Диод чип RS1M 1А 1000В 5шт
Диод чип RS1M 1А 1000В 5штКонтакты Заказать звонок Написать письмо Оптовикам Статьи
159
813
Описание
Диод чип RS1M 1А 1000В.
Технические характеристики
Дополнительно
| Назначение | Для плат |
| Тип | Макетные плати и компоненты |
Комментарии
0Пока не было комментариев.
Прокомментировать
Для покупки регистрация не обязательна! Если хотите сделать заказ, — просто добавьте нужные вам товары в корзину, укажите свои данные и нажмите кнопку «Оформить заказ». Мы свяжемся с вами в ближайшее время. Оплата — перевод на карту-ключ счета ПБ — онлайн без комиссии картой любого банка (LiqPay) — безналичный расчет без НДС для юридических лиц — наличными или картой при доставке (только Новой Почтой при заказе от 100 грн) — наличными или через терминал в нас в магазине Нашли дешевле? Напишите нам об этом в чат — кнопка в левом нижнем углу экрана. Доставка — Новая Почта — Укрпочта (только при предоплате) — Самовывоз (можете также вызвать курьера Глово по Ивано-Франковску) Отправка товара происходит каждый рабочий день. В большинстве случаев, ваш заказ уедет в день заявки/оплаты или на следующий день.. Заказы самовывозом можно забрать в нашем магазине, после заявки позвоним вам и скажем, когда посылка с заказом будет готова к выдаче. Гарантия и возврат — возврат в течение 14 дней, если товар не подошел — гарантия от 6 месяцев на товары собственного изготовления |
В сообщении укажите ссылку на активную страницу такого же товара в украинском интернет-магазине и мы пересмотрим цену.Чем заменить диод s1m
Технические характеристики in4007
Перечислим основные параметры для всей серии (информация взята с официального даташита производителя). Начнем с VRM (reverse voltage max) — допустимой величины обратного напряжения 1n400x (здесь и далее последняя цифра модели соответствует порядковому номеру в списке):
- 50 В;
- 100 В;
- 200 В;
- 500 В;
- 600 В;
- 800 В;
- 1000 В.
Допустимое RMS (среднеквадратическая величина):
- 35 В;
- 70 В;
- 140 В;
- 280 В;
- 420 В;
- 560 В;
- 700 В.
Пиковое значение Vdc:
- 50 В;
- 100 В;
- 200 В;
- 400 В;
- 600 В;
- 800 В;
- 1000 В.
Другие технические параметры:
- Максимальное значение выпрямленного тока при работе в штатном режиме и температуре элемента 50 °С – 1 Ампер.
- Допустимая величина тока при импульсе длительностью до 8 мсек – 30 Ампер.
- Допустимый уровень падения напряжения на открытом переходе при силе тока 1 Ампер не более 1-го Вольта.
- Пиковая величина обратного тока при штатном напряжении, при температуре элемента 30 °С – 5 мА, 90 °С – 50 мА.
- Уровень емкости перехода – 15 пФ (значение приводится для постоянного напряжения 4,00 Вольта и частоты 1 МГц).
- Уровень типичного теплового сопротивления – 50°С/Вт.
- Максимальный уровень рабочей частоты – 1 МГц.
- Границы диапазона рабочей температуры от -50 до 125 °С.
- Быстродействие (стандартное время восстановления) более 500 нс;
- Скорость обратного восстановления – 2 мс.
- Допустимая температура хранения от -50 до 125 °С.
- Вес элемента в корпусе в пластиковом корпусе D0-41 в пределах 0,33-0,35 грамм, для D0-214 – не более 0,3 г.
Замена
Диод шоттки
Несмотря на распространенность данной модели, может возникнуть ситуация, при которой нужного диода не окажется в домашнем запаснике. В таком случае следует прибегнуть к поиску альтернативы. С этим не будет проблем, поскольку есть компоненты, полностью совместимые или близкие по характеристикам.
Отечественные аналоги 1n4007
Идеальный вариант для замены – КД 258Д, его характеристики практически идентичны импортной модели, а по некоторым параметрам он даже превосходит ее.
КД 258Д – практически полный аналог 1N4007
Не смотря на очевидные преимущества отечественного аналога, у него есть существенный недостаток – высокая стоимость (по сравнению с 1N4007).
Оригинал стоит порядка $0.05, в то время, как наша деталь порядка $1. Согласитесь, разница существенная.
В некоторых случаях можно использовать диоды Д226, КД208-209, КД243 и КД105, но предварительно потребуется проанализировать их характеристики на предмет совместимости с режимом работы в том или ином устройстве.
Зарубежные аналоги
Среди импортных деталей более широкий выбор для полноценной замены, в качестве примера можно привести следующие модели:
- HEPR0056RT, выпускается компанией Моторола;
- среди продукции Томпсон есть два полных аналога: BYW27-1000 и BY156;
- у Филипса это BYW43;
- и три компонента (10D4, 1N2070, 1N3549) от компании Diotec Semiconductor.
Описание и применение диода 1n4007
В даташите этого элемента указано, что он является выпрямительным маломощным кремниевым диодом, который производится в корпусе из негорючего пластика (тип D0-41). Конструкция, цоколевка и типовые размеры устройства приведены ниже.
Конструкция полупроводникового элемента
Допустимые отклонения в размерах приведены в таблице:
| Обозначения на рисунке | Миллиметры | Дюймы | ||
| min | Max | min | max | |
| A | 4,10 | 5,20 | 0,161 | 0,205 |
| В | 2,00 | 2,70 | 0,079 | 0,106 |
| С | 0,71 | 0,86 | 0,028 | 0,034 |
| D | 25,40 | — | 1,000 | — |
| E | — | 1.27 | — | 0.05 |
Эти полупроводники также выпускаются в стандартном smd-корпусе (тип D0-214), что делает возможным их использование в миниатюрных электронных устройствах.
1N4007 (M7) в SMD исполнении (катод отмечен полоской на корпусе)
Типовые размеры в миллиметрах для элементов SMD исполнения приведены ниже.
Размеры корпуса D0-214
Основное назначение устройства – преобразование переменного напряжение с рабочей частотой не более 70 Гц.
Монтаж
Диод 1n5819: характеристики
Для установки элементов в корпусе D0-41 используется выводная схема монтажа, при этом допускается как горизонтальное, так и вертикальное положение детали (относительно печатной платы). Пайка должна производится «мягким» (низкотемпературным) припоем с точкой плавления менее 210-220°С, например, ПОС-61. Процесс должен занимать не более 10 секунд, чтобы не допустить перегрев элемента.
Заметим, что в даташите указана пороговая температура 260°С, но, как показывает практика, в данном случае лучше перестраховаться, чем испортить деталь и тратить время на ее выпаивание обратно.
Диоды в корпусе D0-215, как и все SMD элементы, устанавливаются по методике поверхностного монтажа, с применением для этой цели специальной паяльной пасты.
Особенности проверки в зависимости от вида диода
SS14 диод: характеристики
При производстве современных радиоэлектронных приборов применяется несколько видов диодов:
- обычные или защитные;
- светодиоды;
- диоды Шоттки;
- стабилитроны;
- тиристоры и симисторы;
- инфракрасные;
- фотодиоды.
Защитные диоды можно встретить в большинстве современных бытовых приборах. Они распространены и являются простейшими элементами схем электрочайников, вентиляторов, блендеров и других облегчающих жизнь устройств.
Область применения светодиодов – всем известные лампы. Они делятся на приборы как бытового и уличного освещения. Диоды Шоттки используются при сборке блоков питания компьютеров, а основной задачей стабилитронов является защита приборов от скачков напряжения, проще говоря, его стабилизация.
Такие диоды, как тиристоры обеспечивают плавный пуск двигателя. Они активно применяются в области автомобилестроения. Симисторы могут пропускать ток в 2-ух разных направлениях.
Инфракрасные встраиваются в ПДУ и оптические контрольно-измерительные приборы. Фотодиоды преобразуют свет, попавший на чувствительную плату, в электросигнал. Они также используются при организации систем уличного освещения.
С помощью мультиметра чаще всего измеряют характеристики светодиодов, обычных полупроводников и диодов Шоттки.
Проверка всех этих видов проводится тестером в соответствии с одним и тем же принципом.
Основными причинами неисправности таких полупроводников являются:
- Превышение максимально допустимого уровня электрического тока.
- Некачественные детали или заводской брак.
- Высокое обратное напряжение.
- Нарушение инструкции по эксплуатации прибора.
Диагностика выполняет с помощью специального, предназначенного для этого прибора – мультиметра.
Увеличение мощности параметрического стабилизатора
Максимальная выходная мощность простейшего параметрического стабилизатора напряжения зависит от значений Iст.max и Pmax стабилитрона. Мощность параметрического стабилизатора может быть увеличена, если в качестве регулирующего компонента использовать транзистор, который будет выступать в качестве усилителя постоянного тока.
Параллельный стабилизатор
Схема ПСН с параллельным включением транзистора
Схема представляет собой эмиттерный повторитель, параллельно транзистору VT включено сопротивление нагрузки RH.
Балластный резистор R1 может быть включён как в коллекторную, так ив эмиттерную цепи транзистора. Напряжение на нагрузке равно
Схема работает следующим образом. При увеличении тока через резистор RH, а соответственно и напряжения (U1 = UCT) на выходе стабилизатора, происходит увеличение напряжения база-эмиттер (U
Коэффициент стабилизации будет равен
где RVT – входное сопротивление эмиттерного повторителя
где Re и Rb – сопротивления эмиттера и базы транзистора.
Сопротивление Re существенно зависит от эмиттерного тока. С уменьшением тока эмиттера сопротивление Re быстро возрастает и это приводит к увеличению RVT, что ухудшает стабилизирующие свойства. Уменьшить значение Re можно за счёт применения мощных транзисторов или составных транзисторов.
Последовательный стабилизаттор
Параметрический стабилизатор напряжения, схема которого представлена ниже, представляет собой эмиттерный повторитель на транзисторе VT с последовательно включённым сопротивлением нагрузки RH. Источником опорного напряжения в данной схеме является стабилитрон VD.
Схема ПСН с последовательным включением транзистора
Выходное напряжение стабилизатора:
Схема работает следующим образом.
При увеличении тока через резистор RH, а соответственно и напряжения (U1 = UST) на выходе стабилизатора происходит уменьшение отпирающего напряжения UEB транзистора и его базовый ток уменьшается. Это приводит к росту напряжения на переходе коллектор – эмиттер, в результате чего выходное напряжение практически не изменяется. Оптимальное значение тока опорного стабилитрона VD определяется сопротивлением резистора R2, включённого в цепь источника питания U0. При постоянном значении входного напряжения U0 базовый ток транзистора IB и ток стабилизации связаны между собой соотношением IB + IST = const.
Коэффициент стабилизации схемы
где Rk – сопротивление коллектора биполярного транзистора.
Обычно kST ≈ 15…20.
Коэффициент стабилизации параметрического стабилизатора напряжения может быть существенно увеличен при введении в его схему отдельного вспомогательного источника с U’0 > U1 и применении составного транзистора.
Схема ПСН с составным транзистором и питанием стабилитрона от отдельного источника напряжения
Теория это хорошо, но без практического применения это просто слова.Здесь можно всё сделать своими руками.
Пошукова система по складах постачальників електронних компонентів в Україні
Практически в любых импортных электронных устройствах можно встретить диоды 1nх. Учитывая популярность этой серии, имеет смысл детально ознакомиться с описанием ее топового элемента. Речь идет о диоде 1N Давайте рассмотрим его основные технические характеристики, назначение, маркировку и возможность замены отечественными и зарубежными аналогами. В даташите этого элемента указано, что он является выпрямительным маломощным кремниевым диодом, который производится в корпусе из негорючего пластика тип D Конструкция, цоколевка и типовые размеры устройства приведены ниже.
Закрепи теорию на практике в действующем сервисном центре, получи опыт и советы профессиональных мастеров, возьми в руки инструмент и получи больше полезной информации и связей для освоения профессии мастера бытовых услуг.
Место: г. Дата: Воскресенье. Участники: 2 из 5. Огромный выбор запчастей для стиральных машин и холодильников с ценами для мастеров. Инструменты собственного производства.
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью. Как покупать?
Оцените статью:
Спецификация RS1M — выпрямитель с быстрым восстановлением на 1,0 А
Детали, спецификация, цитата по номеру детали: RS1M
| Деталь | RS1M |
| Категория | Дискретные => Диоды и выпрямители => Диоды с быстрым восстановлением |
| Описание | Выпрямитель с быстрым восстановлением на 1,0 А |
| Компания | Fairchild Semiconductor |
| Спецификация | Загрузить RS1M Технический паспорт |
| Крест. | Аналогичные детали: FS1M, FRS1M, FRS110, BYM111000, 1SR1561000, RGL41M, FFM107, FM107, CMR1F10M |
| Цитата | Где купить |
| Функции, приложения |
Характеристики Пассивированное стекло. 1A Максимальное повторяющееся обратное напряжение Средний выпрямленный прямой ток, = 100C Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток 8,3 мс Одиночная полусинусоида Диапазон температур хранения Рабочая температура перехода 1D 200 *Эти номинальные значения являются предельными значениями, выше которых работоспособность любого полупроводникового устройства может ухудшиться. Рассеиваемая мощность Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде* Тепловое сопротивление, переход к проводнику*1 А Прямое напряжение 1,0 А Время восстановления в обратном направлении 1,0 А, Irr 0,25 А Обратный ток при номинальном = 125C Общая емкость = 1,0 МГц 1B 1D РЕЗИСТИВНАЯ ИЛИ ИНДУКТИВНАЯ НАГРУЗКА МОНТАЖ x 5,0 мм) ОБЛАСТИ МЕДНЫХ ПРОКЛАДОК Следующие зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки принадлежат Fairchild Semiconductor или имеют право на их использование, и не являются исчерпывающим списком всех таких товарных знаков. ACExTM BottomlessTM CoolFETTM CROSSVOLT TM DenseTrenchTM DOMETM EcoSPARKTM E2CMOSTM EnSignaTM FACTTM FACT Серия QuietTM FAST FASTrTM FRFETTM GlobalOptoisolatorTM GTOTM HiSeCTM ISOPLANARTM LittleFETTM MicroFETTM MicroPakTM MICROWIRETM OPTOLOGICTM OPTOPLANARTM PACMANTM POPTM Power247TM PowerTrench QFETTM QSTM QT OptoelectronicsTM Quiet SeriesTM SILENT SWITCHER SMART STARTTM STAR*POWERTM StealthTM SuperSOTTM-6 SuperSOTTM-8 SyncFETTM TinyLogicTM TruTranslationTM UHCTM UltraFET FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА СОБОЙ ПРАВО ВНЕСИТЬ ИЗМЕНЕНИЯ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ В ЛЮБУЮ ПРОДУКЦИЮ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ ИЛИ КОНСТРУКЦИИ. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВЫТЕКАЮЩЕЙ В СВЯЗИ С ПРИМЕНЕНИЕМ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ СХЕМЫ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; ЭТО НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ В СООТВЕТСТВИИ С СВОИМИ ПАТЕНТНЫМИ ПРАВАМИ И ПРАВАМИ ДРУГИХ ЛИЦ. ПОЛИТИКА ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ ПРОДУКТЫ FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ ВАЖНЕЙШИХ КОМПОНЕНТОВ В УСТРОЙСТВАХ ИЛИ СИСТЕМАХ ЖИЗНЕОБЕСПЕЧЕНИЯ БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО УТВЕРЖДЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. Это техническое описание содержит характеристики продукта, производство которого было прекращено компанией Fairchild semiconductor. Спецификация печатается только для справочной информации. |
Для поверхностного монтажа. Встроенный компенсатор натяжения, идеальный для автоматизированных
Используемый здесь: 1. Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства. 2. Критический компонент — это любой компонент систем жизнеобеспечения, который (а) предназначен для хирургического имплантирования в поддерживающее устройство или систему, отказ от работы которых может привести к повреждению организма, или ( b) поддерживать или поддерживать жизнь, или (c) которые, как разумно ожидать, могут привести к сбою срока службы при надлежащем использовании в соответствии с поддерживающим устройством или системой или повлиять на его безопасность или с инструкциями по применению, указанными на маркировке, может быть эффективность. разумно ожидать, что это приведет к серьезным травмам пользователя. ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРОДУКТА Определение терминов Идентификация технического паспорта Предварительная информация Статус продукта В стадии разработки или в разработке Определение В этом техническом паспорте содержатся проектные спецификации для разработки продукта. Спецификации могут быть изменены любым образом без предварительного уведомления.
Этот лист данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы позднее. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции. Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.
| Номер детали того же производителя Fairchild Semiconductor |
| РУР1С1560С |
| RUR1S1560S9A 15 А, 600 В сверхбыстрый диод |
| RURD4120 4А, 1200В Сверхбыстродействующий диод |
| RURD4120S |
| RURD420 4A, 200В Сверхбыстродействующий диод |
| РУРД420С |
| RURD420US |
| RURD460 4A, 600В Сверхбыстрый диод |
| RURD460S |
| RURD620 6А, 200В Сверхбыстрый диод |
| RURD620CC 6A, 200 В, сверхбыстрый двойной диод |
| RURD620CCS |
| RURD620CCS9A |
| RURD620S 6А, 200В Сверхбыстродействующий диод |
| RURD660 6А, 600В Сверхбыстродействующий диод |
| RURD660S9A RURD660S9A — сверхбыстродействующий диод 6 А, 600 В |
| RURD840S9A |
| RURD860 8А, 600В Сверхбыстродействующий диод |
| RURG15100CC 15 А, 1000 В сверхбыстрый двойной диод |
| RURG15120CC 15 А, 1200 В Сверхбыстрый двойной диод |
| RURG1520CC 15 А, 200 В Сверхбыстрый двойной диод |
FAN2511ONLY: Зажим/шунт напряжения 100 мА CMOS LDO регуляторы с возможностью быстрого пуска (предварительно) MMBD1703 : Диод с низкой утечкой и высокой проводимостью 74LCX06SJX : Низковольтный шестигранный инвертор/буфер с выходами с открытым стоком 74OL6010S : Оптоизолятор — канал логического вывода для поверхностного монтажа 6-SOIC; ОПТОПАРА CMOS BUFFER 6-SOIC Технические характеристики: Тип монтажа: Поверхностный монтаж; Упаковка/кейс: 6-SOIC; Напряжение — изоляция: 5300 В (среднеквадратичное значение); Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS BD681STU : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 4A 100V 40W NPN — Darlington; ТРАНЗИСТОР NPN 100V 4A TO-126 Технические характеристики: Тип транзистора: NPN — Darlington; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс. BC558BTAR : Транзистор (bjt) — однодисковое полупроводниковое изделие 100 мА 30 В 500 мВт PNP; ТРАНЗИСТОР PNP 30V 100MA TO-92 Технические характеристики: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 30 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — макс.: 500 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 200 при 2 мА, 5 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 650 мВ при 5 мА, 100 мА; Частота-переход: 150 МГц; Текущий — FJZ733GTF : Транзистор (bjt) — один дискретный полупроводниковый продукт 150 мА 50 В 100 мВт PNP; ТРАНЗИСТОР PNP 50V 150MA SOT623F Технические характеристики: Тип транзистора: PNP; Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.): 50 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 150 мА; Мощность — макс. FMMT549L99Z: 1000 мА, 30 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР Технические характеристики: Полярность: PNP h21D3.SDL : 1-КАНАЛЬНАЯ ОПТОРАЗВЯЗКА НА ТРАНЗИСТОРНЫХ ВЫХОДАХ Технические характеристики: Вариант монтажа: DIP-6 ; Выход: Фототранзистор; Напряжение изоляции: 5300 вольт; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 200 вольт 74ABT162244DL: СЕРИЯ ABT, СЧЕТВЕРЕННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР, ИСТИННЫЙ ВЫХОД, PDSO48 Технические характеристики: Технология: BICMOS; Тип устройства: Драйвер линии/шины; Напряжение питания: 5 В; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F); Тип упаковки: ЦСОП, 6,10 мм, МО-153, ЦСОП-48; Пины: 48 |
): 100 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 4A; Мощность — макс.: 40 Вт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 750 при 1,5 А, 3 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 2,5 В при 30 мА, 1,5 А; Частота — Переход: — ; Курс
: 100 мВт; Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce: 200 при 1 мА, 6 В; Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic: 300 мВ при 10 мА, 100 мА; Частота-переход: 180 МГц; Текущий| Та же категория |
2SB1588 : Эпитаксиальный планарный транзистор Darlington Silicon PNP. 2SC3070 : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, High H(FE), низкочастотный усилитель общего назначения. MA142WA : Обозначение = mo ;; VR(V) = 80 ;; ЕСЛИ(мА) = 150 ;; ИК(нА) = 100 ;; Trr(ns) = 10 ;; Пакет = SMini3-G1. MA3D750AMA7D50A : . Кремниевый эпитаксиально-планарный тип (общий катод) Низкое прямое напряжение VF Высокое напряжение пробоя диэлектрика: > 5 кВ Простой монтаж благодаря V-образному срезу на конце корпуса Корпус TO-220D-A1 Параметр Повторяющийся пик MA3D750 Обратное напряжение MA3D750A IF(AV ) IFSM Tj Tstg Обозначение VRRM Номинал A C Единица В Средний прямой ток Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток * Соединение. MJE1320 : Силовой транзистор 2 Ампера 900 Вольт 80 Вт. Этот транзистор предназначен для высоковольтной, силовой коммутации в индуктивных цепях, где критичны RBSOA и напряжение пробоя. Они особенно подходят для приложений с переключением режимов работы от сети. Типичные области применения: Балласты люминесцентных ламп Инверторы Драйверы соленоидов и реле Управление электродвигателем Цепи отклонения: Высокая способность VCEV (1800. UTCMCR101 : . ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ВЫПРЯМИТЕЛИ С КРЕМНИЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ ЗАТВОРАМИ ТИРИСТОРЫ ОБРАТНОЙ БЛОКИРОВКИ Устройства PNPN, предназначенные для больших объемов потребительских устройств с питанием от сети, таких как драйверы реле и ламп, устройства управления небольшими двигателями, драйверы затворов для более крупных тиристоров, а также схемы датчиков и обнаружения. Поставляется в недорогом пластиковом корпусе ТО-9.2, который легко адаптируется для использования в автоматическом режиме. 03028BR182BKU : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, BR, 0,0018 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. 05002-360BKMP : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, ВР, 0,000036 мкФ, НАНЕСИТЕЛЬНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3,60E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 100 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления:. 0805B512K251NHT : КОНДЕНСАТОР КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 250 В, X7R, 0,0051 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0805. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0051 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 250 вольт; Способ крепления:. IRFSL3307PBF : 75 А, 75 В, 0,0063 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 75 вольт; RDS(вкл.): 0,0063 Ом; Тип упаковки: СВИНЦОВЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, TO-262, 3-контактный; Количество единиц в IC: 1. MPS4992 : 9 В, КРЕМНИЕВЫЙ ДВУХСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, TO-92. s: тиристорный тип: переключатель с закрытым затвором; Тип упаковки: ТО-92, ТО-92, 3 контакта; Количество выводов: 3. 0603 Технология: многослойная; диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,00E-5 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 1 (+/- %); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион/°C; Способ крепления: поверхностный.SK14E3 : 1 А, 40 В, КРЕМНИЕВЫЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214BA. s: Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, DO-214BA, 2 PIN; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 1000 мА. 1206X7R474KT2AB : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 50 В, X7R, 0,47 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1206. 2SC6125 : 4 A, 20 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: PW-MINI, 3 контакта. |
Обозначение VCBO VCEO VEBO PC Tj Tstg +150 (Ta=25C) Единица C Обозначение ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Условия V pF Кремниевый PNP Эпитаксиально-планарный транзистор (дополнение к типу 2SD2439) Применение : Аудио, последовательный регулятор и общее назначение VCC (В) 10 IC (A) 7 VBB1 (В) 10 VBB2 (В) 5 IB1 (мА) 7 IB2 (мА) 7 t (с) 0,8 тип. tstg (с) 3,0 тип. .
s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0018 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 100 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.
s: Конфигурация/форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,4700 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: поверхностный монтаж.
10.00.80
