Маркировка полевых транзисторов: Маркировка транзисторов — системы обозначений

Полевой транзистор — презентация онлайн

Похожие презентации:

3D печать и 3D принтер

Видеокарта. Виды видеокарт

Анализ компании Apple

Трансформаторы тока и напряжения

Транзисторы

Устройство стиральной машины LG. Электрика

Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)

Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок

Магнитные пускатели и контакторы

Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)

1. Полевой транзистор

В полевых транзисторах используют
эффект воздействия поперечного
электрического поля на проводимость
канала, по которому движутся носители
электрического заряда.
Полевые транзисторы изготавливают
двух типов:
— с затвором в виде p-n-перехода;
— с изолированным затвором.

3. Устройство полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода

4. Принцип действия полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода

Принцип действия полевого транзистора с p-nзатвором основан на изменении ширины
обедненного слоя при изменении обратного
напряжения p-n-перехода. С увеличением
напряжения на затворе ширина обедненного слоя
увеличивается, а поперечное сечение канала и,
соответственно, его проводимость уменьшается.
Максимальный ток стока и максимальное
напряжение Uвых будет при нулевом напряжении на
затворе.
Ток стока становится равным нулю при напряжении
отсечки Uо.

5. Схематическое изображение полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода.

Схематическое изображение полевого
транзистора с затвором в виде p-nперехода.

6. Выходная ( стоковая ) характеристика полевого транзистора с затвором в виде p-n- перехода: Ic=f(Uc)

Ic
Uc

7. Полевой транзистор с изолированным затвором

• Полевой транзистор с изолированным
затвором чаще называют
транзистором МДП- типа.
М- металл
Д- диэлектрик
П- полупроводник

8. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором

1-исток
2-затвор
3-сток
4-металл
5-диэлектрик
6-канал n-типа
7полупроводник
р-типа

9.

Принцип действия полевого транзистора с изолированным затворомПри подаче на затвор положительного
напряжения электроны вытягиваются из
основной пластины и скапливаются под
изолирующей пластинкой. При определенной
разности потенциалов концентрация
электронов под диэлектриком превысит
концентрацию дырок и области n будут
соединены проводящим электронным
каналом.
При отрицательной полярности напряжения на
затворе на металлической поверхности его
образуется скопление зарядов отрицательного знака,
а у прилегающей к диэлектрику поверхности канала
образуется обедненный слой, как результат ухода из
него свободных электронов.
При этом проводимость канала уменьшается, что
приводит к уменьшению тока стока.
Такой режим работы транзистора называют режимом
обеднения.
При положительной полярности напряжения на
затворе режим называют режимом обогащения.

11. Схематическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором

12.

Стоковая характеристика полевого транзистора с изолированным затворомIc
Uз>0
Uз=0
Uз<0
Uc

13. Основные характеристики полевых транзисторов

1. Крутизна характеристик S равна отношению изменения тока
стока ∆Iст к изменению напряжения на затворе ∆Uз при
постоянном напряжении на стоке.
S=∆Icт/∆Uз при Uст=const
2. Внутреннее сопротивление ( выходное сопротивление ) Ri
равно отношению изменения напряжения на стоке ∆Uст к
изменению тока на стоке ∆Iст при постоянном напряжении на
затворе.
Ri=∆Uст/∆Iст при Uз=const
3. Коэффициент усиления μ показывает во сколько раз сильнее
влияет на ток стока изменение напряжения на затворе ∆Uз, чем
изменение напряжения на стоке ∆Uс.
μ=∆Uc/∆Uз при Iс=const или μ=S∙Ri
4. Входное сопротивление Rвх между затвором и истоком
определяется при максимально допустимом напряжении между
этими электродами.
Rвх=∆Uз max/∆Iз max
• 5. Напряжение отсечки Uз отс- обратное напряжение на затворе
при котором токопроводящий канал окажется перекрытым.

15. Маркировка транзисторов:

Состоит из 4 элементов:
• 1- буква или цифра обозначающая материал базы транзистора.
• 2- буква, указывающая класс прибора:
Т- биполярный транзистор
П- полевой транзистор.
• 3- трехзначное число, показывает диапазон частот и мощность прибора:
Частота, МГц
Мощность рассеяния, Вт
Малая
Р<0,3
Средняя
Р<1,5
Большая
Р>1,5
Низкая f<3
101-199
401-499
701-799
Средняя 3<f<30
201-299
501-599
801-899
Высокая 30<f<300
301-399
601-699
901-999
• 4- буква от А до Я- определяет производственную разновидность
прибора.
• КТ324А-кремневый биполярный
транзистор, высокочастотный, малой
мощности.
• 1Т806Б-?
• КП102Е-?
• ГТ703Б-?
• КП350А-?
• КП201В-?

English     Русский Правила

Маркировка транзисторов

КП302А

ГТ308В

особенность в данной группе (n—p по U_обр, коэф. передачи тока и т. д.)

номер разработки

диапазон осн. параметров (мощность, частоты и т. д.)

биполярный

материал

• Г, К, А – материал: германий, кремний, арсенид галлия;

• П – полевой, Т – биполярный;

• цифра, указывающая диапазон основных параметров;

• номер разработки;

• буква, указывающая на особенность в данной группе.

Схемы включения пт и их особенности

Полевые транзисторы по аналогии с биполярными имеют три схемы включения: с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).

с

Схема с ОИ (рисунок 1.46).

E₂

E₁

R_н

~

+

+

—

—

и

з

Рисунок 1.

46 – Схема с ОИ

Схема с ОИ аналогична схеме с ОЭ. Каскад с ОИ дает очень большое усиление по току и по мощности и так же как схема с ОЭ переворачивает фазу напряжения при усилении.

Схема с ОЗ (рисунок 1.47).

+

+

—

—

E₂

E₁

R_н

с

и

з

~

Рисунок 1.47 – Схема с ОЗ

Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления по току, поэтому усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ.

R_{вх.мало}, т. к. входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не переворачивается, так же как в схеме с ОБ.

с

Схема с ОС (рисунок 1. 48).

—

—

+

+

E₂

E₁

R_н

и

з

~

Рисунок 1.48 – Схема с ОС

Каскад по схеме с ОС подобен схеме с ОК или эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем с К_и ≈ 1 вых. напряжение по значению и фазе повторяет выходное. Для такого каскада характерны небольшое выходное сопротивление и повышенное входное.

Преимущества полевых транзисторов перед биполярными

• ПТ являются более температуростабильными, т. к. в ПТ I

  с вызван перемещением основных носителей заряда, концентрация которых определяется в основном количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры.

• ПТ обладает высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения.

Недостатком ПТ является сравнительно невысокая крутизна, т. е. меньшее быстродействие, чем у БТ.

1.8 Тиристоры

Тиристор – это четырехслойный полупроводник переключающий прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: низкой проводимости (тиристор закрытый) и состоянием высокой проводимости (тиристор открытый). Основными типами являются диодные тиристоры и триодные тиристоры.

Диодный тиристор

Он имеет три p-n-перехода, причем два из них П1 и П3 работают в прямом направлении, а средний П2 в обратном направлении. Крайнюю область

р- называют анодом, а крайнюю область n-катодом. Тиристор можно представить в виде эквивалентной схемы, состоящей из двух транзисторов Т1 n-p-n-типа, и Т2 p-n-p-типа, соединенных между собой. Получается, что переходы П1 и П3 являются эмиттерными переходами этих транзисторов, а переход П2 в обоих транзисторах работает как коллекторный переход.

Область базы Б1 транзистора Т1 одновременно является коллекторной областью К2 Т2, а база Б2 транзистора Т2 одновременно служит коллекторной областью К1 транзистора Т1 (рисунок 1.49). Соответственно этому коллекторный ток i_к1 = i_б2, а i_к2 = i_б1. Обычно тиристоры делают из Li, концентрация примеси в базовых областях (средних областях) значительно меньше, чем в эмиттерных (крайних областях).

i = i_э2

i = i_э2

i_k0

Т1

К1

Б1

Т2

К2

Б2

Э2

Э2

Б2 (К1)

Б1 (К2)

Э1

Э1

К

П1

П1

П3

П2

П2

П2

П3

i_k1 = i_б2

i_б1 = i_k2

p

p

p

p

p

n

n

n

n

n

E

A

i = i_э1

i = i_э1

R_н

R_н

Рисунок 1. 49 – Структура и эквивалентная схема тиристора

I_пр, mA

Рассмотрим ВАХ тиристора (рисунок 1.50).

В

А

Б

5

10

U_пр, В

U_вкл

U_откр

I_вкл

I_уд

I_mах

Рисунок 1.50 – ВАХ тиристора

При увеличении U_пр, ток невелик и растет медленно, что соответствует участку ОА. В этом режиме тиристор можно считать закрытым. На сопротивление коллекторного перехода П2 влияют два взаимно противоположных процесса. С одной стороны, повышение обратного напряжения на этом переходе увеличивает его сопротивление т. к. под влиянием обратного процесса основные носители уходят в разные стороны от границы, т. е. переход П2 все больше основными носителями. Но, с другой стороны, повышение прямых напряжений на эмиттерных переходах П1 и П3 усиливает инжекцию носителей, которые переходят к переходу П2, обогащают его и уменьшают его сопротивление. До точки А при котором напряжение (десятки или сотни вольт), называемом напряжением включения

U_вкл, влияние обоих процессов уравновешивается, а затем даже очень малое повышение подводимого напряжения создает перевес второго процесса и сопротивление перехода П2 начинает уменьшаться. Тогда возникает лавинообразный процесс быстрого отпирания тиристора. Этот процесс объясняется следующим образом.

Ток резко возрастает (это участок АБ на характеристике), т. к. увеличивается напряжение на П1 и П3 уменьшает сопротивление на П2 и напряжение на нем, за счет чего еще больше возрастают напряжения на П1 и П2, а это, в свою очередь, приводит к еще большему возрастанию тока, уменьшению сопротивления П2 и т. д. в результате такого процесса устанавливается режим, напоминающий режим насыщения транзистора большой ток при малом напряжении (участок БВ).

Ток в этом режиме, когда тиристор открыт, определяется главным образом сопротивлением нагрузки R_н, включенным последовательно с тиристором. За счет возникшего большого тока почти все напряжение источника питания падает на нагрузке R_н.

В открытом состоянии из-за накопления больших зарядов около П2 напряжение на нем прямое, что как известно, характерно для коллекторного перехода в режиме насыщения. Поэтому полное напряжение на тиристоре складывается из трех небольших прямых напряжений на переходе и четырех так же небольших падений напряжения в n- и р- областях. Т. к. каждое из этих напряжений составляет доли вольта, то общее напряжение на открытом тиристоре обычно не превышает нескольких вольт и, следовательно, тиристор в этом состоянии имеет малое сопротивление.

Диодный тиристор характеризуется следующими параметрами:

• I_max – максимальное значение прямого тока (т. В), при котором на приборе будет небольшое напряжение U_откр;

• I_уд – ток удерживания (т. Б), который возникает при резком уменьшении прямого тока, при этом напряжение резко возрастает, т. е. тиристор переходит скачком обратно в закрытое состояние, соответствующее участку ОА;

• t_вкл и t_выкл – время выключения и время включения тиристора t_вкл обычно не более единиц микросекунд t_выкл, связанное с рекомбинацией носителей доходит до десятков микросекунд. Поэтому тиристоры могут работать только на правильно низких частотах;

• Собщ. – общая емкость, которая складывается из емкостей всех p-n-переходов;

• U_обр.max – обратное максимальное напряжение.

UnitedSiC Домашняя страница UnitedSiC

Qorvo Design Summit 2022

Серия технических вебинаров с экспертами по энергетике теперь доступна по запросу

Характеристики SiC FET на 750 В 6 мОм при коротком замыкании

Узнайте, что определяет время выдерживания короткого замыкания и почему это так важно.

Смотреть видео

Семь выводов для семи новых полевых транзисторов SiC

Новые области применения и стандарты производительности, достигнутые с полевыми транзисторами SiC в D2PAK-7L

Читать больше

Обеспечение КПД 99,3 % в 3,6 кВт Totem-pole PFC

Узнайте, как спроектировать простой высокоэффективный Totem-pole PFC

Учить больше

Просмотреть все

Видео

Открытие новых горизонтов в инверторах и защите цепей

Узнайте, как устройства SiC обеспечивают новый уровень производительности приложений в инверторах и полупроводниковых автоматических выключателях.

Смотреть сейчас

Видео

Различные варианты SiC FET обеспечивают большую гибкость конструкции

Узнайте о производительности, стоимости и тепловых характеристиках семейства SiC FET 750 В Gen 4 в безмостовой схеме коррекции мощности с тотемным полюсом.

Смотреть сейчас

Видео

Представляем лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC 6 мОм 750 В Gen 4

Узнайте, как новые полевые транзисторы SiC 750 В обеспечивают лучшую в отрасли производительность и максимальную гибкость конструкции

Смотреть сейчас

«UnitedSiC идеально подходил для нашей архитектуры выходного каскада».

Андре Уиллис

технический директор, предварительный переключатель

Больше опций SiC FET означает большую гибкость для экономичных решений

При разработке силового преобразователя необходимо найти компромисс между многими параметрами. UnitedSiC упрощает оценку благодаря калькулятору FET-JET и широкому ассортименту деталей.

Узнать больше

Замена механических автоматических выключателей на полевые транзисторы SiC

Механические автоматические выключатели имеют малые потери, но также работают медленно и изнашиваются. Твердотельные решения с SiC FET решают эти проблемы с потерями, которые должны уменьшиться.

Узнать больше

Эффективность рекуперации энергии становится реальным отличием

Импульс электромобилей достиг критической точки, трудно представить себе будущее, в котором электромобили не будут занимать значительное место на наших дорогах. Это сильно меняет не только наши покупательские предпочтения и привычки вождения, но и то, как мы думаем о мобильности.

Узнать больше

Будьте в курсе

Подпишитесь на наш ежеквартальный информационный бюллетень и получайте важную техническую информацию обо всех новых продуктах, заметки о приложениях, официальные документы и блоги.

fet%20marking%20code%20g5d спецификация и примечания по применению

MFG и тип ПДФ Теги документов

2007 — 12В 10А БДЖТ

Резюме: коммутация постоянного тока 60 В 10 А FET 99 мВ LM3495 MTC16 TSSOP-16 500 fet мощность n fet 22VIO
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM3495 200 кГц ЦСОП-16 DS201699-06-JP 12В 10А БДЖТ Переключение постоянного тока 60 В 10 А FET 99 мВ LM3495 МТС16 ЦСОП-16 500 футов мощность н фет 22VIO

2007 — КАК 1628

Реферат: преобразователь постоянного тока 12v 5a LM5116 AN-1628 F.E.T PWM схематический понижающий преобразователь
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM5116 Ан-1628 AN300191-01-JP АС 1628 преобразователь постоянного тока 12v 5a LM5116 Ан-1628 Ф. Э.Т. ШИМ-схема понижающего преобразователя

футов до 92

Реферат: ПЧ МОП полевой транзистор SSM3J13T SSM3J16FU ssm3k14t транзистор ЭСМ 2SK1830 2SK2035 2SK2825 SSM3J15TE
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF SSM3K03TE ССМ3К16ТЕ ССМ3К15ТЕ SSM3J16TE SSM3J15TE SSM3K03FE SSM3K04FE 2SK1830 2SK2825 2SK2035 фет до 92 Пч МОП-транзистор SSM3J13T SSM3J16FU ссм3к14т транзистор ЭСМ SSM3J15TE

2004 — цепь демультиплексора 1-8

Реферат: CBTD1G125 CBTD16210 CBT1G384 демультиплексор CBTD3306
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF СВТ1G125 СВТ1G384 CBTD1G125 CBTD1G384 СВТ3306 CBTD3306 CBTS3306 СВТ3125 СВТ3126 СВТ3244 схема демультиплексора 1-8 CBTD16210 демультиплексор org/Product»>

2009 — PA1005

Резюме: PA1005.100NL SER2013-362ML sir472 LM5020 35SVPD47M SiR468DP SiR472DP 42CTQ030S LM25037
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM5112 LM25037 LM5020 PA1005 ПА1005.100НЛ СЕР2013-362МЛ сэр472 LM5020 35СВПД47М SiR468DP SiR472DP 42CTQ030S LM25037

2007 — LM3495

Реферат: МТК16 ЦСОП-16
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM3495 200 кГц ЦСОП-16 DS201699-06-JP LM3495 МТС16 ЦСОП-16

2007 — Ан-1628

Резюме: маркировка полевого транзистора AN1628 GH MOSFET LM5116 F.E.T FET применение MARK LS
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF Ан-1628 LM5116DC/DC 12вин1 570259-005-ДжП Ан-1628 метка АН1628 GH МОП-транзистор LM5116 Ф. Э.Т. приложение полевого транзистора МАРК Л.С.

ic lm2637

Резюме: vrm ic SCR pwm FZ 98 1500 6,3 В fz 7a 1500 6,3 В 12 В 20A С FET 6MV1500GX LM2635 LM2637 M24B
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM2637 LM2637 50 кГц 24 отведения LM2637M ic lm2637 врм ic SCR ШИМ ФЗ 98 1500 6.3В фз 7а 1500 6.3в 12v 20A с полевым транзистором 6MV1500GX LM2635 М24Б

ИРФ9210

Резюме: Дарлингтон NPN 600V 8a транзистор fet 10a 600v Darlington NPN 600V 12a транзистор транзистор IRF9640 N-CH POWER MOSFET TO-92 600v 12A TO220F NPN транзистор 600V 5A TO-220 транзистор irf620 КШ217-1
Текст: Нет доступного текста файла

OCR-сканирование PDF 2Н3904 2Н3906 2Н4401 2Н4403 2Н5087 2Н5088 2Н5551 2Н6515 КСП06 КСП10 IRF9210 Транзистор Дарлингтона NPN 600V 8a фэт 10а 600в Дарлингтон NPN 600V 12a транзистор транзистор IRF9640 N-CH МОЩНЫЙ МОП-транзистор TO-92 600В 12А ТО220Ф Транзистор NPN 600В 5А ТО-220 транзистор irf620 КШ217-1 org/Product»>

2007 — SOT23 ПМОП

Реферат: AN-1299 LM1770 MA05B MF05A SP SOT23-5 tr fet 2A 1299 mosfet SOT23-6 NMOS SOT23-6 PMOS
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF ЛМ1770 ЛМ1770 ОТ-23 100 кГц DS201662-03-JP дс201662 SOT23 ПМОС Ан-1299 MA05B MF05A СП СОТ23-5 тр фет 2А 1299 мосфет SOT23-6 НМОП SOT23-6 ПМОП

2007 — Ан-1149

Реферат: Ан-1229 LM2642 LM2642MTC
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM2642 DS200462-09-JP 20 мКо В/100 мА 80 кГцRc1 40 дБ/дек Ан-1149 Ан-1229 LM2642 LM2642MTC

фут 30 ф 124

Реферат: fpg 12v 400E 6100B LP2975 MUA08A NDP6020P NDT452P Fet до 220 ECA-1AFQ181
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LP2975 LP2975 12V5V3 МУА08А DS10003 ф 30 ф 124 фпг 12v 400Э 6100Б МУА08А НДП6020П НДТ452П фет до 220 ЭКА-1AFQ181 org/Product»>

2007 — 1628

Реферат: LM5116 AN-1628 FET
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM5116 Ан-1628 ЦСП-9-111С2 ЦСП-9-111С2ЦСП-9-111С2″ 1628 Ан-1628 Ф.Э.Т.

2004 — принципиальная схема ИБП Power Tree

Резюме: схема перекрестных ссылок транзисторов UPS fet SN74CB3Q16233 FET Transistor Guide принципиальная схема док-станции для ноутбука 1 на 12 схема демультиплексора FST3253 эквивалентная книга данных fet скачать бесплатно принципиальную схему онлайн ИБП
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF 32-битный А070804 SCDB006A принципиальная схема ИБП Power Tree перекрестная ссылка на транзистор принципиальная схема ИБП fe СН74КБ3К16233 Руководство по полевым транзисторам схема док станции для ноутбука Схема демультиплексора 1 на 12 Эквивалент FST3253 фет дата книга скачать бесплатно принципиальная схема онлайн ИБП org/Product»>

лм1777

Реферат: Ан-1299 LM1770 MA05B MF05A SOT23 PMOS SOT23 NMOS 150 футов
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF ЛМ1770 ЛМ1770 ОТ-23 100 кГц DS201662-03-JP дс201662 lm1777 Ан-1299 MA05B MF05A SOT23 ПМОС SOT23 NMOS 150 футов

ммик

Аннотация: Смещение постоянного тока полевого транзистора Смещение постоянного тока цифрового переключателя SPST на полевых транзисторах gaas
Текст: Нет доступного текста файла

OCR-сканирование PDF

м2222а

Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS
Текст: Нет доступного текста файла

OCR-сканирование PDF БА582 ОД123 БА482 BA682 BA683 БА483 БАЛ74 БАВ62, 1Н4148 pm2222a SOD80C ФИЛИПС BCB47B 1N4148 СОД80С ПМБТА64 PXTA14 BF960 полевой транзистор BFW11 BF345C BC558B ФИЛИПС org/Product»>

2008 — JESD22-A114

Аннотация: LM3150 RJK0305DPB ET-24
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF ЛМ3150 ЛМ3150 ДС300531-04-ДжП Ан-1900 14 отведений ДЖЭСД22-А114 РДЖК0305ДПБ ЭТ-24

фут 30 ф 124

Резюме: ECA1AFQ181 fpg 12v FZ 75 конденсатор FZ 77 1000 ECA-1AFQ181 6100B mosfet Маркировка SA s ECA1EFQ181 400E
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LP2975 LP2975 12V5V3 МУА08А DS100034-06-JP ф 30 ф 124 ECA1AFQ181 фпг 12v Конденсатор ФЗ 75 ФЗ 77 1000 ЭКА-1AFQ181 6100Б MOSFET Маркировка SA s ECA1EFQ181 400Э

2ск170 ФЭТ

Реферат: Полевой транзистор Junction-FET to92 2SK364 2SK118 2sk117 2SJ74 2sk879 2sj105 2SJ14
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF 2СК246 2SJ103 2СК117 2SK362 2SK363 2SK364 2SJ104 2СК30АТМ 2СК170 2SJ74 2ск170 ФЭТ Соединение-FET фет до 92 2СК118 2SJ74 2sk879 2сж105 2SJ14 org/Product»>

ВЧ аттенюатор soic

Реферат: Смещение постоянного тока полевого транзистора 2-ваттный полевой транзистор Смещение постоянного тока полевого транзистора gaas GHz Power FET
Текст: Нет доступного текста файла

OCR-сканирование PDF

2007 — LM2642

Реферат: Ан-1149 Ан-1229 LM2642MTC
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM2642 DS200462-09-JP 20 мКо В/100 мА 80 кГцRc1 40 дБ/дек LM2642 Ан-1149 Ан-1229 LM2642MTC

2006 — Ан-1299

Резюме: LM1771 MUA08A SDE06A
Текст: Нет доступного текста файла

Оригинал PDF LM1771 дс201890 100 кГц DS201890-03-JP Ан-1299 LM1771 МУА08А SDE06A