Метод вильямсона холла. Спиновые моменты, намагниченность и эффект Холла в наноматериалах: новый метод энергоэффективной записи данных — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Как работает спинтроника в наноматериалах. Какие физические эффекты лежат в основе спин-орбитальных моментов. Как механическое напряжение влияет на магнитные свойства тонких пленок. Каким образом можно уменьшить энергопотребление серверов в два раза.

Содержание

Основы спинтроники и спин-орбитальных моментов в магнитных материалах

Спинтроника изучает явления, связанные со спиновым токопереносом в материалах. Одним из важных направлений исследований в этой области является переключение намагниченности с помощью спин-орбитальных моментов (SOT) в магниторезистивных запоминающих устройствах с произвольным доступом (MRAM).

Ключевыми компонентами MRAM являются спиновые вентили — устройства из нескольких проводящих магнитных слоев, электрическое сопротивление которых может принимать два значения в зависимости от взаимной ориентации намагниченности слоев. SOT-индуцированное переключение реализуется в двухслойных структурах ферромагнетик-тяжелый металл (FM-HM).

Механизм возникновения спин-орбитальных моментов

Спин-орбитальные моменты возникают за счет двух основных эффектов:

Спинового эффекта Холла в объеме тяжелого металла
Обратного спин-гальванического эффекта на границе раздела ферромагнетик-тяжелый металл

Величина SOT может быть достаточно большой для переключения намагниченности при относительно низких плотностях тока порядка 10^7-10^8 А/см^2. Параметры многослойной структуры FM-HM, такие как состав и толщина слоев, позволяют регулировать величину и знак SOT.

Влияние механического напряжения на магнитные свойства тонких пленок

Одним из энергоэффективных способов контроля SOT является создание механического напряжения с помощью электрического поля. Преимущества этого метода:

Отсутствие необходимости в протекании электрического тока
Возможность локального приложения деформации
Эффективная настройка магнитных свойств, в том числе анизотропии
Управление магнитной доменной структурой и динамикой тонких пленок

Это открывает перспективы для разработки новых концепций переключения в устройствах с упрощенной архитектурой.

Особенности перпендикулярно намагниченных многослойных материалов

Системы с перпендикулярной магнитной анизотропией (PMA) обладают рядом преимуществ:

Повышенная термостабильность
Более высокая плотность записи информации
Улучшенное масштабирование устройств

Именно поэтому исследователи сосредоточили внимание на изучении влияния деформации на SOT в перпендикулярно намагниченных многослойных структурах W/CoFeB/MgO, выращенных на пьезоэлектрической подложке.

Методика проведения экспериментов

Для исследования влияния деформации на SOT ученые использовали следующую методику:

Изготовление датчика Холла крестового типа на основе многослойной структуры W(5 нм)/CoFeB(0.6 нм)/MgO(2 нм)/Ta(3 нм)
Выращивание структуры на пьезоэлектрической подложке PMN-PT(011) для создания механических напряжений
Приложение вне-плоскостного электрического поля к подложке для генерации одноосной деформации в плоскости образца
Измерение аномального эффекта Холла при различных величинах деформации
Анализ первой и второй гармоник напряжения Холла для определения компонент поля SOT

Такой подход позволил детально исследовать зависимость SOT от величины и характера приложенной деформации.

Ключевые результаты исследования влияния деформации на SOT

Основные результаты экспериментов по изучению влияния механического напряжения на спин-орбитальные моменты:

Полевая компонента SOT (FL) практически не зависит от деформации
Демпфирующая компонента SOT (DL) значительно изменяется при деформации:
- Увеличивается в 2 раза при растягивающей деформации 0.03%
- Уменьшается при сжимающей деформации
Эффект наблюдается при протекании тока вдоль направления деформации

Эти результаты открывают возможности для динамического контроля SOT с помощью электрически индуцированной деформации в перпендикулярно намагниченных многослойных системах.

Теоретическое обоснование наблюдаемых эффектов

Для объяснения экспериментальных результатов были проведены расчеты электронной структуры методом теории функционала плотности. Основные выводы:

Величина DL момента линейно зависит от деформации:
- Возрастает при растяжении
- Уменьшается при сжатии
Растяжение решетки на 1% увеличивает проводимость DL моментов на 35%
Основной вклад в проводимость DL вносят электронные состояния вблизи точек высокой симметрии зоны Бриллюэна
Деформация влияет на орбитальную поляризацию d-электронов в магнитном слое
Изменение плотности состояний dyz-орбиталей коррелирует с изменениями проводимости DL

Таким образом, различное поведение FL и DL компонент SOT при деформации объясняется уникальными изменениями орбитальной поляризации электронных состояний из-за искажений кристаллической решетки.

Перспективы применения результатов исследования

Полученные результаты открывают новые возможности для разработки энергоэффективных устройств памяти:

Создание многоуровневых ячеек памяти с помощью локального приложения деформации
Динамическая настройка SOT в перпендикулярно намагниченных многослойных системах
Контроль процесса магнитного переключения путем регулировки электрического поля
Потенциальное снижение энергопотребления устройств памяти в 2 раза

Эти достижения могут найти применение в разработке новых типов энергоэффективных серверов и систем хранения данных.

Экспериментальные исследования дефектной структуры наноматериалов

из «Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией»

Для выяснения основных особенностей дефектной структуры ИПД материалов рассмотрим прежде всего результаты, полученные на чистых металлах и/или однофазных сплавах, где нет усложняющего влияния вторых фаз. [c.62]
Электронно-микроскопические исследования. Уже в первых электронно-микроскопических исследованиях наноструктурных материалов, полученных ИПД, было обращено внимание на специфический вид границ зерен в сравнении с обычными отожженными материалами [8, 37]. Типичным примером такого дифракционного контраста является изображение микроструктуры сплава А1-4 %Си-0,5 %Zг [8], имевшего после ИПД кручением средний размер зерен около 0,2 мкм (рис. 2.2а). Для сравнения рядом приведена микроструктура этого же образца, подвергнутого дополнительному отжигу при 160°С в течение 1ч (рис. 2.26). В обоих случаях наблюдалась структура зеренного типа, имеющая преимущественно большеугловые границы. Тем не менее вид толщинных контуров экстинкции на границах зерен на рис. 2.2а отличается от такового на рис. 2.26 значительным уширением. [c.62]
Согласно динамической теории дифракционного контраста [112-114], толщинные контуры экстинкции являются контурами одинаковой глубины в тонкой фольге и появляются на электронномикроскопическом изображении, когда некоторое семейство плоскостей данного зерна находится в брэгговских условиях отражения. В работах [115, 116] проанализирована физическая природа уширения толщинных контуров экстинции на электронномикроскопических изображениях границ зерен в наноструктурных материалах и показано, что оно связано с высоким уровнем внутренних напряжений и искажений кристаллической решетки вблизи границ зерен в образцах, подвергнутых ИПД. На основе этого анализа предложена методика определения величины упругих деформаций в зависимости от расстояния до границы зерна. [c.62]

Расчетное распределение упругих деформаций вблизи границы зерна, содержащей такую конфигурацию дислокаций, в соответствии выражением (2.1) имеет аналогичные экспериментально построенной кривой 1 на рис. 2.3 особенности и показывает максимум упругих деформаций в приграничной области, а также экспоненциальный спад при больщих расстояниях от границы зерна. Отметим, что быстрое уменьщение величины упругих деформаций с увеличением расстояния от границы зерна предсказывалось также и в других работах [12, 118]. Из рис. 2.3 следует, что достаточно хорощее совпадение расчетных данных, полученных по формуле (2.1), с экспериментальными данными достигается при среднем расстоянии между краевыми зернограничными дислокациями D = 10 нм, что соответствует их плотности 1X10 м при величине вектора Бюргерса бзгд = Ь/6 где Ь = 2,56 X 10 м [Ш]. [c.64]

Полученные результаты позволили заключить [116], что ущи-рение толщинных контуров экстинции на электронно-микроскопических изображениях границ зерен в наноструктурных материалах действительно связано с большими упругими деформациями. Более того, максимальные значения упругих деформаций наблюдаются в приграничных областях, где их уровень значительно вьппе, чем в теле зерен. При этом развитый метод может быть использован для количественных измерений упругих деформаций в индивидуальных границах. [c.64]

Отметим, что близкие результаты, указывающие на значительные упругие деформации в приграничных областях, были получены недавно в работе [119], где наблюдали и измеряли методом просвечивающей электронной микроскопии кривизну кристаллической рещетки вблизи границ зерен, а также переменную разори-ентацию вдоль индивидуальных границ в N1, подвергнутом ИПД. В этой работе, используя изгибные контуры экстинкции, исследовали структурную кривизну рещетки, которая является кривизной кристаллографических плоскостей, параллельных волновому вектору, в отличие от обычной изгибной кривизны, относящейся к плоскостям, перпендикулярным волновому вектору. Вследствие этого структурная кривизна отражает реальную структуру объемных образцов, поскольку плоскости, параллельные волновому вектору, практически не меняют свою кривизну при возможном изгибе фольги при ее приготовлении. [c.65]
Известно [112, 120], что использование картин Муара позволяет наиболее отчетливо выявлять небольшие искажения кристаллической решетки. Данный принцип основан на том факте, что небольшие изменения в трансляционной симметрии приводят к заметным изменениям в картинах Муара. Картины Муара часто наблюдаются в тех случаях, когда изображения кристаллических решеток двух соседних зерен накладываются друг на друга. Характерными чертами картин Муара при электронно-микроскопических исследованиях искажений кристаллической решетки являются искривления получаемых изображений кристаллографических плоскостей и часто изменение расстояния между ними. С другой стороны, наблюдаемые явления могут быть вызваны дифракционными эффектами. [c.66]
Для однозначной трактовки результатов получаемые изображения должны анализироваться в сопоставлении с дифракционными картинами от отдельных зерен, что однако трудно сделать в случае наноструктур. В связи с этим в работе [121] для исследования малых искажений кристаллической решетки применялась методика, предложенная в работе [120], где картины Муара формировали искусственно. При этом использовали специальную сетку из строго параллельных линий, расстояние между которыми было близко к расстоянию между изображениями кристаллографических плоскостей исследуемого наноструктурного материала. Данная специальная сетка была напечатана на прозрачной пленке с использованием компьютера и лазерного принтера и для получения картин Муара накладывалась на электронно-микроскопические фотографии атомных плоскостей нанокристаллов. [c.66]

Такие исследования наноструктурных ИПД N1 с размером зерна 50 нм и интерметаллида А1 с размером зерна 70 нм показали [121], что линии Муара искривляются вблизи границ зерен на угол 10-15°, что соответствует искривлению кристаллической решетки на угол порядка 2°. Следует отметить, что подобные искривления кристаллической решетки наблюдались лишь вблизи границ зерен и отсутствовали в теле зерен. [c.66]
Важнейшим моментом при структурной аттестации наноматериа

26. Анализ уширения рентгеновских пиков

Анализ уширения рентгеновских пиков дает ценную информацию о величине упругих деформаций и размере зерен-кристаллитов в поликристаллических материалах. Для определения этих величин было развито несколько подходов, наибольшее распространение из которых получили методы Уоррена-Авербаха и Вильямсона-Холла.

Суть метода Уоррена-Авербаха состоит в разделении вкладов размера зерен и упругих деформаций в уширение пиков, основанном на их различной зависимости от порядка отражения. При этом, используется аппроксимация физического профиля рядом Фурье и определяются коэффициенты этого разложения. Метод Уоррена-Авербаха дает усредненный по поверхности размер зерен.

Метод Вильямсона-Холла применяют в тех случаях, когда рентгеновские пики, соответствующие отражениям разного порядка от одного семейства плоскостей, отсутствуют или не обладают формой, благоприятной для разложения в ряд Фурье. Размер зерен получают путем экстраполяции графика зависимости интегральной ширины от величины вектора рассеяния на значение последнего, равное нулю. При этом, получаемый размер зерен усреднен по объему.

В целом компьютерные программы обработки рентгеновских данных, предназначенные для разделения вкладов областей когерентного рассеяния и среднеквадратичного микроискажений кристаллической решетки, основаны на использовании уравнения Шеррера-Вильсона :

b_t = p / D_hkl+ < e_hkl²>^1/2 t

где b_t равняется b_pp cosq /l,

b_p — интегральная ширина физического профиля,

t — вектор рассеяния равный 4p sinq /l.

Диаграммы, построенные по методу Вильямсона — Холла для определения величины среднеквадратичных микроискажений кристаллической решетки и размера областей когерентного рассеяния для наноструктурной меди.

27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм

Субзеренная или ячеистая микроструктура с малоугловыми границами

Микроструктура с дипольными дислокационными стенками.

Дипольная дислокационная стенка

28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп

29. Взаимодействие электронов с веществом

В 1924 году французским физиком де Бройлем было сделано предположение, что все частицы, в том

числе и электроны, обладают волновыми свойствами. Согласно де Бройлю, длина волны электрона l

связана с его импульсом P соотношением:

l= h/Р (1)

где: h – постоянная Планка.

В свою очередь импульс электрона P равен:

P = mv (2)

где: m – масса электрона, v – скорость электрона.

Если электрон поместить в электрическое поле, то его кинетическая энергия mv²/2 будет равна работе,

совершаемой полем по ускорению электрона eU, где e – заряд электронов, U — разность потенциалов

ускоряющего напряжения.

Отсюда получаем соотношение:

mv²/2 = eU (3)

Из уравнений 1, 2, 3 вытекает, что длина волны электрона зависит от ускоряющего напряжения следующим образом:

l₀ = h/Ö2meU (4)

Отсюда следует, что чем больше ускоряющее напряжение, тем меньше длина волны электронов.

Более точное выражение должно учитывать релятивисткое изменение массы электрона при скоростях движения близких к скорости света:

m = m₀Ö1-(v/c)² (5)

С учетом релятивисткой поправки длина волны электрона будет равна:

l = l₀/Ö1 + eU/2m₀c²

спиновые моменты, намагниченности и эффект Холла / Блог компании ua-hosting.company / Хабр

Когда-то день начинался с чашечки кофе и утренней газеты. В наши дни любовь к кофе по утрам не утратила свою релевантность, а вот бумажные новостные издания были вытеснены смартфонами, планшетами и прочими гаджетами, подключенными к интернету. И в этом нет ничего плохого, ведь всемирная паутина позволяет нам получать информацию и общаться с людьми из разных уголков мира. С каждым днем объем данных, генерируемых в мире, неустанно увеличивается. Каждая статья, фото и даже твит из двух слов — все это является частью огромного и вечно растущего информационного поля Земли. Но эти данные не эфирны, они не витают в облаках, а где-то хранятся. Местом хранения данных служат и наши гаджеты, и специализированные учреждения — дата-центры. Здания, наполненные под завязку серверами, ожидаемо потребляют уйму энергии. Логично, что с увеличением мирового объема данных будет увеличиваться и объем потребляемой энергии. Сегодня мы с вами познакомимся с исследованием, в котором ученые из Майнцского университета (Германия) разработали новую методику записи данных на сервера, которая в теории может уменьшить энергопотребление в два раза. Какие физические и химические процессы задействованы в разработке, что показали эксперименты, и настолько ли велик потенциал данного труда, как о том говорят его авторы? Об этом мы узнаем из доклада ученых. Поехали.

Основа исследования

Корнем всего исследования является спинтроника — наука, изучающая спиновый токоперенос. Спин в свою очередь это собственный момент импульса элементарной частицы. За последние годы интерес к спинтронике сильно возрос, что позволило открыть немало нового, в том числе и переключение тока с помощью спин-орбитальных моментов (SOT от spin-orbit torque) в магниторезистивных запоминающих устройств с произвольным доступом (MRAM).

Одной из важнейших составляющих MRAM являются спиновые вентили. Эти устройства состоят из двух или более проводящих магнитных материалов, электрическое сопротивление которых может меняться между двумя значениями в зависимости от относительного выравнивания намагниченности в слоях.

SOT-индуцированное переключение реализуется в бислоях ферромагнетик-тяжелый металл (FM-HM), где существует значительное демпфирование (подавление колебаний), обусловленные протеканием электрического тока вдоль направления x. SOT возникают из-за спинового эффекта Холла в объеме HM материала и из-за обратного спин-гальванического эффекта на интерфейсе FM-HM.

Ранее проведенные исследования показали, что значение демпфированого SOT может быть достаточно большим, чтобы переключать направление намагничивания при низких плотностях тока (до 10⁷–10⁸ А/см^-2).

Параметры образца (например, состав и толщина слоя гетероструктуры FM-HM) можно регулировать для определения величины и знака SOT. Но, как заявляют ученые, куда более важно получить динамический контроль в реальном времени над самими SOT.

Одним из энергоэффективных инструментов для получения этого контроля является механическое напряжение, вызванное электрическим полем. Ученые напоминают, что избегая необходимости в электрическом токе и, таким образом, устраняя связанные с этим потери, деформация эффективно настраивает магнитные свойства (например, магнитную анизотропию) и, следовательно, магнитную доменную структуру и динамику тонких пленок в плоскости. Более того, поскольку деформация может применяться локально, она предоставляет площадку для разработки и реализации сложных концепций коммутации в устройствах с упрощенной архитектурой.

Ранее уже были предприняты попытки исследовать влияние деформации на переключение за счет SOT, в первую очередь изучалось влияние деформации на анизотропию и возникающее в результате влияние на переключение. Кроме того, предыдущие исследования были сосредоточены исключительно на системах с плоской магнитной осью, а экспериментальные исследования в перпендикулярно намагниченных многослойных материалах не проводились.

Однако, по мнению авторов сего труда, именно в перпендикулярно намагниченных многослойных материалах кроется большой потенциал. В частности, перспективность использования систем с перпендикулярной магнитной анизотропией (PMA от perpendicular magnetic anisotropy) обусловлена повышенной термостабильностью, более высокими плотностями упаковки и улучшенным масштабированием.

В рассматриваемом нами сегодня исследовании ученые продемонстрировали электрически индуцированный контроль напряжения (механического) SOT в перпендикулярно намагниченных мультислоях W=CoFeB=MgO, выращенных на пьезоэлектрической подложке. SOT оцениваются методом вторичного квантования и магнито-транспортным методом при плоском напряжении разного характера и величины.

Результаты исследования

Было установлено, что деформация, модулируемая электрическим полем, приложенным к пьезоэлектрической подложке, приводит к отчетливым откликам спинов.

Изображение №1

На изображении 1а показана схема датчика Холла* крестового типа, используемого для измерений демпфирующих (DL) и полевых (FL) SOT полей в мультислое Вт (5 нм) / CoFeB (0.6 нм) / MgO (2 нм) / Ta (3 нм). Мультислой был выращен на подложке [Pb(Mg_0.33Nb_0.66O₃)]_0.68 (011) (сокращенно PMN-PT), которая использовалась для электрической генерации механических напряжений. На 1b показан снимок устройства, сделанный оптическим микроскопом.

Эффект Холла* — возникновение поперечной разности потенциалов при размещении проводника с постоянным током в магнитное поле.

Устройства Холла бывают трех типов: а — датчик Холла крестового типа; b — разделитель тока; с — датчик магнетосопротивления.

Одноосная деформация в плоскости была получена путем приложения вне-плоскостного электрического поля постоянного тока к пьезоэлектрической PMN-PT(011) подложке.

Обычно реакция пьезоэлектрической деформации на приложенное электрическое поле имеет гистерезисный характер. Однако электрические поля, которые превышают коэрцитивное* поле, характерное для материала, полюсует подложку и приводят к режиму, в котором генерируемая деформация характеризуется линейным откликом.

Коэрцитивная сила* — значение напряженности магнитного поля, необходимого для полного размагничивания вещества.

Линейный режим поддерживается до тех пор, пока подложка не будет сдвинута в другом направлении путем приложения электрических полей, больших, чем противоположное коэрцитивное поле. Поэтому перед первыми измерениями, но после процесса структурирования, к PMN-PT подложке было применено полюсование посредством электрического поля +400 кВ/м.

Далее использовали именно электрические поля постоянного тока, позволяющие изменять деформацию в режиме линейного отклика, поскольку это обеспечивает надежный электрический контроль над индуцированной деформацией.

Стоит также отметить, что пересечение Холла было изготовлено таким образом, чтобы его плечи были ориентированы вдоль направлений [011] и [100] подложки PMN-PT (011), которые соответствуют направлениям растяжения и сжатия соответственно.

Для начала была проведена характеризация магнитного гистерезиса системы при нулевом электрическом поле постоянного тока.

На изображении 1b показана аномальная линия напряжения Холла с вне-плоскостным магнитным полем (μ0 Гц), измеренная для W=CoFeB=MgO=Ta при 0 кВ/м (красная линия), демонстрирующая переключение легкой оси (оси легкого намагничивания), характерное для множеств тонких мультислоев CoFeB.

Цикл вне-плоскостного намагничивания, измеренный при 400 кВ/м (черная линия), накладывается поверх напряжения Холла (красная линия) и не показывает значительных изменений из-за генерируемой деформации. Это говорит о том, что система всегда имеет доминирующую перпендикулярную магнитную анизотропию.

Изображение №2

Графики выше показывают типичные внутри-плоскостные зависимости полей первой (V_1ω) и второй (V_2ω) гармоник напряжения Холла, когда к текущей линии был применен переменный ток с плотностью j_с = 3.8 х 10¹⁰ А/м^-2.

Напряжение постоянного тока было установлено на 0, поэтому на кресте Холла не создавалось никакого напряжения. Графики продольного (2a) и поперечного (2b) полей демонстрируют ожидаемые симметрии: для продольного поля наклоны V_2ω и наклоны поля одинаковы для обоих направлений намагниченности вдоль +z (+M_z) или -z (-M_z), тогда как для поперечного поля их знак становится противоположным.

Далее ученые провели анализ поперечной (μ₀ΔH_T) и продольной (μ₀ΔH_L) компоненты поля SOT для обоих направлений намагниченности M_z и определили среднее значение этих компонент как функции приложенной плотности тока j_c (2c).

Изображение №3

Графики выше показывают результаты зависимости от электрического поля. Было определено, что полевой (FL) SOT существенно не меняется при растягивающих и сжимающих деформациях (3а и 3с). Напротив, на 3b видно, что растягивающая деформация увеличивает демпфирующий (DL) SOT в 2 раза при приложении 400 кВ/м (0.03% напряжение).

С другой стороны, когда ток течет вдоль направления деформации сжатия, величина DL момента уменьшается с увеличением деформации.

Из этого следует, что величина DL момента увеличивается при приложении электрически индуцированной растягивающей деформации и уменьшается при сжимающей деформации.

Чтобы понять микроскопическое происхождение экспериментально наблюдаемой деформационной зависимости FL и DL SOT, были проведены функциональные расчеты по методике теории функционала плотности электронной структуры Fe_1-xCo_x/W(001), состоящей из перпендикулярно намагниченного монослоя и немагнитных подложек.

Изображение №4

Как показано на 4а, во время расчетов кристаллическая структура намеренно расширялась или сужалась, сохраняя постоянную площадь в плоскости элементарной ячейки, чтобы учесть эффект одноосной деформации. Эта деформация может быть определена количественно по соотношению δ = (a’_j — a_j)/a_j, где a_j и a’_j обозначают постоянную решетки вдоль j-направления в плоскости в расслабленном и искаженном состоянии соответственно. Как следствие, любая конечная деформация уменьшает исходную симметрию кристалла с C_4v до C_2v.

Основываясь на расчетах электронной структуры, была получена зависимость SOT от δ (4b), которая проявляет те же качественные характеристики, что и в фактическом эксперименте.

Поскольку FL и DL SOT происходят из разных электронных состояний, они обычно следуют различным зависимостям от структурных особенностей. Было установлено, что величина DL момента линейно возрастает по отношению к растягивающей деформации и линейно уменьшается по отношению к сжимающей. Например, расширение решетки на 1% вдоль направления электрического поля значительно увеличивает проводимость DL моментов (примерно на 35%).

Чтобы более точно оценить это наблюдение, было проведено сравнение (4с) распределений в пространстве микроскопических вкладов в DL SOT для релаксированных и деформированных пленок. В отличие от занятых состояний вокруг точки М, которые являются едва важными, электронные состояния вблизи точек высокой симметрии Γ, X и Y составляют основной источник проводимости DL. В частности, растягивающая деформация способствует сильным отрицательным вкладам вокруг X и Y, что приводит к общему увеличению проводимости.

Чтобы связать полученные данные с имеющейся электронной структурой, ученые обратили внимание на орбитальную поляризацию состояний в магнитном слое, где преобладающей силой являются d электроны.

В то время как d_xy, d_{x² − y²} и d_z² не зависят от знака приложенной деформации δ, состояния d_yz и d_zxявно изменяются относительно деформации растяжения или сжатия. Примечательно, что эти орбитали также опосредуют гибридизацию с подложкой из тяжелого металла. Из этого следует, что их зависимость от структурных особенностей дает дополнительное понимание SOT в исследуемых тонких пленках.

В качестве примера ученые предлагаю рассмотреть деформационное изменение плотности состояний d_yz в магнитном слое по сравнению со случаем с четырехкратной вращательной симметрией (4d).

В то время как плотность состояний ↓* на уровне Ферми практически не зависит от деформации растяжения, состояния ↑ явно перераспределяются. Как показывает орбитальная поляризация на 4e, этот эффект обусловлен выраженными δ-управляемыми изменениями поляризации d_yz вокруг точки X, что коррелирует с изменениями проводимости DL (4с).

Спиновый канал* — одно из направления ориентации спина (вверх или вниз).
Индекс s = ↑, ↓ обозначает спиновое состояние электронов в ферромагнетиках: ↑ — спиновую подзону большинства электронов, ↓ — спиновую подзону меньшинства электронов. Кроме того, индекс s =↑, ↓ обозначает спиновое состояние электрона в спиновых каналах проводимости.

Используя данные, полученные из расчетов электронной структуры, ученые обнаружили, что различная природа наблюдаемых экспериментально особенностей FL и DL моментов происходит из уникальных изменений орбитальной поляризации электронных состояний из-за искажений решетки.

Для более детального ознакомления с нюансами исследования рекомендую заглянуть в доклад ученых.

Эпилог

Как заявляют авторы труда, помимо раскрытия ключевой роли гибридизированных состояний на интерфейсе FM-HM, результаты исследования предлагают четкую схему для рукотворных спин-орбитальных явлений. Используя сложное взаимодействие спинового и орбитального магнетизма, спин-орбитальной связи и симметрии, можно адаптировать величину SOT в многослойных устройствах, создавая орбитальную поляризацию состояний вблизи энергии Ферми по отношению к деформации.

Стоит также отметить, что это исследование позволяет расширить возможности инженерии в области проектирования устройств с динамической настройкой SOT в перпендикулярно намагниченных многослойных системах с помощью электрически управляемого напряжения (механического).

Это громкое заявление обусловлено тем, что деформация может генерироваться локально и накладываться на выбранные части области переключения. Следовательно, можно настроить плотность тока таким образом, чтобы DL спин мог одновременно регулировать направление намагничивания в областях с напряжением, но не затрагивать области без напряжения. Затем выбранные области могут быть изменены по требованию за счет использования другой конфигурации электрических полей, что обеспечивает дополнительный уровень контроля.

Все это означает, что с помощью конкретных схем деформации областей переключения посредством электрических полей можно создать энергоэффективную многоуровневую ячейку памяти.

Приложение деформации к исследуемой структуре W=CoFeB=MgO во время опытов привело к отчетливо различным изменениям FL и DL спинов. Причем как отмечают ученые, DL спин может быть увеличен в 2 раза, если деформацию растяжения прикладывать параллельно течению тока.

Другими словами, можно получить прямой контроль над характеристиками процесса магнитного переключения посредством регулировки электрического поля, которое воздействует на пьезоэлектрический кристалл. Это приводит к значительному снижению энергопотребления, а также дает возможность создавать сложные архитектуры для хранения информации.

В дальнейшем ученые планируют продолжить как практические опыты, так и сопряженные с ними расчеты, чтобы выяснить, где и как возможно усовершенствовать этот сложный процесс. Однако, несмотря на сложность создания подобных систем, их потенциал крайне велик, ибо снижение энергопотребления приводит не только к экономии для провайдеров и потребителей услуг хранения информации, но и значительно снижает и без того сильное давление со стороны человечества на экологию.

Благодарю за внимание, оставайтесь любопытствующими и хорошей всем рабочей недели, ребята. 🙂

Немного рекламы

Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас, оформив заказ или порекомендовав знакомым, облачные VPS для разработчиков от $4.99, уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2697 v3 (6 Cores) 10GB DDR4 480GB SSD 1Gbps от $19 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

Dell R730xd в 2 раза дешевле в дата-центре Equinix Tier IV в Амстердаме? Только у нас 2 х Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $199 в Нидерландах! Dell R420 — 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB — от $99! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?

Вектор — рассеяние — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Вектор — рассеяние

Cтраница 3

Несмотря на то что электронная волна может терять энергию или становится некогерентной относительно упруго рассеянного пучка, она сохраняет когерентность, или способность интерферировать сама с собой. Если процесс диффузного рассеяния соответствует изменению вектора рассеяния q, как показано на фиг. [31]

Метод Вильямсона-Холла применяют в тех случаях, когда рентгеновские пики, соответствующие отражениям разного порядка от одного семейства плоскостей, отсутствуют или не обладают формой, благоприятной для разложения в ряд Фурье. Размер зерен получают путем экстраполяции графика зависимости интегральной ширины рентгеновских пиков от величины вектора рассеяния на значение последнего, равное нулю. [32]

Полученные ими данные охватывают диапазон от Л0 до R — 104 А, а измеренное ими значение фрактальной размерности D 2 12 0 05 отличается высокой точностью. Изменение наклона кривой на рис. 3.9 обусловлено тем, что отдельные частицы не являются фрактальными кластерами, и, когда вектор рассеяния достигает обратного радиуса частицы а 1, к характеристике поведения нефрактальных частиц примешивается интенсивность излучения. [34]

Если корреляционная функция точно известна, то, используя ее, можно вычислить макроскопические свойства вещества. Однако получить информацию о трехмерной структуре жидкой системы непосредственно из корреляционной функции не представляется: возможным в силу ее одномерности. Главный метод исследования основной структуры заключается в построении структурной модели таким образом, чтобы рассчитанная по этой модели корреляционная функция соответствовала функции, определенной экспериментально. Этот метод широко используется для обычных жидкостей и особенно применим для нем этической и холестерической структур, в которых не существует дальнего порядка. Однако он обладает и некоторыми недостатками. Кривая рассеяния определяется экспериментально только в ограниченной области значений вектора рассеяния s, тогда как для выполнения фурье-преобразо-ваяия необходимо знать функцию рассеяния в бесконечной области значений вектора рассеяния. [35]

Если корреляционная функция точно известна, то, используя ее, можно вычислить макроскопические свойства вещества. Однако получить информацию о трехмерной структуре жидкой системы непосредственно из корреляционной функции не представляется: возможным в силу ее одномерности. Главный метод исследования основной структуры заключается в построении структурной модели таким образом, чтобы рассчитанная по этой модели корреляционная функция соответствовала функции, определенной экспериментально. Этот метод широко используется для обычных жидкостей и особенно применим для нематической и холестерической структур, в которых не существует дальнего порядка. Однако он обладает и некоторыми недостатками. Кривая рассеяния определяется экспериментально только в ограниченной области значений вектора рассеяния s, тогда как для выполнения фурье-преобразо-вания необходимо знать функцию рассеяния в бесконечной области значений вектора рассеяния. [36]

Если корреляционная функция точно известна, то, используя ее, можно вычислить макроскопические свойства вещества. Однако получить информацию о трехмерной структуре жидкой системы непосредственно из корреляционной функции не представляется: возможным в силу ее одномерности. Главный метод исследования основной структуры заключается в построении структурной модели таким образом, чтобы рассчитанная по этой модели корреляционная функция соответствовала функции, определенной экспериментально. Этот метод широко используется для обычных жидкостей и особенно применим для нематической и холестерической структур, в которых не существует дальнего порядка. Однако он обладает и некоторыми недостатками. Кривая рассеяния определ

в чём заключается явление, измерения датчиками, основанными на элементах Холла, формула расчетов

Изучение влияния друг на друга электричества и магнетизма привело к открытию явления, названого впоследствии именем его исследователя, эффектом Холла. Благодаря экспериментам учёного был создан датчик, получивший широкое применение в электрических схемах. Его используют в мобильной и бытовой технике совместно с двигателями, в измерительном оборудовании за счет способности преобразовывать магнитную индукцию в разность потенциалов.

Открытие эффекта Холла

Будущий физик Эдвин Герберт Холл родился в американском городе Горем в 1855 году. Получив начальное образование, он в 1875 году поступил в университет, где и ставил свои первые эксперименты. Так, изучая труды Максвелла об электричестве и магнетизме, Холл заинтересовался двумя фактами.

Первый заключался в том, что силы, возникающие в проводнике, расположенном поперечно линиям магнитной индукции, прикладываются непосредственно к веществу. Второй же сообщал, что значение этих сил зависит от скорости движения зарядов. В 1879 году вышла статья учёного Эдмунда Холла, доказывающая факт, что магнитное поле действует с одинаковым усилием как на подвешенный, так и зафиксированный объект.

Анализируя, какая сила может управлять движением заряженных частиц, он пришёл к выводу, что это может быть только напряжение. Для первого опыта физик использовал согнутую в спираль проволоку зажатую между диэлектриков. Эту конструкцию он поместил между двумя магнитами и запитал её от химического элемента тока. В качестве регистратора использовался мост Витстона с гальванометром Кельвина. В совокупности было проведено около тринадцати экспериментов и более четырёхсот измерений с разными условиями. Результатами экспериментов стало утверждение, что магнитный поток может изменять сопротивление материала.

По совету профессора Роуланда было выработано направление нового эксперимента, заключающее в следующем:

К проводящей пластине подводился электрический ток.
Гальванометр подключался к краям проводника.
Включался электромагнит так, чтобы линии напряжённости поля лежали перпендикулярно плоскости пластины.

Предполагалось обнаружить условия для изменения протекания тока. Но опыт не получался, пока в качестве пластины не попробовали использовать тонкий лист из золота. Поставленный новый опыт оказался удачным. Гальванометр чётко зафиксировал появившееся напряжение.

В результате был обнаружено, что при подаче на проводник электрического тока заряд в ней распределяется равномерно по всей её поверхности.

Но как только на пластину воздействует магнитное поле, линии индукции которой перпендикулярны направлению тока, заряд перераспределяется к краям, и возникает разность потенциалов. В этом и заключается эффект Холла, на базе которого были после построены одноимённые датчики.

Физико-математическое определение

Эффект Холла — это явление, которое можно наблюдать при помещении вещества проводящего электрический ток под действие магнитного поля. Физик Холл открыл, что в проводнике, при пропускании по нему постоянного тока появляется электродвижущая сила (ЭДС) если его поместить в поперечное магнитное поле. Физически это обозначает возникновение напряжения на боковых гранях проводящего вещества при поднесении к нему магнита. Используя это, можно регистрировать магнитное излучение. Возникшее напряжение зависит от трёх факторов:

силы тока;
напряжённости поля;
типа проводника.

Сила, с которой электромагнитное поле действует на точечный заряд в веществе, называется силой Лоренца. Частным её случаем является сила Ампера. Математически напряжённость электрического поля описывается выражением:

E h = R*H*j*sinα, где:

H — напряжённость магнитного поля;
j — плотность тока;
α — векторный угол между силовыми линиями H и j;
R — постоянная Холла.

Если к пластине прямоугольной формы, имеющую длину L, которая намного будет превышать ширину b и толщину d, подвести ток, то его значение будет определяться формулой: I = j*b*d. Когда же её переместить в магнитное поле, направленное перпендикулярно этому току, то на боковых гранях пластины возникнет ЭДС, равная:

V h = E h* b = R*H*I/d.

Так как эффект объясняется влиянием поля на элементарные частички (дырки или электроны) то сила действующая на них описывается законом Лоренца: F =e * [H*υ], где υ — усреднённая скорость носителей зарядов, зависящая от концентрации и величины носителей. Под влиянием этой силы носители начинают прижиматься к боковым поверхностям пластины перпендикулярно j и H. Там они накапливаются, и возникает явление Холла, уравновешивающее силу Лоренца.

При этом коэффициент Холла равен: R = 1/n*e. Например, для металлов он составляет около 10^-3 см³/Кл, а у полупроводников от 10 до 10⁵ см³/Кл.

Постоянную Холла также можно выразить через способность носителей заряда реагировать на внешнее воздействие (подвижность). Так, она равна: R = µ/σ, где: µ — дрейфовая скорость носителей, а σ — удельная электропроводность. Но это в большей мере справедливо для поликристаллов. В то же время для анизотропных проводников будет верней формула: R = r/e*n. Здесь r принимается равной единице и обозначает оценку силы магнитного поля.

Разновидности явления

По мере исследования эффекта был обнаружен ряд особенностей появления электрического поля, отличающий от классического понимания. Так, учёными были выявлены факторы, приводящие к появлению напряжения без пропускания через пластинку тока. Такие явления получили название:

аномальное;
квантовое;
спиновое.

Для аномального эффекта необходимым условием является нарушение T-симметрии, то есть уравнений, описывающих физические законы при обращении времени. Наиболее часто этот эффект наблюдается в материалах, имеющих остаточную намагниченность (ферромагнетики).

Квантовое же отклонение возникает в квазидвумерном электронном газе, где пренебрегают кулоновским взаимодействием. В нём носители заряда обладают слабой связью с ионами кристаллической решётки. В такой системе работают законы квантовых теорий.

При этом чем сильнее магнитное поле, тем более выражено дробное явление Холла, связанное с трансформированием структуры всего электронного газа.

В 1971 году учёные Дьяконов и Перель, изучающие механизм спиновой релаксации, обнаружили, что перпендикулярно направлению линий электромагнитного поля наблюдается отклонение носителей зарядов, имеющих противоположные спины. Этот эффект был связан со спин-гальваническим рассеянием и взаимодействием между спиновыми и орбитальными магнитными моментам.

Способы использования явления

На основе эффекта Холла создаются устройства и приборы, обладающие нужными и часто уникальными свойствами. Эти приборы занимают важное место в измерительно-контрольной технике, автоматизации, радиотехнике и т. д. Приспособления, использующие в своей работе явление Холла, называются элементами Холла (датчиками).

Эти датчики дают возможность измерять силу магнитного поля, так как при неизменной величине тока электродвижущая сила прямо пропорциональна линиям магнитной индукции. Прямая зависимость этих величин для элементов Холла является неоспоримым преимуществом перед другими типами измерителей индукции, основанных на контроле магнетосопротивления.

Приборы Холла позволяют проводить измерения электрических и магнитных характеристик не только металлов, но и полупроводников. Из-за простоты своего действия, несложности в изготовлении, а также высокой точности и надёжности они широко применяются в различных отраслях науки и техники. Датчики используются для измерения силы, давления, углов, перемещения и других неэлектрических величин. Этот эффект используют и при изготовлении полупроводников для контроля подвижности носителей зарядов и подсчёта их концентрации.

Для этого используется формула эффекта Холла: V h = j*B*H / n*q = B*I / (q*n*α) = R*B*I/α,

из которой число носителей находится как N = (I*B) / (q*α* V h). Таким образом, можно определить не только количество носителей, но и также их тип (знак).

Элементы Холла применяются в автомобилестроении из-за их невысокой стоимости, точности показаний, надёжности и способности не зависеть от условий окружающей среды. Их используют в конструкции бесконтактных однополярных и биполярных прерывателей. Благодаря их миниатюрному исполнению электронные гаджеты можно автоматически включать или выключать экран при открытии или закрытии чехла с магнитом. Они помогают в GPS-навигации, улучшая геопозирование.

С каждым годом эффект Холла находит всё более новое применение. Свидетельством тому служит появление устройства виртуальной реальности — Google Card Board, в основе работы которого лежит взаимодействие магнита с датчиком Холла.

Магнитные датчики

Основное преимущество использования датчиков магнитного поля, заключается в их бесконтактной работе. Они бывают аналоговыми и дискретными. Первый тип считается классическим. В его основе лежит принцип, что чем сильнее будет магнитное поле, тем больше будет величина напряжения. В современных приборах и устройствах такой тип уже практически не используется из-за значительных размеров. Цифровой же датчик построен на режиме работы «ключ» и имеет два устойчивых положения. Если сила индукции недостаточна он не срабатывает.

Разделяются дискретные элементы Холла на два типа:

униполярные — срабатывание которых зависит от полюса магнитного поля;
биполярные — переключения состояния датчика происходит при изменении магнитного полюса;
омниполярные — реагируют на действие магнитной индукции любого направления.

Конструктивно датчик представляет собой электронный прибор с тремя выводами. Он может выпускаться как в стандартном исполнении DIP, DFN или SOT, так и в герметичном: например, 1GT101DC (герметичный), A1391SEHLT-T (DNF6), SS39ET (SOT), 2SS52M (DIP).

Характеристики устройства

Выпускаемые датчики, использующие явление Холла, как и любые электронные радиокомпоненты характеризуются своими параметрами. Главным из них является тип прибора и напряжение питания. Но, кроме этого, выделяют следующие технические характеристики:

Величина измеряемой индукции. Измеряется она в гауссах или миллитеслах.
Чувствительность — определяется значением магнитного потока, на который реагирует датчик, единица измерения мВ/Гс или мВ/мТл.
Нулевое напряжение магнитного поля — значение разности потенциалов, соответствующее отсутствию магнитного поля.
Дрейф нуля — изменение напряжения, зависящее от температуры. Указывается в процентном отклонении от температуры 25 °C.
Дрейф чувствительности — изменение чувствительности, вызванное изменением температуры.
Полоса пропускания — уровень снижения чувствительности с шагом в 3 дБ.
Индукция включения и выключения — это значение напряжённости поля, при котором датчик устойчиво срабатывает.
Гистерезис — разность между индукциями включения и выключения;
Время срабатывания — характеризуется промежутком времени перехода из одного устойчивого состояния в другое.

Изготовление приборов

Материал, из которого выполняется элемент Холла, должен обладать большой подвижностью носителей зарядов. Для получения наибольшего значения напряжения вещество не должно иметь высокую электропроводностью. Поэтому при производстве устройств используется: селенид, теллурид ртути, антимонид индия. Тонкопленочные датчики получаются методом испарения вещества и осаждения его на подложку. В качестве её служит слюда или керамика.

Изготавливают датчики также из полупроводников — германия и кремния. Их легируют мышьяком или фосфорной сурьмой. Такие устройства обладают низкой зависимостью от изменения температуры, а величина образуемой на них ЭДС может достигать одного вольта.

Типовой процесс производства пластинчатого датчика Холла состоит из следующих операций:

обрезка пластины нужного размера;
шлифовка поверхности;
формирование с помощью пайки либо сварки симметричных выводов;
герметизация.

Таким образом, применение эффекта Холла нашло широкое применение в магнитометрии, смартфонах, автомобилях, выключателях и охранных системах.

Одним из главных преимуществ датчиков, выполненных на этом эффекте, является электрическая изоляция (гальваническая развязка) делающие их применение удобным и безопасным.

минимизирует стресс и побеждает депрессию

Доктор Джекобсон взял за основу своей методики факт, что эмоциональному напряжению сопутствует напряжение поперечнополосатых мускулов, а успокоение – их релаксация. Можно предположить, что РАССЛАБЛЕНИЕ МЫШЦ сопровождается спадом нервно-мускульного напряжения. По мнению Джекобсона, снимая через самовнушение напряженность конкретной группы мышц, возможно избирательно влиять на отрицательные эмоции.

Эдмунд Джекобсон, американский врач, физиолог, психиатр. Он разработал интересный метод релаксации, который так и называется «Прогрессивная мышечная релаксация». Вам не понадобятся какие-то особые приспособления или особая подготовка. Единственное условие успеха — сочетание групповых занятий и самостоятельного закрепления навыков мышечного расслабления.

Суть метода прогрессивной мышечной релаксации

Э. Джекобсон, доктор философии и медицины приобрел всемирную известность как автор различных методик релаксации. Сегодня поговорим о самой популярной из них — технике прогрессивной мышечной релаксации. То, что любое усилие нашего ума сопровождается мускульным напряжением, является общеизвестным фактом. На основании этого и занимаясь регистрацией объективных признаков эмоций Эдмунд Джекобсон пришел к необычному выводу. Он гласит: научившись создавать мускульное расслабление в теле, человек может ослабить нервно-психическое напряжение. Данный способ был предложен доктором в далеком 1922 г.

Доктор медицины Джекобсон отметил, что конкретным эмоциональным состояниям человека всегда отвечает напряжение определенных мускулов. К примеру, депрессию, как правило, сопровождает напряжение мускулатуры, работающей в дыхании, страхи связаны со спазмом мускулов, ответственных за функцию речи и голоса. Это означает, что, убирая напряжение названных мускульных блоков, мы имеем возможность влиять на определенную эмоцию.

Подписывайтесь на наш аккаунт в INSTAGRAM!

Базируется способ Джекобсона на управляемой динамике напряжения и расслабления мускулов конкретной группы, и, что интересно, мощное напряжение дает возможность добиться следующей за ним эффективной релаксации. Это значит, что в заданной очередности производится интенсивное напряжение всех мускулов в продолжение считанных секунд со следующим за этим фокусированием на глубинном расслаблении данного мускула.

На начальной стадии, как правило, выполняется доскональная проработка таких ключевых мышечных групп.
Вам достаточно лишь сидеть в кресле, без каких-либо внешних воздействий. Параллельно идет активная деятельность по сокращению и расслаблению мускулатуры в купе с эффективным самогипнозом.

Чтобы успешно овладеть методикой Джекобсона, понадобятся практические групповые тренинги под управлением инструктора и последующее закрепление навыков. Это сводит на нет распространение прогрессивной релаксации мускулатуры. Преимуществом техники является то, что она не требует специального места или длительного времени.

Методика прогрессивной мышечной релаксации хорошо минимизирует стресс, побеждает депрессию и позитивно влияет на эмоциональный фон человека.

По большому счету, ключевые положения данной техники практикуют и в самовнушении, и в сфере медицины, спорта, давая возможность тем самым добиться глубинной релаксации всех мышц, успокоиться, вернуть силы.

Подписывайтесь на Эконет в Pinterest!

Техника лечения

Терапию начинают с диалога с пациентами, в ходе которой доктор разъясняет механизм целебного действия мускульной релаксации.

Существует 3 этапа овладения техникой прогрессивной мускульной релаксации.

1. Положение лежа на спине, пациент сгибает руки в локтях и напрягает мышцы рук, вызывая чувство напряжения. Далее руки расслабляются и вольно падают. Это проделывается несколько раз. Параллельно важно акцентировать внимание на чувстве поочередного напряжения и расслабления мускулатуры.

Еще одно упражнение. Сокращение и расслабление бицепсов: должно быть как можно более сильным в начале, а потом все более слабым (и наоборот). Здесь важно акцентировать внимание на чувстве наиболее слабого напряжения и полного расслабления мышц. Далее человек практикуется в навыке напрягать и расслаблять мускулы сгибателей и разгибателей туловища, шеи, плечевого пояса, и в последнюю очередь –лица, глаз, языка, гортани.

2. Положение сидя. Пациент напрягает и расслабляет мышцы, не участвующие в обеспечении вертикального положения; потом – расслаблять при письме, чтении, речи мускулатуру, не участвующую в этих действиях.

3. Пациенту предлагают с помощью самонаблюдения определить, какие мышечные группы у него максимально напрягаются при негативных эмоциях. И с помощью релаксации местных напряжений мускулатуры можно научиться останавливать негативные эмоции.

Данная гимнастика осваивается в группе из 8-12 пациентов под началом доктора/инструктора. Тренинги в группе проводятся дважды-трижды в неделю. Индивидуальные сеансы самообучения осуществляются 1-2 раза в день. Курс обучения продолжается 3-6 месяцев.опубликовано econet.ru

Подписывайтесь на наш youtube канал!

Лучшие публикации в Telegram-канале Econet.ru

*Статьи Эконет.ру предназначены только для ознакомительных и образовательных целей и не заменяет профессиональные медицинские консультации, диагностику или лечение. Всегда консультируйтесь со своим врачом по любым вопросам, которые могут у вас возникнуть о состоянии здоровья.

принцип работы, теория, формула, применение

Принцип эффекта Холла — одна из самых популярных теорий измерения магнитного поля. В этом посте будет обсуждаться эффект Холла: принцип его работы, объяснение теории, формула, применение, включая расчеты для напряжения Холла, коэффициента Холла, концентрации носителей заряда, подвижности Холла и плотности магнитного поля.

Принцип эффекта Холла объясняет поведение носителей заряда при воздействии электрического и магнитного полей. Этот принцип можно рассматривать как расширение силы Лоренца, которая является силой, действующей на носители заряда (электроны и отверстия), проходящие через магнитное поле.

Датчики, работающие по этому принципу, называются датчиками Холла. Эти датчики пользуются большим спросом и имеют очень широкое применение, например, датчики приближения, переключатели, датчики скорости вращения колес, датчики положения и так далее.

История эффекта Холла

Принцип эффекта Холла был назван в честь американского физика Эдвина Холла (1855–1938). Впервые он был представлен миру в 1879 году.

В 1879 году он обнаружил, что когда проводник / полупроводник с током расположен перпендикулярно магнитному полю, генерируется напряжение, которое можно измерить под прямым углом к пути тока. До этого времени электрический ток в проводе считался чем-то похожим на текущую жидкость в трубе.

Принцип эффекта Холла предполагает, что магнитная сила в токе приводит к скученности на конце трубы или провода. Электромагнитный принцип теперь объясняет явления, лежащие в основе эффекта Холла, гораздо лучше. Теория этого ученого, безусловно, намного опередила свое время. Лишь два десятилетия спустя, с введением полупроводников, работы по исследованию эффекта Холла были эффективно использованы.

Первоначально этот принцип использовался для классификации химических образцов. Позднее датчики Холла (с использованием полупроводниковых соединений арсенида индия) стали источником для измерения постоянного или статического магнитного поля без поддержания датчика в движении. Через десятилетие, в 1960-х годах, появились кремниевые полупроводники. Это было время, когда элементы Холла были объединены со встроенными усилителями, и таким образом выключатель Холла был представлен миру.

на схеме Принцип эффекта Холла - ток, протекающий через пластину

Принцип работы эффекта Холла

Принцип эффекта Холла гласит, что когда проводник или полупроводник с током, текущим в одном направлении, вводится перпендикулярно магнитному полю, напряжение может быть измерено под прямым углом к пути тока.

Эффект получения измеримого напряжения, как сказано выше, называется эффектом Холла.

Теория за принципом эффекта Холла

Прежде всего мы должны понять, что такое электрический ток. Электрический ток — это в основном поток заряженных частиц через проводящий путь. Эти заряженные частицы могут быть «отрицательно заряженными электронами» или даже «положительно заряженными отверстиями» (пустоты, в которых должны находиться электроны). Теперь давайте перейдем к теме.

Если мы возьмем тонкую проводящую пластину (как показано выше на рис. 1 и повторено ниже для простоты считывания) и подключим ее к цепи с батареей (источником напряжения), то ток начнет течь по ней. Носители заряда будут течь по прямой линии от одного конца пластины к другому.

Поскольку носители заряда находятся в движении, они будут создавать магнитное поле. Теперь, когда вы поместите магнит рядом с пластиной, его магнитное поле будет искажать магнитное поле носителей заряда. Это расстроит прямой поток носителей заряда. Сила, которая нарушает направление потока носителей заряда, называется силой Лоренца.

Из-за искажения в магнитном поле носителей заряда отрицательные заряженные электроны будут отклоняться на одну сторону пластины, а положительные заряженные дыры — на другую сторону. Вот почему разность потенциалов (также называемая напряжением Холла) будет генерироваться между обеими сторонами пластины, что можно измерить с помощью измерителя.

на картинке Принцип эффекта Холла - Отклонение электронов и дырок

Этот эффект известен как эффект Холла. Чем сильнее магнитное поле, тем больше электронов будет отклоняться. Это означает, что чем выше ток, тем больше электронов будет отклоняться. И чем больше будут отклоняться электроны, тем больше будет разность потенциалов между обеими сторонами пластины. Поэтому мы можем сказать, что:

Напряжение Холла прямо пропорционально электрическому току, и прямо пропорционально приложенному магнитному полю.

Формула эффекта Холла

Вот некоторые математические выражения, которые широко используются в вычислениях эффекта Холла:

Напряжение Холла

Напряжение Холла представлено V _H. Формула для напряжения Холла:

Где:

I — Ток, протекающий через датчик

B — напряженность магнитного поля

q — заряд

n — количество носителей заряда на единицу объема

d — толщина датчика

Коэффициент Холла

Он представлен R_H. Формула для коэффициента Холла: R_H равно 1 / (qn). Коэффициент Холла (R _H) положителен, если число отверстий положительного заряда больше, чем число электронов отрицательного заряда. Аналогично, коэффициент Холла (R_H) отрицателен, если число отрицательных зарядовых электронов больше, чем число отверстий положительного заряда.

Концентрация несущей заряда

Концентрация электронов в носителе заряда обозначена как «n», а «дырки» — как «p». Математическое выражение для концентрации носителей заряда:

Формула для концентрации носителей заряда

Холловская мобильности

Холловская мобильность для электронов представлена как «μ _n», а для отверстий — как «μ _p». Математическое выражение для мобильности Холла:

Где:

μ _n — проводимость за счет электронов

μ _p — проводимость благодаря отверстиям

Плотность магнитного потока

Плотность магнитного потока обозначена буквой «B». Формула для плотности магнитного потока:

Математическое выражение для плотности магнитного потока

Применение принципа эффекта Холла

Принцип эффекта Холла используется в следующих случаях:

Оборудование для измерения магнитного поля.
Множитель приложений для обеспечения фактического умножения.
Тестер эффекта Холла для измерения постоянного тока.
Измерение фазового угла. Например, при измерении углового положения коленчатого вала, чтобы точно выровнять угол зажигания свечей зажигания
Датчики линейных или угловых перемещений. Например, чтобы определить положение автомобильных сидений и ремней безопасности и выступить в роли блокировки для управления подушкой безопасности.
Датчики приближения.
Датчики с эффектом Холла
Для определения скорости вращения колеса и, соответственно, помощи антиблокировочной тормозной системы (ABS).

Как эффект Холла можно использовать для определения типа используемого полупроводника

Коэффициент Холла говорит обо всем. Если коэффициент Холла отрицателен, это означает, что основными носителями заряда являются электроны. И поскольку число электронов больше по сравнению с отверстиями в полупроводниках n-типа, это ясно указывает на то, что испытываемый полупроводник n-типа. Аналогичным образом, если коэффициент Холла положительный, это означает, что основными носителями заряда являются дырки. И поскольку число отверстий больше по сравнению с электронами в полупроводниках p-типа, это ясно указывает на то, что испытываемый полупроводник p-типа.

Эмпирический метод, который не С строгим подходом к свертке дифракционного профиля по размеру и деформации связан анализ Уильямсона-Холла.Этот метод подходит для веществ, характеризующихся большим количеством дифракционных пиков, и для сильно дефектных образцов, для которых аналитические процедуры вызывают проблемы с определением фона. Метод включает построение графика обратной ширины ((3) (FWHM) в единицах шкалы 20 в зависимости от взаимных положений (d) всех пиков фазы. Пересечение дает размер частиц и наклон «кажущейся деформации» 2r. Требуемые величины определены следующим образом … [Pg.299]

Хорошо известно, что метод Уильямсона-Холла является более точным методом для расчета размера кристаллитов по сравнению с методом Дебая-Шеррера.На рис. 2 представлен график Уильямсона-Холла (W-H) для наноструктурного люминофора YP04 Eu. Как показано на фиг.2, Y-точка пересечения равна 0,0027, принимая X за 0,154 нм, размер зерна, как было обнаружено, составляет около 62 нм. Рассчитанный размер частиц хорошо совпадал с данными Дебая-Шеррера. Небольшое изменение размера зерен, рассчитанное методами Дебая-Шеррера и W-H, было обусловлено тем фактом, что в формуле деформации Дебая-Шеррера составляющая деформации считалась равной нулю, а расширение дифракционного пика предполагалось только из-за уменьшенного размера зерна.[Pg.181]

В уравнении 4.1 включен коэффициент fiF (0), который представляет собой функцию профиля пика, которая описывает увеличение размера частиц и другие источники расширения пика. Метод XRD можно также использовать для измерения размера кристаллитов порошков, применяя методологию Шеррера-Уильямсона-Холла [4,35]. В этой методике на FWHM дифракционного пика p влияют два типа дефектов, то есть дислокаций, которые связаны с напряжением образца и размером зерна.Можно написать [35] … [стр.147]

Размер кристаллитов порошка перовскита BaCe0 95Yb0 05O3 5 рассчитывали по ранее объясненному методу, то есть по методике Шеррера-Уильямсона-Холла [4, 35,36], Расчетный радиус кристаллитов перовскита, рассматриваемых как сферические частицы, составлял = 71 + 1 нм. [Стр.148]

Рисунок 6.4. Графики Уильямсона-Холла, полученные с использованием метода Лэнгфорда, основанного на аппроксимации дифракционного пика оксида церия…

$Figure 6.4. Williamson-Hall plots obtained by using the Langford method based on diffraction peak fitting of cerium oxide...$

метод Уильямсона-Холла — Большая Химическая Энциклопедия В качестве естественного расширения методов, показанных в разделе 13.2, выражения IB для различных источников уширения линий могут быть объединены. Это основа метода Уильямсона-Холла, введенного в конце 1940 года. Учитывая уравнения (7) и (10), вклады размера и деформации можно объединить как … -Холл-метод является более точным методом для расчета размера кристаллитов по сравнению с методом Дебая-Шеррера.На рис. 2 представлен график Уильямсона-Холла (W-H) для наноструктурного люминофора YP04 Eu. Как показано на фиг.2, Y-точка пересечения равна 0,0027, принимая X за 0,154 нм, размер зерна, как было обнаружено, составляет около 62 нм. Рассчитанный размер частиц хорошо совпадал с данными Дебая-Шеррера. Небольшое изменение размера зерен, рассчитанное методами Дебая-Шеррера и W-H, было обусловлено тем фактом, что в формуле деформации Дебая-Шеррера составляющая деформации считалась равной нулю, а расширение дифракционного пика предполагалось только из-за уменьшенного размера зерна.[Pg.181]

Эмпирическим методом, который не связан со строгой обработкой свертки дифракционного профиля по размеру и деформации, является анализ Уильямсона-Холла.Этот метод подходит для веществ, характеризующихся большим количеством дифракционных пиков, и для сильно дефектных образцов, для которых аналитические процедуры вызывают проблемы с определением фона. Метод включает построение графика обратной ширины ((3) (FWHM) в единицах шкалы 20 в зависимости от взаимных положений (d) всех пиков фазы. Пересечение дает размер частиц и наклон «кажущейся деформации» 2r. Необходимые количества определены следующим образом … [Pg.299]

$Figure 6.4. Williamson-Hall plots obtained by using the Langford method based on diffraction peak fitting of cerium oxide...$

В 1953 году Уильямсон и Холл [WIL 53] предложили простой метод решения этой проблемы. Он работает, учитывая, что как ограниченный размер кристаллов, так и наличие кристаллографических искажений приводят к распределениям интенсивности Лоренца. [Pg.248]

Определение размера и деформации

Определение размера и деформации

Указатель материалов курса Индекс раздела Предыдущая страница

Определение размера и деформации

В предыдущем разделе объяснялось, как размер и неоднородная деформация могут расширяться пик дифракции порошка.Вопрос, который занял умы многих порошковые дифракционисты в течение последнего (20-го) века, является ли средний размер и деформация в порошке может быть рассчитана по дифракционной картине даже когда оба присутствуют одновременно. Мы отвечаем на этот вопрос как в приблизительная и более строгая мода.

Уильямсон-Холл Участок

Этот метод приписан Г. К. Уильямсону и его ученику У. Х. Холлу (Acta Metall.1, 22-31 (1953). Он основан на принципе, что приближенный формулы для уширения размера, β _L и уширения деформации, β _и, совершенно разные по отношению к Брэггу угол, θ:

β _L =	K λ L cosθ

β _е =	C ε tanθ

Один вклад изменяется как 1 / cosθ, а другой как tanθ.Если оба взносы присутствуют, то их совокупный эффект должен быть определен свертка. Упрощение Уильямсона и Холла предполагает свертка представляет собой либо простую сумму или сумму квадратов (см. предыдущее обсуждение об источниках расширения пика в этом разделе). Используя первый из них тогда мы получим:

β _tot = β _e + β _L = C ε tanθ +

K λ

L cosθ

Если мы умножим это уравнение на cosθ, то получим:

β _tot cosθ = C ε sinθ +

K λ

и сравнивая это со стандартным уравнением для прямой ( м = уклон; с = перехват)

y = mx + c

мы видим, что путем построения β _tot cosθ против sinθ мы получить компонент деформации от уклона ( C ε) и размер компонент от перехвата ( K λ / L ).Такой сюжет известен как график Уильямсона-Холла и схематически проиллюстрирован ниже (обратите внимание, что этот график может быть альтернативно выражен в параметрах обратного пространства, β * против d *):

Может быть хорошей идеей маркировать каждую точку данных на графике Уильямсона-Холла в соответствии с индексом его отражения, чтобы увидеть, возникает ли какая-либо картина: например, на иллюстрации несколько h 00 отражений лежат немного выше средней прямой линии, предполагая, что порошок кристаллитов самые тонкие в <100> направлении кристалла.Однако Уильямсон-Холл Метод имеет много предположений: его абсолютные значения не следует принимать слишком серьезно, но это может быть полезным методом, если использовать его в относительном смысле; для Пример исследования множества порошковых рисунков одного и того же химического состава, но синтезируется в различных условиях, может выявить тенденции в кристаллите размер / напряжение, которое в свою очередь может быть связано со свойствами продукта.

метод Уоррена-Авербаха

Этот метод относится к B.E.Warren и B.L.Averbach (J.Appl.Phys. 21, 595 (1950) и там же 23, 497 (1952)) и стал одним из наиболее строгие и широко используемые методы для разделения эффектов размера и напряжения. Лечение за методом является довольно сложным и включает в себя выражение интенсивность пика в терминах суммы Фурье, которая имеет четкую математическую преимущества (половина сроков — синусоидальные компоненты — поворот быть незначительным, и (де) свертка удобно обрабатывается в Фурье пространство).Еще одна хитрость заключается в том, чтобы расположить пики порошковой дифракции заданный шаблон в ч , k , l -индексированные группы, обладающие общее кристаллографическое направление (например, <00 n > = <001>, <002>, <003> где n упоминается как заказ ). Это имеет два конкретных Преимущества: он преодолевает проблему асимметричного размера / напряжения кристаллиты, так как анализ каждой группы становится специфичным для данного направления (я.е. <001> в приведенном выше примере), и разделение размер / деформация упрощается тем, что размерные эффекты не зависят от порядка, n , тогда как эффекты деформации меняются в зависимости от порядка. Метод точен, если распределение деформации в кристаллитах гауссово, и все еще остается хорошим приближение в противном случае при условии, что искажения кристаллической решетки малы. Тип конечных значений, предоставленных методом, является средним (взвешенным по площади) размер кристаллитов, параметр, который связан с размером кристаллитов распределение и средняя деформация (для характерного размера), все указано для конкретного кристаллографического направления.Хотя метод явно не просто большинство коммерческих систем порошковых дифрактометров обеспечивают Процедура анализа Уоррена-Авербаха на их программном обеспечении с легким для понимания инструкции.

Указатель материалов курса Индекс раздела Предыдущая страница

Основы спинтроники и спин-орбитальных моментов в магнитных материалах

Механизм возникновения спин-орбитальных моментов

Влияние механического напряжения на магнитные свойства тонких пленок

Особенности перпендикулярно намагниченных многослойных материалов

Методика проведения экспериментов

Ключевые результаты исследования влияния деформации на SOT

Теоретическое обоснование наблюдаемых эффектов

Перспективы применения результатов исследования

из «Наноструктурные материалы, полученные интенсивной пластической деформацией»

26. Анализ уширения рентгеновских пиков

27. Различие в размере кристаллитов определяемом методами рса и пэм

28. Типичные значения окр, микроискажений кристаллической решетки и плотности дислокаций в никеле подвергнутом ипдк и ркуп

29. Взаимодействие электронов с веществом

Основа исследования

Результаты исследования

Эпилог

Немного рекламы

Вектор — рассеяние

Открытие эффекта Холла

Физико-математическое определение

Разновидности явления

Способы использования явления

Магнитные датчики

Характеристики устройства

Изготовление приборов

минимизирует стресс и побеждает депрессию

Суть метода прогрессивной мышечной релаксации

Техника лечения

принцип работы, теория, формула, применение

История эффекта Холла

Принцип работы эффекта Холла

Теория за принципом эффекта Холла

Формула эффекта Холла

Напряжение Холла

Коэффициент Холла

Концентрация несущей заряда

Холловская мобильности

Плотность магнитного потока

Применение принципа эффекта Холла

Как эффект Холла можно использовать для определения типа используемого полупроводника

Определение размера и деформации

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ