Работа биполярного транзистора. Принцип работы биполярного транзистора: усиление тока и напряжения

Как работает биполярный транзистор. Какие типы биполярных транзисторов существуют. В чем заключается принцип усиления тока и напряжения в биполярном транзисторе. Какие режимы работы имеет биполярный транзистор.

Что такое биполярный транзистор и как он устроен

Биполярный транзистор — это полупроводниковый прибор с тремя выводами, который может усиливать электрические сигналы. Он состоит из трех слоев полупроводникового материала с разным типом проводимости. Существует два типа биполярных транзисторов:

• NPN-транзистор — состоит из двух областей с электронной проводимостью (N), разделенных тонким слоем с дырочной проводимостью (P).
• PNP-транзистор — состоит из двух областей с дырочной проводимостью (P), разделенных тонким слоем с электронной проводимостью (N).

Три вывода транзистора называются эмиттер, база и коллектор. Эмиттер является источником носителей заряда, база управляет током транзистора, а коллектор собирает носители заряда.

Принцип работы биполярного транзистора

Основной принцип работы биполярного транзистора заключается в том, что небольшой ток, протекающий через базу, может управлять значительно большим током, протекающим между эмиттером и коллектором. Это позволяет транзистору усиливать электрические сигналы.

Рассмотрим работу NPN-транзистора:

1. На переход база-эмиттер подается небольшое прямое напряжение (около 0.7 В для кремниевых транзисторов). Это вызывает инжекцию электронов из эмиттера в базу.
2. Так как база очень тонкая, большинство электронов проходят через нее и попадают в область коллектора.
3. Коллекторный переход смещен в обратном направлении, поэтому электроны, достигшие коллектора, создают ток коллектора.
4. Небольшое изменение тока базы вызывает значительное изменение тока коллектора, что обеспечивает усиление.

Основные режимы работы биполярного транзистора

Биполярный транзистор может работать в трех основных режимах:

Активный режим

В активном режиме эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный — в обратном. Это основной режим работы транзистора как усилителя. Ток коллектора пропорционален току базы:

I_C = β * I_B

где β — коэффициент усиления по току.

Режим отсечки

В режиме отсечки оба перехода транзистора смещены в обратном направлении. Токи базы и коллектора близки к нулю. Транзистор закрыт и не пропускает ток.

Режим насыщения

В режиме насыщения оба перехода смещены в прямом направлении. Транзистор полностью открыт и пропускает максимальный ток. Падение напряжения на транзисторе минимально.

Усиление тока и напряжения в биполярном транзисторе

Биполярный транзистор может усиливать как ток, так и напряжение:

Усиление тока

Коэффициент усиления по току β показывает, во сколько раз ток коллектора больше тока базы:

β = I_C / I_B

Типичные значения β составляют от 50 до 300.

Усиление напряжения

Коэффициент усиления по напряжению K_U показывает отношение изменения напряжения на коллекторе к изменению напряжения на базе:

K_U = ΔU_C / ΔU_B

Значения K_U могут достигать нескольких сотен.

Основные характеристики биполярных транзисторов

Важнейшими характеристиками биполярных транзисторов являются:

• Коэффициент усиления по току β
• Максимально допустимый ток коллектора I_{C max}
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер U_{CE max}
• Граничная частота f_T
• Емкость коллекторного перехода C_CB

Эти параметры определяют возможности транзистора по усилению сигналов и его предельные режимы работы.

Применение биполярных транзисторов

Благодаря своим усилительным свойствам, биполярные транзисторы широко применяются в различных электронных устройствах:

• Усилители звуковых и радиочастотных сигналов
• Генераторы электрических колебаний
• Импульсные схемы и переключатели
• Стабилизаторы напряжения
• Логические элементы цифровых схем
• Выходные каскады усилителей мощности

Несмотря на конкуренцию со стороны полевых транзисторов, биполярные транзисторы по-прежнему широко используются благодаря своим уникальным характеристикам.

Преимущества и недостатки биполярных транзисторов

Биполярные транзисторы имеют ряд преимуществ:

• Высокий коэффициент усиления
• Способность работать на высоких частотах
• Низкий уровень шумов
• Высокая линейность усиления

К недостаткам можно отнести:

• Необходимость подачи входного тока для управления
• Сравнительно низкое входное сопротивление
• Чувствительность к температуре
• Сложность изготовления интегральных схем

Заключение

Биполярные транзисторы являются важнейшими активными компонентами современной электроники. Понимание принципов их работы необходимо для проектирования и анализа различных электронных устройств. Несмотря на развитие полевых транзисторов, биполярные транзисторы продолжают широко применяться благодаря своим уникальным свойствам.

Биполярный транзистор: принцип работы | joyta.ru

Главная » Справочник » Биполярный транзистор: принцип работы

08.01.202214.01.2014 admin

Categories Справочник

В этой статье постараемся описать принцип работы самого распространенного типа транзистора — биполярного. Биполярный транзистор является одним из главных активных элементов радиоэлектронных устройств. Предназначение его – работа по усилению мощности электрического сигнала поступающего на его вход. Усиление мощности осуществляется посредством внешнего источника энергии. Транзистор — это радиоэлектронный компонент, обладающий тремя выводами

 

Конструкционная особенность биполярного транзистора

Для производства биполярного транзистора нужен полупроводник дырочного или электронного типа проводимости, который получают методом диффузии либо сплавления акцепторными примесями. В результате этого с обоих сторон базы образуются области с полярными видами проводимостей.

Биполярные транзисторы  по проводимости бывают двух видов: n-p-n и p-n-p. Правила работы, которым подчинен биполярный транзистор, имеющий n-p-n проводимость (для p-n-p необходимо поменять полярность приложенного напряжения):

1.  Положительный потенциал на коллекторе имеет большее значение по сравнению с эмиттером.
2. Любой транзистор имеет свои максимально допустимые параметры Iб, Iк и Uкэ, превышение которых в принципе недопустимо, так как это может привести к разрушению полупроводника.
3. Выводы  база — эмиттер и база — коллектор функционируют наподобие диодов.  Как правило, диод по направлению база — эмиттер открыт, а по направлению база — коллектор смещен в противоположном  направлении, то есть поступающее напряжение мешает протеканию электрического тока через него.
4. Если пункты с 1 по 3 выполнены, то ток Iк прямо пропорционален току Iб и  имеет вид: Iк = hэ21*Iб, где hэ21 является коэффициентом усиления по току. Данное правило характеризует главное качество транзистора, а именно то, что малый ток базы оказывает управление мощным током коллектора.

Для разных биполярных транзисторов одной серии показатель  hэ21 может принципиально разниться от 50 до 250. Его величина так же зависит от протекающего тока коллектора, напряжения между эмиттером  и коллектором, и от температуры окружающей среды.

 

Изучим правило №3. Из него вытекает, что напряжение, приложенное между эмиттером и базой не следует значительно увеличивать, поскольку, если напряжение базы будет больше эмиттера на 0,6…0,8 В (прямое напряжение диода), то появится крайне большой ток. Таким образом, в работающем транзисторе напряжения на эмиттере и базе взаимосвязаны по формуле: Uб =Uэ + 0,6В (Uб=Uэ+Uбэ)

Еще раз напомним, что все указанные моменты относятся к транзисторам, имеющим n-p-n проводимость. Для типа p-n-p все следует изменить на противоположное.

Еще следует обратить внимание на то, что ток коллектора не имеет связи с проводимостью диода, поскольку, как правило, к диоду коллектор — база поступает обратное напряжение. В добавок , ток протекающий через коллектор весьма мало зависит от потенциала на коллекторе (данный диод аналогичен малому источнику тока)

Биполярный транзистор  принцип работы

При включении транзистора в режиме усиления, эмиттерный переход получается открытым, а переход коллектора закрыт. Это получается путем подключения источников питания.

 

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор

Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров…

Подробнее

Поскольку эмиттерный переход открыт, то через него будет проходить эмиттерный ток, возникающий из-за перехода дырок из базы в эмиттер, а так же электронов из эмиттера в базу. Таким образом, ток эмиттера содержит две составляющие – дырочную и электронную. Коэффициент инжекции определяет эффективность эмиттера. Инжекцией зарядов именуют перенос носителей зарядов из зоны, где они были основными в зону, где они делаются неосновными.

В базе электроны рекомбинируют, а их концентрация в базе восполняется от плюса источника ЕЭ. В результате этого в электрической цепи базы будет течь довольно слабый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под разгоняющим воздействием поля запертого коллекторного перехода, как неосновные носители, будут перемещаться в коллектор, создавая коллекторный ток. Перенос носителей зарядов из зоны, где они были неосновными, в зону, где они становятся основными, именуется экстракцией электрических зарядов.

Блок питания 0…30В/3A

Набор для сборки регулируемого блока питания…

Подробнее

Categories Справочник

Отправить сообщение об ошибке.

Структура и принцип работы биполярного транзистора — Студопедия

Уравнения и эквивалентные схемы биполярного транзистора

Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе

Структура и принцип работы биполярного транзистора

Биполярные транзисторы

План лекции:

Биполярным транзистором (БТ) называют полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-пере­ходами, созданными в объёме монокристалла полупроводника. В зависимости от материала полупроводника различают кремниевые и германиевые транзисторы. Два p-n-пере­хода разделяют монокристалл на три легированные примесями области, называемые эмиттером, базой и коллектором и имеющие соответствующие выводы. По виду примесей различают транзисторы типов n-p-n и p-n-p (рис. 6.1). Приборы типа n-p-n в настоящее время используют чаще, потому что по сравнению с транзисторами p-n-p типа они имеют лучшие характеристики в области высших частот из-за большей подвижности дырок и большее усиление при одной и той же концентрации примесей и одинаковой геометрии.

Биполярным транзистор называют потому, что его работа зависит от носителей заряда обеих полярностей. Весьма часто БТ называют просто транзистором от английского transfer resistor. По смыслу это означает, что транзистор изменяет (трансформирует) величину сопротивления, согласуя сопротивление нагрузки с выходным сопротивлением предыдущего каскада (узла) схемы.

Рис. 6.1. Структуры и условные графические обозначения биполярных транзисторов p-n-p (а) и n-p-n (б) типов

Усилительные свойства транзистора обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. БТ можно использовать в качестве усилителя тока, напряжения или мощности.

Электроды или выводы транзистора – проводники, которые соединены с p— и n-областями транзистора для обеспечения возможности включения транзистора в электрическую цепь и управления его параметрами.

Эмиттер (излучатель) – область транзистора, которая является источником (впрыскивателем, инжектором) зарядов в базу при воздействии внешнего электрического напряжения.

База – средняя область транзистора − элемент, управляющий величиной тока, протекающего через транзистор.

Коллектор – область транзистора, предназначенная для сбора (извлечения) носителей заряда, созданных эмиттером и проходящих через базу.

Биполярный транзистор является несимметричным прибором, так как площади эмиттерного и коллекторного p-n-переходов различны. В частности площадь эмиттерного перехода меньше коллекторного. Кроме того, эмиттерная и коллекторная области имеют разную концентрацию атомов примеси. Степень легирования эмиттера намного больше, чем у коллектора. Структура реального транзистора p-n-p типа приведена на рис. 6.2.

Рис. 6.2. Вариант конструкции транзистора типа n-p-n

Процессы в базовой области обеспечивают взаимодействие эмиттерного и коллекторного переходов друг с другом и определяют основные свойства транзистора. Чем меньше толщина базы, тем сильнее взаимодействие эмиттера с коллектором.

В зависимости от распределения атомов примеси в базе различают бездрейфовые и дрейфовые транзисторы.

Бездрейфовым называют биполярный транзистор, у которого примесь в базе распределена равномерно. В таком транзисторе внутри базы отсутствует электрическое поле, и носители заряда из-за разной концентрации на границах базы движутся только за счёт диффузии.

Дрейфовым называют биполярный транзистор, у которого примесь в базе распределена неравномерно. В этом случае электрическое поле внутри базы вызывает появление дрейфового движения носителей заряда дополнительно к диффузионному.

Биполярный переходной транзистор (BJT) — Javatpoint

следующий → ← предыдущая Биполярный переходной транзистор происходит от трех слов: bi, переход, и транзистор. Переход относится к p-n переходу, который позволяет течь носителям заряда и току в определенном направлении. Транзистор представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, который регулирует протекание тока. Слово «би» означает два. Таким образом, BJT представляет собой устройство с тремя выводами (эмиттер, база и коллектор), двумя p-n-переходами и тремя отдельно легированными областями. p-n переход состоит из двух легированных областей «p» и «n». Область p имеет основные носители заряда дырки (обладает положительным зарядом), а область n имеет основные носители заряда электроны (обладает отрицательным зарядом). Заряд перемещается из области высокой концентрации (эмиттер) в область низкой концентрации (коллектор). Эмиттерный переход в BJT сильно легирован. BJT также известен как токоуправляемое устройство . Это потому, что входной ток определяет его выход. Три вывода биполярного переходного транзистора показаны ниже: Транзистор с одинарным p-n переходом показан ниже: Здесь мы обсудим следующие темы: Что такое БЮТ? Смещение напряжения Типы BJT Регионы деятельности Транзисторные токи Режимы работы BJT Напряжение пробоя BJT Переключение транзистора в BJT Начнем. Что такое БЮТ? Давайте сначала обсудим три конфигурации BJT, прежде чем переходить к его работе. Три клеммы BJT следующие: 1. Излучатель Область эмиттера является сильно легированной областью по сравнению с двумя другими областями транзистора. Это область, где заряд начинает течь. Это означает, что заряд течет от эмиттера к коллектору. 2. Основание Базовая область — это наименьшая область транзистора. Он мал, чтобы избежать рекомбинации носителей. Это предотвратит рекомбинацию электронов и дырок и направит больше электронов в базовую область. Он имеет противоположную полярность от области эмиттера и области коллектора. 3. Коллектор Область коллектора является самой легкой легированной областью. Он часто подключается с обратным смещением к базе, что допускает любой поток заряда. Он получает носители заряда от базы. В усилителях это считается выходной областью. Область коллектора имеет максимальную ширину среди трех областей BJT. Напряжение смещения Существует два типа смещения напряжения, т. е. прямое смещение, и обратное смещение. Прямое смещение Прямое смещение — это соединение транзистора, где вывод (+) батареи соединен с областью, содержащей носители положительного заряда (область p), а вывод (-) — с областью, содержащей носители отрицательного заряда (область n). Обратное смещение Положительная клемма аккумулятора соединена с областью, содержащей отрицательные носители заряда (n-область), и отрицательной клеммой, содержащей положительные носители заряда (p-область). Можно сказать, что связь обратная по сравнению с прямым смещением. Поток заряда при обратном смещении равен ноль. Это потому, что контакт соединения имеет два заряда противоположной природы, что притягивает их. Он вытягивает заряд из соединения, расширяя область истощения или основание, что не позволяет заряду течь легко. В случае BJT область база-эмиттер соединена при прямом смещении, а область база-коллектор подключена при обратном смещении. Типы BJT Существует два типа транзисторов с биполярным соединением: NPN-транзистор и PNP-транзистор. NPN-транзистор NPN-транзистор состоит из одной области с примесью P между двумя областями с примесью N. Структура транзистора NPN показана ниже: Эквивалентная схема транзистора NPN в виде комбинации двух p-n переходов показана ниже: Знак «++» указывает на высокие концентрации легирующих примесей, а «+» указывает на умеренные концентрации легирующих примесей. Пластина p вставляется между двумя пластинами n, образуя полупроводник NPN. Здесь эмиттерный переход «n++» сильно легирован, а коллекторный переход «n+» легирован слабо. Работа транзистора NPN Настройка соединения: Отрицательная клемма батареи (VEE) подключена к пластине эмиттера n++, а положительная клемма батареи (VCC) — к пластине коллектора n+. Вышеупомянутое соединение также известно как режим с прямой активной работой . Схема и обозначение NPN показаны ниже: Рабочий: Когда батарея включена, электроны из батареи текут к эмиттеру n++. И батарея, и n-область состоят из отрицательно заряженных электронов. Одинаковые заряды отталкиваются друг от друга, и электроны начинают удаляться от эмиттера в сторону базовой области. Слой p+ имеет электроны неосновных носителей и дырки основных носителей. Поток электронов из эмиттера увеличивает концентрацию неосновных носителей в области базы и начинает течь в сторону области коллектора. Поток заряда в области база-коллектор равен нулю из-за обратного смещения. Поток тока всегда противоположен потоку электронов. Следовательно, ток течет от 9коллектор 0008 к эмиттеру . ПНП-транзистор Транзистор PNP состоит из одной области, легированной N, между двумя областями, легированными P. Структура транзистора PNP показана ниже: Эквивалентная схема транзистора PNP в виде комбинации двух p-n переходов показана ниже: Здесь пластина n вставлена ​​между двумя пластинами p из полупроводникового материала. Эмиттерный переход «p++» сильно легирован, а коллекторный переход «p+» легирован слабо. Работа транзистора PNP Настройка соединения: Положительная клемма батареи (VEE) подключается к пластине эмиттера p++, а отрицательная клемма батареи (VCC) — к пластине коллектора p+. Схема и условное обозначение транзистора PNP показаны ниже: Рабочий: Электроны текут от отрицательной клеммы батареи к положительной клемме. Когда батарея включена, положительный заряд течет к области эмиттера p++, которая состоит из большинства заряженных дырок. Одинаковые заряды отталкиваются друг от друга, и дырки начинают удаляться от эмиттера в сторону базовой области. Плита n+ имеет электроны основных носителей и дырки неосновных носителей. Из-за небольшой ширины основания несколько отверстий объединяются, а остальные перемещаются в сторону коллектора. Это составляет очень маленькое течение в базовой области. Поток заряда в области база-коллектор равен нулю из-за обратного смещения. Направление тока совпадает с направлением потока дырок. Следовательно, ток течет от эмиттера к коллектору . Направление тока в противоположном направлении по сравнению с транзистором NPN из-за большинства несущих. Примечание. Формирование тока в транзисторе NPN происходит за счет электронов основных носителей. Формирование тока в PNP-транзисторе происходит за счет дырок основных носителей. Регионы деятельности В транзисторах с биполярным переходом есть три области работы, которые перечислены ниже: Передовая активная область Зона отсечки Область насыщения Давайте обсудим четыре вышеупомянутых области BJT. Здесь мы рассмотрим транзистор NPN для дальнейшего объяснения. Конфигурация биполярного транзистора NPN с эмиттерным переходом в качестве входа показана ниже: Передовая активная область Это область работы, когда переход база-эмиттер смещен в прямом направлении. Поток электронов от эмиттера к базе и к коллектору приводит к току эмиттера и току коллектора. Уравнение КВЛ для контура коллектор-эмиттер можно записать в виде: V CC = I C R C + V CB + V BE = V R + V CE Где, В CC : Это напряжение на C . I C : Это ток коллектора R C : Это сопротивление через C В CB : Это напряжение на переходе C-B . В BE : Это напряжение между областью B и областью E. Для кремниевых транзисторов V BE составляет 0,7 Вольта. В R : Это пороговое напряжение В CE : Это напряжение на переходе C-E Петля C-E показана на изображении выше. Зона отсечки Зона отсечки относится к состоянию транзистора, когда все токи, протекающие в цепи, равны нулю. Это происходит, когда напряжение на переходе B-E считается нулевым или смещенным в обратном направлении. Отсутствие тока не приводит к движению электронов в эмиттерном переходе и, следовательно, к эмиттерному току. Переход B-C уже смещен в обратном направлении. Следовательно, все токи (ток базы, ток коллектора и ток эмиттера) равны нулю. Область насыщения Увеличение напряжения прямого смещения приводит к перемещению электронов в сторону базовой области. Это дополнительно увеличивает ток эмиттера и коллектора. Когда ток коллектора увеличивается, пороговое напряжение на резисторе также увеличивается. Состояние потока в трех регионах показано на диаграмме ниже: В режиме насыщения и область B-E, и область база-коллектор смещены в прямом направлении. При большом значении напряжения C-E базовая область становится смещенной в обратном направлении, а при малом значении напряжения C-E базовая область становится смещенной в прямом направлении. Линия нагрузки, наложенная на характеристики BJT, показана ниже: Линия нагрузки может использоваться для отображения режима работы транзистора. Уравнение напряжения Кирхгофа для конфигурации C-E можно записать как: V CE = V CC — I C R C Транзисторные токи В цепях биполярных транзисторов протекают три тока транзистора: ток эмиттера, ток базы, и ток коллектора. Ток коллектора Напряжение база-эмиттер управляет током коллектора в транзисторе. Это связано с тем, что переход коллектор-база смещен в обратном направлении и не имеет своего тока. Дано: I C = I S exp (V BE /V T ) Можно также сказать, что ток коллектора равен току эмиттера, возникающему при инжекции электронов из эмиттера в базу. Ток эмиттера Ток эмиттера представлен как I E1 . Течет за счет движения электронов от эмиттера к базе. Введенные отверстия в базовой области также производят ток I E2 . Является частью перехода база-эмиттер и не влияет на область коллектора. Мы можем написать уравнение как: I E2 = I S2 экспоненциальная (V БЭ /В Т ) Где, В BE : Это напряжение между базой и областью эмиттера. Для кремниевых транзисторов V BE составляет 0,7 Вольта. В R : Это пороговое напряжение I S2 : Это ток из-за дырок неосновных носителей в области эмиттера Суммарный ток эмиттера: I E = I E1 + I E2 I E = I C + I E2 Здесь I E1 равно току коллектора, как обсуждалось выше. I E = I SE exp (V BE /V T ) Отношение тока коллектора к току эмиттера определяется как: I C / I E = a Где, а — коэффициент усиления по току с общей базой, и его значение обычно меньше 1,9.0006 Базовый ток Ток эмиттера представлен I B . В случае транзисторов NPN основными носителями в базе являются дырки. Дырки начинают исчезать из-за инжекции больших электронов или некоторой рекомбинации носителей заряда. Следовательно, дырки повторно подаются на базовый терминал, чтобы сбалансировать положительно заряженные дырки, которые составляют базовый ток. Количество рекомбинаций электронов и дырок в базе зависит от наличия неосновных носителей электронов. Таким образом, ток базы пропорционален: I B = экспоненциальный (V BE /V T ) I B = exp (V BE /V T ) Отношение тока коллектора к току базы определяется по формуле: I C / I B = B Где, B — коэффициент усиления по току с общим эмиттером, и его значение обычно больше 1. Преимущества BJT Преимущества транзисторов с биполярным переходом заключаются в следующем: Он может работать как с малой, так и с высокой мощностью и может хорошо работать на высоких частотах. Широкая полоса усиления Широкая полоса усиления из-за плотности тока и высокого усиления по напряжению. Высокая плотность тока Это означает, что величина тока в единицу времени протекает через единицу площади поперечного сечения. Коэффициент усиления по высокому напряжению Это означает больший выходной ток для желаемого входа. Коэффициент усиления по напряжению представляет собой отношение выхода к входу. Таким образом, если выход высокий, коэффициент усиления по напряжению BJT также будет высоким. Недостатки BJT Недостатки биполярных переходных транзисторов следующие: Низкое прямое напряжение Прямое напряжение зависит от концентрации легирования транзистора, а три перехода BJT имеют разные концентрации легирования. Таким образом, равномерное прямое напряжение низкое по сравнению с другими транзисторами. Повышенный шум Генерация тока в BJT происходит за счет как электронов, так и дырок, что создает шум. Но шум меньше по сравнению с МОП-транзисторами, у которых генерация электрического тока происходит только за счет большинства носителей заряда. Низкая термическая стабильность Ток утечки в BJT чувствителен к температуре, что снижает его термическую стабильность. Низкая частота переключения За генерацию тока отвечают как основные, так и неосновные несущие, тогда как ток полевого МОП-транзистора зависит только от основных носителей. Следовательно, скорость переключения BJT меньше по сравнению с MOSFET. Применение BJT Существуют различные приложения BJT. Давайте обсудим некоторые из наиболее распространенных применений биполярных транзисторов. Цепи ограничения Сигнал может быть ограничен, когда он проходит через различные области (отсечки, насыщения и активности) через транзистор. Логические схемы BJT в логических элементах используются в качестве быстрых переключателей. Осциллятор Транзистор используется как общий эмиттер, где эмиттер работает как общий вывод с базой и коллектором. Комбинация одного или нескольких транзисторов, катушек индуктивности и конденсатора также используется для создания колебаний в цепи. Усилители BJJT также может работать как усилитель. Небольшое изменение входного сигнала вызывает большое изменение выходного напряжения из-за высокой концентрации легирования эмиттерного перехода. Он повышает мощность сигнала и работает как усилитель. Другие области применения транзисторов с биполярным соединением включают мультивибраторы , модуляторы и демодуляторы . Следующая темаПолевой транзистор ← предыдущая следующий →

Страница не найдена | Институт науки и технологий Сатьябама (считается университетом)

Наш веб-сайт был обновлен, а пункты меню изменены. Пожалуйста, посетите нашу ДОМАШНЮЮ СТРАНИЦУ [www.sathyabama.ac.in]

К сожалению, страница, которую вы ищете, не найдена

Перейти на домашнюю страницу

Имя

Адрес электронной почты

Мобильный номер

Город

Курсы

— Выберите — Курсы бакалавриата (UG) Инженерные курсы (BE / B.Tech / B.Arch / B.Des)BE — Информатика и инженерияB.E — Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллектаB.E — Информатика и инженерия со специализацией в Интернете вещейB.E — Информатика и инженерия со специализацией в области науки о данныхB.E — Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллекта и робототехникиB.E — Информатика и инженерия со специализацией в области искусственного интеллекта и машин ОбучениеB.E — Информатика и инженерия со специализацией в технологии блокчейнB.E — Информатика и инженерия со специализацией в области кибербезопасностиB. E — Электротехника и электроникаB.E — Электроника и инженерия связиB.E — МашиностроениеB.E — Автомобильная инженерияB .E — МехатроникаB.E — Авиационная техникаB.E — Гражданское строительствоB.Tech — Информационные технологии nologyB.Tech – химическая инженерияB.Tech – биотехнологияB.Tech – биомедицинская инженерияB.Arch – бакалавр архитектурыB.Des. — Бакалавр курсов DesignEngineering (BE / B.Tech) — Неполный рабочий деньB.E — Информатика и инженерияB.E — Электротехника и электроникаB.E — Электроника и техника связиB.E — МашиностроениеB.E — Гражданское строительствоB.Tech — Химическая промышленность Курсы инженерного искусства и наукиB.B.A. — Бакалавр делового администрирования B.Com. — Бакалавр коммерцииB.Com. — Финансовый учетB.Sc. — Визуальная коммуникацияB.Sc — Медицинская лаборатория технологийB.Sc — Клиника и питание и диетологияB.Sc. — ФизикаB.Sc. — ХимияB.Sc. — ИнформатикаB.Sc. — МатематикаB.Sc. — БиохимияB.Sc. — Дизайн одеждыB.Sc. — Бакалавр биотехнологий. — Бакалавр микробиологии. — ПсихологияБ.А. — АнглийскийB.Sc. — Биоинформатика и наука о данных, бакалавр наук — Информатика, специализация в области искусственного интеллекта, бакалавр наук. — Бакалавр наук в области сестринского дела B.Sc. — Курсы авиационного праваB.A. бакалавр права (с отличием) BBA бакалавр права (с отличием) B.Com.LL.B. (с отличием) LL.B.Курсы фармацевтикиB.Pharm., Бакалавр фармацииD.Pharm., Диплом фармацевтаПоследипломное образование(PG)Инженерные курсыM.E. Информатика и инженерияМ.Е. Прикладная электроникаМ.Е. Компьютерное проектированиеМ.Е. Строительная инженерияМ.Е. Силовая электроника и промышленные приводыM.Tech. БиотехнологияM.Tech. Медицинское оборудованиеM.Tech. Встроенные системы и IoTM.Arch. Устойчивая архитектураM.Arch. Управление зданиемПрограмма управленияMBA — Магистр делового администрированияНеполный рабочий день последипломного образованияM.E. Информатика и инженерияМ.Е. Прикладная электроникаМ.Е. Компьютерное проектированиеМ.Е. Строительная инженерияM.Tech. Медицинское оборудованиеM.