Какие существуют основные системы маркировки полевых транзисторов. Как расшифровать маркировку отечественных и зарубежных полевых транзисторов. Какие параметры указываются в маркировке. На что обратить внимание при подборе полевых транзисторов по маркировке.
Основные системы маркировки полевых транзисторов
Маркировка полевых транзисторов представляет собой систему условных обозначений, которая позволяет идентифицировать тип прибора и его основные характеристики. Существует несколько систем маркировки полевых транзисторов:
- Отечественная система маркировки
- Европейская система Pro Electron
- Американская система JEDEC
- Японская система JIS
- Фирменные системы маркировки производителей
Каждая из этих систем имеет свои особенности и правила формирования маркировки. Рассмотрим их подробнее.
Отечественная система маркировки полевых транзисторов
В отечественной системе маркировка полевого транзистора состоит из четырех элементов:
- Буква, обозначающая материал канала (К — кремний, Г — германий, А — арсенид галлия)
- Буква П, указывающая на то, что это полевой транзистор
- Трехзначное число, определяющее подгруппу прибора
- Буква, обозначающая разновидность прибора в подгруппе
Например, маркировка КП303А означает:
- К — кремниевый транзистор
- П — полевой
- 303 — номер подгруппы
- А — разновидность прибора
Трехзначное число в маркировке отечественных полевых транзисторов несет определенную информацию:
- 101-199 — транзисторы с p-n переходом
- 201-299 — МОП-транзисторы с индуцированным каналом
- 301-399 — МОП-транзисторы со встроенным каналом
- 401-499 — полевые транзисторы с переходом металл-полупроводник
Европейская система маркировки Pro Electron
Система Pro Electron использует буквенно-цифровую маркировку, состоящую из следующих элементов:
- Первая буква — материал полупроводника (A — германий, B — кремний, R — соединение)
- Вторая буква — область применения (F — маломощные высокочастотные, L — мощные высокочастотные и т.д.)
- Серийный номер (от 100 до 999)
- Буквенный суффикс (необязательный элемент)
Для полевых транзисторов используются следующие обозначения:
- BF — маломощные кремниевые ВЧ транзисторы
- BFR — кремниевые МОП-транзисторы
- BS — кремниевые переключающие транзисторы
Например, маркировка BF245 означает кремниевый маломощный ВЧ полевой транзистор.
Американская система маркировки JEDEC
Система JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) использует следующую структуру маркировки:
- Цифра (2 — биполярные транзисторы, 3 — полевые транзисторы)
- Буква N (транзисторы)
- Серийный номер (от 100 до 9999)
- Буквенный суффикс (необязательный элемент)
Для полевых транзисторов используется префикс 3N. Например, маркировка 3N201 обозначает полевой транзистор.
Японская система маркировки JIS
Японская промышленная система (JIS) использует двухбуквенный префикс и четырехзначный номер:
- 2S — биполярные транзисторы
- 2SK — полевые транзисторы с n-каналом
- 2SJ — полевые транзисторы с p-каналом
Например, маркировка 2SK30 обозначает полевой транзистор с n-каналом.
Фирменные системы маркировки производителей
Многие производители полупроводниковых приборов используют собственные системы маркировки. Например:
- IRF — International Rectifier
- FQP — Fairchild Semiconductor
- SI — Vishay Siliconix
Маркировка таких транзисторов обычно включает буквенный префикс производителя и цифровой код, обозначающий конкретную модель.
Расшифровка маркировки полевых транзисторов
Для правильной расшифровки маркировки полевого транзистора необходимо определить, к какой системе маркировки она относится. После этого можно выделить основные элементы маркировки и определить их значение.
Рассмотрим несколько примеров расшифровки маркировки:
Отечественная маркировка
КП501А:
- К — кремниевый транзистор
- П — полевой
- 501 — номер подгруппы (МОП-транзистор с индуцированным каналом)
- А — разновидность прибора
Европейская маркировка Pro Electron
BF256:
- B — кремниевый транзистор
- F — маломощный высокочастотный
- 256 — серийный номер
Американская маркировка JEDEC
3N211:
- 3 — полевой транзистор
- N — транзистор
- 211 — серийный номер
Японская маркировка JIS
2SK30:
- 2S — транзистор
- K — полевой транзистор с n-каналом
- 30 — серийный номер
Параметры, указываемые в маркировке полевых транзисторов
Маркировка полевых транзисторов может содержать информацию о следующих параметрах:
- Тип проводимости канала (n-канал или p-канал)
- Тип затвора (с изолированным затвором или с p-n переходом)
- Максимальное напряжение сток-исток
- Максимальный ток стока
- Максимальная рассеиваемая мощность
- Сопротивление канала в открытом состоянии
- Пороговое напряжение
- Входная емкость
- Крутизна характеристики
Однако не все эти параметры могут быть отражены в маркировке. Для получения полной информации о характеристиках транзистора необходимо обращаться к техническим спецификациям (datasheet).
Особенности маркировки МОП-транзисторов
МОП-транзисторы (MOSFET) имеют некоторые особенности в маркировке:
- Буква N или P в маркировке может указывать на тип проводимости канала (n-канал или p-канал)
- Буквы IR в начале маркировки часто обозначают МОП-транзисторы с изолированным затвором
- Цифры в маркировке могут отражать максимальное напряжение сток-исток и максимальный ток стока
Например, маркировка IRF540N может быть расшифрована следующим образом:
- IR — МОП-транзистор с изолированным затвором
- F — транзистор в корпусе TO-220
- 540 — код модели
- N — n-канальный транзистор
Маркировка полевых транзисторов с p-n переходом
Полевые транзисторы с p-n переходом (JFET) имеют свои особенности маркировки:
- В отечественной системе они обычно имеют номера подгрупп от 101 до 199
- В зарубежных системах могут использоваться префиксы J или PN
Например, маркировка 2N5457 обозначает полевой транзистор с p-n переходом по системе JEDEC.
Цветовая маркировка полевых транзисторов
Некоторые производители используют цветовую маркировку для обозначения параметров полевых транзисторов. Например:
- Зеленый цвет может обозначать низковольтные транзисторы
- Синий цвет — транзисторы средней мощности
- Красный цвет — высоковольтные транзисторы
Однако цветовая маркировка не является стандартизированной и может отличаться у разных производителей.
Особенности маркировки SMD-компонентов
Полевые транзисторы в корпусах для поверхностного монтажа (SMD) часто имеют сокращенную маркировку из-за ограниченного пространства на корпусе. В таких случаях используются:
- Буквенно-цифровые коды
- Специальные символы
- Цветовая маркировка
Для расшифровки маркировки SMD-компонентов часто требуется обращаться к специальным справочникам или документации производителя.
Как подобрать полевой транзистор по маркировке
При подборе полевого транзистора по маркировке следует учитывать следующие факторы:
- Определить систему маркировки
- Расшифровать основные элементы маркировки
- Определить ключевые параметры транзистора
- Сравнить параметры с требованиями схемы
- Проверить наличие аналогов или заменителей
Важно помнить, что маркировка дает лишь общее представление о характеристиках транзистора. Для точного подбора необходимо обращаться к техническим спецификациям и проводить дополнительные расчеты.
Проблемы и ошибки при расшифровке маркировки
При работе с маркировкой полевых транзисторов могут возникнуть следующие проблемы:
- Сходство маркировки разных производителей
- Использование нестандартных систем маркировки
- Ошибки в маркировке из-за производственных дефектов
- Устаревшие или редкие компоненты с неизвестной маркировкой
Для минимизации ошибок рекомендуется:
- Использовать несколько источников информации для проверки
- Обращаться к официальной документации производителя
- Проводить измерения параметров транзистора для подтверждения его характеристик
Современные тенденции в маркировке полевых транзисторов
В современной электронике наблюдаются следующие тенденции в маркировке полевых транзисторов:
Полевой транзистор — презентация онлайн
Похожие презентации:
3D печать и 3D принтер
Видеокарта. Виды видеокарт
Анализ компании Apple
Трансформаторы тока и напряжения
Транзисторы
Устройство стиральной машины LG. Электрика
Конструкции распределительных устройств. (Лекция 15)
Электробезопасность. Правила технической эксплуатации электроустановок
Магнитные пускатели и контакторы
Работа на радиостанциях КВ и УКВ диапазонов. Антенны военных радиостанций. (Тема 5.1)
1. Полевой транзистор
В полевых транзисторах используютэффект воздействия поперечного
электрического поля на проводимость
канала, по которому движутся носители
электрического заряда.
Полевые транзисторы изготавливают
двух типов:
— с затвором в виде p-n-перехода;
— с изолированным затвором.
3. Устройство полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода
4. Принцип действия полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода
Принцип действия полевого транзистора с p-nзатвором основан на изменении шириныобедненного слоя при изменении обратного
напряжения p-n-перехода.
С увеличениемнапряжения на затворе ширина обедненного слоя
увеличивается, а поперечное сечение канала и,
соответственно, его проводимость уменьшается.
Максимальный ток стока и максимальное
напряжение Uвых будет при нулевом напряжении на
затворе.
Ток стока становится равным нулю при напряжении
отсечки Uо.
5. Схематическое изображение полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода.
Схематическое изображение полевоготранзистора с затвором в виде p-nперехода.
6. Выходная ( стоковая ) характеристика полевого транзистора с затвором в виде p-n- перехода: Ic=f(Uc)
IcUc
7. Полевой транзистор с изолированным затвором
• Полевой транзистор с изолированнымзатвором чаще называют
транзистором МДП- типа.
М- металл
Д- диэлектрик
П- полупроводник
8. Устройство полевого транзистора с изолированным затвором
1-исток2-затвор
3-сток
4-металл
5-диэлектрик
6-канал n-типа
7полупроводник
р-типа
9.
Принцип действия полевого транзистора с изолированным затворомПри подаче на затвор положительногонапряжения электроны вытягиваются из
основной пластины и скапливаются под
изолирующей пластинкой. При определенной
разности потенциалов концентрация
электронов под диэлектриком превысит
концентрацию дырок и области n будут
соединены проводящим электронным
каналом.
При отрицательной полярности напряжения на
затворе на металлической поверхности его
образуется скопление зарядов отрицательного знака,
а у прилегающей к диэлектрику поверхности канала
образуется обедненный слой, как результат ухода из
него свободных электронов.
При этом проводимость канала уменьшается, что
приводит к уменьшению тока стока.
Такой режим работы транзистора называют режимом
обеднения.
При положительной полярности напряжения на
затворе режим называют режимом обогащения.
11. Схематическое изображение полевого транзистора с изолированным затвором
12.
Стоковая характеристика полевого транзистора с изолированным затворомIcUз>0
Uз=0
Uз<0
Uc
13. Основные характеристики полевых транзисторов
1. Крутизна характеристик S равна отношению изменения токастока ∆Iст к изменению напряжения на затворе ∆Uз при
постоянном напряжении на стоке.
S=∆Icт/∆Uз при Uст=const
2. Внутреннее сопротивление ( выходное сопротивление ) Ri
равно отношению изменения напряжения на стоке ∆Uст к
изменению тока на стоке ∆Iст при постоянном напряжении на
затворе.
Ri=∆Uст/∆Iст при Uз=const
3. Коэффициент усиления μ показывает во сколько раз сильнее
влияет на ток стока изменение напряжения на затворе ∆Uз, чем
изменение напряжения на стоке ∆Uс.
μ=∆Uc/∆Uз при Iс=const или μ=S∙Ri
4. Входное сопротивление Rвх между затвором и истоком
определяется при максимально допустимом напряжении между
этими электродами.
Rвх=∆Uз max/∆Iз max
• 5. Напряжение отсечки Uз отс- обратное напряжение на затворе
при котором токопроводящий канал окажется перекрытым.
15. Маркировка транзисторов:
Состоит из 4 элементов:• 1- буква или цифра обозначающая материал базы транзистора.
• 2- буква, указывающая класс прибора:
Т- биполярный транзистор
П- полевой транзистор.
• 3- трехзначное число, показывает диапазон частот и мощность прибора:
Частота, МГц
Мощность рассеяния, Вт
Малая
Р<0,3
Средняя
Р<1,5
Большая
Р>1,5
Низкая f<3
101-199
401-499
701-799
Средняя 3<f<30
201-299
501-599
801-899
Высокая 30<f<300
301-399
601-699
901-999
• 4- буква от А до Я- определяет производственную разновидность
прибора.
• КТ324А-кремневый биполярный
транзистор, высокочастотный, малой
мощности.
• 1Т806Б-?
• КП102Е-?
• ГТ703Б-?
• КП350А-?
• КП201В-?
English Русский Правила
Маркировка транзисторов
КП302А
ГТ308В
особенность
в данной группе (n—p по Uобр,
коэф.
передачи тока и т. д.)
номер разработки
диапазон осн. параметров (мощность, частоты и т. д.)
биполярный
материал
Г, К, А – материал: германий, кремний, арсенид галлия;
П – полевой, Т – биполярный;
цифра, указывающая диапазон основных параметров;
номер разработки;
буква, указывающая на особенность в данной группе.
Схемы включения пт и их особенности
Полевые транзисторы по аналогии с биполярными имеют три схемы включения: с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС), с общим затвором (ОЗ).
с
Схема с ОИ (рисунок 1.46).
E2
E1
Rн
~
+
+
—
—
и
з
Рисунок
1.
46 – Схема с ОИ
Схема с ОИ аналогична схеме с ОЭ. Каскад с ОИ дает очень большое усиление по току и по мощности и так же как схема с ОЭ переворачивает фазу напряжения при усилении.
Схема с ОЗ (рисунок 1.47).
+
+
—
—
E2
E1
Rн
с
и
з
~
Рисунок 1.47 – Схема с ОЗ
Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не дает усиления по току, поэтому усиление по мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме с ОИ.
Rвх.мало, т. к. входным током является ток стока. Фаза напряжения при усилении не переворачивается, так же как в схеме с ОБ.
с
Схема
с ОС (рисунок 1.
48).
—
—
+
+
E2
E1
Rн
и
з
~
Рисунок 1.48 – Схема с ОС
Каскад по схеме с ОС подобен схеме с ОК или эмиттерному повторителю и может быть назван истоковым повторителем с Ки ≈ 1 вых. напряжение по значению и фазе повторяет выходное. Для такого каскада характерны небольшое выходное сопротивление и повышенное входное.
Преимущества полевых транзисторов перед биполярными
ПТ являются более температуростабильными, т. к. в ПТ Iс вызван перемещением основных носителей заряда, концентрация которых определяется в основном количеством примеси и поэтому мало зависит от температуры.
ПТ обладает высокой стойкостью к действию ионизирующего излучения.
Недостатком ПТ является сравнительно невысокая крутизна, т. е. меньшее быстродействие, чем у БТ.
1.8 Тиристоры
Тиристор – это четырехслойный полупроводник переключающий прибор, обладающий двумя устойчивыми состояниями: низкой проводимости (тиристор закрытый) и состоянием высокой проводимости (тиристор открытый). Основными типами являются диодные тиристоры и триодные тиристоры.
Диодный тиристор
Он
имеет три p-n-перехода,
причем два из них П1 и П3 работают в
прямом направлении, а средний П2 в
обратном направлении. Крайнюю область р- называют анодом, а крайнюю область n-катодом.
Тиристор можно представить в виде
эквивалентной схемы, состоящей из двух
транзисторов
Т1 n-p-n-типа,
и Т2 p-n-p-типа,
соединенных между собой. Получается,
что переходы П1 и П3 являются эмиттерными
переходами этих транзисторов, а переход
П2 в обоих транзисторах работает как
коллекторный переход.
Область базы Б1 транзистора Т1 одновременно является коллекторной областью К2 Т2, а база Б2 транзистора Т2 одновременно служит коллекторной областью К1 транзистора Т1 (рисунок 1.49). Соответственно этому коллекторный ток iк1 = iб2, а iк2 = iб1. Обычно тиристоры делают из Li, концентрация примеси в базовых областях (средних областях) значительно меньше, чем в эмиттерных (крайних областях).
i = iэ2
i = iэ2
ik0
Т1
К1
Б1
Т2
К2
Б2
Э2
Э2
Б2 (К1)
Б1 (К2)
Э1
Э1
К
П1
П1
П3
П2
П2
П2
П3
ik1 = iб2
iб1 = ik2
p
p
p
p
p
n
n
n
n
n
E
A
i = iэ1
i = iэ1
Rн
Rн
Рисунок
1.
49 – Структура и эквивалентная схема
тиристора
Iпр, mA
Рассмотрим ВАХ тиристора (рисунок 1.50).
В
А
Б
5
10
Uпр, В
Uвкл
Uоткр
Iвкл
Iуд
Imах
Рисунок 1.50 – ВАХ тиристора
При
увеличении Uпр,
ток невелик и растет медленно, что
соответствует участку ОА. В этом режиме
тиристор можно считать закрытым. На
сопротивление коллекторного перехода
П2 влияют два взаимно противоположных
процесса. С одной стороны, повышение
обратного напряжения на этом переходе
увеличивает его сопротивление т. к. под
влиянием обратного процесса основные
носители уходят в разные стороны от
границы, т.
е. переход П2 все больше
основными носителями. Но, с другой
стороны, повышение прямых напряжений
на эмиттерных переходах П1 и П3 усиливает
инжекцию носителей, которые переходят
к переходу П2, обогащают его и уменьшают
его сопротивление. До точки А при котором
напряжение (десятки или сотни вольт),
называемом напряжением включения Uвкл,
влияние обоих процессов уравновешивается,
а затем даже очень малое повышение
подводимого напряжения создает перевес
второго процесса и сопротивление
перехода П2 начинает уменьшаться. Тогда
возникает лавинообразный процесс
быстрого отпирания тиристора. Этот
процесс объясняется следующим образом.
Ток
резко возрастает (это участок АБ на
характеристике), т. к. увеличивается
напряжение на П1 и П3 уменьшает сопротивление
на П2 и напряжение на нем, за счет чего
еще больше возрастают напряжения на П1
и П2, а это, в свою очередь, приводит к
еще большему возрастанию тока, уменьшению
сопротивления П2 и т. д. в результате
такого процесса устанавливается режим,
напоминающий режим насыщения транзистора
большой ток при малом напряжении (участок
БВ).
Ток в этом режиме, когда тиристор
открыт, определяется главным образом
сопротивлением нагрузки Rн,
включенным последовательно с тиристором.
За счет возникшего большого тока почти
все напряжение источника питания падает
на нагрузке Rн.
В открытом состоянии из-за накопления больших зарядов около П2 напряжение на нем прямое, что как известно, характерно для коллекторного перехода в режиме насыщения. Поэтому полное напряжение на тиристоре складывается из трех небольших прямых напряжений на переходе и четырех так же небольших падений напряжения в n- и р- областях. Т. к. каждое из этих напряжений составляет доли вольта, то общее напряжение на открытом тиристоре обычно не превышает нескольких вольт и, следовательно, тиристор в этом состоянии имеет малое сопротивление.
Диодный тиристор характеризуется следующими параметрами:
Imax – максимальное значение прямого тока (т.
В), при котором на приборе будет
небольшое напряжение Uоткр;Iуд – ток удерживания (т. Б), который возникает при резком уменьшении прямого тока, при этом напряжение резко возрастает, т. е. тиристор переходит скачком обратно в закрытое состояние, соответствующее участку ОА;
tвкл и tвыкл – время выключения и время включения тиристора tвкл обычно не более единиц микросекунд tвыкл, связанное с рекомбинацией носителей доходит до десятков микросекунд. Поэтому тиристоры могут работать только на правильно низких частотах;
Собщ. – общая емкость, которая складывается из емкостей всех p-n-переходов;
Uобр.max – обратное максимальное напряжение.
В), при котором на приборе будет
небольшое напряжение Uоткр;UnitedSiC Домашняя страница UnitedSiC
Qorvo Design Summit 2022Серия технических вебинаров с экспертами по энергетике теперь доступна по запросу
Характеристики SiC FET на 750 В 6 мОм при коротком замыкании
Узнайте, что определяет время выдерживания короткого замыкания и почему это так важно.
Семь выводов для семи новых полевых транзисторов SiC
Новые области применения и стандарты производительности, достигнутые с полевыми транзисторами SiC в D2PAK-7L
Читать большеОбеспечение КПД 99,3 % в 3,6 кВт Totem-pole PFC
Узнайте, как спроектировать простой высокоэффективный Totem-pole PFC
Учить большеПросмотреть все
Видео
Открытие новых горизонтов в инверторах и защите цепей
Узнайте, как устройства SiC обеспечивают новый уровень производительности приложений в инверторах и полупроводниковых автоматических выключателях.
Смотреть сейчас
Видео
Различные варианты SiC FET обеспечивают большую гибкость конструкции
Узнайте о производительности, стоимости и тепловых характеристиках семейства SiC FET 750 В Gen 4 в безмостовой схеме коррекции мощности с тотемным полюсом.
Смотреть сейчас
Видео
Представляем лучшие в отрасли полевые транзисторы SiC 6 мОм 750 В Gen 4
Узнайте, как новые полевые транзисторы SiC 750 В обеспечивают лучшую в отрасли производительность и максимальную гибкость конструкции
Смотреть сейчас
«UnitedSiC идеально подходил для нашей архитектуры выходного каскада».
Андре Уиллис
технический директор, предварительный переключатель
Больше опций SiC FET означает большую гибкость для экономичных решений
При разработке силового преобразователя необходимо найти компромисс между многими параметрами.
UnitedSiC упрощает оценку благодаря калькулятору FET-JET и широкому ассортименту деталей.
Узнать больше
Замена механических автоматических выключателей на полевые транзисторы SiC
Механические автоматические выключатели имеют малые потери, но также работают медленно и изнашиваются. Твердотельные решения с SiC FET решают эти проблемы с потерями, которые должны уменьшиться.
Узнать больше
Эффективность рекуперации энергии становится реальным отличием
Импульс электромобилей достиг критической точки, трудно представить себе будущее, в котором электромобили не будут занимать значительное место на наших дорогах. Это сильно меняет не только наши покупательские предпочтения и привычки вождения, но и то, как мы думаем о мобильности.
Узнать больше
Будьте в курсе
Подпишитесь на наш ежеквартальный информационный бюллетень и получайте важную техническую информацию обо всех новых продуктах, заметки о приложениях, официальные документы и блоги.
fet%20marking%20code%20g5d спецификация и примечания по применению
2007 — 12В 10А БДЖТ
Резюме: коммутация постоянного тока 60 В 10 А FET 99 мВ LM3495 MTC16 TSSOP-16 500 fet мощность n fet 22VIO
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — КАК 1628
Реферат: преобразователь постоянного тока 12v 5a LM5116 AN-1628 F.E.T PWM схематический понижающий преобразователь
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Э.Т.
ШИМ-схема понижающего преобразователяфутов до 92
Реферат: ПЧ МОП полевой транзистор SSM3J13T SSM3J16FU ssm3k14t транзистор ЭСМ 2SK1830 2SK2035 2SK2825 SSM3J15TE
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — цепь демультиплексора 1-8
Реферат: CBTD1G125 CBTD16210 CBT1G384 демультиплексор CBTD3306
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
org/Product»>2009 — PA1005
Резюме: PA1005.100NL SER2013-362ML sir472 LM5020 35SVPD47M SiR468DP SiR472DP 42CTQ030S LM25037
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — LM3495
Реферат: МТК16 ЦСОП-16
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — Ан-1628
Резюме: маркировка полевого транзистора AN1628 GH MOSFET LM5116 F.E.T FET применение MARK LS
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Э.Т.
приложение полевого транзистора
МАРК Л.С.ic lm2637
Резюме: vrm ic SCR pwm FZ 98 1500 6,3 В fz 7a 1500 6,3 В 12 В 20A С FET 6MV1500GX LM2635 LM2637 M24B
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
ИРФ9210
Резюме: Дарлингтон NPN 600V 8a транзистор fet 10a 600v Darlington NPN 600V 12a транзистор транзистор IRF9640 N-CH POWER MOSFET TO-92 600v 12A TO220F NPN транзистор 600V 5A TO-220 транзистор irf620 КШ217-1
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
org/Product»>2007 — SOT23 ПМОП
Реферат: AN-1299 LM1770 MA05B MF05A SP SOT23-5 tr fet 2A 1299 mosfet SOT23-6 NMOS SOT23-6 PMOS
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2007 — Ан-1149
Реферат: Ан-1229 LM2642 LM2642MTC
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
фут 30 ф 124
Реферат: fpg 12v 400E 6100B LP2975 MUA08A NDP6020P NDT452P Fet до 220 ECA-1AFQ181
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
org/Product»>2007 — 1628
Реферат: LM5116 AN-1628 FET
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2004 — принципиальная схема ИБП Power Tree
Резюме: схема перекрестных ссылок транзисторов UPS fet SN74CB3Q16233 FET Transistor Guide принципиальная схема док-станции для ноутбука 1 на 12 схема демультиплексора FST3253 эквивалентная книга данных fet скачать бесплатно принципиальную схему онлайн ИБП
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
org/Product»>лм1777
Реферат: Ан-1299 LM1770 MA05B MF05A SOT23 PMOS SOT23 NMOS 150 футов
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
ммик
Аннотация: Смещение постоянного тока полевого транзистора Смещение постоянного тока цифрового переключателя SPST на полевых транзисторах gaas
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
м2222а
Реферат: SOD80C PHILIPS BCB47B 1N4148 SOD80C PMBTA64 PXTA14 BF960 FET BFW11 BF345C BC558B PHILIPS
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
org/Product»>2008 — JESD22-A114
Аннотация: LM3150 RJK0305DPB ET-24
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
фут 30 ф 124
Резюме: ECA1AFQ181 fpg 12v FZ 75 конденсатор FZ 77 1000 ECA-1AFQ181 6100B mosfet Маркировка SA s ECA1EFQ181 400E
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2ск170 ФЭТ
Реферат: Полевой транзистор Junction-FET to92 2SK364 2SK118 2sk117 2SJ74 2sk879 2sj105 2SJ14
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
org/Product»>ВЧ аттенюатор soic
Реферат: Смещение постоянного тока полевого транзистора 2-ваттный полевой транзистор Смещение постоянного тока полевого транзистора gaas GHz Power FET
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование
2007 — LM2642
Реферат: Ан-1149 Ан-1229 LM2642MTC
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
2006 — Ан-1299
Резюме: LM1771 MUA08A SDE06A
Текст: Нет доступного текста файла
Оригинал
Похожие записи
