонта и производства несложной электронной аппаратуры.



Транзистор КТ961: КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ961Г

Поиск по сайту

Новости


iLumi — интеллектуальные светодиодные лампы

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ961

Транзистор КТ961: КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ961Г — усилительный, структуры n-p-n, кремниевый, планарный. Основное назначение — использование в импульсных устройствах и усилителях. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. Масса транзистора — 0.8 г.

Цоколёвка КТ961: КТ961А, КТ961Б, КТ961В, КТ961Г


Электрические параметры транзистора КТ961

• Коэффициент передачи тока (статический)
при Uкэ = 10 В, Iк = 150 мА:
  КТ961А40 ÷ 100
  КТ961Б63 ÷ 160
  КТ961В100 ÷ 250
  КТ961Г20 ÷ 500
• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с общим эмиттером  
при Uкб = 10 В, Iэ = 30 мА, не менее
50 МГц
• Граничное напряжение при Iк = 20 мА, не менее:
  КТ961А80 В
  КТ961Б60 В
  КТ961В45 В
  КТ961Г35 В
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более0.5 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 60 В, не более 10 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uбэ = 5 В, не более100 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ961

• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ961А100 В
  КТ961Б80 В
  КТ961В60 В
  КТ961Г40 В
• Напряжение К-Э (постоянное)
при Rбэ ≤ 1 КОм, Iк ≤ 1 мА:
  КТ961А100 В
  КТ961Б80 В
  КТ961В60 В
  КТ961Г40 В
при Rбэ = ∞:
  КТ961А80 В
  КТ961Б60 В
  КТ961В45 В
• Напряжение Э-Б (постоянное)5 В
• Ток коллектора (постоянный)
  КТ961А, КТ961Б, КТ961В1. 5 А
  КТ961Г2 А
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 30 мкс, Q ≥ 10  :
  КТ961А, КТ961Б, КТ961В2 А
  КТ961Г
3 А
• Ток базы (постоянный)0.3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная)
при 8 В ≤ Uкэ ≤ 12.5 В:
без теплоотвода, T = −45…+40°C1 Вт
с теплоотводом, T = −45…+40°C12.5 Вт
• Тепловое сопротивление:
переход — корпус10°C/Вт
переход — среда110°C/Вт
• Температура p-n перехода+150°C
• Рабочая температура (окружающей среды)
−45. ..+85°C

Транзистор КТ961 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзисторов КТ961, КТ961-1

 

Параметры транзистора КТ961
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ961АBD139, BD165 *2, BD230 *2, KD137A *1, KD139A *1, KD137 *1, KD139 *1, KD135A *3, BSS15 *3, KD135 *3, 2N6178 *2, BD375 *2, 2N5320 *3, BD375-6 *2, BDC01D *3
КТ961Б2N6408, KD137B *1, BD135-10 *1, KD135В *1
КТ961ВNSD103 *1, KD135С *1, BSX45-16 *3
КТ961ГBD109 *1, DTL3405 *3, DTL3425 *3, S15-28 *3
КТ961Б1BD137, BD371C
КТ961В1BD135
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ961А1(12. 5*)Вт
КТ961Б1(12.5*)
КТ961В1(12.5*)
КТ961Г1(12.5*)
КТ961А10.5
КТ961Б10.5
КТ961В10.5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ961А≥50МГц
КТ961Б≥50
КТ961В≥50
КТ961Г≥50
КТ961А1≥50
КТ961Б1≥50
КТ961В1≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ961А100*В
КТ961Б80*
КТ961В60*
КТ961Г40*
КТ961А1100
КТ961Б180
КТ961В160
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ961А5В
КТ961Б5
КТ961В5
КТ961Г5
КТ961А15
КТ961Б15
КТ961В15
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ961А1. 5(2*)А
КТ961Б1.5(2*)
КТ961В1.5(2*)
КТ961Г2(3*)
КТ961А11
КТ961Б11
КТ961В11
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ961А60 В≤10мА
КТ961Б60 В≤10
КТ961В60 В≤10
КТ961Г60 В≤10
КТ961А160 В≤10
КТ961Б160 В≤10
КТ961Г160 В≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ961А2 В; 0. 15 А40…100*
КТ961Б2 В; 0.15 А63…160*
КТ961В2 В; 0.15 А100…250*
КТ961Г2 В; 0.15 А20…500*
КТ961А12 В; 0.15 А40…100
КТ961Б12 В; 0.15 А63…160
КТ961Г12 В; 0.15 А100…250
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ961АпФ
КТ961Б
КТ961В
КТ961Г
КТ961А1≤45
КТ961Б1≤45
КТ961Г1≤45
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.КТ961А≤1Ом, дБ
КТ961Б≤1
КТ961В≤1
КТ961Г≤1
КТ961А1≤1
КТ961Б1≤1
КТ961Г1≤1
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ961АДб, Ом, Вт
КТ961Б
КТ961В
КТ961Г
КТ961А1
КТ961Б1
КТ961Г1
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ961Апс
КТ961Б
КТ961В
КТ961Г
КТ961А1
КТ961Б1
КТ961Г1

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 —  функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

JTY KT961 — Браузер Geekbench

Geekbench 4 балла

376
Оценка одного ядра
1090
Многоядерный балл
Geekbench 4.0.1 для Android ARMv7

Информация о результатах

Информация о системе

Производительность одного ядра

Оценка одного ядра 376
Оценка шифрования 17
Целочисленная оценка 452
Оценка с плавающей запятой 220
Оценка памяти 525
АЕС
17
13,9 МБ/с

 

ЛЗМА
510
817,1 КБ/с

 

JPEG
562
4,53 мегапикселя/сек

 

хитрый
434
6,03 Мпикс/сек

 

Луа
375
394,9 КБ/с

 

Дейкстра
953
645,5 ктЭ/сек

 

SQLite
305
8,47 Krows/сек

 

Анализ HTML5
382
1,74 МБ/с

 

HTML5 DOM
267
242,3 элемента/сек

 

Выравнивание гистограммы
449
14,1 Мпикс/сек

 

PDF-рендеринг
467
12,4 Мпикс/сек

 

LLVM
552
38,0 функций/сек

 

Камера
466
1,29 изображений/сек

 

SGEMM
36
771,1 млн флопс

 

SFFT
176
440,1 млн флопс

 

Физика N-тела
245
183,4 Кпар/с

 

Трассировка лучей
238
34,8 Кпикселей/сек

 

Физика твердого тела
416
1218,7 кадров в секунду

 

HDR
494
1,79 Мпикс/сек

 

Размытие по Гауссу
200
3,51 Мпикс/сек

 

Распознавание речи
239
2,05 слова/сек

 

Распознавание лиц
344
100,5 тыс. подокон/сек

 

Копия памяти
274
777,3 МБ/с

 

Задержка памяти
2401
5,55 млн операций/сек

 

Пропускная способность памяти
221
1,18 ГБ/с

 

Многоядерная производительность

Многоядерная оценка 1090
Оценка криптографии 71
Целое число 1584
Оценка с плавающей запятой 776
Оценка памяти 704
АЕС
71
55,1 МБ/с

 

ЛЗМА
1767 г.
2,76 МБ/с

 

JPEG
2175
17,5 мегапикселей/сек

 

хитрый
1559
21,6 Мпикс/сек

 

Луа
1447
1,49 МБ/с

 

Дейкстра
2689
1,82 МТЭ/сек

 

SQLite
1138
31,6 крон/сек

 

Анализ HTML5
1493
6,78 МБ/с

 

HTML5 DOM
707
641,2 KEэлементов/сек

 

Выравнивание гистограммы
1810 г.
56,6 Мпикс/сек

 

PDF-рендеринг
1525
40,5 мегапикселей/сек

 

LLVM
1835 г.
126,2 функции/сек

 

Камера
1769 г.
4,91 изображения/сек

 

SGEMM
142
3,01 Гфлопс

 

SFFT
724
1,81 Гфлопс

 

Физика N-тела
833
622,5 кпар/с

 

Трассировка лучей
948
138,6 Кпикселей/сек

 

Физика твердого тела
1605
4698,7 кадров в секунду

 

HDR
1879 г.
6,81 Мпикс/сек

 

Размытие по Гауссу
400
7,02 Мпикс/сек

 

Распознавание речи
803
6,87 слов/сек

 

Распознавание лиц
1305
381,4 Kподокон/сек

 

Копия памяти
431
1,20 ГБ/с

 

Задержка памяти
2482
5,73 млн операций/сек

 

Пропускная способность памяти
327
1,75 ГБ/с

 

Сравнивать

Установить базовый уровень

Лист данных PDF Поиск по сайту


Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *