Маркировка транзисторов и расшифровка их обозначений. Маркировка транзисторов: системы обозначений и их расшифровка

Какие существуют системы маркировки транзисторов. Как расшифровать обозначения отечественных и импортных транзисторов. Что означают буквы и цифры в маркировке. Как определить тип и параметры транзистора по его маркировке.

Содержание

Основные системы маркировки транзисторов

Существует несколько основных систем маркировки транзисторов, используемых производителями в разных странах:

  • Отечественная система маркировки
  • Европейская система Pro Electron
  • Американская система JEDEC
  • Японская система JIS

Рассмотрим подробнее каждую из этих систем и принципы расшифровки обозначений транзисторов.

Отечественная система маркировки транзисторов

В отечественной системе маркировка транзистора состоит из 4 элементов:

  1. Буква или цифра, обозначающая материал и температурный диапазон:
    • Г или 1 — германиевый транзистор
    • К или 2 — кремниевый транзистор
    • А или 3 — транзистор на основе арсенида галлия
  2. Буква Т (транзистор)
  3. Трехзначный номер серии (101-999)
  4. Буква, обозначающая группу транзисторов (А-К)

Например, маркировка КТ315А расшифровывается следующим образом:


  • К — кремниевый транзистор
  • Т — транзистор
  • 315 — номер серии
  • А — группа транзисторов

Европейская система маркировки Pro Electron

В европейской системе Pro Electron маркировка состоит из следующих элементов:

  1. Первая буква — обозначает материал:
    • A — германий
    • B — кремний
    • C — арсенид галлия
  2. Вторая буква — тип транзистора:
    • C — низкочастотный маломощный
    • D — мощный низкочастотный
    • F — высокочастотный маломощный
    • L — мощный высокочастотный
  3. Регистрационный номер (100-999)
  4. Буква модификации (необязательно)

Например, маркировка BC547B означает:

  • B — кремниевый транзистор
  • C — низкочастотный маломощный
  • 547 — регистрационный номер
  • B — модификация

Американская система маркировки JEDEC

Система JEDEC использует следующую структуру маркировки:

  1. Цифра, обозначающая число p-n переходов:
    • 1 — диод
    • 2 — транзистор
    • 3 — тиристор
  2. Буква N (полупроводник)
  3. Серийный номер (от 100 до 9999)
  4. Буква модификации (необязательно)

Пример расшифровки маркировки 2N2222A:


  • 2 — транзистор
  • N — полупроводник
  • 2222 — серийный номер
  • A — модификация

Японская система маркировки JIS

Японская система JIS использует следующую структуру маркировки:

  1. Цифра, обозначающая тип прибора:
    • 1 — диод
    • 2 — транзистор
    • 3 — тиристор
  2. Буква S (полупроводник)
  3. Буква, обозначающая тип транзистора:
    • A — высокочастотный PNP
    • B — низкочастотный PNP
    • C — высокочастотный NPN
    • D — низкочастотный NPN
  4. Порядковый номер (от 10 до 9999)
  5. Буква модификации (необязательно)

Пример расшифровки маркировки 2SC1815:

  • 2 — транзистор
  • S — полупроводник
  • C — высокочастотный NPN
  • 1815 — порядковый номер

Цветовая маркировка транзисторов

Помимо буквенно-цифровой маркировки, некоторые производители используют цветовую маркировку транзисторов. Цветные точки или полосы на корпусе могут обозначать:

  • Тип проводимости (NPN или PNP)
  • Материал (кремний или германий)
  • Группу транзистора по коэффициенту усиления
  • Максимально допустимую мощность рассеивания

Однако стандарты цветовой маркировки могут различаться у разных производителей, поэтому для точной идентификации рекомендуется использовать буквенно-цифровую маркировку.


Как определить параметры транзистора по маркировке

Чтобы определить основные параметры транзистора по его маркировке, следует:

  1. Определить систему маркировки (отечественная, европейская, американская или японская)
  2. Расшифровать обозначение согласно правилам соответствующей системы
  3. Обратиться к справочнику транзисторов или базе данных для получения детальных характеристик

Основные параметры, которые можно определить по маркировке:

  • Тип транзистора (биполярный, полевой)
  • Структура (NPN или PNP для биполярных)
  • Материал (кремний, германий, арсенид галлия)
  • Назначение (низкочастотный, высокочастотный, мощный)
  • Приблизительный диапазон характеристик

Для получения точных значений параметров необходимо обращаться к техническим спецификациям производителя.

Особенности маркировки SMD-транзисторов

SMD-транзисторы (surface-mounted device) из-за своих малых размеров часто имеют сокращенную маркировку. Она может состоять из:

  • Двух или трех букв/цифр
  • Кода, не связанного напрямую с характеристиками транзистора

Для расшифровки маркировки SMD-транзисторов обычно требуется обращаться к специальным таблицам соответствия или базам данных производителей.


Заключение

Маркировка транзисторов предоставляет важную информацию о типе и основных характеристиках прибора. Понимание различных систем маркировки позволяет быстро определять ключевые параметры транзисторов и правильно их применять в электронных схемах. При этом для получения полной и точной информации о характеристиках конкретного транзистора всегда рекомендуется обращаться к официальной документации производителя.


Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:

  • для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
  • Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — мак­симальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
  • Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1Элемент 2Элемент 3Элемент 4
Буква — код материала :
А – германий
В – кремний
С – арсенид галлия
R – сульфид кадмия
Буква – назначение
А — маломощный диод
В — варикап
С — маломощный низкочастотный транзистор
D — мощный низкочастотный транзистор
Е — туннельный диод
F — маломощный высокочастотный транзистор
G — несколько приборов в одном корпусе
Н — магнитодиод
L — мощный высокочастотный транзистор
М — датчик Холла
Р — фотодиод, фототранзистор
Q — светодиод
R — маломощный регулирующий или переключающий прибор
S — маломощный переключательный транзистор
Т — мощный регулирующий или переключающий прибор
U — мощный переключательный транзистор
Х — умножительный диод
Y — мощный выпрямительный диод
Z — стабилитрон
Серийный номер:
100-999
приборы общего назначенияZ10…A99
приборы
для промышленного
и специального назначения
Буква:
модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор
1 — диод
2 — транзистор
3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPSA-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

  • RCA — RCA
  • RCS — RCS
  • TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
  • TIPL — TI planar power transistor
  • TIS — TI small signal transistor (plastic case)
  • ZT — Ferranti
  • ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

  • 26.09.2014

    Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …

  • 21.09.2016

    NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …

  • 20.09.2014

    Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …

  • 29.09.2014

    Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент – буква Г , К , А или цифра 1 , 2 , 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1 . Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2 . Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3 . Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия .

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

10.Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:

· исток (англ. source ) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

· сток (англ. drain ) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

· затвор (англ. gate ) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Маркировка полевых транзисторов , применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.

§ Первый символ — буква или цифра , указывает (как и в случае маркировке диодов ) исходный полупроводниковый материал;

§ Второй символ — буква , обозначает класс прибора: П — полевые, Т — биполярные транзисторы;

§ Третий символ — цифра (от 1 до 9 ), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;

§ Четвертый и пятый символы — цифры (от 01 до 99 ), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ — буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.

11. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор , изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.

При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.


V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения

Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

  • КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
  • КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
  • КТ973А — один квадрат.
  • КТ973Б — два квадрата.
  • КТ646А — один треугольник.
  • КТ646Б — слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

  • КТ 814 — серо-бежевый;
  • КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
  • КТ 816 — розово-красный;
  • КТ 817 — серо-зеленый;
  • КТ 683 — фиолетовый;
  • КТ9115 — голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

8. Транзисторы — Условные графические обозначения на электрических схемах — Компоненты — Инструкции


Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы. Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

 

 Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 [5]. Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1, VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

 
 Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.    

 
 Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

 

 Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

 
 Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1, VT6).

 
 Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

 

 Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2, DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

 
 Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

 

 Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3, VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

 
 Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3, VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

 
 На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых. Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4, VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

 

 В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4, VT3) —  с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4, VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

 
 В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

 
 Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4, VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

 
 Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы. В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

 

 

 

 Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).

 

Расшифровки обозначений и маркировок диодов СМД: типоразмеры компонентов

Маркировка smd элементов печатной платы помогает радиотехнику получить информацию о характеристиках того или иного компонента печатной платы, а также подобрать деталь, подходящую для конкретного случая. Разные типы элементов отличаются между собой по параметрам, указываемым в маркировке.

Электронные элементы платы

Что такое SMD

Расшифровка smd – Surface Mounted Device. Это означает «устройство поверхностного монтажа». Если более ранние типы радиодеталей требовали для размещения на плате проделывания очень большого числа отверстий и припаивания проволокой, то smd чип размещается на поверхность области контакта и спаивается с той же стороны (без проволоки). Использование таких деталей обладает рядом преимуществ:

  • отсутствует необходимость в проделывании большого количества дырочек и в обрезании выводов;
  • технология позволяет сделать элементы более компактными, поместить на плату большее их число (к тому же есть возможность размещать их на обеих сторонах платы), таким образом, менее крупногабаритными становятся и сами изделия;
  • сборка плат реализуется роботами, что освобождает людей от рутинного труда;
  • уменьшение искажающих работу устройства явлений, связанных с паразитной индуктивностью (у данных компонентов она небольшая благодаря их размерам), это улучшает качество работы с высокочастотными или трудноуловимыми сигналами;
  • за счет уменьшения числа технологических операций снижается стоимость готовой продукции.

В качестве минуса можно обозначить только то, что для автоматизации сборки плат потребуется приобретение специального оборудования.

Корпуса чип-компонентов

Корпуса для компонентов делают из различных типов материалов. В наибольшем ходу – корпуса в форме цилиндра из стекла и металла и прямоугольные коробки из керамики или пластика. Есть приборы относительно сложной конструкции, например, вертикальные розетки-коннекторы, ответственные за соединение с локальной сетью Ethernet.

Элементы монтажа можно квалифицировать по сочетанию двух параметров: габаритов и числа выводов. Наименьшее количество выводов (при их наличии), встречающееся у этих изделий, – 2. Иногда встречаются приборы с многочисленными выводами, даже более 8, это может сочетаться с очень мелким размером. Есть детали совсем без выводов, тогда припаивание осуществляется через контактные площади или специальные шарики. У разных отечественных и зарубежных производителей есть некоторые отличия в обозначениях маркировки и в размерах производимых изделий (к примеру, конденсаторы отличаются параметром высоты). Существует классификация корпусов, в которой каждому виду присваивается код из 3-5 латинских букв (например, SOT – маленький транзистор с тремя выводами).

Размеры корпусов SMD

Типоразмеры SMD-компонентов

Маркировка смд, информирующая о габаритах, называется типоразмером. Это цифровой код, в котором первые два символа показывают ширину элемента (в дюймах или миллиметрах), следующие два – длину. Причем компоненты с одинаковыми рабочими характеристиками могут отличаться по размерам.

SMD резисторы

В зависимости от производителя, резисторы могут иметь маркировку, состоящую из одних цифр или их сочетания с буквами. Когда она состоит из 3 или 4 цифр, последняя из них обозначает число нулей, соответствующее сопротивлению элемента. Например, код 7502 обозначает, что цифра, показывающая сопротивление, – 75000 Ом. В смешанных кодах буква отделяет дробную часть от целой: 5R7 = 5,7 Ом.

Важно! Среди smd-деталей есть резисторные элементы с сопротивлением, равным нулю. Обычно они применяются в предохранительных целях.

SMD конденсаторы

Внешний вид и маркировка этого типа компонентов отличаются между собой, в зависимости от материала конденсатора. Изделия из керамики по форме схожи с резисторами и имеют аналогичную структуру типоразмеров. Для продукции из тантала коды отличаются – ставится одна из латинских букв от А до Е, показывающая размер элемента (Е – наибольший). У электролитических изделий полоса на корпусе помечает минусовой вывод, из показателей проставляются напряжение и емкость. Это единственный тип smd конденсаторов, который имеет цилиндрическую форму, и у которого на корпусе указываются сведения о емкости. У остальных типов для ее определения нужно воспользоваться мультиметром.

SMD катушки индуктивности и дроссели

У изделий, содержащих намотку, типоразмеры имеют вид четверки чисел, где первые два показывают длину в сотых долях дюйма, другие два – ширину, например: 0905 – 0,09х0,05 дюйма.

SMD диоды и стабилитроны

Диоды smd снабжены цветной полоской: одиночной (например, желтой или красной) или парой полос разного цвета. Они находятся возле вывода катода. У светодиодов обозначение полярности вариабельно в зависимости от изготовителя (это указывают в заводской документации). Один из вариантов – пометка в виде точки. Зачастую это единственная отметка на корпусе данного компонента.

Маркировка диодов smd с корпусом в виде цилиндра в отношении типоразмеров имеет такой же вид, как у резисторных и катушечных элементов. Корпуса у них, как и у стабилитронов, имеют определенный цифробуквенный код. В целом, метки на данной категории элементов зачастую не отличаются высокой информативностью, так как проектировщики не рассчитывают, что ремонт печатной платы будет производиться радиолюбителем или самим пользователем прибора. Работники сервисных центров ориентируются на заводскую документацию, в ней указывается положение разных компонентов на плате.

Важно! Иногда изготовители выпускают сборки – серии диодов, вмонтированных в один корпус. В таком элементе могут располагаться десятки диодов, однако чаще их количество невелико – 2-4. Такие компактные конструкции размещаются на плате легче и занимают меньше места, чем отдельные компоненты.

Диоды и стабилитроны

SMD транзисторы

Как и предыдущая категория деталей, транзисторы имеют скупую маркировку, в данном случае это связано с очень мелкими размерами. Указывают лишь коды, причем в их отношении отсутствуют унифицированные международные нормы. Один и тот же код может использоваться разными производителями для разных типов элемента. Не имея на руках документации на плату, порой бывает очень тяжело определить тип используемого транзистора. Детали отличаются также по степени мощности.

Корпуса транзисторов разных размеров

Маркировка SMD-компонентов

В силу того, что монтаж данных конструкций выполняется роботами (в отличие от электронных деталей советских времен, монтировавшихся специалистами по радиотехнике), кодировки на корпусах не всегда имеют вид, легко считываемый человеком. Смысл маркировки – помочь тому, кто осуществляет монтажные или ремонтные работы, определить, что за модель перед ним. Роботу маркировка безразлична, ее непонятность не сказывается на качестве сборки, однако радиотехнику-любителю при ремонте платы порой приходится поработать со справочной литературой, чтобы разобраться, какая это деталь.

Пайка чип-компонентов

Проводить домашнюю пайку можно только в случае крупных элементов. Те детали, чей типоразмер меньше 0805, вручную монтировать затруднительно, тут для спаивания используется специальная печь. Пропайка smd в домашних условиях – дело, требующее внимания и соблюдения множества нюансов, радиолюбители берутся за него нечасто.

Технология монтажа элементов на поверхность платы существенно упростила процедуру сборки, поспособствовав ее автоматизации. Также она позволила удешевить производство и более плотно размещать электронные компоненты.

Видео

Маркировка электронных компонентов.

Маркировка электронных компонентов.

Маркировка электронных компонентов.

Перебаскин А.В.

Нет, не удалось нам догнать буржуев нигде, кроме как в области цветовой и кодовой маркировки радиокомпонентов. Здесь мы не только догнали загнивающий Запад, но и перегнали его, как говорится, «навсегда». Никакому иностранцу никогда не удастся расшифровать таинственные и постоянно меняющиеся комбинации странных значков и таинственных точечек, коими маркируются отечественные полупроводниковые приборы.  Что, в общем-то, хорошо: чего не понимают, того хотя бы опасаются, так что можно считать отечественную маркировку частью нашей оборонной инициативы, как говорится,  «наш ответ на ультиматум Kерзона». Но в своей страсти зашифровывать и засекречивать  все и вся мы зашли слишком далеко, так как и собственное население уже не может понять, что же за загадочные приборы впаяны в наши неказистые платы.  Невозможно объять необъятное, поэтому из всей массы приборов мы постарались  выбрать группу, которая наиболее часто маркируется всевозможными кодами. Понятно,  что применение кодовой маркировки связано в первую очередь с размерами, а значит, и  типом корпуса. Безусловным лидером по частоте применения кодовой маркировки является корпус типа KТ-26. Выпускавшийся ранее корпус KТП-4 представляет собой модификацию KТ-26 и, следовательно, тоже попадает под рассмотрение. В связи с  вышеизложенным, упор, сделанный в данном издании на маркировку полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе KТ-26, является закономерным и позволяет ответить на большинство вопросов, связанных с кодовой маркировкой.  Первый и самый неутешительный вывод, полученный в результате исследований: по  маркировке полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе KТ-26, часто НЕВОЗМОЖНО однозначно установить тип прибора. Можно долго рассуждать, почему так  случилось и кто в этом виноват; мы же считаем, что сложившаяся ситуация является, результатом во-первых, нашего российского менталитета, то есть привычкой решать все  проблемы административным путем, а во-вторых, особенностей протекания исторического процесса в нашей стране. Из последнего утверждения следует очень важный вывод:  маркировка полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе KТ-26, есть категория историческая. Это значит, в частности, что если производитель какого-нибудь транзистора в 1992 году маркировал его, допустим, красной точкой, а в 1993 году перестал  выпускать этот транзистор, то в 1994 году мог появиться другой (а иногда и тот же самый)  производитель и замаркировать красной точкой совершенно другой прибор, считая, что  данная конкретная маркировка «свободна». Вообще-то, служение полупроводниковой промышленности в советское время нуждам  военно-промышленного комплекса не пошло ей на пользу. До сих пор принципы маркировки компонентов их изготовитель считает исключительно своей прерогативой и руководствуется в них даже не ГОСТами, а своими сиюминутными интересами, как-то: наличием или отсутствием необходимой краски, трудностями, связанными с изготовлением клейма, и т.п.  Выполнение требований по маркировке, внесенных в ТУ, обходят обычно следующим образом: достаточно крупные партии приборов выпускаются «по нормали главного конструктора» или «по конкретному контракту», что позволяет маркировать эти партии так, как удобно изготовителю. Еще «хлеще» маркируются приборы, выпускаемые в странах СНГ для российского рынка. Самостийность, видимо, не позволяет маркировать по российским стандартам, а свои вырабатывать просто некогда, да и некому, надо быстрее клепать приборы, а то скоро эту «высокотехнологичную продукцию» никто брать не будет. Исключения в лучшую сторону достаточно редки и серьезного исследователя интересовать не могут.


ИСТОРИЯ 


Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был KТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе KТ-13. На нем в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления (Рис. 1). Через несколько лет в корпусе KТ-13 стали выпускать транзистор прямой проводимости —  KТ361. Для отличия от KТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны (Рис. 2). 

В 1974 году появился транзистор KТ375 в корпусе KТ-26 (тогда еще с круглыми выводами), который маркировался цифрами 375 и буквой, указывающей группу транзистора. В 1976 году появляется целая группа транзисторов в корпусах KТП-4 и KТ-26, от маркированных цветовым четырех точечным кодом (Рис. 3), и транзистор KТ209 (корпус KТП-4), который маркировался буквой А в левом нижнем углу плоской стороны корпуса. В правом нижнем углу плоской стороны корпуса буквой указывалась группа прибора, выше — двумя цифрами год, а еще выше — двумя цифрами дата изготовления (Рис. 4). Понять, что это за приборы, без расшифровки кода было уже невозможно, поэтому 1976 год можно считать началом эры цветовой и кодовой маркировки корпуса KТ-26 в СССР.

В 1979 году появляются транзисторы в корпусе KТ-26, маркированные символами. Сначала символы ставятся где попало (Рис. 13), но к 1985 году они обретают постоянное место в левом верхнем углу плоской стороны корпуса. Примерно в это же время появляются транзисторы, маркируемые двумя цветовыми метками (Рис. 8). С 1988 года набирает обороты сокращенная символьная маркировка (Рис. 5).

ОБЩИЕ ПРИНЦИПЫ МАРКИРОВКИ
Kорпус KТ-26 (ТО-92) изготавливается из пластмассы темного, чаще черного, цвета, поэтому все надписи наносятся белой или серебристой краской. Маркировка обычно наносится на срезе боковой поверхности корпуса, реже — на цилиндрической части боковой поверхности корпуса, на торце корпуса цветовым кодом указывают группу прибора.
Встречаются приборы, торец корпуса которых целиком закрашен каким-либо цветом. Это, за немногими исключениями, внутризаводская маркировка, которая, как правило, не стандартизируется и не расшифровывается (обозначает иногда разбраковку по одному или нескольким параметрам: номер смены и т.п.). Уловить какие-нибудь закономерности здесь не удалось, да и не очень надо, так как для массового потребителя данный тип маркировки несет немного полезной информации. На корпусе стараются указать тип прибора, группу, дату выпуска (год, месяц или номер смены). Наиболее важными представляются тип и группа прибора — на них мы и сосредоточим свое внимание; что касается даты изготовления, то часто она вообще не указывается. Когда же дата указывается, чаще всего это делается согласно ГОСТ 25486-82 (Табл. 1), или просто: двумя цифрами год, двумя (одной) месяц (например, 95 09 означает 1995 год, сентябрь-месяц). Встречается обратный порядок указания года и месяца (например, 3-74 означает март 1974 года) или обозначение только года изготовления двумя цифрами (например, 85 — 1985 год).

Таблица 1

Символ

Год

Символ

Месяц

U

1986

1

Январь

V

1987

2

Февраль

W

1988

3

Март

X

1989

4

Апрель

А

1990

5

Май

В

1991

6

Июнь

С

1992

7

Июль

D

1993

8

Август

Е

1994

9

Сентябрь

F

1995

0

Октябрь

Н

1996

N

Ноябрь

I

1997

D

Декабрь

К

1998

 

 

I

1999

 

 

М

2000

 

 

ТИПЫ МАРКИРОВКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Для удобства все рассмотренные варианты маркировки полупроводниковых приборов, выпускающихся в корпусе КТ-26, были разбиты на шесть классов, которым были присвоены условные названия:

1. Цифро-буквенная маркировка (Рис. 5).

2. Символьно-буквенная маркировка (Рис. 6).

3. Символьно-цветовая маркировка (Рис. 7).

4. Цветовая двухточечная маркировка (Рис. 8).

5. Цветовая четырехточечная маркировка (Рис. 9).

6. Нестандартизируемая маркировка (Рис. 10).

КТ326БМ КТ351Б КТ3102БМ КТ645А КТ219А

Рис. 5

КП364И КТ698К КТ6127Ж КТ502А КТ3107Е

Рис. 6

 

      КП501А  КТ3117А1   КТ3107А    КТ645Д    КТ3126Б

                                  РИС 7.

 

продолжение следует…

 А сама книжка — в нашем магазине.


Транзистор КП201 | Радиодетали в приборах

Транзистор КП201
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КП201

Золото: 0.0009
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Похожее

Обозначить SMD-транзистор по маркировке. SMD-маркировка радиодеталей. Размеры резисторов SMD и их мощность

Имея дома электронную лабораторию, можно своими руками изготовить самые разные приборы для электрооборудования или сами приборы, что существенно сэкономит на покупке оборудования. Важным элементом многих электрических схем устройств является стабилитрон.

Такой элемент (smd, smd) является необходимой частью многих электрических цепей.В связи с широким спектром применения стабилитрон имеет различную маркировку. Маркировка, нанесенная на корпус такого диода, дает подробную, но зашифрованную информацию об этом элементе. Наша сегодняшняя статья поможет разобраться, какая цветовая маркировка есть на корпусе (стекле, а не) импортных стабилитронов.

Что это за элемент электрических схем

Прежде чем перейти к рассмотрению вопроса о том, какой цветовой маркировкой у таких элементов существует, необходимо разобраться, о чем идет речь.

Вольт-амперная характеристика стабилитрона

Стабилитрон — это полупроводниковый диод, который предназначен для стабилизации постоянного напряжения на нагрузке в электрической цепи. Чаще всего такой диод используется для стабилизации напряжения в различных блоках питания. Этот диод (смд) имеет участок с обратной ветвью вольт-амперной характеристики, которая наблюдается в области электрического пробоя.

Имея такую ​​площадь, стабилитрон в ситуации изменения параметра тока, протекающего через диод от IST.MIN до IST.MAX, практически никаких изменений в показателе напряжения не наблюдается. Этот эффект используется для стабилизации напряжения. В ситуации, когда нагрузка RH подключена параллельно SMD, тогда напряжение на диоде будет оставаться постоянным и в указанных пределах изменения тока, протекающего через стабилитрон.

Примечание! Стабилитрон (smd) способен стабилизировать напряжение выше 3,3 В.

Кроме smd есть еще стабистроны, которые включаются при прямом питании.Они используются в ситуации, когда есть необходимость стабилизировать напряжение в определенном диапазоне. Обычный диод можно использовать, когда необходимо стабилизировать напряжение в диапазоне от 0,3 до 0,5 В. Их область прямого смещения наблюдается при падении напряжения до 0,7 — 2 В. Причем практически не зависит от силы тока. Стабилизаторы в своей работе используют прямую ветвь вольт-амперной характеристики.
Они также должны быть включены при прямом подключении.Хотя это будет не лучшим решением, так как стабилитрон в такой ситуации все равно будет более эффективным.
Стабилизаторы, как и smd, часто делают из кремния. Стабилитроны
маркируются в соответствии с их основными характеристиками. Эта маркировка выглядит следующим образом:

  • ЕСН. Эта маркировка означает номинальное напряжение стабилизации;
  • ΔUT. Означает отклонение индикатора напряжения от номинального напряжения стабилизации;
  • ИКТ. Указывает ток, протекающий через диод при номинальном напряжении стабилизации;
  • IST.MIN — минимальное значение тока, протекающего через стабилитрон. При этом значении такой SMD-диод будет иметь напряжение в диапазоне UCT ± ΔUCT;
  • IST.MAX. Указывает максимально допустимый ток, который может протекать через стабилитрон.

Такая маркировка важна при выборе элемента под конкретную схему подключения.

Обозначения работы элемента электрической схемы

Схематическое обозначение стабилитрона

Так как стабилитрон — это особый диод, то его обозначение от них не отличается.Схематично smd обозначается так:

Стабилитрон, как и диод, имеет катодную и анодную часть. Из-за этого происходит прямое и обратное включение этого элемента.

Включение стабилитрона

На первый взгляд включение такого диода некорректно, ведь его нужно подключать «наоборот». В ситуации, когда на smd подается обратное напряжение, наблюдается явление «пробоя». В результате напряжение между его выводами остается неизменным.Поэтому он должен быть включен последовательно с резистором, чтобы ограничить проходящий через него ток, что обеспечит падение «лишнего» напряжения с выпрямителя.

Примечание! Каждый диод, предназначенный для стабилизации напряжения, имеет свое «пробивное» (стабилизационное) напряжение, а также имеет свой рабочий ток.

В связи с тем, что каждый стабилитрон имеет такие характеристики, можно рассчитать номинал резистора для него, который будет включаться последовательно с ним.Для импортных стабилитронов их напряжение стабилизации представлено в виде маркировки, нанесенной на корпус (стеклянный или нет). Обозначение таких smd-диодов всегда начинается с BZY … или BZX …, а их напряжение пробоя (стабилизации) обозначается буквой V. Например, обозначение 3V9 означает 3,9 вольта.

Примечание! Минимальное напряжение для стабилизации таких элементов 2 В.

Принцип работы диодов стабилизации

Несмотря на то, что smd похож на диод, это, по сути, другой элемент электрической схемы.Конечно, он может действовать как выпрямитель, но обычно используется для стабилизации напряжения. Этот элемент способен поддерживать постоянное напряжение в цепи постоянного тока. Такой принцип его работы используется при питании различного радиооборудования.

Внешне smd очень похож на стандартный полупроводник. Сходство сохраняется в конструктивных особенностях. Но при обозначении такого радиотехнического элемента, в отличие от диода, на схеме ставится буква G.
Если не вникать в математические расчеты и физические явления, то принцип работы smd будет вполне понятен.

Примечание! При включении такого smd диода необходимо соблюдать обратную полярность. Это означает, что подключение осуществляется анодом к минусу.

Проходя через этот элемент, небольшое напряжение в цепи провоцирует сильный ток. С увеличением обратного напряжения ток также увеличивается, только в этом случае его рост будет наблюдаться слабо. Когда он достигнет отметки, это может быть что угодно. Все зависит от типа устройства. При достижении отметки происходит «пробой».После произошедшего «пробоя» через smd начинает течь обратный ток большой ценности. Именно в этот момент начинается работа этого элемента до тех пор, пока он не превысит свой допустимый предел.

Как отличить стабилизационный диод от обычного полупроводникового

Очень часто люди задаются вопросом, как отличить стабилитрон от стандартного полупроводника, ведь, как мы выяснили ранее, оба этих элемента имеют практически одинаковое обозначение на электрической схеме и могут выполнять аналогичные функции.
Самый простой способ отличить стабилизированный полупроводник от обычного — использовать схему крепления мультиметра. С его помощью можно не только отличить оба элемента друг от друга, но и определить напряжение стабилизации, которое характерно для данного smd (если, конечно, оно не превышает 35V).
Цепь крепления мультиметра представляет собой преобразователь постоянного тока в постоянный, в котором между входом и выходом имеется гальваническая развязка. Эта диаграмма выглядит так:

Схема подключения мультиметра

В нем генератор с широтно-импульсной модуляцией выполнен на специальной микросхеме MC34063, а для создания гальванической развязки между измерительной частью схемы и источником питания необходимо снять управляющее напряжение с первичной обмотки трансформатора.Для этого есть выпрямитель VD2. В этом случае значение выходного напряжения или тока стабилизации устанавливается подбором резистора R3. На конденсаторе С4 отпускается напряжение около 40В.
В этом случае тестируемый smd VDX и стабилизатор тока A2 образуют параметрический стабилизатор. Мультиметр, подключенный к клеммам X1 и X2, будет измерять напряжение на этом стабилитроне.
При подключении катода к «-», а анода к «+» диода, а также к несимметричному smd мультиметра последний будет показывать небольшое напряжение.Если подключить с обратной полярностью (как на схеме), то в ситуации с обычным полупроводником прибор зарегистрирует напряжение около 40В.

Примечание! Для симметричного SMD напряжение пробоя будет появляться при любой полярности подключения.

Здесь трансформатор Т1 будет намотан на тороидальном ферритовом сердечнике с внешним диаметром 23 мм. Такая обмотка 1 будет содержать 20 витков, а вторая обмотка — 35 витков провода ПЭВ 0.43. В этом случае важно при намотке укладывать поворот к повороту. При этом следует помнить, что первичная обмотка идет на одну часть кольца, а вторая — на другую.
При настройке устройства подключите резистор вместо smd VDX. Этот резистор должен быть 10 кОм. И сопротивление R3 нужно подбирать, чтобы на конденсаторе С4
добиться напряжения 40В. Вот так и можно узнать, стабилитрон у вас или обычный диод.

Подробная информация о цветовой кодировке стабилизирующего диода

Любой диод (стабилитрон и др.) на его корпусе есть специальная маркировка, отражающая, из какого материала был изготовлен каждый конкретный полупроводник. Такая маркировка может выглядеть так:

  • буква или цифра;
  • письмо.

Кроме того, маркировка отражает электрические свойства и назначение устройства. Обычно за это отвечает номер. Буква, в свою очередь, отражает соответствующий тип устройства. Кроме того, в маркировке указывается дата изготовления и символ продукта.
Интегральный тип smd часто содержит полную маркировку. В такой ситуации на корпусе изделия есть условный код, указывающий на тип микросхемы. Пример расшифровки нанесенной на корпус кодовой маркировки микросхем представлен на рисунке:

Пример маркировки микросхем

Кроме того, есть еще и цветовая кодировка. Он бывает нескольких разновидностей, но наиболее часто используется японское обозначение (JIS-C-7012).Цветовая кодировка показана в следующей таблице.

Цветовая кодировка стабилитрона

  • первая полоса указывает тип устройства;
  • второй — полупроводник;
  • третий — что это за прибор, а также какая у него проводимость;
  • четвертый — номер разработки;
  • пятая модификация устройства.

Следует отметить, что четвертая и пятая полосы не очень важны при выборе товара.

Заключение

Как видите, существует множество различных маркировок и обозначений стабилитрона, о которых нужно помнить при выборе его для домашней лаборатории и изготовлении различных электроприборов своими руками. Если вы хорошо владеете этим вопросом, то это ключ к правильному выбору.


Выбор подходящих автономных датчиков движения с сиреной

  1. Введение
  2. Корпуса для компонентов SMD
  3. Размеры SMD компонентов
    • SMD резисторов
    • Конденсаторы SMD
    • Катушки и дроссели SMD
  4. SMD транзисторы
  5. Маркировка компонентов SMD
  6. Пайка SMD компонентов

Введение

Современному радиолюбителю теперь доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темные, на которых невозможно понять, что написано, детали.Их называют «SMD». В переводе с русского это означает «компоненты для поверхностного монтажа». Их главное преимущество состоит в том, что они позволяют промышленности собирать печатные платы с помощью роботов, которые с большой скоростью размещают компоненты SMD на своих местах на печатных платах, а затем массово «запекают» и производят собранные печатные платы. Человеку остаются те операции, которые робот выполнить не может. Еще нет.

Использование микросхем в радиолюбительской практике также возможно, даже необходимо, так как позволяет снизить вес, габариты и стоимость готового изделия.Более того, сверлить практически не нужно.

Для тех, кто плохо знаком с SMD-компонентами, путаница естественна. Как понять их разнообразие: где резистор, а где конденсатор или транзистор, какие они размеры, какие там smd детали? Ниже вы найдете ответы на все эти вопросы. Прочтите, пригодится!

Корпуса для микросхем

Условно все компоненты поверхностного монтажа можно разделить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы / размер Очень-очень маленький Очень маленький Малый Среднее значение
2 выхода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2 *, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) СОТ23 СОТ89, ДПАК (ТО-252), Д2ПАК (ТО-263), Д3ПАК (ТО-268)
4-5 контактов WLCSP4 *, SOT1194, WLCSP5 *, SOT665 СОТ353 СОТ143Б, СОТ753 СОТ223, МОЩНОСТЬ-SO8
6-8 контактов СОТ1202, СОТ891, СОТ886, СОТ666, WLCSP6 * SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) СОТ457, СОТ505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 контактов WLCSP9 *, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16 *, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24 * SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, не все случаи перечислены в таблице, поскольку реальная промышленность производит компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации успевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если контактов нет, значит на корпусе есть контактные площадки или маленькие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от производителя детали могут отличаться маркировкой и габаритами. Например, конденсаторы могут иметь разную высоту.

Большинство корпусов SMD-компонентов спроектировано для монтажа с использованием специального оборудования, которого у радиолюбителей нет и вряд ли когда-либо будет. Это связано с технологией пайки таких компонентов.Конечно, при определенной настойчивости и фанатизме можно паять и в домашних условиях.

Типы корпусов SMD по названию

Корпус
Имя Расшифровка количество выводов
СОТ малый контур транзистора 3
SOD малый контурный диод 2
SOIC малый контур интегральная схема> 4, в две строки по бокам
TSOP тонкий контурный корпус (тонкий SOIC)> 4, в две строки по бокам
SSOP сидячий SOIC> 4, в две строки по бокам
ЦСОП узкое сиденье SOIC> 4, в две строки по бокам
QSOP Размер четверти SOIC> 4, в две строки по бокам
VSOP QSOP еще меньшего размера> 4, в две строки по бокам
PLCC ИМС в пластиковом корпусе с загнутыми под корпус выводами в виде буквы J > 4, в четыре строки по бокам
CLCC ИМС в керамическом корпусе с загнутыми под корпус выводами в виде буквы J > 4, в четыре строки по бокам
QFP квадратный плоский корпус> 4, в четыре строки по бокам
LQFP низкопрофильный QFP> 4, в четыре строки по бокам
PQFP пластик QFP> 4, в четыре строки по бокам
CQFP керамический QFP> 4, в четыре строки по бокам
TQFP тоньше QFP> 4, в четыре строки по бокам
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой для радиатора> 4, в четыре строки по бокам
BGA Шаровая сетка.Массив шариков вместо булавок штыревой массив
LFBGA низкопрофильный FBGA штыревой массив
CGA с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя штыревой массив
CCGA CGA в керамическом корпусе штыревой массив
мкBGA микро bga штыревой массив
FCBGA Шаровая сетка Flip-chip.Массив шаров на подложке, к которой припаян кристалл с радиатором штыревой массив
ТОО безвыводной кейс

Из всего этого зоопарка могут поместиться компоненты микросхем для любительского использования: микросхемы резисторов, конденсаторы микросхем, индукторы микросхем, микросхемы диодов и транзисторов, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в корпусах SOIC. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелепипеды или небольшие бочки. Бочки электролитические, а параллелепипеды, вероятно, будут танталовыми или керамическими конденсаторами.


Размеры SMD компонентов

Компоненты микросхемы одного номинала могут иметь разные размеры. Размеры SMD-компонента определяются его «стандартным размером». Например, чип-резисторы доступны в размерах от «0201» до «2512». Эти четыре цифры обозначают ширину и длину чип-резистора в дюймах. В таблицах ниже вы можете увидеть стандартные размеры в миллиметрах.

Резисторы smd

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Стандартный размер L, мм (дюйм) Вт, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
0201 0.6 (0,02) 0,3 (0,01) 0,23 (0,01) 0,13 1/20
0402 1,0 (0,04) 0,5 (0,01) 0,35 (0,014) 0,25 1/16
0603 1,6 (0,06) 0,8 (0,03) 0,45 (0,018) 0,3 1/10
0805 2,0 (0,08) 1,2 (0,05) 0.4 (0,018) 0,4 1/8
1206 3,2 (0,12) 1,6 (0,06) 0,5 (0,022) 0,5 1/4
1210 5,0 (0,12) 2,5 (0,10) 0,55 (0,022) 0,5 1/2
1218 5,0 (0,12) 2,5 (0,18) 0,55 (0,022) 0,5 1
2010 г. 5.0 (0,20) 2,5 (0,10) 0,55 (0,024) 0,5 3/4
2512 6,35 (0,25) 3,2 (0,12) 0,55 (0,024) 0,5 1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Стандартный размер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
0102 1,1 (0,01) 2.2 (0,02) 1/4
0204 1,4 (0,02) 3,6 (0,04) 1/2
0207 2,2 (0,02) 5,8 (0,07) 1

smd конденсаторы

Конденсаторы с керамической микросхемой имеют такой же размер, что и резисторы для микросхем, но танталовые конденсаторы для микросхем имеют свою собственную систему размеров:

Конденсаторы танталовые
Стандартный размер L, мм (дюйм) Вт, мм (дюйм) T, мм (дюйм) B, мм A, мм
А 3.2 (0,126) 1,6 (0,063) 1,6 (0,063) 1,2 0,8
В 3,5 (0,138) 2,8 (0,110) 1,9 (0,075) 2,2 0,8
С 6,0 (0,236) 3,2 (0,126) 2,5 (0,098) 2,2 1,3
Д 7,3 (0,287) 4,3 (0,170) 2.8 (0,110) 2,4 1,3
E 7,3 (0,287) 4,3 (0,170) 4,0 (0,158) 2,4 1,2

smd индукторы и дроссели

Катушки индуктивности используются во многих типах корпусов, но корпуса по-прежнему подчиняются тому же закону о размерах. Это облегчает автоматическую установку. Да и нам, радиолюбителям, легче ориентироваться.

Все катушки, дроссели и трансформаторы называются «катушечными изделиями».Обычно наматываем их сами, но иногда можно купить уже готовые изделия. Более того, если требуются варианты SMD, которые доступны с множеством плюсов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

Нужную катушку лучше подбирать по каталогам и требуемого типоразмера. Размеры, как и у микросхем резисторов, устанавливаются с помощью четырехзначного кода (0805).В этом случае «08» обозначает длину, а «05» — ширину в дюймах. Фактический размер такого SMD-компонента будет 0,08×0,05 дюйма.

smd диоды и стабилитроны

Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелепипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего представлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Их типоразмеры устанавливаются так же, как для катушек, резисторов, конденсаторов.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип оболочки L * (мм) D * (мм) F * (мм) S * (мм) Примечание
DO-213AA (SOD80) 3.5 1,65 048 0,03 JEDEC
DO-213AB (MELF) 5,0 2,52 0,48 0,03 JEDEC
DO-213AC 3,45 1,4 0,42 JEDEC
ERD03LL 1,6 1,0 0,2 0,05 PANASONIC
ER021L 2.0 1,25 0,3 0,07 PANASONIC
ERSM 5,9 2,2 0,6 0,15 PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF 5,0 2,5 0,5 0,1 ЦЕНТС
SOD80 (miniMELF) 3,5 1,6 0,3 0,075 ФИЛИПС
SOD80C 3.6 1,52 0,3 0,075 ФИЛИПС
SOD87 3,5 2,05 0,3 0,075 ФИЛИПС

smd транзисторы

Также доступны транзисторы

для поверхностного монтажа малой, средней и высокой мощности. У них также есть подходящие корпуса. Корпуса транзисторов условно можно разделить на две группы: СОТ, ДПАК.

Обращаю ваше внимание на то, что такие пакеты могут также содержать сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы.Например, диодные сборки.

Маркировка компонентов SMD

Иногда мне кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, похожую на историю или археологию, так как для того, чтобы разобраться, какой компонент установлен на плате, иногда необходимо провести целый анализ элементы, окружающие его. В связи с этим советские выходные компоненты, на которых в тексте были написаны номинал и макет, были просто мечтой любителя, так как не нужно было мутить груды справочников, чтобы выяснить, что это за детали. .

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. Компоненты SMD устанавливаются роботами, в которые устанавливаются специальные катушки (аналогичные когда-то катушкам с магнитной лентой), в которых размещаются компоненты микросхемы. Роботу все равно, что в бабине и есть ли на деталях маркировка. Человеку нужна маркировка.

Компоненты микросхемы пайки

В домашних условиях компоненты микросхемы можно припаять только до определенного размера, стандартный размер 0805 считается более-менее удобным для ручной сборки.Компоненты меньшего размера припаиваются с помощью печки. При этом для качественной пайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

Маркировка компонентов SMD

Компоненты для поверхностного монтажа слишком малы, чтобы нести на корпусе стандартную маркировку. Поэтому для таких компонентов существует особая система обозначений: на корпус устройства наносится код, состоящий из двух или трех знаков. В справочном материале представлена ​​информация более чем по 1500 кодам.

Типы корпусов и их расположение

Самым распространенным миниатюрным корпусом для маломощных диодов, диодных сборок и транзисторов, вероятно, является трехконтактный SOT23 из пластика. Для диодов часто используются двухконтактные корпуса SOD123, SOD323 и сверхминиатюрные керамические SOD110; иногда на них не наносят буквенно-цифровую маркировку, тогда тип устройства можно определить по цвету полоски на выходе из катода. Транзисторы, диодные и варикапные сборки размещены в трехконтактных корпусах SOT323, SOT346, SOT416, SOT490, сверхминиатюрных SOT663, а также в четырехконтактных корпусах SOT223, SOT143, SOT343 и SOT103.Также используются пятиконтактные корпуса, например, SOT551A и SOT680-1, в которых выводы коллектора и / или эмиттера продублированы для удобства разводки печатной платы. Миниатюрные шестиконтактные корпуса, такие как SOT26A, содержат матрицы транзисторов и диодные матрицы. Чертежи наиболее распространенных корпусов SMD показаны на рисунке.

У некоторых устройств есть версия с двусторонней распиновкой и соответственно буквой «R» (Reveres) в маркировке. Их выводы соответствуют выводам обычного перевернутого устройства, т.е.е. зеркальный. Идентификация обычно выполняется по коду, но некоторые производители используют один и тот же код. В этом случае потребуется сильная лупа. Обычно штыри корпусов (например, таких как SC 59, SC-70, SOT-323) выходят ближе к лицевой поверхности, а у устройств перевернутого типа штифты располагаются ближе к нижней стороне устройства. . Исключение составляют СО-8, СОТ-23, СОТ-143 и СОТ-223, у них наоборот.

Как использовать предоставленную информацию

Чтобы идентифицировать SMD-компонент, необходимо определить тип корпуса и прочитать идентификационный код, напечатанный на нем.Затем найдите обозначение в алфавитном списке кодов. К сожалению, некоторые коды не уникальны. Например, компонент с маркировкой 1A может быть BC846A или FMMT3904. Даже один и тот же производитель может использовать одни и те же коды для обозначения разных компонентов. В таких случаях следует учитывать тип корпуса для более точной идентификации.

Различные варианты кодирования

Многие производители используют дополнительные символы в качестве собственного идентификационного кода. Например, компоненты Philips обычно (но, к сожалению, не всегда) имеют строчную букву «p» в дополнение к их коду; Компоненты Siemens обычно имеют дополнительный нижний регистр

буква «с».Например, если компонент помечен кодом 1 Ap, ищите в таблице код 1 A. Согласно таблице 1 существует четыре различных варианта.

Но поскольку компонент имеет суффикс «p», он произведен Philips, что означает, что это BC846A.

Многие новые компоненты Motorola имеют надстрочный индекс после кода — маленькие буквы, например SAC. Эти буквы соответствуют месяцу изготовления устройства. Многие устройства Rohm Semiconductors, названия которых начинаются с буквы G, эквивалентны устройствам, отмеченным оставшейся частью кода.Например, GD1 совпадает с 01, то есть BCW31.

Некоторые устройства имеют однотонную букву (обычно диоды в миниатюрных корпусах). Цвет, если имеет значение, указывается в таблице в скобках после кода или отдельно — вместо кода. Определение разных типов корпусов для одного и того же устройства может вызвать определенные трудности. Например, 1K в пакете SOT23 — это BC848V (250 мВт), а 1K в пакете SOT323 — это BC848BW (200 мВт). В представленных таблицах такие устройства обычно считаются равноценными.

Суффикс «L» обычно обозначает низкопрофильное шасси, такое как SOT323 или SC70, «W» обозначает меньшую версию шасси, например SOT343.

Аналогичные устройства и дополнительная информация

Там, где это применимо, в списке указывается тип обычного (не SMD) прибора с эквивалентными характеристиками. Если такое устройство общеизвестно, другой информации не приводится. Дополнительная информация предоставляется для менее распространенных инструментов. Если аналогичного устройства не существует, предоставляется краткое описание устройства, которое может быть актуально при выборе замены.

При описании свойств компонента используются некоторые параметры, специфичные для конкретного устройства. Так, напряжение, указанное для выпрямительного диода, чаще всего является максимальным пиковым обратным напряжением диода, а для стабилитронов задается напряжение стабилизации. Обычно, если указаны значения напряжений, токов или мощностей, это предельные значения. Для транзисторов указывается объем, рабочий диапазон или частота среза. Для импульсных диодов — время переключения.Для варикапов — рабочий диапазон и / или пределы изменения мощности.

Некоторые типы транзисторов (так называемые «цифровые») имеют встроенные резисторы. В этом случае резистор обозначается знаком «+», подключенный последовательно с базой; без знака «+» — резистивный шунтирующий переход база-эмиттер. Когда указаны два сопротивления (через косую черту), первое из них — это сопротивление базового резистора, а второе — сопротивление резистора между базой и эмиттером.

Таблица 1. Различные варианты кодирования

Описание и / или эквивалент

п-МОП, 20В, 0.9А

Коды Компоненты SMD начиная с числа — 1

Сегодня мы поговорим о
SMD компонентах , появившийся благодаря прогрессу в области электроники и мы немного коснемся такого радиоэлемента, как . .
Surface Mounted Device или SMD переводится как — устройства для поверхностного монтажа, то есть тип радиодеталей, которые припаяны со стороны дорожек и контактных площадок непосредственно к плате.

В современной электронике сложно найти схему, в которой не применяются
smd компоненты … По параметрам большинство smd деталей ничем не отличаются от обычных, кроме размеров и веса. Благодаря его компактности стало возможным создание сложных электронных устройств небольших размеров, например, сотового телефона.

Удобство такого транзистора заключается не только в его размерах, но и в том, что в большинстве случаев цоколевка таких элементов одинакова.

Конструкция этих планарных транзисторов показана ниже.

Как и обычные транзисторы, планарные транзисторы также бывают разных типов: полевые, составные (Дарлингтона), IGBT (биполярные, с изолированным затвором), биполярные.

В целом термин SMD (от англ. Surface Mounted Device) можно отнести к любому малогабаритному электронному компоненту, предназначенному для поверхностного монтажа на плате с использованием технологии SMT (технология поверхностного монтажа).

Технология

SMT (от англ. Surface Mount Technology) была разработана с целью снижения стоимости производства, повышения эффективности изготовления печатных плат с использованием более мелких электронных компонентов: резисторов, конденсаторов, транзисторов и т. Д. Сегодня мы рассмотрим один из эти — резистор SMD.

Резисторы SMD

SMD резисторы — это миниатюрные, предназначенные для поверхностного монтажа. Резисторы SMD значительно меньше своих традиционных аналогов.Они часто имеют квадратную, прямоугольную или овальную форму с очень низким профилем.

Вместо проволочных выводов обычных резисторов, которые вставляются в отверстия на печатной плате, резисторы SMD имеют небольшие штыри, припаянные к поверхности корпуса резистора. Это избавляет от необходимости пробивать отверстия в печатной плате и, таким образом, позволяет более эффективно использовать всю ее поверхность.

Размеры резисторов SMD

В основном, термин «размер» включает в себя размер, форму и конфигурацию выводов (тип корпуса) электронного компонента.Например, обычная конфигурация ИС с плоским двусторонним корпусом (перпендикулярным базовой плоскости) называется DIP.

Стандартные размеры резисторов SMD стандартизированы, и большинство производителей используют стандарт JEDEC. Размер резисторов SMD указывается числовым кодом, например, 0603. Код содержит информацию о длине и ширине резистора. Таким образом, в нашем примере с кодом 0603 (в дюймах) длина тела составляет 0,060 дюйма на 0,030 дюйма в ширину.

Резистор того же размера в метрической системе будет иметь код 1608 (в миллиметрах), соответственно длина 1,6 мм, ширина 0,8 мм. Чтобы преобразовать размеры в миллиметры, умножьте размер в дюймах на 2,54.

Размеры резисторов SMD и их мощность

Размер резистора SMD в основном зависит от требуемой рассеиваемой мощности. В следующей таблице перечислены размеры и характеристики наиболее часто используемых резисторов SMD.

Маркировка SMD резистора

Из-за небольшого размера резисторов SMD практически невозможно применить к ним традиционные резисторы с цветовой кодировкой.

В связи с этим был разработан специальный метод маркировки. Самая распространенная маркировка состоит из трех или четырех цифр или двух цифр и буквы EIA-96.

Трех- и четырехзначная маркировка

В этой системе первые две или три цифры указывают числовое значение сопротивления резистора, а последняя цифра — множитель. Это последнее число указывает степень, до которой необходимо поднять 10, чтобы получить окончательный множитель.

Еще несколько примеров определения сопротивлений в этой системе:

  • 450 = 45 x 10 0 равно 45 Ом
  • 273 = 27 x 10 3 равно 27000 Ом (27 кОм)
  • 7992 = 799 x 10 2 равно 79900 Ом (79.9 кОм)
  • 1733 = 173 x 10 3 равно 173000 Ом (173 кОм)

Буква «R» используется для обозначения положения десятичной точки для значений сопротивления ниже 10 Ом. Итак, 0R5 = 0,5 Ом и 0R01 = 0,01 Ом.

Резисторы SMD

повышенной точности (прецизионности) в сочетании с небольшими размерами создали потребность в новой, более компактной маркировке. В связи с этим был создан стандарт EIA-96. Этот стандарт предназначен для резисторов с допуском сопротивления 1%.

Эта система маркировки состоит из трех элементов: две цифры обозначают код, а буква, следующая за ними, определяет множитель. Две цифры представляют собой код, который дает трехзначное число сопротивления (см. Таблицу)

Например, код 04 означает 107 Ом, а 60 означает 412 Ом. Множитель дает окончательное значение резистора, например:

.
  • 01A = 100 Ом ± 1%
  • 38С = 24300 Ом ± 1%
  • 92Z = 0.887 Ом ± 1%

Онлайн калькулятор SMD резисторов

Этот калькулятор поможет вам найти значение сопротивления резисторов SMD. Просто введите код, написанный на резисторе, и его сопротивление отобразится внизу.

С помощью калькулятора можно определить сопротивление резисторов SMD, которые маркируются 3 или 4 цифрами, а также по стандарту EIA-96 (2 цифры + буква).

Хотя мы сделали все возможное, чтобы проверить работу этого калькулятора, мы не можем гарантировать, что он вычисляет правильные значения для всех резисторов, так как иногда производители могут использовать свои собственные коды.

Поэтому, чтобы быть абсолютно уверенным в величине сопротивления, лучше всего дополнительно измерить сопротивление мультиметром.

Справочное руководство по компонентам

Multisim — National Instruments

% PDF-1.6 % 1 0 объект > поток application / pdf

  • Справочное руководство по компонентам Multisim — National Instruments
  • Технические коммуникации
  • Acrobat Distiller 4.05 для Windows; изменено с помощью iText® 5.5.4 © 2000-2014 iText Group NV (версия AGPL) 374485 3244852006-12-07T09: 28: 44Z2018-11-29T07: 11: 25-06: 00FrameMaker 6.0 конечный поток эндобдж 2 0 obj > / DigestMethod / MD5 / DigestValue / TransformMethod / UR >>] / Содержание (0K \ t * H \ r810 \ t +

    Электронные компоненты — SARCNET

    Электронные компоненты

    Электронные компоненты являются строительными блоками всех электронных устройств, таких как мобильные телефоны и телевизоры.Есть много различных типов электронных компонентов, и они бывают самых разных форм и размеров. Некоторые из них настолько крошечные, что их приходится подбирать пинцетом! Некоторые выглядят как ошибки! Мы даем всем этим маленьким ребятам такие имена, как «резисторы», «конденсаторы», «диоды» и «транзисторы». Но существует так много вариаций, что большинство из них также имеют свои собственные специальные коды или значения, чтобы мы могли различать их.

    Электронные компоненты соединяются вместе, образуя «схемы», и в электронном устройстве используется множество различных схем.Вместо того, чтобы пытаться нарисовать изображения электронных компонентов, чтобы показать, как они соединены в цепи, мы используем штриховые «символы схемы» для представления каждого типа, и этот тип чертежа называется «принципиальной схемой».

    Каждый электронный компонент имеет два, три или более металлических проводника, выступающих наружу, таких как руки или ноги, чтобы мы могли соединить их вместе. Мы называем эти проводники «штырями», «ножками», «выводами», «наконечниками», «клеммами» или «контактами» в зависимости от их формы и размера.Корпус или корпус электронного компонента — это прочный изолирующий материал, такой как стекло, керамика или пластик, но все волшебство происходит именно внутри этой оболочки!

    Когда электричество проходит через электронный компонент, он по-разному преобразует его. Электронные компоненты каждого типа по-разному реагируют на электрический ток. Некоторые уменьшают его, некоторые хранят его, некоторые контролируют его, а некоторые сияют им. Но волшебство электронных компонентов на этом не заканчивается.Когда они соединены в цепь, они работают вместе, чтобы делать просто удивительные вещи, как мы увидим! Но сначала давайте познакомимся с нашими маленькими друзьями, электронными компонентами.

    Введение

    Электронные компоненты бывают разных типов, форм и размеров. Они делают разные вещи с электрическим током и имеют разные обозначения и значения цепей. Иногда они работают по-разному, в зависимости от того, каким образом вы их соединяете. Существуют настолько разные типы, значения и пакеты электронных компонентов, что иногда вам нужна таблица или тестер компонентов, чтобы выяснить, какой у вас тип и как его подключить.

    Маркировка компонентов

    База данных кодов маркировки SMD компонентов

    PY

    2SA2154MFV-Y

    Toshiba
    2-1L1A

    Транзистор PNP
    GP & запятая; Усилитель и запятая; 50В и запятая; 150 мА и запятая; 150 мВт и запятая; B & равно; 120 & период; & период; 240 & запятая; > 80 МГц

    PY

    2SC2884-Y

    Toshiba
    SOT-89

    NPN транзистор
    GP & comma; 35В и запятая; 800 мА и запятая; 500 мВт и запятая; B & равно; 120 & период; & период; 240 & запятая; 120 МГц

    PY

    2SC3859

    Sanyo Electric
    CP

    NPN транзистор
    Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; 250 МГц и запятая; B> 100 & запятая; R1 & равно; 10 тыс.

    PY

    2SJ363

    Renessas
    SOT-89

    MOSFET p-типа
    V-MOS & comma; LogL & запятая; 30В и запятая; 2А и запятая; <0 & период; 45 & lpar; 1A & rpar; & comma; интегр & период; Rgate

    pY

    74AUP1G19GF

    NXP Semiconductors
    SOT891

    КМОП-логика IC
    Декодер 1-из-2 и демультиплексор

    pY

    74AUP1G19GM

    NXP Semiconductors
    SOT886

    КМОП-логика IC
    Декодер 1-из-2 и демультиплексор

    pY

    74AUP1G19GW

    NXP Semiconductors
    SOT-363

    КМОП-логика IC
    Декодер 1-из-2 и демультиплексор

    Py

    AX6645TCT

    AXElite Technology
    TSOT-23-6L

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; Двойной выход & точка; & запятая; Vo1 & sol; Vo2 & равно; 1 & период; 5V & sol; 3 & period; 3V ± 2 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

    Py

    AX6645TZ6

    AXElite Technology
    TDFN-6L

    Линейный стабилизатор напряжения IC
    LDO & comma; Двойной выход & точка; & запятая; Vo1 & sol; Vo2 & равно; 1 & период; 5V & sol; 3 & period; 3V ± 2 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; & плюс; CE

    Py

    BD53E28G-M

    Rohm
    SSOP-5

    Детектор напряжения IC
    2 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; -Сбросить PPO

    PY

    BZX84C43CCW

    JinYu semiconductor
    SOT-323

    стабилитрон
    DuaL & comma; 40 & период; & период; 46V & запятая; Zzt & равно 150 & запятая; Izt & равно; 2mA & запятая; 200 мВт

    PY

    IXD1504A381NR-G

    IXYS
    SSOT-24

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; 3 & период; 8V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE

    PY

    IXD5109N48AN

    IXYS
    SSOT-24

    Детектор напряжения IC
    4 & период; 8V ± 2 & percnt; & comma; & plus; Сбросить ODO

    PY

    IXD5127C52ENR

    IXYS
    SSOT-24

    Детектор напряжения IC
    5 & period; 2V ± 0 & period; 8 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; -MR & запятая; Задержка 800 мс Rt

    PY

    KDZ6 & период; 8VVY

    Korea Electronics
    VSC

    стабилитрон
    6 & период; 65 & период; & период; 6 & период; 93В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 25 & запятая; 100 мВт

    PY

    KTC4376-Y

    Korea Electronics
    SOT-89

    NPN транзистор
    AF-Drv & comma; 35В и запятая; 800 мА и запятая; 500 мВт и запятая; B & равно; 160 & период; & период; 320 & запятая; > 120 МГц

    PY

    P6SMB16C

    Fagor Electronica
    DO-214AA

    Подавитель переходного напряжения
    Vrwm & равно; 16V & comma; Vbr & равно; 15 & период; 2 & период; & период; 16 & период; 8V & запятая; 26 & период; 7A & запятая; 600 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Двунаправленный

    PY

    P6SMBJ210

    PanJIT Semiconductor
    DO-214AA

    Ограничитель переходного напряжения
    Vrwm & равно 210V & comma; Vbr & равно; 231 & period; & period; 296 & period; 1V & comma; 1 & период; 6A & запятая; 600 Вт & lpar; 1 мс & rpar;

    PY

    PT7M7045CHTA

    Pericom Technology
    SOT-23-5

    Детектор напряжения IC
    4 & period; 5V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO

    PY

    PT7M7045CHTAE

    Pericom Technology
    SOT-23-5

    Детектор напряжения IC
    4 & период; 5V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & плюс; Сбросить PPO & запятая; Бессвинцовый

    PY

    R1118K281D

    Ricoh
    DFN1612-4B

    Линейный регулятор напряжения IC
    2 & период; 8В ± 1 & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

    PY

    R1225N332C

    Ricoh
    SOT-23-6W

    DC & sol; DC преобразователь напряжения IC
    PWM понижающий и запятая; 3 & период; 3V ± 2 & percnt; & запятая; 300 кГц

    PY

    TC1186-1 & period; 8VCT713

    Microchip Technology
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; 1 & период; 8V ± 3 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; -Ошибка

    PY

    XC6109N48AN

    Torex Semiconductor
    SSOT-24

    Детектор напряжения IC
    4 & период; 8В ± 2 & запятая; & plus; Сбросить ODO

    PY

    XC6127C52ENR

    Torex Semiconductor
    SSOT-24

    Детектор напряжения IC
    5 & period; 2V ± 0 & period; 8 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; -MR & запятая; Задержка 800 мс Rt

    PY

    XC6218P29N

    Torex Semiconductor
    SSOT-24

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; 2 & период; 9V ± 2 & percnt; & запятая; 200 мА

    PY

    XC6224B291NR

    Torex Semiconductor
    SSOT-24

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; PDR

    PY

    XC6504A381NR-G

    Torex Semiconductor
    SSOT-24

    Линейный регулятор напряжения IC
    LDO & comma; 3 & период; 8V ± 1 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE

    PY-

    BZB84-B30

    Philips
    SOT-23

    Стабилитрон
    Двойной & запятая; 30 В ± 2 & запятая; Если & равно; 200мА & запятая; 300 мВт

    pY1

    BZX84-B33

    NXP Semiconductors
    SOT-23

    стабилитрон
    33V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; Zzt & равно 80 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 250 мВт

    pY2

    BZX84-B36

    NXP Semiconductors
    SOT-23

    стабилитрон
    36V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; Zzt & равно 90 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 250 мВт

    PY6

    SMA6J210

    Sunmate Semiconductor
    DO-214AC

    Ограничитель переходного напряжения
    Vrwm & равно 210V & comma; Vbr & равно; 233 & period; & period; 296 & period; 1V & comma; Ipp & равно; 1 & период; 6A & запятая; 600 Вт & lpar; 1 мс & rpar;

    PYE

    S-1701R1515-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYE

    S-1701R1515-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYF

    S-1701R1815-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYF

    S-1701R1815-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYG

    S-1701R2515-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYG

    S-1701R2515-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYH

    S-1701R2715-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 74V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYH

    S-1701R2715-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 74V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYI

    S-1701R3015-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYI

    S-1701R3015-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYJ

    S-1701R3315-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYJ

    S-1701R3315-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYK

    S-1701R5015-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 5 & ​​период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYK

    S-1701R5015-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 5 & ​​период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYp

    BZB84-B30

    Philips
    SOT-23

    Стабилитрон
    Двойной & запятая; 30 В ± 2 & запятая; Если & равно; 200мА & запятая; 300 мВт

    PYQ

    S-1701S1515-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYQ

    S-1701S1515-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 5V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYR

    S-1701S1815-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYR

    S-1701S1815-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 1 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYS

    S-1701S2515-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYS

    S-1701S2515-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYt

    BZB84-B30

    Philips
    SOT-23

    Стабилитрон
    Двойной & запятая; 30 В ± 2 & запятая; Если & равно; 200мА & запятая; 300 мВт

    PYT

    S-1701S2715-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 74V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYT

    S-1701S2715-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 2 & период; 74V ± 1 & percnt; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYU

    S-1701S3015-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYU

    S-1701S3015-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYV

    S-1701S3315-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYV

    S-1701S3315-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 3 & период; 3V ± 1 & процент; & запятая; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYW

    BZB84-B30

    Philips
    SOT-23

    Стабилитрон
    Двойной & запятая; 30 В ± 2 & запятая; Если & равно; 200мА & запятая; 300 мВт

    PYW

    S-1701S5015-M5T1

    Seiko Instruments
    SOT-23-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 5 & ​​период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    PYW

    S-1701S5015-U5T1

    Seiko Instruments
    SOT-89-5

    Линейный регулятор напряжения с детектором напряжения
    LDO & comma; 5 & ​​период; 0V ± 1 & percnt; & comma; 400 мА и запятая; Вдет & равно; 1 & период; 5В & запятая; -Сбросить ODO

    Начата новаторская работа по декодированию китового языка

    Холодным весенним утром 2008 года Шейн Геро услышал, как пара китов болтает.Геро, канадский биолог, выслеживал кашалотов у карибского островного государства Доминика, когда два самца, младенцы из одной семьи, появились недалеко от его лодки. Животные по прозвищам Дроп и Даблбенд уткнулись носом в свои огромные квадратные головы и заговорили.

    Кашалоты «говорят» щелчками, которые они издают ритмическими сериями, называемыми кодами. В течение трех лет Геро использовал подводные самописцы для записи кодов сотен китов. Но он никогда не слышал ничего подобного.Киты щелкали взад и вперед в течение 40 минут, иногда неподвижно, иногда закручивая свои серебряные тела вместе, как нити веревки, и редко замолкали надолго. Никогда еще Геро так отчаянно не хотел понять, о чем говорят киты. Ему казалось, что он подслушивает братьев, борющихся в своей комнате. «Они разговаривали, играли и были братьями и сестрами», — говорит он. «Было очевидно, что происходило так много всего».

    В течение следующих 13 лет Геро, исследователь National Geographic Explorer, записал и познакомился с сотнями кашалотов.Но он продолжал возвращаться к открытию, которое поразило его, когда он слушал Drop and Doublebend: если бы люди когда-либо расшифровывали язык китов или даже определяли, обладают ли киты тем, что мы действительно могли бы назвать языком, нам нужно было бы соедините свои клики с контекстом. Ключом к разблокировке общения китов является знание того, кто эти животные и что они делают, издавая звуки.

    Морской биолог Шейн Геро познакомился с сотнями кашалотов вокруг Доминики, в том числе из того, что он назвал Семейным отрядом F.Он и команда Project CETI надеются, что сопоставление щелчков китов с поведением поможет раскрыть значение их вокализации.

    Пожалуйста, соблюдайте авторские права. Несанкционированное использование запрещено.

    Одно из самых непреходящих желаний человечества — это завораживающая идея, что однажды мы сможем общаться с другими видами. За годы, прошедшие после того, как Геро пришел к пониманию, и отчасти из-за этого, потенциал преодолеть этот коммуникационный разрыв стал менее фантастическим. В понедельник группа ученых объявила, что они отправились в пятилетнюю одиссею, чтобы развить работу Геро с помощью передового исследовательского проекта, чтобы попытаться расшифровать, что кашалоты говорят друг другу.

    Даже несколько лет назад такая попытка показалась бы безумием. Но эти усилия не будут полагаться только на Геро. В команду входят специалисты в области лингвистики, робототехники, машинного обучения и фотоаппарата. Они будут во многом опираться на достижения в области искусственного интеллекта, который теперь может переводить один человеческий язык на другой без помощи Розеттского камня или ключа. Этот квест, получивший название Project CETI (Инициатива перевода китообразных), вероятно, является крупнейшей попыткой межвидового общения в истории.

    Эти ученые уже работают над созданием специализированных видео- и аудиозаписывающих устройств. Они стремятся поймать миллионы китовых кодов и проанализировать их. Надежда состоит в том, чтобы раскрыть основную архитектуру китовой болтовни: какие единицы составляют китовое общение? Есть ли грамматика, синтаксис или что-то подобное словам и предложениям? Эти эксперты будут отслеживать, как киты ведут себя, когда щелкают или слышат щелчки. И используя прорыв в обработке естественного языка — ветвь искусственного интеллекта, которая помогает Alexa и Siri реагировать на голосовые команды, — исследователи попытаются интерпретировать эту информацию.

    Слушайте кашалотов

    Вокализации кашалотов, одни из самых громких звуков животных на планете, имеют структуру, подобную азбуке Морзе, которая разделяет признаки высокоразвитого языка.

    Настройтесь на Secrets of the Whales , оригинальный сериал Disney + от National Geographic, премьера которого состоится 22 апреля 2021 года, и узнайте о секретной культуре косаток в нашем подкасте Overheard at National Geographic .

    Ничего подобного никогда не предпринималось.Мы обучили собак реагировать на наши команды, а дельфины научились имитировать человеческий свист. Мы научили шимпанзе и горилл использовать язык жестов и бонобо, чтобы отвечать на вопросы, нажимая символы на клавиатуре. Слон в Сеуле по имени Кошик может даже сказать несколько слов по-корейски — правда.

    Но цель не в том, чтобы научить китов понимать людей. Чтобы понять, что кашалоты говорят друг другу, живя в дикой природе.

    «Они звучат как азбука Морзе»

    Проект начался с другого морского биолога и с простого тщеславия: большие успехи часто достигаются, когда сотрудничают ведущие эксперты из разных быстро развивающихся дисциплин.

    Дэвид Грубер также является исследователем National Geographic, но его интересы давно вышли за традиционные рамки. Профессор биологии и экологии из городского университета Нью-Йорка использовал подводные лодки для исследования коралловых рифов. Но он также обнаружил биофлуоресцентную морскую черепаху на Соломоновых островах, обнаружил, что стаи рыб-фонариков используют свой светящийся свет для координации движений, изучил молекулы, которые заставляют кошачьих акул и некоторых угрей светиться, и построил камеру, чтобы имитировать вид одной акулы. мир.Однажды он объединился с робототехником, чтобы разработать изящное устройство с шестью щупальцами, которое позволяет исследователям собирать медуз, не причиняя им вреда.

    Лингвисты утверждают, что даже у самых умных животных, кроме человека, отсутствует система общения, которую можно было бы назвать языком. Но могут ли киты стать исключением?

    В 2017 году, будучи научным сотрудником Института Рэдклиффа Гарвардского университета, ныряльщик Грубер увлекся кашалотами, самыми большими зубастыми китами, после прочтения книги о фридайверах, изучающих их.Однажды, когда он слушал китовую кодировку на своем ноутбуке, мимо прошел другой Рэдклифф, Шафи Гольдвассер.

    «Это действительно интересно — они звучат как азбука Морзе», — вспоминает Грубер высказывание Гольдвассера. Она вела лекции для группы стипендиатов Рэдклиффа по машинному обучению, подполе искусственного интеллекта, которая использует алгоритмы для поиска и прогнозирования закономерностей в данных. Сегодня машинное обучение управляет всем: от поисковых систем до домашних роботов-пылесосов, таких как Roomba, и автономных транспортных средств.Она призвала Грубера поделиться кликами со своей группой Рэдклиффа.

    В эту группу входили необычайно острые компьютерные умы. Гольдвассер — ученый-компьютерщик и один из ведущих мировых экспертов в области криптографии. Майкл Бронштейн, заведующий кафедрой машинного обучения в Имперском колледже Лондона, создал компанию по машинному обучению, которую позже продал Twitter для обнаружения фейковых новостей. Группу заинтриговала презентация Грубера. Может ли машинное обучение помочь людям понять общение животных?

    Грубер увидел возможность.Он провел эклектическую карьеру, пытаясь привлечь внимание людей к магии океанов, сосредоточив внимание на вещах, которые он считал замечательными, таких как кораллы, биофлуоресценция и медузы. Возможно, это был проект, который мог зажечь воображение публики, вдохновив людей упиваться тайнами и чудесами моря. «У меня была идея, что если я смогу заставить людей полюбить медуз, они смогут полюбить что угодно, — говорит Грубер. «Но в китах есть что-то, что действительно пробуждает человеческое любопытство.

    Груберу нужно было поговорить с кем-то, кто разбирался в китах. Поэтому он нашел Геро, основателя проекта «Доминиканский кашалот», который отслеживает динамику семейства китов, и отправил ему электронное письмо. Геро согласился выслушать Грубера.

    Лингвисты утверждают, что даже у самых умных животных, кроме человека, отсутствует система общения, которую можно было бы назвать языком. Но могут ли киты стать исключением? Человеческий язык развился, по крайней мере частично, чтобы опосредовать социальные отношения, и Геро показал, что кашалоты ведут сложную социальную жизнь. (Подробнее о культурах китов.)

    У кашалотов самый большой мозг в животном мире, в шесть раз больше нашего. Они живут в социальных сетях, где доминируют женщины, и обмениваются кодами в виде дуэта стаккато, особенно когда они находятся на поверхности. Они разделяются на кланы, состоящие из сотен или тысяч человек, которые идентифицируют себя с помощью различных кодов кликов. В некотором смысле кланы говорят на разных диалектах. Киты также идентифицируют друг друга по определенным шаблонам щелчков, которые они, кажется, используют как имена.И они изучают свои коды так же, как люди изучают язык, бормоча щелчки в подростковом возрасте, пока не усвоят репертуар своей семьи.

    На протяжении многих лет Геро идентифицировал сотни людей из двух больших кланов у побережья Доминики. Он может узнать многих с первого взгляда по уникальным отметкам на их лабиринтах. Анализируя ДНК из китовых фекалий и образцов кожи, он идентифицировал бабушек, тетушек, братьев и сестер.

    И он вел подробные записи, в том числе тысячи исчерпывающе аннотированных записей щелчков, которые описывали, кто говорил, к какому клану они принадлежали, с кем были и что они делали в то время.

    В 1970 году революционный альбом представил миру «песни» горбатых китов. Спустя десятилетия ученые работают над расшифровкой их и других звуков китов. National Geographic Explorers Натали Синклер, исследователь горбатых китов, и эксперт по кашалотам Шейн Геро обсуждают, как изучение звуков китов меняет то, как мы их понимаем.

    Этого было более чем достаточно для теста. Применяя методы искусственного интеллекта к некоторым звукам Геро, коллеги Грубера по машинному обучению обучили компьютер распознавать отдельных кашалотов по их звукам.Компьютер был прав более 94 процентов времени.

    Взволнованный, Грубер собрал рабочую группу, чтобы развить этот многообещающий результат. Помимо компьютерных коллег Геро и Грубера по Рэдклиффу, есть китовый биолог Роджер Пейн, лауреат премии Макартура, который популяризировал завораживающие песни горбачей в 1960-х и 1970-х годах, помогая разжечь движение «Спасите китов». Роберт Вуд, робототехник из Гарварда, который вместе с Грубером сконструировал манипулятор с медузами, и чья лаборатория построила самосгибающийся оригами и летающий дрон размером с насекомое.И есть Даниэла Рус, еще одна получательница Макартура и директор по информатике и искусственному интеллекту Массачусетского технологического института.

    Они согласились, что впервые у людей могут появиться инструменты, чтобы начать более тщательно понимать, что говорят животные — даже существа, которые живут в основном в темноте и охотятся на кальмаров на тысяче футов ниже поверхности моря.

    Тот факт, что эти животные почти полностью полагаются на акустическую информацию, может даже упростить задачу.В ресторане в нескольких кварталах от Гарвард-Ярда команда набросала планы новой программы Apollo, одна из которых была сосредоточена на переводе речи пришельцев из глубин. В какой-то момент кто-то даже предположил, что их работа, в случае успеха, может обеспечить основу для разговора с внеземной жизнью. «Я все смотрел вокруг, ожидая, пока кто-нибудь рассмеется, и не видел ничего, кроме множества кивков», — говорит Грубер.

    Машинное обучение может стимулировать прорывы

    Это не означает, что шансы в пользу ученых.

    За последние несколько десятилетий мы многое узнали об уникальных способах общения животных. Луговые собачки меняют свои крики в зависимости от того, подходят ли к ним ястребы, койоты или люди. Они даже будут издавать разные звуки, если человек, которого они видят, высокий или низкий, а также одет в белое или красное. Некоторые виды обезьян издают отчетливые звуковые сигналы об опасности. При приближении леопарда они визжат иначе, чем при виде орла.

    Все чаще открытиям в области коммуникации между животными помогает ИИ.С помощью машинного обучения исследователи в 2016 году расшифровали различия в звонках между египетскими летучими мышами, ссорящимися из-за еды, и теми, кто борется за места для отдыха. Крысы и мыши общаются намного дальше человеческого слуха. Преобразуя эти звуки в сонограммы и пропуская изображения через искусственные нейронные сети, в значительной степени вдохновленные схемами человеческого мозга, ученые в 2019 году связали разные звуки с различным поведением, таким как бегство от опасности или попытка привлечь помощника. Исследователи окрестили свой алгоритм DeepSqueak.

    Кашалоты проводят у поверхности всего около 10 минут каждый час, поэтому исследователи создают множество аудио- и видеомагнитофонов, чтобы фиксировать то, что они говорят друг другу, глубоко под поверхностью. Затем искусственный интеллект будет искать закономерности в болтовне.

    Пожалуйста, соблюдайте авторские права. Несанкционированное использование запрещено.

    Эти идеи теперь возможны, потому что прорывы в машинном обучении произошли молниеносно в последнее десятилетие, поскольку алгоритмы становятся более сложными, а вычислительная мощность компьютеров резко возрастает.

    Некоторое компьютерное обучение «контролируется», то есть ученые дают примеры алгоритмов, аннотированные людьми, для их обучения. Например, анализируя тысячи изображений с пометкой «кошки», алгоритмы могут научиться распознавать кошек на других фотографиях.

    Но нейронные сети могут находить закономерности в таких вещах, как язык, без первоначальной помощи со стороны человека. Заполнив сеть миллионами историй из Новостей Google вместе с фразами с пропущенными элементами — «До _ или не быть», эта сеть смогла построить математическую модель языка.Затем эта модель усвоила ассоциации между словами, например, что «Париж» для «Франции», как «Рим» для «Италии». Такие модели теперь являются краеугольным камнем обработки естественного языка и используются, например, для прогнозирования того, будет ли отзыв о ресторане на Yelp отрицательным, или для обнаружения спама в электронной почте.

    Но проблем много. Машинный перевод возможен для людей отчасти потому, что словесные ассоциации в разных языках обычно схожи; «Луна» и «небо»

    относятся друг к другу так же, как французские слова «луна» и «ciel». «Что касается китов, большой вопрос заключается в том, присутствует ли вообще что-либо из этого, — говорит Джейкоб Андреас, эксперт по обработке естественного языка в Массачусетском технологическом институте и член команды Project CETI. «Есть ли в этой коммуникационной системе минимальные единицы, которые ведут себя как язык, и существуют ли правила для их соединения?»

    Чтобы выяснить это, команда планирует использовать множество методов. Например, один из подходов к глубокой сети требует случайных попыток обрисовать в общих чертах систему правил для языка. Затем он проверяет, соответствуют ли «единицы» разговора этим правилам.Если они этого не делают, он вносит изменения и пытается снова. Компьютеры выполняют «этот процесс настройки и проверки правил очень быстро, повторяя его тысячи или миллионы раз, чтобы создать набор правил, которые хорошо справляются с объяснением данных», — говорит Андреас.

    Конечно, прогресс зависит от того, соберут ли исследователи достаточно данных. Машинное обучение требует огромного количества информации, но записей Геро исчисляются только тысячами. Для поиска закономерностей в речи китов, вероятно, потребуются десятки миллионов кодов, а может, и больше.

    Плюс, как и подозревал Геро с помощью Drop и Doublebend, ученые считают, что им необходимо сопоставить общение с поведением. Есть ли какая-то конкретная кодировка, которая появляется перед охотой, или последовательность, которая возникает, когда киты решают спариться?

    «Это проблема коктейльной вечеринки», — говорит Грубер. Разложите несколько микрофонов по вечеринке, и они уловят обрывки разговора. Но наблюдайте за людьми — отслеживая, кто дотрагивается до чьей-то руки, кто просматривает комнату в поисках лучшей компании — «и вся сцена начинает обретать больше смысла», — говорит Грубер.

    Революция в изучении общения животных

    В понедельник команда представила основные шаги, которые она предпринимает в этом направлении. Лидеры CETI установили партнерские отношения с Доминикой, чтобы развернуть больше технологий мониторинга китов в водах страны. CETI также получил статус проекта Ted Audacious Project, который объединил усилия с восемью крупными благотворительными донорами, заинтересованными в реализации смелых идей. Команда также получила финансирование от Национального географического общества.

    Исследователи CETI уже потратили год на разработку огромного набора сложных подводных датчиков с высоким разрешением, которые будут записывать звук 24 часа в сутки на огромной части территории исследования китов Геро. Три из этих систем прослушивания, каждая из которых прикреплена к бую на поверхности, упадут прямо вниз на тысячи футов до дна, с гидрофонами через каждые несколько сотен метров.

    Речь идет о том, чтобы слушать китов в их собственном окружении, на их собственных условиях. Идея заключается в том, что мы хотим знать, что они говорят, и это нам небезразлично.

    ByDavid Gruber Морской биолог, National Geographic Explorer

    Лаборатория исследовательских технологий National Geographic и Вуд, робототехник из Гарварда, который также является National Geographic Explorer, помогли разработать новую версию видеокамеры, которая прикрепляется к китам с помощью присосок. Эта камера, в отличие от предыдущих версий, может выдерживать давление на глубине, где охотятся киты, делать снимки почти в полной темноте и записывать высококачественный звук.

    Rus в Массачусетском технологическом институте работает над дополнительной робототехникой, помогая разрабатывать воздушные, плавучие и подводные дроны, которые могут незаметно записывать звук и видео.Недавно она помогла построить плавательного робота, который путешествует бесшумно, имитируя волнообразные движения хвоста рифовой рыбы.

    «Мы хотим знать как можно больше», — говорит Грубер. «Что делает погода? Кто с кем разговаривает? Что происходит в 10 километрах отсюда. Кит голоден, болен, беременен, спаривается? Но мы хотим быть настолько невидимыми, насколько это возможно ».

    Внешние эксперты говорят, что CETI может революционизировать элементы исследования дикой природы. Джанет Манн, профессор Джорджтаунского университета, десятилетиями изучающая дельфинов в Австралии, считает, что этот проект может стать «новаторским для кашалотов, но также и для изучения других систем общения животных.

    Мишель Фурнет, акустический эколог из Корнельского университета, говорит, что проект направлен на решение ключевой проблемы исследований на животных. Люди, в том числе ученые, склонны видеть человеческие модели в поведении животных. «Мы видим, как горбун машет грудным плавником, и думаем, что он здоровается», — говорит она. Но горбатые обычно просто агрессивны. По словам Фурне, искусственный интеллект может отсеять наши предубеждения и более точно находить смысл в общении и поведении.

    Для исследователей CETI большая часть ценности будет заключаться в самом путешествии к открытиям.Миссия Аполлона отправила людей на Луну, но попутно люди изобрели калькуляторы, липучки и транзисторы, и они помогли запустить цифровую эпоху, которая сделала этот проект возможным. Даже если CETI никогда не взломает код кашалота, исследователи обязательно добьются значительных успехов в машинном обучении, общении с животными и в нашем понимании одного из самых загадочных существ в мире.

    И, спустя годы, если структура вокализации кашалотов станет более ясной, команда может попытаться связаться с китами — не для проведения межвидового диалога, а для того, чтобы увидеть, будут ли киты реагировать предсказуемо.Цель состояла в том, чтобы подтвердить оценку группы общения с кашалотами.

    «Возникает вопрос: что вы собираетесь им сказать? Это упускает суть, — говорит Геро. «Предполагается, что у них есть язык, на котором можно поговорить о нас, лодках, погоде или обо всем, о чем мы могли бы их спросить».

    Грубер соглашается. «Дело не в том, чтобы мы с ними разговаривали», — говорит он. «Речь идет о том, чтобы слушать китов в их собственном окружении, на их собственных условиях. Идея заключается в том, что мы хотим знать, что они говорят, и это нам небезразлично.

    Национальное географическое общество, стремящееся освещать и защищать чудо нашего мира, финансировало исследователей Дэвида Грубера, Шейна Геро и Роберта Вуда. Узнайте больше о поддержке Общества исследователей океана.

    Распиновка smd транзисторов. Маркировка SMD. Руководство для практиков. Удобство такого транзистора заключается не только в его размерах, но и в том, что в большинстве случаев распиновка таких элементов одинаковая

    .

    Здравствуйте друзья и читатели сайта «РАДИОСХЕМИЯ», продолжаем знакомиться с современными вместе с вами.Сегодняшний обзор — это обзор SMD-транзисторов, которые вы, наверное, уже видели в различных современных электронных устройствах.

    SMD-транзисторы

    очень удобны, особенно там, где важен каждый миллиметр платы. Представьте, как изменился бы мобильный телефон (плата которого полностью состоит из SMD-деталей), если бы в нем использовались обычные выводные DIP-детали.

    Выше фото SMD транзистора на нормальном фоне, в ТО 92.

    Это фото различных SMD транзисторов, справа обычный в ТО92.Как правило, распиновка всех таких транзисторов одинакова — это тоже огромный плюс.

    Различные названия пакетов, DIP и SMD. Фото можно увеличивать.

    Вы можете увидеть, как делаются планарные транзисторы ниже.

    Планарные транзисторы, как и обычные транзисторы, бывают разных типов: композитные (Дарлингтона), полевые, биполярные и IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором).

    Обратите внимание, что на платах и ​​схемах транзисторы отмечены буквами «Q» и «VT» (так и должно быть, хотя некоторые производители этим пренебрегают), зачем я это пишу? Часто в один и тот же корпус производитель может впихнуть все, что ему заблагорассудится — от диода до линейного регулятора напряжения (78хх), даже различных датчиков.Также есть внутренняя маркировка завода, например, запчасти от Epcos. Очень сложно найти даташит на такие подробности, а иногда его вообще нет в Интернете.

    Пайка

    Паять такие транзисторы несложно, тем более что ускоряет и облегчает процесс пайки различных SMD-деталей — микроскопа, пинцета (просто незаменимых вещей), различных флюсов и паяльных жиров с BGA-пастой. Сначала переделываем контактные площадки нашего транзистора и платы (не перегреваем).

    Потом позиционируем наш транзистор, я пинцетом.

    Паяем любую из ножек. Отпустите пинцет и расположите детали как можно более равномерно, так сказать, для великолепного вида 🙂

    Спаиваем оставшиеся «ножки» радиоэлемента.

    И вот наш транзистор надежно и хорошо припаян к плате. В следующих статьях я напишу обо всем этом более подробно (флюсы, пинцет, пайка и т. Д.).). А по поводу обозначений и разъемов разных типов транзисторов — на форуме есть несколько очень полезных ссылок. В статье был написан BIOS .

    Обсудить статью SMD ТРАНЗИСТОРЫ

    Сегодня мы поговорим о
    SMD компонентах , появившийся благодаря прогрессу в области электроники и мы немного коснемся такого радиоэлемента, как . .
    «Устройство для поверхностного монтажа» или SMD , переведенное как «устройства для поверхностного монтажа», т.е.е. типа радиодеталей, которые припаяны со стороны дорожек и контактных площадок прямо к плате.

    В современной электронике сложно найти схему, в которой не применяются
    smd компоненты … По параметрам большинство smd деталей ничем не отличаются от обычных, кроме размеров и веса. Благодаря его компактности стало возможным создание сложных электронных устройств небольших размеров, например, сотового телефона.

    Удобство такого транзистора заключается не только в его размерах, но и в том, что в большинстве случаев цоколевка таких элементов одинакова.

    Конструкция этих планарных транзисторов показана ниже.

    Как и обычные транзисторы, планарные транзисторы также бывают разных типов: полевые, составные (Дарлингтона), IGBT (биполярные, с изолированным затвором), биполярные.
    1. Введение
    2. Корпуса для компонентов SMD
    3. Размеры SMD компонентов
      • SMD резисторов
      • Конденсаторы SMD
      • Катушки и дроссели SMD
    4. SMD транзисторы
    5. Маркировка компонентов SMD
    6. Пайка SMD компонентов

    Введение

    Современным радиолюбителям теперь доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темные, на которых невозможно понять, что написано, детали.Их называют «SMD». В переводе с русского это означает «компоненты для поверхностного монтажа». Их главное преимущество состоит в том, что они позволяют промышленности собирать печатные платы с помощью роботов, которые с большой скоростью размещают компоненты SMD на своих местах на печатных платах, а затем массово «запекают» и производят собранные печатные платы. Человеку остаются те операции, которые робот выполнить не может. Пока не может.

    Использование микросхем в радиолюбительской практике также возможно, даже необходимо, так как позволяет снизить вес, габариты и стоимость готового изделия.Более того, сверлить практически не нужно.

    Для тех, кто плохо знаком с SMD-компонентами, путаница естественна. Как понять их разнообразие: где резистор, а где конденсатор или транзистор, какие они размеры, какие там smd детали? Ниже вы найдете ответы на все эти вопросы. Прочтите, пригодится!

    Корпуса для микросхем

    Условно все компоненты поверхностного монтажа можно разделить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

    выводы / размер Очень-очень маленький Очень маленький Малый Среднее значение
    2 выхода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2 *, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
    3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) СОТ23 СОТ89, ДПАК (ТО-252), Д2ПАК (ТО-263), Д3ПАК (ТО-268)
    4-5 контактов WLCSP4 *, SOT1194, WLCSP5 *, SOT665 СОТ353 СОТ143Б, СОТ753 СОТ223, МОЩНОСТЬ-SO8
    6-8 контактов СОТ1202, СОТ891, СОТ886, СОТ666, WLCSP6 * SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) СОТ457, СОТ505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
    > 8 контактов WLCSP9 *, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16 *, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24 * SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

    Конечно, не все случаи перечислены в таблице, поскольку реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы по стандартизации успевают за ними.

    Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если нет выводов, значит на корпусе есть контактные площадки или маленькие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от производителя детали могут отличаться маркировкой и габаритами. Например, конденсаторы могут иметь разную высоту.

    Большинство корпусов SMD-компонентов спроектировано для монтажа с использованием специального оборудования, которого у радиолюбителей нет и вряд ли когда-либо будет. Это связано с технологией пайки таких компонентов.Конечно, при определенной настойчивости и фанатизме можно паять и в домашних условиях.

    Типы корпусов SMD по названию

    Корпус
    Имя Расшифровка количество выводов
    СОТ малый контур транзистора 3
    SOD малый контурный диод 2
    SOIC малый контур интегральная схема> 4, в две строки по бокам
    TSOP тонкий контурный корпус (тонкий SOIC)> 4, в две строки по бокам
    SSOP сидячий SOIC> 4, в две строки по бокам
    ЦСОП узкое сиденье SOIC> 4, в две строки по бокам
    QSOP Размер четверти SOIC> 4, в две строки по бокам
    VSOP QSOP еще меньшего размера> 4, в две строки по бокам
    PLCC ИМС в пластиковом корпусе с загнутыми под корпус выводами в виде буквы J > 4, в четыре строки по бокам
    CLCC ИМС в керамическом корпусе с загнутыми под корпус выводами в виде буквы J > 4, в четыре строки по бокам
    QFP квадратный плоский корпус> 4, в четыре строки по бокам
    LQFP низкопрофильный QFP> 4, в четыре строки по бокам
    PQFP пластик QFP> 4, в четыре строки по бокам
    CQFP керамический QFP> 4, в четыре строки по бокам
    TQFP тоньше QFP> 4, в четыре строки по бокам
    PQFN силовой QFP без выводов с площадкой для радиатора> 4, в четыре строки по бокам
    BGA Шаровая сетка.Массив шариков вместо булавок штыревой массив
    LFBGA низкопрофильный FBGA штыревой массив
    CGA с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя штыревой массив
    CCGA CGA в керамическом корпусе штыревой массив
    мкBGA микро bga штыревой массив
    FCBGA Шаровая сетка Flip-chip.Массив шаров на подложке, к которой припаян кристалл с радиатором штыревой массив
    ТОО безвыводной кейс

    Из всего этого зоопарка могут поместиться компоненты микросхем для любительского использования: микросхемы резисторов, конденсаторы микросхем, индукторы микросхем, микросхемы диодов и транзисторов, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в корпусах SOIC. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелепипеды или небольшие бочки. Бочки электролитические, а параллелепипеды, вероятно, будут танталовыми или керамическими конденсаторами.


    Размеры SMD компонентов

    Компоненты микросхемы одного номинала могут иметь разные размеры. Размеры SMD-компонента определяются его «стандартным размером». Например, чип-резисторы доступны в размерах от «0201» до «2512». Эти четыре цифры обозначают ширину и длину чип-резистора в дюймах. В таблицах ниже вы можете увидеть стандартные размеры в миллиметрах.

    Резисторы smd

    Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
    Стандартный размер L, мм (дюйм) Вт, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
    0201 0.6 (0,02) 0,3 (0,01) 0,23 (0,01) 0,13 1/20
    0402 1,0 (0,04) 0,5 (0,01) 0,35 (0,014) 0,25 1/16
    0603 1,6 (0,06) 0,8 (0,03) 0,45 (0,018) 0,3 1/10
    0805 2,0 (0,08) 1,2 (0,05) 0.4 (0,018) 0,4 1/8
    1206 3,2 (0,12) 1,6 (0,06) 0,5 (0,022) 0,5 1/4
    1210 5,0 (0,12) 2,5 (0,10) 0,55 (0,022) 0,5 1/2
    1218 5,0 (0,12) 2,5 (0,18) 0,55 (0,022) 0,5 1
    2010 г. 5.0 (0,20) 2,5 (0,10) 0,55 (0,024) 0,5 3/4
    2512 6,35 (0,25) 3,2 (0,12) 0,55 (0,024) 0,5 1
    Цилиндрические чип-резисторы и диоды
    Стандартный размер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
    0102 1,1 (0,01) 2.2 (0,02) 1/4
    0204 1,4 (0,02) 3,6 (0,04) 1/2
    0207 2,2 (0,02) 5,8 (0,07) 1

    smd конденсаторы

    Конденсаторы с керамической микросхемой

    имеют такой же размер, что и резисторы, но танталовые конденсаторы имеют свою собственную систему размеров:

    Конденсаторы танталовые
    Стандартный размер L, мм (дюйм) Вт, мм (дюйм) T, мм (дюйм) B, мм A, мм
    А 3.2 (0,126) 1,6 (0,063) 1,6 (0,063) 1,2 0,8
    В 3,5 (0,138) 2,8 (0,110) 1,9 (0,075) 2,2 0,8
    С 6,0 (0,236) 3,2 (0,126) 2,5 (0,098) 2,2 1,3
    Д 7,3 (0,287) 4,3 (0,170) 2.8 (0,110) 2,4 1,3
    E 7,3 (0,287) 4,3 (0,170) 4,0 (0,158) 2,4 1,2

    smd индукторы и дроссели

    Катушки индуктивности используются во многих типах корпусов, но корпуса по-прежнему подчиняются тому же закону о размерах. Это облегчает автоматическую установку. Да и нам, радиолюбителям, легче ориентироваться.

    Все катушки, дроссели и трансформаторы называются «катушечными изделиями».Обычно наматываем их сами, но иногда можно купить уже готовые изделия. Более того, если требуются варианты SMD, которые доступны с множеством плюсов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

    Нужную катушку лучше подбирать по каталогам и требуемого типоразмера. Размеры, как и у микросхем резисторов, устанавливаются с помощью четырехзначного кода (0805).В этом случае «08» обозначает длину, а «05» — ширину в дюймах. Фактический размер такого SMD-компонента будет 0,08×0,05 дюйма.

    smd диоды и стабилитроны

    Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелепипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего представлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Их типоразмеры устанавливаются так же, как для катушек, резисторов, конденсаторов.

    Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
    Тип оболочки L * (мм) D * (мм) F * (мм) S * (мм) Примечание
    DO-213AA (SOD80) 3.5 1,65 048 0,03 JEDEC
    DO-213AB (MELF) 5,0 2,52 0,48 0,03 JEDEC
    DO-213AC 3,45 1,4 0,42 JEDEC
    ERD03LL 1,6 1,0 0,2 0,05 PANASONIC
    ER021L 2.0 1,25 0,3 0,07 PANASONIC
    ERSM 5,9 2,2 0,6 0,15 PANASONIC, ГОСТ Р1-11
    MELF 5,0 2,5 0,5 0,1 ЦЕНТС
    SOD80 (miniMELF) 3,5 1,6 0,3 0,075 ФИЛИПС
    SOD80C 3.6 1,52 0,3 0,075 ФИЛИПС
    SOD87 3,5 2,05 0,3 0,075 ФИЛИПС

    smd транзисторы

    Также доступны транзисторы

    для поверхностного монтажа малой, средней и высокой мощности. У них также есть подходящие корпуса. Корпуса транзисторов условно можно разделить на две группы: СОТ, ДПАК.

    Обращаю ваше внимание на то, что такие пакеты могут также содержать сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы.Например, диодные сборки.

    Маркировка компонентов SMD

    Иногда мне кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, похожую на историю или археологию, так как для того, чтобы выяснить, какой компонент установлен на плате, иногда приходится проводить целый анализ всего окружающие его элементы. В связи с этим советские выходные компоненты, на которых были написаны купюру и макет в тексте, были просто мечтой дилетанта, так как не нужно было мутить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

    Причина кроется в автоматизации процесса сборки. Компоненты SMD устанавливаются роботами, в которые устанавливаются специальные катушки (аналогичные когда-то катушкам с магнитной лентой), в которых размещаются компоненты микросхемы. Роботу все равно, что в бабине и есть ли на деталях маркировка. Человеку нужна маркировка.

    Компоненты микросхемы пайки

    В домашних условиях компоненты микросхемы можно припаять только до определенного размера, стандартный размер 0805 считается более-менее удобным для ручной сборки.Компоненты меньшего размера припаиваются с помощью печки. При этом для качественной пайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

    Skylake (клиент) — Микроархитектуры — Intel

    MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3855U 27 декабря 2015 г. $ 107,00

    € 96,30
    £ 86,67
    ¥ 11,056,31

    Celeron Skylake18 2 Skylake18 2 2 MiB

    2048 KiB
    2,097,152 B
    0.00195 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л. TiB

    HD Graphics 510 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    900 МГц

    0,9 ГГц
    900 000 кГц

    ✘6 9018 9018 ✘
    3955U 27 декабря 2015 $ 107.00

    96,30 €
    £ 86,67
    ¥ 11,056,31

    Celeron Skylake U 2 2 0,5 MiB

    512 KiB
    524288 B
    4.8828 Ki12e-4 2,048 MiB

    3


    2,097,152 B
    0,00195 ГиБ

    15 Вт

    15,000 мВт
    0,0201 л. 34 359 738 368 В
    0.0313 TiB

    HD Графика 510 300 МГц

    0,3 ГГц
    300000 кГц

    900 МГц

    0,9 ГГц

    0 кГц


    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G3900 19 октября 2015 г. 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    2 MiB

    2048 KiB
    2,097,152 B
    0,00195 GiB

    51 W

    51000 мВт
    0,0684 л.с.
    0,051 кВт

    3

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    64 ГБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510.35 ГГц
    350,000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950,000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G3900E 2 января 2016 г. $ 107,00

    96,30 €
    £ 86,67
    11,056,31 иен

    Celeron Skylake H 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    2 MiB

    2,048 KiB
    2,097,152 B
    0,00195 GiB

    35 W

    35,000 мВт
    0,0469 л.с.

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510 35035 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6
    G3900T 19 октября 2015 г. Celeron Skylake S 2 2 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    2,048 2 048

    2,048 MiB В
    0.00195 ГиБ

    35 Вт

    35000 мВт
    0,0469 л. TiB

    HD Графика 510 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018 9018 ✘
    G3900TE 19 октября 2015 $ 42.00

    37,80 €
    £ 34,02
    ¥ 4339,86

    Celeron Skylake S 2 2 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.8828 Ki12e-4 2,018 MiB

    3


    2,097,152 B
    0,00195 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л. 68 719 476 736 B
    0.0625 TiB

    HD Графика 510 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018
    G3902E 2 января 2016 г. 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    2 MiB

    2,048 KiB
    2,097,152 B
    0,00195 GiB

    25 W

    25,000 мВт
    0,0335 Гц
    0,025 кВт

    3 9018

    1600 МГц
    1600000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510 350.35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6
    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 90186 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 90186 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 90186 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 90185 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    МиБ

    МиБ

    МиБ
    0.00293 ГиБ

    9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    G3920 19 октября 2015 52,00 $

    46,80 €
    42,12 £
    ¥ 5,373,16

    Celeron Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    2 MiB

    2048 KiB
    2,097,152 B
    0,00195 GiB

    51 W

    51,000 мВт
    0,0684 л.с.

    0 0,051 кВт

    3

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    64 ГБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510.35 ГГц
    350,000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950,000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6006U 10 ноября 2016 281,00 $

    252,90 €
    227,61 £
    29 035,73 иен

    Core i3 Skylake U 2 4 4 45 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    15 W

    15 000 мВт
    0,0201 л.с.

    2,000 МГц
    2,000,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Графика 520 300.3 ГГц
    300 000 кГц

    900 МГц

    0,9 ГГц
    900 000 кГц

    i3-6098P 27 декабря 2015 г. 117,00 $

    105,30 €
    94,77 £
    12 089,61 иен

    Core i3 Skylake S 2 4 2 45 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    54 Вт

    54000 мВт
    0,0724 л.с.

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 ТиБ

    HD Графика 510.35 ГГц
    350,000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6100 27 сентября 2015 г. $ 117,00

    105,30 €
    £ 94,77
    ¥ 12,089,61

    Core i3 Skylake S 2 45 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    51 W

    51,000 mW
    0,0684 л.с.

    3,700 МГц
    3,700,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 ТиБ

    HD Графика 530.35 ГГц
    350,000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6100E 12 октября 2015 $ 225,00

    202,50 €
    £ 182,25
    ¥ 23,249,25

    Core i3 Skylake H 2 4 2 45 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35 000 mW
    0,0469 л.с.

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530.35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6100H 27 сентября 2015 г. $ 225,00

    202,50 €
    £ 182,25
    ¥ 23,249,25

    Core i3 Skylake H 2 4 2 45 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35 000 mW
    0,0469 л.с.

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530.35 ГГц
    350 000 кГц

    900 МГц

    0,9 ГГц
    900 000 кГц

    i3-6100T 27 сентября 2015 г. $ 117,00

    105,30 €
    £ 94,77
    ¥ 12 089,61

    Core i3 Skylake S 2 4 2 45 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35,000 mW
    0,0469 л.с.

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 ТиБ

    HD Графика 530.35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6100TE 12 октября 2015 г. 117,00 $

    105,30 €
    94,77 долл. США
    ¥ 12,089,61

    Core i3 Skylake S 2 45 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    4 MiB

    4096 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 GiB

    35 W

    35,000 mW
    0,0469 л.с.

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530.35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    i3-6100U 27 сентября 2015 г. 281,00 $

    252,90 €
    227,61 £
    29 035,73 ¥

    Core i3 Skylake U 2 4 4 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    15 W

    15 000 мВт
    0,0201 л.с.

    2300 МГц
    2300000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Графика 520 300.3 ГГц
    300000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    i3-6102E 12 октября 2015 $ 225,00

    € 202,50
    £ 182,25
    ¥ 23 249,25

    Core i3 Skylake H 2 4 3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    25 W

    25,000 мВт
    0,0335 л.с.

    1900 МГц
    1

    0 кГц


    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 ТиБ

    HD Графика 530.35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6120T Core i3 Skylake S 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524,288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    3,072
    35 Вт

    35000 мВт
    0,0469 л. МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018
    i3-6157U июнь 2016 304 $.00

    273,60 евро
    246,24 евро
    31412,32 иен

    Core i3 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 9018

    9018

    9018 972 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 ГиБ

    28 Вт

    28000 мВт
    0,0375 л.с.
    0,028 кВт

    2,4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    92,723


    34 359 738 368 B
    0.0313 TiB

    Iris Graphics 550 300 МГц

    0,3 ГГц
    300000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i3-6167U 27 сентября 2015 304,00 $

    273,60 €
    246,24 £
    31412 ¥.32

    Core i3 Skylake U 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    3 МиБ

    3,129 9000 КБ

    28 Вт

    28000 мВт
    0,0375 л.0313 TiB

    Iris Graphics 550 300 МГц

    0,3 ГГц
    300000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i3-6300 27 сентября 2015 $ 147,00

    € 132,30
    £ 119,07
    ¥ 15,189.51

    Core i3 Skylake S 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096

    4 МиБ

    4,096 9000 КБ

    51 Вт

    51000 мВт
    0,0684 л.с.
    0,051 кВт

    3,8 ГГц

    3,800 МГц
    3,800,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB 900,476 67,108 900 B0625 TiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    i3-6300T 27 сентября 2015 $ 147,00

    € 132,30
    £ 119,07
    ¥ 15,189.51

    Core i3 Skylake S 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096

    4 МиБ

    4,096 9000 КБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л.с.
    0,035 кВт

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB
    ,476
    ,48,8360625 TiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    i3-6320 27 сентября 2015 $ 157,00

    € 141,30
    127,17 £
    16 222 иены.81

    Core i3 Skylake S 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096

    4 МиБ

    4,096 9000 КБ

    51 Вт

    51000 мВт
    0,0684 л.с.
    0,051 кВт

    3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB 900,476 67,108 900 B0625 TiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    i3-6320T Core i3 Skylake S 2 4 4 MiB

    4096 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 GiB

    35 W

    35 000 mW
    0,0469 л.с.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950.95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145 0.00293 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.

    32,768 MiB
    33,554,432 KiB
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Graphics 510 300 МГц

    0,3 ГГц
    300,000 кГц

    1,000 МГц

    1 ГГц
    1,000,0005

    9018

    1 ГГц
    1,000,0005 9018

    9006

    MiB KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 2015 9006

    MiB KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    9018 9018 9018 9018 9018 2015 9006

    MiB KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    9000 9,765625e-4,1006 900 MiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    i5-6200U 27 сентября 2015 г. 28186 $00

    252,90 евро
    227,61 евро
    29 035,73 иен

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 9,018 4 ГБ KiB
    3,145,728 B
    0,00293 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2,3 ГГц

    2,300 МГц
    2,300,000 кГц

    2,8 ГГц
    2,800185 кГц
    2,800185
    5 3

    2,800185 2.7 ГГц

    2700 МГц
    2700000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Графика 520 300 Гц МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 i3 2015 304 $.00

    273,60 евро
    246,24 евро
    31412,32 иен

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4

    15 Вт

    15,000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    1,8 ГГц

    1,800 МГц
    1,800,000 кГц

    2,9 ГГц
    кГц

    2,

    0

    5 2,9 ГГц 3
    2.7 ГГц

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 540 Гц 300 Гц МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    304 $.00

    273,60 евро
    246,24 евро
    31412,32 иен

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4

    28 Вт

    28,000 мВт
    0,0375 л.с.
    0,028 кВт

    2,9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    ,3 ГГц 3.1 ГГц

    3100 МГц
    3
    кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 550 300 Гц МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    304 $.00

    273,60 €
    £ 246,24
    ¥ 31,412,32

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4

    28 Вт

    28,000 мВт
    0,0375 л.с.
    0,028 кВт

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    3,5 ГГц
    5 3,5 ГГц

    00 3,500 3500 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 550 300 Гц МГц

    1,1 ГГц
    1,100,000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9 сентября 2015 250 $.00

    225,00 €
    202,50 €
    ¥ 25,832,50

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,1

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3 ГГц

    3000 МГц
    3000000 кГц

    2.9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB
    67,108,864 KiB
    68,719,4760006 B
    0,0625 9185 9305 9185 HD185 Графика HD185 0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    67
    i5-6300U 27 сентября 2015 г. 281 доллар.00

    € 252,90
    £ 227,61
    ¥ 29 035,73

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 9,018 4 ГБ KiB
    3,145,728 B
    0,00293 ГиБ

    15 Вт

    15,000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2,4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    3 ГГц

    3,000 кГц 2.9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Графика 520 300 Гц МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 9 января 2016 306 долларов США.00

    € 275,40
    £ 247,86
    ¥ 31,618,98

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9,765,1256 918 6000 6000 GiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2,3 ГГц

    2300 МГц
    2,300,000 кГц

    3,2 ГГц
    3,200000

    3,200000

    3,200000

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    900 МГц

    0,9 ГГц
    900 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 ✔
    i5-6360U 27 сентября 2015 г.32

    Core i5 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    4 MiB

    4,096,139 BTC

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2 ГГц

    2000 МГц
    2000000 кГц

    3,1 ГГц

    3100 МГц
    3
    кГц

    2.9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 540 Гц 300 ГГц МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 2015 187 $.00

    € 168,30
    £ 151,47
    ¥ 19322,71

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.7656256 918 6B 9185 9185 MiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    65 Вт

    65000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    2,7 ГГц

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    3,3 ГГц
    5 3,300000 кГц

    ,300000 МГц 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    18 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i5-6400T 27 сентября 2015 $ 182.00

    163,80 €
    £ 147,42
    ¥ 18,806,06

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 6 ГБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л. 2.7 ГГц

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    2,6 ГГц

    2,600 МГц
    2,600,000 кГц

    2,5 ГГц

    2,500 МГц
    2,500,000 кГц

    64 GiB

    671023 MiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    18 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i5-6402P 27 декабря 2015 $ 187.00

    € 168,30
    £ 151,47
    ¥ 19322,71

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.7656256 918 6 MiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    65 Вт

    65,000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    3,4 ГГц 3 3,40023

    3,400000 МГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    HD Графика 510 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔
    i5-6440EQ 12 октября 2015 250,00 $

    225,00 €
    202,50 £
    25832 иен.50

    Core i5 Skylake H 4 4 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    6 МиБ

    6,144

    КиБ
    45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2,7 ГГц

    2700 МГц
    2700000 кГц

    3,4 ГГц

    3400 МГц
    3400000 кГц

    3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    ✔ 9000 9,765625e-4,1006 900 MiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    9000 9,765625e-4,1006 900 MiB KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    9018
    i5-6440HQ 27 октября 2015 250 $.00

    225,00 €
    202,50 €
    ¥ 25,832,50

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,1

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    0,05
    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018
    i5-6442EQ 12 октября 2015 $ 250.00

    225,00 €
    202,50 €
    ¥ 25,832,50

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,1

    25 Вт

    25,000 мВт
    0,0335 л. 2.6 ГГц

    2,600 МГц
    2,600,000 кГц

    2,5 ГГц

    2,500 МГц
    2,500,000 кГц

    2,4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536,823BiB19

    67,536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 ✔
    i5-6500 27 сентября 2015 $ 202.00

    181,80 евро
    £ 163,62
    ¥ 20,872,66

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4

    5

    5 9185 MiB 6B KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    65 Вт

    65,000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,6 ГГц
    3,60023 3

    3,6 ГГц
    3

    3,6006 3.5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i5-6500T 27 сентября 2015 $ 192.00

    172,80 евро
    155,52 фунтов стерлингов
    ¥ 19839,36

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 Mi18 KiB
    62

    B
    0,00586 ГиБ

    35 Вт

    35000 мВт
    0,0469 л.с.
    0,035 кВт

    2,5 ГГц

    2,500 МГц
    2,500,000 кГц

    3,1 ГГц
    3,
    кГц
    3,
    кГц
    3,
    3 ГГц

    3000 МГц
    3000000 кГц

    2.9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB
    67,108,864 KiB
    68,719,4760006 B
    0,0625 9185 9305 9185 HD185 Графика HD185 0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100 000 кГц

    9018 ✔
    i5-6500TE 19 октября 2015 г. 192 долл. США.00

    172,80 евро
    155,52 фунтов стерлингов
    ¥ 19839,36

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 Mi18 KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    35 Вт

    35000 мВт
    0,0469 л.с.
    0,035 кВт

    2,3 ГГц

    2,300 МГц
    2,300,000 кГц

    3,3 ГГц
    3 300185 3,300000 кГц
    3
    5 3.2 ГГц

    3 200 МГц
    3 200 000 кГц

    3,1 ГГц

    3100 МГц
    3100 000 кГц

    3 ГГц

    3000 МГц
    3 000 000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    ✔ 9018 9018 902
    9018
    i5-6585R 22 апреля 2016 $ 255.00

    229,50 €
    206,55
    ¥ 26349,15

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,19 6 ГБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    65 Вт

    65,000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    3,6 ГГц 3 3,6006 900 3

    3,6 ГГц 64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100 000 кГц

    i5-6600 27 сентября 2015 $ 224,00

    € 201,60
    £ 181,44
    ¥ 23145.92

    Core i5 Skylake S 4 4 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    6 МиБ

    6,144

    КиБ
    65 Вт

    65000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    8 ГГц

    3,800 МГц
    3,800,000 кГц

    3,7 ГГц

    3,700 МГц
    3,700,000 кГц

    3,6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    64 ГиБ 68,723,4536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1150 000 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018
    i5-6600K 27 сентября 2015 $ 243.00

    218,70 €
    £ 196,83
    ¥ 25,109,19

    Core i5 Skylake S 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,19 6 ГБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    91 Вт

    91,000 мВт
    0,122 л. 3.8 ГГц

    3,800 МГц
    3,800,000 кГц

    3,7 ГГц

    3,700 МГц
    3,700,000 кГц

    3,6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    0,05
    67 ГиБ 68,723,4536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    18 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i5-6600T 27 сентября 2015 $ 213.00

    191,70 €
    £ 172,53
    ¥ 22 009,29

    Core i5 Skylake S 4 4 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,16 ГиБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л. 3.4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    0,05
    64 ГиБ 68,723,4536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100 000 кГц

    18 ✔
    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 2015 год 9018 9018 9018 2016 9018 9018 9018 2015 9018 9018 9018 9018 9018
    i5-6685R 22 апреля 2016 $ 288.00

    € 259,20
    £ 233,28
    ¥ 29,759,04

    Core i5 Skylake H 4 4 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,16 ГиБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    65 Вт

    65,000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,800 900

    3,800

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    902
    i7-6498DU 27 сентября 2015 г. 393,00 $

    € 353,70
    318,603 £
    ¥ 40.69

    Core i7 Skylake U 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4096,139 9000 КиБ
    4 MiB

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л. 33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0.0313 TiB

    HD Graphics 510 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018
    i7-6500U 27 сентября 2015 393,00 $

    353,70 €
    318,33 £
    ¥ 40,608.69

    Core i7 Skylake U 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096,139 КиБ
    4,096,194

    4,096,139 КиБ
    4 MiB

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0.0313 TiB

    HD Graphics 520 300 МГц

    0,3 ГГц
    300000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018 ✔
    i7-6560U 27 сентября 2015 г. Core i7 Skylake U 25 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    4 MiB

    4096 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 GiB

    15 W

    15 000 мВт
    0,0201 л.с.

    2200 МГц
    2200000 кГц

    3,2 ГГц

    3200 МГц
    3 200 000 кГц

    3,1 ГГц

    3100 МГц
    3 100 000 кГц

    92,5998 32,354,423,7B 3,723 32598 92,5998 32 ГиБ 332 13 TiB

    Iris Graphics 540 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    i7-6567U 27 сентября 2015 г. Core i7 Skylake U 25 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    4 MiB

    4096 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 GiB

    28 W

    3,3 Гц mW
    0,0375 л.с.

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    32,76823B

    .0313 TiB

    Iris Graphics 550 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    1100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100 000 кГц

    9018 ✔ 9018 ✔
    i7-6600U 27 сентября 2015 393,00 долл.

    353,70 евро
    318,33 долл. США
    40 608 иен.69

    Core i7 Skylake U 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096,139 КиБ
    4,096,194 9004 900 КиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2,6 ГГц

    2600 МГц
    2,600,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3.2 ГГц

    3200 МГц
    3200000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    HD Графика 520 300 Гц МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    415 долларов США.00

    € 373,50
    £ 336,15
    ¥ 42,881,95

    Core i7 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 0180005 4,018 9000 4,018 9000 4,018 9000 4,018 MiB

    3 9000 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2,2 ГГц

    2,200 МГц
    2,200,000 кГц

    3,4 ГГц
    3,400185

    3,4000005

    3,4000005 3.2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 540 Гц 300 ГГц МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    415 долларов США.00

    373,50 €
    £ 336,15
    ¥ 42,881,95

    Core i7 Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 0180005 4,018 9000 4,018 9000 4,018 9000 4,096 MiB

    3

    KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    2,4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    3,4 ГГц
    3,400185

    3,4000005

    3,4000005 3.4 ГГц

    3400 МГц
    3400000 кГц

    32 ГиБ

    32,768 МиБ
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0,0313 TiB

    Iris Graphics 540000 МГц 300 ГГц МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    312 долл. США.00

    280,80 евро
    £ 252,72
    ¥ 32,238,96

    Core i7 Skylake S 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9,7656256 9185 80005 9185 9185 MiB KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    65 Вт

    65,000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    4 ГГц

    4,0004,0005 3.9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    3,8 ГГц

    3,800 МГц
    3,800,000 кГц

    3,7 ГГц

    3700 МГц
    3,700,000 кГц

    64 ГиБ 68,723,536 MiB 3,536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i7-6700HQ 27 сентября 2015 $ 378.00

    340,20 €
    £ 306,18
    ¥ 39,058,74

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,16 МиБ KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 ✔ 902
    i7-6700K 27 сентября 2015 $ 350.00

    315,00 €
    £ 283,50
    ¥ 36,165,50

    Core i7 Skylake S 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4,180 MiB
    KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    91 Вт

    91,000 мВт
    0,122 л. 4 ГГц

    4000 МГц
    4000000 кГц

    4 ГГц

    4000 МГц
    4000000 кГц

    4 ГГц

    4000 МГц
    4000000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 68,823,776 900,25 TiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    i7-6700T 27 сентября 2015 303,00 $

    272,70 €
    245,43 £
    31 308 ¥.99

    Core i7 Skylake S 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8,388

    КиБ 35 Вт

    35000 мВт
    0,0469 л.с.
    0,035 кВт

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    3,6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    3.5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350,000 кГц

    1,100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100,000 кГц

    18 ✔ 9018 ✔
    i7-6700TE 19 октября 2015 303 долл. США.00

    272,70 евро
    245,43 фунтов стерлингов
    31308,99 иен

    Core i7 Skylake S 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 МиБ KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л. 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    6
    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    i7-6770HQ 2 января 2016 434 долл. США.00

    € 390,60
    £ 351,54
    ¥ 44,845,22

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9,7656256 918 6Байт 6Б KiB
    6,291,456 B
    0,00586 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    i7-6785R 22 апреля 2016 370,00 $

    333,00 €
    299,70
    ¥ 38,232.10

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8,192 9,6081 900 ГиБ

    65 Вт

    65000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    MiB 67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    i7-6820EQ 12 октября 2015 г. 378,00 $

    € 340,20
    £ 306,18
    ¥ 39,058.74

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8,192 9,6081 900 ГБ

    45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2,8 ГГц

    2,800 МГц
    2,800,000 кГц

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3.4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    0,05
    64 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    6
    i7-6820HK 27 сентября 2015 $ 378.00

    340,20 €
    £ 306,18
    ¥ 39,058,74

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 МиБ KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    0,05
    64 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 ✔ 902
    i7-6820HQ 27 октября 2015 $ 378.00

    340,20 €
    £ 306,18
    ¥ 39,058,74

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 МиБ KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    67 ГиБ 68,723,6536 MiB

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i7-6822EQ 12 октября 2015 $ 378.00

    340,20 €
    £ 306,18
    ¥ 39,058,74

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4,190 МиБ KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    25 Вт

    25000 мВт
    0,0335 л.с.
    0,025 кВт

    2 ГГц

    2,000 МГц
    2,000,000 кГц

    2,8 ГГц
    2,800185 кГц
    2,800185 кГц 3 2,800185 кГц 2.7 ГГц

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    2,6 ГГц

    2,600 МГц
    2,600,000 кГц

    2,55 ГГц

    2,550 МГц
    2,550,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 MiB 900,723

    HD Graphics 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    6
    9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 9018 9018 9018
    i7-6870HQ 2 января 2016 434 долл. США.00

    € 390,60
    £ 351,54
    ¥ 44,845,22

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9,7656256 9185 9185 9185 9185 MiB KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    i7-6920HQ 27 октября 2015 г. 568,00 $

    € 511,20
    £ 460,08
    ¥ 58,691.44

    Core i7 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8,388

    КиБ 45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2,9 ГГц

    2900 МГц
    2 900 000 кГц

    3,8 ГГц

    3 800 МГц
    3 800 000 кГц

    3,8 ГГц6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Графика 530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018
    i7-6970HQ 2 января 2016 623 долл. США.00

    560,70 €
    £ 504,63
    ¥ 64 374,59

    Core i7 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 9185 MiB 80005 9.765625e-4 MiB KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics 580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050 000 кГц

    i7-7500U 30 августа 2016 393,00 $

    € 353,70
    £ 318,33
    ¥ 40,608.69

    Core i7 Kaby Lake U 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ 9000,304 4,096,139 КиБ
    4 900 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    0.0313 TiB

    HD Graphics 620 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050 000 кГц

    9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 9018 9018
    i7-8565U 28 августа 2018 409,00 $

    368,10 €
    331,29 £
    42 261 иен.97

    Core i7 Whiskey Lake U 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-4 GiB

    8 MiB 3
    8,192 KiB

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л.с.
    0,015 кВт

    1,8 ГГц

    1,800 МГц
    1,800,000 кГц

    4,6 ГГц

    4,600 МГц
    4,600,000 кГц

    5 ГГц

    4500 МГц
    4500000 кГц

    4,1 ГГц

    4100 МГц
    4
    кГц

    32 ГиБ

    32,768 MiB
    33,554,432 КиБ
    34,359,738,368 B
    9018 6HD Графика 9018 9018 9018 9018 9018 TiB

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    90✘67 6 9018 9018 9018 90186 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    м3-6Y30 27 сентября 2015 281 $.00

    252,90 €
    £ 227,61
    ¥ 29,035,73

    Ядро m3 Skylake Y 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 9018 4 GiB

    3 KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    4,5 Вт

    4,500 мВт
    0,00603 л.с.
    0,0045 кВт

    0,9 ГГц

    900 МГц
    900,000 кГц

    2,2 ГГц

    2,200 кГц

    3
    2,2 ГГц

    2,200 кГц

    2 2 ГГц

    2000 МГц
    2000000 кГц

    16 ГиБ

    16,384 МиБ
    16,777,216 КиБ
    17,179,869,184 Б
    0.0156 TiB

    HD Graphics 515 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    850 МГц

    0,85 ГГц
    850 000 кГц

    9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 9018 9018 ✔
    m5-6Y54 27 сентября 2015 $ 281,00

    € 252,90
    £ 227,61
    ¥ 29 035.73

    Ядро m5 Skylake Y 2 4 0,5 МиБ

    512 КиБ
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    4 МиБ

    4,096

    4 МиБ

    4,096 9000 КБ

    4,5 Вт

    4500 мВт
    0,00603 л.с.
    0,0045 кВт

    1,1 ГГц

    1,100 МГц
    1,100,000 кГц

    2,7 ГГц

    2,700 МГц
    2,700,000 кГц

    2.4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    16 ГиБ

    16,384 МБ
    16,777,216 КиБ
    17,179,869,184 B
    0,0156 TiB

    HD Графика 515 300 МГц МГц

    0,9 ГГц
    900,000 КГц

    9018 9018 9018 9018 2015 281 $.00

    252,90 €
    £ 227,61
    ¥ 29,035,73

    Ядро m5 Skylake Y 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4

    5

    5

    5

    5 MiB KiB
    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    4,5 Вт

    4,500 мВт
    0,00603 л. 2.4 ГГц

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    16 ГиБ

    16,384 МБ
    16,777,216 КиБ
    17,179,869,184 B
    0,0156 TiB

    HD Графика 515 300 МГц МГц

    0,9 ГГц

    0 кГц


    9018 9018 9018 2015 393 долл. США.00

    € 353,70
    £ 318,33
    ¥ 40,608,69

    Ядро m7 Skylake Y 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4

    5

    5

    5 MiB KiB


    4,194,304 B
    0,00391 ГиБ

    4,5 Вт

    4500 мВт
    0,00603 л.с.
    0,0045 кВт

    1,2 ГГц

    1,200 МГц
    1,200,000 кГц

    3,1 ГГц
    3,
    кГц
    3,
    кГц
    3,
    2.9 ГГц

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    16 ГиБ

    16,384 МиБ
    16,777,216 КиБ
    17,179,869,184 B
    0,0156 TiB

    HD Графика 515000 Гц 300 Гц МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 Ноябрь 2015 161 руб.00

    144,90 евро
    130,41 евро
    16636,13 иен

    Pentium Skylake U 2 4 0,5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4,882812e-4 ГиБ

    2 2,018 MiB

    9048 MiB
    2,097,152 B
    0,00195 ГиБ

    15 Вт

    15000 мВт
    0,0201 л. 34 359 738 368 В
    0.0313 TiB

    HD Graphics 510 300 МГц

    0,3 ГГц
    300 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    4405Y 3 ноября 2015 г. $ 161,00

    € 144,90
    £ 130,41
    ¥ 16,636,13
    6

    4 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    2 MiB

    2048 KiB
    2,097,152 B
    0,00195 GiB

    6 W

    6000 мВт
    0,00805 Гц
    0,006 кВт

    3

    1,500 МГц
    1,500,000 кГц

    16 ГиБ

    16,384 МиБ
    16,777,216 КиБ
    17,179,869,184 B
    0,0156 TiB

    HD Графика 515 300.3 ГГц
    300000 кГц

    800 МГц

    0,8 ГГц
    800000 кГц

    ✘6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G4400 27 сентября 2015 г. 64,00 $

    57,60 €
    51,84 £
    6,613,12 иен

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    54 W

    3,3 54 000 mW
    0,0724 л.с.

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510.35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    G4400T 27 сентября 2015 г. 64,00 $

    57,60 €
    51,84 £
    6,613,12 ¥

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35000 мВт
    0,0469 л.с.

    2,900 МГц
    2,900,000 кГц

    64 ГБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510.35 ГГц
    350,000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950,000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G4400TE 9 декабря 2015 г. 64,00 $

    57,60 €
    51,84 £
    6,613,12 иен

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35 000 mW
    0,0469 л.с.

    2,400 МГц
    2,400,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 510 350.35 ГГц
    350,000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950,000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G4500 27 сентября 2015 года 82,00 $

    73,80 €
    66,42 £
    8,473,06 иен

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524 288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3145728 B
    0,00293 GiB

    51 W

    51000 мВт
    0,0684 л.с.

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530 350 МГц35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G4500T 27 сентября 2015 г. $ 75,00

    67,50 €
    £ 60,75
    7,749,75 иен

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    35 W

    35,000 mW
    0,0469 л.с.

    3,000 МГц
    3,000,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530 350 МГц35 ГГц
    350 000 кГц

    950 МГц

    0,95 ГГц
    950 000 кГц

    6 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    G4520 27 сентября 2015 г. 93,00 $

    83,70 €
    75,33 £
    9 609,69 иен

    Pentium Skylake S 2 2 0.5 MiB

    512 KiB
    524,288 B
    4.882812e-4 GiB

    3 MiB

    3072 KiB
    3,145,728 B
    0,00293 GiB

    51 W

    51,000 mW
    0,0684 л.с.

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика 530.35 ГГц
    350,000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050,000 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    E3-1220 v5 19 октября 2015 $ 203,00

    € 182,70
    £ 164,43
    ¥ 20,975,99

    Xeon E3 Skylake DT 4 Skylake DT 4 900 В
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8192 КиБ
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л.с.
    0,08 кВт

    3 ГГц

    3,0003 000 3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 9018 9018 9018 9018 9018 19 октября 2015 г. 9018 ✔ 9018 9018 9018
    E3-1225 v5 19 октября 2015 $ 224.00

    201,60 евро
    181,44 евро
    23145,92 иен

    Xeon E3 Skylake DT 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9,765625e 9,765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л. 3.6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Graphics P530 400 МГц

    0,4 ​​ГГц
    400000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1150 000 кГц

    18 ✔ 9018 9018 9018
    E3-1230 v5 19 октября 2015 $ 261.00

    234,90 €
    £ 211,41
    ¥ 26,969,13

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e 9.765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    $ 250,00

    225,00 €
    £ 202,50
    ¥ 25,832,50

    Xeon E3 Skylake DT 4 4 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048576 B
    9.765625e-4 GiB

    8 MiB

    8192 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 GiB

    25 Вт

    25000 мВт
    0,0335 л. 3 ГГц

    3,000 МГц
    3,000,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Графика P530 МГц 400.4 ГГц
    400000 кГц

    1150 МГц

    1,15 ГГц
    1150 000 кГц

    9018 ✔
    E3-1240 v5 19 октября 2015 $ 282,00

    € 253,80
    £ 228,42
    ¥ 29,139,06

    Xeon E3 Skylake DT 4 Skylake DT 4 900 В
    9.765625e-4 GiB

    8 MiB

    8192 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 GiB

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л. 3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    9018 ✔
    9018 ✔4 ГГц
    400000 кГц

    E3-1240L v5 19 октября 2015 $ 278.00

    € 250,20
    £ 225,18
    ¥ 28,725,74

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1024 KiB
    1048576 B
    9.765625e-4 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    25 Вт

    25,000 мВт
    0,0335 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    902 9018 9018 $ 294,00

    € 264,60
    £ 238,14
    ¥ 30,379,02

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8192 КиБ
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80,000 мВт
    0,107 л.с.
    0,08 кВт

    3,5 Гц
    3,5 ГГц

    00 3,5000

    3,5 ГГц

    00 3,5000 35000

    3,5 ГГц

    00 3,5000 3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Graphics P530 1150 МГц

    1,15 ГГц
    1150 000 кГц

    9018 9018 ✔
    E3-1260L v5 19 октября 2015 $ 294,00

    € 264,60
    £ 238,14
    ¥ 30,379,02

    Xeon E3 Skylake DT 4 4 В
    9.765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8,192 КиБ
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2,900 МГц 3

    2

    2,900 МГц 3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    9018 ✔
    9018 ✔

    9018 9018 9018 350 0005 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018 9018
    E3-1268L v5 19 октября 2015 377 долларов.00

    339,30 €
    £ 305,37
    ¥ 38,955,41

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л. 3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,1 ГГц

    3,100 МГц
    3,100,000 кГц

    67 ГиБ 9,823,46 MiB

    HD Graphics P530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018
    E3-1270 v5 19 октября 2015 339 $.00

    305,10 €
    £ 274,59
    ¥ 35,028,87

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e 9,765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    9018 9018 9018 9018 октябрь 2015 9018 $ 350,00

    315,00 €
    £ 283,50
    ¥ 36,165,50

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048576 B
    765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8192 КиБ
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80,000 мВт
    0,107 л.с.
    0,08 кВт

    3,6 ГГц 3 3,600

    3,600

    3,6000005 4 ГГц

    4000 МГц
    4 000 000 кГц

    3,9 ГГц

    3 900 МГц
    3 900 000 кГц

    3,8 ГГц

    3800 МГц
    3 800 000 кГц

    3.7 ГГц

    3,700 МГц
    3,700,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МБ
    67,108,864 KiB
    68,719,476,736 B
    0,0625 TiB

    HD Graphics P530 400 МГц

    0,4000 1,15 ГГц
    1,150,000 кГц

    9018 9018 ✔
    9018 9018 612 долл. США.00

    550,80 евро
    £ 495,72
    ¥ 63,237,96

    Xeon E3 Skylake DT 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9,765625e 9,765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    80 Вт

    80000 мВт
    0,107 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    $ 433,00

    389,70 €
    £ 350,73
    ¥ 44,741,89

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    1,048,576 B
    1,048,576 B
    1,048,576765625e-4 ГиБ

    8 МиБ

    8192 КиБ
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    25 Вт

    25000 мВт
    0,0335 л.с.
    0,025 кВт

    2 ГГц

    2000 кГц 2,8 ГГц

    2 800 МГц
    2 800 000 кГц

    2,7 ГГц

    2 700 МГц
    2 700 000 кГц

    2,6 ГГц

    2600 МГц
    2 600 000 кГц

    2.55 ГГц

    2,550 МГц
    2,550,000 кГц

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0,0625 ТиБ

    HD Графика P530 HD Graphics P530 350000 МГц

    0,35 ГГц

    4 0,35 ГГц
    5 1 ГГц

    0 кГц

    6 9018 9018 434 доллара.00

    € 390,60
    £ 351,54
    ¥ 44,845,22

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e 9.765625e-9.9 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3400 МГц
    3,400,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    HD Graphics P530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 ✔ 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018
    E3-1515M v5 2 января 2016 489 долл. США.00

    € 440,10
    £ 396,09
    ¥ 50,528,37

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9,765625e-4 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.6 ГГц

    3600 МГц
    3,600,000 кГц

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    64 ГиБ

    671023 MiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔
    E3-1535M V5 12 октября 2015 623 долл. США.00

    560,70 €
    £ 504,63
    ¥ 64,374,59

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-9.765625e-9 9.765625e-9 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л. 3.6 ГГц

    3,600 МГц
    3,600,000 кГц

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,4 ГГц

    3,400 МГц
    3,400,000 кГц

    64 GiB

    671023 MiB

    HD Graphics P530 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    9018 ✔ 9018 ✔ 9018 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔ 9018 ✔
    E3-1545M v5 2 января 2016 $ 679.00

    € 611,10
    £ 549,99
    ¥ 70,161,07

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9,765625625 8-4 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    45 Вт

    45,000 мВт
    0,0603 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1,050 000 кГц

    E3-1558L v5 31 мая 2016 396,00 $

    € 356,40
    320,76 £
    ¥68

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8,388

    3 8,192 KiB

    45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    1,9 ГГц

    1900 МГц
    1 900 000 кГц

    3,3 ГГц

    3 300 МГц
    3 300 000 кГц

    3.2 ГГц

    3200 МГц
    3200000 кГц

    3,1 ГГц

    3100 МГц
    3
    кГц

    3,1 ГГц

    3100 МГц
    3,
    кГц

    67 ГиБ 68,723 65,536 Mi64 900,736 MiB

    Iris Pro Graphics P555 ​​ 650 МГц

    0,65 ГГц
    650 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 9018 ✔
    E3-1565L v5 31 мая 2016 $ 417.00

    375,30 €
    £ 337,77
    ¥ 43,088,61

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1024 KiB
    1,048,576 B
    9.765625e-9.765625e KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    35 Вт

    35,000 мВт
    0,0469 л.

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1050 МГц

    1,05 ГГц
    1050 000 кГц

    E3-1575M v5 2 января 2016 г.31

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8,360

    3 8,192 KiB

    45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    3 ГГц

    3000 МГц
    3,000,000 кГц

    3,9 ГГц

    3,900 МГц
    3,900,000 кГц

    9018 900 Mi 67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,100 МГц

    1,1 ГГц
    1,100 000 кГц

    E3-1578L v5 31 мая 2016 449,00 $

    € 404,10
    363,69 £
    ¥ 404,10
    £ 363,69
    ¥.17

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.765625e-4 ГиБ

    8,388

    8,192 КиБ

    45 Вт

    45000 мВт
    0,0603 л.с.
    0,045 кВт

    2 ГГц

    2000 МГц
    2000000 кГц

    3,4 ГГц

    3400 МГц
    3400000 кГц

    3.3 ГГц

    3,300 МГц
    3,300,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    3,2 ГГц

    3,200 МГц
    3,200,000 кГц

    0,05
    67 ГиБ 68,723,46 MiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1000 МГц

    1 ГГц

    0 кГц

    9018 9018 9018 9018 9018 ✔ 9018 9018 ✔
    E3-1585 v5 31 мая 2016 $ 556.00

    € 500,40
    £ 450,36
    ¥ 57,451,48

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 MiB

    1,024 KiB
    1,048,576 B
    9,765625e-4 KiB
    8,388,608 B
    0,00781 ГиБ

    65 Вт

    65000 мВт
    0,0872 л.с.
    0,065 кВт

    3,5 ГГц

    3,500 МГц
    3,500,000 кГц

    3,9 ГГц

    3,

    64 ГиБ

    65,536 МиБ
    67,108,864 КиБ
    68,719,476,736 B
    0.0625 TiB

    Iris Pro Graphics P580 350 МГц

    0,35 ГГц
    350 000 кГц

    1,150 МГц

    1,15 ГГц
    1,150 000 кГц

    E3-1585L v5 31 мая 2016 445,00 $

    € 400,50
    £ 360,45
    ¥ 45,981.85

    Xeon E3 Skylake H 4 8 1 МиБ

    1,024 КиБ
    1,048,576 B
    9.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *