Какие основные параметры имеет транзистор C3866. Для каких целей он используется. Какие существуют аналоги C3866. На что обратить внимание при выборе и применении этого транзистора.
Основные характеристики транзистора C3866
Транзистор C3866 (2SC3866) — это кремниевый NPN биполярный транзистор, предназначенный для использования в высокочастотных и СВЧ-схемах. Вот его ключевые параметры:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 35 В
- Максимальный ток коллектора: 50 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность: 300 мВт
- Граничная частота: 5 ГГц
- Коэффициент усиления по току: 40-120
- Корпус: SOT-23
C3866 отличается высокой граничной частотой и низким уровнем шума, что делает его подходящим для применения в радиочастотных схемах.
Области применения транзистора C3866
Благодаря своим характеристикам, транзистор C3866 находит применение в следующих областях:
- Входные каскады усилителей СВЧ-диапазона
- Малошумящие усилители
- Смесители и преобразователи частоты
- Генераторы СВЧ-колебаний
- Высокочастотные переключатели
- Радиоприемные устройства
- Мобильные и беспроводные устройства связи
C3866 часто используется в схемах, работающих на частотах до нескольких гигагерц, где требуется низкий уровень шума и хорошее усиление.
Аналоги транзистора C3866
При необходимости замены C3866 можно рассмотреть следующие аналоги с похожими характеристиками:
- 2SC2570
- 2SC3356
- BFR93A
- BFS17
- BFR92A
При выборе аналога следует внимательно сравнивать все ключевые параметры, особенно граничную частоту, коэффициент усиления и максимальные напряжения/токи.
Особенности применения транзистора C3866
При использовании транзистора C3866 в схемах необходимо учитывать следующие моменты:
- Чувствительность к статическому электричеству. Рекомендуется применять антистатические меры при монтаже.
- Необходимость качественного теплоотвода при работе на предельных режимах.
- Важность правильного согласования входных и выходных цепей для достижения оптимальных характеристик на высоких частотах.
- Желательность использования экранирования для минимизации паразитных наводок.
- Необходимость учета паразитных параметров корпуса и монтажа при расчете высокочастотных схем.
При соблюдении этих рекомендаций транзистор C3866 способен обеспечить отличные характеристики в СВЧ-схемах.
Выбор режима работы транзистора C3866
Для достижения оптимальных характеристик при использовании C3866 важно правильно выбрать режим его работы. Рассмотрим основные аспекты:
- Напряжение коллектор-эмиттер: Рекомендуется выбирать в диапазоне 3-10 В для обеспечения хорошей линейности.
- Ток коллектора: Оптимальное значение обычно составляет 5-20 мА в зависимости от конкретного применения.
- Напряжение база-эмиттер: Типичное значение около 0.7 В, но может варьироваться в зависимости от требуемого тока коллектора.
Важно не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов, указанные в документации, чтобы избежать повреждения транзистора.
Измерение параметров транзистора C3866
Для оценки характеристик и проверки работоспособности C3866 можно провести следующие измерения:
- Статические параметры (напряжение насыщения, ток утечки) с помощью мультиметра.
- Коэффициент усиления по току с использованием простого измерительного стенда.
- S-параметры с помощью векторного анализатора цепей для оценки высокочастотных характеристик.
- Уровень шума с применением специализированного оборудования для измерения коэффициента шума.
Эти измерения позволят убедиться в соответствии параметров транзистора заявленным характеристикам и выявить возможные отклонения.
Рекомендации по монтажу транзистора C3866
Правильный монтаж C3866 критически важен для обеспечения его надежной работы, особенно на высоких частотах. Вот несколько ключевых рекомендаций:
- Используйте антистатические меры предосторожности при работе с транзистором.
- Применяйте качественную паяльную станцию с контролем температуры.
- Минимизируйте длину выводов и проводников для уменьшения паразитных индуктивностей.
- Обеспечьте хороший контакт с общим проводом для минимизации паразитной емкости эмиттера.
- При необходимости используйте теплоотвод для эффективного рассеивания тепла.
Соблюдение этих рекомендаций поможет избежать повреждения транзистора и обеспечит его оптимальную работу в схеме.
Сравнение C3866 с современными аналогами
Хотя C3866 остается популярным выбором для многих применений, современная электроника предлагает ряд альтернатив с улучшенными характеристиками. Рассмотрим сравнение C3866 с некоторыми современными транзисторами:
| Параметр | C3866 | BFP740F | BFU730F |
|---|---|---|---|
| Граничная частота | 5 ГГц | 25 ГГц | 55 ГГц |
| Коэффициент шума (на 2 ГГц) | ~2 дБ | 0.8 дБ | 0.6 дБ |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | 35 В | 4 В | 2.5 В |
Как видно, современные транзисторы предлагают значительно лучшие частотные характеристики и более низкий уровень шума, но часто имеют меньшее допустимое напряжение.
Елисеев Андрей Анатольевич — пользователь, сотрудник
МГУ имени М.В. Ломоносова, Факультет наук о материалах, доцент, с 1 ноября 2004
кандидат химических наук с 2004 года
Прежние места работы (Нажмите для отображения)
Соавторы: Лукашин А.В., Третьяков Ю.Д., Напольский К.С., Петухов Д.И., Grigoriev S.V., Grigoryeva N.A., Саполетова Н.А., Eckerlebe H., Харламова М.В., Росляков И.В., Колесник И.В., Chernysheva M.V., Елисеев А.А. показать полностью…, Валеев Р.Г., Яшина Л.В., Kiselev N.A., Vertegel A.A., Вербицкий Н.И., Поярков А.А., Chumakov A.P., Petukhov A.V., Бойцова О.В., Суздалев И.П., Бельтюков А.Н., Казин П.Е., Кумсков А.С., Гаршев А.В., Ефимова А.И., Чернова Е.
А.,
Чумаков А.П.,
Byelov D.V.,
Goernert P.,
Kumskov A.S.,
Григорьев С.В.,
Киселев Н.А.,
Кнотько А.В.,
Bouwman W.G.,
Chernyshov D.,
Hutchison J.L.,
Mistonov A.A.,
Преснов Д.Е.,
Maksimov Y.V.,
Okorokov A.I.,
Вертегел А.А.,
Жигалина В.Г.,
Комкова М.А.,
Крестинин А.В.,
Тимошенко В.Ю.,
Brzhezinskaya M.M.,
Freitag B.,
Gorozhankin D.F.,
Берекчиян М.В.,
Булдаков Д.А.,
Волыхов А.А.,
Гончар К.А.,
Закалюкин Р.М.,
Chumakova A.V.,
Vinogradov A.S.,
Zhuravleva N.G.,
Вячеславов А.С.,
Журавлева Н.Г.,
Новочихин С.В.,
Осминкина Л.А.,
Савилов С.В.,
Садилов И.С.,
Трусов Л.А.,
Фалалеев Н.С.,
Krestinin A.V.,
Kynast U.,
Liu C.,
Pyatkov E.S.
,
Grüneis A.,
Hermida-Merino D.,
Kelberg E.A.,
Kheifets L.I.,
Kostylev M.P.,
Kriventsov V.V.,
Kriventsov V.V.,
Lapshin A.N.,
Loimer T.,
Mezentsev N.A.,
Navarro-Cia M.,
Petaccia L.,
Pichler T.,
Pivovarova O.I.,
Privalov V.I.,
Profeta G.,
Rasing T.,
Roh S.,
Roussigne Y.,
Senkovskiy B.,
Sharafutdinov M.R.,
Stashkevich A.A.,
Sutherland A.J.,
Tarasov V.P.,
Usachov D.,
Vassilieva A.V.,
Vyalikh D.V.,
Zyubina T.S.,
van Etteger A.,
Амеличев В.А.,
Анохин Е.О.,
Бадун Г.А.,
Белогорохов А.И.,
Божьев И.В.,
Бородинов Н.С.,
Босак А.А.,
Бреева А.В.,
Быстров С.Г.,
Васильев А.Л.,
Виноградов С.Е.,
Гильмутдинов Ф.З.,
Гольдт А.Е.,
Горбачев Е.
В.,
Цурикова У.А.,
Шапорев А.С.,
Шуб Б.Р.,
Яковлев Р.Ю.,
Ямпольский Ю.П.,
Abramova V.V.,
Alekseeva E.A.,
Alexander A.M.,
Alexander S V.,
Belliard L.,
Bondarenko V.A.,
Bonello B.,
Borisenko D.N.,
Bras W.,
Buldakov D.A.,
Chebotaeva G.S.,
Chuvilin A.,
Davydok A.,
Denis V.,
Dinnebier R.E.,
Djemia P.,
Dnestrovskii A.Y.,
Dogadkin N.N.,
Dovgaliuk I.,
Galimov E.M.,
Gruenert W.,
Herlitschke M.,
Herlitschke М.,
Hilhorst J.,
Ito Y.,
Ivanov R.P.,
JANSEN M.,
Jesche A.,
Kleimenov E.,
Kolen’ko Y.V.,
Kondo K.,
Kraan W.H.,
Kraje M.,
Krylov P.N.,
Krywka C.,
Kuralbayeva G.A.,
Lebedev O.I.,
Li W,
Magdysyuk O.V.,
Makarevich T.
,
Makarova A.,
Mavlavi D.,
NYCHYPORUK T.,
Nachtegaal M.,
Nefedov A.,
Niu J.J.,
Oleinikov N.N.,
O’Brien P.,
Panin G.N.,
Pentin I.V.,
Presniakov M.Y.,
Provotorov D.I.,
Pryakhina V.I.,
Rubacheva A.D.,
Ryabenko A.G.,
Seidler M.L.,
Shantarovich V.P.,
Shkinev V.M.,
Shur V.Y.,
Sloan J.,
Sloan J.,
Snigireva I.,
Soboleva L.I.,
Sodagar-Abardeh J.,
Sosnov E.A.,
Stevenson K.J.,
Stroppa A.,
Subhra J.,
Sukhorukova I.V.,
Suzuki T.,
Tresca C.,
Valdner V.,
Valkovskiy G.A.,
Vilkov O.,
Vorobiev A.A.,
Wang T.C.,
Wolff M.,
Wöll C.,
YATSIMIRSKY A.,
Yakovenko E.V.,
Yampolskii Y.P.,
Yesin N.V.,
Yu S.,
Zevakin E.A.,
Zhukov A.
,
Zubavichus Y.V.,
Zubavichus Y.V.,
van Tendeloo G.,
Авраменко Н.В.,
Алентьев А.Ю.,
Андреев Е.А.,
Баранов А.Н.,
Баранчиков А.Е.,
Бауман В.Г.,
Белов Д.В.,
Бердоносов С.С.,
Бермешев М.В.,
Божко С.И.,
Брылев О.А.,
Бубенов С.С.,
Бурова Л.И.,
Быков И.В.,
Валуева А.В.,
Ванг Ч.,
Ванецев А.С.,
Васильев А.Н.,
Васильев С.Ю.,
Вересов А.Г.,
Галлямов М.О.,
Ганьшина Е.А.,
Гаськов А.М.,
Гернерт П.,
Головина Д.И.,
Горбачевский М.В.,
Гричук Д.В.,
Грунин А.А.,
Гюппенен О.Д.,
Дедюлин С.Н.,
Деев А.Н.,
Днестровский А.Ю.,
Дрожжин О.А.,
Дьяков С.А.,
Дядькин А.А.,
Евстратова Я.В.,
Егоров А.В.,
Егоров С.В.,
Еремина Е.А.,
Еремина О.
Е.,
Жарик Г.А.,
Жиров А.И.,
Жукова И.Н.,
Забелин А.В.,
Зайцев В.Б.,
Зотов Т.А.,
Зубавичус Я.В.,
Зыкин М.А.,
Зюбина Т.С.,
Калачев И.Л.,
Кинаст У.,
Кирьянова А.В.,
Киселев Г.Н.,
Климашина Е.С.,
Клименко А.А.,
Козина Л.Д.,
Колесников Е.А.,
Колягин Ю.Г.,
Кононов Н.Н.,
Константинова Е.А.,
Корнилова А.В.,
Корсаков И.Е.,
Крайе М.,
Красникова И.В.,
Кривецкий В.В.,
Крылов И.Н.,
Кудрявцев А.А.,
Кузьмина Н.П.,
Куртина Д.А.,
Лебедев А.Г.,
Лебедев О.И.,
Леонидов Н.Б.,
Леонтьев А.П.,
Липовски О.Г.,
Манкевич А.С.,
Марченко Е.И.,
Мистонов А.А.,
Митрофанов А.А.,
Мордвинова Н.Е.,
Муравьева Г.П.,
Мутлин Ю.Г.,
Мухгалин В.В.,
Напольский Ф.
С.,
Наранов Е.Р.,
Никитина В.Н.,
Никифоров М.П.,
Новиков А.А.,
Павликов А.В.,
Полежаева О.С.,
Поляков А.Ю.,
Померанцева Е.А.,
Пономарева Е.А.,
Привалов В.И.,
Романчук А.Ю.,
Румянцева М.Н.,
Рыжов И.А.,
Рябчиков Ю.В.,
Рязанов В.В.,
Садовников А.А.,
Садовников А.А.,
Саиджонов Б.М.,
Самарин С.Н.,
Санин А.О.,
Сафронова Т.В.,
Севастьянов В.С.,
Семисалова А.С.,
Сергеев А.В.,
Синицкий А.С.,
Синюков А.В.,
Скокан Е.В.,
Смирнов А.В.,
Соболь А.Г.,
Соломатин А.С.,
Соснов Е.А.,
Спиваков Б.Я.,
Сушенцова Б.Ю.,
Тафеенко В.А.,
Третьяков Ю.Д.,
Федянин А.А.,
Хатчисон Д.Л.,
Хейфец Л.И.,
Цымбаренко Д.М.,
Чермошенцев Д.А.,
Чилингаров Н.С.,
Чурагулов Б.
Р.,
Шароваров Д.И.,
Шаталова Т.Б.,
Шилобреева С.Н.,
Шишканов К.А.,
Штанский Д.В.,
Щербачева Е.В.,
Янзен М.,
китаева в.ю.293 статьи, 5 книг, 87 докладов на конференциях, 21 тезисы докладов, 26 НИР, 33 патента, 2 награды, 1 членство в программном комитете, 5 диссертаций, 12 дипломных работ, 2 курсовые работы, 8 учебных курсов
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 2425, Scopus: 2377
РИНЦ:
IstinaResearcherID (IRID): 515094
ResearcherID: B-5720-2012
Scopus Author ID: 7004371592
ORCID: 0000-0002-2851-6821
Блок питания SANMIM GFA15A-5, 5 Вольт 15 Ватт. Обзоры, тесты и испытания блоков питания. Товары из Китая. Обзоры, тесты и испытания блоков питания
$ 7.
36
Перейти в магазин
Не так давно прислал мне банггуд несколько разных блоков питания, отличаются они почти всем, как напряжением, так и мощностью, производителем. Подумал и решил тестировать и соответственно публиковать обзоры по возрастанию мощности этих БП и сегодня обзор первого из них.
Блок питания не очень мощный, компактный, но надеюсь что интересный, хотя конечно лучше обо все почитать подробнее в обзоре.
Справедливости ради стоит наверное сказать, что на самом деле это уже четвертый блок питания от фирмы Sanmim (а не Sanmin, как написано на странице товара) который попадает мне в руки и после теста первых трех я назвал данную фирму неким аналогом более известной Meanwell, но возможно немного дешевле и не с таким широким ассортиментом продукции.
Но перейдем к обзору.
Индивидуальная упаковка представляет из себя обычный пакет с защелкой, в качестве опознавательных знаков только наклейка с артикулом.
По своему важное отличие от подавляющего большинства «безродных» блоков, это наличие описания, но к сожалению только на китайском языке.
Обозреваемый блок питания рассчитан на выходное напряжение 5 Вольт, ток 3 Ампера, но кроме него в данном варианте производятся блоки питания на те же 15 Ватт, но имеющие выходные напряжения 9, 12, 15, 24 и 36 Вольт. Из-за низкого напряжения версия на 5 Вольт имеет самый низкий заявленный КПД, всего 80%, у остальных он колеблется в диапазоне 83-86%.
Заявленный размах пульсаций по выходу для всех блоков питания не более 50мВ p-p, что очень даже неплохо и конечно я это проверю.
Внешне выглядит очень аккуратно и могу сказать, что в какой-то степени он как-то даже аккуратнее чем известные, нет кучи термоклея, да и сама сборка выглядит более строго, если так можно выразиться.
Данный блок питания относится к серии низкопрофильных, куда также входит и более мощные GFA20A-хх имеющие мощность 20 Ватт и тот же набор выходных напряжений, правда и размер у них заметно больше но что любопытно, трансформаторы применены одинакового габарита, что у 15, что у 20 Ватт версии.
Кстати насчет размеров, в даташите есть полный чертеж, где есть как общие размеры платы, так и высота, а также расстояние между крепежными отверстиями и прочее.
И конечно сравнение со стандартным спичечным коробком, который не сильно меньше чем блок питания.
Чуть подробнее про отдельные узлы.
1. Все подключения производятся через клеммник на который заводится входное питание + земля и снимается выходное напряжение.
2. Есть входной сетевой фильтр состоящий из синфазного дросселя, одного X-конденсатора, пары Y-конденсаторов. Для защиты стоит предохранитель, а для снижения броска тока при включении — термистор. Есть также и межобмоточный Y конденсатор, он спрятан под трансформатором.
3. Термистор, Y конденсаторы подключенные к заземлению и оптрон обратной связи.
4. Входной конденсатор имеет емкость 22мкФ и рассчитан напряжение 450 Вольт, при этом на фотографии в магазине показана версия платы с конденсатором на 400 Вольт, так что может быть оба варианта.
5. Между конденсатором и трансформатором спрятан ключевой высоковольтный транзистор MDIB6N70C 700V, 5.0A, 1.8Ω, радиатора нет.
6. На выходе диодная сборка EBR30L60, судя по маркировке предположительно 30 Ампер 60 Вольт. На выходе три конденсатора 1000мкФ 10 Вольт, также имеется дроссель для снижения уровня пульсаций.
Все конденсаторы производства Aishi, впрочем у всех протестированных мною БП Sanmim было то же самое.
Это конечно не Rubycon или Nichicon, но и не нонейм. Входной имеет реальную емкость около 19мкФ, выходные в сумме дают 3000мкФ, измерение проводилось прямо на плате.
Плата и монтаж двухсторонние, основная часть компонентов размещена снизу. В районе межобмоточного Y-конденсатора имеется защитная прорезь, а под синфазным дросселем разрядник.
Также отмечу то, что параллельно X-конденсатору стоит разрядная цепочка, а параллельно основному входному фильтрующему конденсатору установлен еще и керамический, что бывает довольно редко даже у брендов.
Мною не замечено узких мест в трассировке, которые могут отрицательно сказаться на безопасности.
«Горячая» часть блока питания, ШИМ контроллер, терморезистор (R12), снаббер и остальная обвязка контроллера.
Выходная часть, построена классически, с регулируемым стабилитроном TL431, параллельно выходному конденсатору (который после дросселя) установлен дополнительный керамический конденсатор.
Для лучшего понимания набросал схемку. Схема ориентировочная так как не измерял номиналы SMD конденсаторов. ШИМ контроллер указан не тот что стоит в реальности, потому как не нашел его нормальное название, пришлось взять наиболее подходящий по назначению выводов, собственно здесь все более чем классически.
Переходим к тестам.
Выходное напряжение блока питания фиксировано и для его изменения необходим паяльник и дополнительные компоненты.
В моем случае на выходе было 5.06 Вольта, но думаю что от партии к партии могут быть небольшие колебания. В любом случае оно соответствует заявленному.
Замечу, что старт с полностью разряженными конденсаторами занимает довольно длительное время, порядка 5 секунд. Я при первом включении даже заволновался, работает ли он вообще.
Дальнейшие тесты проходили с применением электронной нагрузки ZKE EBC-A10H, проверялась нагрузочная характеристика, КПД, уровень пульсаций и нагрев.
И первый же тест меня удивил.
Блок питания имеет максимальный заявленный ток в 3 Ампера, потому я в нагрузочном тесте выставил немного больше, 4 Ампера.
Но блок питания без проблем взял эту планку, причем напряжение держал просто отлично, что в начале теста было 5.05, что при токе в 4 Ампера.
Дальше было еще несколько попыток, но даже при токе в 5.6 Ампера, т.е. при почти двукратной перегрузке, блок питания в защиту не ушел и продолжал также уверенно держать выходное напряжение, было ощущение что он вообще этого не заметил. Ладно, я поднял ток нагрузки до 5.6 Ампера, вообще никакой реакции, напряжение стоит как вкопанное, блок в защиту не уходит.
Ради интереса измерил сопротивление шунта, все как написано, около 0.5 Ома. Потом взял другой БП из той же серии, там при 20 Ватт также 0.5 Ома и в моих тестах тот БП отключался при мощности порядка 32 Ватта.
Выставляем ток 6.6 Ампера, запускаем тест и БП отключился при этом токе, т.е. фактически примерно при 32-33 Ватта.
Кто-то скажет — так это ведь хорошо, вон какой запас.
На самом деле это не очень хорошо, я бы даже сказал что совсем ничего хорошего так как для БП 15 Ватт этот порог должен быть порядка 20, ну максимум 25 Ватт, ведь возможна ситуация когда нагрузка неожиданно возросла, БП продолжает «тянуть» и в итоге выходит из строя из-за перегрева.
КПД проверялся сначала при выходной мощности 0, 3, 6, 9, 12 и 15 Ватт, но так как реально БП тянул и дальше, то позже добавил тест с мощностью 18, 21 и 24 Ватта.
То же самое в графическом виде. Я получил КПД до 77%, но стоит сразу сделать оговорку, ваттметр на таких малых мощностях заметно «брешет», причем насколько мне известно, он завышает показания.
по крайней мере мой экземпляр. Я считаю что реально там как раз и было примерно 79-80%, но только при максимальной заявленной мощности.
Размах пульсаций проверялся в шести режимах из которых два нештатных и я считаю что все просто отлично, в самом плохом варианте я получил всего 20мВ при заявленных 50.
1. Без нагрузки.
2-6, При мощности 5, 10, 15, 20 и 25 Ватт.
Попутно был проверено что происходит на выходе при более медленной частоте развертки, т.е. здесь видны как ВЧ пульсации, так и с частотой 100Гц, Немного похуже, примерно 30-35мВ, но все равно неплохо.
1. Без нагрузки
2, 3, 4. При нагрузке 8, 15 и 25 Ватт.
Согласно даташиту полную мощность от БП можно получить в диапазоне 85-240 Вольт при условии что температура воздуха не ниже -30 и не выше +60, при повышении температуры мощность надо снижать.
В моем случае что температура, что напряжение находилось в том диапазоне где можно снимать все 100%.
Для начала погонял с пол часа при 50% нагрузки, затем поднял мощность до 100%.
1. 50% нагрузки
2, 3. 100%, самую большую температуру имела выходная диодная сборка, около 95 градусов.
После прогрева выходное напряжение поднялось примерно на 20-30мВ, что говорит нормальных резисторах в цепи ОС.
Мне этого показалось мало и я поднял мощность до 20 Ватт, в итоге самая высокая температура была опять в районе выходных цепей, выходной дроссель около 100 градусов, диодная сборка 113.
Итоги.
По большому счету блок питания неплохой, отлично держит выходное напряжение даже при двукратной перегрузке, имеет малый уход от температуры, низкие пульсации, компактный размер, термозащиту, но как это часто бывает, не обошлось и без «нюансов».
У данного БП есть одна серьезная проблема, защита настроена на слишком большую мощность, порядка 32-33 Ватта. Исправляется данная проблема легко, заменой токоизмерительного шунта с 0.51 Ома на 0.7-0.75, тогда отключение будет происходить при мощности около 20 Ватт.
Вторая сложность, долгий запуск если БП был долго выключен.
Производитель в целях уменьшения потребления БП без нагрузки увеличил номиналы резисторов запуска с привычных 1-1.5 МОм (2х510-820кОм) до 3 МОм, решается заменой этих резисторов (R13 и R14 по схеме).
Но даже с учетом всех нюансов блок мне понравился, как впрочем и те три, которые я тестировал ранее. Они занимают некое среднее положение между безымянными блоками питания и например тем же Meanwell, причем наверное ближе к последним.
Кроме того, думаю что при установке радиатора на выходную диодную сборку, с этого БП запросто можно длительно снимать и 20 Ватт.
Ну и пару слов о цене. На мой взгляд дороговато, например у нас в оффлайне точно такой же БП стоит примерно на доллар дешевле.
На этом у меня все, надеюсь что было полезно.
$ 7.36
Перейти в магазин
Транзистор%20c3866 спецификация и примечания по применению
Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть
org/Product»> БД9В101МУФ-ЛБ РОМ Полупроводник 16–60 В, 1 А, 1 канал, 2,1 МГц, синхронный понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) БД9Г102Г-ЛБ РОМ Полупроводник 6–42 В, 0,5 А, 1 канал, простой понижающий преобразователь со встроенным полевым транзистором (промышленного класса) BD9G341AEFJ РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым МОП-транзистором 150 мОм
org/Product»> БД9А600МУВ РОМ Полупроводник Входное напряжение от 2,7 В до 5,5 В, встроенный полевой МОП-транзистор 6 А, одиночный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянный BD9G341AEFJ-LB РОМ Полупроводник 12–76 В, понижающий импульсный стабилизатор со встроенным силовым полевым МОП-транзистором 150 мОм (промышленного класса) BD9C601EFJ РОМ Полупроводник Вход от 4,5 В до 18 В, 6,0 А Встроенный MOSFET 1-канальный синхронный понижающий преобразователь постоянного тока в постоянныйтранзистор%20c3866 Листы данных Context Search
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
Похожие записи
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998 | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером p-канальный mosfet Транзисторы mosfet p-канал Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор УКВ-полевой транзистор lna | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |