Мэмс гироскопы. МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² соврСмСнных Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°Ρ… двиТСния: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ пСрспСктивы развития

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния. Как устроСны ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ МЭМБ-аксСлСромСтры ΠΈ гироскопы. Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ МЭМБ-сСнсоры Π² соврСмСнной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ прСимущСства ΠΈ пСрспСктивы развития МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² сСнсорикС.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния

МЭМБ (микроэлСктромСханичСскиС систСмы) — это тСхнология создания ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Ρ… устройств, ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… мСханичСскиС ΠΈ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ 1 Π΄ΠΎ 100 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² пространствС.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния:

  • АксСлСромСтры — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ ускорСниС
  • Гироскопы — ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния
  • ΠœΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля

БовмСстноС использованиС этих Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΠΈ (IMU) для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСлСния полоТСния ΠΈ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ пространствС.


ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ МЭМБ-аксСлСромСтров

МЭМБ-аксСлСромСтры ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ускорСниС, Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π½Π° ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚. Π˜Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ основан Π½Π° рСгистрации смСщСния ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ массы ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ корпуса Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ускорСния.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты конструкции МЭМБ-аксСлСромСтра:

  • ПодвиТная инСрционная масса Π½Π° ΡƒΠΏΡ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ подвСсС
  • НСподвиТныС элСктроды
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигнала

ΠŸΡ€ΠΈ воздСйствии ускорСния инСрционная масса смСщаСтся, измСняя Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСктродами. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ прСобразуСтся Π² элСктричСский сигнал, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ.

Устройство ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° МЭМБ-гироскопов

МЭМБ-гироскопы ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ вращСния ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π°. Π˜Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия основан Π½Π° эффСктС ΠšΠΎΡ€ΠΈΠΎΠ»ΠΈΡΠ°, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ массы.

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ элСмСнты конструкции МЭМБ-гироскопа:

  • Π’ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСмСнт (Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€)
  • БистСма элСктродов для возбуТдСния ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ
  • ЕмкостныС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ для рСгистрации смСщСний
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ сила ΠšΠΎΡ€ΠΈΠΎΠ»ΠΈΡΠ°, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ колСбания Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, пСрпСндикулярном оси вращСния. Амплитуда этих ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости вращСния.


ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ области примСнСния МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния

МЭМБ-аксСлСромСтры ΠΈ гироскопы нашли ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… областях соврСмСнной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ:

  • Π‘ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π½ΡˆΠ΅Ρ‚Ρ‹ — ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ экрана, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ТСстами
  • Носимая элСктроника — фитнСс-Ρ‚Ρ€Π΅ΠΊΠ΅Ρ€Ρ‹, ΡƒΠΌΠ½Ρ‹Π΅ часы
  • ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ элСктроника — систСмы бСзопасности, навигация
  • ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Π°Ρ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠ° — ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ оборудования
  • Π ΠΎΠ±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ° — стабилизация, навигация Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‚ΠΎΠ²
  • БистСмы Π²ΠΈΡ€Ρ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ

ΠœΠ°Π»Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ энСргопотрСблСниС ΠΈ нСвысокая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΡ… Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ Π² самыС Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ устройства.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² производствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²

ИспользованиС МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния с ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками:

  • ΠœΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ (ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 5 ΠΌΠΌ)
  • НизкоС энСргопотрСблСниС (Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ’Ρ‚)
  • Высокая Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • Π£ΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ мСханичСским воздСйствиям
  • Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ сСнсора ΠΈ элСктроники ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅
  • Низкая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ массовом производствС

Π­Ρ‚ΠΈ прСимущСства ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΡƒΡŽ элСктронику ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ систСмы.


Π’Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния

На Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ МЭМБ-сСнсоров двиТСния Π΄ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ряд ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ:

  • STMicroelectronics — Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ Π² производствС МЭМБ-аксСлСромСтров
  • Bosch Sensortec — ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ для ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ элСктроники
  • InvenSense (TDK) — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ для ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств
  • Analog Devices — высокоточныС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ для ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ
  • Murata — ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ гироскопы для стабилизации изобраТСния

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ постоянно ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² с ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ характСристиками.

ΠŸΠ΅Ρ€ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Ρ‹ развития МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² сСнсорикС

Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ МЭМБ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности Π² области Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния:

  • Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ°Ρ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ точности ΠΈ сниТСниС Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²
  • Π˜Π½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² сСнсоров Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅
  • Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ энСргопотрСблСния Π΄ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΠ²Π°Ρ‚Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня
  • ИспользованиС Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² (Π³Ρ€Π°Ρ„Π΅Π½, Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ галлия)
  • Π Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΡ… МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²

Π­Ρ‚ΠΈ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ позволят ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ систСмы опрСдСлСния двиТСния ΠΈ позиционирования для самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.



микроэлСктромСханичСскиС систСмы, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ 1 / Аналитика

Наномир Π½Π° Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ являСтся своСго Ρ€ΠΎΠ΄Π° Ρ„Ρ€ΠΎΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠΌ – ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΌ ΠΊΡ€Π°Π΅ΠΌ Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠΊΠ° Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‚ ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅-ΠΏΠΈΠΎΠ½Π΅Ρ€Ρ‹. А Π²ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΈΡ€ ΡƒΠΆΠ΅ достаточно Π΄Π°Π²Π½ΠΎ освоСн ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΌ вовсю ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ. ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ, самым Π²ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ микроструктур, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ людьми, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ MEMS – микроэлСктромСханичСскиС систСмы.

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ MEMS дСлят Π½Π° Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: сСнсоры – ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ пСрСводят Ρ‚Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Π΅ физичСскиС воздСйствия Π² элСктричСский сигнал, ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ (ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства) – систСмы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ сигналов Π² Ρ‚Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‹Π΅ дСйствия. Π’ этой части ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈ MEMS.

ΠŸΠΎΠΆΠ°Π»ΡƒΠΉ, самыми Β«Ρ‚Ρ€Π΅Π½Π΄ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈΒ» ΠΈΠ· MEMS-сСнсоров ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния. Они Π² послСднСС врСмя постоянно Π½Π° слуху: Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ приставки, Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠΈ всС Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΈ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΡΠ½Π°Π±ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ аксСлСромСтрами (Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ускорСния) ΠΈ гироскопами (Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°).

Π’ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ видСоприставках Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ двиТСниям ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² основном, Ρ‡Ρ‚ΠΎ называСтся, «для ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠΎΠ»Π°Β». А Π²ΠΎΡ‚ Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ… аксСлСромСтры Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ: ΡƒΠ»Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ТСсткий диск ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π° ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€ΠΊΡƒΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ, диска, Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ. Π’ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ использованиС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ – ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π° ΠΈΡ… основС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ чСстныС систСмы стабилизации изобраТСния.

ΠšΠ»Π°ΡΡΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ гироскоп ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Ρ†Π° XIX Π²Π΅ΠΊΠ°. Π—Π°ΡΡƒΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Π² iPhone ΠΈΠ»ΠΈ дТойстик Wii довольно-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ

Π’ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ, Ρ€Π°ΡΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π΅Π΅ – Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹ Π½Π° Wii, функция автоматичСского ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠΈ Π½Π° iPhone, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π° винчСстСра ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ Π±Π΅Π· смазывания – Π΄Π΅Π»ΠΎ Π½Π΅Π±Π»Π°Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ€Π½ΠΎΠ΅. ΠŸΠΎΠΊΡƒΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡΠΌ нравится ΠΈ Ρ‚ΠΎ, ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅, ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅, ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Π² послСднСС врСмя ΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния.

Π‘Π»Π°Π³ΠΎ, возмоТностСй Ρƒ Π½ΠΈΡ… для этого прСдостаточно: Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ (ΠΈΠ· массовых индустрий ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° устройства) ΡƒΠΆΠ΅ нСсколько дСсятилСтий Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ… бСзопасности ΠΈ Π°Π½Ρ‚ΠΈΠ±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… систСмах Ρ‚ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠ·ΠΎΠ².

Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡ΠΈΠΏΡ‹ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹, Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ†Π΅Π»Ρ‹ΠΌ рядом ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ производятся Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… количСствах, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ†Π΅Π½Ρ‹ Π΄Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ сбиты Π΄ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΠ°. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ MEMS-аксСлСромСтр сСгодня обходится Π² нСсколько Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ² Π·Π° ΡˆΡ‚ΡƒΠΊΡƒ.

И мСста Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ – всСго Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ. Для ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°, Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ корпуса ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠ³ΠΈΡ€ΠΎΡΠΊΠΎΠΏΠ° Epson XV-8000 составляСт 6×4,8×3,3 ΠΌΠΌ, Π° трСхосного аксСлСромСтра LIS302DL производства ST Microelectronics – всСго лишь 3x5x0,9 ΠΌΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ устройства с корпусом ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ – сам кристалл Π΅Ρ‰Π΅ мСньшС.

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ двиТСния Epson XV-8000. И это Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ самый ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ MEMS-сСнсор

На сСгодняшний дСнь Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ популярны Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния, основанныС Π½Π° кондСнсаторном ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅. ПодвиТная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ систСмы – классичСский Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊ Π½Π° подвСсах. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ускорСния Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊ смСщаСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΠΉ части аксСлСромСтра. Обкладка кондСнсатора, прикрСплСнная ΠΊ Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊΡƒ, смСщаСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ Π½Π° Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΠΉ части. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ мСняСтся, ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ зарядС мСняСтся напряТСниС – это ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ смСщСниС Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊΠ°. ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π°, зная Π΅Π³ΠΎ массу ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ подвСса, Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈ искомоС ускорСниС.

Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ кондСнсаторных аксСлСромСтров

Π­Ρ‚ΠΎ тСория. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅, MEMS-аксСлСромСтры устроСны Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° составныС части – Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊ, подвСс, корпус ΠΈ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ кондСнсатора – Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ-Ρ‚ΠΎ просто. БобствСнно, изящСство MEMS Π² Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ здСсь удаСтся (Π° Π²Π΅Ρ€Π½Π΅Π΅, попросту приходится) ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ сразу нСсколько ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ².

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ простой, Π½ΠΎ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ MEMS-аксСлСромСтр Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Sandia Labs

Π—Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ, соврСмСнныС MEMS-гироскопы устроСны ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ аксСлСромСтрам. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎ Π² Π½ΠΈΡ… значСния ускорСний ΠΏΠΎ осям ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² значСния ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° – конструкция ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ‚Π° ΠΆΠ΅, Π½ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ другая Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°.

Гироскоп L3G4200D производства ST Microelectronics ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² iPhone 4

Π’ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅ STM L3G4200D, фотография с большим ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

Однако Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ гироскопы, устройство ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… «Π·Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅Π½ΠΎ» ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ MEMS – ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π°ΡΠΈΠ²Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ….

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ гироскоп ST Microelectronics – LYPR540AH

ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½ STM LYPR540AH. Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ этой Π°ΠΆΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ конструкции – ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 3 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½!

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ MEMS-гироскоп

Помимо кондСнсаторных Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ MEMS-аксСлСромСтры, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹. НапримСр, Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ, основанныС Π½Π° ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Π΅. ВмСсто смСщСния ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΎΠΊ кондСнсатора, Π² аксСлСромСтрах Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° происходит Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊΠ° Π½Π° ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π». Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π² ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠ·Π°ΠΆΠΈΠ³Π°Π»ΠΊΠ°Ρ… – ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм Π΄Π΅Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. Из значСния напряТСния, зная ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ систСмы, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ силу, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΈΠΊ Π΄Π°Π²ΠΈΡ‚ Π½Π° кристалл – ΠΈ, соотвСтствСнно, Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ искомоС ускорСниС.

Основной ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ аксСлСромСтров Π½Π° ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ…

Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ экзотичСский Ρ‚ΠΈΠΏ MEMS-аксСлСромСтров – Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ускорСния. Π’ Π½ΠΈΡ… Π² качСствС основного ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ горячий ΠΏΡƒΠ·Ρ‹Ρ€Π΅ΠΊ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡƒΠ·Ρ‹Ρ€Π΅ΠΊ отклоняСтся ΠΎΡ‚ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π° систСмы, это отслСТиваСтся Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. Π§Π΅ΠΌ дальшС смСстился ΠΏΡƒΠ·Ρ‹Ρ€Π΅ΠΊ – Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ускорСния.

Двухосный Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ акслСромСтр

МСнСС популярный Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ… ΠΈ обсуТдСниях, Π½ΠΎ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ массовый Ρ‚ΠΈΠΏ MEMS-устройств – микроскопичСскиС ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Ρ‹. ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ-Ρ‚Π°ΠΊΠΈ, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнными систСмами этого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ основаны Π½Π° кондСнсаторном ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅.

УстроСны ΠΎΠ½ΠΈ – ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ Π½Π΅ΠΊΡƒΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π΅ всСго Π΄Π²Π°: это гибкая ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° – ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Π°, ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ толстая, нСподвиТная ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°. Под воздСйствиСм давлСния Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π° ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Π° смСщаСтся, измСняСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ°ΠΌΠΈ – ΠΏΡ€ΠΈ постоянном зарядС измСняСтся напряТСниС. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ ΠΈ частоты Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ влияниС давлСния Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π° Π½Π° Π½Π΅ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΡƒ, эта ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠ° пСрфорируСтся. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠ΄ Π½Π΅ΠΉ дСлаСтся ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большая ниша с ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ вСнтиляционным отвСрстиСм. ИдСя Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ СдинствСнным ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ элСмСнтом Π² систСмС Π² ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Π° – ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ½Π°.

микроэлСктромСханичСский ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ микроскопом. Π”ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½Ρ‹ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ большС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°

Как ΠΈ Π² случаС с аксСлСромСтрами, здСсь ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использован ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ — Π² этом случаС ΠΏΠΎΠ΄ ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½ΠΎΠΉ ставится ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠΊΡ€ΠΈΡΡ‚Π°Π»Π». Π”Π°Π»ΡŒΡˆΠ΅ – ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² случаС ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΠ°ΠΊΡΠ΅Π»Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²: Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π° пСрСдаСтся ΠΌΠ΅ΠΌΠ±Ρ€Π°Π½ΠΎΠΉ Π½Π° ΠΏΡŒΠ΅Π·ΠΎΡΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΏΠΎΠ΄ этим воздСйствиСм кристалл Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ. НапряТСниС измСряСтся ΠΈ пСрСводится Π² Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΈ частоту Π·Π²ΡƒΠΊΠ°.

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹ΠΉ MEMS-ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Akustica (ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ кристалла – 1 ΠΊΠ².ΠΌΠΌ) тСряСтся рядом со своими Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ родствСнниками

Π’ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ годится для Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈ для измСрСния давлСния Π² ΠΈΠ½Ρ‹Ρ… областях. ΠŸΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Ρ‹ MEMS-систСмы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² качСствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² давлСния. НСслоТно Π΄ΠΎΠ³Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ сСнсоры находят Π² ΡƒΠΉΠΌΠ΅ областСй.

Но ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, которая являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ интСрСсной ΠΈ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ спСцифичной для Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² давлСния, основанных Π½Π° MEMS-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Π°. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅. Если Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Β«ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉΒ», макроскопичСский Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ, Ρ‚ΠΎ с кровСносным сосудом Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ фокус, ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Π½Π΅ получится. Π’ΡƒΡ‚ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ.

Π£Π»ΡŒΡ‚Ρ€Π°ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ высокоточный Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ давлСния Π½Π° Ρ„ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ½Π΅Ρ‚Ρ‹ (ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ эквивалСнтна Π½Ρ‹Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠΌ русским 50 ΠΊΠΎΠΏΠ΅ΠΉΠΊΠ°ΠΌ)

РазумССтся, Π² ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Π΅ вострСбованы Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ давлСния. БущСствуСт мноТСство микроскопичСских Π±ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… массу Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ – ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π΄ΠΎ уровня Π³Π»ΡŽΠΊΠΎΠ·Ρ‹. Π•ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ устройства, Π²Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ микроскопичСских систСм ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ лСкарств. И, разумССтся, Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡƒΡ‡Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² срСди макроустройств.

ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏ Ρ‰ΠΈΠΏΡ†ΠΎΠ² для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ…ΠΈΡ€ΡƒΡ€Π³ΠΈΠΈ Π³Π»Π°Π·Π°. Π Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ‰ΠΈΠΏΡ†ΠΎΠ² – порядка 1,5Ρ…1,5 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°. Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π³ΡƒΠ± – нСсколько дСсятков ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½. ЧСловСчСский волос этими Ρ‰ΠΈΠΏΡ†Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Ρ†Π΅ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ получится – ΠΎΠ½ для Π½ΠΈΡ… слишком толстый

Π§Ρ‚ΠΎ ΠΆ, Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ ΠΎ MEMS-сСнсорах ΠΌΡ‹ Π½Π° этом Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠΌ. Π’ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΈ Ρƒ нас Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ интСрСсная ΠΈ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠ°: MEMS-Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹. ΠŸΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΊΠΈ струйных ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Ρ‹, элСмСнты ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠΎ-Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… сСтСй ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅. ΠžΠ±Π΅Ρ‰Π°Π΅ΠΌ: скучно Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚!

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ сСрии:

  • MEMS: микроэлСктромСханичСскиС систСмы, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ 2
  • MEMS: микроэлСктромСханичСскиС систСмы, Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ 3

МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ двиТСния ΠΎΡ‚ STMicroelectronics: аксСлСромСтры ΠΈ гироскопы

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ МЭМБ-аксСлСромСтров ΠΈ гироскопов обусловлСна ΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ для использования ΠΊΠ°ΠΊ Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅. МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ для управлСния ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠΊΠ°ΠΌΠΈ бСзопасности, ΠΈ Π² ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠΉ сигнализации, Π² Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСмах для исчислСния ΠΏΡ€ΠΎΠΉΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ опрСдСлСния ΠΌΠ°Ρ€ΡˆΡ€ΡƒΡ‚Π° слСдования. Π‘ 2008 Π³. компания STMicroelectronics Π·Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ·ΠΈΡ†ΠΈΠΈ Π² производствС МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния для ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники, ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… систСм.

Π’ настоящСС врСмя STMicroelectronicsΒ β€” ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ Π² производствС МЭМБ-аксСлСромСтров (см. Ρ‚Π°Π±Π». 1). Компания выпускаСт Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ 200-ΠΌΠΌ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… пластин, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ ΡΠ΅Π±Π΅ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1. Π”ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ° Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² основных ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ МЭМБ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ для сСктора Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники ΠΈ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ

Π”ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ с ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ Π² 2006 Π³., ΠΌΠ»Π½ Π΄ΠΎΠ»Π».

Π”ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ с ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ Π² 2007 Π³., ΠΌΠ»Π½ Π΄ΠΎΠ»Π».

Π”ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ с ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ Π² 2008 Π³., ΠΌΠ»Π½ Π΄ΠΎΠ»Π».

ΠŸΡ€ΠΈΡ€ΠΎΡΡ‚ Π² 2007-2008 Π³Π³., %

Π”ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ МЭМБ-ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ

STMicroelectronics

30,6

96,8

221,2

128

АксСлСромСтры, гироскопы

Analog Devices

43,6

74,7

68,9

-8

АксСлСромСтры, гироскопы

Epson Toyocom

13,2

35,9

62,2

73

Гироскопы ΠΈ МЭМБ-Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹

Panasonic

39,3

46,4

49,2

6

МЭМБ-гироскопы

Avago Technologies

103,9

143,5

210,9

47

ΠŸΡŒΠ΅Π·ΠΎΠ°ΠΊΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ МЭМБ-Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Ρ‹

Texas Instruments

457,4

305,0

174,9

-43

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ DLP-модуляторы для ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π·Π°Π΄Π½Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ

Knoles

82,8

93,7

119,8

28

МЭМБ-ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Ρ‹

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ достоинства Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ ST

ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΉ разброс ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… издСлия. Π˜Π·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ тСхнологичСском Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π΅ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ практичСски Π½Π΅ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΌΡ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρƒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².
Высокая Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ МЭМБ-устройств Π² основном ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ управляСмыС тСхнологичСскиС процСссы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ издСлия с ΠΆΠ΅Π»Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ характСристиками.
ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ микросхСм позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ микромСханичСскиС ΠΈ оптичСскиС ΡƒΠ·Π»Ρ‹ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ², Ρ‡Π΅ΠΌ это Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ тСхнологиям.
Высокая Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠœΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ издСлия ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ изготовлСния Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСм ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ устройствС позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ систСмы достаточно большой слоТности Π² ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½ΠΎΠΌ корпусС.
Π£Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ характСристики функционирования. ЭлСктронная Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ элСктричСскиС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ связи с Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠ°ΠΌΠΈ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ характСристики ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ частоты, ЭМБ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ сигнал/ΡˆΡƒΠΌ ΠΈ Ρ‚. Π΄. Высокая Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСмСнтов ΠΈ ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ исполнСниС совмСстно с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмой ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΡΠ΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ исполнСния мСханичСских ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… характСристики.
Высокая Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ внСшним воздСйствиям. Π€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², приводящих ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ надСТности ΠΈ стойкости ΠΊ внСшним воздСйствиям ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ МЭМБ, достаточно ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ зависят ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° издСлия ΠΈ Π΅Π³ΠΎ примСнСния. ΠœΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ ΡƒΠ·Π»Ρ‹ МЭМБ Π² условиях Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ благодаря ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ ΠΈ массС, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ„Π°ΠΊΡ‚Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ мСханичСскиС ΡƒΠ·Π»Ρ‹ располоТСны Π² корпусС МЭМБ, Π°ΠΌΠΎΡ€Ρ‚ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΈ конструкциСй ПП.
Низкая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ МЭМБ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ мСханичСской, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ элСктронной частСй устройства, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ элСктроника ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π² МЭМБ-ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… соСдинСний ΠΈ, Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях, ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСм.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ сСкторы примСнСния аксСлСромСтров ΠΈ гироскопов

β€“Β Π˜Π³Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ консоли.
– Бтабилизация изобраТСния Π² Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ- ΠΈ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ….
β€“Β ΠšΡƒΡ€ΡΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ для ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… интСрфСйсов ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.
β€“Β Π Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ GPS-Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ (систСмы счислСния ΠΏΡ€ΠΎΠΉΠ΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ).
– БистСмы управлСния Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π² Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅.
– Бтабилизация ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ оборудования.

ВСхнология ΠΈ конструкция МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния ST

Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ МЭМБ, ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ тСхнологичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ микросхСмы. АксСлСромСтр ΠΈ гироскоп ST состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… элСмСнтов:
β€“Β ΠœΠ­ΠœΠ‘-ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ микромСханичСского Смкостного сСнсора, Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Ρƒ;
– схСмы ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигнала, ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сигналы этого сСнсора Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ сигналы.
Для сниТСния стоимости, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ надСТности, помСхозащищСнности ΠΈ плотности ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° компания ST совмСщаСт ΠΎΠ±Π° этих устройства Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΎΠΌ корпусС (см. рис.Β 1).

Рис. 1. ИспользованиС Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ конструкции для стыковки Π΄Π²ΡƒΡ… кристаллов

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ МЭМБ-сСнсора двиТСния

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ сСнсоров двиТСния (аксСлСромСтров ΠΈ гироскопов) основан Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΈ смСщСния ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ массы ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ корпуса ΠΈ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π² ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСктричСский сигнал. Емкостной ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ прСобразования ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ пСрСмСщСния являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ, поэтому СмкостныС аксСлСромСтры ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Смкостного аксСлСромСтра состоит ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… пластин, ΠΎΠ΄Π½ΠΈ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ стационарными, Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ свободно ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ корпуса. Емкости Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€ рСзонансного Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°. Под дСйствиСм ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСктричСских сигналов подвСшСнная масса ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ колСбания. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ пластинами образуСтся кондСнсатор, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Смкости ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ расстояния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ. Под влияниСм силы ускорСния Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ кондСнсатора мСняСтся. На рисункС 2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° топология МЭМБ-сСнсора ST.

Рис. 2. Вопология МЭМБ-сСнсора ST

Π’ конструкции МЭМБ-сСнсоров для аксСлСромСтров ΠΈ гироскопов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ камСртонная систСма элСктродов. Π”Π²Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ массы ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ колСбания ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ осям.
Π‘ появлСниСм ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости сила ΠšΠΎΡ€ΠΈΠΎΠ»ΠΈΡΠ° прикладываСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… направлСниях. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌΠ°Ρ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Смкостная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° ΡƒΠ³Π»Ρƒ пСрСмСщСния. ΠŸΡ€ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ ускорСнии Π²Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ прилоТСния сил для ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… масс Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Π° Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π’ МЭМБ-сСнсорах физичСскоС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ массы ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹Ρ… элСктродов прСобразуСтся Π² элСктричСский сигнал Π·Π° счСт Смкостного прСобразования.

БСмСйство МЭМБ-аксСлСромСтров ST

АксСлСромСтры ST, Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, способны ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ускорСниС ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… направлСниях. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ смСщСния измСряСтся ΠΈ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ интСрфСйса прСобразуСтся Π² Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал. На рисунках 3 ΠΈ 4 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы ΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ характСристики Π΄Π²ΡƒΡ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² с Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

Рис. 3. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ аксСлСромСтра ST

Рис. 4. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ аксСлСромСтра ST

Π’ сводной Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 2 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ основныС характСристики Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² аксСлСромСтров

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 2. БСмСйство МЭМБ-аксСлСромСтров STMicroelectronics

Π’ΠΈΠΏ

Число осСй чувств.

UΠΏΠΈΡ‚, Π²

Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅ΠΉΡ

Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π’/g

Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ измСрСния, g

Π’ΠΈΠΏ корпуса, Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, ΠΌΠΌ

AIS326DQ

3

3…3,6

SPI

β€”

Β±2/Β±6

QFPN-28 7Γ—7Γ—1,9 ΠΌΠΌ

AIS226DS

2

SO-16L

LIS202DL

2,16…3,60

I2C/SPI

Β±2/Β±8

LGA 3,0Γ—5,0Γ—1,0

LIS244AL

2,40…3,60

Аналоговый

0,42

Β±2

LLGA 4,0Γ—4,0Γ—1,5

LIS302DL

3

2,16…3,60

I2C/SPI

β€”

Β±2/Β±8

LGA 3,0Γ—5,0Γ—1,0

LIS331AL

3,00…3,60

Аналоговый

0,478

Β±2

LLGA 3,0Γ—3,0Γ—1,0

LIS3LV02DL

2,16…3,60

I2C/SPI

β€”

Β±2/Β±6

LGA 4,0Γ—7,5Γ—1,0

LIS3LV02DQ

QFPN 7,0Γ—7,0Γ—1,9

LIS3L02AL

2,40…3,60

Аналоговый

0,66

Β±2

LGA 5,0Γ—5,0Γ—1,6

LIS331DL

2,16…3,60

I2C/SPI

β€”

Β±2/Β±8

LLGA 3,0Γ—3,0Γ—1,0

ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° Π² Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ число осСй Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° (2 ΠΈΠ»ΠΈ 3). Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° Π² суффиксС ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ интСрфСйса (DΒ β€” digital ΠΈΠ»ΠΈ AΒ β€” analog).
STAIS226DS, AIS326DQΒ β€” Π΄Π²ΡƒΡ…- ΠΈ трСхосСвыС аксСлСромСтры, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ –40…105Β°C. Полоса пропускания: 640 Π“Ρ†. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ функция самотСстирования.
LIS202DLΒ β€” ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ двухосСвой аксСлСромСтр с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ энСргии. Π£ Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ встроСнныС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Π² Ρ‚.Ρ‡. распознаваниС ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠ°. АксСлСромСтр ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ простых ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… дСйствий, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡΠ²ΡΠ·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠ° с Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Π·Π²ΠΎΠ½ΠΎΠΊ мобильного Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ³Π»ΡƒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ°Ρ€ΠΌΠ°Π½Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. ΠŸΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… стандартных Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… интСрфСйсов: SPI ΠΈΠ»ΠΈ I2C. ВстроСнныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ самотСстирования ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° послС ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ.
LIS244AL, LIS344ALΒ β€” ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΡƒΡ…- ΠΈ трСхосСвыС аксСлСромСтры для измСрСния Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ ускорСния. Они ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ корпусС двухосСвой МЭМБ-Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅ΠΉΡΠ½ΡƒΡŽ микросхСму, которая Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π΄Π²Π° нСзависимых Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… напряТСния: ΠΎΠ΄Π½ΠΎ для ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅Β β€” для ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ. АксСлСромСтры ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈ минимальном ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ энСргии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ особСнно Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для систСм с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. ВстроСнныС элСмСнты самотСстирования ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΈ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ части устройства. БСнсоры ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, ΠΊΡ€ΠΈΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΊ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ корпуса ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ энСргии: ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠ΅ интСрфСйсы; ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ систСмы; дистанционноС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ; ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ энСргии с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ двиТСния, спортивныС ΠΈ мСдицинскиС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹. АксСлСромСтры LIS244ALH, LIS344ALH Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ сСриям LIS244AL ΠΈ LIS344AL, Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ: Β±2 ΠΈΠ»ΠΈ Β±6g.
LIS302DLΒ β€” ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ускорСния для систСм Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ ТСстких дисков, создания бСсконтактных интСрфСйсов Π² соврСмСнных ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ Π½ΠΎΡƒΡ‚Π±ΡƒΠΊΠ°Ρ…. АксСлСромСтры Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² пластмассовом корпусС с Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ 3Γ—5Γ—0,9 ΠΌΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ экономит мСсто ΠΈ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ вСс ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ². ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚Ρ‹ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ²Β β€” Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ энСргии (1 ΠΌΠ’Ρ‚) ΠΈ высокая ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π°ΠΌ с ускорСниСм Π΄ΠΎ 10000g. Для считывания Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… выбираСтся ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… доступных стандартных интСрфСйсов — SPI ΠΈΠ»ΠΈ I2C. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Π²Π° нСзависимых ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… сигналов прСрывания. Π”Π²Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… сигнала прСрывания ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ свободного падСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°, устанавливаСмого ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ. Оба сигнала ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для контроля ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ установлСнных ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ² для Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ измСряСмых ускорСний.
На сСгодняшний дСнь трСхосный Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ МЭМБ-аксСлСромСтр LIS302DLH, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ с 16-разрядным ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, являСтся самым Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ Π² ΠΌΠΈΡ€Π΅ срСди ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… устройств — Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π΅Π³ΠΎ корпуса составляСт всСго 0,75Β ΠΌΠΌ, Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ основания — 3Γ—5 ΠΌΠΌ.
НизкоС напряТСниС питания ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для использования Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ… с Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΠ° Π² состоянии покоя ΠΈ отсутствия ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ сигнала находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ энСргопотрСблСния с автоматичСской Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ двиТСния. Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ измСрСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов: Β±8 Π³. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ сигнал пСрСдаСтся Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ интСрфСйсы I2C/SPI Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ нСпосрСдствСнноС ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ систСмному процСссору Π±Π΅Π· использования Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ². Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ LIS302DLH ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ совмСстим c Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ трСхосСвыми аксСлСраторами сСмСйства Piccolo, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ LIS302DL ΠΈ LIS35DE, обСспСчивая Ρ‚Π΅ΠΌ самым высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ (сохранСниС совмСстимости ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… возмоТностСй). ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΡ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ аксСлСромСтра LIS302DLH Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π² сСбя Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ обнаруТСния двиТСния; Ρ‚Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ сигнализации ΠΎ смСнС ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² пространствС; обнаруТСния состояния свободного падСния; ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π° уровня Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ.
LIS3LV02DLΒ β€” трСхосСвой Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ аксСлСромСтр c ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ 12- ΠΈΠ»ΠΈ 16-разрядным прСдставлСниСм Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… интСрфСйса (SPI/I2C), ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ потрСблСния ΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния питания сСнсор ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π΄ΡƒΡ€Ρƒ самотСстирования, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡƒΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² исправности устройства. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ прСрывания ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ускорСния свободного падСния. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΉ установки ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° значСния ускорСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… осСй, устройство выдаст сигнал прСрывания. LIS3LV02DL доступСн Π² пластмассовом корпусС LGA16. Π Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ составляСт –40…85Β°C.
LIS3LV02DQΒ β€” трСхосСвой аксСлСромСтр для измСрСния Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ускорСния со стандартными Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ интСрфСйсами SPI/I2C. Π’ LIS3LV02DQ полосу пропускания ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ обСспСчСния, позволяя Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌ эффСктивно ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ условия измСрСния. Как ΠΈ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ устройствС, Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠΉ установки ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π°, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ устройство Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π°Π½ΠΈΠ΅. Π­Ρ‚Π° информация ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°Π΅Ρ‚ быстро ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ пСрСмСщаСтся Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ вычислСния.
LIS331AL, LIS331DLΒ β€” трСхосСвыС, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅, ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅, экономичныС МЭМБ- аксСлСромСтры класса Β«Π½Π°Π½ΠΎΒ». Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ энСргии ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ вибрациям ΠΈ ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π°ΠΌ с ускорСниями Π΄ΠΎ 10000g. Нанодатчики двиТСния ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ ST ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ с нСбольшими ускорСниями для Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… устройств, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ интСрфСйсы двиТСния ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ Π² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах, обнаруТСния свободного падСния для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π½Π° ТСстком дискС, обнаруТСния ΠΈ компСнсации Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅. ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π΄Π²Π° стандартных Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… интСрфСйса SPI ΠΈ I2C. ΠŸΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ любой ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ…. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ΡΡ встроСнныС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ распознаваниС ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠ°, ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· состояния покоя ΠΈ двиТСния, Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Ρ‹ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΈΡ… частот ΠΈ Π΄Π²Π΅ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ прСрывания. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ обСспСчиваСт ΠΏΠΎΠ»Π½ΡƒΡŽ ΡˆΠΊΠ°Π»Ρƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Β±2,0g, Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ. ВстроСнныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ самотСстирования ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ послС установки Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ. LIS331DLF, LIS331DLM, LIS331DLHΒ β€” 6-, 8- ΠΈΠ»ΠΈ 12-разрядныС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ с Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ pin-to-pin- ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎ-совмСстимыми.
ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² являСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ускорСния, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π½Π° ΠΈΡ… основС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½, Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π°, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ полоТСния Π² пространствС, силу ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ.

БСмСйство МЭМБ-гироскопов ST

БСмСйство гироскопов содСрТит трСхосСвыС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ (Yaw, Pitch ΠΈ Roll). На рисункС 5 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ направлСния ΠΈ названия Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… осСй Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ плоскости корпуса.

Рис. 5. РасполоТСниС Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… осСй Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ МЭМБ-гироскопа ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ корпусу

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ гироскопов являСтся Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΒ β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΊ измСнСнию ΡƒΠ³Π»Π° ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°.
ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Zero-rate Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ смСщСниС Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ связано с Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ΠΉ изготовлСния ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ послС ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° микросхСмы. Оно ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π°Π±ΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ гироскопа LYPR540AH

– НапряТСниС питания: 2,7…3,6 Π’.
β€“Β Π Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ (–40…85Β°C).
– 3 нСзависимых Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.
– Диапазон ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ ΡˆΠΊΠ°Π»Ρ‹: ΠΎΠΏΡ†ΠΈΠΈ Β±400 ΠΈ Β±1600 dps.
– Высокая ΡƒΠ΄Π°Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.
– ВстроСнноС самотСстированиС.
ОбъСдинСниС аксСлСромСтра ΠΈ гироскопа позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ систСмы (Inertial Movement Units, IMU).

Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ

ST ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ FC30, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ прСдставляСт собой Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ 3D-ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π² пространствС ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройств, Π² частности, для использования Π² элСктронных Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ…. ВстроСнный Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ обСспСчиваСт слСТСниС Π·Π° ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ плоскости экрана дисплСя ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° плоскости экрана Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ оси производится ΠΈ ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ изобраТСния, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ.
Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ позволяСт ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ экрану Π² процСссС Π½Π°Π²ΠΈΠ³Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΌ графичСском интСрфСйсС.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

АктивноС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств Π²ΠΎΠ·Π²Π΅Π»ΠΎ аксСлСромСтры (Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ускорСния, пСрСмСщСния ΠΈ ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ) Π² разряд Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… массовых ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² соврСмСнной ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ. К 2010 Π³. рост Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° МЭМБ-аксСлСромСтров составит 14,1%, Π° с 2011 ΠΏΠΎ 2012 Π³Π³. оТидаСтся ΡƒΠ΄Π²ΠΎΠ΅Π½ΠΈΠ΅ этого сСгмСнта. ΠœΠ°ΡΡΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ использованию Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² аксСлСромСтров способствовало ΠΈΡ… сущСствСнноС ΡƒΠ΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅Β β€” Π² 2008 Π³. Ρ†Π΅Π½Π° МЭМБ-Ρ‡ΠΈΠΏΠ° снизилась Π΄ΠΎ 1 Π΄ΠΎΠ»Π». ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅. Π’ настоящСС врСмя 40% выпускаСмых аксСлСромСтров Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ своС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π° Π² ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½Π°Ρ… ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ элСктроникС ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ лишь 22% всСго объСма этих Ρ‡ΠΈΠΏΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ этом доля Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ примСнСния Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. К 2013 Π³. Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ аксСлСромСтров вырастСт Π΄ΠΎ 1,7Β ΠΌΠ»Ρ€Π΄Β Π΄ΠΎΠ»Π». УспСх Apple iPhone способствовал росту ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ микроэлСктромСханичСских систСм. К ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π³ΠΎΠ΄Π° 10% ΠΈΠ· всСх поставлСнных ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… насчитываСтся 1,29 ΠΌΠ»Ρ€Π΄, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»ΠΈ МЭМБ-аксСлСромСтры. Π’Ρ‹Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠ° ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆ всСх Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² МЭМБ для ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ 2012 Π³. достигнСт 1,3 ΠΌΠ»Ρ€Π΄ Π΄ΠΎΠ»Π». ВострСбованы МЭМБ-аксСлСромСтры ΠΈ гироскопы Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… консолСй. Π’ блиТайшиС Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ оТидаСтся рост спроса Π½Π° МЭМБ-устройства для ПК.

Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°

1. АлСксандр Π Π°ΠΉΡ…ΠΌΠ°Π½. STMicroelectronicsΒ β€” ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ Π² производствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² двиТСния//Новости элСктроники β„–Β 2, 2009.
2. АндрСй Π•ΠΌΠ°Π½ΠΎΠ². Π˜Π½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ STMicroelectronics.
3.Β Π’Π΅Π±-сСминар β€œΠœEМS Gyroscopes: Their main applications, internal structure, working principles”.
4. Datasheet. LYPR540AH МЭМБ motion sensor: 3 axis analog output gyroscope.
5.Β AN2041 Application note LIS3LV02DQ: 3-axis β€” Β±2g/Β±6g Digital Output Low Voltage Linear Accelerometer.

ΠŸΠ°ΡΡΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ оптичСский гироскоп Π½Π° основС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° для измСрСния ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости

  • Mohammadi M, Birjandi MAM (2015) ОснованиС пятипортового дСлитСля мощности Π½Π° столбчатом Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ кристаллС. Π˜Ρ€Π°Π½ J Sci Technol 39 (E1): 93–100

    Google Scholar

  • Π›ΡŽ Π’., Захарян А.Π ., Π€Π°Π»Π»Π°Ρ…ΠΈ М. (2004) ΠœΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСский Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ мощности Π½Π° основС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ. J Lightwave Technol 22 (12): 2842–2846

    Артикул Google Scholar

  • Foghani S, Kaatuzian H, Danaie M (2010) ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ T-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского сплиттСра. ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ XL(4):863–872

    Google Scholar

  • ДТоаннопулос Π”.Π”., ДТонсон Π‘.Π“., Π’ΠΈΠ½Π½ Π”.Н., Мид Π .Π”. (2008) Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ кристаллы: Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° свСта, 2-Π΅ ΠΈΠ·Π΄. Π˜Π·Π΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΠΎΠ½ΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ унивСрситСта, ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΡΡ‚ΠΎΠ½

    Google Scholar

  • Wu Z, Xie K, Yang H (2012) Бвойства Π·Π°ΠΏΡ€Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов с ромбичСской Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΊΠΎΠΉ. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΊ 123:534–536

    Артикул Google Scholar

  • Yang D, Wang B, Chen X, Wang C, Ji Y (2017) БвСрхкомпактная ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠ½Π°Ρ сСнсорная ΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΡ†Π° Π½Π° кристаллС Π½Π° основС ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ кристалличСского Π½Π°Π½ΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° с большим свободным ΡΠΏΠ΅ΠΊΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ высокой Π΄ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. IEEE Photon J 9(4), ст. β„– 4

    2

    Google Scholar

  • Williams C, Banan B, Cowan G, Liboiron-Ladouceur O (2016) Бинхронная с источником Π°Ρ€Ρ…ΠΈΡ‚Π΅ΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ с Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠΎΠ΄ для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… мСТсоСдинСний Π½Π° кристаллС. IEEE J Sel Top Quantum Electron 22(6), Art. β„– 8300109

    Артикул Google Scholar

  • Арафа Π‘., Π‘ΡƒΡˆΠ΅ΠΌΠ°Ρ‚ М., Π‘ΡƒΡˆΠ΅ΠΌΠ°Ρ‚ Π’., Π‘Π΅Π½ΠΌΠ΅Ρ€Ρ…ΠΈ А. (2017) Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ биосСнсорный массив Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ кристаллС с использованиСм прослоСнных полостСй H0. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ конфСрСнция ΠΏΠΎ Π½Π°Π½ΠΎΡ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎ/Π½Π°Π½ΠΎΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ (НАНОП), 139

  • Fallahi V, Seifouri M, Olyaee S, Alipour-Banaei H (2017) Π§Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ оптичСский Π΄Π΅ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΏΠ»Π΅ΠΊΡΠΎΡ€ Π½Π° основС Π³Π΅ΠΊΡΠ°Π³ΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСских ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ². Opt Rev 24(4):605–610

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • «>

    Robinson S, Dhanlaksmi N (2017) БиосСнсор Π½Π° основС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… кристаллов для опрСдСлСния ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π³Π»ΡŽΠΊΠΎΠ·Ρ‹ Π² ΠΌΠΎΡ‡Π΅. Photonic Sens 7(1):11–19

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ КАБ Google Scholar

  • Оляи Π‘., ΠœΠΎΡ…Π΅Π±Π·Π°Π΄Π΅ Π‘Π°Ρ…Π°Π±Π°Π΄ΠΈ А. (2015) Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°Π½ΠΎ-Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ кристаллС для примСнСния Π² биосСнсорах. Opt Quant Electron 47(7):1881–1888

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ КАБ Google Scholar

  • Sheng Li J (2014) Π‘Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ€Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π° Π½Π° основС Π’-ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ фотоникокристалличСского Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°. ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΊ 125:3221–3223

    Артикул Google Scholar

  • Seifouri M, Fallahi V, Olyaee S (2018) ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ свСрхвысокой добротности Π½Π° основС ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ кристаллС. Photon Netw Commun 35(2):225–230

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • «>

    ΠœΠΎΡ…Π΅Π±Π·Π°Π΄Π΅-Π‘Π°Ρ…Π°Π±Π°Π΄ΠΈ А., Оляи Π‘. (2018) ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ оптичСскиС логичСскиС Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ НЕ ΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π˜Π›Π˜ с использованиСм Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского Π½Π°Π½ΠΎΡ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π½Π° основС эффСкта ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ. ИЭВ ΠžΠΏΡ‚ΠΎΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ 12(4):191–195

    Артикул Google Scholar

  • Оляи Π‘., Π‘Π΅ΠΉΡ„ΡƒΡ€ΠΈ М., ΠœΠΎΡ…Π΅Π±Π·Π°Π΄Π΅-Π‘Π°Ρ…Π°Π±Π°Π΄ΠΈ А., Π‘Π°Ρ€Π΄Π°Ρ€ΠΈ М. (2018) РСализация ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ оптичСских логичСских элСмСнтов НЕ ΠΈ ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π˜Π›Π˜ Π½Π° основС эффСкта ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΈ с высокой ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€Π°ΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ свСрхкомпактными Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌΠΈ. ΠžΠΏΡ†ΠΈΡ Quant Electron 50(11):1–12

    CAS Google Scholar

  • Π¨ΠΎΠΉΠ΅Ρ€ Π”ΠΆ., Π―Ρ€ΠΈΠ² А. (2006) Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ Баньяка Π² Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… структурах Π·Π°ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСта со связанными Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ. Phys Rev Lett 96:053901

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • Π¨ΠΎΠΉΠ΅Ρ€ Π”ΠΆ. (2016) ΠŸΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΊΠ²Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΡˆΡƒΠΌΠ° связанных Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… оптичСских Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² оптичСского вращСния с рСзонансными Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. J Opt Soc Am B 33(9)

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ КАБ Google Scholar

  • Zhang H, Chen J, Jin J, Lin J, Zhao L, Bi Z, Huang A, Xiao Z (2016) ВстроСнная модуляция для измСрСния вращСния гироскопа Π½Π° основС ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² сочСтании с ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠœΠ°Ρ…Π° – Π¦Π΅Π½Π΄Π΅Ρ€Π°. Научный ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ 6

  • Passaro VMN, Tullio CD, Troia B, Notte ML, Giannoccaro G, Leonardis FD (2012) ПослСдниС достиТСния Π² области ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ 12

  • Mancinelli M, Guider R, Masi M, Bettotti P, Vanacharla MR, Fedeli J, Pavesi L (2011) ΠžΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ характСристика устройства SCISSOR. Opt Express 19:13664–13674

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • ΠŸΠ°ΡΡΠ°Ρ€ΠΎ Π’.М.Н., Π”Π΅Π»Π»β€™ΠžΠ»ΠΈΠΎ Π€., Π§ΠΈΠΌΠΈΠ½Π΅Π»Π»ΠΈ Π‘., АрмСнизС М.Н. (2009 Π³.) Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ химичСскоС Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² SOI со связанными слотами. Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ 9:1012–1032

    Артикул КАБ Google Scholar

  • Sun B, Chen F, Chen K, Hu Z, Cao Y (2012) ВстроСнный Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ оптичСского элСктричСского поля ΠΎΡ‚ 10 ΠΊΠ“Ρ† Π΄ΠΎ 18 ΠΊΠ“Ρ†. IEEE Photon Technol Lett 24:1106–1108

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ КАБ Google Scholar

  • Scheuer J, Steinberg BZ (2009) Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ вращСния. Π¨ΠŸΠΠ™

  • Ciminelli C, Dell’Olio F, Campanella CE, Armenise MN (2010) Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ для измСрСния ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости. Adv Opt Photon 2(3), 370–404

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • Wang Z, Yang Y, Lu P, Li Y, Zhao D, Peng C, Zhang Z, Li Z (2014) ΠŸΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ дСполяризованный интСрфСромСтричСский Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠΎΠ½Π½ΠΎ-оптичСский гироскоп Π½Π° основС оптичСской компСнсации. IEEE Photon J 6(1), ст. β„– 7100208

    Google Scholar

  • «>

    Komljenovic T, Tran MA, Belt M, Gundavarapu S, Blumenthal DJ, Bowers JE (2016) Π›Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹ с частотной модуляциСй для интСрфСромСтричСских оптичСских гироскопов. Opt Lett 41(8)

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ КАБ Google Scholar

  • Π”Π΅Ρ€Π±Π°Π»ΠΈ Π”ΠΆ., АбдСльМалСк Π€., Обайя Π‘.Π‘.А. (2011) Π”ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°. ΠžΠΏΡ†ΠΈΡ Quant Electron 42(8):463–472

    Артикул Google Scholar

  • Nacer S, Aissat A (2013) Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСскиС Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ. ΠžΠΏΡ†ΠΈΡ Quant Electron 45(5):423–431

    Артикул КАБ Google Scholar

  • Π‘Π°Π½ΠΊΠ°Ρ€ Π”Π°Ρ‚Ρ‚Π° Π₯., Пал Π‘. (2013) Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСской Π²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ для биозондирования Π½Π° основС показатСля прСломлСния. ΠžΠΏΡ†ΠΈΡ Quant Electron 45(9):907–917

    Артикул Google Scholar

  • «>

    ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΊΠΈΠ½ Π“.Π‘. (2014) Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ Баньяка Π² ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈ ΠΊΠΎΠ»ΡŒΡ†Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…. Как ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ прСломлСния оптичСской срСды влияСт Π½Π° Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Π²Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ? Π’Π“Π” Π½Π°ΡƒΠΊΠ°. УЀН 57(7):714–720

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • Chen W, Lou S, Wang L, Zou H, Lu W, Jian S (2011) Π’Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΡ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ кручСния Π½Π° основС ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Баньяка с использованиСм Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π° с Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ. IEEE Photon Technol Lett 23: 1639–1641

    Артикул Google Scholar

  • Tam HY, Khijwania SK, Dong XY (2007) Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎ-интСнсивный Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ давлСния с использованиСм ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Баньяка Π½Π° основС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π° с сохранСниСм поляризации. Π’: Proceedings of Optical Fiber Communication and Optoelectronics Conference, Π¨Π°Π½Ρ…Π°ΠΉ, ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ, 17-19 октября 2007 Π³., стр. 345–347

  • «>

    Fu HY, Tam HY, Shao LY, Dong X, Wai PK, Lu C, Khijwania SK ( 2008) Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊ давлСния, Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Ρ„Π΅Ρ€ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° Баньяка Π½Π° основС Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ-кристалличСского Π²ΠΎΠ»ΠΎΠΊΠ½Π° с сохранСниСм поляризации. Заявка ΠžΠΏΡ†ΠΈΡ 47: 2835–2839

    Артикул КАБ Google Scholar

  • Ciminelli C, Olio FD, Campanella CE, Armenise MN (2010) Π€ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ для измСрСния ΡƒΠ³Π»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ скорости. Adv Opt Photon 2:370–404

    Π‘Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ Google Scholar

  • Terrel M, Digonnet MJF, Fan S (2009) Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ характСристик оптичСских гироскопов со связанными Ρ€Π΅Π·ΠΎΠ½Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ для ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ свСта. ЛазСрная Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°, Ρ€Π΅Π΄. 3(5):452–465

    Артикул Google Scholar

  • COMSWORLD 2021 ВСзисы | Mancef

    Comsworld 2021 Abstracts

    ДостиТСния Π² ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅ΠΌ

    Dr.
    Alessandro Rocchi, Hanking Electronics. ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ сСгодня Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ коммСрчСскоС Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ 1980-Π΅ ΠΈ 1990-Π΅ Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ растущих Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ бСзопасности Π½Π° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅, сначала с Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ аксСлСромСтрами MEMS для ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ бСзопасности, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ с Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ гироскопами для контроля устойчивости автомобиля.

    Однако ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ 2006 Π³ΠΎΠ΄Π° с запуском Nintendo Wii, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ настоящий Π²Π·Ρ€Ρ‹Π² ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств MEMS. Π’ основС успСха Wii Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ аксСлСромСтр Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Wiimote, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ пространствС. ВСхнология, которая вскорС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ принята Apple для своСго ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ iPhone ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π° нСсколькими Π³ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, Π² 2010 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ, с iPhone4, Π³Π΄Π΅ гироскоп Π±Ρ‹Π» Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ аксСлСромСтру, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ IMU Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

    Π‘ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства MEMS ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прилоТСния Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройствах, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ изобраТСния для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠΉ интСрфСйс для Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ простоты использования, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹ для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Однако, глядя Π½Π° сСгодняшниС ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ МЭМБ-устройства послС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ 20-Π»Π΅Ρ‚Π½Π΅Π³ΠΎ коммСрчСского успСха, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ Π²Π΅Ρ‰ΠΈ: ASP снизился Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π² 10 Ρ€Π°Π·, Π° Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ ΠΈ тСхнология практичСски Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ. ЯвляСтся Π»ΠΈ это ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ устройства MEMS ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ своСму ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ?

    БостояниС производства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π² Индии

    Chetan Arvind Patil

    Π˜Π½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ (IMU) микроэлСктромСханичСских систСм (MEMS) становятся всС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ популярными, ΠΈ сСгодня ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π² самых Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… прилоТСниях.

    ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ коммСрчСскоС Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΡˆΠ»ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ 1980-Ρ… ΠΈ 1990-Ρ… Π³ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΏΠΎΠ΄ Π΄Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ растущСго спроса Π½Π° Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅, сначала с Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ аксСлСромСтрами MEMS для ΠΏΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠ΅ΠΊ бСзопасности, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ с Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ гироскопами для контроля устойчивости автомобиля.

    Однако ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π΄ΠΎΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ 2006 Π³ΠΎΠ΄Π° с запуском Nintendo Wii, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ настоящий Π²Π·Ρ€Ρ‹Π² ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств MEMS. Π’ основС успСха Wii Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ аксСлСромСтр Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Wiimote, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ пространствС. ВСхнология, которая вскорС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ принята Apple для своСго ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ iPhone ΠΈ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π° нСсколькими Π³ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ·ΠΆΠ΅, Π² 2010 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ, с iPhone4, Π³Π΄Π΅ гироскоп Π±Ρ‹Π» Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»Π΅Π½ Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ аксСлСромСтру, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π·Π°Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ IMU Π² ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

    Π‘ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ устройства MEMS ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прилоТСния Π² ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… устройствах, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡŽ изобраТСния для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠΉ интСрфСйс для Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΈ простоты использования, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ³Ρ€Ρ‹ для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Однако, глядя Π½Π° сСгодняшниС ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ МЭМБ-устройства послС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ 20-Π»Π΅Ρ‚Π½Π΅Π³ΠΎ коммСрчСского успСха, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ Π²Π΅Ρ‰ΠΈ: ASP снизился Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π² 10 Ρ€Π°Π·, Π° Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½ ΠΈ тСхнология практичСски Π½Π΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ. ЯвляСтся Π»ΠΈ это ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ устройства MEMS ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ своСму ΠΊΠΎΠ½Ρ†Ρƒ?

    ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΎΠΏΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠ΅ устройства ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π»ΠΈΠ΄Π°Ρ€Π°Ρ…

    Π­Π½Π΄Ρ€ΡŽ ΠžΠ»ΠΈΠ²Π΅Ρ€ ΠΈ Дэвид Π”ΠΈΠΊΠΊΠ΅Π½ΡˆΠΈΡ‚Ρ

    Π—Π° послСдниС Π΄Π²Π° дСсятилСтия Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° МЭМБ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π² высокоэффСктивныС устройства сканирования Π»ΡƒΡ‡Π°. Из-Π·Π° своСй нСбольшой массы Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° MEMS ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ быстрыми ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ устойчивыми ΠΊ Π²ΠΈΠ±Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹, ΡƒΡΠΊΠΎΡ€Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ мСханичСским ΡƒΠ΄Π°Ρ€Π°ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° большСго Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°. Π˜Ρ… нСбольшая масса ΠΈ инСрция ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ быстроС ускорСниС ΠΈ Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΎΠ΅ Π½Π°Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΡƒΡ‡Π°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, устройства MEMS ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ нСбольшиС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΈ часто ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ простыС элСктричСскиС интСрфСйсы. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ систСмы Π±Π΅Π· увСличСния Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°, вСса ΠΈΠ»ΠΈ мощности систСмы. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ рассматриваСтся соврСмСнноС состояниС Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π» МЭМБ с Π°ΠΊΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΈΡ… использованиС Π² Π»ΠΈΠ΄Π°Ρ€Π°Ρ…, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΊΠ°ΠΊ акадСмичСскиС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ коммСрчСскиС Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π² Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π΅ анализируСтся ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ этих Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ силы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ эти Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΡƒΠ΄Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅. НапримСр, Π² Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ дСсяти Π»Π΅Ρ‚ ΠΈ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, связанная с ΠΎΡ‚ΠΊΠ°Π·ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Π°, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ поставщиками.

    ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈ возмоТности ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ…, Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΡ…, растягиваСмых ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΊΠ°Π½Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π² IoT, носимых устройствах ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… прилоТСниях с большими объСмами

    Roger Grace

    Π’ ΠΏΡ€Π΅Π·Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ прСдставлСн ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ…, Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΡ…, растягиваСмых, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΊΠ°Π½Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ ΡΠΎΠΏΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ². элСктроники ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, доступных Π² настоящСС врСмя, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… возмоТностСй ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π‘ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ рассмотрСны ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΡ… поставщиков, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ основныС ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΠ½Π°Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΉ.

    Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΡ‹ для рассмотрСния Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚:

    • ΠœΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΈ прСимущСства использования этих Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ
    • ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚Π° Π²Π΅Ρ‰Π΅ΠΉ (IoT) ΠΈ носимых ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ
    • Вопросы производства для создания этих Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ³Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ ΠΈ сборки, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстных ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΒ»
    • ΠŸΡ€Π΅ΠΏΡΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΡ для ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ этих Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ стратСгии для достиТСния успСха Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅

    УспСшноС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСдицинского устройства, созданного ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ для ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΠΈ Π² БША

    Jen Baird

    Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½ΠΎΠ΅ мСдицинскоС устройство Π² БША, ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ FDA БША Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π°ΠΆΡƒ. Π’ этом Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅Π΄Π°Π²Π½ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ гСмодинамичСского статуса, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π­ΠšΠ“ для выявлСния ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠ² гСмодинамичСской Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² качСствС тСматичСского исслСдования. Π£Π·Π½Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΎ различиях, прСимущСствах ΠΈ нСдостатках Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнного ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ одобрСния мСдицинских устройств FDA, 510 (k), с ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ, прСдусмотрСнным для Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств, ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ De Novo. Π£ΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½Ρ‹ΠΉ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΡ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ амСриканского стартапа, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π²Π΅Π½Ρ‡ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π»ΠΎΠΌ, подСлится своими сСкрСтами успСха ΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π·Π° послСдниС Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π³ΠΎΠ΄Π°.

    Π£Ρ€ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΎΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„Π»ΡŽΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… стартапов HandyLab ΠΈ Celsee

    Kalyan Handique

    На этом тСматичСском сСминарС Калян расскаТСт ΠΎ своСм ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² для ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΠΊΠΎ-биологичСских Π½Π°ΡƒΠΊ ΠΈ диагностики Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄Π²Π° своих мСдицинских ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„Π»ΡŽΠΈΠ΄Π½Ρ‹Ρ… стартапа. ups HandyLab ΠΈ Celsee, прСдоставляя ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ Π² Π³Π΅Π½ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΠ΅ устройство HandyLab ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для диагностики мСдицинских Π·Π°Π±ΠΎΠ»Π΅Π²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΎ Becton Dickinson. Celsee ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΠ»Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ систСму обнаруТСния ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠΌ Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Π»Π° компания BioRad.

    ΠšΡ€ΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΠ΅Ρ€ΠΈΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ МЭМБ

    Π›ΡŽΡΠΈ Π₯ΡƒΠ°Π½Π³

    Π’ производствС пластин МЭМБ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ IDM, производящиС свои собствСнныС пластины МЭМБ. Π’ послСдниС Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ МЭМБ, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠΈ, выросли ΠΈ заняли Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ долю Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° Π½Π° растущих площадях, для ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… производятся МЭМБ-устройства. Наряду с ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΠ°ΠΌΠΈ Π±Π΅Π· производствСнных мощностСй Π·Π° послСднСС дСсятилСтиС выросли Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Ρ…Π° МЭМБ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ сначала ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΠΈ 100- ΠΈ 150-ΠΌΠΌ пластины, Π° Π² послСднСС врСмя Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ Π΄ΠΎ 200-ΠΌΠΌ пластин. Π’ этом Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Ρ‹Ρ… Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² МЭМБ-пластин, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ области роста для этой бизнСс-ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ.

    ВлияниС COVID-19 Π½Π° прилоТСния МЭМБ: ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ², Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ направлСния ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности

    Π›Π΅ΠΎΠ½Π°Ρ€Π΄ΠΎ Π‘Π°Π»Π°

    COVID-19 ΠΏΠΎ-Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΌΡƒ повлиял Π½Π° ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΈ. НапримСр, влияниС Π½Π° ΠΌΠ΅Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈ Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ пострадали ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. ВоздСйствиС Π½Π° ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠΉ, ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ. Π’ΠΎ врСмя ΠΏΠ°Π½Π΄Π΅ΠΌΠΈΠΈ спрос Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ МЭМБ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠ±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ ΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠ»ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Π² Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ°ΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ бСсконтактных Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ вырос, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обусловлСно Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ людСй. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„Π»ΡŽΠΈΠ΄ΠΈΠΊΠ° для сСквСнирования Π”ΠΠš ПЦР-диагностичСскиС тСсты для выявлСния COVID-19становятся всС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ популярными Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обусловлСно Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ с высокой Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ присутствиС вируса. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ количСство ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ давлСния ΠΈ расходомСров Π² Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚Π°Ρ… Π˜Π’Π› Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ расти ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ спроса со стороны ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ интСнсивной Ρ‚Π΅Ρ€Π°ΠΏΠΈΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΈΡ†. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ сообраТСния ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ COVID-19 ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ» ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ МЭМБ, Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ рассмотрСны Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π°.

    Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΈΠΊΠΈ Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ²

    ΠœΡΡ€ΠΈ Π­Π½Π½ ΠœΠ°Ρ…Π΅Ρ€

    Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² являСтся слоТной Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ ΠΈΠ·-Π·Π° использования ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ², процСссов изготовлСния ΠΈ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ. Π’ этом Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π΅ обсуТдаСтся, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΈΠΊΠΈ для Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ этих ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ ΠΈ облСгчСния сотрудничСства ΠΈ взаимодСйствия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ°ΠΌΠΈ проСктирования, модСлирования, производства ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅, физичСскоС производство ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… этапах процСсса проСктирования ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ конструкции ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π΄ΠΎ обучСния Π°Π»Π³ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΠΌΠ°ΠΌ искусствСнного ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π»Π»Π΅ΠΊΡ‚Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ тСстирования ΠΈ ΠΊΠ²Π°Π»ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ прСдставлСно Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ нСсколько ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈΡ… использования Π² Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π½Π° основС МЭМБ.

    Π—Π°ΠΌΠ΅Π½Π° тСстирования Π½Π° ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΎΠΌ для микрофизиологичСских систСм для ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΎΠ² Π½Π° Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ ΠΊ 2027 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ

    Π”ΠΆΠΎΠ½ Малкольм Уилкинсон, Π΄ΠΈΡ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎ тСхнологиям для ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ltd нСэтично, Ρ€Π°ΡΡ‚ΠΎΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с экономичСской Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΈ устарСло с Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния. Учитывая эти вСскиС Π°Ρ€Π³ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΡ€Π³Π°Π½ Π½Π° Ρ‡ΠΈΠΏΠ΅ (ООАК) ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ распространСния? Π’ этом Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основныС прСпятствия Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ внСдрСния Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ ΠΈ ООАБ Π² частности.
    ИзмСнСния Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ принятия Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ³ΠΌΡ‹. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ опираСтся Π½Π° ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ фактичСских Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΎ прСимущСствах Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΡƒΡΡ‚ΠΎΡΠ²ΡˆΠ΅ΠΉΡΡ Π΄ΠΎΠ³ΠΌΠΎΠΉ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ испытания Π½Π° ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. НовыС Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Π΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈ, Π½ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ финансирования исслСдований Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Ρ‚ΡŒ. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ нСдостаточны ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с финансированиСм, выдСляСмым Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ исслСдований Π½Π° ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ…. ΠŸΡ€Π΅ΠΏΡΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊ измСнСниям являСтся Π½Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ «инСрция», сколько активная кампания ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ ΠΈ частных Π»ΠΈΡ†, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΡ‚ продолТСния использования ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… для Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Ρ‹ своих собствСнных интСрСсов.

    Учитывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ использования ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… составляСт порядка 30 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ², Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ расходы Π½Π° исслСдования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, 7%, это соотвСтствуСт Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚Ρƒ Π² 210 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ², ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ использования ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ².
    По ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ°ΠΌ, Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚ исслСдований ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ² ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ составляСт ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 30 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€ΠΎΠ² Π² Π³ΠΎΠ΄.
    ΠŸΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π΅Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅Β ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°Π»ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ возмоТности для Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ прСдоставили финансированиС НИОКР, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π»ΠΈ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ΠΎΠ΄Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ измСнСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ историчСских ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² с использованиСм ΠΆΠΈΠ²ΠΎΡ‚Π½Ρ‹Ρ….

    Π•ΡΡ‚ΡŒ самыС ΠΎΠ±Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π½Π°ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€ΠΎΠ΄Π° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… странах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ НидСрланды ΠΈ ШвСция, Π½ΠΎ ΠΈ Π²ΠΎ всСм Π•Π‘, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠšΠΎΡ€ΠΎΠ»Π΅Π²ΡΡ‚Π²Π΅. Если эти ΠΈΠ½ΠΈΡ†ΠΈΠ°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ Ρ…ΠΎΡ‚ΡŒ частично ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²ΡƒΡ‚ массовый рост Π½Π° Π½Ρ‹Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… для тСстирования in vitro бСзопасности ΠΈ эффСктивности фармацСвтичСских ΠΏΡ€Π΅ΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ², космСтики, ΠΏΠΈΡ‰Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΠΊ ΠΈ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ…ΠΈΠΌΠΈΠΈ.

    Π§Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ памяти (DRAM) ΠΈ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ (SSD)

    ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΎ ΠœΠ΅Π·Π³Π΅Ρ€

    ΠŸΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ (энСргозависимая ΠΈ энСргонСзависимая) β€” ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΊΡ€ΡƒΠΏΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… сСгмСнтов Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Π‘ консолидациСй, с ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ стороны, ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Π³Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ находимся сСгодня, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ быстро Π²Π·Π³Π»ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ дальшС с Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ тСхнологиями памяти.

    Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° МЭМБ/ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π²ΠΎ Π’ΡŒΠ΅Ρ‚Π½Π°ΠΌΠ΅

    Π’ΠΎΠΌ НгуСн

    ВСхнология МЭМБ (микроэлСктромСханичСских систСм) ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π²ΠΎ всСм ΠΌΠΈΡ€Π΅ ΡƒΠΆΠ΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 50 Π»Π΅Ρ‚, со Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ тСхнологичСским прогрСссом ΠΈ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Устройства MEMS, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ MEMS ΠΈ ASICS для ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ сигналов, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ давлСния, аксСлСромСтры, гироскопы, ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Ρ‹, ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»Π° ΠΈ Ρ‚. Π΄., ΠΈ это Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· самых ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΎΠ±Π΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π½Π° сСгодня ΠΈ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ. для обслуТивания Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ…, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ мСдицинских Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΎΠ², ΠΈ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ расти ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π°ΡˆΡƒ ΠΏΠΎΠ²ΡΠ΅Π΄Π½Π΅Π²Π½ΡƒΡŽ Тизнь ΠΈ Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ ΠΆΠΈΠ²Π΅ΠΌ сСгодня ΠΈ Π² Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π³ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π°, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ½ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ воТдСния, IoT ΠΈ Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π½Π΅Ρ‚Π° всСго.

    Π’ контСкстС МЭМБ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² этом Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π΅ прСдставлСн Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ рост развития, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° МЭМБ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π²ΠΎ Π’ΡŒΠ΅Ρ‚Π½Π°ΠΌΠ΅.

    Π˜Π½Ρ„Ρ€Π°ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° для высокоскоростных испытаний ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈ тСстировании ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ² для Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… / 5G

    ΠœΡƒΡ€Ρƒ МСйяппан

    Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ сотовых сСтСй 5G ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π±ΠΎΠΉΠ½ΡƒΡŽ связь для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ поколСния с высокой Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ 5G прСдусматриваСт ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ² устройств, ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокиС скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… с мСньшими Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π³ΠΈΠΏΠ΅Ρ€ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… становятся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… потрСбностСй Π² Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ роста Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² связи с Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ потрСбностями Π² IoT ΠΈ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… вычислСниях.

    Π‘ ростом скорости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ для вычислСний ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π² микросхСмы тСстированиС высокоскоростных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ для ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Π½Π° основС DSP, трансимпСдансныС усилитСли, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΌΠ°Ρ…, становится всС Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π΅ΠΉ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅. ΠœΡ‹ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ Ρ‚Π΅ΡΡ‚ΠΎΠ²ΡƒΡŽ инфраструктуру, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ тСстированиС этих ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²/ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΉ, начиная с конструкции тСстового оборудования, срСды цСлостности сигнала, высокоскоростных тСстовых принадлСТностСй/надстроСк, доступных Π½Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΈΠΏΠ°, связанных с этим прСпятствий/ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ высокоскоростного тСстирования Π² крупносСрийном производствС. наряду с Π½Π°ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ тСндСнциями Π² быстром Π·ΠΎΠ½Π΄ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ Π³ΠΎΠ»Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… кристаллов.

    TDK Venture β€” ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²Π΅Π½Ρ‡ΡƒΡ€Π½Ρ‹Π΅ капиталисты, ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ успСх ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… высокотСхнологичных стартапов

    Николя БоваТ

    РСзюмС: Β«TDK Ventures β€” ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ Π²Π΅Π½Ρ‡ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ TDK, ΠΎΡ€ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π²Π΅Π½Ρ‡ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ„ΠΎΠ½Π΄Π°, ΠΈΠ½Π²Π΅ΡΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎ всСму ΠΌΠΈΡ€Ρƒ Π² стартапы Π½Π° Ρ€Π°Π½Π½ΠΈΡ… стадиях, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅. Π’ ΠΏΡ€Π΅Π·Π΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ рассказано, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ свои сообщСния ΠΊ CVC для достиТСния наибольшСго эффСкта.

    БСрия БША-ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ – китайскиС стратСгии ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ поставок

    Пол ΠšΡ€Π΅ΠΉΠΊ

    ВСхничСский Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΌ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ ΠšΠΈΡ‚Π°Ρ; Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ занавСс; ВсС эти выраТСния ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ΅ тСхнологичСскоС Ρ€Π°Π·ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π¨Ρ‚Π°Ρ‚Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ΠΌ. Π₯отя ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‚Π²Π΅Ρ€ΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ бСзопасности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ мСстных Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ для Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ΠΎΠ² использования обСспСчат тСхнологичСскоС сопСрничСство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π² блиТайшиС Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ станСт Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ интСнсивным. Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ отСчСствСнных ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² находится Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ этого, Π½ΠΎ это Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΡΠ°ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ поставок. Π­Ρ‚ΠΎ сыграСт ΠΆΠΈΠ·Π½Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ°ΡΡˆΡ‚Π°Π±ΠΎΠ² использования Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ Π² администрации Π‘Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π° ΠΈ Π·Π° Π΅Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°ΠΌΠΈ.

    ΠžΡ‚Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ отрасли МЭМБ Π·Π° 2020 Π³ΠΎΠ΄

    Π ΠΎΠ΄ΠΆΠ΅Ρ€ Π₯. ГрСйс/ΠŸΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚/Roger Grace Associates

    Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ исслСдованиС, Π½Π°Ρ‡Π°Ρ‚ΠΎΠ΅ Π² 1998 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ΡΡ Π΅ΠΆΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, отслСТиваСт Β«Π·Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΡŒΠ΅Β» отрасли МЭМБ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с элСктронной ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΎΠΉ. Π°Π½ΠΊΠ΅Ρ‚Π° для ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€ΡƒΠ³Π° Π»ΠΈΡ†, Π²ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² MEMS, для ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ ΠΈΡ… ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ 14 критичСским Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌ успСха для ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’ исслСдовании ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Β«ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π”Π΅Π»ΡŒΡ„ΠΈΒ», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ числа отраслСвых экспСртов ΠΈ Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠ½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ отличаСтся ΠΎΡ‚ исслСдований, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… большого количСства ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ статистичСски Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΠΌΡ‹Π΅ (ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Π½ΠΎΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅) ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ. Π•ΠΆΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ исслСдованиС табСля успСваСмости являСтся СдинствСнным Π² своСм Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΡΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠΌ инструмСнтом Π² сообщСствС МЭМБ. ЦСлью исслСдования являСтся ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Π°Ρ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ отрасли МЭМБ ΠΈ отслСТиваниС Π΅ΠΆΠ΅Π³ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ Ρ‚Π΅Π½Π΄Π΅Π½Ρ†ΠΈΠΉ. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ инфраструктуру, исслСдования Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°, исслСдования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ кластСра, Π·Π°Π½ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠ±Ρ‹Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π΅Π½Ρ‡ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π»Π°.

    ΠŸΠΈΡΡŒΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠΈ Π²Ρ‹ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ участниками Π² Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ дословным объяснСниям ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΎΠΊ. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ исслСдования стал Ρ†Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ инструмСнтом ΠΈ руководством для участников отрасли Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ОТидания ΠΎΡ‚ исслСдования этого Π³ΠΎΠ΄Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΡƒ воздСйствия всСмирной ΠΏΠ°Π½Π΄Π΅ΠΌΠΈΠΈ COVID Π½Π° ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΡΠ»ΡŒ МЭМБ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΈΠ· этого ΠΎΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ стратСгии ΠΏΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° ΠΈ устойчивости. ИсслСдованиС Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈ остаСтся СдинствСнным инструмСнтом исслСдования Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°, доступным участникам отрасли МЭМБ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΡ… голоса Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΡƒΡΠ»Ρ‹ΡˆΠ°Π½Ρ‹.

    ДСсятилСтиС ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ поставок ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ МЭМБ Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅

    Π”ΡƒΠ³ Бпаркс

    Π’ послСднСС дСсятилСтиС Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΠΉ всплСск роста инфраструктуры для производства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΈ МЭМБ. Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π³ΠΈΠ³Π°Π½Ρ‚Ρ‹ ИБ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Intel, Samsung, TSMC ΠΈ SK Hynix, построили 300-ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎ производству ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… пластин, Π° китайскиС Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ SMIC, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ построили Ρ‚Π°ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. ΠŸΠΎΡΡ‚Π°Π²Ρ‰ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ оборудования Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ установили Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСсурсы для ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ отрасли Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½Π°Ρ…. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этих инвСстиций Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° ​​на Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΈ сСгмСнт MEMS. Π’ ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ производства МЭМБ ΠΎΡ‚ 100- ΠΈ 150-ΠΌΠΌ пластин ΠΊ 200-ΠΌΠΌ пластинам, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ Π·Π°Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² государствСнных институтов ΠΊ коммСрчСским МЭМБ-Ρ„Π°Π±Ρ€ΠΈΠΊΠ°ΠΌ ΠΈ Π»ΠΈΡ‚Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ†Π΅Ρ…Π°ΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, сСгмСнт крупносСрийного производства МЭМБ Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ осущСствлялся послС ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ ΠΈ тСстирования пластин, Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ всю Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ производствСнного Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°, ΡΠ²ΡΠ·Π°Π½Π½ΡƒΡŽ с ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ пластин. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π΄ΠΎΠΊΠ»Π°Π΄ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ посвящСн основным ΠΈΠ³Ρ€ΠΎΠΊΠ°ΠΌ, тСхнологиям, инвСстициям, ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°ΠΌ ΠΈ связанным с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ возмоТностями МЭМБ Π² ΠšΠΈΡ‚Π°Π΅.

    ΠžΠ±ΠΎΡ€ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ для Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ склСивания Π½Π° растущСм Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ΅ МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² для ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΡ… ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ

    Π’Π°Π³ΡƒΠΈ Π•Π“ΠžΠ―Π, PhD – Yole Development

    МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΠΎΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ количСство Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ устройств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π²ΠΎ всСх ΠΌΠ΅Π³Π°Ρ‚Ρ€Π΅Π½Π΄Π°Ρ…, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΈΠ΅ ΠΈ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅. ПандСмия Covid-19 ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»Π° Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ΅ влияниС Π½Π° эти Π΄Π²Π° ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°. Π’ 2020 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ объСм ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° сократился Π½Π° 2,6% Π² Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ²ΠΎΠΌ исчислСнии, Π° объСм ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ сократился Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π΄ΠΎ 27,5%. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΊ 2025 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ COVID-19ВлияниС ΠΏΠ°Π½Π΄Π΅ΠΌΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΡ‡Π΅Π·Π½ΡƒΡ‚ΡŒ, Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ устройств MEMS Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° 7,4% Π² Π³ΠΎΠ΄. НСсмотря Π½Π° сильноС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π° Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° МЭМБ, ΠΎΠ±ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ оборудования для Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ склСивания остаСтся ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ производствСнных мощностСй Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² основном связано с ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ инструмСнтов для ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ для Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ΠΎΠ² RF BAW для Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½ΠΈΡ 5G (CAGR устройств 15,5%), Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ МЭМБ для ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π·Π²ΡƒΠΊΠ° (CAGR устройств 5,4%). Π§Ρ‚ΠΎ касаСтся ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ°, инвСстиции Π² инструмСнты для Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ МЭМБ ΠΈ ΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ с Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. ΠžΠΆΠΈΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Ρ€Ρ‹Π½ΠΎΠΊ литографичСского оборудования для производства МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ расти со срСднСгодовым Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠΎΠΌ роста 4%. Π’ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π²Π½Π΅Π΄Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ оборудования для Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ Π±Π΅Π· масок, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ производства Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡˆΠ°Π±Π»ΠΎΠ½ΠΎΠ². ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ тСндСнция ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ МЭМБ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ росту Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° ΡΠ²ΡΠ·ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ оборудования, ΠΏΡ€ΠΈ этом срСднСгодовой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏ роста ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 10%. Π­Ρ‚Π° прСзСнтация ΠΏΡ€ΠΈΠ·Π²Π°Π½Π° Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π·ΠΎΡ€ Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠ° Π»ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΈ ΠΈ склСивания МЭМБ ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ², послСдних достиТСний Π² области производства устройств ΠΈ Π½Π΅Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ.

    ΠŸΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΈ инфраструктура финансирования сСтСй ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π·Π½Π°Π½ΠΈΠΉ (KTN) Π² Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ

    Дэвид Π’ΠΎΠ»Ρ„Ρ€ΠΈ, Π²ΠΈΡ†Π΅-ΠΏΡ€Π΅Π·ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ ΠΏΠΎ Π•Π²Ρ€ΠΎΠΏΠ΅ MANCEF

    Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ успСх ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ инфраструктуры Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ для ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ коммСрчСской Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΡ‚ достиТСний Π² Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… тСхнологиях, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Π·Π½Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΡΠ²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΠΈ Π΅Ρ‰Π΅ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ 1990-Ρ… Π³ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π’ 2003 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π±Ρ‹Π»Π° создана Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎ-Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ (MNT) ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. К 2006 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ количСство ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΉ Π² Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ, производящих ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π½Π° основС MNT, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ со 100 Π΄ΠΎ 700. ИзмСнСния Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° Π² 2007 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π½Π°ΡƒΠΊΠΈ, Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΈ ΠΊ появлСнию ΠΏΡ€Π΅Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ° сСти MNT. Π¨Π΅ΡΡ‚Π½Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚ΡŒ сСтСй ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Π·Π½Π°Π½ΠΈΠΉ (KTN) Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы ΠΏΠΎΠ΄ эгидой Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚Π° ΠΏΠΎ тСхнологичСской стратСгии.

    Миссия KTN состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ людСй для ускорСния ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΉ ΠΈ выявлСния Ρ€Ρ‹Π½ΠΊΠΎΠ². Они ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ прСдприятия, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ спонсоров для Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΎΠ², процСссов ΠΈ услуг для создания цСнности ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρ‹ для общСства. Π£ KTN Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½-сообщСство, Π½Π°ΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 60 000 Ρ‡Π»Π΅Π½ΠΎΠ², ΠΈ благодаря своим мСроприятиям ΠΎΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 20 000 Π΄Π΅Π»Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΎΠ².

    Π’ 2014 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π‘ΠΎΠ²Π΅Ρ‚Π° ΠΏΠΎ тСхнологичСской стратСгии Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΎ Π½Π° Innovate UK, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΌ агСнтством с Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΌ Π±ΡŽΠ΄ΠΆΠ΅Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π° исслСдования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ 14,8 ΠΌΠ»Ρ€Π΄ Ρ„ΡƒΠ½Ρ‚ΠΎΠ² стСрлингов.

    Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

    Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *