MJE13007: мощный NPN транзистор для импульсных источников питания и управления двигателями

Каковы основные характеристики транзистора MJE13007. Где применяется этот высоковольтный транзистор. Какие у него есть аналоги. Как выглядит цоколевка MJE13007.

Общие сведения о транзисторе MJE13007

MJE13007 — это мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, разработанный для применения в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других устройствах, требующих быстрого переключения при высоком напряжении. Данный транзистор обладает следующими ключевыми характеристиками:

• Структура: n-p-n эпитаксиально-планарная
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
• Максимальный постоянный ток коллектора: 8 А
• Максимальная рассеиваемая мощность: 80 Вт
• Корпус: TO-220

Буквы «MJE» в названии указывают на то, что транзистор был первоначально разработан компанией Motorola. Сейчас его выпускают многие производители полупроводниковых компонентов.

Области применения MJE13007

Благодаря своим характеристикам, транзистор MJE13007 находит широкое применение в следующих областях:

1. Импульсные источники питания
2. Преобразователи напряжения
3. Инверторы
4. Системы управления электродвигателями
5. Схемы управления соленоидами и реле
6. Схемы отклонения в мониторах и телевизорах

Почему MJE13007 так хорошо подходит для этих применений? Дело в том, что он сочетает в себе высокое рабочее напряжение, большой ток и хорошее быстродействие. Это позволяет эффективно использовать его в схемах, работающих от сетевого напряжения 115 В и 220 В.

Основные электрические параметры MJE13007

Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора MJE13007:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 400 В
• Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO): 700 В
• Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 9 В
• Максимальный постоянный ток коллектора (IC): 8 А
• Максимальный импульсный ток коллектора (ICM): 16 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (PC): 80 Вт при температуре 25°C
• Коэффициент усиления по току (hFE): 8-40 при VCE = 5 В, IC = 2 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)): 1-3 В в зависимости от тока

Эти параметры позволяют использовать MJE13007 в широком диапазоне приложений, требующих высокой мощности и быстрого переключения.

Цоколевка и корпус транзистора MJE13007

MJE13007 выпускается в корпусе TO-220, который обеспечивает хороший теплоотвод и удобен для монтажа. Расположение выводов транзистора следующее:

1. База (B)
2. Коллектор (C)
3. Эмиттер (E)

Металлическая пластина корпуса соединена с коллектором, что улучшает теплоотвод. При монтаже транзистора на радиатор необходимо использовать изолирующую прокладку, если радиатор не должен иметь электрический контакт с коллектором.

Аналоги транзистора MJE13007

При проектировании электронных устройств часто возникает необходимость в поиске аналогов компонентов. Для MJE13007 существует ряд близких по характеристикам транзисторов:

• BUJ105A — прямой аналог с очень близкими параметрами
• 2SC2335 — японский аналог с похожими характеристиками
• 2SC4273 — еще один японский транзистор со схожими параметрами
• MJE13009 — транзистор из той же серии с немного лучшими характеристиками
• КТ8126А — отечественный аналог, который может использоваться в некоторых применениях

При выборе аналога важно тщательно сравнивать все ключевые параметры, так как даже небольшие различия могут быть критичными в некоторых схемах.

Особенности применения MJE13007 в импульсных источниках питания

Одной из основных областей применения MJE13007 являются импульсные источники питания. Почему этот транзистор так хорошо подходит для данной задачи?

• Высокое напряжение пробоя позволяет работать напрямую от выпрямленного сетевого напряжения
• Большой ток коллектора обеспечивает высокую выходную мощность
• Хорошее быстродействие позволяет эффективно работать на высоких частотах, что уменьшает габариты трансформатора
• Низкое напряжение насыщения снижает потери на переключение

При проектировании импульсного источника питания с использованием MJE13007 необходимо обратить внимание на следующие моменты:

1. Обеспечение надежного теплоотвода от транзистора
2. Защита от перенапряжений, особенно при работе с индуктивной нагрузкой
3. Оптимизация цепей управления для быстрого переключения
4. Учет паразитных параметров монтажа, влияющих на работу на высоких частотах

Производители и выбор MJE13007

Транзистор MJE13007 выпускается многими производителями полупроводниковых компонентов. Среди них можно выделить:

• STMicroelectronics
• ON Semiconductor
• Fairchild Semiconductor (теперь часть ON Semiconductor)
• Micro Commercial Components
• Shenzhen SI Semiconductors
• Mospec Semiconductor

При выборе конкретного производителя стоит обратить внимание на следующие факторы:

1. Надежность и репутация производителя
2. Доступность и сроки поставки
3. Стоимость компонентов
4. Наличие подробной технической документации
5. Поддержка со стороны производителя

Также важно убедиться, что выбранный вариант транзистора полностью соответствует требованиям вашего проекта по всем ключевым параметрам.

Особенности монтажа и эксплуатации MJE13007

При работе с транзистором MJE13007 следует учитывать некоторые особенности его монтажа и эксплуатации:

• Обязательное использование радиатора для отвода тепла при работе на больших мощностях
• Применение теплопроводящей пасты между транзистором и радиатором
• Соблюдение правил монтажа для минимизации паразитных индуктивностей и емкостей
• Защита от статического электричества при монтаже
• Учет температурной зависимости параметров транзистора

Правильный монтаж и эксплуатация MJE13007 позволят максимально использовать его возможности и обеспечить долгую и надежную работу устройства.

Транзистор MJE13007 — DataSheet

Перейти к содержимому

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

Особенности

• Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
• Аналоги: BUJ105A

Корпус TO-220AB

Вывод	Назначение	Цоколевка транзистора MJE13005, MJE13007
1	База
2	Коллектор
2	Эмиттер
Корпус	Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры

Обозначение	Параметр	Условия	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	400	В
Vebo	Напряжение эмиттер-база	—	—	—	9	В
Ic	Ток коллектора постоянный	—	—	—	8	А
Icm	Ток коллектора импульсный	—	—	—	16	А
Ib	Ток базы	—	—	—	4	А
Ibm	Ток базы импульсный	—	—	—	8	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	Т = 25°С	—	—	80	Вт
Iebo	Обратный ток эмиттера	Veb = 9 В, Ic = 0 А	—	—	100	мкА
hFE	Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 2 А	8	—	40
		Vce = 5 В, Ic = 5 А	5	—	30
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 2 А, Ib = 0. 4 А	—	—	1	В
		Ic = 5 А, Ib = 1 А	—	—	2	В
		Ic = 8 А, Ib = 2 А	—	—	3	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 2 А, Ib = 0.4 А	—	—	1.2	В
		Ic = 5 А, Ib = 0.1 А	—	—	1.6	В
Cob	Выходная емкость	Vcb  = 10 В,f = 0.1 МГц	—	80	—	пФ

 

Купить MJE13007.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор 13007: характеристики, аналоги и цоколевка

Если проанализировать характеристики биполярного транзистора MJE13007, можно предположить что он разрабатывался для установки в высоковольтных индуктивных цепях переключения мощности, где критично время спада. Они особенно подходят для установки схемы переключения, работающих под напряжением 115 В и 220 В, таких как импульсные регуляторы и инверторы, а также могут использоваться в системах управления двигателями, соленоидами, переключающими реле и схемам отклонения. Структура этого устройства n-p-n. Буквы MJE в названии говорят о то что разработан он был компанией Motorola.

Цоколевка

Изготавливается MJE13007 в корпусе ТО-220. Выводы транзистора расположены в следующем порядке: слева расположена база, потом идёт коллектор и самая правая ножка – это эмиттер. Часто его маркируют без первых букв MJE, как 13007. Масса – 2,5 г. Внешний вид и распиновка представлены на рисунке.

Технические характеристики

В начале рассмотрим, как это делают производители в технической документации, максимально допустимые характеристики. Они устанавливают предел возможностей MJE13007, так как при превышении данных показателей транзистор может выйти из строя. Их измеряли при стандартной температуре +25°С. Вот они:

• напряжение Б-К V_CBO (U_{кб max}) = 700 В;
• напряжение Э-К V_CЕO (U_{кэ max}) = 400 В;
• напряжение Э-Б V_ЕВO (U_{эб max}) = 9 В;
• ток коллектора, текущий постоянно I_C (I_{к max}) = 8 А;
• ток коллектора, текущий небольшой промежуток времени (импульсный) I_C (I_{к max}) = 16 А;
• ток базы (постоянный) I_В (I_{Б max}) = 4 А;
• мощность P_С (Р_{к max}) = 80 Вт;
• предельная т-ра кристалла T_j = +150°С;
• т-ра, при которой он может работать T_stg = -65 … +150°С.

Теперь рассмотрим электрические значения MJE13007. От них зависит сфера применения и возможности транзистора. Они измерялись при той же температуре, что и предельно допустимые характеристики. Остальные важные параметры тестирования приведены в строке «Условия измерения».

Электрические х-ки транзистора MJE13007 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К-Б	IC = 1 мA, IE=0	V(BR)CВO	700			В
Пробивное напряжение К-Э	IC=10 мA, IB=0	V(BR)CEО	400			В
Пробивное напряжение Э-Б	IE= 1 A, IC=0	V(BR)EBO	9			В
Обратный ток коллектора	VCВ = 700 В, IE=0	ICВO			100	мкА
Обратный ток К-Э	VCE= 400 В, IB=0	ICEО			100	мкА
Обратный ток эмиттера	VEB = 9 В, IC=0	IEBO			100	мкА
Напряжение насыщения К-Э	IC= 2 A, IB = 0,4 A	V CE(sat)			1	В
	IC= 5 A, IB = 1 A				2
	IC= 8 A, IB = 2 A				3
Напряжение насыщения Б-Э	IC= 2 мA, IB = 0,4 A	V ВE(sat)			1,2	В
	IC= 5 A, IB = 1 A				1,6
Выходная ёмкость	VCB = 10В, f = 0,1 МГц	Cob		110		пФ
К-т усиления по току	VCE = 5 В, Ic=2 A	hFE(1)	19		36
	VCE = 5 В, Ic=8 A	hFE(2)	5
Граничная частота к-та передачи тока	VCE=10 В, IC= 0,5 A, f=1 МГц	fT	4			МГц
Время закрытия	IC=500 мA	tF			0,5	мкс
Время рассасывания.		tS	3		4	мкс

Аналоги

Наиболее подходящие аналоги 13007:

• 2SC2335;
• 2SC4273;
• MJE13009.

Существует также отечественный аналог, это КТ8126А.

Производители и Datsheet

Назовём главных производителей 13007 и приведёт их datasheet:

• Micro Commercial Components;
• Shenzhen SI Semiconductors;
• Mospec Semiconductor;
• Fairchild Semiconductor;
• Tiger Electronic;
• Motorola;
• Dc Components;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• Comset Semiconductor;
• Wing Shing Computer Components;
• New Jersey Semi-Conductor Products.

В магазинах продаются транзисторы компаний:

• STMicroelectronics;
• KEC(Korea Electronics);
• First Silicon;
• Continental Device India Limited;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• ON Semiconductor.

NPN

MJE13007 NTE Electronics, Inc | Дискретные полупроводниковые продукты

Показанное изображение является только представлением. Точные характеристики должны быть получены из технического паспорта продукта.

Digi-Key Part Number	2368-MJE13007-ND
Manufacturer	NTE Electronics, Inc
Manufacturer Product Номер	MJE13007
Описание	Trans NPN 400V 8A до 220
. TO-220
Справочник заказчика
Спецификация	0004
Type	Description	Select
Category	Discrete Semiconductor Products Transistors Bipolar (BJT) Single Bipolar Transistors
Производитель	NTE Electronics, Inc
Серия	SWITCHMODE™
Package
Product Status	Active
Transistor Type
Current — Collector (Ic) ( Макс. )	8 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	400 В 5 08
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 2A, 8A
Current — Collector Cutoff (Max)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5 @ 5A, 5V
Power — Max
Frequency — Transition
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Пакет устройств поставщика	TO-220

Documents & Media

Тип ресурса Link Тип ресурса0009 Datasheets MJE13007 Datasheet Environmental Information

REACH Statement

RoHS Statement

HTML Datasheet MJE13007 Datasheet

Environmental & Export Classifications

Attribute	Описание
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
ECCN	EAR99
HTSUS	8541. 29.0095

Quantity

All prices are in USD

Bag

Qty	Unit Price	Ext Price
1	$1.80000	$1.80
10	$1.71000	$17.10
20	$1.62000	$32.40
50	$ 1,53000	$ 76,50
100	$ 1,49000	$ 149,00

$ 149,00 $ 149,00

$ 149,00

$ 149,00

12 $ 149,00 DASLEEL

9004

00 HOJA.

Описание Фабрикантес ПДФ 9NK60Z N-канальный режим расширения MOSFET
STMicroelectronics ПДФ А210Е А210Е / А210К
И Т. Д. ПДФ А210К А210Е / А210К
И Т.Д. ПДФ АМС303 КОМПАРАТОР МИКРОМОЩНОСТИ
АМС ПДФ АМС3109 Микромощный 700 мА малошумящий LDO с быстрой переходной характеристикой
АМС ПДФ АМС3120 2A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом
АМС ПДФ АМС3131 3A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом
АМС ПДФ АМС6104 1A ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ПОВЫШАЮЩЕГО ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
АМС ПДФ АПМ4050АПУ P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Анпец ПДФ APW7165C Контроллер синхронного понижающего преобразователя 5–12 В
Корпорация электроники Анпек ПДФ АСБ404Л Кремниевые мостовые выпрямители 4 А
ДИОТЕК ПДФ АСБ406Л Кремниевые мостовые выпрямители 4 А
ДИОТЕК ПДФ АСБ408Л Кремниевые мостовые выпрямители 4 А
ДИОТЕК ПДФ АЗВ3001 Одноканальные/двухканальные двухтактные компараторы с низковольтным выходом
Диоды ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de characterísticas, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.