Отличие тиристора от транзистора. Отличия тиристора от транзистора: принцип работы, характеристики и применение

Чем отличается тиристор от транзистора. Какова структура этих полупроводниковых приборов. В чем разница в принципе работы тиристора и транзистора. Каковы основные характеристики и области применения тиристоров и транзисторов.

Структура и принцип работы тиристора и транзистора

Тиристор и транзистор — это полупроводниковые приборы, которые широко используются в электронике. Однако они имеют существенные отличия в своей структуре и принципе работы:

Тиристор

Тиристор имеет четырехслойную полупроводниковую структуру типа p-n-p-n. Он состоит из чередующихся слоев полупроводников p- и n-типа. Основные электроды тиристора — это анод и катод, а также имеется управляющий электрод — затвор.

Принцип работы тиристора основан на эффекте внутренней положительной обратной связи между двумя p-n-p и n-p-n транзисторными структурами. В закрытом состоянии тиристор обладает высоким сопротивлением. При подаче управляющего сигнала на затвор или превышении напряжения пробоя тиристор переходит в открытое состояние с низким сопротивлением.

Транзистор

Транзистор имеет трехслойную полупроводниковую структуру типа n-p-n или p-n-p. Он состоит из трех областей — эмиттера, базы и коллектора. Основные электроды транзистора — эмиттер и коллектор, а управляющий электрод — база.

Принцип работы транзистора основан на усилении небольшого тока, протекающего через базу, за счет инжекции носителей заряда из эмиттера в базу и их дальнейшего движения к коллектору. Изменяя ток базы, можно управлять током коллектора в широких пределах.

Основные отличия тиристора от транзистора

Рассмотрим ключевые отличия между тиристором и транзистором:

• Структура: тиристор — четырехслойная, транзистор — трехслойная
• Электроды: у тиристора — анод, катод, затвор; у транзистора — эмиттер, база, коллектор
• Принцип работы: тиристор основан на внутренней положительной обратной связи, транзистор — на усилении тока базы
• Управление: тиристор управляется импульсом на затвор, транзистор — током базы
• Характер переключения: тиристор имеет два устойчивых состояния, транзистор может плавно регулировать ток

Характеристики тиристора и транзистора

Рассмотрим основные характеристики этих полупроводниковых приборов:

Тиристор

• Высокая коммутируемая мощность — до нескольких МВт
• Большие коммутируемые токи — до тысяч ампер
• Высокие рабочие напряжения — до нескольких кВ
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии
• Высокая перегрузочная способность

Транзистор

• Меньшая коммутируемая мощность — обычно до сотен Вт
• Меньшие рабочие токи — до десятков ампер
• Более низкие рабочие напряжения — обычно до 100-200 В
• Возможность плавного регулирования тока
• Высокое быстродействие

Области применения тиристоров и транзисторов

Различия в характеристиках определяют разные области применения этих приборов:

Тиристоры применяются:

• В мощных выпрямителях и инверторах
• В регуляторах переменного напряжения
• В устройствах плавного пуска электродвигателей
• В электроприводах постоянного и переменного тока
• В системах передачи электроэнергии постоянным током

Транзисторы используются:

• В усилителях сигналов
• В импульсных источниках питания
• В цифровых логических схемах
• В ВЧ и СВЧ устройствах
• В маломощных регуляторах и стабилизаторах

Преимущества и недостатки тиристоров и транзисторов

Каждый из этих приборов имеет свои достоинства и недостатки:

Преимущества тиристоров:

• Высокая коммутируемая мощность
• Малые потери в открытом состоянии
• Высокая перегрузочная способность
• Простота управления

Недостатки тиристоров:

• Сложность выключения
• Низкое быстродействие
• Чувствительность к скорости нарастания напряжения

Преимущества транзисторов:

• Возможность плавного регулирования тока
• Высокое быстродействие
• Работа в широком диапазоне частот
• Возможность работы в линейном режиме

Недостатки транзисторов:

• Меньшая коммутируемая мощность
• Более высокие потери в открытом состоянии
• Меньшая перегрузочная способность

Заключение

Тиристоры и транзисторы — это разные классы полупроводниковых приборов, имеющие существенные отличия в структуре, принципе работы и характеристиках. Тиристоры лучше подходят для коммутации больших мощностей, а транзисторы — для усиления сигналов и работы в импульсных режимах. Понимание особенностей этих приборов позволяет правильно выбрать компонент для конкретного применения.

Тиристор — Режимы работы триодного тиристора

Интернет магазин китайских планшетных компьютеров

22 января 2011 Оглавление: 1. Тиристор 2. Устройство и основные виды тиристоров 3. Вольтамперная характеристика тиристора 4. Режимы работы триодного тиристора 5. Отличие динистора от тринистора 6. Симистор Режим обратного запирания Рис. 3. Режим обратного запирания тиристора Два основных фактора ограничивают режим обратного пробоя и прямого пробоя: Лавинный пробой. Прокол обеднённой области. В режиме обратного запирания к аноду прибора приложено напряжение, отрицательное по отношению к катоду; переходы J1 и J3 смещены в обратном направлении, а переход J2 смещён в прямом. В этом случае большая часть приложенного напряжения падает на одном из переходов J1 или J3. Пусть это будет переход J1. В зависимости от толщины Wn1 слоя n1 пробой вызывается лавинным умножением либо проколом. Режим прямого запирания При прямом запирании напряжение на аноде положительно по отношению к катоду и обратно смещён только переход J2. Переходы J1 и J3 смещены в прямом направлении. Большая часть приложенного напряжения падает на переходе J2. Через переходы J1 и J3 в области, примыкающие к переходу J2, инжектируются неосновные носители, которые уменьшают сопротивление перехода J2, увеличивают ток через него и уменьшают падение напряжения на нём. При повышении прямого напряжения ток через тиристор сначала растёт медленно, что соответствует участку 0-1 на ВАХ. В этом режиме тиристор можно считать запертым, так как сопротивление перехода J2 всё ещё очень велико. По мере увеличения напряжения на тиристоре снижается доля напряжения, падающего на J2, и быстрее возрастают напряжения на J1 и J3, что вызывает дальнейшее увеличение тока через тиристор и усиление инжекции неосновных носителей в область J2. При некотором значении напряжения, называется напряжением переключения VBF, процесс приобретает лавинообразный характер, тиристор переходит в состояние с высокой проводимостью, и в нём устанавливается ток, определяемый напряжением источника и сопротивлением внешней цепи. Двухтранзисторная модель Для объяснения характеристик прибора в режиме прямого запирания используется двухтранзисторная модель. Тиристор можно рассматривать как соединение p-n-p транзистора с n-p-n транзистором, причём коллектор каждого из них соединён с базой другого, как показано на рис. 4 для триодного тиристора. Центральный переход действует как коллектор дырок, инжектируемых переходом J1, и электронов, инжектируемых переходом J3. Взаимосвязь между токами эмиттера IE, коллектора IC и базы IB и статическим коэффициентом усиления по току α1 p-n-p транзистора также приведена на рис. 4, где IСо — обратный ток насыщения перехода коллектор-база. Рис. 4. Двухтранзисторная модель триодного тиристора, соединение транзисторов и соотношение токов в p-n-p транзисторе. Аналогичные соотношения можно получить для n-p-n транзистора при изменении направления токов на противоположное. Из рис. 4 следует, что коллекторный ток n-p-n транзистора является одновременно базовым током p-n-p транзистора. Аналогично коллекторный ток p-n-p транзистора и управляющий ток Ig втекают в базу n-p-n транзистора. В результате, когда общий коэффициент усиления в замкнутой петле превысит 1, оказывается возможным регенеративный процесс. Ток базы p-n-p транзистора равен IB1 =IA — ICo1. Этот ток также протекает через коллектор n-p-n транзистора. Ток коллектора n-p-n транзистора с коэффициентом усиления α2 равен IC2 = α2IK + ICo2. Приравняв IB1 и IC2, получимIA — ICo1 = α2IK + ICo2. Так как IK = IA + Ig, то Рис. 5. Энергетическая зонная диаграмма в режиме прямого смещения: состояние равновесия, режим прямого запирания и режим прямой проводимости. Это уравнение описывает статическую характеристику прибора в диапазоне напряжений вплоть до пробоя. После пробоя прибор работает как p-i-n-диод. Отметим, что все слагаемые в числителе правой части уравнения малы, следовательно, пока член α1 + α2 < 1, ток IA мал. Если α1 + α2 = 1, то знаменатель дроби обращается в нуль и происходит прямой пробой. Следует отметить, что если полярность напряжения между анодом и катодом сменить на обратную, то переходы J1 и J3 будут смещены в обратном направлении, а J2 — в прямом. При таких условиях пробой не происходит, так как в качестве эмиттера работает только центральный переход и регенеративный процесс становится невозможным. Ширина обеднённых слоёв и энергетические зонные диаграммы в равновесии, в режимах прямого запирания и прямой проводимости показаны на рис. 5. В равновесии обеднённая область каждого перехода и контактный потенциал определяются профилем распределения примесей. Когда к аноду приложено положительное напряжение, переход J2 стремится сместиться в обратном направлении, а переходы J1 и J3 — в прямом. Падение напряжения между анодом и катодом равно алгебраической сумме падений напряжения на переходах: VAK = V1 + V2 + V3. По мере повышения напряжения возрастает ток через прибор и, следовательно, увеличиваются α1 и α2. Благодаря регенеративному характеру этих процессов прибор в конце концов перейдёт в открытое состояние. После включения тиристора протекающий через него ток должен быть ограничен внешним сопротивлением нагрузки, в противном случае при достаточно высоком напряжении тиристор выйдет из строя. Во включенном состоянии переход J2 смещён в прямом направлении, и падение напряжения VAK = приблизительно равно сумме напряжения на одном прямосмещенном переходе и напряжения на насыщенном, транзисторе. Режим прямой проводимости Когда тиристор находится во включенном состоянии, все три перехода смещены в прямом направлении. Дырки инжектируются из области p1, а электроны — из области n2, и структура n1-p2-n2 ведёт себя аналогично насыщенному транзистору с удалённым диодным контактом к области n1. Следовательно, прибор в целом аналогичен p-i-n-диоду… Просмотров: 16253 Твердотельный накопитель Трёхканальный режим >>>

Однопереходный транзистор | HamLab

Помимо биполярных и полевых транзисторов существует так называемый однопереходный транзистор (ОПТ), представляющий собой кристалл полупроводника, в котором создан p-n переход, называемый инжектором:

Этим переходом кристалл полупроводника разделяется как бы на две области базы. Поэтому однопереходный транзистор имеет и другое широко распространённое название — двухбазовый диод. Принцип действия транзистора основан на изменении объёмного сопротивления полупроводника базы при инжекции. В отличии от биполярных и полевых транзисторов ОПТ представляет собой прибор с отрицательным сопротивлением. Это означает, что в определённых условиях входное напряжение или сигнал могут уменьшаться даже при возрастании выходного тока через нагрузку. Когда ОПТ находится во включённом состоянии, выключить его можно только разомкнув цепь, либо сняв входное напряжение.
Участок между базами образован кремниевой пластиной n-типа и имеет линейную вольтамперную характеристику, т.е. ток через этот участок прямо пропорционален приложенному межбазовому напряжению. При отсутствии напряжения на эмиттере (относительно Б1) за счёт проходящего I2 в базе 1 внутри кристалла создаётся падение напряжения Uвн, запирающее p-n переход, При подаче на вход небольшого напряжения Uвх=<Uвн величина тока, проходящего через переход,почти не изменяется. При Uвх>Uвн переход смещается в прямом направлении и начинается инжекция носителей заряда (дырок) в базы, приводящая к снижению их сопротивления. При этом уменьшается падение напряжения Uвн, что приводит к лавинообразному отпиранию перехода — участок II на воль-амперной характеристике:

Участок III, справа от минимума, где эмиттерный ток ограничивается только сопротивлением насыщения, называется областью насыщения. При уменьшении эмиттерного напряжения до Uвх<Uвн переход закрывается. При нулевом токе базы 2 (т.е. вывод Б2 не используется) характеристика (кривая 2) представляет собой по существу характеристику обычного кремниевого диода.
Однопереходные транзисторы применяются в различных схемах генераторов релаксационных колебаний, мультивибраторах, счётчиках импульсов, триггерных схемах управления тиристорами, генераторах пилообразного напряжения, делителях, реле времени, схемах фазового управления и др. Однако из-за малой скорости переключения и сравнительно большой потребляемой входной мощности они широкого распространения не получили.

Хотя основная функция ОПТ такая же, как и у переключателя, основным функциональным узлом среди большинства схем на ОПТ является релаксационный генератор:

В зависимости от назначения выходное напряжение можно снимать с любого вывода ОПТ. Осциллограммы напряжения показаны на этом рисунке:

Для устойчивой генерации необходимо выполнение условия:
(Uп-Umin)/(Imin<Re<(Uп-Umax)/Imax
Период колебаний определяют ориентировочно по формуле:
Т=ReCe(1-K), где К=(Umax-Umin)/Uвн=Rн/Rc>0.7 — коэффициент нейтрализации. Откуда Re=(0.1…0.2)Rн.
Иногда с целью повышения термостабильности напряжения Umax, в цепь базы 2 вводят резистор R1. Резистор R2 вводят при необходимости снятия сигнала с базы 1. Его номинал рассчитывают исходя из межбазового тока и заданной амплитуды снимаемого сигнала. Обычно номинал этого резистора не превышает 100 Ом и только в отдельных случаях достигает 3кОм. Для типового ОПТ (КТ117А, Б) сопротивление Rе лежит в пределах 4…9кОм, а рабочее напряжение находится в пределах 10…30 В. С помощью резисторов R1, R2 в некоторых пределах можно регулировать порог срабатывания ОПТ.

Рассмотрим простейший генератор пилообразного напряжения:

Как правило, для получения низкого сопротивления в качестве буферного каскада применяют эмиттерный повторитель. Предположим, что статический коэффициент передачи тока транзистора VT2 h31э=50, R2=1кОм. Тогда Rн=(h31э+1)R2 =(50+1)*1=51кОм. Отсюда R1=(0.1…0.2)Rн=5.1…10кОм. Поскольку напряжение Uemin=2B, a Uэб=0.6B<Uemin, «обрезания» сигнала не происходит.
При реализации эмиттерного провторителя на p-n-p транзисторе можно добиться некоторого улучшения рабочих характеристик, т.к. сопротивление нагрузки включается параллельно резистору R1, следовательно исключается опасность прекращения генерации из-за никого значения статистического коэффициента передачи тока транзистора или сопртивления в эмиттере. Более того, коллекторный ток утечки биполярного транзистора вычитается из эмиттерного тока утечки ОПТ, чем достигается частичная термостабилизация.

Простейший способ линеаризации пилообразного напряжения:

Применение дополнительного источника повышенного напряжения позволяет существенно увеличить номинал токозадающего резистора, что эквивалентно заряду от генератора тока. Недостаток этого способа — необходимость применения дополнительного источника.

Линеаризация с помощью конденсаторной вольтдобавки «вольтдобавки» (следящей обратной связи):

Введение резистора R1 позволяет использовать базу2 для синхронизации выходного напряжения.

Возможный вариант стабилизации зарядного тока со следящей обратной связью с помощью стабилитрона:

Введение дополнительного источника отрицательного напряжения постоянного тока также способствует линеаризации.

Другой способ линеаризации с помощью ГСТ:

Применение интегратора позволяет получить напряжение пилы от вогнутой до выпуклой формы:

Желаемой формы добиваются подбором резистора R3.

Возможный вариант мультивибратора:

Для получения сигнала типа «меандер» необходимо выполнить условия: R2=2R1. Работает мультивибратор следующим образом. При зарядке конденсатора транзистор VT2 открыт током заряда. Время заряда определяет постоянная времени R1C1. При включении ОПТ базоэмиттерный переход VT2 за счёт напряжения на конденсаторе смещается в обратном направлении и транзистор VT2 закрывается.

Разновидность ОПТ — программируемый ОПТ (ПОПТ) — четырёхслойный прибор, структура которого аналогична структуре тиристора за исключением того, что используется анодное управление в отличие от катодного управления у тиристора. ОПТ и ПОПТ обладают аналогичными характеристиками, однако напряжение включения ПОПТ программируется и может задаваться с помощью внешнего делителя напряжения. В отличии от ОПТ, ПОПТ более быстродействующий и чувствительный прибор. Исходя из эквивалентной схемы

можно сделать вывод, что ПОПТ представляет собой выключаемый тиристор с анодным управлением. При подаче на управляющий электрод (эмиттер) более отрицательного относительно анода (база 2) напряжения ПОПТ переходит из режима отсечки во включённое состояние. Для обеспечения функционирования ПОПТ в режиме ОПТ требуется на управляющем электроде ПОПТ поддерживать внешнее опроное напряжение, которое по существу совпадает с точкой максимума. Поскольку опроное напряжение определяется параметрами внешнего делителя, его можно сделать переменным. Эта особенность и является главным отличием ОПТ от ПОПТ

Пожалуй, наибольшее применение однопереходные транзисторы нашли в различных регуляторах мощности. рассмотрим несколько практических схем применения.

Фазоимпульсный регулятор мощности паяльника (до 100Вт):

работает следующим образом. Положительная полуволна питающего напряжения проходит в нагрузку практически без ослабления через диод VD2. Релаксационный генератор питается пульсирующим напряжением (в течениие отрицательной полуволны), ограниченным стабилитроном VD1 на уровне 24В. С появлением каждой отрицательной полуволны конденсатор С1 начинает заряжаться через цепь R2, R4. Скорость зарядки можно регулировать переменным резистором R2. Как только напряжение на конденсаторе достигнет порога открывания транзистора VT1, на управляющий электрод тиристора VS1 поступает положительный импульс и тиристор открывается до конца полупериода. Таким образом, изменением постоянной времени фазосдвигающей цепи R2C1 осуществляктся регулировние мощности, отдаваемой в нагрузку.

Простой светорегулятор на эквиваленте ПОПТ:

Постоянная времени цепи R4C1 выбрана равной примерно 10мс.

Применение реле времени на ОПТ в автомате — ограничителе включения света:

Такой автомат может использоваться, например в общих коридорах с целью экономии электроэнергии. Необходимое время включённого состояния устанавливается подстроечным резистором R3. После заряда конденсатора до напряжения включения ОПТ, т.е. после его включения, конденсатор С1 на короткое время создаёт на аноде тиристора VS1 отрицательное напряжение и тем самым выключает его.

Простой автоматический регулятор освещённости:

может найти применение на рабочих местах, где высоки требования к постоянству освещенности.

Все рассмотренные схемы, помимо создаваемых ими помех, имеют один существенный недостаток. Так как через диоды моста течёт ток нагрузки, их необходимо выбирать соответствующей мощности или устанавливать на радиаторы, что ухудшает массогабаритные показатели.
Применение подобных регуляторов для регулирования числа оборотов двигателя имеет некоторые особенности.
Во-первых, коллекторные двигатели требуют расширения управляющего импульса до конца полупериода во избежание нестабильности работы из-за выключения тиристора или симистора при искрении щёток, т.е. при разрыве цепи. Во-вторых, для стабилизации числа оборотов независимо от нагрузки необходимо введение обратной связи по току или по напряжению, т.к. с увеличением нагрузки на валу падают обороты двигателя, уменьшается комплексное сопротивление нагрузки и соответственно увеличивается непроизводительное потребление тока.

Пример стабилизированного регулятора реверсивного двигателя:

Подбором резистора R1 (обратная связь по напряжению) добиваются минимальной зависимости числа оборотов двигателя от изменения нагрузки.

Применение импульсного трансформатора позволяет разгрузить диодный мост и тем самым улучшить массогабаритные показатели регулятора. Стабилизированный регулятор числа оборотов двигателя:

В данном регуляторе применена обратная связь по току с помощью резистора R7. В качестве импульсного трансформатора можно применить МИТ-4 или выполнить его на магнитопроводе типоразмера К16х10х4.5 из феррита М2000НМ. Обмотки содержат по 100 витков провода ПЭЛШО 0.12. Возможный вариант замены МИТ-4 двумя оптопарами показан на этом рисунке:

Регулятор мощности нагрузки до 1кВт:

Импульсный трансформатор тот же, что и в предыдущей схеме. Замена симистора двумя тиристорами показана на рисунке:

Все три обмотки импульсного трансформатора Т1 содержат по 100 витков. При этом мощность нагрузки можно увеличить до 2кВт.

В заключении необходимо отметить, что все рассмотренные регуляторы мощности имеют один существенный недостаток — создают большие импульсные радиопомехи как в сети, так и в окружающем пространстве, т.к. выключение симистора или тиристора происходит по окончании полупериода, а их включение, за счёт фазового регулирования, в пределах полупериода. Интенсивность радиопомех зависит от амплитуды мгновенного напряжения, при котором открывается тиристор, мощности нагрузки, длины соединительных проводников и ряда других причин. Отсюда следует, что максимальные помехи возникают на среднем участке регулировочной характеристики.

Топ 7 важных различий между транзисторами и тиристорами

Транзисторы и тиристоры являются полупроводниковыми переключающими устройствами. Они используются для управления током в цепях. Они играют очень важную роль во всех устройствах преобразования энергии. В этой статье давайте сравним и поймем разницу между транзисторами и тиристорами.

Транзисторы тиристоры

Ключевое отличие транзисторов от тиристоров

	Транзистор	Тиристор
Основная структура	Транзистор представляет собой трехслойное устройство, состоящее из чередующихся полупроводников р-типа и n-типа.	Тиристор представляет собой четырехслойное силовое электронное устройство, состоящее из чередующихся полупроводников р-типа и n-типа.
Клеммы	База, эмиттер и коллектор.	Анод, катод и затвор.
Номинальная мощность	Предназначен для использования в маломощных электронных схемах. Однако силовые транзисторы способны работать и при более высоких напряжениях.	Обладает высокой номинальной мощностью от 600 В до 5000 В и рабочим током до 5500 А.
Метод переключения	Транзистор можно переключить в проводящее состояние, подав ток на его базу.	Проводимость может быть вызвана подачей тока затвора.
Характер переключения	Непрерывная подача тока на базу.	На затвор подается триггерный импульс. Как только он входит в режим прямой проводимости, он остается в режиме проводимости до тех пор, пока анодный ток не упадет до нуля.
Управляемость	Величину тока между коллектором и эмиттером можно контролировать, контролируя ток базы.	Величина тока, протекающего между анодом и катодом, не может контролироваться.
Требования к коммутации	Коммутационная цепь не требуется.	Для тиристоров требуются схемы коммутации для отключения.
Применение	В основном используются в усилителях, электронных схемах переключения, генераторах, вибраторах и т. д.	Тиристоры используются в схемах переключения большой мощности, схемах управления скоростью двигателя, выпрямителях и инверторах.
Стоимость	Высокий	Низкий

Транзистор

Транзистор — это устройство, управляемое током. Это означает, что ток, протекающий через коллектор и эмиттер, управляется величиной тока, протекающего в базу.

Излучатель: Сильно заряженная область, пропускающая заряженные частицы к базе.

База: Тонкая и слегка окрашенная область. База пропускает заряженные частицы от эмиттера к коллектору.

Коллектор: Самая большая область транзистора. Он слабо легирован, чем эмиттер, но сильно легирован, чем база. Биполярные транзисторы помогают регулировать ток в цепи. Ток, протекающий через транзистор, пропорционален величине напряжения смещения, прикладываемого к клемме базы.

Обозначение и выводы биполярного транзистора

Тиристоры представляют собой быстродействующие полупроводниковые переключающие устройства, состоящие из четырех чередующихся слоев материалов р- и n-типа. Они используются в приложениях переключения переменного/постоянного тока и управления мощностью переменного тока. Символ тиристора представляет собой символ диода, который имеет три вывода: затвор, анод и катод.

Анод — это положительная клемма, а катод — отрицательная клемма SCR. Он состоит из четырех слоев чередующихся материалов типа P и N. Он также имеет дополнительный терминал управления, называемый воротами. Наличие затвора позволяет запускать SCR в проводимость. Это однонаправленное устройство, которое позволяет току течь только в одном направлении и противодействует потоку в противоположном направлении.

Другая полезная документация

• Тиристоры с коммутируемым временем отключения при низком уровне напряжения для HVDC и FACTS – ABB
• https://www. springer.com/gp/book/9780412210808

Теги Разница, Вопросы и ответы, Тиристоры, Транзисторы

Copyright © 2023 Electrical Classroom. Защищено законом о защите авторских прав в цифровую эпоху Продолжая использовать этот веб-сайт, вы соглашаетесь с нашей политикой в ​​отношении файлов cookie.
Посмотреть политику конфиденциальности Посмотреть карту сайта

Разница между тиристором и транзистором

Здравствуйте, читатели приветствуют вас в новом посте. Сегодня мы узнаем Разница между Тиристором и Транзистором. Тиристор представляет собой полупроводниковый компонент, который используется для приложений с высоким напряжением, большим током и высокой мощностью. В то время как транзисторы используются для цепей меньшей мощности, при этом номинальные значения напряжения и тока транзистора также меньше.

В этом посте мы рассмотрим различные параметры, чтобы найти различия между транзистором и тиристором. Итак, приступим.

Отличие тиристора от транзистора

Что такое транзистор

• Транзистор представляет собой трехслойный модуль с двумя PN-переходами. У него три контакта.
Транзисторы
• бывают двух типов NPN и PNP. Для конфигурации PNP имеется одна N-область, расположенная между двумя P-областями, а для NPN P — это сэндвич между двумя N-областями.

• Его выводы эмиттер-база и коллектор. База работает как управляющая на транзисторе при подаче питания.
• Транзисторы используются в усилителях и переключателях в электронных схемах. Есть три рабочих области функции транзистора.
• Зона отсечки, где транзистор работает как разомкнутый ключ, область насыщения, где он работает как замкнутый ключ, и третья — активная область, где он используется в качестве усилителя

Что такое тиристор

• Тиристор представляет собой 4-слойный полупроводниковый модуль. У него 3 Pn-перехода.
• У него есть 3 вывода: анод-катод и затвор. Затвор этого компонента похож на транзистор, который работает как управляющий контакт.

• Используется для больших силовых цепей. Он справляется с получением тока, столь предпочтительного для конструкций с большей мощностью
.
• Имеется три режима наведения, есть режим наведения назад, вперед и вперед.
  Имеет три пересечения.
• Имеет три анодно-катодных вывода и затвор.
• Используется в блоках фазового пожаротушения
• Его мощность выше, чем у диода.
• Для работы требуется более высокое значение напряжения, чем для диода.
• дороже диода.
• Это тяжелое оборудование.

Тиристор против транзистора

• Транзистор имеет 3 области и три вывода, используемые в схемах переключателя и усилителя, в то время как тиристоры имеют 4 слоя и 3 вывода, используемые для выпрямителей
• Структура транзистора такова, что N или P зажаты между двумя N или двумя P, в то время как тиристоры имеют четыре области P и N альтернативным образом.
• Выводы транзистора эмиттер-база и катод, а тиристора анод-катод и затвор
• Имеется два p-n перехода для транзистора и 3 тиристора
• Имеется 2 типа транзисторов NPN и PNP, в то время как тиристор имеет один PNPN

• Нет необходимости в дополнительном токе для выключения транзистора и тиристора нужно
• Тиристоры используются в цепях большой мощности, а транзисторы используются в цепях малой мощности
• Время включения и выключения транзистора мало, а тиристору нужно много
• КПД тиристора выше, чем у транзистора
• Транзистор является менее дорогим компонентом
• Меньшее падение напряжения на транзисторе, чем на тиристоре
• Более высокое значение тока и напряжения для тиристора, чем для транзистора
• Высокие внутренние потери мощности на транзисторах
• Транзисторы используются для высокочастотных приложений, чем тиристоры

Это все о разнице между тиристором и транзистором.