Транзистор МП39 — DataSheet
Цоколевка транзисторов МП38, МП39, МП40
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | МП39 | SFT306 | |||
| МП39Б | АС540 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | МП39 | — | 150 | |
| МП39Б | — | 150 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | МП39 | — | ≥0. 5* | МГц |
| МП39Б | — | ≥0.5* | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | МП39 | 10к | 15* | В |
| МП39Б | 10к | 15* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | МП39 | — | 5 | В |
| МП39Б | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | МП39 | — | 20(150*) | мА |
| МП39Б | — | 20(150*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | МП39 | 5 В | ≤15 | мкА |
| МП39Б | 5 В | ≤15 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | МП39 | 5 В; 1 мА | ≥12 | |
| МП39Б | 5 В; 1 мА | 20…60 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | МП39 | — | ≤50 | пФ |
| МП39Б | — | ≤50 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | МП39 | — | — | Ом |
| МП39Б | — | — | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | МП39 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| МП39Б | 1 кГц | ≤12 | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | МП39 | — | — | пс |
| МП39Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным (МП39, МП40, МП40А, МП41, МП41А и нормированным (МП39Б) коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Масса транзистора не более 2 гр. Чертёж транзистора МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41АЭлектрические параметры.
Предельные эксплуатационные данные МП39, МП39Б, МП40, МП40А, МП41, МП41А.
| |
Обозначение транзистора мп39 на схемах.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 —
2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.
Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.
Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.
Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.
Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.
Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.
Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.
Цоколевка транзистора МП41
Обозначение транзистора МП41 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус.
Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора МП41
- Структураp-n-p
- 15* (10к) В
- 20 (150*) мА
- 0.15 Вт
- 30…60 (5 В; 1 мА)
- Обратный ток коллектора
- >1* МГц
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц
Цоколевка транзистора МП42
Обозначение транзистора МП42 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим.
Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора МП42
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 —
2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.
Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.
Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.
Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.
Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.
Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.
Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.
Цоколевка транзистора МП41
Обозначение транзистора МП41 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора МП41
- Структураp-n-p
- 15* (10к) В
- 20 (150*) мА
- 0.15 Вт
- 30…60 (5 В; 1 мА)
- Обратный ток коллектора
- >1* МГц
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц
Цоколевка транзистора МП42
Обозначение транзистора МП42 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.
Характеристики транзистора МП42
- Структура p-n-p
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
- Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
- Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — мкА
- Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц
Усилитель мощности низкой частоты на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена иа рис. 1, может быть использован для воспроизведения грамзаписи, в качестве низкочастотной части приемника (с гнезд ГнЗ, Гн4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптеризованных музыкальных инструментов (с гнезд Гн1, Гн2).
- Чувствительность усилителя с гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мв, с гнезд Гн3, Гн4 — не хуже 250 мв;
- Выходная мощность на нагрузке 6,5 ом -2 вт;
- коэффициент нелинейных искажений — 3%;
- Полоса воспроизводимых частот 60-12 000 гц;
- В режиме молчания усилитель потребляет ток порядка 8 ма, а в режиме максимальной мощности — 210 ма.
- Усилитель может питаться как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 в.
Принципиальная схема
Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на мало-шумящем транзисторе МП39Б (Т1) по схеме с общим эмиттером. Усиливаемый сигнал подается на потенциометр R1, с движка которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 сигнал низкой частоты попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя служит резистор R5.
Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора Т1 мало зависящим от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.
При повышении температуры увеличивается ток в цепи эмиттера и на резисторе R6 увеличивается падение напряжения. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что препятствует дальнейшему увеличению тока эмиттера. Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе МП39Б (Т2).
Чтобы снизить зависимость параметров этого каскада от температуры, в нем применена комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Усиленное первым каскадом напряжение подается на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 служит резистор R7.
Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3. Нагрузкой каскада служит резистор RI8. Связь между вторым и третьим каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.
Выходной каскад усилителя работает в режиме класса В по последовательнопараллельной схеме. Основным преимуществом усилителей этого класса перед усилителями, работающими в классе А, является высокий коэффициент полезного действия.
При конструировании обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов. Малогабаритные трансформаторы с пермаллоевым сердечником достаточно сложны в изготовлении. Кроме того, трансформаторы снижают общий коэффициент полезного действия и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.
В последнее время были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазидополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов, имеющих разнотипные переходы и дополняющих друг друга для возбуждения двухтактного усилителя.
Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары дополняющих симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предоконечном каскаде усиления. В зависимости от полярности сигнала, подаваемого с коллектора транзистора Т3, отпирается то один (Т4), то другой (Т5) транзистор. Одновременно открываются связанные с ними транзисторы Т6, Т7. Если на коллекторе транзистора Т3 усиленный сигнал имеет отрицательную полярность, открываются транзисторы Т4, Т6, если сигнал имеет положительную полярность, открываются транзисторы Т5 и Т7.
Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод Д1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов. Это смещение позволяет устранить характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при малых токах базы.
Резисторы R22, R23 снижают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада. Конденсатор С9 разделительный.
С целью уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 охвачены отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и через цепочку R17, С8, R16, R15, С6, R14 подается на базу транзистора Т3. При этом переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низших частот, а потенциометр R15 — в области высших частот.
Если регулировка тембра не требуется, то детали R14 — R17. С6, С8 из схемы исключаются. Цепь обратной связи в этом случае образуется резистором R0 (на рис. 1 эта цепь изображена пунктирной линией).
Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания. Это достигается соответствующим выбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи по постоянному току.
Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя соединяется с цепью базы транзистора ТЗ с помощью резистора R12. Наличие этой связи автоматически поддерживает напряжение в точке «а» равным половине напряжения источника питания (в данном случае равным ба).
Для нормальной работы усилителя необходимо также, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели возможно меньший обратный ток. Величина коэффициента усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должна лежать в пределах 40 — 60; причем транзисторы могут иметь различные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hб= h5 * h7.
Детали и монтаж
Монтаж усилителя производится на гетинаксовой панели толщиной 1 — 1,5 мм. Размеры платы в значительной степени зависят от области применения усилителя. Транзисторы П213Б для обеспечения хорошего теплоотвода снабжены радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.
Питание усилителя может производиться от батареи напряжением 12 в, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батарей для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется с помощью выпрямителя, собранного по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).
Как было указано выше, при работе усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания тока неизбежно вызовут изменение величины питающего напряжения, что может привести к нежелательным связям в усилителе и искажениям сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.
В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон Д5. Данный стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 ма обеспечивает стабильное напряжение 12 в, причем амплитуда пульсаций не превышает 5 мв. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет перепада напряжения на транзисторе Т2.
Этот перепад зависит от смещения на базе транзистора Т2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rнагр).
Транзистор Т2 монтируют на радиаторе. Выпрямитель размещается в ящике размером 60Х90Х130 мм, который изготавливается из листовой стали толщиной 1 мм.
Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина набора 25 мм. Обмотка I (на 127 в) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 в) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.
Наладка
Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив источник питания (12 в), резисторами R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, который предварительно отключается от коллектора транзистора Т2, подают на вход усилителя напряжение от звукового генератора (0,2 в, частота 1000 гц).
Цепь обратной связи в точке «б» необходимо разорвать. Контроль формы выходного напряжения наблюдают с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на стыках полуволн наблюдаются большие «ступеньки», нужно уточнить значение резистора R19.
Оно подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи почти полностью исчезают. Налаживание других каскадов никакими особенностями не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мв, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 из схемы можно исключить.
Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах усиления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.
Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.
Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой
Рис. 57. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116
Таблица 109
Обратный ток коллектора, мкА, при U К б= — 5 В и температуре, °С:
20 …………… 15
70 …………… 300
Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30
Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20
Емкость коллектора, пФ, при U K6 =5 В и
f=500 кГц………….. 60
Наибольший импульсный ток коллектора,
мА, при I ЭСр
Выходная проводимость, мкСм, при I э =1 мА,
U„ б =5 В и f=1 кГц………. 3,3
Сопротивление базы, Ом, при I э =1 мА,
U кб =5 В и f=500 кГц……… 220
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:
55 …………… 150
70……………. 75
Отрицательное напряжение U э в, В…. 5
Таблица 110
Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно… 10 и 400
Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно. . . — 10 и 200
Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, I э =1 мА, f=1 кГц……. 300
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С…………….. 150
Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) применяются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.
Рис. 58. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов КТ203А — В
Таблица 111
Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно……………1 и 15
Обратный ток эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10
Емкость коллекторного перехода, пФ, при U К б=5 В и f=10 МГц…………. 10
Ток коллектора, мА: постоянный………….. 10
импульсный…………. . 50.
Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА…………….. 10
Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С……… V . . 150
* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,
Высокочастотные . Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321
(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.
Параметры транзисторов МП26 — МП42
Добавил: Chip,Дата: 02 Сен 2013Параметры транзисторов
МП26, МП35| Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП26 МП26А МП26Б | p-n-p p-n-p p-n-p | 200 200 200 | ≥0.2* ≥0.2* ≥0.5* | 70 70 70 | 70 70 70 |
| МП35 | n-p-n | 150 | ≥0.5* | 15 | — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк [ пФ ] |
| МП26 МП26А МП26Б | 300* 300* 400* | ≤75 (70В) ≤75 (70В) ≤75 (70В) | 13…25 (35В;1.5мА) 20…50 (35В;1.5мА) 30…80 (35В;1.5мА) | ≤15 (35В) ≤15 (35В) ≤15 (35В) |
| МП35 | 20 (150*) | 30 (5В) | 13…125 (5В;1мА) | — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | rКЭнас [ Ом ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] | примечание |
| МП26 МП26А МП26Б | ≤2.2 ≤2.2 ≤1.8 | — — — | ≤1500*** ≤1500*** ≤1500*** | |
| МП35 | — | ≤220* | — |
Параметры транзисторов
МП36, МП37Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП36А | n-p-n | 150 | ≥1* | 15 | — |
| МП37А МП37Б | n-p-n n-p-n | 150 150 | ≥1* ≥1* | 30 30 | — — |
продолжение таблицы
Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк C*12э [ пФ ] |
| МП36А | 20 (150*) | ≤30 (5В) | 13…45 (5В;1мА) | — |
| МП37А МП37Б | 20 (150*) 20 (150*) | ≤30 (5В) ≤30 (5В) | 15…30 (5В;1мА) 25…50 (5В;1мА) | — — |
продолжение таблицы
Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] r*БЭ нас [ Ом ] K**у. р. [ дБ ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] | примечание |
| МП36А | — | ≤10 (1кГц) | — | |
| МП37А МП37Б | — — | ≤220* ≤220* | — — |
Параметры транзисторов
МП38, МП39, МП40Тип прибора | Структура | Pк maх [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max U*КЭR max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП38 МП38А | n-p-n n-p-n | 150 150 | ≥2* ≥2* | 15 15 | — — |
| МП39 МП39Б | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥0.5* ≥0.5* | 15* (10к) 15* (10к) | 5 5 |
| МП40 МП40А | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥1* ≥1* | 15* (10к) 30* (10к) | 5 5 |
продолжение таблицы
Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э | Cк [ пФ ] |
| МП38 МП38А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤30 (5В) ≤30 (5В) | 25…55 (5В;1мА) 45…100 (5В;1мА) | — — |
| МП39 МП39Б | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | ≥12 (5В;1мА) 20…60 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП40 МП40А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | 20…40 (5В;1мА) 20…40 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
продолжение таблицы
Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] | Kш [ дБ ] r*6 [ Ом ] | τк [ пс ] | примечание |
| МП38 МП38А | — | ≤220* ≤220* | — | |
| МП39 МП39Б | — | -≤12 (1кГц) | — | |
| МП40 МП40А | — | — | — |
Параметры транзисторов
МП41,МП42| Тип прибора | Структура | Pк max [ мВт ] | fгр, f*h316 [ МГц ] | Uкбо max U*КЭR max [ В ] | Uэбо max [ В ] |
| МП41 МП41А | p-n-p p-n-p | 150 150 | ≥1* ≥1* | 15* (10к) 15* (10к) | 5 5 |
| МП42 МП42А МП42Б | p-n-p p-n-p p-n-p | 200 200 200 | ≥2* ≥1.5* ≥1* | 15* (3к) 15* (3к) 15* (3к) | — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | IK max I*K и max [мА ] | Iкбо [мкА ] | h31э, h*21э | Cк C*12э [ пФ ] |
| МП41 МП41А | 20 (150*) 20 (150*) | ≤15 (5В) ≤15 (5В) | 30…60 (5В;1мА) 50…100 (5В;1мА) | ≤50 (5В) ≤50 (5В) |
| МП42 МП42А МП42Б | 150* 150* 150* | — — — | 20…35* (1В;10мА) 30…50* (1В;10мА) 458…100* (1В;10мА) | — — — |
продолжение таблицы
| Тип прибора | rКЭнас[ Ом ] | Kш [ дБ ] | τк [ пс ] t*pac [ нс ] t**выкл [ нс ] | примечание |
| МП41 МП41А | — — | — — | — — | |
| МП42 МП42А МП42Б | ≤20 ≤20 ≤20 | — — — | ≤2000*** ≤1500*** ≤1000*** |
Цоколёвка и размеры транзисторов
МП26 — МП42
ПОДЕЛИТЕСЬ С ДРУЗЬЯМИ
П О П У Л Я Р Н О Е:
- Как выбрать сечение провода или кабеля?
- Параметры транзисторов КТ306 — КТ3168
- Магниторезисторы
Справочная
таблица расчёта электрического провода или кабеля.
Подробнее…
Основные параметры отечественных биполярных транзисторов от КТ306 до КТ3168
Транзисторы очень часто используются в радиоаппаратуре и популярны в радиолюбительских конструкциях. Биполярные транзисторы имеют три вывода: эмиттер, база и коллектор, у некоторых (обычно высокочастотных) имеется четвертый вывод — корпусной.
Подробнее…
Магниторезисторы—
полупроводниковые резисторы с резко выраженной зависимостью электрического сопротивления от магнитного поля. Действие таких резисторов основано на использовании магниторезистив-ного эффекта, который заключается в изменении сопротивления резистора при внесении его в магнитное поле. Подробнее…
Популярность: 18 435 просм.
Новые транзисторы | Справочные данные по транзисторам: ГТ108, ГТ309, 1Т308, 1Т303, 2Т301, П504, П505, П607-П609, П702 | «Радио» | 1964 | 7 | Нет автора | |
Новые полупроводниковые приборы | Справочные сведения по диодам 2Д503, 2С920, 2С930, 2С950, 2С980 и транзисторам ГТ109, ГТ310, 1Т403, П42 | «Радио» | 1965 | 4 | Нет автора | |
Новые полупроводниковые приборы | Справочные данные по транзисторам ГТ320 и ГТ701А | «Радио» | 1967 | 4 | Нет автора | |
Транзисторы для телевизоров | (Продолжение №7, 9 1967г. стр.57). Справочные данные по транзисторам ГТ313, ГТ311, КТ601А, МП37, МП38, МП39, МП40, МП41, ГТ308, П213, П214, П216, П217, КТ801А, КТ802А | «Радио» | 1967 | 2 | Фролов В. | |
Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года | Справочная таблица по транзисторам П5 — П42, П101 — П110, П505 | «Радио» | 1968 | 2 | Леонтьев В. | |
Параметры и цоклевки плоскостных транзисторов, разработанных до 1964 года | Приведены справочные таблицы по транзисторам П4, П201 — П203, П207 — П217, П302 — П306, П401 — П423, П501 — П503, П601 — П609 | «Радио» | 1968 | 3 | Леонтьев В. | |
Транзисторы ГТ402А, ГТ402Б | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1968 | 8 | Черный Б. | |
Транзисторы широкого применения | Параметры транзисторов ГТ108, ГТ322, КТ301, КТ315 | «Радио» | 1968 | 10 | Зайцева О. | |
Новые полупроводниковые приборы | Параметры транзисторов ГТ321 и ГТ311 | «Радио» | 1969 | 5 | Сардаковская Л. | |
Новые транзисторы | (Продолжение в №7 1969г. стр.56). Параметры транзисторов КТ602, КТ605, КТ312, КТ903 | «Радио» | 1969 | 6 | Гордеева В. | |
Транзисторы малой мощности широкого применения | Таблица и цоклевка на транзисторы ГТ309, ГТ310, ГТ108, ГТ109, П27 — МП42, ГТ320 — ГТ322, П401 — П422, ГТ313, ГТ311, МП111 — МП116, КТ301, КТ315, КТ312, П307 — П309 | «Радио» | 1969 | 10 | Белов А. | |
Транзисторы массового применения | Параметры транзисторов П701, ГТ701А, ГТ309 | «Радио» | 1969 | 1 | Павлова О. | |
Полевые транзисторы КП102 | Приведены параметры, практические схемы (Гальванометр, реле времени, триггер, истоковый повторитель) | «Радио» | 1970 | 6 | Вальков А. | |
Транзисторы средней и большой мощности | Приведены параметры транзисторов ГТ402, ГТ403, П601, П602, П605, П606, ГТ8-4, П210, П302 — П306, КТ601 — КТ605, П607 — П609, КТ801 — КТ803, КТ903, П702 | «Радио» | 1970 | 3 | Белов А. | |
Аналоги зарубежных транзисторов | Приведена таблиза аналогов с 2N34 по 2SD191 | «Радио» | 1971 | 6 | Нефедов А. | |
Новые транзисторы | Приведены параметры транзисторов КТ306, КТ307, КТ316 | «Радио» | 1971 | 5 | Домнин Б. | |
Новые транзисторы | Параметры транзисторов КТ904А,Б; КТ905А,Б | «Радио» | 1971 | 12 | Гришина Л. | |
Полевые транзисторы КП103 | «Радио» | 1971 | 4 | Вальков А. | ||
Новые имнульсные транзисторы | Приведены параметры на КТ343, КТ349, КТ350, КТ351, КТ352. | «Радио» | 1972 | 2 | Тишина В. | |
Новые транзисторы | (Продолжение в №8 1972г стр.55). Параметры на транзисторы КТ907, КТ908, КТ319, ГТ323, КТ324 | «Радио» | 1972 | 7 | Гришина Л. | |
Транзисторы Венгрии и их отечественные аналоги | Приведена таблица аналогов с параметрами транзисторов | «Радио» | 1972 | 11 | Нет автора | |
Новые германиевые транзисторы | Приведены справочные сведения на транзисторы ГТ115, ГТ305, ГТ404 | «Радио» | 1973 | 10 | Нет автора | |
Новые кремниевые транзисторы широкого применения | Справочные сведения по КТ104, КТ118, КТ201 | «Радио» | 1973 | 2 | Нет автора | |
Новые транзисторы | КТ331, КТ332, КТ339 | «Радио» | 1973 | 6 | Нет автора | |
Однопереходные транзисторы КТ117А — КТ117Г | «Радио» | 1973 | 12 | Нет автора | ||
Полевые транзисторы с изолированными затворами | Приведены справочные сведения на транзисторы КП301, КП305, КП350 | «Радио» | 1973 | 11 | Нет автора | |
Транзисторы ЧССР и их советские аналоги | Справочные данные и приближенные аналоги | «Радио» | 1973 | 8 | Нет автора | |
Кремниевые транзисторы КТ342А — КТ342Г и КТ345А — КТ345В | «Радио» | 1974 | 6 | Гришина Л. | ||
Мощные мезапланарные транзисторы КТ802А, КТ803А, КТ807А, КТ807Б, КТ808А, КТ809А | «Радио» | 1974 | 4 | Алхимов В. | ||
Полевые транзисторы КП302А — КП302В | «Радио» | 1974 | 3 | Абдеева Н. | ||
Полевые транзисторы КП303А — КП303И | «Радио» | 1974 | 5 | Гришина Л. | ||
Высокочастотные германиевые транзисторы ГТ329, ГТ330 и ГТ341 | «Радио» | 1975 | 3 | Гришина Л. | ||
Кремниевые транзисторы КТ608, КТ610 | «Радио» | 1975 | 6 | Гришина Л. | ||
Транзисторные германиевые матрицы серии ГТС609 | «Радио» | 1975 | 8 | Найда Б. | ||
Транзисторы КТ325А — КТ325В | «Радио» | 1975 | 10 | Коняев В. | ||
Транзисторы КТ340А-КТ340В, КТ340Д | «Радио» | 1975 | 1 | Гришина Л. | ||
Транзисторы КТ611А — КТ611Г | «Радио» | 1975 | 9 | Гришина Л. | ||
Транзисторы серий КТ909 и КТ911 | «Радио» | 1975 | 12 | Гришина Л. | ||
Транзисторы | (Продолжение в №8 1976г стр.55). Сводная таблица параметров на транзисторы выпускавшиеся до 1976г. | «Радио» | 1976 | 7 | Коняев В. | |
Зарубежные транзисторы и их советские аналоги | (Продолжение в №7, 9 1977г., №2 — 5, 6 1978г.). Приведены приближенные аналоги | «Радио» | 1977 | 4 | Нет автора | |
Полевой транзистор КП304А | «Радио» | 1977 | 1 | Абдеева Н. | ||
Транзисторы КТ814 — КТ817 | «Радио» | 1977 | 3 | Вородин Б. | ||
Транзисторы серий КТ502, КТ503 | «Радио» | 1977 | 9 | Якубовский С. | ||
Транзисторы серий КТ919, КТ819 | «Радио» | 1977 | 7 | Вородин Б. | ||
Высоковольтные транзисторы КТ940 | «Радио» | 1978 | 8 | Киреев Ю. | ||
Полевые транзисторы серий КП901, КП902 | «Радио» | 1979 | 12 | Бамов А. | ||
Транзисторные полевые сборки серии КПС104 | «Радио» | 1979 | 6 | Богдан А. | ||
Транзисторы КТ639 и КТ644 | «Радио» | 1979 | 2 | Ахламенок Г. | ||
Транзисторы КТ913 | «Радио» | 1979 | 4 | Богдан А. | ||
Полевые транзисторы серии КП307 | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1980 | 10 | Гришина Л. | |
Транхисторы серии КТ3102 | Приведены графики, параметры, цоклевка (корпус металлический) | «Радио» | 1981 | 1 | Нет автора | |
Высокочастотные транзисторы КТ961А, Б, В | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1982 | 9 | Нет автора | |
Матрицы из полевых транзисторов | Приведены справочные сведения на КПС202, КПС104 | «Радио» | 1982 | 5 | Нет автора | |
СВЧ транзистор КТ3123 | Параметры, графики, цоклевка | «Радио» | 1982 | 6 | Виноградов Р. | |
Транзистор КТ969А | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1982 | 8 | Гордеев А. | |
Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б | Справочные данные, цоклевка | «Радио» | 1983 | 10 | Овсянников Н. | |
Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1983 | 6 | Овсянников Н. | |
Транзисторы КТ3127А, КТ3128А | Справочные сведения, цоклевка | «Радио» | 1983 | 11 | Овсянников Н. | |
Транзисторы КТ635Б | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1984 | 7 | Николаев О. | |
Транзисторы КТ645 | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1984 | 6 | Овсянников Н. | |
Транзисторы КТ646А, КТ646Б | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1984 | 7 | Овсянников Н. | |
Транзисторы КТ808АМ-КТ808ГМ | Параметры, цоклевка | «Радио» | 1985 | 10 | Пушкарев М. | |
Транзисторы КТ972А, КТ972Б | Параметры, цоклевка, маркировка | «Радио» | 1985 | 10 | Овсянников Н. | |
Транзисторы серии КТ973 | Параметры, цоклевка, маркировка | «Радио» | 1986 | 6 | Овсянников Н. | |
Транзисторы серий КТ639, КТ835 | Параметры, графики, цоклевка | «Радио» | 1987 | 8 | Юшин А. | |
Новые транзисторы широкого применения серии КТ837 | (Продолжение в №6 1988г стр.59). Параметры, графики, цоклевка | «Радио» | 1988 | 5 | Аксенов А. | |
Транзисторы КТ3127А и КТ3128А | Параметры, графики, цоклевка | «Радио» | 1989 | 6 | Зиньковский А. | |
Мощные переключающие полевые транзисторы серий КП912 и КП922 | (Продолжение в №1 1991г стр.73). Параметры, цоклевка | «Радио» | 1990 | 12 | Зиньковский А. | |
КТ8101, КТ8102 | Цоклевка, параметры | «Радиолюбитель» | 1991 | 9 | Нет автора | |
Микросхемы серии К174. Усилитель мощности К174УН14 | Структурная схема, параметры, схема включения | «Радио» | 1991 | 1 | Новаченко И. | |
Мощные транзисторы серий КТ8101 и КТ8102 | Параметры, цоклевка. графики. | «Радио» | 1991 | 12 | Артюков А. | |
СВЧ транзисторы | Приведены очень краткие сведения на биполярные транзисторы КТ982, КТ984, КТ985, КТ986, КТ987, КТ988, КТ991, КТ994, КТ995, КТ9105, КТ9109, КТ9114 на полевые (+цоклевка) 3П320, 3П321, 3П324, 3П325, 3П326, 3П330, 3П331, 3П339, 3П328, 3П602, 3П603, 3П604, 3П9 | «Радиолюбитель» | 1991 | 3 | Нет автора | |
Транзисторы серии КТ850 | Цоклевка, параметры, графики | «Радио» | 1992 | 11 | Ломакин Л. | |
Фототранзисторы | (Продолжение в №7,8 1992г). Устройство, параметры, цоклевка, применение. ФТ1 — ФТ8 | «Радио» | 1992 | 6 | Нет автора | |
Быстродействующие ключевые транзисторы со статической индукцией | Таблица параметров на КП946, КП948, КП810, КП953 — КП961 | «Радио» | 1993 | 7 | Нет автора | |
Транзистор КТ838А | (Продолжение в №4 1994г стр.45). Цоклевка, параметры, графики | «Радио» | 1994 | 3 | Ломакин Л. | |
Транзисторы | Параметры, цоколевка на КП717, КП718, КП722…КП728, КТ6109…КТ6117, КТ8156А(Б), КП365А, КТ3130А9…Ж9, КТ3153А9, КТ805АМ | «Радиолюбитель» | 1995 | 7 | Нет автора | |
Транзисторы серии КТ829 | Цоклевка, парамеры, графики | «Радио» | 1995 | 11 | Ломакин Л. | |
Мощные N-канальные полевые транзисторы | Приведена цоколевка, таблица параметров на транзисторы КП723…КП727 и их аналогов IRF, IRL | «Радиолюбитель» | 1996 | 8 | Алешкевич Г. | |
Новые транзисторы СВЧ | Приведены справочные сведения на КТ9128, КТ9147, КТ9132, КТ9153, КТ9156, КТ9187, 2Т9175 | «Радио» | 1996 | 5 | Асессоров В. | |
Транзисторы серии КП705, КП706 | Параметры, цоклевка, графики | «Радио» | 1996 | 7 | Ломакин Л. | |
N-канальные МОП-транзисторы КП505А…Г | Цоколевка, параметры | «Радиолюбитель» | 1997 | 10 | Киселев В. | |
Маркировка маломощных транзисторов | Приведена таблица маркировок отечественных транзисторов | «Радиолюбитель» | 1997 | 9 | Саранча О. | |
Мощные МОП-транзисторы КП373А…В | Цоколевка, параметры | «Радиолюбитель» | 1997 | 12 | Киселев В. | |
Полевые транзисторы КП341, АП602 | Параметры, цоклевка, графики | «Радио» | 1997 | 3 | Ломакин Л. | |
Транзисторы серии КТ8156 | Параметры, цоклевка, графики | «Радио» | 1997 | 4 | Киселев В. | |
Высоковольтные переключательные транзисторы КТ8170А,Б1 | Цоколевка, параметры | «Радиолюбитель» | 1998 | 5 | Киселев В. | |
Высоковольтные полевые транзисторы сери КП802 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 1998 | 4 | Ломакин Л. | |
Высоковольтные транзисторы КТ812А,Б | Параметры, цоколевка | «Радиолюбитель» | 1998 | 4 | Беляева С. | |
Высоковольтные транзисторы КТ8164А,Б | Параметры, цоколевка | «Радиолюбитель» | 1998 | 2 | Киселев В. | |
Мощные вертикальные N-канальные МОП транзисторы КП753А…В | Параметры, цоколевка | «Радиолюбитель» | 1998 | 4 | Чеботков С. | |
Однопереходные транзисторы серии КТ133 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 1998 | 4 | Киселев В. | |
Транзисторы 2Т935А и КТ935А | (Продолжение в №9 1998г стр.58). Цоколевка, параметры, графики | «Радио» | 1998 | 8 | Ломакин Л. | |
Транзисторы серии КТ6113 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 1998 | 4 | Киселев В. | |
Мощные низковольтные СВЧ транзисторы для подвижных средств связи | (Продолжение в №11 1999г). Цоколевка, параметры транзисторов серий 2Т9175, 2Т9188, КТ9190, КТ9193, КТ8197. | «Радио» | 1999 | 10 | Кожевников В. | |
Комплементарные транзисторы серий КТ6116 и КТ6117 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2000 | 2 | Киселев В. | |
Транзисторы серии КТ8156 | Цоколевка, параметры, внутренняя схема. | «Радио» | 2000 | 7 | Киселев В. | |
Транзисторы серии КТ8156 | Цоколевка, параметры | «Радио» | 2000 | 8 | Киселев В. | |
Высоковольтный транзистор КТ8255А | Параметры, цоколевка. | «Радиолюбитель» | 2001 | 3 | Беляева С. | |
Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы International Rectifier | Приведена таблица параметров на транзисторы серий IRF и IRL | «Радио» | 2001 | 5 | Нет автора | |
Новые мощные полевые транзисторы | Приведена таблица параметров КП723…КП796 | «Радиомир» | 2001 | 8 | Чеботков С. | |
Отечественные аналоги зарубежных транзисторов | (Продолжение в РМ №10,11 2001г., №1,2 2002г.). Приведена таблица аналогов. | «Радиомир» | 2001 | 9 | Нет автора | |
Транзисторы серий КТ520 и КТ521 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2001 | 9 | Киселев В. | |
N-канальный МОП-транзистор КП214А9 | Параметры, цоколевка | «Радиомир» | 2002 | 4 | Казмерчук В. | |
Комплементарные транзисторы КТ529А и КТ530А | Цоколевка, параметры | «Радио» | 2002 | 1 | Штырев А. | |
Комплиментарные мощные транзисторы серий КТ8115, КТ8116 | Габариты, цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2002 | 9 | Киселев В. | |
Полевые транзисторы «BUZ» | Приведена таблица с параметрами. | «Радиоконструктор» | 2002 | 1 | Нет автора | |
Полевые транзисторы серии КП723 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2002 | 3 | Киселев В. | |
Полевые транзисторы серии КП727 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2002 | 1 | Киселев В. | |
Полевые транзисторы серии КП737 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2002 | 5 | Киселев В. | |
Биполярный кремниевый N-P-N транзистор КТ8261А | Цоколевка, параметры | «Радиомир» | 2003 | 3 | Беляева С. | |
Мощный полевой транзистор КП784А | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2003 | 5 | Киселев В. | |
Транзистор КТ538А | Цоколевка, параметры. | «Радиомир» | 2003 | 7 | Беляева С. | |
Транзисторные сборки серии КТ222 | Цоколевка, параметры. | «Радио» | 2003 | 7 | Коновалов С. | |
Транзисторы КТ8212А,Б,В | Цоколевка, параметры | «Радиомир» | 2003 | 6 | Радюк М. | |
Транзисторы КТ8214А,Б,В | Цоколевка, параметры | «Радиомир» | 2003 | 12 | Радюк М. | |
Транзисторы КТ8248А,А1 | Цоколевка, параметры | «Радиомир» | 2003 | 11 | Беляева С. | |
Маломощный полевой транзистор КП214А9 | Габаритные размеры, цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2004 | 1 | Киселев В. | |
Мощные полевые транзисторы серии КП742 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2004 | 4 | Киселев А. | |
Полевые транзисторы серии КП504 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2004 | 7 | Киселев В. | |
Составной транзистор КТ8225А | Принципиальная схема, цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2004 | 12 | Киселев В. | |
Стандартная цветовая маркировка отечественных транзисторов малой мощности | Приведены цоколевка и маркировка некоторых транзисторов. | «Радиоконструктор» | 2004 | 4 | Нет автора | |
Мощные N-канальные полевые транзисторы | Приведена таблица параметров на транзисторы BUZ | «Радиоконструктор» | 2005 | 5 | Нет автора | |
Мощные высоковольтные транзисторы серии КТ8224 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2005 | 2 | Киселев В. | |
Полевые маломощные транзисторы серии КП523 | Цоколевка, параметры, графики. | «Радио» | 2005 | 4 | Киселев В. | |
Аналоги зарубежных транзисторов | Приведена таблици на 180 транзисторов широкого примененичя | «Радиоконструктор» | 2006 | 11 | Нет автора | |
Высоковольтные транзисторы КТ8247А | Цоколевка, параметры | «Радио» | 2006 | 8 | Киселев В. | |
Мощные биполярные транзисторы | Приведены цоколевки и таблица параметров на транзисторы серий КТ718, КТ818, КТ819, КТ827, КТ829, КТ845, КТ850, КТ851, КТ853, КТ863, КТ892, 2Т935, КТ8121, КТ8143, КТ8144, КТ8155, КТ6157, КТ8191, КТ8223, КТ8227, КТ8232, КТ8254, 2Т8292, 2Т8294. | «Радио» | 2006 | 2 | Нефедов А. | |
Мощные полевые транзисторы | Приведена таблица параметров, цоколевка | «Радио» | 2006 | 3 | Нефедов А. | |
Мощный высоковольтный транзистор КТ8290А | Габаритные размеры, параметры, цоколевка | «Радио» | 2006 | 9 | Киселев В. | |
Основные параметры мощных транзисторов | Приведена таблица параметров транзисторов КТ801…КТ842 | «Радиоконструктор» | 2006 | 7 | Нет автора | |
Основные параметры мощных транзисторов | Приведена таблица параметров транзисторов КТ844…КТ898, КТ8101…КТ8107 | «Радиоконструктор» | 2006 | 8 | Нет автора | |
Сборка мощных транзисторов сери 2Т8295 | Габаритные размеры, параметры, цоколевка | «Радио» | 2006 | 9 | Шерстюк В. | |
Основные параметры мощных транзисторов | Приведена таблица параметров транзисторов серий КТ8108…КТ8140, КТ9101…КТ9181 | «Радиоконструктор» | 2007 | 1 | Нет автора | |
Мощный биполярный транзистор с изолированным затвором КЕ703А | (Прототип — IRGB14C40L). Структурная схема, цоколевка, параметры. | «Радио» | 2007 | 2 | Киселев В. |
|
Цоколевка отечественных полупроводников. МП9А, МП10, МП10А, МП10Б – смотреть МП11, МП11А – смотреть МП13, МП13Б – смотреть МП14, МП14А, МП14Б, МП14И – смотреть МП15, МП15А, МП15И – смотреть МП16, МП16А, МП16Б, МП16Я1, МП16Я11 – смотреть МП20А, МП20Б – смотреть МП21В, МП21Г, МП21Д, МП21Е – смотреть МП25, МП25А, МП25Б – смотреть МП26, МП26А, МП26Б – смотреть П27, П27А – смотреть П28 – смотреть П29, П29А – смотреть П30 – смотреть МП35 – смотреть МП36 – смотреть МП37 – смотреть МП38 – смотреть МП39 – смотреть МП40 – смотреть МП41, МП41А – смотреть МП42, МП42А, МП42Б – смотреть ГТ108А, ГТ108Б, ГТ108В, ГТ108Г – смотреть МГТ108А, МГТ108Б, МГТ108В, МГТ108Г, МГТ108Д – смотреть ГТ109А, ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И – смотреть ГТ115А, ГТИ5Б, ГТ115В, ГТ115Г, ГТ115Д – смотреть ГТ122А, ГТ122Б, ГТ122В, ГТ122Г – смотреть ГТ124А, ГТ124Б, ГТ124В, ГТ124Г – смотреть ГТ125А, ГТ125Б, ГТ125В, ГТ125Г, ГТ125Д, ГТ125Е, ГТ125Ж, ГТ125И, ГТ125К, ГТ125Л – смотреть П201Э, П201АЭ – смотреть П202Э, П203Э – смотреть П207, П207А – смотреть П208, П208А – смотреть П209, П209А – смотреть П210, П210А, П210Б, П210В, П210Ш – смотреть П213, П213А, П213Б – смотреть П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г – смотреть П215, П216, П216А, П216Б, П216В, П216Г, П216Д – смотреть П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г – смотреть ГТ305А, ГТ305Б, ГТ305В – смотреть ГТ308А, ГТ308Б, ГТ308В, ГТ308Г – смотреть ГТ309А, ГТ309Б, ГТ309В, ГТ309Г, ГТЗО9Д, ГТ309Е – смотреть ГТ310А, ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е – смотреть ГТ311А, ГТ311Б, ГТ311В, ГТЗ11Г, ГТ311Д, ГТ311Е, ГТ311Ж, ГТ311И – смотреть ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В – смотреть ГТ320А, ГТ320Б, ГТ320В – смотреть ГТ321А, ГТ321Б, ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д, ГТ321Е – смотреть ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е – смотреть ГТ323А, ГТ323Б, ГТ323В – смотреть ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В – смотреть ГТ329А, ГТ329Б, ГТ329В, ГТ329Г – смотреть ГТЗЗОД, ГТЗЗОЖ, ГТЗЗОИ – смотреть ГТ335А, ГТ335Б, ГТ335В, ГТ335Г, ГТ335Д – смотреть ГТ338А, ГТ338Б, ГТ338В – смотреть ГТ341А, ГТ341Б, ГТ341В – смотреть ГТ346А, ГТ346Б, ГТ346В – смотреть ГТ362А, ГТ362Б – смотреть ГТ376А – смотреть ГТ383А-2, ГТ383Б-2, ГТ383В-2 – смотреть П401, П402 – смотреть ГТ402А, ГТ402Б, ГТ402В, ГТ402Г, ГТ402Д, ГТ402Е, ГТ402Ж, ГТ402И – смотреть П403, П403А – смотреть ГТ403А, ГТ403Б, ГТ403В, ГТ403Г, ГТ403Д, ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И – смотреть ГТ404А, ГТ404Б, ГТ404В, ГТ404Г, ГТ404Д, ГТ404Е, ГТ404Ж, ГТ404И – смотреть ГТ405А, ГТ405Б, ГТ405В, ГТ405Г, ГТ406А – смотреть П416, П416А, П416Б – смотреть П417, П417А, П417Б – смотреть П422, П423 – смотреть П605, П605А – смотреть П606, П606А – смотреть П607, П607А – смотреть П608, П608А – смотреть П609, П609А – смотреть ГТС609А, ГТС609Б, ГТС609В – смотреть ГТ612А-4 – смотреть ГТ701А – смотреть ГТ703А, ГТ703Б, ГТ703В, ТТ703Г, ГТ70ЗД – смотреть ГТ705А, ГТ705Б, ГТ705В, ГТ7О5Г, ГТ705Д – смотреть ГТ804А, ГТ804Б, ГТ804В – смотреть ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д – смотреть ГТ810А, ГТ905А, ГТ905Б – смотреть ГТ906А – смотреть ГТ906АМ – смотреть КТ104А, КТ104Б, КТ104В, КТ104Г – смотреть КТ117А, КТ117Б, КТ117В, КТ117Г – смотреть КТ118А, КТ118Б, КТ118В – смотреть КТ119А, КТ119Б – смотреть КТ120А, КТ120Б, КТ120В – смотреть КТ120А-1, КТ120В-1 – смотреть КТ120А-5, КТ120В-5 – смотреть КТ127А-1, КТ127Б-1, КТ127В-1, КТ127Г-1 – смотреть КТ132А, КТ132Б – смотреть КТ133А, КТ133Б – смотреть КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г, КТ201Д – смотреть КТ201АМ, КТ201БМ, КТ201ВМ, КТ201ГМ, КТ201ДМ – смотреть КТ202А-1, КТ202Б-1, КТ202В-1, КТ202Г-1, КТ202Д-1 – смотреть КТ203А, КТ203Б, КТ203В – смотреть КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ – смотреть КТ206А, КТ206Б – смотреть КТ207А, КТ207Б, КТ207В – смотреть КТ208А, КТ208Б, КТ208В, КТ208Г, КТ208Д, КТ208Е, КТ208Ж, КТ208И, КТ208К, КТ208Л, КТ208М – смотреть КТ209А, КТ209Б, КТ209В, КТ209В2, КТ209Г, КТ209Д, КТ209Е, КТ209Ж КТ209И, КТ209К, КТ209Л, КТ209М – смотреть КТ210А, КТ210Б, КТ210В – смотреть КТ2ПА-1, КТ2ПБ-1, KT2ПB-1 – смотреть КТ214А-1, КТ214Б-1, КТ214В-1, КТ214Г-1, КТ214Д-1, КТ214Е-1 – смотреть КТ215А-1, КТ215Б-1, КТ215В-1, КТ215Г-1, КТ215Д-1, КТ215Е-1 – смотреть КТ216А, КТ216Б, КТ216В – смотреть КТ218А-9, КТ218Б-9, КТ218В-9, КТ218Г-9, КТ218Д-9, КТ218Е-9 – смотреть КТ301, КТ301А, КТ301Б, КТ301В, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж – смотреть КТ302А, КТ302Б, КТ302В, КТ302Г – смотреть КТ306А, КТ306Б, КТ306В, КТ306Г, КТ306Д – смотреть КТ306АМ, КТ306БМ, КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ – смотреть П307, ПЗО7А, П307Б, П307В, П307Г – смотреть КТ307А-1, КТ307Б-1, КТ307В-1, КТ307Г-1 – смотреть П308, П309 – смотреть КТ3101А-2 – смотреть КТ3101АМ – смотреть КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102Ж, КТ3102И, КТ3102К – смотреть КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ГМ, КТЗШ2ДМ, КТ3102ЕМ, КТ3102ЖМ, КТ3102ИМ, КТ3102КМ – смотреть КТ3104А, КТ3104Б, КТ3104В, КТ3104Г, КТ3104Д, КТ3104Е – смотреть КТ3106А-2 – смотреть КТ3106А-9 – смотреть КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Г, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Ж КТ3107И, КТ31О7К, КТ3107Л – смотреть КТ3108А, КТ3108Б, КТ3108В – смотреть КТ3109А, КТ3109Б, КТ3109В – смотреть КТ3114Б-6, КТ3114В-6 – смотреть КТ3115А-2, КТ3115В-2, КТ3115Г-2, КТ3115Д-2 – смотреть КТ3117А-1 – смотреть КТЗП7А, КТ3117Б – смотреть КТ312А, КТ312Б, КТ312В – смотреть КТ3120АМ – смотреть КТ3121А-6 – смотреть КТ3122А, КТ3122Б – смотреть КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 – смотреть КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ – смотреть КТ3126А, КТ3126Б – смотреть КТ3126А-9 – смотреть КТ3127А – смотреть КТ3128А – смотреть КТ3128А-1, КТ3128Б-1 – смотреть КТ3128А-9 – смотреть КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9 – смотреть КТ313А, КТ313Б – смотреть КТ313А-1, КТ313Б-1, КТ313В-1, КТ313Г-1 – смотреть КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9 КТ3130Ж-9 – смотреть КТ3132А-2, КТ3132Б-2, КТ3132В-2, КТ3132Г-2, КТ3132Д-2, КТ3132Е-2 – смотреть КТ3139А, КТ3139Б, КТ3139В, КТ3139Г – смотреть КТ314А-2 – смотреть КТ3140А, КТ3140Б, КТ3140В, КТ3140Г, КТ3140Д – смотреть КТ3142А – смотреть КТ3145А-9, КТ3145Б-9, КТ3145В-9, КТ3145Г-9, КТ3145Д-9 – смотреть КТ3146А-9, КТ3146Б-9, КТ3146В-9, КТ3146Г-9, КТ3146Д-9 – смотреть КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н – смотреть КТ315А-1, КТ315Б-1, КТ315В-1, КТ315Г-1, КТ315Д-1, КТ315Е-1, КТ315Ж-1, КТ315И-1, КТ315Н1, КТ315Р1 – смотреть КТ3150Б-2 – смотреть КТ3151А-9, КТ3151Б-9, КТ3151В-9, КТ3151Г-9, КТ3151Д-9, КТ3151Е-9 – смотреть КТ3153А-9 – смотреть КТ3153А-5 – смотреть КТ3157А – смотреть КТ316А, КТ316Б, КТ316В, КТ316Г, КТ316Д – смотреть КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ, КТ316ГМ, КТ316ДМ – смотреть КТ3165А – смотреть KT3165A-9 – смотреть КТ3166А – смотреть КТ3168А-9 – смотреть КТ3169А-9 – смотреть
|
Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal
Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.
Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.
Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).
1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А — коэффициент усиления с общей базой.
Fmax — максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp — коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы — все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 — 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 — 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 — 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 — 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 — цилиндрический «патрончик», соединенный с базой и два коротких
вывода — коллектор и эмиттер.
С3, С4 — корпус как у П6 или П13-П15.
2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная — вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная — пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная — в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная — близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная — в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).
Далее B — коэффициент усиления в схеме тока базы.
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 — 10 100 250
П2А 5 50 >9 — 10 100 250
П2Б 10 25 >9 — 25 50 250
Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 — 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 — 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 — 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25
Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ — П4ДЭ.
Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 — транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 — замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 — в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.
Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.
Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А — для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А — шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.
Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном — со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А — для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А — ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба — МП42-МП42Б.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.
П19 — см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б — спецприменения, остальные ширпотребовские.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 — — >5 1 1000(имп) 40 100
П23 — — >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 — малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 — импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 — — >25 4,5 100 10 30
П31А — — >45 4,5 100 10 30
П32 — — >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.
П33-П34 — симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа «замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 — там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.
Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)
Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп — макс.ток в импульсном режиме)
Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 — pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.
Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 — — >20 1 20 10 150
П108А — — 13-25 1 20 10 150
П109 — — 13-25 2 20 10 150
П109 — — >15 3 20 10 150
П108-П110 — недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.
Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150
Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 — 25 40 100
П207А 10 2 >15 — 25 40 100
П208 10 2 >15 — 25 60 100
П208А 10 2 >15 — 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 — 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.
П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А — малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 — 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 — результат совершенствования и замена П201-П203.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 — 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г — результат совершенствования и замена П4.
Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10
Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 — то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500
Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500
Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И — П601И-П602АИ)
П604 — — >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А — — 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б — — 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 — выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 — 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 — 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.
Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение — усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5
Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10
Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее — тем лучше.
Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая — введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце — буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент — буква П.
Втоpой элемент — цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 — маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 — маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 — мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 — мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 — маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 — маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 — мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 — мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).
Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.
Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.
Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).
Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.
Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.
В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.
Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.
% PDF-1.6 % 423 0 объект > эндобдж xref 423 104 0000000016 00000 н. 0000003135 00000 п. 0000003361 00000 н. 0000003388 00000 н. 0000003438 00000 п. 0000003493 00000 н. 0000003542 00000 н. 0000003582 00000 н. 0000003618 00000 н. 0000003828 00000 н. 0000003909 00000 н. 0000003988 00000 н. 0000004068 00000 н. 0000004147 00000 н. 0000004226 00000 п. 0000004305 00000 н. 0000004384 00000 п. 0000004463 00000 н. 0000004541 00000 н. 0000004619 00000 н. 0000004697 00000 н. 0000004775 00000 н. 0000004853 00000 н. 0000004931 00000 н. 0000005008 00000 н. 0000005311 00000 п. 0000006034 00000 н. 0000006776 00000 н. 0000007407 00000 н. 0000007815 00000 н. 0000008205 00000 н. 0000008242 00000 н. 0000008298 00000 н. 0000008697 00000 н. 0000008948 00000 н. 0000009051 00000 н. 0000009320 00000 п. 0000009473 00000 н. 0000014049 00000 п. 0000014309 00000 п. 0000014678 00000 п. 0000014973 00000 п. 0000024875 00000 п. 0000025994 00000 п. 0000026763 00000 н. 0000027557 00000 п. 0000028461 00000 п. 0000028563 00000 п. 0000029342 00000 п. 0000029860 00000 п. 0000030117 00000 п. 0000031129 00000 п. 0000032275 00000 п. 0000033391 00000 п. 0000416655 00000 н. 0000439665 00000 н. 0000459197 00000 н. 0000487632 00000 н. 0000488213 00000 н. 0000488747 00000 н. 0000488862 00000 н. 0000531164 00000 н. 0000531203 00000 н. 0000531744 00000 н. 0000531880 00000 н. 0000583374 00000 н. 0000583413 00000 н. 0000583951 00000 н. 0000584077 00000 н. 0000608226 00000 н. 0000608265 00000 н. 0000753001 00000 п. 0000753059 00000 н. 0000753180 00000 н. 0000753270 00000 н. 0000753410 00000 п. 0000753504 00000 н. 0000753635 00000 н. 0000753746 00000 н. 0000753884 00000 н. 0000753989 00000 н. 0000754107 00000 н. 0000754268 00000 н. 0000754389 00000 н. 0000754539 00000 н. 0000754648 00000 н. 0000755231 00000 п. 0000755333 00000 п. 0000755472 00000 н. 0000755611 00000 н. 0000755762 00000 н. 0000755885 00000 н. 0000755974 00000 п. 0000756153 00000 н. 0000756274 00000 н. 0000756433 00000 н. 0000756550 00000 н. 0000756695 00000 н. 0000756817 00000 н. 0000756928 00000 н. 0000757040 00000 п. 0000757140 00000 н. 0000757236 00000 н. 0000002376 00000 н. трейлер ] / Назад 2303527 >> startxref 0 %% EOF 526 0 объект > поток h ތ R_HSa’5hS + Rh3 + RZKVE] _jE4! B% aJlA FQD6 +; w
Обозначение транзистора MP39 на схемах.Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — Германия, усиливающие низкочастотные низкочастотные, p-N-P структуры.
Корпус металлический приподнятый с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка в алфавитном порядке цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413.
МП40 — 2Н104.
MP41 Возможный аналог — 2N44A
MP42 Возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 , MP39B в диапазоне от 20 до 60 .
В транзисторах МП40, МП40А — из 20 до 40 .
В транзисторах МП41 — из 30 до 60 , Mp41a — из 50 до 100 .
В транзисторах МП42 — из 20 до 35 , Мп42а — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. В транзисторах МП39, МП40 — 15 дюймов
In транзисторы MP40A — 30 дюйм.
В транзисторе МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм
Предельная частота передачи тока
Транзистор (Fh31E) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц на транзисторах МП39, МП39А.
До 1 МГц на транзисторах МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц имеет транзисторы MP42A.
До 2 МГц на транзисторах МП42.
Максимальный ток коллектора. – 20 ма постоянный 150 мА — пульсирующий.
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия не более — 15 ICA.
Обратный ток эмиттера при эмиттере-базе 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия не более — 30 ICA.
Переходный коллектор емкости при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 ПФ.
Коэффициент собственного шума — на МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5В и токе эмиттера 0,5 мА при частоте 1 кГц — не более 12 дБ.
Рассеянная коллекторная мощность. MP39, MP40, MP41 — 150 мВт.
MP42 — 200 мВт.
Когда-то транзисторы этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструкторов для начинающих.MP39-MP42 со своими, довольно крупными габаритами, длинными гибкими выводами и простым подборщиком (Cocoovka) идеально для этого подходит. Кроме того, довольно большой обратный ток позволял им работать в цепи с общим эмиттером, без дополнительных смещений. Те. — Собирался действительно самый простой усилитель, На одном транзисторе , без резисторов. Это позволило значительно упростить схемы на начальных этапах проектирования.
Кодольв транзистор МП41
Обозначение транзистораМП41 в схемах
На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.
Характеристики транзистора МП41
- Конструкция п-н-п
- 15 * (10к) дюйм
- 20 (150 *) ма
- 0.15 Вт.
- 30 … 60 (5 В; 1 мА)
- Обратный ток коллектора
- > 1 * МГц
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
- Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
- Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 дюйм; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — MCA
- Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц
Кодолка транзистор МП42.
Обозначение транзистораМП42 на схемах
На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.
Характеристики транзистора МП42.
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
- Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
- Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 дюйм; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — MCA
- Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — Германия, усилитель низкочастотный низкочастотный, структуры П-Н-П.
Корпус металлический приподнятый с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка в алфавитном порядке цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413.
МП40 — 2Н104.
MP41 Возможный аналог — 2N44A
MP42 Возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 , MP39B в диапазоне от 20 до 60 .
В транзисторах МП40, МП40А — из 20 до 40 .
В транзисторах МП41 — из 30 до 60 , Mp41a — из 50 до 100 .
В транзисторах МП42 — из 20 до 35 , Мп42а — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. В транзисторах МП39, МП40 — 15 дюймов
In транзисторы MP40A — 30 дюйм.
В транзисторе МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм
Предельная частота передачи тока
Транзистор (Fh31E) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц на транзисторах МП39, МП39А.
До 1 МГц на транзисторах МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц имеет транзисторы MP42A.
До 2 МГц на транзисторах МП42.
Максимальный ток коллектора. – 20 ма постоянный 150 мА — пульсирующий.
Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия не более — 15 ICA.
Обратный ток эмиттера при эмиттере-базе 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия не более — 30 ICA.
Переходный коллектор емкости при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 ПФ.
Коэффициент собственного шума — на МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5В и токе эмиттера 0,5 мА при частоте 1 кГц — не более 12 дБ.
Рассеянная коллекторная мощность. MP39, MP40, MP41 — 150 мВт.
MP42 — 200 мВт.
Когда-то транзисторы этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструкторов для начинающих.MP39-MP42 со своими, довольно крупными габаритами, длинными гибкими выводами и простым подборщиком (Cocoovka) идеально для этого подходит. Кроме того, довольно большой обратный ток позволял им работать в цепи с общим эмиттером, без дополнительных смещений. Те. — Собирался действительно самый простой усилитель, На одном транзисторе , без резисторов. Это позволило значительно упростить схемы на начальных этапах проектирования.
Кодольв транзистор МП41
Обозначение транзистораМП41 в схемах
На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.
Характеристики транзистора МП41
- Конструкция п-н-п
- 15 * (10к) дюйм
- 20 (150 *) ма
- 0.15 Вт.
- 30 … 60 (5 В; 1 мА)
- Обратный ток коллектора
- > 1 * МГц
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
- Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
- Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 дюйм; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — MCA
- Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц
Кодолка транзистор МП42.
Обозначение транзистораМП42 на схемах
На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией от середины символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.
Характеристики транзистора МП42.
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
- Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
- Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 дюйм; 10 мА)
- Обратный ток коллектора — MCA
- Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц
Усилитель мощности низкочастотный на германских транзисторах P213, принципиальная схема которого приведена на рис.1, может использоваться для воспроизведения грампсы, как низкочастотной части приемника (от гнезд GNS, GN4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптируемых музыкальных инструментов (от гнезд GN1, GN2).
- Чувствительность усилителя от НЭС СНЭС, GN2 — 20 мВ, от розеток GN3, GN4 — не хуже 250 мВ;
- Выходная мощность на нагрузку 6,5 ОМ -2Вт;
- коэффициент нелинейных искажений 3%;
- Полоса воспроизводимых частот 60-12 000 Гц;
- В режиме тишины усилитель потребляет ток порядка 8 мА, а в режиме максимальной мощности — 210 мА. Усилитель
- может питаться как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 В.
Принципиальная схема
Как видно концепт Первая ступень усиления собрана на малошумном транзисторе МП39Б (Т1) по схеме с общим эмиттером. Усиленный сигнал поступает на потенциометр R1, от двигателя которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 низкочастотный сигнал попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя является резистор R5.
Делитель напряжения R3, резистор R4 и R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на транзисторе T1 немного зависимым от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь DOC.
При повышении температуры ток в цепи эмиттера увеличивается, и на резисторе R6 увеличивается падение напряжения. В результате напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что предотвращает дальнейшее увеличение тока эмиттера.Второй тактный каскад также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе MP39B (Т2).
Для уменьшения зависимости параметров этого каскада от температуры применяется комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Напряжение, усиленное первым каскадом, подается на вход второго каскада через разделительный конденсатор C2. Нагрузкой транзистора Т2 служит резистор R7.
Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3.Нагрузка каскада — резистор RI8. Связь между вторым и третьим каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.
Выходной каскад усилителя работает в классном режиме на последовательно-параметрической диаграмме. Главное преимущество усилителей этого класса перед усилителями класса А — это высокий КПД.
При создании обычных усилителей низкой частоты перед радиолюбителями стоит задача изготовления переходных и выходных трансформаторов.Малогабаритные трансформаторы с пермаллоевым сердечником довольно сложны в изготовлении. Кроме того, трансформаторы снижают общий КПД и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.
Недавно были разработаны каскады выходного дня без трансформаторов — с квазифазовой симметрией, то есть с использованием транзисторов, которые имеют дифференциальные переходы и дополняют друг друга для возбуждения двухтактного усилителя.
Трансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары комплементарных симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предварительном каскаде усиления.В зависимости от полярности сигнала, подаваемого с коллектора транзистора T3, разблокируется один (T4), затем другой (T5) транзистор. При этом открываются связанные транзисторы Т6, Т7. Если усиленный сигнал имеет отрицательную полярность на коллекторе транзистора T3, транзисторы T4, T6 открываются, если сигнал имеет положительную полярность, открываются транзисторы T5 и T7.
Постоянная составляющая коллекторного тока, проходя через термостабилизирующий диод D1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, при этом Т5 выполняет функции фазоинверторов.Такое смещение позволяет устранить характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при малых токах базы.
Резисторы R22, R23 снижают влияние вариации параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы каскада. Конденсатор С9 разделительный.
Для уменьшения нелинейных искажений усилительных каскадов на транзисторах Т3 — Т7, напряжение которых снимается с выхода оконечного усилителя и через базу R17, C8, R16, R15, C6, R14 подается на база транзистора Т3.В этом случае переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тона в области низких частот, а потенциометр R15 — в области высоких частот.
Если регулировка тембра не требуется, то детали R14 — R17. C6, C8 из схемы исключен. Цепная обратная связь В этом случае образуется резистор R0 (на рис. 1 эта цепочка изображена пунктирной линией).
Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «А» (поддерживающее напряжение) должно быть равно половине напряжения источника питания.Это достигается соответствующим выбором сопротивления резистора Ri8. Стабилизация поддерживающего напряжения обеспечивается цепью отрицательной обратной связи по постоянному току.
Как видно из схемы, точка «А» на выходе усилителя подключена к базе транзистора ТК с резистором R12. Наличие этого соединения автоматически поддерживает напряжение в точке «А», равное половине напряжения источника питания (в данном случае равное BA).
Для нормальной работы усилителя также необходимо, чтобы на транзисторах Т4, Т5 и Т6 было меньше обратного тока.Увеличение коэффициента усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должны лежать в пределах 40-60; причем транзисторы могут иметь разные коэффициенты усиления Н. Необходимо только, чтобы требовалось равенство h5 * HB = H5 * H7.
Детали и установка
Установка усилителя производится на гитеинаксе панель толщиной 1 — 1,5 мм. Размер платы во многом зависит от области применения усилителя. Транзисторы P213B для обеспечения хорошего теплоотвода комплектуются радиаторами с общей поверхностью охлаждения не менее 100 см2.
Питание усилителя возможно от батареи напряжением 12 В, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батареек для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется выпрямителем, собранным по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).
Как уже было сказано выше, при работающем усилителе потребляемый ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания неизбежно вызывают изменение значения питающего напряжения, что может привести к нежелательным замыканиям в усилителе и искажению сигнала.Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.
В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилизатор D5. Этот стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 мА обеспечивает стабильное напряжение 12 В, а амплитуда пульсаций не превышает 5 мВ. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет падения напряжения на транзисторе Т2.
Это падение зависит от смещения на базе транзистора T2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (RNAG).
Транзистор Т2 установлен на радиаторе. Выпрямитель помещен в ящик размером 60х90х130 мм, который изготовлен из листовой стали толщиной 1 мм.
Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш22, толщина комплекта 25 мм. Обмотка I (127 В) содержит 2650 витков провода PAL 0,15, обмотка II (220 В) — 2190 витков PAL 0,12 витка, обмотка III — 420 витков PAL 0,55.
Регулировка
Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу же начинает работать.Подключив блок питания (12 В), резисторы R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, предварительно отключенный от коллектора транзистора Т2, на усилитель поступает входное напряжение от звукового генератора (0,2 В, частота 1000 Гц).
Цепь обратной связи в точке «b» должна быть разорвана. Контроль за формой выходного напряжения осуществляется с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если наблюдаются большие «ступеньки» на стыках полуфут, необходимо уточнить номинал резистора R19.
Подбирается с минимальными искажениями, которые при включении цепи обратной связи практически полностью исчезают. Создание других каскадов не отличается никакими особенностями. В случаях, когда чувствительность порядка 250 мВ требует усилителя, первые два каскада на транзисторах T1, T2 из схемы могут быть исключены.
Низкочастотный. Транзисторы из сплава Германия — N — r MP39B, MP40A, MP41A используются для работы в схемах низкого уровня усиления и выпускаются в металлическом корпусе (рис.56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 109.
Кремниевые транзисторы RNR МП 114, МП 115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до + 100 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 110.
Рис. 56. Коколевка И.размеры транзисторов МП39Б, МП40А, МП41А (А) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой
Рис. 57. Коколы и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116
.Таблица 109.
Коллектор обратного тока, MCA, с U к b = — 5 В и температурой, ° С:
20 …………… 15
70 …………… 300
Обратный ток эмиттера, MCA, при u эб = — 5 в 30
Наибольший токоприемник постоянного тока, млн лет 20
Емкость коллектора, ПФ, при У К6 = 5 В и
f = 500 кГц ………….. 60
Самый большой коллектор импульсного тока,
мА, с I ESR
Выходная проводимость, мкм, при i э = 1 мА,
U «B = 5 В и F = 1 кГц ………. 3,3
База сопротивления, Ом, при i э = 1 мА,
U КБ = 5 В и F = 500 кГц……… 220
Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре, ° C:
55 …………… 150
70 ……………. 75
Отрицательное напряжение U e v, дюйм …. 5
Таблица 110.
Коллектор обратного тока, мА, при U К = 30 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно … 10 и 400
Обратный ток эмиттера MCA при u эб = — 10 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно.. . — 10 и 200
Входное сопротивление, Ом, на схеме с ОВ при LU = — 50 В, I э = 1 мА, F = 1 кГц ……. 300
Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при 70 ° C …………….. 150
Среднечастотный. Транзисторы PNR КТ203 (A, B, B) предназначены для усиления и генерации колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58) , весом 0.5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.
Рис. 58. Кодолка и габаритные размеры транзисторов CT203A — в
Таблица 111.
Коллектор обратного тока, MCA, с наибольшим обратным напряжением и температурой 25 и 125 ° C соответственно …………… 1 и 15
Обратный ток эмиттера, MCA, при u э 6 = — 30 В.10
Емкость коллекторного перехода, ПФ, при U на b = 5 В и F = 10 МГц …………. 10
Ток коллектора, мА: Постоянный ………….. 10
импульсных ………….. пятьдесят.
Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА …………….. 10
Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 ° C ……… v.. 150.
* Для транзисторов Кт203А — К.Т203В напряжением мкК Q. соответствуют сумме 50, 30 в 15 В,
Высокая частота . Транзисторы преобразования R-N-R GT321
(А — Д) выпускается в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены на рис. Таблица. 112.
РаспиновкаMp39. Транзисторы малой мощности
Низкочастотный усилитель мощности на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена на рис.1, может использоваться для воспроизведения грампластинки, как низкочастотная часть приемника (с разъемов GNZ, GN4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптированных музыкальных инструментов (с разъемов GN1, GN2).
- Чувствительность усилителя от гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мВ, от розеток Гн3, Гн4 — не хуже 250 мВ;
- Выходная мощность при нагрузке 6,5 Ом -2 Вт;
- коэффициент нелинейных искажений — 3%;
- Диапазон частот 60-12 000 Гц;
- В бесшумном режиме усилитель потребляет ток около 8 мА, а в режиме максимальной мощности — 210 мА.
- Питание усилителя возможно как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 В.
Принципиальная схема
Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на малошумящем транзисторе MP39B (T1) по схеме с общим эмиттером. Усиленный сигнал поступает на потенциометр R1, с двигателя которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 низкочастотный сигнал попадает на базу транзистора.Нагрузкой первого каскада усилителя является резистор R5.
Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора T1 мало зависимым от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.
С повышением температуры ток в цепи эмиттера увеличивается, а падение напряжения на резисторе R6 увеличивается. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что предотвращает дальнейшее увеличение тока эмиттера.Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе MP39B (T2).
Для уменьшения температурной зависимости параметров этого каскада используется комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Напряжение, усиленное первым каскадом, поступает на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 является резистор R7.
Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3.Нагрузка каскада — резистор RI8. Связь между второй и третьей каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.
Выходной каскад усилителя работает в режиме класса B последовательно-параллельно. Главное преимущество усилителей этого класса перед усилителями класса А — высокий КПД.
При разработке обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов.Малогабаритные трансформаторы с сердечником из пермаллоя изготовить довольно сложно. Кроме того, трансформаторы снижают общий КПД и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.
Недавно были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазикомплементарной симметрией, то есть с использованием транзисторов, имеющих разные типы переходов и дополняющих друг друга, для возбуждения двухтактного усилителя.
Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары комплементарных симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предварительном каскаде усиления.В зависимости от полярности сигнала, поступающего с коллектора транзистора T3, разблокируется один (T4) или другой (T5) транзистор. При этом связанные с ними транзисторы Т6, Т7 открываются. Если усиленный сигнал имеет отрицательную полярность на коллекторе транзистора Т3, транзисторы Т4, Т6 открываются, если сигнал имеет положительную полярность, транзисторы Т5 и Т7 открываются.
Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод D1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов.Это смещение устраняет характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при низких базовых токах.
Резисторы R22, R23 уменьшают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада. Конденсатор С9 Изоляция.
Для уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 покрываются отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и подается по цепочке R17, C8, R16, R15. , C6, R14 на базу транзистора T3.В этом случае переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низких частот, а потенциометр R15 — в области высоких частот.
Если регулировка тона не требуется, детали с R14 по R17. C6, C8 исключены из схемы. Цепь обратной связи в этом случае образована резистором R0 (на рис. 1 эта цепь показана пунктирной линией).
Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания.Это достигается соответствующим подбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи постоянного тока.
Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя подключена к цепи базы транзистора ТК с помощью резистора R12. Наличие этого соединения автоматически поддерживает напряжение в точке «а», равное половине напряжения источника питания (в данном случае равному ba).
Для нормальной работы усилителя также необходимо, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели минимально возможный обратный ток.Коэффициент усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должен быть в диапазоне 40-60; при этом транзисторы могут иметь разные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hb = h5 * h7.
Детали и установка
Усилитель монтируется на гетинакс-панели толщиной 1-1,5 мм. Размеры платы во многом зависят от области применения усилителя. Для обеспечения хорошего теплоотвода транзисторы P213B комплектуются радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.
Усилитель может питаться от 12-вольтовой батареи, собранной из ячеек Сатурна или от батареек для фонарика. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется выпрямителем, собранным по мостовой схеме на четырех диодах D1-D4 с емкостным фильтром через регулятор напряжения (рис. 2).
Как было сказано выше, во время работы усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широком диапазоне. Внезапные колебания тока неизбежно вызовут изменение величины напряжения питания, что может привести к нежелательным соединениям в усилителе и искажению сигнала.Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.
В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон D5. При стабилизации тока нагрузки от 5 до 400 мА этот стабилизатор обеспечивает стабильное напряжение 12 В, а амплитуда пульсаций не превышает 5 мВ. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет падения напряжения на транзисторе Т2.
Эта разница зависит от смещения на базе транзистора T2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rnag).
Транзистор Т2 установлен на радиаторе. Выпрямитель помещен в ящик размером 60X90X130 мм, который изготовлен из листовой стали толщиной 1 мм.
Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина комплекта 25 мм. Обмотка I (на 127 В) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 В) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.
Регулировка
Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать.Подключив блок питания (12 В), резисторы R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, предварительно отключенный от коллектора транзистора Т2, на вход усилителя поступает напряжение с генератора звука (0,2 В, частота 1000 Гц).
Цепь обратной связи в точке «b» должна быть разорвана. Контроль формы выходного напряжения наблюдается с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на переходах полуволн наблюдаются большие «ступеньки», необходимо уточнить номинал резистора R19.
Подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи практически полностью исчезают. Создание других каскадов ничем не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мВ, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 могут быть исключены из схемы.
В журналах UT № 9 и № 10 за 1970 год мы говорили о простых приемных детекторах. Такие приемники позволяют слышать в наушниках сигналы мощных и близко расположенных радиостанций.
Сегодня вы познакомитесь с простейшим усилителем на транзисторе, а также узнаете, что нужно сделать, чтобы ресивер стал еще лучше и как «научить» его принимать больше программ с увеличенной громкостью.
Итак, УРОК 3.
ЧТО ТАКОЕ ТРАНЗИСТОР
Прежде всего нам понадобится транзистор. Это небольшое электронное устройство размером чуть больше горошины выполняет ту же роль, что и усилительная лампа. «Сердце» транзистора — миниатюрная полупроводниковая пластина (германий или кремний) с двумя вмонтированными в нее электродами.Один из электродов называется эмиттером, другой — коллектором, а пластина — базой (рис. 1).
Если на базу транзистора подать слабый электрический сигнал, то в цепи коллектора появится мощная «копия». Получается, что полупроводниковый триод работает как усилитель. Отношение, которое показывает, во сколько раз изменение тока коллектора превышает изменение тока в цепи базы, называется коэффициентом усиления транзистора по току и обозначается буквой P (бета).Вы уже догадались, что чем больше коэффициент | 3, тем больше коэффициент усиления триода.
e Для усилителя низкой частоты подходят маломощные транзисторы типа MP39-MP42 или аналогичные триоды P13-P16 с любым буквенным индексом. Важно, чтобы их коэффициент
текущий прирост был не менее 30–40.
В схему усилителя (рис. 2), кроме транзистора Т, входят резистор R, конденсатор С и электромагнитный телефон Тлф.
Резистор R подключен между базой транзистора и минусом батареи.Он подает напряжение на базу и создает необходимый режим работы триода. Его сопротивление составляет 200-300 кОм и зависит от параметров транзистора.
Конденсатор C называется изоляционным. Он передает звуковые сигналы, но блокирует путь постоянного тока между базой и положительной клеммой аккумулятора.
Постоянный резистор R может быть любого типа. Однако лучше включать в схемы транзисторов малогабаритные устройства типа УЛМ или МЛТ 0,125. Конденсатор емкостью 0.047 мкФ типа К Ю-7 или МБМ, а также электромагнитный телефон (наушник) типа ТЛ-ТОН-1 или ТОН-2 с высокоомной звуковой катушкой.
Соберите схему усилителя на плате из картона или фанеры размером 50Х30 мм (рис. 3).
Транзисторы очень чувствительны к высоким темам
пература. Паять нужно быстро и уверенно, чтобы не перегреть триод. Клеммы устройства не должны изгибаться ближе 10 мм от корпуса, а их длина должна быть не менее 15 мм.
Настройка усилителя сводится к проверке режима работы транзистора. Подбирая величину сопротивления резистора R, устанавливаем ток коллектора Ti равным 0,8 — 1 мА. Измеритель должен быть включен между гнездом для наушников и минусом батареи. Если у вас нет миллиамперметра или тестера, то вы можете выставить нужный триодный режим на максимальную громкость и хорошее качество звука в телефоне.
Итак, вы собрали транзисторный усилитель низкой частоты.Подключите микрофон к его входным разъемам
.Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усиливающие маломощные низкочастотные p-n-p структуры.
Стекло-металлический корпус с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка буквенно-цифровая, сбоку на корпусе.
Существуют зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 MP39B диапазоны от 20 до 60 .
Для транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
Транзисторы МП41 — из 30 до 60 , МП41А — из 50 до 100 .
для транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Транзисторы МП39, МП40 — 15 дюйм.
Транзисторы MP40A — 30 дюйм.
Транзистор МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм
Предел текущей частоты передачи
Транзистор (fh31e) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц для транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц для транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц для транзисторов МП42А.
До 2 МГц для транзисторов МП42.
Максимальный ток коллектора. – 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.
Коллектор обратный ток при напряжении коллектор-база 5 В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия, не более 15 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия, не более — 30 мкА.
Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.
Коэффициент минимального шума — для MP39B с напряжением коллектор-база 1,5 В и током эмиттера 0,5 мА на частоте 1 кГц — не более 12 дб
Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт
Когда-то транзисторами этой серии комплектовались широко распространенные наборы радиоконструкций для начинающих.Идеально для этого подошел MP39-MP42 с его довольно большими габаритами, длинными гибкими выводами и простой распиновкой (распиновкой). К тому же довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Те. — действительно собирался самый простой усилитель на одном транзисторе без резисторов. Это позволило существенно упростить схему на начальных этапах проектирования.
Распиновка транзистораMP41
Обозначение транзистора МП41 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.
Характеристики транзистора МП41
- Конструкция п-н-п
- 15 * (10к) В
- 20 (150 *) мА
- 0.15 Вт
- 30 … 60 (5 В; 1 мА)
- Коллектор обратного тока
- > 1 * МГц
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц
Распиновка транзистора MP42
Обозначение транзистора МП42 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.
Характеристики транзистора МП42
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц
Низкая частота. Транзисторы из сплава германия — n — r MP39B, MP40A, MP41A используются для работы в схемах усиления низких частот и выпускаются в металлическом корпусе (рис.56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от -60 до +70 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 109.
Кремниевые транзисторы РНП МП 114, МП 115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от -55 до + 100 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 110.
Рис. 56. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой
Фиг.57. Распиновка и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116
.Стол 109
Обратный ток коллектора, мкА, при U К б = — 5 В и температуре, ° С:
20 …………… 15
70 …………… 300
Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30
Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20
Емкость коллектора, пФ, при У К6 = 5 В и
f = 500 кГц………….. 60
Самый большой коллектор импульсного тока,
мА, при I ESD
Выходная проводимость, мкСм, при I э = 1 мА,
U „b = 5 В и f = 1 кГц ………. 3,3
Сопротивление базы, Ом, при I э = 1 мА,
U кб = 5 В и f = 500 кГц ……… 220
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, ° С:
55 …………… 150
70 ……………. 75
Отрицательное напряжение U э в, В…. 5
Стол 110
Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно … 10 и 400
Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно. . . — 10 и 200
Входное сопротивление, Ом, в цепи с ОВ при LU = — 50 В, I э = 1 мА, f = 1 кГц ……. 300
Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70 ° С…………….. 150
Среднечастотный диапазон. Транзисторы РНП КТ203 (A, B, C) предназначены для усиления и генерации колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации, выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58). , массой 0,5 г, с рабочим диапазоном температур от — 60 до + 125 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 111.
Рис. 58. Распиновка и габаритные размеры транзисторов КТ203А — Б
.Стол 111
Обратный ток коллектора, мкА, при максимальном обратном напряжении и температуре 25 и 125 ° С соответственно…………… 1 и 15
Ток возврата эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10
Емкость коллекторного перехода, пФ, при U K b = 5 В и f = 10 МГц …………. 10
Ток коллектора, мА: постоянный ………….. 10
импульс ………….. пятьдесят.
Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА …………….. 10
Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 ° С ……… В.. 150
* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответственно 50, 30 при 15 В,
Высокая частота . Преобразователи pnp GT321
(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в таблице. 112.
Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усиливающие маломощные низкочастотные p-n-p структуры.
Стекло-металлический корпус с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка буквенно-цифровая, сбоку на корпусе.
Существуют зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413
MP40 — 2N104
MP41 возможный аналог — 2N44A
MP42 возможный аналог — 2SB288
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 MP39B диапазоны от 20 до 60 .
Для транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
Транзисторы МП41 — из 30 до 60 , МП41А — из 50 до 100 .
для транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер. Транзисторы МП39, МП40 — 15 дюйм.
Транзисторы МП40А — 30 дюйм.
Транзистор МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйм
Предел текущей частоты передачи
Транзистор (fh31e) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц для транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц для транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц для транзисторов МП42А.
До 2 МГц для транзисторов МП42.
Максимальный ток коллектора. – 20 мА постоянная 150 мА пульсирует.
Коллектор обратный ток при напряжении коллектор-база 5 В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия, не более 15 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия, не более — 30 мкА.
Емкость коллектора при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 пФ.
Коэффициент минимального шума — для MP39B с напряжением коллектор-база 1,5 В и током эмиттера 0,5 мА на частоте 1 кГц — не более 12 дб
Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт
U MP42 — 200 мВт
Когда-то транзисторами этой серии комплектовались широко распространенные наборы радиоконструкций для начинающих. Идеально для этого подошел MP39-MP42 с его довольно большими габаритами, длинными гибкими выводами и простой распиновкой (распиновкой).К тому же довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Те. — действительно собирался самый простой усилитель на одном транзисторе без резисторов. Это позволило существенно упростить схему на начальных этапах проектирования.
Распиновка транзистораMP41
Обозначение транзистора МП41 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.
Характеристики транзистора МП41
- Конструкция п-н-п
- 15 * (10к) В
- 20 (150 *) мА
- 0.15 Вт
- 30 … 60 (5 В; 1 мА)
- Коллектор обратного тока
- > 1 * МГц
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц
Распиновка транзистора MP42
Обозначение транзистора МП42 на схемах
На принципиальных схемах транзистор обозначен как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и числа (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора MP42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткая линия с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. На эмиттере есть стрелка, указывающая в сторону базы.
Характеристики транзистора МП42
- Конструкция п-н-п
- Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ZK) В
- Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 150 * мА
- Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора (с радиатором) 0.2 Вт
- Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 В; 10 мА)
- Коллектор обратного тока — мкА
- Частота отсечки коэффициента передачи тока в цепи общего эмиттера > 2 * МГц
404 — Vogt Ice
Найдено 88 РезультатовСтраница 1 из 0
Авиакомпании, обеспечивающие питание, казино, клубы / бары, тюрьмы / тюрьмы, круизные суда, речные суда -> Ледяные машины -> Ледяной ледяной ледяной бочонок -> Ледовые машины -> Трубный лед
19 июня 2017 г.
Рестораны, гостиницы, предприятия общественного питания, больницы, парки развлечений, концессии, пристани для яхт -> Ледяные машины -> Tube Ice
23 июня 2017 г.
Дисплей супермаркета -> Машины для льда -> Колотый лед
Обработка птицы, глазурь для морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Фрагментированные -> Более 26 тонн / день -> Аммиак (только нижняя сторона)
Обработка птицы, глазурь для морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Фрагментированные -> Более 26 тонн / день -> Аммиак (только нижняя сторона)
Завод фасованного льда -> Машины для льда -> Тубовый лед -> 3-10 тонн -> R404a
26 июня 2017 г.
Авиакомпании, обеспечивающие питание, казино, клубы / бары, тюрьмы / тюрьмы, круизные суда, речные суда -> Ледяные машины -> Ледяной ледяной ледяной бочонок -> Ледовые машины -> Трубный лед
19 июня 2017 г.
Рестораны, отели, предприятия общественного питания, больницы, парки развлечений, концессии, пристани для яхт -> Ледяные машины -> Tube Ice
23 июня 2017 г.
Дисплей супермаркета -> Машины для льда -> Колотый лед
Авиакомпании, обеспечивающие питание, казино, клубы / бары, тюрьмы / тюрьмы, круизные суда, речные суда -> Ледяные машины -> Ледяной ледяной ледяной бочонок -> Ледовые машины -> Трубный лед
19 июня 2017 г.
Рестораны, гостиницы, предприятия общественного питания, больницы, парки развлечений, концессии, пристани для яхт -> Ледяные машины -> Tube Ice
23 июня 2017 г.
Дисплей супермаркета -> Машины для льда -> Колотый лед
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная Глазурь, Выпечка / Конфеты, Химия -> Машины для льда -> Лед в трубках -> 5-10 Тонн -> R404a Птицеводство, Глазурь для морепродуктов, Упаковка для мяса, Глазурь для бетона, Хлебобулочные изделия / Конфеты , Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Колотый лед -> 5-10 тонн -> R404a
Завод фасованного льда -> Машины для льда -> Тубовый лед -> 3-10 тонн -> R404a
26 июня 2017 г.
Производство птицы, глазурь для морепродуктов, упаковка мяса, глазурь для бетона, выпечка / конфеты, химикаты -> машины для льда -> трубчатый лед -> 5-10 тонн -> аммиак (только низкая сторона) переработка птицы, глазурь для морепродуктов, упаковка мяса, бетон Глазурь, выпечка / конфеты, химикаты -> Машины для льда -> Колотый лед -> 5-10 тонн -> Аммиак (только с низкой стороны)
23 июня 2017 г.
Завод по производству фасованного льда -> Машины для льда -> Трубный лед -> 3-10 тонн -> Аммиак (только с нижней стороны)
26 июня 2017 г.
Обработка птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Лед без резака -> 13-125 тонн -> Аммиак (только с нижней стороны) Производство глазури -> Машины для льда -> Лед без резака -> 13-125 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона)
15 июня 2017 г.
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная Глазурь, Выпечка / Конфеты, Химия -> Машины для льда -> Лед в трубках -> 5-10 Тонн -> R404a Птицеводство, Глазурь для морепродуктов, Упаковка для мяса, Глазурь для бетона, Хлебобулочные изделия / Конфеты , Химическая промышленность -> Ледяные машины -> Колотый лед -> 5-10 тонн -> R404a
23 июня 2017 г.
Завод по производству фасованного льда -> Машины для льда -> Тубовый лед -> 3-10 тонн — R404a
26 июня 2017 г.
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> Завод по производству аммиачного льда -> Льдогенераторы -> Трубный лед -> 25- 50 Тонн -> Аммиак
22 мая 2017 г.
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> Завод фасованного аммиака -> Льдогенераторы -> Дробленый лед -> 25- 50 Тонн -> Аммиак
23 июня 2017 г.
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> Аммиак (только с низкой стороны) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Трубка Лед -> 25-50 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона)
15 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> Аммиак (только с низкой стороны) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Дробленый Лед -> 25-50 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Обработка птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, хлебобулочные / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Без резака -> 13-125 тонн -> Аммиак (только с низкой стороны) Производство глазури -> Машины для льда -> Без резака -> 13-125 тонн -> аммиак (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Производство птицы, глазурь для морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> R404a Производственная глазурь -> Ледогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонны -> R404a
22 мая 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная Глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> Глазурь для производства R404a -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонны -> R404a
23 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> R404a (Только низкая сторона) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Трубка Лед -> 25-50 тонн -> R404a (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Дробленый лед -> 25-50 Тонн -> R404a (Только нижняя сторона) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Дробленый Лед -> 25-50 тонн -> R404a (только нижняя сторона)
Птицеводство, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> Завод по производству аммиачного льда -> Льдогенераторы -> Трубный лед -> 25- 50 Тонн -> Аммиак
22 мая 2017 г.
Производство птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> Глазурь для производства аммиака -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонны -> Аммиак
23 июня 2017 г.
Птица, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химия -> Машины для льда -> Без резака -> 13-125 тонн -> Аммиак (только с низкой стороны) Завод по производству фасованного льда -> Машины для льда -> Без резака — > 13-125 тонн -> аммиак (только нижняя сторона)
15 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> R404a (Только низкая сторона) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Трубка Лед -> 25-50 тонн -> R404a (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Птица, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона) Производство глазури -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона)
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> Более 70 тонн -> Аммиак (только низкая сторона) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Трубный лед -> Более 70 тонн -> Аммиак (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Выпечка / Конфеты, Химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> Более 70 тонн -> Аммиак (только с низкой стороны) Производство глазури -> Машины для льда -> Колотый лед — > Более 70 тонн -> Аммиак (только нижний порог)
Производство птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> Завод по производству упакованного льда R404a -> Ледогенераторы -> Трубный лед -> 25- 50 тонн -> R404a
22 мая 2017 г.
Производство птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> Глазурь для производства R404a -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонны -> R404a
23 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Хлебобулочные / Конфеты, Химическая промышленность -> Льдогенераторы -> Трубчатый лед -> 25-50 Тонн -> R404a (Только низкая сторона) Завод по производству упакованного льда -> Льдогенераторы -> Трубка Лед -> 25-50 тонн -> R404a (только нижняя сторона)
23 июня 2017 г.
Птица, Глазурь из морепродуктов, Упаковка для мяса, Бетонная глазурь, Выпечка / Конфеты, Химическая промышленность -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 Тонн -> R404a (Только нижняя сторона) Производство глазури -> Машины для льда -> Колотый лед -> 25-50 тонн -> R404a (только нижняя сторона)
VT100 Стандартные характеристики VT100: 10000 фунтов «треснувшего льда» в день Хладагент R-404a Высокоэффективный компрессор Bitzer Удаленный конденсатор с воздушным охлаждением Кожухи Galvanneal Оттаивание горячим газом для быстрого сбора урожая и быстрого восстановления Двухстенный вертикальный трубчатый испаритель для максимальной эффективности и производительности Низкое техническое обслуживание подшипников ножа для точного размораживания при различных температурах окружающей среды VT100 Опции: Панель дистанционного управления Кожухи из нержавеющей стали Автономный агрегат Конденсатор с водяным охлаждением…
11 мая 2017 г.
Лед из бочки с водой -> Ледяные машины -> Треснувший лед
23 июня 2017 г.
Производство птицы, глазурь из морепродуктов, упаковка мяса, бетонная глазурь, выпечка / конфеты, химическая промышленность -> Машины для льда -> Треснувший лед -> 3-5 тонн / день -> R404a
Страница 1 из 0
Техническое описание
EK18 — Оценочный комплект для Sa18 Распиновка
ADTM40M : Интегрированная система разработки Atmel Fpga (идентификаторы).Поддерживает программирование для Atmel AT40K / AT40KAL и AT94KAL Серия устройств с программируемой интеграцией системного уровня (PSLI) на основе SRAM Поддерживает ISP (внутрисистемное программирование) для конфигурации Atmel серии AT17 EEPROM Встроенный источник синхронизации с установками перемычек GCLK / FCLK Поддерживает модульную платформу стыковки для дочерних плат ATDh50D FPGA Runs Off Portable.
ADXL05EM-1 : Оценочные модули Adxl50 / adxl05. Высокопроизводительные предварительно упакованные акселерометры Полная система измерения ускорения Одно- и многоосные версии Небольшие, недорогие, готовые к использованию Доступны полномасштабные диапазоны 25 г См. Лист данных ADXL150EM для модулей 10 г Работа +5 В с однополярным питанием Надежная промышленная упаковка с привинчивающимся креплением ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ Анализ вибрации, измерение наклона ,.
DSP16210 : Цифровой сигнальный процессор DSP16210. DSP16210 — первое устройство DSP, основанное на ядре цифровой обработки сигналов DSP16000. Он изготовлен по технологии CMOS 0,35 мкм и обеспечивает время цикла команды 10 нс при работе 3 В. Разработанное специально для приложений, требующих большого объема памяти, гибкой структуры ввода-вывода на основе DMA и высокой эффективности цикла, это устройство кодирования сигналов.
HL01R : Платы-> Другое. Регулируемый DC / DC преобразователь мощностью 1 Вт.G НИЗКАЯ СТОИМОСТЬ G НЕПРОВОДИТЕЛЬНЫЙ КОРПУС G ВНУТРЕННЯЯ ФИЛЬТРАЦИЯ ВХОДОВ И ВЫХОДОВ G ЗАЩИТА ОТ КОРОТКОГО ЗАМЫКАНИЯ G ВСТРОЕННЫЙ СТАНДАРТ G ОТРАСЛЕВЫЙ СТАНДАРТНЫЙ ВЫВОД В серии HL01R используется передовая конструкция схем и технология упаковки для обеспечения высочайшей надежности и производительности. Во входном каскаде используется двухтактный генератор 125 кГц. Проблемы генератора биений частоты.
K5A3240YTA : MCP-> на основе NOR. = K5A3240YTA 32M Bit (4Mx8 / 2Mx16) Dual Bank Nor Flash Memory / 4M (512Kx8 / 256Kx16) Full CMOS SRAM ;; Комбинация = 32M NOR + 4M Lpsram ;; Нормальная скорость (нс) = 80,85,90 ;; Загрузочный блок = верхний ;; Банк = 8М, 24М ;; Пакет = 69TBGA ;; Размер ПКГ (мм) = 8x11x1.2 ;; Статус производства = Eol ;; Комментарии = -.
MAX1676EVKIT : Оценивает: Max1676. Это высокоэффективный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный для портативных портативных устройств. Он принимает положительное входное напряжение от 5,5 В до более высокого выходного напряжения. MAX1676 включает в себя схему демпфирования (на BATT), которая подавляет звон индуктивности для уменьшения электромагнитных помех (EMI). Оценочный комплект MAX1676 (комплект электромобиля) полностью собран.
MAX2472EVKIT : Оценочные комплекты Max2472 / max2473.Оценочные комплекты MAX2472 / MAX2473 (комплекты EV) упрощают оценку буферов MAX2472 / MAX2473 VCO. Они позволяют проводить тестирование производительности и не требуют дополнительных схем поддержки. Все входы и выходы используют разъемы SMA для облегчения подключения испытательного оборудования RF. Комплект MAX2472 EV собирается с MAX2472 и обеспечивает вход с высоким сопротивлением.
MAX502AMRG / 883B : военный / аэрокосмический-> военный стандарт. 12-битные умножающие ЦАП с выходом напряжения.
MAX767EVKIT : Оценочный комплект для Max767.Оценочный комплект MAX767 (комплект EV) представляет собой полностью собранную и протестированную печатную плату для синхронного понижающего контроллера питания Maxim. Обеспечивая строго регулируемое выходное напряжение 3,3 В от источника входного напряжения 5 В, комплект EV содержит две отдельные полные цепи с эффективностью преобразования более 90%. Первая схема для поверхностного монтажа.
MX7541ATE / 883B : военный / аэрокосмический-> военный стандарт. КМОП 12-разрядный монолитный цифро-аналоговый преобразователь с умножением.
SA-1111 : Микропроцессорный чип Intel (r) Strongarm *.Микропроцессор Intel StrongARM * SA-1111 (SA-1111) в сочетании с микропроцессором Intel StrongARM * SA-1110 (SA-1110) добавляет множество функций для использования в высокопроизводительных портативных компьютерных системах. Этот сопутствующий чип выводит на новый уровень интеграции небольшие системы и позволяет создавать большие системы.
SIM-162CAN : LDM-> IN DOOR USED LDM. LDM, в дверях используется LDM.
VN820 : VIPower (вертикальная интеллектуальная мощность).Драйвер с высокой стороны. CMOS-СОВМЕСТИМЫЙ ВХОД ПРИ ОБНАРУЖЕНИИ ОТКРЫТОЙ НАГРУЗКИ В ОТКРЫТОМ СОСТОЯНИИ ОБНАРУЖЕНИЕ ОТКРЫТОЙ НАГРУЗКИ ЗАЩИТА ОТ КОРОТКОЙ НАГРУЗКИ ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ ЗАЩИТА ОТ ПОТЕРЯ ЗАЗЕМЛЕНИЯ ОЧЕНЬ НИЗКИЙ ТОК В РЕЖИМЕ РЕЖИМА РЕЖИМА VN820MRO 3 Техника, предназначенная для движения любого вида груза.
ACS706ELC-20A : Двунаправленный линейный датчик тока на основе эффекта Холла 1,5 мОм с изоляцией по напряжению и оптимизированным диапазоном измерения 5 / 20A Семейство датчиков тока Allegro ACS706 обеспечивает компактный форм-фактор и точные решения для измерения тока в промышленности, автомобилестроении, коммерции и т.д. и системы связи.Типичные области применения включают управление двигателем.
EMTCG176-3G : 176 КБ флэш-память для смарт-карт IC + Cryptography Engine EMTCG176-3G является членом семейства устройств Тесей, разработанных специально для приложений со смарт-картами. Это программное обеспечение, совместимое с микроконтроллером 8051 промышленного стандарта, чтобы гарантировать максимальную доступность квалифицированного программного обеспечения. Аппаратная реализация ядра — современный дизайн.
Mps6515 техническое описание транзистора книжная полка
Mps6515 транзистор техническое описание книжная полкаMps2222 техническое описание, mps2222 pdf, mps2222 техническое описание, руководство mps2222, mps2222 pdf, mps2222, datenblatt, электроника mps2222, alldatasheet, бесплатно, техническое описание.Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами. Mp6515 datasheet, mp6515 pdf, mp6515 datasheet, mp6515 manual, mp6515 pdf. Mps6515 datasheet, mps6515 datasheet, mps6515 pdf, схема mps6515. Продукты Motorola не предназначены, не предназначены и не авторизованы для использования в качестве компонентов в системах, предназначенных для хирургической имплантации в тело, или других приложениях, предназначенных для поддержки или поддержания жизни, или для любых других приложений, в которых возможен отказ. Mpsa55, mpsa56 6 информация для заказа отгрузка устройства mpsa05 на.Драйвер предусилителя для усилителя общего назначения Дарлингтона на кремниевом npn-транзисторе. Mps6571 — даташит, аналоги, поиск по ссылкам. C5242 datasheet 15a 230v усилитель мощности npn toshiba. Поиск путей копирования файла, участники выборки не могут получить участников в настоящее время. Mps65 — даташит, аналоги, поиск по перекрестным ссылкам. Mps6515 — параметры поиска по каталогам. Параметры испытаний mp39 mp39a min typ max min typ max единиц сопротивление, переменный ток, переход к корпусу 1 1. Микроэлектроника, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.
Mps2222 datasheet, mps2222 pdf, mps2222 data sheet, mps2222 manual, mps2222 pdf, mps2222, datenblatt, electronics mps2222, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas sheet, databook, free datasheet. Mps6515 выполнен в пластиковом корпусе to92. Mp39 mp39a 6 mp39u для связи со службой поддержки cirrus logic по всем вопросам и запросам о продукции Apex Precision Power, звоните по бесплатному телефону 8005462739 в Северной Америке. Это позволяет вам подобрать тип транзистора, который вам нужен. Mps6515 datasheet mps6515 npn усилитель общего назначения.Напряжение эмиттера мпса43 мпса42 vceo 200 300 vdc коллектор. Mps6515 mmbt6515 npn усилитель общего назначения 3 Это устройство разработано как усилитель общего назначения и переключатель. Полезный динамический диапазон расширяется до 100 мА в режиме 2 переключателя и до 100 МГц в качестве усилителя. Сообщите нам, если у вас есть известный дистрибьютор, чтобы мы могли добавить его в нашу базу данных, или запросите расценки у одного из наших партнеров.
Fairchild, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.Mps6515mmbt6515 npn усилитель общего назначения 3 это устройство разработано как усилитель общего назначения и переключатель. При использовании устройства в качестве эмиттерного повторителя с низким источником. Mps6515 datasheet, mps6515 pdf, mps6515 data sheet, mps6515 manual, mps6515 pdf, mps6515, datenblatt, электроника mps6515, alldatasheet, free, datasheet, datasheets. Mps6514 datasheet, mps6514 pdf, mps6514 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, центральный полупроводник, малосигнальный транзистор с выводами общего назначения. Переключающий транзистор pn4258 pnp это устройство предназначено для очень высокоскоростной насыщенной коммутации при токах коллектора до 100 мА.Силиконовый nchannel mos fet приложение Комплементарная пара низкочастотного усилителя мощности с 2sj160, 2sj161 и 2sj162 имеет хорошую частотную характеристику, высокую скорость переключения, широкую область, безопасную работу, режим повышения качества, хорошие дополнительные характеристики, оснащенные диодами защиты затвора, подходящими для звука. Усилитель общего назначения npn, лист данных mps6515, схема mps6515, лист данных mps6515. Mps6515 datasheet, pdf свинцовый малосигнальный транзистор. Пожалуйста, позвоните по телефону 1800rfparts 18007372787, чтобы узнать о доступности.Кремний npn тройного диффузионного типа, d718 pdf скачать toshiba, d718 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшие, схемы электронных компонентов, поиск и сайт бесплатной загрузки.
Mpsa18 npn усилитель общего назначения продолжал электрические характеристики ta 25c, если не указано иное характеристики символ параметр условия испытания мин макс единицы vbrceo напряжение пробоя коллектора передатчика ic 10 ма, ib 0 45 в vbrcbo напряжение пробоя базы коллектора ic 100 a, i e 0 45 v.Поставляется прибор в пластиковой упаковке сот54. Технический паспорт npn pnp mps6512 mps6516 mps65 mps6517 mps6514 mps6518 mps6515 mps6519 комплементарные кремниевые транзисторы jedec to92 описание корпуса центральные полупроводниковые серии npn и mps6516 серии pnp представляют собой литые эпоксидные кремниевые транзисторы малых сигналов общего назначения. Изучите технический паспорт, если транзистор настолько загадочен, что вы не можете обнаружить его. Бесплатные устройства, максимальные рейтинги, рейтинг, символ, единица измерения, коллектор.Cfw455h mps9426 транзистор c2310 c2310 транзистор ba243 эквивалент j fet rf каскодный вход коротковолнового радио. Denon avca1dn, denon avca1sr, denon avr4800, denon avr4802, denon avr4806bla, denon avr5308, denon avr5700, denon avr5803. К сожалению, нам не известны дистрибьюторы для stmicroelectronics mp34db02. Mpsa29 npn транзистор Дарлингтона сохранил электрические характеристики ta 25c, если не указано иное, характеристики символ параметр условия испытания мин. Макс. Единицы vbrces напряжение пробоя коллектора передатчикаic 100 a, ib 0 100 v vbrcbo напряжение пробоя коллекторной базы 100 a, то есть 0 100 v.Техническое описание C558b, c558b pdf, техническое описание c558b, техническое описание, техническое описание, pdf. 6 ноября 2015 г. c5242 datasheet 15a 230v npn power усилитель toshiba, c5242 datasheet, c5242 pdf, c5242 распиновка, эквивалент, данные c5242, c5242 схема, выход, ic. Mps6515 pdf, описание mps6515, даташиты mps6515. Mps6514 — параметры поиска по каталогам. Mps5172 транзистор общего назначения npn кремниевые особенности pb.
Подробную информацию о заказе и доставке см. В разделе «Размеры упаковки» на стр. 5 данной спецификации.Базовое напряжение mps918 mps3563 vcbo 30 30 vdc эмиттер. Транзисторы mp21b изготовлены из германиевого сплава со структурой pnp, переключаемыми, низкочастотными и маломощными. Бесплатные пакеты доступны максимальный рейтинг рейтинг символ npn pnp unit коллектор. Рейтинг применяется, если выходной ток между обоими выходными транзисторами чередуется со скоростью более 60 Гц. Чтобы найти нужный компонент, выполните поиск по номеру детали или посетите соответствующий отдел. Отмените подписку на транзистор mps, чтобы перестать получать обновления в ленте ebay.Спецификация mp39a идентична спецификации mp39 в соответствующем столбце слева. Базовое напряжение mpsa43 mpsa42 vcbo 200 300 vdc эмиттер. Серия транзисторов MPS для усилителей малой мощности и общего назначения. Fairchild, alldatasheet, datasheet, datasheet, поисковый сайт для. Mps8099 nte эквивалент nte123ap npn audio transisto. Mp34db02 stmicroelectronics техническое описание и модель cad.
Mpsa42, mpsa43 высоковольтные транзисторы npn кремниевые особенности это pb. Mps6515 datasheet, mps6515 pdf, mps6515 datasheet, datasheet, data sheet, pdf, центральный полупроводник, малосигнальный транзистор с выводами общего назначения.Напряжение эмиттера mps918 mps3563 vceo 15 12 vdc коллектор. Мы не знаем, когда и появится ли этот товар на складе. Digchip — поставщик поисковой системы по документации на интегральные схемы, а также его агент-дистрибьютор между покупателями и дистрибьюторами излишков товарных запасов. Если ваш вопрос требует информации о конструкции или устранении неполадок, отправьте электронное письмо, защищенное для быстрого ответа. Эта часть является эквивалентной заменой следующей. Denon 2710296005 mp1715 транзистор avr5700 на данный момент недоступен.Прямая замена для ba22 50 светодиодных кластеров, варианты обратной полярности, наличие линз из поликарбоната, среднее время наработки на отказ 100 000 часов. Mps2222, mps2222a 3 электрические характеристики ta 25c, если не указано иное, непрерывный характеристический символ min max переключение единиц. Mps42 — это высоковольтный эпитаксиальный кремниевый npn-транзистор для общих схем переключения и усиления. Многие веб-сайты дистрибьюторов начинают с десятков тысяч моделей транзисторов, и вы, заказчик, постепенно сокращаете их, фильтруя результаты по типу транзистора, напряжению смещения, усилению, пределам мощности и так далее.Npn усилитель общего назначения другие с тем же файлом для таблицы данных.
Получите ответы на свои вопросы от других клиентов, которые владеют этим продуктом или имеют опыт работы с ним. Микроэлектроника, кремниевые планарные эпитаксиальные транзисторы npn, все таблицы, таблицы данных, поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Бесплатные пакеты доступны максимальные рейтинги рейтинг символ значение единицы коллекционер. Транзисторы предназначены для применения в схемах переключения.
Это информация о продукте в полном производстве. C458 datasheet pdf, c458 pdf datasheet, эквивалент, схема, c458 datasheets, c458 wiki, транзистор, перекрестная ссылка, загрузка pdf, сайт бесплатного поиска, распиновка для поиска электронных компонентов и сайт бесплатной загрузки. Транзисторы npn общего назначения в небольшом корпусе поверхностного монтажа сот23 даташее пластика. Техническое описание сверхнадежных силовых транзисторов lp395 texas instruments. Планарные эпитаксиальные транзисторы npn, лист данных mps6515, схема mps6515, лист данных mps6515.Если эта ссылка на таблицу не работает, таблица все еще может быть доступна по адресу.
Скачать техническое описание mps6514 от Central Semiconductor. Это устройство обычно используется в схемах коммутации и усиления сигналов профессионального оборудования связи, такого как видеотелефоны. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, базы и коллектора. У нас есть все основные типы оборудования, такие как анализаторы спектра, генераторы сигналов, осциллографы, измерители мощности, логические анализаторы и т. Д. От.Сообщите нам, есть ли у вас известный дистрибьютор, чтобы мы могли добавить его в нашу базу данных, или запросите расценки у одного из них. Motorola закажите этот документ Технические характеристики полупроводников mps6571d усилитель транзистор npn кремний mps6571 коллектор 3 2 база 1 1 2 эмиттер 3 максимальные номинальные значения корпус 2904, стиль 1 to92 to226aa номинальный символ значение единица измерения напряжение передатчика vceo 20 в пост. Усилитель общего назначения mps6515 mmbt6515 npn 3 Данное устройство выполнено в общем виде.Внутренняя схема сброса генерирует импульс сброса, когда выход 1 опускается ниже регулируемого значения. Mp6515 datasheet, mp6515 pdf, mp6515 data sheet, mp6515 manual, mp6515 pdf, mp6515, datenblatt, electronics mp6515, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Mp34db02 stmicroelectronics datasheet и cad модель скачать. Mps918, mps3563 усилитель на транзисторах университет Рутгерса.
Npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Список транзисторов общего назначения неклассифицированного человека. Категория, дискретные транзисторы биполярные общего назначения npn.Техническое описание Mps94, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Вот изображение, показывающее схему контактов этого транзистора. Mps6521 npn mps6523 pnp mps6521 является предпочтительным устройством для транзисторов усилителя, характеристики напряжения и тока отрицательны для pnp-транзисторов pb. Mps65, mps6514, mps6515 лист данных trans gp bjt npn 30v. Npn усилитель общего назначения mpsl01 это устройство предназначено для универсальных усилителей высокого напряжения и управления газоразрядными дисплеями. Mps6515 транзистор техническое описание, pdf, эквивалент mps6515.Mps651 datasheet, mps651 pdf, mps651 data sheet, mps651 manual, mps651 pdf, mps651, datenblatt, электроника mps651, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Mpsa18 npn транзисторная электроника общего назначения тайда. Mps6515 npn транзистор комплементарный pnp, замена. Свинцовые малосигнальные транзисторы общего назначения другие с тем же файлом для таблицы данных. C5242 даташит 15a 230v npn усилитель мощности toshiba, c5242 datasheet, c5242 pdf, распиновка c5242, эквивалент, данные c5242, схема c5242, выход, ic.
F E F E — Cirrus Logic
Оценочные комплекты КОМПЛЕКТ ПОДДЕРЖИВАЕМЫХ ДЕТАЛЕЙ EK01 …………………………………. .SA01 ………………………………………… …………………………. 480 EK03 …………….. …………………… SA03 ……………………. ………………………………………….. …. 484 EK06 ………………………………….. SA60 .. ………………………………………….. ……………………… 487 EK07 ……………………………….. … SA07 ………………………………………. …………………………… 489 EK09 …………… …………………….. CE. (TO-3) ,. CR, .CU, .DC, .DD. (MO-127 ) .Упаковки ……… 492 EK11 ……………………………… …… PA90, .PA91, .PA98 ………………………………. ………………… 495 ЭК13 ……………………… ………….. PA241DF …………………………….. ………………………………. 497 EK14………………………………….. PA13, .PA16 …… ………………………………………….. …………. 499 ЭК15 …………………………….. …… SA08 ……………………………………. ……………………………… 501 EK16 ………… ……………………….. PA90, .PA91, .PA92, .PA93, .PA98 …….. ……………………….. 504 ЭК17 ………………. …………………. SA12 ……………………… ………………………………………….. .. 508 EK19………………………………….. PA94, .PA95 …… ………………………………………….. ………….. 511 EK21 ……………………………. ……. PA74 …………………………………… ………………………………. 513 ЭК27 ……….. ………………………… PA50, .PA52 ……………. ………………………………………….. … 517 EK28 ………………………………….. PA97DR … ………………………………………….. ………………… 520 EK29 ……………………………….. … PB51 ………………………………………. …………………………… 522 EK33 …………… …………………….. PA75CX ………………….. ………………………………………….. 525 EK34 ………………………………….. PA240CX ….. ………………………………………….. …………….. 527 EK42 …………………………. ………. PA15FL, .PA241DW ……………………………………………….. 529 EK50 …………………….. …………… PB50, .PB58 …………………………. ………………………………. 530 EK51 ……….. ………………………… DF.Packages. (24-pin.PSOP) ……… …………………………… 532 EK56 …………… …………………….. MSA240, .MSA260 ……………….. ……………………………….. 534 EK57 ………. …………………………. MP108, .MP111 …………… ………………………………………… 538 EK59 …………………………….. …… MP38, .MP39 …………………………………. ……………………… 542 EK60 ………………… ……………….. PA78EU ……………………….. ……………………………………… 546 EK61 … ……………………………….. PA78DK, .PA79DK …….. ………………………………………….. 549 EK65 ………………………………….. MP400 ….. …………………………………………………………….. 552 ЭК71 ……………………. ……………. PA107DP …………………………… ………………………………… 556 EK-SA50 ……. ………………………. SA50CE ………………… ………………………………………….. … 560 DB53R ……………………………….. SA53-IHZ …. ………………………………………….. ……………… 561 DB63R ………………………… …….. SA57-IHZ ……………………………………………………………… 566 DB64R ………….. …………………… SA306-IHZ ………………….. ……………………………………….. 571 DB303R. …………………………….. SA303-IHZ ………… ………………………………………….. …….. 576 Оценочные комплекты Оценочные комплекты 479 ABCDEFGHI
- Стр. 2 и 3: EK01 EK01. SA01 ВВЕДЕНИЕ Это e
- Стр. 4 и 5: EK01 РИСУНОК 3. ВЕРХНЯЯ СТОРОНА ПП SHDN B
- Стр. 6 и 7: EK03 EK03.SA03 ВВЕДЕНИЕ Это e
- Стр. 8 и 9: EK03 РИСУНОК 4. Печатная плата ВЕРХНИЙ СИГНАЛ ЗЕМЛЯ
- Стр. 10 и 11: EK06 РИСУНОК 2. ВЕРХНИЙ БОКОВОЙ СИГНАЛ ЗЕМЛЯ
- Стр. 12 и 13: EK07 На Рисунке 2 показан предлагаемый sim
- Стр. 14 и 15: EK09. CE. (TO-3) ,. CR, .CU ,. EK09 DC ,.
- Стр. 16 и 17: EK09. Рисунок 4. Детальный вид разъема
- Стр. 18 и 19: EK11 РИСУНОК 2. ВЕРХНЯЯ СТОРОНА ПП, AUX 1 B
- Стр. 20 и 21: EK13 HEATSINK HS24 CIRCUIT SIDE SUR
- Стр. 22 и 23: EK14 РИСУНОК 1.Печатная плата ВЕРХНЯЯ СТОРОНА ВНИЗ
- Стр. 24 и 25: СБОРКА EK15 Во время сборки см.
- Стр. 26 и 27: EK16 EK16. PA90, .PA91, .PA92, .PA93 ,.
- Стр. 28 и 29: EK16 РИСУНОК 2. ПОСТАВЛЯЕМЫЕ КОМПОНЕНТЫ
- Стр. 30 и 31: EK17 EK17. SA12 ВВЕДЕНИЕ Это e
- Стр. 32 и 33: EK17 Блок-схема SA12:
- Стр. 34 и 35: EK19 РИСУНОК 2. Верхняя сторона печатной платы AUX 1 B
- Стр. 36 и 37: EK21 Рисунок 2 2 1 13 3 4 C1 C2 R5 C
- Стр. 38 и 39: EK21 HS11 ОТОПИТЕЛЬ ПРИМЕЧАНИЕ HS11 He
- Стр. 40 и 41: EK27 РИСУНОК 1.Печатная плата (Silkscreen
- Стр. 42 и 43: EK28 EK28. PA97DR ВВЕДЕНИЕ Это
- Стр. 44 и 45: EK29 EK29. PB51 ВВЕДЕНИЕ Это e
- Стр. 46 и 47: EK29 РИСУНОК 3. Верхняя сторона печатной платы MICR
- Стр. 48 и 49: EK33 РИСУНОК 1. ВЕРХНЯЯ СТОРОНА R6 R5 J5 R4
- Стр. 50 и 51: EK34 РИСУНОК 1. EVAL34 TOP EVAL34 BO
- Стр. 52 и 53:
EK50 EK50. PB50, .PB58 ВВЕДЕНИЕ
- Стр. 54 и 55:
EK51EK51. Пакеты DF. (24-контактный, PSOP)
- Стр. 56 и 57:
EK56 EK56.P rMSA240, .MSA260 или
- Стр. 58 и 59:
EK56 РИСУНОК 2: ВИД Сверху BJ1 BJ2 BJ3
- Стр. 60 и 61:
EK57 EK57. MP108, .MP111 P r o d u c
- Стр. 62 и 63:
EK57 РИСУНОК 2: BANANA JACK С ВИДОМ Сверху
- Стр. 64 и 65:
EK59 EK59. MP38, .MP39 ПРОДУКТ
- Стр. 66 и 67:
EK59 РИСУНОК 2: 4.69 BANANA JACK BAN
- Стр. 68 и 69:
EK60 EK60. PA78EU ВВЕДЕНИЕ
- Стр. 70 и 71:
EK60 Рисунок 2: Собранная печатная плата 548 EK
- Стр. 72 и 73:
EK61 ПЕРЕД НАЧАЛОМ РАБОТЫ •.Al
- Стр.74 и 75:
EK65 EK65. MP400 P r o d u c t I n
- Стр. 76 и 77:
EK65 2 .. The. Аналог. земля. AGND.
- Стр.78 и 79:
EK71 EK71. PA107DP Продукт I
- Стр. 80 и 81:
EK71 РИСУНОК 2 — Сборка EK71 PRELI
- Стр. 82 и 83:
EK-SA50EK-SA50. SA50CE ВВЕДЕНИЕ
- Стр. 84 и 85:
DB53R The.DB53R.monitors.the.Temper
- Стр. 86 и 87:
DB53R Обозначение Описание P / N..
- Стр.88 и 89:
DB63R DB63R. Продукт SA57-IHZ
- Стр. 90 и 91:
DB63R РАСШИРЕНИЕ И ИСКЛЮЧЕНИЕ DB6
- Стр. 92 и 93:
DB63R DB63R РУКОВОДСТВО ПО БЫСТРОМУ ЗАПУСКУ 1 .. C
- Стр. 94 и 95:
DB64R The. SA306.current.limit.featu
- Стр. 96 и 97:
