ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ биполярныС транзисторы. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π²ΠΈΠ΄Ρ‹, характСристики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор. Как устроСны ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. КакиС Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠšΠ°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ основныС характСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚

ПолСвой транзистор — это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ управляСтся элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ особСнности ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:

  • Π’ΠΎΠΊ создаСтся Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ основных носитСлСй заряда (элСктронов ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ)
  • Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ осущСствляСтся ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктричСского поля
  • Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС
  • ΠŸΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π² Ρ€Π΅ΠΊΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΠ½Ρ‹. ИзмСняя напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΠ½Ρ‹), ΠΌΡ‹ управляСм Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ транзистора (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠ° Π²ΠΎΠ΄Ρ‹).

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:


  1. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ
  2. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы)

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ дСлятся Π½Π°:

  • Вранзисторы с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ
  • Вранзисторы со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ свои особСнности конструкции ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Рассмотрим ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅.

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

ПолСвой транзистор с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ структуру:

  • ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π» n- ΠΈΠ»ΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°
  • ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ истока ΠΈ стока Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°Ρ… ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
  • Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщСнного Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹:

  1. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ основных носитСлСй
  2. ИзмСняя напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΠΌΡ‹ измСняСм ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Ρƒ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ области p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°
  3. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Вакая конструкция обСспСчиваСт высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ напряТСния.

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы: особСнности структуры ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹

ΠœΠ”ΠŸ-транзистор (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ особСнности:


  • Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° слоСм диэлСктрика (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ оксида крСмния)
  • ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ истока ΠΈ стока сформированы Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅
  • Канал ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ встроСнным

Π’ транзисторС с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ:

  • Канал образуСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ
  • Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° носитСлями заряда

Π’ транзисторС со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ:

  • Канал сущСствуСт Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅
  • ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высоким Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ΠšΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚:

  • ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики (S) — ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, насколько сильно измСняСтся Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅
  • НапряТСниС отсСчки (UΠ—Π˜.отс) — напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ пСрСкрываСтся
  • ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС (UΠ—Π˜.ΠΏΠΎΡ€) — напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΊΠ°Π½Π°Π» (для ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ)
  • Выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ (g22) — Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния сток-исток
  • Входная (CΠ·ΠΈ), выходная (Cси) ΠΈ проходная (Cзс) Смкости

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:


  1. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ (Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅) характСристики — Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния сток-исток ΠΏΡ€ΠΈ постоянном напряТСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток
  2. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊΠΎ-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅) характСристики — Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток ΠΏΡ€ΠΈ постоянном напряТСнии сток-исток

Π­Ρ‚ΠΈ характСристики ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

БущСствуСт Ρ‚Ρ€ΠΈ основныС схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:

  1. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком (ОИ) — Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнная схСма, обСспСчиваСт усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ
  2. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ стоком (ОБ) — ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высоким Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм
  3. Π‘ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠžΠ—) — ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС, примСняСтся Ρ€Π΅ΠΆΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… схСм

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² усилСния ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ/Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния.

ЧастотныС ΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ЧастотныС свойства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² основном Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ характСристики. Граничная частота ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассчитана ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅:


fΠ³Ρ€ = S / (2Ο€ * CΠ·ΠΈ)

Π³Π΄Π΅ S — ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π°, CΠ·ΠΈ — входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ частотныС свойства ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с транзисторами с p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ·-Π·Π° мСньшСй Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Смкости.

Π¨ΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ коэффициСнтом ΡˆΡƒΠΌΠ°. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, особСнно с p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ для примСнСния Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΡ… усилитСлСй.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² соврСмСнной элСктроникС

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы находят ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… областях элСктроники:

  • АналоговыС схСмы: ΠΌΠ°Π»ΠΎΡˆΡƒΠΌΡΡ‰ΠΈΠ΅ усилитСли, источники Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ
  • Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы: логичСскиС элСмСнты, Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Ρ‹, микропроцСссоры
  • Биловая элСктроника: ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… источниках питания, ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…
  • РадиочастотныС схСмы: усилитСли ΠΈ смСситСли Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройствах
  • Π”Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ: сСнсоры давлСния, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, химичСского состава

ОсобСнно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСмах, Π³Π΄Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ основой для создания слоТных Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… устройств.


ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΈ нСдостатки ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:

  • ВысокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС
  • НизкоС энСргопотрСблСниС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ управлСния
  • Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ частотныС свойства (особСнно Ρƒ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов)
  • Низкий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠ°
  • Высокая ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² микросхСмах

НСдостатки:

  • Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ статичСскому элСктричСству
  • Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
  • МСньшая Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ характСристик ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с биполярными транзисторами

НСсмотря Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ нСдостатки, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΎΡΡ‚Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ элСмСнтом соврСмСнной элСктроники благодаря своим ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ свойствам.


ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия униполярного транзистора. Униполярными, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ, транзисторами Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° производится ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ проводимости проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктричСского поля, пСрпСндикулярного Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Оба названия этих транзисторов достаточно Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… основныС особСнности: ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ обусловлСно Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ зарядов, ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° осущСствляСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ элСктричСского поля.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ стоком (Drain) ΠΈ истоком (Source), Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод называСтся Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Gate). НапряТСниС управлСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ создаСт ΠΏΠΎΠ»Π΅ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅, прикладываСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ выполнСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° униполярныС транзисторы дСлятся Π½Π° Π΄Π²Π΅ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹: с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Устройство ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠŸΠ’Π˜Π—) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π½Π° рис. 6.9 Π°, Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (ПВУП) β€” Π½Π° рис. 6.9 Π±.

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ элСктрод Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ слоя диэлСктрика ΠΈΠ· двуокиси крСмния Si02. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Ρ‹ стока ΠΈ истока Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ ΠΎΠ±Π΅ стороны Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Π’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎ ΠΌΠ°Π» Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ…. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ носитСлями зарядов ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‰Π΅Π½ ΠΈΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, поэтому ΠΊΠ°Π½Π°Π» называСтся ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ. Если ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‰Π΅Π½ носитСлями зарядов, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ называСтся встроСнным. ЭлСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π² этом случаС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ обСднСнию ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° носитСлями зарядов.

Рис. 6.9. Устройство униполярного транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Π°) ΠΈ с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (Π±)

ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ элСктронной ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ. Если ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ называСтся n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. ΠšΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²: с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n- ΠΈΠ»ΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ встроСнный ΠΊΠ°Π½Π°Π». УсловныС схСматичныС изобраТСния этих Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 6.10. ГрафичСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов содСрТит ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΎ Π΅Π³ΠΎ устройствС. Канал транзистора изобраТаСтся Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡˆΡ‚Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ сплошной Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ. Штриховая линия ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π», Π° сплошная β€” встроСнный. Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ ΠΈ сток Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹, поэтому ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ прямым ΡƒΠ³Π»ΠΎΠΌ ΠΊ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ. ПодлоТка изобраТаСтся ΠΊΠ°ΠΊ элСктрод со стрСлкой, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ изобраТаСтся Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ, ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρƒ. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½ ΠΊ элСктроду истока.

Рис. 6.10. БхСматичСскиС изобраТСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

УсловноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов состоит ΠΈΠ· ряда Π±ΡƒΠΊΠ² ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π», ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ (К β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, А β€” арсСнид галлия). Вторая Π±ΡƒΠΊΠ²Π°, П, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ½Π°Π΄Π»Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠŸΠ΅Ρ€Π²Π°Ρ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ частоту. Π”Π°Π»Π΅Π΅ ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Π·Π½Π°Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ транзистора. ΠŸΡΡ‚Π°Ρ Π±ΡƒΠΊΠ²Π° соотвСствуСт Ρ€Π°Π·Π±Ρ€Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠ΅ ΠΏΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ. НапримСр, транзистор КП302А β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ, ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности, высокочастотный.

Устройство ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π½Π° рис. 6.9 Π±. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ транзисторС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнного p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. ИзмСнСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ позволяСт Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅. На рис. 6.9 Π± ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠ· областСй n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, поэтому ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-ΠΈ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° носитСлями зарядов. УсловноС схСматичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π½Π° рис. 6.11. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ПВУП ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‚ΠΎ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ встроСнного ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° этом ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ сплошной Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ, которая ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ с элСктродами стока ΠΈ истока. НаправлСниС стрСлки Π½Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Рис. 6.11. УсловныС обозначСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ

Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π±ΠΎΡ€ разновидностСй ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π² справочной Π»ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, исчСрпываСтся ΡˆΠ΅ΡΡ‚ΡŒΡŽ разновидностями. Π˜Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 6.12. ΠŸΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡΡΡŒ этими характСристиками, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния, Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ измСнСния ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния. Из всСх ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… разновидностСй транзисторов Π² настоящСС врСмя Π½Π΅ Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠŸΠ’Π˜Π— со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Рассмотрим Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности этих характСристик. ВсС характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° располоТСны Π² Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΒ­ΠΊΠ° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΒ­ΠΌΡƒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° стокС. Наоборот, всС характСристики ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° располоТСны Π² Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Β­Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° стокС. ПВУП ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ называСтся Π₯арактСристики Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Iснач. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии отсСчки U0Π’Π‘ становится Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ.

Π₯арактСристики ΠŸΠ’Π˜Π— с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. ПоявлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзисторах про­исходит ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ большС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ значСния UΠΏΠΎΡ€. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока.

Π₯арактСристики ΠŸΠ’Π˜Π— со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Iс.Π½Π°Ρ‡. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π» обогащаСтся ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ стока растСт, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π» обСдняСтся ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ стока сниТаСтся.

Рис. 6.12. Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

На рис. 6.13 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ПВУП с ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π₯арактСристики Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄, Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСний. На этих Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристиках ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ области: Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ ΠΈ насыщСния.

Рис. 6.13. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°

Π’ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ области Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики Π²ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Β­Π³ΠΈΠ±Π° ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой прямыС Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ, Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… зависит ΠΎΡ‚ напряТС­ния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π’ области насыщСния Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈΠ΄ΡƒΡ‚ практичСски Π³ΠΎΡ€ΠΈΠ·ΠΎΠ½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° стокС. Π’ этой области Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов всСх Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² сходны с характСристиками элСктровакуумных ΠΏΠ΅Π½Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠ². ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ этих характСристик ΠΎΠ±ΡƒΡΠ»Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π’ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ области ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ сопро­тивлСниС, управляСмоС напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, Π° Π² области насыщСния β€” ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ элСмСнт. Рассмотрим особСнности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² этих областях.

ЛинСйная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Π’ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ области Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора опрСдСляСтся ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ

Π³Π΄Π΅ k β€” постоянный коэффициСнт, зависящий ΠΎΡ‚ конструкции транзистора, UΠΏβ€” ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС (ΠΈΠ»ΠΈ напряТСниС отсСчки), UΠ·ΠΈ β€” напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, Uси β€” напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком.

На Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ участкС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ области (Π΄ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΈΠ±Π°) ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° стокС Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, пола­гая Π² (5. 1) Uси0:

Π’Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ (5.2) позволяСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ об­ласти

Из выраТСния (5.3) слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ UΠ·ΠΈ=0 сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Rmin=1/(2kUΠ½). Если напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ стрСмится ΠΊ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ uΠ·ΠΈβ€”Uu, Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° возрастаСт Π΄ΠΎ бСсконСчности: . Π“Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΎΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Β­Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рис. 5.6 Π°.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³ΠΈΠ±Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ сказываСтся Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‡Π»Π΅Π½ Π² Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ (5.1). Π’ этом случаС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡΡΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ (5.1):

ΠΎΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° стокС Uси Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСния, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ сигнала этой Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Ρ‡ΡŒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, основноС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ области опрСдСляСтся ΠΈΡ… ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС для ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… тран­зисторов с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ достигаСт Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ ΠΎΠΌΠ° (0,5…2,0Ома), Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π² качСствС Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° с вСсьма ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ собствСнным сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Рис. 6.14. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΎΡ‚ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (Π°) ΠΈ схСма замСщСния ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС (Π±)

Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, Ссли напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ (ΠΈΠ»ΠΈ большС Π΅Π³ΠΎ), Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° транзистора увСличиваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соотвСтствуСт Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Ρƒ с вСсьма ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ собствСнной ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡, управляСмый напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ способСн ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ достаточно большой Ρ‚ΠΎΠΊ (Π΄ΠΎ 10 А ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅). Π£ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ транзисторов с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ напряТСниСм, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ создании силовых ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° замСщСния ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 5.6 Π±.

StudyPort.Ru — ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹Π΅ транзисторы.

Π’Π’Π•Π”Π•ΠΠ˜Π•

ДСйствиС транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с дСйствиСм ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΠ½Ρ‹. Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ постоянного источника (тСчСния Ρ€Π΅ΠΊΠΈ) ΠΈ ΠΏΠ»ΠΎΡ‚ΠΈΠ½Ρ‹ создан ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. Затрачивая ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΡΠ½Π΅Ρ€Π³ΠΈΡŽ Π½Π° Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ большой мощности, Ρ‚.Π΅. ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ энСргиСй ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ постоянного источника.

Π‘Ρ€ΠΎΠΊ слуТбы ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΡ… ΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π· большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ элСктронных Π»Π°ΠΌΠΏ. Π—Π° счёт Ρ‡Π΅Π³ΠΎ транзисторы нашли ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² микроэлСктроникС — Ρ‚Π΅Π»Π΅-, Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ-, Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎ-, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ…. Они Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… элСктричСских цСпях Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ, ΠΏΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΈ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° транзисторов ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с элСктронными Π»Π°ΠΌΠΏΠ°ΠΌΠΈ — Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² — отсутствиС Π½Π°ΠΊΠ°Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π°, ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ для Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзисторы сами ΠΏΠΎ сСбС Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π· мСньшС ΠΏΠΎ массС ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π°ΠΌ, Ρ‡Π΅ΠΌ элСктричСскиС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹, ΠΈ транзисторы способны Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… напряТСниях ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких частотах.

Но наряду с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ качСствами, Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΈ свои нСдостатки. Как ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, транзисторы ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, элСктричСским ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌ ΠΈ сильно ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ излучСниям (Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ²Π΅Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ, Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ Π² ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ корпуса ).

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ транзисторы β€” ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠΉ, пСрспСктивныС – арсСнид галлия, ΡΡƒΠ»ΡŒΡ„ΠΈΠ΄ Ρ†ΠΈΠ½ΠΊΠ° ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ Π·ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ.

БущСствуСт 2 Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: биполярныС ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅.

Рассмотрим устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора МОП- структуры (ΠœΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»- ОкисСл- ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ нашСл ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² качСствС основного элСмСнта всСх соврСмСнных ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСм КМОП структуры.

МОП – Π’Π ΠΠΠ—Π˜Π‘Π’ΠžΠ Π«

1. Устройство ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ПолСвой транзистор — это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ обусловлСны ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ основных носитСлСй, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ управляСмый элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ биполярных Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов основана Π½Π° использовании основных носитСлСй заряда Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅. По конструктивному исполнСнию ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ изготовлСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π΄Π²Π΅ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹: ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-ΠΏ — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

Рис.1. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ПолСвой транзистор с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-ΠΏ- ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ — это ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π² элСктричСском ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Ρ€-ΠΏ — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, смСщСнным Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π» входят носитСли заряда, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ истоком; элСктрод, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° уходят носитСли заряда, — стоком; элСктрод, слуТащий для рСгулирования ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, — Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ истоку ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ (для ΠΏ-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°), Π° ΠΊ стоку ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (рис. 1 ) Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, создаваСмый Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ элСктронов ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку, Ρ‚.Π΅. основными носитСлями заряда. Π’ этом Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ сущСствСнноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΎΡ‚ биполярного. Π”Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ носитСлСй заряда вдоль элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Π° Π½Π΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΊΠ°ΠΊ Π² биполярном транзисторС) являСтся Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ЭлСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, создаваСмоС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, измСняСт ΠΏΠ»ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ носитСлСй заряда Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅, Ρ‚.Π΅. Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ происходит Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ элСктродом ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ, Π° потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ источника сигнала Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»Π°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ усилСниС элСктромагнитных ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ мощности, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

Рис. 2. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ: Π° — с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ; Π± — со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

ПолСвой транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ — это ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Π΅Π½ Π² элСктричСском ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° слоСм диэлСктрика. ПолСвой транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ состоит ΠΈΠ· пластины ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° (ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ) с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высоким ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ созданы Π΄Π²Π΅ области с ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ элСктропроводности (рис. 2 ). На эти области нанСсСны мСталличСскиС элСктроды — исток ΠΈ сток. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм диэлСктрика (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ слоСм оксида крСмния). На слой диэлСктрика нанСсСн мСталличСский элСктрод — Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ структура, состоящая ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, диэлСктрика ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠœΠ”ΠŸ- транзисторами ΠΈΠ»ΠΈ МОП- транзисторами (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» — оксид- ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ).

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π΅ разновидности ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ.

Π’ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями истока ΠΈ стока ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΠΎΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ полярности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока (ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏ-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅). Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ (UΠ—Π˜.ΠΏΠΎΡ€ ). Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ появлСниС ΠΈ рост проводимости ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° связаны с ΠΎΠ±ΠΎΠ³Π°Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ основными носитСлями заряда, Ρ‚ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния.

Π’ ΠœΠ”ΠŸ — транзисторах со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π», изготавливаСтся тСхнологичСским ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ, образуСтся ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π’ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ, измСняя Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток транзистора с Ρ€ — ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии транзистора с n —ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ стока прСкращаСтся. Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ напряТСниСм отсСчки (UΠ—Π˜.отс ). ΠœΠ”ΠŸ — транзистор со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° основными носитСлями заряда.

2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Рис. 3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ПолСвой транзистор Π² качСствС элСмСнта схСмы прСдставляСт собой Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ нСсиммСтричный Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊ, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π·Π°ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ для Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ· элСктродов ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρƒ, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ схСмы: с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€; с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ стоком ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€; с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½Π° исток. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 3.

По Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ с Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроникой, Π³Π΄Π΅ Π·Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΡƒΡŽ принята схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²ΠΎΠΉ являСтся схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком.

3. ЭквивалСнтная схСма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Рис. 4. ЭквивалСнтная схСма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ЭквивалСнтная схСма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, элСмСнты ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρƒ-ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ Π½Π° рис. 4. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ каТдая ΠΈΠ· проводимости ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ физичСский смысл.

4. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

Входная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ участка Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток ΡƒΠ—Π˜. = Ρƒ11 + Ρƒ12 ; выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ — ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ участка сток — исток ΡƒΠ‘Π˜ = Ρƒ22 + Ρƒ21 ; Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ — ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики S = Ρƒ21 — Ρƒ12 ; функция ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ — ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΠ—Π‘ = Ρƒ12. Π­Ρ‚ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π·Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Π² качСствС Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊΠ°. Если ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ…ΠΏΠΎΠ»ΡŽΡΠ½ΠΈΠΊΠ° для схСм с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ для любой Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора.

ΠΠ°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока IΠ‘.Π½Π°Ρ‡ — Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΈ напряТСнии Π½Π° стокС, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ напряТСниС насыщСния. ΠžΡΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока IΠ‘.ост — Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ напряТСниС отсСчки. Π’ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IΠ—.ΡƒΡ‚ — Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — сток IΠ—Π‘Πž— Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — сток ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток IΠ—Π˜Πž — Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

НапряТСниС отсСчки ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистораUΠ—Π˜.отс — напряТСниСмСТду Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком транзистора с Ρ€ -ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ стока достигаСт Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния. ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора UΠ—Π˜.ΠΏΠΎΡ€ — напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ стока достигаСт Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния.

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристик ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора S — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ измСнСнию напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком.

Входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π‘11ΠΈ — Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком. Выходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π‘22ΠΈ — Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком. ΠŸΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄Π½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора C12ΠΈ — Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ -сток Π‘Π—Π‘Πž — Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ стоком ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ…. Π•ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток Π‘Π—Π˜Πž Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°Ρ….

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ мощности ΠšΡƒΡ€— ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ мощности Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΊ мощности Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частотС ΠΈ схСмС Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

4.1. ЧастотныС свойства.

ЧастотныС свойства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ постоянной Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC — Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘11ΠΈ Ρƒ транзисторов с Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠ° (дСсятки ΠΏΠΈΠΊΠΎΡ„Π°Ρ€Π°Π΄), ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадах с большим Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ частот, Ρ€Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… сотСн ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ³Π΅Ρ€Ρ† — Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ† ΠΌΠ΅Π³Π°Π³Π΅Ρ€Ρ†.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… схСмах ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ опрСдСляСтся постоянной Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ RC — Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π£ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ входная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС, поэтому ΠΈΡ… частотныС свойства Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с Ρ€-ΠΏ — ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

Граничная частота опрСдСляСтся ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ fΠ³Ρ€.=159/Π‘11ΠΈ, Π³Π΄Π΅ fΠ³Ρ€ = частота, ΠœΠ“Ρ†; S — ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики транзистора, мА/Π’; Π‘11ΠΈ — Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠΌ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΏΠ€.

4.2. Π¨ΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства.

Π¨ΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹Π΅ свойства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ коэффициСнтом ΡˆΡƒΠΌΠ° КШ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Π»ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния сток — исток, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΈ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ (Π½ΠΈΠΆΠ΅ 50 0 Π‘) ΠΈ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΠ½Π½ΠΎ возрастаСт с ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ частоты ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π³ΠΎ сопротивлСния источника сигнала. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡŽΡ‚ Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ UБИ, IC Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ частотС.

ВмСсто коэффициСнта ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Uш — эквивалСнтноС ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, Π² полосС частот ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π° Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком; ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Iш — эквивалСнтный ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π² полосС частот Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком.

4.3. Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

Π’Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Π³ΠΎΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ свойства ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока, ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ опрСдСляСтся двумя Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ: ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ подвиТности основных носитСлСй заряда Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ контактная Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ увСличиваСтся. Но ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ подвиТности носитСлСй заряда Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях дСйствиС этих Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² взаимнокомпСнсируСтся ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора пСрСстаСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. На рис. 5. ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ стокозатворныС характСристики ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.

Рис. 5. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ — Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ….

Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ характСристики ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов такая ΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока. Π‘ ростом Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° увСличиваСтся. Π₯отя Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π΄ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… сопротивлСниях Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’ этом случаС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ сущСствСнноС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. ВСмпСратурная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 6.

рис. 6. Π—Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° практичСски Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹.

4.4. Максимально допустимыС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

Максимально допустимыС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ значСния ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π»ΡŽΠ±Ρ‹Ρ… условиях эксплуатации ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… обСспСчиваСтся заданная Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. К максимально допустимым ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ относятся: максимально допустимоС напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — исток UΠ—Π˜max, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — сток UΠ—Π‘max, сток — исток UБИmax, максимально допустимоС напряТСниС сток — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° UБПmax, исток — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° UИПmax, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° UΠ—ΠŸmax. Максимально допустимый постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ стока IΠ‘max максимально допустимый прямой Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° IΠ—(ΠΏΡ€)max, максимально допустимая постоянная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π max.

4.5. Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ – Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.

Рис. 7. Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ – Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора со встроСным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n- Ρ‚ΠΈΠΏΠ°: Π° – стоковыС; Π± – стоко – Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅.

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ — Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока IC ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· напряТСний UБИ ΠΈΠ»ΠΈ UΠ—Π˜ ΠΏΡ€ΠΈ фиксированной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ.

Π’ ΠœΠ”ΠŸ — транзисторС с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = 0 ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² проводящСм состоянии. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌ напряТСнии UΠ—Π˜.ПОР < 0 Π·Π° счСт обСднСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° основными носитСлями ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. БтатичСскиС стоковыС характСристики Π² этом случаС Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΈΠ΄, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° рис. 7, Π° стоко — затворная характСристика пСрСсСкаСт ось ΠΎΡ€Π΄ΠΈΠ½Π°Ρ‚ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ со Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IC.НАЧ.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠœΠ”ΠŸ — транзистора с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΏ — Ρ‚ΠΈΠΏΠ° являСтся Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±Π΅Π· постоянного напряТСния смСщСния ( UΠ—Π˜ = 0) Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ обСднСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ обогащСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° основными носитСлями заряда. ΠœΠ”ΠŸ — транзистор с встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π° рис. 7.

Π£ ΠœΠ”ΠŸ — транзисторов всСх Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ влияниС Π½Π° Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ -Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈ соотвСтствСнно ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора. Благодаря Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. НапряТСниС Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ исток — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π»ΡΡ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠ°Π½Π°Π» — ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-ΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

5. Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.

Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики, ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ, ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ всСми ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ прСимущСствами транзисторов. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π² схСмах, Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв использовались элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² усилитСлях постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° с высокоомным Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π² истоковых повторитСлях с особо высокоомным Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Π² элСктромСтричСских усилитСлях, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π»Π΅ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, RS — Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΈ ΠΈΠ½Ρ„Ρ€Π°Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот, Π² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… ΠΏΠΈΠ»ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ, усилитСлях Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΉ частоты, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΎΡ‚ источников с большим Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠΌ сопротивлСниСм, Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… RC — Ρ„ΠΈΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ… Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частот. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π² высокочастотных усилитСлях, смСситСлях, ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… устройствах.

Π’ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ использованию транзисторов для случая ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов слСдуСт внСсти дополнСния:

1. На Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с Ρ€-ΠΏ ( ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ для транзисторов с Ρ€ — ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для транзистора с ΠΏ — ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ).

2. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ слСдуСт Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с Π·Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ транзисторов Π² схСму Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ приняты всС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ для снятия зарядов статичСского элСктричСства. ΠΠ΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ мСталличСском листС, Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΆΠ°Π»ΠΎ паяльника, Π° Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Ρ€ΡƒΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСталличСского браслСта. НС слСдуСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄Π΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΈΠ· синтСтичСских Ρ‚ΠΊΠ°Π½Π΅ΠΉ. ЦСлСсообразно ΠΏΠΎΠ΄ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΊ схСмС, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

40. ПовСдСниС биполярных Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²ο½œChip One Stop

  • TOP
  • Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ ссылки
  • ПовСдСниС биполярных транзисторов

Биполярный транзистор (Bipolar Transistor) β€” это Ρ‚ΠΈΠΏ транзистор достигаСтся Π·Π° счСт использования p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. Он называСтся транзистором ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π•ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° стыка структур с ΠΈΠΌΠ΅Π½Π°ΠΌΠΈ pnp ΠΈ npn, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ структурой соСдинСния Ρ€Π΅Π²Π΅Ρ€ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ 3 Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° структура, Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ названия: эмиттСр (E), Π±Π°Π·Π° (B) ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (Π‘). Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилСния ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ названия биполярного транзистора ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΊΠ°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€Ρ‹, связанной с Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΎΠΉ, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° элСктрон ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°, поэтому ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ bi (Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π²ΡƒΡ…). Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ полюса. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ эффСкт поля Вранзистор Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (FET: Field EffectTransistor) β€” это Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ 1 Ρ‚ΠΈΠΏ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ являСтся пСрСносчиком, относящимся ΠΊ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ, являСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ элСктрон ΠΈΠ»ΠΈ отвСрстиС, поэтому это называСтся соСдинСниСм с Uni (Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ) ΠΈ ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½Ρ‹ΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π² основном Π½Π° биполярный транзистор ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅ транзистор Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Π±Ρ‹Π» биполярный транзистор.

Π₯арактСристики

Π’ качСствС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ· характСристик ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ дСсятков Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сотСн Ρ€Π°Π· ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ² ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. Ѐункция усилСния достигаСтся Π·Π° счСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ эту Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ. Π”Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ поддСрТиваСтся постоянным (фиксированный Ρ‚ΠΎΠΊ характСристика). НСобходимо ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии эмиттСра ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° 0,6-0,7Π’ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ (для npn-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) для ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ эмиттСр ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» структурирован Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Ѐункция ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ достигаСтся Π·Π° счСт использования этой разности ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ². Π’ Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором (Π€Π•Π’). Однако энСргопотрСблСниС большС ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² качСствС ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎ всСму Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ. Π­Ρ‚ΠΎ нСдостаток ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° (вакуумная Π»Π°ΠΌΠΏΠ° ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ напряТСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° с большим количСством энСргии. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, это Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистор Π½Π΅ получаСтся ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ½ΡƒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ сигнал. ΠžΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ трСбуСтся для Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ограничСния скорости Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Ρ‚.ΠΊ. Π•ΡΡ‚ΡŒ нСсколько своСобразных кумулятивный эффСкт носитСля Π² Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° для ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°. Однако, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ограничСниями Π² источник питания, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС трСбуСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ напряТСниС насыщСния (составляСт 0,6-0,7Π’ Π² случаС ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ биполярный транзистор) ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ сСкции, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΎΠ½Π° разряТСна ΠΊΠ°ΠΊ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ Π² качСствС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ сигнала Π’ΠšΠ›/Π’Π«ΠšΠ› Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.

Π’ΠΈΠΏ

Как ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»ΠΎΡΡŒ Ρ€Π°Π½Π΅Π΅, Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π° соотвСтствСнно называСтся Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ (E), Π‘Π°Π·ΠΎΠΉ (B) ΠΈ ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (C). Оба ΠΏΠ½ΠΏ структура ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ структуры npn Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠšΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ эмиттСра, Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄Π° Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠΈ, Π‘Π΅Ρ‚ΠΊΠ°, ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° пластины ΠΈ источник ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ эффСкта транзистор (FET), Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, сток. npn-транзистор Π»Π°ΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π² порядкС n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° pnp-транзистор Π»Π°ΠΌΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ Π² порядкС p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, n Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏ p. Оба ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° находятся Π² симмСтричная Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°, Π½ΠΎ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ транзисторС Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнута, Ссли концСнтрация загрязнитСля ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π½Π° сторонС эмиттСра Π½Π΅ ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½.

Основной ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
– напряТСниС эмиттСра

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π±Π°Π·Π° находится Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии. Если напряТСниС, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅, Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ Π»Π°Π²ΠΈΠ½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π±ΠΈΠ²ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сгСнСрирована Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ соСдинСния ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅Π½.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
– Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ Π±Π°Π·Π°

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ
– Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ постоянно Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅. Или, максимум Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ усилСниС для практичСского использования.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ снято с Π±Π°Π·Π° ΠΊ эмиттСру

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ мощности ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ постоянно потрСбляСтся

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСктричСскиС характСристики

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π² эмиттСрС Ρ†Π΅ΠΏΡŒ усилСния зазСмлСния

Частота срСза

Частота, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ становится Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ 1. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ называСтся частотой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

Π₯арактСристика полярных, полуполярных ΠΈ нСполярных p-n Π³ΠΎΠΌΠΎ- ΠΈ Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ молСкулярно-Π»ΡƒΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ эпитаксии с Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠΎΠΌ

Π₯арактСристика полярных, полуполярных ΠΈ нСполярных p-n-Π³ΠΎΠΌΠΎ- ΠΈ Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ², Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ молСкулярно-ΠΏΡƒΡ‡ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ эпитаксии с Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠΎΠΌ

  • Π₯ΡƒΡ€Π½ΠΈ, ΠšΡ€ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ„ Антуан
Аннотация

Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΈΠΉ интСрСс ΠΊ Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π°ΠΌ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ III начался с достиТСния Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости Π² Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ 19 Π²Π΅ΠΊΠ°.90 с Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… GaN, Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Mg, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ химичСского осаТдСния ΠΈΠ· ΠΏΠ°Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ„Π°Π·Ρ‹ мСталлоорганичСских соСдинСний (MOCVD) Nakamura et al. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, GaN, Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Mg, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ MOCVD, являСтся ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΈΠ·-Π·Π° образования Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… комплСксов Mg-H. Накамура ΠΈ Π΄Ρ€. ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ быстрый тСрмичСский ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³ удаляСт Π²ΠΎΠ΄ΠΎΡ€ΠΎΠ΄ ΠΈ обСспСчиваСт Ρ€-ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. ВскорС послС этого открытия Накамура ΠΈ Π΄Ρ€. продСмонстрировали ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ свСтодиоды ΠΈ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Ρ‹. НСобходимый этап ΠΎΡ‚ΠΆΠΈΠ³Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΡ‡Π΅Π½ для устройств, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ трСбуСтся скрытый p-слой, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ биполярныС транзисторы с Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠœΠΎΠ»Π΅ΠΊΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎ-лучСвая эпитаксия Π°ΠΌΠΌΠΈΠ°ΠΊΠ° (Nh4-MBE) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ большой ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» для выращивания Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… устройств Π½Π° основС III-Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ΠΎΠ² благодаря условиям выращивания с высоким содСрТаниСм Π°Π·ΠΎΡ‚Π° ΠΈ всСм ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ прСимущСствам MBE, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ срСду роста с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ содСрТаниСм примСсСй, in situ. ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠ½Π³Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ наращивания Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΊΠΈΡ… интСрфСйсов. Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° ΠΌΡ‹ исслСдовали рост p-GaN ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Nh4-MBE. ΠœΡ‹ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ концСнтрация Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ сильно зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ роста. Благодаря всСсторонним измСрСниям Π₯ΠΎΠ»Π»Π° ΠΈ Π΄Π»ΠΈΠ½Ρ‹ пСрСноса ΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ»ΠΈ Π΄ΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΎΠ½ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Π² ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΊΠ°Ρ… GaN, Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Mg, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Nh4-MBE. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Ρ‹ ΠΈ исслСдованы высококачСствСнныС p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΈ коэффициСнтом ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅. Для проСктирования устройств с Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ Π»Π°Π·Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΎΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ биполярныС транзисторы с Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, характСристики гСтСроинтСрфСйса, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ смСщСниС полосы ΠΈΠ»ΠΈ заряды интСрфСйса, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ. ΠœΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΈΠΊΠ°, разработанная Kroemer et al. ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Смкости-напряТСния (C-V) для извлСчСния смСщСния полосы ΠΈ зарядов Π½Π° Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅. ΠœΡ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ»ΠΈ эту Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΡƒ ΠΊ III-Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π°ΠΌ. ΠœΡ‹ ΠΎΠ±Π½Π°Ρ€ΡƒΠΆΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ для полярных III-Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄ΠΎΠ² этот ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ Π½Π΅ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большого поляризационного заряда. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, ΠΌΡ‹ ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΠ»ΠΈ поляризационный заряд Π½Π° Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ AlGaN/GaN с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ C-V профилирования. Π’ нСполярных ΠΈ полуполярных случаях заряд Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Ρ‹ Π±Ρ‹Π» достаточно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π²Π»Π΅Ρ‡ΡŒ смСщСниС Π·ΠΎΠ½Ρ‹ проводимости с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ CV-профилирования ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ„ΠΈΠ»ΡŒ лСгирования ΠΈΠΌΠ΅Π» прСдсказуСмоС ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *