Что такое полупроводники и почему они так важны. Каковы основные свойства полупроводников. Как полупроводники используются в электронных устройствах. Какие виды полупроводников существуют. Как работают основные полупроводниковые приборы.
Что такое полупроводники и их уникальные свойства
Полупроводники — это особый класс материалов, которые по своим электрическим свойствам занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Их главная особенность заключается в том, что их электропроводность сильно зависит от внешних условий и может изменяться в широких пределах.
Основные уникальные свойства полупроводников:
- Электропроводность увеличивается при нагревании (в отличие от металлов)
- Высокая чувствительность к свету — фотопроводимость
- Возможность создания областей с разным типом проводимости
- Сильная зависимость свойств от примесей
- Наличие p-n перехода с односторонней проводимостью
Благодаря этим свойствам полупроводники стали основой современной электроники и нашли широкое применение в различных областях техники.
Основные виды полупроводниковых материалов
Существует несколько основных групп полупроводниковых материалов:
Элементарные полупроводники
К ним относятся химические элементы IV группы периодической системы:
- Кремний (Si) — самый распространенный полупроводник
- Германий (Ge) — первый полупроводник, использованный в электронике
- Углерод (С) в форме алмаза
Полупроводниковые соединения
Это бинарные и более сложные химические соединения, обладающие полупроводниковыми свойствами:
- Соединения AIIIBV (GaAs, InP, GaN и др.)
- Соединения AIIBVI (CdS, ZnSe и др.)
- Карбид кремния (SiC)
- Оксиды металлов (Cu2O, ZnO и др.)
Органические полупроводники
Это органические соединения с полупроводниковыми свойствами, например, полиацетилен. Они используются в органической электронике.
Зонная теория твердого тела и полупроводники
Для понимания свойств полупроводников важна зонная теория твердого тела. Согласно этой теории, в кристаллах существуют разрешенные энергетические зоны, разделенные запрещенной зоной:
- Валентная зона — заполнена электронами при T = 0 K
- Запрещенная зона — область энергий, которые электроны не могут иметь
- Зона проводимости — свободные энергетические уровни
У полупроводников ширина запрещенной зоны составляет порядка 1-3 эВ. Это позволяет электронам при определенных условиях переходить из валентной зоны в зону проводимости, обеспечивая электропроводность материала.
Собственная и примесная проводимость полупроводников
Различают два основных типа проводимости полупроводников:
Собственная проводимость
Это проводимость чистого полупроводника, обусловленная тепловой генерацией пар «электрон-дырка». При повышении температуры электроны из валентной зоны переходят в зону проводимости, оставляя дырки. Оба типа носителей участвуют в проводимости.
Примесная проводимость
Возникает при добавлении примесей в полупроводник. Различают:
- Донорные примеси — создают электронную проводимость n-типа
- Акцепторные примеси — создают дырочную проводимость p-типа
Примесная проводимость намного выше собственной и позволяет управлять свойствами полупроводников.
Основные полупроводниковые приборы и их принцип работы
На основе полупроводников создано множество электронных приборов. Рассмотрим принцип работы некоторых из них:
Полупроводниковый диод
Простейший полупроводниковый прибор на основе p-n перехода. Обладает односторонней проводимостью — пропускает ток только в прямом направлении. Используется для выпрямления переменного тока.
Биполярный транзистор
Содержит два p-n перехода и три области: эмиттер, базу и коллектор. Позволяет усиливать электрические сигналы. Небольшой ток базы управляет большим током коллектора.
Полевой транзистор
Управляется электрическим полем, а не током как биполярный. Имеет высокое входное сопротивление. Широко применяется в современной микроэлектронике.
Тиристор
Многослойная полупроводниковая структура с двумя устойчивыми состояниями. Используется для коммутации больших токов.
Применение полупроводников в современной электронике
Полупроводники нашли широчайшее применение в различных областях техники:
- Микропроцессоры и микросхемы памяти
- Силовая электроника (диоды, тиристоры)
- Оптоэлектроника (светодиоды, фотодиоды, лазеры)
- Солнечные элементы
- Датчики температуры, освещенности, давления
- Полупроводниковые лазеры
Развитие полупроводниковых технологий привело к созданию интегральных схем и послужило основой для микроэлектронной революции.
Современные тенденции в области полупроводниковых технологий
Основные направления развития полупроводниковой электроники на современном этапе:
- Уменьшение размеров элементов интегральных схем
- Освоение новых полупроводниковых материалов (GaN, SiC)
- Создание гетероструктур и квантово-размерных структур
- Развитие органической электроники
- Разработка полупроводниковых квантовых компьютеров
Эти тенденции открывают новые перспективы для развития электроники и создания устройств с уникальными характеристиками.
Заключение
Полупроводники — это уникальный класс материалов, которые произвели революцию в электронике и продолжают играть ключевую роль в развитии современных технологий. Их особые свойства позволяют создавать разнообразные электронные приборы и устройства, без которых невозможно представить нашу повседневную жизнь. Дальнейшее развитие полупроводниковых технологий открывает огромные перспективы для создания еще более совершенных электронных систем.
Урок физики на тему «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников p-n типов. Полупроводниковый диод. Транзисторы»
Урок в 10-м классе.
Тема: «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников р- и n—типов. Полупроводниковый диод. Транзисторы».
Цели:
- образовательные: сформировать представление о свободных носителях электрического заряда в полупроводниках при наличии примесей с точки зрения электронной теории и опираясь на эти знания выяснить физическую сущность p-n-перехода; научить учащихся объяснять работу полупроводниковых приборов, опираясь на знания о физической сущности p-n-перехода;
- развивающие: развивать физическое мышление учащихся, умение самостоятельно формулировать выводы, расширять познавательный интерес, познавательную активность;
- воспитательные: продолжить формирование научного мировоззрения школьников.
Оборудование: презентация по теме: «Полупроводники. Электрический ток через контакт полупроводников р- и n—типов. Полупроводниковый диод. Транзистор», мультимедийный проектор.
I. Организационный момент.II. Изучение нового материала.Слайд 1.
Слайд 2. Полупроводник – вещество, у которого удельное сопротивление может изменяться в широких пределах и очень быстро убывает с повышением температуры, а это значит, что электрическая проводимость (1/R) увеличивается.
Наблюдается у кремния, германия, селена и у некоторых соединений.
Слайд 3.
Механизм проводимости у полупроводников
Слайд 4.
Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние Слайд 5.электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями.
При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и они ведут себя как диэлектрики.
Полупроводники чистые (без примесей)
Если полупроводник чистый(без примесей), то он обладает собственной проводимостью, которая невелика.
Собственная проводимость бывает двух видов:
Слайд 6. 1) электронная (проводимость «n » – типа)
При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны – сопротивление уменьшается.
Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности электрического поля.
Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
Слайд 7.
2) дырочная (проводимость » p» – типа)
При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном – «дырка».
Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение «дырки» равноценно перемещению положительного заряда.
Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
Кроме нагревания, разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением (фотопроводимость) и действием сильных электрических полей. Поэтому полупроводники обладают ещё и дырочной проводимостью.
Общая проводимость чистого полупроводника складывается из проводимостей «p» и «n» -типов и называется электронно-дырочной проводимостью.
Полупроводники при наличии примесей
У таких полупроводников существует собственная + примесная проводимость.
Наличие примесей проводимость сильно увеличивает.
При изменении концентрации примесей изменяется число носителей электрического тока – электронов и дырок.
Возможность управления током лежит в основе широкого применения полупроводников.
Существуют:
Слайд 8. 1) донорные примеси (отдающие) – являются дополнительными поставщиками электронов в кристаллы полупроводника, легко отдают электроны и увеличивают число свободных электронов в полупроводнике.
Слайд 9. Это проводники » n » – типа, т.е. полупроводники с донорными примесями, где основной носитель заряда – электроны, а неосновной – дырки.
Такой полупроводник обладает электронной примесной проводимостью. Например – мышьяк.
Слайд 10. 2) акцепторные примеси (принимающие) – создают «дырки» , забирая в себя электроны.
Это полупроводники » p «- типа, т.е. полупроводники с акцепторными примесями, где основной носитель заряда – дырки, а неосновной – электроны.
Такой полупроводник обладает дырочной примесной проводимостью.
Слайд 11. Например – индий. Слайд 12.
Рассмотрим, какие физические процессы происходят при контакте двух полупроводников с различным типом проводимости, или, как говорят, в р—n-переходе.
Слайд 13-16.
Электрические свойства «p-n» перехода
«p-n» переход (или электронно-дырочный переход) – область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот).
В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой. Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.
Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя.
При прямом (пропускном) направлении внешнего электрического поля электрический ток проходит через границу двух полупроводников.
Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.
Пропускной режим р-n перехода:
При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет.
Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.
Запирающий режим р-n перехода:
Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.
Полупроводниковые диоды
Полупроводник с одним «p-n» переходом называется полупроводниковым диодом.
– Ребята, запишите новую тему: «Полупроводниковый диод».
– Какой там ещё идиот?», – с улыбкой переспросил Васечкин.
– Не идиот, а диод! – ответил учитель, – Диод, значит имеющий два электрода, анод и катод. Вам ясно?
– А у Достоевского есть такое произведение – «Идиот», – настаивал Васечкин.
– Да, есть, ну и что? Вы на уроке физики, а не литературы! Прошу больше не путать диод с идиотом!
Слайд 17–21.
При наложении эл.поля в одном направлении сопротивление полупроводника велико, в обратном – сопротивление мало.
Полупроводниковые диоды основные элементы выпрямителей переменного тока.
Слайд 22–25.
Транзисторами называют полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний.
Полупроводниковые транзисторы – также используются свойства» р-n «переходов, — транзисторы используются в схемотехнике радиоэлектронных приборов.
В большую «семью» полупроводниковых приборов, называемых транзисторами, входят два вида: биполярные и полевые. Первые из них, чтобы как – то отличить их от вторых, часто называют обычными транзисторами. Биполярные транзисторы используются наиболее широко. Именно с них мы пожалуй и начнем. Термин «транзистор» образован из двух английских слов: transfer – преобразователь и resistor – сопротивление. В упрощенном виде биполярный транзистор представляет собой пластину полупроводника с тремя (как в слоеном пироге) чередующимися областями разной электропроводности (рис. 1), которые образуют два р – n перехода. Две крайние области обладают электропроводностью одного типа, средняя – электропроводностью другого типа. У каждой области свой контактный вывод. Если в крайних областях преобладает дырочная электропроводность, а в средней электронная (рис. 1, а), то такой прибор называют транзистором структуры p – n – р. У транзистора структуры n – p – n, наоборот, по краям расположены области с электронной электропроводностью, а между ними – область с дырочной электропроводностью (рис.
1, б).
При подаче на базу транзистора типа n-p-n положительного напряжения он открывается, т. е. сопротивление между эмиттером и коллектором уменьшается, а при подаче отрицательного, наоборот – закрывается и чем сильнее сила тока, тем сильнее он открывается или закрывается. Для транзисторов структуры p-n-p все наоборот.
Основой биполярного транзистора (рис. 1) служит небольшая пластинка германия или кремния, обладающая электронной или дырочной электропроводимостью, то есть n-типа или p-типа. На поверхности обеих сторон пластинки наплавляют шарики примесных элементов. При нагревании до строго определенной температуры происходи диффузия (проникновение) примесных элементов в толщу пластинки полупроводника. В результате в толще пластинки возникают две области, противоположные ей по электропроводимости. Пластинка германия или кремния p-типа и созданные в ней области n-типа образуют транзистор структуры n-p-n (рис. 1,а), а пластинка n-типа и созданные в ней области p-типа — транзистор структуры p-n-p (рис.
1,б).
Независимо от структуры транзистора его пластинку исходного полупроводника называют базой (Б), противоположную ей по электропроводимости область меньшего объема — эмиттером (Э), а другую такую же область большего объема — коллектором (К). Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Каждый из них по своим электрическим свойствам аналогичен p-n переходам полупроводниковых диодов и открывается при таких же прямых напряжениях на них.
Условные графические обозначения транзисторов разных структур отличаются лишь тем, что стрелка, символизирующая эмиттер и направление тока через эмиттерный переход, у транзистора структуры p-n-p обращена к базе, а у транзистора n-p-n — от базы.
Слайд 26–29.
III. Первичное закрепление.- Какие вещества называются полупроводниками?
- Какую проводимость называют электронной?
- Какая проводимость наблюдается ещё у полупроводников?
- О каких примесях теперь вам известно?
- В чем заключается пропускной режим p-n- перехода.
- В чем заключается запирающий режим p-n- перехода.
- Какие полупроводниковые приборы вам известны?
- Где и для чего используют полупроводниковые приборы?
- Как меняется удельное сопротивление полупроводников: при нагревании? При освещении?
- Будет ли кремний сверхпроводящим, если его охладить до температуры, близкой к абсолютному нулю? (нет, с понижением температуры сопротивление кремния увеличивается).
§ 113-116 – учить, пов. § 109–112.
Что такое полупроводники? | Физика. Закон, формула, лекция, шпаргалка, шпора, доклад, ГДЗ, решебник, конспект, кратко
Не все тела одинаково проводят электрику: одни — хорошо, вследствие чего и получили название проводники, а другие — почти не проводят — их назвали изоляторами, или диэлектриками.
Однако оказалось, что подавляющее большинство веществ нельзя отнести ни к проводникам, ни к диэлектрикам. Эту группу веществ назвали полупроводниками и считали, что они практического значения в электричестве не имеют. В самом деле, более поздние исследования показали, что большинство полупроводников практического применения в электричестве не нашли. Тем не менее среди них были выявлены и такие, которые имеют чрезвычайно интересные и важные свойства, что и побуждало к дальнейшему их изучению, а со временем и к широкому использованию.
Чтобы удостовериться в том, что по удельному сопротивлению или электропроводимости полупроводники занимают промежуточное место между хорошими проводниками (например, металлами) и диэлектриками, можно провести опыт, схема которого изображена на рис. 8.1. Берут три одинаковых по размеру тела: из металла (м), полупроводникового вещества (п/п) и диэлектрика (д). Поддерживая в цепи постоянное напряжение, включают поочередно тело из металла, полупроводникового вещества и диэлектрика.
Если к цепи подключено металлическое тело, то сила тока довольно значительна — стрелка амперметра отклоняется до конца шкалы. В случае включения диэлектрика ток в цепи практически отсутствует, а при включении полупроводника сила тока имеет промежуточное значение (рис. 8.2).
| Рис. 8.1. Сравнение сопротивления или электропроводимости разных веществ |
| Рис. 8.2. Сила тока в цепи при постоянном напряжении |
Таким образом, можно сделать вывод, что полупроводники по удельному сопротивлению или электропроводимости занимают промежуточное место между металлами (наилучшими проводниками) и диэлектриками: ρМ < ρП/П < ρД (рис. 8.3).
Тем не менее следует иметь в виду, что четкой границы значений удельного сопротивления металлов, полупроводников и диэлектриков нет.
Некоторые полупроводники при определенных условиях могут быть по электрическим свойствам близки как к металлам, так и к диэлектрикам.
Иногда слово «полупроводник» связывают с тем, что якобы полупроводники проводят ток лишь в одном направлении. На самом деле это не совсем так (рис. 8.4).
Если взять тело из полупроводникового вещества и пропускать через него ток сначала в одном, а потом в противоположном направлении, то значения сил тока в обоих случаях будут одинаковыми.
| Рис. 8.3. Сравнение значений удельных сопротивлений и электропроводимостей различных веществ |
| Рис. 8.4. Полупроводниковые вещества односторонней проводимости не имеют |
Существуют полупроводниковые приборы, например, диоды, которые в самом деле проводят ток практически в одном направлении.
Загрузка…
Диод — прибор с двумя электродами, пропускающий ток практически в одном направлении.
По каким же признакам из огромного количества веществ, которые существуют в природе или могут быть созданы искусственно, выбирают вещества, именуемые сегодня полупроводниками? Необходимо вспомнить, как зависит сопротивление металлических проводников от температуры. Если взять металлический, например железный, проводник и нагревать его в пламени свечи (рис. 8.5, а), то сила тока в цепи будет уменьшаться. Если при этом напряжение на участке цепи поддерживается постоянным, то можно сделать вывод, что с повышением температуры сопротивление металлических проводников возрастает. График такой зависимости изображен на рисунке 8.6.
Если же нагревать полупроводниковое вещество (рис. 8.5, б), то сила тока в цепи будет возрастать.
Следовательно,
в отличие от металлических проводников, сопротивление которых при нагревании возрастает, сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры (по крайней мере, в определенном интервале).
Именно по этому признаку и выбирают полупроводниковые вещества, которые используются в современной технике. Причина такой зависимости состоит в том, что при нагревании полупроводников в них резко возрастает количество свободных носителей заряда, которые могут образовывать ток. Материал с сайта http://worldofschool.ru
| Рис. 8.5. Сравнение зависимости сопротивления различных веществ от температуры |
| Рис. 8.6. Графики зависимости сопротивлений металлов и полупроводников от температуры |
Уменьшение сопротивления сернистого серебра (Ag2S) еще в 1833 г.
наблюдал выдающийся английский ученый М. Фарадей. Сегодня это свойство полупроводников широко используется в приборах, которые называются термисторами.
Термистор (терморезистор) — датчик температуры в электрических термометрах, терморегуляторах и т. п.
Позже, а именно в 1873 г., В. Смит наблюдал изменение сопротивления кристаллического селена при освещении, которое стало основанием для изготовления фоторезисторов.
Фоторезистор — составная часть приборов для измерения световых величин, включения света с наступлением темноты или его выключения с восходом солнца (так называемые фотореле).
Исследования показали, что на свойства полупроводников влияют рентгеновские лучи, радиоактивное излучение, магнитные поля, механические деформации и др. Со всего сказанного можно сделать вывод:
Полупроводники — это вещества, по своему удельному сопротивлению занимающие промежуточное положение между проводниками и диэлектриками.
Сопротивление полупроводников при нагревании уменьшается, оно также зависит от освещения, различных видов излучения и т. п.
К полупроводникам относятся некоторые вещества, образованные химическими элементами (силиций, германий, селен и др.), а также оксиды (Cu2O, Zn и др.), сульфиды (Pb, Ag2S, Cd и др.) и большое количество естественных и искусственных веществ. Исключительно важные свойства полупроводников обусловили их широкое использование в технике.
На этой странице материал по темам:
Доклад на тему полупроводники по физике 8 класс
Сообщение по технологии 8 класс полупроводники
Кратко что такое полупроводники
Шпоры полупроводники
Доклад на тему полупроводники 8 класс
Вопросы по этому материалу:
На рис.
8.5 изображены электрические цепи с металлическим и полупроводниковым (термистор) резисторами. Как будут изменяться показания гальванометров в обоих случаях, если резисторы подогревать?На одну плоскость металлической пластинки нанесено полупроводниковое вещество, например селен. Как определить эту плоскость?
8.5 изображены электрические цепи с металлическим и полупроводниковым (термистор) резисторами. Как будут изменяться показания гальванометров в обоих случаях, если резисторы подогревать?Физика полупроводников | Coursera
Об этом курсе
17 439 недавних просмотров
Этот курс также может быть принят для получения академического кредита как ECEA 5630, часть степени магистра наук в области электротехники CU Boulder.
Гибкие сроки
2. Анализировать статистику носителей в полупроводниках.
3. Анализировать динамику носителей и результирующие свойства проводимости полупроводниковГибкие сроки
Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.
Общий сертификатОбщий сертификат
Получите сертификат по завершении
100% онлайн100% онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному графику.
Coursera LabsCoursera Labs
Включает практические учебные проекты.
Узнайте больше о Coursera Labs Внешняя ссылкаСпециализацияКурс 1 из 3 в
Специализация «Полупроводниковые устройства»
Продвинутый уровеньПродвинутый уровень
Часов на выполнениеПрибл. 14 часов на выполнение
Доступные языкиАнглийский
Субтитры: арабский, французский, португальский (европейский), итальянский, вьетнамский, немецкий, русский, английский, испанский
Гибкие срокиГибкие сроки
Сбрасывайте сроки в соответствии с вашим графиком.
Общий сертификат
Получение сертификата по завершении
100 % онлайн100 % онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному расписанию.
Coursera LabsCoursera Labs
Включает практические учебные проекты.
Узнайте больше о Coursera Labs Внешняя ссылкаСпециализацияКурс 1 из 3 в специализации
Полупроводниковые устройства
Продвинутый уровеньПродвинутый уровень
Часов для прохожденияПрибл. 14 часов
Доступные языкиАнглийский
Субтитры: арабский, французский, португальский (европейский), итальянский, вьетнамский, немецкий, русский, английский, испанский
Инструктор
Wounjhang Park
Профессор
Электрика, вычислительная техника и энергетика
37,304 Учащиеся
6 0 5 9077 0004
Предлагается
Университет Колорадо в Боулдере
CU-Boulder представляет собой динамичное сообщество ученых и учащихся в одном из самых живописных университетских городков страны.
Являясь одним из 34 государственных учреждений США, входящих в престижную Ассоциацию американских университетов (AAU), мы гордимся традициями академического превосходства, в котором пять лауреатов Нобелевской премии и более 50 членов престижных академических академий.
Получите преимущество перед получением степени
Этот курс является частью программы магистра наук в области электротехники Колорадского университета в Боулдере. Если вы допущены к полной программе, ваша курсовая работа будет засчитана для получения степени, и весь ваш прогресс будет передан вам.
Узнать больше
Отзывы
4.4
Заполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаНаполовину заполненная звезда61 отзыв
5 звезд
65,83%
4 звезды
20,41%
3 звезды
6,66 2
5
5
звездочки
2,08%
1 звезда
5%
ЛУЧШИЕ ОБЗОРЫ ПО ФИЗИКЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Заполненная звезда Заполненная звезда Заполненная звезда Заполненная звезда Звезда от TV12 мая 2020 г.
Это очень хороший курс, очень полезный для выпускников инженерных и естественных наук.
Заполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаЗаполненная звездаЗвездаот GUJun 4, 2020
вы получите глубокое понимание структур решетки, как существуют запрещенные зоны в полупроводниках.
Filled StarFilled StarFilled StarFilled StarFilled Starby PR5 июня 2020 г.
Очень полезный курс для понимания физики полупроводников. И планомерно действующий курс.
Filled StarFilled StarFilled StarFilled StarStarот PM25 июля 2020 г.
Структура курса хорошая. Но упражнения достаточно тяжелые и никакие лекции не строятся на решении подобных задач.
Просмотреть все отзывы
О специализации «Полупроводниковые устройства»
Курсы по этой специализации также могут быть приняты для академического кредита как ECEA 5630-5632, часть степени магистра наук CU Boulder в области электротехники. Зарегистрируйтесь здесь.
Часто задаваемые вопросы
Еще вопросы? Посетите Справочный центр для учащихся.
Руководство Бритни Спирс по физике полупроводников
| [ Дом ]
[ Картинные галереи ]
[Руководство Бритни Спирс по физике полупроводников] [Ссылки] [ Текст песни ] [Реклама] [Вещи] [ Чат ] [Ссылка на нас] [Награды] [Бритни Сплетни] |
Малоизвестный факт, что г-жа Спирс является экспертом в области полупроводников. | Научный калькулятор Реклама здесь кликните сюда
пожертвовать еду голодающим людям мира. |
физика. Не довольствуясь только пением и игрой, на следующих страницах она
познакомит вас с основами жизненно важных полупроводниковых лазерных компонентов, которые позволили услышать ее супермузыку в цифровом формате.
|
|
Splung. Похожие записи |
