Расшифровка транзисторов: Маркировка транзисторов — системы обозначений

26.11.21.120 код ОКПД 2 — расшифровка, примеры закупок и ограничения

Транзисторы

Главная

Классификатор ОКПД 2

C

26

26.1

26.11

26.11.2

26.11.21

26.11.21.120

Классификатор ОКПД 2

Код 26.11.21.120

Расшифровка: Транзисторы

Комментарии: классификатор не содержит комментариев к этому коду

Старый код: 32.10.51.310

Запись в классификаторе ОКПД 2 с кодом 26.11.21.120 не содержит уточняющих (дочерних) кодов.

№31806590989

204 784₽

открыть карточку

добавить метку

0826-2018-00452. Поставка транзисторов 2Т 3117 А1/ПК, 2Т 313 А1/ПК

Найдено в документах | Транзисторы — 800 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 08.06.18 до 08.06.18

Новосибирская обл | 937042 | АО «НИИЭП»

завершена

№31806588487

892 985₽

открыть карточку

добавить метку

Изготовление и поставка транзисторов и микросхем

Найдено в документах | Транзисторы — 9 750 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 08.06.18 до 08.06.18

СанктПетербург | АО «КОРПОРАЦИЯ «СПУ-ЦКБ ТМ»

завершена

№31806588683

1 950 729₽

открыть карточку

добавить метку

Поставка транзисторов

Найдено в документах | Транзисторы — 600 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 08. 06.18 до 08.06.18

Башкортостан Респ | 6326 | АО «УАПО»

завершена

№31806596543

615 011₽

открыть карточку

добавить метку

0826-2018-00460. Поставка транзисторов 2Т945А

Найдено в документах | Транзисторы — 400 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 09.06.18 до 09.06.18

Новосибирская обл | 937042 | АО «НИИЭП»

завершена

№31806594035

1 140 135₽

открыть карточку

добавить метку

0826-2018-00453. Поставка транзисторных матриц 1НТ251, транзисторных матриц 2ТС622А. транзисторная сборка 2Т689АС

Найдено в документах | Транзисторы — 1 600 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 09. 06.18 до 09.06.18

Новосибирская обл | 937042 | АО «НИИЭП»

завершена

26.11.2 код ОКПД 2 — расшифровка, примеры закупок и ограничения

Диоды и транзисторы

Главная

Классификатор ОКПД 2

C

26

26.1

26.11

26.11.2

Классификатор ОКПД 2

Код 26.11.2

Расшифровка: Диоды и транзисторы

Комментарии: классификатор не содержит комментариев к этому коду

Старый код: переходный ключ не указан

Запись в классификаторе ОКПД 2 с кодом 26.11.2 содержит 2 уточняющих (дочерних) кода:

26.11.21 ∙ Диоды; транзисторы; тиристоры, диаки и триаки

26.11.22 ∙ Приборы полупроводниковые; диоды светоизлучающие полупроводниковые; приборы пьезоэлектрические; их части

№31806590804

695 367₽

открыть карточку

добавить метку

1216-2018-00050 Поставка транзисторов

Найдено в документах | Диоды и транзисторы — 480 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 08. 06.18 до 08.06.18

Москва | ОАО «МЗ «МАЯК»

завершена

№31806586508

1 125 529₽

открыть карточку

добавить метку

Поставка полупроводниковых приборов

Найдено в документах | Диоды и транзисторы — 1 200 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 08.06.18 до 08.06.18

Московская обл | 810951 | АО «НПП «ИСТОК» ИМ. ШОКИНА»

завершена

№31806596545

4 186 050₽

открыть карточку

добавить метку

0826-2018-00459. Поставка кварцевых генераторов ГК56

Найдено в документах | Диоды и транзисторы — 473 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 09. 06.18 до 09.06.18

Новосибирская обл | 937042 | АО «НИИЭП»

завершена

№31806691704

цена не указана

открыть карточку

добавить метку

Поставка изделий электронной техники

Найдено в документах | Диоды и транзисторы — 7 633 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 05.07.18 до 05.07.18

Московская обл | 810951 | АО «НПП «ИСТОК» ИМ. ШОКИНА»

завершена

№31806733493

266 890₽

открыть карточку

добавить метку

Приобретение транзисторов АО «ФЗМТ»

Найдено в документах | Диоды и транзисторы — 200 шт

ЕИС закупки | Закупка у единственного поставщика

прием заявок с 19. 07.18 до 19.07.18

СанктПетербург | АО «НИИ КОМАНДНЫХ ПРИБОРОВ»

завершена

Сверхмаломощные вертикальные транзисторы для многоуровневых режимов декодирования

Сохранить цитату в файл

Формат: Резюме (текст)PubMedPMIDAbstract (текст)CSV

Добавить в коллекции

• Создать новую коллекцию
• Добавить в существующую коллекцию

Назовите свою коллекцию:

Имя должно содержать менее 100 символов

Выберите коллекцию:

Не удалось загрузить вашу коллекцию из-за ошибки
Повторите попытку

Добавить в мою библиографию

• Моя библиография

Не удалось загрузить делегатов из-за ошибки
Повторите попытку

Ваш сохраненный поиск

Название сохраненного поиска:

Условия поиска:

Тестовые условия поиска

Электронная почта: (изменить)

Который день? Первое воскресеньеПервый понедельникПервый вторникПервая средаПервый четвергПервая пятницаПервая субботаПервый деньПервый рабочий день

Который день? ВоскресеньеПонедельникВторникСредаЧетвергПятницаСуббота

Формат отчета: РезюмеРезюме (текст)АбстрактАбстракт (текст)PubMed

Отправить максимум: 1 шт. 5 шт. 10 шт. 20 шт. 50 шт. 100 шт. 200 шт.

Отправить, даже если нет новых результатов

Необязательный текст в электронном письме:

Создайте файл для внешнего программного обеспечения для управления цитированием

Полнотекстовые ссылки

Уайли

Полнотекстовые ссылки

. 2023 Январь;35(3):e2208600.

doi: 10.1002/adma.202208600. Epub 2022 16 декабря.

Цин Чжан ^{1 2} , Энлонг Ли ^{3 4} , Юншуай Ван ⁵ , Чансонг Гао ^{3 4} , Конгён Ван ^{1 2} , Линь Ли ⁶

, Дэчао Гэн ⁷ , Хипэн Чен ^{3 4} , Вэй Чен ^{1 2} , Вэньпин Ху ^{1 7}

Принадлежности

Принадлежности

• ¹ Совместная школа Национального университета Сингапура и Тяньцзиньского университета, Международный кампус Тяньцзиньского университета, Фучжоу, 350207, Китай.
• ² Факультет химии, Национальный университет Сингапура, Сингапур, 117543, Сингапур.
• 3 Национальная и местная объединенная инженерная лаборатория технологии плоскопанельных дисплеев, Институт оптоэлектронных дисплеев, Университет Фучжоу, Фучжоу, 350108, Китай.
• ⁴ Фуцзяньская научно-техническая инновационная лаборатория оптоэлектронной информации Китая, Фучжоу, 350100, Китай.
• ⁵ Пекинская национальная лаборатория молекулярных наук, Ключевая лаборатория органических твердых веществ, Институт химии Китайской академии наук, Пекин, 100190, Китай.
• ⁶ Институт молекулярной химии Тяньцзиньского университета, Тяньцзинь, 300072, Китай.
• ⁷ Тяньцзиньская ключевая лаборатория молекулярной оптоэлектроники, Химический факультет, Школа наук, Тяньцзиньский университет, Тяньцзинь, 300072, Китай.

• PMID: 36341511
• DOI: 10.1002/адма.202208600

Цин Чжан и др. Adv Mater. 2023 9 января0005

. 2023 Январь;35(3):e2208600.

doi: 10.1002/adma.202208600. Epub 2022 16 декабря.

Авторы

Цин Чжан ^{1 2}

, Энлонг Ли ^{3 4} , Юншуай Ван ⁵ , Чансонг Гао ^{3 4} , Коньонг Ван ^{1 2} , Линь Ли ⁶ , Дэчао Гэн ⁷ , Хипэн Чен ^{3 4} , Вэй Чен ^{1 2} , Вэньпин Ху ^{1 7}

Принадлежности

• ¹ Совместная школа Национального университета Сингапура и Тяньцзиньского университета, Международный кампус Тяньцзиньского университета, Фучжоу, 350207, Китай.
• ² Факультет химии, Национальный университет Сингапура, Сингапур, 117543, Сингапур.
• ³ Национальная и местная объединенная инженерная лаборатория технологии плоскопанельных дисплеев, Институт оптоэлектронных дисплеев, Университет Фучжоу, Фучжоу, 350108, Китай.
• ⁴ Фуцзяньская научно-техническая инновационная лаборатория оптоэлектронной информации Китая, Фучжоу, 350100, Китай.
• ⁵ Пекинская национальная лаборатория молекулярных наук, Ключевая лаборатория органических твердых веществ, Институт химии Китайской академии наук, Пекин, 100190, Китай.
• ⁶ Институт молекулярной химии Тяньцзиньского университета, Тяньцзинь, 300072, Китай.
• ⁷ Тяньцзиньская ключевая лаборатория молекулярной оптоэлектроники, Химический факультет, Школа наук, Тяньцзиньский университет, Тяньцзинь, 300072, Китай.

• PMID: 36341511
• DOI: 10.1002/адма.202208600

Абстрактный

Органические полевые транзисторы с параллельными функциями передачи и обучения представляют интерес для разработки нейроморфных вычислений, вдохновленных мозгом. Однако низкая производительность и высокое энергопотребление являются двумя основными проблемами, ограничивающими их практическое применение. Здесь демонстрируется сверхмаломощный вертикальный транзистор на основе карбидов/нитридов переходных металлов (MXene) и органического монокристалла.

Транзистор имеет высокий J _ON 16,6 мА см ^-2 и высокое J _ON /J _OFF отношение 9,12 × 10 ⁵ при сверхнизком рабочем напряжении -1 мВ. Кроме того, он может успешно имитировать функции биологического синапса при электрической модуляции, потребляя при этом всего 8,7 аДж энергии на импульс. Он также допускает многоуровневые режимы декодирования информации со значительным разрывом между временем чтения профессионалами и непрофессионалами, обеспечивая высокое отношение сигнал/шум до 114,15 дБ. Эта работа поощряет использование вертикальных транзисторов и органических монокристаллов для декодирования информации и способствует развитию нейроморфных систем с низким энергопотреблением.

Ключевые слова: искусственные синапсы; микропространственная сублимация в воздухе; органические вертикальные транзисторы; сверхнизкое энергопотребление.

© 2022 Wiley-VCH GmbH.

Похожие статьи

• Носимое органическое ферроэлектрическое устройство сверхнизкой мощности для оптоэлектронных нейроморфных вычислений.

  Li Q, Wang T, Fang Y, Hu X, Tang C, Wu X, Zhu H, Ji L, Sun QQ, Zhang DW, Chen L. Ли Кью и др. Нано Летт. 2022 10 августа; 22 (15): 6435-6443. doi: 10.1021/acs.nanolett.2c01768. Epub 2022 23 июня. Нано Летт. 2022. PMID: 35737934

• Дизайн архитектуры 3D-интерфейса в одноволоконном синаптическом транзисторе со сверхнизким энергопотреблением для нейроморфных вычислений.

  Лю Д., Ши К., Дай С., Хуан Дж. Лю Д. и др. Маленький. 2020 апр;16(13):e1907472. doi: 10.1002/smll.201907472. Epub 2020 18 февраля. Маленький. 2020. PMID: 32068955

• Носимый гетеросинапс сверхнизкой мощности с фотоэлектрической синергетической модуляцией.

  Ван Т.И., Мэн Д.Л., Хэ З.И., Чен Л., Чжу Х., Сунь К.К., Дин С.Дж., Чжоу П., Чжан Д.В. Ван Т.И. и др. Adv Sci (Вейн). 2020 16 марта; 7 (8): 1

  0. doi: 10.1002/advs.201
  0. Электронная коллекция 2020 апр. Adv Sci (Вейн). 2020. PMID: 32328430 Бесплатная статья ЧВК.

• Последние достижения в области нейроморфных транзисторов для приложений искусственного восприятия: ОБЗОР ПРОБЛЕМЫ FOCUS.

  Ван WS, Чжу LQ. Ван В.С. и др. Sci Techn Adv Mater. 2022 28 декабря; 24 (1): 10-41. дои: 10.1080/14686996.2022.2152290. Электронная коллекция 2023. Sci Techn Adv Mater. 2022. PMID: 36605031 Бесплатная статья ЧВК. Обзор.

• Эволюция биоинспирированных искусственных синапсов: материалы, структуры и механизмы.

  Ю Х, Вэй Х, Гонг Дж, Хань Х, Ма М, Ван Ю, Сюй В. Ю Х и др. Маленький. 2021 март;17(9):e2000041. doi: 10.1002/smll.202000041. Эпаб 2020 26 мая. Маленький. 2021. PMID: 32452636 Обзор.

Посмотреть все похожие статьи

Рекомендации

1. 1. C. Liu, X. Yan, X. Song, S. Ding, D. W. Zhang, P. Zhou, Nat. нанотехнологии. 2018, 13, 404.
2. 1. M.L. Schneider, C.A. Donnelly, S.E. Russek, B. Baek, M.R. Pufall, P.F. Hopkins, P.D. Dresselhaus, S.P. Benz, W.H. Rippard, Sci. Доп. 2018, 4, е1701329.
3. 1. А. Э. Переда, Нац. Преподобный Нейроски. 2014, 15, 250.
4. 1. Ю. Ли, Т.-В. Ли, акк. хим. Рез. 2019, 52, 964.
5. 1. H. Dong, H. Zhu, Q. Meng, X. Gong, W. Hu, Chem. соц. 2012, 41, 1754.

Грантовая поддержка

• 2021YFA0717900/Национальная ключевая программа исследований и разработок Китая
• U21A20497 / Национальный фонд естественных наук Китая
• 52002267 / Национальный фонд естественных наук Китая
• U2032147 / Национальный фонд естественных наук Китая
• 62274118 / Национальный фонд естественных наук Китая

• MOE-T2EP50220-0001)/Singapore MOE AcRF Tier 2
• A20G9b0135/Совет по научным и инженерным исследованиям A*STAR
• 2020J06012/Фонд естественных наук провинции Фуцзянь
• 2021ZZ129 / Фуцзяньская научно-техническая инновационная лаборатория оптоэлектронной информации Китая

Полнотекстовые ссылки

Уайли

Укажите

Формат: ААД АПА МДА НЛМ

Отправить по номеру

Декодирование силовых дискретных транзисторов | Микроволны и РЧ

Скачать эту статью в формате . PDF Этот тип файла включает в себя графику и схемы высокого разрешения, если это применимо.

Мощные дискретные транзисторы для ВЧ/СВЧ приложений еще не устарели из-за монолитных устройств. Они все еще имеют свое место, особенно в приложениях, где требуется более высокая плотность мощности, например, в передатчиках связи и импульсных радиолокационных системах. Ряд технологий на различных материалах подложки образуют строительные блоки для высокочастотных дискретных мощных транзисторов, охватывающих широкий диапазон частот и уровней мощности как для непрерывных (CW), так и для импульсных приложений.

Силовые транзисторы изготавливаются из различных материалов подложки, при этом низкочастотные устройства по-прежнему изготавливаются из кремния (Si), а высокочастотные транзисторы формируются из подложек из арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). Несмотря на их более высокую стоимость, материалы GaN приобрели популярность как для дискретных транзисторов, так и для интегральных схем (ИС) из-за их превосходных мощностных высокочастотных характеристик, которые обеспечивают гораздо большую плотность мощности, чем GaAs, на эквивалентных частотах.

Этот металлический/керамический корпус с фланцевым креплением является типичным типом корпуса, который требуется для мощных дискретных ВЧ/СВЧ-транзисторов. (Фото любезно предоставлено MACOM Technology Solutions)

Как в непрерывных, так и в импульсных приложениях, генерация высоких уровней мощности от относительно небольшого устройства всегда связана с большим количеством тепла, которое должно рассеиваться на небольшой площади. Как бы ни были важны материалы подложки для производительности дискретных транзисторов, упаковочные материалы также играют ключевую роль в производительности и надежности устройства. Многие поставщики дискретных силовых транзисторов предлагают устройства в корпусах или в виде неупакованного кристалла. Корпуса дискретных транзисторов традиционно состоят из теплопроводных материалов, таких как металлы и керамические материалы. В последние годы разработчики устройств разработали пластиковые композитные материалы, которые обеспечивают эффективное долговременное рассеивание тепла устройства при меньших затратах, чем металлическая/керамическая упаковка.

Несколько технологий устройств обычно используются для радиочастотных/микроволновых приложений. Для мощного усиления ниже примерно 2 ГГц кремниевые биполярные транзисторы или кремниевые полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) способны обеспечивать высокие уровни непрерывной и импульсной выходной мощности. В качестве примера прежнего типа транзистора модель MAPR-001214-380M00 от MACOM Technology Solutions представляет собой кремниевый биполярный силовой транзистор отрицательно-положительно-отрицательный (NPN), обеспечивающий импульсную выходную мощность 380 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1400 МГц. Дискретный биполярный транзистор, работающий в условиях смещения класса C с импульсами 150 мкс и коэффициентом заполнения 10 %, обычно используется в радиолокационных системах авионики. Небольшое устройство обеспечивает минимальное усиление мощности 8,8 дБ по всей полосе пропускания при КПД коллектора 45%. Типичная выходная мощность для входного сигнала мощностью 50 Вт составляет 458 Вт на частоте 1200 МГц и 421 Вт на частоте 1400 МГц. Фирма также производит множество мощных дискретных кремниевых МОП-транзисторов, таких как MRF176GV, который можно использовать до 500 МГц. Он обеспечивает выходную мощность 200 Вт CW на частоте 225 МГц с типичным коэффициентом усиления 17 дБ и типичным КПД 55%.

Упаковка имеет решающее значение

Важность упаковки для таких мощных устройств невозможно переоценить, учитывая чрезвычайно высокую удельную мощность транзистора. Даже при его относительно высоком КПД большая часть энергии, подводимой к транзистору, превращается в тепло, которое необходимо рассеять. Устройство имеет золотую металлизацию и прочный металлический/керамический фланцевый корпус, совместимый с RoHS, который герметично закрыт для защиты от окружающей среды (см. рисунок) . Упаковка для дискретных мощных транзисторов обычно зависит от выходной мощности: транзисторы с более высокими уровнями мощности требуют более крупных керамических / металлических корпусов, в то время как устройства с более низким энергопотреблением часто могут быть размещены в корпусах с технологией вставного монтажа или даже для поверхностного монтажа (SMT). .

Кремниевые подложки также образуют мощные полевые МОП-транзисторы и полевые МОП-транзисторы с поперечной диффузией (LDMOS) для высоких уровней мощности, часто на несколько более высоких частотах, чем кремниевые биполярные транзисторы. Дискретный LDMOS-транзистор BLC8G27LS-60AV от NXP Semiconductors предназначен для работы в непрерывном режиме с выходной мощностью 60 Вт в диапазоне от 2300 до 269 Ом.0 МГц для усилителей базовых станций сотовой связи. Он предлагает типичный коэффициент усиления 15 дБ с эффективностью более 47%, и, поскольку количество тепла, выделяемого устройством, намного меньше, чем у больших импульсных кремниевых биполярных транзисторов для радиолокационных систем, это кремниевое LDMOS-устройство может быть размещено в металлическом корпусе. пластиковая упаковка СОТ для экономии.

Higher Power

Более высокие частоты, более экзотические материалы подложки служат основой для мощных дискретных транзисторов. Одно время кремний-германий (SiGe) представлял интерес в качестве материала подложки, особенно для транзисторов, работающих в диапазоне частот миллиметрового диапазона. Однако в то время GaAs хорошо зарекомендовал себя как более дешевый вариант подложки для высокочастотных транзисторов. По крайней мере, десятилетием ранее GaAs был основой для большинства мощных микроволновых транзисторов и до сих пор является популярным выбором для изготовления малошумящих полевых транзисторов. Но выходная мощность GaAs ограничена по сравнению с полупроводниковыми материалами GaN, используемыми в структурах устройств, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT). Благодаря большому раннему финансированию со стороны Агентства перспективных оборонных исследовательских проектов (DARPA) за его интерес к технологиям для высокочастотных оборонных и аэрокосмических приложений, таких как радары и системы радиоэлектронной борьбы (РЭБ), технология устройств GaN развивалась быстро. Поставщики коммерческих устройств искали экономичные эпитаксиальные подходы для выращивания материалов и структур GaN, необходимых для устройств. Благодаря своим превосходным характеристикам высокой мощности в непрерывном и импульсном режимах, GaN продолжает завоевывать позиции в приложениях, ранее основанных на GaAs, и число поставщиков дискретных и интегральных GaN-устройств для ВЧ/СВЧ-приложений продолжает расти.

Высокая плотность мощности и напряжение пробоя, возможные для дискретных HEMT, изготовленных на подложках GaN, приводят к большому количеству тепла, которое необходимо рассеять. По этой причине все больше мощных GaN-транзисторов используют карбид кремния (SiC) в качестве основы из-за его превосходных тепловых свойств. SiC обладает теплопроводностью более 330 Вт/м·К, что обеспечивает эффективный тепловой канал к радиатору или другой теплорассеивающей конструкции внутри контура. Целью таких теплопроводящих материалов является поддержание температуры базовой пластины силового транзистора значительно ниже верхнего предела указанного диапазона рабочих температур.

Например, модель CGHV59350 от Cree/Wolfspeed представляет собой устройство GaN-on-SiC HEMT, разработанное для использования в импульсных радарах C-диапазона. Он способен обеспечить выходную мощность 450 Вт в диапазоне частот от 5,2 до 5,9 ГГц в импульсном режиме с использованием импульсов длительностью 100 мкс при коэффициенте заполнения 10 %. Он обеспечивает усиление 10,5 дБ при типичной эффективности стока 55%. Как и в случае с более ранним мощным кремниевым биполярным устройством, он поставляется в керамически-металлическом фланцевом корпусе для хорошего рассеивания тепла.

Рынок дискретных устройств GaAs сокращается по мере роста рынка дискретных устройств GaN и устройств на интегральных схемах. Каковы показатели выходной мощности дискретных транзисторов GaN по сравнению с дискретными транзисторами GaAs? Устройства на основе GaAs не могут выдерживать высокие напряжения, токи или нагрев дискретных устройств на основе GaN или даже на основе кремния, и большинство современных коммерческих дискретных транзисторов на основе GaAs больше подходят для маломощных приложений с низким уровнем шума. Ряд компаний, в том числе Avago Technologies и MicroWave Technology, предлагают дискретные GaAs-транзисторы в режиме обеднения и в режиме улучшения, включая FET и HEMT, хотя типичные уровни выходной мощности составляют несколько ватт или меньше.