П416 транзистор: Транзисторы П416 и П214 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы П416 и П214 - маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы П416

Транзисторы П416 - германиевые, маломощные, высокочастотные, структуры - p-n-p.
Корпус металлостекляный.
Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса. Эмиттер находится с краю - отмечен цветной точкой на корпусе. Коллектор находится посередине, база с противоположной стороны, от эмиттера. На рисунке ниже - маркировка и цоколевка П416.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала, при температуре окружающей среды +25 по Цельсию.
У транзисторов П416 без буквы - от 25 до 80
У транзисторов П416А - от 60 до 125
У транзисторов П416Б - от 90 до 200

Граничная частота передачи тока.
У транзисторов П416 без буквы - 40 МГц.

У транзисторов П416А - 60 МГц.
У транзисторов П416Б - 80 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер - 12 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) - 25 мА. Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 10в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более - 3 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 50мА и базовом 3мА:
У транзисторов П416 без буквы - 2 в.
У транзисторов П416А, П416Б - 1,7 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10мА и базовом 1мА:
- 0,5 в.

Рассеиваемая мощность коллектора

- 100 мВт.

Транзисторы П214

Транзисторы П214 - большой мощности низкочастотные германиевые сплавные p-n-p. Предназначены для работы в схемах переключения, выходных каскадах усилителей НЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного напряжения. Корпус металлический, герметичный. Маркировка буквенно - цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка П214.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов П214В, П214Г - 20.
У транзисторов П214 без буквы - от 20 до 60.
У транзисторов П214А - от 50 до 150.
У транзисторов П214Б - от 20 до 150.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер - 45в.

Максимальный ток коллектора - 5А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 60в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию У транзисторов П214 без буквы, П214А - 0,3 мА.
у транзисторов П214Б, П214В,П214Г - 1,5 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более - 100 мкА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3 А и базовом 0,35А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А,П214Б - 0,9 в.
У транзисторов П214В,П214Г при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 2,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А:
У транзисторов П214 без буквы, П214А - 1,2 в.
У транзисторов П214Б при коллекторном токе 2 А и базовом 0,3А - 0,9 в.

Рассеиваемая мощность коллектора - около

10 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока - от 100 до 150 КГц.


На главную страницу
В начало

Использование каких - либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

Транзистор П416 — DataSheet

Цоколевка транзистора П416Цоколевка транзистора П416

 

Параметры транзистора
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог П416 2N602
П416А 2N604
П416Б
2SA279
Структура  — p-n-p мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max П416 100(360*)
П416А 100(360*)
П416Б 100(360*)
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max П416 ≥40 МГц
П416А ≥60
П416Б ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., 
U*КЭR проб., U**КЭО проб.
П416 12 В
П416А 12
П416Б 12
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  П416 3 В
П416А 3
П416Б 3
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max П416 25(120*) мА
П416А 25(120*)
П416Б 25(120*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO П416 10 В ≤3 мкА
П416А 10 В ≤3
П416Б 10 В ≤3
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э П416 5 В; 5 мА 20…80
П416А 5 В; 5 мА 60…120
П416Б 5 В; 5 мА 90…250
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э П416 5 В ≤8 пФ
П416А 5 В ≤8
П416Б 5 В ≤8
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас П416 ≤40 Ом
П416А ≤40
П416Б ≤40
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, Pвых П416 Дб, Ом, Вт
П416А
П416Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) П416 ≤500; ≤1000* пс
П416А ≤500; ≤1000*
П416Б ≤500; ≤1000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор П416 | | Радиодетали в приборах

Транзистор П416
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: П416

Золото: 8.0E-5
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0.001
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.

От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

Простой УКВ ЧМ радиопередатчик на одном транзисторе (П416, ГТ313)

Приведена простая схема УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика, который выполнен на одном транзисторе и содержит  минимум деталей, может быть подключен к внешнему источнику сигнала: плееру, смартфону, звуковой карте и т.п.

Данный УКВ передатчик работает с частотной модуляцией (ЧМ) в радиовещательном диапазоне 87,5-108 МГц . Выходная мощность передатчика на нагрузке 75 Ом составляет примерно 300 мВт. Дальность действия при резонансе составляет примерно 1 км.

Принципиальная схема

Режим работы транзистора VT1 по постоянному току задаётся резисторами R1, R2 и R3. Резисторы R1 и R2 образуют делитель напряжения. Нагрузкой транзистора является колебательный контур L1C3. Во время подачи питания на  передатчик, в контуре L1C3 создаются затухающие колебания.

Далее эти ВЧ колебания беспрепятственно проходят через конденсатор обратной связи C2 и поступают на базу транзистора VT1 и усиливаются. 

С транзистора усиленные ВЧ колебания поступают в нагрузку – контур L1C3 и, попадая в резонанс с собственными колебаниями контура, снова подаются на базу транзистора через конденсатор С2. Так продолжается непрерывно, пока к передатчику присоединен источник питания и цепь замкнута.

Модулирующее напряжение через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT1. Данное напряжение вызывает изменение ёмкости эмиттерного перехода  транзистора VT1 и, тем самым, осуществляется частотная модуляция. Таким образом, транзистор VT1 выполняет функции генератора ВЧ и модулятора радиочастоты.

Принципиальная схема простого УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика на транзисторе П416

Рис. 1. Принципиальная схема простого УКВ ЧМ (FM) радиопередатчика на транзисторе П416.

Катушка индуктивности L1 - бескаркасная, намотку выполняем на сверле диаметром 7мм, на нем наматывается катушка проводом ПЭВ или ПЭЛ диаметром 0,8-1,0 мм. Катушка L1 содержит 5 витков. Шаг намотки 1 мм.

Транзистор П416Б можно заменить на другой высокочастотный - ГТ308А Б В, ГТ313Б, КТ315Г(n-p-n). Лучше всего применить транзистор ГТ313Б поскольку он обладает более расширенным коэффициентом усиления по току (20-250).

Транзистор ГТ313 (gt313) внешний вид и цоколевка

Рис. 2. Транзистор ГТ313 (gt313) внешний вид и цоколевка.

Рабочая частота передатчика выбирается  конденсатором С3. А мощность и качество  частотной модуляции конденсатором С4. Антенна подключается ко второму витку сверху и может быть типа “Волновой Канал” c коэффициентом усиления 1,35. Питается такая антенна по коаксиальному кабелю типа RG-6U с волновым сопротивлением 75 Ом.

Конденсатор С6 устраняет фон переменного тока, если передатчик питается от стабилизированного источника питания. Если же питание производится от батареи  типа “Крона”, то конденсатор С6 следует исключить. Потребляемый передатчиком ток составляет лишь 0.4 мА.

Евгений Лапин, г. Верхний Тагил. lapinattn[at]mail.ru.

416, p416``

416, p416``


416 (, п-н-п)


Т = 25С р - ( - рэнд), C /
Т = 25С
I , макс. Я .макс U R макс (U 0 ), U 0 макс , U 0 макс , P макс , Т, С T макс , C T макс , C ч 21
21 )
У ), я ), U , I 0 , f
(f макс.) ,
К , С , С , т ,
416 25 120 12 15 3 100 25 85 70 25...80 5 5 2 5 40 8 40 1
416 25 120 12 15 3 100 25 85 70 60..,125 5 5 1,7 5 60 8 40 1
416 25 120 12 15 3 100 25 85 70 90...200) 5 5 1,7 5 80 8 40 1


www.5v.ru

.

2N1024 104
2N1027 104
2N1028 104
2N104 40
2N105 109
2N1051 604
2N107 115
2N109 20
2N1175 20
2N1204 321
2N1204A 321
2N1218 705
2N1219 104
2N1220 104
2N1221 104
2N1222 104
2N1223 104
2N123 42
2N128 310
2N1292 705
2N130 108
2N1300 308
2N1301 308
2N1303 20
2N131 108
2N131A 108
2N132 108
2N132A 108
2N1321 705
2N1329 705
2N133 108
2N1353 42
2N1354 42
2N139 109
2N1413 20
2N1414 20
2N1415 20
2N1420 630
2N1494A 321
2N1499A 305
2Н1499Б 305
2N1500 305
2N1507 630
2N1524 422
2N1526 422
2N1564 601
2N1565 601
2N1566 602
2N1566A 602
2N1572 309
2N1573 308
2N1574 308
2N1585 311
2N1643 104
2N1681 42
2N1683 308
2N1700 801
2N1701 702
2N1702 803
2N1711 630, г. 630
2N1714 701
2N1716 701
2N1726 701
2N1727 417
2N1728 417
2N1742 313
2N1743 313
2N1745 305
2N1746 417
2N1747 417
2N1748 305
2N175 27
2N1752 417
2N1754 305
2N178 216
2N1785 417
2N1786 417
2N1787 417
2N1838 617
2N1839 617
2N1840 617
2N1854 308
2N1864 417
2N1865 417
2N186A 20, 25
2N1889 630
2N189 25
2N1890 630
2N1893 630
2N190 25
2N191 25
2N1924 21
2N1925 21
2N1926 21
2N193 38
2N1958 608
2N1959 608
2N2020 3117
2N2048 308
2N2048A 308
2N206 108
2N207 108
2N207A 108
2Н207Б 108
2N3010 316
2N3012 347
2N3015 928
2N3019 630
2N3020 630
2N3053 630
2N3054 805
2N3054A 803
2N3055 819
2N3055E 819
2N3107 630
2N3108 630
2N3109 630
2N3110 630
2N3114 611
2N3121 351
2N3127 328, 376
2N3209 347
2N3210 616
2N3248 352
2N3249 345
2N3250 313
2N3250A 313
2N326 705
2N3267 376
2N3279 328
2N3280 328
2N3281 328
2N3282 328
2N3283 328
2N3284 328
2N3286 328
2N3299 608
2N3301 3117
2N3302 3117
2N3304 337
2N331 39
2N3375 904
2N3390 373
2N3391 373
2N3392 373
2N3393 373
2N3394 363
2N3397 315
2N3399 346
2N3440S 904
2N3441 802
2N3442 945
2N3451 337
2N3545 343
2N3546 363
2N3570 399
2N3571 399
2N3572 399
2N3576 347
2N3583 704
2N3584 809
2N3585 704, г. 704
2N3600 368
2N3605 375
2N3606 375
2N3607 375
2N3611 701
2N3613 701
2N368 40
2N369 41
2N3702 345
2N3709 358, 373
2N3710 358, 373
2N3711 3102
2N3712 611
2N3722 608
2N3724 608
2N3730 810
2N3732 905
2N3733 907
2N3738 809
2N3739 809
2N3740 932
2N3741 816, г. 932
2N3742 604
2N3766 805
2N3767 805
2N3839 399
2N387 301
2N3878 908
2N3879 908
2N3880 399
2N3883 320
2N3903 375
2N3904 375, г. 375
2N3905 361
2N3906 361
2N3964 3107
2N4030 933
2N4031 933
2N4034 326, 347
2N4036 933
2N4037 933
2N404 42
2N4046 608
2N405 39
2N406 39
2N4077 705
2N4123 3102
2N4124 3102
2N4125 361
2N4126 3107
2N4127 922
2N4128 922
2N4138 201
2N4207 337
2N4208 337
2N4209 363
2N4231 702
2N4232 702
2N4233 702
2N4237 801
2N4238 801
2N4239 801
2N4240 704, г. 704
2N4260 363
2N4261 363
2N43 25
2N60 20
2Н60А 20
2Н60Б 21
2N60C 21
2N6001 819
2N6011 835
2N602 416
2N603 416
2N604 416
2N6050 825
2N6051 825
2N6052 825
2N6057 827
2N6058 827
2N6059 827
2N6077 812
2N6078 812
.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о