S8050 Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°. S8050: характСристики, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ особСнности использования NPN-транзистора

Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор S8050. КакиС Ρƒ Π½Π΅Π³ΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹. Для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ примСняСтся S8050 Π² элСктронных схСмах. КакиС Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ S8050. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ S8050 Π² ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ….

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора S8050

S8050 — это ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ распространСнный NPN биполярный транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. Он относится ΠΊ сСмСйству ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… ΡΠΏΠΈΡ‚Π°ΠΊΡΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΈ выпускаСтся Π² корпусС TO-92.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ S8050:

  • Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π°: NPN
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр: 25 Π’
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°: 500 мА (0.5 А)
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ (h21E): 80-250
  • Граничная частота: 150 ΠœΠ“Ρ†
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ: 0.3 Π’Ρ‚
  • ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ: TO-92 (пластиковый)

Вранзистор S8050 ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ высокочастотными свойствами ΠΈ срСдним коэффициСнтом усилСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния транзистора S8050

Благодаря своим характСристикам, S8050 Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных схСмах:


  • УсилитСли ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… сигналов
  • ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ
  • Π”Ρ€Π°ΠΉΠ²Π΅Ρ€Ρ‹ свСтодиодов
  • Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅
  • Π˜ΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Π΅ схСмы
  • Цифровая Π»ΠΎΠ³ΠΈΠΊΠ°
  • Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊΠΈ питания

S8050 часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² аудиоусилитСлях, особСнно Π² каскадах ΠΏΡ€Π΅Π΄Π²Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилСния. Π•Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроникС, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…, систСмах Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ.

Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° ΠΈ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° транзистора S8050

S8050 выпускаСтся Π² корпусС TO-92 с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Π¦ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° транзистора ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ:

  • 1 — Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ (E)
  • 2 — Π‘Π°Π·Π° (B)
  • 3 — ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (C)

На корпусС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ нанСсСна ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° «S8050». Иногда ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ «8050».

Аналоги и замСна S8050

S8050 ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мноТСство Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ² с ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈΠΌΠΈ характСристиками. Π’ качСствС Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ транзисторы:

  • 2N2222A
  • BC337
  • BC547
  • 2N3904
  • SS8050
  • MMBT3904

ΠŸΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ элСктричСскиС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΡƒ транзистора. НСкоторыС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ использования S8050 Π² элСктронных схСмах

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΈ схСм с S8050 слСдуСт ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности:


  • НС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ максимально допустимыС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, особСнно Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр
  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор для ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹
  • Π£Ρ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзистора
  • ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π½Π° высоких частотах ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΉ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄
  • Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… схСмах ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ врСмя Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора

ΠŸΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ S8050 позволяСт ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ эффСктивныС элСктронныС устройства.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° ΠΈ тСстированиС транзистора S8050

Для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ исправности S8050 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ «ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²». ΠŸΠΎΡ€ΡΠ΄ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ:

  1. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Π°Π·Π°-эмиттСр ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π² прямом ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ
  2. Π˜ΡΠΏΡ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСниС (200-700 Ом) Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈ высокоС (Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 МОм) Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ
  3. ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ отсутствиС пробоя ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром
  4. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ)

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΡƒ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ спСциализированных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² — ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² транзисторов.


Π Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΡƒ S8050

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠ΅ транзистора S8050 Π² ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρ‹ слСдуСт ΡΠΎΠ±Π»ΡŽΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°:

  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ антистатичСскиС ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ прСдостороТности
  • НС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠ΅ (Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 300Β°C, врСмя ΠΏΠ°ΠΉΠΊΠΈ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 5 сСкунд)
  • ΠžΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°Π·ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ корпусом ΠΈ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΎΠΉ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1.5 ΠΌΠΌ
  • ΠŸΡ€ΠΈ нСобходимости ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π°
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ установки транзистора согласно Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ΅

БоблюдСниС этих Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ΅Π½Π΄Π°Ρ†ΠΈΠΉ обСспСчит Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора Π² устройствС.

Π’ΠΈΠΏΠΎΠ²Ρ‹Π΅ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора S8050

S8050 ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… схСмах Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. НаиболСС распространСнныС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ:

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром

Π­Ρ‚ΠΎ классичСская схСма усилСния, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ усилСниС ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 100 ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (эмиттСрный ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ)

Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для согласования высокоомного Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΎΠΌΠ½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΎΠΊ ΠΊ Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π΅.


Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Π½Π° высоких частотах, обСспСчиваСт Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΡƒΡŽ развязку Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, Π½ΠΎ ослаблСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

Π’Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмы зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ, частотным свойствам, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ.


Вранзисторы S8050 ΠΈ MJE13002(13002)- ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

Вранзисторы S8050, SS8050

Вранзисторы ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ структуры n-p-n, высокочастотныС ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ — ΠšΠΈΡ‚Π°ΠΉ. Π’Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² пластмассовом корпусС TO-92, с Π³ΠΈΠ±ΠΊΠΈΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Π’ΠΈΠΏ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° указываСтся Π½Π° корпусС.
На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ — Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° S8050.

НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:
Π£ транзисторов класса B — ΠΎΡ‚ 85 Π΄ΠΎ 160, класса Π‘ — ΠΎΡ‚ 120Π΄ΠΎ 200, класса D — ΠΎΡ‚ 160 Π΄ΠΎ 300.

Граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°:


Π£ транзистора S8050 — 150 ΠœΠ“Ρ†.
Π£ транзистора SS8050 — 190 ΠœΠ“Ρ†.

МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ — эмиттСр 25 Π².

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°(постоянный) — Π£ транзистора S8050 — 0,5 А, Ρƒ SS8050 — 1,5 A.

НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 500мА, Π±Π°Π·Ρ‹ 50мА — 0,6Π².

НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрпри Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 500мА, Π±Π°Π·Ρ‹ 50мА — — Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,2Π².

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°— Π£ транзистора S8050 — 0.3 Π’Ρ‚., Ρƒ SS8050 — 1Π’Ρ‚.

ΠžΡ‚Π΅Ρ‡Π΅ΡΡ‚Π²Π΅Π½Ρ‹ΠΉ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³

SS8050 — КВ6114Π‘, ΠΏΡ€ΠΈ использовании Π² Π£Π—Π§ ΠΈ УПВ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° КВ815Π“, КВ817Π“.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° 40 Π² — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,1 мА.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмитСра ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии эмиттСр-Π±Π°Π·Π° 5 Π² — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 0,1 мА.

Вранзисторы MJE13002(13002)

Вранзисторы MJE13002(13002) ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ низкочастотныС,структуры n-p-n, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² прСобразоватСлях напряТСния. ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ пластиковый TO-126. ΠœΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° Π±ΡƒΠΊΠ²Π΅Π½Π½ΠΎ — цифровая, Π½Π° корпусС. На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ — Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ° MJE13002(13002).

НаиболСС Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° — ΠΎΡ‚

8.

Максимально допустимоС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр 300 Π’.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°1,5 А.

НапряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1 А, Π±Π°Π·Ρ‹ 0,25 А — 1Π².

НапряТСниС насыщСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСрпри Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1 А, Π±Π°Π·Ρ‹ 0,25 А — — Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 1,2Π².

РассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° — ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 40 Π’Ρ‚(Π½Π° Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π΅).

Граничная частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 4 ΠœΠ“Ρ†.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° 15 Π² — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅

1 мА.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмитСра ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии эмиттСр-Π±Π°Π·Π° 9 Π² — Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1 мА.

MJE13002(13002) ΠΏΡ€ΠΈ нСобходимости, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° любой ΠΈΠ· транзисторов, прСвосходящий Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎ характСристикам. НапримСр — КВ872.

На Π³Π»Π°Π²Π½ΡƒΡŽ страницу

ИспользованиС ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… — Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² этой страницы, допускаСтся ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ ссылки Π½Π° сайт «Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΠΊΠ° это просто».

S8050 to-92 | БиполярныС транзисторы

Вранзистор S8050

S8050 — NPN Epitaxial Silicon Transistor 40V, 0. 5A, TO-92

Β 

ΠžΠ‘ΠžΠ‘Π•ΠΠΠžΠ‘Π’Π˜

  • Collector current up to 500mA
  • Collector-Emitter voltage up to 40 V
  • Complementary to S8550
Код Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π° :M-122-1927
ОбновлСниС:2022-05-01
V(cbo) :40V
Π’ΠΈΠΏ корпуса :TO-92
I(c) :0.5A

Β 

Β 

Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ информация:

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ корпуса (исполнСниС), поэтому смотритС ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΡƒ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ корпуса. На нашСм сайтС ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ основныС ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ характСристики. Полная информация ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ S8050 to-92, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, отСчСствСнный Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³, Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Datasheet ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ этому транзистору, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Π½Π° Π² PDF Ρ„Π°ΠΉΠ»Π°Ρ… Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π° DataSheet ΠΈ Π½Π° сайтах поисковых систСм Google, ЯндСкс ΠΈ Ρ‚Π΄.

Β 

Π’ ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Π΅ ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ€ΠΎΠ·Π½ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Π½Ρ‹. Для ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΌΡ‹ Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠΏΡ‚ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ Ρ†Π΅Π½Ρ‹ (скидки), Π² этом случаС, присылайтС ваш запрос Π½Π° наш Π΅ΠΌΠ°ΠΉΠ», ΠΌΡ‹ ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠΌ Π²Π°ΠΌ коммСрчСскоС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.

Β 

Β  Epitaxial

*** тэги, это тСкстовыС ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ сами посСтитСли, для быстрого поиска Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ², инструмСнтов, ΠΈ Ρ‚Π΄. НапримСр, Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΠ² ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΡƒ «Ρ€Π΅ΠΌΠΎΠ½Ρ‚», этот Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π°Ρ… поиска ΠΏΠΎ этому слову. Π’ дальнСйшСм, достаточно Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π½Π° ссылку для Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° списка Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ² с этой ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΊΠΎΠΉ.

Π§Ρ‚ΠΎ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ вмСстС с S8050 to-92 ?

Β 

ΠžΠ³Ρ€ΠΎΠΌΠ½ΠΎΠ΅ количСство элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ тСхничСской ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° сайтС Dalincom, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π·Π°Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π’Π°ΠΌ поиск ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€ΠΎΠ², Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ, инструмСнтов ΠΈ Ρ‚Π΄. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Ρƒ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΠ»ΠΈ для Вас, Π½Π° основании Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π½Π°ΡˆΠΈΡ… ΠΏΠΎΠΊΡƒΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

Β 

Π‘ΠΎΠΏΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Ρ‹
ΠšΠΎΠ΄ΠΠ°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ описаниСРозн. Ρ†Π΅Π½Π°

** Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ (Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ, описаниС, ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΡƒ, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹, тСхничСскиС характСристики, ΠΈ Ρ‚Π΄.) Π²Ρ‹ смоТСтС Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ пСрСйдя ΠΏΠΎ ссылкС описания Ρ‚ΠΎΠ²Π°Ρ€Π°
1927S8050 to-92Вранзистор SS8050 (ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° S8050) — NPN Epitaxial Silicon Transistor 40V, 0.5A6.5 pyΠ±.
1928S9012 to-92Вранзистор S9012 — PNP Transistor, 40V, 0.5A, TO-922.1 pyΠ±.
928ПанСль SCS-8 (DIP-8, шаг 2,54mm)ПанСлька для микросхСм SCS-8 DIP панСль 8-контактная шаг 2.54ΠΌΠΌ2.1 pyΠ±.
6172SA1013Вранзистор 2SA1013 — PNP Transistor, CTV-NF/VA 160V, 1A, 0.9W, 15MHz, TO-92MOD3.2 pyΠ±.
2722SC5707 to-251Вранзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-25115 pyΠ±.
1731ВСрмоусадочная Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ°, чСрная, 1 ммВСрмоусадочная Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±ΠΊΠ° SALIPT Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ 1.0 ΠΌΠΌ, Ρ†Π²Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ12 pyΠ±.
6792SB892 (B892)Вранзистор 2SB892 (ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° B892) = PNP U=60Π’, I=2A, Π =1Π’Ρ‚, f=150ΠœΠ“Ρ†, Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС насыщСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр3.2 pyΠ±.
1658Π©ΡƒΠΏΡ‹ для ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π° (модСль FC-136)Набор ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΡƒΠ½ΠΈΠ²Π΅Ρ€ΡΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‰ΡƒΠΏΠΎΠ² для Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² (тСстСров). Π”Π»ΠΈΠ½Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π° 1 ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€.130 pyΠ±.
1312AMS1117-3.3 sot-223ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΡΡ…Π΅ΠΌΡ‹ AMS1117-3.3 — 1A LOW DROPOUT VOLTAGE REGULATOR 3.3V, SOT-2234.3 pyΠ±.
611MJE13001 to-92Вранзистор MJE13001 (ΠΌΠ°Ρ€ΠΊΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠ° 13001) — NPN SILICON TRANSISTOR, 400V, 0,5A, TO-922. 1 pyΠ±.

Β 

Распиновка транзистора S8050, эквивалСнт, использованиС, особСнности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

Π’ этом постС описываСтся распиновка транзистора S8050, эквивалСнт, использованиС, особСнности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ другая полСзная информация ΠΎΠ± этом транзисторС.

ОбъявлСния

Β 

ОбъявлСния

Π₯арактСристики/тСхничСскиС характСристики:
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ: TO-92
  • Π’ΠΈΠΏ транзистора: NPN
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (I C ): 1,5 А ΠΈΠ»ΠΈ 1500 мА
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр (Π’ CE ): 25 Π’
  • Макс. напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° (Π’ CB ): 4 0 Π’
  • МаксимальноС напряТСниС эмиттСр-Π±Π°Π·Π° (VBE):Β  6 Π’
  • МаксимальноС рассСиваниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (ΡˆΡ‚.): 1 Π’Ρ‚
  • Макс. частота ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (fT): 100 ΠœΠ“Ρ†
  • МинимальноС ΠΈ максимальноС усилСниС постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (h FE ):Β  45–300
  • Максимальная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° хранСния ΠΈ эксплуатации Π”ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ: ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ +150 ΠΏΠΎ ЦСльсию

Β 

PNP Complementary:

PNP Complementary of S8050 is S8550

Β 

Replacement and Equivalent:

SS9013 , SS9014 , and 2N5551 are the direct pin replacements of S8050

Β 

S8050 Вранзистор ОбъяснСниС / ОписаниС:

S8050 β€” ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ NPN-транзистор. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ транзистор ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ для усилСния Π·Π²ΡƒΠΊΠ° ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ³ΠΎ спСктра ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния Π² элСктронных схСмах, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ прилоТСния. Π•Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 1,5 А ΠΈΠ»ΠΈ 1500 мА, поэтому ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 1500 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ находятся Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… 1500 мА. МаксимальноС напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ этот транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра, составляСт 20 Π’, поэтому Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² схСмах, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄ напряТСниСм Π½ΠΈΠΆΠ΅ 25 Π’. ΠΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния транзистора Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 85, Π° максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 300. МаксимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ максимальноС усилСниС сигнала, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ транзистора Π² элСктронной схСмС.

Β 

Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ:

Вранзистор S8050 являСтся транзистором ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΎΠ½ идСально ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для выполнСния Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ Π² элСктронных схСмах. Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ Π² элСктронных схСмах для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 1500 мА. 1500 мА достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ с Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π΅Π»Π΅, свСтодиоды, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΈ Ρ‚. Π΄. Π•Π³ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² качСствС усилитСля Π² Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… каскадах усилСния ΠΈΠ»ΠΈ Π² качСствС ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля нСбольшого сигнала.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅:

УсилитСли класса B

Π¦ΠΈΡ„Ρ€Ρ‹ для Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‡ΠΊΠΈ

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ для Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΎΠΊ

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ сигналы с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ усилСниСм с высоким усилСниСм

Как Π΄ΠΎ Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎΠ³ΠΎ усилСния.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ бСзопасно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ этот транзистор Π² вашСй схСмС ΠΈΠ»ΠΈ элСктронных ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…, Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ этот транзистор ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 25 Π’ ΠΈ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 1500 мА ΠΈΠ»ΠΈ 1,5 А. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ подходящий Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ рСзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ уровня. НС ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Ρ€Π³Π°ΠΉΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π²ΠΎΠ·Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ 150 градусов ΠΏΠΎ ЦСльсию ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅ -60 градусов ΠΏΠΎ ЦСльсию.

S8050 Вранзистор β€” Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ

ΠŸΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π²ΠΎ всСх элСктронных ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ… Π²Ρ‹ Π½Π°ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚Π΅ транзистор. ΠšΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ Π² цСлях усилСния элСктронных схСм. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π½Π΅ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ транзистор ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для всСх ΡΠΈΠ³Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… спСцифичны для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… производитСля. ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ остановимся Π½Π° транзисторС S8050.

ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΠΉΡ‚Π΅ Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ΅ описаниС этого популярного транзистора.

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор S8050?

Рис. 1. Π”Π΅Π²ΡƒΡˆΠΊΠ°, ΡΠ»ΡƒΡˆΠ°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΡƒ Π² Π½Π°ΡƒΡˆΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…

Π­Ρ‚ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ NPN-транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² усилитСлях Π·Π²ΡƒΠΊΠ°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, это Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ класса B. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, это Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных схСмах.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор являСтся ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊ эмиттСру. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ PNP.

S8050 относится ΠΊ ΠΊΠ°Ρ‚Π΅Π³ΠΎΡ€ΠΈΠΈ транзисторов с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (BJT). Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ двумя носитСлями заряда.

Распиновка транзистора S8050

Рис. 2. Вранзисторы

Π’ΠΎΡ‚ простая Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π°, Π΄Π΅ΠΌΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π°Ρ распиновку транзистора S8050.

ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ 1 Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ (E) Π­Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стСкаСт с транзистора.
Π¨Ρ‚ΠΈΡ„Ρ‚ 2 ОснованиС (B) ВСкущая Π½Π° этом Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅ базовая Π²Π°Π»ΡŽΡ‚Π°.
ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ 3 ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (C) Π­Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° выходят ΠΈΠ· транзистора.

Рисунок 3: Вранзисторная распуская транзистора S8050

S8050 ВранзисторныС эквивалСнтныС транзисторы

Рисунок 4: нСсколько транзисторов

. Π’Π°ΠΌ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Ρ€Π°Π½ΡΠ»ΡΡ€ΠΈΡŽ. Π‘ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны. Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ Π½ΠΈΡ… S9.013 ΠΈ 2N5830.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ S8050, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ относящиСся ΠΊ Ρ‚ΠΈΠΏΡƒ корпуса транзисторов NPN. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, спСциалисты Π² области элСктротСхники ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… вмСсто S8050. К Π½ΠΈΠΌ относятся MPSA42, 2N3055, 2N3906, 2N2369 ΠΈ BC547.

Π₯арактСристики транзистора S8050

Рис. 5: НСсколько транзисторов

НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ основныС характСристики транзистора.

  •  МаксимальноС усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ составляСт 400.Β 
  • МаксимальноС усилСниС составляСт ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 110 ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.
  • ΠœΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ 40
  • ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 700 мА.
  • Для смСщСния трСбуСтся Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 5 мА Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π΅.
  • НаибольшСС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр 20Π’.
  • МаксимальноС напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° 30Π’.
  • Максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° составляСт 1 Π’Ρ‚.
  • ΠŸΡ€ΠΈ частотС 100 ΠœΠ“Ρ† транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° максимальной частотС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.
  • Π”ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ хранСния составляСт ΠΎΡ‚ -65 Π΄ΠΎ 150 градусов ЦСльсия.
  • Π’ΠΈΠΏ ΡƒΠΏΠ°ΠΊΠΎΠ²ΠΊΠΈ — TO-92.
  • Он ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ прямого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° 120.

ΠŸΡ€Π΅ΠΈΠΌΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎ транзистора S8050

Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Π΅Π³ΠΎ усилСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ 400. Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния мощности усилСния Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ усилСния Ρ†Π΅Π½Π½ΠΎ.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, коэффициСнт усилСния ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ, особСнно ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΠ½ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ создании элСктроники. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, высокоС ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ усилСниС ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½ΠΈ усилСния. Рис. 7. Π”ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠΈ

  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… транзисторах.
  • Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ со слабым сигналом.
  • ΠŸΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для использования Π² цСпях с высоким коэффициСнтом усилСния.
  • Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² качСствС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° 700 мА.
  • ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ для усилСния ΠΎΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΎ высокого усилСния.
  • S8050 Π² Π΄Π²ΡƒΡ…Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ

    Π’ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»Π΅ Π²Π°ΠΌ потрСбуСтся ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π²Π° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзистора. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π² Ρ‚ΠΎ врСмя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ являСтся NPN, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ являСтся PNP. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ΄Π΅Π½Ρ‚ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ.

    Π’ этом случаС ваш NPN β€” s8050. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ с транзистором PNP, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ S8550.

    Π“Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор S8050 ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ?

    Рисунок 9: Π­Π»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Ρ‹ управлСния ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм

    Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ S8050 ΠΊΠ°ΠΊ транзистор ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΎΠ½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… схСм ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ назначСния. НапримСр, Π² элСктронных схСмах, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ транзистор.

    ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΠ½ прСкрасно Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ значСния 700 мА. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ этого Ρ‚ΠΎΠΊΠ° достаточно для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности. НапримСр, ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ свСтодиодов, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΊ.

    Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ процСссы усилСния. Π’ качСствС Π°Π»ΡŒΡ‚Π΅Ρ€Π½Π°Ρ‚ΠΈΠ²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ усилСнии слабых сигналов.

    Как бСзопасно Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ Π·Π°ΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ S8050 Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ?

    Рис.

    Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

    Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *