Mosfet irf520: Купить модуль MOSFET транзистора IRF520 (силовой ключ) / RoboShop

Регулятор напряжения AMS1117: характеристики, распиновка, техническое описание [видео]

Микроконтроллер PIC16F877a: распиновка, техническое описание, характеристики [FAQ]

Автор: Миа

Дата: 24 января 2022 г.

IRF520 — это Power Mosfet с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.

Каталог

0021

IRF520 Конфигурация PIN -конфигурации

Название контакта

Спецификация IRF520

Характеристики IRF520

• Динамический номинал dV/dt

• Повторяющаяся лавина с рейтингом

• Рабочая температура 175 °C

• Быстрое переключение

• Легкость распараллеливания

• Простые требования к накопителю

• Соответствует директиве RoHS 2002/95/EC

Приложения IRF520

• Преобразователи постоянного тока в постоянный

• Приложения, требующие быстрого переключения

• Источники бесперебойного питания

• Зарядные устройства

• Системы управления батареями

• Применение солнечной энергии

• Цепи драйвера двигателя

• Компьютерные и телекоммуникационные приложения

Функциональные эквиваленты IRF520

Где мы можем его использовать и как использовать

IRF520 может использоваться в самых разных цепях, таких как схемы контроллера двигателя, слаботочные ИБП, источники питания, кроме этого, он также может использоваться для управления другими источниками питания высокой мощности компоненты, такие как реле и транзисторы и т. д. Из-за низких требований к мощности затвора его можно легко использовать на выходе arduino, raspberry pi и различных ИС и микроконтроллеров для управления сильноточными нагрузками. Помимо вышеперечисленных применений, его также можно использовать в схемах аудиоусилителей.

Тестовые схемы IRF520

• Тестовая схема времени переключения

• Индуктивная тестовая цепь без зажимов

• Тестовая схема заряда затвора

• Цепь тестирования пикового восстановления диода dV/dt

Как безопасно долго запускать IRF520 в цепи

Для обеспечения долговременной производительности используйте IRF520, по крайней мере на 20% ниже его максимальных значений. Максимальный ток стока 9.2A, таким образом, не подключайте нагрузку более 7,36A. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, поэтому напряжение нагрузки должно быть ниже 80 В. Напряжение затвор-исток должно быть ниже ±20 В, а транзистор всегда следует хранить и эксплуатировать при температуре выше -55°С и ниже +175°С.

IRF520 Пакет

IRF520 Популярность по региону

Производитель IRF520

Vishay Intertechnology был основан в 1962 году доктором Felix Zandman. Он начал работу с одной технологии, которая имела две линейки продуктов: фольговые резисторы и фольговые тензорезисторы. В 1985, превратившись из стартапа в ведущего мирового производителя этих оригинальных продуктов, компания начала непрерывную серию стратегических приобретений, чтобы стать крупным производителем электронных компонентов. Сегодня Vishay Intertechnology — один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводников и пассивных электронных компонентов. Эти компоненты используются практически во всех типах электронных устройств и оборудования в промышленной, компьютерной, автомобильной, потребительской, телекоммуникационной, военной, аэрокосмической, энергетической и медицинской отраслях.

Спецификация компонента

Часто задаваемые вопросы

Заказ и качество

BMP280 — датчик барометрического давления. BMP280 — это высокоточный сенсорный модуль, измеряющий атмосферное давление и температуру воздуха. Мало того, он также может измерять влажность воздуха. Чт…

Продолжить чтение »

MM74HC04M Hex Inverter Datasheet PDF Скачать

Irene 19 апр 2022 362

Каталог Общее описаниеХарактеристикиИнформация для заказаСхема подключенияЛогическая схемаАбсолютные максимальные характеристикиРекомендуемые условия эксплуатацииЭлектрические характеристики постоянного токаЭлектрические характеристики переменного тока…

Продолжить чтение »

0019

Ирэн 22 января 2022 г. 686

Обзор продуктаSiT5356 — это MEMS Super-TCXO с точностью ±100 ppb, который полностью соответствует спецификациям генератора Telcordia GR-1244-CORE Stratum 3. Разработан для наилучших динамических характеристик…

Продолжить чтение »

Что такое прикладные схемы дифференциального усилителя?

Игги 24 февраля 2022 г. 2283

Схема дифференциального усилителя также называется дифференциальной схемой. Он может не только эффективно усиливать сигнал переменного тока, но и эффективно уменьшать дрейф нуля, вызванный источником питания…

Продолжить чтение »

Обзор литиевой батареи CR2430 3 В [FAQ]

Mia 21 февраля 2022 г. 4797

Батарея CR2430 представляет собой неперезаряжаемую литиевую батарею напряжением 3,0 В, типичной емкостью 270–300 мАч и физическими размерами 24,5 x 3,0 мм. Этот блог будет посвящен функциям CR2430, специ…

Продолжить чтение »

# 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9А Б С Д Е Ф грамм ЧАС я Дж К л М Н О п Вопрос р С Т U В Вт Икс Д Z

Знаете ли вы N-Channel Power MOSFET-IRF520?

На прошлой неделе Jotrin Electronics представила множество связанных электронных компонентов и знаний.

На этой неделе мы продолжим знакомить вас с электронными компонентами, мы тщательно выберем некоторые из популярных компонентов на рынке, а затем объясним их соответствующие функции, инструкции и функции.

На этот раз я выбрал модель электронного компонента, названную IRF520, которая представляет собой силовой МОП-транзистор N-Channel. Как инженер-электронщик, вы должны знать его, но, в конце концов, это всего лишь небольшая группа людей. Я надеюсь, что вы можете получить ценную информацию. Информация. Давайте начнем сейчас.

IRF520 — это силовой МОП-транзистор с током коллектора 9,2 А и напряжением пробоя 100 В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и, следовательно, обычно используется с микроконтроллерами, такими как Arduino, для переключения сильноточных нагрузок.

Простое описание IRF520

IRF520 — это 100-вольтовый одноканальный силовой МОП-транзистор HEXFET в корпусе TO-220AB. Многие известные производители производят IRF520, включая Infineon, Vishay Siliconix, STMicroelectronics и т. д. Он использует корпус TO-220AB.

Его напряжение сток-исток составляет 100 В, максимальная входная емкость при Vds составляет 360 пФ при 25 В. Рабочая температура составляет от -55 ° C до 175 ° C.

IRF540 — это N-канальный силовой МОП-транзистор. Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 9.2A непрерывный ток и работают при напряжении ниже 100В. Он также имеет приличное сопротивление в открытом состоянии 0,27 Ом, что повышает эффективность MOSFET, поскольку он будет рассеивать меньше тепла в виде потерь.

Мощные полевые МОП-транзисторы третьего поколения от Vishay обеспечивают разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.

Корпус TO-220AB универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление

и низкая стоимость корпуса TO-220AB способствуют его широкому распространению в отрасли.

Этот Mosfet имеет низкое пороговое напряжение затвора всего 4 В, это означает, что Mosfet может быть включен даже при 5 В от вывода GPIO микроконтроллеров, таких как Arduino. Но это не означает, что Mosfet полностью включится при напряжении всего 5 В, ему нужно около 10 В, подаваемое на контакт затвора, чтобы полностью включиться и обеспечить ток коллектора 9,2 А. Поэтому, если вы ищете Mosfet для использования с микроконтроллером, вам следует рассмотреть Mosfet логического уровня, например 2N7002 и т. Д.

В качестве альтернативы вы также можете использовать схему драйвера для подачи 10 В на вывод затвора этого MOSFET с помощью транзистора. Вдобавок к этому, полевой МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться также в схемах преобразователя постоянного тока.

Особенности IRF520

Целевые приложения:

Описание для Распиновка IRF520

КТО МОЖЕТ ЗАМЕНИТЬ НА IRF520

Когда нам понадобился IRF520, мы обнаружили, что такого компонента нет, как с этим быть?

Как только это произойдет, нам нужно понять соответствующие свойства IRF520N, а затем найти электронные компоненты для замены, что означает, что этот сменный компонент имеет те же функции и свойства, что и IRF520N.

IRF520 Альтернативы: IRF540N, IRF3205

Скачать бесплатно техническое описание IRF520

Ярлык: irf520 спецификация irf520

Предыдущая: Lite-On Technology Выбрана в качестве члена DJSI 2012 года два года подряд, признана лидером сектора электронных компонентов и усилителей; Оборудование

IRF520 MOSFET Спецификация, схема выводов, характеристики и применение

Привет, ребята! Надеюсь, ты сегодня в порядке. Рад видеть вас рядом. Сегодня в этом посте я расскажу вам о введении в IRF520. IRF520 — это мощный N-канальный МОП-транзистор, используемый в основном для коммутации и усиления. Он имеет напряжение пробоя около 100 В и низкое пороговое напряжение затвора 4 В, что делает его идеальным выбором для приложений микроконтроллеров. Я предлагаю вам прочитать этот пост до конца, так как я подробно опишу полное введение в IRF520, включая техническое описание, распиновку, функции и приложения. Давайте начнем.

• IRF520 представляет собой N-канальный мощный МОП-транзистор, используемый в основном для коммутации и усиления.
• Он поставляется с тремя клеммами: затвор, исток и сток и доступен в корпусе TO-220.
• Важно отметить, что клемма затвора электрически изолирована и не содержит тока и обычно называется полевым транзистором с изолированным затвором (IG-FET).

• Поскольку это N-канальный MOSFET, то здесь основными носителями заряда являются электроны, в отличие от P-канального MOSFET, где основными носителями являются дырки.
• Движение электронов лучше, чем движение дырок, что делает N-канальный MOSFET лучше, чем P-канальный MOSFET.
• Благодаря лучшему движению электронов N-канальные МОП-транзисторы при высоких нагрузках остаются холодными, в то время как P-канальные МОП-транзисторы нагреваются при высоких нагрузках.

• Основные носители заряда, т. е. электроны, входят в канал через клемму истока, а выходят из канала через клемму стока. И терминал затвора управляет смещением этого МОП-транзистора.
• Этот N-канальный МОП-транзистор имеет низкое сопротивление в открытом состоянии около 0,27 Ом, что позволяет рассеивать меньше энергии в виде тепла и, следовательно, повышает эффективность устройства.
• IRF520 содержит низкое пороговое напряжение около 4 В, что предполагает, что его можно включить с помощью 5 В на контактах GPIO на микроконтроллере.
• Этот чип имеет приличную скорость переключения, что делает его идеальным выбором для схем преобразователя постоянного тока.
• Непрерывный ток стока (ID) этого устройства составляет 9.2А при пробивном напряжении сток-исток 100В. Время нарастания составляет 30 нс, а время спада — 20 нс.

Прежде чем применять этот компонент в своем электрическом проекте, целесообразно просмотреть техническое описание компонента, в котором представлены основные характеристики устройства. Щелкните ссылку ниже, чтобы загрузить техническое описание IRF520.

На следующем рисунке показана схема выводов IRF520 Mosfet.

IRF520 поставляется с тремя терминалами: Gate, Drain и Source.

Ниже приведены основные характеристики MOSFET IRF520.

• N-канальный силовой МОП-транзистор
• Непрерывный ток стока (ID) = 9,2 А
• Напряжение пробоя сток-исток = 100 В
• Время нарастания составляет 30 нс, а время спада — 20 нс.

• Сопротивление источника стока (RDS) = 0,27 Ом (также известное как сопротивление во включенном состоянии)
• Поскольку он содержит низкое пороговое напряжение, он обычно используется с приложениями Arduino.
• Пороговое напряжение затвора (VGS-th) = 4 В (макс.)
• Доступный пакет = пакет TO-220

Ниже приведены основные области применения этого устройства.

• Используемые для управления скоростью двигателей
• Используется в преобразователях или инверторных схемах
• Используется в устройствах высокой мощности
• Встраивается в высокоскоростные переключатели
• Используется в светодиодных диммерах или мигалках

Это все на сегодня. Надеюсь, вы получили краткое представление о введении в MOSFET IRF520. Если вы не уверены или у вас есть какие-либо вопросы, вы можете связаться со мной в разделе ниже. Я хотел бы помочь вам как можно лучше. Не стесняйтесь делиться своими ценными отзывами и предложениями по контенту, которым мы делимся, чтобы мы продолжали возвращаться с качественным контентом, адаптированным к вашим конкретным потребностям и требованиям. Спасибо за прочтение статьи.

-Автор сайта

Сайед Заин Насир

Сайедзаиннасир Я Сайед Заин Насир, основатель The Engineering Projects (TEP).