Таблица маркировок SMD транзисторов и диодов
- Подробности
- Опубликовано 22.05.2012 23:58
Таблица маркировок SMD транзисторов и диодов
|
|
емкость, номинал, обозначение SDM конденсаторов
Схемотехника является современной и довольно сложной наукой с высоким порогом вхождения по уровню квалификации. Кто-то пытается освоить её самостоятельно, но, как правило, дело не заходит далее сборки простых электронных схем и ремонта бытовой техники. Для успешной самостоятельной сборки плат претенденты на звание радиолюбителя должны обладать базовыми знаниями в области физики, а также уметь правильно определять номинал того или иного электронного компонента.
Если площадь конденсатора или резистора позволяет, то на таких элементах практически всегда наносятся основные характеристики изделия, в противном случае у начинающего проектировщика и сборщика устройств могут возникнуть непреодолимые трудности. В этой статье будет рассказано о том, как узнать емкость конденсатора SMD, а также о способах определения других параметров такого вида изделий.
Что собой представляют SMD конденсаторыЧто такое SMD конденсаторы и для чего они нужны
Многие электронные компоненты имеют значительный размер и крепятся на плате с помощью проволочных ответвлений или широких ножек, как у микросхем. Для надежной фиксации контактные элементы таких деталей устанавливаются в специально сделанные отверстия, в которых они обволакиваются расплавленным припоем для обеспечения качественного электрического контакта.
Стандартный монтаж радиодеталейЕсли рассеиваемая мощность резисторов или номинал конденсаторов слишком мал, то нет необходимости делать такое изделие слишком объемным. Установка элементов этого типа методом сверления платы вынудило бы разработчиков электронных схем выделять неоправданно большую площадь печатной схемы для их установки. Логичным решением этой проблемы является использование SMD компонентов.
SMD технология (Surface Mounted Device) — метод установки электронных деталей без сверления платы. Такой компонент просто припаивается с одной стороны поверхности, тем самым позволяя экономить значительную площадь, не снижая ее прочность наличием большого количества микроотверстий.
Обратите внимание! Методом поверхностного монтажа могут быть установлены не только конденсаторы, но и резисторы, транзисторы и микросхемы.
Применение SMD компонентов позволяет максимально оптимизировать расположение деталей на плате. Благодаря использованию этой технологии схемы сложных устройств можно изготовить относительно малых размеров, что особенно актуально при проектировании мобильных изделий.
Виды SMD конденсаторов
Разбираться в видах конденсаторов, монтирующихся методом поверхностного закрепления, необходимо каждому радиолюбителю. Такие изделия могут отличаться не только по емкости, но и по напряжению, поэтому игнорирование условий использования деталей может привести к тому, что они выйдут из строя.
Электролитические компоненты
Электролитические SMD конденсаторы не отличаются принципиально от стандартных изделий. Такие электронные компоненты наиболее часто представляют собой бочонки, в которых под алюминиевым корпусом располагается скрученный в цилиндр тонкий металл, а между ним твердый или жидкий электролит.
Электролитические SMD конденсаторыОсновное отличие такой детали от стандартного электролитического элемента заключается в том, что его контакты закреплены на плоской диэлектрической подложке. Такие изделия очень надежны в эксплуатации, особенно удобны в том случае, когда необходимо установить новое изделие при минимальных временных затратах. Кроме этого, во время пайки изделие не перегревается, что очень важно для электролитических конденсаторов.
Керамические компоненты
В керамических элементах в качестве диэлектрика применяется фарфор либо аналогичные неорганические материалы. Основное достоинство таких изделий заключается в устойчивости к высоким температурам и возможности производства изделий крайне малых размеров.
Важно! SMD конденсаторы керамического типа также устанавливаются методом пайки на печатную плату.
Визуально такой элемент, как правило, напоминает небольшой кирпичик, к которому с торцов припаиваются контактные площадки.
Керамические SMD конденсаторыВ отличие от радиодеталей стандартных размеров SMD элементы небольшого размера вначале приклеивают к плате, а уже потом припаивают выводы. На производстве керамические изделия этого типа устанавливаются специальными автоматами.
Маркировка танталовых SMD конденсаторов
Танталовые SMD конденсаторы устойчивы к повышенным механическим нагрузкам. Такие изделия также могут быть изготовлены в виде небольшого параллелепипеда, к которому с боковых сторон припаиваются контактные выводы. Тантал представляет собой очень прочный металл, обладающий высокими показателями пластичности. Фольга из этого материала может иметь толщину в сотые доли миллиметра.
К сведению! Благодаря наличию определенных физических свойств на основе тантала удается изготовить радиодетали высочайшей точности.
Танталовые конденсаторыТанталовые конденсаторы, как правило, имеют небольшие размеры корпуса, поэтому нанести полную маркировку на изделия, выполненные в корпусе типоразмера «А», не всегда представляется возможным. Зная особенности обозначения радиодеталей этого типа, можно легко определить номинал изделия. Максимально допустимое напряжение в вольтах для танталовых изделий обозначается латинскими буквами:
- G — 4;
- J — 6,3;
- A — 10;
- C — 16;
- D — 20;
- E — 25;
- V — 35;
- T — 50.
Обратите внимание! Емкость изделий указывается в микрофарадах после буквы «μ», а положительный контакт — жирной линией.
Обозначение SMD конденсаторов
Чтобы установить номинал SMD конденсатора, потребуется тщательно изучить его маркировку. На больших по размеру элементах, как правило, наносится основная информация не только о его номинале, но и указывается логотип производителя.
При выяснении параметров маленьких кирпичиков придется потратить определенное количество времени, ведь даже при наличии на их корпусе необходимых сведений увидеть символы на их поверхности невооруженным глазом вряд ли получится.
Важно! В зависимости от типа конденсатора обозначения его параметров также могут существенно отличаться, что необходимо учитывать в работе.
Маркировка керамических SMD конденсаторов
Небольшие керамические конденсаторы SMD маркируются буквенно-цифровым кодом, состоящим из 3 символов. Первый указывает на минимальное значение рабочей температуры, например:
- Z — от 10 °С;
- Y — от −30 °С;
- X — от 55 °С.
Второй символ указывает на верхний предел нагрева радиодетали:
- 2 — до 45 °С;
- 4 — до 65 °С;
- 5 — до 85 °С;
- 6 — до 105 °С;
- 7 — до 125 °С;
- 8 — до 150 °С;
- 9 — до 200 °С.
Третий символ указывает на точность электронного компонента:
- A — до ± 1,0 %;
- B — до ± 1,5 %;
- C — до ± 2,2 %;
- D — до ± 3,3 %;
- E — до ± 4,7 %;
- F — до ± 7,5 %;
- P — до ± 10 %;
- R — до ± 15 %;
- S — до ± 22 %;
- T — до ± 33 %;
- U — до ± 56 %;
- V — до ± 82 %.
Ёмкость небольших керамических SMD конденсаторов указывается в пикофарадах. Чтобы сэкономить площадь небольшого радиоэлемента, основное число мантисса закодировано в букве латинского алфавита. В таблице, указанной ниже, приведен полный список подобных обозначений.
Таблица с закодированными символамиПосле цифры указывается множитель, например, обозначение на керамическом конденсаторе Х3 означает, что конденсатор имеет емкость 7,5 * 10 ^ 3 Pf.
Обратите внимание! Перед кодом, обозначающим емкость керамического SMD конденсатора, может стоять латинская буква, которая указывает на бренд производителя электронного компонента.
Если площадь керамического конденсатора этого типа достаточно велика, то на ней может быть отображен тип диэлектрика. С этой целью применяются:
- NP0. Диэлектрическая проницаемость такого элемента находится на крайне низком уровне. Основное достоинство компонентов этого типа заключается в хорошей устойчивости к резким температурным перепадам. Недостаток элементов, в которых используется диэлектрик этого типа — высокая цена;
- X7R. Среднего качества диэлектрик. Изделия, в которых используется изолятор этого типа, не обладают отличными характеристиками по устойчивости к пробою, но в среднем температурном диапазоне они способны проработать значительно дольше многих, более дорогих элементов;
- Z5U. Диэлектрик с высокими значениями электрической проницаемости, но обратной стороной этого показателя является слишком большая емкостная погрешность;
- Y5V. Изолирующий материал обладает примерно такими же характеристиками, как и Z5U. По стоимости этот диэлектрик является самым дешевым, поэтому электрические компоненты, изготовленные на его основе, реализуется по самым низким ценам.
Учитывая все выше изложенное, можно быть уверенным в том, что если SMD конденсатор не подгорел или не изменил цвет поверхности по другим причинам, то всегда можно определить его номинал по нанесенной на его корпусе маркировке.
Маркировка электролитических SMD конденсаторов
Электролитические конденсаторы этого типа, как правило, имеют относительно большие размеры, поэтому многие параметры таких элементов указываются без шифрования. То есть максимальное значение напряжения будет указано цифрой и буквой «V», а емкость — mF.
Маркировка электролитических SMD конденсаторовВ некоторых случаях номинал SMD конденсатора электролитического типа также может быть закодирован. Как правило, для этой цели используется 4 символа (одна буква и 3 цифры). Первый символ — это напряжение в вольтах:
- e 2,5;
- G 4;
- J 6,3;
- A 10;
- C 16;
- D 20;
- E 25;
- V 35;
- H 50.
Обратите внимание! В трех следующих цифрах закодирована информация о емкости конденсатора (2 цифры + множитель).
Таким образом даже на очень небольших по размеру электролитических SMD конденсаторах может быть нанесена маркировка с информацией об основных параметрах изделия.
Как определить емкость, номинал и напряжение SMD конденсаторов
Выше была изложена подробная информация о том, как правильно определять номинал SMD конденсаторов по маркировке. Основная сложность при выполнении такой операции заключается в том, что символы могут быть настолько малы, что их невозможно идентифицировать невооруженным глазом. В такой ситуации рекомендуется использовать лупу либо любой другой увеличительный прибор с подходящей кратностью, а также установить качественное освещение в месте проведения подобных исследований.
Лупа для радиолюбителяОбратите внимание! Иногда на поверхности радиоэлемента не читаются либо полностью отсутствуют обозначения, поэтому каждому радиолюбителю следует знать, как определить емкость электролитического конденсатора без маркировки. Для выполнения такой работы не обойтись без специального измерительного прибора.
Как определить емкость SMD конденсатора без маркировки с помощью прибораДля получения корректных показателей перед началом измерения емкости конденсатора радиоэлемент необходимо полностью разрядить.
Предельное напряжение измеряется на конденсаторе, который устанавливается в электронную схему, где данный элемент может быть безопасно подключен к электрическому напряжению. После отключения источника тока проводят измерение напряжения на контактах радиодетали. Полученное значение в вольтах следует умножить на 1,5 для получения точного значения этого параметра.
Напряжение можно измерить дешевым мультиметромКонденсаторы SMD являются очень удобными при самостоятельной сборке различных схем, а при автоматическом монтаже благодаря им удается добиться максимальной компактности расположения радиодеталей. Зная принципы расшифровки обозначения таких элементов, можно без каких-либо затруднений проектировать и собирать даже сложные устройства в домашних условиях.
Светодиоды smd: виды, характеристики, маркировка
SMD — surface mounted device – устройство, монтируемое на поверхность. В исполнении SMD сейчас выпускается очень много различных электронных компонентов. Это не только светодиоды. В основном вся электроника использует платы с поверхностным монтажом. Электронные компоненты монтируются на поверхность платы. Их выводы не проходят через сквозные отверстия, а припаиваются к площадкам. При промышленном производстве могут применяться тугоплавкие припои. Иногда используется припои без свинца.
Разновидности светодиодов (Размеры SMD светодиодов).
В таком исполнении можно встретить сверхяркие осветительные и индикаторные светодиоды. SMD-исполнение подразумевает планарные выводы (небольшие контактные площадки).
Внешний вид.
Такой монтаж прост, в промышленных объемах – автоматизирован. Так как элемент практически лежит на плате, улучшается отвод тепла от него.
Маркировка светодиодов.
Такие SMD светодиоды маркируются четырьмя цифрами. Первая пара – длина, вторая – ширина. В каждой паре первое число целое число в мм, второе число – десятые доли миллиметра. Светодиод 5050 – имеет размеры 5 на 5 мм. 3528 – размеры 3.5 мм на 2.8 мм. Дополнительной информации маркировка не несет. Подробные характеристики описаны в сопроводительной документации на партию приборов. Ознакомление с сопроводительной документацией очень важно, так как производитель в один и тот же корпус может поместить кристалл разной мощности. В итоге вместо одноваттного источника света есть шанс получить осветитель на порядок слабее.
Технические характеристики SMD светодиодов.
В большинстве случаев есть связь между типоразмером и характеристиками. Однако, если речь о «китайских поделках» ситуация может отличаться коренным образом.
Основными характеристиками являются:
- мощность;
- номинальная сила тока;
- типоразмер;
- поток;
- угол распространения света;
- цвет свечения;
- рабочая температура;
- количество кристаллов в едином корпусе.
SMD 3528 технические характеристики.
Корпус диода монтируется на контактные площадки платы. Может эксплуатироваться в широком диапазоне температур. В корпусе может быть расположен либо один, либо три кристалла. Имеются и кристаллы, излучающие разные цвета (RGB). Производится компаниями: Samsung, LG, Philips. Китайские альтернативы имеют худшее качество, яркость значительно ниже. У оригиналов основание – медное. Так как медь лучше отводит тепло, то во время работы оригинальный smd led 3528 греются меньше. Документация на оригинальные светоизлучающие полупроводники соответствует стандарту LM80. Это означает, что будет указано не общее количество часов работы, а количество часов до снижения светового потока до восьмидесятипроцентного уровня. Ну и соответственно аналоги и оригинал не могут стоить одинаково. Аналог будет дешевле. Катод (минус, отрицательный вывод) расположен со стороны среза на корпусе.
SMD 5050 технические характеристики.
Именно этот вариант стал давать необходимый и достаточный световой поток при малых размерах. Они способны выдавать до 80 Лм на 1 Вт потребленной электроэнергии. Фирменные варианты отличаются низким уровнем деградации. За 3000 часов эффективность падает не более чем на 4%. Внимание! Подделки очень сложно выявить, необходимо подключить. Не оригиналы имеют яркость в три раза меньше. Визуально подделку практически невозможно распознать. Основные параметры приведены в таблице ниже.
SMD 5630 технические характеристики.
На их основе собираются светодиодные лампы мощностью до 90 Вт. Производятся многими компаниями. Дешевые китайские подделки имеют характеристики хуже в 3-4 раза и весьма чувствительны к перегреву. В отношении smd led 5630 и 5730 есть простое правило. Мощность лампы равна количеству диодов помноженному на 0.15. Так что не стоит верить продавцам.
SMD 5730 технические характеристики.
Этот светодиод имеет габариты чуть большие, на 0.1 мм. Формально это сверхяркие led средней мощности. В этот корпус упаковываются кристаллы различной мощности. Визуально между ними практически нет отличий. Оригиналы выпускаются только известными брендами и в недорогих лампах не могут встречаться. Двухкристальные модификации мощностью 1 Вт имеют маркировку 5730-1. Модели с улучшенным кристаллом дают до 158 Лм\Вт.
SMD 2835 технические характеристики.
Согласно маркировке, диод имеет линейные габариты 2.8 мм на 3.5 мм. Изготавливается на керамической подложке. Кристалл диода заливается компаундом для защиты от воздействий окружающей среды. Контакты для монтажа находятся с обратной стороны. Они также выполняют роль теплоотвода.
Таблица. Технические характеристики.
Требования к подключению.
Все осветительные полупроводниковые приборы, в том числе smd требуют качественного электропитания. Сила тока не должна превышать номинальное значение. Наиболее целесообразно применение светодиодного драйвера. Иногда его называют блоком питания. Это не совсем точные термины. Наиболее верно – источник тока. В отличие от стабилизированного источника напряжения, источник тока поддерживает постоянным именно ток, выходное напряжение может отличаться. Превышение номинала питания для диода ведет к преждевременной деградации и скорому выходу из строя – перегоранию.
Кроме того, многие LED нуждаются в радиаторе для отвода тепла. Несоблюдение температурного режима также приводит к уменьшению ресурса.
Для обеспечения надежного питания требуется обеспечить качественное соединение. Прежде чем осуществлять пайку smd led на плату, желательно проверить полупроводник, так как не исключен заводской дефект.
Проверка и пайка светодиодов SMD.
Самое простое – это проверка светодиода при подключении к источнику тока. Так можно оценить не только работоспособность, но и качество. Ошибочная полярность не причинит вреда – он просто не загорится. При правильной полярности свечение должно быть без вспышек. Если наблюдаются периодические вспышке, то это говорит, о том, что было превышено номинальное значение силы тока, либо был перегрев. К эксплуатации этот полупроводник уже не пригоден.
Проверка светодиода подачей питания
Проверить светоизлучающий диод можно и при помощи мультиметра. В одном направлении сопротивление должно быть намного больше, чем в обратном. Если в двух направлениях тестер показывает низкое сопротивление – это означает пробой, если сопротивление – бесконечность, то – обрыв. Стоит отметить что сейчас на рынке есть современные модели SMD у которых сопротивление в обоих направлениях составляет сотни кОм. Это связано с тем, что в составе таких SMD-светодиодов присутствуют различные транзисторы и полупроводниковые резисторы.
Ручная пайка светодиодов требуется в основном для ремонта. Качественная пайка светодиодов – половина успеха сборки схемы. Следует учитывать, что перегрев может не очень хорошо сказаться на кристалле светодиода, поэтому очень важно выдержать температуру. При температуре 200 C° SMD-диод начинает деформироваться, а при 230 С° вовсе расплавиться.
Замена состоит из нескольких этапов:
- демонтаж неисправного smd led;
- подготовка площадки;
- установка диода;
- пайка выводов;
- промывка и иногда нанесение защитного слоя.
Некоторые светодиоды могут иметь теплоотвод — подложку, которая тоже паяется к плате. Это затрудняет демонтаж элемента. Неисправный светодиод наиболее удобно демонтировать при помощи паяльного фена. При этом желательно использовать насадку с небольшим диаметром. Поток воздуха должен быть небольшим и направлен под светодиод, чтобы не сдуть соседние элементы и не деформировать сам светоэлемент. Температуру фена желательно выставить 300 С°. Излишки припоя (если они будут) можно удалить при помощи оплетки.
Для пайки потребуется флюс и припой. Некоторые в качестве флюса используют таблетку аспирина. Этого категорически делать нельзя. Аспирин – это кислота, а кислота разрушает пайку. В качестве припоя можно использовать паяльную пасту. Она представляет собой мелкие шарики припоя и флюса. Для удобства плату желательно зафиксировать.
Пайку можно производить как паяльником, так и при помощи термофена (компонент паяльной станции). Паяльная паста наносится только на контактные площадки, всю плату не надо обмазывать. LED в правильной полярности устанавливается на место пайки при помощи пинцета. Поток воздуха направляется к месту пайки. Обычно хватает нескольких секунд, чтобы светодиод был надежно припаян к плате. При этом паста начинает плавится. Флюс испаряется достаточно быстро. В итоге получается качественное соединение выводов диода и контактной площадки. Для защиты от перегрева корпус smd-компонентов прикрывают металлической фольгой. Использование ИК паяльной станции аналогично.
Использования термофена для пайки
Если термофена нет, то можно воспользоваться паяльником. Однако, это не лучший способ. Большие мощности не нужны. 15-20 Вт – вполне достаточно. Очень важно, чтобы жало паяльника не было толстым и было хорошо пролужено. Если применяется обычный припой, то пайка должна производиться быстро. В качестве флюса удобно применять спиртовой раствор канифоли. Прикладывать жало паяльника следует только к контактам. Излишки припоя можно удалить паяльником, излишки флюса смываются спиртом. Лучше использовать изопропанол.
Пайка светодиода паяльником
Есть несколько рекомендаций:
- Используйте качественные припой и флюс.
- Не перегревайте корпус smd-светодиода. Время нагрева или контакта с паяльником не должно превышать минимально необходимое.
- Температуру ограничивайте не более 2600 С
Заключение
Smd led являются точечным источником света. Есть много источников света в одном корпусе с кристаллами разной мощности. Перед приобретением светодиода необходимо изучить сопроводительные документы, так как маркировка не дает никакой дополнительной информации, кроме габаритов. На их основе изготавливаются светодиодные лампы различного назначения. Если один из них перестал гореть, то его можно заменить. Перегрев при монтаже led может сказать пагубно. При некотором опыте, это возможно и в домашних условиях.
Турута Е.Ф. Активные SMD компоненты. Маркировка, характеристика, замена
Турута Е.Ф. Активные SMD компоненты. Маркировка, характеристика, замена
Как пользоваться справочником.
В электронной промышленности наибольшим спросом пользуются устройства, являющиеся многофункциональными, с компонентами, установленными как можно более плотно и компактно.
Для удовлетворения указанных требований активные электронные компоненты (диоды, транзисторы, интегральные микросхемы) изготавливаются в специальных корпусах и устанавливаются на печатные платы методом поверхностного монтажа (SMD — surface mount devices). Этот метод заменяет обычный метод монтажа, при котором компоненты вставляются в отверстия печатных плат.
В настоящее время более 50% электронных компонентов, применяемых в устройствах промышленной и бытовой электроники, являются приборами SMD, и их процентное соотношение увеличивается. Экспертные оценки говорят о том, что их доля в ближайшие 5 лет составит 75–80%.
SМD-компоненты становятся все меньше, улучшая такую характеристику устройств как повышенную плотность монтажа. В то же самое время, SМD-компоненты из-за своих миниатюрных размеров не позволяют наносить на корпус типономинал (полное наименование) прибора, соответствующий фирменному названию, подобно стандартным полупроводниковым приборам. Поэтому производители маркируют SМD-приборы специальным кодом (SМD-кодом), который может содержать один или несколько произвольных символов (буквы, цифры, графические символы). Система кодировки является совершенно произвольной, не подчиняясь никаким стандартам. Необходимо также принять во внимание, что цвет и (или) порядок размещения алфавитно-цифровых или графических символов на корпусе также имеет значение.
Таким образом, идентификация типономинала прибора по его SМD-коду может быть трудной задачей. И еще, к сожалению, каждый SМD-код прибора не обязательно уникален.
Вполне возможно, чтобы различные производители помещали различные приборы в одинаковые корпуса с тем же самым SМD-кодом. Например. прибор с SМD-кодом 6Н в корпусе SOT-23 может быть или n-p-n-транзистором ВС818 (CDIL), или варикапом FMMV2104 (ZETEX), или N-канальным полевым транзистором MMBF5486 (MOTORLA), или p-n-p цифровым транзистором MUN2131 (MOTOROLA), или p-n-p-цифровым транзистором UN2117 (MATSUSHITA), или СМОS-интегральной микросхемой-детектором напряжения R3131 N36EA (RICOH). Даже тот же самый производитель может использовать один и тот же самый код для различных устройств.
Для идентификации типономинала прибора по его SМD-коду необходимо узнать производителя, тип корпуса и прочитать SМD-код, напечатанный на корпусе.
характеристики, типоразмеры, марки, таблица светодиодов
Светодиодные осветительные приборы известны своей производительностью, мощностью, экономичностью и долговечностью. В последние годы популярность стали завоевывать SMD светодиоды. Благодаря лучшему теплоотводу элементы можно монтировать на любую поверхность.
SMD светодиоды – что это такое
LED SMD – светодиодные лампы поверхностного монтажа. Главное их отличие от обычных диодов – способ установки, что обуславливает конструкционные особенности. В стандартном выводном варианте имеются длинные выводы для установки лампы через отверстия в плате. В SMD устройстве есть только контактные площадки – планерные выводы, поэтому изделие закрепляют прямо на плату. Этот способ и называют поверхностным монтажом. Установка диодов очень проста и может выполняться неспециалистом.
Такое решение имеет еще один существенный плюс. Характеристики SMD светодиодов включают большую световую мощность при низком потреблении электричества. Однако реализация такого достоинства требует очень хорошего теплоотведения. Массивные короткие выводы более эффективны и лучше отводят тепло. Кроме того, диод практически сидит на плате и передает тепло и ей.
SMD светодиоды более устойчивы к вибрациям и механическим повреждениям за счет более плотной «посадки».
Расшифровка маркировки SMD светодиодов
Марки светодиодов обозначают для того, чтобы сделать их применение более удобным. Используются для этого только 4 цифры, так что «разгадать» обозначение несложно.
Устройства классифицируют по размерам, и маркировка, по сути, указывает на величину изделия. Цифры обозначают длину и ширину в миллиметрах. Например, модель 3528 имеет размеры 3,5*2,8 мм. Остальные сведения о приборе можно получить из инструкции.
Важно! Изучать инструкцию полезно, поскольку многие китайские производители устанавливают в типичный корпус чипы меньшей мощности. При этом легко приобрести светодиод мощностью в 0,1 Вт вместо 1 Вт.
Размеры SMD светодиодов
Типоразмеры SMD светодиодов, в какой-то мере определяют параметры изделия. Видов их существует множество, но к наиболее популярным относят следующие 6.
Тип | Размеры, мм | Количество кристаллов | Мощность, Вт | Световой поток, Лм | Ток, мА | Температура эксплуатации, С |
3528 | 3,5*2,8 | 1, 3 | 0,06, 0,2 | 0,6–5,0 | 20 | -40 — +85 |
5050 | 5,0*1,6 | 3, 4 | 0,2 или 0,26 | 2–14 | 60 или 80 | -20 — +60 |
5630 | 5,6*3,0 | 1 | 0,5 | 57 | 150 | -25 — +85 |
5730 | 5,7*3,0 | 1, 2 | 0,5 или 1 | 50 или 158 | 150 или 300 | -40 — +65 |
3014 | 3,0*1,4 | 1 | 0,12 | 9–11 | 30 | -40 — +85 |
2835 | 2,8*3,5 | 1 | 0,2, 0,5, 1 | 20, 50, 100 | 60, 150, 300 | -40 — +85 |
Таблица включает лишь основные параметры, но позволяет сравнить световой поток и мощность прибора.
Важно! Мощность светового потока зависит от цвета светодиода.
Помимо перечисленных, выпускают еще и множество светодиодов в 3 и 6 вольт, использующихся для подсветки LED-телевизоров, компьютерных мониторов, планшетов, смартфонов.
Характеристики СМД светодиодов
Каждый вид SMD светодиода характеризуется не только величиной излучения и количеством потребляемого тока, но и другими параметрами. Тип изделия определяет применение прибора и особенности монтажа.
Характеристики светодиода 3528
Как видно из таблицы, светодиод SMD 3528 бывает однокристальным и трехкристальным. В первом случае он может генерировать белый нейтральный и теплый свет, а также желтый, синий, зеленый и красный. Во втором подает сразу несколько цветов. Однокристальный вариант оборудован 2 выводами для подсоединения, а трехкристальный – 4 (1 катод и 3 анода). Чтобы предупредить влияние окружающей среды, кристаллы заливаются прозрачным компаундом. Материал может включать люминофор: так выравнивают цветовые показатели прибора.
Световой поток, который излучает прибор, невелик. Зато SMD 3528 обладает миниатюрными размерами и регенерирует разные цвета. Благодаря этому светодиоды используют в лентах подсветки и недорогих декоративных светильниках.
Характеристики светодиода 5050
Светодиод SMD 5050 может включать 3 или 4 кристалла. Для одноцветного светильника выбирают одинаковые или близкие по оттенку кристаллы. 5050 отличается более высокой яркостью – в 3 раза больше, чем 3528. В диодах предусмотрена такая же защита: прозрачный компаунд или люминофор.
Прибор отличается лучшим соотношением мощности и цены и обеспечивает любой цвет светового потока. Как правило, 5050 устанавливают на декоративные осветительные ленты – одноканальные, RGB, RGBW. Если увеличить плотность крепления – до 60 штук на 1 м, светодиодную ленту можно использовать не только как украшение, но и для освещения интерьерных элементов. Ленты оснащены контроллерами, что позволяет регулировать оттенок и интенсивность света.
Характеристики светодиода 5630
Элемент 5630 имеет только однокристальное исполнение, но отличается высокой мощностью: генерирует световой поток в 57 люменов. Цвет белый, с разной температурой: холодный, дневной, теплый. Прибор защищен 2 старисторами и может выдерживать импульс тока до 400 мА.
У светодиода 4 вывода, но работу элемента обеспечивает только 2. 2 других вместе с подложкой требуются для отвода тепла. Применяют диод при изготовлении мощных ламп и прожекторов.
Важно! Яркость диода зависит от температуры воздуха. При +85 градусов показатель падает на 25%.
Характеристики светодиода 5730
Однокристальный вариант обладает такой же мощностью, что и 5630, а вот трехкристальный SMD светодиод 5730 втрое мощнее: изучает свет яркостью до 158 люменов. Также предназначен для получения светового потока белого цвета, но с разной цветовой температурой.
Модификация отличается очень низким тепловым сопротивлением, что позволяет обойтись без двух дополнительных выводов, как в 5630. При этом она выдерживает также импульсный ток.
Элемент отличается высокой производительностью и используется также как и 5630 – при производстве мощных светодиодных светильников.
Характеристики светодиода 3014
Однокристальный элемент умеренной мощности – до 11 люменов, и очень небольших размеров. В качестве защиты используется компаунд. Светодиод генерирует белый свет – теплый, холодный, основные цвета, а также оранжевый. Эту относительно недавно появившуюся модификацию относят к категории слаботочных.
При монтаже изделия нужно учитывать его особенность: выводы у него нетипично длинные и достигают нижней части корпуса. Таким образом, улучшается теплоотвод.
Главное назначение 3014 – модули и ленты декоративной подсветки. Нередко диоды применяют при производстве автомобильных ламп и настольных приборов.
Характеристики светодиода 2835
Из всех типов SMD светодиодов модель является самой мощной: излучает примерно на 20% больше света, чем 5730. Так можно уменьшить энергопотребление. Однокристальный прибор производят в трех версиях разной мощности. Он излучает белый свет разной температуры. По размерам близок к элементу 3528, но имеет круглую линзу.
Этот вариант наиболее популярен, так как применяют его при изготовлении буквально любых осветительных приборов: ламп на улице, прожекторов, бытовых светодиодных светильников. А это означает большое количество подделок, где вместо одноваттного диода устанавливают элемент меньшей мощности.
Применение SMD светодиодов
Используют светодиодные лампы настолько широко, что перечислить все сферы применения невозможно.
Чаще всего приборы такого рода встречаются в следующих изделиях:
- карманные и тактические фонарики – здесь ставят светодиодные лампы в 6 вольт;
- лампы и поворотники на автомобилях;
- бытовые осветительные изделия разных видов;
- декоративная подсветка, монтируемая как внутри здания, так и снаружи, применяют кристаллы, генерирующие разный цвет;
- вывески, указатели, светофоры, рекламные щиты;
- необыкновенно популярны SMD светодиоды в ландшафтном дизайне, элементы не боятся вибрации и низкой температуры, что позволяет организовать самые интересные варианты подсветки;
- слаботочные модификации активно используют для индикации.
В каждом случае подбирают диоды необходимой мощности. При этом учитывают цвет светового потока.
Требования к подключению
Устанавливать диоды можно на любой поверхности: на бетонном потолке, оклеенном обоями, на пластиковой панели, рядом с натяжными пленками. Благодаря хорошему теплоотводу исключается возможность повредить материал. Но хотя монтаж приборов весьма прост по сравнению с выводными, установка требует выполнения нескольких рекомендаций:
- чтобы подключить изделие к источнику питания, нужно использовать драйвер, в противном случае светодиод может выйти из строя или работать в некорректном режиме;
- если используют только 1 резистор, элементы следует соединять последовательно, чтобы избежать разброса параметров;
- запрещается соединять последовательно диоды с разными показателями по рабочему току, в этом случае часть элементов будет светить тускло;
- при слишком высоком токе светодиод перегревается и перегорает, соответственно, допускается установка резистора только с достаточным сопротивлением.
Если предполагается монтаж садовой подсветки, следует выбирать изделия, защищенные от действия влаги и пыли.
Заключение
SMD светодиоды отличаются очень хорошим теплоотводом, что, с одной стороны, обеспечивает их работу при довольно высоких температурах, а с другой – позволяет монтировать на любую поверхность. Видов элементов очень много, так что для любого случая – от прожектора до индикации, можно подобрать соответствующую модификацию.
Отправить комментарий
Russian Hamradio :: Маркировочные коды SMD-элементов
В связи с возникающей потребностью многих радиолюбителей разобраться в маркировке SMD-элементов и освоить применение в своих радиолюбительских конструкциях мы родолжаем вас знакомить с различной маркировкой наносимых на них, так как номенклатура выпускаемых полупроводниковых SMD-приборов довольно широка, и оценивается в настоящее время величиной более 10 тысяч типов.
Для их неповторяющейся маркировки требуется как минимум трехсимвольный код, включающий в себя 10 цифр и 26 латинских букв. Фирмы, освоившие технологию SMD раньше других, используют преимущественно двухсимвольную маркировку (Siemens, Motorola).
Более предусмотрительными оказались те фирмы, которые применяют трех или четырехсимвольный код (Maxim Integrated Product, Texas Instruments).Маркировка наносится на SMD-корпус, как правило, лазерным “резаком”. Разрешающая способность современного оборудования позволяет размещать до 8 знаков на площади 4 мм2 (Pan Jit).
Для того чтобы разглядеть подобную миниатюру, обычно пользуются инструментом Шерлока Холмса — увеличительной лупой или микроскопом с подсветкой. Фирма Hewlett Packard кроме лазерной маркировки практикует также трафаретную печать символов белой краской, но это скорее исключение, чем правило.
К слову сказать, цветовая идентификация не получила в SMD широкого распространения — слишком малы размеры элементов, легко ошибиться, особенно при внешнем искусственном освещении.
Рис.1.
Многие изготовители размещают на корпусе SMD-элементов дополнительную технологическую информацию. Обычно указывают дату изготовления и (или) код партии выпуска, причем в самом непредсказуемом формате.
Например, в приборах фирмы Analog Devices первый символ дополнительной информации означает год выпуска “7” (1997 г.), “А” (2001 г.), второй — двухнедельное окно от начала календарного года “A”…“Z”.
На рис.1 приведены некоторые примеры. В общем случае можно руководствоваться следующим практическим правилом: маркировочный код пишется более крупным шрифтом и располагается в верхнем левом углу корпуса, все остальное — технологическая информация.
Таблица 1. 5-выводные SMD.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
A4 | S-80740SL-A4 | T3 | SE | 2О | Q5 | S-81245SG-Q5 | T2 | SE | 2O |
A6 | S-80742SL-A6 | T3 | SE | 2O | QA | S-81211SG-QA | T2 | SE | 2O |
A9 | S-80745SL-A9 | T3 | SE | 2O | QB | S-81230SG-QB | T2 | SE | 2O |
AA-BX | MAX4162EUK | U2 | MX | 2O | QD | S-81250SG-QD | T2 | SE | 2O |
AF | S-80718SL-AF | T3 | SE | 2O | QE | S-81237SG-QE | T2 | SE | 2O |
AG | S-80719SL-AG | T3 | SE | 2O | QF | S-81233SG-QF | T2 | SE | 2O |
AH | S-80720SL-AH | T3 | SE | 2O | QH | S-81225SG-QH | T2 | SE | 2O |
AJ | S-80721SL-AJ | T3 | SE | 2O | QI | S-81235SG-QI | T2 | SE | 2O |
AL | S-80723SL-AL | T3 | SE | 2O | QJ | S-81240SG-QJ | T2 | SE | 2O |
AN | S-80725SL-AN | T3 | SE | 2O | QK | S-81215SG-QK | T2 | SE | 2O |
AQ | S-80727SL-AQ | T3 | SE | 2O | QL | S-81252SG-QL | T2 | SE | 2O |
AR | S-80728SL-AR | T3 | SE | 2O | QM | S-81265SG-QM | T2 | SE | 2O |
AT | S-80730SL-AT | T3 | SE | 2O | QO | S-81217SG-QQ | T2 | SE | 2O |
AW | S-80732SL-AW | T3 | SE | 2O | QR | S-81218SG-QR | T2 | SE | 2O |
AX | S-80733SL-AX | T3 | SE | 2O | QS | S — 81220SG-QS | T2 | SE | 2O |
AZ | S-80735SL-AZ | T3 | SE | 2O | QW | S-81223SG-QW | T2 | SE | 2O |
D4 | S-80740SN-D4 | T3 | SE | 2O | QX | S-81224SG-QX | T2 | SE | 2O |
D6 | S-80744SN-D6 | T3 | SE | 2O | S7 | S-8435DF-S7 | T2 | SE | 2P |
D8 | S-80744SN-D8 | T3 | SE | 2O | D6 | S-80742SN-D6 | T2 | SE | 2P |
D9 | S-80745SN-D9 | T3 | SE | 2O | SB | S-8435BF-SB | T2 | SE | 2P |
DE | S-80717SN-DE | T3 | SE | 2O | SD | S-8435CF-SD | T2 | SE | 2P |
DG | S-80719SN-DG | T3 | SE | 2O | SE | S-8435EF-SE | T2 | SE | 2P |
DH | S-80720SN-DH | T3 | SE | 2O | SK | S-8435AF-SK | T2 | SE | 2P |
DJ | S-80721SN-DJ | T3 | SE | 2O | VAA-C | TLV2361CDBV | T2 | SE | 2O |
DL | S-80723SN-DL | T3 | SE | 2O | VAAI | TLV2361ICDBV | O1 | SE | 2O |
DM | S-80724SN-DM | T3 | SE | 2O | VAB-C | TLV1391CDBV | O1 | SE | 2O |
DN | S-80725SN-DN | T3 | SE | 2O | VABI | TLV1391CIDBV | O2 | SE | 2O |
DQ | S-80727SN-DQ | T3 | SE | 2O | VAC-C | TLV2211CDBV | O2 | SE | 2O |
DR | S-80728SN-DR | T3 | SE | 2O | VACI | TLV2211ICDBV | O1 | SE | 2O |
DT | S-80730SN-DT | T3 | SE | 2O | VAO-C | TLV2221CDBV | O1 | SE | 2O |
DX | S-80733SN-DX | T3 | SE | 2O | VADI | TLV2221ICDBV | O1 | SE | 2O |
DZ | S-80735SN-DZ | T3 | SE | 2O | VAE-C | TLV2231CDBV | O1 | SE | 2O |
ЕЕ | S-80750SL-EE | T3 | SE | 2O | VAEI | TLV2231ICDBV | O1 | SE | 2O |
EF | S-80751SL-EF | T3 | SE | 2O | WD | S-8435GF-WD | T2 | SE | 2P |
EG | S-80752SL-EG | T3 | SE | 2O | WK | S-8435FF-WK | T2 | SE | 2P |
ER | S-80761SL-ER | T3 | SE | 2O | X7 | S-8436DF-X7 | T2 | SE | 2P |
IE | S-81247SG-IE | T3 | SE | 2O | XB | S-8436BF-XB | T2 | SE | 2P |
J8 | S-80777SN-J8 | T3 | SE | 2O | XD | S-8436CF-XD | T2 | SE | 2P |
JE | S-80750SN-JE | T3 | SE | 2O | XK | S-8436AF-XK | T2 | SE | 2P |
JF | S-80751SN-JF | T3 | SE | 2O | YK | S-8436FF-YK | T2 | SE | 2P |
XL | S-8436HF-XL | T3 | SE | 2O | ZA | S-8437AF-ZA | T2 | SE | 2P |
ZB | S-8438AF-ZB | T2 | SE | 2P |
Как определить тип ЭРЭ, если в табл.1-2 одному маркировочному коду соответствует сразу несколько вариантов? Кстати, “рекордсменом” является код “А4”, который встречается 8 раз. Итак, для начала по внешнему виду и размерам ЭРЭ необходимо определить наиболее вероятный тип корпуса. После этого круг поиска должен заметно сузиться. Затем следует проанализировать по электрической схеме предполагаемые функции ЭРЭ.
Например, варикап вряд ли будет находиться в силовой части устройства, а стабилизатор напряжения — в ключевой схеме индикации. Еще одна подсказка находится в анализе подтипов ЭРЭ.
К примеру, транзисторы ВС847А и SMBTA43 фирмы Siemens имеют одинаковую маркировку, а также корпус, тип проводимости, однако первый из них обычный, а второй — высоковольтный.
Многие фирмы, покупая лицензию на изготовление того или другого ЭРЭ, либо оставляют ему прежнее условное название, либо заменяют префикс фирмы, разработавшей ЭРЭ, на свой собственный, либо добавляют в конце названия отличительные индексы. Для унификации маркировочный код SMD-прибора обычно не меняют.
Например, фирма Motorola во многих случаях добавляет в конце названия “LT1”, поэтому логично, что транзистор BC846ALT1 (Motorola) эквивалентен по маркировке и электрическим параметрам транзистору ВС846А (Siemens).
Таблица 6.1. 4-выводные SMD.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
87 | ВАТ68-07 | F2 | SI | 2К | |||||
14 | ВАЛ 14-099-R | F4 | SI | 2К | 888 | S888T | А2 | TL | 2К |
17 | BAS125-07 | F2 | SI | 2К | 913 | S913T | U1 | TL | 2К |
18 | BFP181T | N2 | TL | 2К | 918 | S918T | U1 | TL | 2К |
и | BCV61A | N5 | SI | 2К | 92V | BFP92A | N2 | TL | 2К |
1К | BCV61B | N5 | SI | 2К | 949 | S949T | U1 | TL | 2К |
1L | BCV61C | N5 | SI | 2К | А06 | MSA-0611 | U2 | HP | 2К |
28 | BFP280T | N2 | TL | 2К | А07 | MSA-0711 | U2 | HP | 2К |
305 | АТ-30511 | N2 | HP | 2К | А2 | CFY30 | А1 | SI | 2К |
310 | АТ-31011 | N2 | HP | 2К | А31 | MSA-2011 | U2 | HP | 2К |
320 | АТ -32011 | N2 | HP | 2К | А5 | HSMS-2805 | F2 | HP | 2К |
3J | BCV62A | Р5 | SI | 2К | А7 | HSMS-2807 | F4 | HP | 2К |
ЗК | BCV62B | Р5 | SI | 2К | А8 | HSMS-2808 | F4 | HP | 2К |
3L | BCV62C | Р5 | SI | 2К | АА | BAR80 | D1 | SI | 2N |
414 | АТ-41411 | N2 | HP | 2К | АН | ВСР53Т1 | Р1 | MO | 2М |
415 | АТ-41511 | N2 | HP | 2К | AL | BFP405 | N2 | SI | 2L |
47 | BAS40-07 | F2 | SI | 2К | AM | BFP420 | N2 | SI | 2L |
503 | S503T | U1 | TL | 2К | AN | BFP450 | N2 | SI | 2L |
504 | S504T | U1 | TL | 2К | AS3 | BSP52T1 | N4 | MO | 2М |
57 | ВАТ17-07 | F2 | SI | 2К | В5 | HSMS-2815 | F2 | HP | 2К |
593 | S593T | U1 | TL | 2К | В7 | HSMS-2817 | F4 | HP | 2К |
594 | S594T | U1 | TL | 2К | В8 | HSMS-2818 | F4 | HP | 2К |
595 | S595T | U1 | TL | 2К | ВВ | BAR81 | D1 | SI | 2N |
60 | BAR60 | D3 | SI | 2К | ВН | ВСР56Т1 | N1 | MO | 2М |
605 | FZT605 | N4 | ZE | 2М | BL | BGA310 | U2 | SI | 2К |
61 | BAR61 | D3 | SI | 2К | ВМ | BGA312 | U2 | SI | 2К |
62 | ВАТ62 | F2 | SI | 2К | BN | BGA318 | U2 | SI | 2К |
63 | ВАТ63 | F2 | SI | 2К | BS3 | BSP62T1 | Р4 | MO | 2М |
651 | PZTA651T1 | N1 | MO | 2М | С5 | HSMS-2825 | F2 | HP | 2М |
67 | ВАТ64-07 | F2 | SI | 2К | С7 | HSMS-2827 | F4 | HP | 2К |
67 | BFP67 | N2 | TL | 2К | С8 | HSMS-2828 | F4 | HP | 2К |
705 | FZT705 | Р4 | ZE | 2М | С9 | HSMS-2829 | F4 | HP | 2К |
77 | BAS70-07 | F2 | SI | 2К | СА | ВСР68Т1 | N1 | MO | 2М |
822 | S822T | N2 | TL | 2К | СЕ | ВСР69Т1 | Р1 | MO | 2М |
82Р | BFP182T | N2 | TL | 2К | Е5 | MDC5000T1 | U3 | MO | 2К |
83Р | BFP183T | N2 | TL | 2К | F05 | TSDF1205 | N2 | TL | 2К |
849 | S849T | U1 | TL | 2К | F20 | TSDF1220 | N2 | TL | 2К |
858 | S858TA1 | U2 | TL | 2К | FA | BFP81 | N2 | SI | 2К |
860 | S860T | U2 | TL | 2К | FE | BFP93A | N2 | SI | 2К |
868 | S868T | U2 | TL | 2К | G2 | CGY50 | U1 | SI | 2К |
Ориентироваться в этом случае можно по фирменным особенностям корпуса ЭРЭ или характеру технологических надписей на нем, включая витиеватый “азиатский” шрифт фирмы Pan Jit.
При отсутствии необходимого кода в табл. 5-6 следует поискать наиболее близкий к нему вариант и оценить параметры соответствующего ЭРЭ. Вполне возможно, что лишняя буква в конце маркировки указывает на несущественные особенности.
Например, ЭРЭ фирмы Hewlett Packard в корпусах SOT-23 и SOT-143 могут быть как со стандартным, так и с уменьшенным по высоте профилем. Низкий профиль указывается добавлением индекса “L” по образцу: “АО” — стандартный профиль, “AOL” — уменьшенный.
Таблица 6.2. 4-выводные SMD.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
НН | BBY51-07 | V2 | SI | 2К | RE | BFP280 | N2 | SI | 2К |
JK | BF1009 | A2 | SI | 2К | RE | BFP280W | N2 | Si | 2L |
JL | BF1009S | A2 | SI | 2К | RF | BFP181 | N2 | SI | 2К |
JP | BAW101 | E2 | SI | 2К | RF | BFP181W | N2 | SI | 2L |
JS | BAW100 | E2 | SI | 2К | RG | BFP182 | N2 | SI | 2К |
JT | BAS28 | E2 | SI | 2К | RG | BFP182W | N2 | SI | 2L |
JXAA | MAX6160EU-S | T1 | MX | 2К | RH | BFP183 | N2 | SI | 2К |
MB | BF995 | A2 | SI | 2К | RH | BFP183W | N2 | SI | 2L |
MG | BF994S | A2 | SI | 2К | RI | BFP196 | N2 | SI | 2К |
МН | BF996S | A2 | SI | 2К | RI | BFP196W | N2 | SI | 2L |
МО | BF998 | A2 | SI | 2К | RK | BFP194 | Р2 | SI | 2К |
MS | CF739 | A2 | SI | 2К | S5 | ВАТ15-099 | F2 | SI | 2К |
MX | CF750 | U1 | SI | 2К | S6 | BAT15-099R | F4 | SI | 2К |
MY | BF1012 | A2 | SI | 2К | S7 | ВАТ114-099 | F2 | SI | 2К |
MZ | BF1005 | A2 | SI | 2К | S8 | BAT14-099R | F4 | SI | 2К |
N30 | INA-30311 | U2 | HP | 2К | S9 | ВАТ14-099 | F2 | SI | 2К |
N36 | BFG520 | N2 | PS | 2К | Т5 | HSMS-2865 | F2 | HP | 2К |
N37 | BFG540 | N2 | PS | 2К | ТАЗ | S858TA3 | U2 | TL | 2К |
N50 | INA-50311 | U2 | HP | 2К | U1 | BGX50A | Е4 | SI | 2К |
NA | CFY35-20 | A1 | SI | 2N | V3 | BFG67 | N2 | PS | 2К |
NB | CFY35-23 | A1 | SI | 2N | V5 | BFG197 | N2 | PS | 2К |
NY | BF1012S | A2 | SI | 2К | W18 | BFP181TRW | N2 | TL | 2L |
NZ | BF1005S | A2 | SI | 2К | W18 | BFP181TW | N2 | TL | 2L |
P1D | PZTA42T1 | N3 | MO | 2М | W22 | S822TRW | N2 | TL | 2L |
P1F | PZT2222AT1 | N1 | MO | 2М | W22 | S822TW | N2 | TL | 2L |
P1N | f PZTA14T1 | N4 | MO | 2М | W28 | BFP280TRW | N2 | TL | 2L |
P2D | PZTA92T1 | P3 | MO | 2М | W28 | BFP280TW | N2 | TL | 2L |
P2F | PZT2907AT1 | P1 | MO | 2М | W4 | BCR400R | U3 | SI | 2К |
P2V | PZTA64T1 | P4 | MO | 2М | W4 | BCR400W | U3 | SI | 2L |
P5 | HSMS-2855 | F2 | HP | 2К | W67 | BFP67W | N2 | TL | 2L |
PT | BAR64-07 | D2 | SI | 2К | W82 | BFP182TRW | N2 | TL | 2L |
R5 | HSMS-8205 | F2 | HP | 2К | W82 | BFP182TW | N2 | TL | 2L |
R7 | HSMS-8207 | F4 | HP | 2К | W83 | BFP183TRW | N2 | TL | 2L |
RA | BF772 | N2 | SI | 2К | W83 | BFP183TW | N2 | TL | 2L |
RA | BF772W | N2 | SI | 2L | W92 | BFP92AW | N2 | TL | 2L |
RC | BFP193 | N2 | SI | 2К | WF0 | TSDF1205 | N2 | TL | 2L |
RC | BFP193W | N2 | SI | 2L | WF2 | TSDF1220 | N2 | TL | 2L |
RD | BFP180 | N2 | SI | 2К | WFE | BFP93AW | N2 | TL | 2L |
RD | BFP180W | N2 | SI | 2L | WM-0 | BF998RW | А2 | TL | 2L |
G5 | HSMP-3895 | E2 | HP | 2К |
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе и на CD-ROM дисках [1-10], требует критического подхода и осмысления. Так как все технические данные имеющиеся и меня в наличии о зарубежных ЭРЭ, приводимые в DATASHEET, часто содержат неполные указания по маркировке.
Поэтому еще раз вам напоминаю о том, что нужно осторожно относится к различной замене компонентов одной фирмы другой, так как даже всемирно известное имя фирмы и красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий.
С. Рюмик
Литература:
1. Semiconductor Short Form. — Temic Semiconductor, 1997.
2. Farnell. Der Elektronik Katalog. Februar 1998. — Germany, 1998.
3. Small-Signal Semiconductors. Short Form Catalog 06.96. — Siemens, 1996.
4. Motorola Semiconductor Master Selection Guide. — Motorola, 1997.
5. Setron. Technischer Katalog 1996/97. — Germany, 1997.
6. Communications Components Designer’s Catalog. — Hewlett Packard Co., 1997.
7. Pan Jit. Data Book. — CD-ROM, 1998.
8. Maxim Gesamtubersicht. Programm 1/98. — CD-ROM, 1998.
9. Seiko Instruments Inc. Sll Components. — CD-ROM, 1998.
10. Analog Devices. Designers Reference Manual. Winter 97/98. — CD-ROM, 1998.
Завод по маркировке диодовSmd, производственная компания OEM / ODM для маркировки диодов на заказ
Всего найдено 11 фабрик и компаний по маркировке SMD-диодов с 33 продуктами. Получите высококачественную маркировку SMD-диодов из нашего огромного выбора надежных заводов по производству маркировки SMD-диодов. Золотой членТип бизнеса: | Производитель / Завод , Торговая компания |
Основные продукты: | Лазерный модуль |
Собственность завода: | Частный собственник |
Объем НИОКР: | ODM, OEM |
Расположение: | Чжуншань, Гуандун |
Производственные линии: | 1 |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод |
Основные продукты: | Светодиодный модуль, Модуль впрыска, Светодиодные гирлянды для экспонирования, Светодиодная лента, Источник света из полимерного слова |
Собственность завода: | Общество с ограниченной ответственностью |
Объем НИОКР: | OEM, ODM, собственный бренд |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Производственные линии: | 8 |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод |
Основные продукты: | Светодиодная лампа, Светодиодная лампа, Подводный свет, Бассейн, Светодиодная лента |
Собственность завода: | Частный собственник |
Объем НИОКР: | OEM, ODM |
Расположение: | Гуанчжоу, Гуандун |
Производственные линии: | 4 |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод |
Основные продукты: | Диод , TVs Диод , Мостовой выпрямитель, Выпрямитель Диод , Шоттки Диод |
Mgmt.Сертификация: | ISO 9001, ISO 14001 |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод |
Основные продукты: | Кремниевый выпрямитель , диод , стабилитрон , диод , мостовой выпрямитель , диод , барьер Шоттки , диод , переключающий диод , |
Mgmt.Сертификация: | ISO 9001 |
Собственность завода: | Общество с ограниченной ответственностью |
Объем НИОКР: | OEM, ODM, собственный бренд |
Расположение: | Чанчжоу, Цзянсу |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод , Торговая компания |
Основные продукты: | Гибкая светодиодная лента, Светодиодные модули для вывесок, Жесткая светодиодная лента, Блок питания, Контроллер RGB |
Mgmt.Сертификация: | ISO 9001 |
Собственность завода: | Общество с ограниченной ответственностью |
Объем НИОКР: | OEM, ODM, собственный бренд |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Тип бизнеса: | Торговая компания |
Основные продукты: | ИС, треугольник, электронные компоненты, активные компоненты, пассивные компоненты |
Mgmt.Сертификация: | FSC |
Собственность завода: | Частный собственник |
Объем НИОКР: | OEM |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод |
Основные продукты: | Станок с ЧПУ, Машина для изготовления масок, Машина для снятия отпечатков пальцев |
Mgmt.Сертификация: | ISO 9001 |
Собственность завода: | Общество с ограниченной ответственностью |
Объем НИОКР: | Собственный бренд, ODM, OEM |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Тип бизнеса: | Производитель / Завод , Торговая компания |
Основные продукты: | Диоды , Транзисторы, Пьезоэлементы, Кристаллы, Пила Резонатор |
Mgmt.Сертификация: | ISO 14000, ISO 14001, ISO 9000, ISO 9001 |
Расположение: | Шэньчжэнь, Гуандун |
Best value a mark smd — отличные предложения на mark smd от глобальных продавцов a mark smd
Замечательные новости !!! Вы попали в нужное место для отметки smd.К настоящему времени вы уже знаете, что что бы вы ни искали, вы обязательно найдете это на AliExpress. У нас буквально тысячи отличных продуктов во всех товарных категориях. Ищете ли вы товары высокого класса или дешевые и недорогие оптовые закупки, мы гарантируем, что он есть на AliExpress.
Вы найдете официальные магазины торговых марок наряду с небольшими независимыми продавцами со скидками, каждый из которых предлагает быструю доставку и надежные, а также удобные и безопасные способы оплаты, независимо от того, сколько вы решите потратить.
AliExpress никогда не уступит по выбору, качеству и цене. Каждый день вы будете находить новые онлайн-предложения, скидки в магазинах и возможность сэкономить еще больше, собирая купоны. Но вам, возможно, придется действовать быстро, так как эта марка smd в кратчайшие сроки станет одним из самых востребованных бестселлеров. Подумайте, как вам будут завидовать друзья, когда вы скажете им, что получили отметку smd на AliExpress.Благодаря самым низким ценам в Интернете, дешевым тарифам на доставку и возможности получения на месте вы можете еще больше сэкономить.
Если вы все еще не уверены в маркировке smd и думаете о выборе аналогичного товара, AliExpress — отличное место для сравнения цен и продавцов. Мы поможем вам решить, стоит ли доплачивать за высококлассную версию или вы получаете столь же выгодную сделку, приобретая более дешевую вещь.А если вы просто хотите побаловать себя и потратиться на самую дорогую версию, AliExpress всегда позаботится о том, чтобы вы могли получить лучшую цену за свои деньги, даже сообщая вам, когда вам будет лучше дождаться начала рекламной акции. и ожидаемая экономия.AliExpress гордится тем, что у вас всегда есть осознанный выбор при покупке в одном из сотен магазинов и продавцов на нашей платформе. Реальные покупатели оценивают качество обслуживания, цену и качество каждого магазина и продавца.Кроме того, вы можете узнать рейтинги магазина или отдельных продавцов, а также сравнить цены, доставку и скидки на один и тот же продукт, прочитав комментарии и отзывы, оставленные пользователями. Каждая покупка имеет звездный рейтинг и часто имеет комментарии, оставленные предыдущими клиентами, описывающими их опыт транзакций, поэтому вы можете покупать с уверенностью каждый раз. Короче говоря, вам не нужно верить нам на слово — просто слушайте миллионы наших довольных клиентов.
А если вы новичок на AliExpress, мы откроем вам секрет.Непосредственно перед тем, как вы нажмете «купить сейчас» в процессе транзакции, найдите время, чтобы проверить купоны — и вы сэкономите еще больше. Вы можете найти купоны магазина, купоны AliExpress или собирать купоны каждый день, играя в игры в приложении AliExpress. Вместе с бесплатной доставкой, которую предлагают большинство продавцов на нашем сайте, мы думаем, вы сможете приобрести smd mark по самой выгодной цене.
У нас всегда есть новейшие технологии, новейшие тенденции и самые обсуждаемые лейблы.На AliExpress отличное качество, цена и сервис всегда в стандартной комплектации. Начните самый лучший шоппинг прямо здесь.
|
|
|
2012 — STK and STR integrated circuits Abstract: transistor smd zG 1e STR-Z4579 Turuta 6 pin TRANSISTOR SMD CODE PA STK and STR integrated circuits, 2011 edition transistor 5d smd ELM85361A SMD TRANSISTOR MARKING 6B smd sot-323 marking code pa | Оригинал | OD-80 ОТ-223 ОТ-89 Интегральные схемы СТК и СТР транзистор smd zG 1e STR-Z4579 Турута 6-контактный ТРАНЗИСТОР SMD CODE PA Интегральные схемы СТК и СТР, издание 2011 г. транзистор 5d smd ELM85361A МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА SMD 6B smd sot-323 маркировка кода pa | ||||||
SMD-маркировка транзисторов Motorola, коды Аннотация: МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА SMD 5c Код SMD smd Маркировка кода транзистора 2F toshiba smd маркировка кода транзистор ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД 1P smd транзистор 5c Диод SOT-23 маркировка 15d SMD МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА 6B КОД МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА SMD 1d | Оригинал | ОТ-89 ОТ-223 С-120, 2001MD, Коды маркировки smd транзисторов Motorola МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА SMD 5c SMD код smd код транзистора маркировка 2F toshiba smd маркировка транзистора КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 1P smd транзистор 5c Диод СОТ-23 маркировка 15д МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА SMD 6B КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 1d | ||||||
smd код A7 Реферат: smd кодовая книга B3 транзистор smd кодовая книга B3 a3 smd код SMD CODE SMD MARKING CODE 01C sot23-6 SH A 94V-0 7070MC SH-7070TB диод smd E7 | Оригинал | SH-7000 UL-94V-0 UL-94HB CVS-04TB-1 CVS-04TB CVS-04B CVS-08TB-1 CVS-08TB CVS-08B smd код A7 smd кодовая книга B3 транзистор smd кодовая книга B3 код smd a3 КОД SMD КОД МАРКИРОВКИ SMD 01C sot23-6 SH A 94V-0 7070MC SH-7070TB диод smd E7 | ||||||
2004 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | DC1709A LTC3880EUJ LTC3880 LTC3880-1.DC1709af | ||||||
CS-7-14B Аннотация: smd 7BA CS-7 CVS-04TB-1 CS-7-14TB 714b CVS-01TB CVS-08B CS-7-14MB | Оригинал | UL-94V-0 UL-94HB CVS-02B CVS-03TB-1 CVS-03TB CVS-03B CVS-04TB-1 CVS-04TB CVS-04B CS-7-14B smd 7BA CS-7 CVS-04TB-1 CS-7-14TB 714b CVS-01TB CVS-08B CS-7-14MB | ||||||
2008-LM385 2,5 В smd Аннотация: маркировка smd диодов jc sot23 МАРКИРОВКА QV sot23 RETS185H-2 smd diode 01C | Оригинал | LM185-2 5 / LM285-2 5 / LM385-2 LM-185-2 LM385 2.5 В smd smd маркировка диодов jc sot23 МАРКИРОВКА QV sot23 РЭЦ185Н-2 smd диод 01C | ||||||
1999 — z12 smd код sot23 Аннотация: Код SMD МАРКИРОВКА 613 sot23 код smd Z70 Маркировка SMD Z4 КОД МАРКИРОВКИ SMD Z2 Y11 код smd код smd z16 smd z17 z67 маркировка smd Z58 | Оригинал | M3D088 BZX84 BZX84-A) BZX84-B) BZX84-C) BZX84-C11 BZX84-C12 BZX84-C13 BZX84-C6V8 BZX84-C15 z12 smd код sot23 МАРКИРОВКА SMD код 613 sot23 smd код Z70 Маркировка SMD Z4 КОД МАРКИРОВКИ SMD Z2 Y11 smd код smd код z16 smd z17 z67 smd маркировка Z58 | ||||||
2009 — Стабилитрон smd, код маркировки S3 Аннотация: SMD-КОД МАРКИРОВКИ s7 SOT23 Стабилитрон smd маркировка 621 BZX84C5V1 spice smd маркировка S9 smd маркировка 306 sot23-6 Z3 маркировка A2 SMD-КОД МАРКИРОВКА sot23 ПАКЕТ SMD-КОДА SOT23 486 симистор 214 215 216 | Оригинал | M3D088 BZX84 BZX84-A X84-C5V1 BZX84-C5V6 BZX84-C62 BZX84-C68 BZX84-C6V2 BZX84-C6V8 Стабилитрон smd, код маркировки S3 МАРКИРОВКА SMD КОДОМ s7 SOT23 Стабилитрон smd, маркировка код 621 BZX84C5V1 специя smd маркировка S9 маркировка smd код 306 сот23-6 Маркировка Z3 МАРКИРОВКА SMD КОДА A2 sot23 ПАКЕТ SMD КОДА SOT23 486 симистор 214 215 216 | ||||||
1999 — КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОР 501Аннотация: КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3d КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 501 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА SP MV Код маркировки smd Код маркировки SOT23 33 SMD ic КОД МАРКИРОВКИ SMD транзистора SOT23 501 КОД МАРКИРОВКИ транзистора SMD 213 КОД МАРКИРОВКИ транзистора SMD 19 43 943 : условное обозначение.КОД МАРКИРОВКИ (1) 3D 3A 3B 3H НОМЕР ТИПА BC857A BC857B BC857C КОД МАРКИРОВКИ (1) 3E 3F 3G Вид сверху, Север Код заказа Номер заказа Американский (12nc) Номер детали BC856 9335 897 10215 маркировка / упаковка Состояние устройства Стандартная маркировка * Катушкодержатель, SMD, стандартная низкопрофильная маркировка * Пакет катушек, SMD, стандартная низкопрофильная маркировка * Пакет катушек, SMD, стандартная низкопрофильная маркировка * Пакет катушек, SMD, низкопрофильный, стандартная маркировка большого размера * Пакет катушек, SMD, стандартная низкопрофильная маркировка * Катушка Упаковка, для поверхностного монтажа, низкопрофильная | Оригинал | M3D088 BC856; BC857 BC846 BC847.BC857 BC856 BC856A BC856B КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОР 501 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3d КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА rd КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 501 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА SP Код маркировки MV smd SOT23 код маркировки 33 SMD ic ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 501 КОД МАРКИРОВКИ SMD транзисторов 213 КОД МАРКИРОВКИ 43 SMD транзисторов | ||||||
2010 — Код даты NXP Аннотация: NXP MARKING SMD IC CODE marking 1B marking code v6 SOT23 PMBT2222 MARKING CODE SMD IC smd code marking.1p PMBT2222A, 215 SOT23 Рассеиваемая мощность NXP TO-236AB PMBT2222A | Оригинал | PMBT2222; PMBT2222A О-236АБ) PMBT2222 PMBT2222A O-236AB PMBT2907 PMBT2907A Маркировка кода даты NXP КОД МАРКИРОВКИ NXP SMD IC маркировка 1Б код маркировки v6 SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD IC маркировка кода smd .1p PMBT2222A, 215 SOT23 NXP Рассеиваемая мощность TO-236AB | ||||||
2005 — smd диод сод-323 код маркировки 500 Реферат: диод smd маркировка код 631 маркировка КОД R SMD диод smd маркировка диода 500 C55 МАРКИРОВКА SMD КОД МАРКИРОВКИ D1 SMD КОД МАРКИРОВКИ D1 SMD КОД МАРКИРОВКА smd код маркировка pa транзистор smd маркировка nc | Оригинал | OD-323 100 мА ОТ-23Ф ОТ-23 ОТ-563 ОТ-523 500 мА. CMLSH05-4 CMLSH05-4DO CMUSH05-4 smd диод sod-323 код маркировки 500 диод smd маркировка код 631 маркировка CODE R SMD DIODE SMD маркировка диодов код 500 МАРКИРОВКА C55 КОД МАРКИРОВКИ SMD D1 КОД МАРКИРОВКИ SMD МАРКИРОВКА КОДОМ SMD D1 smd маркировка кода pa маркировка кода smd транзистора nc | ||||||
2012 — КОД МАРКИРОВКИ SMD МОП-ТРАНЗИСТОРА Аннотация: Маркировка MOSFET smd | Оригинал | CJ3404-HF ОТ-23 ОТ-23, MIL-STD-750, QW-JTR05 КОД МАРКИРОВКИ SMD МОП-ТРАНЗИСТОРА Маркировка MOSFET smd | ||||||
smd маркировка диода Ja sot Резюме: абстрактный текст отсутствует | Оригинал | CJ3404-HF ОТ-23 ОТ-23, MIL-STD-750, QW-JTR05 smd маркировка диода Ja sot | ||||||
2003 — КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3d Аннотация: МАРКИРОВКА 25 SMD PNP-ТРАНЗИСТОРА Код маркировки SMD NV smd маркировка 3d npn КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3f КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА A1 ТРАНЗИСТОР SMD A1 SOT23 транзистор smd t4 код маркировки smd 3D маркировка smd rs | 97 10215 * Пакет катушек, SMD, (SST3) Низкопрофильная стандартная маркировка SOT2397 20185 * Пакет с несколькими барабанами, (SST3) SMD, шаг 4 мм Стандартная маркировка SOT2397 20215 * Катушка Упаковка, SMD, (SST3) Низкопрофильная стандартная маркировка SOT23 9335 897 30185 * Пакет с несколькими барабанами, (SST3) SMD, шаг 4 мм Стандартная маркировка SOT23 9335 897 30215 * Пакет барабанов, SMD, (SST3) Низкий Оригинал | M3D088 BC856; BC857; BC858 BC846, BC847 BC848.BC856 BC856A BC856B КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3d МАРКИРОВКА 25 SMD PNP ТРАНЗИСТОРА Маркировка SMD транзисторов с кодом NV smd маркировка 3d npn КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 3f КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА A1 SMD ТРАНЗИСТОР A1 SOT23 smd транзистор t4 smd маркировочный код 3D smd маркировка rs | ||||||
2009 — код маркировки B9 DG SMD Аннотация: smd-диод B3 SOT23 SMD z6 SMD CODE ПАКЕТ SOT23 489 SMD EK 742 МАРКИРОВКА 43 SOT23 КОД МАРКИРОВКИ РЕГУЛЯТОРА SMD s1 sot23 BZX84C3v6 BZX84B5V1 SOT23 NXP рассеиваемая мощность TO-236AB | Оригинал | M3D088 BZX84 BZX84-A BZX84-C4V3 BZX84-C4V7 BZX84-C51 BZX84-C56 BZX84-C5V1 BZX84-C5V6 код маркировки B9 DG SMD smd диод B3 SOT23 SMD z6 ПАКЕТ SMD КОДА SOT23 489 SMD EK 742 МАРКИРОВКА 43 РЕГУЛЯТОР SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD s1 sot23 BZX84C3v6 BZX84B5V1 SOT23 NXP Рассеиваемая мощность TO-236AB | ||||||
КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА Аннотация: 4E smd диод smd код маркировки sot23 smd код маркировки диода код маркировки транзисторов Код маркировки SOT-23 s1 SMD диод на полупроводниковой маркировке код sot маркировка MOSFET smd MOSFET маркировка SMD КОД ТРАНЗИСТОРА SMD npn КОД | Оригинал | 100 мА 200 мА OD-323 CMDSH05-4 500 мА ОТ-23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 4E smd диод smd код маркировки sot23 код маркировки диодов smd Код маркировки транзистора СОТ-23 код маркировки s1 SMD диод на маркировке полупроводников код sot Маркировка MOSFET smd КОД МАРКИРОВКИ SMD MOSFET КОД МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА SMD npn | ||||||
2002 — max809sd Аннотация: max809zd-g smd ic SUPERVISOR RESET max809zd код маркировки Motorola SMD ic код маркировки для SMD sot23-3 MAX809MD MAX809TD SMD CODE ПАКЕТ SOT23 486 Philips t an sot23 | 13 47115 Стандартная маркировка * Упаковка катушек, SMD, 7 дюймов 9352 713 51115 Стандартная маркировка * Пакет катушек, SMD, 7 дюймов | 13 48115 Стандартная маркировка * Пакет катушек, SMD, 7 дюймов | 13 49115 Стандартная маркировка * Пакет барабанов, SMD, 7 дюймов | 13 52115 Стандартная маркировка * Пакет барабанов, SMD, 7 « | 13 53115 Стандартная маркировка * Катушка | Оригинал | MAX809 / MAX810 MAX809 / MAX810 MAX809 MAX810 25 сен 20) max809sd max809zd-g smd ic СБРОС СУПЕРВИЗОРА max809zd код маркировки motorola SMD ic код маркировки для SMD сот23-3 MAX809MD MAX809TD ПАКЕТ SMD КОДА SOT23 486 Philips t an sot23 | |
2003 — КОД МАРКИРОВКИ SMD диода 2M Аннотация: DIODE smd marking A1 k1 marking 2k | 57 14215 * Пакет катушек, SMD, (SST3) Низкопрофильный BAT754A Стандартная маркировка SOT23 BAT754A | 57 30215 * Пакет катушек, SMD, ( SST3) T / R Низкопрофильная стандартная маркировка SOT23 BAT754C 9340 557 31215 * Катушкодержатель, SMD, (SST3) T / R Низкопрофильная стандартная маркировка SOT23, с кольцевой защитой · Небольшой пластиковый корпус SMD · Низкая емкость диода. ПРИМЕНЕНИЕ · Сверхскоростной | Оригинал | M3D088 BAT754 BAT54 13.02.03) КОД МАРКИРОВКИ SMD диода 2M ДИОД smd маркировка A1 к1 маркировка 2к | ||||
1999 — НАЦИОНАЛЬНЫЙ КОД МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ сот Аннотация: 6-контактный SMD-КОД ТРАНЗИСТОРА 21 SMD-маркировка диода 9 ba SMD-маркировка x3 SMD-МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА BA 24 SMD-МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА BA 24 SMD-МАРКИРОВКА ТРАНЗИСТОРА Маркировка SMD-транзистора X1 КОД SMD-МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА m3 Код маркировки smd стабилитрона t1 | Оригинал | LM431 НАЦИОНАЛЬНЫЙ КОД МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ sot 6-контактный ТРАНЗИСТОР SMD КОД 21 smd маркировка диода 9 ba smd маркировка диода x3 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА BA 24 SMD-маркировка транзистора BA КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 93 Маркировка SMD транзистора X1 КОД МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА SMD m3 Стабилитрон smd маркировка, код t1 | ||||||
1999 — НАЦИОНАЛЬНЫЙ КОД МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ сот Аннотация: КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 93 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА m3 Маркировка диода SMD 9 ba Маркировка SMD транзистора X1 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА ДИОД MV 6-контактный КОД ТРАНЗИСТОРА SMD 21 Маркировка транзистора smd 54 Маркировка диода smd x3 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА BA 24 | Оригинал | LM431 LM431 НАЦИОНАЛЬНЫЙ КОД МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ sot КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА 93 КОД МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРА SMD m3 smd маркировка диода 9 ba Маркировка SMD транзистора X1 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА MV DIODE 6-контактный ТРАНЗИСТОР SMD КОД 21 маркировка smd транзисторов 54 smd маркировка диода x3 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА BA 24 | ||||||
2011 — Нет в наличии Резюме: абстрактный текст недоступен | Оригинал | CSRS065V0P IEC61000-4-2 IEC61000-4-4 ОТ-23-6 ОТ-23-6 MIL-STD-750 QW-BP018 | ||||||
2009 — сот-23-6 маркировка с05 Аннотация: КОД МАРКИРОВКИ SMD 302 smd sot 323 код диода 14 smd Маркировка кода диода 20A IEC61000-4-4 | Оригинал | CSRS065V0P IEC61000-4-2 IEC61000-4-4 ОТ-23-6 ОТ-23-6 MIL-STD-750 QW-BP018 сот-23-6 маркировка c05 КОД МАРКИРОВКИ SMD 302 smd сот 323 диод код 14 smd маркировка кода ДИОДА 20А IEC61000-4-4 | ||||||
TA1294F Аннотация: TD62C950RF TD62C950 TD62C950RFg TB9250N TB9248N PA2028A ta1219n TA8310 TA8690ANG | Оригинал | КТ404-006 TA1294F TD62C950RF TD62C950 TD62C950RFg TB9250N TB9248N PA2028A ta1219n TA8310 TA8690ANG | ||||||
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | CSRS065V0P ОТ-23-6 IEC61000-4-2 IEC61000-4-4 ОТ-23-6 MIL-STD-750 QW-BP018 | ||||||
2003 — Код маркировки SMD транзисторов NV Резюме: 2n7002 2N7002 PHILIPS philips 2n7002 2N7002 PHILIPS МАРКИРОВКА 2N7002 Маркировка SMD | Оригинал | 2N7002; 2N7002 //// Clement / public / 2N7002 03 февраля 2003 г. Маркировка SMD транзисторов с кодом NV 2n7002 2N7002 ФИЛИПС Филипс 2n7002 2N7002 МАРКИРОВКА PHILIPS Маркировка 2Н7002 SMD |
Коды маркировки SMD компонентов — Скачать PDF бесплатно
1
2 Eugene Turuta Коды маркировки активных SMD-компонентов Введение SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 2-контактных корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 3-х контактных корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах SOT-89 SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах SOT-223 SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах BGA и LPP SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 4-контактных корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 5-контактных корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах с 6 и более контактами Чертежи обычных корпусов.Назначение контактов кейсов. Распиновка Тип маркировки SMD-кодов Примеры схематических схем Логотипы, контакты и веб-адреса производителей 2 — контакты 3 — контакты SOT — 89 SOT BGA … LPP 4 — контакты 5 — контакты контакты Кишинев, выпуск 2008 г.
3 Введение Устройства для поверхностного монтажа (SMD) используются во все большем количестве коммерческих и промышленных товаров. SMD имеют улучшенные характеристики по сравнению с компонентами со сквозным отверстием из-за их меньшего размера, более коротких внутренних выводов и меньшего размера платы.Эти факторы уменьшают паразитную индуктивность и емкость схемы. SMD также могут быть более экономичными, чем традиционные компоненты со сквозными отверстиями, из-за меньшего размера платы, меньшего количества слоев платы и меньшего количества отверстий. Сегодня более 50% активных полупроводниковых компонентов устанавливаются на поверхность. В то же время SMD-устройства по самой своей природе слишком малы, чтобы иметь обычные номера типов полупроводников. Таким образом, выросла несколько произвольная система кодирования, в которой упаковка устройства содержит простой одно-, двух- или более-символьный или графический идентификационный код.При этом необходимо учитывать, что цвет и (или) размещение буквенно-цифровых или графических символов также важны. Определить типовой номер производителя SMD-устройства по коду упаковки может быть сложной задачей. К сожалению, код каждого устройства не обязательно уникален. Различные производители могут размещать разные устройства в одном корпусе с одним и тем же SMD-кодом. Например, с SMD-кодом 6H в корпусе SOT-23 может быть либо npn-транзистор BC818 (CDIL), либо емкостный диод FMMV2104 (Zetex), либо n-канальный JFET-транзистор MMBF5486 (Motorla) или цифровой pnp-транзистор. MUN2131 (Motorola) или pnp-цифровой транзистор UN2117 (Matsushita) или CMOS-интегральная схема-детектор напряжения с выходом сброса R3131N36EA (Ricoh).Даже один и тот же производитель может использовать один и тот же код для разных устройств. Чтобы идентифицировать конкретное SMD-устройство, необходимо указать производителя, тип упаковки и записать идентификационный код, напечатанный на устройстве. Идентификация производителя возможна только в том случае, если на корпусе нанесены логотипы производителя, но это происходит не всегда. Кроме того, иногда можно определить производителя по косвенным тегам. Многие последние устройства Motorola имеют небольшой верхний индекс после кода устройства, например SA C (эта маленькая буква обозначает просто код месяца изготовления).Устройства Siemens и Infineon обычно имеют строчные буквы (AT, LO). Устройства Philips обычно имеют строчную букву «p» (AHp, Z1p, pb0) или «-» (DQ, ZS) для устройств, произведенных в Гонконге, и «t» (ZtS, tt9, Y7t) для устройств, произведенных в Малайзии. . В разделе 5 представлены логотипы производителей SMD-устройств. Стиль упаковки — еще одна проблема для идентификации SMD-устройств. Различные производители могут обозначать одинаковые случаи в соответствии с различными стандартами (или в соответствии с внутренней системой фирмы).К тому же различные корпуса могут иметь одинаковый вид (форму) и различаться только размерами, но этого различия размеров так мало, что можно измерить только специальными измерительными приборами. Соответствие названий корпусов разных производителей представлено в нижней таблице: Таблица 1 JEDEC EIAJ Central Rohm Sanyo Hitachi Motorola KEC Panasonic Maxim Toshiba Philips Siemens TO-236 SC-59 SOT-346 SMT3 MPAK2 SC-59 S-Mini Mini3 TO -236AB SOT-23 SST3 CP SOT-23 TO-243AA SC-62 SOT-89A MPT3 UPAK PW-Mini TO-243AB SC-62 SOT-89B TO252-3 SC-63 CPT3 TO-253 SOT-143 SMT4 SOT-143 TO-253 SC-61B SOT-143R SOD-123 SOD-123 SC-76 SOD-323 UMD2 USC SOT-343 SOT-343R CMPAK4 SC-70 SOT-323 UMT3 MCP CMPAK SOT-323 USM SC-74 SMT6 SM6 SC- 74A SOT-753 SMT5 SMV Mini5 SC-75A SOT-416 EMT3 SMPAK SC-90 SSM SC-79 SOT-523 EMD2 SSFP S-Flat SMini3 SC-82 UMT4 SC-88 SOT-363 UMT6 US6 SC-88A SOT-353 UMT5 SC70-5 USV SC-89 SOT-490 SOT23-5 SC59-5 SC-73 SOT-223 DO-214AC SOD-106 PMDS DO-214AC SOD-124 SC-81 SSMini3 В следующих разделах таблиц полупроводниковые компоненты SMD — не имеет значения относительно транзисторов, диодов, интегральных схем и т. д.вынесены в отдельные таблицы по номерам клемм и (или) типу корпусов и перечислены в строгом буквенно-цифровом порядке по SMD-кодам.
4 Колонка 1 (SMD-код) … (синий) Цвет … + синий Цвет катодной ленты Колонка 2 (Тип) Обозначения типа соответствуют обозначениям в соответствующей документации производителя. Колонка 3 (Устройство) Краткое определение полупроводникового компонента.Используемые сокращения: C-Diode Емкостной диод (варактор, варикап) CMOS-IC Интегральная схема CMOS CMOS-Logic CMOS логическая интегральная схема Comp-IC Интегральная схема компаратора напряжения CPE Элемент защиты цепи Digi-IC Цифровая интегральная схема GaAs-диод Галлиево-арсенидный диод GaAs-N-FET Галлий-арсенидный n-канальный полевой транзистор H-IC Интегральная схема на эффекте Холла Lin / Dig-IC Комбинированная линейно-цифровая интегральная схема Lin-IC Линейная интегральная схема MOS -… * Со встроенным диодом защиты затвора MOS- FET-d Полевой транзистор на основе оксида металла, MOS-FET-e с истощением полевой транзистор Op-IC Операционный усилитель интегральная схема SA-диод Импульсный диод Si-Diode Кремниевый диод Si-npn Кремниевый npn-транзистор Si-npn-Darl Кремний npn транзистор Дарлингтона Si-npn-Digi Кремний npn цифровой транзистор SiGe-npn Кремний / Geramanium npn транзистор Si-pnp Sili con pnp транзистор Si-pnp-Darl Кремниевый pnp транзистор Дарлингтона Si-pnp-Digi Кремний pnp цифровой транзистор Si-Stab Кремниевый стабистор Therm-S Интегральная схема термодатчика Thy-SPD Тиристор-устройство защиты от перенапряжения Логическая интегральная схема TTL-логического транзистора-транзистора ТВС переходные напряжения супрессора регулятор VR-ИК напряжение интегральной схемы опорного Vref-ИК напряжение интегральной схемы Z-диод Зеннер диод Z-диод / TVS Зеннер диод — переходное напряжение супрессора Колонка 4 (Краткое описание) Короткие данные или описание функции каждого типа.Используемые сокращения: Adj. Регулировка, регулируемая звуковая частота AF Автоматическая регулировка усиления АРУ Автоматическая регулировка уровня ALC Амплитудная модуляция AM (диапазон AM) Усилитель Ant Антенна Аттенюатор Aval Avalanshe BTL Мостовая нагрузка Буферный буфер CATV Широкополосный кабельный усилитель Сотовая связь Контролируемый Conv Converter Cordl Беспроводной детектор детектора Дифференциальный Дифференциальный Dr, Drv Driver Ext. FM GaAs GP HF Hi-sp HV Instrum. Защелка-Пр. LDO LED LLS LN LogL Lo-sat Mix MR ODO OVP Osc Out PA Pow PPO PWM Rect Reg Res.Сброс-Pr. RF St-Down Supress. Sw. T-MOS Tun U-Speed UHF Var VCO VDet VHF Vid V-MOS VR WB Внешняя частотная модуляция (диапазон FM) Арсенид галлия Применение общего назначения Высокочастотный Высокоскоростной Высокое напряжение Инструментальная защелка Защита Низкое падение напряжения Светоизлучающий диод Логический уровень Шифтер Низкий уровень шума Логический (Uth> 0,8 … 2 В) Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Смеситель Ручной сброс Выход с открытым стоком Защита от перенапряжения Выход генератора Выходная мощность Усилитель мощности Двухтактный выход Широтно-импульсная модуляция Регулируемый резистор выпрямителя Защита от сброса Радиочастотные приложения Понижающий супрессор Импульсный тюнер на полевых МОП-транзисторах с траншеей Сверхскоростные радиочастотные приложения (> 250 МГц) Генератор с переменным напряжением Детектор напряжения Радиочастотные приложения (МГц) Выходные видеосигналы Регулятор напряжения Широкополосный столбец 5 (Корпус) Обозначение изготовителя.Столбец 6 (Вывод). Соответствующий номер чертежа (рис.) И назначение выводов (раздел 2). Все чертежи находятся также в разделе 2. Столбец 7 (Sch.) Пример схемы подключения некоторых ИС. Все рисунки находятся в разделе 4. Стиль столбца 8 (St.) (представление верхнего регистра) чертежа SMDcode. Все чертежи находятся в разделе 3. Колонка 9 (Mnf.) Для экономии места названия производителей сокращены. Полное название, логотипы, контактные данные и веб-адреса каждого производителя перечислены в алфавитном порядке в разделе 5.
5 SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Контакт. Ул. Мнф. 2-контактные полупроводниковые компоненты SMD Коды SMD для 2-контактных корпусов полупроводниковых компонентов 2 контакта 5
6 2-контактный SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Штырь. Санкт-ПетербургMnf.
7 SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Pin.St. Sch. Mnf. 3-контактные полупроводниковые компоненты SMD Коды SMD для 3-контактных корпусов полупроводниковые компоненты 3-контактные 181
8 3-контактный SMD код 182 Тип Функция Краткое описание Корпус Штырь. St. Sch. Mnf. + P2 BFR92A Si-npn UHF-A-диапазон, 20 В, 25 мА, 300 мВт, B> 40,> 5 ГГц SOT-23 16ta 3a — Sil + P5 BFR92AR Si-npn UHF-A-диапазон, 20 В, 25 мА, 300 мВт, B > 40,> 5 ГГц SOT-23 16te 3a — Sil + R2 BFR93A Si-npn UHF-A-Band, 15 В, 30 мА, 300 мВт, B> 40,> 5 ГГц SOT-23 16ta 3a — Sil + R5 BFR93AR Si-npn UHF -A-диапазон, 15 В, 30 мА, 300 мВт, B> 40,> 5 ГГц SOT-23 16te 3a — Sil 01 PDTA143EE Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 4.7k / 4.7k SC-75 16ta 3a — Phi 01 PDTA143EK Si-pnp-Digi Sw, 50V, 100mA, 250mW, R1 / R2 = 4.7k / 4.7k SC-59 16ta 3a — Phi 011 SO2369R Si-npn Sw, 40V , 200 мА, 330 мВт, B = SOT-23R 16te 3a — Ste 01A APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Сброс Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01B APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 1,75 В , -Сброс двухтактного выхода SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01C APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2.32V, -Reset двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01D APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2.63V , -Сброс двухтактного выхода SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01E APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2.93 В, -Сброс двухтактного выхода SOT-23 16 В дБ 3b VD7 Anp 01F APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 3,08 В, -Сброс двухтактного выхода SOT-23 16 В дБ 3b VD7 Anp 01G APR A Датчик напряжения CMOS-IC, 3,9 V, -Reset Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01H APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38V, -Reset Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 01J APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4.63 V, -Reset Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02 BSX39 Si-npn Sw, Driver, 45V, 0,2A, <12 / 18ns SOT-23 16te 3a - Mot 02 PDTC143EE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 4.7k / 4.7k SC-75 16ta 3a - Phi 02 PDTC143EK Si-npn-Digi Sw, 50V, 100mA, 150mW, R1 / R2 = 4.7k / 4.7k SC-59 16ta 3a - Phi 02A APR A CMOS-IC Детектор напряжения , 1,5 В, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02C APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2.32V, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02D APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 В, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02E APR A CMOS-IC детектор напряжения, 2,93 В, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02F APR A CMOS-IC детектор напряжения, 3.08 В, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02G APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 3,9 В, двухтактный выход сброса SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02H APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38 В, Сброс Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 02J APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4,63 В, сброс Двухтактный выход SOT-23 16vdb 3b VD7 Anp 03 DTC143TE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт , 250 МГц, R1 = 4k7 SOT ta 3a - Rhm 03 DTC143TKA Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, 250 МГц, R1 = 4k7 SOT ta 3a - Rhm 03 DTC143TM Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт , 250 МГц, R1 = 4k7 VMT3 18ta 3a - Rhm 03 DTC143TUA Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, 250 МГц, R1 = 4.7k UMT3 16ta 3a - Rhm 03 MSCT03 TVS 3,3 В, 300 Вт (8/20 мкс) SOT-23 16dh 3a - Msp 03 PDTA114EE Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SC-75 16ta 3a - Phi 03 PDTA114EEF Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SOT ta 3a - Phi 03 PDTA114EK Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SC-59 16ta 3a - Phi -03 PDTA114EU Si-pnp-Digi Sw, 50V, 100mA, 200mW, R1 / R2 = 10k / 10k SOT ta 3a - PhH 03A APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03B APR A CMOS-IC детектор напряжения, 1.75 В, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03C APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2.32V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03C MSCT03C TVS 3.3V, 300W (8/20 мкс) , Двунаправленный SOT-23 16dp 3a - Msp 03D APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 В, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03E APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 2,93 В, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03F APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 3.08V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03G APR A CMOS-IC детектор напряжения, 3.9 В, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03H APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 03J APR A CMOS-IC Детектор напряжения, 4,63 В, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-23 16vdb 3b VD6 Anp 04 PDTC114EK Si-npn-Digi Sw, 50V, 100mA, 250mW, R1 / R2 = 10k / 10k SC-59 16ta 3a - Phi -04 PMSS3904 Si-npn GP, 60V , 100 мА, 200 мВт, B =,> 180 МГц SC-70 16ta 3a — PhH 05 DTC124TE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 250 МГц, R1 = 22k SOT ta 3a — Rhm 05 DTC124TKA Si-npn-Digi Sw , 50 В, 100 мА, 200 мВт, 250 МГц, R1 = 22k SOT ta 3a — Rhm 05 DTC124TM Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 250 МГц, R1 = 22k VMT3 18ta 3a — Rhm 05 DTC124TUA Si-npn-Digi Sw , 50 В, 100 мА, 200 мВт, B =,> 200 МГц, R1 = 22k UMT3 16ta 3a — Rhm 05 MSCT05 TVS 5 В, 300 Вт (8/20 мкс) SOT-23 16dh 3a — Msp 05 PDTA124EE Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 22k / 22k SC-75 16ta 3a — Phi 05 PDTA124EK Si-pnp-Digi Sw, 50V, 100mA, 250mW, R1 / R2 = 22k / 22k SC-59 16ta 3a — Phi 05C MSCT05C TVS 5 В, 300 Вт (8/20 мкс), двунаправленный SOT-23 16dp 3 a — Msp 06 PDTC124EE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 22k / 22k SC-75 16ta 3a — Phi 06 PDTC124EK Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 22k / 22k SC-59 16ta 3a — Phi -06 PMSS3906 Si-pnp GP, 60 В, 100 мА, 200 мВт, B =,> 150 МГц SC-70 16ta 3a — PhH 07 PDTA144EE Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SC-75 16ta 3a — Phi 07 PDTA144EEF Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SOT ta 3a — Phi 07 PDTA144EK Si-pnp-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SC-59 16ta 3a — Phi 08 MSCT08 TVS 8V, 300W (8/20 мкс) SOT-23 16dh 3a — Msp 08 PDTC144EE Si-npn-Digi Sw, 50V , 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SC-75 16ta 3a — Phi 08 PDTC144EEF Si-npn-Digi Sw, 50V, 100mA, 250mW, R1 / R2 = 47k / 47k SOT ta 3a — Phi 08 PDTC144EK Si- npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SC-59 16ta 3a — Phi 081 SO2369AR Si-npn Sw, 40 В, 200 мА, 330 мВт, B = SOT-23R 16te 3a — Ste 08C MSCT08C TVS 8 В, 300 Вт (8/20 мкс), двунаправленный SOT-23 16dp 3a — Msp 09 DTC115TE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 250 МГц, R1 = 100k SOT ta 3a — Rhm 09 DTC115TKA Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, 250 МГц, R1 = 100k SOT ta 3a — Rhm 09 DTC115TM Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, 250 МГц, R1 = 100k VMT3 18ta 3a — Rhm 09 DTC115TUA Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, 250 МГц, R1 = 100k UMT3 16ta 3a — Rhm 09 PDTC114EE Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 150 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SC- 75 16ta 3a — Phi 09 PDTC114EEF Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 250 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SOT ta 3a — Phi -09 PDTC114EU Si-npn-Digi Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, R1 / R2 = 10k / 10k SOT ta 3a — PhH
9 Код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Pin.St. Sch. Mnf. Полупроводниковые компоненты SMD в корпусах SOT-89 SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах SOT-89 SOT
10 SOT — 89 Код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St. Sch. Mnf. 01 Gali-1 Lin-IC РЧ-усилитель, DC..8 ГГц, 11 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 01A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Сброс Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01B APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1.75V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01D APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01E APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,93 В, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01F APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3.08 V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01G APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3,9V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01H APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4 .38V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 01J APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,63V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02 Gali-2 Lin-IC ВЧ усилитель, DC..8 ГГц, 15,1 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 02A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02B APR D CMOS-IC Детектор напряжения , 1,75 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02D APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2 .63 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02E APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,93 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02F APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3,08 В, Сброс Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02G APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3,9 В, сброс Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02H APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38 В, кнопка сброса -pull output SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 02J APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4.63V, сброс Двухтактный выход SOT-89 20vda 4b VD7 Anp 03 Gali-3 Lin-IC ВЧ усилитель, постоянный ток.0,3 ГГц, 15,8 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 03A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03B APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,75 V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03D APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 В, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03E APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,93 В, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03F APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3.08V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03G APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3,9V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03H APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4.38V, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 03J APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,63 В, -Сброс выхода с открытым стоком SOT-89 20vda 4b VD6 Anp 04 Gali-4 Lin-IC ВЧ-усилитель, DC..4 ГГц , 13,1 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 047 FCX1047A Si-npn Hi-beta, Lo-sat, 35V, 4A, 150MHz SOT-89 20tb 4b — Zx 04F Gali-4F Lin-IC ВЧ-усилитель, постоянный ток ..4 ГГц, 13,2 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 05 Gali-5 Lin-IC ВЧ-усилитель, DC..4 ГГц, 15,1 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 051 FCX1051A Si-npn Hi -beta, Lo-sat, 150V, 3A, 155MHz SOT-89 20tb 4b — Zx 05F Gali-5F Lin-IC RF-усилитель, DC..4GHz, 15,1dB (50Ω) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 06 Gali- 6 ВЧ-усилитель Lin-IC, постоянный ток… 4 ГГц, 12,3 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 06F Gali-6F ВЧ-усилитель Lin-IC, постоянный ток… 4 ГГц, 12,3 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Mc 0B RH5RL20AA VR-IC 2V ± 2,5%, 150mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0C MC78LC30HT1 VR-IC Low Iq, 3V ± 2,5%, 80mA SOT-89 20vl VR1 Ons 0C RH5RL30AA VR-IC 3V ± 2,5%, 150 мА SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0D RH5RL40AA VR-IC 4V ± 2,5%, 150mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0E RH5RL50AA VR-IC 5V ± 2,5%, 150mA SOT- 89 20vl 4c VR1 Ric 0F RH5RL60AA VR-IC 6V ± 2,5%, 150mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0J RH5RE20AA VR-IC Ultra-LDO, 2V ± 2,5%, 300mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0K RH5RE30AA VR-IC Ultra-LDO, 3 В ± 2,5%, 300 мА SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0L RH5RE40AA VR-IC Ultra-LDO, 4V ± 2,5%, 300mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0M RH5RE50AA VR -IC Ультра-LDO, 5V ± 2,5%, 300 мА SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 0N RH5RE60AA VR-IC Ultra-LDO, 6V ± 2,5%, 300mA SOT-89 20vl 4c VR1 Ric 1019 EC1019B Lin-IC ВЧ-усилитель, постоянный ток..4 ГГц, 20 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Wjc 1019G EC1019B-G Lin-IC ВЧ-усилитель, DC..4 ГГц, 20 дБ (50 Ом) SOT-89 20aa 4b A1 Wjc 10Y BZV49-C10 Z-диод 10 В ± 5 %, Izt = 5 мА, 1 Вт SOT-89 20 дм 4b — Phi 11A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Сброс Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11B APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,75 В , -Сброс двухтактного выхода SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32 В, -Сброс двухтактного выхода SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11D APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 В , -Сброс двухтактного выхода SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11E APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2.93V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11F APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3,08V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11G APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3.9 V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11H APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11J APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4.63 V, -Reset Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 11Y BZV49-C11 Z-диод 11V ± 5%, Izt = 5mA, 1W SOT-89 20dm 4b — Phi 12A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1.5 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12B APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,75 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32 В, Сброс Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12D APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,63 В, сброс Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12E APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2,93 В, кнопка сброса -pull output SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12F APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3.08V, сброс Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12G APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 3.9 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12H APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,38 В, двухтактный выход сброса SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12J APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 4,63 В, Сброс Двухтактный выход SOT-89 20vde 4b VD7 Anp 12Y BZV49-C12 Z-диод 12В ± 5%, Izt = 5 мА, 1 Вт SOT-89 20dm 4b — Phi 13A APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,5 В, -Сброс Выход с открытым стоком SOT-89 20vde 4b VD6 Anp 13B APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 1,75 В, -Сброс Выход с открытым стоком SOT-89 20vde 4b VD6 Anp 13C APR D CMOS-IC Детектор напряжения, 2.32V, -Reset Выход с открытым стоком SOT-89 20vde 4b VD6 Anp 354
11 Код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St. Sch. Mnf. Полупроводниковые компоненты SMD в корпусах SOT-223 SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах SOT-223 SOT
12 Код SMD SOT Тип Функция Краткое описание Корпус Pin.St. Sch. Mnf NCP1117ST20 VR-IC LDO, 2 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 Ons NCP1117ST50 VR-IC LDO, 5V ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 Ons 117-A NCP1117STA VR-IC LDO, регулируемый, 800 мА SOT wc VR20 Ons NCP1117ST12 VR-IC LDO, 12 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 на NCP1117ST15 VR-IC LDO, 1,5 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 на NCP1117ST18 VR-IC LDO, 1,8 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 Ons NCP1117ST25 VR-IC LDO, 2,5 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 Ons NCP1117ST33 VR-IC LDO, 3,3 В ± 1%, 800 мА SOT wb VR1 Ons 1N10 MMFT1N10E n-mos-e V-MOS, 100 В, 1 А, <0,25 Ом (0,5 А) SOT fi - Mot 24K XC6202P182FR VR-IC LDO, 1.8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24L XC6202P192FR VR-IC LDO, 1,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24M XC6202P202FR VR-IC LDO, 2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24N XC6202P212FR VR-IC LDO, 2,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24P XC6202P222FR VR-IC LDO, 2,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24R XC6202P232FR VR-IC LDO, 2,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24S XC6202P242FR VR-IC LDO, 2,4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24T XC6202P252FR VR-IC LDO, 2,5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24U XC6202P262FR VR-IC LDO, 2,6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24 В XC6202P272FR VR-IC LDO, 2.7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24X XC6202P282FR VR-IC LDO, 2,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24Y XC6202P292FR VR-IC LDO, 2,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 24Z XC6202P302FR VR-IC LDO, 3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 250 XC6202P312FR VR-IC LDO, 3,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 251 XC6202P322FR VR-IC LDO, 3,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 252 XC6202P332FR VR-IC LDO, 3,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 253 XC6202P342FR VR-IC LDO, 3,4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 254 XC6202P352FR VR-IC LDO, 3,5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 255 XC6202P362FR VR-IC LDO, 3.6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 256 XC6202P372FR VR-IC LDO, 3,7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 257 XC6202P382FR VR-IC LDO, 3,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 258 XC6202P392FR VR-IC LDO, 3,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 259 XC6202P402FR VR-IC LDO, 4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25A XC6202P412FR VR-IC LDO, 4,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25B XC6202P422FR VR-IC LDO, 4,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25C XC6202P432FR VR-IC LDO, 4,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25D XC6202P442FR VR-IC LDO, 4,4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25E XC6202P452FR VR-IC LDO, 4.5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25F XC6202P462FR VR-IC LDO, 4,6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25H XC6202P472FR VR-IC LDO, 4,7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25K XC6202P482FR VR-IC LDO, 4,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25L XC6202P492FR VR-IC LDO, 4,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25M XC6202P502FR VR-IC LDO, 5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25N XC6202P512FR VR-IC LDO, 5,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25P XC6202P522FR VR-IC LDO, 5,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25R XC6202P532FR VR-IC LDO, 5,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25S XC6202P542FR VR-IC LDO, 5.4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25T XC6202P552FR VR-IC LDO, 5,5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25U XC6202P562FR VR-IC LDO, 5,6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25 В XC6202P572FR VR-IC LDO, 5,7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25X XC6202P582FR VR-IC LDO, 5,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25Y XC6202P592FR VR-IC LDO, 5,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 25Z XC6202P602FR VR-IC LDO, 6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 260 XC6202P612FR VR-IC LDO, 6,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 261 XC6202P622FR VR-IC LDO, 6,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 262 XC6202P632FR VR-IC LDO, 6.3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 263 XC6202P642FR VR-IC LDO, 6,4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 264 XC6202P652FR VR-IC LDO, 6,5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 265 XC6202P662FR VR-IC LDO, 6,6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 266 XC6202P672FR VR-IC LDO, 6,7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 267 XC6202P682FR VR-IC LDO, 6,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 268 XC6202P692FR VR-IC LDO, 6,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 269 XC6202P702FR VR-IC LDO, 7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26A XC6202P712FR VR-IC LDO, 7,1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26B XC6202P722FR VR-IC LDO, 7.2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26C XC6202P732FR VR-IC LDO, 7,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26D XC6202P742FR VR-IC LDO, 7,4 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26E XC6202P752FR VR-IC LDO, 7,5 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26F XC6202P762FR VR-IC LDO, 7,6 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26H XC6202P772FR VR-IC LDO, 7,7 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26K XC6202P782FR VR-IC LDO, 7,8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26L XC6202P792FR VR-IC LDO, 7,9 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26M XC6202P802FR VR-ICO , 8 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26N XC6202P812FR VR-IC LDO, 8.1 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26P XC6202P822FR VR-IC LDO, 8,2 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 26R XC6202P832FR VR-IC LDO, 8,3 В ± 2%, 150 мА SOT канал 5c VR1 Tor 394
13 SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St. Sch. Mnf. Полупроводниковые компоненты SMD в корпусах BGA и LPP SMD-коды для полупроводниковых компонентов в корпусах BGA и LPP BGA … LPP 399
14 BGA…LPP SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St. Sch. Mnf. _HV_ SN74AUP1G07YEPR Неинвертирующий буфер CMOS-Log (выход с открытым стоком) BGA-5 Log8 9a Ti _HV_ SN74AUP1G07YZPR CMOS-Log Неинвертирующий буфер (выход с открытым стоком) BGA-5 Log8 9a Ti _HW_ SN74AUP1G79YEPR-Log Тип CMOS-логический одинарный флэш-память 5 Log20 9a — Ti _HW_ SN74AUP1G79YZPR CMOS-Log Одиночный триггер D-типа BGA-5 Log20 9a — Ti _HX_ SN74AUP1G80YEPR CMOS-Log Одиночный триггер D-типа BGA-5 Log21 9a — Ti _HX_ SN74AUP1G80YZPR триггер типа BGA-5 Log21 9a — Ti _U7_ SN74AUC1G17YEAR CMOS-Log Триггер Шмитта BGA-5 Log11 9a — Ti _U7_ SN74AUC1G17YEPR CMOS-Log Триггер Шмитта BGA-5 Log11 9a — Ti _U7_ SN74AUC1G17YZAR Триггер Шмитта BGA-5 Log11 9a — Ti _U7_ SN74AUC1G17YZPR CMOS-Log Триггер Шмитта BGA-5 Log11 9a — Ti _UA_ SN74AUC1G00YEAR CMOS-Log 2 входа NAND вентиль BGA-5 Log1 9a — Ti _UA_ SN74AUC1G00YEPR Вход CMOS-Log 2 -5 Log1 9a — Ti _UA_ SN74AUC1G00YZAR CMOS-Log 2-входной вентиль NAND BGA-5 Log1 9a — Ti _UA_ SN74AUC1G00YZPR CMOS-Log 2-входной вентиль NAND BGA-5 Log1 9a — T i _UF_ SN74AUC1G14YEAR CMOS-Log инвертирование триггера Шмитта BGA-5 Log7 9a — Ti _UF_ SN74AUC1G14YEPR CMOS-log инвертирование триггера Шмитта BGA-5 Log7 9a — Ti _UF_ SN74AUC1G14YZARF CMOS-Log Inverting Schmitt SN74AUC1G14YZPR CMOS-Log с инвертированием триггера Шмитта BGA-5 Log7 9a — Ti _UG_ SN74AUC1G32YEAR CMOS-Log 2-входной логический элемент ИЛИ BGA-5 Log4 9a — Ti _UG_ SN74AUC1G32YEPR CMOS-Log 2-входной логический элемент ИЛИ BGA-5 _ Log4 9_ SN74AUC1G32YZAR CMOS-Log логический 2-входной логический элемент ИЛИ BGA-5 Log4 9a — Ti _UG_ SN74AUC1G32YZPR CMOS-лог 2-входной логический элемент ИЛИ вентиль BGA-5 Log4 9a — Ti _UK_ SN74AUC1G240YEPR CMOS-логический неинвертирующий 3-позиционный буфер BGA-5 Log13 9a — Ti Log13 _UK_ SN74AUC1G240YZPR CMOS-Log неинвертирующий буфер с 3 состояниями BGA-5 Log13 9a — Ti _UM_ SN74AUC1G125YEAR CMOS-Log Неинвертирующий буфер с 3 состояниями BGA-5 Log14 9a — Ti _UM_ SN74AUC1G125Y Buffer BGA-5-Log Noninverting 9CMOS-5-Log Noninverting 9 Ti _UM_ SN74AUC1G125YZAR Неинвертирующий буфер с 3 состояниями CMOS-Log BGA-5 Log14 9a — Ti _UM_ SN74AUC1G125YZPR CMOS-Log Noninverting Буфер с 3 состояниями BGA-5 Log14 9a — Ti _UN_ SN74AUC1G126YEPR Неинвертирующий буфер с 3 состояниями CMOS-Log BGA-5 Log13 9a — Ti _UN_ SN74AUC1G126YZPR Неинвертирующий буфер с 3 состояниями CMOS-Log BGA-5 Log13 9a — Ti 0113 XC DR- IC 1.3 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0114 XC DR VR-IC 1,4 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0115 XC DR VR-IC 1,5 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0116 XC DR VR-IC 1,6 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0117 XC DR VR-IC 1,7 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0118 XC DR VR-IC 1,8 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0119 XC DR VR-IC 1,9 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0120 XC DR VR-IC 2V ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0121 XC DR VR-IC 2,1 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0122 XC DR VR-IC 2,2 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0123 XC DR VR-IC 2.3 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0124 XC DR VR-IC 2,4 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0125 XC DR VR-IC 2,5 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0126 XC DR VR-IC 2,6 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0127 XC DR VR-IC 2,7 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0128 XC DR VR-IC 2,8 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0129 XC DR VR-IC 2,9 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0130 XC DR VR-IC 3V ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0131 XC DR VR-IC 3,1 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0132 XC DR VR-IC 3,2 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0133 XC DR VR-IC 3.3 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0134 XC DR VR-IC 3,4 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0135 XC DR VR-IC 3,5 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0136 XC DR VR-IC 3,6 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0137 XC DR VR-IC 3,7 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0138 XC DR VR-IC 3,8 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0139 XC DR VR-IC 3,9 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0140 XC DR VR-IC 4V ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0141 XC DR VR-IC 4,1 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0142 XC DR VR-IC 4,2 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0143 XC DR VR-IC 4.3 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0144 XC DR VR-IC 4,4 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0145 XC DR VR-IC 4,5V ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0146 XC DR VR-IC 4,6 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0147 XC DR VR-IC 4,7 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0148 XC DR VR-IC 4,8 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0149 XC DR VR-IC 4,9 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0150 XC DR VR-IC 5V ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0151 XC DR VR-IC 5,1 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0152 XC DR VR-IC 5,2 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0153 XC DR VR-IC 5.3 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0154 XC DR VR-IC 5,4 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0155 XC DR VR-IC 5,5 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0156 XC DR VR-IC 5,6 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 0157 XC DR VR-IC 5,7 В ± 2%, 250 мА USP-6B 37hs 9b VR1 Tor 400
15 SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St. Sch. Mnf. 4-контактные полупроводниковые компоненты SMD Коды SMD для 4-контактных корпусов полупроводниковых компонентов 4 контакта 579
16 4-контактный SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Штырь.St. Sch. Mnf. 01 MRF9011 Si-npn UHF, 25 В, 30 мА, 300 мВт, B =, 3,8 ГГц SOT tc — Mot 02 MRF5711 Si-npn UHF, 20 В, 80 мА, 580 мВт, B =, 8 ГГц SOT tc — Mot 03 VAM-3 Lin- IC РЧ-усилитель, DC..2 ГГц, 7,5 дБ (50 Ом) SOT ad A1 Mc 04 MRF4427 Si-npn UHF, 40 В, 400 мА, 220 мВт, B =, 1,6 ГГц SOT tc — Mot 04 MRF5211 Si-pnp UHF, 20 В, 70 мА, 333 мВт, B =, 4,2 ГГц SOT tc — Mot 05 MRF9331 Si-npn UHF, 15 В, 2 мА, 50 мВт, B =, 5 ГГц SOT tc — Mot 05F TSDF1205R Si-npn UHF-VHF, LN, 9 В, 12 мА, 40 мВт, B =, 12 ГГц SOT-143R 26tu 3a — Vs 06 VAM-6 Lin-IC ВЧ-усилитель, постоянный ток..2 ГГц, 8 дБ (50 Ом) SOT ad A1 Mc 07 VAM-7 Lin-IC ВЧ-усилитель, DC..2 ГГц, 7,8 дБ (50 Ом) SOT ad A1 Mc 08 HBFP-0450 Si-npn UHF, LN, 15 В, 100 мА , 450 мВт, B =, 1,8 ГГц SOT t1 — Agi 0A BU4317F Датчик напряжения CMOS-IC 1,7 В, выход сброса Двухтактный SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0A R3132Q10EA Датчик напряжения CMOS-IC 1V, MR, -Reset Push- вытяжной выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0A RQ5RW50BA VR-IC LDO, CE, 5V ± 2%, 150mA SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0B BU4318F CMOS-IC детектор напряжения 1,8V, сброс двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0B R3132Q11EA CMOS-IC детектор напряжения 1,1 В, MR, -Reset Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0B RQ5RW51BA VR-IC LDO, CE, 5,1 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0C BU4319F CMOS-IC детектор напряжения 1,9 В, сброс двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0C R3132Q12EA CMOS-IC детектор напряжения 1,2 В, MR, -Reset двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0C RQ5RW52BA VR-IC LDO, CE, 5,2 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0D BU4320F CMOS-IC Детектор напряжения 2 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0D R3132Q13EA CMOS -IC Детектор напряжения 1,3 В, MR, -Сброс Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0D RQ5RW53BA VR-IC LDO, CE, 5,3 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0E BU4321F CMOS-IC Детектор напряжения 2,1 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0E R3132Q14EA CMOS-IC Детектор напряжения 1,4 В, MR, -Reset двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0E RQ5RW54BA VR-IC LDO, CE, 5,4 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0F BU4322F Датчик напряжения CMOS-IC 2,2 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0F R3132Q15EA Датчик напряжения CMOS-IC 1,5 В, MR, -Сброс двухтактного выхода SOT vdh 5a VD5 Ric 0F RQ5RW55BA VR-IC LDO, CE, 5,5 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0G BU4323F Датчик напряжения CMOS-IC 2,3 В, сброс двухтактного датчика выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0G R3132Q16EA CMOS-IC Детектор напряжения 1,6V, MR, -Reset Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0G RQ5RW56BA VR-IC LDO, CE, 5,6V ± 2%, 150mA SOT- 143R 26vp 5a VR4 Ric 0H BU4324F CMOS-IC детектор напряжения 2,4 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0H R3132Q17EA CMOS-IC детектор напряжения 1,7 В, MR, -Сброс Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0H RQ5RW57BA VR-IC LDO, CE, 5,7 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0J BU4325F CMOS-IC детектор напряжения 2, 5 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0J R3132Q18EA CMOS-IC Детектор напряжения 1,8 В, MR,-сброс двухтактного выхода SOT vdh 5a VD5 Ric 0J RQ5RW58BA VR-IC LDO, CE, 5,8 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0K BU4326F CMOS-IC детектор напряжения 2,6V, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0K R3132Q19EA CMOS-IC детектор напряжения 1,9V, MR, -Reset Push- выходной сигнал SOT vdh 5a VD5 Ric 0K RQ5RW59BA VR-IC LDO, CE, 5,9 В ± 2%, 150 мА SOT-143R 26vp 5a VR4 Ric 0L BU4327F Датчик напряжения CMOS-IC 2,7 В, сброс двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0L R3133Q10EA CMOS-IC Детектор напряжения 1 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0M BU4328F CMOS-IC Детектор напряжения 2,8 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0M R3133Q11EA CMOS- IC детектор напряжения 1,1V, MR, сброс двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0N BU4329F CMOS-IC детектор напряжения 2, 9 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0N R3133Q12EA Датчик напряжения CMOS-IC 1,2 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0P BU4330F Датчик напряжения CMOS-IC 3 В, выход сброса двухтактный SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0P R3133Q13EA CMOS-IC детектор напряжения 1,3 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0Q BU4331F CMOS-IC детектор напряжения 3,1 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Датчик напряжения Rhm 0Q R3133Q14EA CMOS-IC 1,4 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0R BU4332F Датчик напряжения CMOS-IC 3,2 В, выход сброса двухтактный SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0R R3133Q15EA CMOS- IC детектор напряжения 1,5 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0S BU4333F CMOS-IC детектор напряжения 3,3 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0S R3133Q16EA CMOS-IC детектор напряжения 1, 6V, MR, Reset Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0T BU4334F CMOS-IC детектор напряжения 3,4V, Reset Двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0T R3133Q17EA CMOS-IC детектор напряжения 1,7V, MR, Reset Двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0U BU4335F CMOS-IC детектор напряжения 3,5 В, двухтактный выход сброса SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0U R3133Q18EA CMOS-IC детектор напряжения 1,8 В, MR, двухтактный выход сброса SOT vdh 5a VD5 Ric 0V BU4336F CMOS-IC детектор напряжения 3,6 В, сброс двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0V R3133Q19EA CMOS-IC детектор напряжения 1,9 В, MR, сброс двухтактный выход SOT vdh 5a VD5 Ric 0W BU4337F CMOS-IC Напряжение Детектор 3,7 В, выход сброса Двухтактный SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0X BU4338F Датчик напряжения CMOS-IC 3,8 В, выход сброса Двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0Y BU4339F Датчик напряжения CMOS-IC 3,9 В, сброс Двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 0Z BU4340F CMOS-IC Детектор напряжения 4 В, сброс Двухтактный выход SOP-4 26vdf VD3 Rhm 11 MRF9511A Si-npn UHF, 20 В, 100 мА, 322 мВт, B =, 8 ГГц SOT tc — Mot 12 XC6213B122NR VR-IC LDO, CE, 1.2 В ± 2%, 150 мА SSOT-24 26vn 5c VR4 Tor 13 XC6213B132NR VR-IC LDO, CE, 1,3 В ± 2%, 150 мА SSOT-24 26vn 5c VR4 Tor 14 XC6213B142NR VR-IC LDO, CE, 1,4 В ± 2% , 150 мА SSOT-24 26vn 5c VR4 Tor 15 MRF0211 Si-npn UHF, 30 В, 70 мА, 580 мВт, B =, 5,5 ГГц SOT tc — Mot 15 XC6213B152NR VR-IC LDO, CE, 1,5 В ± 2%, 150 мА SSOT- 24 26vn 5c VR4 Tor 16 XC6213B162NR VR-IC LDO, CE, 1,6 В ± 2%, 150 мА SSOT-24 26vn 5c VR4 Tor 17 BAS Двойной кремниевый диод, Шоттки, 25 В, 100 мА, Vf <0,9 В (35 мА), Cd <1,1 пФ SOT ce - Inf 17 XC6213B172NR VR-IC LDO, CE, 1.7 В ± 2%, 150 мА SSOT-24 26vn 5c VR4 Tor 17 XC6217C082NR VR-IC LDO, -CE, 0,8 В ± 2%, 200 мА SSOT-24 26vn 5a VR4 Tor 18 BFP181T Si-npn UHF, 20 В, 20 мА, 175 мВт, B =, 8 ГГц SOT tc Tfk 580
17 Код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St.Sch. Mnf. Полупроводниковые компоненты SMD в 5-контактных корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 5-контактных корпусах 5-контактные 619
18 5-контактный код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Штырь.St. Sch. Mnf. 00 R1223N252A VR-IC PWM / VFM St-Dwn DC / DC Conv-Ctrl, CE, 2,5V, 300KHz, L-Pr. SOT vn 6g — Ric 00 RN5RF50BA VR-IC LRip, CE, 5V ± 2%, 1A * SOT vw 6g VR6 Ric 00 RN5RZ50BA VR-IC Низкий уровень шума, LDO, CE, 5V ± 2%, 100mA SOT vrt 6g VR4 Ric 000 XC6101A131MR CMOS-IC VDet 3,1 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 001 XC6101A132MR CMOS-IC VDet 3,2 В, 5%, Hst, -MR, -Сброс PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 002 XC6101A133MR CMOS-IC VDet 3,3 В, 5%, Hst, -MR, -Сброс PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3.13 мс SOT xd 6g Tor 003 XC6101A134MR CMOS-IC VDet 3,4 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 004 XC6101A135MR CMOS-IC VDet 3,5 В, 5% , Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 005 XC6101A136MR CMOS-IC VDet 3,6 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 006 XC6101A137MR CMOS-IC VDet 3,7 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 007 XC6101A138MR CMOS-IC VDet 3,8 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 008 R1160N081A VR-IC LDO, -CE, 0,8V ± 2%, 200mA SOT vrw 6g VR4 Ric 008 XC6101A139MR КМОП-ИС VDet 3.9 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 009 R1160N091A VR-IC LDO, -CE, 0,9 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 009 XC6101A140MR CMOS-IC VDet 4.0V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25ms, Rt = 3.13ms SOT xd 6g Tor 00A XC6101A141MR CMOS-IC VDet 4.1V, 5%, Hst, -MR , -Сброс PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00B XC6101A142MR CMOS-IC VDet 4,2 В, 5%, Hst, -MR, -Сброс PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00C XC6101A143MR CMOS-IC VDet 4,3 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00D XC6101A144MR CMOS-IC VDet 4.4V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25ms, Rt = 3.13ms SOT xd 6g Tor 00E XC6101A145MR CMOS-IC VDet 4.5V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00F XC6101A116MR CMOS-IC VDet 1,6V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00F XC6101A146MR CMOS-IC VDet 4.6V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25ms, Rt = 3.13ms SOT xd 6g Tor 00H XC6101A117MR CMOS-IC VDet 1.7V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00H XC6101A147MR CMOS-IC VDet 4,7 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00K XC6101A118MR CMOS-IC VDet 1,8 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00K XC6101A148MR CMOS-IC VDet 4,8 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00L XC6101A119MR CMOS-IC VDet 1,9 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00L XC6101A149MR CMOS-IC VDet 4,9 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00M XC6101A120MR CMOS- IC VDet 2,0 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00M XC6101A150MR CMOS-IC VDet 5.0 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25ms, Rt = 3.13ms SOT xd 6g Tor 00N XC6101A121MR CMOS-IC VDet 2.1V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00P XC6101A122MR CMOS-IC VDet 2.2V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00R XC6101A123MR CMOS-IC VDet 2.3V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25ms, Rt = 3.13ms SOT xd 6g Tor 00S XC6101A124MR CMOS-IC VDet 2.4V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00T XC6101A125MR CMOS-IC VDet 2,5 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6.25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00U XC6101A126MR CMOS-IC VDet 2,6 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00V XC6101A127MR CMOS-IC VDet 2,7 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00X XC6101A128MR CMOS-IC VDet 2,8 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00Y XC6101A129MR CMOS-IC VDet 2,9V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 00Z XC6101A130MR CMOS- IC VDet 3,0 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 6,25 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 01 R1223N152C VR-IC PWM St-Dwn DC / DC Cnv-Ctr, CE, 1, 5 В, 300 кГц, защелка-Pr.SOT vn 6g — Ric 01 RN5RF51BA VR-IC LRip, CE, 5,1 В ± 2%, 1A * SOT vw 6g VR6 Ric 01 RN5RZ51BA VR-IC Низкий уровень шума, LDO, CE, 5,1 В ± 2%, 100 мА SOT vrt 6g VR4 Ric 010 R1160N101A VR-IC LDO, -CE, 1V ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 010 XC6101A231MR CMOS-IC VDet 3.1V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50ms, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 011 R1160N111A VR-IC LDO, -CE, 1,1 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 011 XC6101A232MR CMOS-IC VDet 3,2 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO , Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 012 R1160N121A VR-IC LDO, -CE, 1,2 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 012 XC6101A233MR CMOS-IC VDet 3.3 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 013 R1160N131A VR-IC LDO, -CE, 1,3 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 013 XC6101A234MR CMOS-IC VDet 3,4 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 014 R1160N141A VR-IC LDO, -CE, 1,4 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 014 XC6101A235MR CMOS-IC VDet 3,5 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 015 R1116N151B VR-IC LDO, LN, CE, 1,5 V ± 1,5%, 150 мА SOT vx 6g VR4 Ric 015 R1160N151A VR-IC LDO, -CE, 1,5 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 015 XC6101A236MR CMOS-IC VDet 3.6 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 016 R1116N161B VR-IC LDO, LN, CE, 1,6 В ± 1,5%, 150 мА SOT vx 6g VR4 Ric 016 R1160N161A VR-IC LDO, -CE, 1,6 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 016 XC6101A237MR CMOS-IC VDet 3,7 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 017 R1116N171B VR-IC LDO, LN, CE, 1,7 В ± 1,5%, 150 мА SOT vx 6g VR4 Ric 017 R1160N171A VR-IC LDO, -CE, 1,7 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 017 XC6101A238MR CMOS-IC VDet 3,8 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3.13 мс SOT xd 6g Tor 018 R1116N181B VR-IC LDO, LN, CE, 1,8 В ± 1,5%, 150 мА SOT vx 6g VR4 Ric 018 R1160N181A VR-IC LDO, -CE, 1,8 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 018 XC6101A239MR CMOS-IC VDet 3,9 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 019 R1116N191B VR-IC LDO, LN, CE, 1,9 В ± 1,5% , 150 мА SOT vx 6g VR4 Ric 019 R1160N191A VR-IC LDO, -CE, 1,9 В ± 2%, 200 мА SOT vrw 6g VR4 Ric 019 XC6101A240MR CMOS-IC VDet 4.0V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO , Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 01A APR B CMOS-IC Детектор напряжения, 1.5V, -Reset Двухтактный выход SOT vdm 3b VD7 Anp 01A XC6101A241MR CMOS-IC VDet 4,1 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 01B APR B CMOS -IC Детектор напряжения, 1,75 В, -Reset Двухтактный выход SOT vdm 3b VD7 Anp 01B XC6101A242MR CMOS-IC VDet 4,2 В, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 01C APR B CMOS-IC Детектор напряжения, 2,32 В, -Сброс Двухтактный выход SOT vdm 3b VD7 Anp 01C R1182N121B VR-IC LDO, CE, 1,2 В ± 2%, 150 мА SOT vrt 6g VR4 Ric 01C XC6101A243MR CMOS- IC VDet 4.3V, 5%, Hst, -MR, -Reset PPO, Wt = 50 мс, Rt = 3,13 мс SOT xd 6g Tor 620
19 Код SMD Тип Функция Краткое описание Корпус Pin. St.Sch. Mnf. Полупроводниковые компоненты SMD в 6-контактном и более корпусах SMD-коды для полупроводниковых компонентов в 6-ти и более контактных корпусах контакты 971
20-контактный SMD-код Тип Функция Краткое описание Корпус Штырь.St. Sch. Mnf. 005 FAN7005MU Lin-IC 2xAF PA, 2,7..5,5V, 2x300mW (5V / 8Ω), выключение MINISO-8 33 PA16 F 005 FAN7005MX Lin-IC 2xAF PA, 2,7..5,5V, 2x300mW ( 5 В / 8 Ом), отключение SO-8 33 PA15 F 024 FAN7024MU (MUX) Lin-IC AF PA, BTL, 2,3..5,5 В, 675 мВт (5 В / 8 Ом), отключение MINISO-8 33 PA11 F 05 R1163D151E VR-IC LDO, CE, 1,5 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 05/05 SMS05 TVS Quad, 5 В, 24 А, 350 Вт (1 мс) SOT-23-6L 33dx 7b — Smt 06 R1163D161E VR-IC LDO, CE, 1,6 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 06H MUN5131DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 2k2 / 2k2 SOT tg — Mot 07 R1163D171E VR- ИК ЛДО, CE, 1.7 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7 г VR10 Ric 08 R1163D181E VR-IC LDO, CE, 1,8 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7 г VR10 Ric 09 R1163D191E VR-IC LDO, CE, 1,9 В ± 1,5% , 150 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 0A MUN5111DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2x50V, 100mA, 400mW, R1 / R2 = 10 / 10k SOT tg — Mot 0A R1161D281A5 VR-IC LDO, -CE, 2.85V ± 2%, 350 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 0A R5326N001B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 2 В, Vo2 = 2 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0B MUN5112DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 22 / 22k SOT tg — Mot 0B R1161D101A VR-IC LDO, -CE, 1 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0B R5326N002B VR-IC LDO, двойной выход, разд.CE, Vo1 = 2,8 В, Vo2 = 2,8 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0C MUN5113DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 47k / 47k SOT tg — Mot 0C R1161D201A VR-IC LDO, -CE, 2 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0C R5326N003B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 1,8 В, Vo2 = 3 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0D MUN5114DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 10 / 47k SOT tg — Mot 0D R1161D301A VR-IC LDO , -CE, 3 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0D R5326N004B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 2,5 В, Vo2 = 3 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0E MUN5115DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 = 10k SOT tg — Mot 0E R1161D281B VR-IC LDO, CE, 2 .8 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0E R5326N005B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 1,8 В, Vo2 = 2,5 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0F MUN5116DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 = 4k7 SOT tg — Mot 0F R1161D101B VR-IC LDO, CE, 1 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0F R5326N006B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 1,8 В, Vo2 = 3,3 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0G MUN5130DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 1k / 1k0 SOT tg — Mot 0G R1161D201B VR-IC LDO, CE, 2 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0G R5326N007B VR-IC LDO, двойной выход, разд.CE, Vo1 = 2,5 В, Vo2 = 2,8 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0H R1161D301B VR-IC LDO, CE, 3 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0H R5326N008B VR-IC LDO, двойной выход, sep . CE, Vo1 = 1,2 В, Vo2 = 1,2 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0J MUN5132DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 4k / 4k7 SOT tg — Mot 0J R1161D101D VR-IC LDO, CE, автоматический разряд, 1 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7 г VR10 Ric 0J R1161D281D VR-IC LDO, CE, автоматический разряд, 2,8 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7 г VR10 Ric 0J R5326N009B VR- IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 1,5 В, Vo2 = 1.6 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0K MUN5133DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2x50V, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 4k7 / 47k SOT tg — Mot 0K R5326N010B VR-IC LDO, Dual out, разд. CE, Vo1 = 1,5 В, Vo2 = 2,8 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0L MUN5134DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 22k / 47k SOT tg — Mot 0L R1161D201D VR-IC LDO, CE, автоматический разряд, 2 В ± 2%, 350 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 0L R5326N011B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 3 В, Vo2 = 3 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0M R1161D301D VR-IC LDO, CE, автоматический разряд, 3 В ± 2%, 350 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 0M R5326N012B VR-IC LDO, двойной выход, сен.CE, Vo1 = 3,1 В, Vo2 = 3,1 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0N MUN5136DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 100k / 100k SOT tg — Mot 0N R5326N013B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 2,7 В, Vo2 = 1,8 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0P MUN5137DW Si-pnp-Digi Dual, Sw, 2×50 В, 100 мА, 400 мВт, R1 / R2 = 47k / 22k SOT tg — Mot 0P R5326N014B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 1,8 В, Vo2 = 2,6 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0Q R5326N015B VR-IC LDO, двойной выход, разд. CE, Vo1 = 3,3 В, Vo2 = 3,3 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 0R R5326N016B VR-IC LDO, двойной выход, разд.CE, Vo1 = 2,85 В, Vo2 = 2,85 В, 150 мА SOT rg 7f Ric 10 R1163D201E VR-IC LDO, CE, 2 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 105 FC105 Si-pnp-Digi Dual, Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, 200 МГц, R1 / R2 = 47k / 47k SOT tg — скажем, 106 FC106 Si-npn-Digi Dual, Sw, 50V, 100mA, 200 мВт, 200 МГц, R1 / R2 = 47k / 47k SOT-363 TD3 — Скажем, 10N02Z MMSF10N02Z n-mos * -e V-MOS, LogL, 20 В, 7 А, 2,5 Вт, <16 мОм (5 А), 65/325 нс SO-8 33fs 7b - Онс 11 MUN5311DW Si-n / p-Digi Dual, Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, R1 / R2 = 10 / 10k SOT tx - Mot 11 R1163D211E VR-IC LDO, CE, 2,1 В ± 1.5%, 150 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 12 MUN5312DW Si-n / p-Digi Dual, Sw, 50V, 100mA, 200mW, R1 / R2 = 22 / 22k SOT tx - Mot 12 R1163D221E VR-IC LDO, CE, 2,2 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7g VR10 Ric 12/12 SMS12 TVS Quad, 12 В, 15 A, 350 Вт (1 мс) SOT-23-6L 33dx 7b - Smt 12A MMQA12V TVS Quad, 12 В, 24 Вт (1 мс) SC -74 33dx 7b - Ons 13 MUN5313DW Si-n / p-Digi Dual, Sw, 50V, 100mA, 200mW, R1 / R2 = 47k / 47k SOT tx - Mot 13 R1163D231E VR-IC LDO, CE, 2.3V ± 1.5% , 150 мА SON-6 35vrc 7g VR10 Ric 13A MMQA13V1 TVS Quad, 13V, 24W (1ms) SC-74 33dx 7b - Ons 13A TK74013L VR-IC Dual, LDO, раздельный CE, 1,3 + 1,3 В ± 2%, 300 мА SOT-23L-8 33uh - Tok 13F BC847BPDW Si-n / p Dual, GP, 50 В, 100 мА, 250 мВт, B =,> 100 МГц SOT td — Ons 13G BC847CPDW Si-n / p Dual, GP, 50 В, 100 мА, 250 мВт, B =,> 100 МГц SOT td — Ons 13K BC848BPDW Si-n / p Dual, GP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, B =,> 100 МГц SOT td — Ons 13L BC848CPDW Si-n / p Dual, GP, 30 В, 100 мА, 250 мВт, B =,> 100 МГц SOT td — Ons 13P TK11213BM VR-IC LDO, CE, 1,3 В ± 2%, 150 мА SOT-23L-6 33vf 7b VR7 Tok 13t BC847BPN Si-n / p Dual, GP, 50 В, 100 мА, 200 мВт, B =,> 100 МГц SOT td — Phi 14 MUN5314DW Si-n / p-Digi Dual, Sw, 50 В, 100 мА, 200 мВт, R1 / R2 = 10 / 47k SOT tx — Mot 14 R1163D241E VR-IC LDO, CE, 2.4 В ± 1,5%, 150 мА SON-6 35 В постоянного тока 7 г VR10 Ric 1460A1 LT1460ACS8-10 Vref-IC µpower, Precision, Series, 10V, 0,075% S8 33af VR1 Ltc 1460A2 LT1460ACS8-2.5 Vref-IC µpower, Precision, Series, 2.