Что такое диод MBR3045CT. Каковы его основные параметры и характеристики. Для чего используется этот диод Шоттки. Какие преимущества он имеет перед обычными диодами. Где применяется MBR3045CT в электронных схемах.
Обзор диода Шоттки MBR3045CT
MBR3045CT — это мощный сдвоенный диод Шоттки в корпусе TO-220AB. Данный компонент предназначен для использования в цепях выпрямления тока в импульсных источниках питания, зарядных устройствах, преобразователях напряжения и других силовых схемах.
Основные параметры MBR3045CT:
- Максимальное обратное напряжение: 45 В
- Максимальный прямой ток: 30 А
- Падение напряжения: 0.51 В при токе 15 А
- Корпус: TO-220AB
Принцип работы диода Шоттки
Диод Шоттки отличается от обычного p-n диода тем, что в нем используется барьер Шоттки на границе металл-полупроводник. Это обеспечивает более низкое падение напряжения и высокое быстродействие.
Как работает диод Шоттки MBR3045CT:
- При прямом включении электроны легко преодолевают барьер Шоттки
- В обратном направлении барьер блокирует протекание тока
- Отсутствие области рекомбинации обеспечивает высокое быстродействие
- Низкая высота барьера дает малое падение напряжения
Основные характеристики MBR3045CT
Рассмотрим подробнее ключевые параметры диода MBR3045CT:
Максимальное обратное напряжение
Максимальное обратное напряжение составляет 45 В. Это означает, что диод способен выдерживать обратное напряжение до 45 В без пробоя. Данный параметр важен при выборе диода для конкретной схемы.
Максимальный прямой ток
MBR3045CT способен пропускать прямой ток до 30 А. Это очень высокий показатель, позволяющий использовать диод в мощных силовых цепях. Однако при таких токах необходимо обеспечить хороший теплоотвод.
Падение напряжения
Прямое падение напряжения при токе 15 А составляет всего 0.51 В. Это значительно меньше, чем у обычных диодов. Низкое падение напряжения обеспечивает высокий КПД и меньший нагрев диода.
Преимущества диода Шоттки MBR3045CT
По сравнению с обычными кремниевыми диодами, MBR3045CT имеет ряд важных преимуществ:
- Низкое прямое падение напряжения (0.51 В против 0.7-1.2 В)
- Высокое быстродействие (время восстановления менее 50 нс)
- Возможность работы на высоких частотах (до сотен кГц)
- Низкие потери на переключение
- Высокая нагрузочная способность по току (до 30 А)
Применение MBR3045CT в электронных схемах
Благодаря своим характеристикам, диод MBR3045CT находит широкое применение в различных устройствах:
- Импульсные источники питания
- DC-DC преобразователи
- Зарядные устройства
- Сварочные аппараты
- Корректоры коэффициента мощности
- Схемы защиты от обратной полярности
Особенности монтажа и эксплуатации
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод при работе на больших токах
- Рекомендуется применять теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором
- Не допускается превышение максимально допустимых токов и напряжений
- При монтаже важно соблюдать полярность включения диода
Сравнение MBR3045CT с аналогами
Как MBR3045CT соотносится с другими подобными диодами Шоттки? Давайте сравним его характеристики с некоторыми аналогами:
| Параметр | MBR3045CT | MBR30100CT | MBR2545CT |
|---|---|---|---|
| Макс. обратное напряжение | 45 В | 100 В | 45 В |
| Макс. прямой ток | 30 А | 30 А | 25 А |
| Прямое падение напряжения | 0.51 В | 0.70 В | 0.55 В |
Как видно, MBR3045CT обладает оптимальным сочетанием параметров для многих применений.
Выбор оптимального диода Шоттки для конкретной схемы
При выборе диода Шоттки для своего устройства необходимо учитывать следующие факторы:
- Максимальное обратное напряжение в схеме
- Требуемый прямой ток
- Рабочая частота преобразования
- Допустимые потери мощности
- Температурный режим работы
MBR3045CT является оптимальным выбором для многих приложений благодаря сбалансированным характеристикам.
Тенденции развития диодов Шоттки
Технология диодов Шоттки продолжает развиваться. Основные направления совершенствования:
- Снижение прямого падения напряжения
- Увеличение допустимого обратного напряжения
- Повышение быстродействия
- Улучшение температурных характеристик
- Уменьшение габаритов при сохранении мощности
MBR3045CT остается актуальным решением, но в будущем можно ожидать появления еще более совершенных диодов Шоттки.
Заключение
Диод Шоттки MBR3045CT является эффективным решением для многих силовых и высокочастотных приложений. Его основные преимущества:
- Низкое прямое падение напряжения
- Высокий допустимый ток
- Отличное быстродействие
- Возможность работы на высоких частотах
Эти качества делают MBR3045CT оптимальным выбором для импульсных источников питания, преобразователей напряжения и других подобных устройств. При правильном применении этот диод обеспечивает высокую эффективность и надежность работы электронных схем.
MBR3045CT-YAN за 90.24 ₽ в наличии производства YANGJIE TECHNOLOGY
Купить Диод выпрямительный Шоттки THT MBR3045CT-YAN производителя YANGJIE TECHNOLOGY можно оптом и в розницу с доставкой по всей России, Казахстану, Республике Беларусь и Украине, а так же в другие страны Таможенного союза (Армения, Киргизия и др.).
Для того, чтобы купить данный товар по базовой цене в розницу, положите его в корзину и оформите заказ следуя детальной инструкции. Обращаем Ваше внимание, что в зависимости от увеличения объёма продукции перерасчёт розничной цены будет произведен автоматически. Оптовая цена на диод выпрямительный шоттки tht 45в 30а MBR3045CT-YAN выставляется исключительно после отправки коммерческого запроса на e-mail: [email protected] или [email protected]
- Более подробная информация находится в разделе Оплата.
Мы работаем со всеми крупными транспортными компаниями и гарантируем оперативность и надежность каждой поставки независимо от региона присутствия заказчика.
Данный товар так же поставляются с различных складов Европы, Китая и США. Возможные варианты поставки запрашивайте у специалистов компании SUPPLY24.ONLINE.
- Более подробная информация находится в разделе Доставка.
Гарантия предоставляется непосредственно заводом-изготовителем YANGJIE TECHNOLOGY . Гарантийный ремонт или замена оборудования осуществляется исключительно после проведения экспертизы и установления факта гарантийного случая.
Диоды Шотки THT практически всех известных мировых брендов представлены нашей компанией. В случае если интересующий Вас товар не был найден на нашем сайте, обратитесь в службу технической поддержки или обслуживающему Вас менеджеру и наши инженеры подберут аналоги для Вашего оборудования. Таким образом, возможно снизить затраты до 20% на обслуживание оборудования и оптимизировать Ваши расходы. Компания SUPPLY24.ONLINE берёт на себя полную ответственность за правильность подбора аналога. Наша компания предлагает только разумный подход, если по ряду критериев запрашиваемый товар не подразумевает замену на аналог, мы не предлагаем замену.
Стратегическая цель нашей компании помочь Вам подобрать оборудование и товар с оптимальными характеристиками, и разобраться в огромном количестве товарных позиций и предложений.
Внимание!
- Характеристики,внешний вид и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
- Изображение продукции дано в качестве иллюстрации для ознакомления и может быть изменено без уведомления.
- Точную спецификацию смотрите во вкладке «Характеристики» .
- При необходимости установки программного обеспечения и использования аксессуаров сторонних производителей, просьба проверить их совместимость с устройством, детально изучив документацию на сайте производителя YANGJIE TECHNOLOGY
- Запрещается нарушение заводских настроек и регулировок без привлечения специалистов сертифицированных сервисных центров.
Производитель
Обратное напряжение макс.
Импульсный ток
Конструкция диода
выпрямительный Шоттки
Падение напряжения макс.
ДОСТАВКА ПО РОССИИ
Доставка осуществляется в течении 2-3 дней с момента зачисления средств на р/с компании при наличии товара на складе в РФ. В отдельных случаях, при большой удаленности Вашего региона, срок доставки может быть увеличен.
- Полный перечень городов, в которые осуществляется доставка, смотрите ниже.
ДОСТАВКА В СТРАНЫ ТАМОЖЕННОГО СОЮЗА
Доставка осуществляется в течении 3-5 дней с момента зачисления средств на р/с компании в следующие страны.
- Казахстан
- Армения
- Беларусь
- Киргизия
Обращаем Ваше внимание на то, что сроки доставки товаров напрямую зависят от наличия товара на Российском складе компании.
В случае, если выбранные товарные позиции находятся на одном из внешних складов Европы или США, то срок доставки товара может составлять до 3-4 недель. Для избежания недоразумений, рекомендуем уточнить актуальные сроки поставки в отделе логистики или у менеджера компании.
В данном случае, как правило, 90% заказов доставляются заказчикам в течении первых 2 недель.
Если какая-либо часть товара из Вашего заказа отсутствует на складе, мы отгрузим все имеющиеся в наличии товары, а после поступления с внешнего склада оставшейся части заказа отправим Вам её за счёт нашей компании.
ОФИСЫ ВЫДАЧИ ТОВАРА:
Доставка до ТК осуществляется бесплатноCКЛАДЫ
Source HFZT диод Шоттки MBR3045CT TO-220AB 30A 45V on m.alibaba.com
Который hfzt
Hfzt диод Шоттки MBR3045CT TO-220AB 30A 45 V
Информация об изделии
Hfzt диод Шоттки MBR3045CT TO-220AB 30A 45 V
| Диод серии |
Пластиковые Силиконовые выпрямительные диоды для подавления переходных скачков напряжения
| Выпрямитель с быстрым восстановлением | Супер быстрый выпрямителя |
Высокая эффективность и Ультра быстрый выпрямитель
| В режиме малый сигнал диоды Шоттки, изменения фаз газораспределения | Шлаковый Барьерный выпрямитель | |
В режиме малый сигнал диодные переключатели
| Зенеровские диоды для подавления переходных скачков напряжения | Переходных частот напряжение supperessors | |
Высокое напряжение диоды для подавления переходных скачков напряжения
| Photpvoltaic диод | Мостиковый выпрямитель | |
| Транзистор серии |
Реле общего назначения tansistors
| Высокая частота транзисторы | |
Переключающие транзисторы для энергосберегающих ламп и балласта
| |||
Регуляторы напряжения
| |||
MOS
| |||
Светодио дный серии
| |||
Сопутствующие товары
Товары структура
Товары применение
Hfzt (LUJING).
Товары: диод серии, серии Mos, транзистор серии регулятор напряжения серии, светодио дный серии
Различные продукты применяются в различных отраслях промышленности.
Интеллигентая (ый) Электрический аппарат
Панель управления товары
Источник питания, электрическое зарядное устройство
Светодио дный товары, то товары
Электронное сообщение товары
Видео-дисплей
Товары для упаковки
Тип упаковки
| |
Лента рулонная упаковочная
| Навальная упаковка |
Упаковка по требованию заказчика
| |
Сотрудничества партнер
Hfzt сотрудничества партнер
| ||
| Сотрудничества компании |
Сотрудничества товары
| Товары модель |
| От компании «Midea» |
Диод
| SS24 SMA, B5819 SOD-123 |
MOS
| 2N7002K SOT-23, 2N7002DW SOT-363 | |
| Lenovo |
Диод Шоттки
| SR560 DO-27 |
В режиме малый сигнал переключательный диод
| LL4148 LL34 | |
Зенеровский диод
| 6,2 в 0,5 Вт SOD-123 | |
Транзистор
| MMBT3904 СОТ-23 | |
| Inspur |
Транзистор
| S8050 СОТ-23 |
Диод
| BZT52C5V1S SOD-323, FR107 DO-41 | |
| LG |
Диод
| SK34 SMA, HER207 DO-15, 1N5408 DO-27 |
Мостиковый выпрямитель
| GBJ1010 GBJ, KBJ410 KBJ, KBJ610 KBJ | |
| Hisense |
Диод
| ES1J SMA, 1N4007 DO-41, M7 SMA, FR107 DO-41, SS16 SMA, US1J SMA |
| GoerTek |
Диод
| FR207 DO-15, FR107 DO-41, HER107 DO-41, HER208 DO-15, HER308 DO-27 |
Мостиковый выпрямитель
| GBU410 GBU, GBU610 GBU | |
| Changhong |
В режиме малый сигнал переключательный диод
| LL4148 LL34 |
Hfzt Сертификация
Diodes Incorporated — MBR3045CTF-G1 Интернет-дистрибьютор
Введение
Изображения только для справки.
См. Спецификации продукта для деталей продукта.
Если вы заинтересованы в покупке Diodes Incorporated MBR3045CTF-G1, просто напишите нам.
[email protected]
наш отдел продаж ответит вам в течение 24 часов
Вопросы и ответы
Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь MBR3045CTF-G1?
A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.
Q: Как платить деньги?
О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.
Q: Есть детали MBR3045CTF-G1 с гарантией?
A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.
Q: делать вы поддерживаете таблицу данных MBR3045CTF-G1 или модели САПР?
A: Да,
Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.
В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?
А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.
Вопрос: Можете ли вы доставить детали MBR3045CTF-G1 напрямую на наш завод OEM.
A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.
Q: Я просто нужен один кусок MBR3045CTF-G1, могу ли я заказать?
У него Зависит от MOQ MBR3045CTF-G1, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.
Q: Как Долго Могу ли я получить MBR3045CTF-G1 после оплаты?
А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.
| MBR20200CT_T0_00001 | PANJIT International | 200V 2 x 10A 900mV @ 10A TO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 249 | $0. 34550/ ширхэг |
RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBRF30100CT | HUAKE | TO-220F Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 245 | $0.18790/ ширхэг | RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR10100G | ON Semiconductor | 100V 10A 800mV @ 10A TO-220AC(TO-220-2) Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 245 | $0. 53110/ ширхэг |
RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR20100CT | LGE | 100V 20A 950mV @ 20A TO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 241 | $0.23360/ ширхэг | RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR30100CTD | DIYI Elec Tech | 100V 30A 850mV @ 30A TO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 236 | $0. 28780/ ширхэг |
RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR20100CL | MOSPEC Semicon | 100V 10A 850mV @ 10A TO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 254 | $0.32670/ ширхэг | RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR30200CT | SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing)) | 200V 15A 900mV @ 15A TO-220(TO-220-3) Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 264 | $0. 81300/ ширхэг |
RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR10100CL-TQ2-R | UTC(Unisonic Tech) | 100V 5A 850mV @ 5A TO-263-2 Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 262 | $0.25750/ ширхэг | RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR10200FCT | Chongqing Pingwei Tech | 200V 2 x 5A 950mV @ 5A ITO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 262 | $0. 28820/ ширхэг |
RFQ сагсанд нэмэх үү? | |
| MBR30150CT | MDD（Microdiode Electronics） | TO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 259 | $0.31820/ ширхэг | RFQ сагсанд нэмэх үү? |
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России
- 1
Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше.
Трекинг-номер не
предоставляется. - 2
После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.
- 3
Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.
Трекинг-номер не
предоставляется.!
Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.
Гарантии и возврат
Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним
свои обязательства.
Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив
стоимость обратной пересылки.
- У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
- Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
- Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
- 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.
Диоды | Page 26 | UTSOURCE
*Страна/Регион :
*Страна/РегионUnited StatesCanadaBrazilFranceGermanyItalyMexicoSpainUnited Kingdom—————-AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape Verde IslandsCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongo (DEM.
REP. OF)Congo (REP. OF)Cook IslandsCosta RicaCote D’IvoireCroatiaCubaCuracaoCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland Islands (Malvinas)Faroe IslandsFederated States of MicronesiaFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Southern TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuineaGuinea-bissauGuyanaHaitiHeard and Mc Donald IslandsHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran (Islamic Republic of)IraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKosovoKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Arab JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth KoreaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussiaRwandaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint Vincent and the GrenadinesSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSerbia and MontenegroSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakia (Slovak Republic)SloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia & South Sandwich IslandsSouth KoreaSpainSri LankaSt.
HelenaSt. Pierre and MiquelonSudanSurinameSvalbard and Jan Mayen IslandsSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTahitiTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUnited States minor outlying islandsUruguayUzbekistanVanuatuVatican City State (Holy See)VenezuelaVietnamVirgin Islands (British)Virgin Islands (U.S.)Wallis and Futuna IslandsWestern SaharaYemenZambiaZimbabwe
*Грузополучатель :
*Мобильник:+
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страны*Улица :
*Город :
Область :
*Область : Select OneAlabama(AL)Alaska(AK)American Samoa(AS)Arizona(AZ)Arkansas(AR)California(CA)Colorado(CO)Connecticut(CT)Delaware(DE)District of Columbia(DC)Florida(FL)Georgia(GA)Guam(GU)Hawaii(HI)Idaho(ID)Illinois(IL)Indiana(IN)Iowa(IA)Kansas(KS)Kentucky(KY)Louisiana(LA)Maine(ME)Maryland(MD)Massachusetts(MA)Michigan(MI)Minnesota(MN)Mississippi(MS)Missouri(MO)Montana(MT)Nebraska(NE)Nevada(NV)New Hampshire(NH)New Jersey(NJ)New Mexico(NM)New York(NY)North Carolina(NC)North Dakota(ND)Northern Mariana Islands(MP)Ohio(OH)Oklahoma(OK)Oregon(OR)Pennsylvania(PA)Puerto Rico(PR)Rhode Island(RI)South Carolina(SC)South Dakota(SD)Tennessee(TN)Texas(TX)Utah(UT)Vermont(VT)Virgin Islands(VI)Virginia(VA)Washington(WA)West Virginia(WV)Wisconsin(WI)Wyoming(WY)Armed Forces(AA)Armed Forces(AE)Armed Forces(AP)
*Почтовый индекс :Please enter a new 5-digit zip code.
.
Название компании :
Постоянный адрес по умолчанию
Отмена
Представлять
| MBRF40150AT | Shikues | TO-220FD Pre-ordered Products RoHS | 146 | $0.62910/ шт | Добавить в корзину? | |
| MBR80150WT | SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing)) | 150V 40A 900mV @ 40A TO-247(AC) Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 163 | $2. 45610/ шт |
Добавить в корзину? | |
| MBRF20150CT | Suzhou Good-Ark Elec | 150V 2 x 10A 900mV @ 10A ITO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 157 | $0.32830/ шт | Добавить в корзину? | |
| MBR3045CT | GOODWORK | TO-220AB Pre-ordered transistors RoHS | 164 | $0. 20770/ шт |
Добавить в корзину? | |
| MBR1060FCT_TO_10001 | PANJIT International | 60V 10A 750mV @ 10A ITO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 176 | $0.26410/ шт | Добавить в корзину? | |
| MBR20150SCTF-G1 | Diodes Incorporated | TO-220F-3 Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 186 | $0. 27060/ шт |
Добавить в корзину? | |
| MBR40100PT | Yangzhou Yangjie Elec Tech | 100V 40A 800mV @ 20A TO-247AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 183 | $1.00210/ шт | Добавить в корзину? | |
| MBR20100CT | SMC(Sangdest Microelectronicstronic (Nanjing)) | 100V 10A 850mV @ 10A TO-220(TO-220-3) Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 180 | $0. 48130/ шт |
Добавить в корзину? | |
| MBR0530G-CA2-R | UTC(Unisonic Tech) | 30V 500mA 430mV @ 500mA SOD-123 Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 180 | $0.06180/ шт | Добавить в корзину? | |
| MBR30100FCT | PANJIT International | 100V 2 x 15A 800mV @ 15A ITO-220AB Schottky Barrier Diodes (SBD) RoHS | 177 | $0. 47960/ шт |
Добавить в корзину? |
MBR3045CT техническое описание — Технические характеристики: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диодов:
IRF7379TRPBF : Дискретный полупроводниковый продукт с полевой решеткой 5,8 А, 4,3 А 30 В 2,5 Вт для поверхностного монтажа; HEX / MOS N / P-CHAN DUAL 30V 8SOIC. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: N- и P-канал; Напряжение стока в источник (Vdss): 30 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 5,8 А, 4,3 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 45 мОм при 5,8 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 520 пФ @ 25 В; Мощность.
FDS89161LZ : Дискретный полупроводниковый продукт с полевой решеткой 2.7A 100V 1.6W поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 100V DUAL LL 8SOIC. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: 2 канала N (двойной); Напряжение стока в источник (Vdss): 100 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 2,7 А; Rds On (макс.
) При Id, Vgs: 105 мОм при 2,7 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 302 пФ @ 50 В; Мощность.
TK9A45D (STA4, Q, M) : Fet — отдельный дискретный полупроводниковый прибор 9A 450V 40W сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 450V 9A TO-220SIS. s: Тип установки: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 450 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 9A; Rds On (макс.) @ Id, Vgs: 770 мОм @ 4.5А, 10В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 800 пФ @ 25 В; Мощность.
AUIRFR4105ZTR : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 30 А, 55 В, 48 Вт, поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 55V 30A DPAK. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 55 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 30 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 24,5 мОм при 18 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 740 пФ @ 25 В; Мощность.
NTLJS4149PTBG : Fet — отдельный дискретный полупроводниковый продукт 2.7A 30 В 700 мВт для поверхностного монтажа; МОП-транзистор P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: P-канал полевого МОП-транзистора, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 30 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 2,7 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 62 мОм при 4,5 А, 4,5 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 960 пФ.
GBU601 : Мостовой выпрямитель на дискретных полупроводниках, 6 А, 100 В, однофазный; ПРЯМОЙ МОСТ ГПП 100В 6А ГБУ. s: Тип диода: Однофазный; Упаковка / чемодан: GBU; Упаковка: туба; Время обратного восстановления (trr): -; Скорость: стандартное восстановление> 500 нс,> 200 мА (Io); Ток — постоянный ток вперед (если): 6А; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 100 В; Тип крепления: сквозное отверстие.
MB1505 : Мостовой выпрямитель на дискретных полупроводниках, 15 А, 50 В, однофазный; ВЫПРЯМИТЕЛЬ МОСТ 50В 15А МБ.
s: Тип диода: Однофазный; Упаковка / коробка: MB; Упаковка: навалом; Время обратного восстановления (trr): -; Скорость: стандартное восстановление> 500 нс,> 200 мА (Io); Ток — постоянный ток вперед (если): 15А; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 50 В; Тип установки: терминал контроля качества; Вести.
MBR1050 : Диоды, выпрямитель — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 10A 50V Schottky; ДИОД SCHOTTKY 10А 50В ТО220-2.s: Тип диода: Шоттки; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 50 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 10А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 950 мВ при 10 А; Время обратного восстановления (trr): -; Ток — обратная утечка @ Vr: 100A @ 50V; Скорость: быстрая.
12CTQ035 : Диоды, выпрямитель — матричный дискретный полупроводниковый прибор 6A 35V Schottky; ДИОД SCHOTTKY 35V 6A TO-220AB. s: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода: 1 пара общего катода; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 35 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 6А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.
) При: 600 мВ при 6 А; Ток — обратная утечка @ Vr: 800A.
GF1A / 67A : диоды, выпрямитель — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 1A, 50V, стандарт; ДИОД STD REC 50V 1A DO-214BA. s: Тип диода: Стандартный; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 50 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1,1 В при 1 А; Время обратного восстановления (trr): 3 с; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 50V; Скорость: стандартная.
RD0506LS-SB5 : Диоды, выпрямитель — отдельный дискретный полупроводниковый прибор 5A — Стандартный; ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДИОДНЫЙ 600В 5А НА-220.s: Тип диода: Стандартный; Напряжение — DC обратное (Vr) (макс.): -; Ток — средний выпрямленный (Io): 5А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1,6 В при 5 А; Время обратного восстановления (trr): 50 нс; Ток — обратная утечка при Vr: 50 А при 600 В; Скорость: без восстановления.
1N4738AP / TR8 : Диод — стабилитрон — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 10 А, 6 В, 8,2 В, 1 Вт, сквозное отверстие; ДИОД ЗЕНЕР 8.
2V 1W DO-41. s: Напряжение — стабилитрон (Nom) (Vz): 8,2 В; Мощность — Макс: 1 Вт; Импеданс (макс.) (Zzt): 4,5 Ом; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) @ Если: 1.2 В при 200 мА; Ток — обратная утечка @ Vr: 10A @ 6V; Допуск: 5%; Тип установки: Сквозное отверстие; Упаковка.
BLF244,112 : ВЧ-полевой дискретный полупроводниковый продукт 3A, 65 В, N-канал; ТРАНЗИСТОР РФ ДМОС СОТ123А. s: Тип транзистора: N-канальный; Напряжение — номинальное: 65 В; Текущий рейтинг: 3А; Коэффициент шума: — ; Частота: 175 МГц; Усиление: 17 дБ; Напряжение — тест: 28 В; Ток — тест: 25 мА; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
SS9018FBU : Высокочастотный транзистор (bjt) Дискретный полупроводниковый продукт 50 мА 15 В 400 мВт NPN; ТРАНЗИСТОР РФ НПН 30В 50МА ТО-92.s: Частота — Переход: 1,1 ГГц; Коэффициент шума (дБ Typ @ f): -; Ток коллектора (Ic) (макс.): 50 мА; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 54 при 1 мА, 5 В; Тип транзистора: NPN; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.
): 15В; Прирост: — ; Мощность.
L2006D5TP : Симисторный дискретный полупроводниковый продукт, 6 А, 200 В, логика — чувствительный вентиль; TRIAC SENS 200V 6A TO-252. s: Симистор Тип: Логический — Чувствительный вентиль; Конфигурация: Одноместный; Напряжение в выключенном состоянии: 200 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 6А; Напряжение — запуск затвора (Vgt) (макс.): 1.3В; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 5 мА; Ток — удержание (Ih) (макс.): 10 мА; Текущий.
PMST2369,115 : Транзистор (bjt) — отдельный дискретный полупроводниковый продукт 200 мА 15 В 200 мВт NPN; ТРАНС НПН 15В 200МА СОТ323. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 15В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 200 мА; Мощность — Макс: 200 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 40 при 10 мА, 1 В; Насыщение Vce (макс.) При Ib, Ic: 250 мВ при 1 мА, 10 мА; Частота.
2SC584500L : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 100 мА 50 В 200 мВт NPN; ТРАНС НПН 50ВЦЭО 100МА МИНИ-3П.
s: Тип транзистора: NPN; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — Макс: 200 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 160 при 2 мА, 10 В; Насыщенность Vce (макс.) При Ib, Ic: 300 мВ при 10 мА, 100 мА.
MBR10100ULPS-TP : ДИОД SCHOTTKY 100V 10A TO277B. Чтобы удовлетворить растущие требования к энергосбережению при применении в полевых условиях, MCC расширяет свой ассортимент мощных выпрямителей Шоттки. Портфель включает номинальное обратное напряжение от 20 до 100 В и 0.Номинальное падение напряжения в прямом направлении от 32 В до 0,60 В. Выпрямители Шоттки с низким VF выделяют мало тепла и увеличивают мощность системы.
MBR3045CT-1 datasheet — Технические характеристики: Тип диода: Шоттки; Конфигурация диода:
APT10M19SVFRG : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 75A 100V 370W поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 100V 75A D3PAK.
s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 100 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 75 А; Rds On (макс.) @ Id, Vgs: 19 мОм @ 37.5А, 10В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 6120 пФ @ 25 В; Мощность.
APT30M70BVFRG : Fet — Отдельный дискретный полупроводниковый прибор 48 А, 300 В, 370 Вт, сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 300V 48A TO-247. s: Тип установки: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 300 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 48 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 70 мОм при 500 мА, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5870 пФ @ 25 В; Мощность.
RSS120N03FU6TB : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 12A 30V 2W поверхностного монтажа; МОП-транзистор N-CH 30V 12A 8SOIC.s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 12 А; Rds On (макс.
) При Id, Vgs: 10 мОм при 12 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1360 пФ @ 10 В; Мощность.
APT5014BFLLG : Fet — Отдельный дискретный полупроводниковый прибор, 35 А, 500 В, 403 Вт, сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 500V 35A TO-247. s: Тип установки: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: МОП-транзистор с N-каналом, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 500 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 35A; Rds On (макс.) @ Id, Vgs: 140 мОм @ 17.5А, 10В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 3261 пФ @ 25 В; Мощность.
TPCA8048-H (TE12L, Q : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый продукт, 35 А, 60 В, 45 Вт, поверхностный монтаж; MOSFET N-CH, 60 В, 35 А, 8-SOP ADV. S: Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: MOSFET N-Channel, Оксид металла; напряжение от стока к источнику (Vdss): 60 В; ток — непрерывный сток (Id) при 25 C: 35 A; Rds вкл. (Макс.) При Id, Vgs: 6,6 мОм при 18 A, 10 В; входная емкость (Ciss) при Vds : 7540 пФ при 10 В; питание.
SI1315DL-T1-GE3 : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 900 мА 8 В 400 мВт Поверхностный монтаж; МОП-транзистор P-CH 8V 900MA SC70-3.s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: P-канал полевого МОП-транзистора, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 8 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 900 мА; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 336 мОм при 800 мА, 4,5 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 112 пФ.
CMS08 (TE12L) : Диоды, выпрямитель — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 1A 30V Schottky; RECT SCHOTTKY 30V 1A MFLAT. s: Тип диода: Шоттки; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 30 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 370 мВ при 1 А; Время обратного восстановления (trr): -; Ток — обратная утечка @ Vr: 1.5 мА при 30 В; Скорость: быстрое восстановление.
VSIB4A60-E3 / 45 : Мостовой выпрямитель на дискретных полупроводниках, 2,3 А, 600 В, однофазный; ДИОД 4А 600В SGL МОСТ 4SIP.
s: Тип диода: Однофазный; Упаковка / футляр: 4-SIP, GSIB-5S; Упаковка: туба; Время обратного восстановления (trr): -; Скорость: стандартное восстановление> 500 нс,> 200 мА (Io); Ток — постоянный ток вперед (если): 2.3А; Напряжение — пиковое обратное (макс.): 600 В; Тип установки :.
MA3S132DGL : Диоды, выпрямитель — матричный дискретный полупроводниковый прибор 100 мА (постоянный ток) 80 В стандарт; ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ДИОДНЫЙ 80V 100MA SSMINI.s: Тип диода: Стандартный; Конфигурация диода: 1 пара общего анода; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 80 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 100 мА (постоянный ток); Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1,2 В при 100 мА; Ток — обратная утечка.
S2004VS2 : Scr — отдельный дискретный полупроводниковый прибор 4A, чувствительный вентиль, 200 В; SCR SENSITIVE 200V 4A TO-251AA. s: SCR Тип: Чувствительный вентиль; Напряжение в выключенном состоянии: 200 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.
): 4А; Сила тока во включенном состоянии (It (AV)) (макс.): 2.5А; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 200А; Ток — удержание (Ih) (макс.): 6 мА; Сила тока — без ремонта. Скачок 50, 60 Гц.
L4004L558 : Симисторный дискретный полупроводниковый прибор, 4 А, 400 В, логика — чувствительный вентиль; TRIAC SENS 400V 4A ISO TO-220. s: Симистор Тип: Логический — Чувствительный вентиль; Конфигурация: Одноместный; Напряжение в выключенном состоянии: 400 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 4А; Напряжение — триггер затвора (Vgt) (макс.): 1,3 В; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 5 мА; Ток при удержании (Ih) (макс.): 10 мА.
2SC1318ARA : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт 500 мА 70 В 750 мВт NPN; ТРАНС НПН 70ВЦЭО 500МА ТО-92. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 70 В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 500 мА; Мощность — макс .: 750 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.
) @ Ic, Vce: 120 @ 150 мА, 10 В; Насыщенность Vce (макс.) При Ib, Ic: 600 мВ при 30 мА, 300 мА.
2SA06840R : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 1A 50V 1W PNP; ТРАНС ПНП 50VCEO 1A TO-92L.s: Тип транзистора: PNP; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 1А; Мощность — Макс: 1 Вт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 120 при 500 мА, 10 В; Насыщение Vce (макс.) При Ib, Ic: 400 мВ при 50 мА, 500 мА; Частота.
2SA0720ARA : Транзистор (bjt) — отдельный дискретный полупроводниковый прибор 500 мА, 70 В, 625 мВт, PNP; ТРАНС ПНП 70ВЦЭО 500МА ТО-92. s: Тип транзистора: PNP; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 70 В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 500 мА; Мощность — Макс: 625 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 150 мА, 10 В; Насыщенность Vce (макс.) При Ib, Ic: 600 мВ при 30 мА, 300 мА.
FDMS3602S : МОП-транзистор 2N-CH 25V 15A / 26A POWER56.
Технология Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET обеспечивает высокую удельную мощность для высокоэффективных решений, обеспечивая самый низкий доступный RDS (ON), улучшенный FOM и меньшее рассеивание мощности. Превосходные коммутационные характеристики и низкий уровень коммутационного шума. Более низкий уровень звона коммутационного узла: в синхронном режиме не требуется внешний демпфер.
% PDF-1.4
%
3 0 obj
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.34 103./ как [YWF> r Jk Չ ‘% uH.c ᓟ, p]} 9xE2_
конечный поток
эндобдж
11 0 объект
> / XObject >>> / Annots [8 0 R 9 0 R] / Parent 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >>
эндобдж
13 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
14 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
15 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
16 0 объект
> поток
x10Ew⏰i: @ VDI% D ڥ i # 3 ‘얖 tk
֎ BA) `v-YlWEL & = Sj \ FqyHU] CUox5 |] wa5Y۳Bȥ
) 0su & HI / KT sk0N8> H
конечный поток
эндобдж
17 0 объект
> / XObject >>> / Аннотации [13 0 R 14 0 R 15 0 R] / Родитель 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >>
эндобдж
19 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.
RͶ} ERX9 ~ s [d-Ka ܻ ~ ° laYkh
~ P Ջ D) \> RR’A K;> = N˶8 HGoFoFo
конечный поток
эндобдж
24 0 объект
> / XObject >>> / Аннотации [19 0 R 20 0 R 21 0 R 22 0 R] / Родитель 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >>
эндобдж
26 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
27 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
28 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3,34 103,45 10,74] >>
эндобдж
29 0 объект
> / Подтип / Ссылка / C [0 0 1] / Граница [0 0 0] / Прямоугольник [63 3.NLLL˛547
конечный поток
эндобдж
32 0 объект
> / XObject >>> / Аннотации [26 0 R 27 0 R 28 0 R 29 0 R 30 0 R] / Родительский 5 0 R / MediaBox [0 0 612 792] >>
эндобдж
2 0 obj
>
эндобдж
1 0 объект
> / ExtGState> / XObject> / Font >>> / Length 61726 / BBox [0 0 612 792] >> поток
xǑW? cLP բ VlRXX $ 1 *
MBR3045CT Серия
DtSheet- Загрузить
MBR3045CT серии
Открыть как PDF- Похожие страницы
- Серия MBR30100PT
- KERSEMI MBR1045PBF
- KERSEMI VS-MBR3035CT-1PbF
- КЕРСЕМИ В. С.
- KERSEMI MBR4045CT
- IRF 63CPQ100
- IRF 61CTQ045
- MBR1645 серии
- N-D92-02
- MBR1545CT 、 Серия MBR1560CT
- Серия НКСД400-100
- НЕЛЛСЕМИ НКСД300-100
- МАРЛ 743-615-00-50
- Серия NKS100-150 — 勿 動
- MBRH6045PT N1388 РЕД. — — Sangdest Microelectronics (Нанкин)
- Серия NKS200-150 — 勿 動
- Серия MBR6060PT — 勿 動
- Серия NKS100-100
- Серия NKS200-100
- Серия НКСД400-150
- NELLSEMI 300DR04BM
- NELLSEMI N
С.
— — Sangdest Microelectronics (Нанкин) dtsheet © 2021 г.
MBR3045CT-1TRL Техническое описание — Выпрямитель Шоттки, 2 x 15 A
ХАРАКТЕРИСТИКИ
C Управление TJ Центральный кран в корпусе TO-247 Без содержания свинца механическая прочность и влагостойкость Защитное кольцо для повышенной прочности и долговременной надежности Не содержит свинца (Pb) (суффикс «PbF») Разработано и соответствует промышленному уровню
Модель MBR30..WTPbF Выпрямитель Шоттки с центральным ответвлением оптимизирован для очень низкого прямого падения напряжения с умеренной утечкой. Запатентованная барьерная технология обеспечивает надежную работу при температуре перехода 150 ° C. Типичные области применения — импульсные источники питания, преобразователи, диоды свободного хода и обратная защита аккумуляторных батарей.
СИМВОЛ IF (AV) IFRM VRRM IFSM 5 с синус 20 Apk, 125 C Диапазон ХАРАКТЕРИСТИКИ Прямоугольная форма волны (на устройство) 125 C (на ногу) ЗНАЧЕНИЯ до 150 UNITS C
ПАРАМЕТР Максимальное обратное напряжение постоянного тока Максимальное рабочее пиковое обратное напряжение СИМВОЛ VR VRWM MBR3045WTPbF 45 ЕДИНИЦ В
ПАРАМЕТР Максимальный средний прямой ток на каждую ногу на устройство СИМВОЛ IF (AV) IFRM УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ = 125 C, номинальный VR Номинальный VR, прямоугольная волна, 20 кГц, 5 с, синус, 3 с, прям.
импульсный Непериодический пиковый импульсный ток IFSM После любых условий номинальной нагрузки и с применением номинального VRRM ЗНАЧЕНИЯ A ЕДИНИЦЫ
Импульс, приложенный в условиях номинальной нагрузки, полуволна, одна фаза, 60 Гц Пиковый повторяющийся обратный импульсный ток IRRM s 1,0 кГц
* Концевые заделки, содержащие свинец, не соответствуют требованиям RoHS, могут применяться исключения Номер документа: 94293 Версия: 14 августа 2008 г. По техническим вопросам обращайтесь: [email protected] www.vishay.com 1
Vishay High Power Products Выпрямитель Шоттки, 15 AСИМВОЛ ПАРАМЕТРА 30 A Максимальное прямое падение напряжения VFM 30 A Максимальный мгновенный обратный ток Пороговое напряжение Прямое наклонное сопротивление Максимальная емкость перехода Типичная последовательная индуктивность Максимальная скорость изменения напряжения Примечание (1) Ширина импульса <300 с , рабочий цикл 2% IRM (1) VF (TO) CT LS dV / dt = TJ максимум = 5 В постоянного тока (диапазон тестового сигнала от 100 кГц до 1 МГц) 25 C Измерено от верха клеммы до монтажной плоскости Номинальные УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ VR 125 C ЗНАЧЕНИЯ пФ нГн В / с В ЕДИНИЦЫ
ПАРАМЕТР Максимальный диапазон температур перехода Максимальный диапазон температур хранения Максимальное тепловое сопротивление, переход к корпусу на каждую ногу Типичное тепловое сопротивление корпуса к радиатору Приблизительный минимальный максимальный вес Тип корпуса TO-247AC (JEDEC) СИМВОЛ TJ TStg RthJC RthCS Работа на постоянном токе Монтажная поверхность, гладкая и Смазанная смазка УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ ЗНАЧЕНИЯ 175 1.
40 C / Вт г унций кгс см (фунт-сила-дюйм) ЕДИНИЦЫ C
Рис. 1 — Характеристики максимального падения напряжения в прямом направлении (на каждую ногу)
Рис. 2 — Типичные значения обратного тока в зависимости от обратного напряжения (на каждую ветвь)
Рис. . Обратное напряжение (на ножку)
Рис. 4 — Характеристики максимального теплового сопротивления ZthJC (на ножку)
Выпрямитель Шоттки, 2 x 15 A
Интегральные схемы
Дискретные компоненты
Разъемы и структурные элементы
Монтажный блок Модули и аксессуары
Источники питания и модули питания
Электронные материалы
Контрольно-измерительный прибор
Электроинструменты и материалы
Мехатроника
Обработка и настройка
MBR3045CT — GOODARK | X-ON
MBR3035CT через MBR30150CT
Тайваньский полупроводник
СОЗДАТЬ ИСКУССТВОМ
Выпрямитель Шоттки с двойным общим катодом
ОСОБЕННОСТИ
— Низкие потери мощности, высокая эффективность
— Защитное кольцо для защиты от перенапряжения
— Высокая стойкость к импульсным токам
— Соответствует директиве RoHS 2011/65 / EU и
в соответствии с WEEE 2002/96 / EC
— Без галогенов в соответствии с определением IEC 61249-2-21
К-220АБ
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Корпус: TO-220AB
Формовочная масса, класс горючести UL 94V-0
Базовый P / N с суффиксом «G» в коде упаковки — без галогенов
Базовый P / N с префиксом «H» на коде упаковки — соответствует требованиям AEC-Q101.
Клемма: выводы с матовым луженым покрытием, под пайку в соответствии с JESD22-B102
Встречайте тест на усы JESD 201, класс 1A,
с префиксом «H» на коде упаковки соответствует требованиям JESD 201, класс 2, испытание на усы.
Полярность: как указано
Монтажный момент: максимум 5 дюймов на фунт
Вес: 1.9 г (приблизительно)
МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЬНЫЕ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (T = 25, если не указано иное)
А
MBR MBR MBR MBR MBR MBR MBR
СИМВОЛ ПАРАМЕТРА 3035 3045 3050 3060 3090 30100 30150 ЕДИНИЦА
КТ КТ КТ КТ КТ КТ
Максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение В
35 45 50 60
150 В RRM Максимальное среднеквадратичное напряжение В 24 31 35 42 63 70105 В RMS Максимальное напряжение блокировки постоянного тока В 35 45 50 60
150 В
ОКРУГ КОЛУМБИЯ
Максимальный средний прямой выпрямленный ток I 30 A
F (AV)
Пиковый повторяющийся прямой ток
I 30 А
FRM
(Номинальный VR, прямоугольная волна, 20 кГц)
Пиковый прямой импульсный ток, 8.Одинарная полусинусоидальная волна 3 мс
я
200 А
FSM
накладывается на номинальную нагрузку
Пиковый повторяющийся обратный импульсный ток (Примечание 1) I 1,0 0,5 A
RRM
Максимальное мгновенное прямое напряжение (Примечание 2)
I = 15 А, Т = 25 0,7 0,77 0,84
0,95
F J
I = 15 А, Т = 125 В
F Дж 0,6 0,67 0,70 0,92 В
F
I = 30А, Т = 25
Ф Дж 0,82 -0,94
1.
02
I = 30А, Т = 125
F J
0,73 — 0,82 0,98
0,2 0,1
Максимальный обратный ток при номинальном VR T = 25
J
I мА
р
Т = 125
Дж 15 10 7,5
5
Скорость изменения напряжения (номинальное В)
dV / dt 10000 В / с
р
О
Типичное термическое сопротивление R 1.0 1,5
JC C / W
О
Диапазон рабочих температур перехода T — 55 … +150
J C
О
Диапазон температур хранения T — от 55 до +150
СТГ C
Примечание 1: tp = 2,0 с, 1,0 кГц
Примечание 2: Импульсный тест с PW = 300 с, рабочий цикл 1%
Номер документа: DS_D1308040 Версия: J13MBR3035CT через MBR30150CT
Тайваньский полупроводник
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
ЗЕЛЕНОЕ СОЕДИНЕНИЕ AEC-Q101
КОД УПАКОВКИ УПАКОВКА
ЧАСТЬ №
КВАЛИФИЦИРОВАННЫЙ КОД
MBR30xxCT Префикс «H» C0 Суффикс «G» TO-220AB 50 / Тубус
Примечание 1: «xx» определяет напряжение от 35 В (MBR3035CT) до 150 В (MBR30150CT).
ПРИМЕР
ЗЕЛЕНОЕ СОЕДИНЕНИЕ AEC-Q101
ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЙ КОД УПАКОВКИ ОПИСАНИЕ
ЧАСТЬ №КВАЛИФИЦИРОВАННЫЙ КОД
MBR3060CT C0 MBR3060CT C0
MBR3060CT C0G C0 G Зеленый компаунд
MBR3060CT
MBR3060CTHC0 MBR3060CT H C0 Соответствует AEC-Q101
РЕЙТИНГИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ КРИВЫЕ
(TA = 25, если не указано иное)
РИС.
