Каковы основные характеристики транзистора МП25Б. Как рассчитать h-параметры МП25Б. Какие особенности имеют входные и выходные ВАХ этого транзистора. Почему МП25Б используется в схемах переключения и преобразователях напряжения.

Общая информация о транзисторе МП25Б

Транзистор МП25Б — это германиевый сплавной p-n-p транзистор, предназначенный для применения в схемах переключения и преобразователях постоянного напряжения. Он относится к семейству низкочастотных маломощных универсальных транзисторов.

Основные характеристики МП25Б: — Структура: p-n-p — Материал: германий — Корпус: металлостеклянный с гибкими выводами — Масса: не более 2 г — Максимальная рассеиваемая мощность: 200 мВт — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В — Максимальный ток коллектора: 400 мА

Особенности входных характеристик МП25Б

Входные характеристики транзистора МП25Б представляют собой зависимость тока базы от напряжения база-эмиттер при различных фиксированных значениях напряжения коллектор-эмиттер. Анализ этих характеристик позволяет определить важные параметры транзистора, такие как входное сопротивление.

Ключевые особенности входных ВАХ МП25Б: 1. Нелинейность характеристик, особенно в области малых токов 2. Смещение характеристик при увеличении напряжения коллектор-эмиттер 3. Типичное значение напряжения открывания транзистора около 0,2 В

Анализ входных характеристик

При анализе входных характеристик МП25Б были получены следующие данные: — При Uкэ = 0,001 В ток базы изменяется от 0,02 мА до 0,8 мА — При Uкэ = 5 В ток базы изменяется от 0,02 мА до 0,6 мА Это свидетельствует о влиянии эффекта модуляции толщины базы на входные характеристики транзистора.

Выходные характеристики транзистора МП25Б

Выходные характеристики МП25Б отражают зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при различных фиксированных значениях тока базы. Эти характеристики позволяют оценить усилительные свойства транзистора и его поведение в различных режимах работы.

Ключевые особенности выходных ВАХ МП25Б: 1. Наличие активной области, где ток коллектора слабо зависит от Uкэ 2. Область насыщения при малых значениях Uкэ 3. Эффект Эрли (модуляция толщины базы) в активной области

Анализ выходных характеристик

Анализ выходных характеристик МП25Б показал: — Напряжение насыщения коллектор-эмиттер составляет около 0,2 В — В активной области наблюдается небольшой наклон характеристик, что указывает на конечное выходное сопротивление транзистора — При увеличении тока базы происходит пропорциональное увеличение тока коллектора в активном режиме

Расчет h-параметров транзистора МП25Б

H-параметры являются важными характеристиками транзистора, позволяющими описать его поведение в схемах малого сигнала. Для МП25Б были рассчитаны следующие h-параметры:

1. h11э — входное сопротивление транзистора при коротком замыкании на выходе: h11э = ΔUбэ / ΔIб = (0,191 — 0,041) / (0,8 — 0,02) = 0,192 кОм

2. h21э — коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ: h21э = ΔIк / ΔIб ≈ 30…80 (согласно паспортным данным)

3. h12э — коэффициент обратной связи по напряжению: h12э = ΔUбэ / ΔUкэ ≈ 0,0012 (рассчитано по входным характеристикам)

4. h22э — выходная проводимость транзистора: h22э = ΔIк / ΔUкэ ≈ 3,5 мкСм (согласно паспортным данным)

Применение транзистора МП25Б в схемах

Транзистор МП25Б, благодаря своим характеристикам, находит применение в различных электронных схемах:

• Усилители низкой частоты
• Схемы переключения
• Преобразователи постоянного напряжения
• Генераторы импульсов
• Аналоговые ключи

Особенности применения МП25Б: 1. Необходимость учета температурной зависимости параметров 2. Ограничение по максимальной рабочей частоте (до 500 кГц) 3. Возможность работы при низких напряжениях питания

Сравнение МП25Б с современными аналогами

Хотя транзистор МП25Б уже считается устаревшим, сравнение его характеристик с современными аналогами позволяет оценить прогресс в области полупроводниковых приборов:

• Современные кремниевые транзисторы имеют более высокую граничную частоту (до нескольких ГГц)
• Кремниевые аналоги обладают меньшими токами утечки и более высокой температурной стабильностью
• Современные транзисторы имеют меньшие размеры и более высокую степень интеграции
• МП25Б все еще может быть полезен в некоторых специфических применениях, где требуется работа при низких напряжениях

Методы измерения параметров транзистора МП25Б

Для точного определения параметров транзистора МП25Б используются различные методы измерений:

1. Измерение статических характеристик с помощью характериографа
2. Определение h-параметров методом двух генераторов
3. Измерение частотных характеристик с использованием векторного анализатора цепей
4. Определение теплового сопротивления импульсным методом
5. Измерение шумовых характеристик с помощью специализированных приборов

Каждый из этих методов позволяет получить определенные параметры транзистора, необходимые для его полного описания и правильного применения в электронных схемах.

Особенности эксплуатации транзистора МП25Б

При использовании транзистора МП25Б в электронных устройствах необходимо учитывать следующие особенности:

• Чувствительность к статическому электричеству — требуется соблюдение мер предосторожности при монтаже
• Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода при работе на максимальной мощности
• Учет температурной зависимости параметров при проектировании схем
• Ограничение по максимальному напряжению коллектор-эмиттер (40 В)
• Рекомендуется использование в схемах с низким напряжением питания (до 12-15 В)

Соблюдение этих рекомендаций позволит обеспечить надежную и долговременную работу устройств на базе транзистора МП25Б.

Транзистор МП25 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП21, МП25

 

Параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП25		2N189
		МП25А		АС116
		МП25Б		2N43
Структура		—	—	p-n-p	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	МП25	—	200
		МП25А	—	200
		МП25Б	—	200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	МП25	—	≥0.2*	МГц
		МП25А	—	≥0.2*
		МП25Б	—	≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	МП25	—	40	В
		МП25А	—	40
		МП25Б	—	40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	МП25	—	40	В
		МП25А	—	40
		МП25Б	—	40
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	МП25	—	300*	мА
		МП25А	—	400*
		МП25Б	—	400*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	МП25	40 В	≤75	мкА
		МП25А	40 В	≤75
		МП25Б	40 В	≤75
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	МП25	20 В; 2.5 мА	13…25
		МП25А	20 В; 2.5 мА	20…50
		МП25Б	20 В; 2.5 мА	30…80
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	МП25	20 В	≤20	пФ
		МП25А	20 В	≤20
		МП25Б	20 В	≤20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас	МП25	—	≤2.2	Ом
		МП25А	—	≤2
		МП25Б	—	≤1.8
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	МП25	—	—	Дб, Ом, Вт
		МП25А	—	—
		МП25Б	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	МП25	—	≤1500***	пс
		МП25А	—	≤1500***
		МП25Б	—	≤1500***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

rudatasheet.ru

Параметры транзисторов МП9 — МП25

Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013

Параметры транзисторов

 МП9, МП10, МП11, МП13

Тип прибора	Структура	Pк max[ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max[ В ]	Uэбо max [ В ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	n-p-n n-p-n n-p-n n-p-n	150 150 150 150	≥1* ≥1* ≥1* ≥1*	15 15 30 30	15 15 30 30
МП11 МП11А	n-p-n n-p-n	150 150	≥2* ≥2*	15 15	15 15
МП13 МП13А	p-n-p p-n-p	150 150	≥0.5* ≥1*	15 15	15 15

продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо I*КЭR [мкА ]	h31э	Cк [ пФ ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*)	30* (30В) 30* (30В) 30* (30В) 50* (30В)	15…45 (5В;1мА) 15…30 (5В;1мА) 15…30 (5В;1мА) 25…50 (5В;1мА)	≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В) ≤60 (5В)
МП11 МП11А	20 (150*) 20 (150*)	30* (30В) 30* (30В)	25…55 (5В;1мА) 45…100 (5В;1мА)	≤60 (5В) ≤60 (5В)
МП13 МП13А	20 (150*) 20 (150*)	≤30 (15В) ≤30 (15В)	≥12 (5В;1мА) 20…60 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В)

 продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ]	τк [ пс ]
МП9А МП10 МП10А МП10Б	— — — —	≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц)	—-
МП11 МП11А	— —	≤10 (1кГц) ≤10 (1кГц)	—
МП13 МП13А	—	≤150* ≤12 (1кГц)	—

Параметры транзисторов МП14, МП15

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП14 МП14А МП14Б МП14И	p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p	150 150 150 150	≥1* ≥1* ≥1* ≥1*	15 30 30 30	15 30 30 30
МП15 МП15А МП15И	p-n-p p-n-p p-n-p	150 150 150	≥2* ≥2* —	15 15 15	15 15 15

продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э	Cк [ пФ ]
МП14 МП14А МП14Б МП14И	20 (150*) 20 (150*) 20 (150*) 20 (150*)	≤30 (15В) ≤30 (30В) ≤30 (30В) ≤30 (30В)	20…40 (5В;1мА) 20…40 (5В;1мА) 30…60 (5В;1мА) 20…80 (5В;1мА)	≤50 (5В) ≤50 (5В) ≤50 (5В) ≤50 (5В)
МП15 МП15А МП15И	20 (150*) 20 (150*) 20 (150*)	≤30 (15В) ≤30 (15В) —	30…60 (5В;1мА) 50…100 (5В;1мА) —	≤50 (5В) ≤50 (5В) —

 продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	r*6 [ Ом ]	τк [ пс ]
МП14 МП14А МП14Б МП14И	—≤20	≤150* ≤150* ≤150* ≤150*	—-
МП15 МП15А МП15И	—≤10	≤150* ≤150*-	—

Параметры транзисторов МП16, МП20

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max U*КЭR max  [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП16 МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11	p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p	200 200 200 150	≥1* ≥1* ≥2* — —	15 15 15 15* (100) 15* (100)	15 15 15 15
МП20А МП20Б	p-n-p p-n-p	150 150	≥2* ≥1.5*	30 30	30 30

 продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо I*КЭR [мкА ]	h31э, h*21э	Cк C*12э [ пФ ]
МП16 МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11	50 (300*) 50 (300*) 50 (300*) 300* 300*	≤25 (15В) ≤25 (15В) ≤25 (15В) ≤50* (15В) ≤50* (15В)	20…35 (1В;10мА) 30…50 (1В;10мА) 45…100 (1В;1мА) 20…70 (10В;100мА) 10…50 (10В;100мА)	— — — — —
МП20А МП20Б	300* 300*	≤50 (30В) ≤50 (30В)	50…150 (5В;25мА) 80…200 (5В;25мА)	— —

 продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас[ Ом ]	Kш [ дБ ]	τк [ пс ] t*pac [ нс ]
МП16 МП16А МП16Б МП16Я1 МП16Я11	≤15 ≤15 ≤15 ≤6.6 ≤6.6	— — — — —	≤2000* ≤1500* ≤1000* — —
МП20А МП20Б	≤1 ≤1	— —	—

Параметры транзисторов МП21, МП25

Тип прибора	Структура	Pк max [ мВт ]	fгр, f*h316 [ МГц ]	Uкбо max [ В ]	Uэбо max [ В ]
МП21В МП21Г МП21Д МП21Е	p-n-p p-n-p p-n-p p-n-p	150 150 150 150	≥1.5* ≥1* ≥1* ≥0.7*	40 60 60 70	40 40 40 40
МП25 МП25А МП25Б	p-n-p p-n-p p-n-p	200 200 200	≥0.2* ≥0.2* ≥0.5*	40 40 40	40 40 40

 продолжение таблицы

Тип прибора	IK max I*K и max [мА ]	Iкбо [мкА ]	h31э	Cк [ пФ ]
МП21В МП21Г МП21Д МП21Е	300* 300* 300* 300*	≤50 (40В) ≤50 (60В) ≤50 (50В) ≤50 (50В)	20…100 (5В;25мА) 20…80 (5В;25мА) 60…200 (5В;25мА) 30…150 (5В;25мА)	— — — —
МП25 МП25А МП25Б	300* 400* 400*	≤75 (40В) ≤75 (40В) ≤75 (40В)	13…25 (20В;2.5мА) 20…50 (20В;2.5мА) 30…80 (20В;2.5мА)	≤20 (20В) ≤20 (20В) ≤20 (20В)

 продолжение таблицы

Тип прибора	rКЭнас [ Ом ]	Kш [ дБ ]	τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ]
МП21В МП21Г МП21Д МП21Е	≤1≤1 ≤1 ≤1	—-	—-
МП25 МП25А МП25Б	≤2.2≤2 ≤1.8	—	≤1500 ≤1500 ≤1500

Цоколёвка и размеры транзисторов

МП9 — МП25

П О П У Л Я Р Н О Е:

• Сервисное меню видеодвойки PHILIPS

ВИДЕОДВОЙКИ PHILIPS 14PV100/01;  PHILIPS 14PV505/58

Подробнее…

• Краткие характеристики импортных диодов

Диод — один из самых популярных элементов в радиоаппаратуре. Справочник по импортным диодам поможет вам быстро найти подходящую замену при неимении оригинала. Вы сможете быстрее устранить неисправность в современной аппаратуре и вернуть её к «жизни».

Подробнее…

• Мыловарение как хобби

Чтобы мыться было в радость

Если вы любите делать вещи своими руками вам подойдёт такое хобби, как мыловарение. Это очень полезное и увлекательное занятие. Возможно, поэтому сейчас оно приобретает такую популярность, в том числе и среди молодёжи. Ведь мыло, сделанное своими руками, будет уникальным и выйдет гораздо дешевле подобного хенд-мейд продукта в магазине. Подробнее…

— н а в и г а т о р —

Популярность: 6 370 просм.

ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ

www.mastervintik.ru

Cоветские биполярные транзисторы — основные характеристики и цоколевка

Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП21Д	МП21Е	МП25	МП25А	МП25Б	МП26	МП26А	МП26Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	50/50	50/70	75/40	75/40	75/40	60/35	60/35	60/35
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	50/50	50/70	75/40	75/40	75/40	75/70	75/70	75/70
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	20	20	20	20	20	20
ток коллектора	IК	мА	5	5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
Входное сопротивление	h11б	Ом	20	25	25	25	25	25	25	25
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20…200	30…150	13…25	20…40	30…80	13…25	20…40	30…80
Коэффициент обратной связи	h12б	—	—	—	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	2,5	2,5	3,5	3,5	3,5	3,5	3,5	3,5
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1,0	0,7	0,2	0,2	0,5	0,2	0,2	0,5
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	30	30	70	70	70	50	50	50
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	—	—	—	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	50	70	40	40	40	70	70	70
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	30	35	40	40	40	70	70	70
постоянный ток коллектора	IК max	мА	300	300	300	400	400	300	400	400
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	50	50	50	50	50	50	50	50
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	150	200	200	200	200	200	200	200
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+70	+70	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп.с	°С/мВт	0,33	0,33	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал		p-n-p германий
Основное назначение		Для усилителей, генераторов и устройств переключения
Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП27	МП27А	МП28	МП35	МП36А	МП37	МП37А	МП37Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	3/5	3/5	3/5	—	—	—	—	—
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	—	—	—	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	IК	мА	0,5	0,5	0,5	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h11б	Ом	50	50	50	26	26	26	26	26
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20…100	20…170	20…200	10…125	15…45	15…30	15…30	25…50
Коэффициент обратной связи	h12б	—	—	—	—	—	3·10-4	3·10-4	3·10-4	3·10-4
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	2	1	1	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1,0	1	5	0,5	1	1	01	1
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	50	50	50	50	50	50	50	50
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	10	5	5	—	12	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	5	5	5	15	15	15	30	30
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	5	5	5	15	15	15	30	30
постоянный ток коллектора	IК max	мА	6	6	6	20	20	20	20	20
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	—	—	—	150	150	150	150	150
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	30	30	30	150	150	150	150	150
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп.с	°С/мВт	—	—	—	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал			p-n-p германий			n-p-n германий
Основное назначение			Для малошумящих усилителей			Для усилителей электрических сигналов ЗЧ
Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП38	МП38А	МП39	МП39Б	МП36А	МП40	МП40А	МП41А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	—	—	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	15/5	15/5	30/5	30/5	30/5	30/5	30/5	30/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	IК	мА	1	1	1	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h11б	Ом	26	26	25	25	25	25	25	25
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20…50	45…100	12	20…60	20…40	20…40	30…60	50…100
Коэффициент обратной связи	h12б	3·10-4	3·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-3	5·10-3
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1	2	0,5	0,5	1	1	1	1
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	50	50	60	60	60	60	60	60
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	—	—	12	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	30	15	10	10	10	10	10	10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	30	15	15	15	15	30	10	10
постоянный ток коллектора	IК max	мА	20	20	40	40	40	40	40	40
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	150	150	150	150	150	150	150	150
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	150	150	150	150	150	150	150	150
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-40	-40	-40	-40	-40	-40
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп.с	°С/мВт	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал			p-n-p германий					n-p-n германий
Основное назначение			Для усилителей и генераторов ЗЧ

www.xn--b1agveejs.su

Транзисторы типа: МП25, МП25А, МП25Б

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: МП25, МП25А, МП25Б. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 гр. Чертёж транзистора МП25, МП25А, МП25Б Электрические параметры. Предельная частота коэффициента передачи тока, не менее МП25, МП25А при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 250 кГц МП25Б при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 500 кГц Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=1 кГц при Т=19,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА МП25 10-25 МП25А 20-50 МП25Б 30-80 при Т=-60,15°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА МП25 6-25 МП25А 10-50 МП25Б 15-80 при Т=69,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА МП25 10-50 МП25А 20-100 МП25Б 30-142 Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ƒ=50 Гц, не менее МП25, МП25А, МП25Б 60 В Обратный ток коллектора, не более при Т=19,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА при Т=69,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 600 мкА Обратный ток эмиттера при Т=19,85°С, не более при UЭБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА Сопротивление базы при ƒ=500 кГц, не более при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 150 Ом Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при ƒ=1 кГц, не более при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 3,5 мкСм Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=465 кГц, не более при UКБ=20 В МП25, МП25А, МП25Б 70 пФ Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор-база МП25, МП25А, МП25Б 40 В Постоянное напряжение коллектор-база при Т≤49,85, Pмакс≤100 мВт МП25, МП25А, МП25Б 60 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤500 Ом 40 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т≤49,85°С, макс≤100 мВт, RЭБ≤500 Ом МП25, МП25А, МП25Б 60 В Постоянное напряжение эмиттер-база 40 В Импульсный ток коллектора 400 мА Импульсный ток эмиттера 400 мА Среднее значение тока эмиттера 80 мА Постоянная рассеиваемая мощность при Т=213-308 К 200 мВт при Т=69,85°С, Р≥6666 Па 25 мВт при Т=69,85°С Р<665 Па 16,7 мВт Общее тепловое сопротивление при р≥6666 Па 200 К/Вт при р=665-6666 Па 300 К/Вт Температура перехода 74,85°С Температура окружающей среды От -60,15 до 69,85°С 1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база. 1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база. 1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры. 1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.

elektrouzel.ru

Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик.

БАШКИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ЛАБОРАТОРИЯ «ЭЛЕКТРОНИКА»     ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №3 «Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с ОЭ»     Выполнили: студенты 2 курса Группы 2ИТСС Кималов Е.В Газизов И.И Проверил: проф. Гарифуллин Н. М.   Уфа-2015 Лабораторная работа №3. Цель работы:ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его ВАХ в схеме включения с ОЭ и по статическим ВАХ определить h-параметры транзистора. Провести кусочно-линейную аппроксимацию статических характеристик и определить параметра аппроксимации.   Исследуемый транзистор – МП25Б. Предназначен для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.   + - — + — -   + +     Рис 1.Схема включения p-n-p транзистора в схеме с ОБ для снятия статических характеристик представлена на приложении.   Паспортные данные транзистора МП25Б:   Тип прибора Предельные значения параметров при TП=25оС Значения параметров при T=25оС Iк.макс0., мА Iк.и.макс., мА Uкэ.Rгр., { Uкэо.макс.}, В Uэбо.макс., В Pк.макс., { Pк.и.макс.}, мВт h21э, { h21э} Uкб, {Uкэ}, В Iэ, {Iк}, мА Uкэ.нас., В Iкбо, мкА fтр, {fh31}, МГц МП25А 10…25 2,5 - 0,25   1) Входные характеристики транзистора МП25Б 0,001 0,046 0,02 0,041 0,02 0,111 0,04 0,061 0,04 0,133 0,06 0,071 0,06 0,146 0,08 0,081 0,08 0,157 0,1 0,089 0,1 0,167 0,2 0,112 0,2 0,196 0,4 0,146 0,4 0,234 0,6 0,172 0,6 0,261 0,8 0,191             Табл 1. Значения тока и напряжения входных характеристик транзистора.   Рис 2. Входные ВАХ-ки биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ. 2) Расчёт h-параметров транзистора МП25Б для семейства входных характеристик. Выберем в семействе входных характеристик характеристику при постоянном В. На графике отметим точку , соответствующую Для того, чтобы найти возьмём две крайне точки, где Отсюда найдём приращение напряжения и тока: = Следовательно: = . Для определения отметим точку . Разность напряжений на коллекторе в этих точках определит приращение коллекторного напряжения, такое.: Приращение эмиттерного напряжения будет равно разности напряжения на эмиттере в этих точках, т.е.: . Следовательно: =0,0012. М 3) Выходные характеристики транзистора МП25Б 0,013 0,016 0,015 0,037 0,2 0,025 0,2 0,023 0,2 0,059 0,4 0,033 0,4 0,028 0,4 0,069 0,6 0,038 0,6 0,032 0,6 0,077 0,8 0,047 0,8 0,037 0,8 0,093 0,055 0,042 2,1 0,063 0,061 2,4 0,123 0,087 2,6 7,5 3,1 19,9 5,1 10,5 7,5     12,5 Табл 2. Значения тока и напряжения выходных характеристик транзистора МП25А. Рис 2. Выходные ВАХ-ки биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ. Расчёт h-параметров транзистора МП25Б в активной области для семейства выходных характеристик. Выберем в семействе выходных характеристик характеристику при постоянном мА. Для этого на графике отметим точку , соответствующую т.е. такому же напряжению коллектора, которое было выбрано на графике со входными характеристиками. Для того, чтобы найти возьмём две крайне точки, где Отсюда найдём приращение напряжения и тока: = Следовательно: = Для определения отметим точку . Разность токов на эмиттере в этих точках определит приращение эмиттерного тока, то есть: Приращение коллекторного тока будет равно разности тока на коллекторе в этих точках, то есть: . Следовательно: .     Построим выходную ВАХ-ку при в увеличенном масштабе и проведём её кусочно-линейную аппроксимацию. Рис 3. Выходная ВАХ-ка биполярного транзистора p-n-p типа в схеме с ОЭ при в увеличенном масштабе и её кусочно-линейную аппроксимацию.   По графику определим:   Найдем выходное сопротивление транзистора в режиме насыщения и выходное сопротивление транзистора в активном режиме : = Вывод:Мы ознакомились с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Также изучили его ВАХ-ки в схеме включения с ОЭ и по статическим ВАХ научились определять h-параметры транзистора. Результат определения h-параметров для семейства входных характеристик: Для семейства выходных характеристик: . Так же по графику кусочно-линейной аппроксимации определили: =15 В = 2,2мА = = 14,5 кОм Читайте также: Рекомендуемые страницы: Поиск по сайту

 Поиск по сайту:

poisk-ru.ru

Планетарный мотор-редуктор 3МП-25 — ООО «Ин-Тех»

Мотор-редуктор зубчатый ЗМП-25, обладая довольно скромными габаритами, обеспечивает необходимое передаточное соотношение. Модель используется, учитывая требования ГОСТа 183-74 (S1), с возможностью эксплуатации 24 часа в сутки.

Частота вращения выходного вала данных мотор-редукторов составляет от 3,55 до 280 об./мин, крутящий момент – от 105 от 230Н.м, комплектуются двигателями мощностью – от 0,18 до 5,5 кВт.

Технические характеристики 3МП-25

Номинальная частота вращения выходного вала, об.мин	Номинальный крутящий момент на выходном валу, Н.м	Комлектующий электродвигатель		Допускаемая радиально -консольная нагрузка на выходном валу, Н	КПД редукторной части, %	Масса редукторной части, кг (не более)
		Марка	Мощность, кВт
Трехступенчатые
3,55	230	63А6	0,18	3500	96	24
4,4	210	63А6	0,18
5,6	195	63А6	0,18
7,1	230	63А4	0,25
9	180	63А4	0,25
12,5	180	63А4	0,25
16	210	63А2	0,37
Двухступенчатые
18	190	80А8	0,37	3300	97	19
	130	71В8	0,25
22,4	225	80А8	0,55
	105	71В8	0,25
28	180	71В6	0,55
	120	71А6	0,37
35,5	195	71В4	0,75
	145	71А4	0,55
45	160	71В4	0,75
	115	71А4	0,55
56	180	71В2	1,1
	120	71А2	0,75
71	195	80А2	1,5
	145	71В2	1,1
90	225	80А2	2,2
	115	71В2	1,1
Одноступенчатые
112	185	100L6	2,2	1800	98	23
	125	90L6	1,5
140	200	100S4	3
	145	90L4	2,2
180	210	100L4	4
	115	90L4	2,2
280	185	100L2	5,5
	135	100S2	4

Габаритные и присоединительные размеры планетарных мотор-редукторов 3МП-25 на лапах, мм.

 

Мотор-редуктор планетарный	Частота вращения выходного вала, об/мин	L	B	H	L1	L2	B1	B2	H1	H2	H3	d
		Не более
Мотор-редуктор 3МП-25	3,55…16	397	150	160	63	110	120	150	80	12	20	12

Габаритные и присоединительные размеры планетарных мотор-редукторов 3МП-25 на фланце, мм.

 

Мотор редуктор планетарный	Частота вращения выходного вала, об/мин	L	B	L3	L4	L5	D	D1	D2	d1	n
		Не более
Мотор редуктор 3МП-25	3,55…16	397	150	4	10	50	155	110	130	12	4
	18…90	417	160
	112…280	478	200

Размеры цилиндрических валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

 

Мотор редуктор планетарный	d	l	b	t
Мотор редуктор 3МП-25	25k6	42	8	28

Размеры конических валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

 

Мотор-редуктор планетарный	d	d1	l	l1	b	t
Мотор-редуктор 3МП-25	25	М16х1,5	60	42	5	13,45

 

Размеры полых валов планетарных мотор-редукторов 3МП-25

 

Мотор-редуктор планетарный	d	l	b	t
Мотор-редуктор 3МП-25	по индивидуальному заказу

 

Конструктивное исполнение по способу монтажа планетарных
мотор-редукторов 3МП-25

in-tehnn.ru