ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики транзисторов: основныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ особСнности примСнСния

КакиС основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзисторов. Как ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ особСнности примСнСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов Π² элСктронных схСмах. Как Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов Π½Π° ΠΈΡ… характСристики ΠΈ возмоТности использования.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΠΈ классификация транзисторов

Вранзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΈΠ· ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… элСмСнтов соврСмСнной элСктроники. Они ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах ΠΈ схСмах для усилСния, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ прСобразования элСктричСских сигналов. По ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторы дСлятся Π½Π° Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ°:

  • БиполярныС транзисторы — Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π·Π° счСт ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ нСосновных носитСлСй заряда
  • ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы — Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π·Π° счСт измСнСния проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм элСктричСского поля

БиполярныС транзисторы Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°:

  • npn-транзисторы
  • pnp-транзисторы

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:


  • МОП-транзисторы (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ)
  • JFET-транзисторы (ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ)

По мощности транзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π°:

  • ΠœΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ (Π΄ΠΎ 0,3 Π’Ρ‚)
  • Π‘Ρ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΉ мощности (0,3-1,5 Π’Ρ‚)
  • ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ (ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,5 Π’Ρ‚)

По частотным свойствам Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚:

  • НизкочастотныС (Π΄ΠΎ 3 ΠœΠ“Ρ†)
  • БрСднСчастотныС (3-30 ΠœΠ“Ρ†)
  • ВысокочастотныС (30-300 ΠœΠ“Ρ†)
  • БвСрхвысокочастотныС (ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300 ΠœΠ“Ρ†)

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° биполярных транзисторов характСризуСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ основными ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (Ξ² ΠΈΠ»ΠΈ h21) — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ измСнСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹
  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (fT) — частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π΄ΠΎ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹
  • Максимально допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ICmax)
  • Максимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCEmax)
  • НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (UCEsat)
  • Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Cin)
  • Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Cout)

КакиС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ возмоТности примСнСния биполярных транзисторов?


  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ влияСт Π½Π° ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства
  • Граничная частота ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π½Π° высоких частотах
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Емкости Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° быстродСйствиС Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… схСмах

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

Для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹:

  • ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики (S) — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ измСнСнию напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС (Vth) — минимальноС напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ стока
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока (IDmax)
  • МаксимальноС напряТСниС сток-исток (VDSmax)
  • Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Ciss)
  • Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Coss)
  • ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (Crss)

На ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ эти ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹?

  • ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° опрСдСляСт ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС влияСт Π½Π° Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния Π·Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹
  • Емкости ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ быстродСйствиС Π½Π° высоких частотах

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСний ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ основныС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов:


  1. Активный (Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ) Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ — транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ сигнала
  2. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки — транзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚
  3. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния — транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ
  4. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ — для биполярных транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

Как Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ влияСт Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора?

  • Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях сигналов
  • Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ отсСчки ΠΈ насыщСния ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСмах
  • Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов

Для биполярных транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ:

  1. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ) — Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  2. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘) — Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° эмиттСр, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°
  3. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ОК) — Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с эмиттСра

ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ особСнности ΠΈ области примСнСния Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ?


  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОЭ обСспСчиваСт усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ΠžΠ‘ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ частотныС свойства, примСняСтся Π½Π° высоких частотах
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° ОК (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ) ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для согласования высокоомного Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ примСнСния МОП-транзисторов

МОП-транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ряд особСнностСй, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈΡ… ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² соврСмСнной элСктроникС:

  • ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС (практичСски Π½Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°)
  • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСниСм, Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ изготовлСния Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ исполнСнии с высокой ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ элСмСнтов
  • НизкоС энСргопотрСблСниС Π² статичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅
  • Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ°Ρ тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ

Для ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ подходят МОП-транзисторы?

  • Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (процСссоры, ΠΏΠ°ΠΌΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€.)
  • АналоговыС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСниС-Ρ‚ΠΎΠΊ
  • УсилитСли с высоким Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм

ВлияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов

Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнноС влияниС Π½Π° характСристики ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС транзисторов:


  • Π‘ ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличиваСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
  • Π£ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ фиксированном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅
  • БниТаСтся коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° высоких частотах
  • Π£ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС МОП-транзисторов
  • БниТаСтся ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ носитСлСй заряда

Как учитываСтся влияниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ элСктронных устройств?

  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ схСмы Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизации Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы с Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠΌ
  • Вводится тСмпСратурная компСнсация Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи
  • ΠžΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ΡΡ эффСктивный Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов

Π¨ΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ характСристики транзисторов

Π¨ΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства транзисторов ΠΈΠ³Ρ€Π°ΡŽΡ‚ Π²Π°ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΡ… усилитСлях. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π² транзисторах:

  • Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΡˆΡƒΠΌ — Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½ хаотичСским Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ носитСлСй заряда
  • Π”Ρ€ΠΎΠ±ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΡˆΡƒΠΌ — связан с дискрСтной ΠΏΡ€ΠΈΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠΉ элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • Π€Π»ΠΈΠΊΠΊΠ΅Ρ€-ΡˆΡƒΠΌ (1/f ΡˆΡƒΠΌ) — ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах
  • Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡˆΡƒΠΌ — обусловлСн флуктуациями ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ носитСлСй

КакиС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π² транзисторных усилитСлях?


  • Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΡ… транзисторов с ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ структурой
  • Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом ΡˆΡƒΠΌΠ°
  • ΠžΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадов усилитСля
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов

ЧастотныС свойства ΠΈ быстродСйствиС транзисторов

ЧастотныС характСристики транзисторов ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° высоких частотах ΠΈ Π² Π±Ρ‹ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСмах. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ быстродСйствиС:

  • Граничная частота коэффициСнта ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (fT)
  • Максимальная частота Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (fmax)
  • ВрСмя нарастания ΠΈ спада ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅
  • Входная ΠΈ выходная Смкости

КакиС Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ быстродСйствиС транзисторов?

  • ВрСмя ΠΏΡ€ΠΎΠ»Π΅Ρ‚Π° носитСлСй Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ
  • Π‘Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Π½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
  • Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ° ΠΈ корпуса транзистора
  • Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ ΠœΠΈΠ»Π»Π΅Ρ€Π° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π₯арактСристики транзистора- основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

Π₯арактСристики транзистора – Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°, которая ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ элСктричСским Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈ напряТСниСм транзистора Π² ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Учитывая, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСмы ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ транзисторов Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ схСмам, ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ с использованиСм ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… для характСристик, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²:

1. Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°: ΠΎΠ½ΠΈ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ измСнСния Π² Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ постоянным.

2. Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°: это Π΄ΠΈΠ°Π³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ°, ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ противостояниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

3. Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°: это кривая характСристик, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² соотвСтствии с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ этом напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ постоянноС.

Вранзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 1. Данная конфигурация дСмонстрируСт Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, высокоС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, высокий коэффициСнт усилСния сопротивлСния ΠΈ высокий коэффициСнт усилСния напряТСния.

Рисунок 1 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Рисунок 2 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ характСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° схСмы Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° эмиттСрС, IE с напряТСниСм Π½Π° Π±Π°Π·Π΅-эмиттСрС, VBE ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅-Π±Π°Π·Π΅, VCB постоянно.


Π’Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для сопротивлСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ выглядит ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (Рисунок 3) Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, IC с VCB, Π³Π΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° эмиттСрС, IE являСтся ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ постоянной. Из ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ:

Рисунок 3 Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Рисунок 4 дСмонстрируСт характСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π°Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ IC с IE, ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ VCB постоянным. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠΉΡΡ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ матСматичСски Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Рисунок 4 Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Вранзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π­Ρ‚Π° конфигурация транзистора ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Рисунок 5) ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт высокоС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, коэффициСнт усилСния напряТСния мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Рисунок 5 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Рисунок 6 дСмонстрируСт характСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° для этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² IB Π² соотвСтствии с VCB, для обСспСчСния постоянного значСния напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅-эмиттСрС, VCE.

Рисунок 6 Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Рисунок 7 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ характСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ измСнСния Π² IE ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π² VCE для постоянных Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ IB.

Рисунок 7 Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π­Ρ‚ΠΈ характСристики Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (Рисунок 8) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ IE с IB, ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ VCE постоянным.

Вранзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ эмиттСра являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС 9. Π­Ρ‚Π° конфигурация обСспСчиваСт срСднСС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, срСднСС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, срСдний коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ коэффициСнт усилСния напряТСния.

Рисунок 9 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Рисунок 10 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ характСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, которая ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² IB Π² соотвСтствии с VBE, Π³Π΄Π΅ VCE являСтся постоянной.

Рисунок 10 Π₯арактСристики Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· рисунка, сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прСдставлСно ΠΊΠ°ΠΊ:

Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π° Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ (Рисунок 11) Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ характСристики ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² IC с измСнСниями Π² VCE, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° IB удСрТиваСтся постоянной. Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

Рисунок 11 Π₯арактСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π­Ρ‚ΠΈ характСристики Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ IC с IB, ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ VCE Π² качСствС постоянной. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ матСматичСски Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ:

Π­Ρ‚ΠΎ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ рассматриваСтся ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΎ всСгда большС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹.

Рисунок 12 Π₯арактСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

НаконСц, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ нСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ характСристик Π±Ρ‹Π»ΠΈ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½Π΅Π½Ρ‹ ΠΊΠ°ΡΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ биполярных плоскостных транзисторов, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· являСтся подходящим Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзисторам.

ΠŸΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΈ, дополнСния ΠΊ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ я Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ пропустил. ЗаглянитС Π½Π°Β ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚Ρƒ сайта, Π±ΡƒΠ΄Ρƒ Ρ€Π°Π΄ Ссли Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ Π½Π° ΠΌΠΎΠ΅ΠΌ сайтС Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Π½ΠΈΠ±ΡƒΠ΄ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠ΅.

Π₯арактСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов | ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹ элСктроакустики

Β 

Π₯арактСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзисторов

Β 

Вранзисторы Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ (ΠΏΠΎΠ΄Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹) ΠΏΠΎ классификационным ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ. НапримСр,ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС ΠΈ срСднСчастотныС транзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ частота усилСния ΠΈΠ»ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. Π’ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… случаях особо Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства транзисторов, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ коэффициСнтом ΡˆΡƒΠΌΠ°, ΠΈΠ»ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзисторов Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

ΠœΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ высокочастотныС транзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ статичСскому коэффициСнту усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ) ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŽ коэффициСнта усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° частотС 10…20 ΠœΠ“Ρ†.

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС транзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ статичСскому коэффициСнту усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС с ОЭ.

ΠŸΡ€ΠΈ практичСском использовании транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для расчСта Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° транзистора ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. К этим ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ относятся:

  • Β ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° IΠΊΠΎ β€” Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€β€”Π±Π°Π·Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ эмиттСрС ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Iэо β€” Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр—база ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° эмиттСрС.
  • ΠΠ°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊΠ½ β€” Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… эмиттСрС ΠΈ Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях указываСтся Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния.
  • Β Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора IΠΊΠ· β€” Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях Π½Π° эмиттСрС ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзисторов Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… усилитСлях. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния Π½Π° элСктродах транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ измСрСниях этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с постоянными Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ напряТСниями, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ (Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ смСщСниС). Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π» считаСтся ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ, Ссли ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (ΠΈΠ»ΠΈ напряТСния) Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ измСряСмого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° остаСтся Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… точности ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ свойства, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ сигнала сильно зависят ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. Для характСристики Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ систСма Н-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ составС:

  • Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Н11 β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠΌ измСнСнию Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°;
  • коэффициСнт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ h22 β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅;
  • выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Н22 β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ измСнСнию Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈ условии холостого Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅;
  • коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° h31 β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π²ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ условии ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ индСксам добавляСтся Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ: Π± β€” для схСмы с ΠžΠ‘, э β€” Π² схСмС ОЭ, ΠΊ β€” для схСмы с ОК. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ символы для обозначСния коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ: для схСмы с ΠžΠ‘ β€” Π°, Π° для схСмы с ОЭ β€” Π’ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€.

Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ Н-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, производится Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частотС (50… 1000 Π“Ρ†). Они ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтах низкочастотных усилитСлСй, прСимущСствСнно ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ… каскадов, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π½Π° ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналах. На высокой частотС коэффициСнты усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° становятся комплСксными Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ (Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Н-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹). Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства транзисторов Π½Π° высокой частотС Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»Π΅ΠΌ коэффициСнта усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Β¦Π°Β¦, Β¦h31Π±] ΠΈΠ»ΠΈ Β¦Π’Β¦. Частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Β¦h31Π±l ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° 3 Π΄Π‘ (ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 30%) ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Наш, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частотС, называСтся ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ частотой усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° fa.

ΠœΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС ОЭ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом частоты Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² схСмС ΠžΠ‘. Π’ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ области частот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Β¦h31э¦ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ частотС: Β¦h31э¦=FΡ‚/F. Частота F, β€” граничная частота усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. На этой частотС ΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ ¦Н21э¦ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 1. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅: fΠ°=mFΡ‚ Π³Π΄Π΅ Ρ‚=2 для Π±Π΅Π·Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ‚=1,6 для Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторов.

К ΠΌΠ°Π»ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ относятся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Смкости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора.

  • Β Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π‘ΠΊ β€” Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, измСрСнная ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ эмиттСрС ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.
  • Β Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Бэ β€” Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ, измСрСнная ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ смСщСнии Π½Π° эмиттСрС. ЗначСния СмкостСй Π‘ΠΊ ΠΈ Бэ зависят ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Если, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π‘ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии U, Ρ‚ΠΎ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘ΠΊΡ… ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии U, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹: Π‘ΠΊΡ… = CΠΊ(U/UΡ…)m, Π³Π΄Π΅ m опрСдСляСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ .
  • Максимальная частота Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Fмакс β€” наибольшая частота Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅ Π½Π° транзисторС. Π‘ достаточной Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ FΠΌΠ°ΠΊc β€” частота, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ коэффициСнт усилСния транзистора ΠΏΠΎ мощности Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅.
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° Кш β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΉ мощности ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора ΠΊ части мощности, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠ°ΠΌΠΈ сопротивлСния источника сигнала. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° выраТаСтся Π² Π΄Π΅Ρ†ΠΈΠ±Π΅Π»Π°Ρ…. Π•Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ даСтся для ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ частотного Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π°. Для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° транзисторов ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΡˆΡƒΠΌΡ‹ Π½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° частотах 1000.. .4000 Π“Ρ†. На высоких ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах ΡˆΡƒΠΌΡ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ минимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Рш соотвСтствуСт ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (0,1…0,5 мА) ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниям (0,5… 1,5 Π’). Π¨ΡƒΠΌΡ‹ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Π΅ Π² справочных Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… значСния Π Π΄, относятся ΠΊ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ источника сигнала ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈ слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΡ… усилитСлСй.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ большого сигнала Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ транзистора ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ…. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для расчСта ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСм, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΎΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ высокой частоты, Π°Π²Ρ‚ΠΎΠ³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

  • БтатичСский коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ: Π’cΡ‚=(IΠΊ-IΠΊΠΎ)/(IΠ±+IΠΊΠΎ). Π’ рассматриваСмом случаС Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ сущСствСнно прСвосходят Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1β€žβ€ž, поэтому Π½Π° ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ: Вст=IΠΊ/IΠ±.
  • БтатичСская ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Sст β€” ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ постоянному Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Sст ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для транзисторов срСднСй ΠΈ большой мощности, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ источник Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ сопротивлСниС. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния измСряСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π΅ насыщСния.
  • Π“Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Π° насыщСния β€” это ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ прямого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ транзистор находится Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ насыщСния. НапряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния измСряСтся ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ условиях, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.
  • ВрСмя рассасывания Π’Ρ€ β€” ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΈ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ достигаСт уровня (0,1…0,3)Π•β€ž β€” напряТСниС питания ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ). ВрСмя рассасывания зависит ΠΎΡ‚ Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ насыщСния транзистора ΠΈ измСряСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ².

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

  •  Максимальная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ β€” Раакс- Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² транзисторах ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ рассСиваСмой мощности выдСляСтся Π² области ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ρ‚ΠΎ эта ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ практичСски Ρ€Π°Π²Π½Π° максимальной мощности, рассСиваСмой Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° β€” опрСдСляСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ максимальном напряТСнии Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ максимально допустимой рассСиваСмой мощности.
  • МаксимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора — Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ для расчСта Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС ΠžΠ‘ ΠΈ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эмиттСра.
  • МаксимальноС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСр—база . Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для расчСта Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ дСйствуСт Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС (усилитСли Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π’, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ схСмы).
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром транзистора Uкэ макс ΠΏΡ€ΠΈ условии ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания эмиттСра с Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π’ рядС случаСв этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ приводится ΠΏΡ€ΠΈ условии Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром рСзистора Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния.ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Uкэ макс ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтах Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1 Π’.
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², напряТСний ΠΈ мощности ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ области Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ надСТности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ соотвСтствуСт самой Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ надСТности, Ρ‚ΠΎ использованиС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Π² схСмах, ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… трСбуСтся высокая Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π½Π΅ допускаСтся.

ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π² ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² дСсятки Ρ€Π°Π· ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ допустимыС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ самих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… гарантируСтся ΠΈΡ… надСТная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚Β­ΡΡ исходя ΠΈΠ· условий обСспСчСния Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ радиотСхничСскиС устройства Π½Π° транзисторах Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»ΠΈ Π±Π΅Π·ΠΎΡ‚Β­ΠΊΠ°Π·Π½ΠΎ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ транзисторов Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊ, напряТСния ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ 0,8 ΠΈΡ… максимально до­пустимых Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ.

ЀизичСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов.

К физичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ относятся Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнты ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², сопротивлСния областСй, Смкости ΠΈ Ρ‚. Π΄.

Рассмотрим коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° . ΠŸΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’ΠΎΠ³Π΄Π°

Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄Π²Π° послСдних слагаСмых нСсущСствСнны (Π° послСдний ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всСгда). РассматриваСтся Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ  ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра ΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊΠΎΠΌ.

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

1. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ОсобСнно это сущСствСнно для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ°Π» ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

2. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° коэфф. Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ способствуСт возрастаниС коэфф. ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ большом ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ элСктроны Π½Π΅ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΡŽ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ .

3. ΠŸΡ€ΠΈ дальнСйшСм ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ эффСкты.

1. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ оттСснСния. Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ (Π½Π΅ ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΎΡ‚ эмиттСра Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€) ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ. Из-Π·Π° сопротивлСния Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. (см. рис. транзистора). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Ρ‚Π°ΠΌ большС. Но это пассивная Π±Π°Π·Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ° элСктроны Π΄ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚. ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ

2. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ ΠšΠΈΡ€ΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… элСктроны ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π½Π΅ ΡƒΡΠΏΠ΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Ρ‚.ΠΊ. ΠΈΡ… ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ насыщСния. Они ΡΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ лСгированности ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΡ… заряд сравним с зарядом Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ‚.Π΅. Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ компСнсируСт. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ элСктроны Π΄ΠΎΠ±Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ заряд Π² области Π±Π°Π·Ρ‹, Π³Π΄Π΅ ΡƒΠΆΠ΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд Π°ΠΊΡ†Π΅ΠΏΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎ сокращаСт Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слоя, ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области (заряд Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€ΠΎΠ²), Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΡ Π΅Π³ΠΎ. Π­Ρ‚ΠΎ эквивалСнтно сдвигу ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΎΠ΄Π²ΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ области ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅. Π”Π»ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ возрастаСт,  ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ.

3. Π‘ ростом Ρ‚ΠΎΠΊΠ° возрастаСт ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ Π² области ΠΏΡ€ΠΈΠ»Π΅Π³Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, ΠΈ возрастаСт дырочная ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. (Π£ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ коэффициСнт ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ).

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

1. Ударная ионизация. ΠŸΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… напряТСниях начинаСтся ударная ионизация. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ .

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° основных Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… эффСкта, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… эмиттСра ΠΈ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ и Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. ВсС это связано с ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСрного Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

2. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ Π­Ρ€Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° увСличиваСтся. Π‘Π°Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ .

К физичСским ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ относятся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ сопротивлСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (ΠΈΠ· ВАΠ₯ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°):

Для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ОЭ диффСрСнцируя (Ib = const) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ: Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом I ΠΈ увСличиваСтся с ростом U (Π­Ρ‚ΠΎ слСдуСт ΠΈΠ· рассмотрСния эффСкта Π­Ρ€Π»ΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ U Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ dL/dU ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом U. ВмСстС с этим ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ dWb/dU ΠΈ d/dU).

Для схСмы с ΠžΠ‘ (постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра) Ik = Ie. ΠŸΡ€ΠΈ Ie = const Учитывая , ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ

ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ IΠ­ = const. ΠžΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ эффСкт Π­Ρ€Π»ΠΈ.

Емкости ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΡΠ°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора

Для удобства расчСта схСм Π½Π° транзисторах ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ эквивалСнтными схСмами ΠΈΠ· простых элСмСнтов. Основная Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° модСлирования – ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ связь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ физичСскими ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ элСктричСскими характСристиками.

Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ случаС транзистор модСлируСтся двумя Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, соСдинСнными источниками Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ взаимодСйствиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ — Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²:

Π’ этих Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ прямому Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ взаимодСйствиС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π’ΠΎΠΊΠΈ I1 ΠΈ I2 – Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ.

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ связаны с Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡΠΌΠΈ:

ΠŸΠΎΠ΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ выраТСния для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ², ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ выраТСния для Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² эмиттСра, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹. (Π‘Π°ΠΌΠΎΡΡ‚ΠΎΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ).

Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ — ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π² этой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ.

Π˜Ρ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ модСль Π½Π΅ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ всСх особСнностСй. Она опрСдСляСт Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ статичСскиС характСристики транзистора. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТныС ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ содСрТат большСС число ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ Π½Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ компромисс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈ Π΅Π΅ ΡΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.

ОписаниС МОП-транзистора

ОписаниС МОП-транзистора

  • МОП n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: основными носитСлями ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктроны.
  • МОП p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ носитСлСй ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ.

  • ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅/ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ), ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ количСство элСктронов/Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком.

  • Π’ Ρ‚ опрСдСляСт напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ МОП-транзистор Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ. Для напряТСний ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ Π’ Ρ‚ (ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС), ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ.
  • ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком (Π’ дс ).
  • Π’ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ (I дс = 0) ΠΏΡ€ΠΈ V гс = 0 ΠΈΠ·-Π·Π° встрСчно-ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… pn-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

  • Для n-MOS с V гс > Π’ Ρ‚Π½ , элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ притягиваСт элСктроны, создавая ΠΊΠ°Π½Π°Π».
  • Канал прСдставляСт собой ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ инвСртируСтся Π² n-Ρ‚ΠΈΠΏ элСктронами, притягиваСмыми элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.
  • Π’Ρ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹, основанныС Π½Π° Π·Π²Π΅Π·Π΄Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ V . гс : Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅, истощСниС ΠΈ инвСрсия.
  • Π‘ Π’ дс Π½Π΅Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ, ΠΊΠ°Π½Π°Π» становится мСньшС Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ стоку.

  • Когда V дс <= Π’ гс — Π’ Ρ‚ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, V дс = 3Π’, Π’ гс = 5Π’ ΠΈ Π’ Ρ‚ = 1Π’), ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎ стока (Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ V Π³Π΄ > Π’ Ρ‚ ).

  • Π­Ρ‚ΠΎ называСтся Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ , рСзистивный ΠΈΠ»ΠΈ нСнасыщСнный ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΡ€Π°ΠΉ. я дс являСтся Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ V гс ΠΈ Π’ дс .
  • Когда V дс > Π’ гс — Π’ Ρ‚ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, V дс = 5Π’, Π’ гс = 5Π’ ΠΈ Π’ Ρ‚ = 1Π’), ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΡƒΡ‰ΠΈΠΏΠ½ΡƒΠ» Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ сливу (начиная с V Π³Π΄ < Π’ Ρ‚ ).

  • Π­Ρ‚ΠΎ называСтся насыщСнной ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ. я дс являСтся Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ V гс , ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ V дс .
  • МОП-транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, управляСмый напряТСниСм. я дс β€” Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

  • КакиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ I ? дс ? (ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, V гс ΠΈ Π’ дс фиксированы, Ρ‚.Π΅. 5Π’).
  • РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком (Π΄Π»ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° оксидного слоя Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • ДиэлСктричСская ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΡ†Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ изолятора Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • ΠŸΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ носитСлСй (элСктронов ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>

  • Π‘Π²ΠΎΠ΄ΠΊΠ° характСристик Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ проводимости:
  • ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° : Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅, я дс ΠΏΠΎ сущСству Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Π½ΡƒΠ»ΡŽ.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • НСнасыщСнный : слабая инвСрсия, I дс зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… V гс ΠΈ Π’ дс .
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • НасыщСнный : сильная инвСрсия, I дс идСально Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ V дс .
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π’ Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€. Π§Ρ‚ΠΎ влияСт Π½Π° Π΅Π³ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ?

  • Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… связано со свойствами ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, V Ρ‚ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ опрСдСляСтся Π½Π° ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ изготовлСния, Π° Π½Π΅ условиями схСмы, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ I дс .

  • НапримСр, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π½Π° V Ρ‚ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚:
  • ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (полиэтилСн ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π˜Π·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (SiO 2 ).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ лСгирования ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>

  • Однако V Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ зависит ΠΎΡ‚
  • Π’ сб (напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ источником ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0 Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°: измСняСтся Π½Π° -2 ΠΌΠ’/градус C для Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ лСгирования ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Π’Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΈΠ΄:
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС (ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅):

  • Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния V Ρ‚ для n- ΠΈ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов +/- 700ΠΌΠ’.
  • Из ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ²:
  • ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ лСгирования (N А ).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Оксидная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ (C Π±Ρ‹ΠΊ ).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
  • Заряд состояния повСрхности (Q Ρ„ΠΊ ).
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>

  • Как Π²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅, часто приходится Π½Π°ΡΡ‚Ρ€Π°ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ V . Ρ‚ .
  • РаспространСны Π΄Π²Π° ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π°:
  • Π˜Π·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Q Ρ„ΠΊ Π²Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ нСбольшой Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ области Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° оксид/ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠΌΠΏΠ»Π°Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>

  • Π˜Π·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π‘ Π±Ρ‹ΠΊ с использованиСм Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ изоляционного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° для Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚.
  • Ρ‚ΠΈΠΏ=диск>
    • Π‘Π»ΠΎΠΉ Si 3 β„– 4 (Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ крСмния) с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ диэлСктричСской ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΡ†Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 7,5 сочСтаСтся со слоСм диоксида крСмния (ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ диэлСктричСская ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΡ†Π°Π΅ΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ 3,9).
    • Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ диэлСктричСской проницаСмости ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 6,9.0005

    • Для диэлСктричСского слоя Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ C Π±Ρ‹ΠΊ большС ΠΏΡ€ΠΈ использовании ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ сниТаСт V Ρ‚ .
  • Π’ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ удСрТиваСтся Π½Π° Π½ΡƒΠ»Π΅.
    • Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊΠΈ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° Π½ΡƒΠ»Π΅, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ случаСв ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ соСдинСния, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€,
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ-ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° (V сб ) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² этом соСдинСнии, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€. Π’ сбн1 = 0, Π½ΠΎ V сбн2 /= 0,
  • Π’ сб добавляСт ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°-ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ:
  • ИдСальноС ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка для отсСчка Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½:

  • ИдСальноС ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка для Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½:

  • ИдСальноС ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ порядка для Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½:
  • со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ опрСдСлСниями:
  • Π€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, зависящиС ΠΎΡ‚ процСсса: .

  • Π€Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹, зависящиС ΠΎΡ‚ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ: W ΠΈ L.

  • Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики n- ΠΈ p-транзисторов.
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ расчСта Π±Π΅Ρ‚Π° транзистора:
    • Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния для n-транзистора Π² 1-ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ:

    • Π’Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Π±Π΅Ρ‚Π°:

    • Как эта Π±Π΅Ρ‚Π° соотносится с p-устройствами:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния n-транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² 2,8 Ρ€Π°Π·Π° большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ p-транзистора.
  • Π₯арактСристики ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • Π Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ C являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠΌ. НСбольшоС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π’ Π² , ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π‘ΠžΠ›Π¬Π¨ΠžΠœΠ£ измСнСнию Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π’ ΠΈΠ· .

  • Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ описываСт ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усиливаСтся Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. УсилСниС называСтся усилСниСм транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ обозначаСтся Π±Π΅Ρ‚Π°.

  • И Ρƒ n-, ΠΈ Ρƒ p-транзисторов Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π±Π΅Ρ‚Π°. ИзмСнСниС ΠΈΡ… ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ характСристики Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ.
  • Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ,
  • НЕ влияСт Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

  • Какой Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π°Ρ€Π³ΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·Ρƒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ 1 ΠΊ ?
    • Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ!

  • ВрСмя, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для заряда ΠΈΠ»ΠΈ разряда Смкостной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ .

  • ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Π΅Ρ‚Π° зависит ΠΎΡ‚ W ΠΈ L, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, измСняя Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° транзистора, дСлая p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы ΡˆΠΈΡ€Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ транзисторы.
  • ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ максимум ΡˆΡƒΠΌ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ позволяСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ.

  • Π”Π²Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ° (NM Π› ) ΠΈ высокий запас ΠΏΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡƒ (NM Н ).

  • НМ Π› = Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° Π² Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΠ˜Π—ΠšΠ˜Πœ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΠ˜Π—ΠšΠ˜Πœ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм, распознаваСмым управляСмым Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.
  • ИдСальная характСристика: V ИΠ₯ = Π’ Π˜Π› = (Π’ ОΠ₯ +Π’ ПР )/2.

  • Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ пСрСдаточная характСристика Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ (высокий коэффициСнт усилСния Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ области).

  • Π’ Π˜Π› опрСдСляСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ опрСдСлСния Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния ΠΏΠΎ V ОΠ₯ .
  • ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ характСристики ΠΈ V ПР ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° влияСт ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ .
  • Π’ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ запас ΠΏΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ…ΡƒΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ высокий запас ΠΏΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡƒ для Pseudo-nMOS.

  • ПсСвдо-nMOS Π±Ρ‹Π» популярСн для высокоскоростных схСм, статичСских ΠŸΠ—Π£ ΠΈ PLA.
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: расчСт запаса ΠΏΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡƒ:
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ для ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° псСвдо-nMOS ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для расчСта запаса ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² псСвдо-nMOS.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ΅ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ SPICE для транзисторов

Β 

МСня всСгда ΠΈΠ½Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³ΠΎΠ²Π°Π»ΠΈ истории ΠΌΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π°Ρ†ΠΈΠΈ людСй, Π²Ρ‹Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Π²ΡˆΠΈΡ… ΠΈΠ΄Π΅ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ заставляли нас ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΡ‹ Π΄ΡƒΠΌΠ°Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠΈΠ²Π΅ΠΌ. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях каТСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡƒΡ‚ΠΈ, Π²Π΅Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΊ этим откровСниям; вмСсто этого ΠΎΠ½ΠΈ, каТСтся, ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²ΠΈΠ»ΠΈΡΡŒ сами ΠΏΠΎ сСбС. Π’ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… случаях источником вдохновСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ события. НапримСр, наблюдСниС Π·Π° ΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ яблоком ΠΏΠΎΠ±ΡƒΠ΄ΠΈΠ»ΠΎ сэра Исаака ΠΡŒΡŽΡ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ спуска ΠΎΠ±ΡŠΠ΅ΠΊΡ‚Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΌ ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ Π½Π°ΡˆΠ΅ΠΌΡƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ пониманию Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сСйчас называСтся классичСской Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠΎΠΉ.

Π˜Π·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ объяснСниС двиТСния ΠΏΠ»Π°Π½Π΅Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ занимаСтся классичСская Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ использования ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ физичСскоС ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ вмСсто ΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΎ ΡΠΊΡΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ. Π­Ρ‚Π° ΠΆΠ΅ мСтодология ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ практичСски для всСх исслСдований, проСктирования ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… сСгодня; Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ элСктричСскиС схСмы ΠΈ элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹. НСсомнСнно, эталон модСлирования элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²; Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы, это SPICE. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ инструмСнт ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ для модСлирования повСдСния транзисторов, Π½ΠΎ ΠΈ для простого ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов. ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΡΡ‚ΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ это ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ распространСнныС Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ транзисторов.

Π’ΠΈΠΏΡ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ транзисторов

Π― Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ помню, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΆΠ΄Ρ‹ ΠΌΠ½Π΅ сказали, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Π’ Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ состоит ΠΈΠ· N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π³Π΄Π΅ основными носитСлями ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнныС элСктроны, ΠΈ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π³Π΄Π΅ основными носитСлями ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнныС Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ области, транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ области, NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP. Π”ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° состояния: Π’ΠšΠ› ΠΈ Π’Π«ΠšΠ›, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ нСсколько состояний; Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ насыщСниС, отсСчка, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ [Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ]. Подобно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ покоя, которая опрСдСляСтся Π΅Π³ΠΎ смСщСниСм постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора Π½Π΅ слишком слоТна. По сути, ΠΏΠΎΠΊΠ° рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° находится Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ области, устройство Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠ°ΠΊ это прСдусмотрСно для этого ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ состояния (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ насыщСнноС). Однако Ссли рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора измСнится. МодСли транзисторов Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ для опрСдСлСния Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ΠΎΠ² для этих областСй ΠΈ для Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ покоя (Q), Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°.

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ сущСствуСт Π΄Π²Π° класса ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ транзисторов:

МодСли Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… сигналов для транзисторов

Π­Ρ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для опрСдСлСния смСщСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора Π½Π° основС Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ. НапримСр, биполярныС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы (BJT) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ синфазных ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ:

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр (CE) β€” Π³Π΄Π΅ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру ΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠžΠ±Ρ‰Π°Ρ Π±Π°Π·Π° (CB) — Π³Π΄Π΅ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π±Π°Π·Π΅. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° подаСтся Π½Π° эмиттСр, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал снимаСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (CC) — Π³Π΄Π΅ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал снимаСтся с эмиттСра.

Β 

МодСли ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов для транзисторов

МодСли ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ послС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ модСль Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… сигналов обСспСчиваСт Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ слабого сигнала рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° смСщаСтся ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ смСщСния вдоль ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ ВАΠ₯ Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ сигнала. Для ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ это ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ измСнСнию Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° устройства; Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области Π² отсСчку. МодСли с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сигналом ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΄Π²ΡƒΡ…ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈΠ· ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… распространСнных Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²:

  • H-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹

  • МодСль Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΈ

  • Π’-модСль

Β 

Анализ транзисторов ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ…, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналах Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ, указания извСстных ΠΈΠ»ΠΈ фиксированных Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ матСматичСского Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ для нСизвСстных ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². Π­Ρ‚ΠΈ уравнСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ ΠΈ ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ. Π’ любом случаС ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ инструмСнт, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ. И Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… являСтся ΠŸΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ° модСлирования с Π°ΠΊΡ†Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠΌ Π½Π° ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ извСстная ΠΊΠ°ΠΊ SPICE.

ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ Easy SPICE для вашСй ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ

Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях транзисторы ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ элСктричСских ΠΈΠ»ΠΈ элСктронных Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. И Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ для Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², это дСлаСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ транзистора ΠΈΠ· ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ состояния Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅. Для этого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ достаточно опрСдСлСния ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора с большим сигналом; Π² сочСтании со Π·Π½Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. ΠžΠΏΡΡ‚ΡŒ ΠΆΠ΅, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ BJT Π² качСствС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π°, Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ CE для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области трСбуСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ IB β‰  0A; Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ случаС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· устройство Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹, ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π½Π° коэффициСнт усилСния (IC = Ξ²IB).

ΠŸΡ€ΠΈ использовании SPICE Π²Ρ‹ ΠΎΡΠ²ΠΎΠ±ΠΎΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚Π΅ΡΡŒ ΠΎΡ‚ нСобходимости Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅-Π»ΠΈΠ±ΠΎ матСматичСскиС вычислСния. ВмСсто этого Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»Π΅ΠΉ SPICE ΠΈ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅, взятыС ΠΈΠ· спСцификации устройства ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π²Π°ΠΌΠΈ для опрСдСлСния ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора. Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ кривая смСщСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, получаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ простого модСлирования простой схСмы, содСрТащСй вашС устройство.

Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ VBE-IC для BJT

Β 

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ SPICE для ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ точности транзисторов

ВСроятно, транзисторы Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС усилитСлСй, ΠΈ вСсьма вСроятно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ любая Π’Π§-пСчатная ΠΏΠ»Π°Ρ‚Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ Π²Ρ‹ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚Π΅, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ нСсколько транзисторов. Π₯отя ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… сигналов ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ смСщСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ трСбуСтся, Π²Π°ΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ потрСбуСтся ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов. А с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΡ‹ SPICE Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΠ² Π² Π½Π΅Π΅ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ Смкости, сопротивлСния, Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Ρ†ΠΈΠΈ коэффициСнта усилСния, Ρ€Π°Π½Π½ΠΈΠΉ эффСкт ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹; ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Β 

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ SPICE для BJT

Β 

ΠΠ°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ доступной ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΎΠΉ SPICE являСтся PSpice; Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ Π² ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Ρ‹ Cadence для проСктирования ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Ρ‚; Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ OrCAD ΠΈ Allegro. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ PSpice Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΈ быстро Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов для транзисторов ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ модСлирования Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ…/ΡΠΌΠ΅ΡˆΠ°Π½Π½Ρ‹Ρ… сигналов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²ΠΊΠΎΠΉ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ Π² производство.

Если Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ большС ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρƒ Cadence Π΅ΡΡ‚ΡŒ для вас, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ Π½Π°ΠΌ ΠΈ нашСй ΠΊΠΎΠΌΠ°Π½Π΄Π΅ экспСртов.

Β 

РСшСния Cadence PCB β€” это комплСксный инструмСнт для проСктирования ΠΎΡ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ быстро ΠΈ эффСктивно ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹. Cadence позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡΠΌ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΠΊΠ»Ρ‹ проСктирования ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π² производство с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ соврСмСнного отраслСвого стандарта IPC-2581.

ΠŸΠΎΠ΄ΠΏΠΈΡˆΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Π½Π° Linkedin ΠŸΠΎΡΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ сайт Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π΅Π½Ρ‚Π° ΠΎΡ‚ Cadence PCB Solutions

УЧИВЬ Π‘ΠžΠ›Π¬Π¨Π•

ΠšΠΎΠΌΠΏΡ€ΠΎΠΌΠΈΡΡ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π² схСмотСхникС: Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1

Π‘Π΅Π½Ρ‚ΡΠ±Ρ€ΡŒ 1967 Π³.

БыстроС Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ транзисторной Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ ΠΎ компромиссах ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… транзисторов особСнно своСврСмСнной. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСм, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторы, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ здСсь ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎΠΉ Π² своСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅. Он Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΠΈΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ с Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ вопросами, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΆΠΈΠ·Π½Π΅Π½Π½ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1 посвящСна основным сообраТСниям ΠΈ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ влияниС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° характСристики Π‘Π’Π§-схСмы.

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 2 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠ²ΡΠ·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π’Π§-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ с характСристиками схСмы ΠΈ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ характСристики транзисторов для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ усилитСлСй мощности.

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 3 посвящСна Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ эффСктам Π‘Π’Π§-транзистора ΠΈ сообраТСниям ΠšΠ‘Π’, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ взаимосвязи ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с Π‘Π’Π§-цСпями. Π­.Π’.Π•.

Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ .PDF
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ ΠΈ схСмы высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Ссли это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ.

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ полоТСния

Π’ послСднСС врСмя силовыС радиочастотныС транзисторы быстро ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройствах ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° субгармониках, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½Π° частотах прямого дСйствия. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ состояниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, особСнно максимальная рабочая частота, Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈ транзисторы, Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ прилоТСниям. Π’ настоящСС врСмя доступны транзисторы ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ для ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Ρ‰ΠΈΠΊΠ° схСм Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ прСдставлСниС ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… компромиссах, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ проСктирования ΠΈ достиТимыС характСристики схСмы.

Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора ΠΈ Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ различия Π² высокочастотных характСристиках ΠΈ взаимодСйствии со схСмой. Π­Ρ‚ΠΈ различия ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ связаны с основными ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π’Π§ транзистора. Зная эти взаимосвязи, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊ схСмы смоТСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ различия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами, Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊ оборудования Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π°Π΄Π°ΠΏΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора ΠΊ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ критСриям ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

Биполярный транзистор Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ обСспСчиваСт Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 50 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ 150 ΠœΠ“Ρ† ΠΈ ΠΎΡ‚ 15 Π΄ΠΎ 20 Π’Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ 400 ΠœΠ“Ρ†. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ состояниС ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частоты ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 1. Π­Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ для класса C, выходная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ излучСния. Π’ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ источников ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ энСргии ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ усилитСли класса C Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах с ΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ прямоС усилСниС класса C Π½Π° Π·Π°ΠΏΠ»Π°Π½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ частотС.

Рис. 1. Π‘ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частоты для транзисторов, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Ρ€Ρ‹Π²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ класса C.

  • НС Π²Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ транзистор Π² Π½Π΅ΡΠΎΠ²ΠΌΠ΅ΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ схСму. Π˜Π·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ устройства, ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ схСмы Π½Π° Π΅Π³ΠΎ основС.
  • Π‘ΡƒΠ΄ΡŒΡ‚Π΅ остороТны ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π°. Π’Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ; трСбуя мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ, Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹.
  • Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ устройства ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ†Π΅Π½Π΅ становится дорогостоящСй ошибкой, Ссли ΠΆΠ΅Ρ€Ρ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ.
  • Π’Ρ‹Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ устройство, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ доступно ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСмы.
  • ΠžΡΡ‚Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΎΠ², установлСнных ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ Π² Π΅Π³ΠΎ спСцификациях. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ понимания ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρ‹ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΈ ΠΈΡ… взаимосвязанного использования.
  • НС пСрСусСрдствуйтС с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ устройством. Π”Π°ΠΉΡ‚Π΅ максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ допуски, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‚ΡŒ срСдства ΠΈ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΡ‚ΡŒ доставку устройства ΠΎΡ‚ поставщика.
  • Π£Π·Π½Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³Π°Ρ… устройств ΠΈ ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π² сочСтании. НС вся информация ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… комбинациях ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ всСгда ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π° Π² листы тСхничСских Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ….
  • Π’Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ устройство, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ схСмы, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ всС ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Π£Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ стрСсса часто Π΄ΠΈΠΊΡ‚ΡƒΡŽΡ‚ использованиС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ устройства. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ напряТСния ΠΊ транзистору Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ знания Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ возмоТностСй.
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ Π·Π° ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π» Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ производитСля ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Π“ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ дСшСвлС Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ вопрос Π½Π° Ρ€Π°Π½Π½Π΅ΠΉ стадии проСктирования схСмы, Ρ‡Π΅ΠΌ послС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ всС устройства Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΡƒΠ½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅Π½Ρ‹!

ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ транзисторы – ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ устроСны

Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ . PDF
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ ΠΈ схСмы высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Ссли это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ характСристики транзисторов усилитСля мощности ΠΈ Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° Π² сочСтании с компромиссами схСмы, Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊ схСмы Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ прСдставлСниС ΠΎ конструкции устройства. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ кристалл, стабилизация рСзистора, Ссли ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ, ΠΈ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° устройства ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ для ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот. Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ качСствСнно ΡΠ²ΡΠ·Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ устройства с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ характСристиками схСмы. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½ΠΎ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ устройства ΠΈ различия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ устройствами ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСмСйства транзисторов.

Π‘ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ описан Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ популярный Π² настоящСС врСмя Ρ‚ΠΈΠΏ конструкции транзистора β€” ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Π² настоящСС врСмя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ всСми производитСлями ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² для ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ высокочастотных транзисторов усилитСлСй мощности. Π“Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π½ΠΎ описанныС здСсь ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ качСствСнно Π½Π΅ зависят ΠΎΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΉ. На ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ влияСт гСомСтрия, Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ для всСх Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ².

Базовая конструкция транзистора

Рис. 2. ΠŸΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Π°Ρ конструкция транзистора. Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ основныС элСмСнты.

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора NPN ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 2. Рис. 3 прСдставляСт собой Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄ свСрху, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ встрСчно-ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€Π΅Π²Ρ‹Π΅ соСдинСния (грСбСнчатая структура) областСй эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹; ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Рис. 3. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, Π²ΠΈΠ΄ свСрху, Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ встрСчно-Π³Ρ€Π΅Π±Π΅Π½Ρ‡Π°Ρ‚ΡƒΡŽ структуру. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· популярных шаблонов ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

Вранзисторы для Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких частот ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ физичСской области Ρ‡ΠΈΠΏΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΊ физичСской ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ. Для этого Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ тонкая гСомСтричСская структура излучатСля, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€ΠΈΡ„Π΅Ρ€ΠΈΡŽ излучатСля-Π±Π°Π·Ρ‹ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ физичСской области. Для этого Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠ΅Π»ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ, располоТСнныС Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ТСстких допусков Π½Π° маску, создаСт большС ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ; Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ создаСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ устройство. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ излучатСля Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ мСньшС Π±Ρ‹Π»ΠΎ достигнуто Π² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… устройствах со слабым сигналом (ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ = 10 -6 ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° ΠΈΠ»ΠΈ 3,95 x 10 -5 дюйма). Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ допустимости маски, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, Π΅Ρ‰Π΅ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнуто Π² ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторах большой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ. Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΊΡ‚ΡƒΠ΅Ρ‚ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡŽ эмиттСра ΠΎΡ‚ 3 Π΄ΠΎ 5 ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½ Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΈΠ»ΠΈ сторону ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΊΠΈ для Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° со стороны, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ конструкции. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ эмиттСром. Π§Π΅ΠΌ ΡƒΠΆΠ΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° основания, Ρ‚Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ повСрхностноС сопротивлСниС конструкции ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эффСктивноС сопротивлСниС основания ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌ большС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΊΡ€Π°ΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ высоким, ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π°, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊ внСшним Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ устройства. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠΎΠ΄ эмиттСром, Π²Π΄Π°Π»ΠΈ ΠΎΡ‚ области ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π±Π°Π·Π°-Π±Π°Π·Π°, доступно мСньшСС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈ мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π­Ρ‚ΠΎ эффСкт Β«Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΉ отсСчки».

ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° зависит ΠΎΡ‚ постоянного значСния Π±Π΅Ρ‚Π° (h FE ), ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Π΅Ρ‚Π° зависит ΠΎΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ основания. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° транзистор эффСкт отсСчки становится Ρ…ΡƒΠΆΠ΅, Π° активная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ устройства (Ρ‚ΠΎΠΊ, нСсущий ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ эмиттСра) увСличиваСтся ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Π΅Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Как выглядит активная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 4. По сути, это Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС с ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния частоты этот встроСнный Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот сниТаСт Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр. Активная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты. Для схСмотСхника это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ транзистора ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. К соТалСнию, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ импСданса ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ быстро, ΠΈ выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ измСняСтся лишь Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Рис. 4. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ импСданса Π² ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ прСдставляСт собой Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΡ… частот.

Рис. 5. РаспрСдСлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора для простой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора.

Как выглядит распрСдСлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ частотС для простой ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈ транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 5. Из этого эскиза Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокочастотный транзистор (транзистор с большСй Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΊ физичСской ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅) ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ. НапримСр, Π½Π° рис. 6Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° грубая гСомСтрия ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с рис. 6Π±. Для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ частотС распрСдСлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ. Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ физичСской ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ активная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ транзистора Π½Π° рис. 6b Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС ΠΈΠ·-Π·Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° этой частотС. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ активная ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ Π΄Π°Π΅Ρ‚ больший прирост мощности ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½ΠΈΠΆΠ΅. Однако Ρƒ транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° рис. 6b, Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹, связанныС с ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡ€ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π½Π°Π΄ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΊΠ²ΠΈΠ²Π°Π»Π΅Π½Ρ‚Π½ΡƒΡŽ Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Рис. 6. Как точная гСомСтрия ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ. At являСтся ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΅ΠΉ. Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ физичСской области b ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·-Π·Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ.

Π£ΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ° транзистора

Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ .PDF
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ ΠΈ схСмы высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Ссли это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ.

МногиС доступныС Π² настоящСС врСмя транзисторы Π² большСй стСпСни ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΡ… корпусом, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ возмоТностями самого Ρ‡ΠΈΠΏΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ для высокочастотных силовых устройств с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ импСдансом. ПолноС сопротивлСниС ΠΏΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ большим. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π² корпусировании транзисторов происходит Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡ, особСнно для устройств Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Π‘Π’Π§ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 400 ΠœΠ³Ρ†.

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ корпуса ΠΈ рСзистивныС ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ влияниС Π½Π° характСристики схСмы, Π² частности, Π½Π° полосу пропускания, ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ мощности ΠΈ Ρ„Π°Π·ΠΎΠ²ΡƒΡŽ Π·Π°Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ. Полоса пропускания Π²Π°ΠΆΠ½Π° Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… схСмах связи, Π° ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΡƒΡŽ полосу пропускания Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΡ‡ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов, Ρ‡Π΅ΠΌ для устройств со слабым сигналом.

Рис. 7. ЭквивалСнтная входная схСма для ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ взаимосвязь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ частотой, полосой пропускания, Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм для слабого сигнала.

ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠ΅ прСдставлСниС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ эквивалСнтного транзистора с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 7, Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ взаимосвязь для слабого сигнала ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ полосой пропускания, Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм. Π‘ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ r b ΠΈ C i ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½, ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ количСствСнный Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ· Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½. Однако полоса пропускания большого сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ транзистора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ прСдсказанная Π½Π° основС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² слабого сигнала. Π­Ρ‚ΠΎ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эффСктивноС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС сильного сигнала, r b , Π½ΠΈΠΆΠ΅.

Π˜Π½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ корпуса эмиттСра, L e , сниТаСт усилСниС мощности, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ.

Β Β Β Β Β Β Β 

L e Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°Π΅Ρ‚ импСданс Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (это Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠ°Ρ конфигурация, ΠΈ здСсь ΠΎΠ½Π° рассматриваСтся Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ). Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π° слабого сигнала, Ρ€Π°Π²Π΅Π½ (см. ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ A):

Β Β Β Β 

, Π³Π΄Π΅ r e β€” это комбинация сопротивлСния эмиттСра транзистора ΠΈ сопротивлСния любого внСшнСго эмиттСра.

ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ полосу пропускания, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ±Π»Π΅Π³Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ согласованиС мощности с транзистором. ЦСпь с мСньшСй ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ мСньшСй Π΄ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ мСньшСС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ„Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с настройкой ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи. На рис. 8 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΡƒΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ корпус с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π½Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСр, соСдинСнный с корпусом для обСспСчСния Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ ΠΈ постоянной индуктивности эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ новая концСпция высокочастотного корпуса для транзисторы Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300 ΠœΠ³Ρ†. Π’ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ большСго ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ.

Рис. 8. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ 300 ΠœΠ³Ρ† ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. Для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ основания ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ Π»Π΅Π½Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт Π»ΡƒΡ‡ΡˆΡƒΡŽ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅.

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Если извСстны ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Π΅Π³ΠΎ ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π’Π§-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΈ характСристик схСмы. Π Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΡƒ схСмы ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ взаимосвязь ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ Π’Π§.

ВрСбования EIA для рСгистрации ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ высокочастотного транзистора ΠΏΠΎΠ΄ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ 2N достаточно свободны, Ρ‡Ρ‚ΠΎ допускаСт ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ². ВсС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠ΅ возмоТности; Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠΊΡ‚Ρ‹, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ стандартная рСгистрация EIA. Часто ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ распрСдСлСния ΡƒΠΆΠ΅ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ просто Π·Π° счСт Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†, ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… трСбованиям ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ прилоТСния.

ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр h FE ΠΈ Π±Π΅Ρ‚Π°

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ прямого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, h FE , являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ управлСния для процСсса устройства. ΠœΠ½ΠΎΠΆΠ΅ΡΡ‚Π²ΠΎ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Π’Π§-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ², Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ характСристики схСмы Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ связаны с h FE . ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ напряТСнии ΠΈ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… условиях, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π° Π½Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ влияла рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, h FE увСличиваСтся с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π‘Π΅Ρ‚Π° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ указываСтся ΠΊΠ°ΠΊ для слаботочного, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ ΠΈ максимум ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° слаботочных уровнях; минимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, бСзусловно, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ высоких уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π­Ρ‚ΠΎ восходит ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ„Π°ΠΊΡ‚Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ высоких уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ эффСкт отсСчки Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΡ€ΠΈ высоких уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ° постоянноС Π±Π΅Ρ‚Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ довольно быстро, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° достигаСт высокого уровня. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ h 9Устройства 0030 FE , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ мСньшСС Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ повСрхностноС сопротивлСниС Π² структурС Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΏΠΎΠ΄ эмиттСром транзистора, Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ постоянный h FE ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Устройство с высоким Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ h FE Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ измСнСния h FE Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. И ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ увСличСния h FE устройство достигнСт ΠΏΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ h FE ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ h FE ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 9 для Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… транзисторов 400 Mc. ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ для устройств с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ h FE , ΠΈ это Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ сущСствСнно ΠΏΠΎΠ²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ насыщСния Π½Π° высоких частотах ΠΈ β€‹β€‹Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ мощности ΠΈ модуляции. МногиС ΠΈΠ· основных Π’Π§-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ связаны с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ h FE Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса.

Рис. 9. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ h FE ΠΊ I c для Π΄Π²ΡƒΡ… транзисторов с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ h FE ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ. Π‘Π»ΠΎΠΊ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 5 Π’Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ITT 2N3375; транзистор 15 Π’Ρ‚, ИВВ 3Π’Π•440.

НапряТСниС пробоя

Π‘ΠΊΠ°Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ эту ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡŽ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ‚Π΅ .PDF
Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ Ρ„Π°ΠΉΠ»Π° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π² сСбя Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΡƒ ΠΈ схСмы высокого Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ, Ссли это ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΠΎ.

НапряТСниС пробоя постоянного ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ указываСтся Π² тСхничСских паспортах:

  • BV CEO(SUS) — Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ с Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ высоких уровнях Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ называСтся LV CEO . BV CEO β€” максимальноС напряТСниС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π² Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΉ области (Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°). Π­Ρ‚ΠΎ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Π΄ΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΡ‚ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±Π΅Π· Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π°Π»Π° напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°. Он всСгда измСряСтся Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Иногда ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство энСргии подаСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ возбуТдСния транзистора ΠΎΡ‚ индуктивности, которая ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π°Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ количСство Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ энСргии.
  • BV CER(SUS ) — Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС пробоя ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру с рСзистором, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ производится ΠΊΠ°ΠΊ для BV CEO(SUS) . Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ β€” LV CER ΠΈΠ»ΠΈ LV CES , ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° R BE = 0,
  • .
  • BV CBO — Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС пробоя ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°. Π­Ρ‚ΠΎ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Π’Π§-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ схСмы ΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с этим напряТСниСм пробоя. Для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ довольно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ напряТСния пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° Π² зависимости ΠΎΡ‚ измСнСния ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°.

Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ напряТСния пробоя для Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΊΡΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм ΠΈ для транзистора с высоким сопротивлСниСм ΠΈ толстой эпитаксиСй ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 10. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнно Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ использовании Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… конструкций транзисторов. ВозмоТности ΠšΠ‘Π’ транзистора зависят ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ области ΠΈ этих напряТСний пробоя.

Рис. 10. Π₯арактСристики напряТСния пробоя β€” Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ транзисторы. ΠšΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ слСва относятся ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ слою с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм; справа — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ толстоС ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ устройство с высоким сопротивлСниСм.

  • BV EBO — НапряТСниС пробоя эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ указываСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² области Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ второстСпСнноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для схСмотСхника, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоких частотах, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ заряд, Π° Π½Π΅ внСшнСС ΠΏΠΎΠ»Π΅, управляСт ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ большСй части Ρ†ΠΈΠΊΠ»Π°. Однако Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах этот ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π²Π°ΠΆΠ΅Π½ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ.

Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (C ob )

C ob β€” Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ влияСт Π½Π° настройку схСмы ΠΈ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ относится ΠΊ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром C ob Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ являСтся Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ связано с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ импСданса Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ довольно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ импСданса Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ высокочастотноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сильного сигнала (ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π² Π΄Π²Π° Ρ€Π°Π·Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ слабого сигнала).

Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора фактичСски прСдставляСт собой Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с сопротивлСниСм. Если ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° увСличиваСтся, эффСктивная выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ссли ΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ со стороны Π²Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΡ… ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ссли ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС увСличиваСтся, напряТСниС пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°, BV CBO , Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ увСличиваСтся. ИзмСнСниС Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости. Π’ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ дистрибутив C OB Π² зависимости ΠΎΡ‚ напряТСния пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 11. C OB Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с большим сигналом. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π²Π°Ρ€ΠΈΠ°Π½Ρ‚ транзистора 400-Mc ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 12.

Π­Ρ‚ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π½Π° транзисторС Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ИВВ 3Π’Π­440 ΠΏΡ€ΠΈ f β‰ˆ 1 ΠœΠ³Ρ† ΠΈ V CB = 28 Π’.

Рис. 12. Випичная кривая C ob -V cb для транзистора 400-Mc, Ρ‚ΠΈΠΏ ITT 3TE440. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ с большим сигналом.

Когда транзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ (Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300 мкс), низкая выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½Π° для Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π³ΠΎ коэффициСнта усилСния ΠΈ высокого импСданса схСмы. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Ρ‹Π²Π°ΡΡΡŒ Π½Π° рассмотрСнной Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ Β«Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области», Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΡŽ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ эффСктивно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости ΠΊ допустимой мощности. Однако ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° нСсколько сниТаСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ.

НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Π’ CE(SAT) )

Π’ CE(SAT) β€” Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ всСгда указываСтся ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для силового высокочастотного транзистора. ΠΈ нСсколько Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ понял. НапряТСниС насыщСния указываСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ форсированном h FE (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ наимСньшСм Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΌ h FE , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 8 ΠΈΠ»ΠΈ 10).

Π’ CE(SAT) соотвСтствуСт Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ пробоя ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°; Ρ‚. Π΅. ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² транзисторС. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, устройство с Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм пробоя ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния насыщСния Π½Π° постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π° Π’Π§. Π’ высокочастотных силовых цСпях с большим сигналом транзистор управляСтся ΠΎΡ‚ насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ отсСчки. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ насыщСния опрСдСляСт ΡΡ‚Π΅ΠΏΠ΅Π½ΡŒ колСбания напряТСния. Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ насыщСниСм ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ насыщСниСм ΠΏΠΎ Π’Π§ частично контролируСтся Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΅ΠΉ устройства, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΎ влияСт Π½Π° ΠΎΠ΄Π½Ρƒ ΠΈ Ρ‚Ρƒ ΠΆΠ΅ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ.

ВСрмичСскоС сопротивлСниС (R T )

R T являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, наряду с максимальной номинальной рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, создаСт фактичСскиС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹ уровня рассСяния силовых устройств. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ понятая ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΊΠ°, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ понимания высокочастотной Π³Π΅ΠΎΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΈΠΈ ΠΈ бСзопасных Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Π·ΠΎΠ½.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *