ΠŸΡ€ΡΠΌΠΎΠΉ транзистор. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор. Как устроСны ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. КакиС Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π“Π΄Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы Π² элСктроникС. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΈ нСдостатки ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚

ПолСвой транзистор — это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π», управляСмый элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ биполярных транзисторов, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов основана Π½Π° использовании носитСлСй заряда Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° — элСктронов ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ элСмСнты ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора:

  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ — элСктрод, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π» входят основныС носитСли заряда
  • Π‘Ρ‚ΠΎΠΊ — элСктрод, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° выходят основныС носитСли заряда
  • Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ — ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод, ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅
  • Канал — ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ проводимости ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм напряТСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ. Π§Π΅ΠΌ большС напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, Ρ‚Π΅ΠΌ ΡˆΠΈΡ€Π΅ открываСтся ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком.


ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:

1. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзисторах ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ обСднСния Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ, суТая ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ Ρ‚ΠΎΠΊ.

2. ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы (транзисторы со структурой ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-диэлСктрик-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ)

Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π² ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° слоСм диэлСктрика. Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚:

  • ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы с встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ
  • ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ

ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ наибольшСС распространСниС Π² соврСмСнной элСктроникС.

Π₯арактСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов:

  • ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ измСнСнию напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅
  • Выходная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ — ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ измСнСнию напряТСния сток-исток
  • НапряТСниС отсСчки — напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ пСрСкрываСтся
  • Входная ΠΈ выходная Смкости
  • Максимально допустимыС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния

ΠžΡ‚ этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² зависят ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.


ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ рядом прСимущСств ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с биполярными:

  • ВысокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС (Π΄ΠΎ 10^14-10^15 Ом)
  • ΠœΠ°Π»Ρ‹ΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²
  • Высокая радиационная ΡΡ‚ΠΎΠΉΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°
  • Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ с ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅

Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… элСктронных устройствах.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

Благодаря своим особСнностям ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… областях:

  • УсилитСли с высоким Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм
  • АналоговыС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹
  • Π“Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹, управляСмыС напряТСниСм
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ напряТСниС-Ρ‚ΠΎΠΊ
  • Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΠΈΠ·Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • Π¦ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ логичСскиС схСмы
  • ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΠΎΡ€Ρ‹ ΠΈ микросхСмы памяти

ОсобСнно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСмах.

НСдостатки ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

К основным нСдостаткам ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ отнСсти:

  • Π§ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ статичСскому элСктричСству
  • МСньшая ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с биполярными транзисторами
  • Π‘Π»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ получСния Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ характСристики
  • ΠŸΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Смкости, ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ быстродСйствиС

Однако Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ прСимущСства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… нСдостатки Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.


Π‘Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΈ биполярных транзисторов

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ отличия ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΡ‚ биполярных:

ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторыБиполярныС транзисторы
ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌΠ£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹
Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоСНизкоС
Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниСВысокоСНизкоС
ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСнияБрСднийВысокий
БыстродСйствиСВысокоСБрСднСС
Π£Ρ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²ΠΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉΠ‘Ρ€Π΅Π΄Π½ΠΈΠΉ

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… характСристик.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ваТнСйшими Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ соврСмСнной элСктроники. Π˜Ρ… ΡƒΠ½ΠΈΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ свойства, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ², Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… Π½Π΅Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠΌΡ‹ΠΌΠΈ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… областях примСнСния. ОсобСнно ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ распространСниС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСмах. НСсмотря Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ нСдостатки, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, открывая Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ возмоТности для элСктронных устройств.


4. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы. ЀизичСскиС основы элСктроники. ΠšΡƒΡ€Ρ Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΉ

4.1. ПолСвой транзистор с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

4.2. ПолСвой транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠœΠ”ΠŸ-транзистор)

4.1. ПолСвой транзистор с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ

Π’ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ основных носитСлСй заряда осущСствляСтся Π² области ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ измСнСния Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ элСктричСского поля. ПолСвой транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚Ρ€ΠΈ элСктрода: исток, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² n ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ основныС носитСли; сток, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ для рСгулирования ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Π’ настоящСС врСмя сущСствуСт мноТСство Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² рядС устройств Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивно, Ρ‡Π΅ΠΌ биполярныС. ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов являСтся Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈ Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ассортимСнт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² для ΠΈΡ… изготовлСния Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡˆΠΈΡ€Π΅ (Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ с основными носитСлями заряда), благодаря Ρ‡Π΅ΠΌΡƒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ созданиС, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, тСмпСратуроустойких ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ² ΠΈ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС этих транзисторов.

Рисунок 4.1

На рисункС 4.1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Π’ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ источник ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния UΠ—Π˜ Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Выходная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ состоит ΠΈΠ· источника постоянного напряТСния U

БИ плюсом соСдинСнного ΠΊ стоку. Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ являСтся ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ схСмы. ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ истока ΠΈ стока Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅. Канал ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°; ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ m n>m p Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ n-ΠΊΠ°Π½Π°Π». Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ области p+-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

ПолСвой транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ. ΠŸΡ€ΠΈ отсутствии напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ основныС носитСли заряда — элСктроны ΠΏΠΎΠ΄ дСйствиСм ΡƒΡΠΊΠΎΡ€ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктричСского ноля Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ (E = 105ΒΈ 104 Π’/см) Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„ΡƒΡŽΡ‚ Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ для Π½ΠΈΡ… Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚. Π’ΠΎΠΊ IΠ‘, создаваСмый этими элСктронами, опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниСм стока UБИ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. ПослСднСС зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ограничиваСтся p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (Π·Π°ΡˆΡ‚Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» элСктричСского поля Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ возрастаСт ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку вдоль ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° минимальна Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ истока ΠΈ максимальна Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ стока, ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π» суТаСтся вдоль p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ стока ΠΊ истоку. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, наибольшим сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ своСй части.

Π°)

Π±)

Рисунок 4.2

Если Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния сигнала Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ UΠ—Π˜ повысятся, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎ всСй Π΅Π³ΠΎ Π΄Π»ΠΈΠ½Π΅ увСличится, Π° ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ стока ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ.

На рисункС 4.2,Π° ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Π° характСристика прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ IΠ‘ =f(UΠ—Π˜). Π£ΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ эффСкт Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΌ сильнСС, Ρ‡Π΅ΠΌ большС ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, поэтому ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΈΠ· высокоомного ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ UΠ—Π˜0 сСчСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ части станСт Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π» прСкратится. Π’Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ называСтся Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠΌ отсСчки. Π₯арактСристика прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ описываСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ

(3.40)

Па рисункС 4.2,Π± ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΎ сСмСйство статичСских Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик IΠ‘ =f(UБИ) ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… значСниях напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° UΠ—Π˜. КаТдая характСристика ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄Π²Π° участка — омичСский (для ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… UБИ) ΠΈ насыщСния (для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… UБИ). ΠŸΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = 0 с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния UΠ‘ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠ‘ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ нарастаСт ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π΄Π°Π»Π΅Π΅ характСристика пСрСстаСт ΠΏΠΎΠ΄Ρ‡ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома; Ρ‚ΠΎΠΊ I

Π‘ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ расти ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ, ΠΈΠ±ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ падСния напряТСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° вдоль ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. ВслСдствиС этого ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ слоя ΠΈ сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ замСдляСтся возрастаниС самого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠ‘. ΠŸΡ€ΠΈ напряТСнии насыщСния UБИ = UΠ—Π˜0 сСчСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° приблиТаСтся ΠΊ Π½ΡƒΠ»ΡŽ ΠΈ рост IΠ‘ прСкращаСтся.

Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ характСристика, снятая ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° UΒ’ Π—Π˜, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ слой ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ значСниях UБИ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΎΠΉ Π½Π° Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ участкС ΠΈ насыщСниС наступит Ρ€Π°Π½ΡŒΡˆΠ΅ (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… значСниях UΒ’ БИ=UΠ—Π˜0 -UΒ’ Π—Π˜).

ВСмпСратурная Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° истока связана с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ подвиТности основных носитСлСй, заряда Π² ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° S ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, с ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ увСличиваСтся собствСнная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, возрастаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ I

Π— Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ RΠ’Π₯. Π£ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° порядка 1 нА. ΠŸΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ удваиваСтся Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹Π΅, 10Β°Π‘.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ Ρƒ Π½ΠΈΡ… Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Ρ‚. Π΅. Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока практичСски постоянСн ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ… (рисунок 4.3). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ подвиТности носитСлСй ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ стока. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ сокращаСтся ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ проводящая Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ увСличиваСтся Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ΅ сказываСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… стока, Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ…. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π° ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… процСсса ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π΅Π΅ полоТСния основной ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ высокоомный рСзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π‘ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока.

Рисунок 4.3

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ расчСтС ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ транзистором, являСтся статичСская ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° характСристики прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ, Ρ‚. Π΅. ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком:

Π”ΠΈΡ„Ρ„Π΅Ρ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС здСсь опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ

, Ом, .

Оно составляСт, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ дСсятки β€” сотни ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΎΠΌΠΎΠ². БтатичСский коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ m =D UБИ/D UΠ—Π˜ =SΓ— Ri .

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄ΡƒΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Смкости Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток Π‘Π—Π˜ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-сток Π‘Π—Π‘ ΠΈ сток-исток ББИ. Для ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… транзисторов Π‘Π—Π˜=3 ΠΏΠ€, Π‘Π—Π‘=2 ΠΏΠ€ ΠΈ ББИ=0,2 ΠΏΠ€.

Π’ΠΎΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π° IΠ— β€”ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, создаваСмый нСосновными носитСлями Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½Π° ΠΌΠ°Π» (порядка 10-9 А ΠΈ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅). ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора RΠ’Π₯=D UΠ—/D IΠ— ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС (порядка Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… ΠΌΠ΅Π³ΠΎΠΌΠΎΠ²), входная ΠΆΠ΅ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ°Π»Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ находится ΠΏΠΎΠ΄ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм. Π­Ρ‚ΠΈΠΌΠΈ качСствами ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ отличаСтся ΠΎΡ‚ биполярных транзисторов с двумя p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π° высоких частотах основноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π‘

Π—Π˜. Максимальная рабочая частота опрСдСляСтся постоянной Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ f=1/2p RCΠ—Π˜, Π³Π΄Π΅ R — сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ заряТаСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ. Анализ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎ частотным свойствам ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π½Π΅ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ особых прСимущСств ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄ биполярным. ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ Π±Ρ‹Π»ΠΈ осущСствлСны ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с максимальной частотой Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄ΠΎ 30 Π“Π“Ρ†. Но с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния быстродСйствия ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор прСвосходит биполярный, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° основных носитСлях заряда ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии ΠΈΡ… накоплСния.

Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ достоинством ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора являСтся ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ отсутствиС остаточного напряТСния ΠΈ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии. Π—Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сопротивлСниС постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 108 Ом.

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ цСлСсообразно ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… устройствах усилитСлСй ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ ΠΎΡ‚ высокоомного источника сигнала, Π² Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… схСмах, рСгуляторах уровня сигнала ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.

4.2. ПолСвой транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠœΠ”ΠŸ-транзистор)

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ структуру ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» — диэлСктрик — ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²: с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (рисунок 4.4,Π°) ΠΈ с встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (рисунок 4.4,Π±). Если основой транзистора являСтся ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, Ρ‚ΠΎ диэлСктриком ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ слой окиси крСмния, поэтому Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ структуру ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ МОП-транзистор (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» β€” окисСл β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ).

Β 

Π°)

Π±)

Рисунок 4. 4

Вранзистор с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ области истока n+ ΠΈ стока n+, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π²Ρ‹Π²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· отвСрстиС Π² окиси крСмния Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ β€” исток ΠΈ сток. На слой двуокиси окиси крСмния Π½Π°ΠΏΡ‹Π»ΡΡŽΡ‚ слой алюминия, слуТащий Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. МоТно ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ плоский кондСнсатор с окисным диэлСктриком, Если Π½Π° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд ΠΎΠ±ΠΊΠ»Π°Π΄ΠΊΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ области ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Π‘ возрастаниСм ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния этот заряд, созданный притянутыми ΠΈΠ· Π³Π»ΡƒΠ±ΠΈΠ½Ρ‹ p-области ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° элСктронами, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСосновными носитСлями, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ повСрхностны слой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ исходныС n+-области истока ΠΈ стока. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ сопротивлСниС ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, благодаря элСктростатичСской ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком происходит инвСрсия Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. Π‘Π»ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° прСвращаСтся Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π”ΠΎ инвСрсии сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком опрСдСляСтся сопротивлСниСм Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΎ инвСрсии ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто структура n+-Ρ€-n+. ПослС инвСрсии образуСтся n-ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ структура становится n+-n-n+. МСняя напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока. Если Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ ΠœΠ”ΠŸ-транзистор с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ управляСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅.

Вранзистор с встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡŽ, ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΉ. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ слаболСгированный ΠΊΠ°Π½Π°Π» c ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€ΠΈ проводимости ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ сочСтаниС. Канал ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ° β€” ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ отсутствиС напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком опрСдСляСтся сопротивлСниСм n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ концСнтрация носитСлСй заряда ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡΡ ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΌ появляСтся ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ слой. Π‘ΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком увСличиваСтся ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ стока увСличиваСтся, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ индуцируСтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

На рисункС 4.4 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ характСристики прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов с Π½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ (кривая 2) ΠΈ встроСнным (кривая 1) ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ. Из рисунка Π²ΠΈΠ΄Π½Π° ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ характСристики. ВСорСтичСски характСристика прямой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ описываСтся ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ:

ΠΏΡ€ΠΈ . ( 3.41 )

Π—Π΄Π΅ΡΡŒ А β€” постоянный коэффициСнт; UΠ—Π˜ ПОР β€” напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ для транзистора с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ принято Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠΈΡ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости начинаСтся лишь ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии напряТСния UПОР.

Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠœΠ”ΠŸ-транзистора с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС 4. 5,Π° со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ β€” Π½Π° рисункС 4.5,Π±.

Рисунок 4.4

Π’ области UCИ < |UΠ—Π˜ — UΠ—Π˜ ПОР | тСорСтичСский Ρ‚ΠΎΠΊ стока

. ( 3.42 )

Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ описываСт восходящиС Π²Π΅Ρ‚Π²ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ характСристики. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠœΠ”ΠŸ-транзистора ΠΈΠ·-Π·Π° наличия изолятора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 1012 β€” 1014 Ом ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с ростом частоты вслСдствиС ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ транзистора. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… дСсятков β€” сотСн ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠΎΠΌΠΎΠ². Входная ΠΈ выходная Смкости ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΏΠΈΠΊΠΎΡ„Π°Ρ€Π°Π΄, Π° проходная Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ β€” дСсятыС Π΄ΠΎΠ»ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΎΡ„Π°Ρ€Π°Π΄Ρ‹.

Рисунок 4.5

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзисторы, для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹, ΠΈΡ… Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ характСристики

Главная Β» Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° Β» Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзисторы, для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹, ΠΈΡ… Π²ΠΈΠ΄Ρ‹ ΠΈ характСристики

0

Π―Π½Π²Π°Ρ€ΡŒ 4, 2022 Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ° admin

Вранзистором являСтся элСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚, способный ΠΏΠΎ спСцификС своСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слабый элСктричСский сигнал. Π‘Π°ΠΌΠΎ ΠΏΠΎ сСбС понятиС транзистор состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… слов: трансфСр ΠΈ рСзистор. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ случаС трансфСр пСрСводится с английского ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡Π°Β», Π° рСзистор – ΠΊΠ°ΠΊ «сопротивлСниС». Найти характСристики Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°ΠΌ радиоэлСмСнта ΠΏΠΎΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ справочник транзисторов.

Π˜ΡΡ…ΠΎΠ΄Ρ ΠΈΠ· Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ΡΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистором являСтся Π½Π΅ΠΊΠΎΠ΅ «сопротивлСниС», способноС Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π²Π°Π» напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ. Π­Ρ‚ΠΎ касаСтся транзисторов биполярного Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’ транзисторах ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π» напряТСния рСгулируСтся Π² Ρ€Π°ΠΉΠΎΠ½Π΅ истока ΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°.

Π’ΠΈΠ΄Ρ‹ транзисторов

На сСгодняшний дСнь ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ биполярныС транзисторы. БиполярныС транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ прямой ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости (ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ n-p-n ΠΈΠ»ΠΈ p-n-p).

ПолСвой транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Ρ‚ΠΈΠΏΠ° N ΠΈΠ»ΠΈ P. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… элСктричСских ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ поля ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈ встроСнныС.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики издСлия

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы Π² Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅ посрСдством своих тСхничСских характСристик.

Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…: ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. Если элСктричСский элСмСнт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π² процСссС эксплуатации Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ всС врСмя.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ качСствСнным ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ элСктричСской Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, примСняя ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ. Если транзисторы прСдусматриваСтся ΡΠΊΡΠΏΠ»ΡƒΠ°Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ динамичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сигналы Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ нСбольшого измСнСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ².

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ сигнал, ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉΡΡ Π½Π° ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠ΅.


Разновидности соврСмСнных транзисторов

Вранзисторы биполярного Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π² корпусС ВО3 2Н3055 ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ распространСны Π² Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… каскадах соврСмСнных усилитСлСй. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС устройство склонно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² динамичСском Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ транзистора Π·Π°Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡƒΡŽ примСняСтся Π² Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах усилитСлСй трансформаторного Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ эмиттСрС Π² процСссС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ достигаСтся напряТСниС, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 70 Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 15 А.

Благодаря соврСмСнному корпусу Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Π² ВО – 3 транзисторы Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ крСпятся Π½Π° ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости. Вранзисторы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КВ – 315 ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π»Π΅Π³Π΅Π½Π΄ΠΎΠΉ отСчСствСнных биполярных транзисторов.

Π˜Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ Π² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… схСмах. Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ динамичСского Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°.


Вранзисторная Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ° с прямой связью (DCTL) β€” ЛогичСскиС элСмСнты

ЛогичСскиС элСмСнты

ВранзисторныС Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы Π² основном Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ логичСских Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ стробирования И (ΠΈΠ»ΠΈ НЕ-И), стробирования Π˜Π›Π˜ (ΠΈΠ»ΠΈ НЕ-Π˜Π›Π˜) ΠΈ инвСрсии сигнала (НЕ Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π°). Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ функция ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ выполняСмая, хотя ΠΈ Π½Π΅ логичСская ΠΏΠΎ своСму Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Ρƒ, Π½ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ практичСская Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ являСтся усилСниС сигнала. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ логичСскиС Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ NOR, NAND, ΠΈ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ³Π³Π΅Ρ€Ρ‹, Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ эти Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π° Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ. Для этих Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ. Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ эти Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² соотвСтствии с элСмСнты, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для мСТкаскадной связи ΠΈΠ»ΠΈ связи ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΈ усилитСли. НаиболСС часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ элСмСнтами связи ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, рСзисторы, ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ рСзистор-кондСнсатор ΠΈ сами транзисторы. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ схСмы Π±Π΅Π· ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ· этих связСй. элСмСнты. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторно-логичСскими с прямой связью. Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Π°Ρ‰Π΅, DCTL. Π•ΡΡ‚ΡŒ нСсколько прСимущСств ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ нСдостатки DCTL, ΠΈ ΠΌΡ‹ рассмотрим ΠΈΡ… послС обсуТдСния Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ этот Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚.

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ DCTL

На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π° DCTL Π² каскадС. Π’ этой Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ рСзисторы R 1 , R 2 , ΠΈ R 3 слуТат источниками постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Они ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторов, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ транзистора, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ½ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹.

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ DCTL Π² каскадС.

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии Π’ Π² Π² основаниС Q 1 Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Π’ CE(SAT) ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ каскада Π½Π° транзисторС β€” напряТСниС v C1 стрСмится ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ питания Π’ Π‘Π‘ . ΠŸΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊ основанию Q 2 Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· R 1 , ΠΈ получаСтся Q 2 Π²ΠΊΠ». Π—Π°ΠΆΠΈΠΌΠ½ΠΎΠ΅ дСйствиС Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Q 2 Π²ΠΌΠ΅Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ v C1 ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ, опрСдСляСмом Π’ Π’Π•2 . Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Q 2 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, v C2 Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ опрСдСляСтся V CE(SAT) ΠΈΠ· Q 2 . Если Q 2 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ достаточно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ насыщСния, Ρ‚ΠΎ v C2 Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ достаточно ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Q 3 Π½Π°. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ ситуация ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° достаточно ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС, v Π² , получаСтся Q 1 Π²ΠΊΠ». Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ случаС v C1 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Q 2 off, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ Q 3 . Из этого ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ описания нСсколько Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹. Низкий Π’ CE(SAT) являСтся ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ транзисторов, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… для DCTL. Если V CE(SAT) высокий, Ρ‚ΠΎ всСгда Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ступСни ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ всС Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹, V CE(SAT) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС наимСньшСго Π’ Π‘Π­(Π’ΠšΠ›) ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторов. Π­Ρ‚ΠΎ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС питания ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСбольшим, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… напряТСния Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π’ CE(SAT) Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΈ V BE(ON) транзисторов ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ каскада.

Π—Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ сСрии DCTL

На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ транзистора, соСдинСнныС ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΡ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ И-НЕ. для ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов A, B ΠΈ C. Если ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… транзисторов Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° D Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ напряТСниСм питания ( Π’ CC ) Π² Π½Π΅Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌ состоянии. Π’ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… условиях напряТСниС Π½Π° D Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° рСзисторС R L ΠΈ V Π‘Π­(ОН) транзистор ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ступСни. Когда всС Ρ‚Ρ€ΠΈ транзистора ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹, ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Π½Π° D Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π±Π»ΠΈΠΆΠ΅ ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ случаС, ΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сумма V CE(SAT) Q 1 , Q 2 ΠΈ Q 3 ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ нСдостатком этой ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ являСтся Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠ±Π΅Π΄ΠΈΡ‚Π΅ΡΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ступСни Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° всС Ρ‚Ρ€ΠΈ транзистора находятся Π½Π°. Π‘ΡƒΠΌΠΌΠ° Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π’ CE(SAT) ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС Ρ‡Π΅ΠΌ Π’ BE(ON) транзистора ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ступСни. Одно срСдство для этого Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ большС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄Π° Π½Π° Q 1 , Q 2 ΠΈ Q 3 , Ρ‚Π΅ΠΌ самым рисуя ΠΈΡ… дальнСйшСС насыщСниС ΠΈ сниТСниС сопротивлСния насыщСния.

Π’ΠΎΡ€ΠΎΡ‚Π° DCTL сСрии

.


DCTL ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ

На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ DCTL, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π±Ρ‹Π» Ρ€Π°Π½Π΅Π΅ считаСтся Β«ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌΒ» каскадом с трСмя транзисторами, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ вмСсто ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. ΠžΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эта конфигурация схСма NOR. Если ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ любого ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… транзисторов ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ, Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈΠ΄Ρ‚ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎ.

ΠŸΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ шлюз DCTL.


НСдостатки DCTL

Current Hogging
Одной ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… особСнностСй DCTL являСтся Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΡΡŠΠ΅ΠΌ, ΠΈ это явлСниС Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·-Π·Π° распространСния Π² Π’ Π‘Π­(Π’ΠšΠ›) Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… управляСмых (Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ…) транзисторов. НСт Π΄Π²ΡƒΡ… транзисторы всСгда Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики, ΠΈ это всСгда ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзисторы с ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ мСньшим разбросом производства Π½Π° Π’ Π‘Π­(Π’ΠšΠ›) .

Если транзисторы Q 1 , Q 2 , ΠΈ Q 3 Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π²ΠΈΠ΄ A) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π²ΠΈΠ΄ Π‘), ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎ ясно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π’ 0 транзистора Q 0 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ опрСдСляСтся V CE (SAT) ΠΈΠ· Q 0 ΠΈ Π’ BE(ON) ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… транзисторов. На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π²ΠΈΠ΄ B) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π’ 0 Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π’ Π‘Π­(ОН) ΠΈΠ· Q 3 , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ потрСбляСт большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ R 0 , Ρ‡Π΅ΠΌ любой Q 2 ΠΈΠ»ΠΈ Q 1 . Π’ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ транзисторами, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΌ устройство потрСбляСт большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π°Π΅Ρ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ транзисторы, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ достаточного Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ€Π°ΠΉΠ²Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΡ…, Π° Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅.

Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ DCTL, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Π²ΠΎΡ€ΠΎΡ‚. (А) ЦСпь. (B) Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзисторов развСтвлСния.

ΠŸΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΠ° пСрСкрСстных ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΈΠ»ΠΈ ΡˆΡƒΠΌΠ°
Π’ любой высокоскоростной систСмС ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΡ‹ с быстрым Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π² систСмС зазСмлСния Π² основном ΠΈΠ·-Π·Π° индуктивности зазСмлСния. Π­Ρ‚ΠΈ напряТСния ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ систСмы. БистСмы DCTL ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΊ этим ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниям, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ ΠΈ сигнальноС напряТСния Π² этих систСмах, СстСствСнно, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅. Если нСсколько транзисторов Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ систСмы зазСмлСния Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹, Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π² Π½Π°Π·Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΉ систСмС, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ (Π² зависимости ΠΎΡ‚ полярности), Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ нСисправности Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… транзисторов дальшС ΠΏΠΎ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ систСма. Одним ΠΈΠ· Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ являСтся установка транзисторов ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ, Ρ‚Π΅ΠΌ самым сводя ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌΡƒ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ зазСмлСния. Помимо ΡˆΡƒΠΌΠ° ΠΎΡ‚ Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ, DCTL Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ уязвим ΠΊ ΡˆΡƒΠΌΡƒ Π² источниках питания ΠΈ постороннСму ΡˆΡƒΠΌΡƒ, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚. Из Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… логичСских схСм DCTL ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· самых Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… запасов ΠΏΠΎ ΡˆΡƒΠΌΡƒ, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ 0,1 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ 125Β°C Π΄ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,2 Π’ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ транзистор.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π° DCTL

НСсмотря Π½Π° ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½Ρ‹Π΅ ограничСния, DCTL ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ нСсколько ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ колСбания напряТСния ΠΌΠ°Π»Ρ‹, транзисторы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ Ρ€Π΅ΠΉΡ‚ΠΈΠ½Π³ΠΎΠΌ пробоя. Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ напряТСниС питания — ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ удобная функция. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠ΅ напряТСния, ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° всСго 3 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π² рСзисторах, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π² транзисторах довольно Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ. Π₯отя систСмы DCTL Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΈΠ·Π½Π° ΠΏΠΎ количСству ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… транзисторов, отсутствиС элСмСнты мСТкаскадной связи, Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ рСзисторов, Ρ„ΠΈΠΊΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ напряТСния питания Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΡ… ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ простыми.

Вранзисторный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с прямой связью – ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ эквивалСнтная схСма

ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ связь Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠ° для ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ низкочастотных (Π½ΠΈΠΆΠ΅ 10 Π“Ρ†) ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ фотоэлСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈ Ρ‚. Π΄. Π’Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΏΠ°Ρ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для измСрСния Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π² ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ…. НапряТСниС, ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ Π² Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΏΠ°Ρ€Π΅, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ ΠΏΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ (порядка ΠΌΠΊΠ’). Π­Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ подходящСго уровня, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅. Π’Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π² ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ, поэтому счСтчик Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ измСнСния. Для Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ прямая связь являСтся СдинствСнным Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. Для низкочастотных ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ нСльзя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ кондСнсаторы связи ΠΈ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ кондСнсаторы. На Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ сигнала Π½Π° Π½ΠΈΡ…, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ сниТСнию усилСния. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС эмиттСрных ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… кондСнсаторов становится сравнимым с эмиттСрными рСзисторами ΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, влияСт Π½Π° ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ дСйствиС кондСнсаторов. Если кондСнсаторы связи ΠΈ байпаса Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠ»ΡƒΠΆΠΈΡ‚ΡŒ своСй Ρ†Π΅Π»ΠΈ, ΠΈΡ… Π½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большими. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ кондСнсаторы Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈ, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ большиС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ этого, ΠΎΠ΄Π½Π° ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ соСдиняСтся со ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΡ‚ΡƒΠΏΠ΅Π½ΡŒΡŽ Π±Π΅Π· Π²ΠΌΠ΅ΡˆΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²Π° ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ устройства. Вакая связь называСтся с прямой связью ΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ β€‹β€‹ΡΠ²ΡΠ·ΡŒ, называСтся усилитСлСм с прямой связью . Двухкаскадный транзисторный ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ с прямой связью ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рис. 16.40.

Π’ схСмС двухкаскадного транзисторного усилитСля с прямой связью слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. Для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмы ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ каскада, ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, связаны с уровнями постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… каскадов. По этой ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ устройство смСщСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для всСй сСти, Π° Π½Π΅ для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ ступСни ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ.

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзисторного усилитСля с прямой связью:

Π‘Π»Π°Π±Ρ‹ΠΉ сигнал подаСтся Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора. Благодаря Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ транзистора Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ R c1 ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора получаСтся усилСнный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал. УсилСнный сигнал, Π²Ρ‹Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° R c1 , поступаСт Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ большС усиливаСтся Π½Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ этапС ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π°Π»Π΅Π΅. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, слабый сигнал усиливаСтся усилитСлСм с прямой связью.

Анализ схСмы:

ЭквивалСнтная схСма ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзисторного усилитСля с прямой связью, привСдСнная Π½Π° рис. 16.40, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 16.41.

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ стадии,

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ этапа,

ΠžΠ±Ρ‰Π΅Π΅ усилСниС напряТСния,

Частота. Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах. ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ АЧΠ₯ плоская Π΄ΠΎ Π²Π΅Ρ€Ρ…Π½Π΅ΠΉ частоты срСза f 2 , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСтся Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΈ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΉ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ транзистора. Π’Ρ‹ΡˆΠ΅ коэффициСнт усилСния ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ Π·Π° счСт мСТэлСктродной Смкости ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈ Смкости ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΊΠΈ.

Достоинства:
  1. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΡ‚Π° схСмотСхники ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ низкая ΡΡ‚ΠΎΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π·Π° счСт использования минимального количСства рСзисторов ΠΈ отсутствия Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΡ… устройств связи.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *