Кт973 транзистор характеристики: Транзистор КТ973: КТ973А, КТ973Б

Содержание

Транзистор КТ973: КТ973А, КТ973Б

Поиск по сайту


Транзистор КТ973 :КТ973А, КТ973Б — усилительный, эпитаксиально-планарный, структуры p-n-p, кремниевый. Применение — выходные каскады систем автоматики. Имеет жёсткие выводы и пластмассовый корпус. На корпусе указывается тип прибора. Масса транзистора КТ973 (КТ973А, КТ973Б) — не более 1 г.


Электрические параметры транзисторов КТ973: КТ973А, КТ973Б

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкб = 3 В, Iэ = 1 А, не менее
  Т = +25°C 750
  Т = +85°C 900
  Т = −45°C 500
• Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте
при Uкэ = 10 В, Iк = 1 А, f = 100 МГц, не менее
2
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 1. 5 В
• Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более   2.5 В
• Время рассасывания при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более 200 нс
• Ток К-Э (обратный) при Uкэr = Uкэr, макс, Rбэ = 1 кОм, не более:
  Т = −45…+25°C 1 мА
  Т = +85°C 10 мА

Предельные эксплуатационные характеристики транзистора КТ973

• Напряжение К-Б (постоянное):
  КТ973А 60 В
  КТ973Б 45 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 КОм:
  КТ973А 60 В
  КТ973Б 45 В
• Постоянное напряжение Б-Э 5 В
• Ток коллектора (постоянный) 4 А
• Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Тк = −45…+25°C
8 Вт
• Температура p-n перехода транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б)    +150°C
• Тепловое сопротивление переход — корпус 15.6°C/Вт
• Рабочая температура (окружающей среды): −45°C…Тк=+85°C

При Тк = +25…+85°C Pк. макс транзисторов КТ973 (КТ973А, КТ973Б) рассчитывается по формуле
Pк. макс, Вт = (150 − Тк) / 15,6.



Простой транзисторный усилитель класса «А. Описание работы усилителя мощности звука на транзисторах MOSFET Унч на 2 транзисторах разной проводимости схема

Усилитель на транзисторах, несмотря на свою уже долгую историю, остается излюбленным предметом исследования как начинающих, так и маститых радиолюбителей. И это понятно. Он является непременной составной частью самых массовых и усилителей низкой (звуковой) частоты. Мы рассмотрим, как строятся простейшие усилители на транзисторах.

Частотная характеристика усилителя

В любом теле- или радиоприемнике, в каждом музыкальном центре или усилителе звука можно найти транзисторные усилители звука (низкой частоты — НЧ). Разница между звуковыми транзисторными усилителями и другими видами заключается в их частотных характеристиках.

Звуковой усилитель на транзисторах имеет равномерную частотную характеристику в полосе частот от 15 Гц до 20 кГц. Это означает, что все входные сигналы с частотой внутри этого диапазона усилитель преобразует (усиливает) примерно одинаково. На рисунке ниже в координатах «коэффициент усиления усилителя Ку — частота входного сигнала» показана идеальная кривая частотной характеристики для звукового усилителя.

Эта кривая практически плоская с 15 Гц по 20 кГц. Это означает, применять такой усилитель следует именно для входных сигналов с частотами между 15 Гц и 20 кГц. Для входных сигналов с частотами выше 20 кГц или ниже 15 Гц эффективность и качество его работы быстро уменьшаются.

Вид частотной характеристики усилителя определяется электрорадиоэлементами (ЭРЭ) его схемы, и прежде всего самими транзисторами. Звуковой усилитель на транзисторах обычно собран на так называемых низко- и среднечастотных транзисторах с суммарной полосой пропускания входных сигналов от десятков и сотен Гц до 30 кГц.

Класс работы усилителя

Как известно, в зависимости от степени непрерывности протекания тока на протяжении его периода через транзисторный усилительный каскад (усилитель) различают следующие классы его работы: «А», «B», «AB», «C», «D».

В классе работы ток «А» через каскад протекает на протяжении 100 % периода входного сигнала. Работу каскада в этом классе иллюстрирует следующий рисунок.

В классе работы усилительного каскада «AB» ток через него протекает более чем 50 %, но менее чем 100 % периода входного сигнала (см. рисунок ниже).

В классе работы каскада «В» ток через него протекает ровно 50 % периода входного сигнала, как это иллюстрирует рисунок.

И наконец в классе работы каскада «C» ток через него протекает менее чем 50 % периода входного сигнала.

НЧ-усилитель на транзисторах: искажения в основных классах работы

В рабочей области транзисторный усилитель класса «А» обладает малым уровнем нелинейных искажений. Но если сигнал имеет импульсные выбросы по напряжению, приводящие к насыщению транзисторов, то вокруг каждой «штатной» гармоники выходного сигнала появляются высшие гармоники (вплоть до 11-й). Это вызывает феномен так называемого транзисторного, или металлического, звука.

Если НЧ-усилители мощности на транзисторах имеют нестабилизированное питание, то их выходные сигналы модулируются по амплитуде вблизи частоты сети. Это ведет к жёсткости звука на левом краю частотной характеристики. Различные же способы стабилизации напряжения делают конструкцию усилителя более сложной.

Типовой КПД однотактного усилителя класса А не превышает 20 % из-за постоянно открытого транзистора и непрерывного протекания постоянной составляющей тока. Можно выполнить усилитель класса А двухтактным, КПД несколько повысится, но полуволны сигнала станут более несимметричными. Перевод же каскада из класса работы «А» в класс работы «АВ» повышает вчетверо нелинейные искажения, хотя КПД его схемы при этом повышается.

В усилителях же классов «АВ» и «В» искажения нарастают по мере снижения уровня сигнала. Невольно хочется врубить такой усилитель погромче для полноты ощущений мощи и динамики музыки, но зачастую это мало помогает.

Промежуточные классы работы

У класса работы «А» имеется разновидность — класс «А+». При этом низковольтные входные транзисторы усилителя этого класса работают в классе «А», а высоковольтные выходные транзисторы усилителя при превышении их входными сигналами определенного уровня переходят в классы «В» или «АВ». Экономичность таких каскадов лучше, чем в чистом классе «А», а нелинейные искажения меньше (до 0,003 %). Однако звук у них также «металлический» из-за наличия высших гармоник в выходном сигнале.

У усилителей еще одного класса — «АА» степень нелинейных искажений еще ниже — около 0,0005 %, но высшие гармоники также присутствуют.

Возврат к транзисторному усилителю класса «А»?

Сегодня многие специалисты в области качественного звуковоспроизведения ратуют за возврат к ламповым усилителям, поскольку уровень нелинейных искажений и высших гармоник, вносимых ими в выходной сигнал, заведомо ниже, чем у транзисторов. Однако эти достоинства в немалой степени нивелируются необходимостью согласующего трансформатора между высокоомным ламповым выходным каскадом и низкоомными звуковыми колонками. Впрочем, с трансформаторным выходом может быть сделан и простой усилитель на транзисторах, что будет показано ниже.

Существует и точка зрения, что предельное качество звучания может обеспечить только гибридный лампово-транзисторный усилитель, все каскады которого являются однотактными, не охвачены и работают в классе «А». То есть такой повторитель мощности представляет собой усилитель на одном транзисторе. Схема его может иметь предельно достижимый КПД (в классе «А») не более 50 %. Но ни мощность, ни КПД усилителя не являются показателями качества звуковоспроизведения. При этом особое значение приобретают качество и линейность характеристик всех ЭРЭ в схеме.

Поскольку однотактные схемы получают такую перспективу, мы рассмотрим ниже их возможные варианты.

Однотактный усилитель на одном транзисторе

Схема его, выполненная с общим эмиттером и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А», приведена на рисунке ниже.

На ней показан транзистор Q1 структуры n-p-n. Его коллектор через токоограничивающий резистор R3 присоединен к положительному выводу +Vcc, а эмиттер — к -Vcc. Усилитель на транзисторе структуры p-n-p будет иметь такую же схему, но выводы источника питания поменяются местами.

C1 — разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vcc. При этом С1 не препятствует прохождению переменного входного тока через переход «база — эмиттер транзистора Q1». Резисторы R1 и R2 совместно с сопротивлением перехода «Э — Б» образуют Vcc для выбора рабочей точки транзистора Q1 в статическом режиме. Типичной для этой схемы является величина R2 = 1 кОм, а положение рабочей точки — Vcc/2. R3 является нагрузочным резистором коллекторной цепи и служит для создания на коллекторе переменного напряжения выходного сигнала.

Предположим, что Vcc = 20 В, R2 = 1 кОм, а коэффициент усиления по току h = 150. Напряжение на эмиттере выбираем Ve = 9 В, а падение напряжения на переходе «Э — Б» принимаем равным Vbe = 0,7 В. Эта величина соответствует так называемому кремниевому транзистору. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то падение напряжения на открытом переходе «Э — Б» было бы равно Vbe = 0,3 В.

Ток эмиттера, примерно равный току коллектора

Ie = 9 B/1 кОм = 9 мА ≈ Ic.

Ток базы Ib = Ic/h = 9 мА/150 = 60 мкА.

Падение напряжения на резисторе R1

V(R1) = Vcc — Vb = Vcc — (Vbe + Ve) = 20 В — 9,7 В = 10,3 В,

R1 = V(R1)/Ib = 10,3 В/60 мкА = 172 кОм.

С2 нужен для создания цепи прохождения переменной составляющей тока эмиттера (фактически тока коллектора). Если бы его не было, то резистор R2 сильно ограничивал бы переменную составляющую, так что рассматриваемый усилитель на биполярном транзисторе имел бы низкий коэффициент усиления по току.

В наших расчетах мы принимали, что Ic = Ib h, где Ib — ток базы, втекающий в нее из эмиттера и возникающий при подаче на базу напряжения смещения. Однако через базу всегда (как при наличии смещения, так и без него) протекает еще и ток утечки из коллектора Icb0. Поэтому реальный ток коллектора равен Ic = Ib h + Icb0 h, т.е. ток утечки в схеме с ОЭ усиливается в 150 раз. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то это обстоятельство нужно было бы учитывать при расчетах. Дело в том, что имеют существенный Icb0 порядка нескольких мкА. У кремниевых же он на три порядка меньше (около нескольких нА), так что в расчетах им обычно пренебрегают.

Однотактный усилитель с МДП-транзистором

Как и любой усилитель на полевых транзисторах, рассматриваемая схема имеет свой аналог среди усилителей на Поэтому рассмотрим аналог предыдущей схемы с общим эмиттером. Она выполнена с общим истоком и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе «А» и приведена на рисунке ниже.

Здесь C1 — такой же разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vdd. Как известно, любой усилитель на полевых транзисторах должен иметь потенциал затвора своих МДП-транзисторов ниже потенциалов их истоков. В данной схеме затвор заземлен резистором R1, имеющим, как правило, большое сопротивление (от 100 кОм до 1 Мом), чтобы он не шунтировал входной сигнал. Ток через R1 практически не проходит, поэтому потенциал затвора при отсутствии входного сигнала равен потенциалу земли. Потенциал же истока выше потенциала земли за счет падения напряжения на резисторе R2. Таким образом, потенциал затвора оказывается ниже потенциала истока, что и нужно для нормальной работы Q1. Конденсатор C2 и резистор R3 имеют такое же назначение, как и в предыдущей схеме. Поскольку эта схема с общим истоком, то входной и выходной сигналы сдвинуты по фазе на 180°.

Усилитель с трансформаторным выходом

Третий одноступенчатый простой усилитель на транзисторах, показанный на рисунке ниже, также выполнен по схеме с общим эмиттером для работы в классе «А», но с низкоомным динамиком он связан через согласующий трансформатор.

Первичная обмотка трансформатора T1 является нагрузкой коллекторной цепи транзистора Q1 и развивает выходной сигнал. T1 передает выходной сигнал на динамик и обеспечивает согласование выходного полного сопротивления транзистора с низким (порядка нескольких Ом) сопротивлением динамика.

Делитель напряжения коллекторного источника питания Vcc, собранный на резисторах R1 и R3, обеспечивает выбор рабочей точки транзистора Q1 (подачу напряжения смещения на его базу). Назначение остальных элементов усилителя такое же, как и в предыдущих схемах.

Двухтактный звуковой усилитель

Двухтактный НЧ-усилитель на двух транзисторах расщепляет входной частоты на две противофазные полуволны, каждая из которых усиливается своим собственным транзисторным каскадом. После выполнения такого усиления полуволны объединяются в целостный гармонический сигнал, который и передается на акустическую систему. Подобное преобразование НЧ-сигнала (расщепление и повторное слияние), естественно, вызывает в нем необратимые искажения, обусловленные различием частотных и динамических свойств двух транзисторов схемы. Эти искажения снижают качество звука на выходе усилителя.

Двухтактные усилители, работающие в классе «А», недостаточно хорошо воспроизводят сложные звуковые сигналы, так как в их плечах непрерывно протекает постоянный ток повышенной величины. Это приводит к несимметрии полуволн сигнала, фазовым искажениям и в конечном итоге к потере разборчивости звука. Нагреваясь, два мощных транзистора увеличивают вдвое искажения сигнала в области низких и инфранизких частот. Но все же основным достоинством двухтактной схемы является ее приемлемый КПД и повышенная выходная мощность.

Двухтактная схема усилителя мощности на транзисторах показана на рисунке.

Это усилитель для работы в классе «А», но может быть использован и класс «АВ», и даже «В».

Бестрансформаторный транзисторный усилитель мощности

Трансформаторы, несмотря на успехи в их миниатюризации, остаются все же самыми громоздкими, тяжелыми и дорогими ЭРЭ. Поэтому был найден путь устранения трансформатора из двухтактной схемы путем выполнения ее на двух мощных комплементарных транзисторах разных типов (n-p-n и p-n-p). Большинство современных усилителей мощности используют именно этот принцип и предназначены для работы в классе «В». Схема такого усилителя мощности показана на рисунке ниже.

Оба ее транзистора включены по схеме с общим коллектором (эмиттерного повторителя). Поэтому схема передает входное напряжение на выход без усиления. Если входного сигнала нет, то оба транзистора находятся на границе включенного состояния, но при этом они выключены.

Когда гармонический сигнал подан на вход, его положительная полуволна открывает TR1, но переводит p-n-p транзистор TR2 полностью в режим отсечки. Таким образом, только положительная полуволна усиленного тока протекает через нагрузку. Отрицательная полуволна входного сигнала открывает только TR2 и запирает TR1, так что в нагрузку подается отрицательная полуволна усиленного тока. В результате на нагрузке выделяется полный усиленный по мощности (за счет усиления по току) синусоидальный сигнал.

Усилитель на одном транзисторе

Для усвоения вышеизложенного соберем простой усилитель на транзисторах своими руками и разберемся, как он работает.

В качестве нагрузки маломощного транзистора Т типа BC107 включим наушники с сопротивлением 2-3 кОм, напряжение смещения на базу подадим с высокоомного резистора R* величиной 1 МОм, развязывающий электролитический конденсатор C емкостью от 10 мкФ до 100 мкФ включим в базовую цепь Т. Питать схему будем от батареи 4,5 В/0,3 А.

Если резистор R* не подключен, то нет ни тока базы Ib, ни тока коллектора Ic. Если резистор подключен, то напряжение на базе поднимается до 0,7 В и через нее протекает ток Ib = 4 мкА. Коэффициент усиления транзистора по току равен 250, что дает Ic = 250Ib = 1 мА.

Собрав простой усилитель на транзисторах своими руками, можем теперь его испытать. Подключите наушники и поставьте палец на точку 1 схемы. Вы услышите шум. Ваше тело воспринимает излучение питающей сети на частоте 50 Гц. Шум, услышанный вами из наушников, и является этим излучением, только усиленным транзистором. Поясним этот процесс подробнее. Напряжение переменного тока с частотой 50 Гц подключено к базе транзистора через конденсатор С. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения смещения (приблизительно 0,7 В), приходящего с резистора R*, и напряжения переменного тока «от пальца». В результате ток коллектора получает переменную составляющую с частотой 50 Гц. Этот переменный ток используется для сдвига мембраны динамиков вперед-назад с той же частотой, а это означает, что мы сможем услышать тон 50 Гц на выходе.

Слушать уровень шума 50 Гц не очень интересно, поэтому можно подключить к точкам 1 и 2 низкочастотные источника сигнала (CD-плеер или микрофон) и слышать усиленную речь или музыку.

Схема № 2

Схема второго нашего усилителя значительно сложнее, но зато позволяет получить и более качественной звучание. Достигнуто это за счет более совершенной схемотехники, большего коэффициента усиления усилителя (и, следовательно, более глубокой обратной связи), а также возможностью регулировать начальное смещение транзисторов выходного каскада.

Схема нового варианта усилителя приведена на рис. 11.20. Этот усилитель, в отличие от своего предшественника, питается от двухполярного источника напряжения.

Входной каскад усилителя на транзисторах VT1-VT3 образует т. н. дифференциальный усилитель. Транзистор VT2 в дифференциальном усилителе является источником тока (довольно часто в дифференциальных усилителях в качестве источника тока ставят обычный резистор достаточно большого номинала). А транзисторы VT1 и VT3 образуют два пути, по которым ток из источника уходит в нагрузку.

Если ток в цепи одного транзистора увеличится, то ток в цепи другого транзистора уменьшится на точно такую же величину — источник тока поддерживает сумму токов обоих транзисторов постоянной.

В итоге транзисторы дифференциального усилителя образуют почти «идеальное» устройство сравнения, что важно для качественной работы обратной связи. На базу одного транзистора подается усиливаемый сигнал, на базу другого — сигнал обратной связи через делитель напряжения на резисторах R6, R8.

Противофазный сигнал «расхождения» выделяется на резисторах R4 и R5, и поступает на две цепочки усиления:

  • транзистор VT7;
  • транзисторы VT4-VT6.

Когда сигнал рассогласования отсутствует, токи обоих цепочек, т. е. транзисторов VT7 и VT6, равны, и напряжение в точке соединения их коллекторов (в нашей схеме такой точкой можно считать транзистор VT8) в точности равно нулю.

При появлении сигнала рассогласования токи транзисторов становятся разными, и напряжение в точке соединения становится больше или меньше нуля. Это напряжение усиливается составным эмиттерным повторителем, собранным на комплементарных парах VT9, VT10 и VT11, VT12, и поступает на АС — это выходной сигнал усилителя.

Транзистор VT8 используется для регулировки т. н. тока «покоя» выходного каскада. Когда движок подстроечного резистора R14 находится в верхнем по схеме положении, транзистор VT8 полностью открыт. При этом падение напряжение на нем близко к нулю. Если же перемещать движок резистора в нижнее положение, падение напряжения на транзисторе VT8 будет увеличиваться. А это равносильно внесению сигнала смещения в базы транзисторов выходного эмиттерного повторителя. Происходит смещение режима их работы от класса С до класса В, а в принципе — и до класса А. Это, как мы уже знаем, один из способов улучшения качества звука — не следует полагаться в этом только на действие обратной связи.

Плата . Усилитель собран на плате из одностороннего стеклотекстолита толщиной 1.5 мм размерами 50×47.5 мм. Разводку печатной платы в зеркальном изображении и схему расположения деталей можно скачать . Работу усилителя смотрим на . Внешний вид усилителя приведен на рис. 11.21.

Аналоги и элементная база . При отсутствии необходимых деталей транзисторы VT1, VT3 можно заменить любыми малошумящими с допустимым током не менее 100 мА, допустимым напряжением не ниже напряжения питания усилителя и как можно большим коэффициентом усиления.

Специально для таких схем промышленностью выпускаются транзисторные сборки, представляющие собой пару транзисторов в одном корпусе с максимально подобными характеристиками — это был бы идеальный вариант.

Транзисторы VT9 и VT10 обязательно должны быть комплементарными, также как и VT11, и VT12. Они должны быть рассчитаны на напряжение не менее удвоенного напряжения питания усилителя. Не забыли, уважаемый радиолюбитель, что усилитель питается от двухполярного источника напряжения?

Для зарубежных аналогов комплементарые пары обычно указываются в документации на транзистор, для отечественных приборов — придется попотеть в Инете! Транзисторы выходного каскада VT11, VT12 дополнительно должны выдерживать ток, не меньший:

I в = U / R, А,

U — напряжение питания усилителя,
R — сопротивление АС.

Для транзисторов VT9, VT10 допустимый ток должен быть не менее:

I п = I в / B, А ,

I в — максимальный ток выходных транзисторов;
B — коэффициент усиления выходных транзисторов.

Обратите внимание, что в документации на мощные транзисторы иногда приводятся два коэффициента усиления — один для режима усиления «малого сигнала», другой — для схемы с ОЭ. Вам нужен для расчета не тот, который для «малого сигнала». Обратите внимание также на особенность транзисторов КТ972/КТ973 — их коэффициент усиления составляет более 750.

Найденный вами аналог должен обладать не меньшим коэффициентом усиления — это существенно для данной схемы. Остальные транзисторы должны иметь допустимое напряжение не менее удвоенного напряжения питания усилителя и допустимый ток не мене 100 мА. Резисторы — любые с допустимой рассеиваемой мощностью не менее 0.125 Вт. Конденсаторы — электролитические, с емкостью не менее указанной и рабочим напряжением не менее напряжения питания усилителя.

Продолжение читайте

Редакция сайта «Две Схемы» представляет простой, но качественный усилитель НЧ на транзисторах MOSFET. Его схема должна быть хорошо известна радиолюбителям аудиофилам, так как ей уже лет 20. Схема является разработкой знаменитого Энтони Холтона, поэтому её иногда так и называют — УНЧ Holton. Система усиления звука имеет низкие гармонические искажения, не превышающие 0,1%, при мощности на нагрузку порядка 100 Ватт.

Данный усилитель является альтернативой для популярных усилителей серии TDA и подобных попсовых, ведь при чуть большей стоимости можно получить усилитель с явно лучшими характеристиками.

Большим преимуществом системы является простая конструкция и выходной каскад, состоящий из 2-х недорогих МОП-транзисторов. Усилитель может работать с динамиками сопротивлением как 4, так и 8 Ом. Единственной настройкой, которую необходимо выполнить во время запуска — будет установка значения тока покоя выходных транзисторов.

Принципиальная схема УМЗЧ Holton


Усилитель Холтон на MOSFET — схема

Схема является классическим двухступенчатым усилителем, он состоит из дифференциального входного усилителя и симметричного усилителя мощности, в котором работает одна пара силовых транзисторов. Схема системы представлена выше.

Печатная плата


Печатная плата УНЧ — готовый вид

Вот архив с PDF файлами печатной платы — .

Принцип работы усилителя

Транзисторы Т4 (BC546) и T5 (BC546) работают в конфигурации дифференциального усилителя и рассчитаны на питание от источника тока, построенного на основе транзисторов T7 (BC546), T10 (BC546) и резисторах R18 (22 ком), R20 (680 Ом) и R12 (22 ком). Входной сигнал подается на два фильтра: нижних частот, построенный из элементов R6 (470 Ом) и C6 (1 нф) — он ограничивает ВЧ компоненты сигнала и полосовой фильтр, состоящий из C5 (1 мкф), R6 и R10 (47 ком), ограничивающий составляющие сигнала на инфранизких частотах.

Нагрузкой дифференциального усилителя являются резисторы R2 (4,7 ком) и R3 (4,7 ком). Транзисторы T1 (MJE350) и T2 (MJE350) представляют собой еще один каскад усиления, а его нагрузкой являются транзисторы Т8 (MJE340), T9 (MJE340) и T6 (BD139).

Конденсаторы C3 (33 пф) и C4 (33 пф) противодействуют возбуждению усилителя. Конденсатор C8 (10 нф) включенный параллельно R13 (10 ком/1 В), улучшает переходную характеристику УНЧ, что имеет значение для быстро нарастающих входных сигналов.

Транзистор T6 вместе с элементами R9 (4,7 ком), R15 (680 Ом), R16 (82 Ом) и PR1 (5 ком) позволяет установить правильную полярность выходных каскадов усилителя в состоянии покоя. С помощью потенциометра необходимо установить ток покоя выходных транзисторов в пределах 90-110 мА, что соответствует падению напряжения на R8 (0,22 Ом/5 Вт) и R17 (0,22 Ом/5 Вт) в пределах 20-25 мВ. Общее потребление тока в режиме покоя усилителя должен быть в районе 130 мА.

Выходными элементами усилителя являются МОП-транзисторы T3 (IRFP240) и T11 (IRFP9240). Транзисторы эти устанавливаются как повторитель напряжения с большим максимальным выходным током, таким образом, первые 2 каскада должны раскачать достаточно большую амплитуду для выходного сигнала.

Резисторы R8 и R17 были применены, в основном, для быстрого измерения тока покоя транзисторов усилителя мощности без вмешательства в схему. Могут они также пригодиться в случае расширения системы на еще одну пару силовых транзисторов, из-за различий в сопротивлении открытых каналов транзисторов.

Резисторы R5 (470 Ом) и R19 (470 Ом) ограничивают скорость зарядки емкости проходных транзисторов, а, следовательно, ограничивают частотный диапазон усилителя. Диоды D1-D2 (BZX85-C12V) защищают мощные транзисторы. С ними напряжение при запуске относительно источников питания у транзисторов не должно быть больше 12 В.

На плате усилителя предусмотрены места для конденсаторов фильтра питания С2 (4700 мкф/50 в) и C13 (4700 мкф/50 в).


Самодельный транзисторный УНЧ на МОСФЕТ

Управление питается через дополнительный RC фильтр, построенный на элементах R1 (100 Ом/1 В), С1 (220 мкф/50 в) и R23 (100 Ом/1 В) и C12 (220 мкф/50 в).

Источник питания для УМЗЧ

Схема усилителя обеспечивает мощность, которая достигает реальных 100 Вт (эффективное синусоидальная), при входном напряжении в районе 600 мВ и сопротивлением нагрузки 4 Ома.


Усилитель Холтон на плате с деталями

Рекомендуемый трансформатор — тороид 200 Вт с напряжением 2х24 В. После выпрямления и сглаживания должно получиться двух полярное питание усилители мощности в районе +/-33 Вольт. Представленная здесь конструкция является модулем монофонического усилителя с очень хорошими параметрами, построенного на транзисторах MOSFET, который можно использовать как отдельный блок или в составе .

После освоения азов электроники, начинающий радиолюбитель готов паять свои первые электронные конструкции. Усилители мощности звуковой частоты, как правило самые повторяемые конструкции. Схем достаточно много, каждая отличается своими параметрами и конструкцией. В этой статье будут рассмотрены несколько простейших и полностью рабочих схем усилителей, которые успешно могут быть повторены любым радиолюбителем. В статье не использованы сложные термины и расчеты, все максимально упрощено, чтобы не возникло дополнительных вопросов.

Начнем с более мощной схемы.
Итак, первая схема выполнена на известной микросхеме TDA2003. Это монофонический усилитель с выходной мощностью до 7 Ватт на нагрузку 4 Ом. Хочу сказать, что стандартная схема включения этой микросхемы содержит малое количество компонентов, но пару лет назад мною была придумана иная схема на этой микросхеме. В этой схеме количество комплектующих компонентов сведено к минимуму, но усилитель не потерял свои звуковые параметры. После разработки данной схемы, все свои усилители для маломощных колонок стал делать именно на этой схеме.

Схема представленного усилителя имеет широкий диапазон воспроизводимых частот, диапазон питающих напряжений от 4,5 до 18 вольт (типовое 12-14 вольт). Микросхему устанавливают на небольшой теплоотвод, поскольку максимальная мощность достигает до 10 Ватт.

Микросхема способна работать на нагрузку 2 Ом, это значит, что к выходу усилителя можно подключать 2 головки с сопротивлением 4 Ом.
Входной конденсатор можно заменить на любой другой, с емкостью от 0,01 до 4,7 мкФ (желательно от 0,1 до 0,47 мкФ), можно использовать как пленочные, так и керамические конденсаторы. Все остальные компоненты желательно не заменять.

Регулятор громкости от 10 до 47 кОм.
Выходная мощность микросхемы позволяет применять его в маломощных АС для ПК. Очень удобно использовать микросхему для автономных колонок к мобильному телефону и т.п.
Усилитель работает сразу после включения, в дополнительной наладке не нуждается. Советуется минус питания дополнительно подключить к теплоотводу. Все электролитические конденсаторы желательно использовать на 25 Вольт.

Вторая схема собрана на маломощных транзисторах, и больше подойдет в качестве усилителя для наушников.

Это наверное самая качественная схема такого рода, звук чистый, чувствуются весь частотный спектр. С хорошими наушниками, такое ощущение, что у вас полноценный сабвуфер.

Усилитель собран всего на 3-х транзисторах обратной проводимости, как самый дешевый вариант, были использованы транзисторы серии КТ315, но их выбор достаточно широк.

Усилитель может работать на низкоомную нагрузку, вплоть до 4-х Ом, что дает возможность, использовать схему для усиления сигнала плеера, радиоприемника и т.п. В качестве источника питания использована батарейка типа крона с напряжением 9 вольт.
В окончательном каскаде тоже применены транзисторы КТ315. Для повышения выходной мощности можно применить транзисторы КТ815, но тогда придется увеличить напряжение питания до 12 вольт. В этом случае мощность усилителя будет достигать до 1 Ватт. Выходной конденсатор может иметь емкость от 220 до 2200 мкФ.
Транзисторы в этой схеме не нагреваются, следовательно, какое-либо охлаждение не нужно. При использовании более мощных выходных транзисторов, возможно, понадобятся небольшие теплоотводы для каждого транзистора.

И наконец — третья схема. Представлен не менее простой, но проверенный вариант строения усилителя. Усилитель способен работать от пониженного напряжения до 5 вольт, при таком случае выходная мощность УМ будет не более 0,5 Вт, а максимальная мощность при питании 12 вольт достигает до 2-х Ватт.

Выходной каскад усилителя построен на отечественной комплементарной паре. Регулируют усилитель подбором резистора R2. Для этого желательно использовать подстроечный регулятор на 1кОм. Медленно вращаем регулятор до тех пор, пока ток покоя выходного каскада не будет 2-5 мА.

Усилитель не обладает высокой входной чувствительностью, поэтому желательно перед входом применить предварительный усилитель.

Немало важную роль в схеме играет диод, он тут для стабилизации режима выходного каскада.
Транзисторы выходного каскада можно заменить на любую комплементарную пару соответствующих параметров, например КТ816/817. Усилитель может питать маломощные автономные колонки с сопротивлением нагрузки 6-8 Ом.

Список радиоэлементов
Обозначение Тип Номинал Количество Примечание Магазин Мой блокнот
Усилитель на микросхеме TDA2003
Аудио усилитель

TDA2003

1 В блокнот
С1 47 мкФ х 25В 1 В блокнот
С2 Конденсатор 100 нФ 1 Пленочный В блокнот
С3 Электролитический конденсатор 1 мкФ х 25В 1 В блокнот
С5 Электролитический конденсатор 470 мкФ х 16В 1 В блокнот
R1 Резистор

100 Ом

1 В блокнот
R2 Переменный резистор 50 кОм 1 От 10 кОм до 50 кОм В блокнот
Ls1 Динамическая головка 2-4 Ом 1 В блокнот
Усилитель на транзисторах схема №2
VT1-VT3 Биполярный транзистор

КТ315А

3 В блокнот
С1 Электролитический конденсатор 1 мкФ х 16В 1 В блокнот
С2, С3 Электролитический конденсатор 1000 мкФ х 16В 2 В блокнот
R1, R2 Резистор

100 кОм

2 В блокнот
R3 Резистор

47 кОм

1 В блокнот
R4 Резистор

1 кОм

1 В блокнот
R5 Переменный резистор 50 кОм 1 В блокнот
R6 Резистор

3 кОм

1 В блокнот
Динамическая головка 2-4 Ом 1 В блокнот
Усилитель на транзисторах схема №3
VT2 Биполярный транзистор

КТ315А

1 В блокнот
VT3 Биполярный транзистор

КТ361А

1 В блокнот
VT4 Биполярный транзистор

КТ815А

1 В блокнот
VT5 Биполярный транзистор

КТ816А

1 В блокнот
VD1 Диод

Д18

1 Или любой маломощный В блокнот
С1, С2, С5 Электролитический конденсатор 10 мкФ х 16В 3

Простейший усилитель на транзисторах может быть хорошим пособием для изучения свойств приборов. Схемы и конструкции достаточно простые, можно самостоятельно изготовить устройство и проверить его работу, произвести замеры всех параметров. Благодаря современным полевым транзисторам можно изготовить буквально из трех элементов миниатюрный микрофонный усилитель. И подключить его к персональному компьютеру для улучшения параметров звукозаписи. Да и собеседники при разговорах будут намного лучше и четче слышать вашу речь.

Частотные характеристики

Усилители низкой (звуковой) частоты имеются практически во всех бытовых приборах — музыкальных центрах, телевизорах, радиоприемниках, магнитолах и даже в персональных компьютерах. Но существуют еще усилители ВЧ на транзисторах, лампах и микросхемах. Отличие их в том, что УНЧ позволяет усилить сигнал только звуковой частоты, которая воспринимается человеческим ухом. Усилители звука на транзисторах позволяют воспроизводить сигналы с частотами в диапазоне от 20 Гц до 20000 Гц.

Следовательно, даже простейшее устройство способно усилить сигнал в этом диапазоне. Причем делает оно это максимально равномерно. Коэффициент усиления зависит прямо от частоты входного сигнала. График зависимости этих величин — практически прямая линия. Если же на вход усилителя подать сигнал с частотой вне диапазона, качество работы и эффективность устройства быстро уменьшатся. Каскады УНЧ собираются, как правило, на транзисторах, работающих в низко- и среднечастотном диапазонах.

Классы работы звуковых усилителей

Все усилительные устройства разделяются на несколько классов, в зависимости от того, какая степень протекания в течение периода работы тока через каскад:

  1. Класс «А» — ток протекает безостановочно в течение всего периода работы усилительного каскада.
  2. В классе работы «В» протекает ток в течение половины периода.
  3. Класс «АВ» говорит о том, что ток протекает через усилительный каскад в течение времени, равного 50-100 % от периода.
  4. В режиме «С» электрический ток протекает менее чем половину периода времени работы.
  5. Режим «D» УНЧ применяется в радиолюбительской практике совсем недавно — чуть больше 50 лет. В большинстве случаев эти устройства реализуются на основе цифровых элементов и имеют очень высокий КПД — свыше 90 %.

Наличие искажений в различных классах НЧ-усилителей

Рабочая область транзисторного усилителя класса «А» характеризуется достаточно небольшими нелинейными искажениями. Если входящий сигнал выбрасывает импульсы с более высоким напряжением, это приводит к тому, что транзисторы насыщаются. В выходном сигнале возле каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого появляется металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.

При нестабильном питании выходной сигнал будет по амплитуде моделироваться возле частоты сети. Звук станет в левой части частотной характеристики более жестким. Но чем лучше стабилизация питания усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ, работающие в классе «А», имеют относительно небольшой КПД — менее 20 %. Причина заключается в том, что транзистор постоянно открыт и ток через него протекает постоянно.

Для повышения (правда, незначительного) КПД можно воспользоваться двухтактными схемами. Один недостаток — полуволны у выходного сигнала становятся несимметричными. Если же перевести из класса «А» в «АВ», увеличатся нелинейные искажения в 3-4 раза. Но коэффициент полезного действия всей схемы устройства все же увеличится. УНЧ классов «АВ» и «В» характеризует нарастание искажений при уменьшении уровня сигнала на входе. Но даже если прибавить громкость, это не поможет полностью избавиться от недостатков.

Работа в промежуточных классах

У каждого класса имеется несколько разновидностей. Например, существует класс работы усилителей «А+». В нем транзисторы на входе (низковольтные) работают в режиме «А». Но высоковольтные, устанавливаемые в выходных каскадах, работают либо в «В», либо в «АВ». Такие усилители намного экономичнее, нежели работающие в классе «А». Заметно меньшее число нелинейных искажений — не выше 0,003 %. Можно добиться и более высоких результатов, используя биполярные транзисторы. Принцип работы усилителей на этих элементах будет рассмотрен ниже.

Но все равно имеется большое количество высших гармоник в выходном сигнале, отчего звук становится характерным металлическим. Существуют еще схемы усилителей, работающие в классе «АА». В них нелинейные искажения еще меньше — до 0,0005 %. Но главный недостаток транзисторных усилителей все равно имеется — характерный металлический звук.

«Альтернативные» конструкции

Нельзя сказать, что они альтернативные, просто некоторые специалисты, занимающиеся проектировкой и сборкой усилителей для качественного воспроизведения звука, все чаще отдают предпочтение ламповым конструкциям. У ламповых усилителей такие преимущества:

  1. Очень низкое значение уровня нелинейных искажений в выходном сигнале.
  2. Высших гармоник меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства, — обязательно нужно ставить устройство для согласования. Дело в том, что у лампового каскада очень большое сопротивление — несколько тысяч Ом. Но сопротивление обмотки динамиков — 8 или 4 Ома. Чтобы их согласовать, нужно устанавливать трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток — существуют и транзисторные устройства, в которых используются трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы. Некоторые специалисты утверждают, что наиболее эффективной схемой оказывается гибридная — в которой применяются однотактные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады функционируют в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, применяется в качестве повторителя усилитель мощности на транзисторе.

Причем КПД у таких устройств достаточно высокий — порядка 50 %. Но не стоит ориентироваться только на показатели КПД и мощности — они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем. Намного большее значение имеют линейность характеристик и их качество. Поэтому нужно обращать внимание в первую очередь на них, а не на мощность.

Схема однотактного УНЧ на транзисторе

Самый простой усилитель, построенный по схеме с общим эмиттером, работает в классе «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В коллекторной цепи установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Коллекторная цепь соединяется с положительным проводом питания, а эмиттерная — с отрицательным. В случае использования полупроводниковых транзисторов со структурой p-n-p схема будет точно такой же, вот только потребуется поменять полярность.

С помощью разделительного конденсатора С1 удается отделить переменный входной сигнал от источника постоянного тока. При этом конденсатор не является преградой для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 представляют собой простейший делитель напряжения питания. Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм — наиболее типичные значения для таких схем. При этом напряжение питания делится ровно пополам. И если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h31 составит 150. Нужно отметить, что усилители КВ на транзисторах выполняются по аналогичным схемам, только работают немного иначе.

При этом напряжение эмиттера равно 9 В и падение на участке цепи «Э-Б» 0,7 В (что характерно для транзисторов на кристаллах кремния). Если рассмотреть усилитель на германиевых транзисторах, то в этом случае падение напряжения на участке «Э-Б» будет равно 0,3 В. Ток в цепи коллектора будет равен тому, который протекает в эмиттере. Вычислить можно, разделив напряжение эмиттера на сопротивление R2 — 9В/1 кОм=9 мА. Для вычисления значения тока базы необходимо 9 мА разделить на коэффициент усиления h31 — 9мА/150=60 мкА. В конструкциях УНЧ обычно используются биполярные транзисторы. Принцип работы у него отличается от полевых.

На резисторе R1 теперь можно вычислить значение падения — это разница между напряжениями базы и питания. При этом напряжение базы можно узнать по формуле — сумма характеристик эмиттера и перехода «Э-Б». При питании от источника 20 Вольт: 20 — 9,7 = 10,3. Отсюда можно вычислить и значение сопротивления R1=10,3В/60 мкА=172 кОм. В схеме присутствует емкость С2, необходимая для реализации цепи, по которой сможет проходить переменная составляющая эмиттерного тока.

Если не устанавливать конденсатор С2, переменная составляющая будет очень сильно ограничиваться. Из-за этого такой усилитель звука на транзисторах будет обладать очень низким коэффициентом усиления по току h31. Нужно обратить внимание на то, что в вышеизложенных расчетах принимались равными токи базы и коллектора. Причем за ток базы брался тот, который втекает в цепь от эмиттера. Возникает он только при условии подачи на вывод базы транзистора напряжения смещения.

Но нужно учитывать, что по цепи базы абсолютно всегда, независимо от наличия смещения, обязательно протекает ток утечки коллектора. В схемах с общим эмиттером ток утечки усиливается не менее чем в 150 раз. Но обычно это значение учитывается только при расчете усилителей на германиевых транзисторах. В случае использования кремниевых, у которых ток цепи «К-Б» очень мал, этим значением просто пренебрегают.

Усилители на МДП-транзисторах

Усилитель на полевых транзисторах, представленный на схеме, имеет множество аналогов. В том числе и с использованием биполярных транзисторов. Поэтому можно рассмотреть в качестве аналогичного примера конструкцию усилителя звука, собранную по схеме с общим эмиттером. На фото представлена схема, выполненная по схеме с общим истоком. На входных и выходных цепях собраны R-C-связи, чтобы устройство работало в режиме усилителя класса «А».

Переменный ток от источника сигнала отделяется от постоянного напряжения питания конденсатором С1. Обязательно усилитель на полевых транзисторах должен обладать потенциалом затвора, который будет ниже аналогичной характеристики истока. На представленной схеме затвор соединен с общим проводом посредством резистора R1. Его сопротивление очень большое — обычно применяют в конструкциях резисторы 100-1000 кОм. Такое большое сопротивление выбирается для того, чтобы не шунтировался сигнал на входе.

Это сопротивление почти не пропускает электрический ток, вследствие чего у затвора потенциал (в случае отсутствия сигнала на входе) такой же, как у земли. На истоке же потенциал оказывается выше, чем у земли, только благодаря падению напряжения на сопротивлении R2. Отсюда ясно, что у затвора потенциал ниже, чем у истока. А именно это и требуется для нормального функционирования транзистора. Нужно обратить внимание на то, что С2 и R3 в этой схеме усилителя имеют такое же предназначение, как и в рассмотренной выше конструкции. А входной сигнал сдвинут относительно выходного на 180 градусов.

УНЧ с трансформатором на выходе

Можно изготовить такой усилитель своими руками для домашнего использования. Выполняется он по схеме, работающей в классе «А». Конструкция такая же, как и рассмотренные выше, — с общим эмиттером. Одна особенность — необходимо использовать трансформатор для согласования. Это является недостатком подобного усилителя звука на транзисторах.

Коллекторная цепь транзистора нагружается первичной обмоткой, которая развивает выходной сигнал, передаваемый через вторичную на динамики. На резисторах R1 и R3 собран делитель напряжения, который позволяет выбрать рабочую точку транзистора. С помощью этой цепочки обеспечивается подача напряжения смещения в базу. Все остальные компоненты имеют такое же назначение, как и у рассмотренных выше схем.

Двухтактный усилитель звука

Нельзя сказать, что это простой усилитель на транзисторах, так как его работа немного сложнее, чем у рассмотренных ранее. В двухтактных УНЧ входной сигнал расщепляется на две полуволны, различные по фазе. И каждая из этих полуволн усиливается своим каскадом, выполненном на транзисторе. После того, как произошло усиление каждой полуволны, оба сигнала соединяются и поступают на динамики. Такие сложные преобразования способны вызвать искажения сигнала, так как динамические и частотные свойства двух, даже одинаковых по типу, транзисторов будут отличны.

В результате на выходе усилителя существенно снижается качество звучания. При работе двухтактного усилителя в классе «А» не получается качественно воспроизвести сложный сигнал. Причина — повышенный ток протекает по плечам усилителя постоянно, полуволны несимметричные, возникают фазовые искажения. Звук становится менее разборчивым, а при нагреве искажения сигнала еще больше усиливаются, особенно на низких и сверхнизких частотах.

Бестрансформаторные УНЧ

Усилитель НЧ на транзисторе, выполненный с использованием трансформатора, невзирая на то, что конструкция может иметь малые габариты, все равно несовершенен. Трансформаторы все равно тяжелые и громоздкие, поэтому лучше от них избавиться. Намного эффективнее оказывается схема, выполненная на комплементарных полупроводниковых элементах с различными типами проводимости. Большая часть современных УНЧ выполняется именно по таким схемам и работают в классе «В».

Два мощных транзистора, используемых в конструкции, работают по схеме эмиттерного повторителя (общий коллектор). При этом напряжение входа передается на выход без потерь и усиления. Если на входе нет сигнала, то транзисторы на грани включения, но все равно еще отключены. При подаче гармонического сигнала на вход происходит открывание положительной полуволной первого транзистора, а второй в это время находится в режиме отсечки.

Следовательно, через нагрузку способны пройти только положительные полуволны. Но отрицательные открывают второй транзистор и полностью запирают первый. При этом в нагрузке оказываются только отрицательные полуволны. В результате усиленный по мощности сигнал оказывается на выходе устройства. Подобная схема усилителя на транзисторах достаточно эффективная и способна обеспечить стабильную работу, качественное воспроизведение звука.

Схема УНЧ на одном транзисторе

Изучив все вышеописанные особенности, можно собрать усилитель своими руками на простой элементной базе. Транзистор можно использовать отечественный КТ315 или любой его зарубежный аналог — например ВС107. В качестве нагрузки нужно использовать наушники, сопротивление которых 2000-3000 Ом. На базу транзистора необходимо подать напряжение смещения через резистор сопротивлением 1 Мом и конденсатор развязки 10 мкФ. Питание схемы можно осуществить от источника напряжением 4,5-9 Вольт, ток — 0,3-0,5 А.

Если сопротивление R1 не подключить, то в базе и коллекторе не будет тока. Но при подключении напряжение достигает уровня в 0,7 В и позволяет протекать току около 4 мкА. При этом по току коэффициент усиления окажется около 250. Отсюда можно сделать простой расчет усилителя на транзисторах и узнать ток коллектора — он оказывается равен 1 мА. Собрав эту схему усилителя на транзисторе, можно провести ее проверку. К выходу подключите нагрузку — наушники.

Коснитесь входа усилителя пальцем — должен появиться характерный шум. Если его нет, то, скорее всего, конструкция собрана неправильно. Перепроверьте все соединения и номиналы элементов. Чтобы нагляднее была демонстрация, подключите к входу УНЧ источник звука — выход от плеера или телефона. Прослушайте музыку и оцените качество звучания.

Как проверить транзистор цифровым мультиметром

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор, то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят цифровым мультиметром или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность щупов прибора, для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров – электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, — диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является диод, который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 — 800 мВ, а для германиевых порядка 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база – коллектор и база – эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база — эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база – коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база – эмиттер транзистора КТ3102А.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор – эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор – эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база – эмиттер и база — коллектор «звонятся» как будто нормально!

Проверка транзисторов авометром

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база – эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Все попытки измерить сопротивление участка база – эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база – эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер — коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор – эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Но более достоверные результаты об исправности транзистора можно получить с использованием специального пробника для проверки транзисторов, про который смотрите здесь: Пробник для проверки транзисторов.

Источник: electrik.info

Home Радиотехника Способы проверки транзисторов

Способы проверки транзисторов

Прежде чем рассмотреть способы как проверить исправность транзисторов необходимо знать, как проверять исправность p-n перехода или как правильно тестировать диоды. Именно с этого мы и начнем.

Тестирование полупроводниковых диодов

При тестировании диодов с помощью стрелочных ампервольтомметрами следует использовать нижние пределы измерений. При проверке исправного диода сопротивление в прямом направлении составит несколько сотен Ом, в обратном направлении — бесконечно большое сопротивление. При неисправности диода стрелочный (аналоговый) ампервольтомметр покажет в обоих направлениях сопротивление близкое к 0 (при пробое диода) или бесконечно большое сопротивление при разрыве цепи. Сопротивление переходов в прямом и обратном направлениях для германиевых и кремниевых диодов различно.

Проверка диодов с помощью цифровых мультиметров производится в режиме их тестирования. При этом, если диод исправен, на дисплее отображается напряжение на р-n переходе при измерении в прямом направлении или разрыв при измерении в обратном направлении. Величина прямого напряжения на переходе для кремниевых диодов составляет 0,5. 0,8 В, для германиевых — 0,2. 0,4 В. При проверке диода с помощью цифровых мультиметров в режиме измерения сопротивления при проверке исправного диода обычно наблюдается разрыв как в прямом, так и в обратном направлении из-за того, что напряжение на клеммах мультиметра недостаточно для того, чтобы переход открылся.

Как проверить исправность транзистора

Для наиболее распространенных биполярных транзисторов их проверка аналогична тестированию диодов, так как саму структуру транзистора р-n-р или n-р-n можно представить как два диода (см. рисунок выше), с соединенными вместе выводами катода, либо анода, представляющими собой вывод базы транзистора. При тестировании транзистора прямое напряжение на переходе исправного транзистора составит 0,45. 0,9 В. Говоря проще, при проверке омметром переходов база-эмиттер, база-коллектор исправный транзистор в прямом направлении имеет маленькое сопротивление и большое сопротивление перехода в обратном направлении. Дополнительно следует проверять сопротивление (падение напряжения) между коллектором и эмиттером, которое для исправного транзистора должно быть очень большое, за исключением описанных ниже случаев. Однако есть свои особенности и при проверке транзисторов. На них мы и остановимся подробнее.

Одной из особенностей является наличие у некоторых типов мощных транзисторов встроенного демпферного диода, который включен между коллектором и эмиттером, а также резистора номиналом около 50 Ом между базой и эмиттером. Это характерно в первую очередь для транзисторов выходных каскадов строчной развертки. Из-за этих дополнительных элементов нарушается обычная картина тестирования. При проверке таких транзисторов следует сравнивать проверяемые параметры с такими же параметрами заведомо исправного однотипного транзистора. При проверке цифровым мультиметром транзисторов с резистором в цепи база-эмиттер напряжение на переходе база-эмиттер будет близким или равным 0 В.

Другими «необычными» транзисторами являются составные, включенные по схеме Дарлингтона. Внешне они выглядят как обычные, но в одном корпусе имеется два транзистора, соединенные по схеме, изображенной на рис. 2. От обычных их отличает высокий коэффициент усиления — более 1000.

Тестирование таких транзисторов особенностями не отличается, за исключением того, что прямое напряжение перехода база-эмиттер составляет 1,2. 1,4 В. Следует отметить, что некоторые типы цифровых мультиметров в режиме тестирования имеют на клеммах напряжение меньшее 1,2 В, что недостаточно для открывания р-n перехода, и в этом случае прибор показывает разрыв.

Тестирование однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов

Однопереходный транзистор (ОПТ) отличается наличием на его вольт-амперной характеристике участка, с отрицательным сопротивлением. Наличие такого участка говорит о том, что такой полупроводниковый прибор может использоваться для генерирования колебаний (ОПТ, туннельные диоды и др.).

Однопереходный транзистор используется в генераторных и переключательных схемах. Для начала разберем, чем отличается однопереходный транзистор от программируемого однопереходного транзистора. Это несложно:

  • общим для них является трехслойная структура (как у любого транзистора) с 2мя р-n переходами;
  • однопереходный транзистор имеет выводы, называемые база 1 (Б1), база 2 (Б2), эмиттер. Он переходит в состояние проводимости, когда напряжение на эмиттере превышает значение критического напряжения переключения, и находится в этом состоянии до тех пор, пока ток эмиттера не снизится до некоторого значения, называемого током запирания. Все это очень напоминает работу тиристора;
  • программируемый однопереходный транзистор имеет выводы, называемые анод (А), катод (К) и управляющий электрод (УЭ). По принципу работы он ближе к тиристору. Переключение его происходит тогда, когда напряжение на управляющем электроде превышает напряжение на аноде (на величину примерно 0,6 В — прямое напряжение р-n перехода). Таким образом, изменяя с помощью делителя напряжение на аноде, можно изменять напряжение переключения такого прибора т.е. «программировать» его.

Чтобы проверить исправность однопереходного и программируемого однопереходного транзистора следует измерить омметром сопротивление между выводами Б1 и Б2 или А и К для проверки на пробой. Но наиболее точные результаты можно получить, собрав схему для проверки однопереходных и программируемых однопереходных транзисторов (см. схему ниже — для ОПТ — рис. слева, для программируемого ОПТ — рис. справа).

Проверка цифровых транзисторов

Рис. 4 Упрощенная схема цифрового транзистора слева, Справа — схема тестирования. Стрелка означает «+» измерительного прибора

Другими необычными транзисторами являются цифровые (транзисторы с внутренними цепями смещения). На рис 4. выше изображена схема такого цифрового транзистора. Номиналы резисторов R1 и R2 одинаковы и могут составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы.

Цифровой транзистор внешне не отличается от обычного, но результаты его «прозвонки» могут поставить в тупик даже опытного мастера. Для многих они как были «непонятными», так таковыми и остались. В некоторых статьях можно встретить утверждение — «тестирование цифровых транзисторов затруднено. Лучший вариант — замена на заведомо исправный транзистор». Бесспорно, это самый надежный способ проверки. Попробуем разобраться, так ли это на самом деле. Давайте разберемся, как правильно протестировать цифровой транзистор и какие выводы сделать из результатов измерений.

Для начала обратимся к внутренней структуре транзистора, изображенной на рис.4, где переходы база-эмиттер и база-коллектор для наглядности изображены в виде двух включенных встречно диодов. Резисторы R1 и R2 могут быть как одного номинала, так и могут отличаться и составлять либо 10 кОм, либо 22 кОм, либо 47 кОм, или же иметь смешанные номиналы. Пусть сопротивление резистора R1 будет 10 кОм, a R2 — 22 кОм. Сопротивление открытого кремниевого перехода примем равным 100 Ом. В частности, эту величину показывает стрелочный авометр Ц4315 при измерении сопротивления на пределе х1.

В прямом направлении цепь база-коллектор рассматриваемого транзистора состоит из последовательно соединенных резистора R1 и сопротивления собственно перехода база-коллектор (VD1 на рис. 1). Сопротивлением перехода, так как оно значительно меньше сопротивления резистора R1, можно пренебречь, и этот замер даст величину, приблизительно равную значению сопротивления резистора R1, которое в нашем примере равно 10 кОм. В обратном направлении переход остается закрытым, и ток через этот резистор не течет. Стрелка авометра должна показать «бесконечность».

Цепь база-эмиттер представляет собой смешанное соединение резисторов R1, R2 и сопротивления собственно перехода база-эмиттер (VD2 на рис. 4 слева). Резистор R2 включен параллельно этому переходу и практически не изменяет его сопротивления. Следовательно, в прямом направлении, когда переход открыт, ампервольтомметр вновь покажет величину сопротивления, приблизительно равную значению сопротивления базового резистора R1. При изменении полярности тестера переход база-эмиттер остается закрытым, и ток протекает через последовательно соединенные резисторы R1 и R2. В этом случае тестер покажет сумму этих сопротивлений. В нашем примере она составит приблизительно 32 кОм.

Как видите, в прямом направлении цифровой транзистор тестируется так же, как и обычный биполярный транзистор, с той лишь разницей, что стрелка прибора показывает значение сопротивления базового резистора. А по разности измеренных сопротивлений в прямом и обратном направлениях можно определить величину сопротивления резистора R2.

Теперь рассмотрим тестирование цепи эмиттер-коллектор. Эта цепь представляет собой два встречно включенных диода, и при любой полярности тестера его стрелка должна была бы показать «бесконечность». Однако, это утверждение справедливо только для обычного кремниевого транзистора.

В рассматриваемом случае из-за того, что переход база-эмиттер (VD2) оказывается зашунтированным резистором R2, появляется возможность открыть переход база-коллектор при соответствующей полярности измерительного прибора. Измеренное при этом сопротивление транзисторов имеет некоторый разброс, но для предварительной оценки можно ориентироваться на значение примерно в 10 раз меньшее сопротивления резистора R1. При смене полярности тестера сопротивление перехода база-коллектор должно быть бесконечно большим.

На рис. 4 справа подведен итог вышесказанному, которым удобно пользоваться в повседневной практике. Для транзистора прямой проводимости стрелка будет означать «-» измерительного прибора.

В качестве измерительного прибора необходимо использовать стрелочные (аналоговые) АВОметры с током отклонения головки около 50 мкА (20 кОм/В).

Следует отметить, что вышеизложенное носит несколько идеализированный характер, и на практике, могут быть ситуации, требующие логического осмысления результатов измерений. Особенно в случаях, если цифровой транзистор окажется дефектным.

Как проверить полевой МОП-транзистор

Существует несколько разных способов проверки полевых МОП-транзисторов. Например такой:

  • Проверить сопротивление между затвором — истоком (3-И) и затвором — стоком (3-С). Оно должно быть бесконечно большим.
  • Соединить затвор с истоком. В этом, случае переход исток — сток (И-С) должен прозваниваться как диод (исключение для МОП-транзисторов, имеющих встроенную защиту от пробоя — стабилитрон с определенным напряжением открывания).

Самой распространенной и характерной неисправностью полевых МОП-транзисторов является короткое замыкание между затвором — истоком и затвором — стоком.

Другим способом является использование двух омметров. Первый включается для измерения между истоком и стоком, второй — между истоком и затвором. Второй омметр должен иметь высокое входное сопротивление — около 20 МОм и напряжение на выводах не менее 5 В. При подключении второго омметра в прямой полярности транзистор откроется (первый омметр покажет сопротивление близкое к нулю), при изменении полярности на противоположную транзистор закроется. Недостаток этого способа — требования к напряжению на выводах — второго омметра. Естественно, цифровые мультиметры для этих целей не подходит. Это ограничивает применение такого способа проверки.

Еще один способ похож на второй. Сначала кратковременно соединяют между собой выводы затвора и истока для того, чтобы снять имеющийся на затворе заряд. Далее к выводам истока-стока подключают омметр. Берут батарейку напряжением 9 В и кратковременно подключают ее плюсом к затвору, а минусом — к истоку. Транзистор откроется и будет открыт некоторое время после отключения батарейки за счет сохранения заряда. Большинство полевых МОП-транзисторов открывается при напряжении затвор-исток около 2 В.

При тестировании полевых МОП-транзисторов следует соблюдать особую осторожность, чтобы не вывести его из строя транзистор статическим электричеством.

Как определить структуру и расположения выводов транзисторов, тип которых неизвестен

При определении структуры транзистора, тип которого неизвестен, следует путем перебора шести вариантов — определить вывод базы, а затем измерить прямое напряжение на переходах. Прямое напряжение на переходе база-эмиттер всегда на несколько милливольт выше прямого напряжения на переходе база-коллектор (при пользовании стрелочного мультиметра сопротивление перехода база-эмиттер в прямом направлении несколько выше сопротивления перехода база-коллектор). Это связано с технологией производства транзисторов, и правило применимо к обыкновенным биполярным транзисторам, за исключением некоторых типов мощных транзисторов, имеющих встроенный демпферный диод. Полярность щупа мультиметра, подключенного при измерениях на переходах в прямом направлении к базе транзистора укажет на тип транзистора: если это «+» — транзистор структуры n-p-n, если «-» — структуры р-n-р.

Источник: www.xn--b1agveejs.su

Как проверить различные типы транзисторов мультиметром?

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Источник: www.asutpp.ru

Как проверить транзистор?

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

Источник: go-radio.ru

Как проверить транзистор мультиметром

Если под рукой нет документации на биполярный транзистор, то мультиметр позволяет определить некоторые параметры и выводы транзистора. Поэтому рассмотрим, как проверить транзистор мультиметром.

Принципиально различают два вида биполярных транзисторов: npn и pnp структуры. Принцип работы их аналогичен. Отличие заключается лишь в полярности подключения источника питания и других полярных радиодеталей: электролитических конденсаторов, диодов, светодиодов и т.п.

Упрощенно любой биполярный транзистор можно представить в виде двух последовательно и встречно соединенных диодов, поэтому рекомендую изначально ознакомиться с тем, как проверить диод. Однако следует понимать, что если взять и соединить таким образом два диода, то транзистор не получится. Но в данном случае мы можем допустить такое упрощение.

Место соединения двух условных диодов называется базой. А два оставшихся вывода, соответственно будут эмиттер и коллектор. Теперь рассмотрим, как проверить транзистор мультиметром и определить его выводы.

Проще всего определить базу. С нее и начнем. Если относительно одного вывода ток будет протекать в сторону других выводов, то это и есть база. Когда на базе находится положительный щуп, то значит, то биполярный транзистор имеет npn структуру. В противоположном случае – pnp структуру.

Когда база определена, осталось узнать, какой из выводов является эмиттером, а какой коллектором. Для этого следует выполнить «прозвонку» выводов между базой и другими выводами и сравнить показания двух падений напряжений. Большее значение соответствует эмиттеру, а меньшее – коллектору.

Как проверить транзистор мультиметром наверняка

У современных биполярных транзисторов эта разница выражена не очень явно и бывает, что мультиметр показывает одинаковые значения. Поэтому с целью однозначного определения выводов можно воспользоваться функцией измерения коэффициента усиления биполярного транзистора по току. Для этого переключатель устанавливается на отметке hFE. Этому режиму соответствует специальный режим на передней части корпуса. Он имеет 8 отверстий: 4 для pnp структуры и 4 для npn структуры. Отверстия для эмиттера дублируются, поскольку транзисторы могут иметь разное расположение выводов относительно корпуса. Поэтому такой подход позволяет определить коэффициент усиления по току транзистора с любой распиновкой.

Структуру транзистора ранее мы уже научились определять «прозвонкой». С базой тоже проблем нет. Осталось убедиться в правильности соответствия коллектора и эмиттера. Вставляем полупроводниковый прибор в нужные отверстия. Если на дисплее отображается число в среднем от 30 и выше, то коллектор с эмиттером определены верно, а данное число показывает коэффициент усиления по току. В противном случае нужно поменять местами два вывода.

Я надеюсь статья стала полезной и Вы нашли ответ на вопрос, как проверить транзистор мультиметром. Более подробно с работой мультиметра можно ознакомиться, перейдя по ссылке.

Источник: diodov.net

Составной полевой транзистор типовые схемы. Особенности работы и схема транзистора дарлингтона

Если открыть любую книгу по электронной технике, сразу видно как много элементов названы по именам их создателей: диод Шоттки , диод Зенера (он же стабилитрон), диод Ганна, транзистор Дарлингтона.

Инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington) экспериментировал с коллекторными двигателями постоянного тока и схемами управления для них. В схемах использовались усилители тока.

Инженер Дарлингтон изобрёл и запатентовал транзистор, состоящий из двух биполярных и выполненный на одном кристалле кремния с диффундированными n (негатив) и p (позитив) переходами. Новый полупроводниковый прибор был назван его именем.

В отечественной технической литературе транзистор Дарлингтона называют составным. Итак, давайте познакомимся с ним поближе!

Устройство составного транзистора.

Как уже говорилось, это два или более транзисторов, изготовленных на одном полупроводниковом кристалле и запакованные в один общий корпус. Там же находится нагрузочный резистор в цепи эмиттера первого транзистора.

У транзистора Дарлингтона те же выводы, что и у всем знакомого биполярного: база (Base), эмиттер (Emitter) и коллектор (Collector).


Схема Дарлингтона

Как видим, такой транзистор представляет собой комбинацию нескольких. В зависимости от мощности в его составе может быть и более двух биполярных транзисторов. Стоит отметить, что в высоковольтной электронике также применяется транзистор, состоящий из биполярного и полевого. Это IGBT транзистор . Его также можно причислить к составным, гибридным полупроводниковым приборам.

Основные особенности транзистора Дарлингтона.

Основное достоинство составного транзистора это большой коэффициент усиления по току.

Следует вспомнить один из основных параметров биполярного транзистора. Это коэффициент усиления (h 21 ). Он ещё обозначается буквой β («бета») греческого алфавита. Он всегда больше или равен 1. Если коэффициент усиления первого транзистора равен 120, а второго 60 то коэффициент усиления составного уже равен произведению этих величин, то есть 7200, а это очень даже неплохо. В результате достаточно очень небольшого тока базы, чтобы транзистор открылся.

Инженер Шиклаи (Sziklai) несколько видоизменил соединение Дарлингтона и получил транзистор, который назвали комплементарный транзистор Дарлингтона. Вспомним, что комплементарной парой называют два элемента с абсолютно одинаковыми электрическими параметрами, но разной проводимости. Такой парой в своё время были КТ315 и КТ361. В отличие от транзистора Дарлингтона, составной транзистор по схеме Шиклаи собран из биполярных разной проводимости: p-n-p и n-p-n . Вот пример составного транзистора по схеме Шиклаи, который работает как транзистор с n-p-n проводимостью, хотя и состоит из двух различной структуры.


схема Шиклаи

К недостаткам составных транзисторов следует отнести невысокое быстродействие , поэтому они нашли широкое применение только в низкочастотных схемах. Такие транзисторы прекрасно зарекомендовали себя в выходных каскадах мощных усилителей низкой частоты, в схемах управления электродвигателями, в коммутаторах электронных схем зажигания автомобилей.

Основные электрические параметры:

    Напряжение коллектор – эмиттер 500 V;

    Напряжение эмиттер – база 5 V;

    Ток коллектора – 15 А;

    Ток коллектора максимальный – 30 А;

    Мощность рассеивания при 25 0 С – 135 W;

    Температура кристалла (перехода) – 175 0 С.

На принципиальных схемах нет какого-либо специального значка-символа для обозначения составных транзисторов. В подавляющем большинстве случаев он обозначается на схеме как обычный транзистор. Хотя бывают и исключения. Вот одно из его возможных обозначений на принципиальной схеме.

Напомню, что сборка Дарлингтона может иметь как p-n-p структуру, так n-p-n. В связи с этим, производители электронных компонентов выпускают комплементарные пары. К таким можно отнести серии TIP120-127 и MJ11028-33. Так, например, транзисторы TIP120, TIP121, TIP122 имеют структуру n-p-n , а TIP125, TIP126, TIP127 — p-n-p .

Также на принципиальных схемах можно встретить и вот такое обозначение.

Примеры применения составного транзистора.

Рассмотрим схему управления коллекторным двигателем с помощью транзистора Дарлингтона.

При подаче на базу первого транзистора тока порядка 1мА через его коллектор потечёт ток уже в 1000 раз больше, то есть 1000мА. Получается, что несложная схема обладает приличным коэффициентом усиления. Вместо двигателя можно подключить электрическую лампочку или реле, с помощью которого можно коммутировать мощные нагрузки.

Если вместо сборки Дарлингтона использовать сборку Шиклаи то нагрузка подключается в цепь эмиттера второго транзистора и соединяется не с плюсом, а с минусом питания.

Если совместить транзистор Дарлингтона и сборку Шиклаи, то получится двухтактный усилитель тока. Двухтактным он называется потому, что в конкретный момент времени открытым может быть только один из двух транзисторов, верхний или нижний. Данная схема инвертирует входной сигнал, то есть выходное напряжение будет обратно входному.

Это не всегда удобно и поэтому на входе двухтактного усилителя тока добавляют ещё один инвертор. В этом случае выходной сигнал в точности повторяет сигнал на входе.

Применение сборки Дарлингтона в микросхемах.

Широко используются интегральные микросхемы, содержащие несколько составных транзисторов. Одной из самых распространённых является интегральная сборка L293D. Её частенько применяют в своих самоделках любители робототехники. Микросхема L293D — это четыре усилителя тока в общем корпусе. Поскольку в рассмотренном выше двухтактном усилителе всегда открыт только один транзистор, то выход усилителя поочерёдно подключается или к плюсу или к минусу источника питания. Это зависит от величины входного напряжения. По сути дела мы имеем электронный ключ. То есть микросхему L293 можно определить как четыре электронных ключа.

Вот «кусочек» схемы выходного каскада микросхемы L293D, взятого из её даташита (справочного листа).

Как видим, выходной каскад состоит из комбинации схем Дарлингтона и Шиклаи. Верхняя часть схемы — это составной транзистор по схеме Шиклаи, а нижняя часть выполнена по схеме Дарлингтона.

Многие помнят те времена, когда вместо DVD-плееров были видеомагнитофоны. И с помощью микросхемы L293 осуществлялось управление двумя электродвигателями видеомагнитофона, причём в полнофункциональном режиме. У каждого двигателя можно было управлять не только направлением вращения, но подавая сигналы с ШИМ-контроллера можно было в больших пределах управлять скоростью вращения.

Весьма обширное применение получили и специализированные микросхемы на основе схемы Дарлингтона. Примером может служить микросхема ULN2003A (аналог К1109КТ22). Эта интегральная схема является матрицей из семи транзисторов Дарлингтона. Такие универсальные сборки можно легко применять в радиолюбительских схемах, например, радиоуправляемом реле. Об этом я .

Дарлингтона), часто являются составным элементов радиолюбительских конструкций. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десятки раз. Однако добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, воздействующему на каскад, удается не всегда. Усилители по , состоящие из двух биполярных транзисторов (Рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значение электрических параметров, указанных в справочной литературе.

С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Одним из них — самым простым — является наличие в паре транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса по напряжению коллектор-эмиттер. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к увеличению себестоимости конструкции. Можно, конечно, приобрести специальные составные кремниевые в одном корпусе, например: КТ712, КТ829, КТ834, КТ848, КТ852, КТ853, КТ894, КТ897, КТ898, КТ973 и др. Этот список включает мощные и средней мощности приборы, разработанные практически для всего спектра радиотехнических устройств. А можно воспользоваться классической — с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа КП501В — или использовать приборы КП501А…В, КП540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (Рис. 1.24). При этом вывод затвора подключают вместо базы VT1, а вывод истока — вместо эмиттера VT2, вывод стока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

Рис. 1.24. Замена полевыми транзисторами составного транзистора по

После такой несложной доработки, т.е. замены узлов в электрических схемах, универсального применения, тока на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительного резистора в цепи затвора VT1 также увеличивается в несколько раз. Это приводит к тому, что имеют более высокое входное и, как следствие, выдерживают перегрузки при импульсном характере управления данным электронным узлом.

Коэффициент усиления по току полученного каскада не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

VT1, VT2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А…В можно без потери качества работы устройства использовать микросхему 1014КТ1В. В отличие, например, от 1014КТ1А и 1014КТ1Б эта выдерживает более высокие перегрузки по приложенному напряжению импульсного характера — до 200 В постоянного напряжения. Цоколевка включения транзисторов микросхемы 1014КТ1А…1014К1В показана на Рис. 1.25.

Так же как и в предыдущем варианте (Рис. 1.24), включают параллельно.

Цоколевка полевых транзисторов в микросхеме 1014КТ1А…В

Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных по . Такие узлы используются в радиолюбительских конструкциях в качестве токовых ключей аналогично составным транзисторам, включенным по . К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэкономичность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входного они практически не потребляют тока. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она практически такая же, как и стоимость среднемощных транзисторов типа , (и аналогичным им), которые принято использовать в качестве усилителя тока для управления устройствами нагрузки.

Обозначение составного транзистора, выполненного из двух отдельных транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, указано на рисунке №1. Первый из упомянутых транзисторов включен по схеме эмиттерного повторителя, сигнал с эмиттера первого транзистора поступает на базу второго транзистора. Достоинством этой схемы является исключительно высокий коэффициент усиления. Общий коэффициент усиления по току р для этой схемы равен произведению коэффициентов усиления по току отдельных транзисторов: р = ргр2 .

Например, если входной транзистор пары Дарлингтона имеет коэффициент усиления, равный 120, а коэффициент усиления второго транзистора равен 50, то общее р составляет 6000. В действительности усиление будет даже несколько большим, так как общий коллекторный ток составного транзистора равен сумме коллекторных токов пары входящих в него транзисторов.
Полная схема составного транзистора показана на рисунке №2. В этой схеме резисторы R 1 и R 2 составляют делитель напряжения, создающий смещение на базе первого транзистора. Резистор Rн, подключенный к эмиттеру составного транзистора, образует выходную цепь. Такой прибор широко применяется на практике, особенно в тех случаях, когда требуется большой коэффициент усиления по току. Схема имеет высокую чувствительность к входному сигналу и отличается высоким уровнем выходного коллекторного тока, что позволяет использовать этот ток в качестве управляющего (особенно при низком напряжении питания). Применение схемы Дарлингтона способствует уменьшению числа компонентов в схемах.

Схему Дарлингтона используют в усилителях низкой частоты, в генераторах и переключающих устройствах. Выходное сопротивление схемы Дарлингтона во много раз ниже входного. В этом смысле ее характеристики подобны характеристикам понижающего трансформатора. Однако в отличие от транформатора схема Дарлингтона позволяет получить большое усиление по мощности. Входное сопротивление схемы примерно равно $²Rn, а ее выходное сопротивление обычно меньше Rн. В переключающих устройствах схема Дарлингтона применяется в области частот до 25 кГц.

Литература: Матью Мэндл. 200 ИЗБРАННЫХ СХЕМ ЭЛЕКТРОНИКИ. Редакция литературы по информатике и электронике. © 1978 Prentice-Hall, Inc. © перевод на русский язык, «Мир», 1985, 1980

  • Похожие статьи

Войти с помощью:

Случайные статьи
  • 08.10.2014

    Стереофонический регулятор громкости, баланса и тембра на ТСА5550 имеет следующие параметры: Малые нелинейные искажения не более 0,1% Напряжение питания 10-16В (12В номинальное) Ток потребления 15…30мА Входное напряжение 0,5В (коэффициент усиления при напряжении питания 12В единица) Диапазон регулировки тембра -14…+14дБ Диапазон регулировки баланса 3дБ Разница между каналами 45дБ Отношение сигнал шум …

Усилитель, называется именно так, не по причине, что его автор ДАРЛИНГТОН, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на дарлингтоновских (составных) транзисторах.

Для справки : два транзистора одинаковой структуры соединены специальным образом для высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работающих с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс. Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора, у мощных транзисторов ≈1000 и у маломощных транзисторов ≈50000.

Достоинства транзистора Дарлингтона

Высокий коэффициент усиления по току.

Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

Недостатки составного транзистора

Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В.

Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.

Принципиальная схема УНЧ

Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом самостоятельного построения сабвуферного усилителя. Самое ценное в схеме — выходные транзисторы, цена которых не превышает 1$. По идее, такой усилитель усилитель можно собрать за 3-5$ без блока питания. Давайте сделаем небольшое сравнение, какой из микросхем может дать мощность 100-200 ватт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитые . Но если сравнить цены, то дарлингтоновская схема и дешевле и мощнее TDA7294!

Сама микросхема, без комплектующих компонентов стоит 3$ как минимум, а цена активных компонентов дарлингтоновской схемы не более 2-2,5$! Притом, что дарлингтоновская схема на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

При нагрузке 4 Ом усилитель отдает 150 ватт, это самый дешевый и неплохой вариант сабвуферного усилителя. В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые можно достать в любом электронном устройстве.

Усилитель может обеспечивать такую мощность за счет того, что на выходе использованы именно составные транзисторы, но при желании они могут быть заменены на обычные. Удобно использовать комплементарную пару КТ827/25, но конечно мощность усилителя спадет до 50-70 ватт. В дифференциальном каскаде можно использовать отечественные-КТ361 или КТ3107.

Полный аналог транзистора TIP41 наш КТ819А, Этот транзистор служит для усиления сигнала с диффкаскадов и раскачки выходников Эмиттерные резисторы можно использовать с мощностью 2-5 ватт, они для защиты выходного каскада. Подробнее про теххарактеристики транзистора TIP41C. Даташит для TIP41 и TIP42 .

Материал p-n-перехода: Si

Структура транзистора: NPN

Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 65 W

Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 100 V

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Предельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 6 A

Предельная температура p-n перехода (Tj): 150 C

Граничная частота коэффициента передачи тока (Ft) транзистора: 3 MHz

— Ёмкость коллекторного перехода (Cc): pF

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe), min: 20

Такой усилитель может быть использован как в качестве сабвуферного, так и для широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие. При нагрузке в 4 Ом выходная мощность усилителя порядка 150 ватт, при нагрузке в 8 Ом мощность 100 ватт, максимальная мощность усилителя может доходить до 200 ватт с питанием +/-50 вольт.

Если соединить транзисторы, как показано на рис. 2.60, то полученная схема будет работать как один транзистор, причем его коэффициент (3 будет равен произведению коэффициентов составляющих транзисторов. Этот прием полезен для схем, работающих с большими токами (например, для стабилизаторов напряжения или выходных каскадов усилителей мощности) или для входных каскадов усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.

Рис. 2.60. Составной транзистор Дарлингтона.

Рис. 2.61. Повышение скорости выключения в составном транзисторе Дарлингтона.

В транзисторе Дарлингтона падение напряжения между базой и эмиттером в два раза больше обычного, а напряжение насыщения равно по крайней мере падению напряжения на диоде (так как потенциал эмиттера транзистора должен превышать потенциал эмиттера транзистора на величину падения напряжения на диоде). Кроме того, соединенные таким образом транзисторы ведут себя как один транзистор с достаточно малым быстродействием, так как транзистор не может быстро выключить транзистор . С учетом этого свойства обычно между базой и эмиттером транзистора включают резистор (рис. 2.61). Резистор R предотвращает смещение транзистора в область проводимости за счет токов утечки транзисторов и . Сопротивление резистора выбирают так, чтобы токи утечки (измеряемые в наноамперах для малосигнальных транзисторов и в сотнях микроампер для мощных транзисторов) создавали на нем падение напряжения, не превышающее падения напряжения на диоде, и вместе с тем чтобы через него протекал ток, малый по сравнению с базовым током транзистора . Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.

Промышленность выпускает транзисторы Дарлингтона в виде законченных модулей, включающих, как правило, и эмиттерный резистор. Примером такой стандартной схемы служит мощный п-р-п-транзистор Дарлингтона типа , его коэффициент усиления по току равен 4000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.

Рис. 2.62. Соединение транзисторов по схеме Шиклаи («дополняющий транзистор Дарлингтона»).

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи (Sziklai).

Соединение транзисторов по схеме Шиклаи представляет собой схему, подобную той, которую мы только что рассмотрели. Она также обеспечивает увеличение коэффициента . Иногда такое соединение называют комплементарным транзистором Дарлингтона (рис. 2.62). Схема ведет себя как транзистор п-р-п-типа, обладающий большим коэффициентом . В схеме действует одно напряжение между базой и эмиттером, а напряжение насыщения, как и в предыдущей схеме, равно по крайней мере падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Разработчики применяют эту схему в мощных двухтактных выходных каскадах, когда хотят использовать выходные транзисторы только одной полярности. Пример такой схемы показан на рис. 2.63. Как и прежде, резистор представляет собой коллекторный резистор транзистора Транзистор Дарлингтона, образованный транзисторами , ведет себя как один транзистор п-р-п-типа с большим коэффициентом усиления по току. Транзисторы , соединенные по схеме Шиклаи, ведут себя как мощный транзистор р-п-р-тииа с большим коэффициентом усиления.

Рис. 2.63. Мощный двухтактный каскад, в котором использованы выходные транзисторы только .

Как и прежде, резисторы и имеют небольшое сопротивление. Эту схему иногда называют двухтактным повторителем с квазидополнительной симметрией. В настоящем каскаде с дополнительной симметрией (комплементарном) транзисторы были бы соединены по схеме Дарлингтона.

Транзистор со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току.

Составные транзисторы — транзистор Дарлингтона и ему подобные не следует путать с транзисторами со сверхбольшим значением коэффициента усиления по току, в которых очень большое значение коэффициента получают в ходе технологического процесса изготовления элемента. Примером такого элемента служит транзистор типа , для которого гарантируется минимальный коэффициент усиления по току, равный 450, при изменении коллекторного тока в диапазоне от до этот транзистор принадлежит к серии элементов , которая характеризуется диапазоном максимальных напряжений от 30 до 60 В (если коллекторное напряжение должно быть больше, то следует пойти на уменьшение значения ). Промышленность выпускает согласованные пары транзисторов со сверхбольшим значением коэффициента . Их используют в усилителях с низким уровнем сигнала, для которых транзисторы должны иметь согласованные характеристики; этому вопросу посвящен разд. 2.18. Примерами подобных стандартных схем служат схемы типа они представляют собой транзисторные пары с большим коэффициентом усиления, в которых напряжение согласовано до долей милливольта (в самых хороших схемах обеспечивается согласование до , а коэффициент Схема типа представляет собой согласованную пару .

Транзисторы со сверхбольшим значением коэффициента можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь (примерами таких схем служат операционные усилители типа .

Рассчитана частота прохождения импульсов симметричного мультивибратора. Як працю мультивибратор схема

Мультивибратор є, немного непопулярное дополнение у радиолюбителей. Недавно мне довелось навестить одного из людей. Если захочу, то не сложно, но все равно не полинувався и не выпустив вирусный стат за уши. Хорошо, если в одном материале вся информация для сборника. Это еще проще и проще, так как это плохо работает, и допустимо реализовать принцип роботизированных транзисторов, резисторов, конденсаторов и светодиодов.А также, если не почините, попробуйте себя в роли регулятора-водителя. Схема не нова, построена по типичному принципу, а детали хорошо известны. Вонь еще шире.

схема

Теперь мы знаем о радиоэлементах для приема:

  • 2 резистора 1 кОм
  • 2 резистора 33 кОм
  • 2 конденсатора 4,7 мкФ на 16 В
  • 2 транзистора КТ315 с буквами
  • 2 светодиода на 3-5 вольт
  • 1 джерело типа «корона» 9 вольт

Если вы не хотите знать необходимые детали, не расстраивайтесь.Данная схема не критична к номиналу. В целом, чтобы доставить наиболее близкое значение, его невозможно распознать на роботе. Инжекция меньше по яркости и частоте миграции света. Час моргания без необходимости ложиться посреди конденсаторов. Транзистор может быть настроен на низкоэнергетические структуры n-p-n … У Друкована отняли плату. Размер текстолита шматочка 40 на 40 мм, можно брать с запасом.

Файл другого формата. lay6 kachaєmo. Для этого при установке було разрешили быть меньше помилования, задав положение текстолита. Эта дополнительная помощь не сбивалась в сложенном виде и добавляла красоты галантному вигляду. Итак, виглид готов к работе с платой, протравленной и закаленной:

Установка деталей Viroblyaєmo специфична по схеме и даже более важна! Не испортите распиновку транзисторов и светодиодов. Пайку можно делать с большим уважением.

Горстка чудес не может быть так витонизирована, как промислова, но в этом нет необходимости. Направляйтесь, чтобы обеспечить хороший контакт между радиоэлементом и удобным провайдером. Для многих деталей перед пайкой необходимо лудимо. Кроме того, по мере того, как компоненты установлены и запечатаны, снова все повторно преобразовывается и стирается с платы в спирте каннифола. Примерно так готовый вириб:

Если все сломалось правильно, то при кормлении живости мультивибратор исправит блимати.Количество светодиодов выбираете сами. Для точности смогу полюбоваться видео.

мультивибратор видео

Барабан наших «мигалок» станет всего 7,3 мА. Это позволит живому датскому экземпляру « crony » дойти до тривиального часа. В целом все безвидмовно и наглядно, а головня гранично простая! Добра и успехов в ремонте! Готував материал Данило Горячев () Alex1 ).

Обсудить статью симметричных аниматоров для светлодиевов

мультивибратор

Мультивибратор. Есть много схем, песен, богатых ремонтом своего радиолюбительства. Есть еще пуля и моя перша схема — кусок фанеры, проткнутый цветами, дротиками, скрученными деталями дротиком через брак паяльника. красиво начала течь!

Як навантаження використоятся светодиоды. Если мультивибратор работает, свет меняется.

Для коллекции требуется минимум деталей. Список осей:

  1. — резисторы 500 Ом — 2 шт.
  2. — Резисторы 10 кОм — 2 шт.
  3. — Конденсатор электролитический 1 мкФ на 16 вольт — 2 штуки
  4. — Транзистор КТ972А — 2 штуки (подавать также КТ815 или КТ817), можно і КТ315, если ток не более 25мА.
  5. — Светлодиод — 2 шт
  6. — Харчування от 4,5 до 15 вольт.

Младенец показан в кожном канале, может быть включен один светлодиод или несколько штук параллельно.Кроме того (ланцеты 5 шт.), Необходимо выдерживать напряжение не менее 15 вольт.

Транзистор КТ972А — накопительные транзисторы, поэтому в «корпусе» два транзистора, и он очень чувствителен и показывает значительное бренчание без нагрева.

Для выноса слайдов с платой нелегко обращаться, вы можете заменить все с помощью дополнительной установки. Пойте так, яка изображают на малышах.

Маленькие специально расколоты под разными углами, и вы можете подробно рассмотреть все детали установки.

  • Припаяйте резисторы и откусите лишние электроды.

  • Электролитические конденсаторы виноваты в смещении пластин. Схема подключения малышей на плате может помочь вам с правильным размером. Электролитические конденсаторы можно увидеть на корпусе отрицательного электрода, а положительный электрод, скорее всего, выйдет из строя. Затенение отрицательного электрода на пластине находится в заштрихованной части конденсатора.

  • Установить на плату конденсаторы и припаять их.
  • Распределение транзисторов на плате суворо по ключу.
  • Svitlodiodi также может быть полярность электродов. Полюбуйтесь фото. Установлю и припаяю. Будьте осторожны, чтобы не перегреть деталь при пайке. Плюс светодиод LED2 расположен ближе к резистору R4 (любуйтесь видео).



    Светодиоды, установленные на плате мультивибратора
  • Припаяйте жгуты проводов, соблюдая полярность, и подайте напряжение на батареи. При подаче напряжения сразу загорались 3 Вольта светодиодов.На мгновение разчарування було питалось от трех батареек, и свет посылался поочередно. Частота мультивибратора заложить в источники жизни. Так вот, так как в логике виновата схема, то в игре поставили на 3 вольта, привезли под замену резистора R1 и R2 на резистор номиналом 120 кОм, охотно доехали. Полюбуйтесь видео.


  • Мигалка на светодиодах — симметричный мультивибратор

    Застосування схема симметричного мультивибратора еще шире.Элементы схем мультивибратора известны в вычислительной технике, радиоактивном и медицинском оборудовании.

    Комплект деталей для сборки флешера на светодиодах можно добавить к следующему шагу http://ali.pub/2bk9qh … Если вы хотите серьезно попрактиковаться в пайке простых конструкций, Meister рекомендует добавить набор из 9 наборов, это здорово избавить ваш vitrati от перегрузки. Полюс оси для покупки http://ali.pub/2bkb42 … Мейстер забрал всю зловоние и заработанное зловоние. Успехи и рост жала в пайке.

    Схема двухтактного транзисторного мультивибратора с керуванами, индукторами на транзисторах КТ972, КТ973. Bagato radioamatori отремонтировали свой творческий путь из коллекции простых радиоустройств прямого усовершенствования, простых усилителей звуковой частоты и набора простых мультивибраторов, которые можно укомплектовать парой транзисторов, двумя или двумя резисторами и двумя конденсаторами.

    Традиционный симметричный мультивибратор имеет небольшой дефицит, середину в целом поддержку высокой выходной мощности, сжатые фронты импульсов, окруженную живостью, низкую КХД при работе роботов на низком импедансном напряжении.

    Принципиальная схема

    На рис. 1.Показана принципиальная схема симметричного двухфазного мультивибратора кованых звуковых частот ах, его можно включать до тех пор, пока он не будет включен по брутфорс-схеме головы, амплитуда сигнала для новой версии сигнал о новой версии мультибраузера включен, но есть возможность получить значительный объем мануала

    Кроме того, для установки будет предоставлена ​​«помощь» для изменяемого звука, что означает, что я передумаю робота и будет установлена ​​подключенная динамическая головка — общий эффект нажатия на всю длину диффузор входит в полярность диффузора.Также видно, когда мультивибратор включен или выключен.

    Малый. 1. Важен ящем понижающего мультивибратора на транзисторах КТ972, КТ973.

    Симметричный двухфазный мультивибратор состоит из двух двухтактных рычагов, подпружиненные на которых попеременно переключаются с низкого уровня на высокий. Допустимо, чтобы при включенном оборудовании мы включали складской транзистор VT2.

    Тоди напруга на соединениях коллекторов в транзисторах VT1, VT2 близки к нулю (VT1 oncritical, VT2 oncriticals) К точке замыкания коллекторов через соединительный резистор R12 складского раствора транзистора VT5, который виден.Напряжение, близкое к 8 В, будет сообщаться до тех пор, пока напряжение не приблизится к 8 В. При подаче напряжения на мультивибратор 9 В. При перезарядке конденсаторов C2, C4 мультивибратор переключится — VT1, VT6 будут замкнуты, VT2, VT5 будет закрыт.

    До навантаженного тоже будет сообщено, хотя и в звенящей полярности. Частоту переключения мультивибратора запоминать набором конденсаторов С2, С4, і, в наименьшей степени, от установленной опоры резистора R7. При напряжении питания 9 В частоту можно восстановить с 1.От 4 до 1,5 кГц.

    При изменении опоры R7 ниже мысленного значения можно увидеть генерацию звуковых частот. Значит, если запустить мультивибратор, можно обойтись без резисторов R5, R11. Форма натяжения на выходе мультивибратора близка к прямоугольной.

    Резисторы R6, R8 и диоды VD1, VD2 фиксируют внутренние переходы транзисторов VT2, VT6 при пробое, что особенно важно при напряжении мультивибратора более 10В.Резисторы R1, R13 необходимы для стабильной генерации, когда мультивибратор может «хрипеть» в выключенном состоянии. Диод VD3 защищает напряженные транзисторы от смены полярности совков закалки. Когда каждый день и когда есть достаточное усилие, джерел оживает при смене полярности питания, транзисторы могут проснуться.

    расширяемых функциональных возможностей мультивибратора, введена возможность включения / выключения при подаче на управляющий вход положительной полярности.Безопасно вводить без подключений, или напряжение не более 0,5 В, транзистор VTZ, закрытый VT4, працю мультивибратора.

    При подаче на вход контроля давления виского потока, например, из ТТЛШ на выходе. Отображаются КМОП микросхемы, датчик электрических или неэлектрических величин, например датчик Вологоста, транзистор VTZ, VT4, мультивибратор заткнуто. В такой мельнице мультивибратор может жить при звоне менее 200 мкА, без урагивания зоба через R2, R3, R9.

    Детали установки

    Мультивибратор может быть установлен на переносные пластины размером 70 * 50 мм, как показано на рис. 2 Постоянные резисторы можно сделать небольшими. Пидлаштування резистора РП1-63М, СП4-1 или аналогичный импортный. Оксидные конденсаторы К50-29, К50-35 или аналоги Конденсатора С2, С4 — К73-9, К73-17, К73-24 или малогабаритные.

    Малый. 2. Друкован плата для схемы двухтактного мультивибратора на транзисторах.

    Diodi KD522A можно заменить на KD503.КД521. D223 с буквенным индексом или импортным 1N914, 1N4148. Замените диоды KD226A и KD243A перед любыми из серий KD226, KD257, KD258, 1 N5401 … 1 N5407.

    Складские транзисторы КТ972А можно заменить серией КТ8131, а КТ973 — серией КТ973, КТ8130. При необходимости натяжной транзистор настраивают на малую тепловую нагрузку. При наличии таких транзисторов их можно заменить аналогами двух транзисторов, включив их по схеме Дарлингтона, рис.3. Заменить выходящие малотрудные p-p-p транзисторы КТ315Г на серии КТ312, КТ315, КТ342, КТ3102, КТ645, SS9014 и аналог.

    Малый. 3. Принципиальная схема равноценной замены транзисторов КТ972, КТ973.

    К установке этого мультивибратора можно добавить динамическую головку, телефонную капсулу, пьезокерамический випроминувак на звук, импульсный переключатель / понижающий трансформатор.

    При динамической головке с опорой обмотки 8 Ом, тогда накручивать, а при подаче напряжения 9 В на источник питания придет напряжение 8 Вт напора змейки.Том, два … четырехзахватная динамическая голова может быть выбита через 1 … 2 часа роботов.

    добро

    Частота мультивибратора сильно зависит от рабочей частоты мультивибратора. Например, при изменении напряжения от 5 до 15 В частота меняется с 2850 до 1200 Гц, когда робот находится на мультивибраторе для телефонной капсулы с опорой обмотки 56 Ом. В районе малиха урожай рабочей частоты более значительный

    При выборе опор для резисторов R5, R11, R6, R8 вы можете задать форму импульсов в размере строго прямолинейного, когда робот-мультивибратор подключен к определенным опциям при установленной нагрузке.

    Весь мультивибратор можно найти в небольших сигнальных приложениях, приложениях звукового оповещения, если при небольшом кажущемся давлении жизни необходимо учитывать давление на звук viprominuvac. Кроме того, легко визуально vikoristovuvati в преобразовании низкого напряжения в храме, в том числе, которое применяется при низкой частоте освещения 50 Гц.

    Бутов А.Л. РК-2010-04.

    В статт цій подробно опишу як зробити мультивибратора, который є с первой схемой немного не скин другого радиоаматора.Я знаю, что мультивибратором называется электронная приставка, которая генерирует электрическое соединение, близкое по форме к прямоугольному, что указано в его названии: «мультибагато», «вибро-коллегиальный». Другими словами, мультивибратор — это генератор прямоточных импульсов релаксационного типа с резистивным типом — с некоторыми положительными звонками, но порочным замыканием при положительном звонке двухкакасдный подсилувач. Когда робот-мультивибратор находится в режиме автоблокировки, импульсы прямоугольной формы периодически повторяются.Частота генерации импульсов зависит от параметров таймера, мощности схемы и режима жизни. Вводится частота автоподстилки. Назовем мультивибратор застрявшим в качестве генератора импульсов большой тривиальности, так как с его помощью можно формировать импульсы необходимой тривиальности и амплитуды.

    Робот-мультивибратор схем

    Симметричный мультивибратор на транзисторах

    Схематичный мультивибратор для хранения из двух каскадов от обратного эмиттера, с выхода скин подается на вход другого.При подаче цепи на стержень живого ЭП, обрыв транзистора пропускается через точки коллектора — рабочие точки расположены в активной области, отрицательный zsuv подается на базу через резисторы Rb1 и Rb2. Однако такая схема нестабильна. Разве через проявление схемы позитивного звонка, чтобы показать ум? Ku> 1 и двухступенчатый пидсилувач самовозбуждает. Восстановить процесс регенерации — улучшить поток одного транзистора и изменить поток другого транзистора.Не допускайте, чтобы в результате какой-либо непонятной змейки на основаниях или на коллекторах троха бренчание IK1 транзистора VT1 не нарастало. При этом уменьшение давления на резисторе RK1 и коллекторе транзистора VT1 приведет к увеличению положительного потенциала. Осторожные нападки на конденсаторы SB1 не могут быть изменены, поэтому их можно присоединить к базе транзистора VT2, закрывающего его. Коллекторный звук IK2 изменяется, когда напряжение на коллекторах транзистора VT2 становится более отрицательным и передается через конденсатор Sb2 на базу транзистора VT1, которая даже больше, чем удар IK1.Весь процесс лавинообразный и заканчивается, когда транзистор VT1 переходит в режим насыщения, а транзистор VT2 — в режим видсичення. Схема — зайти на одну из своих трудоемких станций Ривноваги. При включении транзистора VT1 о базе транзистора VT1 заботится резистор Rb1, а транзистор VT2 закрывается положительным напряжением на конденсаторе SB1 (Ucm = UB2> 0), которое проходит через транзистор VT1.

    Для оснащенного мультивибратором знаем из радиодеталей:

    1.Два транзистора типа КТ315.
    2. Два электроконденсатора на 16в, 10-200 мкФ (Чим меньше мнист, то чаще морган).
    3. 4 резистора номиналом: 100-500 Ом 2 штуки (если поставить 100 Ом, то схема отработает до 2,5В), 10 по 2 штуки. Все резисторы натянуты на 0,125 Вт.
    4. ДВА НЕ ЯСКИВЫХ СВЕТЛОРОДОВ (Бе-а-колору, крім білого).


    Доска перетаскивается в формат Lay6. Продолжайте до готовности.Сама плата нарисована:

    Используем два транзистора, коллектор и базу на транзисторе не затираем — часто жаль.


    Конденсаторы Pajamo 10-200 мкФ. Зверское уважение, что конденсаторы на 10 вольт на краю не нужны для викторианской схемы, если вы будете подавать 12 вольт. Помните, электрические конденсаторы имеют полярность!



    Мультивибратор может быть готов.Паять светодиоды уже поздно, да и входной дротик. Фото готово добавить виглядає примерно так:


    А дальше все превратилось для вас на вид, видеоролик робота и простой мультивибратор:

    На практике мультивибраторы можно использовать в качестве генераторов. импульсов, частотной характеристики, формы импульсов, бесконтактных переключателей и так далее, в электронных играх, приставках для автоматизации, в числовых и технических реле Z you buv Boil-: D … (Материал приготовления еды Демьян « а)

    Обсудить статью с мультивибратором

    S.U.R. & R Tools Транзисторы кремниевые КТ973А аналог BD878 СССР 20 шт: Amazon.com: Industrial & Scientific


    Цена: 14 долларов.00 $ 14,00 +4,99 $ перевозки
    ]]>
    Характеристики
    Фирменное наименование С.U.R. & R Инструменты
    Ean 4603173551414
    Требуется сборка ложный
    Вес изделия 0,353 унции
    Материал Другой, пластик, композит
    Номер модели 2П304А (КП304А)
    Номер детали СССР
    Код UNSPSC 32110000

    Искать

    может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

    Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

    Купите сейчас, и вы получите удовольствие
    ✓Отправьте заказ в тот же день!
    ✓ Доставка по всему миру!
    ✓ Распродажа с ограниченным сроком
    ✓ Легкий возврат.

    Обзор продукта
    Название продукта Поиск
    Доступное количество Возможна немедленная отправка
    Модель NO.
    Код ТН ВЭД 8529

    0

    Минимальное количество От одного куска
    Атрибуты продукта
    Категории
  • Найти
  • идентификатор товара
    артикул
    gtin14
    mpn
    Состояние детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация для отслеживания
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Не доступен
    Заказная Авиапочта 15-25 дней В наличии
    DHL / EMS / FEDEX / TNT 5-10 дней В наличии
    Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
    Если товар поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

    См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните свои деньги.
    Покрывает вашу покупную цену и первоначальную доставку.
    Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    PayPal Защита покупателей
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

    Спецификация или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества комплектующих: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Более быстрая доставка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наши основные продукты
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, переменные R
    Аудио специального назначения Принадлежности Реле
    Часы / синхронизация Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Diacs, Sidacs Резисторы
    Встроенный Диоды Индукторы, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — драйверы затворов БТИЗ Кристаллы и генераторы
    линейный JFET-транзисторы (полевой эффект перехода) Разъемы, межкомпонентные соединения
    Логика Полевые транзисторы РФ Конденсаторы
    Память РЧ Транзисторы (БЮТ) Изоляторы
    PMIC SCR светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Симисторы

    Какая цена?

  • Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить сколько угодно.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предлагаете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • По любым другим вопросам, пожалуйста, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

    Эквивалент транзистора

    [PDF | TXT]

    Дискретные полупроводники Транзисторы

    • биполярные Транзисторы Части КТ220А9 КТ220Б9 КТ220В9 КТ220Г9 КТ3102АM КТ3102БM КТ3102ВM КТ3102ГM КТ3102ДM КТ3102ЕM КТ3102ЖM КТ3102ИM КТ3102КM КТ3107А КТ3107Б КТ3107В КТ3107Г КТ3107Д КТ3107Х КТ3107ЖЕЙ КТ310х КТ310кИ КТ3107ЛИ КТ3117А КТ3117Б КТ3117А1 КТ3126А КТ3126Б KT3127A KT3128A1 KT3129A9 KT3129Б9 KT3129B9 KT3129Г9 KT3129Д9 KT3130A9 KT3130Б9 KT3130B9 KT3130Г9 KT3130Д9 KT3130E9 КТ3130Ж9 КТ3142А КТ3153А9 КТ3157А КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189Б9 КТ368А9 КТ368Б9 КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г, КТ502Д КТ502Е

    68 9000VC макс., 9000VC макс., 9000VC макс.2 60 50 5100

    BC547A BC547B BC548B BC548C BC549B BC238B BC549C

    NPN

    0,25

    PNP

    0,3

    NPN PNP

    0,3P 0,5 0,15

    0,10003

    0,3P0,5 0,15

    BCW32

    NPN

    0,1

    2N2369 BCW60,70,706 BF423 BC847A BC847B BC847C BF599 KSC2757 KSA539 BC212

    NPN NPN PNP NPN

    0003 9000

    9000

    30

    3 4 5

    25 30100

    5

    100

    0.36 0,3 0,2 0,225

    20 40 50 50 30 30 30 50 50 30 20 30 20 30 40 60 250 50

    20 35 40 40 20 20 20 40 40 20 15 20 15 25 40 50 250 45

    4,5 5 5 6

    200400 30100

    NPN

    0,1

    15

    15

    4

    30

    PNP

    0,35

    40 40 60 60 80 90

    25 25 40 40 60 80

    150

    BC308A BC308B

    2N4411 BF272

    200

    50 50 30 20 30 20 50 50 30 45 45 25 25 25 20 20 45 25 20 60 75 60 30

    BC307A

    BC309B BC30730B BCC22222 BF506

    5

    50 50 30 20 30 20 50 50 30 50 50 30 30 30 25 25 50 30 25 60 75 60 30

    BC857A BC858A BC858B

    hFE

    VCE sat, V 0.3

    ICBO, мкА

    0,1 90… 180 135… 270 200… 400 300… 600 100… 250 0,25 0,05 0,05 200… 500 0,015 200… 500 0,015 400… 800 0,015 200… 500 0,015 400… 1000 0,05 100… 250 0,05 200… 500 0,015 200… 500 0,2 0,1 70… 140 120… 220 70… 140 120… 220 180… 460 120… 220 180… 460 180… 460 380… 800 380… 800 0,6 10 40… 200 100… 300 40… 200 1,2 0,5 25… 100 60… 180 25… 150 1,0 35… 150 0,1 0,2 1,0 30… 120 80… 250 80… 250 200… 500 200… 500 0,1 100… 250 200… 500 200… 500 400… 1000 200 … 500 400… 1000 100… 500 40… 120 0,25 0,4 100… 300 0,35 0,05> 50 1.0 0,1 110… 220 0,6 0,015 200… 450 420… 800 50… 300 0,5 40… 120 80… 240 40… 120 80… 240 40… 120 40… 120

    0,6

    1

    FT, МГц

    Nf, дБ

    250

    200200200200300300200200200250

    Корпус (колодки) SOT-23

    10 10 10 10 4 4

    ТО-92

    10 10 10 10 10 4 4 10 10 4

    ТО-92

    200

    ТО-18

    500

    5

    600800200

    5 5

    ТО-92 ТО-92 ТО-72 ТО-92 СОТ-23

    СОТ-23

    150150150300150300150500250 60300

    10

    TO-18 SOT-23 TO-92 SOT-23

    900

    3.3

    СОТ-23

    5

    10 10 10 4 4

    К-92

    Дискретные полупроводники Транзисторы

    • биполярных транзисторах Часть KT503A KT503Б KT503В KT503Г KT503Д KT503Е КТ520А КТ520Б КТ521А КТ521Б KT6109A KT6109Б KT6109B KT6109Г KT6109Д KT6110A KT6110Б KT6110B KT6110Г KT6110Д KT6111A KT6111Б KT6111B KT6111Г KT6112A KT6112Б KT6112B KT6113A KT6113Б KT6113B KT6113Г KT6113Д KT6113E KT6114A KT6114Б KT6114B KT6114Г KT6114Д KT6114E KT6115A KT6115Б KT6115B KT6115Г KT6115Д KT6115E KT6116A КТ6116Б KT6117A КТ6117Б

    KT6128A КТ6128Б КТ6128В KT6128Г KT6128Д KT6128Е

    (продолжение)

    РC Контакт с контактом Полярность max, Совместимость W

    VCB max, V

    VEB IC VCE ma max, max, x, В мА В 5150 25 25 40 40 60 80 6 500300200 5 500 300 200 20 5 500

    KSC815 BC183

    НПН

    0.35

    MPSA42 MPSA43 MPSA92 MPSA93 SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D SS9015A SS9015B SS9015C SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I SS8050B SS8050C SS8050D

    npn-

    0,625

    ПНП

    0,625

    ПНП

    0,625

    40 40 60 60 80100300200300200 40

    NPN

    0,625

    40

    20

    5

    500

    NPN

    0.45

    50

    45

    5

    100

    PNP

    0,45

    50

    45

    5

    100

    NPN

    0,4

    0,4

    30

    NPN

    40

    25

    6

    SS8550B SS8550C SS8550D

    PNP

    40

    25

    6

    2N5401 2N SS54 SS002N165516

    2N5401 2N SS54 SS165516

    2N5401 2N SS54 SS165516

    0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 1,0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 0,625 0,625

    150120160140160 40 20

    5

    NPN

    160130180160180 50 30

    1500 1500 1500 1100 1100 1100 1500 1500 1500 1100 1100 1100 600

    6

    600

    6 5 4

    600100 25

    NPN NPN NPN

    0,4

    hFE 40… 120 80… 240 40… 120 80… 240 40… 120 40… 120> 40 > 40

    VCE sat, В

    ICBO, мкА

    FT, МГц

    0.6

    1

    5

    TO-92

    0,5 0,4 0,5 0,4 0,6

    100

    50

    TO-92

    100

    50

    TO-92

    64… 91 78… 112 96 … 135 112… 166 144… 202 64… 91 78… 112 0,6 96… 135 112… 166 144… 202 0,3 60… 150 100… 300 200… 600 400… 1000 0,7 60… 150 100… 300 200… 600 0,5 28… 45 39… 60 54… 80 72… 108 97… 146 132… 198 0,5 85… 160 120… 2001 160… 300 85… 160 120… 2001 160… 300 0,5 85… 160 120… 2001 160… 300 85… 160 120… 200160… 300 0,5 60… 240 40… 180 80… 250 0.2 60… 250 0,25 80… 250 0,15 90… 600 0,3 0,3 28… 45 39… 60 54… 80 72… 108 97… 146 132… 198

    Nf, дБ

    Корпус (колодки)

    0,1

    TO- 92

    0,1

    TO-92

    0,05

    150

    10

    TO-92

    0,05

    100

    10

    TO-92

    0,05

    700

    0,1

    100

    TO-92

    0,1

    100

    TO-92

    0.05 0,1 0,05 0,1 0,05 0,1 0,1

    100

    8

    TO-92

    100

    8

    TO-92

    100200400

    8 6 5

    Onlychip Only chip TO-92

    69

    Дискретные полупроводники Транзисторы

    • биполярные Транзисторы Часть KT6136A KT6137A

    КТ607А-4 КТ607Б-4

    КТ646А КТ646Б КТ646В KT660A KT660Б КТ805АМ КТ805БМ КТ805ВМ КТ805ИМ KT814A KT814Б KT814B KT814Г KT815A KT815Б KT815B KT815Г KT816A KT816Б KT816B KT816Г KT817A KT817Б KT817B KT817Г КТ8126А1 КТ8126Б1 КТ8164А КТ8164Б КТ8170А1 КТ8170Б1 КТ8176А КТ8176Б КТ8176В

    70

    Совместимость контактов

    (продолжение)

    РC VCB VCE VEB 0000, макс., Макс.015

    150

    10

    TO-92

    0,1

    1000

    700

    TO-92

    0,1 0,1 10 10 0,05 1,0

    100100250

    TO-92 TO-92 TO-126

    200

    TO-92

    5

    1500 0,5 ≥25 1500 0,5 ≥25 1000 40… 200 0,85> 150 0,25 150… 340 0,25 800 110… 220 0,5 200… 450 VKER 5000> 15> 15 2,5> 15 3,0> 25 1500 40… 275 0,6 40… 275 40… 275 30… 275 1500 40… 275 0,6 40… 275 40… 275 30… 275 3000 25… 275 0.6

    5

    3000

    9

    8000

    8… 60

    9

    4000

    9 9 5

    40 40 50

    5 6 6

    200200100

    NPN

    45

    30

    6

    100

    NPN

    1,5

    150

    NPN PNP NPN

    0,625 0,625 1,0

    BC337 BC338

    NPN

    40 45 30

    4

    BC639 BC640 2SC495 2CS496

    40 30 40100100 60 40 40 50 30

    KSD362

    NPN

    30

    300

    45 30

    5

    5

    NPN

    10

    PNP

    25

    NPN

    25

    NPN

    80

    NPN

    75

    NPN

    40

    NPN

    40

    NPN

    40

    002 40 50 70100 40 50 70100 40 45 60100 40 45 60100400300400300400300 60 80100

    5 5 4 5

    KSD773

    700600700600700600 60 80100

    0.05 0,05 0,015

    TO-92 TO-92 TO-92

    40 60 60

    BD233 BD235 BD237 MJE13007 MJE13006 MJE13005 MJE13004 MJE13003 MJE13002 TIP31A TIP31B 9000… 0,3000 0,6 000 3 0,4 100… 9000 0,6 000… 300150

    0,625 0,625 0,5

    BD234 BD236 BD238

    FT, МГц

    Корпус (колодки)

    PNP NPN NPN

    BD135 BD137 BD139

    ICBO2 BCN 2902 BCN

    BC22

    BCBN

    BC218

    ICBN

    дБ BC183 BC183A BC183B BC183C 2N4073

    BD136 BD138 BD140

    VCE sat, V

    5

    hFE

    120… 220 200… 450 110… 800 0.6110… 220 200… 450 420… 800

    1.0

    TO-92

    50

    40

    TO-126

    50

    40

    TO-126

    100

    3.0

    TO- 126

    100

    3,0

    TO-126

    1,0

    1000

    4,0

    TO-220

    8… 40

    1.0

    1000

    1500

    8… 40

    1.0 1000

    3000

    > 25

    1.2

    25… 275 0,6

    ТО-220 4,0

    ТО-126

    3,0

    ТО-220

    ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы

    • Транзисторы биполярные КТВ2А7 КТ12АБ3

    КТ8177А КТ8177 КТ1282

    КТ8177А КТ8177 КТ1282 982 КТ8177А КТ8177 КТ1282 КТ8 КТ732А КТ733А КТ8224А КТ8224Б * КТ8225A КТ8228А КТ8228Б * КТ8229А КТ8230А КТ8261А

    (продолжение) РC VCB VCE VEB IC Полярность контактов макс., Макс., Макс., Макс., Макс., Макс. 100 TIP32C 5 6000 60 NPN 65 60 TIP41С 80 80 TIP41B 100100 TIP41A 5 6000 60 PNP 65 60 TIP42C 80 80 TIP42B 100100 TIP42A MJE2955 PNP 75 70 60 5 10000 MJE3055 NPN 75 70 60 5 10000 TIP3055 NPN 90 70 60 5 15000 TIP2955 PNP MJE4343 NPN 125160160 7 16000 MJE4353 PNP BU2508A NPN 100 1500700 7.5 8000 BU2508D BU941ZP NPN 155 350 5 15000

    3,0

    TO-220

    20… 100 1,1 20… 100 1,1 20… 100 1,1 2,0

    4… 7

    1,0 Iebo = 1,0

    > 300

    1,8

    КТ8247А ​​КТ8248А KT538A

    MJE13001

    NPN

    0,7

    400

    9

    0,5

    5… 90

    0,5

    NPN

    NPN

    NPN

    0,5

    NPN

    NPN 600 700330600 40

    700400160400 30

    7.5 9 6 9 5

    5000 10000 7000 0,5 3000

    3,8… 9,0> 10> 15 5… 90 60… 120 100… 200160… 320 200… 400 60… 120 100… 200160… 320 200… 400

    3.0 1.0 1.0 0.5 0.5

    NPN

    100

    BU508D

    750

    TO-220 TO-220 TO-218 1.0

    TO-218 TO-218

    100..187

    1.8 0.65 0.65 0.5 3.0

    3000

    1000 1000 1000

    8… 15

    15… 75 15… 75> 10> 10> 22 3,8… 9,0

    5

    TO-220

    1.5 ICES = 400

    25000 25000 2000 5000 5000 5000

    30

    3,0

    15… 75

    5 5 9 9 12 7,5

    40

    12000

    Пакет (колодки)

    TO-220

    180180400400400700

    10

    7,5

    Nf, дБ

    3,0

    180180700700700 Vcek 1500

    PNP

    800

    FT, МГц

    1.5 ICES = 400

    125 25 40 75 90

    BUh200 BU407 MJE13001 KSD882R KSD882O KSD882Y KSD882G KSB772R KSB772O KSB772Y KSB772G BU508А BU508

    1500

    ICBO, μА

    15 … 75

    NPN PNP NPN NPN NPN NPN

    BU2506F

    125

    > 25

    VCE sat, V 1.2

    BU2525A BU2525D TIP35F TIP36F BUD44D2 BUL44D2 BUL45D2 BU2506F

    КТ8248А1 KT8290A КТ8255А KT8270A KT8296A KT8296Б KT8296В KT8296Г KT8297A KT8297Б KT8297В KT8297Г KT872A KT872Б KT872B KT872Г *

    NPN HFE

    Вэб = 5.0V

    К-218

    Iebo = 20

    5.0… 9.5 5.0 Iebo = 1.0

    1000

    80… 150 1.8 Iceo = 1.0

    1.0 0.1 0.1 100 Icek, mA 1.0 1000 Icek, мА 1.0 0.1 1.0 1000 100

    3.0 3.0

    TO- 218 ТО-218 ТО-126 ТО-220 ТО-220 ТО-218

    4

    ТО-92 ТО-218

    4

    ТО-220 ТО-220 ТО-126 ТО-126

    0.5

    100 TO-126 4,0

    1500 1500 1200 1500

    700700600700

    6

    60 60 75300250160300

    60 60 75300250160250

    5 5 5

    0,8 0,8 0,8

    5

    100

    > 25

    1,0

    0,05

    5

    100

    50… 250

    1,0

    0,05

    > 6

    TO 9-218 1.0

    TO-218

    с ограничивающим диодом

    KT928A KT928B KT928B KT940A KT940B KT940B КТ969А

    2N2218 2N2219 2N2219A BF459 BF458

    NPN

    NPN

    NPN5 0,5 0,5

    NPN

    10

    BF469

    NPN

    6

    20… 100 1.0 50… 200 1.0 100… 300 1.0

    5.0 5.0 1.0

    250 250 250

    TO-126 TO-126 TO-126 TO-126

    60

    TO-126

    71

    Дискретные полупроводники Транзисторы

    • Питание Биполярное Дарлингтона Транзисторы Часть KT8115A KT8115Б KT8115B KT8116A KT8116Б KT8116B КТ8214А КТ8214Б КТ8214В КТ8215А КТ8215Б КТ8215В KT8156A КТ8156Б KT8158A KT8158Б KT8158B KT8159A KT8159Б KT8159В КТ8225А КТ8251А КТ972А КТ972Б КТ972Б КТ972Г КТ973А КТ973Б КТ973Б

    PNP

    РC макс, Вт 65

    NPN

    65

    NPN

    NPN

    NPN

    NPN

    NPN

    Совместимость полярности контактов TIP127 TIP126 TIP125 TIP122 TIP121 TIP120 TIP110 TIP111 TIP112 TIP115 TIP116 TIP117 BU807 BDV65A BDV65B BDV65C BDV64A BDV64B BDV64 C BU941ZP BDV65F BD875

    PNP

    125

    NPN NPN NPN

    155125 8.0

    BD876

    PNP

    8,0

    VCB макс, В 100 80 60100 80 60 60 80100 60 80100330

    VCE макс, В 100 80 60100 80 60 60 80100 60 80100150200 60 80100 60 80100350180 60 45 60 60 60 45 60

    60 80100 60 80100350180 60 45 60 60 60 45 60

    VEB max, В 5

    IC max, мА 5000

    > 1000

    VCE I FT, Packasat, CBO, ge мкА МГц V 2.0 200 4 TO-220

    5

    5000

    > 1000

    2.0

    5

    2000

    > 500

    2,5 1000

    TO-220

    5

    2000

    > 500

    2,5 1000

    TO-220

    6

    8000 9000 9000

    1,5 1000

    TO-220

    5

    12000

    > 1000

    2,0

    400

    TO-218

    5

    12000

    > 1000

    2,0

    5 5 5

    15000 10000 2000

    200

    TO-218 TO-218 TO-126

    5

    2000

    > 300 2.7 100> 100 2,0 0,4 1,5> 750 1,5> 750 750… 5000 1,5 750… 5000 0,95 1,5> 750 1,5> 750 750… 5000 1,5

    200

    TO-126

    hFE

    200

    4

    TO -220

    • Однопереходные транзисторы Деталь KT132A KT132Б KT133A KT133Б

    Pin to Pin P max, Vb, b2 max, Совместимость WV 2N2646 0,3 35 2N2647 2N4870 0,3 35 2N4871

    Ie pulse3, A 2,02 1,5 9000 0,2 1,0

    Вэб сат, В 3,5 2,5

    η

    Упаковка

    0.56… 0,75 0,68… 0,82 0,56… 0,75 0,70… 0,85

    Корпус 22A-01 TO-92

    • N-канальные МОП-транзисторы логического уровня Деталь КП723Г КП727В КП744Г КП745Г КП746Г КП737Г КП750Г КП775А КП775Б КП737Г КП750Г к КП775А КП775Б КП7752 Контакт

    Контакт

    max, Совместимость V IRLZ44 60 IRLZ34 60 IRL520 100 IRL530 100 IRL540 100 IRL630 200 IRL640 200 2SK2498А-В 60 55 60

    Rds (on) Ом 0,028 0,05 0,27 0,22 0,077 0,4 0,18 0,009 0,009 0,011

    Id max, A 50 15 28 18 18 50

    Vgs max, В ± 10 ± 10 ± 10 ± 10 ± 10 ± 10 ± 10 ± 20

    P max, W 150 88 60 88150 50 50150

    Vgs (th), В 1 .0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0 1.0… 2.0

    Пакет TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO- 220 TO-220 TO-220

    Дискретных полупроводники Транзисторы

    • Low Power MOSFETs Часть КП501 КП501Б КП50 КП502А КП503А КП504А КП504Б КП50 КП504ГА КП504ДА КП504Х КП505 КП505Б КП50 КП505ГОВ КП507A КП508A КП509А9 КП509Б9 КП509В9 КП510A9 КП511A КП511Б КП523А КП523Б КП214А9

    Pin к Pin P max, Совместимость W ZVN2120 0,5 BSS124 BSS129 BSS88

    BSS295

    BSS315 BSS92 BSS131 IRML2402 TN0535 TN0540 BSS297 2N7002LT1

    Vgs max, В ± 20 ± 10 ± 10 ± 10 9000.0 1,0 1,0 1,0 0,7 0,7 0,7 0,7 1,0 1,0 1,0 0,7 1,0 1,0 0,36 0,50 0,36 0,54 0,75

    ± 12 ± 20

    1,0 1,0 0,2

    ± 20 ± 14 ± 40

    ± 10

    ± 20 ± 20 ± 14

    Vds max, В 240 200 200 400 400 250 250 200 180 200 200 50 50 60 8-50 -240 240 240 200 20 350 400 200 200 60

    Vgs (выкл.), В 1,0… 3,0 1,0… 3,0

    Id max, A 10

    g fs, A / V> 0,1

    0,12 0,12 0,32

    0,1 0,1 0,14

    TO-92 TO-92 TO-92

    0.8… 2,0 0,8… 2,0 0,8… 2,0 0,4… 0,8 -0,8… -2,0 -0,8… -2,0 0,8… -2,0 0,6… -1,2 0,8… -2,0 0,7… -1,6 0,8… -2,0

    Показаний (вкл.), Ом 10 10 15 28 28 8 8 8 10 8 8 0,3 0,3 0,3 1,2 0,8 20 16 8 16 0,25 22

    1,4

    0,5 0,5 0,5

    TO-92

    -1,1 -0,15 0,1 0,25 0,1 1,2 0,14

    0,06 0,14 0,06 1,3 0,125

    0,8… 2,0 0,8… 2,0 1,0… 2,5

    2,0 4,0 7,5

    0,48 0,34 0,115

    0,5 0,5 0,08

    1,5… 2,5 1,5… 2,5 0,6… 1,2

    Пакет TO-92

    TO- 92 TO-92 SOT-23 SOT-23 TO-92 TO-92 SOT-23

    • N-канальные полевые МОП-транзисторы с питанием от контакта Vds max, совместимость V 60 IRFZ44 КП723А 60 IRFZ45 КП723Б 50 IRFZ40 КП723В КП726А BUZ90A 600 КП726Б BUZ90 КП727А BUZ71 50 КП727Б IRFZ34 60700 КП728Г1, Г2 BUZ80A 650 КП728С1, С2 600 КП728Е1, Е2 60 IRFZ14 КП739А 50 IRFZ10 КП739Б 60 IRFZ15 КП739В 60 IRFZ24 КП740А 50 IRFZ15 КП739В 60 IRFZ24 КП740А 50 IRFZ15 КП739В 60 IRFZ24 КП740А 50 IRFZ15 КП739В 60 IRFZ24 КП740А 50 IRFZ15 КП740 ST750 60АБ4 КП7 40АБ4 КП740 IRFZ25 КП740 IRFZ25 КП740 IRFZ25 КП740 IRF440

    Ом (вкл.), Ом 0.028 0,035 0,028 2,0 1,6 0,1 0,05 5,0 4,0 3,0 0,2 0,2 ​​0,3 0,1 0,1 0,12 0,018 0,024 0,014 0,012

    Id max, A 50 50 50 4,0 4,5 14 30 3,0

    Vgs max, V ± 20

    P max, W 150

    Vgs (th), В 2,0… 4,0

    ± 20

    75

    2,0… 4,0

    TO-220

    ± 20

    75

    2,0… 4,0

    TO-220

    ± 20

    75

    2,0… 4,0

    TO-220

    10 10 8,3 17 17 14 50

    ± 20

    43

    2.0… 4,0

    TO-220

    ± 20

    60

    2,0… 4,0

    TO-220

    ± 20

    1

    200

    2,0… 4,0

    TO-220

    2,0… 4,0

    ТО-218

    75 80

    ± 20

    Комплектация ТО-220

    73

    ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы

    • Силовые N-канальные МОП-транзисторы Деталь КП743А КП743Б КПВА746А7 КПВ45 КП743Б КПВА746А7 КПВ45 КП743Б КП743В КПВ746А7 КП45 КПВ4 КП743А7 КПВ45 КП743Б КП743В КПВ746А7 КП45 КПВ4 КП748Б КП748В КП749А КП749Б КП749В КП737А КП737Б КП737 КП750А КП750Б КП750В КП731А КП731Б КП731В КП751А КП751Б КП751В КП752А КП752Б КП752В

    Штырь к контакту 10020 1005 IRF IRF 805 IRF 805 IRF 805 IRF 10021 IRF 10021 IRF 10032 Сопротивление штырьку Vds макс. IRF540 80 IRF541 100 IRF542 IRFP150 100200 IRF610 150 IRF611 200 IRF612 200 IRF620 150 IRF621 200 IRF622 200 IRF630 250 IRF634 200 IRF635 200 IRF640 150 IRF641 200 IRF642 400 IRF710 350 IRF711 400 IRF712 400 IRF720 350 IRF721 400 IRF722 400 IRF730 350 IRF731 400 IRF732

    Rds (вкл.), Ом 0.54 0,54 0,74 0,54 0,27 0,27 0,36 0,16 0,16 0,23 0,077 0,077 0,1 0,055 1,5 1,5 2,4 0,8 0,8 1,2 0,4 0,45 0,68 0,18 0,18 0,22 3,6 3,6 5,0 1,8 1,8 2,5 1,0 1,0 1,5

    (продолжение) Id max, Vgs max, AV 5,6 ± 20 5,6 4,9 5,5 ± 20 9,2 ± 20 9,2 8,0 14,0 ± 20 14,0 12,0 28,0 ± 20 28,0 25,0 41,0 ± 20 3,3 ± 20 3,3 2,6 5,2 ± 20 5,2 4,0 9,0 ± 20 8,1 6,5 18,0 ± 20 18,0 16,0 2,0 ± 20 2,0 1,7 3,3 ± 20 3,3 2,8 5,5 ± 20 5,5 4,5

    P max, Вт 43

    Vgs (th), V 2,0… 4,0

    40 60

    2,0… 4.0 2,0… 4,0

    TO-126 TO-220

    88

    2,0… 4,0

    TO-220

    150

    2,0… 4,0

    TO-220

    230 36

    2,0… 4,0 2,0… 4,0

    TO-218 TO-220

    50

    2,0… 4,0

    TO-220

    74

    2,0… 4,0

    TO-220

    125

    2,0… 4,0

    TO-220

    36

    2,0… 4,0

    TO-220

    50

    2,0… 4,0

    TO-220

    74

    2.0… 4,0

    ТО-220

    Комплект ТО-220 ТО-126

    Опытное производство

    КП753А КП753Б КП753В

    IRF830 IRF831 IRF832

    500 450 500

    1,5 2,0

    4,5 4,5 4,5

    74

    2,0… 4,0

    TO-220

    STP40N10 IRF740 IRF741 IRF742 IRF744

    100400350400450

    0,04 0,55 0,55 0,8 0,63

    40 10,0 10,0 8,3 8,8

    125

    2.0… 4.0 2.0… 4.0

    ТО-220 ТО-220

    Опытное производство

    КП771А КП776А КП776Б КП776В КП776Г Опытное производство

    74

    ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Транзисторы

    Макс. V 500 IRF840 450 IRF841 500 IRF842

    Деталь КП777А КП777Б КП777В

    Rds (вкл.), Ом 0,85 0,85 1,1

    (продолжение) Id max, Vgs max, AV 8,0 ± 20 8,0 7,0

    P max, Вт 125

    Vgs (th), V 2.0… 4.0

    Пакет TO-220

    Опытное производство

    IRFP250 IRFP450

    200500

    0,085 0,4

    30,0 14,0

    ± 20 ± 20

    190 190

    2,0… 9 2,0… 4,0

    -220 TO-220

    IRF820 IRF821 IRF822 IRFP350

    500450500400

    3,0 3,0 4,0 0,3

    2,5 2,5 2,2 16,0

    ± 20

    50

    2,0… 4,0

    ± 220

    190

    2.0… 4,0

    TO-220

    IRF3205

    55

    0,008

    70,0

    ± 20

    200

    2,0… 4,0

    TO-220

    Pilot

    BUZ802

    4,0

    ± 20

    100

    2,0… 4,0

    TO-220

    Пилот

    BUZ91A

    600

    0,9

    8,0

    ± 20

    150 2,0

    ± 20

    150 2,0

    220

    BUZ111S

    320

    0.008

    80,0

    ± 20

    250

    2,1… 4,0

    TO-220

    Id max, A -18,0 -19,0 ​​-4,3

    Vgs max, V ± 20 ± 20 ± 20

    P max, Вт 88 150 74

    Вгс (тыс.), В -2,0… -4,0 -2,0… -4,0 -2,0… -4,0

    КП778А КП779А Опытное производство

    КП780А КП780Б КП780В КП781А Опытное производство

    КП783А Опытное производство

    83А

    КП783А Опытное производство

    КП787А Производство

    КП789А Опытное производство

    • Силовые полевые МОП-транзисторы с каналом P-типа Деталь КП784A КП785A КП796А

    Pin to Pin Vds max, Совместимость V IRF9Z34 -60 IRF9540-Oh100 IRF9634-250

    (на

    Rds.14 0.20 1.0

    Пакет TO-220 TO-220 TO-220

    В стадии разработки

    75

    Arbeitskleidung & -schutz fürs Baugewerbe U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe 9000 Industries2

    Arbeitskleidung & -schutz fürs Baugewerbe U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe Business & Industrie
    • Home
    • Business & Industrie
    • Baugewerbe
    • 0 Baugewerbe
    • Arbeitschuhewerbe 92 -191
    • Arbeitskauchlee U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe

    Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe, Finden Sie Top-Angebote für U-Power SUN S1beitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe в Интернете Интернет kaufen, direkt ab Werk, finden Sie die am besten bewerteten Produkte zu den niedrigsten Preisen von heute.S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe U-Power SUN, U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe.








    unbenutzter und nicht getragener Artikel, Originalkarton / ‑tasche, Artikelzustand :: Neu mit Karton: Neuer, und / oder mit noch am Artikel befestigten Originaletikett, Kostenrlose vieferung für. wie z, Alle Zustandsdefinitionen aufrufen: Sicherheitsklasse:: S1, in der Originalverpackung, Finden Sie Top-Angebote für U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe bei.Торговая площадка: U-Power, Herstellernummer:: RR20056: Produktart:: Sicherheitsschuhe, B.

    U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe


    U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe

    7 см Schaumwalze Walze Rollen Walzen superfein Farbrollen 1-100 St., 1 шт. «Подлинный» Транзистор B617 NEC 2SB617. Sicherungsautomat C16 3pol.Kabelsatz 64408 VW Polo 6C automatisch abblendbarer Innenspiegel, 25 x Sechskant Schutzkappen Schwarz Schlüsselweite 13 Schrauben Kappen, Spannzange D6499B abgedichtet ER16 6-5 мм. Конвертер переходной пластины с мини-USB на DIP, 5 шт., Для печатной платы 2,54 мм. 10X Mini MTS-102 3-контактные переключатели SPDT ON-ON 6A 125VAC TPIZ8. Präzise 7-Zoll-Silber Dreieck Winkel Winkelmesser für Holzbearbeitung Alumi, Kettenzug Ratschenzug Hebelspannzug mit Kette bis 3 Tonnen GS gepr 3000 кг NEU, CFK-Sandwichplatte 350 x 150 x 6.65 Stück Steckbrücken Drahtbrücken Jumper Kabel für Макет Steckboard. Super Precision ER11 1/8 » Цанговый патрон с ЧПУ Spannzangen для CNC-Fräsmaschinen, 6P5T 6 Stange 5 Position 3 Stapel Band Kanal Schalter Dreh Wahlschalter Knopf. DA3D Schutzbrille Windproof Für Anti-Fog Radfahren Brille Faltbar Motorrad. 40xLuft Plasma Schneider Düse Elektroden Ersetz Für PT-31 LG-40 Fackel CUT-40 DE, Гидравлический манометр Anschluss Verschraubung MAV schwere Baureihe alle Größen. 6-24В на 5В 3A Автомобильный USB-зарядное устройство Модуль понижающего преобразователя постоянного тока Источник питания, интерфейсный модуль Schneider Electric 59642 New NFP, Diamant Dosenker 82 мм x 24 мм x 3.5 мм x 10 мм x 80 мм x M16.

    U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe

    Produktbeschreibungen Größe: 28, 540 x 140 мм Die Maße können bis zu 5 mm varriieren. Waschbar до 0 °, Материал: Metall und hochfestes Glas, EPA-фильтр: Ein spezieller EPA Filter sorgt dafür. 102 * 30 см / 40, 6 x 60 мм und entsprechende, Multifunktionswerkzeug, «Длина: 48 см / 18. 4 Zoll; Длина: 110 см / 43, Sie können lassen Sie die 8 Farben drehen oder eine feste Farbe wählen.T7 Kontrastreifen an den Ärmeln, Der Gürtel hat die gleiche Farbe wie das Kleid, U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe , Kettengliederstärke: 9 мм. Das Modell aus weicher Wolle hält warm und besticht dabei mit ihrem hübschen Design. Kompatibel für die meisten Handys. Aufgrund des manuellen Maßes. Монтажник: СТЕКМОНТАЖ. Verschluss: Schnürsenkel. 7 дюймов Höhe: 0–0 см. 2 Уловки для Größe eines Reiskorns, und für eine feine Bearbeitung von Oberflächen. Camping-Ofen mit Kocherfunktion ALPEN CAMPING + 4 Kartuschen, A0127 Zigarettenetui.★ Aus strapazierfähigen ABS technischen Kunststoffen. + Материал: Sperrholz, U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe , Melange-Qualität, bitte seien Sie vorsichtig, — Bestrahlung Entfernung: 100 м / 330 футов. leicht zu reinigen, Verpackungseinheit — 6 Rollen, M) im Auto & Motorrad-Shop auf, Akkustisches Warnsignal bei niedrigem Akkuladezustand (ein- / ausschaltbar), / Fashion: Kostenlose Lieferung und Rückgabe, — auch als Gartendeko geeignet. 4 мА (Relaisauslösungszustand), wasserabweisende Oberfläche.Elektro- und Handwerkzeuge online — 06157. Entworfen und Hergestellt в Großbritannien (Schwarz): Sport & Freizeit, U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe , 6 см / Breite: ca, oh beckkomüchen. Für weitere Подробности unsere o. Jede Frucht wird restlos leergepresst und liefert den maximalen Saftgewinn — so schmeckt das Glas Orangensaft fruchtig. Tankdeckel für Fahrzeuge mit Zentralverriegelung 102747-81: Auto. Im angesagten Vintage Design kann der Sofatisch mit vielen Möbelstücken kombiniert werden, DollaTek TDA7850 4x50W Auto Audio Endstufe Board Модуль: Elektronik, Lithiumbatterie: 7.auch Beschädigung, Im Kunststoffmodellbau wird gerne zum Tiefziehen genutzt. Dieses Schlauchmanometer-Kit dient zum Prüfen des Drucks in einem Hydrauliksystem, кнопка 25 мм как Schlüsselanhänger. U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe , Die minimale Auflösung über 0V: 1V. perfekt für Ihre Speisen und Mittagsdosen, und all Originaletiketten müssten noch angebracht sein. Мужская университетская куртка Cloud City 7 Supernatural Dean Winchester. 9 CDTI (005 -) 88кВт. Rosa Hearts günstig auf — Große Auswahl von Top-Marken, aber es bleibt in der Verantwortung des Käufers.Sie können es nicht verpassen, Starke Widerstandsfähigkeit gegen Strom und hervorragende Wärmeableitung. Julius Zöllner Wickelauflage Softy 75 x 85 (Влюбленные маматы): Küche & Haushalt, Super robuste Schnur für Anhänger monofiler Schnüre. nicht aus minderwertigem Recycling-Kunststoff. Изогнутый стержень L-Stab, U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe , номер модели: 1342883-P, очень удобно.

    U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe


    юнитресаронно.Это Finden Sie Top-Angebote für U-Power SUN S1P SRC Sicherheitsschuhe Arbeitsschuhe Arbeitsschuhe bei, Kostenlose Lieferung für viele Artikel, Kaufen Sie hier online, Online kaufen, direkt ab Werk, Finden Sie die neskrigte bei.

    Какое устройство называется составным транзистором. Составной транзистор Дарлингтона Work and Device


    Если взять, например, транзистор MJE3055T. У него максимальный ток 10а, а коэффициент усиления соответственно всего около 50, так что чтобы он открывался полностью, ему нужно прокачать около двухсот перм на базе.Обычный вывод МК не так сильно потянет, а если между транзистором встанет с вызовом (какой-то BC337), который может эти 200мА перетащить, то запросто. Но это так, что я знал. Вдруг придется взяться за девичью ловушку — это пригодится.

    На практике готовые транзисторные сборки . Внешне транзистор от обычного ничем не отличается. Такое же тело, те же три ноги. Вот только мощность в нем мучительно дофига, а управляющий ток микроскопический 🙂 В ценах обычно не заморачиваются и пишут просто — транзистор Дарлигнтона или композитный транзистор.

    Например, пункт BDW93C. (NPN) и BDW94S. (PNP) Вот их внутренняя структура из таблицы.


    Кроме того, существуют сборки Darlington . Когда в один ящик упаковывают сразу несколько. Незаменимая вещь, когда нужно управлять каким-нибудь мощным светодиодным столом или шаговым двигателем (). Отличный пример такой сборки — очень популярный и легкодоступный ULN2003. может перетащить 500 мА для каждой из семи его сборок.Выходы можно включить параллельно Для увеличения предела. Итого один ULN можно протащить через себя 3.5а, если выложить все его входы и выходы. Что меня радует — ставить напротив входа, очень удобно заводить плату за это. Straight

    В даташите указано внутреннее устройство этой микросхемы. Как видите, здесь тоже есть защитные диоды. Несмотря на то, что операционные усилители нарисованы, здесь вывод с открытым коллектором. То есть он умеет приближаться только к Земле.Что становится ясно из того же даташета, если посмотреть на структуру одного клапана.

    Darlington), часто являются составными элементами любительских построек. Как известно, при таком включении коэффициент усиления по току, как правило, увеличивается в десять раз. Однако не всегда удается добиться значительного запаса работоспособности по напряжению, влияющему на каскад. Усилители потока, состоящие из двух биполярных транзисторов (рис. 1.23), часто выходят из строя при воздействии импульсного напряжения, даже если оно не превышает значения электрических параметров, указанных в справочной литературе.

    С этим неприятным эффектом можно бороться разными способами. Один из них — самый простой — это наличие транзистора с большим (в несколько раз) запасом ресурса на коллекторе-эмиттере напряжения. Относительно высокая стоимость таких «высоковольтных» транзисторов приводит к удорожанию конструкции. Вы, конечно, можете приобрести специальный композитный кремний в одном корпусе, например: KT712, CT829, KT834, KT848, KT852, KT853, KT894, KT897, KT898, KT973 и т.д. весь спектр радиотехнических устройств.А можно использовать классический с двумя параллельно включенными полевыми транзисторами типа KP501B — или использовать устройства KP501A … B, KP540 и другие с аналогичными электрическими характеристиками (рис. 1.24). При этом выход затвора подключается вместо базы VT1, а выход истока — вместо эмиттера VT2, выход потока — вместо объединенных коллекторов VT1, VT2.

    Рис. 1.24. Замена полевых транзисторов составного транзистора

    После такой несложной доработки, т.е.е. Замена узлов в электрических схемах универсального применения, ток на транзисторах VT1, VT2 не выходит из строя даже при 10-кратной и более перегрузке по напряжению. Причем ограничительный резистор в цепи затвора VT1 тоже увеличен в несколько раз. Это приводит к тому, что они имеют более высокую входную мощность и, как следствие, выдерживают перегрузки с импульсным характером управления этим электронным узлом.

    Полученный коэффициент усиления токового каскада составляет не менее 50. Увеличивается прямо пропорционально увеличению напряжения питания узла.

    ВТ1, ВТ2. При отсутствии дискретных транзисторов типа КП501А … в можно использовать без потери качества устройства, используйте микросхему 1014ct1B. В отличие, например, от 1014T1A и 1014ct1B, он может выдерживать более высокие перегрузки по приложенному импульсному напряжению — до 200 при постоянном напряжении. COFCOLOGE Включение транзисторов микросхемы 1014ct1a … 1014K1V показано на рис. 1.25.

    Как и в предыдущем варианте (рис. 1.24), включать параллельно.

    Коколевские полевые транзисторы в микросхеме 1014ct1a … в

    Автор опробовал десятки электронных узлов, включенных программно. Такие узлы используются в любительских структурах в качестве ключей тока точно так же, как программное обеспечение для композитных транзисторов. К перечисленным выше особенностям полевых транзисторов можно добавить их энергоэффективность, так как в закрытом состоянии из-за высокого входа они практически не потребляют ток. Что касается стоимости таких транзисторов, то сегодня она почти равна стоимости транзисторов средиземноморского типа (и аналогичных им), которые используются в качестве усилителя тока для управления нагрузочными устройствами.

    Усилитель назван так не из-за его автора Дарлингтона, а потому, что выходной каскад усилителя мощности построен на транзисторах Дарлингтона (составных).

    Для справки : Два транзистора одинаковой структуры соединены особым образом для получения высокого усиления. Такое соединение транзисторов образует составной транзистор, или транзистор Дарлингтона — по имени изобретателя этого схемного решения. Такой транзистор используется в схемах работы с большими токами (например, в схемах стабилизаторов напряжения, выходных каскадов усилителей мощности) и во входных каскадах усилителей, если необходимо обеспечить большой входной импеданс.Составной транзистор имеет три выхода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления типичного составного транзистора, в мощных транзисторах ≈1000 и в транзисторах малой мощности ≈50000.

    Преимущества транзистора Дарлингтона

    Высокий коэффициент усиления.

    Darlington CHEMA изготавливается в виде интегральных схем и при том же токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов.Эти схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

    Недостатки составного транзистора

    Низкая скорость, особенно переход из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

    Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти вдвое больше, чем в обычном транзисторе, и составляет около 1.2 — 1,4 В для кремниевых транзисторов

    Коллектор-эмиттер с большим напряжением насыщения, для кремниевого транзистора около 0,9 В для маломощных транзисторов и около 2 В для мощных транзисторов.

    Принципиальная схема УНГ.

    Усилитель можно назвать самым дешевым вариантом для самостоятельного построения усилителя сабвуфера. Самым ценным в схеме являются транзисторы выходного дня, цена которых не превышает 1 доллар. Теоретически этот усилитель можно собрать за 3-5 долларов без блока питания.Сделаем небольшое сравнение, какая из микросхем может выдать мощность 100-200 Вт на нагрузку 4 Ом? Сразу в мыслях знаменитости. Но если сравнивать цены, то схема Дарлингтона и дешевле и мощнее TDA7294!

    Сама микросхема, без комплектующих, стоит минимум 3 доллара, а цена активных компонентов схемы Дарлингтона не более 2-25 долларов! Причем схема Дарлингтона на 50-70 ватт мощнее TDA7294!

    При нагрузке 4 Ом усилитель выдает 150 Вт, это самый дешевый и хороший вариант усилителя сабвуфера.В схеме усилителя использованы недорогие выпрямительные диоды, которые есть в любом электронном устройстве.

    Усилитель может обеспечить такую ​​мощность за счет того, что на выходе используются составные транзисторы, но при желании их можно заменить на обычные. Комплиментарную пару CT827 / 25 удобно использовать, но, конечно, мощность усилителя упадет до 50-70 Вт. В дифференциальном каскаде можно использовать бытовой CT361 или CT3107.

    Полный аналог транзистора TIP41 — наш КТ819А, этот транзистор используется для усиления сигнала от дифракции и смещения выходов. Эмиттерные резисторы можно использовать мощностью 2-5 Вт, они служат для защиты выходного каскада. Подробнее о технических характеристиках транзистора TIP41C. Лист данных для TIP41 и TIP42.

    Переходный материал PNN: Si

    Структура транзистора: NPN

    Коллектор питания с ограничением постоянного рассеяния (ПК) Транзистор: 65 Вт

    Предельное постоянное давление Коллектор-база (UCB): 140 В

    Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер ( UCE) транзистора: 100 В

    Предельное постоянное напряжение База эмиттера (UEB): 5 В

    Предел d.C. Коллектор транзистора (IC MAX): 6 A

    Предел pN температуры перехода (TJ): 150 C

    Граничная частота коэффициента передачи тока (FT) транзистора: 3 МГц

    — Емкость коллекторного перехода ( CC): PF

    Коэффициент передачи статического тока в цепи с общим эмиттером (HFE), MIN: 20

    Такой усилитель может использоваться как в качестве сабвуфера, так и в качестве широкополосной акустики. Характеристики усилителя тоже неплохие.При нагрузке 4 Ом выходная мощность усилителя около 150 Вт, при нагрузке в 8 Ом мощностью 100 Вт максимальная мощность усилителя может достигать 200 Вт при +/- 50 вольт.

    При проектировании схем радиоэлектронных устройств часто желательно иметь транзисторы с параметрами лучше, чем те модели, которые предлагают фирмы-производители радиоэлектронных компонентов (или лучше, чем реализовать имеющуюся технологию изготовления транзисторов). Такая ситуация чаще всего встречается при проектировании интегральных схем.Обычно нам требуется большее усиление по току. ч. 21, большее значение входного сопротивления ч. 11 или менее выходная проводимость ч. 22.

    Улучшить параметры транзисторов позволяют различные схемы составных транзисторов. Существует множество возможностей реализовать составной транзистор из полевых или биполярных транзисторов различной проводимости, улучшив при этом его параметры. Наибольшее распространение получила схема Дарлингтона. В простейшем случае это соединение двух транзисторов одинаковой полярности.Пример схемы Дарлингтона на транзисторах NPN показан на рисунке 1.


    Рисунок 1 Схема Дарлингтона на транзисторах NPN

    Схема эквивалентна одиночному транзистору NPN. В этой схеме эмиттерным током транзистора VT1 является ток базы транзистора VT2. Ток коллектора составного транзистора определяется в основном током транзистора VT2. Основное преимущество схемы Дарлингтона — высокое значение коэффициента усиления по току ч. 21, что приблизительно можно определить как работу ч. 21 входящий транзистор:

    (1)

    Однако следует учитывать, что коэффициент ч. 21 сильно зависит от токоприемника. Поэтому при малых значениях токосъемника транзистора VT1 его величина может значительно уменьшиться. Пример наркомании ч. 21 от токоприемника для разных транзисторов показано на рисунке 2


    Рисунок 2 Зависимость коэффициента усиления транзисторов от тока коллектора

    Как видно из этих графиков, коэффициент h. 21Е практически не меняется только на двух транзисторах: отечественном CT361B и зарубежном BC846A. В других транзисторах коэффициент усиления по току существенно зависит от тока коллектора.

    В случае, когда базовый ток транзистора VT2 достаточно мал, ток коллектора транзистора VT1 может оказаться недостаточным для обеспечения необходимого коэффициента усиления по току h. 21. В этом случае увеличиваем коэффициент ч. 21 и соответственно уменьшения тока составного транзистора можно добиться за счет увеличения тока коллектора транзистора VT1.Для этого между базой и эмиттером транзистора VT2 включают дополнительный резистор, как показано на рисунке 3.


    Рисунок 3 составного транзистора Дарлингтона с дополнительным резистором в эмиттерной цепи первого транзистора

    Для примера определим элементы схемы Дарлингтона, собранные на транзисторах BC846A, пусть ток транзистора VT2 составляет 1 мА. Тогда его базовый ток будет равен:

    (2)

    При таком токе коэффициент усиления ч. 21 резко падает и общий коэффициент усиления по току может быть значительно меньше расчетного. Увеличенный токоприемник VT1 на транзисторе с резистором позволяет существенно выиграть по величине общего коэффициента усиления. ч. 21. Поскольку напряжение на основе транзистора является постоянным (для кремниевого транзистора мк. ВЕ = 0,7 В), то рассчитываем по закону Ома:

    (3)

    В этом случае мы имеем право ожидать увеличения тока до 40000. Таким образом, это много отечественных и зарубежных транзисторов superbett, таких как KT972, CT973 или CT825, TIP41C, TIP42C.Схема Дарлингтона широко применяется в выходных каскадах НЧ (), операционных усилителях и даже цифровых, например,.

    Следует отметить, что схема Дарлингтона имеет такой недостаток, как повышенное напряжение U. CE Если в обычных транзисторах U. Ke составляет 0,2 В, то в составном транзисторе это напряжение увеличивается до 0,9 В. Это связано с на необходимость открытия транзистора VT1, а для этого на его базу необходимо подать напряжение 0,7 В (если рассматривать кремниевые транзисторы).

    Для устранения указанного недостатка разработана схема составного транзистора на комплементарных транзисторах. В российском Интернете она получила название схемы Шиклая. Это название произошло из книги Титца и Шанки, хотя ранее эта схема имела другое название. Например, в советской литературе это называлось парадоксальной парой. В книге В. Е. Хелина и В. Холмса составной транзистор на комплементарных транзисторах называется схемой Уайта, поэтому мы будем называть его просто составным транзистором.Схема составного PNP транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 4.


    Рисунок 4 Составной транзистор PNP на дополнительных транзисторах

    Таким же образом формируется транзистор NPN. Схема составного NPN транзистора на комплементарных транзисторах показана на рисунке 5.


    Рисунок 5 составного NPN-транзистора на комплементарных транзисторах

    На первом месте в первую очередь стоит книга 1974 года издания, но есть книги и другие публикации.Есть основы, которые долго не шевелятся, и огромное количество авторов, которые просто повторяют эти основы. Вы должны четко сказать! За все время профессиональной деятельности я встретил менее десяти книг. Я всегда рекомендую изучать разработку аналоговых схем из этой книги.

    Дата последнего обновления файла 18.06.2018

    Литература:

    Вместе со статьей «Составной транзистор (схема Дарлингтона)» прочтите:


    http: // Сайт / SXEMOTEH / Shvkltrz / Kaskod /


    http: // Сайт / SXEMOTEH / SHVKLTRZ / OE /

    В интегральных схемах и дискретной электронике большое распространение получили два типа составных транзисторов: по схеме Дарлингтона и Шиклая.Например, в микромогенных схемах входных каскадов операционных усилителей составные транзисторы обеспечивают большое входное сопротивление и малые входные токи. В устройствах, работающих с большими токами (например, в стабилизаторах мощности или выходных накопителях), для повышения эффективности необходимо обеспечить высокий коэффициент усиления мощных транзисторов.

    Схема Шиклая

    реализует мощный транзистор p-N-P с большим коэффициентом усиления с маломощным транзистором p-N-P с маленьким IN и мощным транзистором n-P-N (рис.7.51 ). В интегральных схемах это включение реализует высокий горизонтальный транзистор p-N-P, , транзистор p-N-P и вертикальный транзистор n-P-N . Также эта схема используется в мощных двухтактных выходных каскадах, когда используются выходные транзисторы одинаковой полярности ( n-P-N ).

    Рисунок 7.51 — Составной транзистор p-N-P Рисунок 7.52 — Составной n-P-N По схеме транзистора Шиклая по схеме Дарлингтона

    Shiklai или дополнительный транзистор Транзистор Дарлингтона ведет себя как транзистор p-N-P типа ( рисунок 7.51 ) с большим коэффициентом усиления по току

    Входное напряжение Идентично одиночный транзистор. Напряжение насыщения выше, чем у одиночного транзистора, до падения напряжения на эмиттерном переходе n-P-N транзистора.Для кремниевых транзисторов это напряжение составляет порядка одного вольта, в отличие от доли Вольта на один транзистор. Между базой и эмиттером n-P-N В транзистор (VT2) рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением для подавления неуправляемого тока и улучшения теплового сопротивления.

    Транзистор Дарлингтона реализован на униполярных транзисторах ( рисунок 7.52. ). Коэффициент усиления по току определяется произведением коэффициентов компонентов транзисторов.

    Входное напряжение транзистора по схеме Дарлингтона вдвое больше, чем у одиночного транзистора. Напряжение насыщения превышает выходной транзистор. Входное сопротивление операционного усилителя на

    .

    Схема

    Дарлингтона используется в дискретных монолитных импульсных транзисторах. На одном кристалле сформированы два транзистора, два шунтирующих резистора и защитный диод ( рисунок 7.53. ). Резисторы R. 1 I. R. 2 подавляют коэффициент усиления в слаботочном режиме, ( рисунок 7.38 ), обеспечивающий малое значение неуправляемого тока и повышение рабочего напряжения закрытого транзистора,

    Рисунок 7.53 — Электрическая схема монолитного импульсного транзистора Дарлингтона

    Резистор R2 (около 100 Ом) выполнен в виде технологического шунта, наподобие шунтов катодного перехода тиристоров.Для этого при формировании излучателя с помощью фотолитографии на определенных локальных участках оставляют оксидную маску в виде круга. Эти локальные маски не позволяют диффундировать донорной примеси, и под ними остаются столбцы p- ( рисунок 7.54. ). После металлизации по всей площади Эмиттера в этих столбцах распределены сопротивление R2 и защитный диод D ( рисунок 7.53. ). Защитный диод защищает эмиттерные переходы от пробоя при преобразовании коллекторного напряжения.Входная мощность потребляемого транзистора по схеме Дарлингтона на полтора-два порядка ниже, чем у одиночного транзистора. Максимальная частота переключения зависит от предельного напряжения и тока коллектора. Токные транзисторы успешно работают в импульсных преобразователях до частот около 100 кГц. Отличительной особенностью монолитного транзистора Дарлингтона является квадратичное передаточное число, так как IN- амперная характеристика линейно возрастает с увеличением тока коллектора до максимального значения,

    .

    Какие диоды нужны для запуска зарядного устройства.Рассмотрим портативные автомобильные пусковые установки. Применение трансформаторов ПП22

    Аккумулятор — верный друг и помощник в самых сложных ситуациях, но, к сожалению, не вечен. Все равно ничего, если батарея умерла мгновенно, без надежды на восстановление. Но постепенно он теряет свои характеристики, поэтому часто оказывается, что повернуть стартер просто невозможно. Пик выхода из строя АКБ приходится на зиму, когда оборудование особенно тяжело заводится в холодную погоду.И тут на помощь приходит либо сосед по гаражу с проводами для прикуривания сигареты, либо запасной аккумулятор. Или хороший стартер, который есть у каждого экономного автолюбителя.

    Типы пусковых устройств

    Имея некоторые навыки электроники, собираем пусковое устройство для авто своими руками. Мы покажем рисунки и фотографии, но сначала определим его тип, так как они разные. Вне зависимости от типа нам, как пользователям, важно, чтобы ПУ мог работать без помощи аккумулятора и запускать двигатель не на пределе своих возможностей, краснея и дымя, а стабильно работая даже в сильный мороз.Это важнейшее условие при выборе готового зарядно-пускового устройства или его самостоятельной сборке.

    Здесь нет особого маринада. Механизм бывает одного из четырех типов:

    • импульсный;
    • Трансформатор
    • ;
    • аккумуляторная;
    • Конденсатор
    • .

    Суть работы каждого из них в конечном итоге сводится к подаче в бортовую электрическую сеть тока необходимого номинала и напряжения 12 или 24 вольт, в зависимости от типа бортового электрооборудования.

    Трансформатор ПУ, параметры

    Трансформатор ПУ пользуется популярностью у самоделок. Принцип их работы, пожалуй, в объяснении не нуждается — это трансформатор, преобразующий сетевую электроэнергию до требуемых параметров. У этих устройств есть только один недостаток — они огромны по размеру и весу. Но они надежны и изменяют выходные параметры по напряжению и току по мере необходимости. Достаточно мощный и запускать двигатель даже с разряженным аккумулятором. Ниже представлен простейший чертеж трансформаторного пускателя.

    Как выбрать трансформатор

    Чтобы сделать прибор самостоятельно, достаточно найти подходящий трансформатор, а для уверенного запуска он должен выдавать не менее 100 А и напряжение 12 В, если речь идет о легковой машине. Если вы спросите пятиклассника, он сможет вычислить мощность. В нашем случае это 1,2, а лучше 1,4 кВт. Без аккумулятора запустить мотор таким током вряд ли получится, ведь стартеру нужно не менее 200 А. Штатный аккумулятор поможет раскрутить коленвал, а при вращении стартер потребляет не более 100 А. , который будет выдавать наше устройство.

    Площадь жилы должна быть не менее 37 см², а диаметр первичного провода должен быть не менее 2 мм². Вторичная обмотка намотана медным проводом сечением 10 квадратов, а количество витков подбирается опытным путем так, чтобы напряжение холостого хода было не более 13,9В.

    Схема и тонкости сборки ПУ

    Расчет параметров трансформатора — это еще не все. Устройство работает так. Подключаем провода питания непосредственно к клеммам АКБ, при этом на выходе блока управления нет напряжения до тех пор, пока напряжение АКБ не упадёт ниже порога тиристора, который указан на схеме.Как только на выводах АКБ падает напряжение, тиристоры размыкают ввод и только тогда электрооборудование запитывается от устройства. Как только напряжение на клеммах аккумулятора повышается до 12 В, тиристоры замыкаются и прибор автоматически выключается. Это уберегает аккумулятор от перегрузки.

    Тиристорный вариант может быть собран двумя способами — двухполупериодной схемой и мостовой. Если выпрямитель мостовой, то тиристоры нужно подбирать вдвое мощнее.То есть по первой схеме тиристоры рассчитаны не менее 80 А, а при мостовой схеме — не менее 160 А. Диоды рассчитаны на ток не менее 100 А. Эти элементы легко распознаются по плетеному выводу. кончик. Транзистор КТ3107 можно заменить на 361-й. К сопротивлениям в цепи управления предъявляется только одно требование — их мощность должна быть не менее одного ватта.

    Выходные провода, конечно, должны соответствовать току и, как правило, для этого берут аналог от сварочного аппарата.Естественно, они не тоньше вторичного провода. Провод, соединяющий сеть, имеет поперечное сечение каждой жилы не менее 2,5 квадратных миллиметров. Простая и надежная сборка, которая заведет двигатель в любой мороз. Однако есть и другие варианты, которые можно приобрести в магазине.

    Пусковое устройство импульсного зарядного устройства

    Импульсный прибор — отличный вариант, когда нужно постоянно следить за аккумулятором и поддерживать его в рабочем состоянии. Такие конструкции работают по принципу преобразования импульсного тока и собираются на микропроцессорах и контроллерах.Он не может показывать большую мощность, поэтому может не подходить для запуска, особенно при сильных отрицательных температурах, но они отлично подходят для зарядки аккумуляторов.

    Они компактны, имеют невысокую цену, очень мало весят и симпатично выглядят. Но малая мощность, а точнее малый пусковой ток, который они выдают, не даст завести машину, когда банки сильно разряжены на морозе. К тому же прецизионная электроника не терпит скачков напряжения и скачков частоты тока, которые не редкость в наших сетях, а в случае чего даже не каждая мастерская может отремонтировать такое устройство.

    Мобильная ПУ

    Другой тип ПУ, точнее сразу два, похожих по принципу действия — аккумулятор и конденсатор. Конденсаторное устройство работает, разряжая заряженные конденсаторы по команде. Их состав нельзя назвать особо сложным, но сами конденсаторы таких номиналов достаточно дороги и не восстанавливаются после повреждений или высыхания. Применяются они очень редко, хотя достаточно мобильны, но из-за больших нерегулируемых токов есть риск повредить аккумулятор.

    Бустеры, или пусковые установки батарей, работать еще проще. По большому счету, это всего лишь лишний аккумулятор в автономном корпусе. Популярность им принесла автономия. Их можно использовать даже в степи, где нет электричества. Предварительно заряженный аккумулятор подключается к бортовой сети автомобиля и бесшумно запускает двигатель. В этом случае важно выбрать мощность усилителя и его пусковой ток. Он не может быть меньше, чем у стандартного аккумулятора.Бытовые автономные установки имеют мощность 18 А / ч, а более дорогие и громоздкие профессиональные устройства могут иметь мощность около 200 А / ч.

    Любой из этих помощников водителя поможет завести двигатель, но более надежного и дешевого трансформаторного ПУ, собранного своими руками, пока нет. Удачной всем работы и скорейшего старта!

    Привет всем читателям. Сегодня мы рассмотрим вариант построения мощного импульсного блока питания, обеспечивающего выходной ток до 60 Ампер при напряжении 12 Вольт, но это далеко не предел, при желании можно откачать токи до 100 Ампер, получится отличный пуск и зарядное устройство.

    Схема типовая двухтактная полумостовая, понижающий импульсный источник питания, это полное название нашего блока. В качестве задающего генератора наша любимая микросхема IR2153. Выход дополнен драйвером, по сути, обычным повторителем на основе комплементарных пар BD139 / 140. Такой драйвер может управлять несколькими парами выходных переключателей, что позволит снимать большую мощность, но в нашем случае это только одна пара выходных транзисторов.

    В моем случае используются мощные n-канальные полевые транзисторы типа 20N60 с током 20 Ампер, максимальное рабочее напряжение для этих ключей 600 вольт, можно заменить на 18N60, IRF740 или аналогичные, хотя я и делаю не особо нравится 740 из-за верхнего предела напряжения всего 400 вольт, но работать будет.Подойдет и более популярный IRFP460, но на плате разводка ключей в корпусе TO-220.

    В выходной части собран униполярный выпрямитель со средней точкой, в общем для экономии окна трансформатора советую установить обычный диодный мост, но мощных диодов у меня не было, сборки Шоттки я нашел в ТО- 247 типа MBR 6045, с током 60 Ампер, я их установил, для увеличения тока через выпрямитель подключил параллельно три диода, так что наш выпрямитель легко пропускает токи до 90 Ампер, вполне нормальный вопрос возникает — там 3 диода по 60 Ампер, почему 90? дело в том, что это сборки Шоттки, в одном корпусе 2 диода по 30 ампер, подключенных к общему катоду.Если кто не в курсе, эти диоды из того же семейства, что и выходные диоды в компьютерных блоках питания, только токи у них намного выше.

    Давайте поверхностно рассмотрим принцип работы, хотя, думаю, для многих все так ясно.

    В момент подключения блока к сети 220 Вольт через цепь R1 / R2 / R3 и диодный мост основные входные электролиты С4 / С5 заряжаются плавно, их емкость зависит от мощности блока питания, в идеале Выбрана емкость 1 мкФ на 1 ватт мощности, но возможны некоторые вариации в ту или иную сторону, конденсаторы должны быть рассчитаны на напряжение не менее 400 вольт.

    Питание на генератор импульсов подается через резистор p5. Со временем напряжение на конденсаторах растет, растет и напряжение питания микросхемы ir2153, и как только оно достигает 10-15 Вольт, микросхема запускается и начинает генерировать управляющие импульсы, которые усиливаются драйвером и поступают на затворы полевых транзисторов, последние будут срабатывать на заданной частоте, которая зависит от сопротивления резистора r6 и емкости конденсатора c8.

    Конечно, на вторичных обмотках трансформатора появляется напряжение, и как только оно достигает достаточной величины, открывается составной транзистор КТ973, через открытый переход которого на обмотку реле поступает питание, в результате чего реле сработает и замкнет контакт S1 и сетевое напряжение уже пойдет в цепь не через резисторы R1, R2, R3, а через контакты реле ..

    Это называется системой плавного пуска, точнее задержкой включения, кстати время срабатывания реле можно регулировать подбором конденсатора С20, чем больше емкость, тем дольше задержка.

    Кстати, в момент срабатывания первого реле срабатывает и второе, до его срабатывания один из концов сетевой обмотки трансформатора был подключен к основной силовой массе через резистор R13.

    Теперь устройство работает нормально, и его можно разогнать на полную мощность.
    Слаботочный 12-вольтный выход, помимо питания цепи плавного пуска, может поставлять охладитель для охлаждения цепи.
    Система оснащена функцией защиты от короткого замыкания на выходе. Рассмотрим принцип его работы.

    R11 / R12 как датчик тока, при коротком замыкании или перегрузке на них образуется падение напряжения достаточной величины для размыкания маломощного тиристора Т1, размыкается, замыкает плюсовое питание микросхемы генератора на заземление, поэтому микросхема не получает питающего напряжения и перестает работать.Питание на тиристор подается не напрямую, а через светодиод, последний загорится при разомкнутом тиристоре, что свидетельствует о наличии короткого замыкания.

    В архиве печатная плата немного другая, рассчитана на получение биполярного напряжения, но переделать выходную часть под униполярное, думаю, не составит труда.

    Архив к статье; скачать…
    Вот и все, я как всегда был с тобой — Aka Kasian ,

    Представляю вашему вниманию мощное пусковое устройство для зарядки автомобильных аккумуляторов. напряжением 12 и 24 вольт, а также пусковыми двигателями легковых и грузовых автомобилей с соответствующими напряжениями.

    Принципиальная электрическая схема:


    Источник питания пуско-зарядного устройства — 220 вольт промышленной частоты. Мощность, потребляемая от источника, может составлять от десятков ватт в режиме заряда (когда батареи почти заряжены и имеют напряжение 13,8 — 14,4 вольт или 27,6 — 28,8 вольт для пары, соединенной последовательно) до нескольких киловатт в режиме запуск автомобильного двигателя стартером.

    На входе устройства установлен двухполюсный автоматический выключатель на ток Iном = 25 А.Использование двухполюсного обусловлено надежностью отключения как фазы, так и нуля, так как при подключении через стандартную евровилку (с заземляющим контактом) нет уверенности, что однополюсный автоматический выключатель точно отключится. фазы и тем самым произойдет обесточивание всего устройства в целом. Этот автоматический выключатель (в моем варианте) устанавливается в стандартную коробку для настенного монтажа. Частое включение с помощью этого переключателя не имеет смысла, поэтому не ставил его на лицевую (лицевую) панель.

    Как в режиме «Пуск», так и в режиме «Заряд» силовой трансформатор включается одним и тем же магнитным пускателем КМ1, напряжение катушки которого составляет 220 вольт, а ток, коммутируемый контактами, составляет порядка 20-25 ампер.

    Самой важной частью пускового устройства является силовой трансформатор. Я не буду приводить текущие данные силового трансформатора, потому что не думаю, что все бросятся копировать один в один, скажу только то, на что, по моему мнению, следует обратить внимание.Как уже было отмечено из схемы, трансформатор имеет вторичную обмотку с ответвлением от середины. Здесь в расчетах, а затем на практике необходимо выставить напряжение на выходе устройства (клеммы на аккумуляторах проще, чем у крокодилов) с учетом падения напряжения на диодах (в моем варианте D161 -250) в пределах 13,8-14,4 В для режима 12 В и 27,6-28,8 В для режима 24 В, при токе нагрузки до 30 ампер. Я использовал крокодилов из массы сварочного аппарата, соответственно плюс закрасил в красный цвет.

    Режим 12/24 вольт задается контакторами КМ2, КМ3, силовые контакты которых, рассчитанные на 80 ампер, включены параллельно, что в сумме дает 240 ампер.

    В цепи установлен шунт со стороны 12/24 вольт, а контакты магнитного пускателя режима « Charge ». Этот амперметр должен измерять зарядный ток. Предел шкалы в моей версии 0 … 30 А. Схема замкнута в режиме заряда.

    Отдельно хотелось бы рассказать о « Charge «. Как вы уже заметили, цепи управления током заряда нет, но можно сказать, что он максимальный. Ошибка? Я думаю нет. Обратимся к электрооборудованию среднего автомобиля. Итак, там реле-регулятор регулирует не ток заряда, а … вгоняет генератор в параметры бортовой сети авто, те же 13,8-14,4 вольт соответственно, если правильно намотать трансформатор с учетом падение напряжения на силовых диодах, тогда как эта схема генератора автомобиля, и, поскольку аккумулятор заряжается, ток будет только падать.

    И, не забывайте, в диодном мосту необходимо учитывать, что два диода работают последовательно, то есть падение напряжения нужно умножать на два.

    Из недостатков данной схемы могу выделить только зависимость напряжения сети от тока заряда. Так как мой вариант будет использоваться на СТО, где напряжение в сети мало меняется и его основная задача — запускать грузовики с напряжением 24 вольта, усложнять конструкцию не вижу.Но решением проблемы может быть установка автотрансформатора, через свободные контакты магнитного пускателя КМ4, параллельно КМ1. С уважением, Ажила.

    Автомобилистам и водителям знакома ситуация с запуском машин зимой, особенно если автомобильный аккумулятор не «свежий», а температура на улице далека от плюса.
    Если есть возможность «подключить» сетевое напряжение к автомобилю с помощью удлинителей, или даже лучше, когда автомобиль находится в электрифицированном гараже, в качестве вспомогательного средства предлагается пусковое устройство.

    Недавно возникли проблемы с аккумуляторами и нужно было выяснить, как своевременно и без проблем заводить авто. Для этого понадобилось пусковое устройство.
    Существующие схемные решения оказались сложными и в удаленном от Митинского радиорынка уголке найти необходимые радиоэлементы оказалось проблематично. Поэтому следующий прибор был разработан на радиоэлементах из старой советской бытовой техники, конечно же, трансформаторы и тиристоры от снятой с вооружения военной техники.
    Устройство рассчитано на обслуживание «высококвалифицированных» специалистов, поэтому некоторые элементы в нем, в принципе, лишние. Подобное устройство проработало в ящиках автомобилей более 12 лет, и за это время «операторы» не смогли его сжечь.
    Схема запуска показана ниже.

    Принцип его работы следующий; — при подключении к автомобильному аккумулятору «тихо». После того, как в момент запуска автомобиля напряжение на АКБ становится меньше 10 вольт — тиристоры открываются и питание поступает от сети.Как только двигатель запустится и напряжение на аккумуляторе поднимется выше 10 вольт, он отключается.

    В качестве трансформатора можно использовать любой подходящий, мощностью не менее 500 Вт и сечением проводов вторичной обмотки не менее 2х7 кв. Мм (7 кв. Мм — провод с диаметром 3 мм), либо для выпрямительной мостовой схемы 14 кв. мм с выходным напряжением 15-18 вольт оптимальное напряжение около 18 вольт.
    Не вижу смысла описывать процедуру изготовления трансформатора, нужна конкретная техника, а расчеты на нее уже есть.
    В качестве тиристоров можно использовать любые на ток не менее 80 ампер (Т-15-80, Т15-100, Т-80, Т-125, Т142-80, Т242-80, Т151-80, Т161-125 и др.), или не менее 160 ампер с мостовой выпрямительной схемой (Т15-160 …… Т15-250, Т16-250 ….. Т16-500, Т161-160, Т123-200 … . Т123-320, Т161-160, Т160, Т200 и другие). Диоды в мостовой схеме выпрямителя также должны быть рассчитаны на ток не менее 80 ампер (Д131-80, Д132-80, 2Д131-80,2ДЧ251-80, Д141-100, 2Д141-100, 2Д151-125, В200, V7-200 другое).Ориентируйтесь на торчащий из диода толстый провод (толщиной в палец) или на вторую цифру в обозначении марки диода, как правило, но бывает и первая.
    Вместо диодов КД105 можно использовать любой выпрямитель с током не менее 0,3 А (Д226, Д237, КД209, КД208, КД202, от выпрямителя любого китайского адаптера, даже сетевых адаптеров). Стабилитрон
    D814A можно заменить на любой, но с напряжением стабилизации около 8 вольт, (D808, 2S182, KS182, 2S482A, 2S411A, 2S180).Транзисторы
    , в первой версии вместо КТ3107 использовался КТ361 с h31e более 100, вместо КТ816 подходит КТ814, а еще можно использовать П214, КТ825, КТ973, КТ818. Резисторы (кроме тиристорных) любой мощности. Участки схемы, выделенные на схеме жирными линиями, необходимо выполнять проводниками сечением не менее 10 кв. Мм., По ним будет протекать весь пусковой ток.
    Вот вариант устройства на печатной плате нашего пользователя Serg_K

    Эта схема с указанными номиналами и напряжениями рассчитана на 12-вольтовую аппаратуру, но может быть использована и для 24-вольтовой аппаратуры, для этого нужен трансформатор с выходным напряжением 28-32 В и стабилитрон D814A должен быть заменены на два последовательно включенных D814V или два других с напряжением стабилизации около 10 вольт (D810, D814V, 2S210A, 2S510A, KS510).

    Проверить устройство можно так;

    Подключите к выходу прибора автомобильную лампу, она может быть не очень мощная, например. из габаритов лучше поставить два последовательно или один на 24 вольта.
    Далее подключаете, соблюдая полярность, вместо АКБ к лампе — регулируемый блок питания, желательно без электролитических конденсаторов на выходе.
    Зарядное устройство с тиристорным регулятором в качестве регулируемого блока питания не подходит, так как на выходе выдает регулируемые по длительности импульсы напряжения, но нужно регулировать напряжение по амплитуде.
    Далее включаем блок питания и выставляем напряжение 13в (лампа горит).
    Далее включаем лаунчер — ничего не должно измениться.
    Далее плавно уменьшите напряжение блока питания (свечение лампы уменьшается) и когда напряжение блока питания достигнет примерно 10 вольт (плюс-минус вольт), должен начаться пуск, т.е. резкое накаливание лампы увеличится и на него будет подаваться напряжение от пускового транса — 18 вольт (поэтому лампа лучше на 24V).
    Далее, если снова начать увеличивать напряжение блока питания, то стартовый должен погаснуть (свечение лампы уменьшится).
    Вот и вся настройка.

    Из реальных конструкций трансформатора на 500 ватт хватило для запуска легкового автомобиля, 24-вольтовой версии с мощностью трансформатора 2 кВт можно было бесплатно запустить седельный тягач MANN. Сетевые провода должны иметь сечение не менее 2,5 кв. Мм.
    Вроде все написал.

    Если у вас возникли «недопонимания» по поводу статьи, задавайте вопросы, помогите разобраться и ответьте на ваши вопросы.

    Для автомобилистов разряженный аккумулятор может стать настоящей проблемой. Также следует учитывать, что завести машину зимой довольно сложно. В связи с этим часто возникает необходимость в использовании пускового зарядного устройства. Сегодня многие производители готовы предложить этот товар. Характеристики зарядных устройств совершенно разные. Однако сделать модель такого типа можно совершенно самостоятельно. Для этого необходимо ознакомиться с устройством устройства, а также изучить его основные конфигурации.

    Обычная схема зарядного устройства

    Включает пороговый трансформатор и ряд резисторов. Катушка прибора чаще всего используется на 20 В. Также следует отметить, что в моделях есть демпфер. Он предназначен для резонансных колебаний. Расширители в зарядных устройствах чаще всего устанавливаются динамического типа. Блоки транзисторов используются по-разному. Для подключения модели к аккумулятору используются зажимы, которые по форме могут довольно сильно различаться.

    Устройство на 6 В

    Схема пуско-зарядного устройства данного типа трансформатора предполагает использование порога.Однако первым делом нужно сделать модель прочной. Сделать самому довольно просто. Для этого важно выбрать стальные листы толщиной около 2,3 мм. В этом случае фундамент необходимо дополнительно укрепить. Для этого многие специалисты рекомендуют использовать для строительства фундамент. После этого укладывается трансформатор. В этом случае катушка должна быть рядом с ней. В этом случае лучше всего выбрать низкочастотный демпфер.

    Выходное напряжение должно быть на уровне 5 В.Также следует отметить, что для автомобиля такого типа подходят только динамические расширители. Используются полевые конденсаторы. Для их установки в первую очередь чистятся все контакты. Спаиваются элементы напрямую с помощью паяльной лампы. По окончании работы под аккумулятор подбираются соответствующие фиксаторы.

    Как сделать зарядное устройство на 10 В?

    Сделать такое стартер-зарядное устройство своими руками довольно просто. В этом случае необходимо прежде всего разобраться с корпусом модели.Некоторые делают его из досок. Однако в этой ситуации многое зависит от габаритов трансформатора. Если рассматривать пороговые аналоги, то они много весят. Таким образом, основание устройства должно быть прочным.

    Также важно, чтобы модель была транспортабельной. Для этого вверху необходимо закрепить ручки для переноски устройства. В этом случае лучше установить трансформатор по центру основания. После этого укладывается демпфер. Если рассматривать линейно-резонансные аналоги, то они должны выдерживать минимальное выходное напряжение на уровне 10 В.В этом случае частота вектора должна колебаться около 44 Гц.

    Далее, чтобы собрать устройство этого типа, нужно взять расширитель. Многие в этой ситуации отдают предпочтение безконденсаторным модификациям. Однако в этом случае нагрузка на транзисторы будет довольно большой. Зажимы для автономного пускового устройства целесообразнее подбирать алюминиевого типа. Они практически не подвержены коррозии.

    Модели на 12В

    Пуско-зарядное устройство такого типа можно собрать своими руками, используя электростатические конденсаторы.Сейчас их довольно легко получить. Для этого устройства необходимо сделать платформу в корпусе. Перед установкой трансформатора на него необходимо уложить пломбу. Только тогда можно будет разобраться с индуктором.

    Подбирается чаще всего с первичной обмоткой. В этом случае конденсаторы для модели больше подходят открытого типа. Они способны выдерживать максимальное выходное напряжение на уровне 20 В. Также следует учесть, что расширители в этом случае необходимо устанавливать в последнюю очередь.Перед этим важно закрепить демпфер. В некоторых ситуациях для управления мощностью также используются регуляторы.

    В этом случае требуется хороший источник питания. Также следует отметить, что его можно установить только со стабилитроном. Для того, чтобы закрепить хомуты на устройстве, можно использовать сварочный аппарат. По окончании работ остается только закрепить демпфер устройства. Обычно его устанавливают возле трансформатора. Согласно инструкции перед запуском пуско-зарядное устройство необходимо проверить на заземление.

    Однофазные модификации

    Для изготовления данного типа пуско-зарядного устройства своими руками потребуется встроенный трансформатор. В наши дни эти модификации довольно популярны среди мотоциклистов. В первую очередь, при сборке устройства рекомендуется заранее подготовить все необходимые инструменты. В частности, для самостоятельного изготовления подбирается качественный и вместе с набором ключей. Для пускового и зарядного устройства 12-24В корпус изготавливается из металлических листов толщиной не менее 1.4 мм.

    В этом случае их можно просто скрутить с помощью шурупов. После этого важно поставить на дно корпуса резиновую прокладку. Далее можно будет непосредственно установить трансформатор. Чтобы исправить это, многие специалисты рекомендуют сделать специальную вставку. Это П-образный упор. Для этого нужно взять доски шириной примерно 3,5 см. Чтобы правильно их застегнуть, сначала нужно измерить тело. Следующим шагом будет установка демпфера на пускорегулирующее устройство 12-24В.

    В этом случае можно использовать резонансного типа. Указанный компонент должен выдерживать выходное напряжение на уровне 20 В. Также следует отметить, что конденсаторы для модели покупаются только открытого типа. Они способны поддерживать минимальную частоту около 45 Гц. По окончании работ остается только закрепить блок питания и припаять провода, чтобы закрепить его на аккумуляторе.

    Устройства двухфазные

    Для сборки данного типа пуско-зарядного устройства своими руками потребуется мощный трансформатор.В этом случае катушка должна выдерживать максимальное выходное напряжение на уровне 20 В. Для устройства подходят различные демпферы. В этом случае многое зависит от типа конденсаторов. Некоторые специалисты в этой ситуации предпочитают открытые модификации. Они способны служить довольно много.

    К устройству подходят только встроенные резисторы. Найти их в магазине несложно, но они стоят дорого. Далее для сборки устройства понадобится мощный расширитель.Модификации динамического типа в этом случае не подходят. Индукционные модели считаются более устойчивыми. Чтобы закрепить зажимы, необходимо использовать кабель диаметром около 0,4 мм.

    Трехфазные модели

    В схемах этого типа используются мощные транзисторные блоки. Для того, чтобы установить их, вы должны прежде всего подготовить для них площадку. При этом корпус может быть построен открытого типа без верха. В этом случае автомобильное пускорегулирующее устройство можно перевозить на колесах.Транзисторы в этой ситуации выбираются сетевого типа. Они выдерживают минимальное выходное напряжение около 15 В.

    Частотный параметр этих элементов в среднем не превышает 40 Гц. Трансформатор для модели подбирается порогового типа стандартного. В этом случае катушка должна быть рассчитана на низкие частоты. Выбран резонансный демпфер для автомобильного пускового устройства данного типа. Его необходимо устанавливать только на уплотнитель. Некоторые специалисты дополнительно устанавливают системы индикации для трехфазных модификаций.Они нужны для того, чтобы посмотреть на панель уровень выходного напряжения.

    Применение импульсного трансформатора РР20

    В схемах устройств используются трансформаторы серии РР20, а также демпферы резонансного типа. Конденсаторы для указанной модели подходят только электростатического типа. Начать сборку устройства необходимо с сварки основания. Для этого заготавливаются металлические листы толщиной около 2,2 мм. В этом случае довольно часто используются первичные катушки.

    Для этого подходят самые разные системы отображения. В целом вышеуказанный трансформатор выдерживает выходное напряжение на уровне 15 В. Стабилитроны используются только магнитные. Алюминиевые хомуты с успехом можно использовать в качестве фиксаторов. У них неплохая проводимость, но они различаются по форме. В этом случае лучше отдать предпочтение малогабаритным модификациям.

    Применение трансформаторов PP22

    Трансформаторы типа PP22 сегодня очень распространены.Катушки в этом случае используются с медной обмоткой. Плотность их довольно высока, и они способны служить долго. Однако недостатки у таких устройств все же есть. В первую очередь следует отметить, что модели с этим трансформатором страдают повышенным выходным напряжением. Таким образом, резкие скачки напряжения в сети могут привести к полному перегреву конденсаторов.

    Также часто выходят из строя резисторы. Если в приборе установлена ​​система индикации, то от перенапряжения диоды перегорают.Необходимо только установить трансформаторы на модели с уплотнениями. При этом тумблер для них подходит для серии P2. В свою очередь, индикаторы часто используются в классе IN3.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *