Mje13005 транзистор характеристики. Транзистор MJE13005: характеристики, применение и аналоги

alexxlabРазное
Каковы основные параметры и особенности транзистора MJE13005. Где применяется данный транзистор. Какими аналогами можно заменить MJE13005. Как правильно выбрать замену для транзистора.

Содержание

Общая характеристика транзистора MJE13005

MJE13005 — это биполярный кремниевый транзистор n-p-n структуры, предназначенный для работы в импульсных источниках питания, схемах управления электродвигателями и других устройствах с высоким напряжением и средней мощностью.

Основные особенности транзистора MJE13005:

  • Высоковольтный (до 400 В)
  • Средней мощности (75 Вт)
  • Быстродействующий
  • Для работы в ключевом режиме
  • Корпус TO-220AB

Транзистор MJE13005 относится к семейству высоковольтных биполярных транзисторов серии 13xxx, разработанных компанией Motorola (сейчас ON Semiconductor). В эту серию также входят транзисторы MJE13003, MJE13004, MJE13007 и другие, отличающиеся максимально допустимыми напряжениями и токами.

Основные параметры и характеристики MJE13005

Рассмотрим подробнее ключевые электрические параметры транзистора MJE13005:


  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vceo: 400 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база Vcbo: 700 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база Vebo: 9 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора Ic: 4 А
  • Максимальный импульсный ток коллектора Icm: 8 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность Ptot: 75 Вт
  • Коэффициент усиления по току hFE: 10-60 (при Ic=1 А)
  • Граничная частота fT: 4 МГц
  • Время рассасывания td: 1.7 мкс (типовое)
  • Время спада tf: 0.4 мкс (типовое)

Как видно из параметров, MJE13005 способен работать с высокими напряжениями до 400 В и токами до 4 А в продолжительном режиме. Это позволяет использовать его в мощных импульсных преобразователях. При этом транзистор обладает достаточно высоким быстродействием для работы на частотах до нескольких десятков кГц.

Особенности конструкции и корпуса MJE13005

Транзистор MJE13005 выпускается в пластиковом корпусе TO-220AB. Это стандартный 3-выводной корпус для силовых полупроводниковых приборов средней мощности.

Особенности корпуса TO-220AB:

  • Пластиковый корпус с металлическим теплоотводящим основанием
  • 3 вывода (база, коллектор, эмиттер)
  • Возможность монтажа на радиатор через металлическое основание
  • Размеры корпуса: 10 x 15 x 4.5 мм
  • Расстояние между выводами: 2.54 мм

Цоколевка выводов MJE13005 в корпусе TO-220AB:


  1. База (B)
  2. Коллектор (C)
  3. Эмиттер (E)

Металлическое основание корпуса также соединено с коллектором транзистора. Это следует учитывать при монтаже на радиатор, обеспечивая электрическую изоляцию.

Области применения транзистора MJE13005

Благодаря своим характеристикам, транзистор MJE13005 находит широкое применение в различных электронных устройствах:

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Преобразователи напряжения
  • Драйверы электродвигателей
  • Схемы управления индуктивными нагрузками
  • Электронные балласты для люминесцентных ламп
  • Зарядные устройства
  • Инверторы
  • Сварочные аппараты

В большинстве случаев MJE13005 используется в качестве ключевого элемента, работающего в импульсном режиме. Его высокая скорость переключения позволяет эффективно применять транзистор на частотах до 50-100 кГц.

Выбор режимов работы и расчет цепей для MJE13005

При использовании транзистора MJE13005 в схемах необходимо учитывать его предельные параметры и обеспечивать правильные режимы работы. Рассмотрим основные моменты:

  • Напряжение коллектор-эмиттер не должно превышать 400 В
  • Ток коллектора не более 4 А в постоянном режиме и 8 А импульсно
  • Рассеиваемая мощность не более 75 Вт при использовании радиатора
  • Напряжение база-эмиттер в открытом состоянии 0.7-1 В
  • Ток базы выбирается из расчета коэффициента усиления 10-20

При расчете цепей следует учитывать: — Падение напряжения на открытом транзисторе 0.5-1 В — Время включения и выключения около 1-2 мкс — Необходимость ограничения тока базы резистором — Защиту от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки

Для эффективного отвода тепла рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 10-20 см2 при мощности рассеяния более 10-15 Вт.

Аналоги и замена транзистора MJE13005

При отсутствии MJE13005 его можно заменить аналогичными транзисторами с близкими характеристиками. Наиболее подходящими аналогами являются:

  • BU1508DX
  • BUL45
  • 2SC5249
  • 2SC5250
  • MJE13003
  • MJE13004
  • MJE13007
  • BUL310
  • BUL381

При выборе замены следует обращать внимание на следующие ключевые параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (не менее 400 В)
  • Максимальный ток коллектора (не менее 4 А)
  • Рассеиваемая мощность (не менее 75 Вт)
  • Быстродействие (время выключения не более 1-2 мкс)
  • Коэффициент усиления по току (10-60)
  • Тип корпуса (TO-220 или совместимый)

Важно отметить, что прямая замена не всегда возможна из-за различий в параметрах и характеристиках транзисторов. В некоторых случаях может потребоваться корректировка схемы или подбор режимов работы.

Практические рекомендации по применению MJE13005

При использовании транзистора MJE13005 в электронных устройствах рекомендуется учитывать следующие моменты:

  1. Обеспечить надежный теплоотвод при работе на большой мощности. Использовать качественную теплопроводящую пасту и радиатор достаточной площади.
  2. Защитить транзистор от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки с помощью снабберных цепей или защитных диодов.
  3. Ограничивать ток базы резистором, рассчитанным исходя из требуемого коэффициента усиления и максимального тока коллектора.
  4. При работе на высоких частотах минимизировать паразитные индуктивности в цепях коллектора и базы для уменьшения потерь на переключение.
  5. Обеспечить надежную изоляцию корпуса транзистора при монтаже на общий радиатор с другими компонентами.

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и эффективную работу устройств с применением транзистора MJE13005.

Измерение параметров и проверка исправности MJE13005

Для оценки состояния и проверки работоспособности транзистора MJE13005 можно провести следующие измерения:

  1. Проверка целостности переходов мультиметром в режиме «прозвонки диодов»: — База-эмиттер: прямое падение 0.6-0.7 В — База-коллектор: прямое падение 0.6-0.7 В — Коллектор-эмиттер: отсутствие проводимости
  2. Измерение тока утечки коллектор-эмиттер при подаче обратного напряжения 100-200 В. Ток утечки не должен превышать 1-2 мА.
  3. Измерение коэффициента усиления по току при токе коллектора 0.5-1 А. Типовое значение hFE должно быть в пределах 10-60.
  4. Проверка времени переключения с помощью специального тестера. Время выключения не должно превышать 1-2 мкс.

При обнаружении отклонений от указанных параметров транзистор следует заменить. Также стоит визуально проверить корпус на наличие сколов, трещин или следов перегрева.


Транзистор MJE13005 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги: BUJ103A
Корпус TO-220AB
ВыводНазначение

Цоколевка транзистора MJE13005

1База
2Коллектор
3Эмиттер
КорпусКоллектор
Предельно допустимые и основные электрические параметры
ОбозначениеПараметрУсловияМин. Тип.Макс.Ед. изм.
VceoНапряжение коллектор-эмиттер———400В
VeboНапряжение эмиттер-база———9В
IcТок коллектора постоянный———4А
IcmТок коллектора импульсный———8А
IbТок базы———2А
IbmТок базы импульсный———4А
PcМощность, рассеиваемая на коллектореТ = 25°С——75Вт
IeboОбратный ток эмиттераVeb = 9 В, Ic = 0 А——1мА
hFE		Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭVce = 5 В, Ic = 1 А10—60
Vce = 5 В, Ic = 2 А8—40
Vce_satНапряжение насыщения К-ЭIc = 1 А, Ib = 0.2 А——0.5В
Ic = 2 А, Ib = 0.5 А——0.6В
Ic = 4 А, Ib = 1 А——1В
Vbe_sat		Напряжение насыщения Б-ЭIc = 1 А, Ib = 0.2 А——1В
Ic = 2 А, Ib = 0.5 А——1.6В
CobВыходная емкостьVcb = 10 В,f = 1 МГц—65—пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор MJE13005, NPN, 400V, 4A, корпус TO-220AB

Описание товара Транзистор MJE13005, NPN, 400V, 4A, корпус TO-220AB

Транзистор MJE13005, NPN, 400V, 4A, корпус TO-220AB от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: NPN
  • Рабочее напряжение: 400V
  • Рабочий ток: 4A
  • Тип корпуса: TO-220AB

Особенности транзисторов MJE13005, NPN, 400V, 4A, корпус TO-220AB
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

FJE13005 (E13005-2) | Биполярные транзисторы

Код товара :M-110-7655
Обновление:2019-03-30
I(c) :4A
V(cbo) :700V
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить FJE13005 (E13005-2), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с FJE13005 (E13005-2) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
КодНаименованиеКраткое описаниеРозн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7655FJE13005 (E13005-2)Транзистор FJE13005 (маркировка E13005, аналог MJE13005) — Power NPN high-voltage, high-speed tranzistor, TO-22023 pyб.
303IRF740 to-220Транзистор IRF740 (IRF740N, IRF740B) — MOSFET, N-канал, 400В, 10А, 134Вт, 0.54 Ом, TO-22025 pyб.
1929NE555P dip-8Микросхемы NE555P — PRECISION TIMER IC, DIP-84.3 pyб.
17142SC5706 (C5706) to-251Транзистор 2SC5706 (маркировка C5706) — Bipolar NPN Transistor 50V, 5A, TO-25112 pyб.
2043IRFZ44N to-220Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-22019 pyб.
1273TDA2822M dip-8Микросхемы TDA2822 (TDA2822M) — Monolithic Integrated Audio Amplifier, DIP-86 pyб.
7216Светодиод RGB, 5мм, матовая линзаСветодиод RGB, 5мм, матовая линза, общий анод (аналог BL-L515RGBW-CA)6 pyб.
610IRF9540NТранзисторы IRF9540N — Power MOSFET P-Channel, 100V, 23A, TO-22030 pyб.
6767Подстроечный резистор 3296W, 100 кОм (100K)Подстроечный резистор (потенциометр) многооборотный, тип 3296W, номинал 100 кОм12 pyб.
77722SC5570Транзистор 2SC5570 — NPN Power Transistors, 800V, 28A, TO-26492 pyб.

 

13003 Транзистор характеристики и его российские аналоги

Каталог Радиотех: MJE13003(TO-220) – Мощные транзисторы – Транзисторы – Электронные компоненты – электронные компоненты оптом и в розницу.

Распиновка

Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.

В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.

Транзисторы MJE13001 и 13001

Транзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов.

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже – цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70, в зависимости от буквы.
У MJE13001A – от 10 до 15.
У MJE13001B – от 15 до 20.
У MJE13001C – от 20 до 25.
У MJE13001D – от 25 до 30.
У MJE13001E – от 30 до 35.
У MJE13001F – от 35 до 40.
У MJE13001G – от 40 до 45.
У MJE13001H – от 45 до 50.
У MJE13001I – от 50 до 55.
У MJE13001J – от 55 до 60.
У MJE13001K – от 60 до 65.
У MJE13001L – от 65 до 70.

Граничная частота передачи тока – 8МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер – 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) – 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА – не выше 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора – в корпусе TO-92 – 0.75 Вт, в корпусе TO-126 – 1.2 Вт без радиатора.

Под заказ со склада поставщика

Товар отгружается только
по предварительному заказу
по электронной почте

Формирование заказа в течение 24 часов

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%.

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Комплементарная пара

Комплементарной пары  у mje13003 нет, учитывайте это при выборе компонента для своих схем или при замене вышедшего из строя устройства.

Смотрите также:

Обозначение транзисторов на схеме
Проверка транзисторов мультиметром
Импортные биполярные транзисторыСправочникГлавная

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

  • принцип действия – биполярный;
  • корпус ТО-92 или SOT-23;
  • материал корпуса – пластик;
  • материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

Схема “зарядки” для телефона.

R1 – 1 Ом, 1Ватт.
R2 – 20 кОм.
R3 – 680 кОм.
R4 – 100 кОм.
R5 – 43 Ом.
R6 – 5,1 Ом.
R7 – 33 Ом.
R8 – 1 кОм.
R9 – 1,5 кОм.
C1 – 22 мФ,25в(оксидный).
C2 – 1 нФ, 400в.
C3 – 3,3 нФ, 1000в.
C4 – 2,2 мФ,400в(оксидный).
C5 – 100 мФ,25в(оксидный).
VD1 – стабилитрон 5,6в.
VD2,VD3 – диод 1N407.
VD4 – диод 1N4937.
VD5 – индикаторный светодиод.
Транзистор – MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант – MJE13005(13005).

На главную страницу
В начало

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт “Электрика это просто”.

Производители

Вот список основных производителей устройства, кликнув мышкой по наименованию компании можно скачать её DataSheet.

  • Motorola Semiconductor;
  • KEC Semiconductor;
  • Unisonic Technologies (UTS).

Использование

Транзистор 13001 самые маломощные в линейке 13000. Его используют там, где не нужны высокие токи. Например в пускорегулирующих устройствах для люминисцентных ламп малой мощности и во многом другом.

Интересный факт что транзистор 13001 ставят в лягушки (зарядное устройства) в который из за сильного нагревания он часто выходит из строя.

Можно попробовать сделать усилитель низкой частоты своими руками.

( 1 оценка, среднее 5 из 5 )

Краткие, основные характеристики зарубежных транзисторов

В следующую таблицу вошли полупроводниковые приборы:
MAT02FH; MGF1302; MJ10001; MJ10005; MJ1001; MJ10012; MJ10016; MJ11015; MJ11016; MJ11032; MJ11033; MJ15003; MJ15004; MJ15015; MJ15016; MJ15022; MJ15023; MJ15024; MJ15025; MJ16018; MJ2501; MJ2955; MJ3001; MJ4032; MJ4035; MJ413; MJ4502; MJ802; MJE13004; MJE13005; MJE13005; MJE13007; MJE13009; MJE15030; MJE15031; MJE18004; MJE18006; MJE18008; MJE210; MJE243; MJE253; MJE270; MJE271; MJE2955T; MJE3055T; MJE340; MJE350; MJE5850; MJE800; MJE8502; MJF18004; MJF18008; MJF18204; MJW16018; MJW16206; MJW16212; MPF102; MPS3640; MPSA06; MPSA10; MPSA12; MPSA14; MPSA18; MPSA42; MPSA44; MPSA56; MPSA70; MPSA92; MPSh20; MRF237; MRF455; MRF475; ON4359; P6N60; РН2222А; РН2369; PN2222A; PN2907; PN2907A; PN3563; PN3638; R1004; RFP40N10; S175; S2000AF; S2000N; S2055N; S2530A; SGSF313; SGSF313XI; SGSF344; SGSF445; SGSF464; SGSIF344; SGSIF444; SLA4061; SLA4390; SS8050; SS8550; SSM2210P; SSM2220P; STA301A; STA341M; STA401A; STA402A; STA403A.

Тип прибораОписаниеТип прибораОписание
DTC114TSSi-N 50B 0,1A R=10kOmIRF9620P-FET 200В 3,5A 40Вт
DTC114YSSi-N 50В 0,1 A R= 10к0м/47к0мIRF9630P-FET 200В 6,5A 75Вт
DTC124EKSi-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=22kOm/22kOmIRF9640P-FET 200В 11A 125Вт
DTC124ESSi-N 50В 0,1 A R=22kOm/22kOmIRFBC30N-FET 600В 3,9A 100Вт
DTC143EKSi-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=4,7kOm/4,7kOmIRFBC40N-FET 600В6,2А125Вт
DTC143ESSi-N 50В 0,1 A R=4,7k0.m/4,7k0mIRFBE30N-FET 800B 4,1 А 125Вт
DTC143TSSi-N 50В 0,1 A R=4,7kOmIRFD120N-FET 100B 1,3A 1,3Вт
DTC143XSSi-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=4,7kOm/1kOmIRFD9120P-FET 100B 1A 1,3Вт
DTC144EKSi-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/47kOmIRFD9220P-FET 200В 0,6A 1Вт
DTC144ESSi-N 50В 0,1 A R=47kOm/47kOmIRFF120N-FET 100B 6A 20Bт
DTC144EUSi-N 50В 0.1А 0,2Вт R-47kOm/47kOmIRFP054N-FET 60В 70A 230Вт
DTC144TSSi-N 50В 0,1 А 0,3Вт R=47kOmIRFP064N-FET 60В 70A 300Вт
DTC144WSSi-N 50В 0,1 А 0,2Вт R=47kOm/22kOmIRFP140N-FET 100B31A 180Вт
ESM6045DVN-DARL+D 450В 84А 250ВтIRFP150N-FET 100В 40A 180Вт
FT5754MDARL, матрицаIRFP240N-FET 200В 20A 150Вт
FT5764MDARL, матрицаIRFP250N-FET 200В ЗЗА 180Вт
GD243GE-P65B ЗА 10ВтIRFP340N-FET 400В 11A 150Вт
GT20D101N-IGBT 250В 20А 180ВтIRFP350N-EET400B 18A 250Вт
GT20D201P-IGBT 250В 20А 250ВтIRFP360N-FET 400В 28A 410Вт
H6N80N-FET 80бВ 4,2А 170ВтIRFP450N-FET 500В 14A 180Вт
HPA100RSi-N+D 1500В 10А 150Вт 0,2IRFP460N-FET 500В 25A 410Вт
HPA150RSi-N+.D 1500В 15А 180Вт 0,2IRFP9140P-FET 100В 19A 150Вт
IPP041N12N3МОП, N-kанал, 120А, 120В, Rds 0.0035Ом, Vgs3В, 300ВтIRFP9240P-FET 200В 12A 150Вт
IRG4BC40WIGBT, N-канал, 600В, 40А, 60-150кГцIRFPC40N-FET 600B6.8A 150Вт
IRF120N-FET 100В 9,2А 60ВтIRFPC50N-FET 600В 13A 250Вт
IRF140N-FET 100В 28А 150ВтIRFPE40N-FET 800В 5,4A 150Вт
IRF230N-FET 200В 9А 75ВтIRFPE50N-FET 900В 7,8А 190Вт
IRF240N-FET 200В 18А 125ВтIRFPF40N-FET 900В 4,7А 150Вт
IRF250N-FET 200В ЗОА 150ВтIRFPF50N-FET 900В 6,7А 190Вт
IRF330N-FET 400В 5,5А 75ВтIRFR9024P-FET 60В 9,6А 50Вт 0,28Вт
IRF340N-FET 400В 10А 125ВтIRFZ20N-FET 50B 15А 40 Вт
IRF350N-FET 400В 13А 150ВтIRFZ44N-FET 60B 46А 250Вт
IRF440N-FET 500В 8А 125ВтIRFZ48N-FET 60В 50А 250Вт
IRF450N-FET 500В 13А 150ВтITT9013GSi-N 30B 0,5А 100МГц
IRF520N-FET 100В 10A 70 ВтJ111N-FET 40В 50мА 0,4Вт
IRF530N-FET 100В 16А 90ВтJ300N-FET 25В 6мА 0,35Вт
IRF540N-FET100B 28А 150ВтJ309N-FET 25В ЗОмА Up
IRF630N-FET 200В 9А 75ВтJ310N-FET 25В 60mA Up
IRF640N-FET 200В 18А 125ВтKSA708Si-N 80В 0,7А 0,8Вт 50МГц
IRF644N-FET 250В 14А 125ВтKSA733Si-P60B 0,15А 0,25Вт 50МГц
IRF730N-FET 400В 5,5А 100ВтKSC2316Si-N 120В 0,8А 0,9Вт 120МГц
IRF740N-FET 400В 10А 125ВтKSC2328ASi-N30B 2А1 Вт 120МГц
IRF740FN-FET 400В 5,5А 40ВтKSC2330Si-N 300В 0,1 А 50МГц
IRF820N-FET 500В ЗА 75ВтKSC2331Si-N80B 0,7А 1 Вт 30МГц
IRF830N-FET 500В 4,5А 100ВтКТА1273Si-P30B 2А 1 Вт 120МГц
IRF830FN-FET 500В ЗА 35ВтКТС3198Si-N 60В 0,15А0,4Вт 130МГц
IRF840N-FET 500В 4,5А 40ВтКТС9012Si-Р ЗОВ 0.5А 0,625Вт
IRF840FN-FET 500В 4,5А 40ВтКТС9013Si-N ЗОВ 0,5А 0,625Вт
IRF9140P-FET 100В 19А 125ВтКТС9014Si-N 50В 0.15А0,625Вт
IRF9240P-FET 200В 11А 125ВтКТС9015Si-P 50B 0.15А 0,625Вт
IRF9530P-FET 100В 12А88ВтКТС9018Si-N 30B 20мА 0,2Вт 500МГц
IRF9540P-FET 100В 19А 150ВтKTD1351Si-N 60В ЗА 30Вт 3МГц
IRF9610P-FET 200В 1,75А 20ВтM54661P4x транз., матрица+диод 1,5A

Транзистор MJE13005 китай! (торги завершены #112922793)

НЕТ ВРЕМЕНИ ОПИСЫВАТЬ ВСЕ МЕЛЬЧАЙШИЕ ПОДРОБНОСТИ,ПО ЭТОМУ ВНИМАТЕЛЬНО СМОТРИТЕ ФОТОГРАФИИ И ОТСКАНИРОВАНЫЕ ДОКУМЕНТЫ! НА ВСЕ ЛОТЫ 100% ГАРАНТИЯ ПРОДАВЦА!   НАЛОЖЕННЫМ ПЛАТЕЖОМ ЛОТЫ НЕ ВЫСЫЛАЮ!!!!!    СТАРАЙТЕСЬ   НЕ ПОКУПАТЬ ПО ОДНОМУ ЛОТУ,  ВАМ ОТПРАВКА  БУДЕТ ОБХОДИТСЯ ДОРОЖЕ,УСЛУГИ ПОЧТЫ РОССИИ ДОРОЖАЮТ С КАЖДЫМ ДНЁМ, НЕ У МЕНЯ НЕ У ВАС НЕТ ЛИШНИХ ДЕНЕГ!!!!                ЗА РАБОТУ ПОЧТЫ РОССИИ НЕ ОТВЕЧАЮ,И ОТВЕТА НЕ НЕСУ!  ПОКУПАТЕЛЬ ПЕРВЫМ ВЫХОДИТ НА СВЯЗЬ,ОПЛАТА КУПЛЕННОГО ЛОТА В ТЕЧЕНИИ 3 ДНЕЙ,ЕСЛИ НЕТ ДЕНЕГ НЕ НАЖИМАЙТЕ КУПИТЬ ! НЕ ТЯНИТЕ С ОПЛАТОЙ,НЕ СРЫВАЙТЕ СДЕЛКИ, НЕ СОБИРАЙТЕ СЕБЕ ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ОТЗЫВЫ !    ОБ ОТПРАВКЕ ВСЕМ ПОКУПАТЕЛЯМ ПОЛЕЗНАЯ ИНФОРМАЦИЯ: ОБЫЧНАЯ ОТПРАВКА! БЕЗ НОМЕРА ОТПРАВЛЕНИЯ,СТОИТ ДЕШЕВЛЕ,ЕЁ НЕ ВОЗМОЖНО ОТСЛЕДИТЬ,СЛЕДОВАТЕЛЬНО НЕТ ШАНСОВ ЧТО ОТПРАВЛЕННОЕ К ВАМ ДОЙДЁТ! ЗАКАЗНОЕ С НОМЕРОМ ОТПРАВЛЕНИЯ,СТОИМОСТЬ ЗАВИСИТ ОТ ВЕСА  КУПЛЕННОГО ВАМИ,И ОБЪЁМА И  РАЗМЕРА, ДОЙДЕТ ДО ВАС В ТЕЧЕНИИ 2 НЕДЕЛЬ,БЫСТРЕЕ ДОЙДЁТ ЕСЛИ НАХОДИТЕСЬ БЛИЖЕ К ПРОДАВЦУ! ОТПРАВКА 1 КЛАССОМ ЗНАЧИТЕЛЬНО ДОРОЖЕ,НО ДОЙДЁТ БЫСТРЕЕ И ЦЕЛОСНОСТЬ НЕ ИСПОРЧЕНА БУДЕТ ПРОЦЕНТОВ НА 15% МЕНЬШЕ!  НЕТ СМЫСЛА ОПИСЫВАТЬ ЦЕННОСТЬ ПОСЫЛКИ,ХРУПКОСТЬ,ОСТОРОЖНО СТЕКЛО,ОТПРАВКА ОБОЙДЁТСЯ ЕЩЁ ДОРОЖЕ ВАМ! ЗАРАНИЕ СООБЩАЙТЕ КАК ВАМ ОТПРАВЛЯТЬ,ЧТОБЫ НЕ БЫЛО НЕДАРАЗУМЕНИЙ И ПРИТЕНЗИЙ!

 

Класс Х2

                 

 

Конденсаторы серии MPX класса X2 имеют конструкцию с металлизированным пленочным полипропиленовым диэлектриком. Медные радиальные выводы покрыты плакированной сталью. Конденсаторы герметизированы в пластмассовом корпусе эпоксидной смолой. Соответствуют наиболее известным стандартам безопасности, таким как EN132400, IEC384-14, VDE0565-1, UL1414, CSA22,2NO.1. Герметизация в материале UL94V-0

ПРИМЕНЕНИЕ:

Конденсаторы серии MPX класса X2 идеальны для использования в цепях подавления помех и «параллельно линии» в таких устройствах, как: вычислительные машины, компьютерные дисплеи и мониторы, шлифовальные станки, бытовая техника: миксеры, вентиляторы, аудио, телевизионные схемы, кофемолки.

СПЕЦИФИКАЦИЯ:

1. Диапазон емкостей

: 0.01…1 мкФ

2. Допуск емкости

: K(±10%), M(±20%)

3. Номинальное переменное  напряжение

: 275VAC 50/60 Гц (CSA, UL250VAC)

4. Температурный диапазон

: -40…+100C (CSA, UL85C)

5. Климатическая категория

: 40/100/21

6. Сопротивление изоляции: CЈ0.33 мкФ: >30000 MОм
7. Рассеивающий фактор: 0.1% при 1 кГц
8. Тестовое напряжение между выводами: 2000 В постоянного тока при 100% экранированных заводских испытаних . Все электрические характеристики сохраняются после теста.
MJE13005 Транзисторы MJE13005 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные. Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркировка транзистора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: ТО-220AB. Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C. Технические характеристики и электрические параметры транзистора MJE13005:Электрические характеристики при Токр. среды = 25 °С. Обозначение Параметр Условия испытания Mин. Тип. Maкс Единицы измерения Uкэ(раб.) Рабочее напряжение коллекторэмиттер IК=10мA, IБ=0 400 В Iкэо Коллектор-эмиттер ток отсечки Uкэ=400В, Uбэ=1.5В Uкэ=400В, Uбэ=1.5В, Тс=100˚C 1 5 мА Iэбо Эмиттер-база ток отсечки Uэб=9В, IК=0 1 мA h31Э Статический коэффициент передачи тока IК=1A, Uкэ=5.0В IК=2A, Uкэ=5.0В 10 8 60 40 Uкэ(нас) Напряжение насыщения коллекторэмиттер IК=1A, IБ=0.2A IК=2A, IБ=0.5A IК=4A, IБ=1A IК=2A, IБ=0.5A, Тс=100˚C 0.5 0.6 1 1 В Uбэ(нас) Напряжение насыщения базаэмиттер IК=1A, IБ=0.2A IК=2A, IБ=0.5A IК=2A, IБ=0.5A, Тс=100˚C 1.2 1.6 1.5 В fгр. Граничная частота коэф. передачи тока Uкэ=10B, IК=500мA, f=1МГц 4 МГц Свых. Выходная емкость Uкб=10В, IЭ=0, f=0.1МГц 65 пФ Резистивная нагрузка tзад Время задержки Uкэ =125В; IК=2A; IБ вкл.=0.4A; IБ выкл.=−0.4A; t им=25мксек 0.025 0.1 мксек. tнар Время нарастания 0.3 0.7 tрас Время рассасывания 1.7 4.0 tсп Время спада 0.4 0.9 Индуктивная нагрузка tрас Время рассасывания IК=2A; Uзакр. =300В; IБ вкл.=0.4A; Uбэ(выкл)= 5В; Тс=100˚C 0.9 4 tпер Время переключения 0.32 0.9 мксек. tсп Время спада 0.16 Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 700 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 9 В Макcимальный ток коллектора, не более: 8 А Макcимальный ток базы, не более: 4 А Рассеиваемая мощность, не более: 75 Вт Предельная температура перехода: +150 °C

j3y транзистор характеристики, чем заменить, аналог и datasheet

  1. Какими же транзисторами можно заменить?
  2. Полевые транзисторы
  3. Чем можно заменить полевые транзисторы?

Почему у людей возникает вопрос, о том, как и чем можно заменить транзистор? Возникает он из-за того, что случается так, что при работе с чем-то или при ремонте какого-либо предмета, к примеру, при починке импульсивного блока питания, происходит так, что в магазине нет нужного филдистора, который был поломан. Мастер вынужден искать выход, ведь починить он обязан вовремя. Поэтому этот человек начинает искать аналоги, те, что есть в наличии.

Случается даже так, что прибор, который был прежде, просто перестали производить, по крайней мере, поставлять в ваш город. И, конечно же, вариантов других не остается, как просто пытаться найти аналог, но это не из самых простых задач, на самом деле. Нужно уметь смотреть на параметры каждого такого предмета, и только тогда уже делать выбор в пользу какого-то одного.

Какими же транзисторами можно заменить?

Для начала разберем биполярные транзисторы, самые распространенные. Главное, что важно знать о них:

  • первым делом необходимо выяснить, каково максимальное его напряжение;
  • после чего нужно проверить, как обстоят дела с током коллектора;
  • затем выяснение, насколько рассеиваема мощность, и какова частота;
  • ну и, наконец, то как передается ток.

Вначале, конечно же, нужно начать с оценивания характеристики в общем. Самыми главными и первыми шагами будут: выяснение частоты и быстроты. Будет очень хорошо, если частоты будут отличаться, то есть рабочая будет меньше, чем граничная частота. Так все функционировать будет лучше.

Ну а если же будет наоборот, и рабочая с граничной будут практически на одной частоте, то в таком случае необходимо будет невероятно большое количество энергии, так как коэффициент передачи по току будет иметь свою определенную цель, он будет идти к 1. Поэтому необходимо, чтобы граничная частота того аналога, которого вы подбираете, была равна частоте этого предмета, который был прежде. Но можно сделать и так, чтобы частота была больше.

Далее обязательно обратить свое внимание на мощность. То есть нужно выяснить максимальный ток коллектора и напряжение коллектора-эмиттера. Максимальный ток коллектора обязан быть намного выше тока данного прибора. С напряжением же все, наоборот, у рабочего прибора должно оно быть выше.

Смотрите видео о том, чем заменить советские радиодетали.

Если же вы используете даташит для поиска аналога, то, конечно же, важно понимать, что все показатели аналога должны соответствовать прежнему прибору, хорошо было бы, даже если превосходили бы.

К примеру, если же случилась неполадка с транзистором, а напряжение коллектор-эмиттер было около 80 вольт, а ток 10 ампер, то соответственно по данным должен составлять 15 ампер по току, а по напряжению около 230 вольт. И этот аналог пойдет для замены полностью.

К примеру, очень часто 2N3055 заменяется на КТ819ГМ, и эти полупроводниковые компоненты спокойно могут друг друга заменять. Если говорить о схожести данных усилителей, то оба они считаются идеальной заменой друг друга и выйдут довольно эффективными, и они не принесут особых проблем.

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Полевые транзисторы

Так же очень распространенные на сегодняшний день компоненты. Их применяют даже чаще, чем биполярные. К примеру, инверторы теперь в основном только с полевыми, то есть биполярные приборы они уже стеснили. И если у вас возникает вопрос, можно ли заменить полевой транзистор биполярным, то ответ будет положительным. Однако в полевом плюсов намного больше, чем в биполярном.

Полевые усилители поглощают энергии намного меньше, чем биполярные, так как полевые управление фокусируют на напряжении и электрическим полем заряда, в то время когда биполярные же держатся на токе базы. Поэтому их предпочитают больше. Полевые транзисторы даже переключаются в разы быстрее, чем биполярные. К тому же они имеют хорошую термоустойчивость. И для того, чтобы переключить направления электрического тока, полевые транзисторы вправе соединяться параллельно и без резисторов, просто нужен драйвер, подходящий для этого.

Если же говорить о замене полевых триодов, то и здесь есть способ поиска их аналогов. В принципе в поиске с биполярными не сильно отличается, можно сказать даже, что будет практически таким же. Но разница небольшая есть: нет той проблемы с передачей тока, как у биполярного транзистора. Нельзя забывать о сток-исток, нужно помнить о запасе.

Читайте о том, как правильно произвести замеры тестером. А также о том, как собрать катушку Тесла своими руками.

К тому же у полевого есть такой параметр, как сопротивление открытого канала. Вот от него легко определить, что будет с мощностью, и как она будет рассеиваться. Ну и, конечно же, очень важно рассчитывать это сопротивление открытого канала, так как можно потерять много энергии и напряжении при переходе не будет слишком высоким.

Чем можно заменить полевые транзисторы?

Крутизна S также очень важна при поиске аналога. Данный параметр будет показывать состояние тока стока при напряжении затвора. Это позволит определить, сколько понадобится напряжения для коммутации.

Помните, что выбирать важно и исходя от порогового напряжения затвора, если напряжение будет в разы меньше порогового, то нормального функционирования от вашего аналога ждать не придется. Цепь при получении напряжения не получит нужного и вся мощность, точнее ее рассеивание останется на приборе, а для него этого нежелательно, ведь может случиться перегрев.

В даташите еще говорится, что мощность рассеяния обоих приборов одинакова: и зависит это от корпуса. Если корпус большой, то получение тепловой мощности будет безопаснее рассеиваться.

Емкость затвора так же очень важна в случае данного предмета. Очень важно, чтобы затвор не был крайне тяжелым, и необходимо помнить об этом при выборе. Будет очень хорошо, если он будет меньше в разы, так как это принесет удобство и легкость в использовании данного механизма. Однако если вам нет необходимости перепаивать, то спокойно можно выбрать размер, который идеально подойдет, схожий с оригиналом.

К примеру, сейчас довольно часто меняют IRFP460 на более новую и современную 20N50, так как у него затвор крайне легкий. Опять-таки даташит скажет то же самое, указав на массу схожести, несмотря на преимущество второго.

А какой транзистор планируете заменить вы? Оставьте свой ответ в комментариях! А также смотрите видео о том, как правильно подобрать полевые транзисторы.

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ

1561-1008 2Т874А 1561-1015 2Т874Б 2005A 2Т942Б 2023-1,5 2Т9155Б 2023-1,5T КТ9153А 2023-3 2Т9155А 2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б 2023-12 2Т9146Б 2023-16 2Т9146В 2307(A) 2Т9103А 46120 2Т962Б 222430 2Т9158А 27AM05 КТ9170А 2L08 2Т937А 2L15A 2Т937Б 2L15B КТ937Б 2N656 КТ6111А, Б 2N657 КТ6111В, Г 2N709 КТ397А 2N735A 2Т3130Г 2N739 КТ117БМ 2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д 2N1051 КТ6110В, Г, Д 2N1573 КТ117ВМ 2N1820 2Т862А 2N1923 КТ117АМ 2N2218 2Т649А, КТ928А 2N2218A КТ647А 2N2219 КТ928Б 2N2219A КТ928В 2N2221 КТ3117А 2N2222A КТ3117Б 2N2224 КТ638А 2N2369 КТ3142А 2N2459 2Т3130В 2N2463 2Т3130Б 2N2615 КТ3132Д 2N2616 КТ3132Е 2N2646 КТ132А 2N2647 КТ132Б 2N2712 КТ315А, Б 2N2784 КТ3101АМ 2N2906 КТ313А 2N2906A КТ313Б, 2Т3160А 2N3054 КТ723А 2N3055 КТ819ГМ 2N3114 КТ6117А 2N3397 КТ315Ж…Р 2N3584 2Т881Д 2N3712 КТ6117Б 2N3725 КТ635Б 2N3737 КТ659А 2N3839 КТ370А 2N3903 КТ645А 2N3904 КТ3117Б, КТ6137А 2N3905 КТ313А 2N3906 КТ313Б, КТ6136А 2N4123 КТ503А 2N4124 КТ503Б 2N4125 КТ502А 2N4126 КТ502Б 2N4128 КТ997В 2N4237 КТ719А 2N4238 КТ721А 2N4260 2Т3135А 2N4261 2Т3135Б 2N4400 КТ660А 2N4401 КТ660А 2N4402 КТ685А 2N4403 КТ685В 2N4411 КТ3127А 2N4440 КТ972В 2N4870 КТ133А 2N4871 КТ133Б 2N4913 КТ866Б 2N4914 КТ890А 2N4915 КТ890Б 2N4934 2Т939А 2N4976 КТ996А 2N5050 2Т892В 2N5086 КТ3107Б 2N5087 КТ3107К 2N5088 КТ3102Е 2N5089 КТ3102Е 2N5102 КТ921А, В 2N5177 2Т998А 2N5210 КТ3102Б 2N5240 КТ898А 2N5400 КТ698И, КТ6116Б 2N5401 КТ698К, КТ6116А 2N5550 КТ6127И, КТ6117Б 2N5551 КТ6127К, КТ6117А 2N5642 2Т945В, Г 2N5643 2Т949А 2N5651 КТ390Б 2N5839 КТ862Б 2N5840 КТ862В 2N5995 КТ972Г 2N5996 2Т945А, Б 2N6077 КТ898Б 2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б 2N6181 КТ9180В, Г 2N6428 КТ3117Б 2N6428A КТ3117Б 2N6515 КТ504Б 2N6516 КТ504В 2N6517 КТ504А 2N6518 КТ505Б 2N6519 КТ505А 2N6520 КТ505А 2N6679 КТ640Б 2N6701 КТ647А 2N7002LT1 КП214А9 2N7089 2П712Б 2SA555 КТ361А, Г, Д 2SA556 КТ361Ж, И 2SA715B КТ664А 2SA715C КТ664Б 2SA715D КТ6102А 2SA733 G КТ3107И 2SA733 L КТ3107И 2SA733 O КТ3107А 2SA733 R КТ3107А 2SA733 Y КТ3107Б 2SA738B КТ6116А, Б 2SA876H КТ313Г 2SA1009AM 2Т887А, Б 2SA1015 КТ502Е 2SA1090 КТ313В 2SA1175 КТ3107 2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г 2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А 2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В 2SA1815 КТ503Е 2SA2785 КТ3102 2SB596 КТ9176А 2SB834 КТ842В 2SB1220Q 2Т3129А 2SC40 КТ3101АМ 2SC64 КТ6110А, Б 2SC380 КТ315Г 2SC388 КТ315Г 2SC404 КТ359А 2SC495 КТ646А 2SC496 КТ646Б 2SC543-5 КП302А1-Г1 2SC601 КТ396А 2SC633 КТ315А, Б 2SC634 КТ315Д, Е 2SC641 КТ315Ж…Р 2SC651 2Т610А 2SC945G КТ3102Б 2SC945L КТ3102Б 2SC945O КТ3102А 2SC945R КТ3102А 2SC945Y КТ3102Б 2SC976 КТ996Б 2SC1173 КТ862Г 2SC1269 2Т642В 2SC1270 2Т642Г 2SC1334 КТ962А 2SC1365 КТ610А, Б 2SC1436 2Т862В 2SC1440 КТ945Б 2SC1443 КТ879Б 2SC1551 2Т682Б 2SC1552 2Т682В 2SC1624 КТ863Б 2SC1625 КТ863В 2SC1786 2Т862Б 2SC1815BL КТ3102Б 2SC1815GR КТ3102Б 2SC1815L КТ3102Б 2SC1815O КТ3102А 2SC1815Y КТ3102Б 2SC2027 КТ828Б 2SC2033 КТ934В, Д 2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б 2SC2229 КТ940А 2SC2240BL КТ503Е 2SC2240GR КТ503Е 2SC2482 КТ940А 2SC2642 КТ934Б 2SC2688 КТ846 2SC2794 КТ866А 2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б 2SC3271 КТ940А 2SC3272 КТ940А 2SC3306 КТ8144А 2SC3455L КТ878В 2SC3596F КТ9142А 2SC3994L КТ878А 2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А 2SC4296 КТ858А 2SD401A КТ8146А, КТ8147Б 2SD405B 2Т9117Б 2SD675A КТ945В 2SD691 КТ945Г 2SD734 КТ660Б 2SD814 КТ3176А 2SD1220Q КТ3169А 2SD1279 КТ846Б 2SD1554 КТ838 2SD1761 КТ819 2SD1878 КТ838 2SK49 2П336А1, Б1 2SK444 2П340Б1 2SK508 2П340А1 2SK513 КП803Б 2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И 3SK132 КП403А 3SK162 КП333А 3SR137 КП333Б A5916 КТ934А A5918 КТ934Г AD545 П216Б A630 КТ946А AD1202 П213Б AD1203 П214Б ADP665 ГТ403Б ADP666 ГТ403Г ADP670 П201АЭ ADP671 П201АЭ ADP672 П203Э ADY27 ГТ703Б AF106 ГТ328Б AF106A ГТ328В AF109 ГТ328А AF139 ГТ346Б AF178 ГТ309Б AF200 ГТ328А AF201 ГТ328А AF202 ГТ328А AF239 ГТ346А AF239S ГТ346А AF240 ГТ346Б AF251 ГТ346А AF252 ГТ346А AF253 ГТ328А AF256 ГТ348Б AF260 П29А AF261 П30 AF266 МП42Б, МП20А AF271 ГТ322В AF272 ГТ322В AF275 ГТ322Б AF279 ГТ330Ж AF280 ГТ330И AF426 ГТ322Б AF427 ГТ322Б AF428 ГТ322Б AF429 ГТ322Б AF430 ГТ322В AF429 ГТ322Б AF430 ГТ322В AFY11 ГТ313А AFY12 ГТ328Б AFY13 ГТ305В AFY15 П30 AFY29 ГТ305Б AFZ11 ГТ309Б AL100 ГТ806В AL102 ГТ806В AL103 ГТ806Б AM1416-200 2Т975А, Б AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б ASX11 МП42Б ASX12 МП42Б ASY26 МП42А, МП20А ASY31 МП42А ASY33 МП42А, МП20А ASY34 МП42А, МП20А ASY35 МП42Б, МП20А ASY70 МП42 ASY76 ГТ403Б ASY76 ГТ403Г ASY80 ГТ403Б ASZ15 П217А, ГТ701А ASZ16 П217А ASZ17 П217А ASZ18 П217В, ГТ701А ASZ1015 П217В ASZ1016 П217В ASZ1017 П217В ASZ1018 П217В AT00510 2Т657А AT00535 2Т657Б AT00570 2Т657В AT270 МП42Б, МП20А AT275 МП42Б, МП20А AT12570-5 КТ648А AU103 ГТ810А AU104 ГТ810А AU107 ГТ810А AU108 ГТ806Б AU110 ГТ806Д AU113 ГТ810А AUY10 П608А, ГТ905А AUY18 П214А AUY19 П217 AUY20 П217 AUY21 П210Б AUY21A П210Б AUY22 П210Б AUY22A П210Б AUY28 П217 AUY35 ГТ806А AUY38 ГТ806В BAL004100 КТ970А BC11 КТ638 BC12 КТ638 BC13 КТ638 BC14 КТ638 BC15 КТ638 BC16 КТ638 BC100 КТ605А BC101 КТ301Е BC107 КТ342А BC107A КТ342А BC107AP КТ3102А BC107B КТ342Б BC107BP КТ3102Б BC108 КТ342 BC108A КТ342А BC108AP КТ3102В BC108B КТ342Б BC108BP КТ3102В BC108C КТ342В BC108CP КТ3102Г BC109B КТ342Б BC109BP КТ3102Д, И BC109C КТ342В BC109CP КТ3102Е, К BC140 КТ630Г BC141 КТ630Г BC141-16 КТ630Г BC147A КТ373А BC147B КТ373Б BC148A КТ373А BC148B КТ373Б BC148C КТ373В BC149B КТ373Б BC149C КТ373В BC157 КТ361Г BC158A КТ349В BC160B КТ933Б BC161B КТ933А BC167A КТ373А BC167B КТ373Б BC168A КТ373А BC168B КТ373Б BC168C КТ373В BC169B КТ373Б BC169C КТ373В BC170A КТ375Б BC170B КТ375Б BC171A КТ373А BC171B КТ373Б BC172A КТ373А BC172B КТ373Б BC172C КТ373В BC173B КТ373Б BC173C КТ373В BC174 КТ3102 BC177AP КТ3107А, Б BC177VIP КТ3107Б, Б BC178A КТ349В BC178AP КТ3107В BC178BP КТ3107Д BC178VIP КТ3107В, Г BC179AP КТ3107Е, Д BC179BP КТ3107Ж, И BC182 КТ3102 BC182A КТ3102А BC182B КТ3102Б BC182C КТ3102Б BC183A КТ3102А BC183B КТ3102Б BC183C КТ3102Б, КТ3102Г BC184A КТ3102Д BC184B КТ3102Е BC192 КТ351Б BC212A КТ3107Б BC212B КТ3107И BC212C КТ3107К BC213A КТ3107Б BC213B КТ3107И BC213C КТ3107К BC216 КТ351А BC216A КТ351А BC218 КТ340Б BC218A КТ340Б BC223A КТ660Б BC223B КТ660Б BC226 КТ351Б BC226A КТ351Б BC234 КТ342А BC234A КТ342А BC235 КТ342Б BC235A КТ342Б BC237 КТ373Б BC237A КТ3102А BC237B КТ3102Б BC237C КТ3102Б BC238 КТ373В, КТ3102В BC238A КТ3102А, КТ3102В BC238B КТ3102В BC238C КТ3102В, Г BC239A КД3102Д BC239B КТ3102Д, Ж BC239C КТ3102Д, Е BC250A КТ361А BC250B КТ361Б BC285 П308 BC300 КТ630Б BC307A КТ3107Б BC307B КТ3107И BC307C КТ3107И BC308 КТ3107Г BC308A КТ3107Г, КТ3107Б BC308B КТ3107Д BC308C КТ3107К BC309A КТ3107Е BC309B КТ3107Ж BC309C КТ3107Л BC320A КТ3107Б BC320B КТ3107Д BC321A КТ3107Б BC321B КТ3107И BC321C КТ3107К BC322B КТ3107Ж BC322C КТ3107Л BC327 КТ685А, КТ313 BC327-16 КТ686А BC327-25 КТ686Б BC327-40 КТ686В BC328 КТ313 BC328-16 КТ686Г BC328-25 КТ686Д BC328-40 КТ686Е BC337 КТ3102Б, КТ660А BC337-16 КТ660А BC337-25 КТ660А BC337-40 КТ660А BC337C КТ660А, КТ928 BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б BC338-16 КТ660Б BC338-25 КТ660Б BC338-40 КТ660Б BC338C КТ660Б BC355 КТ352Б BC355A КТ352А BC382B КТ3102Б BC382C КТ3102Г BC383B КТ3102Д BC383C КТ3102Е BC384B КТ3102Д BC384C КТ3102Е BC440 КТ630 BC446 КТ3107 BC451 КТ3102В BC453 КТ3102Д BC454A КТ3107Б BC454B КТ3107И BC454C КТ3107К BC455A КТ3107Г BC455B КТ3107Д, Е BC455C КТ3107К BC456A КТ3107Е BC456B КТ3107Ж, И BC456C КТ3107Л BC513 КТ345А BC516 КТ686Ж BC517 КТ645А BC526C КТ3107К, Л BC527 КТ342Б, КТ342В BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б BC524-10 КТ6112В BC528 КТ342В BC546A КТ503Д BC546B КТ3102Б, КТ3117Б BC546C КТ3117Б BC547 КТ3103А BC547A КТ3102А BC547B КТ3102Б BC547C КТ3102Б, Г BC548 КТ373А BC548A КТ3102А, В BC548B КТ3102В BC548C КТ3102В, Г BC549A КТ3102В BC549B КТ3102В BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ BC550A КТ3102А BC550B КТ3102Б BC550C КТ3102Б BC556 КТ3107Б BC556A КТ502Д BC556B КТ502Д BC556C КТ502Д BC557 КТ3107 BC557A КТ3107Б BC557B КТ3107И BC557C КТ3107И BC558A КТ3107Г BC558B КТ3107Д BC558C КТ3107К BC559A КТ3107Е BC559B КТ3107Ж BC559C КТ3107Л BC560A КТ3107Б BC560B КТ3107И BC560C КТ3107И BC635 КТ503Б BC636 КТ502Б BC637 КТ503Г BC638 КТ502Г BC639 КТ503Е BC640 КТ502Е BC847A КТ3189А9 BC847B КТ3189Б9 BC847C КТ3189В9 BC857A КТ3129Б9 BC858A КТ3129В9 BC858B КТ3129Г9 BCW31 КТ3130В9 BCW47B КТ3187А BCW71 КТ3130А9 BCW72 КТ3130Б8 BD135 КТ815Б BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А BD137 КТ815В BD138 КТ814В, КТ6104А BD139 КТ815Г BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А BD165 КТ728А BD166 КТ720А BD168 КТ722А BD170 КТ724А BD202 2Т818А BD204 2Т818Б BD223 КТ856А BD233 КТ817Б BD234 КТ816Б BD235 КТ817В BD236 КТ816В BD237 КТ817Г BD238 КТ816Г BD243C КТ819 BD370A6 КТ639А BD372 КТ639Б BD372A6 КТ639В BD372A10 КТ639Г, Д BD522 КП932А BD676 КТ852Г BD677 КТ829В BD678 КТ852В BD825 2Т642А BD875 КТ972А BD876 КТ973А BD944 КТ856Б BD946 КТ896А BD948 КТ896Б BDT21(A) КТ8101Б BDV64 КТ8159В BDV65 КТ8158В BDW94 КТ818В BDX78 2Т818В BDX85 2Т716В BDX85B 2Т716Б BDX85C 2Т716А BF177 КТ671А, 2Т3130Е BF179B КТ682Б BF189 КТ3172А BF244A КП307Ж BF245 КП303Е BF258 КТ638Б BF336 КТ6103А BF337 КТ6113А, Б, В BF339 КТ6113Г, Д, Е BF371 КТ633Б BD386 КТ629А BF391 КТ698К BF392 КТ504Б BF393 КТ504В BF410A 2П337АР, БР BF422 КТ940А BF423 КТ9115А BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В BF457 КТ940Б BF458 КТ940А BF459 КТ940А BF469 КТ969А BF471 КТ846 BF491 КТ6127К BF492 КТ505Б BF493 КТ505А BF506 КТ3126А BF569 КТ3192А9 BF599 КТ368А9 BF680 КТ3109А BF970 КТ9109В BF979 КТ9109Б BF998 2П347А2, КП402А BFJ57 КТ6105А BFL545 КП954А, Б BFP23 КТ868А, Б BFP720 КТ315В BFP722 КТ315Г BFR30 КП302А1-Г1 BFR37 КТ939А BFY80 2Т3130А BLY47A 2Т892А, Б BSS88 КП504А BSS92 КП508А BSS124 КП502 BSS129 КП503А BSS295 КП505А BSS315 КП507А BSW62A КТ361К, Л, М BSW63A КТ361Н, П BU108 КТ8107А, Б BU205 КТ838Б BU208A КТ8104А BU289 КТ8101А BU505 2SD818, BU705, KSD5064 BU508 КТ872А, В BU508A КТ872Б BU508AD КТ872А, Б BU508AW BU508, BU508A BU508D КТ846, КТ872В BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR BU807 КТ8156А BU2506D КТ8248А BU2508A КТ8224А BU2508D КТ8224Б BU2520DW KSD5090 BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D BU2725DX 2SD2553 BU4506AF 2SD2381 BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065 BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071 BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076 BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072 BU4508AF 2SD2301, 2SD2311 BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513 BU4508DF 2SD2299, 2SD2300 BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1 BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088 BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080 BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715 BU4523DX 2SD2349, 2SD2514 BU4525AX 2SD1887 BU4525DX 2SD1881 BUX97 КТ8106А BUX97A КТ8106Б BUY90 КТ8107В, Г BUZ71 КП727А BV104P КТ8126А BV2310 2П803А BVK462 КП959А, Б, В BVP38 КТ878Б BVR11 КТ867А BVT91 КТ879А BVX14 КТ846В BVZ90 КП809В, Г BVZ90(A) КП809Д, Е CD1412 2Т946А CD6105 КТ930А CDR075 2Т9118А CX954 2Т370Б D44H7 КТ9181А, Б D62T4040 КТ886А DC5108 2Т370А DC5445 2Т642А DI4044 КТ222АС-ВС DVZ216 КП810А F1014 КП953Г, Д F1053 2П917А, Б, КП934А FJ201E 2Т642Б FLM5964-4C 3П927А2 FLV5964-8C 3П927Б2 HXTR4105 КТ640А I02015A КТ9116Б IRF510 КП743А IRF520 КП744А IRF530 КП745А, Б IRF540 КП746А, Б IRF610 КП748А IRF620 КП749А IRF630 КП737А IRF634 КП737Б IRF635 КП737В IRF710 КП731А IRF720 КП751А IRF730 КП752А IRF830 КП753А IRF5532 КП719Б IRFBG30 КП803А IRFR024 КП945А, Б IRFZ30 КП727Б IRFZ34 КП727В IRFZ35 КП727Г IRFZ40 КП723В IRFZ44 КП723А IRFZ45 КП723Б IRLZ44 КП723Г IRLZ46 КП741А IRLZ48 КП741Б IXTP3N80(A) КП809А,Б KC508 КТ342А KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е KSD882G КТ8296Г KSD882O КТ8296Б KSD882R КТ8296А KSD882Y КТ8296В LDR405B 2Т9118Б LOT-1000D1-12B КТ979А LT1739 КТ9171В MA42181-510 КТ937А MGF1802 3П606А2…В2 MI10000 КТ892Б, В MI10004PF1 КТ892А MIE13005 КТ8121А MIL13004 КТ8121Б MJE304 КТ504В MJE350 КТ505А MJE13001 КТ538А MJE13002 КТ8170Б1 MJE13003 КТ8170А1 MJE13004 КТ8164Б MJE13005 КТ8164А MJE13007 КТ8126А MJE2801T КТ9177А MMBT3904 КТ3197А9 MMBT3906 КТ3196А9 MPF873 2Т987А MPS706 КТ648А, КТ682А MPS3866 2Т633А MPS6512 КТ3184А MPS6513 КТ3184Б MPSL07 2Т3164А MPS A-42 КТ604В MPS A-43 КТ3127К MPS A-92 КТ505А MPS A-93 КТ698К MRF136 2П942А, Б, В MRF327 2Т970А MRF422 КТ9160А, Б, В MRF430 КТ9181В, Г MRF515 КТ606А MRF544 2Т9159А MRF627 КТ606Б MRF840 КТ962Б MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В MRF1035MA 2Т962В MRF1035MC КТ962В MRF2016M 2Т948А MSC0204100 КП934В MSC81325M 2Т9127Д, Е MSC81400M 2Т9127В, Г MSC85853 2Т637А MSM5964-2 3П927В2 MSM5964-5 3П927Г2 MSM5964-10 ЗП927Д2 MTP4N10 2П703Б MTP5N05 КП932А MTP8P10 2П712В MTP12P08 2П712А NE080481E-12 2Т9109А NE1010E 2Т962А NE3001 2Т9119А2 NE24318 2Т640А NE56755 2Т647А, 2Т648А NE56787 2Т642А NE56854 2Т971А NE56887 2Т634А, КТ634Б NE57835 2Т682А NE243188 КТ642А, 2Т643А NE243287 2Т643Б NE243499 2Т9108А NEM2015 КТ948А NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В PBC107B 2Т3158А PBC108A 2Т3133А PBC108B 2Т3133А PDE1001 КТ607Б PEE1000U 2Т607А PEE1001T КТ607А PFP12P08 КП719А Ph2214-60 2Т9122Б PKB20010U КТ948Б PN3691 КТ3117Б PN5132 КТ3117А PWB2010U 2Т948Б PXT2222 КТ3153А PZB27020V 2Т9122А S923TS 2Т3152А, Г, Д S2055AF КТ838 SD1015 КТ9116А SDR075 2Т9117А SDT3207 КТ9171А, Б SDT69504 2Т880Д SE5035 КТ939Б SF123A 2Т672А SF123C КТ6107А SG769 2Т3133А SML723 КТ828В SML804 КТ828А SML55401 КТ886Б SS8050B КТ968В, КТ6114А SS8050C КТ968В, КТ6114Б SS8050D КТ968В, КТ6114В SS8550B КТ6127В, КТ6115А SS8550C КТ6127В, КТ6115Б SS8550D КТ6127В, КТ6115В SS9012D КТ681А, КТ6109А SS9012E КТ681А, КТ6109Б SS9012F КТ681А, КТ6109В SS9012G КТ681А, КТ6109Г SS9012H КТ681А, КТ6109Д SS9013D КТ680А, КТ6110А SS9013E КТ680А, КТ6110Б SS9013F КТ680А, КТ6110В SS9013G КТ680А, КТ6110Г SS9013H КТ680А, КТ6110Д SS9014A КТ3102А, КТ6111А SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б SS9014C КТ3102Б, КТ6111В SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г SS9015A КТ3107А, КТ6112А SS9015B КТ3107И, КТ6112Б SS9015C КТ3107И, КТ6112В SS9016D КТ6128А SS9016E КТ6128Б SS9016F КТ6128В SS9016G КТ6128Г SS9016H КТ6128Д SS9016I КТ6128Е SS9018D КТ6113А SS9018E КТ6113Б SS9018F КТ6113В SS9018G КТ6113Г SS9018H КТ6113Д SS9018I КТ6113Е ST1053 КП934Б STD18202 КТ828Г STD55476 КТ846А STH75N05 КП742Б STH75N05 КП742A TBC547A КТ3186А TCC1821G 2Т942А, КТ942В TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В THA-15 2Т9111А THX-15 2Т9111Б TIP31A КТ8176А TIP31B КТ8176Б TIP31C КТ8176В TIP32A КТ8177А TIP32B КТ8177Б TIP32C КТ8177В TIP41A КТ8212В TIP41B КТ8212Б TIP41C КТ8212А TIP110 КТ8214В TIP111 КТ8214Б TIP112 КТ8214А TIP120 КТ8116В TIP121 КТ8116Б TIP122 КТ8116А, КТ8147А TIP125 КТ8115В TIP126 КТ8115Б TIP127 КТ8115А TIP132 КТ8116А, КТ8147А TIP150 КТ8111А TIP151 КТ8111Б TN20 2Т9130А UMIL70 КТ930Б

Партнер статьи: Electronoff.ua

Справочники радиодеталей
ДИАГНОСТИКА И КОМПОНЕНТНЫЙ РЕМОНТ ЭЛЕКТРОНИКИ

 ПОИСК ПРИЧИНЫ НЕИСПРАВНОСТИ ПРИБОРА БЛОК ПИТАНИЯ 0-50 В 20 А НА LM2576

13005 / MJE13005 Распиновка транзистора, эквивалент, характеристики, использование

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора 13005 / MJE13005, эквивалент, особенности, использование и другую информацию об этом высоковольтном корпусе BJT-транзистора TO-220.

Характеристики / Технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-220
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 4A
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 400 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 700 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
  • Максимальное рассеивание коллектора (шт.): 75 Вт
  • Максимальная частота перехода (fT): 4 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 10–60
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -65 до +150 по Цельсию

Аналог:

ST13005, MJE13004, BUJ103A, 2N6499, 2SC2333, 2SC2535, 2SC2536, 2SC2552, 2SD271, 2SD272, 2SD422, 2SD423, T2SD518, 2SD622, 2SD724, KSE1375A, MIPT450, KSE1375J, KSE1375J, KSE1375J, KSE1375E4 .

Существуют также другие высоковольтные транзисторы с немного другим напряжением и ампером, вы также можете использовать их, если они соответствуют вашим требованиям, это MJE13003 , MJE13006, MJE13007, MJE13008 и MJE13009.

MJE13005 Транзистор объяснен / Описание:

MJE13005, также называемый 13005, представляет собой высоковольтный транзистор BJT в корпусе TO-220, разработанный для высоковольтных приложений. Транзистор может переключаться с высокой скоростью и может использоваться в высоковольтных устройствах, где важна скорость переключения.Напряжение коллектор-эмиттер составляет до 400 В, что делает этот транзистор надежным для использования во многих электронных устройствах с напряжением менее 400 В. Кроме того, ток коллектора 4А также позволяет управлять различными нагрузками при использовании в качестве переключателя.

13005 также можно использовать в качестве усилителя, рассеивание коллектора 75 Вт также делает его идеальным для использования в схемах аудиоусилителя. Хотя транзистор предназначен для применения с высоким напряжением, его также можно использовать в качестве переключателя или усилителя в цепях с низким напряжением и батарейным питанием.

Где и как использовать:

MJE13005 может использоваться для различных высоковольтных приложений, таких как высоковольтные источники питания, инверторы, контроллеры двигателей, ИБП, зарядные устройства и т. Д. Его также можно использовать поэтапно для создания усилителя высокой мощности или также можно использовать как отдельный усилитель. водить динамик. Помимо этого, он также может использоваться в качестве переключателя и усилителя в цепях с низким напряжением и батарейным питанием.

Приложения:

Источники бесперебойного питания

Цепи питания

Инверторные схемы

Схемы зарядного устройства

Контроллеры двигателей

Усилитель звука и каскады усилителя звука

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Для долгого срока службы и хорошей производительности рекомендуется не использовать MJE13005 до максимальных пределов, и всегда лучше использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный ток нагрузки транзистора составляет 4 А, поэтому не нагружайте нагрузку более 3,2–3,5 А. Максимальное напряжение нагрузки составляет 400 В, поэтому всегда оставайтесь в диапазоне от 300 до 320 В постоянного тока. Используйте подходящий радиатор с транзистором и храните и эксплуатируйте транзистор при температуре от -65 до +150 градусов по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/M/J/E/MJE13005_ThinkiSemiconductor.pdf

Кремниевые силовые транзисторы NPN серии

SWITCHMODE

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj / Title (MJE13005 — Силовые кремниевые транзисторы NPN серии SWITCHMODE) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать Acrobat Distiller 8.2.3 (Windows) BroadVision, Inc.2020-10-12T08: 31: 35 + 02: 002010-08-23T14: 45: 54-07: 002020-10-12T08: 31: 35 + 02: 00приложение / pdf

  • MJE13005 — Кремниевые силовые транзисторы NPN серии SWITCHMODE
  • ОН Полупроводник
  • Эти устройства предназначены для высоковольтного высокоскоростного питания. переключение индуктивных цепей, где время спада критично.Они есть особенно подходит для применений в РЕЖИМЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ 115 и 220 В. такие как коммутационные регуляторы, инверторы, средства управления двигателем, Электромагнитные / релейные драйверы и цепи отклонения.
    • uuid: 08df033b-c06f-4cb3-a271-ffd2bfc67af8uuid: 019af04f-6c8a-4645-a3e1-4dcc28c60840 Распечатать конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > транслировать HVnFrW Ա X&K 㑗

    Ԑ T / $ g $ zUh, p, -p7; qXthQ8Ȕ X {+ / L9 / + oϼs ٳ «ArcwV 菭 G / q {SԣL $ BUY4 | SMfnjU \ ⽮ oK] iu! R * cBX \ fp \ Ŷ # cgkQiguC6ŏ% `e ~ 9 װ o> WeeS]; W-nVU ,, F (Sc |> UO \ cRxB ۟ eWONcĖPOS> @QiDd» * 2: z J $ Me6Bvˆa [rlt4 * & pL & (jgbfeV53D: O6P l> GH * # G, U` ^ Bu + 3 * Y.[Jʃ uy (haWg5 «/ MudZsGeVt = P4), ECj-bY (Mc / -6% v0 缪 / Вт Q $ | (‘ȐTCX4

    y’6UV # wdr? | M = z = -o = D2LӐl0 (MHCѨCYY = Ŧ ~ ܴ $! \ #GzYV «p4ƇӺgӦwFd17» 鬩 T ݔ U0ol — *; Uϕ * H ߌ Դ @: Z0 ~ Wnԝ ߴ ؑ s1 # FBjE, f4rq7nh | «S?> ‘! # T > &] RvQFR7_B2 [GJi4 ׋ ň6 (x_N

    MJE13005 Техническое описание транзистора, распиновка, характеристики и аналоги

    MJE13005 — это высоковольтный высокоскоростной NPN-транзистор . Он имеет высокое напряжение коллектор-эмиттер 400 В при постоянном токе коллектора 4 А. Транзистор имеет очень низкое время спада, что делает его пригодным для переключения переменного напряжения (115 В / 220 В) для преобразователей и инверторов.

    Конфигурация контактов

    Номер контакта

    Имя контакта

    Описание

    1

    База

    Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

    2

    Коллектор

    Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке

    3

    Излучатель

    Ток утекает через эмиттер, обычно соединенный с землей

    Характеристики
    • Высоковольтный NPN-транзистор
    • Коэффициент усиления постоянного тока (ч FE ) от 8 до 40
    • Постоянный ток коллектора (I C ) составляет 4A
    • Напряжение коллектор-эмиттер (В CE ) составляет 400 В
    • Напряжение коллектор-база (В CB ) составляет 700 В
      • Базовое напряжение эмиттера
    • (В BE ) составляет 9 В
    • Базовый ток 2А (макс.)
    • Доступен в упаковке К-220

    Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных MJE13005 в конце этой страницы.

    MJE13005 эквивалент

    2SC3795, MJE13007, KSE13007

    Другие силовые транзисторы NPN

    BD139, 2SC5200, 2N3055, TIP31C

    Где использовать MJE13005 Транзистор

    MJE13005 — это высоковольтный NPN-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 400 В и током коллектора 4 А, он также имеет высокую скорость переключения 0.9uS, что делает его идеальным выбором в высоковольтных высокоскоростных коммутационных схемах для преобразователей и инверторов.

    Помимо этого, транзистор также используется в простых схемах драйверов реле или соленоидов из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8A

    Как использовать транзистор MJE13005

    Из-за высокого напряжения переключения и тока переключения MJE13005 имеет высокое базовое напряжение 9 В и требует около 2 А для полного замыкания переключения при работе с очень высоким напряжением.Это приводит к необходимости иметь схему драйвера транзистора для MJE13005. Они обычно используются в конструкциях SMPS вместе с переключающим трансформатором для переключения переменного напряжения 115 В или 220 В на высоких частотах.

    Поскольку ИС доступна в формате TO-220, ее относительно просто использовать. Транзистор имеет мощность рассеивания коллектора 75 Вт, поэтому радиатор будет обязательным при работе при высоких напряжениях.

    Приложения
    • сильноточная коммутация (до 4А) нагрузки
    • Преобразователи постоянного тока в постоянный
    • Инверторы
    • Контроль скорости двигателей
    • Драйвер реле / ​​соленоида

    2D-Модель Размеры

    2D помогут вам разместить этот компонент во время изготовления схемы на печатной плате или печатной плате.

    MJE13005 Техническое описание транзистора NPN и его применения

    Импульсный силовой кремниевый транзистор NPN, такой как MJE13005 NPN-транзистор, в основном разработан для высокоскоростных цепей переключения мощности и напряжения, где время падения является значительным. Они в основном подходят для импульсных приложений 115 В и 220 В, таких как инверторы, импульсный стабилизатор, управление двигателями, релейные драйверы, соленоид и т. Д.

    В этой статье обсуждается обзор транзистора MJE13005 / 13005 в корпусе TO220, характеристики, особенности, и приложения.

    Что такое транзистор MJE13005 NPN?

    MJE13005 NPN-транзистор, также известный как 13005. Это высоковольтный и скоростной BJT-транзистор с корпусом TO-220. Этот транзистор в основном применим для приложений с высоким напряжением. Этот транзистор подходит для высокоскоростного переключения и приложений на основе высокого напряжения, где скорость переключения является значительной.

    MJE13005 NPN-транзистор

    Напряжение коллектор-эмиттер (CE) равно 400 В, так что этот транзистор можно использовать в нескольких электронных устройствах с напряжением ниже 400 В.Кроме того, ток коллектора 4 А также позволит ему управлять различными нагрузками, когда он используется в качестве переключателя.

    Транзистор 13005 можно также использовать в качестве усилителя. Рассеяние тока коллектора, равное 75 Вт, сделает его идеальным для использования в схемах аудиоусилителя. Несмотря на то, что этот транзистор предназначен для приложений с высоким напряжением, он также может использоваться как усилитель или переключатель с меньшим напряжением и схемами, которые работают от батареи.

    Этот транзистор имеет чрезвычайно малое время падения, поэтому он подходит для коммутации переменного напряжения в инверторах и преобразователях.

    Дизайн / Строительство

    Этот транзистор включает в себя три слоя, один из которых имеет p-легирование, а два других — n-легирование. Слой, легированный p-примесью этого транзистора, расположен между двумя слоями, легированными N.

    Этот транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, изготовленный из кремния (Si). Он включает в себя три клеммы, а именно эмиттер (E), базу (B) и коллектор (C). Это устройство с управлением по току, которое совершенно противоположно MOSFET, потому что MOSFET — это устройство, управляемое напряжением, и оно включает в себя три клеммы, а именно исток, сток и затвор.

    Эти три терминала содержат разную концентрацию легирования. Концентрация легирования для штыря коллектора низкая, в то время как штырь эмиттера высокий, а штырь базы легирован более чем в десять раз. Кроме того, вывод эмиттера удерживает весь ток устройства, потому что это величина как базового, так и коллекционного тока.

    BJT в основном делятся на два типа, например, транзисторы PNP и NPN. Здесь дырки и электроны играют ключевую роль в проводимости обоих транзисторов.По сравнению с PNP, транзисторы NPN выбираются для широкого спектра применений, поскольку подвижность электронов увеличивается по сравнению с дырками.

    Иногда устройства NPN называют приемными устройствами, потому что они направляют клемму GND на выход. Точно так же устройства PNP известны как источники питания, потому что они обеспечивают положительную мощность в направлении o / p.

    Конфигурация контактов

    Конфигурация выводов MJE13005 NPN транзистора показана ниже. Этот транзистор включает три контакта, каждый из которых и его функции описаны ниже.

    Конфигурация выводов транзистора MJE13005
    • Вывод 1 (база): Этот вывод базы управляет смещением транзистора, поэтому используется для включения / выключения транзистора
    • Контакт 2 (коллектор): Ток подается по всей клемме коллектора и, как правило, связан с нагрузкой
    • Pin3 (эмиттер): Ток утечки через клемму эмиттера, обычно подключенную к GND.

    Технические характеристики и особенности

    Спецификации и особенности MJE13005 NPN transisto r включают следующее.

    • Вид упаковки ТО-220
    • Транзистор типа NPN
    • Максимальный ток коллектора (Ic) составляет 4A
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCE) составляет 400 В
    • Максимальное напряжение базы коллектора (VCB) составляет 700 В
    • Максимальное напряжение базы эмиттера (VEBO) составляет 9 В
    • Максимальное рассеивание коллектора (ПК) составляет 75 Вт
    • Макс.частота перехода (fT) составляет 4 МГц
    • Мин. И макс. Усиление постоянного тока (hFE) колеблется от 10 до 60
    • Макс.температура хранения и эксплуатации должна быть от -65 до +150 ° C
    • Максимальный базовый ток (IB) составляет 2 А

    Эквивалентные и альтернативные NPN-транзисторы MJE13005: ST13005, BUJ103A, MJE13004, 2N6499, 2SC2535, 2SC2333, 2SC2536, 2SD271, 2SC2552, 2SD272, 2SD423, 2SD422, MJE1300J, 2SD453, 2SD423J, 2SD4138, 2SD4138 , TIP75, TIP75B, TIP75A и TIP75C.

    Доступны различные высоковольтные транзисторы с разным напряжением и ампером. Мы также можем использовать MJE13003, MJE13007, MJE13006, MJE13009 и MJE13008.

    Как безопасно запустить этот транзистор?

    Чтобы этот транзистор работал в течение длительного времени и защищал его, необходимо принять следующие меры предосторожности.

    • Для повышения производительности и длительного срока службы не рекомендуется использовать этот транзистор до предела. Поэтому лучше использовать минимум 20% от его максимальных оценок.
    • Максимальный диапазон тока нагрузки составляет до 4 А, но мы должны установить нагрузку в пределах от 3,2 до 3,5 А.
    • Максимальное напряжение нагрузки составляет 400 В, но мы должны поддерживать постоянный ток в пределах 300–320 В.
    • Вместе с транзистором необходимо использовать соответствующий радиатор, работающий в диапазоне температур от -65 до + 150 ° C.

    Как использовать транзистор MJE13005 NPN?

    Этот транзистор работает от клеммы базы. Как только напряжение подается на клемму базы, транзистор смещается, и ток будет течь от клеммы коллектора к эмиттеру.

    Эти биполярные переходные транзисторы не являются симметричными компонентами, что означает, что если мы поменяем местами контакты коллектора и эмиттера, то оба контакта останутся работать в прямом активном режиме. Следовательно, эти два терминала будут работать в обратном активном режиме и будут влиять на усиление тока CE и CB.

    Коэффициент усиления по току CE этого транзистора находится в пределах 8-40 в этом устройстве и обозначается буквой beta, тогда как коэффициент усиления CB по току обозначается буквой альфа.

    Схема применения беспроводной передачи энергии с транзистором MJE13005 NPN показана ниже. В следующей схеме беспроводной передачи энергии используется NPN-транзистор MJE13005. Эта схема передачи энергии работает по принципу взаимной индуктивности и передает питание светодиоду без использования каких-либо соединительных проводов на расстоянии двух дюймов.

    Беспроводная передача энергии с помощью транзистора MJE13005

    Необходимые компоненты для построения этой схемы:

    • Изолированный медный провод с 0.25 мм
    • MJE13005 Транзистор NPN — 1
    • Резистор 22 Ом и 1 Вт — 1
    • Неполярный конденсатор — 0,01 мкФ -1
    • Конденсатор 50 В и 22 мкФ -1
    • светодиод -1
    • Печатная плата — 1
    • Аккумулятор (от 1,5 до 9 В) — 1
    • Соединительные провода
    • Необходимые инструменты: набор для пайки, нож или ножницы.

    Схема беспроводной передачи энергии включает в себя две разные секции, такие как передатчик (Tx) и приемник (Rx).

    В приведенной выше схеме в качестве схемы передатчика используется схема генератора, которая имеет поразительное сходство со схемой Джоуля. Но цепь приемника (Rx) подключена непосредственно к нагрузке.

    Где использовать / Приложения

    Применение NPN-транзистора MJE13005 включает следующее.

    NPN-транзистор MJE13005 включает 400 В коллектор-эмиттерное напряжение и 4 А коллекторного тока. Скорость переключения этого транзистора равна 0.9uS, и он является идеальным выбором для высокоскоростных цепей переключения и переключения напряжения для различных приложений, таких как инверторы и преобразователи.

    • Он также применим в драйверах соленоидов или простых релейных схемах из-за его способности выдерживать пиковый ток до 8 А.
    • Этот транзистор MJE13005 используется в различных приложениях, таких как высоковольтные источники питания, контроллеры двигателей, инверторы, зарядные устройства, ИБП и т. Д.
    • Используется для разработки усилителя большой мощности, в противном случае — отдельного усилителя для управления динамиком.Это
    • ИБП или источники бесперебойного питания
    • Цепи, такие как цепи питания, инвертора и зарядного устройства
    • Контроллеры двигателей
    • Усилители звука
    • Используется в схемах регулятора напряжения и Н-моста.
    • В текущих электронных схемах
    • Используется в нестабильных и бистабильных мультивибраторах
    • Используется в SMPS

    Таким образом, это все об обзоре таблицы данных транзистора MJE13005 NPN. Эти транзисторы в основном предназначены для высоковольтных и высокоскоростных индуктивных цепей, где важно время падения напряжения.Силовой транзистор MJE13005 в основном подходит для приложений с переключаемым режимом на 115 и 220 В, таких как инверторы, импульсные регуляторы, средства управления двигателем, драйверы реле, соленоидные и отклоняющие цепи. Вот вам вопрос, какие типы NPN-транзисторов доступны?

    MJE13005 Техническое описание транзистора NPN, расположение выводов, характеристики и применение

    Привет, ребята! Приветствую вас на борту. Спасибо, что нажали на это чтение. Сегодня в этом посте я расскажу вам Введение в MJE13005.

    MJE13005 — это высокоскоростной силовой транзистор высокого напряжения, принадлежащий к семейству транзисторов NPN. Это устройство может поддерживать нагрузку до 4 А, а напряжение эмиттер-база составляет 9 В, что является напряжением, необходимым для смещения устройства и запуска транзистора.

    Я предлагаю вам полностью прочитать этот пост, так как я подробно расскажу о полном введении в MJE13005, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения.

    Приступим.

    Введение в MJE13005
    • MJE13005 — это транзистор NPN, который представляет собой высокоскоростное и высокомощное устройство, используемое для усиления и переключения.
    • Этот компонент состоит из трех слоев, один из которых состоит из p-легированных слоев, а два других — из n-легированных слоев. Слой, легированный p-примесью, находится между этими двумя слоями, легированными n-примесью.
    • MJE13005 — полупроводниковый прибор из кремниевого материала. Он содержит три вывода, известных как эмиттер, база и коллектор, и называется устройством, управляемым током, в отличие от полевых МОП-транзисторов, которые являются устройствами с управлением напряжением и содержат выводы истока, стока и затвора.
    • Все эти выводы имеют разную концентрацию легирования.Концентрация легирования коллекторного вывода мала, а концентрация легирования эмиттерного вывода высока по сравнению с двумя другими выводами. Базовый штифт в 10 раз более легирован, чем коллекторный штифт. Более того, сторона эмиттера несет весь ток устройства, поскольку ток эмиттера является суммой как тока коллектора, так и тока базы.
    • Транзисторы с биполярным переходом в основном делятся на два типа, то есть транзисторы NPN и транзисторы PNP.
    • И электроны, и дырки играют жизненно важную роль в проводимости обоих этих транзисторов.Но в случае транзисторов NPN дырки являются основными носителями, а в случае транзисторов PNP дырки являются основными носителями.
    • Транзисторы NPN предпочтительнее транзисторов PNP для ряда приложений, потому что подвижность электронов лучше подвижности дырок.
      • Устройства
    • NPN иногда называют «приемными устройствами», поскольку они заземляют свой выход. Устройства PNP иногда называют «устройствами-источниками», поскольку они подают на выход положительную мощность.
    • Коэффициент усиления постоянного тока этого устройства колеблется от 8 до 40, что соответствует величине тока, которую это устройство может усилить.

    MJE13005 Лист данных

    Перед тем, как встраивать это устройство в свой электрический проект, целесообразно просмотреть техническое описание этого компонента, в котором представлены основные характеристики устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание MJE13005.

    MJE13005 Распиновка

    На следующем рисунке показана распиновка MJE13005.

    Это устройство содержит три терминала с именами:

    1. Base
    2. Коллектор
    3. Излучатель

    Малый ток на стороне базы используется для создания большого тока на двух клеммах. Это устройство имеет два перехода: переход база-коллектор с обратным смещением и переход база-эмиттер с прямым смещением.

    MJE13005 Принцип работы
    • Работа этого устройства начинается с основного штифта.Когда напряжение подается на вывод базы, это приводит к смещению устройства, и ток начинает течь от коллектора к выводу эмиттера.
    • Знайте, что эти транзисторы с биполярным переходом не являются симметричными устройствами. Это означает, что если мы поменяем местами эмиттерный и коллекторный терминалы, это не позволит обоим этим терминалам работать в прямом активном режиме, и в результате оба этих терминала начнут работать в обратном активном режиме. Это повлияет на значения усиления по току с общим эмиттером и по току с общей базой.

    • Отсутствие симметрии происходит из-за разной концентрации деления на всех трех терминалах.
    • Коэффициент усиления по току с общим эмиттером этого устройства находится в диапазоне от 8 до 40 в этом устройстве, что обозначается бета, а коэффициент усиления по току с общей базой обозначается альфа и всегда меньше единицы.

    Эквивалент MJE13005

    Альтернативой MJE13005 являются следующие:

    • KSE13007
    • MJE13007
    • 2SC3795

    Лучше проверить распиновку альтернатив, прежде чем применять их к вашему электрическому проекту, поскольку распиновка альтернатив может отличаться от распиновки MJE13005.

    Номинальная мощность MJE13005

    В следующей таблице показаны абсолютные максимальные номинальные значения MJE13005.

    9016 9016 9022 906 22 Мощность
    Абсолютные максимальные характеристики MJE13005
    Номер контакта Описание контакта Имя контакта
    1 Напряжение коллектора-эмиттера 400 В 400 Вольт Коллектор-эмиттер 400 базовое напряжение 700 В
    3 Напряжение базового эмиттера 9 В
    4 Коллекторный ток 4A
    5 Базовый ток 2A
    7 Рабочий и накопительный переход

    Диапазон температур

    		 от -55 до 150 ° C

    Коллектор-эмиттер составляет 400 В, а напряжение коллектор-база составляет 700 В.А общая рассеиваемая мощность составляет 70 Вт, что указывает на мощность, выделяемую во время работы этого устройства. Температура перехода и температура хранения колеблются от -55 до 150С.

    Помните, что не применяйте эти рейтинги дольше установленного времени, иначе они могут повлиять на надежность устройства.

    При работе с компонентом убедитесь, что рейтинги не превышают абсолютный максимум. В противном случае они могут серьезно повредить устройство и поставить под угрозу весь ваш проект.

    MJE13005 Приложения

    MJE13005 встроен в следующие приложения.

    • Используется в схемах регуляторов напряжения.
    • Используется в Н-мостовых схемах.
    • Включен в современные электронные схемы.
    • Используется в цепях бистабильных и нестабильных мультивибраторов.
    • Используется для поддержки нагрузок до 4А.
    • Используется для коммутации и усиления.
    • Установлен в цепи управления двигателем.
    • Используется в импульсном источнике питания.

    MJE13005 Физические размеры

    На следующем рисунке представлены физические размеры устройства MJE13005.

    Проверив физические размеры этого компонента, вы можете спрогнозировать пространство, необходимое для вашей схемы, и соответствующим образом установить устройство.

    Вот и все о введении в MJE13005. Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить свои комментарии в разделе ниже. Я готов и рад помочь вам как можно лучше.Не стесняйтесь делиться своими ценными предложениями и отзывами о контенте, которым мы делимся, чтобы мы продолжали создавать качественный контент, адаптированный к вашим точным потребностям и требованиям. Спасибо, что прочитали пост.

    MJE4343 Силовой транзистор NPN — Лист данных

    MJE4343 Силовой транзистор NPN разработан для использования в мощных аудиоусилителях и схемах импульсного стабилизатора высокого напряжения.

    MJE4343 Распиновка

    MJE4343 Конфигурация контактов

    902 902

    MJE4343 Основные характеристики

    • Высокое поддерживающее напряжение коллектор – эмиттер — VCEO (sus) = 160 В постоянного тока — MJE4343
    • Высокое усиление постоянного тока — @ IC = 8.0 Adc hFE = 35 (тип.)
    • Низкое напряжение насыщения коллектор – эмиттер — VCE (насыщ.) = 2,0 В постоянного тока (макс.) При IC = 8,0 Adc
    • Обозначение типа: MJE4343
    • Материал транзистора: Si
    • Полярность: NPN

    MJE4343 Спецификация

    Номер контакта Имя контакта
    1 База
    2 Коллектор
    3 Излучатель
    901 16
    Ic (мА) Pd Vce (макс.) Vcb hfe @ Ft60

    179

    		 @ Ft60 125160160 15-35 8000 1
    MJE4343 Эквивалент / Альтернативный :
    • MJE1101, MJE1102, MJE1103, MJE1123, MJE12007, MJE1290, MJE4353

    Приложение

    • Усилитель звука высокой мощности
    • Схема импульсного регулятора высокого напряжения

    Вы можете загрузить это техническое описание для силового транзистора MJE4343 NPN по ссылке, приведенной ниже:

    MJE13005 Лист данных компании ON Semiconductor

    MJE13005G

    http: // onsemi.com

    2

    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25_C, если не указано иное)

    Характеристический символ Мин. тип Макс. )

    VCEO (sus) 400 — — Vdc

    Ток отсечки коллектора

    (VCEV = номинальное значение, VBE (выкл.) = 1,5 В постоянного тока)

    (VCEV = номинальное значение, VBE (выкл.) = 1,5 В постоянного тока, TC = 100_C)

    ICEV

    —

    —

    —

    —

    1

    5

    мА пост.

    ВТОРОЙ ПРОБЕЛ

    Ток коллектора второго пробоя с прямым смещением базы IS / b — см. Рисунок 11

    Индуктивный SOA с фиксатором с обратным смещением базы RBSOA — см. Рисунок 12

    ХАРАКТЕРИСТИКИ (Примечание 2)

    DC

    (IC = 1 Adc, VCE = 5 В пост. = 1 Adc, IB = 0.2 Adc)

    (IC = 2 Adc, IB = 0,5 Adc)

    (IC = 4 Adc, IB = 1 Adc)

    (IC = 2 Adc, IB = 0,5 Adc, TC = 100_C)

    VCE ( sat)

    —

    —

    —

    —

    —

    —

    —

    —

    0,5

    0,6

    1

    1

    9000 Напряжение питания 9000 Emitc2 (IC = 1 Adc, IB = 0,2 Adc)

    (IC = 2 Adc, IB = 0,5 Adc)

    (IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc, TC = 100_C)

    VBE (насыщ.)

    —

    —

    —

    —

    —

    —

    1,2

    1,6

    1,5

    1,5

    IC2

    −Gain — Произведение на ширину полосы

    (IC = 500 мА постоянного тока, VCE = 10 В постоянного тока, f = 1 МГц)

    fT4− — МГц

    Выходная емкость

    (VCB = 10 В постоянного тока, IE = 0, f = 0,1 МГц)

    Cob −65 −pF

    ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

    Активная нагрузка (Таблица 2)

    Время задержки

    (VCC = 125 В постоянного тока, IC = 2 A,

    IB1 = IB2 = 0.4 A, tp = 25 мс,

    Рабочий цикл v 1%)

    td − 0,025 0,1 мс

    Время нарастания tr − 0,3 0,7 мс

    Время хранения ts − 1,7 4 мс

    Время спада tf − 0,4 0,9 мс

    Индуктивная нагрузка, фиксированная (таблица 2, рисунок 13)

    Время сохранения напряжения

    (IC = 2 A, Vclamp = 300 В постоянного тока,

    IB1 = 0,4 A, VBE (выкл.

    Похожие записи

    21.11.2024 0

    Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

    19.11.2024 0

    Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

    19.11.2024 0

    Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *