Мп25А характеристики. Транзисторы МП25, МП25А, МП25Б: характеристики и применение в усилителях низкой частоты

Какие основные параметры транзисторов МП25, МП25А, МП25Б. Как рассчитать усилитель на этих транзисторах. Какие схемы включения используются. В каких устройствах применяются данные транзисторы.

Содержание

Основные характеристики транзисторов серии МП25

Транзисторы МП25, МП25А и МП25Б относятся к семейству германиевых сплавных p-n-p транзисторов, предназначенных для применения в усилителях и переключающих устройствах низкой частоты. Рассмотрим их ключевые параметры:

  • Структура: p-n-p
  • Материал: германий
  • Максимальное напряжение коллектор-база: 40 В
  • Максимальный ток коллектора: 300-400 мА
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 200 мВт
  • Коэффициент усиления по току h21э:
    • МП25: 13-25
    • МП25А: 20-50
    • МП25Б: 30-80
  • Граничная частота коэффициента передачи тока:
    • МП25, МП25А: не менее 250 кГц
    • МП25Б: не менее 500 кГц

Как видно из характеристик, транзисторы МП25Б обладают лучшими частотными свойствами и бóльшим коэффициентом усиления по сравнению с МП25 и МП25А.


Расчет усилительного каскада на транзисторах МП25

При проектировании усилителя низкой частоты на транзисторах серии МП25 необходимо учитывать следующие особенности:

  1. Выбор рабочей точки. Оптимальный режим по постоянному току обеспечивается при напряжении коллектор-эмиттер 10-15 В и токе коллектора 2-5 мА.
  2. Расчет элементов смещения. Для стабилизации рабочей точки используется эмиттерная стабилизация с делителем напряжения в базовой цепи.
  3. Определение коэффициента усиления каскада. Он зависит от h21э конкретного экземпляра транзистора и может составлять от 10 до 70.
  4. Расчет входного и выходного сопротивлений. Входное сопротивление обычно составляет единицы кОм, выходное — десятки кОм.
  5. Выбор разделительных конденсаторов. Их емкость должна обеспечивать передачу низких частот без искажений.

Для точного расчета усилителя необходимо использовать реальные значения h-параметров выбранного транзистора.

Схемы включения транзисторов МП25

Транзисторы серии МП25 могут использоваться в различных схемах включения:


Схема с общим эмиттером (ОЭ)

Это наиболее распространенная схема, обеспечивающая усиление как по току, так и по напряжению. Коэффициент усиления по напряжению может достигать 100-200.

Схема с общей базой (ОБ)

Применяется реже, обеспечивает хорошие частотные свойства, но имеет низкое входное сопротивление. Коэффициент усиления по напряжению до 150-200.

Схема с общим коллектором (ОК)

Используется как эмиттерный повторитель. Обладает высоким входным и низким выходным сопротивлением, коэффициент усиления по напряжению близок к единице.

Применение транзисторов МП25 в различных устройствах

Благодаря своим характеристикам, транзисторы серии МП25 нашли широкое применение в различной радиоэлектронной аппаратуре:

  • Усилители звуковой частоты в бытовой радиоаппаратуре
  • Предварительные каскады усиления в измерительных приборах
  • Импульсные схемы и генераторы низкой частоты
  • Источники питания малой мощности
  • Переключающие и коммутирующие устройства

Несмотря на то, что транзисторы МП25 были разработаны несколько десятилетий назад, они до сих пор находят применение в радиолюбительской практике и при ремонте старой аппаратуры.


Сравнение транзисторов МП25 с современными аналогами

Хотя транзисторы серии МП25 обладают неплохими характеристиками для своего времени, современные кремниевые транзисторы значительно превосходят их по ряду параметров:

  • Более высокий коэффициент усиления по току (до 400-500 у современных транзисторов)
  • Лучшие частотные характеристики (граничная частота до сотен МГц)
  • Меньшие шумы
  • Более высокая температурная стабильность
  • Меньшие токи утечки

Тем не менее, в некоторых случаях использование германиевых транзисторов может быть оправдано, например, для получения особого «лампового» звучания в гитарных усилителях.

Особенности монтажа и эксплуатации транзисторов МП25

При работе с транзисторами серии МП25 следует учитывать некоторые их особенности:

  • Чувствительность к перегреву при пайке. Рекомендуется использовать теплоотвод.
  • Необходимость учета разброса параметров. Желательно производить подбор транзисторов для ответственных схем.
  • Повышенные обратные токи по сравнению с кремниевыми транзисторами.
  • Меньший диапазон рабочих температур: от -60°C до +70°C.

При соблюдении правил эксплуатации транзисторы МП25 могут надежно работать в течение длительного времени.



Транзисторы типа: МП25, МП25А, МП25Б

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные: МП25, МП25А, МП25Б. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 2 гр.

Чертёж транзистора МП25, МП25А, МП25Б

Электрические параметры.

Предельная частота коэффициента передачи тока, не менее
МП25, МП25А при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 250 кГц
МП25Б при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 500 кГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при ƒ=1 кГц
при Т=19,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 10-25
МП25А 20-50
МП25Б 30-80
при Т=-60,15°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 6-25
МП25А 10-50
МП25Б 15-80
при Т=69,85°С, UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА
МП25 10-50
МП25А 20-100
МП25Б 30-142
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при ƒ=50 Гц, не менее
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Обратный ток коллектора, не более
при Т=19,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА
при Т=69,85°С, UКБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 600 мкА
Обратный ток эмиттера при Т=19,85°С, не более
при UЭБ=40 В МП25, МП25А, МП25Б 75 мкА
Сопротивление базы при ƒ=500 кГц, не более
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 150 Ом
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при ƒ=1 кГц, не более
при UКБ=20 В, IЭ=2,5 мА 3,5 мкСм
Ёмкость коллекторного перехода при ƒ=465 кГц, не более
при UКБ=20 В МП25, МП25А, МП25Б 70 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
МП25, МП25А, МП25Б 40 В
Постоянное напряжение коллектор-база при Т≤49,85, Pмакс≤100 мВт
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ≤500 Ом 40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т≤49,85°С, макс≤100 мВт, RЭБ≤500 Ом
МП25, МП25А, МП25Б 60 В
Постоянное напряжение эмиттер-база 40 В
Импульсный ток коллектора 400 мА
Импульсный ток эмиттера
400 мА
Среднее значение тока эмиттера 80 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при Т=213-308 К 200 мВт
при Т=69,85°С, Р≥6666 Па 25 мВт
при Т=69,85°С Р<665 Па 16,7 мВт
Общее тепловое сопротивление
при р≥6666 Па 200 К/Вт
при р=665-6666 Па 300 К/Вт
Температура перехода 74,85°С
Температура окружающей среды От -60,15 до 69,85°С

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.

1. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от тока эмиттера. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от напряжения коллектор-база.

1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.

1. Зависимость относительного пробивного напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления в цепи эмиттер-база. 2. Зависимость относительного коэффициента передачи тока в режиме малого сигнала от температуры.


Транзистор МП25 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП21, МП25

 

Параметры транзистора
ПараметрОбозначениеМаркировка
Условия
ЗначениеЕд. изм.
АналогМП252N189
МП25ААС116
МП25Б2N43
Структура —p-n-pмВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxМП25200
МП25А200
МП25Б200
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxМП25≥0. 2*МГц
МП25А≥0.2*
МП25Б≥0.5*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.МП2540В
МП25А40
МП25Б40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., МП2540В
МП25А40
МП25Б40
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxМП25300*мА
МП25А400*
МП25Б400*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOМП2540 В≤75мкА
МП25А40 В≤75
МП25Б40 В≤75
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭМП2520 В; 2. 5 мА13…25
МП25А20 В; 2.5 мА20…50
МП25Б20 В; 2.5 мА30…80
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эМП2520 В≤20пФ
МП25А20 В≤20
МП25Б20 В≤20
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ насМП25≤2.2Ом
МП25А≤2
МП25Б≤1.8
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, PвыхМП25Дб, Ом, Вт
МП25А
МП25Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)МП25≤1500***пс
МП25А≤1500***
МП25Б≤1500***

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

МП25 — Транзисторы — Радиодетали — Каталог

МП25

МП25, МП25А, МП25Б, МП26, МП26А, МП26Б

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.

Масса транзистора не более 2 г.

Электрические параметры

Предельная частота коэффициента передачи тока не менее:

МП25, МП25А при UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА — 250 кГц
МП25Б при UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА — 500 кГц
МП26, МП26А при UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА — 250 кГц
МП26Б при UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА — 500 кГц
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при f = 1 кГц:

при Т = 293 К, UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА:

МП25 — 10-25
МП25А — 20-50
МП25Б — 30-80
при Т = 293 К, UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА:

МП26 — 10-25
МП26А — 20-50
МП26Б — 30-80
при Т = 213 К, UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА

МП25 — 6-25
МП25А — 10-50
МП25Б — 15-80
при Т = 213 К, UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА:

МП26 — 6-25
МП26А — 10-50
МП25Б — 15-80
при Т = 343 К, UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА:

МП25 — 10-50
МП25А — 20-100
МП25Б — 30-142
при Т = 343 К, UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА:

МП26 — 10-50
МП26А — 20-100
МП26Б — 30-142
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при f = 50 Гц не менее:

МП25, МП25А, МП25Б — 60 В
МП26, МП26А, МП26Б — 100 В
Обратный ток коллектора не более:

при Т = 293 К, UКБ = 40 В МП25, МП25А, МП25Б — 75 мкА
при Т = 293 К, UКБ = 70 В МП26, МП26А, МП26Б — 75 мкА
при Т = 343 К, UКБ = 40 В МП25, МП25А, МП25Б — 600 мкА
при Т = 343 К, UКБ = 70 В МП26, МП26А, МП26Б — 600 мкА
Обратный ток эмиттера при Т = 293 К не более:

при UЭБ = 40 В МП25, МП25А, МП25Б — 75 мкА
при UЭБ = 70 В МП26, МП26А, МП26Б — 75 мкА
Сопротивление базы при f = 500 кГц не более:

при UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА МП25, МП25А, МП25Б — 150 Ом
при UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА МП26, МП26А, МП26Б — 150 Ом
Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе при f = 1 кГц не более:

при UКБ = 20 В, IЭ = 2,5 мА МП25, МП25А, МП25Б — 3,5 мкСм
при UКБ = 35 В, IЭ = 1,5 мА МП26, МП26А, МП26Б — 3,5 мкСм
Емкость коллекторного перехода при f = 465 кГц не более:

при UКБ = 20 В МП25, МП25А, МП25Б — 70пФ
при UКБ = 35 В МП26, МП26А, МП26Б — 50 пФ
Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база:

МП25, МП25А, МП25Б — 40 В
МП26, МП26А, МП26Б — 70 В
Постоянное напряжение коллектор-база при Т ≤ 323 К, Рмакс ≤ 100 мВт:

МП25, МП25А, МП25Б — 60 В
МП26, МП26А, МП26Б — 100 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RЭБ ≤ 500 Ом:

МП25, МП25А, МП25Б — 40 В
МП26, МП26А, МП26Б — 70 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Т ≤ 323 К, Рмакс ≤ 100 мВт, RЭБ ≤ 500 Ом:

МП25, МП25А, МП25Б — 60 В
МП26, МП26А, МП26Б — 100 В
Постоянное напряжение эмиттер-база:

МП25, МП25А, МП25Б — 40 В
МП26, МП26А, МП26Б — 70 В
Импульсный ток коллектора — 400 мА

Импульсный ток эмиттера — 400 мА

Постоянная рассеиваемая мощность:

при Т = 213 ÷ 308 К — 200 мВт
при Т = 343 К, Р ≥ 6666 Па — 25 мВт
при Т = 343 К, р ≤ 665 Па — 16,7 мВт
Общее тепловое сопротивление:

при р ≥ 6666 Па — 200 К/Вт
при р = 665 ÷ 6666 Па — 300 К/Вт
Температура перехода — 348 К

Температура окружающей среды — от 213 до 343 К

Cоветские биполярные транзисторы — основные характеристики и цоколевка

ПараметрОбозначениеЕди-
ница
Тип транзистора
МП21ДМП21ЕМП25МП25АМП25БМП26МП26АМП26Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1IКБОмкА50/5050/7075/4075/4075/4060/3560/3560/35
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1IЭБОмкА50/5050/7075/4075/4075/4075/7075/7075/70
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UКВ55202020202020
ток коллектораIКмА552,52,52,52,52,52,5
Входное сопротивление
h11бОм2025252525252525
Коэффициент передачи токаh21э20…20030…15013…2520…4030…8013…2520…4030…80
Коэффициент обратной связиh12б4·10-34·10-34·10-34·10-34·10-34·10-3
Выходная полная проводимостьh22бмкСм2,52,53,53,53,53,53,53,5
Предельная частота коэффициента передачиfh21бМГц1,00,70,20,20,50,20,20,5
Емкость коллекторного переходаCкпФ3030707070505050
Постоянная времени цепи обратной связи
τкпс
Коэффициент шумаKшдБ
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ maxВ5070404040707070
постоянное напряжение коллектор-эмиттерIUKЭ maxВ3035404040707070
постоянный ток коллектораIК maxмА300300300400400300400400
импульсный ток коллектораIK и maxмА5050505050505050
рассеиваемая мощность без теплоотводаPmaxмВт150200200200200200200200
Максимальная температура окружающей средыTmin°С+70+70+60+60+60+60+60+60
Минимальная температура окружающей средыTmin°С-60-60-60-60-60-60-60-60
Общее тепловое сопротивление транзистораRТп.с°С/мВт0,330,330,20,20,20,20,20,2
Тип перехода, материал
p-n-p германий
Основное назначение
Для усилителей, генераторов и устройств переключения
ПараметрОбозначениеЕди-
ница
Тип транзистора
МП27МП27АМП28МП35МП36АМП37МП37АМП37Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1IКБОмкА3/53/53/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1IЭБОмкА15/515/515/515/515/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UКВ55555555
ток коллектораIКмА0,50,50,511111
Входное сопротивление
h11бОм5050502626262626
Коэффициент передачи токаh21э20…10020…17020…20010…12515…4515…3015…3025…50
Коэффициент обратной связиh12б3·10-43·10-43·10-43·10-4
Выходная полная проводимостьh22бмкСм2113,33,33,33,33,3
Предельная частота коэффициента передачиfh21бМГц1,0150,511011
Емкость коллекторного переходаCкпФ5050505050505050
Постоянная времени цепи обратной связи
τкпс
Коэффициент шумаKшдБ105512
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ maxВ5551515153030
постоянное напряжение коллектор-эмиттерIUKЭ maxВ5551515153030
постоянный ток коллектораIК maxмА6662020202020
импульсный ток коллектораIK и maxмА150150150150150
рассеиваемая мощность без теплоотводаPmaxмВт303030150150150150150
Максимальная температура окружающей средыTmin°С+60+60+60+60+60+60+60+60
Минимальная температура окружающей средыTmin°С-60-60-60-60-60-60-60-60
Общее тепловое сопротивление транзистораRТп.с°С/мВт0,20,20,20,20,2
Тип перехода, материал
p-n-p германийn-p-n германий
Основное назначение
Для малошумящих усилителейДля усилителей электрических сигналов ЗЧ
ПараметрОбозначениеЕди-
ница
Тип транзистора
МП38МП38АМП39МП39БМП36АМП40МП40АМП41А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1IКБОмкА15/515/515/515/515/515/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1IЭБОмкА15/515/530/530/530/530/530/530/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора
UКВ55555555
ток коллектораIКмА11111111
Входное сопротивление
h11бОм262625
2525252525
Коэффициент передачи токаh21э20…5045…1001220…6020…4020…4030…6050…100
Коэффициент обратной связиh12б3·10-43·10-45·10-45·10-45·10-45·10-45·10-45·10-35·10-3
Выходная полная проводимостьh22бмкСм3,33,33,33,33,33,33,33,3
Предельная частота коэффициента передачиfh21бМГц120,50,51111
Емкость коллекторного переходаCкпФ5050606060606060
Постоянная времени цепи обратной связи
τкпс
Коэффициент шумаKшдБ12
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база
UКБ maxВ3015101010101010
постоянное напряжение коллектор-эмиттерIUKЭ maxВ3015151515301010
постоянный ток коллектораIК maxмА2020404040404040
импульсный ток коллектораIK и maxмА150150150150150150150150
рассеиваемая мощность без теплоотводаPmaxмВт150150150150150150150150
Максимальная температура окружающей средыTmin°С+60+60+60+60+60+60+60+60
Минимальная температура окружающей средыTmin°С-60-60-40-40-40-40-40-40
Общее тепловое сопротивление транзистораRТп.с°С/мВт0,20,20,20,20,20,20,20,2
Тип перехода, материал
p-n-p германийn-p-n германий
Основное назначение
Для усилителей и генераторов ЗЧ

Станки облицовочные для производства мебели, Китай

ЦЕНА ПРОДУКЦИИ

Характеристики

Облицовочное оборудование необходимо в производстве деревянной мебели для декорирования и ламинирования внешних поверхностей, нанесения рисунка, рельефных декораций на доску средней плотности, ДСП, искусственное дерево и другие материалы. Максимальная производительность 200 м2 за 8 часов. Данное оборудование выполняет множество функций, может применяется на неровной поверхности деревянного изделия, применяются способы наклейки, горячего переноса печати рисунка, технология PVC. Можно изготовить высококачественную декорированную домашнюю мебель с большим выбором цветов, различными рисунками и эффектами поверхности, имитациями текстуры древесины, с облицовкой натуральным шпоном. Можно применять различный клей и плёнку.Данное оборудование представлено следующими моделями: MP25A, MP25B, MP25C, также возможно изготовление дополнительного оборудования в соответствии с требованиями заказчика. Данное оборудование оснащено следующими дополнительными частями: система контроля входящей температуры, два вида выходящей мощности, что позволяет увеличить силу склеивания, в тоже время экономить электричество и увеличить производительность. Это будет вашим лучшим выбором. Мы также предоставляем услуги по обслуживанию.

MP25A-1 Вакуумный трёхсторонний станок для облицовки натуральным шпоном
MP25A-2 Вакуумный трёхсторонний облицовочный станок
MP25A-3 Вакуумный трёхсторонний станок для облицовки пленкой ПВХ
MP25B-1 Вакуумный трёхсторонний облицовочный станок
MP25B-2 Вакуумный трёхсторонний облицовочный станок
MP25C Вакуумный облицовочный станок

MP25A MP25B Продукция

Технические параметры
Модель MP25A MP25B MP25C
Размер обрабатываемой поверхности (см) 240*100 240*100 240*100
Максимальная обрабатываемая толщина (мм) 40 40 40
Вакуумное давление (Mpa) -0,09 -0,09 -0,09
Источник тока (W) 380 V 50 Hz 380 V 50 Hz 380 V 50 Hz
Мощность (kW) 14,2 14,2 10,2
Мощность (Mpa)   0,6 — 0,8  
Внешние габариты (см) 540*140*150 303*140*190 300*120*150
Вес нетто (тонна) 2,2 1,8 1,5

Характеристики

Данное оборудование предназначено для изготовления различных декоративных покрытий включая покрытие настоящим деревом и покрытие плёнкой ПВХ, использует прижимной ролик, обрабатывает различные углы, круговые арки, вогнуто-выгнутые поверхности, может облицевать поверхности изделий из различных материалов, что сделает их более привлекательными. Используются в отделке гостиниц, ресторанов, офисов, квартир, парков и т.д. Станок может использоваться вместе с производственной линией и является передовым в индустрии декорирования и мебельной промышленности.

MFJ-300A Универсальный облицовочный станок
MFJ-300B Универсальный облицовочный станок
MFJ-300C Универсальный облицовочный станок

MFJ-300A MFJ-300B MFJ-300C

Технические параметры
Ширина обрабатываемой поверхности 300 мм
Максимальная обрабатываемая толщина 80 мм
Минимальная обрабатываемая длинна 500 мм
Скорость подачи материала 0-25 м/мин (регулируется)
Общая мощность 9,0 kW
Внешние габариты (см) 460*90*200
Общий вес 2’500 кг

Автоматический станок для отделки торцевых поверхностей

Особенности и характеристика Данное оборудование вырезает форму, изменяет цвет, наносит двойной рисунок, производит оклейку плёнкой торцевых деталей различной мебели. Станок прост в управлении, величина угла легко регулируется. Выполняет функции изменения формы изделия и нанесения рисунка. Применяется для доски средней и высокой плотности. Широко применяется в изготовлении материалов для производства дверей, столов, различных рамок, шкафов и другой мебели.


Технические параметры
Источник тока 200 ~ 380 V, 50 Hz, 14 kW
Диапазон температур (°С) лето 160 — 170
весна, осень 170 — 180
зима 180 — 190
Внешние габариты (см) длина 370
ширина 70
высота 140

Строгальный станок TM2600

Это новейшее оборудование для производства декоративной мебельной продукции. Предназначен для обработки как плоских, так и фасонных поверхностей декоративными текстурными материалами, огнеупорной пластиной, плёнкой PVC, натуральным шпоном. Станок необходим для производства товаров мебельной промышленности.

Технические параметры

Длина обрабатываемой поверхности 244 см
Максимальная ширина обработки 80 мм
Источник тока 380 V, 50 Hz
Общая мощность 6 kW
Источник газа 0,6~0,8
Габариты (см)
длина*ширина*высота
350*100*133
Вес 1,5 тонны

Гравировальный фрезерный станок

Технические параметры

Размеры рабочей поверхности 80*60 см
Процесс рабочей поверхности 10 см
Диаметр режущего инструмента 12,7
Скорость вращения 18’000 rpm
Мощность 3 kW

Контактные данные производителя


© Авторское право принадлежит «Мега Пауэр Гонконг Груп Лимитед».
Все права защищены. E-mail: [email protected]. Tel: 86 13903612274
В случае использования ссылка на сайт обязательна

Тема 2.1. УСИЛИТЕЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА В АНАЛОГОВОЙ СХЕМОТЕХНИКЕ.

Практическое занятие №6. Расчет предварительного усилителя напряжения на биполярном транзисторе при заданном типе транзистора (Занятие 2.1.4 ).

Вопросы:

1. Решение задач.

ЗАДАЧА 1. Схема усилительного каскада приведена на рисунке 1. Исходные данные для расчета заданы в таблице 1. Входные и выходные характеристики транзисторов определить по справочнику. При расчете каскадов с Rэ его величину принять равной 0.1Rк. Для каскадов с делителем R1 и R2 ток делителя принять 5Iбп.

 

Рисунок 1 — Предварительный усилитель напряжения на биполярном транзисторе.

 

ЗАДАНИЕ.

1. Начертить схему усилительного каскада с учетом заданного типа транзистора. На схеме указать токи и напряжения транзистора, а также Uвх и Uвых.

2. По заданным в таблице 4 параметрам на характеристиках транзистора нанести точку покоя и построить статическую линию нагрузки. Рассчитать величину сопротивлений резисторов, обеспечивающих заданный режим покоя. При расчете учесть, что Iк>> Iб.

3. В точке покоя по характеристикам транзистора определить его h-параметры (h11, h21, h22). Параметр h12 принять равным 0.

4. Начертить схему замещения усилителя в динамическом режиме, заменив транзистор эквивалентной схемой с h-параметрами.

5. Рассчитать с учетом нагрузки входное и выходное сопротивление каскада, коэффициенты усиления тока, напряжения и мощности.

6. Построить динамическую линию нагрузки на выходных характеристиках транзистора и определить максимальную амплитуду выходного напряжения, усиливаемого без заметных искажений сигнала, и максимальную выходную мощность.

7. Построить амплитудную характеристику каскада.

8. Определить коэффициент полезного действия каскада.

 

Таблица 1

Вариант Тип транзистора Напряжение источника питания Eк, В Ток покоя транзистора Iкп, мА Напряжение покоя Uкэп, В Сопротивление нагрузки Rн, кOм
1 2 3 4 5 6 МП25 МП25 МП25А МП25А МП25Б МП25Б 12 20 12 20 24 27 5 10 10 10 15 15 6 10 6 10 12 14 10 2 10 1 10 2
7 8 9 10 11 12 ГТ122А ГТ122Б ГТ122В ГТ122Г ГТ122А ГТ122В 12 12 12 12 15 15 10 5 10 8 8 10 6 6 6 6 8 8 5 2 10 1 1 10
13 14 15 16 17 18 19 20 КТ301А КТ301А КТ301Б КТ301Б КТ301В КТ301В КТ301Ж КТ301Ж 12 24 12 24 12 24 12 24 4 4 5 5 5 5 3 3 6 12 6 12 6 12 6 12 10 3 10 4 10 2 10 4
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 КТ315А КТ315А КТ315Б КТ315Б КТ315В КТ315В КТ315Г КТ315Г КТ315Е КТ315Е 12 12 12 15 24 24 12 12 12 15 20 25 25 20 10 15 20 20 20 20 6 6 6 7 12 12 6 6 6 7 5 1 1 0.5 10 2 5 0.5 2 1

Практическое занятие №7. Расчет предварительного усилителя напряжения на биполярном транзисторе с выбором типа транзистора (Занятие 2.1.5 ).

 

Вопросы:

1. Решение задач.

ЗАДАЧА 1. Схема усилительных каскадов приведена на рисунках 1-4, в соответствии с вариантом задания. Исходные данные для расчета заданы в таблице 1. Транзистор, его входные и выходные характеристики определить по справочнику. При расчете каскадов с Rэ его величину принять равной 0.1Rк. Для каскадов с делителем R1 и R2 ток делителя принять 5Iбп.

 

 

Рис. 1                                           Рис. 2

 

 

Рис. 3                                           Рис. 4

 

ЗАДАНИЕ.

1. Начертить схему каскада с учетом заданного типа транзистора. Тип транзистора n – p – n . Указать полярность источника питания, токи и напряжения между электродами транзистора, а также входное и выходное напряжения.

2. По заданным Ек, Рн и амплитуде выходного напряжения Uвых m выбрать точку покоя и тип транзистора по его предельным параметрам.

3. Рассчитать сопротивления резисторов, которые должны обеспечить работу транзистора в выбранной точке покоя.

4. Начертить схему замещения каскада в динамическом режиме, заменив транзистор эквивалентной схемой с h— параметрами.

5. Проверить работу каскада в динамическом режиме, построив динамическую линию нагрузки. Если каскад не обеспечивает заданное значение Uвых m, точку покоя следует выбрать снова.

6. Рассчитать коэффициенты усиления тока, напряжения и мощности.

7. Начертить в масштабе амплитудную характеристику каскада при работе на заданную нагрузку. Рассчитать коэффициент полезного действия.

 

Таблица 1 – Варианты заданий

 

Задача №2 по теме Расчет диодных и транзисторных цепей

Домашнее задание №1 по курсу «Электротехника и электроника» Расчет диодных и транзисторных цепей.

Задача 2

1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.

2. Нарисовать схему (рис. 1 или рис. 2) в соответствии с типом транзистора.

3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.

4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а», «в» — Uвых а, в, для вариантов «б», «г» — Uвых б, г).

5. Сделать выводы.

Данные для расчета приведены в таблице.

Рис. 1

Рис. 2

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

1

а

2Т127А-1

12

100

9

б

ГТ124А

7

120

5

в

МП38

10

80

8

г

МП13Б

15

100

12

2

а

ГТ125А

10

80

9

б

МП14

12

100

10

в

ГТ112А

12

120

9

г

МП101

15

150

12

3

а

КТ214Е-1

10

200

8

б

ГТ122Г

12

120

9

в

М5А

15

140

13

г

МП103А

7

80

6

4

а

МП9А

12

200

10

б

МП111

15

210

12

в

МП15

10

100

8

г

1Т102

9

120

7

5

а

МП10А

12

80

9

б

МП16А

10

100

8

в

МП112

12

150

8

г

ГТ125Г

15

200

12

6

а

МП21

7

80

5

б

П39Б

10

100

8

в

МП113

9

110

7

г

МП11А

12

200

10

7

а

МП25А

15

200

12

б

ТМ3А

10

120

7

в

П40

16

180

14

г

МП37

24

200

18

8

а

М3А

12

160

10

б

М36А

15

150

10

в

МП20

10

100

8

г

МП41А

22

120

18

9

а

П307А

18

200

15

б

2Т203В

12

150

9

в

П308

15

100

10

г

КТ209Д

10

80

8

10

а

П28

9

50

7

б

КТ207В

12

120

8

в

П309

24

220

20

г

МП35

22

200

17

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

11

а

1Т305А

22

120

18

б

ГТ3115

12

100

10

в

2Т3129Б9

15

100

13

г

КТ3102В

18

80

15

12

а

2Т3117Б

10

120

7

б

КТ312Б

15

150

12

в

1Т308А

12

200

10

г

ГТ305А

9

140

7

13

а

КТ379А

20

210

16

б

1Т335В

24

80

18

в

КТ315Г

12

100

10

г

ГТ308А

10

120

7

14

а

2Т326А

7

150

5

б

ГТ309Б

9

200

7

в

2Т3130ВТ

10

180

7

г

КТ339А

20

120

15

15

а

2Т360А-1

12

100

10

б

КТ373Г

15

180

11

в

2N906A

14

220

10

г

КТ340Д

20

80

17

16

а

КТ3117А

7

110

5

б

2N2222

12

150

9

в

2Т392А-2

22

210

19

г

2N2907

15

170

13

17

а

КТ342В

10

100

7

б

ГТ310А

18

80

15

в

1Т3115

12

120

9

г

КТ361В

10

180

8

18

а

ГТ320В

9

140

7

б

КТ380А

14

200

11

в

КТ316Б

16

150

14

г

2Т355А

20

180

16

19

а

КТ3104Б

12

100

8

б

2Т368А

10

120

8

в

ГТ322Б

7

80

5

г

ГТ311В

9

140

6

20

а

КТ306А

22

200

18

б

КТ325Б

24

180

18

в

ГТ328В

12

150

10

г

КТ3107А

10

100

8

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

21

а

2Т396А-2

12

200

9

б

КТ313А

10

150

8

в

КТ366В

14

100

11

г

КТ326АМ

20

120

15

22

а

КТ343А

10

210

7

б

КТ3108А

7

180

5

в

КТ368А

12

120

9

г

КТ396А-2

24

80

17

23

а

М4Д

12

200

8

б

ГТ404А

10

140

8

в

КТ349А

18

100

12

г

КТ503Г

9

150

7

24

а

2Т603В

20

120

14

б

КТ315Ж

22

200

18

в

П401

12

100

8

г

КТ350А

7

100

5

25

а

2Т630Д

12

110

9

б

КТ351Б

9

80

5

в

КТ340А

18

200

12

г

П402

20

220

16

26

а

КТ352А

24

180

18

б

П403А

10

120

8

в

2Т608А

15

150

12

г

КТ605БМ

12

100

9

27

а

КТ357А

7

80

5

б

ГТ122Б

24

210

19

в

КТ360А-1

12

180

8

г

П307Г

10

110

8

28

а

КТ601А

16

180

12

б

ГТ404Ж

20

140

15

в

П414Б

7

100

4

г

П422

9

80

6

29

а

КТ603Б

22

150

18

б

1Т313В

12

120

8

в

КТ608А

15

200

11

г

ГТ346В

10

180

7

30

а

ГТ376А

18

210

14

б

КТ326Б

12

150

9

в

КТ645Б

24

200

19

г

КТ503А

20

120

15

Методические указания по решению домашнего задания.

Сопротивление резистора Rк выбирается из расчета ограничения коллекторного тока транзистора до величины в полтора раза меньшей максимально допустимого коллекторного тока.

Сопротивление резистора Rэ выбирается на порядок меньше, чем Rк.

Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия обеспечения напряжения на резисторе R2 в 2÷4 раза меньше напряжения питания (Uп = (2÷4)UR2).

Транзисторы Германиевые MP25A аналог 2N189, 2SB136, AC116 СССР 32 шт: Amazon.com: Industrial & Scientific


Цена: 10 долларов.25 +4,99 $ перевозки
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Транзисторы Германиевые МП25А аналог 2Н189, 2СБ136, АС116 СССР 32 шт.
  • На нашем складе более 25 000 наименований. Полные списки можно найти здесь: www.amazon.com/shops/A19NX3RFNSYB6R.
  • Если вы не можете найти нужный товар, свяжитесь с нами.
]]>
Характеристики данного продукта
Фирменное наименование С.U.R. & R Инструменты
Ean 4607183517019
Вес изделия 0,353 унции
Материал Другой
Номер детали СССР
Код UNSPSC 32111600
Напряжение 1,00 вольт
Техническое описание

MP25A — силовые реостаты

AT29BV010A : MB (128kx8) Single 2.7-v Напряжение батареи ™ Флэш-память. Одиночное напряжение питания, диапазон до 3,6 В Одиночный источник питания для чтения и записи Защищенное программное обеспечение Время доступа для быстрого чтения 120 нс Малое рассеивание мощности 15 мА Активный ток 40 А Сектор тока в режиме ожидания CMOS Работа программы Однократное перепрограммирование (стирание и программирование) 1024 сектора (128 Байт / сектор) Внутренний адрес и защелки данных для 128 байт.

COP988CL :. В семействе микроконтроллеров COP888 используется 8-битная одночиповая архитектура ядра, созданная с использованием техпроцесса M2CMOSTM от National Semiconductor. Является членом этого расширяемого семейства микроконтроллеров с 8-битным ядром процессора (продолжение) Пакеты 44 PLCC с выводами ввода-вывода 40 DIP с выводами ввода-вывода 28 DIP с выводами ввода-вывода 28 SO с выводами ввода-вывода Два 16-битных таймера.

GL15-00 : Линейные сильноточные выпрямители с кремниевым мостом (напряжение — от 50 до 800 вольт, ток — от 15 до 35 ампер).

HYMD116M645A6 : 128 Мбайт. 16Mx64 бит DDR Sdram без буферизации So-dimm. Серия Hynix HYMD116M645A (L) 6-K / H / L представляет собой 200-контактные небуферизованные модули памяти с двойной скоростью передачи данных Synchronous DRAM Small Outline Dual In-Line Memory Modules (SO-DIMM), которые организованы в виде массивов высокоскоростной памяти 16Mx64. Серия Hynix HYMD116M645A (L) 6-K / H / L состоит из восьми 8Mx16 DDR SDRAM в 400-миллиметровых корпусах TSOP II и 200-контактной подложке из глассэпокси.Hynix HYMD116M645A (L) 6-K / H / L.

X25324 : Программируемый сторожевой таймер с последовательным интерфейсом E2 Пром. Программируемый сторожевой таймер с подтверждением сброса — сигнал сброса действителен на Vcc = 1 В — Управление сбросом при включении питания Сохранение критических данных с помощью защиты Block LockTM — Block LockTM Защита 1/2 или всей массива памяти последовательного E2PROM в режиме программируемого ПЗУ Длительный срок службы батареи Срок службы при низком энергопотреблении — <50 А макс. Ток в режиме ожидания, сторожевой таймер включен - <1 А в режиме ожидания.

ECM168 : 1.Модуль усилителя мощности 9 ГГц +33,5 дБм Линейная выходная мощность Коэффициент усиления 33 дБ, одиночный источник питания +10 В Отрицательное напряжение не требуется.

MAX3761 : маломощные усилители-ограничители, 622 Мбит / с с обнаружением мощности без вибрации для локальных сетей Усилители-ограничения MAX3761 / MAX3762 с чувствительностью 4 мВ и выходами данных PECL оптимизированы для работы в недорогих, 622 Мбит / с, LAN / ATM LAN Волоконно-оптические приложения ..

ADXL190EM-1 : оценочные модули Adxl105 / adxl150 / adxl250 / adxl190. Высокопроизводительные предварительно упакованные акселерометры Полная система измерения ускорения Компактные, недорогие, готовые к использованию Одно- и многоосные версии с частотой 100 Гц Широкий динамический диапазон: 100 г, одноосный, низкий ток источника питания +5 В, однополярный режим работы Простое завинчивание / привинчивание Монтаж ПРИЛОЖЕНИЙ Анализ вибрации, сейсмический мониторинг и мониторинг землетрясений, сбой.

M32C87A : MCU M16C Family / M32c / 80 Series. Вся информация, содержащаяся в этих материалах, включая продукты и продукты, представляет собой информацию о продукте на момент публикации и может быть изменена Renesas Technology Corp. без предварительного уведомления. Пожалуйста, ознакомьтесь с последней информацией, опубликованной Renesas Technology Corp. с помощью различных средств, в том числе Renesas Technology Corp.

PF1010A : Модуль усилителя мощности MOS FET для P / C LAN.Диапазон частот: до 824 МГц Небольшой корпус для поверхностного монтажа: 1 куб. См, 3 г с экранированной крышкой Рабочее напряжение Loe: 6 В Управляющий ток низкой мощности: 300 A Тип 0,01 Ф (керамический конденсатор) 4,7 Ф (тантал) FB = ферритовый шарик BL01RN1- A62-001 (Производство: MURATA) или эквивалент = 50 (микрополосковая линия) Позиция Напряжение питания Ток питания Напряжение APC Входная мощность.

101-DPS11-EV : Детекторные переключатели SPST 1mA 5VDC. s: Производитель: Mountain Switch; Категория продукта: Детекторные переключатели; RoHS: подробности; Рейтинг контактов: 1 мА при 5 В; Тип завершения: SMD / SMT; Упаковка: Катушка; Количество заводской упаковки: 2500.

6848W8103L461 : Золотое сквозное отверстие, прямоугольные разъемы D-sub, соединительный штекер, штекерные контакты; CONN MALE 8W8 RA DIP SLD NKL. s: Тип разъема: штекер, штекерные контакты; Контактная отделка: золото; : Замок платы, Вмятины заземления; Характеристика фланца: корпус / оболочка (4-40); Тип установки: на сквозное отверстие, под прямым углом; Количество позиций: 8; Количество рядов: 1; Прекращение: припой; Контакт.

87405-140 : Золото, сквозное отверстие между платой и платой — разъемы, штыревые соединители, межблочные соединения в кожухе; CONN HEADER 80POS.050 «STR PCB. S: Цвет: Натуральный; Тип разъема: Закрытый; Покрытие контактов: Золото; Толщина покрытия: 30 дюймов (0,76 м); Длина стыковки контактов: 0,130 дюйма (3,30 мм); : -; Высота штабелирования (стыковка): -; Тип установки: Сквозное отверстие; Количество позиций.

AWP14-7540-T-R : Прямоугольное крепление без олова (рядное) — свободное подвешивание, соединители для монтажа на панель, соединительное гнездо; СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ РОЗЕТКА IDC 14POS W / KEY TIN. s: Цвет: серый; Тип разъема: гнездо; Контактная отделка: олово; : Сквозной канал, ключ поляризации; Тип крепления: Свободный подвес (рядный); Количество рядов: 2; Шаг: 0.100 дюймов (2,54 мм); расстояние между рядами: 0,100 дюйма (2,54 мм); Упаковка:.

CRCW12183R40FNEK : Чип резистор 3,4 Ом, 1 Вт — поверхностный монтаж; RES 3.40 OHM 1W 1% 1218 SMD. s: Сопротивление (Ом): 3,4; Мощность (Вт): 1 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: лента и катушка (TR); Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 200 ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

PS9313L-E3-AX : 1-КАНАЛЬНЫЙ ОПТОКУПЛЕР ЛОГИЧЕСКОГО ВЫХОДА, 1 Мбит / с. s: Вариант монтажа: поверхностный монтаж, БЕЗ СВИНЦА, УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ, ПЛАСТИК, DIP-6; Ток в прямом направлении: 0.0120 ампер; Выход: ЛОГИЧЕСКИЙ ВЫХОД; Напряжение изоляции: 5000 вольт; Рабочая температура: от -40 до 110 C (от -40 до 230 F); Утверждения: RoHS.

CHENG-YI MP35CW

DtSheet
    Загрузить

CHENG-YI MP35CW

Открыть как PDF
Похожие страницы
CHENG-YI MP10M
CHENG-YI MP50
ЧЭН-И KBPC1001
ЧЭН-И KBPC50005
HY BR352L
ЧЭН-И W08
CHENG-YI PB62
CHENG-YI BR10
ETC BR156L
CHENG-YI RS2006
CHENG-YI GBU1506
CHENG-YI RS6005
CHENG-YI RS10
ЧЭН-И KBPC804
CHENG-YI RS402
CHENG-YI RS801
CHENG-YI RB157
CHENG-YI KBU1508
CHENG-YI KBU404
ETC TS4B02G
CHENG-YI RS2506
ЧЭН-И W06M

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

MP06A1000, MP06A200, MP06A50, MP10-25, MP10A-1500, MP10A1000, MP10A125, MP10A2, MP10D12, MP15A250, MP15A75, MP15C-HR0186-220HMS, MP25A-25, MP25A-50000, MP40A100, MP40A100, MP40A100, MP40A100, MP30AT1 N152 500 Ом, 50 Вт, N152-10

резистор Проволочная обмотка, без
MP06A1000 5905-01-181-4701 Название позиции отсутствует Длина корпуса: 0.Номинальное значение 438 дюймов
Показатель надежности: Не установлено
Диаметр корпуса: номинальное значение 0,750 дюйма
17745
MP06A200 5905-00-906-0002 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, без Количество секций: 1
Тип корпуса: Установлен на цилиндрической втулке
Индикатор надежности: Не установлен
17745
MP06A50 5905-01-509-4919 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, без Электрическое сопротивление в секции: 50.0 Ом односекционный
17745
MP10-25
MP1025
5905-00-117-0260 Переменный резистор с проволочной обмоткой, не Количество секций: 1
Тип корпуса: Установлена ​​цилиндрическая втулка
Индикатор надежности: не установлен
17745
MP10A-1500
MP10A1500
5905-01-456-9273 Резистор, переменный, обмотка провода, ненадежность Не установлено
Количество секций: 1
Электрическое сопротивление на секцию: 1.5 кОм, односекционный
17745
MP10A1000 5905-01-296-7522 Резистор, переменный, проволочная обмотка, не Длина корпуса: номинальное 1,375 дюйма
Индикатор надежности: не установлено
Диаметр корпуса: номинальный 1,562 дюйма
17745
MP10A125 5905-01-539-5397 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, не Длина корпуса: 1.Номинальное значение 375 дюймов
Индикатор надежности: Не установлено
Диаметр корпуса: номинальное значение 1,563 дюйма
17745
MP10A2 5905-00-174-1513 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, не Длина корпуса: номинальная 1,410 дюйма
Индикатор надежности: не установлена ​​
Диаметр корпуса: номинальная 1,680 дюйма
17745
MP10D12 5905-01-021-9133 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, Не Длина корпуса: 1.410 дюймов максимум
Индикатор надежности: не установлен
Диаметр корпуса: максимум 1,680 дюйма
17745
MP15A250 5905-00-279-2353 Резистор, переменный, проволочная обмотка, не Длина корпуса: номинальная 1,312 дюйма
Индикатор надежности: не установлена ​​
Диаметр корпуса: номинальная 2,312 дюйма
17745
MP15A75 5905-00-642-5001 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, Не Длина корпуса: 1.125 дюймов номинал
Индикатор надежности: не установлен
Диаметр корпуса: 2,312 дюйма номинал
17745
MP15C-HR0186-220HMS
MP15CHR0186220HMS
5905-00000-816-0830 5905-00000-816-0830 Длина корпуса: номинальное значение 1,531 дюйма
Индикатор надежности: не установлено
Диаметр корпуса: номинальное значение 2,406 дюйма
17745
MP25A-25
MP25A25
5905-01-530- 4826 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, нестандартный Длина корпуса: 1.Номинальное значение 500 дюймов
Индикатор надежности: Не установлено
Диаметр корпуса: номинальное значение 3,156 дюйма
17745
MP25A-50R
MP25A50R
5905-00-642-3942 W Резистор, переменный , Не Длина корпуса: номинальное значение 1.500 дюймов
Индикатор надежности: не установлено
Диаметр корпуса: номинальное значение 3.156 дюйма
17745
MP25A1000 5905-01-213-1836 Резистор, переменный , С проволочной обмоткой, без 17745
MP30A15 5905-01-543-5824 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, без Особенности: мощность 15 Ом, макс. Ток 3 .162, приблизительные шаги 120
17745
MP40A100T 5905-01-458-1977 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, не Обоснование кода критичности: ZZZY
Справочный номер Материал будет соответствовать требованиям пункта управления запасами военно-морского флота, механиксбург, контроля качества деятельности hx, производственных и испытательных спецификаций
17745
MP40A160T 5905-01-458-1978 Резистор, переменный, Проволочная намотка, без Код критичности Обоснование: ZZZY
Справочный номер Отличительные характеристики: Материал будет соответствовать требованиям пункта управления запасами военно-морского флота, Mechanicsburg, activity hx по контролю качества, техническим условиям на производство и испытания
17745
N152 500 Ом 50 Вт
N152500 Ом 50WATT
5905-00-615-9088 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой, нестандартный Длина корпуса: 1.Номинальное значение 375 дюймов
Индикатор надежности: не установлено
Диаметр корпуса: максимум 2,375 дюйма
17745
N152-10
N15210
5905-00-302-3974 Резистор, переменный, с проволочной обмоткой , Не Длина корпуса: минимум 1,375 дюйма
Индикатор надежности: не установлен
Диаметр корпуса: максимум 2,375 дюйма
17745

mp35% 20 Таблица данных транзистора и примечания по применению

2000 — MP35

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP35005 / W MP3510 / W E95060 MIL-STD-202, DS21351 MP35
1999 — MP35

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP35005 / W MP3510 / W E95060 MIL-STD-202, DS21351 MP35
мост 35а

Аннотация: MP35
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF MP35005 / W MP3510 / W E95060 MIL-STD-202, DS21351 MP3510 / W Мост 35а MP35
мост 35а

Аннотация: MP35 CI400 AT60
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF MP35005 / W MP3510 / W E95060 MIL-STD-202, DS21351 MP3510 / W Мост 35а MP35 CI400 AT60
MP35

Аннотация: RXD низкопрофильный кварц MP25 кристалл кварц 6.144 МГц
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 106-й, MP35 RXD низкопрофильный кварцевый MP25 кристаллический кварц 6,144 МГц
35а выпрямитель мостовой

Аннотация: DS21351 IVP35
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF MP35005 / W MP3510 / W E95060 Ил-СТД-202, DS21351 Мостовой выпрямитель 35а IVP35
SQ12-010

Аннотация: TA35-450-18 SQ1201 mp35-095 SQ11-050
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF TA22-200-18 ТА22-200-48 ТА23-160-18 ТА23-160-48 TA34-500-18 TA34-500-48 TA35-450-18 TA35-4tion SQ11-020 SQ11-050 SQ12-010 SQ1201 mp35-095
MP1525

Аннотация: MP35A mp25a MP08W MP-15 300 мм2 MP15 MP02 MP01 MP06
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF E149311 MP005 MP005W MP01W MP02W MP04W MP06W MP08W MP10W MP25A MP1525 MP35A mp25a MP08W MP-15 300 мм2 MP15 MP02 MP01 MP06
MP15

Аннотация: MP25 MP35 MP35G
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF MP1500G MP1510G MP2500G MP2510G) MP3500G MP3510G MP35G MP25G MP15G MP15 MP25 MP35 MP35G
2004 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 12 В постоянного тока 15 В постоянного тока 15 В постоянного тока 150 мА 100 мА 100 мА
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 12 В постоянного тока 150 мА MP34-060 100 мА MP34-070 15 В постоянного тока MP35-060
МП34-060

Аннотация: MP34-070 MP35-070 Полупроводниковые схемы MP35-095 MP1530 ​​MP35-06 VAC-50 QDDG725 MP3507
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF 33D31S4 QDDG725 Vac-50 MP35-095 49RANGERD.MP34-060 MP34-070 MP35-070 Полупроводниковые схемы MP1530 MP35-06 MP3507
2008 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 345678

45678

4567823456ниже 12 В постоянного тока 15 В постоянного тока 15 В постоянного тока 150 мА 100 мА

2004 — МП35-060

Аннотация: MP35-070 MP34-060
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 12 В постоянного тока 150 мА MP34-060 100 мА MP34-070 15 В постоянного тока MP35-060 MP35-060 MP35-070 MP34-060
SQ11-050

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF B3031S4 0D0D770 К11-500-48 К12-210-48 К13-165-48 К22-200-48 К23-160-48 К34-410-48 К35-400-48 SQ11-050
mp1525

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF MP1500 MP2500 MP3500 MP5000 MP1510 MP2510 MP3510 MP5010 mp1525
МП35А

Реферат: диодный мост МП25А 60 Ампер 1000В МП15 МП25
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP005W MP01W MP02W MP04W MP06W MP08W MP10W MP25A MP15A MP35A MP35A MP25A диодный мост 60 Ампер 1000В MP15 MP25
MP01

Аннотация: MP02 MP06 MP10 MP15 MP25 MP35A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP005 MP25A MP15A MP35A Ширина-300 MP01 MP02 MP06 MP10 MP15 MP25 MP35A
MP157

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF Vac-50 49RANGERD.MP157
2000 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2001 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP34-060 MP34-070 MP35-060 MP35-070 MP35-095
2004 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP3505 MP3510 E94233 MP-35 MP-35W 300 мкс
K34 MOSFET — описание производителя
.

Аннотация: SW12200 SW11-200-24 K23-160-48 SQ23-006 CW11-200-24 K23 MOSFET CW-12 SW11-200-12 CW12-200-24
Текст: нет текста в файле


Сканирование OCR
PDF B3031S4 0Q0D77D К11-500-48 К12-210-48 К13-165-48 К22-200-48 К23-160-48 К34-410-48 К35-400-48 K34 MOSFET — описание производителя SW12200 SW11-200-24 К23-160-48 SQ23-006 CW11-200-24 МОП-транзистор K23 CW-12 SW11-200-12 CW12-200-24
2006 — MP351

Аннотация: MP3505 MP3510 MP352 MP354 MP356 MP35X ДИОДНЫЙ мост 255
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MP3505 MP3510 MP351 MP3505 MP3510 MP352 MP354 MP356 MP35X ДИОДНЫЙ мост 255
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MB3505 MB3510 100oC MB3505 MB351 MB352 MB354 MB356 MB358 MB3510

SLIMFC57N / 480 / PCS4 — RAB Освещение

Технические характеристики

Соответствие

Зарегистрировано в UL

Подходит для влажных помещений.Только настенное крепление.

Испытания IESNA LM-79 и LM-80

Светодиодные светильники RAB и светодиодные компоненты прошли испытания в независимой лаборатории в соответствии с IESNA LM-79 и LM-80.

Строительство

След

Предназначен для замены настенных комплектов RAB HID WP2 как по размеру, так и по шаблону, поэтому переход на светодиоды прост и удобен

Рейтинг IP

Степень защиты IP66 от пыли и воды

Запуск в холодную погоду

Минимальная начальная температура -40 ° C (-40 ° F)

Максимальная температура окружающей среды

Подходит для использования при температуре до 40 ° C (104 ° F)

Корпус

Корпус и дверная рама из прецизионного литья под давлением из алюминия

Монтаж

Задняя коробка из литого под давлением с четырьмя (4) точками ввода кабелепровода и схемой выбивки для распределительной коробки или прямого настенного монтажа.Откидной корпус и пузырьковый уровень для легкой установки.

Полное отключение

Полная обрезка соответствует требованиям темного неба

Рекомендуемая высота установки

До 25 футов

Линза

Линза из микропризматического диффузионного стекла уменьшает блики и обеспечивает плавное и равномерное распределение света

Отражатель

Зеркальный термопласт

Прокладки

Уникальная конструкция герметичной прокладки гарантирует, что вода или элементы окружающей среды никогда не попадут внутрь SLIM.

Заканчивать

Разработан для обеспечения высокой стойкости и стойкого цвета

Зеленые технологии

Без ртути и УФ-излучения.Компоненты, соответствующие требованиям RoHS.

Характеристики светодиода

ВЕЛ

Долговечные, высокоэффективные, маломощные светодиоды для поверхностного монтажа; бункеры и смешанные для равномерного светового потока и цвета

Стабильность цвета

Гарантируется, что цветовая температура светодиода не изменится более чем на 200K в течение 5-летнего периода.

Цветовая консистенция

7-ступенчатая сортировка по эллипсу Макадама для достижения согласованного цвета от приспособления к приспособлению

Производительность

Срок жизни

Срок службы светодиода 100000 часов на основе результатов IES LM-80 и расчетов TM-21

Другое

Аксессуары

Доступные аксессуары включают в себя защитный экран и защитный кожух.Щелкните здесь, чтобы увидеть все аксессуары.

Патенты

Конструкция SLIM ™ защищена патентами США, Канады, Китая, Тайваня и Мексики.

Диапазон замены HID

Заменяет металлогалогенные лампы мощностью 250 Вт.

Гарантия

RAB гарантирует, что наши светодиодные продукты не будут иметь дефектов материалов и изготовления в течение пяти (5) лет с даты поставки конечному пользователю, включая охват светоотдачи, стабильность цвета, характеристики драйвера и отделку светильника.Гарантия RAB регулируется всеми положениями и условиями, указанными на сайте rablighting.com/warranty.

Купить American Act Compliance

RAB ценит производство в США! По запросу RAB может изготовить этот продукт в соответствии с Законом о покупках в Америке (BAA). Свяжитесь со службой поддержки клиентов, чтобы запросить расценки на соответствие продукта требованиям BAA.

Оптический

Электрооборудование

Водитель

Два драйвера, постоянный ток, класс 2, 480 В, 50/60 Гц, 480 В переменного тока 0.Защита от перенапряжения 13A, 6кВ

Фотоэлемент

В комплект входит поворотный фотоэлемент на 480 В. Фотоэлемент совместим только с 480 В.

% PDF-1.6 % 14794 0 объект > эндобдж xref 14794 157 0000000016 00000 н. 0000005411 00000 н. 0000005628 00000 н. 0000005659 00000 н. 0000005709 00000 н. 0000005748 00000 н. 0000005969 00000 н. 0000006196 00000 н. 0000006672 00000 н. 0000007104 00000 н. 0000007784 00000 н. 0000007864 00000 н. 0000007943 00000 п. 0000008195 00000 н. 0000008459 00000 п. 0000008728 00000 н. 0000009242 00000 н. 0000009308 00000 н. 0000009891 00000 н. 0000010436 00000 п. 0000010992 00000 п. 0000011511 00000 п. 0000012050 00000 п. 0000012595 00000 п. 0000013102 00000 п. 0000047930 00000 п. 0000069881 00000 п. 0000091393 00000 п. 0000092159 00000 п. 0000143133 00000 п. 0000143176 00000 п. 0000965050 00000 н. 0000965114 00000 п. 0000965278 00000 н. 0000965428 00000 н. 0000965556 00000 п. 0000965692 00000 п. 0000965859 00000 п. 0000965977 00000 н. 0000966139 00000 н. 0000966323 00000 н. 0000966511 00000 н. 0000966673 00000 н. 0000966842 00000 н. 0000966958 00000 н. 0000967108 00000 н. 0000967275 00000 н. 0000967447 00000 н. 0000967617 00000 н. 0000967794 00000 п. 0000967972 00000 н. 0000968176 00000 п. 0000968351 00000 п. 0000968537 00000 п. 0000968713 00000 н. 0000968886 00000 н. 0000969067 00000 н. 0000969236 00000 п. 0000969424 00000 н. 0000969541 00000 н. 0000969710 00000 п. 0000969898 00000 н. 0000970030 00000 н. 0000970210 00000 п. 0000970325 00000 н. 0000970430 00000 н. 0000970578 00000 п. 0000970720 00000 н. 0000970896 00000 п. 0000971004 00000 п. 0000971124 00000 н. 0000971254 00000 н. 0000971363 00000 н. 0000971518 00000 н. 0000971726 00000 н. 0000971942 00000 н. 0000972105 00000 н. 0000972236 00000 н. 0000972398 00000 н. 0000972538 00000 н. 0000972712 00000 н. 0000972839 00000 н. 0000972968 00000 н. 0000973086 00000 н. 0000973220 00000 н. 0000973398 00000 н. 0000973508 00000 н. 0000973710 00000 н. 0000973802 00000 н. 0000973993 00000 н. 0000974084 00000 н. 0000974239 00000 н. 0000974338 00000 н. 0000974455 00000 н. 0000974637 00000 н. 0000974817 00000 н. 0000974972 00000 н. 0000975107 00000 п. 0000975268 00000 н. 0000975409 00000 н. 0000975554 00000 н. 0000975681 00000 п. 0000975826 00000 н. 0000975981 00000 п. 0000976159 00000 н. 0000976301 00000 п. 0000976533 00000 н. 0000976800 00000 н. 0000977011 00000 н. 0000977274 00000 н. 0000977521 00000 н. 0000977776 00000 п. 0000977964 00000 н. 0000978135 00000 н. 0000978302 00000 н. 0000978435 00000 н. 0000978600 00000 н. 0000978761 00000 н. 0000978922 00000 н. 0000979091 00000 н. 0000979252 00000 н. 0000979399 00000 н. 0000979544 00000 н. 0000979707 00000 н. 0000979858 00000 н. 0000980035 00000 н. 0000980194 00000 п. 0000980329 00000 н. 0000980492 00000 п. 0000980655 00000 н. 0000980800 00000 н. 0000980943 00000 н. 0000981102 00000 п. 0000981257 00000 н. 0000981430 00000 н. 0000981571 00000 н. 0000981726 00000 н. 0000981943 00000 н. 0000982098 00000 н. 0000982229 00000 н. 0000982354 00000 п. 0000982497 00000 н. 0000982678 00000 п. 0000982825 00000 н. 0000982990 00000 н. 0000983138 00000 п. 0000983294 00000 н. 0000983412 00000 н. 0000983564 00000 н. 0000983710 00000 п. 0000983854 00000 н. 0000983996 00000 н. 0000984150 00000 н. 0000984292 00000 н. 0000984452 00000 п.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *