Mje13009 характеристики: Страница не найдена — СхемаТок

Транзистор MJE13009 — DataSheet

Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле

 

Особенности

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Аналоги: BUJ106A

 

Корпус TO-220AB
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора MJE13005, MJE13007. MJE13009

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер 400 В
Vebo Напряжение эмиттер-база 9 В
Ic Ток коллектора постоянный 12 А
Icm Ток коллектора импульсный 24 А
Ib Ток базы 6 А
Ibm Ток базы импульсный 12 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25°С 100 Вт
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 9 В, Ic = 0 А 1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Vce = 5 В, Ic = 5 А 8 40
Vce = 5 В, Ic = 8 А 6 30
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 5 А, Ib = 1 А 1 В
Ic = 8 А, Ib = 1. 6 А 1.5 В
Ic = 12 А, Ib = 3 А 3 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 5 А, Ib = 1 А 1.2 В
Ic
= 8 А, Ib = 1.6 А
1.6 В
Cob Выходная емкость Vcb = 10 В,f = 0.1 МГц 180 пФ

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор 13009 чем заменить

Высказывания:
Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009
транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;
транзистором BUL74A;
транзистором BUW72;
транзистором 2SC3346;
транзистором 2SC3306;
транзистором 2SC2898;
транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог;
дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог;
дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания
Транзисторы
Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП.
Михаил.
KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W
2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W
BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W
ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1. 5A, Icp – 3A, Pd – 40W
MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W

2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w
MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w
MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w
MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w
2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w
2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w
KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W
KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W
KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w
KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w
2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w
2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w
2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w
2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w
2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w
KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w.
2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w.
2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w.

2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w.
2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w.
2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w.
2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w.
2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w.
2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w.
2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w.
2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w.
2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w.
KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w.
2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w.
ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

MJE13009 (E13009) | Биполярные транзисторы

Код товара :M-106-7944
Обновление: 2018-12-09
I(c) :12A
V(cbo) :700V
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить MJE13009 (E13009), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с MJE13009 (E13009) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7944 MJE13009 (E13009) Транзистор MJE13009 (маркировка E13009) — High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor, 700V, 12A, TO-3P 20 pyб.
3836 DB207S Диодный мост DB207S — 2A, 1000V, SMD, Surface Mount Bridge Rectifiers 6.5 pyб.
612 MJE13003 to-126 Транзисторы MJE13003 (MJE13003F, MJE13003C) — NPN Bipolar Power Transistor 600V, 3A, TO-126 5 pyб.
10027 Конденсатор 15uF 400V (Chong) Конденсатор электролитический 15 мкф 400в (CHONG, 105°C, размер 10х17мм) 8 pyб.
6671 STP75NF75B (P75NF75B) to-220 Транзисторы STP75NF75 (маркировка P75NF75B)- Power MOSFET, N-channel, 75V, 80A, TO-220 32 pyб.
8486 BUT11A Транзистор BUT11A — Power NPN Transistor 450V, 5A, TO-220 25 pyб.
9926 DB207 Диодный мост DB207 — 2A, 1000V, DIP-4, Bridge Rectifiers 6.5 pyб.
8867 KBPC5010 Диодные мосты KBPC5010 — SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER, 50A, 1000V 58 pyб.
611 MJE13001 to-92 Транзистор MJE13001 (маркировка 13001) — NPN SILICON TRANSISTOR, 400V, 0,5A, TO-92 1.6 pyб.
9206 SRD-48VDC-SL-C Реле электромагнитное SRD-48VDC-SL-C (48В, 10A 250VAC, 1 группа на переключение, размеры 19.2X15.5X15.2mm) 38 pyб.

 

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

Транзистор MJE13009, NPN, 400V, 12A, корпус TO-220AB

Описание товара Транзистор MJE13009, NPN, 400V, 12A, корпус TO-220AB

Транзистор MJE13009, NPN, 400V, 12A, корпус TO-220AB от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: NPN
  • Рабочее напряжение: 400V
  • Рабочий ток: 12A
  • Тип корпуса: TO-220AB

Особенности транзисторов MJE13009, NPN, 400V, 12A, корпус TO-220AB
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.
Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.    
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

Кремниевые силовые транзисторы NPN серии

Switch-mode

% PDF-1. 4 % 1 0 obj > эндобдж 6 0 obj / Title (MJE13009 — Кремниевые силовые транзисторы NPN серии Switch-Mode) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > поток 2011-10-26T14: 51: 59-07: 00BroadVision, Inc.2020-10-08T10: 28: 39 + 02: 002020-10-08T10: 28: 39 + 02: 00 Приложение Acrobat Distiller 9.4.6 (Windows) / pdf

  • MJE13009 — Кремниевые силовые транзисторы NPN серии Switch-Mode
  • ON Semiconductor
  • MJE13009G разработан для высоковольтного, высокоскоростного питания. переключение индуктивных цепей, где время спада критично.Они есть особенно подходит для применений в РЕЖИМЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ 115 и 220 В. такие как регуляторы переключения, инверторы, средства управления двигателем, Электромагнитные / релейные драйверы и цепи отклонения.
  • uuid: 1197fd74-0808-4fe1-9aec-8b40e60fc7bduuid: e3a26f96-cd87-4905-bc53-48b7feebb36e Распечатать конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > поток HVn6} Ẉi ^ DR * ڠ ͪC \] ګ` od ډ X, $ Ù33gf-AYtnhN8 ^% L = $ WSN7M⏭U2MH ^ I)> {ubCF2eF` ܈ u ^ q. = ~ 6Iǝc; z6c6oZG] Yv (.5’KgF @ K_V = -ؤ 4; 2; cJ V} suEHuksstA7 (PH @ yl} b @ bs 3% ޮ> E00W5 = # 6̭ $ ‘0 = tZ | pwZԨʺ! O3wr0: d, 5L

    J9Te` (@cG,> wk } -Wns5 # & + i4! 8RqNC o, / ~ ŭ rBM / h N`c 5bi` (C? = {_ QlQR [(+

    MJE13009 datasheet — Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN

    BD243 : Эпитаксиальный. Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN. Абсолютные максимальные номинальные значения TC = 25C, если не указано иное Символ Параметр VCBO Напряжение коллектор-база: BD243C VCEO Напряжение коллектор-эмиттер: BD243C Напряжение эмиттер-база Ток коллектора (постоянный) * Ток коллектора (импульс) Рассеяние тока коллектора базы (TC = 25C) Температура перехода Температура хранения C Значение Единицы Символ VCEO (sus ) Параметр * Коллектор-Эмиттер.

    MGFC45V6472A : полоса 6,4–7,2 ГГц, 32 Вт, внутреннее согласование, полевой транзистор GAAS. Примечание: это не финал. Некоторые параметрические ограничения могут быть изменены. Это силовой полевой транзистор из GaAs с согласованным внутренним сопротивлением, специально разработанный для использования в усилителях диапазона 6,4–7,2 ГГц. Герметичный металлокерамический корпус гарантирует высокую надежность. Работа класса A Внутреннее согласование с системой 50 (Ом) Высокая выходная мощность = 32 Вт (ТИП.) @ F = 6,4-7,2.

    MPS2907AZL1 : PNP общего назначения для слабых сигналов, корпус: TO-92 (TO-226), контакты = 3.КОЛЛЕКТОР 3 Символ VCEO VCBO VEBO 1.5 12 TJ, Tstg до +150 Вт мВт / C 3 мВт мВт / C TO92 CASE 29 СТИЛИ 1, 14 Единица значения В пост. Общее тепловыделение устройства = 25 ° С. Снижение мощности выше 25 ° С. Общее тепловое излучение устройства = 25 ° С. Снижение мощности, указанное выше.

    SB07-03P :. Применение Высокочастотное выпрямление (импульсные регуляторы, преобразователи, прерыватели). Низкое прямое напряжение (VF max = 0.55В). Время быстрой записи в обратном направлении (trr max = 10 нс). Низкий коммутационный шум. Низкий ток утечки и высокая надежность за счет высоконадежной планарной конструкции. s Параметр Повторяющееся пиковое обратное напряжение Неповторяющееся пиковое обратное импульсное напряжение.

    ZXMN2A03E6 : N-канальный полевой МОП-транзистор. В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов TRENCH от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости переключения. Это делает их идеальными для приложений управления энергопотреблением с высоким КПД и низким напряжением.Низкое сопротивление в открытом состоянии Высокая скорость переключения Низкий порог Низкий привод затвора Комплект SOT23-6 ПРИМЕНЕНИЕ — Преобразователи постоянного тока.

    ACR05B220JWS : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 50 В, C0G, 0,000022 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Диэлектрик: керамический состав; Диапазон емкости: 2.20E-5 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -67 до 257 F (от 218 до 398 K).

    FBS0603-260E : 1 ФУНКЦИИ, 1 А, ФЕРРИТОВЫЙ ШУС. s: Форм-фактор борта: чип; Устройств в упаковке: 1; Размер корпуса EIA: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, РАЗМЕР ПАКЕТА EIA STD 0603, 2 КОНТАКТА; Стандарты и сертификаты: RoHS; DCR: 0,0800 Ом; Номинальный постоянный ток: 1000 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

    MTZJHJ10B : 0,5 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-34. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.

    PCF0G122MCL1GS : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, ТВЕРДЫЙ ПОЛИМЕР, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 4 В, 1200 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Соответствует RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 1200 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 4 вольта; Ток утечки: 960 мкА; СОЭ: 10 миллиом; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

    PDTA113ZE : 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: пластик, SC-75, 3 контакта.

    YG864S06R : 60 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Конфигурация выпрямителя / Технология: Schottky; Количество диодов: 1; VRRM: 60 вольт; ЕСЛИ: 160000 мА.

    ZWS0063 : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 6 Вт, 2; 5; 10%, 80; 180 ppm, 0,82 Ом — 13000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / Упаковка: шасси на болтах, ЗЕЛЕНЫЙ; Рабочая температура: от -55 до 250 C (от -67 до 482 F).

    1N6660D : 40 А, 45 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-254AA.s: Тип диода: общего назначения, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; IF: 40000 мА; Пакет: ГЕРМЕТИЧЕСКИЙ, TO-254, 3 PIN; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

    2N2952LEADFREE : 20 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-18. s: Полярность: NPN. BVCBO BVCEO BVEBO ICBO @ (V) (mA) MIN MAX * ICES ** ICEV NPN AMPL / SWITCH NPN SAT SWITCH NPN SAT SWITCH NPN SAT SWITCH NPN AMPL / SWITCH NPN AMPL / SWITCH NPN AMPL / SWITCH NPN AMPL / SWITCH PNP SWITCH PNP AMPL / SWITCH PNP AMPL / SWITCH PNP AMPL / SWITCH NPN AMPL / SWITCH NPN AMPL / SWITCH NPN SAT SWITCH NPN SAT SWITCH NPN SAT SWITCH NPN LOW NOISE NPN SAT SWITCH NPN SAT SWITCH.

    561R1DF0D10 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 1000 В, N2800, 0,001 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Диэлектрик: керамический состав; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E-3 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 1000 вольт; Температурный коэффициент: -2800 частей на миллион / ° C; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

    MJE13009 datasheet — Power 12A 400V NPN, Package: TO-220, Pins = 3

    2N6581 : Доступны варианты экранирования = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO3 (TO204AA) ;; Vceo = 450V ;; IC (cont) = 10А ;; HFE (мин) = 7 ;; HFE (макс.) = 35 ;; @ Vce / ic = 3V / 5A ;; FT = 25 МГц ;; PD = 125Вт.

    2SA1189 : Кремниевый PNP эпитаксиальный. Приложение Элемент Напряжение от коллектора к базе Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от эмиттера к базе Ток коллектора Ток эмиттера Рассеиваемая мощность коллектора Температура перехода Температура хранения Обозначение VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg до +150 Ед. МВт C 2SA1188 Позиция Пробивное напряжение от коллектора к базе Напряжение пробоя от коллектора к эмиттеру Излучатель на базу.

    2SK1860 : слабый сигнал. Применение = для преобразования импеданса на низких частотах / для электретного конденсаторного микрофона ;; ВДСОВГДС (В) = 20 ;; ID (мА) = ;; NV2NFConditionVDS (V) = ;; NV2NFmax3typ (мВ) = ;; IDSSmax.(мА) = 0,48 ;; Пакет = MiniT3-F1.

    BFT53 : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO18 (TO206AA) ;; Vceo = 35V ;; IC (продолжение) = 1A ;; HFE (мин) = 10 ;; HFE (макс.) = — ;; @ Vce / ic = 6V / 1mA ;; FT = 60 МГц ;; PD = 0,36Вт.

    CDSRh5M50CK020-B0 : Фильтры-> Керамические фильтры. Керамический фильтр для ТВ / видеомагнитофона. Пожалуйста, прочтите ВНИМАНИЕ и Примечания в этом каталоге для обеспечения безопасности. В этом каталоге есть только типичные s. Поэтому вас просят одобрить наш продукт или провести лист утверждения для продукта перед вашим заказом. Номер детали 1 CERAFILr Chip Type SFSKA Series CERAFILr в этом каталоге является товарным знаком компании Murata Manufacturing Co., Ltd. CERAFILr Chip.

    DF30AA120 : Модули трехфазных диодов (мост). UL; E76102 M Модуль силовых диодов DF30AA разработан для трехфазного двухполупериодного выпрямления, который имеет шесть диодов, соединенных по схеме трехфазного моста. Монтажное основание модуля электрически изолировано от полупроводниковых элементов для обеспечения постоянного выходного тока простой конструкции радиатора (Tc = 117) Повторяющееся пиковое обратное напряжение 1600 В.TjMax = 150.

    Q67060-S6501-A2 : транзисторный HitFET. Логический уровень Входная защита входа (ESD) = тепловое отключение с защелкой Защита от перегрузки Защита от короткого замыкания Защита от перенапряжения Краткое описание продукта Напряжение источника утечки Сопротивление в открытом состоянии Ограничение тока Номинальный ток нагрузки Энергия зажима VDS RDS (on) ID (lim) ID (ISO) EAS Обратная связь по состоянию с внешним входным резистором Возможно аналоговое управление.

    S9G66A : GaAs. СВЧ мощность GAAS Fet.

    ZXMN6A08E6 : N-канальный полевой МОП-транзистор. В этом новом поколении полевых МОП-транзисторов TRENCH от Zetex используется уникальная структура, сочетающая в себе преимущества низкого сопротивления в открытом состоянии и высокой скорости переключения. Это делает их идеальными для приложений управления энергопотреблением с высоким КПД и низким напряжением. Низкое сопротивление в открытом состоянии Высокая скорость переключения Низкий порог Низкий привод затвора Комплект SOT23-6 ПРИМЕНЕНИЕ — Преобразователи постоянного тока.

    BUK6208-40C : N-канальный полевой транзистор промежуточного уровня TrenchMOS Управляющий затвор промежуточного уровня N-канальный режим расширения Полевой транзистор (FET) в пластиковом корпусе с использованием передовой технологии TrenchMOS.Этот продукт был разработан и сертифицирован по соответствующему стандарту AEC Q101 для использования в высокопроизводительных автомобильных приложениях.

    06033K130FBTTR : КОНДЕНСАТОР, ПЛЕНКА / ПЛЕНКА, ДИОКСИД КРЕМНИЯ И НИТРИД, 25 В, 0,000013 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Тип конденсатора: диоксид и нитрид кремния; Диапазон емкости: 1,30E-5 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 25 вольт; Тип установки: технология поверхностного монтажа; Размер корпуса EIA: 0603; Приложения:.

    0JSEV1000M10X10.5 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 6,3 В, 1000 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; : Поляризованный; Диапазон емкости: 1000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 6,3 вольт; Ток утечки: 63 мкА; Тип установки: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40,

    A09512F0.07 : RES NET, ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 5,1K ОМ, 200WV, 1% +/- ТОЛ, -100,100PPM TC, 6212 КОРПУС.s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование.

    B32674G1105K : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, ПОЛИПРОПИЛЕН, 750 В, 1 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: полипропиленовые; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 750 вольт; Тип установки:.

    EBM03CK210L00V : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 100 В, 10 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; : Поляризованный; Диапазон емкости: 10 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Ток утечки: 5 мкА; СОЭ: 13000 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40,

    HSC285-E : КРЕМНИЙ, ВЧ ДИОД, СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: смеситель; Соответствует RoHS: RoHS.

    S3V20-4000 : 3,5 А, 200 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД.s: Количество диодов: 1; VRRM: 200 вольт; ЕСЛИ: 3500 мА.

    2SK771TB : 20 мА, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, JFET. s: Полярность: N-канал; PD: 200 милливатт; Тип упаковки: CP, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

    ISC MJE13009

    DtSheet
      Загрузить

    ISC MJE13009

    Открыть как PDF
    Похожие страницы
    SAVANTIC MJE13002
    ISC 2N6547
    SAVANTIC BUL6825
    ISC 2N6542
    ISC MJW16010
    ISC MJ16012
    SAVANTIC 2N6546
    SAVANTIC 2N6543
    SAVANTIC MJW16018
    MJ16018 — Савантик
    ISC 2N6931
    JMNIC 2N6546
    SAVANTIC BUV48
    JMNIC 2N6542
    ISC 2N6836
    САВАНТИК MJE16004
    SAVANTIC 2N6833
    SAVANTIC MJW16010
    SAVANTIC MJ16012
    JMNIC MJ16010
    ISC BUT12AX
    ISC MJE12007

    dtsheet © 2021 г.

    О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

    MJE13009 NPN-транзистор высокой мощности

    MJE13009 разработан для высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепей переключения мощности, где критично время спада.Они особенно подходят для приложений с режимом переключения 115 и 220 В, таких как импульсные регуляторы, инверторы, устройства управления двигателями, драйверы соленоидов / реле и отклоняющая цепь

    .

    MJE13009 Распиновка

    MJE13009 Конфигурация контактов

    9022
    Номер контакта Название контакта
    1 База
    2 Коллектор
    3 Коллектор 9022 3 Излучатель

    MJE13009 Основные характеристики

    • VCEO (sus) 400 В и 300 В
    • SOA с обратным смещением и индуктивной нагрузкой при TC = 100C
    • Матрица индуктивного переключения от 3 до 12 A, 25 и 100C
      • tc при 8 A, 100C составляет 120 нс (тип. ) .
    • Возможность блокировки 700 В
    • Обозначение типа: MJE13009
    • Материал транзистора: Si
    • Полярность: NPN

    MJE13009 Спецификация

    9022 9022 9022 9022 9022 9022 9022 12
    Ic (мА) Pd Vce (макс.) Vcb hfe @ IC
    100 400 700 8-40 5000 4
    MJE13009 Эквивалент / Альтернативный :


    MJE1100, MJE1101, MJE1102, MJE1103, MJE1123, MJE12007

    Приложение

    • Motor Controls
    • Импульсные регуляторы
    • Цепи отклонения

    Вы можете загрузить это техническое описание для MJE13009 NPN-транзистора высокой мощности по ссылке ниже:

    MJE13009 SWITCHMODEt Series NPN Silicon Power.

    ..

    MJE13009 Предпочтительное устройство SWITCHMODE Серия NPN Кремниевые Силовые транзисторы MJE13009 разработан для высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепей переключения мощности, где время спада критично. Они особенно подходят для приложений SWITCHMODE 115 и 220 В, таких как регуляторы переключения, инверторы, средства управления двигателем, драйверы соленоидов / реле и схемы отклонения.Характеристики • V CEO (sus) 400 В и 300 В • SOA с обратным смещением с индуктивными нагрузками при TC = 100C • Матрица индуктивного переключения от 3 до 12 A, 25 и 100 C tc при 8 A, 100 C составляет 120 нс (тип.) • 700 В Возможность блокировки • Информация о SOA и коммутационных приложениях • Доступен пакет без свинца * МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ Номинальные характеристики Обозначение Значение Единица Напряжение коллектор-эмиттер В CEO (sus) 400 В пост. Тока Напряжение коллектор-эмиттер, В CEV 700 В пост. Текущий базовый ток Ток эмиттера — Непрерывный — Пиковый (Примечание 1) — Непрерывный — Пиковый (Примечание 1) — Непрерывный — Пик (Примечание 1) Общее рассеивание устройства при TC = 25C ​​Снижение номинальных значений выше 25 ° C Общее рассеивание устройств при TC = 25C ​​Снижение мощности выше 25 ° C Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ IC 12 I CM 24 IB 6 I BM 12 IE 18 I EM 36 PD 2 16 PD 100 800 TJ, T stg от −65 до +150 Adc Adc Adc WW / CWW / C Характеристики Обозначение Максимальное тепловое сопротивление блока, переход к окружающей среде R JA 62.5 C / W Тепловое сопротивление, соединение между корпусом R JC 1,25 C / Вт Максимальная температура вывода для целей пайки 1/8 дюйма от корпуса в течение 5 секунд C T L 275 C Максимальные номинальные значения — это те значения, при превышении которых может произойти повреждение устройства. Максимальные номинальные значения, применяемые к устройству, представляют собой индивидуальные предельные значения напряжения (не нормальные условия эксплуатации) и не действительны одновременно. Если эти пределы превышены, функциональная работа устройства не подразумевается, может произойти повреждение и может быть снижена надежность. 1. Импульсный тест: ширина импульса = 5 мс, рабочий цикл ≤ 10%.* Для получения дополнительной информации о нашей бессвинцовой стратегии и деталях пайки, пожалуйста, загрузите Справочное руководство по методам пайки и монтажа ON Semiconductor, SOLDERRM / D. http://onsemi.com 12 AMPERE NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР НА 400 В — 100 ВАТТ К-220AB CASE 221A-09 1 СТИЛЬ 1 2 3 СХЕМА МАРКИРОВКИ MJE13009 G AY WW A = Место сборки Y = Год WW = Рабочая неделя G = Пакет без свинца ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Комплект поставки устройства MJE13009 TO-220 50 шт. / Рельс MJE13009 G TO-220 50 Единицы / шина (без свинца) Предпочтительные устройства — это рекомендуемые варианты для будущего использования и наилучшая общая стоимость.© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 Февраль 2006 г. — Ред. 7 1 Номер заказа на публикацию: MJE13009 / D

    www.

    eepw.com.cn

    % PDF-1.4 % 48 0 объект > эндобдж 44 0 объект > поток 2007-05-05T12: 34: 02 + 08: 002009-11-17T20: 14: 25 + 08: 002009-11-17T20: 14: 25 + 08: 00application / pdf

  • ПОИСК ДАННЫХ, КОМПОНЕНТ, БЕСПЛАТНАЯ ЗАГРУЗКА САЙТА
  • Источник eepw.com.cn
  • www.eepw.com.cn
  • PDF, ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ, ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ, ИС, ЧИП, ПОЛУПРОВОДНИК, ТРАНЗИСТОР, ЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ, КОМПОНЕНТ ISO, ВСЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, КАТАЛОГ, АРХИВ, EEPW -9d9f-e63044dff846 конечный поток эндобдж 90 0 объект > / Кодировка >>>>> эндобдж 43 0 объект > эндобдж 49 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 1 0 obj > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 12 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 15 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 18 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 21 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 24 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 27 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / ExtGState >>>>> / Type / Page >> эндобдж 96 0 объект > поток HW *

    «» @ њ ﲻ 7 «qKo \ K

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *