Какие основные параметры имеют транзисторы П416 и П214. Как расшифровывается их маркировка. Где применяются эти транзисторы. В чем их отличия и особенности.
Общая характеристика транзисторов П416 и П214
Транзисторы П416 и П214 — это германиевые полупроводниковые приборы, разработанные в СССР. Несмотря на то, что они были созданы несколько десятилетий назад, эти транзисторы до сих пор находят применение в различных электронных устройствах.
Основные особенности данных транзисторов:
- П416 — маломощный высокочастотный транзистор структуры p-n-p
- П214 — мощный низкочастотный транзистор структуры p-n-p
- Оба изготовлены из германия
- Выпускались в металлостеклянных корпусах
- Имеют буквенно-цифровую маркировку на корпусе
Расшифровка маркировки транзисторов П416 и П214
Маркировка советских транзисторов, таких как П416 и П214, имеет определенную систему. Рассмотрим ее подробнее:
- Первая буква «П» обозначает полупроводниковый прибор
- Цифры после буквы указывают на порядковый номер разработки
- Для П416:
- 4 — германиевый высокочастотный маломощный транзистор
- 16 — порядковый номер разработки в данной группе
- Для П214:
- 2 — германиевый мощный низкочастотный транзистор
- 14 — порядковый номер разработки
- Буква в конце (например, П416А) обозначает группу по параметрам или модификацию
Основные параметры транзистора П416
Транзистор П416 имеет следующие ключевые характеристики:
- Структура: p-n-p
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 12 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 25 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт
- Коэффициент усиления тока:
- П416 (без буквы): 25-80
- П416А: 60-125
- П416Б: 90-200
- Граничная частота коэффициента передачи тока:
- П416 (без буквы): 40 МГц
- П416А: 60 МГц
- П416Б: 80 МГц
Основные параметры транзистора П214
Транзистор П214 характеризуется следующими параметрами:
- Структура: p-n-p
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45 В
- Максимальный ток коллектора: 5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: около 10 Вт (на радиаторе)
- Коэффициент усиления тока:
- П214 (без буквы): 20-60
- П214А: 50-150
- П214Б: 20-150
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 100-150 кГц
Области применения транзистора П416
Транзистор П416, благодаря своим высокочастотным характеристикам, нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Радиоприемники и передатчики УКВ диапазона
- Усилители промежуточной частоты
- Генераторы высокой частоты
- Преобразователи частоты
- Маломощные импульсные схемы
- Измерительные приборы
Где используется транзистор П214
Транзистор П214, будучи мощным низкочастотным прибором, применяется в следующих областях:
- Выходные каскады усилителей низкой частоты
- Схемы переключения
- Преобразователи постоянного напряжения
- Стабилизаторы напряжения
- Импульсные схемы большой мощности
- Регуляторы и управляющие схемы силовой электроники
Особенности конструкции и монтажа
При работе с транзисторами П416 и П214 следует учитывать некоторые конструктивные особенности:
- П416:
- Корпус металлостеклянный
- Эмиттер отмечен цветной точкой на корпусе
- Коллектор расположен посередине
- База находится с противоположной стороны от эмиттера
- П214:
- Корпус металлический, герметичный
- Маркировка нанесена сверху корпуса
- Требует применения радиатора для эффективного отвода тепла
Сравнение характеристик П416 и П214
Хотя оба транзистора изготовлены из германия и имеют структуру p-n-p, они существенно различаются по своим характеристикам и областям применения:
| Параметр | П416 | П214 |
|---|---|---|
| Мощность | Маломощный (100 мВт) | Мощный (около 10 Вт) |
| Частотный диапазон | Высокочастотный (до 80 МГц) | Низкочастотный (до 150 кГц) |
| Максимальный ток коллектора | 25 мА | 5 А |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 12 В | 45 В |
Современные аналоги транзисторов П416 и П214
Хотя транзисторы П416 и П214 до сих пор используются в некоторых устройствах, существуют современные аналоги с улучшенными характеристиками:
- Для П416:
- 2N3394 (NPN)
- BC547 (NPN)
- 2N2222 (NPN)
- Для П214:
- 2N3055 (NPN)
- TIP3055 (NPN)
- MJ2955 (PNP)
При замене на современные аналоги следует учитывать различия в характеристиках и полярности (NPN вместо PNP), а также возможную необходимость изменения схемы включения.
Заключение и рекомендации по использованию
Транзисторы П416 и П214, несмотря на свой возраст, остаются востребованными в определенных областях электроники. Их основные преимущества:
- Проверенная временем надежность
- Доступность и низкая стоимость
- Хорошая совместимость со старыми схемами
Однако при проектировании новых устройств рекомендуется использовать современные аналоги, которые обладают лучшими характеристиками и большей энергоэффективностью. При работе с П416 и П214 необходимо учитывать их чувствительность к температуре и статическому электричеству, а также соблюдать правила монтажа и эксплуатации германиевых транзисторов.
Транзисторы П416 и П214 — маркировка, цоколевка, основные параметры.
Транзисторы П416
Транзисторы П416 — германиевые, маломощные,
высокочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.
Эмиттер находится с краю — отмечен цветной точкой на корпусе.
Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны,
от эмиттера.
На рисунке ниже — маркировка и цоколевка П416.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей
среды +25 по Цельсию.
У транзисторов П416 без буквы
— от 25 до 80
У транзисторов П416А
— от 60 до 125
У транзисторов П416Б
— от 90 до 200
Граничная частота передачи тока.
У транзисторов П416 без буквы
— 40 МГц.
У транзисторов П416А
— 60 МГц.
У транзисторов П416Б
— 80 МГц.
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 12 в.
Максимальный ток коллектора(постоянный) — 25 мА. Обратный ток коллектора
при напряжении эмиттер-коллектор 10в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 3 мкА.Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 50мА и базовом 3мА:
У транзисторов П416 без буквы — 2 в.
У транзисторов П416А, П416Б — 1,7 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА:
— 0,5 в.
Рассеиваемая мощность коллектора — 100 мВт.
Транзисторы П214
Транзисторы П214 — большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка П214.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214В, П214Г — 20.
У транзисторов П214 без буквы —
от 20 до 60.
У транзисторов П214А —
от 50 до 150.
У транзисторов П214Б —
от 20 до 150.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 45в.
Максимальный ток коллектора — 5А.
Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в
и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию
У транзисторов П214 без буквы, П214А — 0,3 мА.
у транзисторов П214Б, П214В,П214Г — 1,5 мА.
Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б — 0,9 в.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А — 2,5 в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А — 1,2 в.
У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А —
Рассеиваемая мощность коллектора — около 10 Вт(на радиаторе).
Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.
На главную страницу
В начало
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
Транзистор П416 — DataSheet
Цоколевка транзистора П416
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | П416 | 2N602 | |||
| П416А | 2N604 | ||||
| П416Б | 2SA279 | ||||
| Структура | — | — | p-n-p | мВт | |
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | П416 | — | 100(360*) | |
| П416А | — | 100(360*) | |||
| П416Б | — | 100(360*) | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | П416 | — | ≥40 | МГц |
| П416А | — | ≥60 | |||
| П416Б | — | ≥80 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | П416 | — | 12 | В |
| П416А | — | 12 | |||
| П416Б | — | 12 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | П416 | — | 3 | В |
| П416А | — | 3 | |||
| П416Б | — | 3 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | П416 | — | 25(120*) | мА |
| П416А | — | 25(120*) | |||
| П416Б | 25(120*) | ||||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | П416 | 10 В | ≤3 | мкА |
| П416А | 10 В | ≤3 | |||
| П416Б | 10 В | ≤3 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | П416 | 5 В; 5 мА | 20…80 | |
| П416А | 5 В; 5 мА | 60…120 | |||
| П416Б | 5 В; 5 мА | 90…250 | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | П416 | 5 В | ≤8 | пФ |
| П416А | 5 В | ≤8 | |||
| П416Б | 5 В | ≤8 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас | П416 | — | ≤40 | Ом |
| П416А | — | ≤40 | |||
| П416Б | ≤40 | ||||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, Pвых | П416 | — | — | Дб, Ом, Вт |
| П416А | — | — | |||
| П416Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | П416 | — | ≤500; ≤1000* | пс |
| П416А | — | ≤500; ≤1000* | |||
| П416Б | ≤500; ≤1000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор П416 | | Радиодетали в приборах
Транзистор П416
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П416
Золото: 8.0E-5
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0.001
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Поделиться ссылкой:
Похожее
Простой УКВ ЧМ радиопередатчик на одном транзисторе (П416, ГТ313)
Приведена простая схема УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика, который выполнен на одном транзисторе и содержит минимум деталей, может быть подключен к внешнему источнику сигнала: плееру, смартфону, звуковой карте и т.п.
Данный УКВ передатчик работает с частотной модуляцией (ЧМ) в радиовещательном диапазоне 87,5-108 МГц . Выходная мощность передатчика на нагрузке 75 Ом составляет примерно 300 мВт. Дальность действия при резонансе составляет примерно 1 км.
Принципиальная схема
Режим работы транзистора VT1 по постоянному току задаётся резисторами R1, R2 и R3. Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения. Нагрузкой транзистора является колебательный контур L1C3. Во время подачи питания на передатчик, в контуре L1C3 создаются затухающие колебания.
Далее эти ВЧ колебания беспрепятственно проходят через конденсатор обратной связи C2 и поступают на базу транзистора VT1 и усиливаются.
С транзистора усиленные ВЧ колебания поступают в нагрузку – контур L1C3 и, попадая в резонанс с собственными колебаниями контура, снова подаются на базу транзистора через конденсатор С2. Так продолжается непрерывно, пока к передатчику присоединен источник питания и цепь замкнута.
Модулирующее напряжение через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT1. Данное напряжение вызывает изменение ёмкости эмиттерного перехода транзистора VT1 и, тем самым, осуществляется частотная модуляция. Таким образом, транзистор VT1 выполняет функции генератора ВЧ и модулятора радиочастоты.
Рис. 1. Принципиальная схема простого УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика на транзисторе П416.
Катушка индуктивности L1 — бескаркасная, намотку выполняем на сверле диаметром 7мм, на нем наматывается катушка проводом ПЭВ или ПЭЛ диаметром 0,8-1,0 мм. Катушка L1 содержит 5 витков. Шаг намотки 1 мм.
Транзистор П416Б можно заменить на другой высокочастотный — ГТ308А Б В, ГТ313Б, КТ315Г(n-p-n). Лучше всего применить транзистор ГТ313Б поскольку он обладает более расширенным коэффициентом усиления по току (20-250).
Рис. 2. Транзистор ГТ313 (gt313) внешний вид и цоколевка.
Рабочая частота передатчика выбирается конденсатором С3. А мощность и качество частотной модуляции конденсатором С4. Антенна подключается ко второму витку сверху и может быть типа “Волновой Канал” c коэффициентом усиления 1,35. Питается такая антенна по коаксиальному кабелю типа RG-6U с волновым сопротивлением 75 Ом.
Конденсатор С6 устраняет фон переменного тока, если передатчик питается от стабилизированного источника питания. Если же питание производится от батареи типа “Крона”, то конденсатор С6 следует исключить. Потребляемый передатчиком ток составляет лишь 0.4 мА.
Евгений Лапин, г. Верхний Тагил. lapinattn[at]mail.ru.
416, p416«
416, p416«416 (, п-н-п)
| Т = 25С | р — ( — рэнд), C / | |||||||||||||||||||
| Т = 25С | ||||||||||||||||||||
| I , макс. | Я .макс | U R макс (U 0 ), | U 0 макс , | U 0 макс , | P макс , | Т, С | T макс , C | T макс , C | ч 21 (ч 21 ) | У (У ), | я (я ), | U , | I 0 , | f (f макс.) , | К , | С , | С , | т , | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 25…80 | 5 | 5 | 2 | 5 | 40 | 8 | 40 | 1 | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 60..,125 | 5 | 5 | 1,7 | 5 | 60 | 8 | 40 | 1 | ||
| 416 | 25 | 120 | 12 | 15 | 3 | 100 | 25 | 85 | 70 | 90…200) | 5 | 5 | 1,7 | 5 | 80 | 8 | 40 | 1 | ||
www.5v.ru
|
