Какие основные отличия между NPN и PNP транзисторами. Как определить тип транзистора. Где применяются NPN и PNP транзисторы. Каковы преимущества и недостатки каждого типа.
Что такое NPN и PNP транзисторы
NPN и PNP транзисторы — это два основных типа биполярных транзисторов. Они представляют собой полупроводниковые приборы, состоящие из трех слоев полупроводникового материала с разным типом проводимости.
NPN транзистор содержит два слоя полупроводника n-типа, разделенные тонким слоем p-типа. PNP транзистор, наоборот, состоит из двух слоев p-типа и тонкого слоя n-типа между ними.
Ключевые отличия NPN и PNP транзисторов
Структура и принцип работы
Главное отличие NPN и PNP транзисторов заключается в их структуре и принципе работы:
- В NPN транзисторе основными носителями заряда являются электроны
- В PNP транзисторе основные носители — дырки
- В NPN ток течет от коллектора к эмиттеру
- В PNP ток течет от эмиттера к коллектору
Полярность напряжений
NPN и PNP транзисторы требуют разной полярности подключения:
- У NPN коллектор имеет более высокий потенциал, чем эмиттер
- У PNP эмиттер имеет более высокий потенциал, чем коллектор
Условное обозначение на схемах
NPN и PNP транзисторы по-разному обозначаются на электрических схемах:
- У NPN стрелка эмиттера направлена от базы
- У PNP стрелка эмиттера направлена к базе
Как определить тип транзистора
Существует несколько способов определить, является ли транзистор NPN или PNP типом:
С помощью мультиметра
- Переключите мультиметр в режим проверки диодов
- Подключите красный щуп к базе транзистора
- Черным щупом поочередно касайтесь эмиттера и коллектора
- Если показания меньше 1В — это NPN транзистор
- Если показания около 1 — это PNP транзистор
По маркировке
Тип транзистора часто указывается в его маркировке:
- Буква N в обозначении обычно указывает на NPN тип
- Буква P — на PNP тип
Области применения NPN и PNP транзисторов
NPN и PNP транзисторы находят широкое применение в электронике, но имеют некоторые особенности использования:
Применение NPN транзисторов
- Усилители общего применения
- Высокочастотные схемы
- Импульсные источники питания
- Цифровые логические схемы
Применение PNP транзисторов
- Источники тока
- Схемы с общим эмиттером
- Комплементарные пары с NPN
- Силовая электроника
Преимущества и недостатки NPN и PNP транзисторов
Каждый тип транзисторов имеет свои сильные и слабые стороны:
Преимущества NPN транзисторов
- Более высокое быстродействие
- Меньшие паразитные емкости
- Легче в производстве
- Дешевле в массовом производстве
Недостатки NPN транзисторов
- Требуют положительного напряжения питания
- Сложнее использовать в схемах с общим эмиттером
Преимущества PNP транзисторов
- Удобны в схемах с общим эмиттером
- Хорошо работают как источники тока
- Меньше чувствительны к помехам
Недостатки PNP транзисторов
- Более низкое быстродействие
- Большие паразитные емкости
- Сложнее в производстве
Особенности использования NPN и PNP транзисторов в схемах
При проектировании электронных схем важно учитывать особенности NPN и PNP транзисторов:
Схемы с NPN транзисторами
- Требуют положительного напряжения на коллекторе относительно эмиттера
- Управляющий ток базы втекает в базу
- Удобны для коммутации нагрузки на «землю»
Схемы с PNP транзисторами
- Требуют отрицательного напряжения на коллекторе относительно эмиттера
- Управляющий ток базы вытекает из базы
- Удобны для коммутации нагрузки на положительное напряжение питания
Комплементарные пары NPN и PNP транзисторов
Комбинирование NPN и PNP транзисторов позволяет создавать эффективные схемные решения:
Что такое комплементарная пара
Комплементарная пара — это сочетание NPN и PNP транзисторов с одинаковыми характеристиками, но разной структурой.
Преимущества использования комплементарных пар
- Симметричная работа при положительных и отрицательных сигналах
- Снижение искажений в усилителях
- Увеличение КПД в выходных каскадах
- Упрощение схемотехники
Выбор между NPN и PNP транзисторами
При выборе типа транзистора для конкретного применения следует учитывать несколько факторов:
Когда выбирать NPN транзисторы
- Для высокочастотных схем
- При необходимости высокого быстродействия
- В цифровых логических схемах
- Для коммутации нагрузки на «землю»
Когда выбирать PNP транзисторы
- Для схем с общим эмиттером
- При использовании в качестве источника тока
- Для коммутации нагрузки на положительное напряжение
- В схемах, чувствительных к помехам
Выбор между NPN и PNP транзисторами зависит от конкретной задачи и требований к схеме. Понимание особенностей каждого типа позволяет создавать оптимальные и эффективные электронные устройства.
Переключательный мощный высоковольтный n-p-n транзистор 2Т839А/ИМ
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор 2Т839А/ИМ предназначен для использования в схемах вторичных источников электропитания, высоковольтных ключевых схемах, а также других узлах и блоках аппаратуры специального назначения.
Основное назначение транзистора – использование в схемах источников питания, высоковольтных ключевых схемах и других схемах аппаратуры специального назначения. Значение собственной резонансной частоты элементов конструкции транзистора 10,3 кГц. Допустимое значение статического потенциала 2 000 В. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ, 50 000 ч. 95-процентный ресурс транзистора Т в облегченных режимах и условиях – 100 000 ч.
Транзистор пригоден для монтажа в аппаратуре методом пайки паяльником. Температура припоя не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения 2 с. Допустимое число перепаек выводов транзистора при проведении монтажных (сборочных) операций не более трех. Расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) не менее 5 мм. При распайке температура корпуса не должна превышать 125 С. Диапазон рабочих температур окружающей среды от минус 60 до 125 С.
Особенности
- Категория качества ВП.
- Напряжение коллектор-база 1500 В.
- Ток коллектора 10 А.
- Мощность коллектора 65 Вт.
Обозначение технических условий — АЕЯР.432140.254 ТУ. Корпусное исполнение — металлостеклянный корпус КТ-9 (ТО-3).
Конструктивные требования
- Масса транзистора не более 20 г.
- Показатель герметичности транзистора не более 5 ·10-4 л·мкм рт.ст/с.
- Значение растягивающей силы, направленной вдоль оси вывода, не более 20 (2,00) Н (кгс).
- Минимальное расстояние от корпуса до места пайки выводов 5 мм.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 500 В) | IКБО | — | 0,2 | 25±10 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | — | 1,0 | 125±5 |
| Обратный ток коллектора, мА (UКБ = 1 100 В) | IКБО | — | 1,0 | 60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В) | IЭБО | — | 10 | 25±10 |
| Статический коэффициент передачи тока (UКЭ = 10 В, IК = 4 А, tи 300 мкс, Q 50)* | h31Э | 5 | 25±10 | |
| Граничное напряжение, В (IК = 100 мА, L = 40 мГн) | UКЭО гр | 700 | — | 25±10 |
| Время спада, мкс (IК = 5 А, IБ1 = IБ2 = 1,8 А, UКЭ = 500 В, tИ1 = tИ2= 50 мкс) | tсп | 1,5 | — | 25±10 |
* В схеме с общей базой: UКБ = 9,0 В, IЭ = 4,8 А. | ||||
Кремниевый биполярный составной n-p-n транзистор 2ТД543А9
Кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный составной n-р-n транзистор Дарлингтона «2ТД543А9» предназначен для использования в специализированных усилителях с большим коэффициентом усиления, электронных коммутационных устройствах, преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Корпусное исполнение
- металлокерамический корпус КТ-99-1 ГОСТ 18472 для поверхностного монтажа
- масса транзистора не более 1,0 г.
Диапазон рабочих температур окружающей среды от — 60 до + 125 С. Обозначение технических условий: AEЯP.432150.538 ТУ.
Работоспособность транзистора
Во время и непосредственно после воздействия специальных факторов 7.И с характеристикой 7.И6 допускается временная потеря работоспособности. По истечении 2 мс от начала воздействия работоспособность транзистора должна восстанавливаться. Критерием работоспособности транзистора является значение обратного тока коллектор-эмиттер IКЭК.
Указания по эксплуатации
Указания по применению и эксплуатации – по ГОСТ В 28146, ОСТ 11 336.907.0 и РД 11 336.907.8 с дополнениями и уточнениями, приведенными в настоящем разделе. Основное назначение транзистора – использование в усилителях, коммутационных устройствах, преобразовательной и другой аппаратуре специального назначения. Применение транзистора в функциональных схемах, режимах и условиях, отличных от требований ТУ, должно быть согласовано в соответствии с ГОСТ 2.124, ОСТ 11 336.907.0, РД 11 336.907.8. В диапазоне частот от 40 до 20 000 Гц резонансные частоты не обнаружены. 95-процентный ресурс транзистора Т в режимах и условиях, допускаемых ТУ – 50 000 ч.
Транзистор 2ТД543А9 пригоден для монтажа в аппаратуре методом групповой пайки оплавлением паяльных паст и паяльником. Температура пайки не выше 265 С. Время пайки не более 4 с. Время лужения – 2 с. Перепайка выводов транзистора не допускается. Допускаются другие режимы и условия пайки при обеспечении сохранения целостности конструкции и надежности транзистора, что должно подтверждаться проведением ресурсных испытаний потребителем.
Не допускается прикладывать к выводам вращающих и изгибающих усилий.
Допускается применение транзистора, изготовленного в обычном климатическом исполнении, в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзистора непосредственно в аппаратуре лаком (в три слоя) марки УР-231 ТУ 6-21-14 или ЭП-730 ГОСТ 20824 с последующей сушкой каждого слоя. Транзистор после снятия с эксплуатации подлежит утилизации без применения специальных методов.
| Наименование | Буквенное обозначение | Норма | Температура среды, корпуса, С | |
| не менее | не более | |||
| Статический коэффициент передачи тока* (UКЭ = 10 В, IК = 500 мА, tи 2 мс, Q 50) | h31Э | 1000 1000 400 | — — — | 25±10 125±5 –60±3 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В (IК = 1 000 мА, IБ = 4,0 мА, tи 2 мс, Q 50) | UКЭ нас | — — — | 2,4 2,4 2,4 | 25±10 125±5 –60±3 |
| Обратный ток эмиттера, мА (UЭБ = 5 В, IК = 0) | — — | 1,0 1,0 | 25±10 –60±3 | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер, мА (UКЭ = 80 В, UЭБ = 0) | — — | 1,0 1,0 | 25±10 –60±3 | |
| Примечание: * При измерении в схеме с общей базой: UКБ = 8 В, IЭ = 500 мА | ||||
NPN и транзисторы PNP
NPN и PNP — это два типа транзисторов.
Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, изготовленные из легированных переходов p-типа и n-типа. В этой статье в основном представлены различия между этими двумя типами транзисторов, методы их различения и их применение.
Каталог
I. Различия
Транзистор r состоит из трехчастного полупроводника типа PN и формирует NPN-переход, образующий два NP-перехода. Большинство германиевых транзисторов относятся к типу PNP, а большинство кремниевых транзисторов относятся к типу NPN. Их структурные принципы одинаковы. Триод имеет три области и три электрода. Среди них базовая область (тонкий слой полупроводника в середине триода) ведет к базе b; есть области эмиттера, ведущие к эмиттеру e, и области коллектора, ведущие к коллектору c с обеих сторон. PN-соединение между передающей и базовой зонами называется передающим соединением, а PN-соединение между областью сбора и базовой областью называется собирающим соединением.
На символе цепи стрелка эмиттера трубки PNP указывает внутрь, а стрелка эмиттера трубки NPN указывает наружу, указывая текущее направление.
NPN и PNP транзисторы в основном отличаются тем, что направление тока отличается от положительного и отрицательного напряжения. Говоря профессионально, это проблема «полярности». NPN использует ток BE (IB) для управления током CE (IC), полюс E имеет самый низкий потенциал, и обычно полюс C имеет самый высокий потенциал при нормальном усилении, а именно VC>VB>VE. PNP использует ток EB (IB) для управления током EC (IC). Полюс Е имеет самый высокий потенциал, и обычно полюс С имеет самый низкий потенциал при нормальном усилении, то есть VC Конфигурация схемы транзисторов NPN и PNP 
Транзистор PNP: триод, состоящий из двух полупроводников P-типа, зажатых между полупроводником N-типа, поэтому он называется триодом PNP-типа. Его также можно описать как транзистор, в котором ток течет от эмиттера E.
2. Разница в управлении схемойNPN: Используйте ток (IB) B→E для управления током (IC) полюса C. Полюс Е имеет самый низкий потенциал, а полюс С — самый высокий потенциал при нормальном усилении, то есть VC > VB > VE
PNP: Используйте ток E&B (IB) для управления током E&C (IC). Полюс Е имеет самый высокий потенциал, а полюс С — самый низкий потенциал при нормальном усилении, то есть VC Выходные состояния датчиков PNP и NPN различаются. Они фактически используют насыщение и отсечку транзистора для вывода двух состояний, которые являются датчиками переключающего типа. А вот выходной сигнал совершенно противоположный, а именно высокий уровень и низкий уровень. NPN-транзисторы и PNP-транзисторы различаются по структуре: NPN-транзисторы состоят из полупроводника p-типа, зажатого между двумя полупроводниками n-типа, а PNP-транзисторы состоят из полупроводника n-типа, зажатого между двумя полупроводниками p-типа. Большинство носителей в транзисторах NPN представляют собой электроны, в то время как большинство носителей в транзисторах PNP представляют собой электронные дырки. При использовании в качестве переключателей транзисторы NPN переключаются быстрее. Когда триод используется в качестве переключателя, он работает в двух состояниях: отсечка и насыщение. Как правило, проводимость и отключение транзистора управляются путем управления базовым напряжением Ub транзистора. Установите цифровой мультиметр в положение диода, подключите красный щуп к определенному контакту и используйте черный щуп для коснитесь двух других контактов по очереди. Затем используйте файл диодов цифрового мультиметра. После идентификации базы B в соответствии с описанной выше операцией подключите красный щуп к базе B и коснитесь двух других контактов черным щупом. Если оба показывают 0,500～0,800 В, тестируемая трубка относится к типу NPN; если оба раза отображается символ переполнения «1», это означает, что тестируемая пробирка относится к типу ПНП. С помощью мультиметра R×100 или R×1k измерьте значения прямого и обратного сопротивления между каждыми двумя из трех электродов трубки. Используйте диодную шкалу цифрового мультиметра для измерения прямого падения напряжения на диоде. В настоящее время единицей измерения является мВ. Например, используйте этот файл для определения прямого падения напряжения на диоде 2AP3, а на дисплее отображается «352», что означает 352 мВ или 0,352 В (эта трубка — германиевая трубка). Существуют датчики типа PNP и NPN (тип переключателя), которые делятся на шесть категорий: 1. NPN-NO (нормально открытый тип) 2. NPN-NC (нормально закрытый тип) ) 3. NPN-NC+NO (нормально открытый и нормально закрытый тип) 4. PNP-NO (нормально открытый тип) 5. PNP-NC (нормально замкнутый тип) 6. PNP-NC+NO (обычный тип, нормально открытый и нормально закрытый) Датчики PNP и NPN обычно имеют три подводящих провода, а именно линию питания VCC, Линия 0V и линия вывода сигнала OUT. При срабатывании сигнала линия вывода сигнала OUT подключается к линии питания VCC, а датчики типа PNP эквивалентны линии питания, которая выдает высокий уровень. Для типа PNP-NO, когда сигнал не срабатывает, выходная линия приостанавливается, то есть линия питания VCC и линия OUT разъединяются. Когда сигнал срабатывает, выдается то же напряжение, что и на линии питания VCC, то есть линия OUT подключается к линии питания VCC, и выводится высокий уровень VCC. Для типа PNP-NC, когда сигнал не срабатывает, посылается то же напряжение, что и по линии питания VCC, то есть линия OUT подключается к линии питания VCC, и выводится высокий уровень VCC. При срабатывании сигнала выходная линия приостанавливается, то есть линия питания VCC отключается от линии OUT. Для типа PNP-NC+NO имеется дополнительная выходная линия OUT, которую можно выбрать в соответствии с потребностями. При срабатывании сигнала линия вывода сигнала OUT подключается к линии 0 В, а датчики типа PNP эквивалентны выходу низкого уровня 0 В. Для типа NPN-NO, когда сигнал не срабатывает, выходная линия является плавающей, то есть линия 0v и линия OUT разъединены. Для типа NPN-NC, когда сигнал не срабатывает, отправляется то же напряжение, что и линия 0 В, то есть линия OUT подключается к линии 0 В, и выводится низкий уровень 0 В. При срабатывании сигнала выходная линия приостанавливается, то есть линия 0 В отключается от линии OUT. Широкий ассортимент биполярных NPN, PNP и комплементарных транзисторов, включая транзисторы с низким VCE (sat). Рекомендуемые продукты Войдите в свою учетную запись onsemi, чтобы просмотреть избранные Сохраненные фильтры . Зарегистрируйтесь сейчас — Audio-Frequency Low-Noise Amplifier ESBC Power Transistor ESBC Silicon Transistor Epitaxial Silicon Transistor General Purpose General Purpose General purpose High Current High Speed High Voltage Switching Быстродействующий высоковольтный силовой транзистор Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор Высоковольтный быстродействующий транзистор Высоковольтный высокоскоростной силовой импульсный транзистор Высоковольтный кремниевый транзистор Высоковольтный режим переключения Высоковольтный импульсный маломощный импульсный регулятор Высоковольтный силовой транзистор Высоковольтный транзистор Переключение средней мощности 9000 Транзистор с низким уровнем насыщения Low V CE(sat) Транзистор с низким уровнем насыщения Кремниевый транзистор Кремниевый транзистор Один Тройной диффузированный планарный кремниевый транзистор Значение диапазона инвертирования Значение диапазона инвертирования Значение диапазона инверта Инвертировать значение диапазона Инвертировать значение диапазона Инвертировать значение диапазона Инвертировать значение диапазона Загрузка. Последние поставки Низкий V CE (SAT) Подробнее Последние поставки Низкий V CE (SAT) SC-59-3 / CP-3 Подробнее Active Low V CE (SAT) SC-70 / MCP3 Подробнее Active Low V CE (SAT) SOT-623 / SSFP больше деталей Active ОБЩАЯ ЦЕЛЕЙ . ТО-204-2 Подробнее Active Общая цель TO-204-2 Подробнее устаревшая Общая цель TO-204-2 Более подробная информация Последние поставки General Page по -204- 2 Подробнее Устаревший ТО-18-3 Подробнее Последние поставки Общего назначения ТО-204-2 Подробнее 2 Подробнее0003 Общая цель TO-204-2 Подробнее Active Общая цель TO-204-2 Подробнее Установка Общая цель Подробнее Active General General. ТО-92-3, ТО-92-3 LF Подробнее Устарело Общего назначения Подробнее Активный 0 0002 0,625, 1,5 TO-92-3 LF, TO-92-3 Подробнее устаревшие Общая цель Подробнее На устарете Общая целевая цель . Active Общая цель TO-92-3 LF, TO-92-3 Подробнее Загрузка … ПРИНТЕРСКИЙ ВЕРСИЯ PDF FORMAT FORMAT CSV FORMAT Close Search Группы продуктов: 1292 ┗ Детали для заказа: 2699 Приветствую вас! Я ваш дружелюбный помощник по веб-сайтам, и я был создан, чтобы помочь вам ориентироваться на нашем веб-сайте и показать вам наши полезные функции. Я постараюсь найти то, что вам нужно! Приятного посещения. Фильтры Если вы хотите удалить какой-либо фильтр, нажмите X рядом с ним.
Выход NPN — низкий уровень 0, выход PNP — высокий уровень 1.
Если оба отображаемых значения меньше 1 В или отображается символ переполнения «1», подключенный контакт, который подключается к красному тестовому проводу, является основанием B. Если в двух тестах одно отображаемое значение меньше 1 В, другое отображается символ переполнения «1», он указывает, что контакт, подключенный к красному тестовому проводу, не является основанием B. Затем вы должны заменить его на другие контакты и измерить их снова, пока не будет найдено основание B.
Когда первый измерительный провод подключен к определенному электроду, а второй измерительный провод последовательно касается двух других электродов и измеряются значения низкого сопротивления, электрод, подключенный к первому измерительному проводу, является основанием b. При этом обратите внимание на полярность щупа мультиметра. Если красный щуп подключен к базе b, а измеренное сопротивление черного щупа, подключенного к двум другим полюсам, мало, то проверяемая лампа может быть определена как PNP-транзистор; Если черный щуп подключен к базовому электроду b, а красный щуп подключен к двум другим электродам, а измеренное значение сопротивления мало, то тестируемый транзистор представляет собой NPN-транзистор, например 9.013, 9014, 9018.
При обнаружении диода IN4007 с помощью этого механизма на прямом дисплее отображается «509», что означает, что прямое падение напряжения составляет 509 мВ или 0,509.V (эта трубка силиконовая). Диодный файл цифрового мультиметра также можно использовать для определения наличия короткого замыкания в цепи.
При срабатывании сигнала выдается то же напряжение, что и 0В, то есть линия OUT подключается к линии 0В, а на выходе низкий уровень OV. Транзисторы NPN — Транзисторы PNP
..
Назначение
