Планарный конденсатор: Конденсатор.Типы конденсаторов.

Конденсатор.Типы конденсаторов.

Типы конденсаторов

Конденсатор – один из самых распространённых радиоэлементов. Роль конденсатора в электронной схеме заключается в накоплении электрического заряда, разделения постоянной и переменной составляющей тока, фильтрации пульсирующего тока и многое другое.

Конструктивно конденсатор состоит из двух проводящих обкладок, изолированных диэлектриком. В зависимости от конструкции и назначения конденсатора диэлектриком может служить воздух, бумага, керамика, слюда.

Основными параметрами конденсаторов являются:

• Номинальная ёмкость. Ёмкость измеряют в Фарадах (Ф). Ёмкость в 1 Фараду очень велика. К примеру, земной шар имеет ёмкость менее 1 Ф, а точнее около 710 мкф. Правда, тут надо понимать, что физики любят аналогии. Говоря про электрическую ёмкость земного шара, они имеют ввиду, что в качестве примера взят металлический шар размером с планету Земля и являющийся уединённым проводником. Это всего лишь аналогия. В технике существует электронный компонент, который обладает ёмкостью более 1 Фарады – это ионистор.

  В основном, в электронике и радиотехнике используются конденсаторы с ёмкостью равной миллионной доле фарады – микрофарада (1мкФ = 0,000001 Ф). Также находят применение конденсаторы с ёмкостями исчисляемыми десятками – сотнями нанофарад (1нФ = 0,000000001 Ф) и пикофарад (1пФ = 0,000000000001 Ф). Номинальную ёмкость указывают на корпусе конденсатора.

  Чтобы не запутаться в сокращениях (мкФ, нФ, пФ), и научиться переводить микрофарады в пикофарады, а нанофарады в микрофарады необходимо знать о сокращённой записи численных величин.

• Номинальное напряжение. Это напряжение, при котором конденсатор выполняет свои функции. При превышении допустимого значения конденсатор будет пробит, то есть, превратится в обычный проводник. Диапазон допустимых значений рабочих напряжений конденсаторов лежит в пределах от нескольких вольт до единиц киловольт (

  1 киловольт – 1 000 вольт). Номинальное напряжение маркируют на корпусе конденсатора.

• Допуск. Также как у резисторов и у конденсаторов есть допустимое отклонение величины его реальной ёмкости от той, что указана на его корпусе. Допуск обозначается в процентах. Допуск у конденсаторов может достигать 20 – 30%. В технике, где требуется особая точность номинальных значений ёмкости, применяются конденсаторы с малым допуском (1% и менее).

Три указанных параметра являются основными. Знание этих параметров достаточно, чтобы самостоятельно подбирать конденсаторы для изготовления самоделок и ремонта электроники.

Изображается конденсатор на принципиальных схемах так, как показано на рисунке.

Типы конденсаторов

Кроме обычных существуют ещё и электролитические конденсаторы. Емкость их намного больше, чем у обычных, следовательно, габариты также существенно больше. Отличительная особенность электролитических конденсаторов – полярность. Если обычные конденсаторы можно впаивать в схему не беспокоясь о полярности прикладываемого к конденсатору напряжения, то электролитический конденсатор необходимо включать в схему строго в соответствии с полярностью напряжения. У электролитических конденсаторов один вывод плюсовой, другой минусовой.

Обозначение электролитического конденсатора на схемах.

Также широкое применение получили подстроечные конденсаторы. Подстроечные конденсаторы необходимы в тех случаях, когда требуется точная подстройка ёмкости в электронной схеме. В таких конденсаторах подстройку ёмкости производят один раз или очень редко.

Обозначается так.

Наряду с подстроечными конденсаторами существуют и конденсаторы переменной ёмкости. В отличие от подстроечных, переменные конденсаторы служат для частой подстройки ёмкости. В простом (не цифровом) приёмнике настройка на радиостанцию как раз и осуществляется с помощью конденсатора переменной ёмкости.

Свойства конденсатора

• Конденсатор не пропускает постоянный ток и является для него изолятором.

• Для переменного тока конденсатор не является преградой. Сопротивление конденсатора (ёмкостное сопротивление) переменному току уменьшается с увеличением его ёмкости и частоты тока, и наоборот, увеличивается с уменьшением его ёмкости и частоты тока.

Свойство конденсатора оказывать разное сопротивление переменному току нашло широкое применение. Конденсаторы используют для фильтрации, отделения одних частот от других, отделения переменной составляющей от постоянной…

Вот так выглядят конденсаторы постоянной ёмкости.

Электролитический конденсатор. Длинный вывод – плюсовой, короткий – минусовой.

Планарный электролитический конденсатор. На корпусе указана номинальная ёмкость – 22 мкФ (22)

, номинальное напряжение – 16 Вольт (16V). Видно, что емкость обозначена только цифрами. Ёмкость электролитических конденсаторов указывается в микрофарадах.

Со стороны отрицательного вывода конденсатора на верхней части корпуса чёрный полукруг.

Главная &raquo Радиоэлектроника для начинающих &raquo Текущая страница

Также Вам будет интересно узнать:

 

Плоский конденсатор. Заряд и емкость конденсатора.

Наряду с резисторами одними из наиболее часто используемых электронных компонентов являются конденсаторы. И в этой статье мы разберемся, из чего они состоят, как работают и для чего применяются! Давайте, в  первую очередь, рассмотрим устройство и принцип работы конденсаторов. А затем плавно перейдем к основным свойствам и характеристикам – заряду, энергии и, конечно же, емкости конденсатора. Как видите, нам сегодня предстоит изучить много интересных моментов 🙂

Плоский конденсатор.

Итак, простейший конденсатор представляет из себя две плоские проводящие пластины, расположенные параллельно друг другу и разделенные слоем диэлектрика. Причем расстояние между пластинами должно быть намного меньше, чем, собственно, размеры пластин:

Такое устройство называется плоским конденсатором, а пластины – обкладками конденсатора. Стоит уточнить, что здесь мы рассматриваем уже заряженный конденсатор (сам процесс зарядки мы изучим чуть позже), то есть на обкладках сосредоточен определенный заряд. Причем наибольший интерес представляет тот случай, когда заряды пластин конденсатора одинаковы по модулю и противоположны по знаку (как на рисунке).

А поскольку на обкладках сосредоточен заряд, между ними возникает электрическое поле. Поле плоского конденсатора, в основном, сосредоточено между пластинами, однако, в окружающем пространстве также возникает электрическое поле, которое называют полем рассеяния. Очень часто его влиянием в задачах пренебрегают, но забывать о нем не стоит.

Для определения величины этого поля рассмотрим еще одно схематическое изображение плоского конденсатора:

Каждая из обкладок конденсатора в отдельности создает электрическое поле:

• положительно заряженная пластина (+q) создает поле, напряженность которого равна E_{+}
• отрицательно заряженная пластина (-q) создает поле, напряженность которого равна E_{-}

Выражение для напряженности поля равномерно заряженной пластины выглядит следующим образом:

E = \frac{\sigma}{2\varepsilon_0\thinspace\varepsilon}

Здесь \sigma– это поверхностная плотность заряда: \sigma = \frac{q}{S}, а \varepsilon – диэлектрическая проницаемость диэлектрика, расположенного между обкладками конденсатора. Поскольку площадь пластин конденсатора у нас одинаковая, как и величина заряда, то и модули напряженности электрического поля, равны между собой:

E_+ = E_- = \frac{q}{2\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S}

Но направления векторов разные – внутри конденсатора вектора направлены в одну сторону, а вне – в противоположные. Таким образом, внутри обкладок результирующее поле определяется следующим образом:

E = E_+ + E_- = \frac{q}{2\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S} + \frac{q}{2\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S} = \frac{q}{\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S}

А какая же будет величина напряженности вне конденсатора? А все просто – слева и справа от обкладок поля пластин компенсируют друг друга и результирующая напряженность равна 0 🙂

Процессы зарядки и разрядки конденсаторов.

С устройством мы разобрались, теперь разберемся, что произойдет, если подключить к конденсатору источник постоянного тока. На принципиальных электрических схемах конденсатор обозначают следующим образом:

Итак, мы подключили обкладки конденсатора к полюсам источника постоянного тока. Что же будет происходить?

Свободные электроны с первой обкладки конденсатора устремятся к положительному полюсу источника. Из-за этого на обкладке возникнет недостаток отрицательно заряженных частиц, и она станет положительно заряженной. В то же время электроны с отрицательного полюса источника тока переместятся ко второй обкладке конденсатора. В результате чего на ней возникнет избыток электронов, соответственно, обкладка станет отрицательно заряженной. Таким образом, на обкладках конденсатора образуются заряды разного знака (как раз этот случай мы и рассматривали в первой части статьи), что приводит к появлению электрического поля, которое создаст между пластинами конденсатора определенную разность потенциалов. Процесс зарядки будет продолжаться до тех пор, пока эта разность потенциалов не станет равна напряжению источника тока. После этого процесс зарядки закончится, и перемещение электронов по цепи прекратится.

При отключении от источника конденсатор может на протяжении длительного времени сохранять накопленные заряды. Соответственно, заряженный конденсатор является источником электрической энергии, это означает, что он может отдавать энергию во внешнюю цепь. Давайте создадим простейшую цепь, просто соединив обкладки конденсатора друг с другом:

В данном случае по цепи начнет протекать ток разряда конденсатора, а электроны начнут перемещаться с отрицательно заряженной обкладки к положительной. В результате напряжение на конденсаторе (разность потенциалов между обкладками) начнет уменьшаться. Этот процесс завершится в тот момент, когда заряды пластин конденсаторов станут равны друг другу, соответственно электрическое поле между обкладками пропадет и по цепи перестанет протекать ток. Вот так и происходит разряд конденсатора, в результате которого он отдает во внешнюю цепь всю накопленную энергию.

Как видите, здесь нет ничего сложного 🙂

Емкость и энергия конденсатора.

Важнейшей характеристикой является электрическая емкость конденсатора. Это физическая величина, которая определяется как отношение заряда конденсатора q одного из проводников к разности потенциалов между проводниками:

C = \frac{q}{\Delta\varphi} = \frac{q}{U}

Емкость конденсатора изменяется в Фарадах, но величина 1 Ф является довольно большой, поэтому чаще всего емкость измерятся в микрофарадах (мкФ), нанофарадах (нФ) и пикофарадах (пФ). А поскольку мы уже вывели формулу для расчета напряженности, то давайте выразим напряжение на конденсаторе следующим образом:

U = Ed = \frac{qd}{\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S}

Здесь у нас d – это расстояние между пластинами конденсатора, а q – заряд конденсатора. Подставим эту формулу в выражение для емкости:

C = \frac{q\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S}{qd} = \frac{\varepsilon_0\thinspace\varepsilon S}{d}

Если в качестве диэлектрика у нас выступает воздух, то во всех формулах можно подставить \varepsilon = 1.

Для запасенной энергии конденсатора справедливы следующие выражения:

W = \frac{CU^2}{2} = \frac{qU}{2} = \frac{q^2}{2C}

Помимо емкости конденсаторы характеризуются еще одним параметром, а именно величиной напряжения, которое может выдержать его диэлектрик. При слишком больших значениях напряжения электроны диэлектрика отрываются от атомов, и диэлектрик начинает проводить ток. Это явление называется пробоем конденсатора, и в результате обкладки оказываются замкнутыми друг с другом. Собственно, характеристикой, которая часто используется при работе с конденсаторами является не напряжение пробоя, а рабочее напряжение. Это такая величина напряжения, при которой конденсатор может работать неограниченно долгое время, и пробоя не произойдет.

Итак, мы сегодня рассмотрели основные свойства конденсаторов, их устройство и характеристики! Так что на этом заканчиваем статью, а в следующей мы будем обсуждать различные варианты соединений и маркировку. Не пропустите!

Плоский конденсатор: формулы, особенности, конструкция

Плоский конденсатор – физическое упрощение, взявшее начало из ранних исследований электричества, представляющее собой конструкцию, где обкладки носят форму плоскостей и в любой точке параллельны.

Формулы

Люди ищут формулы, описывающие ёмкость плоского конденсатора. Читайте ниже любопытные и малоизвестные факты, сухие математические знаки также важны.

Первым определил ёмкость плоского конденсатора Вольта. В его распоряжении ещё не было величины – разница потенциалов, именуемая напряжением, но интуитивно учёный правильно объяснил суть явления. Величину количества зарядов трактовал как объем электрического флюида атмосферы – не совсем правильно, но похоже на правду. Согласно озвученному мировоззрению ёмкость плоского конденсатора находится как отношение объёма накопленного электрического флюида к разнице атмосферных потенциалов:

С = q/U.

Формула применима к любому конденсатору, вне зависимости от конструкции. Признана универсальной. Специально для плоских конденсаторов разработана формула ёмкости, выраженная через свойства материала диэлектрика и геометрические размеры:

В этой формуле через S обозначена площадь обкладок, вычисляемая через произведение сторон, а d – показывает расстояние между обкладками. Прочие символы – электрическая постоянная (8,854 пФ/м) и диэлектрическая проницаемость материала диэлектрика. Электролитические конденсаторы обладают столь большой ёмкостью по понятной причине: проводящий раствор отделен от металла крайне тонким слоем оксида. Следовательно, d оказывается минимальным. Единственный минус – электролитические конденсаторы полярные, их нельзя подключать в цепи переменного тока. С этой целью на аноде или катоде обозначены значками плюса или минуса.

Плоские конденсаторы сегодня редко встречаются, это преимущественно плёночные микроскопические технологии, где указанный род поверхностей считается доминирующим. Все пассивные и активные элементы образуются через трафарет, образуя вид плёнок. Плоские индуктивности, резисторы и конденсаторы наносятся в виде токопроводящих паст.

От материала диэлектрика зависит ёмкость, у каждого собственная структура. Считается, что аморфное вещество состоит из неориентированных диполей, упруго укреплённых на своих местах. При приложении внешнего электрического поля они обратимо ориентируются вдоль силовых линий, ослабляя напряжённость. В результате заряд накапливается, пока процесс не прекратится. По мере выхода энергии из обкладок диполи возвращаются на места, делая возможным новый рабочий цикл. Так функционирует плоский электрический конденсатор.

Конденсатор для уроков

Из истории

Первым начал исследовать накопление заряда великий Алессандро Вольта. В докладе Королевскому научному обществу за 1782 год впервые озвучил слово конденсатор. В понимании Вольты электрофорус, представляющий две параллельные обкладки, выкачивал из эфира электрический флюид.

В давнее время все познания сводились к мнению учёных, будто атмосфера Земли содержит нечто, не определяемое приборами. Присутствовали простейшие электроскопы, способные определить знак заряда и его наличие, не дававшие представления о количестве. Учёные просто натирали мехом поверхность тела и подносили для исследования в область влияния прибора. Гильберт показал, что электрические и магнитные взаимодействия ослабевают с расстоянием. Учёные примерно знали, что делать, но исследования не продвигались.

Гипотеза об атмосферном электричестве высказана Бенджамином Франклином. Он активно исследовал молнии и пришёл к выводу, что это проявления прежней единой силы. Запуская воздушного змея в небо, он соединял игрушку шёлковой нитью с землёй и наблюдал дуговой разряд. Это опасные опыты, и Бенджамин многократно рисковал собственной жизнью ради развития науки. Шёлковая нить проводит статический заряд – это доказал Стивен Грей, первый собравший в 1732 году электрическую цепь.

Уже через 20 лет (1752 год) Бенджамин Франклин предложил конструкцию первого громоотвода, осуществлявшего молниезащиты близлежащих построек. Только вдуматься! – прежде любой ожидал, что дом сгорит от случайного удара. Бенджамин Франклин предложил один вид заряда называть положительным (стеклянный), а второй отрицательным (смоляной). Так физики оказались введены в заблуждение относительно истинного направления движения электронов. Но откуда возьмётся иное мнение, когда в 1802 году на примере опытов россиянина Петрова увидели, что на аноде образуется ямка? Следовательно, положительные частицы переносили заряд на катод, но в действительности это оказались ионы воздушной плазмы.

К началу исследования Вольтой электрических явлений уже известны статические заряды и факт наличия у них двух знаков. Люди упорно считали, что «флюид» берётся из воздуха. На эту мысль натолкнули опыты с натиранием янтаря шерстью, не воспроизводимые под водой. Следовательно, логичным стало предположить, что электричество может происходить исключительно из атмосферы Земли, что, конечно же, неверно. К примеру, многие растворы, исследованные Хампфри Дэви, проводят электрический ток.

Причина, следовательно, иная – при натирании янтаря под водой силы трения снижались в десятки и сотни раз, а заряд рассеивался по объёму жидкости. Следовательно, процесс лишь оказывался неэффективным. Сегодня каждый добытчик знает, что нефть электризуется трением о трубы без воздуха. Следовательно, атмосфера для «флюида» не считается обязательным компонентом.

Самый большой в мире плоский конденсатор

Столь систематизированные, но в корне неверные толкования не остановили Вольту на исследовательском пути. Он упорно изучал электрофорус, как совершенный генератор того времени. Вторым был серный шар Отто фон Герике, изобретённый на век раньше (1663 год). Его конструкция мало менялась, но после открытий Стивена Грея заряд начали снимать при помощи проводников. К примеру, в электрофорной машине применяются металлические гребёнки-нейтрализаторы.

Долгое время учёные раскачивались. Электрофорная машина 1880 года вправе считаться первым мощным генератором разряда, позволявшим получить дугу, но истинной силы электроны достигли в генераторе Ван де Граафа (1929 год), где разница потенциалов составила единицы мегавольта. Для сравнения – грозовое облако, согласно данным Википедии, обнаруживает потенциал относительно Земли в единицы гигавольт (на три порядка больше, чем в человеческой машине).

Суммируя сказанное, с определённой долей уверенности скажем, что природные процессы используют в качестве принципа действия электризацию трением, влиянием и прочие виды, а мощный циклон считается самым большим из известных плоских конденсаторов. Молния показывает, что случается, когда диэлектрик (атмосфера) не выдерживает приложенной разницы потенциалов и пробивается. В точности аналогичное происходит в плоском конденсаторе, созданном человеком, если вольтаж оказывается непомерным. Пробой твёрдого диэлектрика необратим, а возникающая электрическая дуга часто служит причиной расплавления обкладок и выхода изделия из строя.

Электрофорус

Итак, Вольта взялся за исследование модели природных процессов. Первый электрофорус появился в 1762 году сконструированный Йоханом Карлом Вильке. По-настоящему популярным прибор становится после докладов Вольты Королевскому научному обществу (середина 70-х годов XVIII века). Вольта дал прибору нынешнее название.

Вид электрофоруса

Электрофорус способен накапливать электростатический заряд, образованный трением резины куском шерсти. Состоит из двух плоских, параллельных друг другу обкладок:

• Нижняя представляет тонкий кусок резины. Толщина выбирается из соображений эффективности устройства. Если выбрать кусок солиднее, значительная часть энергии станет накапливаться внутри диэлектрика на ориентацию его молекул. Что отмечается в современном плоском конденсаторе, куда диэлектрик помещается для увеличения электроёмкости.
• Верхняя пластина из тонкой стали кладётся сверху, когда заряд уже накоплен трением. За счёт влияния на верхней поверхности образуется избыток отрицательного заряда, снимаемого на заземлитель, чтобы при расстыковке двух обкладок не произошло взаимной компенсации.

Принцип действия плоского конденсатора уже понятен. Оператор трёт резину шерстью, оставляя на ней отрицательный заряд. Сверху кладётся кусок металла. Из-за значительной шероховатости поверхностей они не соприкасаются, но находятся на расстоянии друг от друга. В результате металл электризуется влиянием. Электроны отталкиваются поверхностным зарядом резины и уходят на внешнюю плоскость, где оператор их снимает через заземлитель лёгким кратковременным прикосновением.

Низ металлической обкладки остаётся заряженным положительно. При расстыковке двух поверхностей этот эффект сохраняется, в материале наблюдается дефицит электронов. И заметно искру, если дотронуться до металлической обкладки. Этот опыт допускается на единственном заряде резины проделывать сотни раз, её поверхностное статическое сопротивление крайне велико. Это не даёт заряду растекаться. Демонстрируя описанный опыт, Вольта привлёк внимание научного мира, но исследования не двигались вперёд, если не считать открытий Шарля Кулона.

В 1800 году Алессандро даёт толчок развитию изысканий в области электричества, изобретя знаменитый гальванический источник питания.

Конструкция плоского конденсатора

Электрофорус представляет собой первый из сконструированных плоских конденсаторов. Его обкладки способны хранить только статический заряд, иначе наэлектризовать резину невозможно. Поверхность чрезвычайно долго хранит электроны. Вольта даже предлагал снимать их пламенем свечи через ионизированный воздух или ультрафиолетовым излучением Солнца. Сегодня каждый школьник знает, что явление проделывается водой. Правда, электрофорус потом потребуется высушить.

В современном мире нижней обкладкой служит тефлоновое покрытие или пластик. Они хорошо набирают статический заряд. Диэлектриком становится воздух. Чтобы перейти к конструкции современного конденсатора, нужно обе обкладки сделать металлическими. Тогда при возникновении на одной заряда электризация распространится на вторую, и если другой контакт заземлён, накопленная энергия хранится определённое время.

Конструкция в деталях

Запас электронов напрямую зависит от материала диэлектриков. К примеру, среди современных конденсаторов встречаются:

1. Слюдяные.
2. Воздушные.
3. Электролитические (оксидные).
4. Керамические.

В эти названия заложен материал диэлектрика. От состава зависит напрямую ёмкость, способная увеличиваться многократно. Роль диэлектриков объяснялась выше, их параметры определяются непосредственно строением вещества. Однако многие материалы, обладающие высокими характеристиками, использовать не удаётся по причине их непригодности. К примеру, вода характеризуется высокой диэлектрической проницаемостью.

Плоские конденсаторы, особенности, емкость и энергия плоских конденсаторов

Плоский конденсатор – это очень простое устройство для Емкость плоского конденсатора, зависит от его размеров, а именно от поверхности его обкладок. Также влияет диэлектрик. Основное удобство плоских моделей – их компактность. Они занимают меньше места на плате и схеме, тем сам экономя драгоценное пространство. Выглядит такая радиодеталь в виде двух пластинок, помещенных в тонкий плоский корпус. Электроны движутся с одной обкладки к плюсовому полюсу, то есть противоположный электрод. Преградой является диэлектрик.

В статье содержится вся полезная информация по определению плоского конденсатора, расчету его емкости и отличиям от конденсаторов, имеющие иную форму. В качестве бонуса читателю предложен файл с интересной лекцией, а также видеоролик на данную тему.

Плоский конденсатор.

Электрическая емкость плоского конденсатора

Электрическая емкость плоского конденсатора очень просто выражается через параметры его частей. Изменяя площадь пластин конденсатора и расстояние между ними легко убедиться, что электрическая емкость плоского конденсатора прямо пропорциональна площади его пластин (S) и обратно пропорциональна расстоянию между ними (d).

Емкость плоского конденсатора прямо пропорциональна площади его обкладок и диэлектрической проницаемости материала диэлектрика, разделяющего обкладки, и обратно пропорциональна расстоянию между ними:

C=εε0SdC=εε0Sd

Плоский конденсатор представляет из себя две плоские проводящие пластины, разделенные диэлектриком. Расстояние между пластинами много меньше характерного размера пластин. Поле вдали от краев пластин можно представить в виде суперпозиции полей бесконечно заряженных плоскостей.

Поле вдали от краев обкладок конденсатора

Так как обкладки заряжены равными по величине разноименными зарядами, напряженность поля между обкладками складывается из напряженностей полей каждой из обкладок. Вне обкладок конденсатора их поля противоположно направлены и результирующее поле становится нулевым. Таким образом:

Eрез=E++E−=2⋅σ2εε0Eрез=E++E-=2⋅σ2εε0

Используем связь между напряженностью и напряжением и напряженностью и определение поверхностной плотности заряда

E=UdE=Ud

σ=qSσ=qS

Получаем$

Ud=qεε0SUd=qεε0S

Откуда

C=qU=εε0Sd

Плоский конденсатор

Итак, простейший конденсатор представляет из себя две плоские проводящие пластины, расположенные параллельно друг другу и разделенные слоем диэлектрика. Причем расстояние между пластинами должно быть намного меньше, чем, собственно, размеры пластин. Такое устройство называется плоским конденсатором, а пластины – обкладками конденсатора.

Стоит уточнить, что здесь мы рассматриваем уже заряженный конденсатор (сам процесс зарядки мы изучим чуть позже), то есть на обкладках сосредоточен определенный заряд. Причем наибольший интерес представляет тот случай, когда заряды пластин конденсатора одинаковы по модулю и противоположны по знаку (как на рисунке).

А поскольку на обкладках сосредоточен заряд, между ними возникает электрическое поле, изображенное стрелками на нашей схеме. Поле плоского конденсатора, в основном, сосредоточено между пластинами, однако, в окружающем пространстве также возникает электрическое поле, которое называют полем рассеяния. Очень часто его влиянием в задачах пренебрегают, но забывать о нем не стоит. Для определения величины этого поля рассмотрим еще одно изображение плоского конденсатора:

Плоские конденсаторы

Каждая из обкладок конденсатора в отдельности создает электрическое поле:

• положительно заряженная пластина (+q) создает поле, напряженность которого равна
• отрицательно заряженная пластина (-q) создает поле, напряженность которого равна E_

Здесь – это поверхностная плотность заряда: . А  – диэлектрическая проницаемость диэлектрика, расположенного между обкладками конденсатора. Поскольку площадь пластин конденсатора у нас одинаковая, как и величина заряда, то и модули напряженности электрического поля, равны между собой. Но направления векторов разные – внутри конденсатора вектора направлены в одну сторону, а вне – в противоположные. А какая же будет величина напряженности вне конденсатора? А все просто – слева и справа от обкладок поля пластин компенсируют друг друга и результирующая напряженность равна 0.

Процессы зарядки и разрядки конденсаторов

С устройством мы разобрались, теперь разберемся, что произойдет, если подключить к конденсатору источник постоянного тока. Итак, мы подключили обкладки конденсатора к полюсам источника постоянного тока. Что же будет происходить? Свободные электроны с первой обкладки конденсатора устремятся к положительному полюсу источника, в связи с чем на обкладке возникнет недостаток отрицательно заряженных частиц и она станет положительно заряженной.

В то же время электроны с отрицательного полюса источника тока переместятся ко второй обкладке конденсатора, в результате чего на ней возникнет избыток электронов, соответственно, обкладка станет отрицательно заряженной. Таким образом, на обкладках конденсатора образуются заряды разного знака (как раз этот случай мы и рассматривали в первой части статьи), что приводит к появлению электрического поля, которое создаст между пластинами конденсатора определенную разность потенциалов.

Процесс зарядки будет продолжаться до тех пор, пока эта разность потенциалов не станет равна напряжению источника тока, после этого процесс зарядки закончится, и перемещение электронов по цепи прекратится.

Емкость и энергия конденсатора.

При отключении от источника конденсатор может на протяжении длительного времени сохранять накопленные заряды. Соответственно, заряженный конденсатор является источником электрической энергии, это означает, что он может отдавать энергию во внешнюю цепь. Давайте создадим простейшую цепь, просто соединив обкладки конденсатора друг с другом.

Материал в тему: все о переменном конденсаторе.

В данном случае по цепи начнет протекать ток разряда конденсатора, а электроны начнут перемещаться с отрицательно заряженной обкладки к положительной. В результате напряжение на конденсаторе (разность потенциалов между обкладками) начнет уменьшаться. Этот процесс завершится в тот момент, когда заряды пластин конденсаторов станут равны друг другу, соответственно электрическое поле между обкладками пропадет и по цепи перестанет протекать ток. Вот так и происходит разряд конденсатора, в результате которого он отдает во внешнюю цепь всю накопленную энергию.

Емкость и энергия конденсатора

Важнейшей характеристикой является электрическая емкость конденсатора – физическая величина, которая определяется как отношение заряда конденсатора одного из проводников к разности потенциалов между проводниками. Емкость изменяется в Фарадах, но величина 1 Ф является довольно большой, поэтому чаще всего емкость конденсаторов измерятся в микрофарадах (мкФ), нанофарадах (нФ) и пикофарадах (пФ).

Помимо емкости конденсаторы характеризуются еще одним параметром, а именно величиной напряжения, которое может выдержать его диэлектрик. При слишком больших значениях напряжения электроны диэлектрика отрываются от атомов, и диэлектрик начинает проводить ток. Это явление называется пробоем конденсатора, и в результате обкладки оказываются замкнутыми друг с другом.

Собственно, характеристикой, которая часто используется при работе с конденсаторами является не напряжение пробоя, а рабочее напряжение – то есть величина напряжения, при которой конденсатор может работать неограниченно долгое время, и пробоя не произойдет.

Так как поле сосредоточено внутри конденсатора, то линии напряженности начинаются на одной обкладке и кончаются на другой, поэтому свободные
заряды, которые возникают на разных обкладках, равны по модулю и противоположны по знаку. Под емкостью конденсатора понимается физическая величина, равная отношению заряда Q, накопленного в конденсаторе, к разности потенциалов (φ1 — φ2) между его обкладками. В таблице ниже приведем основные параметры конденсаторов.

Стоит почитать: все об электолитических конденсаторах.

При небольших размерах конденсатор отличается значительной емкостью, не зависящей от наличия вблизи него других зарядов или проводников. Обкладкам конденсатора сообщают одинаковые по модулю, но противоположные по знаку заряды, что способствует накоплению зарядов, так как разноименные заряды притягиваются и поэтому располагаются на внутренних поверхностях пластин. Под зарядом конденсатора понимают заряд одной пластины.

Заключение

Более подробно о том, что такое плоский конденсатор и как рассчитать его электроемкость, можно узнать из статьи “Электроемкость“. Если у вас остались вопросы, можно задать их в комментариях на сайте. Также в нашей группе ВК можно задавать вопросы и получать на них подробные ответы от профессионалов.

Чтобы подписаться на группу, вам необходимо будет перейти по следующей ссылке: https://vк.coм/еlеctroinfonеt. В завершение статьи хочу выразить благодарность источникам, откуда мы черпали информацию:

www.sverh-zadacha.ucoz.ru

www.ru.solverbook.com

www.xn--80ancbkzagjllo.xn--p1ai

www.microtechnics.ru

www.energetik.com.ru

www.easy-physic.ru

Предыдущая

КонденсаторыЧем отличается пусковой конденсатор от рабочего?

Следующая

КонденсаторыЧто такое полярность конденсатора и как ее определить?

Ламинат для встроенных плоских конденсаторов Interra®

Плоский конденсаторный ламинат Interra® HK 04J

DuPont ™ Interra® со встроенным слоистым материалом для плоских конденсаторов используется для создания более тонких и эффективных плоскостей питания и заземления в многослойной печатной монтажной плате.

Interra® HK04J обеспечивает очень низкий импеданс на высоких частотах, развязку силовой шины и снижение электромагнитных помех. Он заменяет байпасные конденсаторы для поверхностного монтажа и их сквозные отверстия, что повышает надежность, гибкость конструкции, размер упаковки и стоимость печатной платы.

Interra® HK04J — это полностью полиимидный диэлектрический ламинат, который предлагает лучшие механические свойства, надежность и стабильность емкости на рынке. Его можно обрабатывать как тонкий гибкий ламинат на этапах процесса проявки / травления / зачистки. Диэлектрик HK04J гибкий, его можно визуализировать и травить для одновременного удаления меди с обеих сторон диэлектрика. HK04J обеспечивает высокую надежность благодаря обработке PWB и в экстремальных условиях PWB (например, марсоход).

Приложения

• Высокоскоростные многослойные печатные платы
• Серверы, маршрутизаторы, телеком
• Задние панели
• Военные и аэрокосмические PWB
• Графические процессоры (GPU)
• PWB с> 4 байпасными конденсаторами SMT на квадратный дюйм

Преимущества встроенной емкости

• Снижение затрат за счет уменьшения количества конденсаторов для поверхностного монтажа и их сквозных металлических отверстий
• Пониженная индуктивность для эффективного энергоснабжения с низким уровнем шума
• Уменьшенный размер платы и количество слоев
• Улучшенная схемотехника
• Повышенная надежность и прочность печатной платы
• Более высокая производительность

Особенности Interra® HK04J

• Однородный полностью полиимидный диэлектрический слой, не расслаивающийся во время обработки
• Высокая прочность на разрыв при инициировании и распространении способствует превосходной управляемости
• Подтвержденная высокая надежность в экстремальных условиях
• Превосходная стабильность емкости в диапазоне частот, температур и напряжений

Конструкции

• Доступны с толщиной меди ½ унции (18 мкм), 1 унция (35 мкм) и 2 унции (70 мкм) в сбалансированных и несбалансированных конструкциях
• Предлагается с электроосажденной обратной обработкой меди IPC 4562 Grade 3.Прокат отожженной меди доступен по запросу
• Доступен с толщиной диэлектрика 1 мил

Сертификаты

.

Класс патентной заявки на планарный конденсатор

478 FOR13 ПРОИЗВОДСТВО ПРОЦЕССА ПОЛУПРОВОДНИКА — Способ изготовления конденсатора полупроводникового устройства включает формирование нижнего металлического слоя над подложкой, формирование диэлектрического слоя поверх нижнего металлического слоя, формирование верхнего металлического слоя над диэлектрическим слоем, формирование верхнего электрода и рисунок диэлектрического слоя путем выполнения процесса реактивного ионного травления по отношению к верхнему металлическому слою с использованием диэлектрического слоя в качестве слоя остановки травления, обнажения верхней поверхности нижнего металлического слоя и выполнения процесса химического последующего травления (CDE) удалить побочный продукт боковой стенки верхнего электрода.901479976987975592815264449913519

Класс / Номер заявки на патент	Описание	Количество патентных заявок / Дата публикации
438393000	Планарный конденсатор	38
200	12-10-2009
201001
Методы формирования полупроводниковых структур — Металлическое покрытие может использоваться для формирования электрических межсоединений, связанных с полупроводниковыми подложками. Например, полупроводниковая подложка может быть сформирована так, чтобы иметь на ней фиктивную структуру с поверхностью, подходящей для химического нанесения покрытия, а также иметь цифровую линию над ней, имеющую примерно ту же высоту, что и фиктивная структура. Слой может быть сформирован поверх фиктивной структуры и цифровой линии, а отверстия могут быть сформированы через слой к верхним поверхностям фиктивной структуры и цифровой линии.Впоследствии токопроводящий материал может быть нанесен химическим способом внутри отверстий для образования электрических контактов внутри отверстий. Отверстие, продолжающееся до фиктивной конструкции, может проходить через электрод конденсатора, и, соответственно, проводящий материал, сформированный внутри такого отверстия, может использоваться для образования электрического контакта с электродом конденсатора.	07-29-2010
200	КОНДЕНСАТОР ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ КОНДЕНСАТОРА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ — Изобретение относится к зажимному приспособлению для изготовления конденсаторных элементов, которые выполнены из полимерного материала и используются для размещения множества конденсаторов. элементы подложек в нем, чтобы таким образом обрабатывать подложки в партии.Зажимное приспособление отличается тем, что его части, на которые он опирается во время процесса, защищены металлическим материалом. Согласно изобретению группа конденсаторов, каждая из которых имеет полупроводниковый слой, служащий одним электродом, может быть одновременно произведена с узким диапазоном емкости и с хорошей точностью, многократно, с использованием зажимного приспособления, имеющего высокую прочность.	10-29-2009
20160027642	Способы формирования конденсаторов — Метод формирования конденсатора включает нанесение диэлектрического слоя оксида металла первой фазы толщиной не более 75 ангстрем на внутренний проводящий электрод конденсатора. материал.Металлооксидный диэлектрический слой первой фазы имеет ток не менее 15. Проводящий RuO	01-28-2016
200	ОБЫЧНО ПЕЧАТИВАЕМЫЙ ЭЛЕМЕНТ НЕЛЕТУЧИЙ ПАССИВНОЙ ПАМЯТИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИХ — Энергонезависимая пассивная память элемент, содержащий на одной поверхности первую электродную систему и вторую электродную систему вместе с изолирующей системой, если только изолирующая система не является поверхностью, при этом первая электродная система изолирована от второй электродной системы, первая и вторая электродные системы являются системы шаблонов и по крайней мере один проводящий или полупроводниковый мост присутствует между первой и второй системами электродов, и в котором энергонезависимое пассивное запоминающее устройство не содержит металлического кремния, а системы и проводящие или полупроводниковые мосты можно печатать с использованием обычных процессов печати с необязательное исключение изолирующей системы, если изолирующей системой является прибой туз.Энергонезависимое пассивное запоминающее устройство, содержащее опору и по меньшей мере на одной стороне опоры вышеупомянутый энергонезависимый пассивный запоминающий элемент. Процесс обеспечения вышеупомянутого энергонезависимого пассивного запоминающего устройства, включающий реализацию на одной поверхности опоры следующих этапов: обеспечение рисунка первой электродной системы, необязательно создание изолирующего рисунка, обеспечение рисунка второй электродной системы, и обеспечение, по меньшей мере, одного проводящего или полупроводникового моста между рисунком первой электродной системы и рисунком второй электродной системы в заранее обозначенных точках, при этом, по меньшей мере, один из этапов реализуется с помощью обычного процесса печати, и два из указанных этапов необязательно выполняются одновременно.	12-10-2009
20110070717	КОНДЕНСАТОРЫ И МЕТОДЫ С ИЗОЛЯТОРАМИ ОКСИДА ПРАЗЕОДИМА — Показаны способы формования и полученные конденсаторы, формируемые этими методами. Монослои, содержащие празеодим, наносятся на подложку, а затем обрабатываются с образованием диэлектриков на основе оксида празеодима. Монослои, содержащие титан или другие металлы, наносятся на подложку, а затем обрабатываются для образования металлических электродов. Полученные конденсаторные конструкции обладают такими свойствами, как улучшенный контроль размеров.Один улучшенный контроль размеров включает толщину. Некоторые результирующие конденсаторные структуры также обладают такими свойствами, как аморфная или нанокристаллическая микроструктура. Выбранные компоненты конденсаторов, сформированные с помощью этих методов, имеют лучшее покрытие ступеней поверх топографии подложки и более надежные механические свойства пленки.	03-24-2011
20100297825	Пассивные компоненты в задней части интегральных схем — Пассивные компоненты формируются в задней части с использованием того же процесса осаждения и материалов, что и в остальной части задней части.Резисторы образуются путем последовательного соединения отдельных структур на n-м, (n + 1) -м и т.д. уровнях задней части. Конденсаторы формируются путем построения набора вертикальных пластин конденсатора из множества уровней на заднем конце, причем пластины формируются путем соединения электродов на двух или более уровнях заднего конца с помощью вертикальных соединительных элементов.	11-25-2010
20100159666	ИНТЕГРАЦИЯ ЕМКОСТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В ФОРМЕ ПЕРОВСКИТНОЙ КЕРАМИКИ — Использование проводящего двумерного перовскита в качестве поверхности раздела между кремниевой, металлической или аморфной оксидной подложкой и осажденным изолирующим перовскитом. путем эпитаксии, а также интегральная схема и процесс ее изготовления, содержащие слой изолирующего перовскита, нанесенный путем эпитаксии для образования диэлектрика емкостных элементов, имеющих по крайней мере электрод, образованный из проводящего двумерного перовскита, образующего границу раздела между указанным диэлектриком и лежащим под ним подложка из кремния, металла или аморфного оксида.	06-24-2010
20150037960	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА — Способ изготовления устройства включает формирование сквозного перехода, идущего от поверхности подложки в подложку. Способ также включает формирование первого изолирующего слоя на поверхности подложки. Способ дополнительно включает формирование первого слоя металлизации в первом изолирующем слое, причем первый слой металлизации электрически соединяет сквозное отверстие. Способ дополнительно включает формирование конденсатора поверх первого слоя металлизации.Конденсатор содержит первый диэлектрический слой конденсатора над первым слоем металлизации и второй диэлектрический слой конденсатора над первым диэлектрическим слоем конденсатора. Способ также включает формирование второго слоя металлизации и электрическое соединение конденсатора.	02-05-2015
200	930	МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР, ВКЛЮЧАЯ НИЖНИЙ МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ ЭЛЕКТРОД, ИМЕЮЩИЙ ПОЛУСФЕРИЧЕСКИЕ МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗЕРНА. — Раскрывается металлический конденсатор, включающий нижний электрод с полусферическими металлическими зернами на нем.Металлический конденсатор включает в себя нижний металлический электрод, содержащий Ti, полусферические металлические зерна, содержащие Pd и сформированные на нижнем металлическом электроде, содержащем Ti, диэлектрический слой, сформированный на нижнем металлическом электроде, содержащем Ti, и полусферические металлические зерна, содержащие Pd, и верхний металлический электрод. формируется на диэлектрическом слое.	10-01-2009
20100159665	КОНДЕНСАТОР, ФОРМОВАННЫЙ НА ПЕРЕКРИСТАЛЛИЗИРОВАННОМ ПОЛИКРЕНИЙНОМ СЛОЕ — Настоящее изобретение обеспечивает полупроводниковое устройство, способ его изготовления и интегральную схему, включающую полупроводниковое устройство.Полупроводниковое устройство, среди других элементов, включает в себя слой рекристаллизованного поликремния. волнообразный конденсатор в слое проводящей структуры. Площадь поверхности конденсатора увеличена по сравнению с ровным конденсатором. Конденсатор соединен с диэлектрическими областями на своей верхней и / или нижней стороне, так что его можно изготавливать способами, которые, возможно, не нужно изменять по сравнению с традиционными методами CMP.	03-04-2010
20140295640	КОНДЕНСАТОРЫ ДЛЯ МИНИМИЗАЦИИ ГРАДИЕНТНЫХ ЭФФЕКТОВ И СПОСОБЫ ИХ ФОРМИРОВАНИЯ — Методы формирования полупроводниковых приборов. Способ включает формирование массива конденсаторов, содержащего множество ячеек в двумерной сетке. Этап формирования включает в себя формирование множества рабочих конденсаторов в первом подмножестве множества ячеек по диагонали массива, причем множество рабочих конденсаторов включает первый рабочий конденсатор, сформированный в ячейке на первом крае массива конденсаторов, и на первом краю диагонали решетки конденсаторов.Этап формирования также включает в себя формирование множества фиктивных шаблонов относительно множества рабочих конденсаторов в массиве конденсаторов во втором подмножестве множества ячеек для достижения симметрии в сетке относительно диагонали. Способ также включает в себя электрическое соединение каждого из множества рабочих конденсаторов с другим из множества рабочих конденсаторов.	10-02-2014
20100167489	MIM-КОНДЕНСАТОР И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОГО ЖЕ — Способ изготовления MIM-конденсатора может включать в себя первый электрод, сформированный на полупроводниковой подложке и / или поверх нее, диэлектрический слой, состоящий из кислородный материал, сформированный на и / или над первым электродом в атмосфере кислорода.Второй электрод сформирован на слое диэлектрика и / или над ним. Поскольку диэлектрический слой формируется в атмосфере кислорода, соотношение кислородного состава диэлектрического слоя увеличивается.	07-01-2010
20100129978	Способ изготовления полупроводникового устройства с MIM-конденсатором — Способ изготовления полупроводникового устройства включает формирование первого изолирующего слоя на полупроводниковой подложке, включающей первую область, формирующую внедренный электродный узор в первом изолирующем слое на первой области, формируя второй изолирующий слой на первом изолирующем слое и на рисунке электродов; формирование участка углубления, который определяет область конденсатора на первой области путем травления первого и второго изолирующих слоев, при этом рисунок электродов расположен в участке углубления, а часть рисунка электродов выступает из нижней поверхности участка углубления, и формирование диэлектрического слоя и верхнего электродного слоя на нижней поверхности углубления и выступающей части электродного рисунка.	05-27-2010
20100035402	Способ изготовления полупроводникового устройства — Способ изготовления полупроводникового устройства включает в себя формирование первой межслойной изолирующей пленки на полупроводниковой подложке; формирование первого отверстия в первой межслойной изолирующей пленке; формирование второй межслойной изолирующей пленки на первой межслойной изолирующей пленке, так что первое отверстие не заполняется; и формирование второго отверстия во второй межслойной изолирующей пленке, так что второе отверстие соединяется с первым отверстием.	02-11-2010
20110053336	МЕТОД ИЗБИРАТЕЛЬНОГО НАСАДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕЙ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ — Способ формирования конденсатора и транзисторного устройства на различных участках поверхности полупроводниковой структуры включает формирование пассивирующего диэлектрического слоя для Устройство; формирование нижнего электрода для конденсатора; формирование удаляемого слоя, проходящего над нижним электродом и над пассивирующим диэлектрическим слоем с окном в нем, при этом такое окно обнажает указанный нижний электрод; нанесение диэлектрического слоя конденсатора из того же или другого материала, что и пассивирующий диэлектрический слой, поверх удаляемого слоя, при этом первые части проходят через окно на обнаженный нижний электрод, а вторые части проходят поверх удаляемого слоя, причем толщина нанесенного слоя отличается от толщина пассивирующего слоя; удаление удаляемого слоя со вторыми участками на нем, оставляя указанные первые участки на нижнем электроде; и формирование верхнего электрода для конденсатора на вторых участках, оставшихся на нижнем электроде.	03-03-2011
20140377933	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ КОНСТРУКЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ. Способ получения металлической структуры в полупроводниковой подложке включает: площадь производимой металлической конструкции, которая простирается до структуры лицевого слоя; заполнение отверстия, по меньшей мере, частично металлом, так что создается металлическая структура, которая простирается от задней стороны полупроводниковой подложки до структуры переднего слоя; маскирование задней стороны полупроводниковой подложки для обработки канавок для обнажения металлической конструкции таким образом, чтобы маска канавки включала решетчатую структуру в области, смежной с металлической структурой; создание изолирующего желоба, примыкающего к металлической конструкции, при этом металлическая конструкция действует как боковой ограничитель травления, а решетчатая структура подрезана сбоку в маске траншеи; и нанесение герметизирующего слоя на маску.	12-25-2014
20100093150	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА — Один процесс изготовления конденсатора согласно настоящему изобретению включает этап формирования слоя благородного металла на одной поверхности подложки, формирование диэлектрического слоя. этап формирования диэлектрического слоя на слое благородного металла, этап формирования металлической фольги для формирования металлической фольги толщиной 10 мкм или более на диэлектрическом слое, этап отделения для отделения слоя благородного металла от диэлектрического слоя на границе раздела. , и этап формирования электродного слоя, на котором формируют электродный слой на второй поверхности диэлектрического слоя, отделенного этапом разделения, при этом вторая поверхность обращена в сторону от первой поверхности диэлектрического слоя с металлической фольгой, сформированной на ней.	04-15-2010
20120156854	СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НАКЛАДНЫХ СЛОЕВ ОКСИДА МЕТАЛЛА — В этом раскрытии описывается способ изготовления пакета полупроводников и связанного с ним устройства, такого как конденсатор или элемент DRAM. В таком устройстве слой на основе диоксида циркония с высоким содержанием K может использоваться в качестве первичного диэлектрика вместе с относительно недорогим металлическим электродом на основе нитрида титана. Чтобы предотвратить повреждение электрода во время формирования устройства, можно использовать тонкий барьерный слой, изолирующий электрод перед использованием высокотемпературного процесса и озонового реагента (высокой концентрации или дозировки) (т.е.е., чтобы создать слой на основе диоксида циркония с высоким содержанием K). В некоторых вариантах реализации барьерный слой также может быть на основе диоксида циркония, например, тонкий слой легированного или нелегированного аморфного диоксида циркония. Изготовление устройства таким образом облегчает создание устройства с диэлектрической проницаемостью более 40 на основе диоксида циркония и нитрида титана и, как правило, помогает производить менее дорогие, все более плотные ячейки DRAM и другие полупроводниковые структуры.	06-21-2012
20110269291	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА, СОСТАВЛЯЮЩИЙ ЕМКОСТНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ — Предусмотрена технология, позволяющая снизить долю брака МОП-конденсатора без необходимости проведения экранирования.	11-03-2011
200	996	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЭЛЕМЕНТА — Способ изготовления конденсатора, который включает изготовление первого электрода, имеющего первую поверхность; формирование выемки в элементе, стенки элемента и первая поверхность первого электрода ограничивают выемку, причем элемент имеет первую поверхность, находящуюся снаружи выемки; формирование диэлектрического слоя на элементе, причем диэлектрический слой ориентирован напротив первой поверхности элемента и напротив стенок элемента внутри выемки; полировку, по меньшей мере, части диэлектрического слоя, ориентированного напротив первой поверхности элемента, чтобы электрически изолировать часть диэлектрического слоя, находящуюся в углублении, от любой части диэлектрического слоя, остающейся вне выемки; и изготовление второго электрода, причем второй электрод ориентирован, по меньшей мере, частично внутри выемки, а диэлектрический слой ориентирован между первым электродом и вторым электродом.	06-11-2009
20080261372	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВИБРАЦИОННЫХ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР — Метод изготовления микромеханических резонаторов из монокристаллического кремния с использованием двухпластинного процесса, включая либо кремний на изоляторе (КНИ), либо изолирующие пластины основания и резонатора, в которых якоря резонатора, емкостный воздушный зазор, изолирующие канавки и метки совмещения микромеханически обработаны в активном слое пластины основания; активный слой пластины резонатора приклеивается непосредственно к активному слою основной пластины; сняты ручка и диэлектрические слои пластины резонатора; в активном слое пластины резонатора открыты смотровые окна; маскирование активного слоя монокристаллического кремниевого полупроводникового материала на пластине резонатора фоторезистивным материалом; монокристаллический кремниевый резонатор обрабатывается в активном слое пластины резонатора с использованием технологии микромеханической обработки кремния сухим травлением; и материал фоторезиста впоследствии удаляется сухим способом.	10-23-2008
200
ОСАЖДЕНИЕ АТОМНОГО СЛОЯ ПЛЕНКИ DY-LOPED HFO2 КАК ДИЭЛЕКТРИКА ЗАДВИЖКИ — Использование осаждения атомных слоев (ALD) для формирования диэлектрического слоя оксида гафния (HfO	06 18-2009
20080305606	ВЕРТИКАЛЬНЫЕ ЕСТЕСТВЕННЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ С ВЫСОКОЙ ЕМКОСТЬЮ — Раскрыты варианты конденсатора с взаимно цифровыми вертикальными пластинами и способ формирования конденсатора, при котором эффективный зазор между пластинами уменьшается.Уменьшение ширины зазора значительно увеличивает плотность емкости конденсатора. Уменьшение ширины зазора достигается во время обработки задней части линии путем маскировки точек соединения с узлами, травления диэлектрического материала между вертикальными пластинами и травления расходуемого материала снизу вертикальных пластин. Травление диэлектрического материала между пластинами образует воздушные зазоры, и можно использовать различные методы, чтобы заставить пластины сжиматься в этих воздушных зазорах после удаления жертвенного материала.Любые оставшиеся воздушные зазоры можно заполнить путем нанесения второго диэлектрического материала (например, диэлектрика с высоким k), который дополнительно увеличит плотность емкости и герметизирует конденсатор, чтобы сделать уменьшенное расстояние между вертикальными пластинами постоянным.	12-11-2008
200
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА СТРУКТУРЫ MIM — Способ изготовления конденсатора конструкции металл / изолятор / металл (MIM) включает формирование нитридной пленки, которая является изолирующим слоем на нижнем электроде. металлический слой; формирование титана / нитрида титана (Ti / TiN), который представляет собой металлический слой верхнего электрода на нитридной пленке; нанесение фоторезиста на металлический слой верхнего электрода и нанесение рисунка на слой фоторезиста; выборочное травление верхнего металлического электродного слоя так, чтобы нитридная пленка оставалась, используя узорчатый слой фоторезиста в качестве маски для травления и используя нитридную пленку в качестве конечной точки; и удаление оставшейся нитридной пленки.	06-25-2009
200
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА-МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТОР ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА — Способ изготовления металл-изолятор-металлический конденсатор полупроводникового прибора. Способ изготовления полупроводникового прибора. В одном примерном варианте осуществления способ изготовления полупроводникового устройства включает в себя различные этапы. Сначала на первой изолирующей пленке, которая сформирована на полупроводниковой подложке, формируют логический металл и нижний металл конденсатора.Затем часть нижнего металла конденсатора выборочно протравливается до заданной глубины. Затем формируется вторая изолирующая пленка на всей верхней поверхности логического металла, первой изолирующей пленки и нижнего металла конденсатора. Затем формируют верхний металлический элемент конденсатора на второй изолирующей пленке в области, соответствующей протравленной части нижнего металла конденсатора. Наконец, третья изолирующая пленка формируется на всей верхней поверхности второй изолирующей пленки и верхнего металла конденсатора.	06-18-2009
200	Силоксановая полимерная композиция, способ формирования рисунка с ее использованием и способ изготовления полупроводника с ее использованием — Силоксановая полимерная композиция включает органический растворитель в количестве примерно От 93 процентов по массе до примерно 98 процентов по массе в расчете на общую массу силоксановой полимерной композиции и силоксанового комплекса в количестве от примерно 2 до примерно 7 процентов по массе в расчете на общую массу силоксана. полимерной композиции, силоксановый комплекс, включающий силоксановый полимер с введенной карбоновой кислотой и представленный формулой 1 ниже,	01-15-2009
200
Полупроводниковое устройство и способ его изготовления — Полупроводниковое устройство включает конденсатор, сформированный на полупроводниковой подложке	05-21-2009
200	МЕТОД ИЗГОТОВЛЕНИЯ ING ПЛОСКИЙ НИЖНИЙ ЭЛЕКТРОД ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА. Раскрыт способ изготовления нижнего электрода планарного типа для полупроводникового прибора.На подложке формируется структура жертвенного слоя. Множественные первые канавки определены в структуре расходуемого слоя, причем эти первые канавки расположены в первом направлении. Первые траншеи заполняются изоляционным материалом для образования изоляционного слоя в каждой первой траншее. Множественные вторые канавки образованы в структуре жертвенного слоя между изоляционными слоями и расположены во втором направлении, так что вторые канавки пересекают первые канавки. Вторые канавки заполнены материалом нижнего электрода для образования слоя нижнего электрода в каждой второй канавке.Изолирующие слои отделяют соответственно нижние электродные слои друг от друга. Наконец, удаление структуры расходуемого слоя определяет приемное пространство двумя соседними изолирующими слоями и двумя соседними слоями нижнего электрода.	01-22-2009
200	809	Метод интеграции MIM-конденсатора с нижней пластиной из металлического материала затвора, сформированной на участке STI, или области силицида, сформированной внутри или на поверхности легированной лунки с Диэлектрический материал с высоким содержанием K — MIM-конденсатор сформирован на полупроводниковой подложке, имеющей верхнюю поверхность и включающую области, сформированные на поверхности, выбранной из области изоляции неглубокой канавки (STI) и легированной лунки, внешние поверхности которой копланарны полупроводниковой подложке.Нижняя пластина конденсатора представляет собой либо нижний электрод, сформированный в области STI в полупроводниковой подложке, либо нижний электрод, образованный легированной лункой, сформированной на верхней поверхности полупроводниковой подложки, которая может иметь силицидную поверхность. Слой диэлектрика HiK конденсатора сформирован на нижней пластине или над ней. Вторая пластина конденсатора сформирована на диэлектрическом слое HiK над нижней пластиной конденсатора. Конструкция с двумя конденсаторами с верхней пластиной может быть сформирована над второй пластиной с переходными отверстиями, соединенными с нижней пластиной, защищенными от второй пластины прокладками на боковой стенке.	01-01-2009
200
ВСТРОЕННЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КОНДЕНСАТОР, ИМЕЮЩИЙ СТРУКТУРЫ РАВНОМЕРНОСТИ ЕМКОСТИ И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЛЯ ЭТОГО. в том числе то же самое. Интегрированный высоковольтный конденсатор, среди прочего, включает в себя первую пластину конденсатора (	03-19-2009
200
ВЫСОКОЕМКОСТНАЯ ПЛОТНОСТЬ ТОНКОПЛЕНКИ ДИЭЛЕКТРИКИ С КОЛОННЫМИ ЗЕРНАМИ, ФОРМИРОВАННЫМИ НА ОСНОВНО-МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ФОЛЬГАХ. Пленочные диэлектрики со столбчатыми зернами и высокими диэлектрическими постоянными формируются на термообработанной и полированной металлической фольге.Напыленные диэлектрики отжигаются при низких парциальных давлениях кислорода.	02-05-2009
200	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА MIM — Варианты осуществления относятся к способу изготовления конденсатора MIM, который позволяет получить желаемую емкость путем управления значением kk тонкой пленки изолятора, образованной между дном и верхние электроды путем регулирования условий легирования плазмой. Конденсатор MIM может быть изготовлен путем формирования нижнего электрода на полупроводниковой подложке.Поверх нижнего электрода может быть сформирована тонкая пленка изолятора. Значение k тонкой пленки изолятора может быть отрегулировано до необязательного диапазона путем выполнения процесса плазменного легирования тонкой пленки изолятора. Верхний электрод может быть сформирован поверх тонкой пленки изолятора.	01-29-2009
438394000	Включая легирование полупроводниковой области	4
20110092045	ЗАКРЫТЫЕ РАЗЪЕМНЫЕ КОНДЕНСАТОРЫ, УСТРОЙСТВА И СИСТЕМЫ, ВКЛЮЧАЯ ТАКЖЕ УСТРОЙСТВА И МЕТОДЫ РАЗВИТИЯ метод.Согласно различным вариантам осуществления, устройство скрытого развязывающего конденсатора включает в себя подложку полупроводник на изоляторе, имеющую область скрытого изолятора и верхнюю область полупроводника на области скрытого изолятора. Вариант осуществления устройства также включает в себя первую пластину конденсатора, имеющую легированную область в верхней полупроводниковой области в подложке полупроводник на изоляторе. Вариант осуществления устройства дополнительно включает диэлектрический материал на первой пластине конденсатора и вторую пластину конденсатора на диэлектрическом материале.Согласно различным вариантам осуществления первая пластина конденсатора, диэлектрический материал и вторая пластина конденсатора образуют развязывающий конденсатор для использования в интегральной схеме.	04-21-2011
20100273307	СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВА, ВКЛЮЧАЯ ЕМКОСТЬ. Раскрыт способ изготовления устройства, включающего в себя емкостную структуру. Один вариант осуществления обеспечивает несущий слой, имеющий поверхность. На поверхности формируется первый диэлектрический слой. Слой кремния, включающий зерна кремния, формируется на первом диэлектрическом слое с использованием процесса осаждения.Второй слой диэлектрика сформирован на втором слое кремния. На диэлектрическом слое сформирован слой электропроводящего материала. Выполняется температурный процесс для нагрева по крайней мере первого диэлектрического слоя. Температура и продолжительность температурного процесса выбираются таким образом, чтобы первый диэлектрический слой модифицировался таким образом, чтобы слой кремния был электрически соединен с несущим слоем.	10-28-2010
20120302033	КОНДЕНСАТОР И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОДНОГО, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИХ — Полупроводниковое устройство содержит область изоляции устройства, сформированную в полупроводниковой подложке. в области устройства, определяемой областью изоляции устройства и сформированной из диффузионного слоя примесей, диэлектрической пленки из термооксидной пленки, сформированной на нижнем электроде, верхнего электрода, сформированного на диэлектрической пленке, изоляционного слоя, сформированного на полупроводниковой подложке, закрывающий верхний электрод, первая вилка проводника, заглубленная в первое контактное отверстие, сформированное до нижнего электрода, и вторая вилка проводника, заглубленная во второе контактное отверстие, образованное до верхнего электрода, причем верхний электрод не сформирован в изоляции устройства область.Верхний электрод не формируется в области изоляции устройства, благодаря чему можно предотвратить короткое замыкание между верхним электродом и нижним электродом в полости.	11-29-2012
20100151654	СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОНДЕНСАТОРА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ НИТРИДНОЙ ПЛЕНКИ Первый этап	Метод формирования полупроводниковой пленки	включает в себя	метод формирования полупроводниковой пленки	. -17-2010

.

Класс патентной заявки на планарный конденсатор

900DUC10

Класс / Номер заявки на патент	Описание	Количество патентных заявок / Дата публикации
438250000	Планарный конденсатор	6
AND 20110070 DE704	SODEMIC ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОГО ЖЕ. — Раскрыто полупроводниковое устройство, включающее в себя кремниевую подложку, снабженную множеством активных областей ячейки в зоне вызова, канавкой изоляции элемента, сформированной на участке между любыми двумя из множества активных областей ячейки, кремниевой подложки, диэлектрической пленки конденсатора, сформированной в канавке изоляции элемента, верхнего электрода конденсатора, сформированного на диэлектрической пленке конденсатора, и конфигурирующего конденсатор вместе с кремниевой подложкой и диэлектрической пленкой конденсатора.Полупроводниковый прибор отличается тем, что на кремниевой подложке рядом с областью ячейки предусмотрена фиктивная активная область.	03-24-2011
20110092035	Формирование резисторов с высоким сопротивлением и конденсаторов большой емкости с помощью одного процесса из поликремния — Полупроводниковое устройство включает в себя транзистор, конденсатор и резистор, причем конденсатор включает в себя слой легированного поликремния функционировать как нижний проводящий слой со слоем салицидного блока (SAB) в качестве диэлектрического слоя, покрытого слоем Ti / TiN в качестве верхнего проводящего слоя, таким образом составляя структуру металл-изолятор-поликремний (MIP) из одного слоя поликремния.В то время как резистор с высокой толщиной листа также сформирован на том же единственном слое поликремния с дифференциальным легированием слоя поликремния.	04-21-2011
20130130451	Полупроводниковое устройство с надежным высоковольтным оксидом затвора и способ его изготовления — полупроводниковое устройство, включающее в себя конденсатор и ближайший высоковольтный затвор, имеющий барьерный слой из бора, который идеально служит как часть диэлектрика конденсатора и (высоковольтного) оксида затвора высокого напряжения.Барьерный слой предпочтительно формируется поверх слоя полиоксида, который, в свою очередь, наносится на подложку, пропитанную для создания соседних лунок, и N-лунку, над которой будет формироваться конденсатор, и P-лунку, на которую накладывается HV. Ворота. Борсодержащий барьер помогает уменьшить или устранить вредные эффекты диффузии бора из P-образной скважины во время нанесения TEOS оксидного материала затвора.	05-23-2013
20080227252	СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДСТАВКИ ТОНКОПЛЕНКИХ ТРАНЗИСТОРОВ — Методы изготовления матриц тонкопленочных транзисторов с использованием трех этапов литографии и одного этапа лазерной абляции, в то время как процедура литографии используется от четырех до пяти раз в обычных процессах.Использование раскрытых способов помогает повысить производительность и снизить производственные затраты.	09-18-2008
438251000	Включая легирование полупроводниковой области	2
20080268591	Способы формирования конденсаторов — Метод формирования конденсатора включает формирование первого конденсаторного электрода на полупроводниковой подложке . На первом электроде конденсатора сформирована диэлектрическая область конденсатора.Диэлектрическая область конденсатора имеет открытую поверхность, содержащую оксид. Открытая содержащая оксид поверхность диэлектрической области конденсатора обрабатывается по меньшей мере одним из борана или силана. Второй конденсаторный электрод наносят на обработанную оксидсодержащую поверхность. Второй конденсаторный электрод имеет внутреннюю металлическую поверхность, контактирующую с обработанной оксидной поверхностью. Предполагаются другие аспекты и реализации.	10-30-2008
20080299723	СПОСОБЫ ФОРМИРОВАНИЯ КОНДЕНСАТОРНЫХ КОНСТРУКЦИЙ — Способ формирования конденсатора включает формирование диэлектрического слоя над подложкой.Поверх диэлектрического слоя формируется проводящий слой. Легирующие добавки имплантируются по крайней мере через один из диэлектрического слоя и проводящего слоя после формирования диэлектрического слоя так, чтобы образовать проводящую область под диэлектрическим слоем, при этом проводящий слой является верхним электродом конденсатора, а проводящая область — нижним. электрод конденсатора.	12-04-2008

.Планарные согласующие трансформаторы

• Конденсаторы мощности Celem

ИзраильТехническая поддержкаКитайКитайКитайКитайГерманияГонконгИндияИталияЯпонияЯпонияПольшаРоссияРоссияЮжная АфрикаЮжная КореяЮжная КореяЮжная Корея Соединенное КоролевствоСоединенные ШтатыСоединенные Штаты

Информация

Компания Jilin Serm Electric Equipments Co., ООО

Мобильный: 15044155788

Факс: 0431 87949733

SCM Future Technologies

Тел. + 91-98732-22934

Тел.+ 91-98103-27979
Телефон + 91120 4991807

J REP Corporation — Осака

www.j-rep.com

Тел. + 81-6-6368-2111

Факс. + 81-6-6368-2114

Jackson Transformer co.

Трансформатор Джексона

Тел. +1 813 879 5811

Факс: +1813870 6405

6800 Бенджамин роуд

Tempa, FL 33634

.