П210 транзистор. Транзистор П210: характеристики, применение и аналоги германиевого силового прибора

Какие основные параметры имеет транзистор П210. Для каких целей используется этот германиевый силовой прибор. Какие существуют современные аналоги П210. Где применялся транзистор П210 в советской электронике.

Основные характеристики транзистора П210

Транзистор П210 представляет собой мощный германиевый биполярный прибор p-n-p структуры. Он относится к классу силовых низкочастотных транзисторов и имеет следующие ключевые параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальный ток коллектора: 12 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 10-100
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 кГц
  • Максимальная температура перехода: 70°C

П210 выпускался в металлическом корпусе с массой 37 г. Прибор разрабатывался для применения в оборонной промышленности СССР и проходил строгий контроль качества.

Области применения транзистора П210

Благодаря своим характеристикам, транзистор П210 нашел широкое применение в следующих областях:


  • Выходные каскады усилителей низкой частоты
  • Преобразователи постоянного напряжения
  • Ключевые и коммутационные схемы
  • Стабилизаторы напряжения и тока
  • Регуляторы мощности электродвигателей

Прибор активно использовался в промышленной и военной электронике СССР с 1960-х по 1980-е годы. П210 применялся в радиопередающей аппаратуре, системах автоматики, источниках питания и другом оборудовании.

Модификации и аналоги П210

Транзистор П210 выпускался в нескольких модификациях:

  • П210А — базовая модель
  • П210Б — улучшенная версия с повышенной надежностью
  • П210В — модификация для работы при низких температурах

Среди отечественных аналогов можно выделить транзисторы серий ГТ701 и ГТ702. Современными зарубежными аналогами являются:

  • 2N457, 2N458 (США)
  • AD142, AD145 (Европа)
  • AUY21, AUY22 (Япония)

При замене П210 на современные приборы необходимо учитывать различия в характеристиках и корпусах транзисторов.

Особенности работы с германиевыми транзисторами

При использовании П210 и других германиевых транзисторов следует учитывать их специфику:


  • Высокие обратные токи утечки
  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
  • Сильная зависимость параметров от температуры
  • Чувствительность к перегреву и превышению предельных режимов

Для стабильной работы германиевых приборов требуется обеспечить хороший теплоотвод и температурную стабилизацию схемы. Необходимо также учитывать разброс параметров транзисторов.

Проверка и тестирование транзистора П210

Для проверки исправности П210 можно использовать следующие методы:

  • Измерение статических параметров мультиметром
  • Проверка коэффициента усиления
  • Измерение обратных токов утечки
  • Тестирование в реальной схеме включения

При тестировании важно не превышать предельно допустимые режимы транзистора по току и напряжению. Для точных измерений рекомендуется использовать специализированные приборы — измерители параметров транзисторов.

Схемы включения П210 в усилителях мощности

Транзистор П210 часто применялся в выходных каскадах усилителей низкой частоты. Типовые схемы включения:

  • Однотактный выходной каскад
  • Двухтактный выходной каскад с трансформаторным выходом
  • Мостовая схема включения

При проектировании усилителей на П210 необходимо обеспечить надежный теплоотвод и защиту транзисторов от перегрузки. Для повышения линейности часто использовалась глубокая отрицательная обратная связь.


Применение П210 в источниках питания

В импульсных источниках питания транзистор П210 использовался в качестве силового ключа. Типовые схемы:

  • Однотактный прямоходовой преобразователь
  • Двухтактный полумостовой преобразователь
  • Обратноходовой преобразователь

Для повышения КПД и снижения динамических потерь применялись различные снабберные цепи. Частота преобразования обычно не превышала 50-100 кГц из-за ограниченного быстродействия П210.

Особенности монтажа и эксплуатации П210

При работе с транзистором П210 следует соблюдать ряд правил:

  • Использовать качественный теплоотвод достаточной площади
  • Применять теплопроводящую пасту
  • Не допускать механических напряжений на выводах
  • Использовать средства защиты от статического электричества
  • Соблюдать полярность включения

Срок службы П210 при правильной эксплуатации может достигать нескольких десятков лет. Однако со временем параметры транзистора могут деградировать из-за диффузии примесей в германии.

Современные альтернативы транзистору П210

В настоящее время германиевые транзисторы практически не применяются в новых разработках. Их заменили более совершенные кремниевые приборы:


  • Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
  • Мощные полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
  • Силовые биполярные транзисторы с высоким коэффициентом усиления

Эти современные приборы обладают лучшими характеристиками по сравнению с П210 — более высокой рабочей частотой, меньшими потерями, повышенной надежностью. Однако в некоторых специфических применениях германиевые транзисторы все еще могут использоваться.


П210Б характеристики транзистора: аналоги, datasheet и распиновка

Главная » Транзисторы

Технические характеристики транзистора П210Б позволяют ему работать в выходных каскадах УНЧ, преобразователях постоянного напряжения, переключающих схемах. Он является мощным, низкочастотным, германиевым p-n-p устройством. Изготавливается по сплавной технологии. Стоить отметить что транзисторы серии П210 разрабатывались для нужд оборонной промышленности и подвергались тщательной проверке. Не прошедшие проверку (П210Б и П210В) использовались в гражданских целях.

Содержание

  1. Цоколевка
  2. Технические характеристики
  3. Аналоги
  4. Производители

Цоколевка

П210Б производились в металлическом герметичном корпусе, маркировка наносилась сверху. Масса транзистора составляет 37 г. С его размерами и расположением ножек можно ознакомиться на рисунке ниже.

 

Технические характеристики

Давайте рассмотрим предельно допустимы характеристики транзистора П210Б, обычно они указываются в самом начале в любом datasheet, так как являются важными и их превышение неизбежно повлечёт к поломки устройства:

  • постоянный ток на коллекторе — 12 А;
  • постоянный ток проходящий через базу – 0,3 А;
  • напряжение К – Э (эмиттер замкнут на базу) – 40 В;
  • напряжение К – Э (база разомкнута) – 30 В;
  • напряжение К – Б (эмиттер разомкнут) – 65 В;
  • напряжение Э – Б – 25 В;
  • рассеиваемая мощность (с теплоотводом) – 45 Вт;
  • рассеиваемая мощность (без теплоотвода) – 1,5 Вт;
  • температура кристалла — <70 ОС;
  • температура окружающей среды от -55 до +60 ОС.

Электрические параметры, также важно знать при проектировании устройств и поиске замены. Данные параметры способен показать транзистор при обычной работе:

  • максимальная частота к-та передачи тока >100 кГц;
  • к-т усиления по току в схеме с общим эмиттером – 10 … 100;
  • крутизна характеристики >5 А/В;
  • начальный ток коллектора <8 мА;
  • обратный ток коллектора:
    • при tокт = +20 ОС — <15 мА;
    • при tокт = +60 ОС — <90 мА;
  • напряжение насыщения коллектор – эмиттер 0,6 … 2,5 В;
  • напряжение насыщения эмиттер — база 0,5 … 2 В;
  • напряжение отсечки переходной характеристики в схеме с ОЭ -0,3 В;
  • напряжение лавинного пробоя при Iк = 2,5 А и tокр = -55 … +60ОС >40 В;
  • входное сопротивление в схеме с общей базой 0,4 Ом;
  • тепловое сопротивление кристалл — корпус 1 ОС/В;
  • тепловое сопротивление среда — кристалл 40 ОС/В;
  • тепловая постоянная кристалл — корпус 100 мкс.

Советуем Вам проверить информацию о содержании драгоценных металлов в П210Б, так как некоторые модели могут иметь ценность даже в нерабочем состоянии, особенно продукция старого образца.

Аналоги

Среди зарубежных устройств можно назвать такие аналоги П210Б: 2N457, 2N458, 6NU74, 7NU74, AD142, AD325, AD545, AUY21, AUY21A, AUY22, AUY22A. Существуют также отечественные изделия по похожим параметрам, например транзистор ГТ701А. В любом случае, перед заменой нужно проверить характеристики по технической документации.

Производители

Первоначально транзисторы серии П210 (скачать datasheet можно тут) изготавливались на трёх предприятиях: НИИ-35 (сейчас это завод НПП «Пульсар»), Ташкентские государственный завод п/я 125 (позже Ташкентский завод электронной техники) и Ереванский электротехнический завод (НПО «Транзистор»). Позже производство было передано заводу «Гамма» г. Запорожье. В начале 90-х они стали считаться неперспективными.

PNP

Транзистор П210

Драгоценные металлы в транзисторе П210 согласно данных и паспортов-формуляров.

Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов. Содержание драгоценных металлов в транзисторе П210. Золото: 0 грамм. Серебро: 0.01624 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий:  0 грамм. Примечание: Из перечней 780 РЗ ТСК. Если у вас есть интересная информация о транзисторе П210 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте. Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора, Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор, Фото транзистора марки П210: Полевой транзистор
— полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных). Схемы включения полевых транзисторов Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а). Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется. Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем.
Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) П210 включая его характеристики: Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто. В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные. В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.
Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны. Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа. Купить транзисторы или продать а также цены на  П210:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, П210:

Интернет-магазин радиоламп и редких электронных компонентов

Выпадающие категории

  • ТРУБЫ
    • БУСТЕР
      • ДИОДНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ
      • ТРИОД
        • ОДИНАРНЫЙ ТРИОД
        • ДВОЙНОЙ ТРИОД
      • ТЕТРОД
      • ПЕНТОД
      • СЛОЖНЫЙ
    • ТИРАТРОНЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
    • СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ И ТОКА
    • ГЕНЕРАТОРЫ И МОДУЛЯТОРЫ
    • МАГНЕТРОНЫ И КЛИСТРОНЫ
    • ЭЛТ ТРУБКА
    • СПЕКТРАЛЬНЫЙ
    • ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ УМНОЖИТЕЛИ И ФОТОЭЛЕМЕНТЫ
    • БЕГУЩАЯ ВОЛНА, ОБРАТНАЯ ВОЛНА
    • РЕНТГЕНОВСКИЙ
    • РАЗРЯДНИКИ ГАЗОВЫЕ РАЗРЯДЫ
    • ИНДИКАТОРЫ / MAGIC EYE / И ДЕКАТРОНЫ
  • СОЕДИНИТЕЛИ
    • ПРОМЫШЛЕННЫЕ И ВОЕННЫЕ СОЕДИНИТЕЛИ
      • ЦИРКУЛЯРНЫЙ
        • РОССИЙСКИЕ /СССР / СОЕДИНИТЕЛИ
          • РС, МР1
          • 2РМ, 2РМТ, 2РМД, 2РМДТ, 2РМГ
          • ШР , СШР ,2РТ ,2РТ-А
        • СОКАПЕКС, АМФЕНОЛ . ……
      • ПРЯМОУГОЛЬНЫЙ
    • СИГНАЛЬНЫЕ РАЗЪЕМЫ
    • РЧ РАЗЪЕМЫ
    • ДЛЯ ПЕЧАТНЫХ И КАБЕЛЬНЫХ КЛЕММ
  • КОНДЕНСАТОРЫ
    • КЕРАМИКА
      • ТРУБЧАТЫЙ
      • ДИСК
    • PIO
      • К40У-9 К40У-9
      • К42У-2 К40У-2
      • КБГ-И
      • К40П-2 А Б
      • КБГ-МН
      • МБГО
      • КБГ-М
      • МБГП
      • К41-1
      • К75-15
    • ТАНТАЛ
    • ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ
    • ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ
      • ТРУБЧАТЫЙ
      • ДИСК
      • ВАКУУМ
      • PIO
    • ПЕРЕМЕННАЯ И ТРИММЕРНАЯ
    • слюда
      • КСО
        • 250В
        • 500В
        • 1000В
        • 2000В
        • 2500В
        • 3000В
        • 5000В
      • КСГ, ССГ
      • СГМ
    • СЕРЕБРЯНЫЙ ТАНТАЛ K52-1, K52-2, ETO
    • ТЕФЛОН ПТФЭ
      • ФТ-1 600 В
      • ФТ-1 200 В
    • ПОЛИПРОПИЛЕН, ПОЛИЭСТЕР, МКТ
    • ПОЛИКАРБОНАТ
    • ФИЛЬТР, ДЕМПФЕР
  • ПРОВОДА И КАБЕЛИ
    • ПРОВОЛОКА
      • СЕРЕБРЯНОЕ ПОКРЫТИЕ
      • УСТАНОВОЧНЫЕ ПРОВОДА
      • ТЕФЛОН
    • ЭКРАНИРОВАННЫЕ КАБЕЛИ
    • КОАКСИАЛЬНЫЙ
    • АВИАЦИЯ
  • НИКСИ ТУБС
    • НИКСИ ТУБС
  • РЕЗИСТОРЫ
    • ПРЕЦИЗИОННЫЕ РЕЗИСТОРЫ
      • 0,125 Вт
        • Металлопленка C2-29B 0,1÷1 %
      • 0,25 Вт
      • 0,5 Вт
        • ПТМН проволочная 0,25 % ÷ 0,5 %
        • Металлопленка С2-14-0,5 1%
        • Металлическая пленка C2-29B 1 %
      • 1 Вт
        • ПТМН проволочная 0,25 % ÷ 0,5 %
        • Металлопленка С2-14-1 1%
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 2 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 5 Вт
        • C5-5B проволочная 0,05 % ÷ 1%
      • 8 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
      • 10 Вт
        • C5-5B проволочный 0,1 % ÷ 1%
    • НЕИНДУКТИВНЫЙ
    • ВЛАСТЬ
      • 2-5 Вт
      • 6-10 Вт
      • 11-20 Вт
      • 21-50 Вт
      • 51-100 Вт
      • >100 Вт
      • РЕГУЛИРУЕМЫЙ
    • РЕЗИСТОР АРРАУ
    • WS КИМ КВМ УЛМ
    • ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
    • ШУНТЫ
  • ГЕРМАНИЙ ДИОД
    • ДЕТЕКТОРЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
  • ГЕРМАНИЙ ПЕРЕХОДНИКИ
    • ПНП
    • НПН
    • ВЛАСТЬ
    • ВЧ
  • ТРАНЗИСТОРЫ
    • БИПОЛЯРНЫЙ
    • полевые транзисторы
    • ВЧ/УКВ ТРАНЗИСТОРЫ
    • ТРАНЗИСТОРЫ АРРАУ
    • ОБЪЕДИНЕНИЕ
  • ДИОДЫ
    • ВЫПРЯМИТЕЛИ
    • ЗЕНЕР
    • ШОТТКИ
    • ВЫСОКАЯ ЧАСТОТА
    • ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ
  • ПОТЕНЦИОМЕТРЫ
    • ПРОВОД И РЕОСТАТ
      • 0-9 Вт
      • 11-20 Вт
      • 21-30 Вт
      • 31-50 Вт
      • 51-100 Вт
      • >100 Вт
    • УГЛЕРОД И КОМПОЗИТЫ
      • 0,5 Вт
      • 1 Вт
      • 2 Вт
    • ПОДРЕЗНЫЕ ПОТЕНЦИОМЕТРЫ
      • ОДИН ОБОРОТ
      • МНОГООБОРОТНЫЙ
  • ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
    • время жизни
      • 5400. ..
      • 7400…..
      • 74LS00….
      • 74S00…. 74F00….
      • 74HC00… 74HCT00…
      • ФЖ
    • ОБЪЕМ ПАМЯТИ
    • КМОП
    • АНАЛОГОВЫЙ
      • ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
      • СТАБИЛИЗАТОРЫ
      • АЦП и ЦАП
    • ГИБРИДНЫЙ
    • МИКРОПРОЦЕССОРЫ И ПЕРИФЕРИЯ
      • ПРОЦЕССОРЫ
      • ПЕРИФЕРИЯ
    • КОНТРОЛЛЕРЫ
    • РАЗНООБРАЗНЫЙ
  • ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
    • ТИРИСТОРЫ
    • ТРИАКС
  • ФЕРРИТОВЫЕ СЕРДЕЧНИКИ
    • ФЕРРИТОВЫЕ СЕРДЕЧНИКИ
    • ФЕРРИТОВЫЕ КАТУШКИ
  • РЕЛЕ И КОНТАКТОРЫ
    • РЕЛЕ
      • ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЕ РЕЛЕ
      • герконовые реле
      • РЕЛЕ ВРЕМЕНИ
      • АВТОМОБИЛЬНЫЕ РЕЛЕ
      • РЕГУЛЯТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
    • КОНТАКТОРЫ
    • герконовые переключатели
  • ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ И КНОПКИ
    • ПОВОРОТНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
    • ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
    • КНОПКИ
    • ДЖОЙСТИКИ
    • МИКРОСКЛЮЧАТЕЛИ
    • КОНЕЧНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ
    • КЛЮЧ МОРЗЕ
  • ЧПУ И ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
    • АЛЛЕН БРЭДЛИ
    • ФАНУК
    • ТЕЛЕМЕХАНИКА
    • ФЕСТО
  • ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
    • ТЕФЛОН ПТФЭ
      • ФОЛЬГИРОВАННАЯ ЛЕНТА
      • ТРУБКИ
    • ТРУБКА ИЗ СТЕКЛОВОЛОКНА
  • ЛЮБИТЕЛЬСКОЕ РАДИО
  • АУДИО
  • ДЛЯ ГИТАРЫ
  • ДЛЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ
  • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ
    • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ
    • КЛЕММНЫЕ БЛОКИ ДВУХУРОВНЕВЫЕ
    • КЛЕММЫ ЗАЗЕМЛЕНИЯ
    • ТАРЕЛКИ
  • ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ
    • АНАЛОГОВЫЙ
      • ВОЛЬТМЕТРЫ
      • АМПЕРМЕТР
      • ЧАСТОТОМЕРЫ
      • СЧЕТЧИКИ
  • ПАЯЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
    • ПРИПОЯ ПРОВОДА И ПРИПОИ
      • СВИНЦОВАЯ ИГРУШКА
      • БЕЗ СВИНЦА
      • БЕЗ СВИНЦА С СЕРЕБРОМ
    • ПАЯЛЬНИКИ
  • ИНСТРУМЕНТЫ
    • ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИНСТРУМЕНТЫ
  • КАТУШКА ТЕСЛА
    • КОНДЕНСАТОРЫ
    • ИЗОЛЯЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
  • ПРОВОД СОПРОТИВЛЕНИЯ
    • КОНСТАНТАН
    • НИХРОМ
      • КРУГЛЫЙ
        • 0,011 мм 57AWG
        • 0,012 мм 56AWG
        • 0,014 мм 55AWG
        • 0,016 мм 54AWG
        • 0,0115 мм 56AWG
        • 0,0175 мм 53AWG
        • 0,02 мм 52AWG
        • 0,0225 мм 51AWG
        • 0,025 мм 50AWG
        • 0,028 мм 49AWG
        • 0,03 мм 48АВГ
        • 0,05 мм 44AWG÷ 0,09мм 41AWG
        • 0,1 мм 38AWG÷ 1,0 мм 38AWG
        • > 1,0 мм 38AWG
      • ПЛОСКИЙ
  • ЛАМПОЧКА
    • ЛАМПЫ НАКАЛИВАНИЯ
    • СВЕТЯЩАЯСЯ НЕОНОВАЯ ЛАМПА
    • АВТОМОБИЛЬНЫЕ И АВИАЦИОННЫЕ ФОНАРИ
    • ДЕРЖАТЕЛИ ДЛЯ ЛАМП
  • КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ РЕЗОНАТОРЫ И ФИЛЬТРЫ
  • ИСТОЧНИКИ ЗВУКА
    • НАУШНИКИ
    • МИКРОФОН
      • УГЛЕРОД
      • ЭЛЕКТРЕТ И КОНДЕНСАТОР
      • ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ
    • ТЕЛЕФОННАЯ КАПСУЛА
    • ДИНАМИКИ
  • ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ И РЕЗОЛЬВЕРЫ
    • ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛИ
      • ОКРУГ КОЛУМБИЯ
      • переменный ток
      • ШАГОВЫЙ
    • РАЗРЕШИТЕЛИ
  • СЧЕТЧИКИ ГЕЙГЕРА-МЮЛЛЕРА
  • УСТРОЙСТВА
  • СЕЛЕНОВЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ
  • ИНДУКТОРЫ
    • ИНДУКТОРЫ ВЫПРЯМИТЕЛЯ
    • ЛИНЕЙНЫЙ ЭМП-ФИЛЬТР
    • ТНТ
    • поверхностный слой
  • РАДИАТОРЫ
  • ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
    • КЕРАМИЧЕСКИЙ
    • СТЕКЛО
      • 5Х20 мм
    • ДЕРЖАТЕЛИ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕЙ
    • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕДОХРАНИТЕЛИ
  • РОЗЕТКИ
    • ДЛЯ ТРУБЫ
    • ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЦЕПИ
    • ДЛЯ РЕЛЕ
  • ДАТЧИКИ
    • ТЕМПЕРАТУРА
    • ДАВЛЕНИЕ
    • БЛИЗОСТЬ
    • ДАТЧИКИ ХОЛЛА
  • ОПТИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
    • ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
    • ФОТОДИОДЫ
    • ОПТОПАРА
    • ФОТОРЕЗИСТОРЫ
    • ОТОБРАЖАТЬ
    • СВЕТОДИОДНЫЙ ДИОД
  • ЭМАЛИРОВАННАЯ МЕДНАЯ ПРОВОДА
    • 0,02мм
    • 0,03мм
  • ТЕРМОСТАТЫ И ЗАЩИТА ОТ ПЕРЕГРУЗКИ
    • ТЕРМОСТАТЫ
    • ТЕПЛОВАЯ ПЕРЕГРУЗКА
    • РЕЛЕ ПЕРЕГРУЗКИ ДВИГАТЕЛЯ
    • АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
    • ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
    • ВАРИСТОРЫ
  • МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ПЛАТЫ
    • FR2 И FR4 ЛАМИНАТ, ПОКРЫТЫЙ МЕДЬЮ
      • ФОЛЬГИРОВАННОЕ СТЕКЛОВОЛОКНО ФР-4
        • ОДИНАРНЫЙ
          • 0,5мм
          • 1,5 мм
        • ДВОЙНОЙ ФОЛЬГИРОВАННЫЙ
      • ФОЛЬГИРОВАННАЯ СТЕКЛЯННАЯ БУМАГА FR-2
    • ПОСТАВКИ ПХД
  • СМД ЭЛЕМЕНТЫ
    • ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
    • ТРАНЗИСТОРЫ
    • РЕЗИСТОРЫ
    • КОНДЕНСАТОРЫ
    • ПАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
    • ДИОДЫ И ЗЕНЕРЫ
  • РАЗЛИЧНЫЙ
  • ТРАНСФОРМАТОРЫ
  • ТЕРМИНАЛЫ
    • КЛЕММЫ ДЛЯ ПХД

Главная › ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЕРЕХОДНИКИ › POWER › Силовой германиевый транзистор П210Б ПНП 45Вт 12А 60В СССР

Код: 05108

Описание

Мощность г германиевый транзистор P210 B PNP 45 Вт 12А 60В    

Предназначены для использования в коммутационных устройствах,

выходных каскадах усилителей низкой частоты, Преобразователи постоянного тока ф-100КГц

Материал транзистора: Ge

Полярность: PNP

Изображение является иллюстративным!

Mase в СССР до 1989 г.

  • Производитель: СССР
  • Вес: 0,080 кг

Цена: 6.00лв.

Количество:

Отправить другу Оцените этот продукт Добавить в список желаний

p210-p217 техническое описание и указания по применению

Каталог техническое описание MFG и тип ПДФ Теги документов
2001 — П210-П217

Резюме: renesas M32R m32174 M32R M32R RTD mitsubishi p93 TO41 пакет M32170 P210/TO37 M32170F3VWG
Текст: Многоузловой таймер P124-P127/ TCLK0-TCLK 3 34 4 45 P210-P217/TO37-TO44 P180-P187/TO29-TO36, таймер P124-P127/ TCLK0-TCLK 3 34 4 45 P210-P217/TO37-TO44 П180-П187/ТО29-ТО36 П160-П167


Оригинал
PDF
2001 — П210-П217

Реферат: Пакет TO44 M32170 M32R QFP240-P-3232-0 M32170F3VFP M32170F3VWG M32170F4VFP M32170F4VWG M32170F6VFP
Текст: Многоузловой таймер P124-P127/ TCLK0-TCLK 3 34 4 45 P210-P217/TO37-TO44 P180-P187/TO29-TO36, таймер P124-P127/ TCLK0-TCLK 3 34 4 45 P210-P217/TO37-TO44 П180-П187/ТО29-ТО36 П160-П167


Оригинал
PDF 32-бит M32170 M32174 64 канала 16-битный из 16-канального 64chan- П210-П217 Пакет ТО44 М32Р QFP240-P-3232-0 M32170F3VFP M32170F3VWG M32170F4VFP M32170F4VWG M32170F6VFP
2002 — QFP240-P-3232-0

Реферат: Пакет TO41 M32180F8VFP bl p76 TIN18-P137 Пакет TO9 IEEE754 M32180F8TFP M32R DSA003646
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 32-бит 32-битный, IEEE754 16-канальный 64 канала 10-канальный QFP240-P-3232-0 Пакет ТО41 M32180F8VFP бл стр. 76 ИН18-П137 Пакет ТО9 M32180F8TFP М32Р DSA003646
2002 — ИНН18-П137

Реферат: M32R P210-P217 IEEE754 M32180F8TFP M32180F8VFP Пакет TO44 TO11-P107 P200-P203 TO-44
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF
2003 — SMD LED 5050 техническое описание

Резюме: smd led 5050 smd led 5050 0.5 w datasheet smd 5050 led 11b3 DIODE 5050 SMD LED DIODE SMD to4 SMD LED 5050 data led smd 5050 smd диод p190
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF REJ09B0014-0100Z 32-бит M32R/ЭБУ Техническое описание SMD-светодиода 5050 смд светодиод 5050 smd led 5050 0,5 Вт техническое описание смд 5050 светодиод 11b3 ДИОД Светодиод 5050 для поверхностного монтажа ДИОД SMD to4 Данные SMD-светодиода 5050 светодиод смд 5050 смд диод p190
2003 — 8002 1034 смд

Реферат: Транзистор Mitsubishi FS10 smd led 5050 0,5 Вт даташит разъем FD34 Mitsubishi FS10 SMD LED 5050 даташит Mitsubishi транзистор C 1588 mitsubishi ecu board hardware smd 5050 led M32R-FPU Расширенная инструкция
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 32-битный 8002 1034 смд Транзистор Митсубиси FS10 smd led 5050 0,5 Вт техническое описание разъем ФД34 Мицубиси ФС10 Техническое описание SMD-светодиода 5050 Транзистор Mitsubishi C 1588 аппаратная часть платы mitsubishi ecu смд 5050 светодиод Расширенная инструкция M32R-FPU
2003 — П224П

Реферат: FF015 m32180 smd p126 FS-70B15
Текст: Нет доступного текста файла


Оригинал
PDF 32-битный M32R/ЭБУ P224P FF015 м32180 смд р126 ФС-70Б15
2003 — ФС16.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *