Нпн пнп: Эта страница ещё не существует

Содержание

Датчики с транзисторным выходом PNP/NPN, схема подключения, разница и отличия

    Среди всех используемых в промышленности датчиков до сих пор превалируют дискретные, т. е. имеющие два состояния выходного сигнала – включен/выключен (иначе – 0 либо 1). В основном подобные датчики используются для определения некоторых конечных положений, и принцип действия может быть любым – индуктивным, оптическим, емкостным и так далее.

    Все подобные датчики объединяет одна характеристика – схемотехника выхода. Основных вариантов здесь два:

- релейный выход основывается, очевидно, на использовании реле. Схема питания датчика при этом гальванически развязана с выходом, что даёт возможность использовать такие датчики для коммутации высокого напряжения.

- транзисторный выход использует PNP либо NPN транзистор на выходе и подключает соответственно плюсовой либо минусовой провод.

     Немного теории. Транзисторы PNP и NPN относятся к категории биполярных и имеют три вывода: коллектор, база и эмиттер. Сам транзистор состоит из трёх частей, называемых областями, разделенных двумя p-n переходами. Соответственно, транзистор PNP имеет две области P и одну область N, а NPN, соответственно, две N и одну P. Направление протекания тока также разное:

- для PNP при подаче напряжения на эмиттер ток протекает от эмиттера к коллектору;

- для NPN подача напряжения на коллектор вызывает протекание тока от коллектора к эмиттеру.

    Это обуславливает необходимость подключения питания с прямой полярностью относительно общих клемм для транзисторов NPN, и обратной – для PNP.

    Любой биполярный транзистор работает по принципу управления током базы для регулирования тока между эмиттером и коллектором. Единственное различие в принципе работы транзисторов PNP и NPN заключается в полярности напряжений, подаваемых на эмиттер, базу и коллектор. В зависимости от реализации смещений p-n переходов возможны различные режимы работы транзисторов, но в общем случае в датчиках используются два:

- насыщение: прямое прохождение тока между эмиттером и коллектором (замкнутый контакт)

- отсечка: отсутствие тока между эмиттером и коллектором (разомкнутый контакт)

   Рассмотрим подробнее подключение и особенности применения, например, индуктивных датчиков с транзисторным выходом. Отличием является коммутация разных проводов цепи питания: PNP соединяет плюс источника питания, NPN – минус. Ниже наглядно показаны различия в подключении; справа изображён датчик с выходом PNP, слева – NPN.

Принципиальное отличие логики PNP от NPN


   Чаще применяется вариант с выходом на основе транзистора PNP, поскольку большее распространение получила схемотехника с общим минусовым проводом источника питания.

Выходное напряжение зависит от напряжения питания датчика и обычно находится в узком диапазоне, например, 20…28 В.

    Выбор датчика по типу используемого транзистора обуславливается в первую очередь схемотехникой используемого контроллера или иного оборудования, к которому предполагается подключать датчик. Обычно в документации на контроллеры и устройства коммутации указывается, какой транзисторный выход они позволяют использовать.

Теперь о совместимости. Вообще, существует четыре основных разновидности выхода датчиков:

- PNP NO (НО)

- PNP NC (НЗ)

- NPN NO (НО)

- NPN NC (НЗ)

    Помимо типа используемого транзистора, различие также заключается в исходном состоянии выхода – он может быть в нормальном (если датчик не активирован) состоянии либо разомкнутым (открытым), либо замкнутым (закрытым).

Отсюда обозначения NO (НО) – normally open (нормально открытый) и normally closed (нормально закрытый).

    Что делать, если требуется заменить один датчик на другой, но нет возможности установить аналог с идентичной логикой и схемотехникой выхода? В случае, если меняется только исходное состояние выхода (НО на НЗ и наоборот), путей решения может быть несколько:

- внесение изменений в конструкцию, инициирующую датчик

- внесение изменений в программу (смена алгоритма)

- переключение выходной функции датчика (при наличии такой возможности)

   Замена же оптического датчика с изменением типа используемого транзистора представляет собой проблему большую, нежели просто поменять алгоритм или сместить какой-то элемент конструкции. Изменение схемотехники датчика влечет за собой также необходимость внесения существенных изменений в схему его подключения. Конечно, это не всегда допустимо, однако в ряде случаев это единственный выход.

Замена датчика PNP на NPN


  Рассмотрим схему, представленную выше слева (для примера взят датчик с транзистором PNP). В случае неактивного датчика с нормально открытым выходом ток не протекает через его выходные контакты; для нормально закрытого, соответственно, ситуация обратная. Благодаря протекающему току на нагрузке создаётся падение напряжения.

   Наряду с основной (внешней) нагрузкой датчика, которой может являться вход контроллера, в нём может присутствовать также внутренняя нагрузка, однако она не гарантирует, что датчик будет работать стабильно. Если внутреннего сопротивления нагрузки у датчика нет, такая схема называется схемой с открытым коллектором – она может функционировать исключительно при наличии внешней нагрузки.

    Вернемся к схеме. Активация датчика с выходом PNP обеспечивает подачу напряжения +V через транзистор на вход контроллера. Реализация этой схемы с датчиком, имеющим выход NPN, требует добавления в схему дополнительного резистора (номинал которого обычно подбирается в диапазоне 4.9-10 кОм) для обеспечения функционирования транзистора. В этом случае при неактивном датчике напряжение поступает через добавленный резистор на вход контроллера, что делает схему, по сути, нормально закрытой. Активация датчика обеспечивает отсутствие сигнала на входе контроллера, поскольку транзистор NPN, через который проходит почти весь ток дополнительного резистора, шунтирует вход контроллера.

   Таким образом, подобный подход обеспечивает возможность замены датчика PNP на NPN при условии, что перефазировка датчика не является проблемой. Это допустимо, когда датчик исполняет роль счетчика импульсов – контроль числа оборотов, количества деталей и т. д.

    Если подобное изменение не является приемлемым, и требуется сохранить в том числе логику работы системы, можно пойти по более сложному пути. 

Схемы подключения датчиков  PNP к устройству со входом NPN и наоборот

    Суть заключается в добавлении в схему подключения дополнительного биполярного транзистора, тип которого выбирается исходя из типа входа прибора, к которому подключается датчик, а также двух дополнительных сопротивлений нагрузки. Если используется прибор с входом NPN, то и дополнительный транзистор требуется такой же. Активация датчика инициирует переключение внешнего транзистора, который уже подаёт напряжение на вход прибора. Данная схема, в отличие от рассмотренной ранее, сохраняет логику работы системы, однако более сложна в сборке.

Устройство, принцип работы и различие N-P-N и P-N-P транзисторов | Энергофиксик

Существуют два основных вида транзисторов: полевые и биполярные. Биполярные транзисторы, в свою очередь, также разделяются на тип с P-N-P и N-P-N переходом. В этом материале я вам расскажу об устройстве биполярных транзисторов и мы поговорим о принципе работы и в чем их основное различие. Итак, поехали.

Немного истории

Согласно записям официальной истории дату 16.12.1947 года можно считать официальным днем рожденья одного из главных элементов всей электроники современности. Именно в этот день был представлен общественности первый транзистор, который был собран тремя учеными, а именно: Д. Бардин, У. Шокли и У. Браттейн.

yandex.ru

Появление биполярного транзистора позволило отказаться от использования электронных ламп. Вся современная электроника была бы невозможна без этого изделия. Вот такое важное открытие было совершено в середине 20-го столетия. Теперь от истории перейдем к нашим биполярным транзисторам.

Как устроен биполярный транзистор

Итак, биполярный транзистор схематически можно представить следующим образом:

Посмотрите внимательно на изображение, вам оно ничего не напоминает? Да, вы правы, если присмотреться и мысленно разделить зону N – перехода, то перед нами два соединенных между собой диода (запомните этот момент, в дальнейшем он нам понадобится).

Для определения какой проводимости перед нами диод, достаточно прочитать направление P-N перехода. На рисунке выше у нас проводимость типа P-N-P. Это означает, что перед нами транзистор прямой проводимости (так как принято считать, что ток проходит от плюса к минусу).

А вот у транзистора N-P-N типа проводимость обратная

Вы заметили, что в обоих вариантах исполнения присутствуют три вывода под названием:

Эмиттер (источник, генератор), База (основа) и Коллектор (сборщик, накопитель).

Схематическое обозначение транзисторов

Из всего выше написанного вы уже наверняка поняли, что есть транзисторы обратной и прямой последовательности, а это значит, что и на схемах такие элементы должны иметь различия. Давайте их рассмотрим.

Итак, обозначение транзистора прямой проводимости на схемах будет следующее:

А вот транзистор обратной проводимости обозначается уже так:

В старых советских мануалах транзисторы маркировались буквой «Т», а теперь обозначение сменили на «VT».

Как по схеме определить N-P-N или P-N-P транзистор перед вами

На самом деле определить по схеме тип биполярного транзистора довольно просто, достаточно помнить следующее правило:

Как известно в N – полупроводнике имеется большое количество свободных электронов, а в полупроводнике P–типа расположены «дырки» - положительно заряженные частицы. А по общепринятой теории ток протекает от «плюса» к «минусу».

Если вы посмотрите на схему, то увидите, что эмиттер изображен со стрелкой, которая либо направлена к базе либо от нее. Так вот если транзистор N-P-N типа, то есть база выполнена из P– полупроводника, то ток течет от базы (стрелка эмиттера от базы). Если же база выполнена из N - полупроводника, то ток (стрелка) втекает в базу.

Как работает P-N-P транзистор

С обозначением и устройством вроде все понятно, а вот как он работает давайте разбираться:

Давайте представим биполярный транзистор в виде водяной трубы с задвижкой с пружинным механизмом.

Как видно из рисунка сверху беспрепятственному протеканию воды по трубе мешает задвижка с пружинным механизмом, если мы приложим небольшое усилие (откроем задвижку сжав пружину), то вода беспрепятственно потечет по трубе. Если же мы отпустим пружину, то она распрямится и вернет задвижку на место, тем самым перекрыв трубу и поток воды будет остановлен.

Теперь вообразите, что данная труба - это транзистор P-N-P типа, значит его выводы можно представить следующим образом:

Получается, чтобы ток протекал от эмиттера к коллектору (напоминаю, что направление тока совпадает с направлением стрелки на эмиттере) нужно сделать так, чтобы ток выходил из базы, или говоря по простому: подать на базу минус.

Давайте наглядно проверим работу такого транзистора. Для этого возьмем КТ814Б и соберем простенькую схему с двумя источниками питания.

Для того, чтобы правильно подключить транзистор необходимо знать какой вывод является эмиттером, базой и коллектором. Для этого находим техническую документацию и определяем:

Лампочку я буду использовать самую обычную автомобильную, рассчитанную на 12 Вольт. Собранная схема будет выглядеть так:

Итак, чтобы наша схема заработала выставляем на источнике питания №2 12 Вольт. А на первом источнике питания начинаем очень плавно (с нуля) поднимать напряжение ровно до того момента, пока не загорится наша лампа.

Схема заработала при напряжении 0,66 Вольт на первом источнике.

То есть произошло "открытие" транзистора и через цепь эмиттер-коллектор начал проходить ток.

Иначе говоря, напряжение, которое открыло наш транзистор - это ни что иное как падение напряжения на P-N переходе база-эмиттер, которое как раз и находится в пределах от 0,5 до 0,7 В для кремниевых транзисторов.

А как дела обстоят с транзисторами, где используется N-P-N переход.

Принцип работы N-P-N транзистора

Если внимательно посмотреть на техническую документацию к транзистору КТ814Б, то можно найти запись о том, что комплиментарной парой к этому транзистору является КТ815Б, а он различается лишь тем что здесь используется N-P-N переход.

yandex. ru

И схема подключения будет выглядеть так:

Посмотрите внимательно на эту схему и схему включения КТ814Б, вы ничего не заметили? Все верно, единственное различие между этими двумя транзисторами заключено в том, что транзистор с P-N-P переходом открывается "минусом" (так как на базу подается отрицательный потенциал), а вот транзистор N-P-N открывается "плюсом".

Заключение

В этом материале мы с вами познакомились с устройством биполярных транзисторов, их устройстве и принципе работы, а также с тем как они обозначаются на схемах. Если статья оказалась вам интересна или полезна, то оцените ее лайком. Спасибо за ваше внимание!

Чем отличается pnp транзистор от npn

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока ("внутрь" для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.

В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют "комплементарные", или "согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=IC/IB согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора PNP NPN
Коллектор Эмиттер RВЫСОКОЕ RВЫСОКОЕ
Коллектор База RНИЗКОЕ RВЫСОКОЕ
Эмиттер Коллектор RВЫСОКОЕ RВЫСОКОЕ
Эмиттер База RНИЗКОЕ RВЫСОКОЕ
База Коллектор RВЫСОКОЕ RНИЗКОЕ
База Эмиттер RВЫСОКОЕ RНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP. Транзистор имеет три вывода, известные как эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). На рисунке, приведенном ниже, изображен NPN транзистор где, при основных режимах работы (активном, насыщении, отсечки) коллектор имеет положительный потенциал, эмиттер отрицательный, а база используется для управления состоянием транзистора.

Физика полупроводников в этой статье обсуждаться не будет, однако, стоит упомянуть, что биполярный транзистор состоит из трех отдельных частей, разделенных двумя p-n переходами. Транзистор PNP имеет одну N область, разделенную двумя P областями:

Транзистор NPN имеет одну P область, заключенную между двумя N областями:

Сочленения между N и P областями аналогичны переходам в диодах, и они также могут быть с прямым и обратным смещением p-n перехода. Данные устройства могут работать в разных режимах в зависимости от типа смещения:

  • Отсечка: работа в этом режиме тоже происходит при переключении. Между эмиттером и коллектором ток не протекает, практически «обрыв цепи», то еесть «контакт разомкнут».
  • Активный режим: транзистор работает в схемах усилителей. В данном режиме его характеристика практически линейна. Между эмиттером и коллектором протекает ток, величина которого зависит от значения напряжения смещения (управления) между эмиттером и базой.
  • Насыщение: работает при переключении. Между эмиттером и коллектором происходит практически «короткое замыкание» , то есть «контакт замкнут».
  • Инверсный активный режим: как и в активном, ток транзистора пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Используется очень редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на коллектор для создания тока от коллектора к эмиттеру. В PNP транзисторе положительное напряжение подается на эмиттер для создания тока от эмиттера к коллектору. В NPN ток течет от коллектора (К) к эмиттеру (Э):

А в PNP ток протекает от эмиттера к коллектору:

Ясно, что направления тока и полярности напряжения в PNP и NPN всегда противоположны друг другу. Транзисторы NPN требуют питания с положительной полярностью относительно общих клемм, а PNP транзисторы требуют отрицательного питания.

PNP и NPN работают почти одинаково, но их режимы отличаются из-за полярностей. Например, чтобы перевести NPN в режим насыщения, UБ должно быть выше, чем UК и UЭ. Ниже приводится краткое описание режимов работы в зависимости от их напряжения:

Основным принципом работы любого биполярного транзистора является управление током базы для регулирования протекающего тока между эмиттером и коллектором. Принцип работы NPN и PNP транзисторов один и тот же. Единственное различие заключается в полярности напряжений, подаваемых на их N-P-N и P-N-P переходы, то есть на эмиттер-базу-коллектор.

Существует два основных типа транзисторов – биполярные и полевые. Биполярные транзисторы изготавливаются из легированных материалов и могут быть двух типов – NPN и PNP. Транзистор имеет три вывода, известные как эмиттер (Э), база (Б) и коллектор (К). На рисунке, приведенном ниже, изображен NPN транзистор где, при основных режимах работы (активном, насыщении, отсечки) коллектор имеет положительный потенциал, эмиттер отрицательный, а база используется для управления состоянием транзистора.

Физика полупроводников в этой статье обсуждаться не будет, однако, стоит упомянуть, что биполярный транзистор состоит из трех отдельных частей, разделенных двумя p-n переходами. Транзистор PNP имеет одну N область, разделенную двумя P областями:

Транзистор NPN имеет одну P область, заключенную между двумя N областями:

Сочленения между N и P областями аналогичны переходам в диодах, и они также могут быть с прямым и обратным смещением p-n перехода. Данные устройства могут работать в разных режимах в зависимости от типа смещения:

  • Отсечка: работа в этом режиме тоже происходит при переключении. Между эмиттером и коллектором ток не протекает, практически «обрыв цепи», то еесть «контакт разомкнут».
  • Активный режим: транзистор работает в схемах усилителей. В данном режиме его характеристика практически линейна. Между эмиттером и коллектором протекает ток, величина которого зависит от значения напряжения смещения (управления) между эмиттером и базой.
  • Насыщение: работает при переключении. Между эмиттером и коллектором происходит практически «короткое замыкание» , то есть «контакт замкнут».
  • Инверсный активный режим: как и в активном, ток транзистора пропорционален базовому току, но течет в обратном направлении. Используется очень редко.

В транзисторе NPN положительное напряжение подается на коллектор для создания тока от коллектора к эмиттеру. В PNP транзисторе положительное напряжение подается на эмиттер для создания тока от эмиттера к коллектору. В NPN ток течет от коллектора (К) к эмиттеру (Э):

А в PNP ток протекает от эмиттера к коллектору:

Ясно, что направления тока и полярности напряжения в PNP и NPN всегда противоположны друг другу. Транзисторы NPN требуют питания с положительной полярностью относительно общих клемм, а PNP транзисторы требуют отрицательного питания.

PNP и NPN работают почти одинаково, но их режимы отличаются из-за полярностей. Например, чтобы перевести NPN в режим насыщения, UБ должно быть выше, чем UК и UЭ. Ниже приводится краткое описание режимов работы в зависимости от их напряжения:

Основным принципом работы любого биполярного транзистора является управление током базы для регулирования протекающего тока между эмиттером и коллектором. Принцип работы NPN и PNP транзисторов один и тот же. Единственное различие заключается в полярности напряжений, подаваемых на их N-P-N и P-N-P переходы, то есть на эмиттер-базу-коллектор.

Устройство согласования PNP/NPN сигналов на Дин рейку, Россия

Снят с производства замена УСМ

УС-М01-1-15 DC10-30B УХЛ4

НАЗНАЧЕНИЕ РЕЛЕ

Устройство согласования предназначено для согласования логических выходов датчиков с любым типом транзисторных выходов для подключения к нагрузке и возможностью инвертирования выходного сигнала.


ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ РЕЛЕ
Напряжение питания, В 

DC 10...30 

Максимальный ток нагрузки, мА

100 

Ток потребления под нагрузкой, мА

< 50 

Ток потребления без нагрузки, мА 

< 20 

Тип выходов 

NPN, PNP 

Входное сопротивление, Ом  3000. ..5000
Время переключения, мкс  < 5

Индикация: Питание 

                  Срабатывание 

 

Зеленый 

Желтый 

 

Защита от переполюсовки 

Есть 

Защита от перегрузки Нет
Защита от короткого замыкания  Нет
Степень защиты реле: по корпусу/по клеммам

IP40/IP20 

Категория климатического исполнения УХЛ4

Диапазон рабочих температур 

-25... +55° С 

Температура хранения -40... +60° С
Относительная влажность воздуха  до 80% при 25°С
Высота над уровнем моря до 2000 м
Рабочее положение в пространстве  произвольное
Режим работы круглосуточный
Габаритные размеры  17,5х90х66 
Масса не более 0. 1 кг

 

КОНСТРУКЦИЯ РЕЛЕ

 Устройство выпускаются в унифицированном пластмассовом корпусе с передним присоединением проводов питания и коммутируемых электрических цепей. Крепление осуществляется на монтажную шину DIN шириной 35мм или на ровную поверхность. Для установки реле на ровную поверхность, фиксаторы замков необходимо переставить в крайние отверстия, расположенные на тыльной стороне корпуса. Конструкция клемм обеспечивает надежный зажим проводов сечением до 2,5 мм2. На лицевой панели расположены: зеленый индикатор включения напряжения питания «U», желтый индикатор срабатывания встроенного транзистора.

 

УСЛОВИЯ ЭКСПЛУАТАЦИИ РЕЛЕ

 Окружающая среда – взрывобезопасная, не содержащая пыли в количестве, нарушающем  работу устройства, а так же агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию. Вибрация мест крепления устройства с частотой от 1 до 100 Гц при ускорении до 9,8 м/с2. Воздействие электромагнитных полей, создаваемых проводом с импульсным током амплитудой до 100 А, расположенным на расстоянии не менее 10 мм от корпуса. Устройство устойчиво к воздействию помех степени жесткости 3 в соответствии с требованиям ГОСТ Р 51317.4.1-2000, ГОСТ Р 51317.4.4-99, ГОСТ Р 51317.4.5-99.

 

 

 

СХЕМА ПОДКЛЮЧЕНИЯ РЕЛЕ

 

КОНТРОЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ РЕЛЕ


ТУ 3428-004-31928807-2014

Наименование

Заказной код

(артикул)

Файл для скачивания

(паспорт)

Дата файла
УС-М01-1-15 DC10-30B УХЛ4    Скачать 28. 07.2014

 

Проверка биполярного транзистора - Основы электроники

Приветствую всех любителей электроники, и сегодня в продолжение темы применение цифрового мультиметра мне хотелось бы рассказать, как проверить биполярный транзистор с помощью мультиметра.

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, который предназначен для усиления сигналов. Так же транзистор может работать в ключевом режиме.

Транзистор состоит из двух p-n переходов, причем одна из областей проводимости является общей. Средняя общая область проводимости называется базой, крайние эмиттером и коллектором. Вследствие этого разделяют n-p-n и p-n-p транзисторы.

Итак, схематически биполярный транзистор можно представить следующим образом.

Рисунок 1. Схематическое представление транзистора а) n-p-n структуры; б) p-n-p структуры.

Для упрощения понимания вопроса p-n переходы можно представить в виде двух диодов, подключенных друг к другу одноименными электродами (в зависимости от типа транзистора).

Рисунок 2. Представление транзистора n-p-n структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных анодами друг к другу.

Рисунок 3. Представление транзистора p-n-p структуры в виде эквивалента из двух диодов, включенных катодами друг к другу.

Конечно же для лучшего понимания желательно изучить как работает p-n переход, а лучше как работает транзистор в целом. Здесь лишь скажу, что чтобы через p-n переход тек ток его необходимо включить в прямом направлении, то есть на n – область (для диода это катод) подать минус, а на p-область (анод).

Это я вам показывал в видео для статьи «Как пользоваться мультиметром» при проверке полупроводникового диода.

Так как мы представили транзистор в виде двух диодов, то, следовательно, для его проверки необходимо просто проверить исправность этих самых «виртуальных» диодов.

Итак, приступим к проверке транзистора структуры n-p-n. Таким образом, база транзистора соответствует p- области, коллектор и эмиттер - n-областям. Для начала переведем мультиметр в режим проверки диодов.

В этом режиме мультиметр будет показывать падение напряжения на p-n переходе в милливольтах. Падение напряжения на p-n переходе для кремниевых элементов должно быть 0,6 вольта, а для германиевых – 0,2-0,3 вольта.

Сначала включим p-n переходы транзистора в прямом направлении, для этого на базу транзистора подключим красный (плюс) щуп мультиметра, а на эмиттер черный (минус) щуп мультиметра. При этом на индикаторе должно высветиться значение падения напряжения на переходе база-эмиттер.

Далее проверяем переход база-коллектор. Для этого красный щуп оставляем на базе, а черный подключаем к коллектору, при этом прибор покажет падение напряжения на переходе.

Здесь необходимо отметить, что падение напряжения на переходе Б-К всегда будет меньше падения напряжения на переходе Б-Э. Это можно объяснить меньшим сопротивлением перехода Б-К по сравнению с переходом Б-Э, что является следствием того, что область проводимости коллектора имеет большую площадь по сравнению с эмиттером.

По этому признаку можно самостоятельно определить цоколевку транзистора, при отсутствии справочника.

Так, половина дела сделана, если переходы исправны, то вы увидите значения падения напряжения на них.

Теперь необходимо включить p-n переходы в обратном направлении, при этом мультиметр должен показать «1», что соответствует бесконечности.

Подключаем черный щуп на базу транзистора, красный на эмиттер, при этом мультиметр должен показать «1».

Теперь включаем в обратном направлении переход Б-К, результат должен быть аналогичным.

Осталось последняя проверка – переход эмиттер-коллектор. Подключаем красный щуп мультиметра к эмиттеру, черный к коллектору, если переходы не пробитые, то тестер должен показать «1».

Меняем полярность (красный-коллектор, черный- эмиттер) результат – «1».

Если в результате проверки вы обнаружите не соответствие данной методике, то это значит, что транзистор неисправен.

Эта методика подходит для проверки только биполярных транзисторов. Перед проверкой убедитесь, что транзистор не является полевым или составным. Многие изложенным выше способом пытаются проверить именно составные транзисторы, путая их с биполярными (ведь по маркировки можно не правильно идентифицировать тип транзистора), что не является правильным решением. Правильно узнать тип транзистора можно только по справочнику.

При отсутствии режима проверки диодов в вашем мультиметра, осуществить проверку транзистора можно переключив мультиметр в режим измерения сопротивления на диапазон «2000». При этом методика проверки остается неизменной, за исключением того, что мультиметр будет показывать сопротивление p-n переходов.

А теперь по традиции поясняющий и дополняющий видеоролик по проверке транзистора:

Фотоэлектрические датчики | Reflex Array

Фотоэлектрические датчики | Reflex Array | SICK

обзор семейств продукции Русский Cesky Dansk Deutsch English Español Suomi Français Italiano 日本語 – Японский 한국어 – Корейский Nederlands Polski Portugues Svenska Türkçe Traditional Chinese Китайский

Фотоэлектрический датчик с 2D световой полосой: универсальность и экономичность

Преимущества

  • Снижает общую стоимость обнаружения почти на 50 % по сравнению с другими решениями
  • Обнаружение объектов размером ≥ 1 мм в световой полосе высотой 20 мм, либо ≥ 3 мм, ≥ 5 мм или ≥ 10 мм в световой полосе высотой 55 мм, либо ≥ 5 мм в световой полосе высотой 25 мм
  • Подавление транспортёрной ленты: вручную или через IO-Link
  • Точечный светодиод обеспечивает очень хорошую видимость световой полосы и простое и быстрое оптическое выравнивание
  • Профилактическое техническое обслуживание с AutoAdapt сокращает время простоя

Обзор

Фотоэлектрический датчик с 2D световой полосой: универсальность и экономичность

В сочетании с отражателем многозадачный фотоэлектрический датчик Reflex Array распознает внутри своей световой полосы передние кромки малогабаритных, плоских, прозрачных или неравномерно сформированных объектов на транспортёрных лентах. Обнаружение происходит независимо от того, где и как объекты лежат на транспортёрной ленте. Фотоэлектрический датчик надёжно обнаруживает, например, стеклянные бутылки или полиэтиленовые пакеты. Reflex Array с лёгкостью справляется даже с обнаружением перфорированных объектов – без многократных переключений. Это снижает общие затраты и ускоряет ввод в эксплуатацию. По сравнению с другими решениями, в которых используются отдельные фотоэлектрические датчики или небольшие световые завесы, Reflex Array обеспечивает значительные ценовые преимущества.

Краткий обзор

  • RAY10: световая полоса высотой 25 мм, обнаруживает объекты размером ≥ 5 мм
  • RAY26: световая полоса высотой 55 мм, три варианта, обнаруживает объекты размером ≥ 3 мм, ≥ 5 мм или ≥ 10 мм
  • Индикатор профилактического технического обслуживания на датчике; передача сигналов технического обслуживания в ПЛК через IO-Link
  • Подавление конвейерной ленты для RAY26P

Преимущества

Простое и быстрое выравнивание благодаря точечному светодиоду

Световая полоса многозадачного фотоэлектрического датчика Reflex Array очень хорошо видна благодаря точечному светодиоду. После выравнивания фотоэлектрического датчика требуется только провести обучение датчика и он готов к обнаружению.

Reflex Array

RAY10: хорошая видимость световой полосы на отражателе RAY26: хорошая видимость световой полосы на отражателе

Благодаря быстрой юстировке и простой настройке время ввода в эксплуатацию фотоэлектрического датчика очень коротко

Профилактическое техническое обслуживание

Во время работы синие светодиоды отображают степень загрязнения датчика и отражателя. IO-Link обеспечивает соответствующую передачу данных в ПЛК. Это позволяет своевременно планировать техническое обслуживание или очистку устройства. Это позволяет избежать нежелательных простоев.

Reflex Array

BluePilot на RAY10: чем меньше расстояние между синими светодиодами друг от друга, тем выше степень загрязнения BluePilot на RAY26: чем меньше расстояние между синими светодиодами друг от друга, тем выше степень загрязнения

Профилактическое техническое обслуживание предотвращает простой

Подавление конвейерной ленты

Подавление транспортёрной ленты позволяет постепенно деактивировать зону обнаружения (A) непосредственно над транспортёрной лентой. Благодаря этому во время работы установки подавляются возмущающие воздействия транспортёрной ленты, которые приводят к переключению датчика.

Conveyor belt suppression, manually

Conveyor belt suppression, via IO-Link

Быстро и без особых усилий обеспечить эксплуатационную готовность оборудования с подавлением конвейерной ленты

Применение

Технические данные

 

Загрузки

Наверх

Пожалуйста, подождите.. .

Ваш запрос обрабатывается, это может занять несколько секунд.

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0. 15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0.3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0. 6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0.8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1. 5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7. 5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0. 15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0. 6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1. 5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2. 5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1. 5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0. 15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0. 03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1. 5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2. 5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0. 1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0. 1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1. 5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0. 02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0. 13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0. 1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1. 5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А
    Подключения датчика

    : PNP против NPN и Sourcing против Sinking

    Поскольку многие типичные датчики промышленной автоматизации работают при 24 В постоянного тока, важно понимать два основных варианта этих твердотельных устройств.

    Системы автоматизации

    полагаются на дискретные сигналы ввода / вывода, такие как входы от датчиков и выходы для полевых устройств. В некоторых отраслях промышленности эти сигналы работают при напряжении 120 В переменного тока. Более безопасным и более распространенным вариантом является использование 24 В постоянного тока, и многие конечные пользователи выбирают устройства со штекерными разъемами для упрощения установки и обслуживания.Как оказалось, необходимо немного спланировать, чтобы обеспечить правильное подключение датчиков 24 В постоянного тока и модулей дискретных входов (DI) ПЛК.

    Два типа датчиков 24 В постоянного тока называются PNP и NPN. Они должны быть правильно согласованы с опускающимися и исходящими модулями DI, чтобы они могли функционировать. Это несложно, и на самом деле существует что-то вроде стандартного или, по крайней мере, типичного подхода, как объясняется ниже.

    Эффекты транзистора

    Твердотельная электроника для дискретных датчиков включения / выключения включает транзисторы, которые представляют собой полупроводниковые устройства, сконфигурированные для работы как крошечные реле. Они усиливают очень слабый сигнал, например, датчик положения бесконтактного переключателя, чтобы включить или выключить более сильный сигнал. Этот более мощный сигнал может поступать в точку DI или световой индикатор, или на любое другое устройство с приемлемым номинальным током. Транзисторы бывают двух типов: PNP (исходные) и NPN (проходящие).

    Для транзисторов PNP и NPN «P» и «N» относятся к расположению полупроводниковых материалов. Транзисторы имеют соединения, называемые базой, коллектором и эмиттером.К счастью, для целей промышленной автоматизации совсем не обязательно разбираться в физике полупроводников.

    PNP в сравнении с переключением NPN

    Твердотельные устройства активны, а не пассивны, и поэтому обычно требуют небольшого количества рабочей мощности. Обычно они проектируются как трехпроводные устройства с выводами или соединениями для:

    • +24 В постоянного тока
    • 0 В постоянного тока
    • Коммутируемый или сенсорный сигнал

    Питание устройства осуществляется по проводам +24 В постоянного тока и 0 В постоянного тока. Стиль PNP или NPN определяет, как датчик управляет переключаемым проводом. Вот две основные вещи, которые следует помнить о работе полевого датчика PNP и NPN при наличии сигнала «включено»:

    В чем разница между PNP и NPN?

    Что такое транзисторы PNP и NPN?

    PNP и NPN - это транзисторы с биполярным переходом (BJT). БЮТ изготовлены из легированных материалов и допускают усиление тока. Его можно настроить как PNP и NPN.Транзисторы PNP и NPN обеспечивают возможность усиления или переключения.

    В чем разница между PNP и NPN?

    Легко запомнить, что NPN означает отрицательно-положительно-отрицательный транзистор, а PNP - положительно-отрицательно-положительный транзисторы. Давайте подробнее рассмотрим, как работают транзисторы NPN и PNP.

    Транзистор NPN включается, когда от базы транзистора к эмиттеру подается достаточный ток.Таким образом, база транзистора NPN должна быть подключена к положительному напряжению, а эмиттер - к отрицательному напряжению, чтобы ток протек в базу. Когда от базы к эмиттеру течет достаточно тока, транзистор включает направление тока от коллектора к эмиттеру, а не от базы транзистора к эмиттеру. Транзистор PNP работает наоборот. В транзисторе PNP ток обычно течет от эмиттера транзистора к базе, и когда от эмиттера к базе течет достаточно тока, транзистор включает ток, направляя ток от эмиттера к коллектору.

    Вкратце, транзистор NPN требует положительного тока от базы к эмиттеру, а PNP требует отрицательного тока к базе, но ток должен течь от базы к земле.

    - базовый терминал; E - вывод эмиттера; C - вывод коллектора

    Вот ссылка на видео ниже, которая может объяснить как работают транзисторы NPN и PNP подробнее:

    PNP и NPN транзисторный выходной сигнал и нагрузка резистор

    Различные оптические, индуктивные, емкостные и др. датчики имеют выходной сигнал с именами PNP NO, PNP NC, NPN NO, NPN NC. Все эти сигналы представляют собой просто переключатель ВКЛ / ВЫКЛ, но вместо сухого контакта у нас установлен выходной транзистор. Транзистор имеет выходную полярность (в отличие от сухого контакта). Как мы должны понимать эти результаты:

    PNP - (транзистор PNP) NO - нормально открытый, это означает, что на выходе нет напряжения, пока датчик не сработал (см. Рисунок, выходной разъем датчика PNP № 4). При срабатывании датчика у нас будет +24 В на разъеме №2.4. Этот сигнал +24 В может быть подключен непосредственно к ПЛК или для любых других функций, таких как срабатывание реле, срабатывание сигнализации. Обычно ограничение тока в датчиках приближения составляет до 200 мА, поэтому на всех схемах показано, что выход подключается через резистор, на самом деле этот резистор встроен в ваш ПЛК, это может быть катушка вашего реле или индикаторная лампа. . Если мы подключим выход непосредственно к GND (минусовой провод), мы получим короткое замыкание, что означает, что ток будет расти и достигнет максимального тока источника питания.Таким образом, если у нас есть, например, источник питания 5A, короткое замыкание превысит предел тока датчика, и он будет поврежден.

    Если у нас есть датчик NPN NC, это означает, что наш датчик оснащен транзистором NPN на выходе, а датчик нормально закрыт - это означает, что у нас есть выходной сигнал в высоком состоянии, в то время как датчик не срабатывает. Вместо заземления мы используем положительный кабель.


    Разница между транзисторами NPN и PNP с таблицей сравнения

    Одно из основных различий между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что в транзисторе NPN ток протекает между коллектором и эмиттером, когда положительное питание подается на базу, тогда как в транзисторе PNP носитель заряда течет от эмиттера к коллектору при отрицательном поставка отдана на базу.Транзисторы NPN и PNP различаются ниже в сравнительной таблице с учетом различных других факторов.

    NPN и PNP оба являются биполярным переходным транзистором. Это устройства управления током, которые в основном используются для переключения и усиления сигнала. В основном, в схеме используется NPN-транзистор, потому что в NPN-транзисторе ток проводимости создается в основном электронами, в то время как в транзисторе PNP ток проводимости возникает из-за отверстий. Поскольку электроны более подвижны, NPN имеет высокую проводимость.

    Буквы PNP и NPN показывают напряжение, необходимое для эмиттера, коллектора и базы переходного транзистора. Транзисторы NPN и PNP, оба изготовлены из разного материала, из-за чего ток в них также различается. Иногда, когда на эмиттер подается напряжение, электроны пересекают базовый переход и достигают области коллектора. Это происходит потому, что база транзисторов NPN и PNP очень тонкая и слегка легированная.

    Содержание: NPN против PNP транзистора

    1. Таблица сравнения
    2. Определение
    3. Ключевые отличия

    Сравнительная таблица

    Транзистор Транзистор
    Основа для сравнения НПН ПНП
    Определение Транзистор, в котором два слоя n-типа разделены одним слоем P-типа Два блока полупроводников p-типа разделены одним тонким блоком полупроводника n-типа.
    Символ
    Полная форма Отрицательный Положительный и отрицательный Положительный Отрицательный и положительный
    Направление тока Коллектор к эмиттеру Эмиттер к коллектору
    Включение Когда электроны попадают в базу. Когда отверстия входят в основание.
    Внутренний ток Развивается из-за переменного положения электронов. Возникают из-за различного положения отверстий.
    Внешний ток Ток возникает из-за потока отверстий. Ток возникает из-за потока электронов.
    Основной носитель заряда Электрон Отверстие
    Время переключения Быстрее Медленнее
    Несовершеннолетний носитель заряда Отверстие Электрон
    Положительное напряжение Клемма коллектора Клемма эмиттера
    Прямое смещение Базовое соединение эмиттера Базовое соединение эмиттера
    Обратное смещение Разветвление основания коллектора Разветвление основания коллектора
    Малый ток Течение от эмиттера к базе От базы к эмиттеру
    Сигнал заземления Низкий Высокий

    Определение транзистора PNP

    Транзистор PNP имеет два блока из материала p-типа и один блок из материала n-типа.Он имеет три вывода: эмиттер, базу и коллектор. Эмиттер и коллектор PNP-транзистора изготовлены из материала p-типа, а их основание - из материала n-типа.

    Переход эмиттер-база PNP подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Переход эмиттер-база подталкивает основной носитель заряда к базе, таким образом устанавливая ток эмиттера. Отверстие в материале p-типа объединяется с материалом n-типа, следовательно, составляет базовый ток.Оставшееся отверстие проходит через отрицательно смещенную область коллектор-база и собирается коллектором, из-за чего возникает ток коллектора. Таким образом, полный ток эмиттера протекает через цепь коллектора.

    Ток эмиттера = ток коллектора + ток базы

    Определение NPN-транзистора

    Транзистор NPN состоит из двух полупроводниковых материалов n-типа, разделенных тонким слоем материала p-типа. Коллектор - это самая толстая область, а база - самая тонкая область NPN-транзистора.Область эмиттер-база транзистора находится под прямым смещением, а область коллекторной базы подключена с обратным смещением. Напряжение обратного смещения значительно меньше по сравнению с обратным смещением.

    Переход эмиттер-база находится в прямом смещении, из-за чего большое количество электронов достигает базы. Это развивает ток эмиттера. Электрон в базовой области совмещен с дырками. Но база очень тонкая и слегка легированная, поэтому только маленькие дырки объединяются с электронами и составляют ток базы.Оставшиеся электроны проходят через область базы коллектора и развивают ток коллектора. Весь ток эмиттера протекает через коллекторную цепь.

    Ток эмиттера = ток коллектора + ток базы

    Ключевые различия между транзисторами NPN и PNP

    1. Транзистор NPN имеет два блока из полупроводниковых материалов n-типа и один блок из полупроводниковых материалов p-типа, тогда как транзистор PNP имеет один тонкий слой материала p-типа и два толстых слоя материала N-типа.
    2. Обозначения транзисторов NPN и PNP почти одинаковы, единственное различие между ними - это направление стрелки, которая указывает на эмиттер. В транзисторе NPN острие стрелки движется наружу к базе, а в PNP стрелка движется внутрь.
    3. В транзисторе NPN ток течет от коллектора к эмиттеру, потому что положительное питание подается на базу, тогда как в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
    4. Транзистор NPN включается, когда электрон входит в базу, в то время как транзистор PNP включается, когда дыры входят в базу.
    5. Внутренний ток в транзисторе NPN составляет из-за переменного положения электронов, тогда как в транзисторе PNP внутренний ток возникает из-за переменного положения отверстий.
    6. В транзисторе NPN выходной ток существует из-за потоков дырок, а в PNP он создается из-за потоков электронов.
    7. В транзисторе NPN основным носителем заряда является электрон, тогда как в транзисторе PNP основная дырка является основным носителем заряда.
    8. Неосновным носителем заряда NPN-транзистора является дырка, а в PNP-транзисторе - электроны.
    9. Время переключения NPN-транзистора больше по сравнению с PNP-транзистором, потому что основной носитель заряда NPN-транзистора - электрон.
    10. Переход эмиттер-база как NPN-, так и PNP-транзисторов имеет прямое смещение.
    11. Примечание: передний базовый переход означает, что клемма p диода подключена к положительной клемме источника питания, а материал n-типа подключен к отрицательной клемме источника питания.
    12. Коллектор-база транзистора NPN и PNP соединена с обратным смещением.
    13. Примечание. Обратное смещение означает, что отрицательная область подключена к положительной клемме источника питания, а p-область подключена к положительной клемме источника питания.
    14. Транзистор NPN включается, когда небольшой ток течет от эмиттера к базе, тогда как для включения транзистора PNP небольшой ток течет от базы к эмиттеру.
    15. Сигнал заземления транзистора PNP поддерживается низким, тогда как в транзисторе PNP уровень сигнала заземления высокий.

    Ключ к действию транзистора - это слаболегированная база между сильно легированным коллектором и эмиттером.

    В чем разница между PNP и NPN?

    Мы иногда используем партнерские ссылки в нашем контенте. Это вам ничего не будет стоить, но поможет нам компенсировать расходы на оплату труда нашей команды писателей. Вы можете поддержать нас прямо на BuyMeACoffee. Спасибо!

    Здесь, в блоге, мы проводим много времени, работая с датчиками и контроллерами 5 В постоянного тока (например, Arduino). И многие из этих знаний являются отличным руководством для знакомства с промышленными контроллерами, такими как ПЛК (программируемые логические контроллеры).

    Однако, когда вы начинаете работать с ПЛК и датчиками 24 В постоянного тока, вы должны следовать несколько иному способу подключения. Два очень распространенных, но сбивающих с толку термина в этом пространстве - это «PNP» и «NPN». Эта статья призвана объяснить эти термины и предоставить реальные примеры того, как подключать датчики PNP и NPN к ПЛК.

    Как запомнить PNP и NPN (что есть что)?

    Прежде чем мы углубимся в разводку, давайте поговорим о том, что такое PNP и NPN, и о некоторых методах их запоминания.Вы можете думать о «N» как о «отрицательном» и «P» как о «положительном». Средняя буква - это буква, подключенная к общей клемме. Для датчиков PNP отрицательная сторона соединена с общим. Для датчиков NPN положительная сторона подключена к общему проводу.

    Утопить или истечь?

    PNP также известен как «Sourcing». Устройства PNP переключают положительную сторону цепи.
    Устройство PNP «подает» или подает +24 В на плату ввода, когда оно активно.

    Устройства

    NPN известны как «тонущие» и могут переключать отрицательную сторону.Устройство NPN «втягивает» или подает -24 В на входную плату в активном состоянии.

    Кроме того, одних терминов Sourcing и Sinking недостаточно для описания конфигурации, потому что SINKING обеспечивает путь к земле, а SOURCING обеспечивает путь к V +. Стандартное соглашение имеет NPN = SINKING и PNP = SOURCING.

    Как выбрать датчик PNP или NPN?

    Датчики

    PNP и NPN определяются типом цепи, используемой в системе. В большинстве ПЛК можно настроить карты как PNP или NPN.Следует также отметить, что датчики NPN и PNP никогда не следует смешивать на плате ввода ПЛК.

    Кроме того, если у вас есть конкретный тип входной карты ПЛК, то есть NPN или PNP, важно убедиться, что вы выбрали подходящие датчики. Например, вы можете использовать датчики NPN с картой ввода NPN или картой ввода «типа источника». Однако вы не можете использовать датчики PNP с платой ввода NPN.

    Этапы подключения промышленного датчика к ПЛК

    Теперь давайте рассмотрим пример использования 3-проводного датчика приближения и карты дискретного ввода постоянного тока на нашем ПЛК.

    1. Сначала выберите датчик, который соответствует входной плате ПЛК (дискретный ВХОД ПОСТОЯННОГО ТОКА) и имеет тот же тип разводки цепи (PNP или NPN). В этом примере мы подключим 3-проводной датчик приближения к плате дискретного входа постоянного тока и пройдемся по типам проводки PNP и NPN.

    2. Затем проверьте лист данных на свой датчик. Провод 3 обычно подключается к нагрузке (или входу терминала на плате ввода ПЛК).

    3. Затем следуйте одному из двух руководств по подключению для PNP или NPN, приведенных ниже.

    Как подключить датчики PNP (источника) к плате ввода ПЛК

    Для подключения нашего датчика приближения PNP вы можете использовать эту методику. Рекомендуется ознакомиться с техническими данными датчика, поскольку цвета и конфигурации проводов могут отличаться.

    Сначала подключите коричневый провод или провод 1 к +24 В. Затем подключите провод 2 (синий провод) к общей клемме источника питания. Наконец, подключите черный провод или провод 3 к нагрузке или контакту на плате ввода ПЛК.

    Как подключить датчики NPN к плате ввода ПЛК

    Датчики

    NPN подключаются так же, за исключением того, что вы подключаете +24 В к общему

    Протестируйте и запрограммируйте свой ПЛК

    После подключения источника питания, ПЛК, платы ввода и датчика следующим шагом будет проверка его работы.Большинство современных ПЛК имеют световые индикаторы как для входных, так и для выходных контактов. Включите датчик приближения и убедитесь, что индикатор загорелся.

    Изображение предоставлено курсом S7-1200 на Udemy

    Наконец, вы можете войти в среду программирования ПЛК (Studio5000 для контроллеров Allen-Bradley или TIA Portal для контроллеров Siemens) и создать релейную логику.

    Если вы новичок в программировании ПЛК, я рекомендую проверить этот курс программирования ПЛК от Udemy.Я прошел курс S7-1200, и он содержит очень подробное содержание, которое поможет вам начать работу с диаграммами лестничной логики и функциональных блоков.

    Не пропустите!

    Поддержка такого содержания

    NPN vs PNP-транзистор | Разница между PNP и NPN

    Биполярные переходные транзисторы бывают типов NPN и PNP. Эта статья призвана помочь вам понять разницу между этими двумя типами и способы их использования в цепи. Кроме того, это будет полезно инженерам по автоматизации и инженерам по КИП в понимании трехпроводных подключений датчиков.

    Транзисторы изготавливаются путем объединения двух типов полупроводников: n-типа и p-типа. Полупроводники n-типа несут на себе атомов донора электронов и полупроводники p-типа c акцептора электронов атомов (дырок).

    Транзисторы NPN: Содержит две области полупроводников n-типа с полупроводником p-типа посередине.

    Транзисторы PNP: Содержит две области полупроводников p-типа с полупроводником n-типа посередине.

    На рисунке показаны структуры транзисторов NPN и PNP и их обозначения.

    Транзистор с биполярным соединением - это устройство с регулируемым током. Выходом BJT можно управлять, управляя базовым током.

    NPN и PNP: разница в подключении

    Основное различие между NPN и PNP заключается в том, как они используются в схеме. С точки зрения датчика, датчики с конфигурацией выхода NPN действуют как выход с понижением частоты, а датчики с конфигурацией выхода PNP действуют как выход источника .

    Подробнее: Цифровой ввод / вывод и аналоговый ввод / вывод

    Сравнение транзисторов NPN и PNP

    - Отрицательный Подключение нагрузки
    NPN PNP
    Полярность клемм Излучатель - Отрицательный
    База - Положительный
    Коллектор - Положительный
    Излучатель - Положительный
    База - Отрицательный
    Коллектор
    Нагрузка подключается между плюсом и коллектором. Нагрузка подключается между эмиттером и землей.
    Направление обычного тока Направление обычного тока течет от собранного к эмиттеру. Направление обычного тока - от эмиттера к коллектору.

    Разница между NPN и PNP транзистором

    Привет, друзья, надеюсь, у вас все отлично. В сегодняшнем руководстве мы обсудим разницу между NPN и PNP транзистором .Основное различие между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что в транзисторе NPN ток движется от коллектора к эмиттеру после подачи положительного напряжения на базу, тогда как в конфигурации PNP эмиттер протекает через коллектор после подачи отрицательного напряжения на клемме базы. И NPN, и PNP являются типами BJT или биполярных транзисторов. Это устройство, используемое для регулирования тока, а также его можно использовать в качестве переключателя или усилителя.

    В основном в схемах используется транзистор NPN, поскольку в транзисторе NPN ток течет из-за электронов, в то время как в транзисторе PNP ток течет из-за дыр.Из-за быстрого движения электронов в NPN возникает высокая проводимость. В сегодняшнем посте мы подробно рассмотрим транзисторы NPN и PNP и сравним их, чтобы найти различия. Итак, давайте начнем с разницы между транзисторами NPN и PNP.

    Разница между транзисторами NPN и PNP

    Транзистор NPN

    • Типы BJT, в которых 2 слоя типа N разделены слоем P, называются транзистором NPN.
    • Полная форма транзистора NPN бывает отрицательной, положительной и отрицательной.
    • Направление тока в транзисторе NPN - от коллектора к эмиттеру.
    • Его работа начинается после попадания электронов в базу.
    • В этом транзисторе ток генерируется за счет движения электронов.
    • Его внешняя сторона тока генерируется из-за движения отверстий.
    • В большинстве транзисторов носителями заряда являются электроны.
    • Его скорость переключения выше, чем у PNP.
    • Неосновные носители в этом транзисторе - дырки.
    • Положительное напряжение подается на коллектор NPN-транзистора.
    • Его эмиттерный переход находится в прямом смещенном состоянии.
    • Коллектор-база имеет обратное смещение.
    • Меньшее значение тока, протекающего от эмиттера к базе.

    PNP-транзистор

    • Тип транзистора, в котором 2 P-области разделены одним веществом N-типа.
    • Полная форма PNP бывает положительной, отрицательной и положительной.
    • Направление тока в этом транзисторе - от эмиттера к коллектору.
    • Начинает работу после прохождения дыр в основании.
    • Его внутренний ток, возникающий из-за движения отверстий.
    • Его внешний ток возникает из-за движения электронов.
    • Его скорость переключения меньше, чем у NPN-транзистора.
    • В этом транзисторе электроны являются неосновными носителями заряда.
    • Напряжение подается на эмиттер транзистора.
    • Его базовый переход эмиттера находится в прямом смещенном состоянии.
    • Его коллекторное соединение с базой находится в состоянии обратного смещения.
    • От базы к эмиттеру течет небольшой ток.

    Что такое транзистор PNP
    • В этом транзисторе 2 P и одна N области сконфигурированы друг с другом. У транзистора 3 вывода: первый - база, второй - эмиттер, а третий - коллектор.
    • Его коллектор и эмиттер созданы из вещества P-типа, а основание создано из вещества N-типа, которое обычно является центральной частью.
    • Эмиттер и базовый переход соединены в прямом смещении, но переход коллектор-база находится в обратном смещенном состоянии.
    • Переход эмиттер-база направляет дыры, которые являются положительными носителями, к базе и генерирует ток эмиттера.
    • Дырки вещества P соединяются с электронами N-области и генерируют ток базы.
    • Оставшиеся отверстия идут в область коллектор-база с обратным смещением, собираются у коллектора и вызывают ток коллектора.
    • Следовательно, полный ток эмиттера проходит через коллектор.

    Ток эмиттера = ток коллектора + ток базы

    Что такое транзистор NPN
    • В транзисторе NPN есть 2 N областей, которые разделены тонким слоем вещества p.
    • Площадь коллектора больше, чем база транзистора, который тонкий, а коллектор толстый.
    • Область эмиттер-база транзистора находится в прямом смещенном состоянии, а база коллектора смещена в обратном направлении.
    • Значение напряжения при обратном смещении меньше, чем при прямом смещении.
    • Поскольку переход эмиттер-база находится в прямом смещенном состоянии, многочисленные электроны направляются к базе. Благодаря этому на эмиттере течет ток.
    • В базе электроны смешаны с дырками. Остальные электроны перемещаются в область коллектор-база и вызывают протекание коллекторного тока.
    • Полный ток эмиттера проходит в цепи коллектора.

    Сравнение между NPN и PNP транзистором
    • В NPN-транзисторе P тонкая область окружена между двумя N областями, а в PNP-транзисторе тонкая N область окружена областью 2 P.
    • Символическое представление транзисторов NPN и PNP аналогично, но разница в том, что стрелка транзистора NPN направлена ​​наружу к базе, а стрелка PNP - внутрь.
    • Из-за положительного питания на базе ток протекает от коллектора к эмиттеру в транзисторе NPN, в то время как в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
    • Транзистор NPN начинает работу после входа электрона в базу, а PNP начинает работу после входа в отверстия в базе.
    • Внутренний ток NPN-транзистора генерируется из-за движения электронов, а в PNP-токе течет из-за движений дырок.
    • Внешний ток NPN движется из-за холов, а внешний ток PNP движется из-за электронов.
    • В NPN неосновными носителями заряда являются дырки, а в PNP - электроны.
    • В NPN основными носителями заряда являются электроны, а в PNP - дырки.
    • Из-за наличия основного носителя заряда электронов в транзисторе NPN время переключения NPN больше, чем у PNP.
    • Для NPN и PNP переход эмиттер-база транзистора находится в прямом смещенном состоянии.
    • Но переход коллектор-база обоих транзисторов имеет обратное смещение.

    Это подробный пост о разнице между транзисторами NPN и PNP, если у вас есть какие-либо вопросы, задавайте их в комментариях. Спасибо за прочтение. Хорошего дня.

    Автор: Генри
    http://www.theengineeringknowledge.com

    Я профессиональный инженер и закончил известный инженерный университет, а также имею опыт работы инженером в различных известных отраслях промышленности.Я также пишу технический контент, мое хобби - изучать новые вещи и делиться ими с миром. Через эту платформу я также делюсь своими профессиональными и техническими знаниями со студентами инженерных специальностей.

    Пост-навигация

    Транзисторы NPN и PNP

    Введение

    Транзисторы - невероятно полезные устройства. Мое любимое применение биполярных транзисторов (BJT) - переключатели. Подавая на них высокое (1) или низкое (0) напряжение, транзисторы переключаются из включенного состояния в выключенное или наоборот.Эти транзисторы также можно использовать для усиления тока. Их также можно использовать вместе с боковыми диодами для создания логических вентилей. Однако здесь мы остановимся на разнице между транзисторами NPN и PNP.

    Как выбрать между транзисторами NPN и PNP

    Два транзистора могут использоваться для выполнения одного и того же действия, например, переключения, но способы их использования различаются. Ниже я объясню, как работают как NPN, так и PNP, а затем, в зависимости от вашего приложения, вы можете выбрать наиболее подходящий транзистор.

    Транзистор NPN

    NPN-транзисторы пропускают ток от коллектора к эмиттеру. Как правило, эмиттер заземлен, а цепь, которая будет включаться и выключаться, размещается на стороне коллектора транзистора с питанием. Следует отметить, что хотя верхняя часть схемы может быть подключена к источнику напряжения, фактический ток не проходит через схему, пока она не будет подключена к земле, которая отделена от схемы транзистором NPN. Транзистор NPN включен, когда к базе подключено высокое напряжение (1), и выключен, когда к базе подключено низкое напряжение (0 - обычно земля). Также важно знать, что напряжение на выводе базы связано с тем, как транзистор включен в схему. Напряжение на выводе базы в этой конфигурации является заземлением, что, вероятно, связано с заземленным выводом эмиттера. Вот почему, когда базовый вывод NPN-транзистора затем подключается к высокому напряжению, например 5 В, ток течет в транзистор и соединяет эмиттер и коллектор.

    Транзистор PNP

    Транзисторы PNP пропускают ток от эмиттера к коллектору. Обычно на эмиттер подается питание, а цепь, которая будет включаться и выключаться, размещается на стороне коллектора транзистора, подключенного к земле. Следует отметить, что схема снова не будет запитана, если транзистор не будет включен. Транзистор PNP включен, когда к базе подключено низкое напряжение (0 - обычно земля), и выключен, когда к базе подключено высокое напряжение (1). В случае транзистора PNP напряжение на выводе базы приблизительно равно напряжению Vcc. Когда я тестировал это с 5 В постоянного тока, напряжение на базовом выводе составляло примерно 4,6 В. Вот почему, когда базовый вывод PNP подключен к земле, ток будет течь к транзистору, который соединяет эмиттер с коллектором.

    Предупреждения

    При работе с транзисторами, как и со всеми компонентами в цепях, необходимо внимательно проанализировать, как ток течет по цепи.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *