Мп25А характеристики – Транзистор МП25 — DataSheet

Содержание

Транзистор МП25 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП21, МП25Цоколевка транзисторов МП21, МП25

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог МП25 2N189
МП25А АС116
МП25Б 2N43
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max МП25 200
МП25А 200
МП25Б 200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max МП25 ≥0.2* МГц
МП25А ≥0.2*
МП25Б ≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. МП25 40 В
МП25А 40
МП25Б 40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  МП25 40 В
МП25А 40
МП25Б 40
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max МП25 300* мА
МП25А 400*
МП25Б 400*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO МП25 40 В ≤75 мкА
МП25А 40 В ≤75
МП25Б 40 В ≤75
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э МП25 20 В; 2.5 мА 13…25
МП25А 20 В; 2.5 мА 20…50
МП25Б 20 В; 2.5 мА 30…80
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э МП25 20 В ≤20 пФ
МП25А 20 В ≤20
МП25Б 20 В ≤20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас МП25 ≤2.2 Ом
МП25А ≤2
МП25Б ≤1.8
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых МП25 Дб, Ом, Вт
МП25А
МП25Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) МП25 ≤1500*** пс
МП25А ≤1500***
МП25Б ≤1500***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Параметры транзисторов МП9 — МП25

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов

 МП9, МП10, МП11, МП13

Тип

прибора

Структура Pк max[ мВт ] fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП9А

МП10

МП10А

МП10Б

n-p-n

n-p-n

n-p-n

n-p-n

150

150

150

150

≥1*

≥1*

≥1*

≥1*

15

15

30

30

15

15

30

30

МП11

МП11А

n-p-n

n-p-n

150

150

≥2*

≥2*

15

15

15

15

МП13

МП13А

p-n-p

p-n-p

150

150

≥0.5*

≥1*

15

15

15

15


продолжение таблицы
Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

I*КЭR

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП9А

МП10

МП10А

МП10Б

20 (150*)

20 (150*)

20 (150*)

20 (150*)

30* (30В)

30* (30В)

30* (30В)

50* (30В)

15…45 (5В;1мА)

15…30 (5В;1мА)

15…30 (5В;1мА)

25…50 (5В;1мА)

≤60 (5В)

≤60 (5В)

≤60 (5В)

≤60 (5В)

МП11

МП11А

20 (150*)

20 (150*)

30* (30В)

30* (30В)

25…55 (5В;1мА)

45…100 (5В;1мА)

≤60 (5В)

≤60 (5В)

МП13

МП13А

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (15В)

≤30 (15В)

≥12 (5В;1мА)

20…60 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

 продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

МП9А

МП10

МП10А

МП10Б

≤10 (1кГц)

≤10 (1кГц)

≤10 (1кГц)

≤10 (1кГц)

—-
МП11

МП11А

≤10 (1кГц)

≤10 (1кГц)

МП13

МП13А

≤150*

≤12 (1кГц)

Параметры транзисторов МП14, МП15

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП14

МП14А

МП14Б

МП14И

p-n-p

p-n-p

p-n-p

p-n-p

150

150

150

150

≥1*

≥1*

≥1*

≥1*

15

30

30

30

15

30

30

30

МП15

МП15А

МП15И

p-n-p

p-n-p

p-n-p

150

150

150

≥2*

≥2*

15

15

15

15

15

15

продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП14

МП14А

МП14Б

МП14И

20 (150*)

20 (150*)

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (15В)

≤30 (30В)

≤30 (30В)

≤30 (30В)

20…40 (5В;1мА)

20…40 (5В;1мА)

30…60 (5В;1мА)

20…80 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

МП15

МП15А

МП15И

20 (150*)

20 (150*)

20 (150*)

≤30 (15В)

≤30 (15В)

30…60 (5В;1мА)

50…100 (5В;1мА)

≤50 (5В)

≤50 (5В)

 продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

r*6 [ Ом ]

τк [ пс ]

 

МП14

МП14А

МП14Б

МП14И

—≤20 ≤150*

≤150*

≤150*

≤150*

—-
МП15

МП15А

МП15И

—≤10 ≤150*

≤150*-

Параметры транзисторов МП16, МП20

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр, f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

U*КЭR max 

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП16

МП16А

МП16Б

МП16Я1

МП16Я11

p-n-p

p-n-p

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

150

≥1*

≥1*

≥2*

15

15

15

15* (100)

15* (100)

15

15

15

15

МП20А

МП20Б

p-n-p

p-n-p

150

150

≥2*

≥1.5*

30

30

30

30

 продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

I*КЭR

[мкА ]

h31э,

h*21э

C*12э

[ пФ ]

МП16

МП16А

МП16Б

МП16Я1

МП16Я11

50 (300*)

50 (300*)

50 (300*)

300*

300*

≤25 (15В)

≤25 (15В)

≤25 (15В)

≤50* (15В)

≤50* (15В)

20…35 (1В;10мА)

30…50 (1В;10мА)

45…100 (1В;1мА)

20…70 (10В;100мА)

10…50 (10В;100мА)

МП20А

МП20Б

300*

300*

≤50 (30В)

≤50 (30В)

50…150 (5В;25мА)

80…200 (5В;25мА)

 продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас[ Ом ]

Kш [ дБ ]

 

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

МП16

МП16А

МП16Б

МП16Я1

МП16Я11

≤15

≤15

≤15

≤6.6

≤6.6

≤2000*

≤1500*

≤1000*

МП20А

МП20Б

≤1

≤1

Параметры транзисторов МП21, МП25

Тип

прибора

Структура Pк max

[ мВт ]

fгр,

f*h316

[ МГц ]

Uкбо max

[ В ]

Uэбо max

[ В ]

МП21В

МП21Г

МП21Д

МП21Е

p-n-p

p-n-p

p-n-p

p-n-p

150

150

150

150

≥1.5*

≥1*

≥1*

≥0.7*

40

60

60

70

40

40

40

40

МП25

МП25А

МП25Б

p-n-p

p-n-p

p-n-p

200

200

200

≥0.2*

≥0.2*

≥0.5*

40

40

40

40

40

40

 продолжение таблицы

Тип

прибора

IK max

I*K и max

[мА ]

Iкбо

[мкА ]

h31э

[ пФ ]

МП21В

МП21Г

МП21Д

МП21Е

300*

300*

300*

300*

≤50 (40В)

≤50 (60В)

≤50 (50В)

≤50 (50В)

20…100 (5В;25мА)

20…80 (5В;25мА)

60…200 (5В;25мА)

30…150 (5В;25мА)

МП25

МП25А

МП25Б

300*

400*

400*

≤75 (40В)

≤75 (40В)

≤75 (40В)

13…25 (20В;2.5мА)

20…50 (20В;2.5мА)

30…80 (20В;2.5мА)

≤20 (20В)

≤20 (20В)

≤20 (20В)

 продолжение таблицы

Тип

прибора

rКЭнас

[ Ом ]

Kш [ дБ ]

τк [ пс ]

t*pac [ нс ]

t**выкл [ нс ]

МП21В

МП21Г

МП21Д

МП21Е

≤1≤1

≤1

≤1

—- —-
МП25

МП25А

МП25Б

≤2.2≤2

≤1.8

≤1500

≤1500

≤1500

Цоколёвка и размеры транзисторов

МП9 — МП25




П О П У Л Я Р Н О Е:

  • Сервисное меню видеодвойки PHILIPS
  • ВИДЕОДВОЙКИ PHILIPS 14PV100/01;  PHILIPS 14PV505/58

    Подробнее…

  • Краткие характеристики импортных диодов
  • Диод — один из самых популярных элементов в радиоаппаратуре. Справочник по импортным диодам поможет вам быстро найти подходящую замену при неимении оригинала. Вы сможете быстрее устранить неисправность в современной аппаратуре и вернуть её к «жизни».

    Подробнее…

  • Мыловарение как хобби
  • Чтобы мыться было в радость

    Если вы любите делать вещи своими руками вам подойдёт такое хобби, как мыловарение. Это очень полезное и увлекательное занятие. Возможно, поэтому сейчас оно приобретает такую популярность, в том числе и среди молодёжи. Ведь мыло, сделанное своими руками, будет уникальным и выйдет гораздо дешевле подобного хенд-мейд продукта в магазине. Подробнее…


- н а в и г а т о р -


Популярность: 6 370 просм.


ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ


www.mastervintik.ru

Cоветские биполярные транзисторы - основные характеристики и цоколевка

Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
МП21Д МП21Е МП25 МП25А МП25Б МП26 МП26А МП26Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мкА 50/50 50/70 75/40 75/40 75/40 60/35 60/35 60/35
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мкА 50/50 50/70 75/40 75/40 75/40 75/70 75/70 75/70
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 5 5 20 20 20 20 20 20
ток коллектора IК мА 5 5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
Входное сопротивление
h11б Ом 20 25 25 25 25 25 25 25
Коэффициент передачи тока h21э - 20...200 30...150 13...25 20...40 30...80 13...25 20...40 30...80
Коэффициент обратной связи h12б - - - 4·10-3 4·10-3 4·10-3 4·10-3 4·10-3 4·10-3
Выходная полная проводимость h22б мкСм 2,5 2,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5 3,5
Предельная частота коэффициента передачи fh21б МГц 1,0 0,7 0,2 0,2 0,5 0,2 0,2 0,5
Емкость коллекторного перехода Cк пФ 30 30 70 70 70 50 50 50
Постоянная времени цепи обратной связи
τк пс - - - - - - - -
Коэффициент шума Kш дБ - - - - - - - -
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В 50 70 40 40 40 70 70 70
постоянное напряжение коллектор-эмиттер IUKЭ max В 30 35 40 40 40 70 70 70
постоянный ток коллектора IК max мА 300 300 300 400 400 300 400 400
импульсный ток коллектора IK и max мА 50 50 50 50 50 50 50 50
рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax мВт 150 200 200 200 200 200 200 200
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +70 +70 +60 +60 +60 +60 +60 +60
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60
Общее тепловое сопротивление транзистора RТп.с °С/мВт 0,33 0,33 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Основное назначение
Для усилителей, генераторов и устройств переключения
Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
МП27 МП27А МП28 МП35 МП36А МП37 МП37А МП37Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мкА 3/5 3/5 3/5 - - - - -
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мкА - - - 15/5 15/5 15/5 15/5 15/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 5 5 5 5 5 5 5 5
ток коллектора IК мА 0,5 0,5 0,5 1 1 1 1 1
Входное сопротивление
h11б Ом 50 50 50 26 26 26 26 26
Коэффициент передачи тока h21э - 20...100 20...170 20...200 10...125 15...45 15...30 15...30 25...50
Коэффициент обратной связи h12б - - - - - 3·10-4 3·10-4 3·10-4 3·10-4
Выходная полная проводимость h22б мкСм 2 1 1 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3
Предельная частота коэффициента передачи fh21б МГц 1,0 1 5 0,5 1 1 01 1
Емкость коллекторного перехода Cк пФ 50 50 50 50 50 50 50 50
Постоянная времени цепи обратной связи
τк пс - - - - - - - -
Коэффициент шума Kш дБ 10 5 5 - 12 - - -
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В 5 5 5 15 15 15 30 30
постоянное напряжение коллектор-эмиттер IUKЭ max В 5 5 5 15 15 15 30 30
постоянный ток коллектора IК max мА 6 6 6 20 20 20 20 20
импульсный ток коллектора IK и max мА - - - 150 150 150 150 150
рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax мВт 30 30 30 150 150 150 150 150
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +60 +60 +60 +60 +60 +60 +60 +60
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60 -60
Общее тепловое сопротивление транзистора RТп.с °С/мВт - - - 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий n-p-n германий
Основное назначение
Для малошумящих усилителей Для усилителей электрических сигналов ЗЧ
Параметр Обозначение Еди-
ница
Тип транзистора
МП38 МП38А МП39 МП39Б МП36А МП40 МП40А МП41А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1 IКБО мкА - - 15/5 15/5 15/5 15/5 15/5 15/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1 IЭБО мкА 15/5 15/5 30/5 30/5 30/5 30/5 30/5 30/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UК В 5 5 5 5 5 5 5 5
ток коллектора IК мА 1 1 1 1 1 1 1 1
Входное сопротивление
h11б Ом 26 26 25
25 25 25 25 25
Коэффициент передачи тока h21э - 20...50 45...100 12 20...60 20...40 20...40 30...60 50...100
Коэффициент обратной связи h12б 3·10-4 3·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-4 5·10-3 5·10-3
Выходная полная проводимость h22б мкСм 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3 3,3
Предельная частота коэффициента передачи fh21б МГц 1 2 0,5 0,5 1 1 1 1
Емкость коллекторного перехода Cк пФ 50 50 60 60 60 60 60 60
Постоянная времени цепи обратной связи
τк пс - - - - - - - -
Коэффициент шума Kш дБ - - 12 - - - - -
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ max В 30 15 10 10 10 10 10 10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер IUKЭ max В 30 15 15 15 15 30 10 10
постоянный ток коллектора IК max мА 20 20 40 40 40 40 40 40
импульсный ток коллектора IK и max мА 150 150 150 150 150 150 150 150
рассеиваемая мощность без теплоотвода Pmax мВт 150 150 150 150 150 150 150 150
Максимальная температура окружающей среды Tmin °С +60 +60 +60 +60 +60 +60 +60 +60
Минимальная температура окружающей среды Tmin °С -60 -60 -40 -40 -40 -40 -40 -40
Общее тепловое сопротивление транзистора RТп.с °С/мВт 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий n-p-n германий
Основное назначение
Для усилителей и генераторов ЗЧ

www.xn--b1agveejs.su

Транзисторы типа: МП25, МП25А, МП25Б

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: МП25, МП25А, МП25Б. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 2 гр.

Чертёж транзистора МП25, МП25А, МП25Б

Электрические параметры.

Предельная частота коэффициента передачи тока, не менее
МП25, МП25А при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 250 кГц
МП25Б при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 500 кГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=1 кГц
при Т=19,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 10-25
МП25А 20-50
МП25Б 30-80
при Т=-60,15°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 6-25
МП25А 10-50
МП25Б 15-80
при Т=69,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 10-50
МП25А 20-100
МП25Б 30-142
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ƒ=50 Гц, не менее
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Обратный ток коллектора, не более
при Т=19,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА
при Т=69,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 600 мкА
Обратный ток эмиттера при Т=19,85°С, не более
при UЭБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА
Сопротивление базы при ƒ=500 кГц, не более
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 150 Ом
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при ƒ=1 кГц, не более
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 3,5 мкСм
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=465 кГц, не более
при UКБ=20 В МП25, МП25А, МП25Б 70 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
МП25, МП25А, МП25Б 40 В
Постоянное напряжение коллектор-база при Т≤49,85, Pмакс≤100 мВт
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤500 Ом 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т≤49,85°С, макс≤100 мВт, RЭБ≤500 Ом
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 40 В
Импульсный ток коллектора 400 мА
Импульсный ток эмиттера 400 мА
Среднее значение тока эмиттера 80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т=213-308 К 200 мВт
при Т=69,85°С, Р≥6666 Па 25 мВт
при Т=69,85°С Р<665 Па 16,7 мВт
Общее тепловое сопротивление
при р≥6666 Па 200 К/Вт
при р=665-6666 Па 300 К/Вт
Температура перехода 74,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 69,85°С

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.

1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.

1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.


elektrouzel.ru

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик.

БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

ЛАБОРАТОРИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА»

 

 

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3

«Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с ОЭ»

 

 

Выполнили: студенты 2 курса

Группы 2ИТСС

Кималов Е.В Газизов И.И

Проверил: проф. Гарифуллин Н. М.

 

Уфа-2015

Лабораторная работа №3.

Цель работы:ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его ВАХ в схеме включения с ОЭ и по статическим ВАХ определить h-параметры транзистора. Провести кусочно-линейную аппроксимацию статических характеристик и определить параметра аппроксимации.

 

Исследуемый транзистор – МП25Б. Предназначен для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.

 

+ - - + - -

 

+ +

 

 

Рис 1.Схема включения p-n-p транзистора в схеме с ОБ для снятия статических характеристик представлена на приложении.

 

Паспортные данные транзистора МП25Б:

 

Тип прибора Предельные значения параметров при TП=25оС Значения параметров при T=25оС
Iк.макс0., мА Iк.и.макс., мА Uкэ.Rгр., { Uкэо.макс.}, В Uэбо.макс., В Pк.макс., { Pк.и.макс.}, мВт h21э, { h21э} Uкб, {Uкэ}, В Iэ, {Iк}, мА Uкэ.нас., В Iкбо, мкА fтр, {fh31}, МГц
МП25А 10…25 2,5 - 0,25

 

1) Входные характеристики транзистора МП25Б

0,001 0,046
0,02 0,041 0,02 0,111
0,04 0,061 0,04 0,133
0,06 0,071 0,06 0,146
0,08 0,081 0,08 0,157
0,1 0,089 0,1 0,167
0,2 0,112 0,2 0,196
0,4 0,146 0,4 0,234
0,6 0,172 0,6 0,261
0,8 0,191    
       

Табл 1. Значения тока и напряжения входных характеристик транзистора.

 
 

 

Рис 2. Входные ВАХ-ки биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ.

2)

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б для семейства входных характеристик.

Выберем в семействе входных характеристик характеристику при постоянном В. На графике отметим точку , соответствующую

Для того, чтобы найти возьмём две крайне точки, где Отсюда найдём приращение напряжения и тока:

=

Следовательно: = .

Для определения отметим точку . Разность напряжений на коллекторе в этих точках определит приращение коллекторного напряжения, такое.:

Приращение эмиттерного напряжения будет равно разности напряжения на эмиттере в этих точках, т.е.:

.

Следовательно: =0,0012.

М

3) Выходные характеристики транзистора МП25Б

0,013 0,016 0,015
0,037 0,2 0,025 0,2 0,023 0,2
0,059 0,4 0,033 0,4 0,028 0,4
0,069 0,6 0,038 0,6 0,032 0,6
0,077 0,8 0,047 0,8 0,037 0,8
0,093 0,055 0,042
2,1 0,063 0,061
2,4 0,123 0,087
2,6 7,5
3,1
19,9 5,1 10,5 7,5
    12,5

Табл 2. Значения тока и напряжения выходных характеристик транзистора МП25А.

Рис 2. Выходные ВАХ-ки биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ.

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик.

Выберем в семействе выходных характеристик характеристику при постоянном мА. Для этого на графике отметим точку , соответствующую т.е. такому же напряжению коллектора, которое было выбрано на графике со входными характеристиками.

Для того, чтобы найти возьмём две крайне точки, где

Отсюда найдём приращение напряжения и тока:

=

Следовательно: =

Для определения отметим точку . Разность токов на эмиттере в этих точках определит приращение эмиттерного тока, то есть:

Приращение коллекторного тока будет равно разности тока на коллекторе в этих точках, то есть:

.

Следовательно: .

 

 

Построим выходную ВАХ-ку при в увеличенном масштабе и проведём её кусочно-линейную аппроксимацию.

 

Рис 3. Выходная ВАХ-ка биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ при в увеличенном масштабе и её кусочно-линейную аппроксимацию.

 

По графику определим:

 

Найдем выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения и выходное сопротивление транзистора в активном режиме :

=

Вывод:Мы ознакомились с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Также изучили его ВАХ-ки в схеме включения с ОЭ и по статическим ВАХ научились определять h-параметры транзистора.

Результат определения h-параметров для семейства входных характеристик:

Для семейства выходных характеристик:

.

Так же по графику кусочно-линейной аппроксимации определили:

=15 В

= 2,2мА

=

= 14,5 кОм

Читайте также:


Рекомендуемые страницы:

Поиск по сайту



Поиск по сайту:

poisk-ru.ru

Планетарный мотор-редуктор 3МП-25 - ООО «Ин-Тех»

Мотор-редуктор зубчатый ЗМП-25, обладая довольно скромными габаритами, обеспечивает необходимое передаточное соотношение. Модель используется, учитывая требования ГОСТа 183-74 (S1), с возможностью эксплуатации 24 часа в сутки.

Частота вращения выходного вала данных мотор-редукторов составляет от 3,55 до 280 об./мин, крутящий момент – от 105 от 230Н.м, комплектуются двигателями мощностью – от 0,18 до 5,5 кВт.

Технические характеристики 3МП-25

Номинальная
частота
вращения
выходного
вала, об.мин
Номинальный
крутящий
момент на
выходном
валу, Н.м
Комлектующий
электродвигатель
Допускаемая
радиально
-консольная
нагрузка на
выходном
валу, Н
КПД
редукторной
части, %
Масса
редукторной
части, кг
(не более)
МаркаМощность,
кВт
Трехступенчатые
3,55 230 63А6 0,18 3500 96 24
4,4 210 63А6 0,18
5,6 195 63А6 0,18
7,1 230 63А4 0,25
9 180 63А4 0,25
12,5 180 63А4 0,25
16 210 63А2 0,37
Двухступенчатые
18 190 80А8 0,37 3300 97 19
130 71В8 0,25
22,4 225 80А8 0,55
105 71В8 0,25
28 180 71В6 0,55
120 71А6 0,37
35,5 195 71В4 0,75
145 71А4 0,55
45 160 71В4 0,75
115 71А4 0,55
56 180 71В2 1,1
120 71А2 0,75
71 195 80А2 1,5
145 71В2 1,1
90 225 80А2 2,2
115 71В2 1,1
Одноступенчатые
112 185 100L6 2,2 1800 98 23
125 90L6 1,5
140 200 100S4 3
145 90L4 2,2
180 210 100L4 4
115 90L4 2,2
280 185 100L2 5,5
135 100S2 4

Габаритные и присоединительные размеры планетарных мотор-редукторов 3МП-25 на лапах, мм.

ЗМП-25 на лапах

 

Мотор-редуктор
планетарный
Частота вращения
выходного вала,
об/мин
L B H L1 L2 B1 B2 H1 H2 H3 d
Не более
Мотор-редуктор 3МП-25 3,55...16 397 150 160 63 110 120 150 80 12 20 12

Габаритные и присоединительные размеры планетарных мотор-редукторов 3МП-25 на фланце, мм.

ЗМП-25 на фланце

 

Мотор редуктор
планетарный
Частота вращения
выходного вала,
об/мин
L B L3 L4 L5 D D1 D2 d1 n
Не более
Мотор редуктор 3МП-25 3,55...16 397 150 4 10 50 155 110 130 12 4
18...90 417 160
112...280 478 200

Размеры цилиндрических валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

ЗМП -25

 
Мотор редуктор планетарный d l b t
Мотор редуктор 3МП-25 25k6 42 8 28

Размеры конических валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

ЗМП-25 конический вал 

Мотор-редуктор планетарный d d1 l l1 b t
Мотор-редуктор 3МП-25 25 М16х1,5 60 42 5 13,45

 

Размеры полых валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

ЗМП-25 полый вал 

Мотор-редуктор планетарный d l b t
Мотор-редуктор 3МП-25 по индивидуальному заказу

 

Конструктивное исполнение по способу монтажа планетарных
мотор-редукторов 3МП-25

Монтаж ЗМП-25

in-tehnn.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о