Транзисторы П416 и П214 — маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы П416
Транзисторы П416 — германиевые, маломощные,
высокочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Эмиттер находится с краю — отмечен цветной точкой на корпусе.
Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны,
от эмиттера.
На рисунке ниже — маркировка и цоколевка П416.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей
среды +25 по Цельсию.
У транзисторов П416 без буквы
— от 25 до 80
У транзисторов П416А
— от 60 до 125
У транзисторов П416Б
— от 90 до 200
У транзисторов П416 без буквы — 40 МГц.
У транзисторов П416А — 60 МГц.
У транзисторов П416Б — 80 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 12 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 25 мА. Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 10в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 3 мкА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 50мА и базовом 3мА:
У транзисторов П416 без буквы — 2 в.
У транзисторов П416А, П416Б — 1,7 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА:
— 0,5 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 100 мВт.
Транзисторы П214
Транзисторы П214 — большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка П214.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214 без буквы — от 20 до 60.
У транзисторов П214А — от 50 до 150.
У транзисторов П214Б — от 20 до 150.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 45в.
Максимальный ток коллектора — 5А.
Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в
и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию
У транзисторов П214 без буквы, П214А — 0,3 мА.
у транзисторов П214Б, П214В,П214Г — 1,5 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б — 0,9 в.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А — 2,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А — 1,2 в.
У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А — 0,9 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — около 10 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.
На главную страницу
В начало
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Транзистор П416 — DataSheet
Цоколевка транзистора П416
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П416 | 2N602 | |||
| П416А | 2N604 | ||||
| П416Б | 2SA279 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П416 | — | 100(360*) | |
| П416А | — | 100(360*) | |||
| П416Б | — | 100(360*) | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | П416 | — | ≥40 | МГц |
| П416А | — | ≥60 | |||
| П416Б | — | ≥80 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П416 | — | 12 | В |
| П416А | — | 12 | |||
| П416Б | — | 12 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П416 | — | 3 | В |
| П416А | — | 3 | |||
| П416Б | — | 3 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П416 | — | 25(120*) | мА |
| П416А | — | 25(120*) | |||
| П416Б | 25(120*) | ||||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П416 | 10 В | ≤3 | мкА |
| П416А | 10 В | ≤3 | |||
| П416Б | 10 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П416 | 5 В; 5 мА | 20…80 | |
| П416А | 5 В; 5 мА | ||||
| П416Б | 5 В; 5 мА | 90…250 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П416 | 5 В | ≤8 | пФ |
| П416А | 5 В | ≤8 | |||
| П416Б | 5 В | ≤8 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П416 | — | ≤40 | Ом |
| П416А | — | ≤40 | |||
| П416Б | ≤40 | ||||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П416 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П416А | — | — | |||
| П416Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П416 | — | ≤500; ≤1000* | пс |
| П416А | — | ≤500; ≤1000* | |||
| П416Б | ≤500; ≤1000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор П416 | | Радиодетали в приборах
Транзистор П416
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П416
Золото: 8.0E-5
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0.001
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Поделиться ссылкой:
Похожее
Простой УКВ ЧМ радиопередатчик на одном транзисторе (П416, ГТ313)
Приведена простая схема УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика, который выполнен на одном транзисторе и содержит минимум деталей, может быть подключен к внешнему источнику сигнала: плееру, смартфону, звуковой карте и т.п.
Данный УКВ передатчик работает с частотной модуляцией (ЧМ) в радиовещательном диапазоне 87,5-108 МГц . Выходная мощность передатчика на нагрузке 75 Ом составляет примерно 300 мВт. Дальность действия при резонансе составляет примерно 1 км.
Принципиальная схема
Режим работы транзистора VT1 по постоянному току задаётся резисторами R1, R2 и R3. Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения. Нагрузкой транзистора является колебательный контур L1C3. Во время подачи питания на передатчик, в контуре L1C3 создаются затухающие колебания.
Далее эти ВЧ колебания беспрепятственно проходят через конденсатор обратной связи C2 и поступают на базу транзистора VT1 и усиливаются.
С транзистора усиленные ВЧ колебания поступают в нагрузку – контур L1C3 и, попадая в резонанс с собственными колебаниями контура, снова подаются на базу транзистора через конденсатор С2. Так продолжается непрерывно, пока к передатчику присоединен источник питания и цепь замкнута.
Модулирующее напряжение через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT1. Данное напряжение вызывает изменение ёмкости эмиттерного перехода транзистора VT1 и, тем самым, осуществляется частотная модуляция. Таким образом, транзистор VT1 выполняет функции генератора ВЧ и модулятора радиочастоты.
Рис. 1. Принципиальная схема простого УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика на транзисторе П416.
Катушка индуктивности L1 — бескаркасная, намотку выполняем на сверле диаметром 7мм, на нем наматывается катушка проводом ПЭВ или ПЭЛ диаметром 0,8-1,0 мм. Катушка L1 содержит 5 витков. Шаг намотки 1 мм.
Транзистор П416Б можно заменить на другой высокочастотный — ГТ308А Б В, ГТ313Б, КТ315Г(n-p-n). Лучше всего применить транзистор ГТ313Б поскольку он обладает более расширенным коэффициентом усиления по току (20-250).
Рис. 2. Транзистор ГТ313 (gt313) внешний вид и цоколевка.
Рабочая частота передатчика выбирается конденсатором С3. А мощность и качество частотной модуляции конденсатором С4. Антенна подключается ко второму витку сверху и может быть типа “Волновой Канал” c коэффициентом усиления 1,35. Питается такая антенна по коаксиальному кабелю типа RG-6U с волновым сопротивлением 75 Ом.
Конденсатор С6 устраняет фон переменного тока, если передатчик питается от стабилизированного источника питания. Если же питание производится от батареи типа “Крона”, то конденсатор С6 следует исключить. Потребляемый передатчиком ток составляет лишь 0.4 мА.
Евгений Лапин, г. Верхний Тагил. lapinattn[at]mail.ru.
416, p416«
416, p416«416 (, п-н-п)
| Т = 25С | р — ( — рэнд), C / | |||||||||||||||||||
| Т = 25С | ||||||||||||||||||||
| I , макс. | Я .макс | U R макс (U 0 ), | U 0 макс , | U 0 макс , | P макс , | Т, С | T макс , C | T макс , C | ч 21 (ч 21 ) | У (У ), | я (я ), | U , | I 0 , | f (f макс.) , | К , | С , | С , | т , | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 25…80 | 5 | 5 | 2 | 5 | 40 | 8 | 40 | 1 | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 60..,125 | 5 | 5 | 1,7 | 5 | 60 | 8 | 40 | 1 | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 90…200) | 5 | 5 | 1,7 | 5 | 80 | 8 | 40 | 1 | ||
www.5v.ru
|
