Однопереходный транзистор: Однопереходной транзистор

Содержание

Устройство и принцип работы однопереходного транзистора

Применение однопереходных транзисторов дало возможность значительно упростить многие схемотехнические решения при проектировании электрических схем различных электронных устройств автоматики, особенно в 80-90-е годы прошлого столетия. Наработанные в то время схемы, с применением однопереходных транзисторов, и в наше время привлекают своей простотой, относительно низкой стоимостью и универсальностью.

Однополярный транзистор (двухбазовый диод), в большинстве случаев, изготавливают на основе монокристаллической пластины кремния n-типа с высоким значением удельного сопротивления, на боковой стороне которой находится один эмиттерный p-n переход (см.рис.1,а). На концах пластины n-типа и p-n перехода расположены омические контакты Б1,Б2 и Э. Участки баз Б1и Б2 имеют различную длину, где обычно длина l1<l2. Омическое сопротивление участка между базами Б1и Б2 имеет значение в несколько килоом и линейную вольт-амперную характеристику.

Напряжение

UБ1Б2 между базами, внутри транзистора (рис.1,а), распределяется пропорционально сопротивлениям RБ1 и RБ2 ( длины l1 и l2 ).

На рис.1,б изображена схема включения однопереходного транзистора, а на рис.2 его вольтамперная характеристика, дающие представление о принципе работы. Когда напряжение на эмиттере UЭ превысит напряжение UЭб1 (точка А на рис.2) то p-n переход откроется (диод Д, см.рис.1,в включится в прямом направлении) и по нему потечёт эмиттерный ток IЭ. В дальнейшем начинает происходить лавинообразный процесс уменьшения сопротивления участка базы длиной l1 , уменьшения напряжения UЭб1, ещё большее открывание p-n перехода и увеличение тока эмиттера. Этот процесс приводит к возникновению участка АВ с “отрицательным” сопротивлением (рис.2, кривая 1), когда ток растёт а напряжение падает. На этом участке имеет место увеличение эмиттерного тока IЭ при уменьшении напряжения

UЭ. Зависимость сопротивления эмитерного p-n перехода от увеличении тока IЭ уменьшается и при некотором значении IВЫКЛ  теоретически становится равной нулю(область насыщения).

Если, в дальнейшем, повышать внешнее эмиттерное напряжение UЭ , то эмиттерный ток  IЭ будет увеличиваться, участок ВС кривой 1 на рисунке 2. Уменьшение напряжения UБ1Б2 вызывает смещение вольт-амперной характеристики влево (кривая 2 на рис.2), а при UБ1Б2=0 вольт-амперная характеристика становится характеристикой открытого p-n перехода (кривая 3 на рис.2).

Такие особенности как: несложность конструкции, малое потребление тока в цепи управления, достаточно высокая стабильность напряжения срабатывания, возможность формирования относительно мощных импульсов и т. д., и в наше время остаются довольно востребованы для реализации оптимальных схемотехнических решений.

Рассмотрим принцип работы схемы на рис.3 для формирования импульсов включения симметричного тиристора. При закрытом p-n переходе, напряжение

UБ1Б2 через резистор R1 заряжает конденсатор С1. Когда напряжение на С1 , а значит и на эмиттере транзистора, достигает значения  UЭ=Uвкл транзистор отпирается, падение напряжения на резисторе R3 увеличивается, конденсатор С1 начинает разряжаться через сопротивление эмиттерного перехода транзистора и резистор R3. Разряд конденсатора до определённого значения приводит к запиранию транзисторного p-n перехода и уменьшению напряжения на R3, после чего снова начнётся процесс заряда конденсатора и т.д.. Если не отключить напряжение UБ1Б2 , то процесс заряда-разряда (вкл./выкл.) скорее всего будет повторяться теоретически бесконечно.

При этом форма выходных импульсов Uвых будет близка к прямоугольной , что даёт возможность использовать их ,например в качестве входного сигнала для управления симметричным тиристором. Резистором R1 можно регулировать момент включения тиристора, используемого в качестве электронного ключа, управляющего в свою очередь подключением и отключением электрической нагрузки, например нагревательного элемента.

Основные электрические характеристики однопереходных (двухбазовых) транзисторов с n-базой малой мощности КТ117 :

Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги Теория и применение

Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги Теория и применение

Предисловие

Однопереходной транзистор (ОПТ, он же двухбазовый диод) был предложен Генрихом Велькером в его французском патенте еше в 1948 г. Это был один из первых полупроводниковых негатронов - приборов с S-образной ВАХ и с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Интерес к прибору резко возрос в 60-х годах прошлого века, когда появились первые типы серийных ОПТ и были созданы основы их схемных применений. Уже тогда выпуск ОПТ только фирмой General Electric достигал многих миллионов штук в год и приборы широко использовались в авиационной и зарождающейся аэрокосмической промышленности. Применение ОПТ в электронике самолетов экономило до $8000 на каждый выпущенный самолет. В СССР пик популярности ОПТ пришёлся на 70-е годы и нашел отражение в нашей литературе. Тогда же был освоен массовый серийный выпуск классических ОПТ серий КТ117 и КТ119, доживших до наших дней.

В 80-е годы интерес к ОПТ заметно ослаб, хотя эти приборы, как «рабочие лошадки», продолжали широко применяться в различной аппаратуре, прежде всего в источниках электропитания с фазоимпульсным методом регулирования. Они использовались также в схемах запуска тиристоров, в устройствах автоматики и в других устройствах промышленной, бытовой и военной электроники. Приборы высоко ценились специалистами за дешевизну, высокую надежность, неприхотливость устройств на их основе, малый уровень создаваемых помех, высокую стабильность частоты релаксационных генераторов и широкий диапазон рабочих температур (от -60 до + 125 °С).

Ослаблению интереса к этим приборам способствовала разработка интегральных микросхем - как общего применения, так и специального, например, микросхем высокостабильных интегральных таймеров, схем запуска тиристоров и т. д. У нас ослабление интереса к ОПТ приняло застойный и длительный характер из-за последовавших в 90-е годы геополитических процессов, приведших к Распаду СССР, резкому падению производства наукоемкой продукции и к фактическому развалу некогда могучей советской науки.

Однопереходный транзистор — Википедия

Материал из Википедии — свободной энциклопедии

Схемные изображения однопереходных транзисторов

с базой n-типа

с базой p-типа

Строение транзистора 2Т117Б:
Крупный контакт — эмиттер, малый контакт — Б1, нижняя сторона кристалла — Б2

Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Устройство и обозначение

Основой транзистора является кристалл полупроводника (например n-типа), который называется базой . На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником

p-типа, выполняющим роль эмиттера.

Выпускался в СССР и имел обозначение КТ 117А (Б, В, Г). Зарубежные аналоги 2N6027, 2N6028. Выпускаются и сейчас. См. англ. вариант страницы

История

Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора».

Принцип работы

Усилительные и переключающие свойства ОПТ обусловлены изменением сопротивления базы в результате инжекции в неё неосновных носителей зарядa[1].

Эквивалентная схема замещения Вольт-амперная характеристика однопереходного транзистора.

Принцип действия однопереходного транзистора удобно рассматривать, воспользовавшись эквивалентной схемой, где верхнее сопротивление RB1{\displaystyle R_{B1}} и нижнее сопротивление RB2{\displaystyle R_{B2}} — сопротивления между соответствующими выводами базы и эмиттером, а диодом показан — эмиттерный р-n переход.

Ток, протекающий через сопротивления RB1{\displaystyle R_{B1}} и RB2{\displaystyle R_{B2}}, создаёт на первом из них падение напряжения, смещающее диод Д в обратном направлении. Если напряжение на эмиттере Uэ меньше падения напряжения на сопротивлении RB1{\displaystyle R_{B1}} — диод Д закрыт, и через него течёт только ток утечки. Когда же напряжение Uэ становится выше напряжения на сопротивлении RB1{\displaystyle R_{B1}}, диод начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом падение напряжения на сопротивлении RB1{\displaystyle R_{B1}} уменьшается, что приводит к увеличению тока в цепи Д-RB1{\displaystyle R_{B1}}, что в свою очередь, вызывает дальнейшее уменьшение падения напряжения на RB1{\displaystyle R_{B1}}. Этот процесс протекает лавинообразно. Сопротивление RB1{\displaystyle R_{B1}} уменьшается быстрее, чем увеличивается ток через р-n переход, в результате на вольт-амперной характеристике однопереходного транзистора, появляется область отрицательного сопротивления. При дальнейшем увеличении тока зависимость сопротивления RB1{\displaystyle R_{B1}} от тока через

р-n переход уменьшается, и при значениях бо́льших некоторой величины Iвыкл сопротивление не зависит от тока (область насыщения).

При уменьшении напряжения смещения Uсм вольт-амперная характеристика смещается влево и при отсутствии его обращается в характеристику открытого р-n перехода.

Параметры ОПТ

Основными параметрами однопереходных транзисторов являются:

  • межбазовое сопротивление RBB=RB1+RB2{\displaystyle R_{BB}=R_{B1}+R_{B2}}
  • коэффициент передачи η{\displaystyle \eta }, характеризующий напряжение переключения и определяется по формуле
η=RB1RB1+RB2=RB1RBB{\displaystyle \eta ={\frac {R_{B1}}{R_{B1}+R_{B2}}}={\frac {R_{B1}}{R_{BB}}}}
  • напряжение срабатывания Ucp — минимальное напряжение на эмиттерном переходе, необходимое для перехода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением
  • ток включения Iвкл — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления
  • ток выключения Iвыкл — наименьший эмиттерный ток, удерживающий транзистор во включенном состоянии
  • напряжение выключения Uвыкл — напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл;
  • обратный ток эмиттера Iэо — ток утечки закрытого эмиттерного перехода

Применение

Однопереходные транзисторы получили широкое применение в различных устройствах автоматики, импульсной и измерительной техники — генераторах, пороговых устройствах, делителях частоты, реле времени и т.  д. Хотя основной функцией ОПТ является переключатель, в основном функциональным узлом среди большинства схем на ОПТ является релаксационный генератор.

В связи с относительно большим объёмом базы однопереходные транзисторы уступают биполярным по частотным характеристикам[1].

См. также

Примечания

  1. 1 2 В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин
    Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов — 4-е изд. — М.: Высшая школа, 1987. — 478 с. ил.

Литература

  • Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1973.
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов = Physics of Semiconductor Devices. — 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — С. 248-250. — 456 с.
  • Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977.
  • Нефёдов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги, 1980.
  • Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Б. Л. Перельмана, 1981.
  • Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теория и применение. М.: СОЛОН-Пресс, 2008.- 240 с.
  • Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. М.: СОЛОН-Пресс. 2008.- 384 с.
  • Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 4-е перераб. и доп. изд. — М.: Высшая школа, 1987. — С. 272-275. — 479 с.


Однопереходные транзисторы

Однопереходный транзистор — это полупроводниковый прибор с одним выпрямительным переходом и тремя выводами, переключающие и усилительные свойства которого обусловлены модуляцией сопротивления базы в результате инжекции в нее неосновных носителей заряда. Структура и УГО однопереходного транзистора показана на рис.  36,а.

Рис. 36

л8р1

Основу транзистора составляет пластина из полупроводника с проводимостью n-типа. С двух граней этой пластины при помощи невыпрямляющих контактов металл-полупроводник сформированы выводы прибора, которые носят название первой и второй базы. В пластину внедрена область с проводимостью p-типа, причем она легирована сильнее, чем область основного полупроводника. Соответственно, n-область однопереходного транзистора является базой, а p-область — эмиттером. Прямой ток через p-n переход будет определяться в основном дырочной составляющей. Электрод, связанный с p-областью, называется эмиттером.

Подадим на однопереходный транзистор внешние напряжения, как показано на рис.  36,б. В этом случае через базу однопереходного транзистора начнет течь ток IБ2. Из-за протекания этого тока вдоль базы будет наблюдаться продольное падение напряжения. Обозначим падение напряжения на участке базы протяженностью l1 через U1. В случае нулевого напряжения между эмиттером и первой базой падение напряжения U1 смещает p-n переход в обратном направлении. Очевидно, что пока p-n переход останется смещен в обратном направлении и через него будет течь только небольшой обратный ток — однопереходный транзистор закрыт.

Если же входное напряжение, поданное на эмиттер относительно первой базы, превысит напряжение U1, то p-n переход открывается и начинается инжекция неосновных носителей заряда (дырок) в базу. Вначале инжекция протекает через ту часть p-n перехода, которая ближе к выводу первой базы. В результате сопротивление участка базы протяженностью l1 уменьшится, что приведет к еще большему смещению p-n перехода в прямом направлении, увеличению уровня инжекции дырок в базу и т. д. Произойдет лавинообразное возрастание инжекции, через p-n переход потечет существенный ток — однопереходный транзистор откроется. Напряжение U1, при котором однопереходный транзистор открывается, называют напряжением включения .

Зависимость тока эмиттера от напряжения называют входной статической характеристикой однопереходного транзистора. Вид этой характеристики показан на рис. 37,а. Для входной характеристики однопереходного транзистора характерно наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Из входной характеристики видно, что однопереходный транзистор может находиться в двух устойчивых состояниях: в закрытом, которое характеризуется относительно большим сопротивлением между различными выводами однопереходного транзистора, и в открытом (или в состоянии насыщения), характеризующимся относительно малым сопротивлением.

а)

б)

Рис.  37

В открытом состоянии однопереходный транзистор будет находиться до тех пор, пока инжекция носителей заряда через эмиттерный переход (т. е. ток эмиттера) будет поддерживать в базе избыточную концентрацию носителей, достаточную для смещения p-n перехода в прямом направлении. Величина тока эмиттера, при которой происходит закрывание однопереходного транзистора, называется током выключения.

Рис. 38

Связь между током через второй базовый вывод межбазового напряжения при определенных значениях тока эмиттера устанавливают выходные (межбазовые) характеристики (рис. 37,б). При выходная характеристика — прямая линия. При прямых токах эмиттера, отличных от нуля, выходные характеристики оказываются нелинейными, т. к. суммарное напряжение на эмиттерном переходе изменяется с изменением выходного тока . Хотя принцип действия однопереходных транзисторов и связан с инжекцией неосновных носителей в базу, он существенно отличается от принципа действия обычного биполярного транзистора.

На рис. 38 представлена схема простого генератора импульсов, в которой использован однопереходный транзистор. Период следования импульсов определяется временем заряда конденсатора до напряжения . При достижении напряжения на эмиттере этой величины, однопереходный транзистор откроется и конденсатор разрядится на нагрузку . Далее цикл повторится.

К недостаткам однопереходных транзисторов можно отнести большой объем базы, вследствие чего они значительно уступают биполярным транзисторам по частотным свойствам. Несмотря на это, однопереходные транзисторы находят применение в схемах переключателей, генераторов и усилителей сигналов.

Транзисторы однопереходные

Каталог товаров Каталог

  • Предохранители и защита (5311)
    • Промышленные предохранители (825)
      • Предохранители 10,3x38мм (274)
        • Предохранители 10,3x38мм быстрые (129)
        • Предохранители 10,3x38мм медленные (60)
        • Предохранители сверхбыстродей. 10,3x38мм (85)
      • Предохранители прочие (207)
      • Предохранители высокого и среднего напряжения (39)
      • Предохранители NH (153)
      • Предохранители 14x51мм (103)
      • Предохранители 22x58мм (30)
      • Предохранители 8x31мм (19)
    • Предохранители - держатели (266)
      • Предохранители - держатели PCB (98)
      • Предохранители - держатель под шину DIN (46)
      • Предохранители - держатели для панели (75)
      • Предохранители - держатели для кабеля (47)
    • Силовые устройства защиты электроники (793)
      • Выключатели двигательные (167)
      • Разъединители (51)
      • Аксессуары (88)
      • Выключатели максимального тока (401)
      • Дифференциальные выключатели (51)
      • Ограничители перенапряжения (35)
    • Предохранители полимерные PTC (305)
      • Предохранители полимерные SMD (92)
      • Предохранители полимерные THT (213)
    • Предохранители автомобильные (185)
      • Предохранители автомобильные мини (38)
      • Автомобильные предохранители - аксесс. (5)
      • Предохранители автомобильные макси (17)
      • Предохранители автомобильные стандартные (33)
      • Другие автомобильные предохранители (92)
    • Предохранители SMD (476)
      • Предохранители SMD 5x20мм (20)
        • Предохранители SMD 5x20мм инерционные (20)
      • Предохранители SMD с подставкой (34)
        • Предохранители SMD с подставкой быстрые (10)
        • Предохранители SMD с подст. ультрабыст. (10)
        • Предохранители SMD с подставкой медлен. (14)
      • Предохранители SMD MGA (12)
        • Предохранители SMD MGA сверхбыстродей. (12)
      • Предохранители SMD 0603 (20)
        • Предохранители SMD 0603 ультрабыстрые (20)
      • Предохранители SMD 0402 (8)
        • Предохранители SMD 0402 сверхбыстродей. (8)
      • Предохранители SMD 0805 (6)
        • Предохранители SMD 0805 ультрабыстрые (6)
      • Предохранители SMD PICO (23)
        • Предохранители SMD PICO инерционные (10)
        • Предохранители SMD PICO сверхбыстродей. (13)
      • Предохранители SMD 8x4,5x4,5мм (26)
        • Предохранители SMD 8x4,5x4,5мм медленные (26)
      • Предохранители SMD 1206 (47)
        • Предохранители SMD 1206 быстродейств. (12)
        • Предохранители SMD 1206 ультрабыстрые (27)
        • Предохранители SMD 1206 инерционные (8)
      • Предохранители SMD остальные (32)
      • Предохранители SMD UM (64)
        • Предохранители SMD UMT медленные (41)
        • Предохранители SMD UMF быстродействующие (5)
        • Предохранители SMD UMZ инерционные (18)
      • Предохранители SMD OM (88)
        • Предохранители SMD OMF быстродействующие (65)
        • Предохранители SMD OMT инерционные (23)
      • Предохранители SMD 2410 (96)
        • Предохранители SMD 2410 сверхбыстрые (29)
        • Предохранители SMD 2410 медленные (44)
        • Предохранители SMD 2410 быстрые (23)
    • Миниатюрные предохранители (1436)
      • Другие предохранители (7)
      • Предохранители 5x15мм (13)
        • Предохранители 5x15мм медленные (6)
        • Предохранители 5x15мм быстрые (7)
      • Предохранители TE5 (43)
      • Предохранители 5x25мм (18)
        • Предохранители 5x25мм быстрые (9)
        • Предохранители 5x25мм средне медленные (9)
      • Осевые предохранители (2)
        • Осевые сверхбыстродейств. предохранители (54)
        • Осевые быстродействующие предохранители (41)
        • Осевые предохранители инерционные (31)
      • Предохранители 6,3x32мм (455)
        • Предохранители 6,3x32мм быстрые (158)
        • Предохранители 6,3x32мм медленные (252)
        • Предохранители сверхбыстродейс. 6,3x32мм (45)
      • Предохранители TR5 (214)
        • Предохранители быстродействующие TR5 (103)
        • Предохранители TR5 инерционные (111)
      • Предохранители 5x20мм (558)
        • Предохранители 5x20мм быстрые (202)
        • Предохранители 5x20мм медленные (260)
        • Предохранители сверхбыстродейств. 5x20мм (38)
        • Предохранители 5x20мм средне медленные (58)
    • Предохранитель специального назначения (7)
    • Предохранители термические (77)
    • Комплекты предохранителей (22)
    • Термисторы PTC (48)
    • Прерыватели (871)
      • Разъединители (177)
      • Аксессуары (113)
      • Реле КЗ на землю (30)
      • Дифференциальные выключатели (94)
      • Выключатели максимального тока (251)
      • Выключатели двигательные (146)
      • Ограничители перенапряжения (60)
  • Трансформаторы и сердечники (3338)
    • Каркасы и аксессуары (158)
    • Сердечники ферритовые (97)
    • Трансформаторы с креплением (695)
    • Трансформаторы защитные (248)
    • Трансформаторы для печатных плат (564)
    • Трансформаторы тороидальные (651)
    • Токовые измерительные трансформаторы (516)
    • Автотрансформаторы (97)
    • Трансформаторы для печати (312)
  • Корпуса в ассортименте (4004)
    • Корпуса для 19 дюймовых систем (25)
      • Аксессуары для корпусов 19 дюймов (9)
      • Корпуса система 19 дюймов (16)
    • Аксессуары для корпусов (796)
      • Заглушки (48)
      • Защитные кромки (46)
      • Ножки (287)
      • Остальные аксессуары для корпусов (201)
      • Держатели (128)
      • Ручки (86)
    • Корпуса для пультов (160)
    • Корпуса для устройств с индикатором (74)
    • Корпуса на DIN рейку (146)
    • Корпуса настенные (115)
    • Корпуса с креплением (284)
    • Корпуса с панелью (507)
    • Корпуса устройств сигнализ. и датчиков (37)
    • Корпуса пультовые (52)
    • Корпуса универсальные (1614)
    • Корпуса панельные (30)
    • Корпуса для модульной аппаратуры (84)
    • Корпуса для герметизации (34)
    • Корпуса для блоков питания (46)
  • Пассивные компоненты (29763)
    • Защитные устройства от перенапряжения (84)
      • Устройства защиты от перенапряжений THT (41)
      • Устройства защиты от перенапряжений SMD (43)
    • Варисторы (278)
      • Варисторы блочные (10)
      • Варисторы THT (228)
      • Варисторы SMD (40)
    • Круглые ручки (853)
      • Поворотные ручки для монтаж. потенциом. (33)
      • Ручки для ползунковых потенциометров (19)
      • Шкалы (17)
      • Поворотные ручки для (749)
      • Повор. ручки прециз. для осевых потенц. (35)
    • Потенциометры (2412)
      • Потенциометры ползунковые (35)
      • Потенциометры осевые (877)
        • Потенциометры аксиальные однооборотные (745)
          • Потенциометры однооборотные угольные (327)
          • Потенциометры однооборотные керметные (101)
          • Потенциометры одноооб. из пров. пластика (231)
          • Потенциометры однооборотные проволочные (86)
        • Потенциометры аксиальные многооборотные (132)
          • Потенциометры многооборотные проволочные (116)
          • Потенциометры многооборотные керметные (16)
      • Потенциометры монтажные (1500)
        • Потенциометры монтажные THT (1196)
          • Потенциометры THT однооборотные (610)
          • Потенциометры THT многооборотные 1/2 дм. (16)
          • Потенциометры THT многооборотные 1/4 дм. (93)
          • Потенциометры THT многооборот. 5/16 дм. (21)
          • Потенциометры THT многооборотные 19мм (123)
          • Потенциометры THT многооборотные 3/8 дм. (333)
        • Потенциометры монтажные SMD (301)
          • Потенциометры SMD многооборотные (144)
          • Потенциометры SMD однооборотные (157)
        • Инстр. для настройки потенциометров (3)
    • Дроссели (2097)
      • Дроссели SMD мощности (597)
      • Дроссели SMD (501)
        • SMD 1206 Inductors (6)
        • SMD 0805 Inductors (7)
        • SMD 1210 Inductors (8)
        • SMD 1812 Inductors (17)
        • Дроссели SMD прочие (5)
      • Дроссели THT (805)
        • Дроссели аксиальные (195)
        • Дроссели кольцевые (361)
        • Дроссели вертикальные (249)
      • Катушки SMD (156)
      • Audio Coils,Audio Coils (38)
    • Конденсаторы (10094)
      • Триммеры (10)
      • Конденсаторы ниобиевые SMD (21)
      • Полимерные конденсаторы (85)
      • Конденсаторы MLCC THT (139)
      • Конденсаторы SMD остальные (26)
      • Конденсаторы электр. винтовые и другие (99)
      • Конденсаторы для ламп (42)
      • Конденсаторы полиэфирные (677)
        • Конденсаторы полиэфирные THT (638)
        • Конденсаторы полиэфирные SMD (39)
      • Конденсаторы для двигателей (221)
      • Конденсаторы керамические THT (263)
        • Конденсаторы керамические THT 50В (32)
        • Конденсаторы керамические THT 100В (32)
        • Конденсаторы керамические THT 3кВ (21)
        • Конденсаторы керамические THT 10кВ (8)
        • Конденсаторы керамические THT 500В (34)
        • Конденсаторы керамические THT 4кВ (6)
        • Конденсаторы керам. противопомеховые (87)
        • Конденсаторы керамические THT 1кВ (26)
        • Конденсаторы керамические THT 2кВ (17)
      • Суперконденсаторы (69)
      • Конденсаторы полипропиленовые (1056)
        • Конденсаторы полипропиленовые X2/Y2 (376)
        • Конденсаторы полипропиленовые стандарт. (674)
        • Полипропиленовые конденсаторы X1 (6)
      • Конденсаторы танталовые (1119)
        • Конденсаторы танталовые THT (152)
        • Конденсаторы танталовые SMD (863)
        • Полимерные танталовые конденсаторы (104)
      • Конденсаторы электролитические SMD (760)
        • Конденсаторы электролитические SMD 125°C (76)
        • Конденсаторы электролитические SMD 85°C (100)
        • Конденсаторы электролитические SMD 105°C (333)
        • Конденсаторы электр. SMD низкоимпенданс. (251)
      • Конденсаторы электролитические SNAPIN (835)
        • Конденсаторы электр. SNAPIN 85°C (312)
        • Конденсаторы электр. SNAPIN 105°C (523)
      • Конденсаторы MLCC SMD (1867)
        • Конденсаторы MLCC SMD 0603 (440)
        • Конденсаторы MLCC SMD 0402 (173)
        • Конденсаторы MLCC SMD 1206 (445)
        • Конденсаторы MLCC SMD 0805 (600)
        • Конденсаторы MLCC SMD 1210 (137)
        • Конденсаторы MLCC SMD 1812 (38)
        • Конденсаторные сборки MLCC SMD (15)
        • Конденсаторы MLCC SMD 2220 (19)
      • Конденсаторы электролитические THT (2455)
        • Конденсаторы электролитические THT 105°C (872)
        • Конденсаторы электролитические THT 85°C (542)
        • Конденсаторы электр. THT низкоимпендан. (862)
        • Конденсаторы электр. THT биполярные (96)
        • Конденсаторы электролитические THT 125°C (83)
      • Бумажные конденсаторы (20)
      • Полипропиленовые конденсаторы аудио (178)
      • Электролитические конденсаторы аудио (152)
        • Электролитические конденсаторы аудио THT (152)
    • Улучшение коэффициента мощности (267)
      • Конденсаторы для компенсации реактивной мощности (174)
      • Дроссели (62)
      • Конденсаторы (1)
      • Контакторы для конденсаторов (17)
      • Регуляторы мощности (13)
    • Кварцы и фильтры (820)
      • Фильтры и резонаторы SAW (12)
      • Генераторы кварцевые (359)
        • Кварцевые генераторы SMD (320)
        • Кварцевые генераторы THT (39)
      • Фильтры и резонаторы керамические (12)
        • Фильтры и резонаторы керамические THT (29)
        • Фильтры и резонаторы керамические SMD (38)
      • Резонаторы кварцевые (370)
        • Кварцевые резонаторы SMD (199)
        • Кварцевые резонаторы THT (171)
    • Ферриты EMI/EMC (845)
      • Ферриты - бусинки (150)
      • Ферриты цилиндрические (198)
      • Ферриты на провод (180)
      • Ферриты - дроссели (21)
      • Ферриты кольцевые (295)
      • Ферриты SMD (1)
    • Фильтры противопомеховые (300)
      • Противопомеховые фильтры другие (118)
      • Противопомеховые фильтры THT (102)
      • Противопомеховые фильтры SMD (55)
      • Трехфазные фильтры (25)
    • Термисторы NTC (с отрицат. темп. коэфф.) (146)
      • Термисторы NTC измерительные (98)
        • Термисторы NTC измерительные THT (67)
        • Термисторы NTC измерительные SMD (31)
      • Термисторы NTC предохранительные (48)
    • Резисторы (11535)
      • Прецизионные резисторы SMD (529)
        • Прецизионные резисторы SMD 0402 (90)
        • Прецизионные резисторы SMD 0603 (104)
        • Прецизионные резисторы SMD 0805 (104)
        • Прецизионные резисторы SMD 1206 (104)
        • Прецизионные резисторы SMD 2010 (18)
        • Прецизионные резисторы SMD 2512 (109)
      • Резисторы металлизированные THT (2197)
        • Резисторы металлизированные THT 0,6Вт (781)
        • Резисторы металлизированные THT 1Вт (374)
        • Резисторы металлизированные THT 2Вт (528)
        • Резисторы металлизированные THT 3Вт (260)
        • Резисторы металлизированные THT 5Вт (35)
        • Резисторы металлизированные THT 0,4Вт (219)
      • Резисторы угольные THT (999)
        • Резисторы угольные THT 1/2Вт (351)
        • Резисторы угольные THT 1/4Вт (339)
        • Резисторы угольные THT 1/4Вт субминиат. (309)
      • Резисторы мощности (2407)
        • Резисторы мощные остальные (49)
        • Резисторы проволочные 30Вт (25)
        • Резисторы проволочные 80Вт (21)
        • Резисторы проволочные 8Вт (74)
        • Резисторы проволочные 40Вт (26)
        • Резисторы проволочные 3Вт (156)
        • Резисторы проволочные 100Вт (125)
        • Резисторы проволочные 5Вт (564)
        • Резисторы проволочные 200Вт и более (299)
        • Резисторы мощные TO220 (80)
        • Резисторы проволочные 10Вт (205)
        • Резисторы проволочные 15 Вт (145)
        • Резисторы проволочные 50Вт (136)
        • Резисторы проволочные 20Вт (48)
        • Резисторы проволочные 25Вт (90)
        • Резисторы проволочные 7Вт (85)
        • Резисторы проволочные 2Вт (159)
        • Резисторы проволочные 1Вт (120)
      • Резистивные сборки (363)
        • Резисторные сборки SMD (75)
        • Резисторные сборки THT (288)
      • Резисторы SMD (4830)
        • Резисторы SMD 2512 (450)
        • Резисторы SMD мощности (18)
        • Резисторы SMD 0402 (552)
        • Резисторы SMD minimelf 0204 (212)
        • Резисторы SMD 0603 (1037)
        • Резисторы SMD 0805 (1388)
        • Резисторы SMD 1206 (1039)
        • Резисторы SMD 2010 (64)
        • Резисторы SMD melf 0207 (70)
      • Нагревательные резисторы (52)
      • Резисторы предохранительные (15)
      • Audio Resistors,Audio Resistors (143)
    • Генераторы ВН (7)
    • Audio Components (25)
      • Audio Crossovers (10)
      • Динамики (15)
  • Полупроводники и аксессуары (33331)
    • Программаторы и стирающие устройства (177)
      • Программаторы (173)
      • Стирающие устройства UV (4)
    • Модули связи (945)
      • Модули Wiznet (63)
      • Другие коммуникационные модули (56)
      • Модули FTDI (93)
      • Модули Bluetooth (77)
      • Модули связи RF AUREL (110)
      • Модули связи RF (230)
      • Модули GSM/GPS/GPRS/HSPA/EDGE/LTE (144)
      • Модули RFID (16)
      • Антенны (156)
        • Антенны GPS (30)
        • Антенны RF (69)
        • Антенны GSM (26)
        • Антенны WiFi и Bluetooth (31)
    • Системы Embedded (378)
      • Аксессуары к системам embedded (14)
      • Интеллигентные дисплеи (260)
      • Одноплатные компьютеры (76)
    • Мосты выпрямительные (1059)
      • Мосты трехфазные (237)
        • Трехфазные мосты диодные (224)
        • Трехфазные мосты управляемые (13)
      • Мосты однофазные (822)
        • Однофазные мосты диодные (806)
          • Однофазные мосты диодные SMD/THT (176)
          • Однофазные мосты диодные круглые (29)
          • Однофазные мосты диодные квадратные (352)
          • Однофазные мосты диодные плоские (208)
          • Однофазные мосты диодные - остальные (41)
        • Однофазные мосты управляемые (16)
    • Транзисторы (5661)
      • Транзисторы биполярные (1040)
        • Транзисторы биполярные одинарные (788)
          • Транзисторы NPN THT (163)
          • Транзисторы PNP THT (128)
          • Транзисторы PNP SMD (191)
          • Транзисторы NPN SMD (306)
        • Транзисторы Дарлингтона (241)
          • Транзисторы Дарлингтона NPN THT (109)
          • Транзисторы Дарлингтона PNP THT (67)
          • Транзисторы Дарлингтона NPN SMD (42)

Реферат Однопереходный транзистор

скачать

Реферат на тему:

План:

    Введение
  • 1 Устройство и обозначение
  • 2 История
  • 3 Принцип работы
  • 4 Параметры ОПТ
  • 5 Применение
  • Литература
    Примечания

Введение

Одноперехо́дный транзи́стор (ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству тиристоров.


1. Устройство и обозначение

Основой транзистора является кристалл полупроводника (например n-типа), который называется базой . На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми располагается область, имеющая выпрямляющий контакт Э с полупроводником p-типа, выполняющим роль эмиттера.


2. История

Конструкция прибора относится к сплавным структурам на брусках германия, впервые описанным Шокли, Пирсоном и Хайнсом. В то время такая структура называлась нитевидным транзистором. В процессе развития прибор имел объёмную структуру, затем диффузионно-планарную и, наконец, эпитаксиально-планарную. Изменялось и его название от «диода с двойной базой» до последнего «однопереходного транзистора».

3. Принцип работы

Усилительные и переключающие свойства ОПТ обусловлены изменением сопротивления базы в результате инжекции в неё неосновных носителей зарядa[1].

Принцип действия однопероходного транзистора удобно рассматривать, воспользовавшись эквивалентной схемой (рисунок в как где? тут: http://valeriysan.ucoz.ru/publ/18-1-0-155, где верхнее сопротивление RB2 и нижнее сопротивление RB1 — сопротивления между соответствующими выводами базы и эмиттером, а Д — эмиттерный р-п переход.

Ток, протекающий через сопротивления RB1 и RB2, создаёт на первом из них падение напряжения, смещающее диод Д в обратном направлении. Если напряжение на эмиттере Uэ меньше падения напряжения на сопротивлении RB1 — диод Д закрыт, и через него течёт только ток утечки. Когда же напряжение Uэ становится выше напряжения на сопротивлении RB1, диод начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление RB1 уменьшается, что приводит к увеличению тока в цепи Д-RB1, что в свою очередь, вызывает дальнейшее уменьшение сопротивления RB1. Этот процесс протекает лавинообразно. Сопротивление RB1 уменьшается быстрее, чем увеличивается ток через р-n переход, в результате на вольт-амперной характеристике однопереходного транзистора, появляется область отрицательного сопротивления. При дальнейшем увеличении тока зависимость сопротивления RB1 от тока через р-n переход уменьшается, и при значениях бо́льших некоторой величины Iвыкл сопротивление не зависит от тока (область насыщения).

При уменьшении напряжения смещения Uсм вольт-амперная характеристика смещается влево и при отсутствии его обращается в характеристику открытого р-n перехода.


4. Параметры ОПТ

Основными параметрами одногопереходных транзисторов являются:

  • межбазовое сопротивление
  • коэффициент передачи , характеризующий напряжение переключения и определяется по формуле
  • напряжение срабатывания Ucp — минимальное напряжение на эмиттерном переходе, необходимое для перехода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением
  • ток включения Iвкл — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления
  • ток выключения Iвыкл — наименьший эмиттерный ток, удерживающий транзистор во включенном состоянии
  • напряжение выключения Uвыкл — напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл;
  • обратный ток эмиттера Iэо — ток утечки закрытого эмиттерного перехода

5. Применение

Однопереходные транзисторы получили широкое применение в различных устройствах автоматики, импульсной и измерительной техники — генераторах, пороговых устройствах, делителях частоты, реле времени и т. д. Хотя основной функцией ОПТ является переключатель, в основном функциональным узлом среди большинства схем на ОПТ является релаксационный генератор.

В связи с относительно большим объёмом базы однопереходные транзисторы уступают биполярным по частотным характеристикам[1].


Литература

  • Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Энергия, 1973.
  • Зи С. Физика полупроводниковых приборов = Physics of Semiconductor Devices. — 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — Т. 1. — С. 248-250. — 456 с.
  • Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. — М.: Энергия, 1977.
  • Нефёдов А. В. Отечественные полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги, 1980.
  • Транзисторы для аппаратуры широкого применения. Под ред. Б. Л. Перельмана, 1981.
  • Дьяконов В. П. Однопереходные транзисторы и их аналоги. Теорияч и применение. М.: СОЛОН-Пресс, 2008.- 240 с.
  • Дьяконов В. П. Лавинные транзисторы и тиристоры. Теория и применение. М.: СОЛОН-Пресс. 2008.- 384 с.
  • Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов. — 4-е перераб. и доп. изд. — М.: Высшая школа, 1987. — С. 272-275. — 479 с.

Примечания

  1. 12В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин Полупроводниковые приборы: Учебник для вузов — 4-е изд. — М.: Высшая школа, 1987. — 478 с. ил.
Электронные компоненты

 

Однопереходный транзистор

Wikipedia

Однопереходный транзистор ( UJT ) представляет собой трехпроводное электронное полупроводниковое устройство с одним переходом, которое действует исключительно как электрически управляемый переключатель.

UJT не используется в качестве линейного усилителя. Он используется в автономных генераторах, синхронизированных или запускаемых генераторах, а также в схемах генерации импульсов на низких и средних частотах (сотни килогерц). Он широко используется в схемах запуска кремниевых выпрямителей.В 1960-х годах низкая стоимость устройства в сочетании с его уникальными характеристиками гарантировала его использование в самых разных приложениях, таких как генераторы, генераторы импульсов, пилообразные генераторы, схемы запуска, управление фазой, схемы синхронизации и схемы измерения напряжения или тока. -регулируемые поставки. [2] Первоначальные типы однопереходных транзисторов в настоящее время считаются устаревшими, но более поздние многослойные устройства, программируемые однопереходные транзисторы, все еще широко доступны.

Типы []

График характеристической кривой UJT, напряжение эмиттер-база1 как функция тока эмиттера, показывающий контролируемое током отрицательное сопротивление (область с понижением наклона)

Есть три типа однопереходных транзисторов:

  1. Первоначальный однопереходный транзистор, или UJT, представляет собой простое устройство, которое по сути представляет собой стержень из полупроводникового материала n-типа, в который материал p-типа рассеян где-то по длине, фиксируя параметр устройства η {\ displaystyle \ eta} («внутреннее противостояние»). Модель 2N2646 является наиболее часто используемой версией UJT.
  2. Дополнительный однопереходный транзистор, или CUJT, представляет собой стержень из полупроводникового материала p-типа, в который материал n-типа рассеян где-то по длине, определяя параметр устройства η {\ displaystyle \ eta}. Модель 2N6114 является одной из версий CUJT.
  3. Программируемый однопереходный транзистор, или PUT, представляет собой многопереходное устройство, которое с двумя внешними резисторами имеет характеристики, аналогичные UJT.Он является близким родственником тиристора и, как и тиристор, состоит из четырех слоев p-n. Он имеет анод и катод, соединенные с первым и последним слоями, и затвор, соединенный с одним из внутренних слоев. PUT не взаимозаменяемы напрямую с обычными UJT, но выполняют аналогичную функцию. В правильной конфигурации схемы с двумя «программирующими» резисторами для установки параметра η {\ displaystyle \ eta} они ведут себя как обычный UJT. Модели 2N6027, 2N6028 [3] и BRY39 являются примерами таких устройств.

Приложения []

Однопереходные транзисторные схемы были популярны в схемах электроники для любителей в 1960-х и 1970-х годах, потому что они позволяли создавать простые генераторы с использованием всего одного активного устройства. Например, они использовались для генераторов релаксации в стробоскопах с регулируемой скоростью. [4] Позже, когда интегральные схемы стали более популярными, стали более широко использоваться генераторы, такие как микросхема таймера 555.

Помимо использования в качестве активного устройства в релаксационных генераторах, одним из наиболее важных приложений UJT или PUT является запуск тиристоров (кремниевых управляемых выпрямителей (SCR), TRIAC и т. Д.). Напряжение постоянного тока может использоваться для управления схемой UJT или PUT, так что «период включения» увеличивается с увеличением управляющего напряжения постоянного тока. Это приложение важно для управления большим переменным током.

UJT могут также использоваться для измерения магнитного потока. Эффект Холла модулирует напряжение на PN-переходе. Это влияет на частоту релаксационных генераторов UJT. [5] Работает только с UJT. PUT не проявляют этого явления.

Строительство []

Структура UJT p-типа Кристалл UJT: больший контакт в центре кристалла - эмиттер, меньший - B 1 ; B 2 находится внизу кристалла

UJT имеет три вывода: эмиттер (E) и две базы (B 1 и B 2 ), поэтому его иногда называют «диодом с двумя базами».Основа образована слаболегированной пластиной кремния n-типа. На его концах закреплены два омических контакта B 1 и B 2 . Эмиттер p-типа сильно легирован; это единственное соединение PN дает устройству его имя. Сопротивление между B1 и B2, когда эмиттер разомкнут, называется межбазовым сопротивлением . Эмиттерный переход обычно расположен ближе к базе-2 (B2), чем к базе-1 (B1), так что устройство не является симметричным, поскольку симметричный блок не обеспечивает оптимальных электрических характеристик для большинства приложений.

Если между его эмиттером и любым из его базовых выводов нет разницы потенциалов, то между B 1 и B 2 будет чрезвычайно малый ток. С другой стороны, если к его эмиттеру приложено достаточно большое напряжение относительно его базовых выводов, известное как напряжение запуска , то очень большой ток от его эмиттера присоединяется к току от B 1 к B 2. , что создает больший выходной ток B 2 .

На схематическом изображении однопереходного транзистора вывод эмиттера показан стрелкой, показывающей направление обычного тока, когда переход эмиттер-база проводит ток.Дополнительный UJT использует базу p-типа и эмиттер n-типа и работает так же, как базовое устройство n-типа, но с обратной полярностью напряжения.

Структура UJT аналогична структуре N-канального JFET, но материал p-типа (затвор) окружает материал N-типа (канал) в JFET, а поверхность затвора больше, чем эмиттерный переход UJT. UJT работает с прямым смещением эмиттерного перехода, тогда как JFET обычно работает с обратным смещением затворного перехода. Это устройство с отрицательным сопротивлением, управляемое током.

Работа устройства []

Устройство имеет уникальную характеристику, заключающуюся в том, что при срабатывании его эмиттерный ток увеличивается регенеративно, пока он не будет ограничен источником питания эмиттера. Он имеет отрицательную характеристику сопротивления, поэтому его можно использовать в качестве генератора.

UJT смещен положительным напряжением между двумя базами. Это вызывает падение потенциала по длине устройства. Когда напряжение эмиттера управляется приблизительно на одно напряжение диода выше напряжения в точке, где находится диффузия P (эмиттер), ток начнет течь от эмиттера в базовую область.Поскольку базовая область очень слабо легирована, дополнительный ток (фактически заряжающий в базовой области) вызывает модуляцию проводимости, которая снижает сопротивление части базы между эмиттерным переходом и выводом B2. Это уменьшение сопротивления означает, что эмиттерный переход более смещен в прямом направлении, и поэтому вводится еще больший ток. В целом эффект - отрицательное сопротивление на выводе эмиттера. Это то, что делает UJT полезным, особенно в простых схемах генератора. "General Electric History - История транзисторов". Google.com . Проверено 10 апреля, 2017.

,

А

ABC (автоматический контроль луча) -

ABC (Абсолютный двоичный код) -

переменного тока (переменного тока) -

ACC (автоматический контроль цвета) -

ACT (автоматическое отслеживание цвета) -

АЦП (аналогово-цифровой преобразователь) - - ()

АЦП (схема автоматического размагничивания) -

ADRES (система автоматического расширения динамического диапазона) -

AF (звуковая частота) -

AFBS (система акустической обратной связи) -

AFC (автоматический контроль частоты) -

AFD (плоская акустическая диафрагма) -

AFT (автоматическая точная настройка) -

AGC (автоматическая регулировка усиления) - ()

ALC (автоматический контроль уровня) -

ALU (Арифметико-логический блок) - -

AM (амплитудная модуляция) -

И - ""

ANSI (Американский национальный институт стандартов) -

ASA (Американская ассоциация стандартов) -

ASCII (Американский стандартный код для обмена информацией) -

ASD (Дискретные данные для конкретных приложений) -

ATR (ответ на сброс) -

ATM (асинхронный режим передачи) -

AWB (автоматический баланс белого) -

В

BLC (компенсация задней подсветки) -

BNC (Baby N-Connector) - "N"

К

CAI (Улучшение цветопередачи) -

CCD (устройство с зарядовой связью) - ()

CCIR (Международный консультативный комитет по радио) - ()

CD (конденсаторный диод) -

CD (компакт-диск) - -

CDT (Трубка цветного дисплея) -

CMOS (дополнительная металлооксидная система) - - ()

ЦП (центральный процессор) -

CRC (циклическая проверка избыточности) -

ЭЛТ (электронно-лучевая трубка) - -

CSMA / CD (множественный доступ с контролем несущей / обнаружение коллизий) -

CSP (Пакет масштабирования микросхемы) -

КТ (компьютерная томография) -

CTI (Улучшение переходных процессов цвета) -

D

ЦАП (цифро-аналоговый преобразователь) - ()

DAQ (сбор данных) -

DC (постоянный ток) -

DC (двойной конус) -

DCP (Цифровая обработка контура) -

DF (коэффициент демпинга) -

DIAC (Диодный переключатель переменного тока) - ()

DIMM (модуль памяти на линии) -

DIP (двойной корпус) -

DMA (прямой доступ к памяти) -

DNR (динамическое шумоподавление) -

DP (динамическая мощность) -

dpi (точек на дюйм) -

DPO (динамическая выходная мощность) -

DRA (поглотитель динамического резонанса) -

DRIE (глубокое реактивное ионное травление) -

DSL (динамическая сверхвысокая громкость) -

DTL (диодно-транзисторная логика) - - ()

DTTV (цифровое наземное телевидение) -

E

EAROM (электрически изменяемая постоянная память) -

EBU (Европейский вещательный союз) -

ECL (эмиттерная логика) - ()

EIAJ (Японская ассоциация электронной промышленности) -

ELSI (сверхбольшая интеграция) -

EMI (электромагнитные помехи) -

EMIF (интерфейс внешней памяти) -

ENG (генератор эквивалентного шума) -

ESD (электростатический разряд) -

ETC (Электронное управление опрокидыванием) -

ETANN (Искусственная сеть с электронным обучением) -

EVF (электронный видоискатель) -

EVR (Электронное кодирование видео) -

ф

ФАС (Гибкая автоматизированная производственная система) - ()

FAMOS (MOS с плавающей заслонкой для лавинного впрыска) - - ""

FCC (Федеральная комиссия связи) -

FET (полевой транзистор) -

FF (Вьетнамки) -

FG (Генератор частоты) -

FIR (конечный ответ на вход) -

FLOTOX (туннель с плавающими затворами - оксид) - ""

FM (частотная модуляция) -

FPM (режим быстрой страницы) -

FSO (выход полного диапазона) -

г

GMSK (манипуляция с минимальным сдвигом по Гауссу) -

GPS (Глобальная система позиционирования) -

ч

HDTV (Телевидение высокой четкости) -

HF (высокая частота) -

HQ (высокое качество) -

HTL (логика высокого порога) -

я

IA (встроенный адаптер) -

IAC (Схема поглощения помех) -

IC (интегральная схема) -

ICC (карта с интегральной схемой) - -

IEEE (Институт инженеров по электротехнике и электронике) -

IIR (бесконечная импульсная характеристика) -

IF (промежуточная частота) -

IIL (Интегрированная логика впрыска) -

IP (Интеллектуальная собственность) -

IP (Интернет-протокол) -

IPM (Интеллектуальный силовой модуль) - "" ()

ИК (Инфракрасный) -

ИК (внутреннее сопротивление) -

ISA (архитектура промышленного стандарта) -

ISDN (цифровая сеть с интегрированными услугами) -

ISO (Международная организация по стандартизации) -

ITL (вход без преобразования) -

I2 / L (Интегрированная логика впрыска) - (2 /)

Дж

JIS (Японский промышленный стандарт) -

л

LAN (локальная сеть) -

LCD (жидкокристаллический дисплей) - ()

LDO (с малым падением напряжения) -

Светодиод (светоизлучающий диод) -

LISA (Боковой интегрированный кремниевый акселерометр) -

LPC (Компонент защиты линии) -

LSI (крупномасштабная интеграция) -

млн

MAC (контроллер доступа к среде) -

MAC (множитель-накопитель) - -

MAC (умножение и накопление) -

MCC (управляемый микрокомпьютером) -

MDT (Магнитострикционный датчик перемещения) -

MF (Средняя частота) -

MLC (многослойный конденсатор) -

MMI (человеко-машинный интерфейс) -

MMIC (монолитная ИС СВЧ) - ()

MML (максимальный уровень модуляции) -

MOL (максимальный выходной уровень) -

МОП (металл-оксид-полупроводник) - - ()

MOSFET (Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор) - (-)

MOV (Металлооксидный варистор) -

MPO (максимальная выходная мощность) -

MPU (микропроцессорный блок) -

МРТ (магнитно-ренонансная томография) -

MSG (защита памяти) -

MSI (интеграция с масштабированием памяти) -

N

NA (пронумерованная апертура) -

NAND - "-"

NFB (отрицательная обратная связь) -

NIC (карта сетевого интерфейса) -

NMOS (металлооксидный полупроводник с N каналом) - - () N-

НОР - "-"

НЕ - ""

NPC (Схема защиты от шума) -

NTSC (Национальный телевизионный стандартный код) -

O

OFDM (мультиплексирование с ортогональным частотным разделением каналов) -

OB (оптический черный) -

OCL (без выходного конденсатора) -

OPC (оптическое управление изображением) -

OTL (Выход без преобразования) -

ИЛИ - ""

п

PAL (линия с чередованием фаз) -

PCB (печатная плата) -

PCI (соединение периферийных компонентов) -

PCM (Импульсно-кодовая модуляция) - - ()

PCS (Услуги персональной связи) -

КПК (персональный цифровой помощник) -

PEM (модуль расширения процессора) -

PGA (усилитель с программируемым усилением) -

PIP (картинка в картинке) -

PLCC (Пластиковый держатель чипа с выводами) -

PLL (ФАПЧ) - ()

PMOS (металл-оксидный полупроводник P chanel) - - () P-

ppm (частей на миллион) - ()

страниц в минуту (страниц в минуту) - ()

PPS (полифениленсульфид) -

фунтов на квадратный дюйм (фунт на квадратный дюйм) -

PSTN (коммутируемая телефонная сеть общего пользования) -

PTC (положительный температурный коэффициент) -

PTS (выбор типа протокола) -

PWD (искажение ширины импульса) -

PWM (широтно-импульсная модуляция) - - ()

R

RC (Пульт дистанционного управления) -

RF (Радиочастота) -

RFI (радиочастотные помехи) -

RISC (Компьютер с сокращенным набором команд) -

RIT (инкрементальная настройка приемника) -

RMS (среднеквадратичное значение) -

об / мин (оборотов в минуту) -

RPS (оборотов в секунду) -

RTL (резистор-транзисторная логика) - -

ю.

SA (отдельные усилители) -

SAW (поверхностная акустическая волна) - ()

SBC (Одноплатный компьютер) -

SCSI (интерфейс малых компьютерных систем) -

SCR (Асимметричный тиристор) -

SDN (услуги цифровой сети) -

SDH (синхронная цифровая иерархия) -

SDS (система распределения сигналов) -

SEC (Вторичная электронная проводимость) -

SLIC (Схема интерфейса абонентской линии) -

SLTS (система настройки сервопривода) -

SMPTE (Общество инженеров кино и телевидения) - -

SPD (Обнаружение последовательного присутствия) -

SPDT (однополюсный, двусторонний) -

SPI (протокол последовательного периферийного интерфейса) -

SPL (уровень звукового давления) -

SSI (небольшая интеграция) -

SSR (твердотельное реле) - ()

STP (экранированная витая пара) -,

КСВ (уровень стоячей волны) -

т

TFT (Тонкопленочный транзистор) -

THD (полное гармоническое искажение) -

TP (прием телефона) -

TSOP (Тонкий маленький контурный корпус) -

TTL (транзисторно-транзисторная логика) - -

TVS (подавление переходного напряжения) -

U

UART (универсальный асинхронный приемник / передатчик) -

UHF (сверхвысокая частота) - ()

UJT (однопереходный транзистор) -

ULM (сверхмалая масса) -

UNI (сетевой интерфейс пользователя) -

UTP (неэкранированная витая пара) -

В

VCP (процессор видеосвязи) -

Видеомагнитофон (кассетный видеомагнитофон) -

VF (видоискатель) -

VFD (вакуумный флуоресцентный дисплей) -

VHDCI (Кабельный интерфейс очень высокой плотности) -

VHF (очень высокая частота) - ()

VLF (очень низкая частота) -

СБИС (очень крупномасштабная интеграция) - ()

VRM (модуль регулятора напряжения) -

VSOP (очень маленький контурный пакет) -

VSWR (коэффициент стоячей волны по напряжению) - ()

VTR (Видеомагнитофон) -

VU (Единица объема) -

Вт

WAAS (Широкозонная система расширения) -

WBL (широкий импульс гашения) -

WRMS (среднеквадратическое значение) -

Z

ZD (нулевой привод) -

ZIF (нулевое усилие вставки) -

определение однопереходного транзистора и синонимов однопереходного транзистора (английский)

Однопереходные транзисторы

Условное обозначение цепи

Однопереходный транзистор ( UJT ) представляет собой электронное полупроводниковое устройство, имеющее только один переход. UJT имеет три вывода: эмиттер (E) и две базы (B1 и B2). Основа образована слабо легированным кремнием n-типа. На его концах закреплены два омических контакта B1 и B2. Эмиттер p-типа, он сильно легирован. Сопротивление между B1 и B2, когда эмиттер разомкнут, называется межбазовым сопротивлением.

Есть три типа однопереходных транзисторов :

  • Первоначальный однопереходный транзистор, или UJT, представляет собой простое устройство, которое, по сути, представляет собой стержень из полупроводникового материала N-типа, в который материал P-типа был рассредоточен где-то по его длине, определяя параметр устройства.2N2646 - это наиболее часто используемая версия UJT.
  • Комплементарный однопереходный транзистор, или CUJT, который представляет собой стержень из полупроводникового материала P-типа, в который материал N-типа был рассредоточен где-то по его длине, определяя параметр устройства. 2N6114 - это одна из версий CUJT.
  • Программируемый однопереходный транзистор , или PUT, является близким родственником тиристора. Как и тиристор, он состоит из четырех слоев P-N и имеет анод и катод, соединенные с первым и последним слоями, и затвор, соединенный с одним из внутренних слоев.Они не взаимозаменяемы напрямую с обычными UJT, но выполняют аналогичную функцию. В правильной конфигурации схемы с двумя «программирующими» резисторами для установки параметра они ведут себя как обычный UJT. 2N6027 является примером такого устройства.

UJT смещен положительным напряжением между двумя базами. Это вызывает падение потенциала по длине устройства. Когда напряжение эмиттера управляется приблизительно на одно напряжение диода выше напряжения в точке, где находится диффузия P (эмиттер), ток начнет течь от эмиттера в базовую область.Поскольку базовая область очень слабо легирована, дополнительный ток (фактически заряжающий в базовой области) вызывает модуляцию проводимости, которая снижает сопротивление части базы между эмиттерным переходом и выводом B2. Это уменьшение сопротивления означает, что эмиттерный переход более смещен в прямом направлении, и поэтому вводится еще больший ток. В целом эффект - отрицательное сопротивление на выводе эмиттера. Это то, что делает UJT полезным, особенно в простых схемах генератора.

Однопереходные транзисторные схемы были популярны в схемах электроники для любителей в 1960-х и 1970-х годах, потому что они позволяли создавать простые генераторы с использованием всего одного активного устройства. Например, они использовались для генераторов релаксации в стробоскопах с регулируемой скоростью. [1] Позже, когда интегральные схемы стали более популярными, стали более широко использоваться генераторы, такие как микросхема таймера 555.

Помимо использования в качестве активного устройства в релаксационных генераторах, одним из наиболее важных применений UJT или PUT является запуск тиристоров (SCR, TRIAC и т. Д.)). Фактически, напряжение постоянного тока может использоваться для управления схемой UJT или PUT, так что «период включения» увеличивается с увеличением управляющего напряжения постоянного тока. Это приложение важно для управления большим переменным током.

UJT могут также использоваться для измерения магнитного потока. Эффект Холла модулирует напряжение на PN-переходе. Это влияет на частоту релаксационных генераторов UJT. [2] Работает только с UJT. PUT не проявляют этого явления.

См. Также

Список литературы

Внешние ссылки

4QD-TEC: пара бесплатной обратной связи PUT

Возможно, одна из наиболее полезных и простых схемных конфигураций - это соединение двух транзисторов в четырехслойное устройство, эквивалентное однопереходному транзистору.Это также, возможно, одна из наименее ценных и наименее понятных из простых схем. На самом деле, когда я начал искать схемы для этой страницы, я удивился, насколько много я сказал о такой простой двухтранзисторной схеме! Тем не менее, возможно, я не должен удивляться, потому что GE написала целую книгу о применении однопереходных транзисторов, и по производительности эта конфигурация имеет много общего с UJT. Базовое подключение четырехуровневого устройства показано на схеме ниже, а конфигурация является основой тиристоров (или SCR - выпрямителей с кремниевым управлением), симисторов, диак, SBS (кремниевых двусторонних переключателей), а также программируемого однопереходного соединения или PUT.

Когда ни один из транзисторов не проводит ток, ток не течет. Однако, как только любой ток протекает через или транзистор, этот ток становится базовым током для другого, и оба транзистора включают друг друга. Это означает, что вы должны использовать хорошие транзисторы с низкой утечкой для создания этой цепи, иначе ток утечки приведет к тому, что она не будет работать. Однако практически любого современного кремниевого транзистора будет достаточно, поскольку в наши дни производители обычно не делают дырявые транзисторы!

Если вы не видите, что это 4 слоя, рассмотрите два транзистора: верхний - это P-N-P, а нижний - N-P-N.Основание верхнего (N) соединяется с коллектором нижнего (также N). Точно так же P верхнего коллектора соединяется с P основания нижнего, так что все становится четырехуровневым устройством N-P-N-P. Как показано на рисунке, он имеет 4 клеммы, но в большинстве практических устройств только три имеют оконечные нагрузки, хотя какие три зависят от устройства!

В качестве SCR клеммы A, K с B1 в качестве затвора. Довольно легко увидеть, как небольшой базовый ток в B1 вызывает резкое включение устройства.

PUT (программируемый однопереходный транзистор)

На следующем рисунке показано 4-слойное устройство, подключенное как PUT: в нем два резистора определяют межбазовое сопротивление и коэффициент зазора нормального однопереходного соединения.Я полагаю, что многие посетители ничего не будут знать об однопереходных соединениях, но я не собираюсь описывать их здесь (я могу передумать, если получу достаточно писем!), Поскольку они действительно не очень полезны, кроме генераторов, который я освещаю. Во всяком случае, я всегда использовал пару транзисторов!

SBS (двусторонний силиконовый переключатель)

SBS - одно из устройств, которое, похоже, сейчас не в чести. Это пусковое устройство, используемое для запуска симистора. Симисторам, как правило, требуется достаточно сильный импульс тока для их включения, и это обычно осуществляется путем зарядки конденсатора, а затем, когда он достигает заданного напряжения, сброса его заряда в затвор симистора. SBS - это устройство, используемое для дампа.

Две идентичные цепи расположены встречно параллельно, как показано, так что одна работает для положительного напряжения, а другая - для отрицательного. Рассмотрим нарастающее положительное напряжение, как на зарядном конденсаторе, на A2. Левая часть схемы будет работать, но при низких напряжениях, поскольку схема начинается с нуля, базовый ток отсутствует, поэтому ни один транзистор не проводит ток. Z1 смещен в прямом направлении, но ток не течет, поэтому полное напряжение проходит через Z2.Эта цепь остается непроводящей, пока Z2 не начнет проводить при своем напряжении пробоя. Теперь ток течет в базу левого PNP, и пара транзисторов проводит ток.

Вы можете видеть, что другая половина делает то же самое для противоположного цикла напряжения.

Осциллятор PUT

В этой схеме база транзистора удерживается на 5 В (при питании 10 В) двумя резисторами 1 кОм. Равные значения дают «коэффициент выдерживания» 0,5. Очевидно, что этот UJT является программируемым, поэтому это соотношение может быть изменено по желанию, например, между 1K: 10K и 10K: 1K.Если вы хотите поэкспериментировать, используйте предустановку 1K из 2K.

При включении питания конденсатор сначала разряжается, поэтому на эмиттере PNP-транзистора нет напряжения, поэтому его база-эмиттер смещена в обратном направлении и ток не течет. Конденсатор начинает заряжаться до 10 В через резистор 470 кОм. Когда оно достигает примерно 5,5 вольт, переход эмиттер-база больше не имеет обратного смещения, и начинает течь небольшой ток. Оба транзистора затем включаются с усилием. Конденсатор быстро разряжается через два транзистора.Однако, когда конденсатор разряжается слишком сильно, ток становится недостаточным для поддержания проводимости двух транзисторов, поэтому они отключаются. Цикл повторяется. Схема представляет собой генератор. Ток из эмиттера NPN является импульсным, и некоторые схемы устанавливают здесь резистор для использования импульсов. Напряжение на эмиттере PNP (который в однопереходном соединении является эмиттером) является хорошим пилообразным, но с высоким импедансом, поэтому не нагружайте его сильно. Соединение двух резисторов 1K можно использовать в качестве выхода с более низким сопротивлением, но (с показанными значениями) это отрицательный импульс примерно 40 мкс с интервалами примерно 40 мс, так что рабочий цикл примерно 1: 1000!

Два резистора 1K можно значительно изменить, чтобы изменить высоту пилообразной формы (и частоту).Конденсатор можно широко варьировать для изменения частоты. Вы должны поддерживать довольно высокое значение в месте, где находится резистор 470K, иначе цепь не будет колебаться. Минимальное значение зависит от коэффициентов усиления транзисторов и ниже для транзисторов с низким коэффициентом усиления, которые в настоящее время не так распространены.

Это хороший и надежный генератор зубьев пилы, который, вероятно, используется в основном для однопереходных соединений. Однако на этом генераторе есть вариант, который я предпочитаю ...

Генератор Better PUT

Для пуриста «четырехуровневое соединение» отсутствует в этой схеме, но если вы сравните ее со схемой выше, вы увидите, насколько она похожа.Основное преимущество состоит в том, что импульсный выход доступен от коллектора NPN. Я использовал один из вариантов этой схемы, чтобы зажечь огоньки нашей рождественской елки - возможно, я напишу это в следующем году!

Проблесковый маячок

Последний вариант осциллятора - это схема, которую я построил для замены стандартного проблескового маячка автодрафта.

Очень похожий на последнюю схему, NPN-транзистор стал парой Дарлингтона, так что у него достаточно тока для работы света.Естественно, второй транзистор должен быть достаточно мощным, чтобы выдерживать ток лампы. Обратите внимание на Rx в эмиттере. Когда свет работает правильно, он должен упасть примерно на 0,75 В, чтобы включить дополнительный транзистор. Этот транзистор разряжает синхронизирующий конденсатор. Из-за более медленного разряда свет остается включенным дольше. Хитрость здесь в том, что при закоротке лампы конденсатор очень быстро разряжается (диод и 100R), поэтому эффект хорошо виден на индикаторе приборной панели.Также, если лампочка выходит из строя из-за разрыва цепи, частота вспышек снижается. Опять же, хорошо видно.

бистабильный

Итак, пара, которую мы здесь рассматриваем, является программируемым однопереходным соединением - а UJT не годятся ни для чего, кроме осцилляторов? Неправильно! Вот бистабль с использованием двух пар.

Работа этой схемы вполне очевидна - если разбираться в базовой паре. Но эта конкретная схема также имеет интересное применение в качестве дополнительного повторителя «мгновенного действия».Снимите два конденсатора и запустите цепь через соединенные базы. Его можно было бы использовать в качестве очень быстрой схемы управления полевым МОП-транзистором.

Триггер Шмидта

Это Шмидт, не похожий ни на один из тех, что вы видели раньше. Он обладает некоторыми необычными свойствами - некоторые из них являются явными преимуществами, некоторые - недостатками. Не существует «лучшей схемы» - разные способы выполнения определенной функции имеют разное применение.

Вход через 2K2 на базу Tr1. Сначала рассмотрите вход на 0v: Tr1 и Tr2 будут отключены, а Tr3 установит высокий уровень на выходе.Теперь представьте, что входной сигнал медленно растет. Когда он достигнет примерно 550 мВ, Tr1 начнет проводить. Но как только ток протекает в Tr1, он также включает Tr2, и пара переключается в режим проводимости. Тр3 будет выключен. В этом состоянии единственный ток, протекающий в эмиттер Tr2, - это 100 мкА (при условии питания 10 В), протекающий в 100K, подключенном к эмиттеру Tr2. Теперь ток в эмиттер Tr2 должен выходить из его коллектора, и именно этот ток поддерживает проводимость Tr1 / Tr2.

Теперь рассмотрим ситуацию, когда входное напряжение начинает падать.Пару удерживает 100 мкА, поэтому, чтобы выключить их, мы должны отобрать эти 100 мкА у базы Tr1. Мы можем сделать это, только уменьшив входное напряжение на 220 мВ (от 100 мкА до 2 кОм). Таким образом, точка включения устанавливается Vbe, а точка выключения - 2K2.

Основных недостатков два - во-первых, температурная чувствительность Vbe, но многие схемы триггеров Шмидта делают это. Во-вторых, когда я сказал, что ток через Tr2 составляет 100 мкА, я не рассматривал и ток нагрузки. Это запутает ситуацию! Однако схема очень хороша при переключении низкого уровня с емкостной нагрузкой, поскольку ток, подаваемый конденсатором, имеет тенденцию способствовать разрушению пары PUT.

Термостат

Хорошо - я согласен. Эта схема такая же, как и предыдущая! Вот практическое применение триггера Шмидта.

Надеюсь, вы видите сходство! Тем не менее, нет входа ... 2K2 стал 1K, а 33K смещает базу Tr1 до 440 мВ (при питании 15 В). 33K устанавливает рабочую точку, и схема действительно требует стабильного напряжения, хотя бы для управления этой цепью смещения.

Теперь рассмотрим ситуацию, когда Tr1 нагревается. По мере того, как полупроводник нагревается, напряжение на нем снижается: при комнатной температуре снижение составляет примерно 2 мВ на градус Цельсия.Если Vbe упадет примерно на 110 мВ, 440 мВ просто запустит его. 110 мВ должно соответствовать 55 ° C - поэтому мы ожидаем, что это будет работать при температуре около 80 ° C. Просто отрегулируйте 33K, чтобы получить правильную рабочую температуру.

Как объяснялось выше, 220K в сочетании с напряжением питания определяет ток, который должен быть снят с помощью 1K, чтобы выключить термостат: мы рассматриваем источник питания 15 В, поэтому напряжение на 1K будет 15 / (220 + 1 ) * 1 или 70 милливольт, что соответствует падению температуры примерно на 35 ° C.

Обратите внимание на эмиттерный повторитель на выходе, чтобы устранить вышеупомянутое влияние тока нагрузки.

Я несколько раз использовал этот термостат, и это очень удачная схема.

Детектор электрического поля и утечки

А теперь о другом. Он обнаруживает очень малые токи, например, вызванные утечкой или изменением электрических полей.

Tr1 и Tr2 - это пара, подключенная к PUT. Их нечем включить: база Tr1 не имеет соединения, а база Tr2 подключена только к коллектору Tr4, который не может подавать ток.Если бы Tr4 включился, он бы отключил пару PUT.

Если пара включается, они пропускают ток в Tr3. Tr3 заряжает C1 перед тем, как включить Tr4. Tr4 выключает пару PUT. Таким образом, если пара включается, они остаются включенными на короткое время, а затем снова включаются.

А теперь самое интересное. Пара PUT (соединенная без резистора база-эмиттер для снижения чувствительности) невероятно чувствительна. Настолько чувствительный, что даже нескольких электронов может хватить, чтобы вызвать его. Поэтому, если какой-либо заряженный предмет приближается к одной из баз, очень небольшого индуцированного заряда достаточно, чтобы включить его.Каждый раз, когда он включается, выход дает небольшой импульс. Подключите к выходу небольшой наушник, и вы получите что-то, имитирующее счетчик Гейгера, но реагирующее на движение заряда, изменение электрического поля или утечку. Все, что вам нужно сделать, это прикрепить несколько дюймов провода к A1 и A2, чтобы они действовали как антенны.

Я использовал это как детектор сетевой проводки: «Гейгер» кричит, когда находится рядом с сетевой проводкой. Или он хорош как детектор утечки: прикоснитесь двумя антеннами к стеклу и дышите на стекло.

Конструкция схемы очень важна: поскольку она обнаруживает утечку, любая утечка печатной платы вокруг основания вызовет проблемы. Либо поместите эти клеммы на открытом воздухе, либо подключите их к стойкам из PTFE, чтобы они не касались печатной платы. Если схема обнаружит ваше дыхание на стеклянной пластине, плата будет смертельной.

Другой вид схемы - детектор людей. Для этого время включения должно составлять около секунды, и оно запускает звуковой генератор.Я сделал это как коробку, которая стоит на столе. Можете ли вы подойти к коробке, чтобы она не отреагировала? Почти у всех есть какой-то заряд, но он сильно зависит от влажности и одежды, которую носит человек, поэтому коробка нравится одним людям и почти не реагирует на других. Я добавил эту схему на этот сайт.

Схема рефери игры

Вот еще одна забавная схема. Это судья для игр типа «щелчок» или «музыкальные стулья». В режиме «щелчка» первый игрок, который нажмет свою кнопку, блокирует всех остальных, в то время как в режиме «музыкальные стулья» последний игрок, который нажал кнопку, продолжает светиться.

Схема состоит из двух частей: ведущего, в котором будет размещаться источник питания, переключателя режимов и переключателя сброса. Вторая часть - «игрок». Вы можете последовательно подключить столько цепей проигрывателя, сколько захотите, используя для подключения трехжильный кабель, чтобы у каждого проигрывателя был вход (от следующего проигрывателя) и выход (к мастеру).

В мастере конденсатор 1мк изменяется через резистор 10 кОм. Когда игрок нажимает кнопку, небольшой заряд проходит через конденсатор 10n игрока и включает его пару PUT, поэтому лампочка игрока загорается.

В режиме «музыкального кресла» главный переключатель режима разомкнут (как показано). Если второй игрок нажимает свой переключатель, ток, протекающий в его лампочке, вызывает положительный всплеск на отрицательной линии питания. Этот всплеск вызван тем, что сопротивление нити стандартной лампы увеличивается при нагревании: холодная нить накала (мгновенно) потребляет примерно в 10 раз превышающий номинальный рабочий ток. Это вызывает падение на резисторе 15R главного устройства, достаточное для выключения первого проигрывателя. Таким образом, лампочка последнего игрока, который нажал кнопку, остается включенной.

В «мгновенном» режиме главный переключатель режима должен быть замкнут. Ток от освещенной лампы теперь воспринимается резистором 15R и вызывает включение транзистора, теперь разряжая конденсаторный диод 1µ, поэтому на центральной линии нет напряжения, и никакой свет других игроков не может работать.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *