Каковы основные параметры транзистора S8550. Какие у него есть аналоги и замены. Где применяется транзистор S8550. В чем особенности его конструкции и характеристик.
Основные характеристики транзистора S8550
Транзистор S8550 — это биполярный PNP-транзистор общего назначения, широко применяемый в различных электронных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: PNP
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: -25 В
- Максимальный ток коллектора: -1,5 А
- Рассеиваемая мощность: 1 Вт
- Коэффициент усиления по току (hFE): 40-300
- Граничная частота: 100-200 МГц
- Корпус: TO-92
Эти характеристики делают S8550 универсальным транзистором для маломощных применений.
Применение транзистора S8550
Благодаря своим параметрам, транзистор S8550 находит широкое применение в различных областях электроники:
- Коммутационные схемы общего назначения
- Усилители звуковых частот
- Двухтактные каскады
- Малошумящие усилители
- Драйверы светодиодов
- Источники питания
Универсальность и доступность делают S8550 популярным выбором для разработчиков электронных устройств.
Особенности конструкции транзистора S8550
Транзистор S8550 выпускается в пластиковом корпусе TO-92, который имеет несколько важных особенностей:
- Компактные размеры
- Хорошая теплоотдача
- Простота монтажа
- Низкая стоимость
Корпус TO-92 состоит из эпоксидной смолы, что обеспечивает надежную защиту кристалла транзистора от внешних воздействий. Расположение выводов транзистора стандартное для корпуса TO-92:
- Эмиттер
- База
- Коллектор
Аналоги и замены транзистора S8550
При необходимости замены S8550 можно использовать следующие аналоги с похожими характеристиками:
- MPS750
- BC527
- BC528
- 2N2906
- MMBT3702 (SMD-версия)
Важно отметить, что перед заменой необходимо тщательно сверить параметры и цоколевку транзисторов, чтобы обеспечить корректную работу схемы.
Сравнение S8550 с аналогами
Рассмотрим сравнительную таблицу характеристик S8550 и его популярных аналогов:
| Параметр | S8550 | MPS750 | BC527 |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер | -25 В | -40 В | -60 В |
| Максимальный ток коллектора | -1,5 А | -2 А | -1 А |
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт | 625 мВт | 625 мВт |
| Коэффициент усиления (hFE) | 40-300 | 75 | 40-400 |
Как видно из таблицы, аналоги имеют схожие характеристики, но могут отличаться по отдельным параметрам.
Особенности применения транзистора S8550
При использовании транзистора S8550 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Соблюдение максимально допустимых параметров
- Обеспечение достаточного охлаждения при работе на больших токах
- Учет температурной зависимости параметров
- Правильный выбор режима работы для оптимальной производительности
Грамотное применение этих принципов позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора S8550 в различных электронных устройствах.
Статические характеристики транзистора S8550
Статические характеристики транзистора S8550 описывают зависимость тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при различных значениях тока базы. Эти характеристики важны для понимания поведения транзистора в различных режимах работы.
Основные особенности статических характеристик S8550:
- Линейная область при малых значениях напряжения коллектор-эмиттер
- Область насыщения при больших токах коллектора
- Зависимость коэффициента усиления от тока коллектора
Анализ этих характеристик позволяет правильно выбрать рабочую точку транзистора для конкретного применения.
Комплементарная пара для S8550
Транзистор S8550 (PNP) имеет комплементарную пару — транзистор S8050 (NPN). Использование комплементарной пары позволяет создавать эффективные двухтактные каскады усиления и другие симметричные схемы.
Основные преимущества использования комплементарной пары S8550 и S8050:
- Симметричная работа в положительной и отрицательной полуволнах сигнала
- Уменьшение нелинейных искажений
- Повышение эффективности усилительных каскадов
- Упрощение схемотехники некоторых устройств
Применение комплементарной пары особенно эффективно в аудиотехнике и источниках питания.
Рекомендации по монтажу транзистора S8550
Для обеспечения надежной работы транзистора S8550 в электронных устройствах следует соблюдать несколько важных правил при его монтаже:
- Соблюдайте правильную ориентацию выводов при установке
- Используйте паяльник с регулируемой температурой для предотвращения перегрева
- Применяйте теплоотвод при пайке для защиты транзистора от термического шока
- Не превышайте максимально допустимое время пайки (обычно 10 секунд)
- При необходимости используйте дополнительный теплоотвод в готовом устройстве
Соблюдение этих рекомендаций поможет обеспечить долгую и надежную работу транзистора в вашем устройстве.
транзистор%20s8550%20d%20331 спецификация и примечания по применению
org/Product»>транзистор%20s8550%20d%20331 Листы данных Context Search
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Аннотация: хб9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема ktd998 транзистор | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 2SC5171 транзистор эквивалент NPN транзистор | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 эквивалент транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: Транзистор ITT BC548 pnp транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 TRANSISTOR PNP | OCR-сканирование | 2Н3904 2Н3906 2Н4124 2Н4126 2N7000 2Н7002 до н.э.327 до н.э.328 до н.э.337 до н.э.338 транзистор транзистор ИТТ BC548 п-н-п транзистор транзистор п-н-п BC337 п-н-п транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN-транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500ма 100ма Ч4904Т1ПТ | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор SE110N 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 RBV-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1х7 STR20012 sap17n 2сд2619РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Аннотация: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9транзистор транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Next
Транзистор S8550: аналог, распиновка, спецификация
| Номер контакта | Название контакта | Описание |
| 1 | Излучатель | Эмиттер действует как вход для транзистора |
| 2 | База | Срабатывает базовая клемма, которая запускает транзистор |
| 3 | Коллектор | Клемма коллектора действует как выход транзистора |
Транзисторный корпус S8550
Транзистор S8550 имел корпус устройства TO-92, это обычный транзисторный корпус общего назначения.
Корпус ТО-92 изготовлен из эпоксидной смолы и пластика, эти материалы обладают более высокой термостойкостью, а также большей компактностью.
Объяснение электрических характеристик транзистора S8550 и его применениеВ этом разделе мы обсуждаем электрические характеристики транзистора S8550, это объяснение будет очень полезно для процесса замены этого транзисторного устройства.
Характеристики напряженияХарактеристики напряжения на выводах транзистора S8550: коллектор-база -40В, коллектор-эмиттер -25В, эмиттер-база -6В, характеристики напряжения показывают, что транзистор S8550 имели маломощные приложения.
Значение напряжения насыщения между эмиттером и коллектором составляет от -0,28 В до -0,50 В, напряжение насыщения всегда меньше базового напряжения устройства.
Напряжение насыщения транзистора S8550 показывает, что они имели больше применений с переключающими схемами.
Характеристики тока Значение тока коллектора -1,5А, значение тока транзистора S8550 показывает нагрузочную способность устройства.
Значение рассеиваемой мощности транзистора S8850 составляет 1 Вт, это рассеиваемая мощность транзистора.
Коэффициент усиления по токуКоэффициент усиления по току транзистора S8850 составляет от 40 до 300hFE, это мощность усиления этого транзистора.
Частота переходаЗначение частоты перехода полосы пропускания транзистора S8850 составляет от 100 до 200 МГц, это диапазон частот транзистора.
Температура переходаТемпература перехода составляет от -55 до 150 ℃ для транзистора S8850, это емкость устройства при изменении температуры.
Тепловое сопротивление окружающей средыЗначение теплового сопротивления транзистора S8550 составляет 125℃/Вт, это значение окружающей среды этого транзистора.
Транзистор S8550 ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕЕсли вам нужно техническое описание в формате PDF, пожалуйста, нажмите на эту ссылку
Эквивалент транзистора S8550 Такие транзисторы, как MPS750, MPS8550, BC527, BC528, 2N2906 и BC527, представляют собой транзисторные устройства PNP.
Электрические характеристики этих транзисторных устройств такие же, как у транзистора S8550, поэтому мы легко заменяем их в зависимости от характеристик устройства.
Перед процессом замены нам необходимо проверить и проверить детали PINOUT транзисторов.
Транзистор S8550 дополнительныйТранзистор S8550 имел комплементарную пару транзисторов S8050 NPN, эти комплементарные пары нашли множество применений во многих схемах.
Варианты SMD транзистора S8850Транзистор S8850 имел транзисторные устройства SMD версии, такие как MMBT3702 (SOT-23) и MPS8550 (SOT-23).
Основные электрические характеристики транзистора S8850 версии SMD одинаковы, но характеристики рассеиваемой мощности у них разные.
S8850 по сравнению с MPS750 по сравнению с BC527 В таблице мы перечислили электрические характеристики транзисторов S8550, MPS750 и BC527, это будет полезно для лучшего понимания транзисторных устройств.
| Характеристики | S8850 | MPS750 | BC527 |
|---|---|---|---|
| Напряжение между коллектором и базой (VCB) | -40 В | -60 В | -60 В |
| Напряжение между коллектором и эмиттером (VCE) | -25В | -40В | -60В |
| Напряжение между эмиттером и базой (VEB) | -6 В | -5 В | -6 В |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE (SAT)) | от -0,28 до 0,50 В | от -0,3 В до 0,5 В | от -0,7 до 1,2 В |
| Ток коллектора (IC) | -1,5 А | -2 А | -1 А |
| Рассеиваемая мощность | 1 Вт | 625 мВт | 625 мВт |
| Температура перехода (TJ) | от -65 до +150°C | от -65 до +150°C | от -55 до +150°C |
| Частота перехода (FT) | от 100 до 200 МГц | 75 МГц | 100 МГц |
| Коэффициент усиления (hFE) | от 40 до 300hFE | 75hFE | от 40 до 400hFE |
| Пакет | ТО-92 | ТО-92 | ТО-92 |
- Коммутационные устройства общего назначения
- Схема усилителя звука
- Двухтактный транзистор
- Применения со слабым сигналом
- Небольшие аудиопроекты
- Нагрузка драйвера ниже -700 мА
На рисунке показаны статические характеристики транзистора S8550, график построен с зависимостью тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер.
