Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° биполярного транзистора: ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡ‹ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° ΠΈ стабилизации

Как Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ биполярного транзистора. КакиС Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. Как ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ транзистора. КакиС схСмы смСщСния ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для установки Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° биполярного транзистора

Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° (Π Π’) биполярного транзистора — это ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ постоянных Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний Π½Π° элСктродах транзистора Π² отсутствиС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Она опрСдСляСт Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ:

  • Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IК0
  • НапряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр UКЭ0
  • Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ‘0
  • НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр UΠ‘Π­0

ИндСкс «0» ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это значСния Π² состоянии покоя, Π±Π΅Π· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Π—Π°Ρ‡Π΅ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°Ρ установка Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для обСспСчСния:

  • Π›ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния сигнала
  • Максимального нСискаТСнного Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ…Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала
  • ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ коэффициСнта усилСния
  • ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний
  • Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ мощности, рассСиваСмой Π½Π° транзисторС

ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ Π Π’ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹:


  • ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала
  • Π‘ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Π΅ искаТСния
  • Низкий коэффициСнт усилСния
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π² транзистора

Как Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ

ΠŸΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹:

  1. Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала
  2. Π”ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΠΌΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСяния Π½Π° транзисторС
  3. Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния
  4. НапряТСниС питания схСмы
  5. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ транзистора

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ считаСтся рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°, располоТСнная ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² сСрСдинС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ участка Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора. Π­Ρ‚ΠΎ обСспСчиваСт ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ нСискаТСнный Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Бпособы задания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ биполярного транзистора

БущСствуСт нСсколько основных схСм задания Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ биполярного транзистора:

1. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹

Π’ этой схСмС Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ задаСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ высокоомного рСзистора RΠ‘, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ источнику питания:

  • ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π°Ρ схСма
  • ΠΠ΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ разбросС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ

2. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с фиксированным напряТСниСм Π±Π°Π·Ρ‹

НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ задаСтся Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ напряТСния R1-R2:


  • Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π°, Ρ‡Π΅ΠΌ схСма с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹
  • Π’Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΎΡ€Π° рСзисторов дСлитСля
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… каскадах

3. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с эмиттСрной стабилизациСй

Π’ ΡΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ вводится рСзистор RΠ­, ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΡƒΡŽ связь ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ:

  • Π₯ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ°Ρ тСмпСратурная ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
  • Блабая Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ разброса ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
  • Π¨ΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ примСняСтся Π² практичСских схСмах

4. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ стабилизациСй

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ связь осущСствляСтся с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор RК:

  • Высокая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ
  • Π£ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния каскада
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… каскадах

Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ

Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ — это прямая Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристиках транзистора, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ сопротивлСнии Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΅Π΅ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² сСрСдинС Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ участка Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Бтабилизация Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ биполярного транзистора

ПолоТСниС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ²:


  • ИзмСнСниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды
  • Разброс ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов
  • Π‘Ρ‚Π°Ρ€Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСмСнтов схСмы
  • ИзмСнСниС напряТСния питания

Для стабилизации Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Ρ‹:

  1. ВСрмостабилизация с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи
  2. ИспользованиС Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΎΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов
  3. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ схСм стабилизации напряТСния питания
  4. Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ транзисторов с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ разбросом ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ²

ВлияниС полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π½Π° ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ усилитСля

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнноС влияниС Π½Π° основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ каскада:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ
  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹Ρ… искаТСний
  • ЧастотныС свойства

ΠžΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π Π’ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°ΠΈΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π΅ сочСтаниС этих ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ примСнСния усилитСля.

РасчСт элСмСнтов схСмы смСщСния

Для расчСта элСмСнтов схСмы смСщСния биполярного транзистора Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ:

  1. Π’Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ
  2. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IК0 ΠΈ напряТСниС UКЭ0
  3. Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ I
    Π‘0
    = IК0 / β
  4. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС UΠ‘Π­0 (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ 0.6-0.7 Π’ для ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов)
  5. Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ сопротивлСния рСзисторов схСмы смСщСния

ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ допустимыС мощности рассСяния Π½Π° элСмСнтах схСмы.


ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ

ПослС расчСта схСмы смСщСния Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. Для этого ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ:

  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅ΡΡ‚ΠΈ ΠΌΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ схСмы Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠ΅ схСмотСхничСского модСлирования
  • Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΠ΅Ρ‚Π΅ схСмы
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния

ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости слСдуСт ΡΠΊΠΎΡ€Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ для получСния ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² усилитСля.


ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠ΅ способы установки Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π² схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ)

Β 

На рис. 3.3 ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° упрощСнная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора \(n\)-\(p\)-\(n\)-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с ОЭ, Π° Π½Π° рис. 3.4 β€” сСмСйства Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… статичСских характСристик этой схСмы.

Β 

Рис. 3.3. УпрощСнная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора n-p-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с ОЭ

Β 

Рис. 3.4. БтатичСскиС характСристики схСмы с ОЭ

Β 

Β 

Π’Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ рассмотрСниС этих характСристик позволяСт ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ряд ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора Π² Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ схСмС. ЕстСствСнно, Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ слСдуСт Ρ‚Π΅ участки характСристик, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.

Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΈΠ· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик (рис. 3.4,Π°) Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ достиТСнии Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ \({I_Π‘}_0\) ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ уровня ΠΎΠ½ практичСски пСрСстаСт Π²Π»ΠΈΡΡ‚ΡŒ Π½Π° напряТСниС \({U_{Π‘Π­}}_0\), Π° Π²ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ этого напряТСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ сущСствСнным колСбаниям Ρ‚ΠΎΠΊΠ° \({I_Π‘}_0\). Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики (рис. 3.4,Π±) ΠΈ характСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ (рис. 3.4,Π²) ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π’ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ большоС влияниС Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \({I_К}_0\) (СстСствСнно, ΠΈ Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра \({I_Π­}_0\), ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ \(I_Π­ \approx I_К\)), Π° Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ напряТСния \({U_{КЭ}}_0\).

Π˜Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ: ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ схСмС с ОЭ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ биполярного транзистора (Ρ‚.Π΅. Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \({I_К}_0\)), находящСгося Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ), наибольшСС влияниС ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ \({I_Π‘}_0\), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ, Π² свою ΠΎΡ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡŒ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сильно ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ воздСйствиСм ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния \({U_{Π‘Π­}}_0\). Π’ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \({I_К}_0\) ΠΈ эмиттСра \({I_Π­}_0\) практичСски ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора.

НапряТСниС \(U_{{КЭ}_0}\) Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ сущСствСнного влияния Π½Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ элСктричСскиС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ каскада ΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΠ· сообраТСний обСспСчСния нахоТдСния транзистора Π² области Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктричСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Π½Π° элСктродах транзистора.

На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ распространСниС Π΄Π²Π° способа обСспСчСния Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ полоТСния Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ: схСма с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ (рис. 3.5) ΠΈ схСма эмиттСрно-Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ стабилизации (рис. 3.6).

Β 

Рис. 3.5. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹

Β 

Рис. 3.6. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° эмиттСрно-Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ стабилизации

Β 

Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмС ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ всСх ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ каскада ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ базируСтся Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠΈ устойчивого значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора \({I_Π‘}_0\). ДостигаСтся это созданиСм Π±Π΅Π·Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ протСкания постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор \(R_Π‘\) ΠΈ эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора \(VT1\). ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ сопротивлСниС эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎ, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ \({I_Π‘}_0\) Ρ†Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠΌ опрСдСляСтся напряТСниСм питания \(U_П\) ΠΈ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния \(R_Π‘\):

\({I_Π‘}_0 \approx \cfrac{U_П}{R_Π‘}Β {Β Β Β Β } \Large \Rightarrow \normalsizeΒ {Β Β Β } R_Π‘ = \cfrac{U_П}{{I_Π‘}_0}Β \).

Β 

Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² рассматриваСмой схСмС ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ

\({I_К}_0 = \beta_{ст} {I_Π‘}_0\),

Π³Π΄Π΅ \(\beta_{ст}\) β€” статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π² схСмС с ОЭ.

Β 

Но данная Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ дСмонстрируСт ΠΈ основной нСдостаток схСмы с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ (рис. 3.5).

Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ производствС биполярных транзисторов Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ большой разброс Π² Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… значСниях коэффициСнта \(\beta_{Π‘Π’}\), Ρ‚.Π΅. для Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… экзСмпляров ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ \({I_Π‘}_0\), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \({I_К}_0\) (Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ этого ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° практичСски нСдопустимы Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΎΠ½ опрСдСляСт мноТСство Π²Π°ΠΆΠ½Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… характСристик каскада, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ…, ΠΊΠ°ΠΊ коэффициСнт усилСния, Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ усилСния, потрСбляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Ρ‚. ΠΏ.). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, конкрСтная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° сопротивлСния \(R_Π‘\) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚Π΅ΠΌΠΈ характСристиками, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ присущи ΠΈΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΌΡƒ экзСмпляру ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π² каскадС транзистора, Π° Π½Π΅ всСм ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ сСрии. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ сСрийном производствС, поэтому схСма с фиксированным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ примСнСния, Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большС распространСна схСма эмиттСрно-Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ стабилизации (рис. 3.6) ΠΈ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Π΅Π΅ Π΄ΠΎΡ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ.

Как слСдуСт ΠΈΠ· названия, Π² этой схСмС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ исходной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ каскада стабилизируСтся Π·Π° счСт поддСрТания Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСр—база транзистора. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠΈΠΉ способ обСспСчСния Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° состоит Π² ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π±Π°Π·Π΅ транзистора дСлитСля напряТСния Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… рСзисторах \(R1\), \(R2\), Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ \({I_Π΄}_0\) Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ всС Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ \({I_Π‘}_0\) (это Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ сколь-Π»ΠΈΠ±ΠΎ сущСствСнного влияния Π½Π° напряТСниС Π² срСднСй Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ дСлитСля). Π‘Ρ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС \({U_{Π‘Π­}}_0\) Π½Π° эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ автоматичСски стабилизируСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° \({I_К}_0\) транзистора. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, вСдь

\(Β {U_{Π‘Π­}}_0 =Β {I_Π‘}_0 r_Π‘ +Β {I_Π­}_0 r_Π­Β = {I_Π‘}_0 \left[ r_Π‘ + (\beta_{Π‘Π’} + 1) r_Π­ \right] \approx {I_Π‘}_0 \beta_{Π‘Π’} r_Π­ = {I_К}_{0} r_Π­\)

\(Β \Large \Downarrow \)

\(Β {I_К}_{0} \approx \cfrac{{U_{Π‘Π­}}_0}{r_Π­}\)Β 

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ физичСский ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ транзистора, ΠΊΠ°ΠΊ сопротивлСниС эмиттСрной области \(r_Π­\), остаСтся достаточно ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ массовом производствС, Ρ‚ΠΎ ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ элСмСнты дСлитСля напряТСния ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ β€” достаточно лишь ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ Ρ€Π°Π· произвСсти расчСты, учитывая Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ½ΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π» примСняСмых транзисторов ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (эмиттСра). Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, схСма эмиттСрно-Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ стабилизации оказываСтся Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ массовом производствС ΠΈ поэтому ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ (Ρƒ Π½Π΅Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ достоинства, сдСлавшиС Π΅Π΅ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒ популярной).

Β 

Β 

< ΠŸΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π°Ρ Β  Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ >

ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² β€” Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ всё

ЯвляСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· ΡΡ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΡˆΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ соврСмСнного БрСстского тСхничСского унивСрситСта.

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Ρ‹ начинаСтся с 1967 Π³ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π΅Ρ‰Ρ‘ Π² БрСстском ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½ΠΎ-ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ институтС (сСгодня БрСстский государствСнный  тСхничСский унивСрситСт)Β  Π±Ρ‹Π»Π° основана ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Β«Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹Β».

ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Ρƒ возглавляли:
Π–ΠΎΡ€ΠΎΠ² Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ Π›Π΅ΠΎΠ½Ρ‚ΡŒΠ΅Π²ΠΈΡ‡, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ (с 1967Β  ΠΏΠΎ 1977 Π³ΠΎΠ΄)
Π—Π°ΠΉΡ†Π΅Π² Анатолий АлСксССвич, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ (с 1977 ΠΏΠΎ 1987 Π³ΠΎΠ΄)
Π’ΠΎΠ»ΠΊΠΎΠ²Π° Π€Π»ΠΎΡ€Π° НиколаСвна, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ (с 1987-1988 Π³ΠΎΠ΄).

Π’ 1988 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Β«Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹Β» Π±Ρ‹Π»Π° объСдинСна с ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€ΠΎΠΉ «ВСхнология ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ производства». ΠžΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½Ρ‘Π½Π½Π°Ρ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° стала Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ «ВСхнология ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ производства ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ возглавляли:
Π‘ΠΎΠ±ΠΊΠΎ Π€Π°Π΄Π΅ΠΉ АлСксандрович ΠΊ. Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚ (с 1988 ΠΏΠΎ 1989 Π³ΠΎΠ΄)
Голубицкая Π“Π°Π»ΠΈΠ½Π° АндрССвна, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Β  (с 1989 ΠΏΠΎ1991 Π³ΠΎΠ΄)
Плосконосов Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ НиколаСвич, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚Β  ( с 1991 ΠΏΠΎ 1992 Π³ΠΎΠ΄).

Π’ 1991 Π³ΠΎΠ΄Ρƒ Π² институтС открываСтся ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ° ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€ΠΎΠ²-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΎΠ²-строитСлСй ΠΏΠΎ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈΒ  Β«ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΈ конструкций». ΠžΡ€Π³Π°Π½ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΡ ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½ΠΎΠ³ΠΎ процСсса ΠΏΠΎ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Π²ΠΎΠ·Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π° Π½Π° ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Ρƒ Β«Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ производства ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²Β». Π Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Ρ‹ Π½Π΅ позволяСт эффСктивно ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‘ Π΄Π΅ΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡˆΠ΅Π½ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΡ структуры управлСния ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½Ρ‹ΠΌ процСссом. Π’ связи с Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΊΠ°Π·ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎ БрСстскому политСхничСскому  институту β„–67 ΠΎΡ‚ 12 июня 1992 Π³ΠΎΠ΄Π° Π² ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ выдСляСтся ΡƒΠΆΠ΅ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Β Β«Π’Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ²Β» ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ с 1992 ΠΏΠΎ1993 Π³ΠΎΠ΄ возглавляСт Π”ΠΎΠ²Π½Π°Ρ€ НадСТда Ивановна, ΠΊ.Ρ‚.Π½., Π΄ΠΎΡ†Π΅Π½Ρ‚.

Π‘ 1993 Π³ΠΎΠ΄Π° ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€ΠΎΠΉΒ  Ρ€ΡƒΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π’ΡƒΡ€ Π’ΠΈΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π’Π»Π°Π΄ΠΈΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ‡, профСссор, Π΄ΠΎΠΊΡ‚ΠΎΡ€ тСхничСских Π½Π°ΡƒΠΊ.

ΠšΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π° Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΈ Π±Π΅Ρ‚ΠΎΠ½Π° ΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² являСтся Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ 70 01 01 Β«ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΡΡ‚Π²ΠΎ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ ΠΈ конструкций» ΠΈ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ спСциалистов, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠ²Π°Π»ΠΈΡ„ΠΈΠΊΠ°Ρ†ΠΈΡŽ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€-ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ-Ρ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ практичСски Π² любом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ, производства.

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅ Π½Π° ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π΅ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ дисциплины ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ профиля студСнты ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉ ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π·Π°ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ обучСния: Β«ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ граТданскоС ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎΒ» (1-70 02 01), Β«ΠΠ²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΈΒ» (1-70 03 01), «ЭкспСртиза ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π΅Π΄Π²ΠΈΠΆΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽΒ» (1-70 02 02), «АрхитСктура» (1-69 01 01), «БСльскоС ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈ обустройство Ρ‚Π΅Ρ€Ρ€ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΉΒ» (1-74 04 0), «Автоматизация тСхнологичСских процСссов ΠΈ производств» (1-53 01 01), «ВодоснабТСниС, Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΎΡ…Ρ€Π°Π½Π° Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… рСсурсов» (1-70 04 03),Β  Β«ΠœΠ΅Π»ΠΈΠΎΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ ΠΈ Π²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ хозяйство» (1-74 05 01), Β«ΠšΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ€Ρ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ Π΄Π΅ΡΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΒ» (1-25 01 10).

На ΠΊΠ°Ρ„Π΅Π΄Ρ€Π΅ проводится ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΊΠ°  аспирантов ΠΏΠΎ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Β«Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ конструкции, здания ΠΈ сооруТСния», Β«Π‘Ρ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Ρ‹ ΠΈ издСлия».

Β 

Transistor DC Working Point — Π˜Π½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ знания

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Ρ‚, Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡ! НадСюсь, Ρƒ вас всС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎ. Π’ сСгодняшнСм ΡƒΡ€ΠΎΠΊΠ΅ ΠΌΡ‹ рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора . Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° называСтся Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ смСщСния, Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ покоя. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ постоянного напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор, ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

Вранзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ смСщСн источником постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ установлСна ​​таким ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ ΠΈ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Π»ΠΎΡΡŒ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… соСдинСниях ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ…. Π’ сСгодняшнСм постС ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ рассмотрим Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора, Π΅Π³ΠΎ схСму ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ связанныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π΄Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ с Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° транзистора постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° транзистора постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°

  • Π‘ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ создаСт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΡƒΡŽ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля.
  • Если Ρ†Π΅ΠΏΡŒ усилитСля Π½Π΅ смСщСна Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ постоянным напряТСниСм Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΠ½Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² области насыщСния ΠΈΠ»ΠΈ отсСчки.
  • На ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅ рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ влияниС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² схСмС ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилитСля.
  • Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠΉ схСмС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ (Π°), Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал усиливаСтся Π² соотвСтствии с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом с ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΎΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π½Π΅ совпадаСт ΠΏΠΎ Ρ„Π°Π·Π΅ с Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом.
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ смСщСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ VDC(out).
  • ΠΠ΅ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ смСщСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ искаТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° схСмС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ (b) ΠΈ (c).
  • (b) обсуТдаСтся ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния вслСдствиС Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠ° ΠΊ отсСчкС.
  • (Π²) схСма ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ части Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠ° ΠΊ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ.

ГрафичСский Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·

  • Π’ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ΅ схСмС транзистор смСщСн с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ VCC ΠΈ CBB для получСния ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ IE, IC, IB ΠΈ VCE.
  • Для ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзисторов Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рисункС, ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ всС эти ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅ для графичСского объяснСния эффСкта смСщСния постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  • Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ схСму picA со смСщСниСм постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π²ΠΎΠ·ΡŒΠΌΠΈΡ‚Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ посмотритС, ΠΊΠ°ΠΊ это повлияСт Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ VCE.
  • ΠŸΡ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅ всСго, VBB измСняСтся для создания Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ (a).
  • ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ IC = Ξ²DC IB ΠΈ IC ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ Π΄Π²Π°Π΄Ρ†Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

VCE = VCC – ICR

=10 Π’ – (20 мА)(220 Ом)

10 Π’ – 4,4 Π’= 5,6 Π’

На Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€Π°, обозначСнная ΠΊΠ°ΠΊ (a), соотвСтствуСт Q1.

  • На рисункС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ (b), VBB ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ для создания Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ 300 мкА Ic Π² Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΄Ρ†Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

VCE = 10 Π’ – (30 мА)(220 Ом)

= 10 Π’ – 6,6 Π’ = 3,4 Π’

  • Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q для этого состояния Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π° Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ Q2.
  • На рисункС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ (c), VBB увСличиваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ 400 мкА ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 40 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.

VCE = 10 Π’ – (40 мА)(220 Ом)

=10 Π’ – 8,8 Π’=1,2 Π’

  • Q3 β€” Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅.
Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°
  • Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° схСмы транзистора Π½Π° постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ объяснСна с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ линию Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  • Π­Ρ‚ΠΎ прямая линия, построСнная Π½Π° характСристичСских ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Ρ… ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ насыщСния, Π³Π΄Π΅ IC = IC(sat) Π½Π° оси x, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ (a) Π½Π° рисункС.
  • Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ измСряСтся внСшнСй схСмой, Π° Π½Π΅ самим транзистором, Ρ‡Ρ‚ΠΎ поясняСтся характСристичСской ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠΉ.
  • На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

IC= (VCC – VCE)/ RC

= (VCC/RC)- (VCE/RC)

= – (VCE/RC)+ (VCC/RC)

=- (1/RC) VCE +(VCC/ RC)

  • Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ прямой Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ с Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½ΠΎΠΌ -1/RC, с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ пСрСсСчСния x VCE=VCC ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ пСрСсСчСния y VCC=RC, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ IC(sat).
  • Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ пСрСсСкаСт Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΡΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΠΈΠ²ΡƒΡŽ, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ Q для этого ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  • На ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅ рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ для ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ значСния Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ рисункС.

ЛинСйная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора
  • ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ вдоль Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, состоящая ΠΈΠ· всСх Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ насыщСния ΠΈ отсСчки, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ линСйная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора.
  • ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² этой области ΠΈΠ»ΠΈ области, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС идСально Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ восстанавливаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅.
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅. ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ AC ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ строчными курсивными Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΌΠΈ индСксами.
  • ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Vin влияСт Π½Π° VBB ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ измСняСтся Π½Π° 100 мкА Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Π² триста мкА.
  • Из-Π·Π° этого IC измСняСтся Π½Π° Π΄Π΅ΡΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ значСния Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ q, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠ΄Ρ†Π°Ρ‚ΠΈ ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€.
  • ВслСдствиС измСнСния IC напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром измСняСтся Π½Π° 2,2 Π’ ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΉ 3,4 Π’.
  • Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° A Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° рисункС Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ максимум Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.
  • Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° B соотвСтствуСт ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ экстрСмуму, Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q соотвСтствуСт 0 Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ.
  • VCEQ, ICQ ΠΈ IBQ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Q постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π΅Π· Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΡΠΈΠ½ΡƒΡΠΎΠΈΠ΄Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.

ИскаТСниС Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ сигнала
  • Как ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ сигналС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π·Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΠΈΠΊ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ сигнала Vce, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ a ΠΈ b.
  • Π’ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ сигнал Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ для полоТСния Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Q ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки ΠΈΠ»ΠΈ насыщСния для Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала.
  • Когда Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΠ΅ значСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΈΠΊΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π΅Π·Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС, транзистор, ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ «с», Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² областях отсСчки ΠΈ насыщСния с большим Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом.
  • Когда обрСзаСтся ΠΈΠ»ΠΈ ограничиваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ послСдний ΠΊΡ€Π°ΠΉ Π²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² области отсСчки, Π° Π½Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.
  • Когда ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΈΠΊ срСзан ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния, Π° Π½Π΅ Π² области отсСчки.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π΄Ρ€ΡƒΠ·ΡŒΡ, это ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΉ пост ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ссли Ρƒ вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ вопросы ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора, ΡΠΏΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π² коммСнтариях.

Β 

НовоС поступлСниС Π°Π»ΡŽΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»ΠΈΡ‚, всСго 2 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€Π° БША

ΠšΡƒΠΏΠΎΠ½Ρ‹ Π½Π° 54 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Π°ΠΌ Π½Π° 3D-ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΡŒ. Π‘ΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ для 3D-ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚ΠΈ начинаСтся с 1,9 Π΄ΠΎΠ»Π»Π°Ρ€Π° БША.0004

Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния биполярного транзистора

Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния биполярного транзистора прСдставляСт собой ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ линию, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристиках транзистора. Для схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (CE) линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ прСдставляСт собой Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ) ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (V CE ) для Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния сопротивлСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (R C ). ΠΈ Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания (V CC ). Грузовая линия ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ всС ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ I C ΠΈ V CE , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

Рассмотрим схСму с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π½Π° рис. 5-1. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ напряТСний Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ смСщСния транзисторных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния биполярного транзистора Π½Π° рис. 5-1 построСна Π½Π° характСристиках устройства с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π½Π° рис. 5-2. Из рис. 5-1 напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ,

Π’ CE Β = (напряТСниС питания) – (ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° R C )

Если напряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр (V BE ) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, транзистор Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈ I C =Β 0. ΠŸΠΎΠ΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ² значСния V CC ΠΈ R C с рис. 5-1 Π² ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 5-1,

ΠŸΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΉΡ‚Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ A Π½Π° характСристикС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π½Π° рис. 5-2 ΠΏΡ€ΠΈ I C Β = 0 ΠΈ V CE = 20 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ΄Π½Π° Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° BJT. ЦСпь смСщСния.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 2 мА, ΠΈ рассчитаСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр.

Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° B Π½Π° рис. 5-2 ΠΏΡ€ΠΈ V CE = 0 ΠΈ I C Β =Β 2 мА. ΠŸΡ€ΡΠΌΠ°Ρ линия, провСдСнная Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ A ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΡƒ B, прСдставляСт собой линию Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для R C = 10 кОм ΠΈ V CC = 20 Π’. Если любой ΠΈΠ· этих Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² измСняСтся, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ провСсти Π½ΠΎΠ²ΡƒΡŽ линию Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.

Как ΡƒΠΆΠ΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано, линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния биполярного транзистора прСдставляСт собой всС ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ I C ΠΈ V CE ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ прСдставлСно ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ. 5-1. НапримСр, Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°, нанСсСнная Π½Π° рис. 5-2 ΠΏΡ€ΠΈ V CE Β =Β 16 Π’ ΠΈ I C = 1,5 мА, Π½Π΅ отобраТаСтся Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. Вакая комбинация напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (рис. 5-1). Зная любой ΠΈΠ· I B , I C ΠΈ V CE , Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎ характСристикам устройства.

НС всСгда Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ характСристики устройства, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°Ρ€ΠΈΡΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ линию Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ†Π΅ΠΏΠΈ смСщСния BJT. МоТно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ простой Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊ зависимости I C ΠΎΡ‚ V CE .

Π’ΠΎΡ‡ΠΊΠ° смСщСния пост. эмиттСрноС напряТСниС ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ опрСдСляСт условия постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ сигнала Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора I B измСняСтся Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ сигнала. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ измСнСнию I C ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ измСнСнию V CE .

Рассмотрим схСму Π½Π° рис. 5-4 ΠΈ линию Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 10 кОм, Π½Π°Ρ€ΠΈΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ для схСмы Π½Π° рис. 5-5. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ условия смСщСния ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ,

.5 мА ΠΈ V CE становится 0,5 Π’, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ Con Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ. ИзмСнСниС V CE ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q составляСт

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ I B Π½Π° 20 мкА (с 20 мкА Π΄ΠΎ 40 мкА) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ V CE Π½Π° 9,5 Π’ (с 10 Π’). Π΄ΠΎ 0,5 Π’).

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ посмотритС Π½Π° эффСкт ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Когда I B ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ с 20 мкА Π΄ΠΎ нуля, I C сниТаСтся ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π΄ΠΎ 0,05 мА, Π° V CE увСличиваСтся Π΄ΠΎ 19 мкА.0,5 Π’ (Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° D Π½Π° Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π° рис. 5-5). Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ V CE :

УмСньшСниС I B Π½Π° 20 мкА (с 20 мкА Π΄ΠΎ нуля) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π»ΠΎ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ напряТСния V CE Π½Π° 9,5 Π’ (с 10 Π’ Π΄ΠΎ 19,5 Π’). Π’ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q ΠΏΡ€ΠΈ I C Β = 1 мА ΠΈ V CE Β = 10 Π’ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ I B Β±20 мкА ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ…Ρƒ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ξ”V CE Β = Β±9,5 Π’.

Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния, описанныС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅; Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π° мСньшиС суммы. НапримСр, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π° Β±10 мкА (ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Q Π½Π° рис. 5-5) Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½Π° Β±0,5 мА ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π½Π° Β±5 Π’.

Максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр транзистора для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмы ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π΅Π· использования характСристик транзистора. Для удобства ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ I C Β ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ довСсти Π΄ΠΎ нуля Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ крайности ΠΈ Π΄ΠΎ V CC /R C Β Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ крайности [см. рис. 5-6]. Π­Ρ‚ΠΎ измСняСт напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр с V CE = V CC Π½Π° V CE = 0, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 5-7. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ Q Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Β±V CC /2

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Q:

ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вмСсто смСщСния Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистор смСщСн ΠΏΡ€ΠΈ I C Β = 0,5 мА ΠΈ V CE = 15 Π’, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 5-8(Π°). Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π΄ΠΎ 2 мА ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ V CE Π΄ΠΎ нуля, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ξ”V CE = -15 Π’. УмСньшСниС I C Π΄ΠΎ нуля ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ V CE Π΄ΠΎ V CC , Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ξ”V

0 CE 5 Π’.

ΠŸΡ€ΠΈ использовании Π² качСствС усилитСля напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр) Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹Π΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹; Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ симмСтричным Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ смСщСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, асиммСтричный Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… V CE -15 Π’ +5 Π’, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° рис. 5-8(Π°), Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚. Если I C  напрягаСтся Π²Π²Π΅Ρ€Ρ… ΠΈ Π²Π½ΠΈΠ· Π½Π° Β±0,5 мА [см. рис. 5-8(b)], получаСтся симмСтричный Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Β±5 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ симмСтричный Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнут с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ смСщСния, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 5-8.

Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях схСмы спроСктированы Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Q Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠ»Π°ΡΡŒ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис. 5-5 ΠΈ 5-7), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ симмСтричный Ρ€Π°Π·ΠΌΠ°Ρ… Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *