П216 характеристики: Транзистор П216

Содержание

Транзистор П216 -

Драгоценные металлы в транзисторе П216 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе П216.
Золото: 0 грамм.
Серебро: 0.0019 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе П216 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки П216:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем.

Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) П216 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.

В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем
, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  П216:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, П216:

Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы

Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность - наше главное кредо.

Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы.

У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером  «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт  за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми  городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону.  Наш клиент всегда доволен!

Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.

Приобретаем:

  • платы от приборов, компьютеров
  • платы от телевизионной и бытовой техники
  • микросхемы любые
  • транзисторы
  • конденсаторы
  • разъёмы
  • реле
  • переключатели
  • катализаторы автомобильные и промышленные
  • приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)

Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.

Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!

Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257

, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]

С уважением, директор Александр Михайлов.

П-210, П-215, П-216 pH-метр, код П-210, П-215, П-216, цена

Здравствуйте! Вы попали на доску объявлений. Сотрудники Promelectrica.com разместили тут товары, которые Вам могут быть интересны. Информация о наличии по телефону (495)640-04-53

Подробное описание

Преобразование ЭДС электродной системы в электрический аналоговый сигнал постоянного тока и напряжения при измерении рН, рХ и редокспотенциала в технологических водных растворах и пульпах, в системах автоматического контроля и регулирования технологических процессов

Особенности:

Вывод измеряемых величин — в цифровой индикации

Автоматическая диагностика технического состояния с выводом на табло символа переполнения при неисправностях, перегрузках или ошибочных действиях в процессах настройки и проведения измерений

Совместимость с ПЭВМ (RS-232)

Технические характеристики:

Параметры

Значение

Нижние пределы измерений и нормирующие значения преобразователей (диапазоны измерения)См. дополнение

Пределы допускаемой приведенной основной погрешности и классы точности по цифровому табло и выходным сигналам постоянного тока и напряженииСм. дополнение

Пределы изменения выходных сигналов постоянного тока, напряжения и значения нагрузочных сопротивлений RН должно быть

0...5 мА, RН ≤ 2 кОм;

4...20 мА, RН ≤ 0,5 кОм;

0...100 мВ, RН ≤ 2 кОм;

0...10 В, RН ≤ 2 кОм.

ПитаниеОт сети переменного тока напряжением (220 ± 22) В, частотой (50 ± 0,5) Гц

Мощность, потребляемая от сети20 ВА

Габаритные размеры:

- блок преобразования П-210, П-215М, П-215И

- усилитель входной П-215М, П-215И

- блок искрозащиты П-215И

375×220×180 мм

270×110×80 мм

270×110×80 мм

Вес:

- блок преобразования П-210, П-215И

- блок преобразования П-215М

- усилитель входной П-215М, П-215И

- блок искрозащиты П-215И

7,5 кг

7,3 кг

1,5 кг

1,5 кг

Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель - Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного

pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А - коэффициент усиления с общей базой.
Fmax - максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp - коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы - все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 - 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 - 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 - 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 - 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 - цилиндрический "патрончик", соединенный с базой и два коротких
вывода - коллектор и эмиттер.
С3, С4 - корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная - вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная - пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная - в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная - близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная - в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B - коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 - 10 100 250
П2А 5 50 >9 - 10 100 250
П2Б 10 25 >9 - 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 - 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 - 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 - 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ - П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 - транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 - замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 - в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А - для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А - шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном - со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А - для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А - ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба - МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 - см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б - спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 - - >5 1 1000(имп) 40 100
П23 - - >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 - малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 - импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 - - >25 4,5 100 10 30
П31А - - >45 4,5 100 10 30
П32 - - >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 - симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа "замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 - там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т. е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп - макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 - pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 - - >20 1 20 10 150
П108А - - 13-25 1 20 10 150
П109 - - 13-25 2 20 10 150
П109 - - >15 3 20 10 150
П108-П110 - недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 - 25 40 100
П207А 10 2 >15 - 25 40 100
П208 10 2 >15 - 25 60 100
П208А 10 2 >15 - 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 - 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А - малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 - 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 - результат совершенствования и замена П201-П203.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 - 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г - результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 - то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И - П601И-П602АИ)
П604 - - >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А - - 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б - - 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 - выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 - 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 - 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение - усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее - тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая - введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце - буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент - буква П.
Втоpой элемент - цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 - маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 - маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 - мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 - мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 - маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 - маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 - мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 - мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

описание, типы, устройство, маркировка, применение.

В  этой статье рассказывается об важно элементе радиоэлектронике — транзисторах. Про принцип действия диодов и их характеристики читайте по ссылке — http://www.radioingener.ru/diody-i-ix-primenenie/

Что такое транзистор.

Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer — преобразователь и resistor — сопротивление.

В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как — то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами.

Биполярный (обычный) транзистор

Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем.  В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р — n перехода.

Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя — электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p — n — р. У транзистора структуры n — p — n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними — область с дырочной электропроводностью (рис. 1, б).

Рис. 1 Схематическое устройство и графическое обозначение на схемах транзисторов структуры p — n — p и n — p — n.

Устройство и структура.

Если мысленно прикрыть любую из крайних областей транзисторов, изображенных схематически на (рис.1). Что получилось? Оставшиеся две области есть не что иное, как плоскостной диод. Если прикрыть другую крайнюю область, то тоже получится диод. Значит, транзистор можно представить себе как два плоскостных диода с одной общей областью, включенных навстречу друг другу.

Общую (среднюю) область транзистора называют базой, одну крайнюю область — эмиттером, вторую крайнюю область — коллектором.

Это три электрода транзистора. Во время работы эмиттер вводит (эмитирует) в базу дырки (в структуре p — n — р) или электроны (в структуре n — p — n), коллектор собирает эти электрические заряды, вводимые в базу эмиттером.

Различие в обозначениях транзисторов разных структур на схемах заключается лишь в направлении стрелки эмиттера: в p — n — р транзисторах она обращена в сторону базы, а в n — p — n — от базы.

Электронно — дырочные переходы в транзисторе могут быть получены так же, как в плоскостных диодах. Например, чтобы изготовить транзистор структуры p — n — р, берут тонкую пластину германия с электронной электропроводностью и наплавляют на ее поверхность кусочки индия. Атомы индия диффундируют (проникают) в тело пластины, образуя в ней две области типа р — эмиттер и коллектор, а между ними остается очень тонкая (несколько микрон) прослойка полупроводника типа n — база. Транзисторы, изготовляемые по такой технологии, называют сплавными.

Запомни наименования р — n переходов транзистора: между коллектором и базой — коллекторный, между эмиттером и базой — эмиттерный.

Схематическое устройство и конструкция сплавного транзистора показаны на (рис. 2).

Изготовление транзисторов.

Прибор собран на металлическом диске диаметром менее 10 мм. Сверху к этому диску приварен кристаллодержатель, являющийся внутренним выводом базы, а снизу — ее наружный проволочный вывод. Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проволочкам, которые впаяны в стеклянные изоляторы и служат внешними выводами этих электродов. Цельнометаллический колпак защищает прибор от механических повреждений и влияния света. Так устроены наиболее распространенные маломощные низкочастотные транзисторы серий МП39, МП40, МП41, МП42 и их разновидности. Буква (М) в обозначении говорит о том, что корпус прибора холодносварной, буква (П)- первоначальная буква слов «плоскостной», а цифры — порядковые заводские номера приборов. В конце обозначения могут быть буквы А, Б, В (например, МП39Б), указывающие разницу в параметрах данной серии. Существуют другие способы изготовления, например, диффузионно — сплавной (рис. 3). Коллектором транзистора, изготовленного по такой технологии, служит пластина исходного полупроводника. На поверхность пластины наплавляют очень близко один от другого два маленьких шарика примесных элементов. Во время нагрева до строго определенной температуры происходит диффузия примесных элементов в пластинку полупроводника. При этом один шарик (на рис. 3 — правый) образует в коллекторе тонкую базовую область, а второй (на рис. 3 — левый) эмиттерную область.

Рис. 2 — Устройство и конструкция сплавного слева и диффузионно — сплавного справа транзистора структуры p — n — p.

В результате в пластине исходного полупроводника получаются два р — n перехода, образующие транзистор структуры р — n — р. По такой технологии изготовляют, в частности, наиболее массовые маломощные высокочастотные транзисторы серий П401-П403, П422, П423, ГТ308. В настоящее время действует система обозначения, по которой выпускаемые серийно приборы имеют обозначения, состоящие из четырех элементов, например: ГТ109А, КТ315В, ГТ403И.

  • Первый элемент этой системы обозначения — буква Г, К или А (или цифра 1, 2 и 3) — характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы прибора. Буква Г (или цифра 1) присваивается германиевым транзисторам, буква К (или цифра 2) — кремниевым, буква А (или цифра 3) — транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия. Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах (германиевый — выше 4- 60°С, кремниевый — выше +85°С).
  • Второй элемент — буква Т — начальная буква слова «транзистор».
  • Третий элемент — трехзначное число от 101 до 999 — указывает порядковый номер разработки и назначение прибора. Это число присваивается транзистору по признакам, приведенным в таблице.
  • Четвертый элемент обозначения — буква, указывающая разновидность прибора данной серии.

Вот некоторые примеры расшифровки обозначений по этой системе :

ГТ109А — германиевый маломощный низкочастотный транзистор, разновидность А;

ГТ404Г — германиевый средней мощности низкочастотный транзистор, разновидность Г;

КТЗ15В — кремниевый маломощный высокочастотный транзистор, разновидность В.

Применение транзисторов

Наряду с такой системой продолжает действовать и прежняя система обозначения, например П27, П401, П213, МП39 и т.д. Объясняется это тем, что такие или подобные транзисторы были разработаны до введения современной маркировки полупроводниковых приборов. Внешний вид некоторых биполярных транзисторов, наиболее широко используемых радиолюбителями, показан на (рис. 4). Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 (структуры р — n — р) имеет в диаметре всего 3, 4 мм. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах т. д.

Диаметр транзисторов ГТ309 (р — n — р) 7,4 мм. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты.

Транзисторы КТЗ15 (n — p — n) выпускают в пластмассовых корпусах. Эти маломощные приборы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы МП39 — МП42 (р — n — р) — самые массовые среди маломощных низкочастотных транзисторов. Точно так выглядят и аналогичные им, но структуры n — p — n, транзисторы МП35 — МП38. Диаметр корпуса любого из этих транзисторов 11,5 мм. Наиболее широко их используют в усилителях звуковой частоты.

Так выглядят и маломощные высокочастотные р — n — р транзисторы серий П401 — П403, П416, П423, используемые для усиления высокочастотных сигналов как в промышленных, так и любительских радиовещательных приемниках. Транзистор ГТ402 (р — n — р) — представитель низкочастотных транзисторов средней мощности. Такую же конструкцию имеет его «близнец» ГТ404, но он структуры (n — p — n). Их, обычно используют в паре, в каскадах усиления мощности колебаний звуковой частоты.

Транзистор П213 (германиевый структуры р — n — р) — один из мощных низкочастотных транзисторов, широко используемых в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты. Диаметр этого, а также аналогичных ему транзисторов П214 — П216 и некоторых других, 24 мм. Такие транзисторы крепят на шасси или панелях при помощи фланцев. Во время работы они нагреваются, поэтому их обычно ставят на специальные теплоотводящие радиаторы, увеличивающие поверхности охлаждения.

КТ904 — сверхвысокочастотный кремниевый n — p — n транзистор большой мощности. Корпус металлокерамический с жесткими выводами и винтом М5, с помощью которого транзистор крепят на теплопроводящем радиаторе. Функцию радиатора может выполнять массивная металлическая пластина или металлическое шасси радиотехнического устройства. Высота транзистора вместе с выводами и крепежным винтом чуть больше 20 мм. Транзисторы этой серии предназначаются для генераторов и усилителей мощности радиоаппаратуры, работающей на частотах выше 100 МГц, например диапазона УКВ.

Рис. 4 Внешний вид некоторых транзисторов.

Советую просмотреть обучающий фильм:

Схемы включения и основные параметры биполярных транзисторов

 

Итак, биполярный транзистор, независимо от его структуры, является трехэлектродным прибором. Его электроды — эмиттер, коллектор и база. Для использования транзистора в качестве усилителя напряжения, тока или мощности входной сигнал, который надо усилить, можно подавать на два каких — либо электрода и с двух электродов снимать усиленный сигнал. При этом один из электродов обязательно будет общим. Он — то и определяет название способа включения транзистора: по схеме общего эмиттера (ОЭ), по схеме общего коллектора (ОК), по схеме общей базы (ОБ).

 

  • Включение p-n-р транзистора по схеме ОЭ показано на (рис. 5, а). Напряжение источника питания на коллекторе V подается через резистор Rк, являющийся нагрузкой, на эмиттер — через общий «заземленный» проводник, обозначаемый на схемах специальным знаком. Входной сигнал через конденсатор связи Ссв. подается к выводам базы и эмиттера, т.е. к участку база — эмиттер, а усиленный сигнал снимается с выводов эмиттера и коллектора. Эмиттер, следовательно, при таком включении является общим для входной и выходной цепей. Транзистор, по схеме с ОЭ, в зависимости от его усилительных свойств может дать 10 — 200 — кратное усиление сигнала по напряжению и 20 — 100 — кратное усиление сигнала по току. Такой способ включения по схеме с ОЭ пользуется у радиолюбителей наибольшей популярностью. Существенным недостатком усилительного каскада, включенном по такой схеме, является его сравнительно малое входное сопротивление — всего 500-1000 Ом, что усложняет согласование усилительных каскадов, транзисторы которых включают по такой же схеме. Объясняется это тем, что в данном случае эмиттерный р — n переход транзистора включен в прямом, т.е. пропускном, направлении. А сопротивление пропускного перехода, зависящее от прикладываемого к нему напряжения, всегда мало. Что же касается выходного сопротивления такого каскада, то оно достаточно большое (2-20 кОм) и зависит от сопротивления нагрузки Rк и усилительных свойств.

  • Включение прибора схеме ОК показано на (рис. 5, б). Входной сигнал подается на базу и эмиттер через эмиттерный резистор Rэ, который является частью коллекторной цепи. С этого же резистора, выполняющего функцию нагрузки транзистора, снимается и выходной сигнал. Таким образом, этот участок коллекторной цепи является общим для входной и выходной цепей, поэтому и название способа включения транзистора — ОК. Каскад с полупроводником, включенным по такой схеме, по напряжению дает усиление меньше единицы. Усиление же по току получается примерно такое же, как если бы транзистор был включен по схеме ОЭ. Но зато входное сопротивление такого каскада может составлять 10 — 500 кОм, что хорошо согласуется с большим выходным сопротивлением каскада на транзисторе, включенном по схеме ОЭ. По существу, каскад не дает усиления по напряжению, а лишь как бы повторяет подведенный к нему сигнал. Поэтому транзисторы, включаемые по такой схеме, называют также эмиттерными повторителями. Почему эмиттерными? Потому что выходное напряжение на эмиттере практически полностью повторяет входное напряжение. Почему каскад не усиливает напряжение? Давайте мысленно соединим резистором цепь базы с нижним (по схеме) выводом эмиттерного резистора Rэ, как показано на (рис. 5, б) штриховыми линиями. Этот резистор — эквивалент внутреннего сопротивления источника входного сигнала Rвх., например микрофона или звукоснимателя. Таким образом, эмиттерная цепь оказывается связанной через резистор Rвх. с базой. Когда на вход усилителя подается напряжение сигнала, на резисторе Rэ, являющемся нагрузкой транзистора, выделяется напряжение усиленного сигнала, которое через резистор Rвх. оказывается приложенным к базе в противофазе. При этом между эмиттерной и базовой цепями возникает очень сильная отрицательная обратная связь, сводящая на нет усиление каскада. Это по напряжению. А по току усиления получается такое же, как и при включении транзистора по схеме с ОЭ.
  • Теперь о включении транзистора по схеме с ОБ (рис. 5, в). В этом случае база через конденсатор Сб по переменному току заземлена, т. е. соединена с общим проводником питания. Входной сигнал через конденсатор Ссв. подают на эмиттер и базу, а усиленный сигнал снимают с коллектора и с заземленной базы. База, таким образом, является общим электродом входной и выходной цепей каскада. Такой каскад дает усиление по току меньше единицы, а по напряжению — такое же, как транзистор, включенный по схеме с ОЭ (10 — 200). Из — за очень малого входного сопротивления, БК превышающего нескольких десятковом (30-100) Ом, включение транзистора по схеме ОБ используют главным образом в генераторах электрических колебаний, в сверхгенеративных каскадах, применяемых, например, в аппаратуре радиоуправления моделями.

Чаще всего как я уже говорил применяются схемы с включением транзистора с ОЭ, реже с ОК. Но это только способы включения. А режим работы транзистора как усилителя определяется напряжениями на его электродах, токами в его цепях и, конечно, параметрами самого транзистора. Качество и усилительные свойства биполярных транзисторов оценивают по нескольким электрическим параметрам, которые измеряют с помощью специальных приборов. Вас же, с практической точки зрения, в первую очередь должны интересовать три основных параметра: обратный ток коллектора Iкбо, статический коэффициент передачи тока h313 (читают так: аш два один э) и граничная частота коэффициента передачи тока Fгр.

  • Обратный ток коллектора Iкбо — это неуправляемый ток через коллекторный р — n переход, создающийся неосновными носителями тока транзистора. Он характеризует качество транзистора: чем численное значение параметра Iкбо меньше, тем выше качество. У маломощных низкочастотных транзисторов, например, серий МП39 — МП42, Iкбо не должен превышать 30 мкА, а у маломощных высокочастотных 5 мкА. Транзисторы с большими значениями Iкбо в работе неустойчивы.
  • Статический коэффициент передачи тока h31э характеризует усилительные свойства транзистора. Статическим его называют потому, что этот параметр измеряют при неизменных напряжениях на его электродах и неизменных токах в его цепях. Буква «Э» в этом выражении указывает на то, что при измерении полупроводник включают по схеме ОЭ. Коэффициент h31э характеризуется отношением постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор — эмиттер и токе эмиттера. Чем больше численное значение коэффициента h31э, тем большее усиление сигнала может обеспечить данный прибор.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока Fгр, выраженная в килогерцах или мегагерцах, позволяет судить о возможности использования транзистора для усиления колебаний тех или иных частот. Граничная частота Fгр транзистора МП39, например, 500 кГц, а транзисторов П401 — П403 — больше 30 МГц. Практически транзисторы используют для усиления частот значительно меньше граничных, так как с повышением частоты коэффициент h31э уменьшается.

При конструировании радиотехнических устройств надо учитывать и такие параметры, как максимально допустимое напряжение коллектор — эмиттер Uкэ max, максимально допустимый ток коллектора Iк.max а также максимально допустимую рассеиваемую мощность коллектора Рк.max — мощность, превращающуюся в тепло.

 

Полевой транзистор

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название «полевой». Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р — n переходом показаны на (рис. 6). Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа n, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней — каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком — тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р — n переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы. Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 6 — батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 6 — элемент G).

И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р — n перехода расширяется (на рис. 6 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из — за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р — n перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала. Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например — КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»). Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа n. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа n стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р. Полевой транзистор — тоже трехэлектродный прибор. Поэтому его, как и биполярный транзистор, включать в усилительный каскад можно тремя способами: по схеме общего стока (ОС), по схеме общего истока (ОИ) и по схеме общего затвора (ОЗ). В радиолюбительской практике применяют в основном только первые два способа включения, позволяющие с наибольшей эффективностью использовать полевые транзисторы.

Усилительный каскад на полевом транзисторе обладает очень большим, исчисляемым мегаомами, входным сопротивлением.

Это позволяет подавать на его вход высокочастотные и низкочастотные сигналы от источников с большим внутренним сопротивлением, например от пьезокерамическрго звукоснимателя, не опасаясь искажения или ухудшения усиления входного сигнала.

В этом главное преимущество полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной характеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, включенного по схеме ОИ. Численное значение параметра S выражают в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1 — 0,2 до 10 — 15 мА/В и больше. Чем больше крутизна, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Рис. 6 Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки Uзи.отс. — Это обратное напряжение на р — n переходе затвор — канал, при котором ток через этот переход уменьшается до нуля. У различных транзисторов напряжение отсечки может составлять от 0,5 до 10 В. О полевых транзисторах и их уникальных свойствах можно говорить еще много, я попытался рассказать о наиболее существенных.

Кодовая и цветовая маркировка транзисторов

Все картинки кликабельны. Вы можете нажать и сохранить их себе на ПК, чтобы в дальнейшем пользоваться. Или просто сохраните данную страницу нажав в браузере добавить в закладки.

 

Рис. 1

Рис. 2

Рис. 3

Рис. 4

Рис. 5 — КТ315, КТ361

И так сказать на закуску классификацию корпусов, чтобы при заказе или обозначении на схеме иметь представление о внешнем виде транзистора

 

Развивающая игрушка Smile Decor Добрый ежик / П216

Как играть?
1. Знакомимся с ёжиком. Рассмотрите ёжика вместе с ребенком, «спойте» ежиную песенку, представленную в инструкции. Спросите ребенка, как выглядит ёж, где живет? Расскажите, что ёж – настоящий хищник. Днем ежи спят, а ночью охотятся. Они уничтожают вредных насекомых, любят полакомиться лягушками и мышами. На зиму ёж впадает в спячку. Весной или летом у ежей появляются ежата. Мама заботится о своих малышах и кормит их молоком. Спросите ребенка, зачем ежу нужны иголки?

2. Игра «Собери колючки». Ёжик потерял в лесу все свои колючки. Попросите малыша помочь ёжику, вставив иголки в отверстия на спинке. Такая игра будет способствовать развитию мелкой моторики и координации движений рук. Подходит для самых маленьких детей. Детям постарше предложите разложить колючки по цветам или по количеству, используя соответствующие цветные круглые фишки или квадратные фишки с цифрами.

3. Пальчиковая игра. Попросите ребенка повторять за вами все движения. (См.инструкцию)

4. Игра «Цветные колючки». Для игры используются цветные круглые фишки. Предварительно сложите все круглые фишки в мешочек. Попросите ребенка вытащить из мешочка один кружок. Спросите, какого цвета кружок? Найдите для ёжика все колючки такого же цвета. Подобным образом соберите ёжику все цветные колючки.

5. Игра «Посчитай колючки». Предварительно сложите все квадратные фишки в мешочек. Попросите ребенка вытащить из мешочка одну фишку. Посмотрите, какая цифра нарисована на фишке? Вставьте ёжику такое же количество колючек. Дети, которые еще не знакомы с графическим изображением цифр, могут считать количество точек на фишке. Верните фишку обратно в мешочек (чтобы можно было использовать цифру повторно). Подобным образом соберите ёжику все колючки. Усложните игру, доставая из мешочка по две квадратные фишки – складывайте значения на двух фишках, решая простые примеры на сложение чисел.

6. Игра «Колючие рисовалки». Предложите ребенку выложить с помощью ежиных колючек геометрические фигуры, различные предметы (домик, дерево, бабочку, лестницу и т.п.), цифры, буквы. Т.е. используйте палочки в качестве мозаики.

7. Шнуровка «Добрый ежик». Напомните ребенку, что ёж питается насекомыми, улитками, мышами и даже ящерицами. А яблоки, грибы и листья ёж совсем не любит. Откуда тогда у ёжика на колючках яблочки и груши? Они цепляются за иголки, когда ёжик катится по лесной тропинке. Ёжик спешит на праздник, чтобы угостить всех лесных друзей. Попросите ребенка помочь ёжику донести угощение, привязав груши, яблоки и грибы к спинке с помощью шнурка. Обсудите с ребенком, каких лесных животных может угостить ёжик?

Тип развивающая игрушка

Для развития/изучения логики, моторики, счета, внимания, цвета

Возраст 3-6

Возраст рекомендованный производителем от 3 лет

Вид головоломка/пазл (29 элементов), шнуровка

Пол ребенка любой

Материал дерево, текстиль

Питание не требуется

Длина 18 см

Ширина 12 см

  • Страна производства: Россия
  • Производитель: ИП Монжаев Сергей Михайлович, ул. Ботаническая, д. 28, кв. 5, г. Новосибирск, РФ
  • Импортер в РБ: ООО "Фабеас Карго Логистик", г. Минск, ЩОРСА Н.А. 3-Я ул., дом № 9, офис 707/3

Особенности ИБП на базе БП ПК с широким диапазоном регулировки Uвых

Приведенный ранее вариант был №4.
Его особенность - минус выхода линейного стабилизатора не связан с минусом ИБП.
Для тех, кому такой вариант не нравится, предлагаются два классических варианта: с N-канальным регулирующим транзистором (№1) и Р-канальным (№2).

Вариант №1:

Вариант №1 мало чем отличается от предыдущего. Из особенностей нужно отметить необходимость в дополнительном плавающем источнике напряжения 5В (на схеме обозначен как G1), обеспечивающем повышенное напряжение затвора VT4, которое должно быть больше его порогового напряжения.
Можно обойтись без этого дополнительного источника, поставив вместо него перемычку. Но в этом случает напряжение питания стабилизатора должно превышать выходное на величину порогового напряжения транзистора VT4. При этом придётся смириться с повышенным падением напряжения на регулирующем транзисторе и, как следствие, повышенной мощностью рассеивания на нём.
Например, при питании 35В на VT4 будет падать 5В, что при токе нагрузки 10А даст мощность потерь 50Вт.
Уменьшить эти потери можно, подобрав в качестве регулирующего полевой транзистор с низким пороговым напряжением. Например на комповых материнках стоят низкопороговые полевики, обеспечивающие падение напряжения не более 3В, что снизит потери до 30Вт.

Для этого варианта потребуется так же дополнительный дифференциальный усилитель для реализации цепи ОС ИБП, поддерживающей падение напряжения на регулирующем транзисторе 1...5В.

Маломощный транзистор VT5 компенсирует ток утечки регулирующего транзистора, благодаря чему выходное напряжение стабилизатора не увеличивается даже при отсутствии нагрузки.

Вариант №2:

Для варианта №2 с Р-канальным полевиком не требуется дополнительный источник плавающего напряжения. Правда выбор таких полевиков невелик...

Компенсация тока утечки регулирующего транзистора в этом варианте обеспечивается подачей на выход отрицательного смещения через резистор R24. Например, для полевика IRF4905 максимальный ток утечки может достигать 0,25мА (согласно даташиту). В этом случае резистор R24 должен иметь сопротивление 15В/0,25мА=60КОм. Выбираем ближайшее типовое значение 56КОм.

Оценивались ещё два варианта, но в них напряжение 31...35В должно быть изолировано от остальных маломощных напряжений +-15В.

Все варианты имеют практически одинаковые характеристики.

Характеристики укоренения и требования к воде для Cuphea

Характеристики укоренения и требования к воде для Cuphea

Индекс | Поиск | Главная | Таблица из содержания


Шаррат Б.С. и R.W. Gesch. 2002. Характеристики укоренения и потребности в воде Cuphea . п. 216–218. В: Дж. Яник и А. Випки (ред.), Тенденции. в новых культурах и новых применениях. ASHS Press, Александрия, Вирджиния.

Брентон С.Шарратт и Рассел В. Геш

Кукуруза ( Zea mays L.) и соя [ Glycine max (L.) Merr.] Имеют были преобладающими культурами, выращиваемыми на Среднем Западе США в прошлом. несколько десятилетий. В этом регионе ищут альтернативные культуры из-за исторического низкая цена кукурузы и сои и ухудшение качества почвы и воды при сплошном севообороте кукурузы или кукурузы-сои. Купея (Lythraceae) имеет потенциал стать альтернативной культурой в результате того, что является источником жирных кислот со средней длиной цепи.Эти кислоты важны при производстве товаров, таких как мыло и моющие средства. Производство этих товаров теперь полагаться на наличие косточковых пальмовых масел, которые, вероятно, будут ограниченное предложение в ближайшем будущем из-за сокращения ресурсов в Индонезии и на Филиппинах. Таким образом, возобновляемые источники жирных кислот со средней длиной цепи жизненно важны для будущего производства промышленной косметической продукции.

Cuphea произрастает в Северной, Центральной и Южной Америке и предпочитает влажные и умеренные условия выращивания.Грэм (1989) заметил, что большинство видов из Cuphea имеют небольшой стержневой корень, морфологические характеристики которого, вероятно, вызывает водный стресс при выращивании в полузасушливых и засушливых средах. Действительно, Грэм (1989) отметил, что однолетние виды очень подвержены увяданию без достаточное количество воды в почве. Однако некоторые виды Cuphea были обнаружены переносить засуху. Эти виды избегают водного стресса, развивая толстые листья. или большой стержневой корень (Graham 1989).

Мало что известно о росте и производстве Cuphea в Северо-центральные Соединенные Штаты. Климат этого региона более экстремальный по температуре. и солнечный свет по сравнению с естественной средой обитания в более южных широтах. Необходима информация о тепловых требованиях для разработки, так как а также потребности в воде для производства Cuphea . Это исследование было проведено для оценки потребности в воде и характеристики укоренения Cuphea при выращивании в различных условиях, обусловленных сроками посева и популяции растений в северных и центральных районах Соединенных Штатов.

МЕТОДОЛОГИЯ

Cuphea (помесь C. lanceolata и C. viscosissima ) был посеян около Морриса, Миннесота (45 ° 35'N 95 ° 55'W) 3, 16 и 31 мая. 2000. Эти даты представляют собой ранний, нормальный и поздний срок посева сельскохозяйственных культур. выращивается в этом регионе. Семена высевали на глубину 13 мм в рядах с шагом 0,61 мм. м друг от друга с помощью зерновой сеялки. Междурядье 0,61 м привело к почти максимальному урожайность в предыдущем полевом исследовании (Gesch et al.2000) и использовался из-за ограничения полевого оборудования. Поверхность почвы утрамбовывалась катком. каток после посева, чтобы обеспечить хороший контакт семян с почвой. Основные методы лечения (дата посадки) были разбиты на делянки 6 × 18 м и разделены для размещения вторичные обработки (популяция растений). Были установлены вторичные методы лечения после появления. Каждое лечение повторяли трижды. В момент появления, ряды были прорежены вручную, чтобы получить популяцию растений 320000, 160 000, и 80 000 растений га -1 .Эти популяции соответствуют интервалу между растения в ряду 50, 100 и 200 мм соответственно.

Приборы для измерения температуры почвы, влажности почвы и почвы Водный потенциал был установлен на каждом участке после посева. Термопары были размещены на глубине 10, 50 и 100 мм для измерения температуры от до в семенном ряду. Термопары контролировались непрерывно с использованием данных регистратор. Содержание влаги в почве оценивалось еженедельно на каждом участке по ослаблению нейтронов.Трубки доступа нейтронов были размещены как внутри, так и между рядами растений; почвенная вода содержание определяли с шагом глубины от 0,30 м до 1,5 м. Водный потенциал почвы определяли на глубине 1,5 и 2,0 м на каждом участке с помощью тензиометров. Эти измерения, проводимые еженедельно, помогли определить направление воды. поток ниже корневой зоны. Использование воды (WU) определялось по формуле: WU = P + DSW - RO ± WFBR, где P - осадки полученные от всходов до урожая, ТБО - изменение в содержании влаги в почве от всходов до сбора урожая, RO - потеря воды из-за боковых поток поверхностных вод (т.е. сток), а WFBR - поток воды ниже корневого зона. Осадки измеряли осадкомером ежедневно. Сток был предполагается незначительным.

Cuphea были взяты пробы корней и урожая (для биомассы и урожая семян). когда спинная поверхность наиболее зрелых стручков начала расщепляться (24 августа, 30 г. Августа и 5 сентября 2000 г.). Профили плотности длины корня были определены из образцы грунта диаметром 32 мм, взятые на глубину 400 мм.Эта глубина была выбран в результате периодических раскопок, проводимых в период вегетации. Образцы были собраны в четырех точках на каждом участке как внутри рядов, так и между ними. Образцы были разрезаны для определения плотности длины корней на глубинах 0–50, 50–100, 100–200, 200–300 и 300–400 мм. Четыре образца собранные на каждой глубине в пределах или между рядами были объединены в один в пределах ряд и один образец между строками для каждого участка. Плотность корней определялась методом пересечения прямых (Бём, 1979).Этот метод предполагает замачивание образцы в воде с последующим извлечением корневого материала промыванием. Корень и прочее Затем органический материал равномерно распределяли в стеклянной посуде, наполненной водой. Под стеклянную посуду помещалась сетка. Затем определяли длину корня путем оценки количество корней, пересекающих линию сетки. Были получены образцы биомассы. вырезка вручную площадью 5 м 2 в пределах каждого участка. Эти образцы затем сушили при 60 ° C, взвешивали, обмолачивали и очищали перед получением вес семян.Конечные популяции растений были получены на уборочной площади в пределах каждый сюжет.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

На биомассу Cuphea (над землей) и урожай семян влияли оба фактора. сроки посева и численность растений (таблица 1). Ранний и нормальный посев Cuphea произвел около 5800 кг / га биомассы, в то время как поздний посев Cuphea произвел 4950 кг га -1 биомассы (Таблица 1). Аналогичные результаты среди сроков посева были найдены по урожайности семян.Урожайность семян снизилась примерно с 450 кг / га -1 для раннего и нормального посева до 370 кг га -1 для позднего дата посева.

Таблица 1. Общая надземная биомасса и урожай семян Cuphea посеян в три срока на трех популяциях растений весной 2000 г. недалеко от Морриса, штат Миннесота.

Дата посева Кол-во растений / га
320 000 160 000 80 000
Биомасса (кг га -1 )
3 мая 5 900 5 950 4 950
16 мая 7 150 6 100 4 900
31 мая 5 600 5 150 4 100
Урожайность семян (кг га -1 )
3 мая 541 423 370
16 мая 571 448 339
31 мая 435 391 275

Популяция растений положительно повлияла на надземную биомассу и урожай семян.В среднем по срокам посева биомасса снизилась с 6200 кг га -1 при популяции 320000 растений га -1 до 4650 кг га -1 при численности растений 80 000 га -1 га. Точно так же снизился урожай семян. от 515 кг га -1 при популяции 320000 растений га -1 до 330 кг га -1 при численности растений 80 000 га -1 .

Сезонное водопользование варьировалось в зависимости от даты сева, но не от популяции растений (Таблица 2).Использование воды снизилось с датой посева; Cuphea Раннее использование 330 мм воды, при позднем посеве израсходовано 260 мм воды. Различия в воде использования были в значительной степени связаны с различиями в количестве осадков между сроками посева. Количество осадков, полученных за вегетационный период, снизилось с 295 мм для Cuphea. ранний посев до 217 мм для Cuphea поздний посев. Кроме того, ранний посев Cuphea использовали больше воды, возможно, в результате более обширного исследования корней приводит к большему извлечению корневой воды.Хотя извлечение воды из почвы не различаются по срокам посева, больше осадков выпадает во время роста цикл раннего посева Cuphea , возможно, был доступен для поглощения корнями.

Таблица 2. Водопользование и эффективность водопользования (WUE) посева Cuphea три даты на трех популяциях растений весной 2000 г. недалеко от Морриса, Миннесота.

Дата посева Кол-во растений / га
320 000 160 000 80 000
Расход воды (мм)
3 мая 338 334 325
16 мая 285 265 285
31 мая 262 263 262
WUE (кг га -1 мм -1 )
3 мая 1.60 1,27 1,14
16 мая 2,00 1,70 1,19
31 мая 1,67 1,49 1.05

Эффективность водопользования (WUE) зависела как от даты сева, так и от численности растений (Таблица 2). Cuphea , посеянная в середине мая, имела самый высокий WUE по сравнению с с тем, что посеяно раньше и позже.WUE варьировались от 1,63 кг га -1 мм -1 для Cuphea при посеве в середине мая до 1,35 кг га -1 мм -1 для Cuphea , засеянного ранее или позже. Выше WUE для нормальной даты посева обусловлен аналогичным урожаем семян, но меньшим количеством воды. израсходовано по сравнению с ранним сроком посева. WUE в диапазоне 1,05 до 2,00 кг га -1 мм -1 , наблюдаемых в этом исследовании, по-видимому, быть относительно низким по сравнению с другими масличными культурами.Например, WUE of рапс составляет около 10 кг га -1 мм -1 (серый 1998), а для подсолнечника соя и горчица около 5 кг га -1 мм -1 (Berglund 1995). Лен, однако, имеет WUE, очень похожий на Cuphea , около 2 кг га -1 мм -1 (Берглунд, 1995).

Укоренение ограничивалось верхними 0,40 м почвенного профиля (рис. 1). Немного корни были найдены ниже этой глубины.Фактически от 65% до 80% корней были находится в пределах верхних 0,20 м почвенного профиля. Срок посева и численность растений повлияли на укоренение Cuphea в почве. Укоренение было больше плодоносный в верхней части профиля для Cuphea ранний посев по сравнению с посеянным поздно. Кроме того, корни были более плодовитыми около поверхность почвы при выращивании Cuphea при высокой плотности растений по сравнению с низкой.

Фиг.1. Плотность длины корня (± SE) Cuphea в зависимости от глубины почвы в конце лета 2000 года. Население 320 000, 160 000, и 80 000 заводов на -1 га были заложены в три даты.

ВЫВОДЫ

Урожайность Cuphea благоприятствует раннему посеву в северных и центральных районах США. Прохладная погода в начале сезона способствует развитию как корней, так и побегов, а также тем самым предотвращает потенциальные проблемы с водой, которые обычно возникают в конце время года.Однако неглубокая укорененность делает Cuphea особенно уязвимы к водному стрессу.

ССЫЛКИ

  • Berglund, D.R. 1995. Производство подсолнечника. North Dakota State Univ. Expt. Ст., Доб. Bul. EB-25.
  • Бём В. 1979. Методы изучения корневых систем. Спрингер – Верлаг, Нью-Йорк. п. 125–138.
  • Gesch, R., F. Forcella, N. Barbour, and W. Voorhees. 2000. Развитие менеджмента. критерии для производства Cuphea , потенциальной масличной культуры.Агрон. Abstr., Am. Soc. Агрон. п. 139.
  • Грей, Д. 1998. Эффективность водопользования канолы в Виктории. Proc. Девятый австралийский Агрон. Конф.
  • Graham, S.A. 1989. Cuphea : новый растительный источник жирных кислот со средней длиной цепи. кислоты. Critical Rev. Food Sci. Nutr. 28: 139–173.

509 Превышен предел пропускной способности

509 Превышен предел пропускной способности Сервер временно не может обслуживать ваш запрос из-за того, что владелец сайта достиг своего ограничение пропускной способности.Пожалуйста, повторите попытку позже.

% PDF-1.4 % 67 0 объект > эндобдж xref 67 76 0000000016 00000 н. 0000002225 00000 н. 0000002324 00000 н. 0000003150 00000 н. 0000003744 00000 н. 0000004330 00000 н. 0000004874 00000 н. 0000005162 00000 н. 0000005449 00000 н. 0000006012 00000 н. 0000006123 00000 п. 0000006236 00000 п. 0000008528 00000 н. 0000008673 00000 п. 0000008812 00000 н. 0000008948 00000 н. 0000009187 00000 н. 0000009807 00000 н. 0000010391 00000 п. 0000011016 00000 п. 0000011299 00000 н. 0000011847 00000 п. 0000012133 00000 п. 0000012159 00000 п. 0000012551 00000 п. 0000014639 00000 п. 0000016295 00000 п. 0000017153 00000 п. 0000017265 00000 п. 0000019877 00000 п. 0000021520 00000 н. 0000021650 00000 п. 0000021676 00000 п. 0000021976 00000 п. 0000022681 00000 п. 0000024176 00000 п. 0000027582 00000 п. 0000027652 00000 п. 0000027935 00000 н. 0000032240 00000 п. 0000033782 00000 п. 0000041351 00000 п. 0000041599 00000 н. 0000041669 00000 п. 0000041833 00000 п. 0000067970 00000 п. 0000068233 00000 п. 0000089520 00000 н. 0000093995 00000 п. 0000106561 00000 н. 0000107665 00000 н. 0000107933 00000 п. 0000108003 00000 н. 0000108162 00000 п. 0000108189 00000 н. 0000108522 00000 н. 0000109578 00000 п. 0000109839 00000 п. 0000109909 00000 н. 0000110065 00000 н. 0000110092 00000 н. 0000110422 00000 н. 0000111148 00000 н. 0000111400 00000 н. 0000121994 00000 н. 0000132450 00000 н. 0000142947 00000 н. 0000153411 00000 н. 0000163875 00000 н. 0000174961 00000 н. 0000185498 00000 н. 0000196035 00000 н. 0000206572 00000 н. 0000227207 00000 н. 0000237801 00000 н. 0000001816 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 142 0 объект > поток xb````f`g`X Ā

Влияние характеристик членов FOMC на процесс принятия решений по денежно-кредитной политике

Автор

Включено в список:
  • Smales, Ли А.
  • Апергис, Ник

Abstract

В этой статье представлены новые эмпирические данные о комитете по денежно-кредитной политике с разнородными членами, решения которых влияют на эффективность денежно-кредитной политики. Таким образом, он обеспечивает связь между литературой о комитетах по денежно-кредитной политике и реализацией денежно-кредитной политики центральным банком с помощью монетарных правил. Используя новый набор данных об идиосинкразических характеристиках членов FOMC за период с августа 1979 года по февраль 2014 года, эмпирические результаты показывают, что такие характеристики, как образование, возраст и, в меньшей степени, опыт работы не важны для понимания FOMC. Процесс принятия решений.Вместо этого результаты указывают на важность времени, проведенного в Федеральной резервной системе, нахождения в должности в самом FOMC и влияние председателя на формирование процесса принятия решений. Ожидается, что результаты повлияют на способность экономических агентов, а также различных рынков в экономике более легко интерпретировать получаемую ими публичную (денежно-кредитную политику) информацию. Это делает процесс принятия решений по денежно-кредитной политике менее шумным и, таким образом, расширяет возможности агентов и рынков придавать правильное значение этой информации.

Рекомендуемое цитирование

  • Smales, Ли А. и Апергис, Ник, 2016. « Влияние характеристик членов FOMC на процесс принятия решений по денежно-кредитной политике », Журнал банковского дела и финансов, Elsevier, vol. 64 (C), страницы 216-231.
  • Обозначение: RePEc: eee: jbfina: v: 64: y: 2016: i: c: p: 216-231
    DOI: 10.1016 / j.jbankfin.2015.12.002

    Скачать полный текст от издателя

    Поскольку доступ к этому документу ограничен, вы можете поискать его другую версию.

    Ссылки на IDEAS

    1. Карло Роса, 2013. « Влияние протокола FOMC на финансовый рынок», Обзор экономической политики, Федеральный резервный банк Нью-Йорка, выпуск декабрь, страницы 67-81.
    2. Тимоти Бесли, Нил Мидс и Паоло Сурико, 2008. « Инсайдеры против аутсайдеров в разработке денежно-кредитной политики », Американский экономический обзор, Американская экономическая ассоциация, т. 98 (2), страницы 218-223, май.
      • Беслей, Тимоти и Мидс, Нил и Сурико, Паоло, 2007.« Инсайдеры против аутсайдеров в разработке денежно-кредитной политики », Документы для обсуждения 20, Подразделение Комитета по денежно-кредитной политике, Банк Англии.
      • Беслей, Тимоти и Мидс, Нил и Сурико, Паоло, 2008. « Инсайдеры против посторонних в разработке денежно-кредитной политики », Интернет-документы LSE Research по экономике 33743, Лондонская школа экономики и политических наук, Библиотека Лондонской школы экономики.
    3. Джон Б. Тейлор, 2012. «Правила денежно-кредитной политики работают, а осмотрительность - нет: Повесть о двух эпохах », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol.44 (6), страницы 1017-1032, сентябрь.
    4. Наказоно, Ёсиюки, 2013. « Стратегическое поведение членов правления Федерального комитета по открытым рынкам: данные по прогнозам членов », Журнал экономического поведения и организации, Elsevier, vol. 93 (C), страницы 62-70.
    5. Гольманн, Силья и Вобель, Роланд, 2007. « Образовательный и профессиональный опыт руководителей центральных банков и его влияние на инфляцию: эмпирический анализ », Европейский экономический обзор, Elsevier, vol.51 (4), страницы 925-941, май.
    6. Рюльке, Ян-Кристоф и Тиллманн, Питер, 2011 г. « Собираются ли члены FOMC? », Economics Letters, Elsevier, vol. 113 (2), страницы 176-179.
    7. Чарльз Л. Вайз, 2012. « Политическое давление на денежно-кредитную политику во время большой инфляции в США. », Американский экономический журнал: Макроэкономика, Американская экономическая ассоциация, т. 4 (2), страницы 33-64, апрель.
    8. Ричард Кларида и Хорди Гали и Марк Гертлер, 2000. « Правила денежно-кредитной политики и макроэкономическая стабильность: доказательства и некоторая теория », Ежеквартальный журнал экономики, Oxford University Press, vol.115 (1), страницы 147-180.
      • Ричард Кларида и Хорди Гали и Марк Гертлер, 1997. « Правила денежно-кредитной политики и макроэкономическая стабильность: доказательства и некоторые теории », Рабочие документы по экономике 350, Департамент экономики и бизнеса, Университет Помпеу Фабра, отредактировано в мае 1999 г.
      • Кларида, Ричард и Гали, Хорди и Гертлер, Марк, 1998. « Правила денежно-кредитной политики и макроэкономическая стабильность: доказательства и некоторая теория », Документы для обсуждения CEPR 1908, С.E.P.R. Документы для обсуждения.
      • Ричард Кларида и Джорди Гали и Марк Гертлер, 1998. « Правила денежно-кредитной политики и макроэкономическая стабильность: доказательства и некоторая теория », Рабочие документы NBER 6442, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
      • Кларида Р. и Гали Дж. И Гертлер М., 1998. « Правила денежно-кредитной политики и макроэкономическая стабильность: доказательства и некоторая теория », Рабочие бумаги 98-01, C.V. Старр Центр прикладной экономики Нью-Йоркского университета.
    9. Matsen, Egil & Roisland, Oistein, 2005. « Решения по процентным ставкам в асимметричном валютном союзе », Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol. 21 (2), страницы 365-384, июнь.
    10. Николетта Батини и Эндрю Холдейн, 1999. « Перспективные правила денежно-кредитной политики ,» Главы NBER, в: Правила денежно-кредитной политики, страницы 157-202, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
    11. Дэниел Л. Торнтон, 2012. « Ответ Федеральной резервной системы на финансовый кризис: что она сделала и что должна была сделать », Рабочие бумаги 2012-050, Федеральный резервный банк Санкт-Петербурга.Луи.
    12. Клеменс Дж. М. Кул и Дэниел Л. Торнтон, 2015. « Насколько эффективны перспективные указания Центрального банка? », Обзор, Федеральный резервный банк Сент-Луиса, т. 97 (4), страницы 303-322.
      • C.J.M. Kool & D.L. Торнтон, 2012. « Насколько эффективны перспективные указания Центрального банка? », Рабочие бумаги 12-05, Утрехтская школа экономики.
      • Клеменс Дж. М. Кул Имя автора-Сначала Клеменс Дж. М. и Дэниел Л. Торнтон Имя автора-Сначала Дэниел Л., 2014. « Насколько эффективны перспективные указания Центрального банка? », Рабочие документы CASMEF 1405, Dipartimento di Economia e Finanza, LUISS Guido Carli.
      • Клеменс Дж. М. Кул и Дэниел Л. Торнтон, 2012. « Насколько эффективны форвардные указания центрального банка? », Рабочие бумаги 2012-063, Федеральный резервный банк Сент-Луиса.
    13. Glenn Rudebusch & Lars E.O. Свенссон, 1999. «Правила политики для таргетинга инфляции », Главы NBER, в: Правила денежно-кредитной политики, страницы 203-262, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
      • Свенссон, Ларс Э.О. И Рудебуш, Гленн, 1998. «Правила политики для таргетинга инфляции », Материалы семинара 637, Стокгольмский университет, Институт международных экономических исследований.
      • Гленн Д. Рудебуш и Ларс Е. О. Свенссон, 1998. « Правила политики для таргетирования инфляции », Рабочие материалы по прикладной экономической теории 98-03, Федеральный резервный банк Сан-Франциско.
      • Рудебуш, Гленн Д. и Свенссон, Ларс Э. О., 1998. «Правила политики для таргетинга инфляции », Документы для обсуждения CEPR 1999, С.E.P.R. Документы для обсуждения.
      • Рудебуш Г.Д. и Свенссон Л.Э.О., 1998. «Правила политики для таргетинга инфляции », Статьи 637, Стокгольм - Международные экономические исследования.
      • Гленн Д. Рудебуш и Ларс Е. О. Свенссон, 1998. «Правила политики для таргетинга инфляции », Рабочие документы NBER 6512, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
    14. Уайт, Хэлберт, 1980. « Матрица оценки согласованной по гетероскедастичности ковариации и прямой тест на гетероскедастичность », Econometrica, Econometric Society, vol.48 (4), страницы 817-838, май.
    15. Гилкрист, Саймон и Лихи, Джон В., 2002. « Денежно-кредитная политика и цены на активы ,» Журнал монетарной экономики, Elsevier, vol. 49 (1), страницы 75-97, январь.
    16. Алессандро Рибони и Франсиско Дж. Руге-Мерсия, 2010 г. « Денежно-кредитная политика по комитетам: консенсус, доминирование председателя или простое большинство? », Ежеквартальный журнал экономики, Oxford University Press, vol. 125 (1), страницы 363-416.
      • RIBONI, Alessandro & RUGE-MURCIA, Francisco J., 2008. « Денежно-кредитная политика по комитетам: консенсус, доминирование председателя или простое большинство? », Cahiers de recherche 2008-02, Монреальский университет, Департамент экономических наук.
      • RIBONI, Alessandro & RUGE-MURCIA, Francisco J., 2008. « Денежно-кредитная политика по комитетам: консенсус, доминирование председателя или простое большинство? », Cahiers de recherche 02-2008, Центр межуниверситетских исследований и количественных исследований, CIREQ.
      • Франсиско Руге-Мурсия и Алессандро Рибони, 2008 г.« Денежно-кредитная политика по комитетам: консенсус, доминирование председателя или простое большинство? », Документы заседаний 2008 г. 142, Общество экономической динамики.
    17. Кларида, Ричард и Гали, Хорди и Гертлер, Марк, 1998. « Правила денежно-кредитной политики на практике Некоторые международные свидетельства ,» Европейский экономический обзор, Elsevier, vol. 42 (6), страницы 1033-1067, июнь.
      • Кларида, Ричард и Гали, Хорди и Гертлер, Марк, 1997. « Правила денежно-кредитной политики на практике: некоторые международные свидетельства », Рабочие бумаги 97-32, г.Центр прикладной экономики им. В. Старра, Нью-Йоркский университет.
      • Ричард Кларида, Джорди Гали и Марк Гертлер, 1997. « Правила денежно-кредитной политики на практике: некоторые международные свидетельства », Рабочие документы NBER 6254, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
      • Кларида, Ричард и Гали, Хорди и Гертлер, Марк, 1997. « Правила денежно-кредитной политики на практике: некоторые международные свидетельства », Документы для обсуждения CEPR 1750 г., C.E.P.R. Документы для обсуждения.
    18. Генри У. Чаппелл, Роб Рой Макгрегор и Тодд А. Вермилиа, 2014. « Разделение полномочий в комитетах по денежно-кредитной политике: данные Соединенного Королевства и Швеции », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 46 (4), страницы 665-692, июнь.
    19. Беннет Т. МакКаллум и Эдвард Нельсон, 1999. « Выполнение правил операционной политики в предполагаемой полуклассической структурной модели », Главы NBER, в: Правила денежно-кредитной политики, страницы 15-56, Национальное бюро экономических исследований, Inc.
    20. Андреа Ферреро, 2012. « Преимущества правил гибкого таргетинга », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 44 (5), страницы 863-881, август.
    21. Афанасиос Орфанидес, 2001. « Правила денежно-кредитной политики на основе данных в реальном времени », Американский экономический обзор, Американская экономическая ассоциация, т. 91 (4), страницы 964-985, сентябрь.
    22. Havrilesky, Thomas & Gildea, John A, 1992. « Надежные и ненадежные партизанские назначенцы в Совет управляющих ,» Общественный выбор, Springer, т.73 (4), страницы 397-417, июнь.
    23. Тейлор, Джон Б., 2000. « Альтернативные взгляды на механизм передачи денежно-кредитной политики: какое значение они имеют для денежно-кредитной политики? », Оксфордский обзор экономической политики, Oxford University Press, vol. 16 (4), страницы 60-73, Winter.
    24. Грегори Э. Гивенс, 2012. « Оценка преференций Центрального банка с учетом обязательств и усмотрения », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 44 (6), страницы 1033-1061, сентябрь.
    25. Майкл Дж. Ламла и Томас Мааг, 2012 г. « Роль СМИ в разногласиях между домашними хозяйствами и профессиональными прогнозистами в отношении прогнозов инфляции », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 44 (7), страницы 1325-1350, октябрь.
    26. Гаврилески, Томас и Гилдеа, Джон, 1995. « Предубеждения президентов Федерального резервного банка », Экономическое расследование, Международная западная экономическая ассоциация, т. 33 (2), страницы 274-284, апрель.
    27. Марк Харрис, Пол Левин и Кристофер Спенсер, 2011 г.« Десятилетие инакомыслия: объяснение несогласного поведения при голосовании членов MPC Банка Англии », Общественный выбор, Springer, т. 146 (3), страницы 413-442, март.
    28. Генри В. Чаппелл, Томас М. Хаврилески и Роб Рой МакГрегор, 1993. « Партизанская денежно-кредитная политика: влияние президента через полномочия назначения », Ежеквартальный журнал экономики, Oxford University Press, vol. 108 (1), страницы 185-218.
    29. Блиндер, Алан С., 2007. « Денежно-кредитная политика по комитетам: почему и как? », Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol.23 (1), страницы 106-123, март.
    30. Алан С. Блиндер, 2005. " Денежно-кредитная политика по комитетам: почему и как? ," Рабочие бумаги 84, Принстонский университет, факультет экономики, Центр исследований экономической политики.
    31. Ли А. Смейлз, 2013. « Детерминанты решений РБА по целевой ставке: подход к моделированию выбора », Экономический отчет, Экономическое общество Австралии, т. 89 (287), страницы 556-569, декабрь.
    32. Стефано Эусепи, 2010. « Связь с Центральным банком и ловушка ликвидности », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol.42 (2-3), страницы 373-397, март.
    33. Алексей Никольско-Ржевский, 2011. « Оценка денежно-кредитной политики в реальном времени: перспективные правила Тейлора без прогнозных данных », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 43 (5), страницы 871-897, август.
    34. Чарльз Т. Карлстром и Тимоти С. Фюрст, 2003. « Правило Тейлора: ориентир денежно-кредитной политики? », Экономический комментарий, Федеральный резервный банк Кливленда, выпуск июль.
    35. Роберт Г.Кинг и Ян К. Лу и Эрнесто С. Прошлое… N, 2008. « Управление ожиданиями ,» Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 40 (8), страницы 1625-1666, декабрь.
    36. EllenE. Мид и Дэвид Стасэвидж, 2008. « Публичность дебатов и стимул к инакомыслию: данные Федеральной резервной системы США », Экономический журнал, Королевское экономическое общество, т. 118 (528), страницы 695-717, апрель.
    37. Фахим Аль-Мархуби, 2004. « Детерминанты управления: межстрановой анализ », Современная экономическая политика, Международная западная экономическая ассоциация, т.22 (3), страницы 394-406, июль.
    38. Хан Чен, Васко Кордиа и Андреа Ферреро, 2012 г. « Макроэкономические эффекты крупномасштабных программ покупки активов », Экономический журнал, Королевское экономическое общество, т. 122 (564), страницы 289-315, ноябрь.
    39. Чаппелл, Генри У., младший и МакГрегор, Роб Рой и Вермилиа, Тодд, 2004. «Правило большинства , достижение консенсуса и полномочия председателя: Артур Бернс и FOMC », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol.36 (3), страницы 407-422, июнь.
    40. Капорале, Тони и Гриер, Кевин Б., 2000. « Изменение политического режима и реальная процентная ставка », Журнал денег, кредита и банковского дела, Blackwell Publishing, vol. 32 (3), страницы 320-334, август.
    41. Алан С. Блиндер, 2008. « Создание денежно-кредитной политики Комитетом », Рабочие бумаги 1051, Принстонский университет, факультет экономики, Центр исследований экономической политики.
    42. Тодд Кларк, 2009. « Великая умеренность закончилась? Эмпирический анализ », Обзор экономики, Федеральный резервный банк Канзас-Сити, т.94 (Q IV), страницы 5-42.
    43. Бернанке, Бен С., 1983. « Неденежные эффекты финансового кризиса в распространении Великой депрессии », Американский экономический обзор, Американская экономическая ассоциация, т. 73 (3), страницы 257-276, июнь.
    44. repec: dau: paper: 123456789/7683 не указан в IDEAS
    45. Клауссен, Карл Андреас и Матсен, Эгиль и Ройсланд, Ойштейн и Торвик, Рагнар, 2012. « Самоуверенность, комитеты по денежно-кредитной политике и доминирование председателя », Журнал экономического поведения и организации, Elsevier, vol.81 (2), страницы 699-711.
    46. Генри В. Чаппелл-младший и Роб Рой МакГрегор, 2000. « Долгая история поведения при голосовании в FOMC », Южный экономический журнал, Южная экономическая ассоциация, т. 66 (4), страницы 906-922, апрель.
    47. Тейлор, Джон Б., 1993. « Осмотр против правил политики на практике », Серия конференций Карнеги-Рочестера по государственной политике, Elsevier, vol. 39 (1), страницы 195-214, декабрь.
    48. Чаппелл, Генри-младший и Хаврилески, Томас М.И МакГрегор, Роб Рой, 1995. « Директивные органы, учреждения и решения центрального банка », Журнал экономики и бизнеса, Elsevier, vol. 47 (2), страницы 113-136, май.
    49. Алан С. Блиндер, 2009. « Создание денежно-кредитной политики Комитетом », Международные финансы, Wiley Blackwell, т. 12 (2), страницы 171-194, август.
    Полные ссылки (включая те, которые не соответствуют элементам в IDEAS)

    Цитаты

    Цитаты извлекаются проектом CitEc, подпишитесь на его RSS-канал для этого элемента.


    Цитируется по:

    1. Никлас Потрафке, 2018. « Правительственная идеология и разработка экономической политики в Соединенных Штатах - исследование », Общественный выбор, Springer, т. 174 (1), страницы 145-207, январь.
    2. Николас Апергис и Критина Кристу и Тасавар Хаят и Тарек Саид, 2020. « Денежно-кредитная политика США и скотоводство: данные товарных рынков », Атлантический экономический журнал, Springer; Международное атлантическое экономическое общество, т.48 (3), страницы 355-374, сентябрь.
    3. Беннани, Хамза и Кранц, Тобиас и Нойенкирх, Маттиас, 2018. « Разногласия между членами FOMC и сотрудниками ФРС: новые идеи, основанные на контрфактической процентной ставке », Журнал макроэкономики, Elsevier, vol. 58 (C), страницы 139-153.
    4. Хамза Беннани, Тобиас Кранц и Маттиас Нойенкирх, 2017. « Разногласия между FOMC и персоналом ФРС: новые идеи, основанные на контрфактической процентной ставке », Научные статьи по экономике 2017-10, Трирский университет, факультет экономики.
    5. Dodge Cahan & Luisa Doerr & Niklas Potrafke, 2019 год. « Государственная идеология и денежно-кредитная политика в странах ОЭСР ,» Общественный выбор, Springer, т. 181 (3), страницы 215-238, декабрь.
    6. Эйхлер, Стефан и Лэнер, Том и Нот, Феликс, 2018. « Региональная банковская нестабильность и голосование FOMC », Журнал банковского дела и финансов, Elsevier, vol. 87 (C), страницы 282-292.
    7. Донато Маскиандаро, 2021 год. " Управление Центральным банком в экономике денежно-кредитной политики (1981-2020) ," Рабочие документы BAFFI CAREFIN 21153, BAFFI CAREFIN, Центр прикладных исследований в области международных рынков, банковского финансирования и регулирования, Университет Боккони, Милан, Италия.
    8. Smales, L.A. & Apergis, N., 2017. « Понимание влияния объявлений о денежно-кредитной политике: важность языка и сюрпризов », Журнал банковского дела и финансов, Elsevier, vol. 80 (C), страницы 33-50.
    9. Кейт Э. Шнакенберг, Ян Р. Тернер и Алисия Урибе-Макгуайр, 2017. « Союзники или механизмы приверженности? Модель назначений в Федеральный резерв », Экономика и политика, Уайли Блэквелл, т. 29 (2), страницы 118-132, июль.

    Самые популярные товары

    Это элементы, которые чаще всего цитируют те же работы, что и эта, и цитируются в тех же работах, что и эта.
    1. Эль-Шаги, Макрам и Юнг, Александр, 2015. « Доказывает ли эпоха Гринспена лидерство в FOMC? », Журнал макроэкономики, Elsevier, vol. 43 (C), страницы 173-190.
    2. Чаппелл, Генри В. и МакГрегор, Роб Рой, 2018. «Принятие решений комитетом в шведском Riksbank », Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol. 53 (C), страницы 120-133.
    3. Гвидо Шультефранкенфельд, 2020. « Соответствующая денежно-кредитная политика и несогласие прогнозов в FOMC », Эмпирическая экономика, Springer, т.58 (1), страницы 223-255, январь.
    4. Донато Маскиандаро и Паола Профета и Давиде Ромелли, 2020. « Имеют ли значение женщины в советах по денежно-кредитной политике? », Рабочие документы BAFFI CAREFIN 20148, BAFFI CAREFIN, Центр прикладных исследований международных рынков, банковского финансирования и регулирования, Университет Боккони, Милан, Италия.
    5. Эйффингер, Сильвестр и Маье, Рональд и Рейс, Луи, 2018. « Выведение ястребов и голубей из протоколов голосования ,» Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol.51 (C), страницы 107-120.
      • Eijffinger, S.C.W. И Mahieu, R.J. И Раес, Л.Б.Д., 2013. « Вывод ястребов и голубей из записей голосования ,» Другие публикации TiSEM daf17793-6ce0-4c29-827b-d, Тилбургский университет, Школа экономики и менеджмента.
      • Eijffinger, S.C.W. И Mahieu, R.J. И Раес, Л.Б.Д., 2013. « Вывод ястребов и голубей из записей голосования ,» Другие публикации TiSEM 1588f60e-61f6-4492-a5d1-5, Тилбургский университет, Школа экономики и менеджмента.
      • Eijffinger, S.C.W. И Mahieu, R.J. И Раес, Л.Б.Д., 2013. « Вывод ястребов и голубей из записей голосования ,» Документ для обсуждения 2013-024, Тилбургский университет, Центр экономических исследований.
      • Эйффингер, Сильвестр С. В. и Маье, Рональд Дж. И Рэйс, Луи, 2013. « Выведение ястребов и голубей из протоколов голосования ,» Документы для обсуждения CEPR 9418, C.E.P.R. Документы для обсуждения.
    6. Белке, Ансгар и Потрафке, Никлас, 2012 г.« Имеет ли значение правительственная идеология в денежно-кредитной политике? Анализ панельных данных по странам ОЭСР », Журнал международных денег и финансов, Elsevier, vol. 31 (5), страницы 1126-1139.
      • Белке, Ансгар и Потрафке, Никлас, 2009. « Имеет ли значение правительственная идеология в денежно-кредитной политике? - Анализ панельных данных для стран ОЭСР », Рурские экономические документы 94, RWI - Leibniz-Institut für Wirtschaftsforschung, Рурский университет Бохума, Технический университет Дортмунда, Университет Дуйсбург-Эссен.
      • Ансгар Белке и Никлас Потрафке, 2011 г. « Имеет ли значение правительственная идеология в денежно-кредитной политике? Анализ панельных данных по странам ОЭСР », Серия рабочих документов Департамента экономики Констанцкого университета 2011-48, экономический факультет Констанцского университета.
      • Белке, Ансгар и Потрафке, Никлас, 2012 г. « Имеет ли значение правительственная идеология в денежно-кредитной политике? Анализ панельных данных по странам ОЭСР », Мюнхенские репринты по экономике 20245, Мюнхенский университет, экономический факультет.
      • Ансгар Белке и Никлас Потрафке, 2011 г. « Имеет ли значение правительственная идеология в денежно-кредитной политике ?: Анализ панельных данных для стран ОЭСР », Документы для обсуждения на DIW Berlin 1180, DIW Berlin, Немецкий институт экономических исследований.
    7. Хамза Беннани, 2016. « Измерение стресса в отношении денежно-кредитной политики для представителей Федерального округа », Шотландский журнал политической экономии, Шотландское экономическое общество, вып. 63 (2), страницы 156-176, май.
    8. Эмиль ван Оммерен и Джулия Пичилло, 2019.« Управляющий Центрального банка и установление процентной ставки Комитетом », Серия рабочих документов CESifo 7822, CESifo.
    9. Марк Харрис, Пол Левин и Кристофер Спенсер, 2011 г. « Десятилетие инакомыслия: объяснение несогласного поведения при голосовании членов MPC Банка Англии », Общественный выбор, Springer, т. 146 (3), страницы 413-442, март.
    10. Донато Маскиандаро и Давид Ромелли, 2019. « Поведенческая денежно-кредитная политика: экономика, политическая экономия и психология », Главы всемирной научной книги, в: Behavioral Finance The Coming of Age, глава 9, страницы 285-329, World Scientific Publishing Co.Pte. ООО.
    11. Д. Маскиандаро, 2019. « Что это за птица? Центральная банковская и денежно-кредитная политика за последние сорок лет », Рабочие документы BAFFI CAREFIN 19127, BAFFI CAREFIN, Центр прикладных исследований в области международных рынков, банковского финансирования и регулирования, Университет Боккони, Милан, Италия.
    12. Потрафке, Никлас, 2013. « Позиции меньшинства в Немецком совете экономических экспертов: политико-экономический анализ », Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol.31 (C), страницы 180-187.
      • Потрафке, Никлас, 2013. « Позиции меньшинства в Немецком совете экономических экспертов: политико-экономический анализ », Мюнхенские репринты по экономике 19290, Мюнхенский университет, экономический факультет.
      • Никлас Потрафке, 2013. « Позиции меньшинства в Немецком совете экономических экспертов: политико-экономический анализ », Серия рабочих документов ifo 160, институт ifo - Институт экономических исследований им. Лейбница при Мюнхенском университете.
      • Никлас Потрафке, 2013. " Позиции меньшинства в Немецком совете экономических экспертов: политико-экономический анализ ", Серия рабочих документов CESifo 4206, CESifo.
    13. Стефан Эйхлер и Том Лэнер, 2014 г. « Прогнозируемый разброс, несогласные голоса и предпочтения членов FOMC в области денежно-кредитной политики: роль индивидуальных характеристик карьеры и политических аспектов », Общественный выбор, Springer, т. 160 (3), страницы 429-453, сентябрь.
    14. Нойенкирх, Маттиас и Сиклос, Пьер Л., 2013. « Что есть во втором мнении? Слежка за ЕЦБ и Банком Англии », Европейский журнал политической экономии, Elsevier, vol. 32 (C), страницы 135-148.
      • Маттиас Нойенкирх и Пьер Сиклос, 2011 г. « Что во втором заключении? Слежка за ЕЦБ и Банком Англии », МАГКС Статьи по экономике 201131, Филиппский университет Марбурга, факультет делового администрирования и экономики, факультет экономики (Volkswirtschaftliche Abteilung).
      • Маттиас Нойенкирх и Пьер Л.Сиклос, 2013. « Что во втором мнении? Слежка за ЕЦБ и Банком Англии », Рабочие документы CAMA 2013-46, Центр прикладного макроэкономического анализа, Школа государственной политики Кроуфорда, Австралийский национальный университет.
    15. Сильвестр Эйджффингер, Рональд Маье и Луи Раес, 2016. « Комитеты по денежно-кредитной политике, поведение при голосовании и идеальные точки », Рабочие документы BAFFI CAREFIN 1628, BAFFI CAREFIN, Центр прикладных исследований международных рынков, банковского финансирования и регулирования, Университет Боккони, Милан, Италия.
    16. Ленер, Том, 2015. « Непоследовательное поведение при голосовании в FOMC », Ганноверские экономические документы (HEP) dp-546, Университет Лейбница, Ганновер, Wirtschaftswissenschaftliche Fakultät.
    17. Николас Апергис и Иоаннис Прагидис, 2019. «Реакция цен акций на телеграфные сообщения от Европейского центрального банка: данные об изменениях в настроениях и индексах международных рынков », Международные достижения в экономических исследованиях, Springer; Международное атлантическое экономическое общество, т.25 (1), страницы 91-112, февраль.
    18. Бакса, Яромер и Хорват, Роман и Ваалэк, БоАтэк, 2014. « Как меняется денежно-кредитная политика? Данные о странах, нацеленных на инфляцию », Макроэкономическая динамика, Cambridge University Press, vol. 18 (3), страницы 593-630, апрель.
      • Яромир Бакса, Роман Хорват и Борек Васичек, 2010 г. « Как меняется денежно-кредитная политика? Данные о странах с таргетингом на инфляцию », Рабочие бумаги 2010/02, Чешский национальный банк.
      • Яромир Бакса, Роман Хорват и Борек Васичек, 2010 г. « Как меняется денежно-кредитная политика? Данные о странах с таргетингом на инфляцию », Рабочие бумаги wpdea1007, Департамент прикладной экономики Автономного университета Барселоны.
      • Яромир Бакса и Роман Хорват и Боржек Вашичек, 2010. « Как меняется денежно-кредитная политика? Данные о странах с таргетингом на инфляцию », Рабочие документы IES 2010/26, Карлов университет в Праге, факультет социальных наук, Институт экономических исследований, отредактировано в октябре 2010 г.
    19. Мальмендье, Ульрике М. и Нагель, Стефан и Ян, Жен, 2017. « Создание ястребов и голубей: опыт инфляции по FOMC », Документы для обсуждения CEPR 11902, C.E.P.R. Документы для обсуждения.
    20. Донато Маскиандаро, Паола Профета и Давид Ромелли, 2016 г. « Гендерная и денежно-кредитная политика: тенденции и движущие факторы », Рабочие документы BAFFI CAREFIN 1512, BAFFI CAREFIN, Центр прикладных исследований в области международных рынков, банковского финансирования и регулирования, Университет Боккони, Милан, Италия.

    Исправления

    Все материалы на этом сайте предоставлены соответствующими издателями и авторами. Вы можете помочь исправить ошибки и упущения. При запросе исправления укажите идентификатор этого элемента: RePEc: eee: jbfina: v: 64: y: 2016: i: c: p: 216-231 . См. Общую информацию о том, как исправить материал в RePEc.

    По техническим вопросам, касающимся этого элемента, или для исправления его авторов, названия, аннотации, библиографической информации или информации для загрузки, обращайтесь: (Nithya Sathishkumar).Общие контактные данные провайдера: http://www.elsevier.com/locate/jbf .

    Если вы создали этот элемент и еще не зарегистрированы в RePEc, мы рекомендуем вам сделать это здесь. Это позволяет связать ваш профиль с этим элементом. Это также позволяет вам принимать потенциальные ссылки на этот элемент, в отношении которых мы не уверены.

    Если CitEc распознал ссылку, но не связал с ней элемент в RePEc, вы можете помочь с этой формой .

    Если вам известно об отсутствующих элементах, цитирующих этот элемент, вы можете помочь нам создать эти ссылки, добавив соответствующие ссылки таким же образом, как указано выше, для каждого ссылочного элемента.Если вы являетесь зарегистрированным автором этого элемента, вы также можете проверить вкладку «Цитаты» в своем профиле службы авторов RePEc, поскольку там могут быть некоторые цитаты, ожидающие подтверждения.

    Обратите внимание, что исправления могут занять пару недель, чтобы отфильтровать различные сервисы RePEc.

    Характеристики экспертов, принимающих решения

    Задумывались ли вы, что отличает экспертов, принимающих решения, от лиц, принимающих решения со средним - или даже плохим -? Розен, Салас, Лайонс и Фиоре (2008) разработали список механизмов, характеризующих принятие решений экспертами.К ним относятся (стр. 216):

    1. Тесно связаны с сигналами и контекстными особенностями окружающей среды.

    • Они развивают психологическую и физиологическую адаптацию к рабочей среде.
    • Они чувствительны к контекстным шаблонам сигналов и используют их при принятии решений.

    2. Иметь большую базу знаний и организовывать ее иначе, чем у неспециалистов.

    • У них более концептуально организованная база знаний.
    • У них более прочная связь между аспектами своих знаний.
    • У них более абстрактная и функциональная база знаний.

    3. Займитесь распознаванием образов.

    • Они воспринимают более масштабные и значимые закономерности в окружающей среде.
    • Они могут обнаруживать тонкие конфигурации сигналов.
    • Они могут извлекать последовательность действий на основе правил сопоставления ситуации / действия.

    4. Занимайтесь осознанной и управляемой практикой.

    • Они посвящают время и силы совершенствованию знаний и навыков.
    • У них высокая мотивация к обучению и долгосрочные учебные цели.

    5. Обратитесь за диагностической информацией.

    • Они обращаются за советом к другим экспертам.
    • Они самостоятельно диагностируют свою работу, выявляют слабые места в своих знаниях и процессах и исправляют их.

    6. Лучше оценивайте ситуацию и представляйте проблемы.

    • Они тратят больше времени на оценку ситуации.
    • Они создают более глубокие, более концептуальные, более функциональные и абстрактные представления ситуаций.

    7. Иметь специализированные навыки памяти.

    • Они функционально повышают свою способность обрабатывать большие объемы информации.
    • Они предвидят, какая информация потребуется для принятия решения.

    8. Автоматизируйте малые навыки.

    • Они быстро и легко делают то, что требует большого внимания неспециалистов.
    • У них есть больше когнитивных ресурсов для работы с более сложными аспектами принятия решений.

    9. Саморегулируйтесь и следите за своим прогрессом.

    • Они оценивают собственное понимание ситуации.
    • Они оценивают последовательность, надежность и полноту своей информации.
    • Они принимают правильные решения о том, когда перестать оценивать ситуацию.

    Ссылки

    Rosen, M.A., Salas, E., Lyons, R., & Fiore, S.M. (2008). Экспертиза и принятие естественных решений в организациях: механизмы принятия эффективных решений.В G.P. Hodgkinson & W.H. Starbuck (Eds.), Оксфордский справочник по принятию организационных решений (стр. 211-230). Нью-Йорк: Издательство Оксфордского университета.

    Характеристики жестокого обращения, предоставления услуг специального образования и подготовки персонала - Иллинойский университет Урбана-Шампейн

    TY - JOUR

    T1 - Характеристики жестокого обращения, предоставления услуг специального образования и подготовки персонала

    AU - Miller, Deserai

    AU - Santos, Rosa Milagros

    N1 - Информация о финансировании: Это исследование было частично поддержано финансированием Управления программ специального образования США.S. Департамент образования: проект BLEND (h425D110037). Взгляды или мнения, представленные в этой рукописи, принадлежат исключительно авторам и не обязательно отражают точку зрения финансирующего агентства. Информация о финансировании: https://orcid.org/0000-0002-8135-8818 Миллер Дезераи, доктор философии 1 Сантос Роза Милагрос, доктор философии 1 1 Иллинойский университет в Урбана-Шампейн, США Дезерай Миллер, Департамент специального образования, Иллинойский университет Урбана-Шампейн, 1310 г. С. Шестая улица Шампейн, Иллинойс 61820, США.Электронная почта: [email protected] 2 2020 53 4216225 © Институт инвалидности Хаммилла 2019 2019 Институт инвалидности Хаммилла Дети подвергаются жестокому обращению и пренебрежению с тревожными темпами, и количество зарегистрированных случаев жестокого обращения увеличивается с каждым годом. Кроме того, дети в 4 раза чаще получают услуги специального образования, если они пережили жестокое обращение и пренебрежение. Были разработаны многочисленные призывы к действиям для более эффективной поддержки детей с особыми потребностями, подвергшихся жестокому обращению; тем не менее, мы должны понимать, что говорится в исследовании в отношении подготовки специалистов по специальному обучению к выполнению этих рекомендаций.В этом обзоре литературы мы сосредоточились на трех областях, связанных с жестоким обращением: (а) составление отчетов и оценка базы знаний школьных профессионалов, (б) отношение и тренировочные убеждения школьных специалистов, и (в) доступ к возможностям обучения. Полученные данные свидетельствуют о том, что практикующие врачи чувствуют себя неподготовленными, возможности для подготовки ограничены и недостаточны, и исследователям необходимо учитывать другую методологию при изучении этой темы. Обсуждаются практические и исследовательские аспекты.жестокое обращение пренебрежение подготовкой к предоставлению услуг специального образования уход с учетом травм Заявление о конфликте интересов Автор (ы) заявили об отсутствии потенциальных конфликтов интересов в отношении исследования, авторства и / или публикации этой статьи. Финансирование Автор (ы) раскрыл получение следующей финансовой поддержки для исследования, авторства и / или публикации этой статьи: Это исследование было частично поддержано финансированием со стороны Управления программ специального образования, США.S. Департамент образования: проект BLEND (h425D110037). Взгляды или мнения, представленные в этой рукописи, принадлежат исключительно авторам и не обязательно отражают точку зрения финансирующего агентства. ORCID iD Deserai Miller https://orcid.org/0000-0002-8135-8818

    PY - 2020/2/1

    Y1 - 2020/2/1

    N2 - Дети подвергаются жестокому обращению и пренебрежению с угрожающей скоростью , а количество зарегистрированных случаев жестокого обращения увеличивается с каждым годом. Кроме того, дети в 4 раза чаще получают услуги специального образования, если они пережили жестокое обращение и пренебрежение.Были разработаны многочисленные призывы к действиям для более эффективной поддержки детей с особыми потребностями, подвергшихся жестокому обращению; тем не менее, мы должны понимать, что говорится в исследовании в отношении подготовки специалистов по специальному обучению к выполнению этих рекомендаций. В этом обзоре литературы мы сосредоточились на трех областях, связанных с жестоким обращением: (а) составление отчетов и оценка базы знаний школьных профессионалов, (б) отношение и тренировочные убеждения школьных специалистов, и (в) доступ к возможностям обучения.Полученные данные свидетельствуют о том, что практикующие врачи чувствуют себя неподготовленными, возможности для подготовки ограничены и недостаточны, и исследователям необходимо учитывать другую методологию при изучении этой темы. Обсуждаются практические и исследовательские аспекты.

    AB - Дети подвергаются жестокому обращению и пренебрежению с угрожающей скоростью, и число зарегистрированных случаев жестокого обращения увеличивается с каждым годом. Кроме того, дети в 4 раза чаще получают услуги специального образования, если они пережили жестокое обращение и пренебрежение.Были разработаны многочисленные призывы к действиям для более эффективной поддержки детей с особыми потребностями, подвергшихся жестокому обращению; тем не менее, мы должны понимать, что говорится в исследовании в отношении подготовки специалистов по специальному обучению к выполнению этих рекомендаций. В этом обзоре литературы мы сосредоточились на трех областях, связанных с жестоким обращением: (а) составление отчетов и оценка базы знаний школьных профессионалов, (б) отношение и тренировочные убеждения школьных специалистов, и (в) доступ к возможностям обучения.Полученные данные свидетельствуют о том, что практикующие врачи чувствуют себя неподготовленными, возможности для подготовки ограничены и недостаточны, и исследователям необходимо учитывать другую методологию при изучении этой темы. Обсуждаются практические и исследовательские аспекты.

    кВт - злоупотребление

    кВт - пренебрежение

    кВт - подготовка

    кВт - оказание услуг специального образования

    кВт - помощь с учетом травм

    UR - http://www.scopus.com/inward/record.url ? scp = 85077142797 & partnerID = 8YFLogxK

    UR - http: // www.scopus.com/inward/citedby.url?scp=85077142797&partnerID=8YFLogxK

    U2 - 10.1177 / 0022466919836278

    DO - 10.1177 / 002246691987736278

    M30003 - 9000 SC9 - 9000 216

    EP - 225

    JO - Журнал специального образования

    JF - Журнал специального образования

    SN - 0022-4669

    IS - 4

    ER -

    Фетишизм - Обзор - Товарный фетиш - Маркс, Деньги , Религия и характер

    Конт был, пожалуй, единственным философом, защищавшим фетишизм, но не только он определил его аффективную силу.Не только он открыл имманентную и миметическую силу фетишизма. Что-то из последнего присутствует в трактовке Марксом фетишистского характера товара, но в сочинении Маркса фетиш больше не является основанием для стратегической религии, а, скорее, является концептуальной основой стратегии чтения как религии, так и светской религии капитала. . Примечательно, что Маркс использует термин фетишизм ( Fetischismus ) почти исключительно в своем анализе религии, имея в виду товар с точки зрения аналогичного фетиш-персонажа ( Fetischcharakter ).Это важное различие, и выбор слов Маркса отражает его аргумент о том, что экономика возникла на том месте, которое религия занимала в более ранние периоды, где она функционировала как институт, из которого, казалось, естественным образом исходил закон. Соответственно, Этьен Балибар (не обращая внимания на терминологическое различие) утверждает, что идея Маркса о товарном фетишизме объясняет, почему, с одной стороны, «капиталистический способ производства… является способом производства, в котором экономику легче всего признать« двигателем ». истории », и, с другой стороны, это способ, при котором« сущность этой «экономики» не осознается в принципе »(Альтюссер и Балибар, стр.216). Балибар и Луи Альтюссер ссылаются на работы марксистских антропологов, чтобы доказать, что в неиндустриальных обществах природа социальных отношений определяется внеэкономическими факторами и институтами, которые кажутся «естественными или божественными», такими как церковь или монархия. Напротив, капитализм «представляет собой способ производства, при котором фетишизм влияет на экономический регион par excellence » (Альтюссер и Балибар, стр. 179). Многие антропологи действительно утверждали, что в обществах, где нет рыночной экономики, фетишизм действует, наделяя продукты качествами социальной среды, и Майкл Тауссиг описал конфликты, которые могут возникать между одним режимом фетишизма и другим именно таким образом.Маркс, однако, проводит различие между собственно фетишизмом и экономикой, в которой товары обладают характеристиками фетиша.

    Первые устойчивые опубликованные ссылки Маркса на фетишизм появляются в его ответе 1842 года на газетную статью Карла Генриха Гермеса, защищающую прусское государство по религиозным мотивам. В своей статье Гермес вслед за Гегелем назвал фетишизм «самой грубой формой религии». Маркс высмеивал этот аргумент и описание Гермесом религии как того, что поднимает человека «над чувственными аппетитами».«Напротив, - сказал он, - фетишизм - это« религия чувственных аппетитов »( die Religion der sinnlichen Begierde ), добавив, что« фантазия аппетитов обманывает поклонника фетиша, заставляя его поверить в то, что «неодушевленный объект» откажется от него. его естественный характер - удовлетворять его желания. Поэтому грубый аппетит поклонника фетиша разбивает фетиш, когда последний перестает быть его самым преданным слугой »(Маркс, 1993, стр. 22).

    В том же году Маркс прочитал несколько работ по сравнительному религиоведению, в том числе немецкий перевод (Писториуса) книги де Бросса.Его исследования по этой теме продолжались до конца его жизни, и посмертно опубликованные Этнологические тетради включают несколько выдержанных отрывков по этой теме. Тем не менее именно анализ фетишистского характера товаров сделал Маркса наиболее важным теоретиком «фетишизма». В Капитале, Маркс прочтение фетишистского характера товара раскрывает двойную замену. Во-первых, товарная форма заменяет социальные характеристики человеческого труда объективными характеристиками продуктов труда; люди дегуманизированы, в то время как вещи, кажется, обретают живую силу, а социальные отношения переходят от людей к вещам.Во-вторых, товарная форма - это средство, с помощью которого может быть установлена ​​абстрактная эквивалентность между чувственно различными объектами. В этом В этом случае материальное различие на мгновение стирается в фантастическом образе светского пресуществления (деньги, похоже, могут принимать любую форму), и это позволяет одному объекту заменять другой.

    Анализ Маркса ясно утверждает, что фетишный характер товаров проистекает из общественной природы производства, и в то же время, что товары становятся исключительным средством, с помощью которого может проявляться общественный характер частного труда.Следовательно, кажется, что товары делают возможной социализацию, которая в действительности уже существует благодаря разделению труда. Таким образом, то, что раскрывает социальное, также скрывает его. Следовательно, фетиш в анализе Маркса - это то, что требует чтения, но это также то, что затрудняет чтение, поскольку оно структурирует сознание на первичном уровне. В этом смысле марксистский анализ понимает фетишизм как нечто большее, чем чрезмерное повышение ценности или чрезмерное инвестирование, хотя эти атрибуты ему не чужды.Скорее, «характер фетиша [ Fetischcharakter ], который присоединяется к продуктам труда, как только они производятся в качестве товаров… следовательно, неотделим от производства товаров » (1976, с. 165, курсив мой. , перевод изменен). Как позже резюмировал Теодор Адорно (1903–1969) (в диалоге с Вальтером Бенджамином [1892–1940]), «фетишный характер товара - это не факт сознания, а диалектика в том выдающемся смысле, что он порождает сознание. "(Бак-Морсс, стр.121).

    Однако, обсуждая денежную форму, Маркс усматривает связь между искажением фактов и завышенной оценкой. Потому что, когда деньги могут функционировать как, казалось бы, волшебное средство преодоления различий (все может быть превращено в деньги и наоборот) и с помощью которого все может быть превращено в частную собственность, деньги становятся объектом безудержного желания. Это желание изначально зацикливается на самых ранних металлических формах денег, а именно на золоте и серебре, что приводит к эстетической оценке драгоценных металлов.Однако в своей поистине абстрактной форме (бумажные деньги, кредит) товар делает возможным «неограниченное» желание, которое Маркс в Grundrisse, определил как «жадность». Эта жадность - всегда жадность к деньгам - к тому, что, купив, может стать чем угодно. По иронии судьбы, однако, именно посредством накопления, когда «накопитель приносит в жертву похоти своей плоти фетишу золота», создаются резервы и регулируются денежные потоки (Marx, 1976, p. 231). Следовательно, капитал берет свое начало в либидозном желании накопителя денег.Таким образом, фетишистское желание входит в анализ Маркса не как источник, а как трансформирующий элемент, алхимический принцип в истории капитализма. В дальнейшем развитии этого аргумента Славой Жижек предложил признать новую стадию товарного фетишизма, а именно ту, на которой фетиш, этот якобы чувственный объект, посредством которого абстракция становится реальностью, был дематериализован. Он определяет электронные деньги как источник этой дематериализации, которая, тем не менее, утверждает, что усиливает претензии товарной формы на универсальность.

    Независимо от того, устраняет ли электронизация чувственность денежного фетиша, многие недавние работы разделяют мнение о том, что в постиндустриальную эпоху товарное желание само производит стоимость и является основным стимулом для обращения денег. Этот анализ часто связан с пониманием Уолтера Бенджамина, который первым утверждал, что отображаемая стоимость вытесняет как меновую, так и потребительную стоимость на рынке желаний. Бенджамин связывал появление чисто репрезентативной ценности в эпоху торговых рядов с новой идеологической мощью, поскольку люди были увлечены тем, чем они никогда не могли обладать, и были захвачены желанием.Более того, он отождествил это появление с новой оценкой новизны (и, как следствие, коммодификацией истории), наиболее явно проявляющейся в мире моды. «Мода предписывает ритуал, согласно которому товарный фетиш желает, чтобы ему поклонялись», - писал он (стр. 153). Поскольку мода также является институтом, в котором раскрываются и культивируются половые различия, анализ товарного фетишизма в моде был основным продуктом значительной феминистской культурной критики. Однако это стало возможным только потому, что психоанализ позволил нам увидеть, что концепция фетишизма сама по себе является частью организации полового различия, организацией, которая имеет место в языке, но ощущается как несводимый материальный факт.

    .

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *