Что такое мощные выпрямительные диоды. Как работают выпрямительные диоды большой мощности. Какие основные параметры характеризуют мощные выпрямительные диоды. Где применяются мощные выпрямительные диоды в промышленности и энергетике. Какие типы корпусов используются для мощных выпрямительных диодов.
Принцип работы мощных выпрямительных диодов
Мощные выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный в силовых электронных устройствах. Их основная функция — пропускать ток только в одном направлении, блокируя обратный ток.
Принцип работы выпрямительного диода основан на свойствах p-n перехода:
- В прямом направлении диод имеет малое сопротивление и пропускает большой ток
- В обратном направлении сопротивление диода очень велико, и ток практически не протекает
При подаче переменного напряжения диод пропускает ток только в положительные полупериоды, отсекая отрицательные. Таким образом на выходе формируется пульсирующий постоянный ток.
Основные параметры мощных выпрямительных диодов
Ключевыми параметрами, характеризующими мощные выпрямительные диоды, являются:
- Максимальное обратное напряжение (VRRM) — наибольшее допустимое обратное напряжение
- Средний выпрямленный ток (IF(AV)) — максимальный средний прямой ток через диод
- Импульсное прямое напряжение (VFM) — падение напряжения на диоде при протекании прямого тока
- Обратный ток утечки (IR) — ток, протекающий через диод при обратном напряжении
- Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) — характеризует теплоотвод от кристалла
Как правильно выбрать мощный выпрямительный диод для конкретного применения? Необходимо учитывать следующие факторы:
- Требуемый выпрямленный ток нагрузки
- Максимальное обратное напряжение в схеме
- Рабочую частоту
- Условия охлаждения
- Требования по надежности
Типы корпусов мощных выпрямительных диодов
Для мощных выпрямительных диодов используются различные типы корпусов, обеспечивающие эффективный теплоотвод:
- Таблеточные корпуса (pill package) — для токов до 5000 А
- Дисковые корпуса — для токов до 2000 А
- Модульные корпуса — для создания сборок из нескольких диодов
- Корпуса для монтажа на радиатор — для токов до 1000 А
Выбор типа корпуса зависит от требуемой мощности, условий охлаждения и конструкции устройства. Для наиболее мощных применений используются таблеточные корпуса с водяным охлаждением.
Применение мощных выпрямительных диодов
Мощные выпрямительные диоды широко используются в различных областях промышленности и энергетики:
- Выпрямители для электроприводов постоянного тока
- Источники питания для электролизных установок
- Зарядные устройства для аккумуляторных батарей большой емкости
- Преобразователи для систем передачи постоянного тока высокого напряжения (HVDC)
- Выпрямители для гальванических производств
В каких случаях применение мощных выпрямительных диодов наиболее эффективно? Преимущества их использования:
- Высокая эффективность преобразования электроэнергии
- Возможность работы при больших токах и напряжениях
- Простота схемотехники выпрямителей
- Надежность и длительный срок службы
Технологии производства мощных выпрямительных диодов
Современные мощные выпрямительные диоды производятся с использованием следующих технологий:
- Эпитаксиально-планарная технология — обеспечивает высокую плотность тока
- Диффузионная технология — для диодов с высоким обратным напряжением
- Технология с мягким восстановлением — снижает коммутационные перенапряжения
Какие преимущества дают новые технологии производства мощных выпрямительных диодов?
- Повышение плотности тока и снижение потерь
- Улучшение динамических характеристик
- Повышение надежности и срока службы
- Расширение области безопасной работы
Особенности эксплуатации мощных выпрямительных диодов
При эксплуатации мощных выпрямительных диодов необходимо учитывать следующие особенности:
- Обеспечение эффективного охлаждения для отвода выделяемого тепла
- Защита от коммутационных перенапряжений
- Равномерное распределение тока при параллельном соединении
- Контроль температуры перехода в процессе работы
Как обеспечить надежную работу мощных выпрямительных диодов в течение длительного срока? Рекомендации по эксплуатации:
- Выбор диодов с запасом по току и напряжению
- Использование эффективных систем охлаждения
- Периодическая проверка электрических параметров диодов
Перспективы развития мощных выпрямительных диодов
Основные направления совершенствования мощных выпрямительных диодов:
- Повышение плотности тока и снижение потерь проводимости
- Увеличение рабочих напряжений
- Улучшение динамических характеристик
- Повышение стойкости к перегрузкам
- Создание «умных» диодов с функциями самодиагностики
Какие преимущества дадут новые поколения мощных выпрямительных диодов? Ожидаемые результаты развития:
- Повышение КПД преобразования электроэнергии
- Увеличение удельной мощности выпрямителей
- Расширение областей применения
- Повышение надежности и срока службы оборудования
Таким образом, мощные выпрямительные диоды являются ключевыми компонентами современных силовых электронных устройств. Их дальнейшее совершенствование будет способствовать повышению энергоэффективности промышленного оборудования и систем электроснабжения.
Мощные высоковольтные выпрямительные диоды 2Д2943 АЕЯР.432120.556ТУ с приемкой ВП
Область применения
Настоящие технические условия (ТУ) распространяются на кремниевые эпитаксиально — планарные мощные выпрямительные высоковольтные диоды 2Д2943, диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом, по схеме удвоения и однофазные мосты (далее по тексту — «диоды и диодные сборки») в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.
Классификация, основные параметры и размеры
Диоды изготавливают одного типа шести типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и шести типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02
Диодные сборки изготавливаются трех типов восемнадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-1.02* и восемнадцати типономиналов в корпусах КТ-111А-2.02.
* Диоды и диодные сборки в корпусах типа КТ-111А-1.
02 включены в Решение от 2020 г.
о снятии с производства. В новых разработках не применять!
Диодные сборки с общим катодом относятся к первому типу, диодные сборки с общим анодом относятся ко второму типу, диодные сборки по схеме удвоения относятся к третьему типу.
Основные и классификационные характеристики диодов и диодных сборок приведены в таблице ниже.
Схемы разводки диодов и диодов в составе диодных сборок в корпусе, нумерация выводов корпуса приведены на рисунках ниже.
Диоды и диодные сборки изготавливаются в исполнении, предназначенные для ручной сборки (монтажа) аппаратуры.
Условное обозначение диодов и диодных сборок при заказе и в конструкторской документации другой продукции:
- Диод 2Д2943А АЕЯР.432120.556ТУ.
- Диодная сборка 2Д2943АС1 АЕЯР.432120.556ТУ.
- Диод 2Д2943А1 АЕЯР.432120.556ТУ.
- Диодная сборка 2Д2943АС11 АЕЯР.432120.556ТУ.
- Диод 2Д2943А2 АЕЯР.432120.556ТУ.
- Диодная сборка 2Д2943АС12 АЕЯР.
432120.556ТУ.
432120.556ТУ.| Условное обозначение | Основные параметры в нормальных климатических условиях1, буквенное обозначение, единица измерения | Условное обозначение корпуса | Обозначение габаритного чертежа, схема разводки в корпусе, нумерация выводов | Обозначение схемы соединения2 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Uобр max, В | Uпр, В | Iпр, А | Iобр, мА | ||||
| Диоды | |||||||
| 2Д2943А | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432122.005ГЧ | Д |
| 2Д2943Б | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943В | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943Г | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943Д | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943Е | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943А1 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-2. 02 | ПБВК.432122.006ГЧ | Д |
| 2Д2943Б1 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943В1 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943Г1 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943Д1 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943Е1 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| Сборки с общим катодом | |||||||
| 2Д2943АС1 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432122.005ГЧ | ОК |
| 2Д2943БС1 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС1 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС1 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС1 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС1 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943АС11 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-2. | ПБВК.432122.006ГЧ | ОК |
| 2Д2943БС11 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС11 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС11 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС11 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС11 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| Сборки с общим анодом | |||||||
| 2Д2943АС2 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432122.005ГЧ | ОА |
| 2Д2943БС2 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС2 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС2 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС2 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС2 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943АС21 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-2. 02 | ПБВК.432122.006ГЧ | ОА |
| 2Д2943БС21 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС21 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС21 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС21 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС21 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| Сборки по схеме удвоения | |||||||
| 2Д2943АС3 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-1.02 | ПБВК.432122.005ГЧ | СУ |
| 2Д2943БС3 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС3 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС3 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС3 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС3 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943АС31 | 200 | 1,1 | 12 | 0,1 | КТ-111А-2. 02 | ПБВК.432122.006ГЧ | СУ |
| 2Д2943БС31 | 200 | 1,1 | 20 | 0,1 | |||
| 2Д2943ВС31 | 400 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ГС31 | 400 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
| 2Д2943ДС31 | 600 | 1,3 | 8 | 0,1 | |||
| 2Д2943ЕС31 | 600 | 1,3 | 15 | 0,1 | |||
Примечания:
- Параметры диодов А1—Е1, А2– Е2, диодов в составе диодных сборок АС1—ЕС1, АС11—ЕС11, АС12—ЕС12, АС2—ЕС2, АС21—ЕС21, АС22—ЕС22, АС3—ЕС3, АС31—ЕС31, АС32—ЕС32 соответствуют параметрам одиночных диодов с индексами А—Е.
- Обозначение схемы соединения:
- Д — диод.
- ОК — диодная сборка из двух диодов с общим катодом.
- ОА — диодная сборка из двух диодов с общим анодом.
- СУ — диодная сборка из двух последовательно соединенных диодов — схема удвоения.
Новое поколение мощных тиристоров и выпрямительных диодов Hitachi Energy
Энергоэффективность называют ключевым фактором, который обеспечивает повышение экологичности. Особенно это касается промышленности, где спрос на электроэнергию огромен и увеличение энергоэффективности может существенно повлиять на окружающую среду и гарантировать ее стабильное будущее.
Компания Hitachi Energy разработала новое поколение тиристоров фазового управления (PCT — Phase Control Thyristor) и выпрямительных диодов, используя новейшие технологии производства пластин, позволяющие повысить их эффективность и улучшить соотношение затрат и производительности компонентов. Статья дает представление о новом поколении полупроводниковых приборов, в котором основное внимание уделяется РСТ и диодам с напряжением 6500 В в N-корпусе (диаметр 100 мм, высота 35 мм).
Введение
Сегодня PCT — основной компонент мощных выпрямителей, источников питания, электроприводов, систем обеспечения качества электроэнергии, гидронасосов, электролизеров водорода, HVDC и многого другого.
Управляемые тиристоры — это выбор номер один в устройствах высокой мощности, где требуются высочайшая производительность, надежность и низкие потери проводимости (рис. 1). Современная промышленность нуждается в выпрямительных диодах с низкими потери проводимости и в менее сложных мощных выпрямителях или источниках питания.
Hitachi Energy разработала новую технологическую платформу для PCT и выпрямительных диодов, способную повысить эффективность и являющуюся еще одним шагом к устойчивому развитию. Эта платформа уже используется в первых двух пилотных продуктах — в PCT и выпрямительном диоде (рис. 2).
Кремниевая пластина
Разработка промышленных тиристоров и выпрямительных диодов предусматривает повышение максимальной температуры кристаллов, а также предельного значения номинального тока и тока перегрузки. Хотя корпуса новых изделий и продуктов предыдущего поколения не имеют отличий, что упрощает их замену с механической точки зрения, внутренняя конструкция новинок переработана кардинально.
Чтобы улучшить номинальные характеристики выпрямителей, были сделаны следующие принципиальные корректировки:
Размер кристалла
Диаметр чипа увеличен по отношению к доступному пространству внутри корпуса. Это позволило расширить активную площадь на 15%.
Максимальная температура кристаллов
Максимальная рабочая температура увеличена на 10 К для обоих типов полупроводников с целью увеличения выходной мощности. Чтобы выдержать нагрузки при повышенных температурах (например, более высокий ток утечки в заблокированном состоянии), потребовались серьезные изменения в технологии кремниевой пластины. Во-первых, форма краевых областей изменена на положительно-отрицательно скошенную. Кроме того, для покрытия верхней контактной части чипа использована новейшая технология пассивации аморфным гидрогенизированным углеродом (также известным, как DLC). Сочетание этой конструкции краевых зон и пассивирующего слоя улучшает блокирующую способность чипов и обеспечивает высокую надежность при повышенной температуре.
Введение положительно скошенной краевой области уменьшает глубину анодного перехода (рис. 3), что позволяет снизить толщину кремния и улучшить характеристики проводимости.
Низкотемпературная сварка
Технология низкотемпературной (холодной) сварки кремниевого кристалла с молибденовой прокладкой со стороны анода, использованная в тиристорах и выпрямительных диодах новой платформы, дает множество преимуществ.
Кремниевая пластина охлаждается до самых краев. Помимо адаптации и модификации чипов, это дополнительно помогает выдерживать повышенные тепловые нагрузки. Кроме того, такая технология соединения устраняет сухую границу раздела между молибденовой и кремниевой пластинами, что приводит к снижению теплового сопротивления между обеими частями. В результате улучшается охлаждение кремниевого чипа, что способствует снижению теплового сопротивления между кристаллом и корпусом.
Корпусирование
Внедрение новой технологии кремниево-молибденового соединения для РСТ и выпрямительных диодов дополнительно улучшает конструкцию.
На рис. 4 показаны особенности технологии FF (free-floating), использованной в существующем поколении PCT и выпрямительных диодов, отличающихся симметричным дизайном корпуса. Размеры соседних молибденовых дисков и медных полюсных наконечников идентичны для выводов анода и катода. Новая конструкция, в которой использована технология холодной сварки, заметно отличается. Как упоминалось выше, диаметр анодного полюсного наконечника увеличен пропорционально диаметру кристалла, в то время как катодный терминал адаптирован для соответствия активной области катодной стороны чипа. Благодаря соединению со стороны анода, толщина катодной молибденовой пластины уменьшена, а ее материал заменен на медь. Таким образом удалось дополнительно улучшить тепловое и электрическое сопротивление за счет более высокой электро и теплопроводности меди. При этом у асимметричной конструкции тепловые сопротивления анода и катода не равны.
Нагрузочная способность в непрерывном режиме
Два новых продукта предлагаются во втором типе конструктива, обеспечивающем повышенную нагрузочную способность в непрерывном режиме (I RSMC).
В основе так называемого X-корпуса (рис. 5) лежит новый N-корпус для элементов, соединенных холодной сваркой (рис. 4 справа). Он дополнительно оснащен стальным фланцем (желтый), кольцом на основе полимера (синий) и зажатым между ними силиконовым уплотнительным кольцом (черный).
Кроме того, в новом конструктиве уменьшен анодный полюсный наконечник, а размеры керамики увеличены до диаметра катодного фланца, чтобы обеспечить достаточное пространство для стального фланца и полимерного кольца.
| 5STP 26N6500 [2] технология FF | 5STP 40N6500 [3] технология холодной сварки | 5STP 40X6500 технология холодной сварки, IRSMC | 5SDD 50N5500 [4] технология FF | 5SDD 57N6500 [5] технология холодной сварки | 5SDD 57N6500 технология холодной сварки,IRSMC | |
| Rth(j-c), DC Анод | 11,4 К кВт-1 |
8,5 К кВт-1 –25% |
7,2 К кВт-1 –37% |
11,4 К кВт-1 |
8,5 К кВт-1 –25% |
7,2 К кВт-1 –37% |
| Rth(j-c), DC Катод | 11,4 К кВт-1 |
11,0 К кВт-1 –3% |
13,5 К кВт-1 +18% |
11,4 К кВт-1 |
10,4 К кВт-1 –9% |
13,0 К кВт-1 +14% |
| Rth(j-c), DC | 5,7 К кВт-1 |
4,8 К кВт-1 –16% |
4,7 К кВт-1 –18% |
5,7 К кВт-1 |
4,7 К кВт-1 –18% |
4,6 К кВт-1 –19% |
Более тонкий анодный полюсный наконечник усиливает дисбаланс теплового сопротивления, но при этом обеспечивает значительное улучшение этого параметра по сравнению с референтными данными, как показано в таблице 1.
Корпус второго типа позволяет достичь тока I — 95 кА при синусоидальном одиночном импульсе 10 мс. Величина I RSMC RSMC оценивается на основе стандарта IEC IEC 60747-6. Новые приборы были механически повреждены на концевых зонах перед проведением этого теста. В ходе испытаний высокоскоростная камера использовалась для отслеживания уровня тока, при котором нарушается герметичность корпуса и происходит утечка плазмы. На рис. 6 показаны результаты проверки тока I. Конструктив разработан таким образом, чтобы плазма выходила из катодного фланца при превышении предела I RSMC RSMC, — это гарантирует, что керамика останется неповрежденной.
Основные характеристики
Технологическая кривая
Соотношение между падением напряжения в открытом состоянии и зарядом обратного восстановления Q у приборов нового поколения по сравнению с предыдущей генерацией и конкурирующими выпрямителями показано на рис. 7. Статические потери при постоянном значении Q RR RR у PCT снижены на 3%.
Это увеличивает плотность тока до 62,3 А/см (+11%) в сочетании с уменьшенным тепловым сопротивлением и повышенной температурой кристалла. Аналогичная ситуация и с диодом: статические потери уменьшены на 3%, а плотность тока увеличена до 79,7 А/см 2 2 (+8%). Таким образом, достигнуто значительное улучшение по номинальному прямому току.
Ток перегрузки
Технология сварки является одним из ключевых факторов, позволяющих выдерживать более высокую температуру кристалла и исключить «тепловое убегание» в заблокированном состоянии. В то же время применение этой технологии позволяет значительно улучшить перегрузочные характеристики. Способность выдерживать ток перегрузки (PCT: I TSM , выпрямительный диод: I ) тщательно оценивалась в процессе разработки. Результаты, полученные для выпрямительного диода, представлены на рис. 8, на котором показано последнее пиковое значение тока при испытаниях на повреждающую перегрузку. Последний импульс тока перегрузки нового выпрямительного диода составляет около 145 кА при синусоидальном одиночном импульсе 10 мс.
Это эквивалентно увеличению показателя I FSM FSM по сравнению с предыдущим поколением почти на 60 %, и превышает перегрузочную способность более крупного прибора конкурента «A», при меньшем падении напряжения во включенном состоянии. Повышенная перегрузочная способность обусловлена новым дизайном чипа и технологией сварки.
Номинальные характеристики
Номинальные значения тока полупроводниковых приборов в основном зависят от прямого падения напряжения, теплового сопротивления и максимальной рабочей температуры. Как отмечено в предыдущих разделах, все указанные аспекты были улучшены, что привело к повышению ключевых параметров приборов. Номинальный ток увеличился в диапазоне 25–35 %, а ток перегрузки — на 12–15% соответственно. Основные характеристики новых продуктов в сравнении с предыдущим поколением приведены в таблице 2.
| Устройство |
VDSM/RSM VDRM/RRM, В |
ITAVMб | Tvj, m | Rth(j-c), DC | ITSM/IFSM | |
| PCT | 5STP 40N6500 [3] | 6500 В |
3780 А +31% |
+135 °C |
4,8 К кВт-1 –16% |
75 кА |
| PCT | 5STP 40N6500 [3] | 6500 В |
3780 А +31% |
+135 °C +10 К |
4,7 К кВт-1 –17% |
75 кА |
| PCT | 5STP 26N6500 [2] | 6500 В | 2810 А | +125 °C | 5,7 К кВт-1 | 65 кА |
|
Выпрямительный диод |
New:5SDD 57N6500 [5] |
6500 В +500.  ..+1500 В
|
5700 А +25/+35% |
+160 °C +10 К |
4,7 К кВт-1 –18% |
82 кА +12/+15% |
|
Выпрямительный диод |
New:5SDD 57X6500* |
6500 В +500…+1500 В |
5700 А +25/+35% |
+160 °C +10 К |
4,6 К кВт-1 –19% |
82 кА +12/+15% |
|
Выпрямительный диод |
Ref. 5SDD 50N5500 [4] |
5500 В 5000 В |
4570 А | +150 °C | 5,7 К кВт-1 | 73 кА |
| Выпрямительный диод |
Ref. 5SDD 50N6000 [6]
|
6000 В | 4210 А | +150 °C | 5,7 К кВт-1 | 71,2 кА |
Заключение
В статье представлены ключевые параметры и особенности двух первых продуктов новой платформы Hitachi Energy, включающей мощные тиристоры и выпрямительные диоды. Повышение номинального тока на 30% достигнуто за счет сохранения типоразмера устройства, что позволяет этим приборам конкурировать с выпрямителями в более крупных корпусах и перевести их энергоэффективность на новый уровень. Применение выпрямителей последнего поколения в различных системах обеспечит большую выгоду за счет повышения мощности и экономичности.
Литература
- Rahimo M. T., Ultar high voltage semiconductor power devices for grid application. Inertnational Electron Devices Meeting, 2010.
- ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Datasheet 5STP 26N6500. 20 March 2020.www.search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1001&LanguageCode=en&DocumentPartId=&Action=Launch
- ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Preliminary Datasheet 5STP 40N6500. 1 February 2021.www.search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1086&LanguageCode=en&DocumentPartId=&Action=Launch
- ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Datasheet 5SDD 50N5500. 2 January 2017.
- ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors. Preliminary Datasheet 5SDD57N6500. 21 January 2021.
- ABB Power Grids Switzerland Ltd Semiconductors.Datasheet 5SDD 50N6000. 1 June 2017.
Datasheet 5STP 26N6500. 20 March 2020.www.search.abb.com/library/Download.aspx?DocumentID=5SYA1001&LanguageCode=en&DocumentPartId=&Action=LaunchМощные диоды Быстровосстанавливающиеся и выпрямительные диоды — Littelfuse
- Перекрестная ссылка конкурента
Нужен аналог Littelfuse детали конкурента? Введите номер детали конкурента здесь.
- Образец заказа
Найдите номер детали, по которой вы хотите получить образцы. Или посетите страницу центра образцов.
- Проверить запас дистрибьютора
Проверьте уровень складских запасов дистрибьютора, введя полные или частичные номера деталей
- Главная
- > Продукты
- > Power Semiconductors
- > High Power
- > Диоды
- Печать
|
|
|
|
|
|
|
|
(°C): 115, 125, 140, 150
(°C): 125, 150
(°C): 140
(°C): 125, 150
(°C): 125
(°C): 150, 160, 175, 180, 190
(°C): 160, 175
(°C): 150, 175, 180, 190- Технические ресурсы
- Посмотреть все
- Белая книга
- Замечания по применению
| Сокращение выбросов за счет электрификации Путь к устойчивому потреблению энергии в транспортном секторе | |
| Импульсная мощность с использованием мощных полупроводников | |
| Littelfuse Установка и обращение с пресс-упаковкой Полупроводниковые устройства Примечание по применению |
Диоды средней и высокой мощности | Диоды и выпрямители
Чтобы выбрать несколько значений, щелкните их, удерживая нажатой клавишу Ctrl, или щелкните и перетащите элементы.
5 в 14040 8540 11040 14040 15050 12850 14060 14070 8570 11070 14080 12380 14085 8585 11085 14095 12895 140150 1185150 125150 03:00 в 120300 в 150320 в 100330 в 120350 55375 55380 70380 100400 120430 55475 55480 120540 55560 55600 54600 55600 92650 на 55700 на 55790 на 55800 на 55810 на 55845 на 55910 на 55920 на 55990 на 551050 на 551065 на 551100 на 551170 на 551180 на 551400 на 551600 на 551600 на 551652 на 5 52080 в 552100 в 553000 в 553800 в 55Сброс
7211014515918023023926535035638040048057070076580086011001200150947050020503000030003 Сбросить
751151501671250280370373400420500595730800830
11.011.021.5234.55Сброс
от -40 до +125-40 до +150-40 до +180-40 до +190-40 до +200-55 до +150-55 до +160-55 до +180-65 до +150-65 до +160-65 до +175-65 до +180-65 до +190-65 до +200+150Сброс
1.101.21.221.231.261.31.301.
311.331.351.41.401.411.441.461.471.51.501.551.621.641.651.661.71.701.81.801.831.889.861.851.861. 112.202.232.262.602.902.973.203.24Сброс
А- ПУК (DO-200AA)B-8B-43B-PUK (DO-200AB)DO-4 (DO-203AA)DO-5 (DO-203AB)DO-8 (DO-205AA)DO-9 (DO-205AB) DO-30 (DO-205AC)K-PUK (DO-200AC)Сброс
SingleReset
Показать 102550100 записей
