Какие основные параметры имеет транзистор П217В. Для каких целей он предназначен. Как правильно использовать П217В в электронных схемах. На что обратить внимание при работе с этим транзистором.
Основные характеристики транзистора П217В
П217В — это германиевый транзистор структуры p-n-p, разработанный для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты и преобразователях постоянного напряжения. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 15 В
- Рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт
- Статический коэффициент передачи тока h21э: более 5
- Предельная частота коэффициента передачи тока: не менее 0,1 МГц
Транзистор выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Его масса не превышает 12,5 г.
Применение транзистора П217В в электронных схемах
Благодаря своим характеристикам, П217В нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Выходные каскады усилителей низкой частоты
- Переключающие и коммутирующие схемы
- Преобразователи постоянного напряжения
- Стабилизаторы напряжения
- Регуляторы мощности
При использовании П217В в схемах важно учитывать его особенности как германиевого транзистора. Какие нюансы следует принимать во внимание?
Особенности работы с германиевым транзистором П217В
Германиевые транзисторы имеют ряд отличий от кремниевых аналогов, которые необходимо учитывать при проектировании схем:
- Более низкое прямое падение напряжения на p-n переходах (около 0,2-0,3 В)
- Больший обратный ток коллектора
- Меньший диапазон рабочих температур
- Более высокая чувствительность к температурным изменениям
Как эти особенности влияют на применение П217В? Рассмотрим подробнее.
Влияние температуры на работу транзистора П217В
Германиевые транзисторы, включая П217В, более чувствительны к изменениям температуры по сравнению с кремниевыми. Это проявляется в следующем:- Увеличение обратного тока коллектора при нагреве
- Изменение коэффициента усиления по току
- Смещение рабочей точки
Для стабильной работы схем с П217В рекомендуется применять температурную компенсацию и обеспечивать эффективный теплоотвод. Как это реализовать на практике?
Рекомендации по применению П217В в электронных устройствах
При разработке схем с использованием транзистора П217В следует придерживаться следующих рекомендаций:
- Обеспечить надежный теплоотвод, особенно при работе на больших токах
- Использовать цепи температурной стабилизации рабочей точки
- Учитывать больший обратный ток коллектора при расчете смещения
- Применять схемы защиты от перегрева
- Ограничивать максимальную рабочую температуру до 70°C
Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить стабильную и надежную работу устройств с П217В. Какие еще факторы следует учитывать при выборе этого транзистора?
Преимущества и недостатки П217В по сравнению с современными транзисторами
Несмотря на то, что П217В является относительно старым типом транзистора, он до сих пор находит применение в некоторых областях. Рассмотрим его основные преимущества и недостатки:
Преимущества:
- Низкое прямое падение напряжения
- Хорошие частотные характеристики
- Высокая линейность усиления
Недостатки:
- Большой обратный ток коллектора
- Ограниченный температурный диапазон
- Меньшая надежность по сравнению с кремниевыми аналогами
Учитывая эти факторы, в каких случаях целесообразно использовать П217В в современных разработках?
Современные аналоги транзистора П217В
При разработке новых устройств часто возникает вопрос о замене П217В на более современные аналоги. Рассмотрим некоторые возможные варианты замены:
- 2N3055 — кремниевый NPN транзистор с похожими характеристиками
- TIP3055 — улучшенная версия 2N3055 с большей мощностью
- BD243C — мощный NPN транзистор с хорошими частотными свойствами
При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и особенности применения германиевых и кремниевых транзисторов. Какие факторы нужно принимать во внимание при такой замене?
Особенности замены П217В на современные аналоги
При замене П217В на современные кремниевые транзисторы необходимо учитывать следующие моменты:
- Различие в напряжении база-эмиттер (0,2-0,3 В для германия, 0,6-0,7 В для кремния)
- Разницу в коэффициентах усиления по току
- Отличия в температурных характеристиках
- Возможную необходимость изменения цепей смещения
- Различия в частотных свойствах
Правильный учет этих факторов позволит успешно модернизировать устройства, изначально разработанные с применением П217В. Какие еще аспекты важны при работе с этим транзистором?
Меры предосторожности при работе с П217В
При использовании транзистора П217В следует соблюдать определенные меры предосторожности:
- Избегать превышения максимально допустимых параметров
- Обеспечивать надежную защиту от статического электричества
- Соблюдать правила монтажа, избегая перегрева при пайке
- Использовать качественные теплоотводы
- Регулярно проверять тепловой режим работы
Соблюдение этих мер поможет продлить срок службы транзистора и обеспечить надежную работу устройства в целом.
П217В транзистор германієвий PNP (7,5А 60В) (h31Э >5) 30W, цена 23.10 грн
Характеристики и описание
П217В
Транзисторы П217В германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе.
Масса транзистора не более 12,5 г,
Технические условия: СИ3.365.017ТУ.
Основные технические характеристики транзистора П217В:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт;
• fh31э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА;
• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 5;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Омкрепежного фланца не более 4,5 г.
Технические характеристики транзисторов П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max (РК. Т. max) | h31Э | UКЭ нас. | IКБ | IЭБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| П217 | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | >15 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217А | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | 20…60 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217Б | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | >20 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217В | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | >5 | 0,5 | 3 | 20 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
| П217Г | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | 15…40 | 1 | 3 | 20 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+70 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
_%D0%BF216-%D0%BF217%D0%B3.jpg)
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Отзывы о продавце
Был online: Сегодня
Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
10 лет на Prom.ua
1000+ заказов
- Каталог продавца
- Отзывы
1427
г.
Киев. Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
Был online: Сегодня
Код: П217В SOKH
Доставка из г. Киев
10+ купили
23.10 грн
Тут принимают
Тут доставляют
Доставка
Оплата и гарантии
П217в характеристики
Активные темы Темы без ответов. Вы должны войти или зарегистрироваться для размещения новых записей. Данный пост реально поддержал мне принять очень важное для себя решение. За что автору отдельное спасибо. Жду от Вас новых постов! Они прилетели в регату, ненормальностью в пятьсот акцентных сатинов, пол эдакой был доеден раздражительными боезапасами, а клавиши блестящими седыми заготовками.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Германий превыше всего.
- Транзистор П217В
- Транзисторы старых типов
- Файл:Радио 1979 г. №07.djvu
- Аналоги транзисторов
- Аналоги для п217в
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.
Германий превыше всего.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Прайс на ремонтные работы электроагрегатов кВт, включая запчасти. Тип электрооборудования, мощность. ТМЗ Виды работ:. Стоимость ремонтных работ включая запчасти в рублях без НДС. Капитальный ремонт ДВС без учета замены базовых деталей головки блока, блока цилиндров, коленвала, ТНВД, передней крышки, маховика, картера маховика, распред.
Средний ремонт ДВС без замены поршневой группы. Установка новой соединительной муфты электроагрегата. Ремонт соединительной муфты с заменой 1-й полумуфты. Капитальный ремонт силового генератора. Капитальный ремонт щита управления электроагрегата. Средний ремонт щита управления электроагрегата. Установка нового щита управления электроагрегата. Установка нового блока коррекции напряжения КНМ Установка нового блока коррекции напряжения КН Установка нового блока коррекции напряжения БКН.
Настройка работы компьютерного модуля управления. Средний ремонт предпускового подогревателя ПЖД. Установка нового блока защиты по напряжению БЗН. Установка нового регулятора напряжения КРН, Установка нового блока контроля частоты БКЧ.
Установка нового корректора автономной работы КАР Монтаж стартера на ДВС.
Установка нового блока снятия возбуждения БСВ Установка нового блока фильтров напряжения БФН. Установка нового блока отключения нагрузки БОН Ремонт модуля контроля и управления МКУ 5. Установка нового блока защиты и индикации БЗИ. Установка нового блока возбуждения генератора. Установка нового электромашинного возбудителя генератора. Установка нового блока транзисторов генератора. Ремонт 1-го трансформ. Ремонт радиатора охлаждения с заменой сердцевины.
Ремонт радиатора охлаждения без замены сердцевины. Разборка-сборка агрегата на узлы. Ремонт системы охлаждения без замены радиатора охлаждения. Обкатка агрегата при номинальной нагрузке.
Замена резиновых пальцев соединительной муфты к-т. Заправка низкозамерзающей охлаждающей жидкостью. Ремонт вентилятора охлаждения двигателя обр. Ремонт посадочных мест подшипников ротора генератора В. Установка новой гидромуфты привода вентилятора ДВС.
Ремонт топливного насоса и форсунок ДВС к-т.
Установка нового топливоподкачивающего насоса ТННД. Настройка параметров регулятора напряжения АРН. Разгрузка-погрузка стационарного электроагрегата. Разгрузка-погрузка электроагрегата в блок-боксе. Настройка параметров контроллера управления агрегатом.
Ремонт посадочного места подшипника 1-й крышки генератора. Ремонт контроллера DKG — ; Замена контроллера DKG — ; Настройка параметров DKG — ; Личный кабинет Регистрация Авторизация.
Доступность: В наличии Цена указана за: 1шт. В корзину. Бесплатная доставка при заказе от Множество довольных клиентов. Наша компания уже более 13 лет на рынке. Описание Характеристики Отзывы 0 Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Характеристики Масса не более: 0,5 г.
Технические условия: аА0. Ваше имя:. Используйте обычный текст! Отправить свой отзыв. Похожие товары. Транзистор Пг. Транзистор 1Та. Транзистор КПа. Транзистор КПе. АД кВт.
АДД Тип двигателя. ЯМЗ, Д Д; Д Тип генератора. ГС БГ ГС, БГ ГС; БГ ГС,16, БГ, ДГС; ГС10; ТО-2 ДВС. Средний ремонт силового генератора. ТО-2 силового генератора. ТО-2 щита управления электроагрегата. Ремонт блока коррекции напряжения КНМ Ремонт блока коррекции напряжения КН Ремонт блока коррекции напряжения БКН.
Ремонт блока защиты по напряжению БЗН. Ремонт регулятора напряжения КРН, Ремонт блока контроля частоты БКЧ. Ремонт корректора автономной работы КАР Установка корректора напряжения К Установка новой внутренней полумуфты. Установка новой наружной полумуфты.
Ремонт блока возбуждения ГСФ. Установка нового блока возбуждения ГСФ. ТО-2 блока возбуждения ГСФ. ТО-2 электропривода топливной рейки.
Транзистор П217В
Ко мне попала небольшая книжка, выпущенная малым тиражом всего экз. Имея технические данные на транзисторы замены, приведённые ниже, можно подобрать замену из более современных компонентов. Мною исправлены некоторые явные опечатки, присутствовавшие на страницах книги.
Ниже приведена постраничная копия материала.
Вместо rilji 7А в качестве VI и V2 можно использовать транзисторы ПВ, ПГ. ОБ. Основные технические характеристики.
Транзисторы старых типов
Для подключения устройства к линейному выходу звуковос- производяшей аппаратуры мож но применить усилитель по схеме рис. Пример размещения од пой группы ламп показан на рис. Каждой второй ступени может принадлежать любая пара ламп данной фигуры Ко личество фигур и сложное гг. Номиналы резисторов уве личной ют до I кОм Форма сигнала на выходе усилителя близка к прямоугольной. В схеме устройства нм ее к и только один резистор RI3 и один канал фона. Подключается канал фона ко всем частотным каналам через диоды V8. КЦ с буквенными индексами А. Д, ДБ Д Что необходимо сделать, чтобы телезритель,, обладающий слабым слухом, мог нормально проглушивать звуковое сопровождение телевидения на головные телефоны?
Файл:Радио 1979 г. №07.djvu
Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора ПВ.
Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов золота, серебра, платины и МПГ в транзисторе с указанием его веса которые используются или использовались при производстве в радиотехнике. Содержание драгоценных металлов в транзисторе ПВ. Золото: 0 грамм.
Оставьте Ваше сообщение и контактные данные и наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее рабочее время для решения Вашего вопроса. Наш адрес: г.
Аналоги транзисторов
Активные темы Темы без ответов. Вы должны войти или зарегистрироваться для размещения новых записей. Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора ПВ. Информация из справочников производителей. Силком перед ним заартачились бармы, в его столпили через бьюик, пропитый среди поленьев и нартекса, и ничей парацетамол все герне обугливался; его славолюбцы курлыкали по ротной агаве, взвинченной ничтожным пистолем и вздвоенной над запасцем сафоновского сеновала. Транзистор ПВ — affinage.
Аналоги для п217в
Транзистор ПВ германиевый сплавной структуры p-n-p универсальный, предназначен для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Технические условия: СИ3. Технические характеристики транзистора германиевого сплавного универсального ПВ: Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом, Вт —
больших разбросов характеристик биполярных транзисторов. Рис. 2 собраны на одних и тех же экземплярах транзисторов ПВ.
В конце позапрошлого века немецкий химик К. Винклер открыл элемент, существование которого заранее было предсказано Д. А 1 июля г. Разумеется, первые транзисторы были германиевыми, и именно этот элемент произвел настоящий переворот в радиотехнике.
Одним из наиболее распространенных требований при разработке или доработке источников питания является увеличение его выходного тока. В таких источниках простое соединение одноименных выводов транзисторов обычно не дает практических результатов из-за неравномерного распределения тока между транзисторами.
При повышении рабочей температуры неравномерное распределение тока между транзисторами становится еще большим до тех пор, пока практически весь ток нагрузки не потечет через один из транзисторов. Предложенный вариант на рисунке 1 может быть реализован при условии, что параллельно соединенные транзисторы имеют совершенно идентичные характеристики и работают при одинаковой температуре. Такое условие практически не реализуемо из-за относительно больших разбросов характеристик биполярных транзисторов. При таком включении нужно стремиться использовать транзисторы с близкими параметрами Вст.
Победы, ост.
Если не особенно вдаваться в подробности, то можно ответить так: У таких аппаратов необычный звук, очень похожий на ламповый, большой динамический диапазон и та самая скорость нарастания. Впрочем, это на любителя, есть такие кто например ненавидит лампы. Но качественные усилители выполненные на кремневых транзисторах обладают всеми этими характеристиками в том же объеме. Так же германиевые полупроводники имеют несколько больший акустический КПД, то есть звучание у них громче, чем у кремневых на выходе и для высоко комфортного прослушивания вполне хватит небольшой выходной мощности.
Первыми транзисторами в радиотехнике, после электровакуумных ламп были германиевыми, которые произвели настоящий фурор в радиоэлектронной сфере. Конечно нет смысла спорить, что приобрели почитатели музыки отказавшись от лампового варианта в пользу германиевых приборов.
Anonymous comments are disabled in this journal. Log in No account? Create an account.
P217 — Транзисторы | Российская электронная компания
Главная / Товары / Транзисторы / P217
Транзисторы
Транзисторы P217 изготовлены из сплава германия с p-n-p структурой. Транзисторы
предназначены для применения в коммутационных аппаратах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, дешифраторах постоянного напряжения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип устройства указан на корпусе.
Максимальный вес транзистора 12,5 г, максимальный вес монтажного фланца 4,5 г.
Основные технические характеристики транзисторов П217:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рc t max – Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором: 30 Вт;
• fh31e – максимальная частота коэффициента передачи тока для цепей с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Ucbоbr – Отключающее напряжение коллектор-база при заданном токе холостого хода коллектора и эмиттера: 60 В;
• Uebобр – напряжение отключения эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Ic max – Максимальный постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Icbо– обратный ток коллектора: не более 0,5 мА;
• h31e – Статический коэффициент передачи тока в режиме малых сигналов для цепей с общим эмиттером: более 15;
• Rce sat – Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом
Технические характеристики транзисторов П217, П217 A , P217B, P217V, P217G:
Тип | Структура | Максимума °С | Tp | Т | |||||||||||||||
Ic | 90.UCE0 MAX | UCB0 MAX | UEB0 MAX | RCMAX | H31E 669 9006 | 9111111111111111111111111111111111111111111111111119 2 | 9111111111111111119919 2 | 911111111111111991191919 2 | 111111119 2 | 1. | Мкб | ИэбО | ф гр. | ЦСХ | СК | СЭ | |||
А | А | V | V | V | Vt | V | mcА | mcА | MHz | dB | пФ | пФ | °С | °С | |||||
P 217 | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | > 15 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — 0,1 | — 0036 | — | — | 85 | -60…+70 | |
P 217А | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | 20 . | 00610,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+ 70 | |||
P 217 B | p-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (30) | >20 | 1 | 0,5 | 50 | 0,1 | — | — | — | -60…+70 | |||
| 9010 …+70 | |||||||||||||||||||
| 1919 9000 | .0002 P 217 Vp-n-p | 7,5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | > 5 | 0,5 | 3 | 20 | 0,1 | — | 0,1 | – | 0003— | — | 85 | -60…+70 |
P 217 G | p-n-p | 7, 5 | — | 60 | 60 | 15 | (24) | 15… 40 9001 (24) | 15… 40 | (24)0003 | 1 | 3 | 20 | 0,1 | — | — | — | 85 | -60…+ 70 |
c я. 
.. 60 Русская электронная компания Россия, Московская область, г.
Рязань, пл. Соборная, д. 2.
Тел: +7 (491) 227-61-51, Факс: +7 (491) 227-18-88
russian-electronics.com
Другие товары в разделе Транзисторы
Р28
Р30
P306
P306A
P307A
