Полупроводники свойства. Полупроводниковые свойства: от строения атомов до применения в электронике

Что такое полупроводники и как их свойства определяются строением атомов. Какие виды полупроводников существуют. Как полупроводники применяются в современной электронике. Каковы перспективы развития полупроводниковых технологий.

Строение и свойства полупроводников

Полупроводники — это класс материалов, электропроводность которых занимает промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. Их уникальные свойства обусловлены особенностями строения атомов и кристаллической структуры.

Особенности атомного строения полупроводников

Основными особенностями атомного строения полупроводников являются:

• Четырехвалентные атомы (как правило, элементы IV группы периодической системы)
• Ковалентные связи между атомами
• Кристаллическая решетка с алмазоподобной структурой
• Наличие запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости

Какую роль играет запрещенная зона в полупроводниках? Запрещенная зона определяет энергетический барьер, который должны преодолеть электроны для перехода из валентной зоны в зону проводимости. Ширина запрещенной зоны — ключевой параметр, влияющий на электрические свойства полупроводника.

Основные виды полупроводников

Выделяют следующие основные виды полупроводников:

1. Элементарные полупроводники (кремний, германий)
2. Полупроводниковые соединения (арсенид галлия, фосфид индия)
3. Органические полупроводники
4. Аморфные полупроводники

Чем отличаются элементарные полупроводники от полупроводниковых соединений? Элементарные полупроводники состоят из атомов одного химического элемента, тогда как полупроводниковые соединения образованы атомами двух или более элементов.

Электрические свойства полупроводников

Электрические свойства полупроводников определяются процессами генерации и рекомбинации носителей заряда, а также их движением под действием электрического поля.

Собственная и примесная проводимость

В полупроводниках различают два типа проводимости:

• Собственная проводимость — обусловлена тепловой генерацией электронов и дырок
• Примесная проводимость — возникает при введении примесей (легировании)

Как примеси влияют на электропроводность полупроводников? Введение донорных примесей увеличивает концентрацию свободных электронов (электронная проводимость n-типа), а акцепторных — концентрацию дырок (дырочная проводимость p-типа).

Зависимость проводимости от температуры

Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. С ростом температуры проводимость увеличивается из-за термической генерации носителей заряда. Эта зависимость описывается экспоненциальным законом:

σ = σ₀ * exp(-E_g/2kT)

где σ — проводимость, E_g — ширина запрещенной зоны, k — постоянная Больцмана, T — абсолютная температура.

Оптические свойства полупроводников

Взаимодействие полупроводников с электромагнитным излучением лежит в основе многих оптоэлектронных приборов.

Поглощение света

При поглощении фотона с энергией больше ширины запрещенной зоны происходит генерация электронно-дырочной пары. Коэффициент поглощения сильно зависит от длины волны излучения.

Люминесценция

Люминесценция — это излучение света при рекомбинации электронов и дырок. Различают следующие виды люминесценции в полупроводниках:

• Фотолюминесценция (возбуждение светом)
• Электролюминесценция (возбуждение электрическим полем)
• Катодолюминесценция (возбуждение электронным пучком)

Какие факторы влияют на спектр люминесценции полупроводников? Спектр люминесценции зависит от ширины запрещенной зоны, наличия примесей и дефектов, температуры.

Применение полупроводников в электронике

Уникальные свойства полупроводников обусловили их широкое применение в различных областях электроники и оптоэлектроники.

Полупроводниковые диоды

Диоды — простейшие полупроводниковые приборы на основе p-n перехода. Основные виды диодов:

• Выпрямительные диоды
• Стабилитроны
• Светодиоды
• Фотодиоды
• Варикапы

Как устроен и работает p-n переход? P-n переход образуется на границе областей полупроводника с разным типом проводимости. Он обладает односторонней проводимостью из-за образования потенциального барьера.

Транзисторы

Транзисторы — ключевые элементы современной электроники. Основные виды транзисторов:

1. Биполярные транзисторы
2. Полевые транзисторы
3. IGBT-транзисторы

Какие преимущества имеют полевые транзисторы перед биполярными? Полевые транзисторы обладают высоким входным сопротивлением, низким энергопотреблением, хорошей температурной стабильностью.

Технологии производства полупроводниковых приборов

Производство полупроводниковых приборов и интегральных схем — сложный многостадийный процесс, требующий применения высоких технологий.

Получение полупроводниковых материалов

Основные методы получения полупроводниковых материалов:

• Выращивание монокристаллов (метод Чохральского)
• Зонная плавка
• Эпитаксиальное выращивание

Формирование полупроводниковых структур

Для создания полупроводниковых структур применяются следующие технологические процессы:

1. Фотолитография
2. Диффузия примесей
3. Ионная имплантация
4. Химическое осаждение из газовой фазы
5. Термическое окисление

Какие преимущества дает применение ионной имплантации по сравнению с диффузией? Ионная имплантация позволяет точнее контролировать профиль распределения примеси, проводить легирование при низких температурах.

Перспективные направления развития полупроводниковых технологий

Развитие полупроводниковых технологий продолжается по нескольким ключевым направлениям.

Новые полупроводниковые материалы

Ведутся активные исследования следующих перспективных материалов:

• Широкозонные полупроводники (карбид кремния, нитрид галлия)
• Графен и другие двумерные материалы
• Органические полупроводники

Наноэлектроника

Развитие наноэлектроники открывает новые возможности:

1. Создание квантовых точек и нанопроволок
2. Разработка одноэлектронных устройств
3. Применение спинтронных эффектов

Как размерные эффекты влияют на свойства наноструктур? В наноструктурах проявляются квантово-размерные эффекты, приводящие к дискретизации энергетического спектра и возникновению новых физических явлений.

Экологические аспекты производства и применения полупроводников

Производство и утилизация полупроводниковых приборов связаны с определенными экологическими рисками, которые необходимо учитывать.

Воздействие на окружающую среду

Основные факторы воздействия полупроводниковой промышленности на экологию:

• Потребление большого количества воды и энергии
• Применение токсичных химических веществ
• Образование опасных отходов

Пути снижения негативного влияния

Для уменьшения негативного воздействия на окружающую среду применяются следующие подходы:

1. Внедрение замкнутых циклов водопотребления
2. Повышение энергоэффективности производства
3. Разработка экологически безопасных технологических процессов
4. Создание эффективных систем очистки выбросов и стоков

Какие преимущества дает применение замкнутых циклов водопотребления? Замкнутые циклы позволяют существенно снизить потребление свежей воды и уменьшить объем сточных вод, требующих очистки.

Юный радиолюбитель

Юный радиолюбитель

Борисов В.Г. Юный радиолюбитель. — 7-е изд., перераб. и доп. — М.: Радио и связь, 1987. — 440 с. В форме популярных бесед книга знакомит юного читателя с историей и развитием радио, с элементарной электро- и радиотехникой, электроникой. Она содержит более пятидесяти описаний различных по сложности любительских радиовещательных приемников и усилителей звуковой частоты с питанием от источников постоянного и переменного тока, измерительных пробников, автоматически действующих электронных устройств, простых электро- и цветомузыкальных инструментов, радиотехнических игрушек и аттракционов, аппаратуры для телеуправления моделями, для радиоспорта. Даются справочные материалы. Шестое издание книги вышло в 1979 г. Материал настоящего издания значительно обновлен. Для начинающих радиолюбителей. Оглавление ПРЕДИСЛОВИЕ К СЕДЬМОМУ ИЗДАНИЮ ЮНЫЙ ДРУГ! БЕСЕДА ПЕРВАЯ ИЗ ГЛУБИНЫ ВЕКОВ ЗАГЛЯНЕМ В МИКРОМИР О ПРОВОДНИКАХ, НЕПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК ЭЛЕКТРИЧЕСТВО И МАГНЕТИЗМ: КАКАЯ МЕЖДУ НИМИ СВЯЗЬ? ПЕРЕМЕННЫЙ ТОК РОЖДАЕТ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ ВОЛНЫ РОЖДЕНИЕ РАДИО «ГАЗЕТА БЕЗ БУМАГИ И БЕЗ РАССТОЯНИЙ» БЕСЕДА ВТОРАЯ 2. ПЕРВОЕ ЗНАКОМСТВО С РАДИОПЕРЕДАЧЕЙ И РАДИОПРИЕМОМ О КОЛЕБАНИЯХ И ВОЛНАХ О ПЕРИОДЕ И ЧАСТОТЕ КОЛЕБАНИЙ ЕЩЕ РАЗ О РАДИОВОЛНАХ РАДИОВЕЩАТЕЛЬНЫЕ ДИАПАЗОНЫ ВОЛН РАДИОПЕРЕДАЧА РАСПРОСТРАНЕНИЕ РАДИОВОЛН БЕСЕДА ТРЕТЬЯ. ТВОЙ ПЕРВЫЙ РАДИОПРИЕМНИК АНТЕННА И ЗАЗЕМЛЕНИЕ ПЕРВЫЙ РАДИОПРИЕМНИК ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СХЕМА ТВОЕГО ПРИЕМНИКА КОНСТРУКЦИЯ ПРИЕМНИКА ВОЗМОЖНЫЕ НЕИСПРАВНОСТИ БЕСЕДА ЧЕТВЕРТАЯ. КАК РАБОТАЕТ РАДИОПРИЕМНИК КОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ КОНТУР ДЕТЕКТОР И ДЕТЕКТИРОВАНИЕ ГОЛОВНОЙ ТЕЛЕФОН ГРОМКИЙ РАДИОПРИЕМ БЕСЕДА ПЯТАЯ. ЭКСКУРСИЯ В ЭЛЕКТРОТЕХНИКУ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК И ЕГО ОЦЕНКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ЗАКОН ОМА ИНДУКТИВНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ МОЩНОСТЬ И РАБОТА ТОКА ТРАНСФОРМАЦИЯ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА РЕЗИСТОРЫ КОНДЕНСАТОРЫ СИСТЕМА СОКРАЩЕННОГО ОБОЗНАЧЕНИЯ НОМИНАЛЬНЫХ СОПРОТИВЛЕНИЙ РЕЗИСТОРОВ И ЕМКОСТЕЙ КОНДЕНСАТОРОВ КОРОТКО О ПЛАВКОМ ПРЕДОХРАНИТЕЛЕ ОСТОРОЖНО – ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ! БЕСЕДА ШЕСТАЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКИ И ИХ СВОЙСТВА ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКА ДИОДЫ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ СТАБИЛИТРОН И ЕГО ПРИМЕНЕНИЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ТРАНЗИСТОР – УСИЛИТЕЛЬ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ И ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ КОРОТКО О ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ БЕСЕДА СЕДЬМАЯ. ПЕРВЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРИЕМНИК ОТ ДЕТЕКТОРНОГО – К ОДНОТРАНЗИСТОРНОМУ ПРИЕМНИКУ ВАРИАНТЫ ОДНОТРАНЗИСТОРНОГО ПРИЕМНИКА ОДНОТРАНЗИСТОРНЫЙ РЕФЛЕКСНЫЙ ПОДВЕДЕМ НЕКОТОРЫЕ ИТОГИ БЕСЕДА ВОСЬМАЯ. ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ПЕРВОЙ НЕОБХОДИМОСТИ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРОБНИКИ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ МИЛЛИАМПЕРМЕТР ВОЛЬТМЕТР ОММЕТР МИЛЛИАМПЕРВОЛЬТОММЕТР ИЗМЕРЕНИЕ ОСНОВНЫХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ БЕСЕДА ДЕВЯТАЯ. ТВОЯ МАСТЕРСКАЯ ВЕРСТАЧНАЯ ДОСКА РАБОЧИЙ СТОЛ НАУЧИСЬ ПАЯТЬ О НЕКОТОРЫХ МАТЕРИАЛАХ И ПРИЕМАХ МОНТАЖА ГНЕЗДА И ЗАЖИМЫ КОММУТАЦИОННЫЕ УСТРОЙСТВА КАТУШКИ ИНДУКТИВНОСТИ КОЛЕБАТЕЛЬНЫХ КОНТУРОВ МАКЕТНАЯ ПАНЕЛЬ ПЕЧАТНЫЙ МОНТАЖ О МЕРАХ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ПРИ МОНТАЖЕ ТРАНЗИСТОРОВ БЕСЕДА ДЕСЯТАЯ. МИКРОФОНЫ, ЗВУКОСНИМАТЕЛИ, ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЕ ГОЛОВКИ МИКРОФОНЫ ЗВУКОСНИМАТЕЛИ ГОЛОВКИ ДИНАМИЧЕСКИЕ ПРЯМОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И ГРОМКОГОВОРИТЕЛИ БЕСЕДА ОДИННАДЦАТАЯ. ИСТОЧНИКИ ТОКА ГАЛЬВАНИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ И БАТАРЕИ АККУМУЛЯТОРЫ И АККУМУЛЯТОРНЫЕ БАТАРЕИ ВЫПРЯМИТЕЛЬ СЕТЕВОЙ БЛОК ПИТАНИЯ БЕСЕДА ДВЕНАДЦАТАЯ. УСИЛИТЕЛЬ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ КАСКАДЫ УСИЛИТЕЛЯ ПРОСТОЙ ДВУХКАСКАДНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ДВУСТОРОННИЙ ТЕЛЕФОН СТАБИЛИЗАЦИЯ РЕЖИМА РАБОТЫ ТРАНЗИСТОРА ДВУХТАКТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ПАРАМЕТРЫ УСИЛИТЕЛЯ ЗЧ УСИЛИТЕЛЬ ЗЧ С ПОВЫШЕННОЙ ВЫХОДНОЙ МОЩНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОФОН ПЕРЕНОСНЫЙ РАДИОУЗЕЛ БЕСЕДА ТРИНАДЦАТАЯ. ТРАНЗИСТОРНЫЕ ПРИЕМНИКИ ПРЯМОГО УСИЛЕНИЯ ОТ УСИЛИТЕЛЯ – К ПРИЕМНИКУ ПРЯМОГО УСИЛЕНИЯ УСИЛИТЕЛЬ РАДИОЧАСТОТЫ И МАГНИТНАЯ АНТЕННА О НЕКОТОРЫХ ДЕТАЛЯХ ПОРТАТИВНЫХ ПРИЕМНИКОВ ПОРТАТИВНЫЙ ПРИЕМНИК РАДИОЧАСТОТНЫЙ БЛОК РАДИОЛЫ РЕФЛЕКСНЫЕ ПРИЕМНИКИ БЕСЕДА ЧЕТЫРНАДЦАТАЯ. НА ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМПАХ УСТРОЙСТВО ЭЛЕКТРОННОЙ ЛАМПЫ КАК РАБОТАЕТ ДИОД ТРИОД И ЕГО СВОЙСТВА КАТОДЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП ТРИОД – УСИЛИТЕЛЬ МНОГОЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ КОНСТРУКЦИЯ, МАРКИРОВКА И ЦОКОЛЕВКА РАДИОЛАМП УСИЛИТЕЛЬ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ ПРИЕМНИК 1-V-1 БЕСЕДА ПЯТНАДЦАТАЯ. ОТ ПРИЕМНИКА ПРЯМОГО УСИЛЕНИЯ – К СУПЕРГЕТЕРОДИНУ ОСОБЕННОСТИ СУПЕРГЕТЕРОДИНА ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ТРАНЗИСТОРНЫЙ СУПЕРГЕТЕРОДИН ЛАМПОВЫЙ СУПЕРГЕТЕРОДИН БЕСЕДА ШЕСТНАДЦАТАЯ. ЗНАКОМСТВО С АВТОМАТИКОЙ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ РЕЛЕ ЭЛЕКТРОННОЕ РЕЛЕ ФОТОРЕЛЕ АВТОМАТ ВКЛЮЧЕНИЯ УЛИЧНОГО ОСВЕЩЕНИЯ РЕЛЕ ВЫДЕРЖКИ ВРЕМЕНИ АКУСТИЧЕСКОЕ РЕЛЕ ЭЛЕКТРОННЫЙ СТОРОЖ КОДОВЫЙ ЗАМОК БЕСЕДА СЕМНАДЦАТАЯ. О МУЛЬТИВИБРАТОРЕ И ЕГО ПРИМЕНЕНИИ МУЛЬТИВИБРАТОР АВТОКОЛЕБАТЕЛЬНЫЙ ЖДУЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР МУЛЬТИВИБРАТОР В ГЕНЕРАТОРАХ И ЭЛЕКТРОННЫХ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯХ МУЛЬТИВИБРАТОР В РАДИОТЕХНИЧЕСКИХ ИГРУШКАХ МУЗЫКАЛЬНЫЙ АВТОМАТ «СОЛОВЕЙ» БЕСЕДА ВОСЕМНАДЦАТАЯ. ТВОЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ ЛАБОРАТОРИЯ МОСТОВОЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВОЛЬТМЕТР ПОСТОЯННОГО ТОКА ЧАСТОТОМЕР ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ СИГНАЛОВ ЗВУКОВОЙ ЧАСТОТЫ БЕСЕДА ДЕВЯТНАДЦАТАЯ. НА МИКРОСХЕМАХ НА АНАЛОГОВЫХ МИКРОСХЕМАХ СЕРИЙ К118 и К122 СУПЕРГЕТЕРОДИН НА МИКРОСХЕМАХ СЕРИИ К224 УСИЛИТЕЛЬ ЗЧ НА ОДНОЙ МИКРОСХЕМЕ НА ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТАХ МИНИАТЮРНЫЙ ПРИЕМНИК БЕСЕДА ДВАДЦАТАЯ. СТЕРЕОФОНИЯ СТЕРЕОЭФФЕКТ. ЧТО ЭТО ТАКОЕ? СТЕРЕОФОНИЧЕСКИЙ ЗВУКОСНИМАТЕЛЬ СТЕРЕОФОНИЯ НА ГОЛОВНЫЕ ТЕЛЕФОНЫ СТЕРЕОФОНИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС БЕСЕДА ДВАДЦАТЬ ПЕРВАЯ. ВВЕДЕНИЕ В ЭЛЕКТРО- И ЦВЕТОМУЗЫКУ О НЕКОТОРЫХ СВОЙСТВАХ МУЗЫКАЛЬНОГО ЗВУКА ТЕРМЕНВОКС ЗВУЧАЩАЯ КЛАВИАТУРА ЭЛЕКТРОННЫЙ РОЯЛЬ ЭЛЕКТРОГИТАРА О ЦВЕТОМУЗЫКЕ ЦВЕТОМУЗЫКАЛЬНАЯ ПРИСТАВКА СВЕТОДИНАМИЧЕСКАЯ УСТАНОВКА БЕСЕДА ДВАДЦАТЬ ВТОРАЯ. ТЕЛЕУПРАВЛЕНИЕ МОДЕЛЯМИ МОДЕЛЬ ИДЕТ НА СВЕТ ДЕШИФРАТОР МОДЕЛЬ, УПРАВЛЯЕМАЯ ЗВУКОМ АППАРАТУРА РАДИОУПРАВЛЕНИЯ МОДЕЛЯМИ БЕСЕДА ДВАДЦАТЬ ТРЕТЬЯ. ПРИГЛАШЕНИЕ В РАДИОСПОРТ ЧТО ТАКОЕ «ЛИСА»? РАДИОКОМПАС ПРИЕМНИК «ЛИСОЛОВА» НА СОРЕВНОВАНИЯХ РАДИОСПОРТСМЕНЫ КОРОТКОВОЛНОВИКИ ТРАНСИВЕР НАЧИНАЮЩЕГО КОРОТКОВОЛНОВИКА БЕСЕДА ДВАДЦАТЬ ЧЕТВЕРТАЯ. НА СТРАЖЕ ОТЧИЗНЫ ОРУЖИЕ РАДИСТА ОРГАНИЗАЦИЯ РАДИОСВЯЗИ РАДИОРЕЛЕЙНАЯ СВЯЗЬ РАДИОЛОКАЦИЯ ЗАКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1. МЕЖДУНАРОДНАЯ СИСТЕМА ЕДИНИЦ 2. УСЛОВНЫЕ БУКВЕННО-ЦИФРОВЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМАХ

Физика и техника полупроводников

Home » Физика и техника полупроводников » Год 2009, выпуск 10

<<<>>>

Физика и техника полупроводников, 2009, том 43, выпуск 10

Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Рутьков Е. В., Галль Н.Р.

Проникновение атомов меди (интеркалирование) под графеновый слой на иридии (111)

Электронные и оптические свойства полупроводников

Пихтин А.Н., Хегази Х.Х.

Край собственного поглощения полупроводниковых твердых растворов с прямой структурой энергетических зон

Гуткин А.А., Брунков П.Н., Егоров А.Ю.

Коротковолновый край собственной фотолюминесценции в слабых твердых растворах GaN_xAs_1-x

Брудный В.Н., Кособуцкий А.В., Колин Н.Г.

Уровень локальной зарядовой нейтральности и закрепление уровня Ферми в облученных нитридах wz-A^IIIN (BN, AlN, GaN, InN)

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Стафеев В.И.

Термоэлектрические и другие явления в структурах с неравновесными носителями заряда и наночастицами

Орбух В.И., Лебедева Н.Н., Саламов Б.Г.

Влияние поверхностной проводимости полупроводникового электрода на распределение газорязрядного тока

Калыгина В. М., Слюнько Е.С.

Влияние глубокой примеси на электрические характеристики эпитаксиальных структур на основе GaAs

Марциновский Г.А., Шандыбина Г.Д., Дементьева Ю.С., Дюкин Р.В., Заботнов С.В., Головань Л.А., Кашкаров П.К.

Возбуждение поверхностных электромагнитных волн в полупроводниках при фемтосекундном лазерном воздействии

Низкоразмерные системы

Ткач Н.В., Сети Ю.А.

Плоские двухбарьерные резонансно-туннельные структуры: резонансные энергии и резонансные ширины квазистационарных состояний электрона

Пашковский А.Б.

Подавление переходов между расщепленными уровнями трехбарьерных структур переменным пространственным зарядом

Семёнов А.В., Лопин А.В., Пузиков В.М., Борискин В.Н.

Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния

Петровская А.Н., Зубков В.И.

Вольт-фарадные измерения гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs в диапазоне температур от 10 до 320 K

Винокуров Д.А., Капитонов В. А., Николаев Д.Н., Соколова З.Н., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Тарасов И.С.

Исследование оптических характеристик структур с сильно напряженными квантовыми ямами In_xGa_1-xAs

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Богословский Н.А., Цэндин К.Д.

Нелинейность вольт-амперных характеристик халькогенидных стеклообразных полупроводников, обусловленная многофононной туннельной ионизацией U-минус центров

Лебедев Э.А., Козюхин С.А., Константинова Н.Н., Казакова Л.П.

Проводимость слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Ge₂Sb₂Te₅ в сильных электрических полях

Беляков Л.В., Вайнштейн Ю.С., Горячев Д.Н., Сресели О.М.

Решающая роль синглетной формы кислорода в формировании фотолюминесценции нанопористого кремния

Физика полупроводниковых приборов

Павлюченко А.С., Рожанский И.В., Закгейм Д.А.

Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода

Грушко Н. С., Вострецова Л.Н., Амброзевич А.С., Кагарманов А.С.

Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN

Гудовских А.С., Калюжный Н.А., Лантратов В.М., Минтаиров С.А., Шварц М.З., Андреев В.М.

Свойства границ раздела в солнечных элементах на основе GaInP

Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Бондарев А.Д., Тарасов И.С.

Срыв генерации в мощных полупроводниковых лазерах

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Александров О.В., Дусь А.И.

Эффект ориентации поверхности кремния в модели объемного термического окисления

Зеленина Н.К., Карпенко В.П., Матвеев О.А., Седов В.Е., Терентьев А.И., Томасов А.А.

Выращивание и отжиг кристаллов CdZnTe:Cl с разным содержанием цинка для детекторов ядерного излучения

Берт Н.А., Колесникова А.Л., Неведомский В.Н., Преображенский В.В., Путято М.А., Романов А.Е., Селезнев В.М., Семягин Б. Р., Чалдышев В.В.

Образование дислокационных дефектов при заращивании квантовых точек InAs в GaAs

Смирнова И.В., Шилова О.А., Мошников В.А., Гамарц А.Е.

Особенности совместной диффузии бора и гадолиния в кремний из наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок

Light адаптирует электронные свойства модельного полупроводника

• НОВОСТИ И ОБЗОРЫ
• 01 февраля 2023 г.

Когда на полупроводниковый материал, называемый черным фосфором, воздействует интенсивный лазерный свет, поведение его электронов изменяется. Открытие открывает путь к разработке экзотических электронных фаз в твердых телах, зависящих от времени.

• Альберто Крепальди ⁰

1. Альберто Крепальди

   1. Альберто Крепальди работает на физическом факультете Миланского политехнического университета по адресу 20133, Милан, Италия.

   Просмотр публикаций автора

   Вы также можете искать этого автора в PubMed Google Scholar

Атомы в кристаллическом твердом теле расположены в пространстве с периодичностью и симметрией, которые определяют физические свойства материала. Таким образом, эти свойства можно изменить, изменив кристаллическую структуру, например, под давлением, деформацией или химическим замещением. Но для многих технологических приложений управление свойствами кристалла во времени так же важно, как и изменение их в пространстве. Такая темпоральная инженерия оказалась успешной в системах, состоящих из групп ультрахолодных атомов, организованных в решетку с помощью пересекающихся лазерных лучей ¹ , а в электропроводных материалах ^{2 – 4} , а в полупроводниках – до сих пор. Написание Природа , Чжоу и др. . ⁵ сообщают, что физические свойства черного фосфора (рис. 1а), модельного полупроводника, можно изменить путем облучения интенсивным лазерным светом.

Варианты доступа

Подписаться на журнал

Получить полный доступ к журналу на 1 год

199,00 €

всего 3,90 € за выпуск

Подписаться

Расчет налогов будет завершен во время оформления заказа.

Купить статью

Получите ограниченный по времени или полный доступ к статье на ReadCube.

32,00 $

Купить

Все цены указаны без учета стоимости.

Природа 614 , 39-40 (2023)

doi: https://doi.org/10.1038/d41586-023-00225-8

Ссылки

1. Rudner, M.S. & Lindner, N. H. Nature Rev. Phys. 2 , 229–244 (2020).

   Артикул Google Scholar

2. Макивер, Дж. В. и др. Nature Phys. 16 , 38–41 (2020).

   Артикул пабмед Google Scholar

3. Ван, Ю. Х., Стейнберг, Х., Харилло-Эрреро, П. и Гедик, Н. Наука 324 , 453–457 (2013).

   Артикул Google Scholar

4. Махмуд Ф. и др. Nature Phys. 12 , 306–310 (2016).

   Артикул Google Scholar

5. Чжоу С. и др. Природа 614 , 75–80 (2023).

   Артикул Google Scholar

6. Bloch, F. Z. Phys. 52 , 555–600 (1929).

   Артикул Google Scholar

7. Флоке, Г. Анн. науч. Школа Норм. Супер. 12 , 47–88 (1883).

   Артикул Google Scholar

8. Ширли, Дж. Х. Phys. Ред. B 138 , B979–B987 (1965).

   Артикул Google Scholar

9. Ока, Т. и Китамура, С. Annu. Преподобный Конденс. Материя физ. 10 , 387–408 (2019).

   Артикул Google Scholar

10. Ока Т. и Аоки Х. Phys. Ред. B 79 , 081406 (2009 г.).

    Артикул Google Scholar

11. Клаассен, М., Цзя, К., Мориц, Б. и Деверо, Т. П. Nature Commun. 7 , 13074 (2016).

    Артикул пабмед Google Scholar

12. «>

    Xia, F., Wang, H., Hwang, J.C.M., Neto, A.H.C. & Yang, L. Nature Rev. Phys. 1 , 306–317 (2019).

    Артикул Google Scholar

13. Xia, F., Wang, H. & Jia, Y. Nature Commun. 5 , 4458 (2014).

    Артикул пабмед Google Scholar

Ссылки на скачивание

Конкурирующие интересы

Автор заявляет об отсутствии конкурирующих интересов.

• Прочтите статью: Псевдоспин-селективная разработка полос Флоке в черном фосфоре

• Марш на другой квантовый ритм

• Долгоживущие неравновесные квантовые состояния могут привести к улучшению электронных устройств

• Просмотреть все новости и просмотры

Субъекты

• Физика конденсированного состояния
• Материаловедение
• Физика

Последнее:

Свойства материалов и полупроводников — исследования в области электротехники

Приведенный ниже список начинается с Knovel, который охватывает все типы материалов, а затем подразделяется на различные категории материалов, такие как стекло, полимеры и т.

д.

• Поиск данных Knovel

  Превосходное место для начала поиска данных о свойствах всех видов химических веществ и материалов. Уникальный инструмент поиска данных Knovel позволяет находить информацию, «спрятанную» в больших сложных таблицах в сотнях руководств, помогая находить критические числовые значения диапазона и манипулировать ими. данные в формате электронной таблицы.

  Чтобы узнать, как использовать поиск данных, посмотрите короткое видео ниже:

Полупроводники и полупроводниковые материалы

• Свойства широкозонных полупроводников II-VI
• Свойства арсенида алюминия-галлия
• Свойства аморфного углерода
• Свойства аморфного кремния и его сплавов
• Свойства кристаллического кремния
• Свойства арсенида галлия
• Свойства фосфида индия
• Свойства согласованного с решеткой и деформированного арсенида индия-галлия
• Свойства ниобата лития
• Свойства соединений на основе кадмия с узкой щелью
• Свойства пористого кремния
• Свойства карбида кремния
• Свойства кремния, германия и SiGe: углерод
• Свойства, рост и применение алмаза

Стекло

• База данных Knovel Optical and Filter Glass
• Справочник по свойствам стекла

Металлы

• Спецификации металлических материалов
• База данных алюминиевых сплавов
• Свойства алюминиевых сплавов. Данные об усталости и влияние температуры
• База данных титанового сплава
Справочник по свойствам материалов
• — Титановые сплавы
• Технические свойства стали
• Справочник Smithells Metals
• Справочник данных о коррозии
• Сбор данных по релаксации напряжений для технических сплавов
• Атлас кривых усталости
• Атлас кривых напряжения-деформации
• Атлас температурно-временных диаграмм для чугуна и стали
• Атлас температурно-временных диаграмм для цветных сплавов

Полимеры и пластмассы

• Справочник по полимерам
• Паспорта пластиковых материалов
• Свойства полимеров — их корреляция с химической структурой
• Усталостные и трибологические свойства пластмасс и эластомеров

Композиты

• Спецификации композитных материалов

Керамика

• Электронная книга NIST по керамике

Инженер-библиотекарь

Эрин Роули

Напишите мне по электронной почте

Назначьте встречу со мной

Программное обеспечение для управления цитированием

UB имеет лицензию сайта на EndNote, программное обеспечение, которое позволяет вам собирать, хранить, упорядочивать, извлекать и автоматически форматировать ссылки на журнальные статьи, книги, патенты и многое другое в ваших документах.