Smd коды транзисторов. Как расшифровать SMD маркировку транзисторов: полное руководство по кодам и обозначениям

Как определить тип и характеристики SMD транзистора по маркировке на корпусе. Какие бывают системы кодирования для поверхностного монтажа. Как расшифровать буквенно-цифровые обозначения на SMD компонентах.

Содержание

Что такое SMD маркировка транзисторов

SMD (Surface Mounted Device) транзисторы — это миниатюрные полупроводниковые компоненты, предназначенные для поверхностного монтажа на печатные платы. Из-за малых размеров корпусов на них невозможно нанести полное наименование прибора. Поэтому производители используют специальные коды и сокращенные обозначения.

Маркировка SMD транзисторов обычно состоит из 2-3 символов и может включать:

  • Буквы латинского алфавита
  • Цифры
  • Комбинации букв и цифр

Эти короткие коды позволяют идентифицировать тип транзистора, его основные характеристики и соответствие определенной серии приборов. Расшифровка маркировки дает возможность подобрать аналоги и замены для SMD транзисторов.


Основные системы маркировки SMD транзисторов

Существует несколько распространенных систем кодирования SMD транзисторов:

Европейская система

Используется многими европейскими производителями. Маркировка состоит из 3 элементов:

  1. 1-й символ — тип проводимости (N или P)
  2. 2-й символ — назначение транзистора
  3. 3-й символ — порядковый номер в серии

Например, маркировка BC847 расшифровывается как:

  • B — биполярный транзистор
  • C — для НЧ применений
  • 847 — порядковый номер

Американская система JEDEC

Используется производителями из США. Включает буквенное обозначение типа прибора и цифровой код. Например:

  • 2N — биполярные транзисторы
  • 3N — полевые транзисторы

За буквами следует 3-4 значный цифровой код.

Японская система

Сочетает элементы европейской и американской систем. Обычно состоит из:

  • Буквы, обозначающей тип прибора
  • Буквы S (полупроводник)
  • Цифрового кода

Например, 2SA1015 — транзистор PNP типа.

Расшифровка кодов основных производителей

Разные производители могут использовать собственные системы маркировки. Рассмотрим коды некоторых популярных брендов:


Philips/NXP

Маркировка состоит из 3 символов:

  • 1-й символ: тип прибора (1-9, A-Z)
  • 2-й символ: серия (A-Z)
  • 3-й символ: порядковый номер в серии (1-9, A-Z)

Например, BC847 — биполярный NPN транзистор общего назначения.

Infineon/Siemens

Используется буквенно-цифровой код:

  • Первые буквы обозначают тип и назначение
  • Цифры — порядковый номер

Например, BCR108 — маломощный биполярный транзистор.

STMicroelectronics

Применяется 3-символьный код:

  • 1-й символ: тип прибора
  • 2-й символ: назначение
  • 3-й символ: порядковый номер

Пример: 2N7002 — N-канальный МОП-транзистор.

Как определить тип транзистора по маркировке

Чтобы расшифровать тип SMD транзистора по его маркировке, можно воспользоваться следующим алгоритмом:

  1. Определите количество символов в маркировке (2-3 знака)
  2. Проверьте первую букву — она обычно указывает на тип прибора:
    • B, C — биполярный транзистор
    • J, K — полевой транзистор с p-n переходом
    • M — МОП-транзистор
  3. Вторая буква или цифра часто обозначает назначение или серию
  4. Последний символ — как правило порядковый номер в серии

Используя эти принципы и справочные таблицы, можно с высокой вероятностью определить тип транзистора и его основные параметры.


Наиболее распространенные коды SMD транзисторов

Некоторые часто встречающиеся коды SMD транзисторов и их расшифровка:

  • 1A, 1B, 1C — биполярные NPN транзисторы общего назначения
  • 2A, 2B, 2C — биполярные PNP транзисторы общего назначения
  • S1, S2 — N-канальные МОП-транзисторы
  • J1, J2 — N-канальные полевые транзисторы с p-n переходом
  • 2N — биполярные NPN/PNP транзисторы (JEDEC)
  • 3N — полевые транзисторы (JEDEC)

Зная эти базовые обозначения, можно быстро определить тип прибора даже без подробных справочников.

Как найти аналоги и замены SMD транзисторов

Для поиска аналогов и замен SMD транзисторов можно использовать следующие способы:

  1. Воспользоваться онлайн-базами данных компонентов, где можно найти характеристики по коду маркировки
  2. Изучить даташиты производителей — там часто указываются рекомендуемые аналоги
  3. Использовать специальные программы по подбору замен электронных компонентов
  4. Сравнить основные параметры:
    • Структура (NPN/PNP, N-канал/P-канал)
    • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
    • Максимальный ток коллектора
    • Коэффициент усиления по току
    • Граничная частота

При выборе замены важно учитывать не только электрические параметры, но и размеры корпуса транзистора.


Особенности маркировки полевых SMD транзисторов

Полевые транзисторы в SMD корпусах имеют некоторые особенности маркировки:

  • Часто начинаются с букв J, K (полевые с p-n переходом) или M (МОП-транзисторы)
  • Могут содержать буквы F или G в обозначении
  • N-канальные обычно маркируются нечетными цифрами, P-канальные — четными

Примеры маркировки полевых SMD транзисторов:

  • J201 — N-канальный полевой транзистор с p-n переходом
  • 2N7002 — N-канальный МОП-транзистор
  • AO3400 — N-канальный МОП-транзистор

При расшифровке важно учитывать систему маркировки конкретного производителя.

Практические советы по идентификации SMD транзисторов

Несколько полезных рекомендаций по определению типа и параметров SMD транзисторов:

  • Всегда сверяйтесь с актуальными справочниками и базами данных — системы маркировки могут меняться
  • Учитывайте размер и тип корпуса — это поможет сузить круг поиска
  • Обращайте внимание на дополнительные символы — они могут указывать на особенности прибора
  • При замене проверяйте не только электрические параметры, но и распиновку выводов
  • Используйте возможности современных поисковых систем и специализированных сайтов по электронным компонентам

Правильная расшифровка маркировки SMD транзисторов требует некоторого опыта, но эти навыки очень полезны при ремонте и проектировании электронной техники.



как расшифровать их кодовые обозначения

Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.

С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.

Различные тразисторы.

Различные тразисторы.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

КодСопротивление
101100 Ом
471470 Ом
1021 кОм
1221.2 кОм
10310 кОм
12312 кОм
104100 кОм
124120 кОм
474470 кОм

Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Какие бывают стандарты маркировки

Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.

Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.

Таблица маркировки SMD транзисторов

Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.

Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.

Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.

ТипНаименование ЭРЭЗарубежное название
A1Полевой N-канальный транзисторFeld-Effect Transistor (FET), N-Channel
A2Двухзатворный N-канальный полевой транзисторTetrode, Dual-Gate
A3Набор N-канальных полевых транзисторовDouble MOSFET Transistor Array
B1Полевой Р-канальный транзисторMOS, GaAs FET, P-Channel
D1Один диод широкого примененияGeneral Purpose, Switching, PIN-Diode
D2Два диода широкого примененияDual Diodes
D3Три диода широкого примененияTriple Diodes
D4Четыре диода широкого примененияBridge, Quad Diodes
E1Один импульсный диодRectifier Diode
E2Два импульсных диодаDual
E3Три импульсных диодаTriple
E4Четыре импульсных диодаQuad
F1Один диод ШотткиAF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode
F2Два диода ШотткиDual
F3Три диода ШотткиTripple
F4Четыре диода ШотткиQuad
K1“Цифровой” транзистор NPNDigital Transistor NPN
K2Набор “цифровых” транзисторов NPNDouble Digital NPN Transistor Array
L1“Цифровой” транзистор PNPDigital Transistor PNP
L2Набор “цифровых” транзисторов PNPDouble Digital PNP Transistor Array
L3Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPNDouble Digital PNP-NPN Transistor Array
N1Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц)AF-Transistor NPN
N2Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц)RF-Transistor NPN
N3Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В)High-Voltage Transistor NPN
N4“Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000)Darlington Transistor NPN
N5Набор транзисторов NPNDouble Transistor Array NPN
N6Малошумящий транзистор NPNLow-Noise Transistor NPN
01Операционный усилительSingle Operational Amplifier
02КомпараторSingle Differential Comparator
P1Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц)AF-Transistor PNP
P2Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц)RF-Transistor PNP
P3Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В)High-Voltage Transisnor PNP
P4“Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000)Darlington Transistor PNP
P5Набор транзисторов PNPDouble Transistor Array PNP
P6Набор транзисторов PNP, NPNDouble Transistor Array PNP-NPN
S1Один сапрессорTransient Voltage Suppressor (TVS)
S2Два сапрессораDual
T1Источник опорного напряжения“Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference
T2Стабилизатор напряженияVoltage Regulator
T3Детектор напряженияVoltage Detector
U1Усилитель на полевых транзисторахGaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC)
U2Усилитель биполярный NPNSi-MMIC NPN, Amplifier
U3Усилитель биполярный PNPSi-MMIC PNP, Amplifier
V1Один варикап (варактор)Tuning Diode, Varactor
V2Два варикапа (варактора)Dual
Z1Один стабилитронZener Diode

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.  Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Маркировочные коды транзисторов

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Материал в тему: как проверить полевой транзистор.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
КодТипЭРЭФирмаРис.КодТипЭРЭФирмаРис.
7EMUN5215DW1T1K2MO2Q
11MUN5311DW1T1L3MO2Q7FMUN5216DW1T1K2MO2Q
12MUN5312DW1T1L3MO2Q7GMUN5230DW1T1K2MO2Q
12INA-12063U2HP2Q7HMUN5231DW1T1K2MO2Q
13MUN5313DW1T1L3MO2Q7JMUN5232DW1T1K2MO2Q
14MUN5314DW1T1L3MO2Q7KMUN5233DW1T1K2MO2Q
15MUN5315DW1T1L3MO2Q7LMUN5234DW1T1K2MO2Q
16MUN5316DW1T1L3MO2Q7MMUN5235DW1T1K2MO2Q
BC847SN5SI2Q81MGA-81563U1HP2Q
1PBC847PNP6SI2Q82INA-82563U1HP2Q
31MUN5331DW1T1L3MO2Q86INA-86563U1HP2Q
32MUN5332DW1T1L3MO2Q87INA-87563U1HP2Q
33MUN5333DW1T1L3MO2Q91IAM-91563U1HP2Q
34MUN5334DW1T1L3MO2QA2MBT3906DW1T1P5MO2Q
35MUN5335DW1T1L3MO2QA3MBT3906DW9T1P5MO2Q
36ATF-36163A1HP2QA4BAV70SE4SI2Q
3CBC857SP5SI2QE6MDC5001T1U3MO2Q
3XMUN5330DW1T1L3MO2QH5MBD770DWT1F2MO2Q
46MBT3946DW1T1P6MO2QIIAT-32063N2HP2Q
51INA-51063U2HP2QM1CMY200U1SI2R
52INA-52063U2HP2QM4MBD110DWT1F2MOQ
54INA-54063U2HP2QM6MBF4416DW1T1A3MO2Q
6AMUN5111DW1T1L2MO2QMAMBT3904DW1T1N5MO2Q
6BMUN5112DW1T1L2MO2QMBMBT3904DW9T1N5MO2Q
6CMUN5113DW1T1L2MO2QMCBFS17SN5SI2Q
6DMBF5457DW1T1A3MO2QREBFS480N5SI2Q
6DMUN5114DW1T1L2MO2QRFBFS481N5SI2Q
6EMUN5115DW1T1L2MO2QRGBFS482N5SI2Q
6FMUN5116DW1T1L2MO2QRHBFS483N5SI2Q
6GMUN5130DW1T1L2MO2QT4MBD330DWT1F2MO2Q
6HMUN5131DW1T1L2MO2QW1BCR10PNL3SI2Q
6JMUN5132DW1T1L2MO2QWCBCR133SK2SI2Q
6KMUN5133DW1T1L2MO2QWFBCR08PNL3SI2Q
6LMUN5134DW1T1L2MO2QWKBCR119SK2SI2Q
6MMUN5135DW1T1L2MO2QWMBCR183SK2SI2Q
7AMUN5211DW1T1K2MO2QWPBCR22PNL3SI2Q
7BMUN5212DW1T1K2MO2QY2CLY2A1SI2R
7CMUN5213DW1T1K2MO2Q6sCGY60U1SI2R
7DMUN5214DW1T1K2MO2QY7sCGY62U1SI2R

Заключение

Рейтинг автора

Автор статьи

Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.

Написано статей

Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.

В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:

www.mp16.ru

www.rudatasheet.ru

www.texnic.ru

www.solo-project.com

www.ra4a.narod.ru

Предыдущая

ПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор

Следующая

ПолупроводникиSMD транзисторы

Маркировка SMD транзисторов

Подробности
Категория: Справочные данные
Опубликовано 05.06.2015 14:43
Автор: Admin
Просмотров: 36702

Для обозначения SMD транзисторов используется специальная сокращенная кодировка. Тип транзистор соответствующий определенному обозначению на SMD корпусе приведет в таблице ниже.

Обозначение SMD транзисторов

Маркировка биполярный SMD транзисторов

Обозначение на корпусе Тип транзистора Условный аналог
15 MMBT3960 2N3960
1A BC846A BC546A
1B BC846B BC546B
1C MMBTA20 MPSA20
1D BC846
1E BC847A BC547A
1F BC847B BC547B
1G BC847C BC547C
1H BC847
1J BC848A BC548A
1K BC848B BC548B
1L BC848C BC548C
1M BC848
1P FMMT2222A 2N2222A
1T MMBT3960A 2N3960A
1X MMBT930
1Y MMBT3903 2N3903
2A FMMT3906 2N3906
2B BC849B BC549B
2C BC849C BC549C / BC109C / MMBTA70
2E FMMTA93
2F BC850B BC550B
2G
BC850C
BC550C
2J MMBT3640 2N3640
2K MMBT8598
2M MMBT404
2N MMBT404A
2T MMBT4403 2N4403
2W MMBT8599
2X MMBT4401 2N4401
3A BC856A BC556A
3B BC856B BC556B
3D BC856
3E BC857A BC557A
3F BC857B BC557B
3G BC857C BC557C
3J BC858A BC558A
3K
BC858B
BC558B
3L BC858C BC558C
3S MMBT5551
4A BC859A BC559A
4B BC859B BC559B
4C BC859C BC559C
4E BC860A BC560A
4F BC860B BC560B
4G BC860C BC560C
4J FMMT38A
449 FMMT449
489 FMMT489
491 FMMT491
493 FMMT493
5A BC807-16 BC327-16
5B BC807-25 BC327-25
5C BC807-40 BC327-40
5E BC808-16 BC328-16
5F BC808-25 BC328-25
5G BC808-40 BC328-40
549 FMMT549
589 FMMT589
591 FMMT591
593 FMMT593
6A BC817-16 BC337-16
6B BC817-25 BC337-25
6C BC817-40 BC337-40
6E BC818-16 BC338-16
6F BC818-25 BC338-25
6G BC818-40 BC338-40
9 BC849BLT1
AA BCW60A BC636 / BCW60A
AB BCW60B
AC BCW60C BC548B
AD BCW60D
AE BCX52
AG BCX70G
AH BCX70H
AJ BCX70J
AK BCX70K
AL MMBTA55
AM BSS64 2N3638
AS1 BST50 BSR50
B2 BSV52 2N2369A
BA BCW61A BC635
BB BCW61B
BC BCW61C
BD BCW61D
BE BCX55
BG BCX71G
BH BCX71H BC639
BJ BCX71J
BK BCX71K
BN MMBT3638A 2N3638A
BR2 BSR31 2N4031
C1 BCW29
C2 BCW30 BC178B / BC558B
C5 MMBA811C5
C6 MMBA811C6
C7 BCF29
C8 BCF30
CE BSS79B
CEC BC869 BC369
CF BSS79C
CH BSS82B / BSS80B
CJ BSS80C
CM BSS82C
D1 BCW31 BC108A / BC548A
D2 BCW32 BC108A / BC548A
D3 BCW33 BC108C / BC548C
D6 MMBC1622D6
D7 BCF32
D8 BCF33 BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA BCW67A
DB BCW67B
DC BCW67C
DE BFN18
DF BCW68F
DG BCW68G
DH BCW68H
E1 BFS17 BFY90 / BFW92
EA BCW65A
EB BCW65B
EC BCW65C
ED BCW65C
EF BCW66F
EG BCW66G
EH BCW66H
F1 MMBC1009F1
F3 MMBC1009F3
FA BFQ17 BFW16A
FD BCV26 MPSA64
FE BCV46 MPSA77
FF BCV27 MPSA14
FG BCV47 MPSA27
GF BFR92P
h2 BCW69
h3 BCW70 BC557B
h4 BCW89
H7 BCF70
K1 BCW71 BC547A
K2 BCW72 BC547B
K3 BCW81
K4 BCW71R
K7 BCV71
K8 BCV72
K9 BCF81
L1 BSS65
L2 BSS70
L3 MMBC1323L3
L4 MMBC1623L4
L5 MMBC1623L5
L6 MMBC1623L6
L7 MMBC1623L7
M3 MMBA812M3
M4 MMBA812M4
M5 MMBA812M5
M6 BSR58 / MMBA812M6 2N4858
M7 MMBA812M7
O2 BST82
P1 BFR92 BFR90
P2 BFR92A BFR90
P5 FMMT2369A 2N2369A
Q3 MMBC1321Q3
Q4 MMBC1321Q4
Q5 MMBC1321Q5
R1 BFR93 BFR91
R2 BFR93A BFR91
S1A SMBT3904
S1D SMBTA42
S2 MMBA813S2
S2A SMBT3906
S2D SMBTA92
S2F SMBT2907A
S3 MMBA813S3
S4 MMBA813S4
T1 BCX17 BC327
T2 BCX18
T7 BSR15 2N2907A
T8 BSR16 2N2907A
U1 BCX19 BC337
U2 BCX20
U7 BSR13 2N2222A
U8 BSR14 2N2222A
U9 BSR17
U92 BSR17A 2N3904
Z2V FMMTA64
ZD MMBT4125 2N4125

Маркировка полевых SMD транзисторов

Маркировка Тип прибора Маркировка Тип прибора
       
6A MMBF4416 C92 SST4392
6B MMBF5484 C93 SST4393
6C MMBFU310 h26 SST4416
6D MMBF5457 I08 SST108
6E MMBF5460 I09 SST109
6F MMBF4860 I10 SST110
6G MMBF4393 M4 BSR56
6H MMBF5486 M5 BSR57
6J MMBF4391 M6 BSR58
6K MMBF4932 P01 SST201
6L MMBF5459 P02 SST202
6T MMBFJ310 P03 SST203
6W MMBFJ175 P04 SST204
6Y MMBFJ177 S14 SST5114
B08 SST6908  S15  SST5115
B09 SST6909  S16 SST5116
B10 SST6910  S70 SST270
C11 SST111  S71 SST271
C12 SST112  S74  SST174
C13 SST113  S75 SST175
C41 SST4091  S76 SST176
C42 SST4092  S77 SST177
C43 SST4093  TV MMBF112
C59 SST4859  Z08 SST308
C60 SST4860  Z09 SST309
C61 SST4861  Z10 SST310
C91 SST4391    

МОП — транзисторы

Маркировка Тип прибора Маркировка Тип прибора
       
6Z MMBF170 V01 VN50300T
701 2N7001 V02 VN0605T
702 SN7002 V04 VN45350T
SA BSS123 V0AJ TP610T
SS BSS138 V50 VP0610T
  • < Назад
  • Вперёд >
Добавить комментарий

Таблица SMD транзисторов

Таблица условных обозначений (маркировки) на корпусах SMD транзисторов для поверхностного монтажа, их тип и аналоги
Обозначение на корпусе
Тип транзистора
Условный аналог
15
MMBT3960
2N3960
1A
BC846A
BC546A
1B
BC846B
BC546B
1C
MMBTA20
MPSA20
1D
BC846
1E
BC847A
BC547A
1F
BC847B
BC547B
1G
BC847C
BC547C
1H
BC847
1J
BC848A
BC548A
1K
BC848B
BC548B
1L
BC848C
BC548C
1M
BC848
1P
FMMT2222A
2N2222A
1T
MMBT3960A
2N3960A
1X
MMBT930
1Y
MMBT3903
2N3903
2A
FMMT3906
2N3906
2B
BC849B
BC549B
2C
BC849C
BC549C / BC109C / MMBTA70
2E
FMMTA93
2F
BC850B
BC550B
2G
BC850C
BC550C
2J
MMBT3640
2N3640
2K
MMBT8598
2M
MMBT404
2N
MMBT404A
2T
MMBT4403
2N4403
2W
MMBT8599
2X
MMBT4401
2N4401
3A
BC856A
BC556A
3B
BC856B
BC556B
3D
BC856
3E
BC857A
BC557A
3F
BC857B
BC557B
3G
BC857C
BC557C
3J
BC858A
BC558A
3K
BC858B
BC558B
3L
BC858C
BC558C
3S
MMBT5551
4A
BC859A
BC559A
4B
BC859B
BC559B
4C
BC859C
BC559C
4E
BC860A
BC560A
4F
BC860B
BC560B
4G
BC860C
BC560C
4J
FMMT38A
449
FMMT449
489
FMMT489
491
FMMT491
493
FMMT493
5A
BC807-16
BC327-16
5B
BC807-25
BC327-25
5C
BC807-40
BC327-40
5E
BC808-16
BC328-16
5F
BC808-25
BC328-25
5G
BC808-40
BC328-40
549
FMMT549
589
FMMT589
591
FMMT591
593
FMMT593
6A
BC817-16
BC337-16
6B
BC817-25
BC337-25
6C
BC817-40
BC337-40
6E
BC818-16
BC338-16
6F
BC818-25
BC338-25
6G
BC818-40
BC338-40
9
BC849BLT1
AA
BCW60A
BC636 / BCW60A
AB
BCW60B
AC
BCW60C
BC548B
BCW60D
AE
BCX52
AG
BCX70G
AH
BCX70H
AJ
BCX70J
AK
BCX70K
AL
MMBTA55
AM
BSS64
2N3638
AS1
BST50
BSR50
B2
BSV52
2N2369A
BA
BCW61A
BC635
BB
BCW61B
BC
BCW61C
BD
BCW61D
BE
BCX55
BG
BCX71G
BH
BCX71H
BC639
BJ
BCX71J
BK
BCX71K
BN
MMBT3638A
2N3638A
BR2
BSR31
2N4031
C1
BCW29
C2
BCW30
BC178B / BC558B
C5
MMBA811C5
C6
MMBA811C6
C7
BCF29
C8
BCF30
CE
BSS79B
CEC
BC869
BC369
CF
BSS79C
CH
BSS82B / BSS80B
CJ
BSS80C
CM
BSS82C
D1
BCW31
BC108A / BC548A
D2
BCW32
BC108A / BC548A
D3
BCW33
BC108C / BC548C
D6
MMBC1622D6
D7
BCF32
D8
BCF33
BC549C / BCY58 / MMBC1622D8
DA
BCW67A
DB
BCW67B
DC
BCW67C
DE
BFN18
DF
BCW68F
DG
BCW68G
DH
BCW68H
E1
BFS17
BFY90 / BFW92
EA
BCW65A
EB
BCW65B
EC
BCW65C
ED
BCW65C
EF
BCW66F
EG
BCW66G
EH
BCW66H
F1
MMBC1009F1
F3
MMBC1009F3
FA
BFQ17
BFW16A
FD
BCV26
MPSA64
FE
BCV46
MPSA77
FF
BCV27
MPSA14
FG
BCV47
MPSA27
GF
BFR92P
h2
BCW69
h3
BCW70
BC557B
h4
BCW89
H7
BCF70
K1
BCW71
BC547A
K2
BCW72
BC547B
K3
BCW81
K4
BCW71R
K7
BCV71
K8
BCV72
K9
BCF81
L1
BSS65
L2
BSS70
L3
MMBC1323L3
L4
MMBC1623L4
L5
MMBC1623L5
L6
MMBC1623L6
L7
MMBC1623L7
M3
MMBA812M3
M4
MMBA812M4
M5
MMBA812M5
M6
BSR58 / MMBA812M6
2N4858
M7
MMBA812M7
O2
BST82
P1
BFR92
BFR90
P2
BFR92A
BFR90
P5
FMMT2369A
2N2369A
Q3
MMBC1321Q3
Q4
MMBC1321Q4
Q5
MMBC1321Q5
R1
BFR93
BFR91
R2
BFR93A
BFR91
S1A
SMBT3904
S1D
SMBTA42
S2
MMBA813S2
S2A
SMBT3906
S2D
SMBTA92
S2F
SMBT2907A
S3
MMBA813S3
S4
MMBA813S4
T1
BCX17
BC327
T2
BCX18
T7
BSR15
2N2907A
T8
BSR16
2N2907A
U1
BCX19
BC337
U2
BCX20
U7
BSR13
2N2222A
U8
BSR14
2N2222A
U9
BSR17
U92
BSR17A
2N3904
Z2V
FMMTA64
ZD
MMBT4125
2N4125

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.

Расшифровка обозначений на smd-компонентах

Тип прибора

маркировка

структ. код п/паналог (прибл.)Краткие параметры

Типов.

Рев.

ВА316 А6   Si-Di BAW62, 1N4148 Min, S, 85V, 0.1A, <6ns
BAS17 А91   Si-St ВА314 Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA
ВА319 А8   Si-Di BAV19 Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms
BAS20 А81   Si-Di BAV20 Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms
BAS21 А82   Si-Di BAV21 Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms
BAS29 L20   Si-Di BAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS31 L21   Si-Di 2XBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
BAS35 L22   Si-Di 2xBAX12 Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms
ВАТ17 A3   Pin-Di BA480 VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz
ВАТ18 А2   Pin-Di BA482 VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz
BAV70 А4   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAV99 А7   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns
BAW56 А1   Si-Di 2xBAW62 1N4148 Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns
BBY31 81   C-Di BB405, BB609 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF
BBY40 S2   C-Di BB809 UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF
ВС807-16 5A 5AR Si-P BC327-16 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС807-25 5BR Si-P BC327-25 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
ВС807-40 5CR Si-P BC327-40 Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
ВС808-16 5ER Si-P BC328-16 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250
ВС808-25 5F 5FR Si-P BC328-25 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400
BC808-40 5G 5GR Si-P BC328-40 Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600
BC817-16 6A 6AR Si-N BC337-16 Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250
BC846B 1BR Si-N BC546B Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz
BC847A 1E 1ER Si-N BC547A, BC107A Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC847B 1F 1FR Si-N BC547B, BC107B Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC847C 1G 1GR Si-N BC547C, BC107C Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC848A U 1JR Si-N BC548A, BC108A Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220
BC848B 1K 1KR Si-N BC548B, BC108B Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC848C 1L 1LR Si-N BC548C, BC108C Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC849B 2BR Si-N BC549B, ВС108В Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC849C 2CR Si-N BC549C, BC109C Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC850B 2F 2PR Si-N BC550B, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450
BC850C 2G 2GR Si-N BC550C, BCY59 Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800
BC856A ЗА 3AR Si-P BC556A Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC856B 3BR Si-P BC556B Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
BC857A ЗЕ 3ER Si-P BC557A, BC177A Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250
BC857B 3F 3FR Si-P BC557B, BC177B Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС857С 3G 3GR Si-P BC557C Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС858А 3J 3JR Si-P BC558A, BC178A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250
ВС858В ЗК 3KR Si-P BC558B, BC178B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475
ВС858С 3L 3LR Si-P BC558C Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800
ВС859А 4AR Si-P BC559A, BC179A, BCY78 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС859В 4BR Si-P BC559B, BCY79 Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС859С 4CR Si-P BC559C, BCY79 Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
ВС860А 4ER Si-P BC560A, BCY79 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150
ВС860В 4F 4FR Si-P BC560B, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475
ВС860С 4G 4GR Si-P BC560C, BCY79 Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800
BCF29 С7 С77 Si-P BC559A, BCY78, BC179 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF30 С8 С9 Si-P BC559B, BCY78 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz,
BCF32 07 077 Si-N BC549B, BCY58, BC109 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF33 D8 D81 Si-N BC549C, BCY58 Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz,
BCF70 Н7 Н71 Si-P BC560B, BCY79 Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz,
BCF81 К9 К91 Si-N BC550C Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га
BCV71 К7 К71 Si-N BC546A NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220
BCV72 К8 К81 Si-N BC546B NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450
BCW29 С1 С4 Si-P BC178A, BC558A Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120
BCW30 С2 С5 Si-P BC178B, BC558B Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215
BCW31 D1 D4 Si-N ВС108А,ВС548А Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110
BCW32 02 D5 Si-N ВС108В, ВС548 Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200
BCW33 D3 06 Si-N ВС108С, ВС548С Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420
BCW60A АА   Si-N ВС548А Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220
BCW60B АВ   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450
BCW60C АС   Si-N ВС548В Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600
BCW60D AD   Si-N ВС548С Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800
BCW61A ВА   Si-P BC558A Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220
BCW61B ВВ   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCW61C ВС   Si-P BC558B Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCW61D BD   Si-P BC558C Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCW69 Н1 Н4 Si-P ВС557А Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCW70 Н2 Н5 Si-P ВС557В Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215
BCW71 К1 К4 Si-N ВС547А Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110
BCW72 К2 К5 Si-N ВС 547В Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200
BCW81 КЗ К31 Si-N ВС547С Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420
BCW89 НЗ Н31 Si-P ВС556А Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120
BCX17 Т1 Т4 Si-P ВС327 Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz
BCX18 Т2 Т5 Si-P ВС328 Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz
BCX19 U1 U4 Si-N BC337 Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz
BCX20 U2 U5 Si-N ВС 33 8 Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz
BCX70G AG   Si-N BC107A, BC547A Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220
BCX70H AH   Si-N ВС 107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450
BCX70J AJ   Si-N ВС107В, BC547B Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620
BCX70K AK   Si-N ВС107С, BC547C Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800
BCX71G BG   Si-P ВС177А, BC557A Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250
BCX71H BH   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475
BCX71J BJ   Si-P ВС 177В, BC557B Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650
BCX71K BK   Si-P ВС557С Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800
BF510 S6   N-FET BF410A Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V
BF511 S7   N-FET BF410B Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V
BF512 S8   N-FET BF410C Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V
BF513 S9   N-FET BF410D Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V
BF536 G3   SI-P BF936 Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz
BF550 G2 G5 Si-P BF450 Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz
BF569 G6   Si-P BF970 Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz
BF579 G7   Si-P BF979 Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ
BF660 G8 G81 Si-P BF606A Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz
BF767 G9   Si-P BF967 Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz
BF820     S-N BF420 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF821 1W   Si-P BF421 Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz
BF822   Si-N BF422 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF823 1Y   Si-P BF423 Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz
BF824 F8   Si-P BF324 Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz
BF840 F3   Si-N BF240 Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz
BF841 F31   SI-N BF241 Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz
BFR30 М1   N-FET BFW-11, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V
BFR31 М2   N-FET BFW12, BF245 Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V
BFR53 N1 N4 Si-N BFW30, BFW93 Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz
BFR92 Р1 Р4 Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR92A Р2 РЬ Si-N BFR90 Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFR93 R1 R4 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFR93A R2 R5 Si-N BFR91 Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz
BFS17, (BFS17A) Е1 (Е2) Е4 (F5) Si-N BFY90, BFW92(A) Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz
BFS18 F1 F4 Si-N BF185, BF495 Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz
BFS19 F2 F5 Si-N BF184, BF494 Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz
BFS20 G1 G4 Si-N BF199 Min, HF, 30V, 30mA,450MHz
BFT25 V1 V4 Si-N BFT24 Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ
BFT46 МЗ   NFT BFW13, BF245 Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V
BFT92 W1 W4 Si-P « BFQ51, BFQ52 Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz
BFT93 Х1 Х4 Si-P BFQ23, BFQ24 Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz
BRY61 А5   BYT BRY56 70V
BRY62 А51   Tetrode BRY56, BRY39 Tetrode, Min, 70V, 0.175A
BSR12 B5 В8 Si-P 2N2894A Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns
BSR13 U7 U71 Si-N 2N2222, Ph3222 Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns
BSR14 U8 U81 Si-N 2N2222A, Ph3222A Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns
BSR15 T7 T71 Si-P 2N2907, Ph3907 Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns
BSR16 T8 T81 Si-P 2N2907A, Ph3907A Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns
BSR17 U9 U91 Si-N 2N3903 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150
BSR17A U92 U93 Si-N 2N3904 Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300
BSR18 T9 T91 Si-P 2N3905 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz
BSR18A T92 T93 Si-P 2N3906 Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz
BSR19 U35   Si-N 2N5550 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR19A U36   Si-N 2N5551 Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz
BSR20 T35   Si-P 2N5400 Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz
BSR20A T36   Si-P 2N5401 Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz
BSR56 M4   N-FET 2N4856 Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V
BSR57 M5   N-FET 2N4857 Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V
BSR58 M6   N-FET 2N4858 Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V
BSS63 T3 T6 Si-P BSS68 Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz
BSS64 U3 U6 Si-N BSS38 Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz
BSV52 B2 B3 Si-N Ph3369, BSX20 Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns
BZX84-… см.пр им.   Si-St BZX79 Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W
PBMF4391 M62   N-FET Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V
PBMF4392 M63   N-FET Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V
PBMF4393 M64   N-FET Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V

Поиск SMD компонентов по маркировке — DataSheet

Размеры SMD компонентовРис. 1 Слева направо: биполярный транзистор в корпусе SOT-23, танталовый конденсатор на 2.2 мкФ, керамический конденсатор и резистор 82 Ома.

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Перейти к онлайн поиску SMD компонентов по маркировке 

Сопротивление резисторов с цветовой маркировкой можно определить, воспользовавшись онлайн калькулятором.

Маркировка SMD резисторов

 

SMD резисторы с допусками 5% и 2% маркируются следующим кодом из трех символов:

СопротивлениеКод
0 Ом (перемычка)000
от 1 Ома до 9.1 ОмаXRX (например 9R1)
от 10 Ом до 91 ОмаXXR (например 91R)

Маркировка тремя символами

A — первая цифра в значении сопротивления резистора

B — вторая цифра в значении сопротивления резистора

С — количество нулей

КодСопротивление
101100 Ом
471470 Ом
1021 кОм
1221.2 кОм
10310 кОм
12312 кОм
104100 кОм
124120 кОм
474470 кОм

SMD резисторы с допуском 1% маркируются четырьмя символами.

СопротивлениеКод
от 100 Ом до 988 ОмXXXR
от 1 кОм до 1 МОмXXXX

Маркировка четырьмя символами

 

A — первая цифра в значении сопротивления резистора

B — вторая цифра в значении сопротивления резистора

С — третья цифра в значении сопротивления резистора

D — количество нулей

КодСопротивление
100R100 Ом
634R634 Ома
909R909 Ом
10011 кОм
47014.7 кОм
100210 кОм
150215 кОм
5493549 кОм
10041 мОм

Маркировка SMD  конденсаторов

Маркировка SMD танталовых конденсаторов

Первая и вторая позиция значащие цифры значении емкости конденсатора. Третья — количество нулей. Общее значение дает емкость в пФ. К примеру емкость конденсатора, изображенного на рисунке выше 4700000 пФ или 4.7 мкФ.

Также применяется система маркировки из двух символов. Первый — буква, представляющая числовое значение; второй символ — множитель (степень десяти). Общее значение дает емкость в пФ.

БукваABCDEFGHJKaL
Значение1.01.11.21.31.51.61.82.02.22.4252.7
БукваMNbPQdReSfTU
Значение3.03.33.53.63.94.04.34.54.75.05.15.6
БукваmVWnXtYyZ
Значение6.06.26.87.07.58.08.29.09.1

 

Цифра0123456789
Множитель10010110210310410510610710810-1

К примеру A5 = 1.0 x 105 = 100,000 пФ = 0.1 мкФ, или f9 = 5.0 x 10-1 = 0.5 пФ

Для танталовых конденсаторов часто первым символом указывается напряжение в соответствии с таблицей.

Напряжение (вольт)46.3101620253550
КодGJACDEVH

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

SMD коды Wxx

Расшифровка диодов, стабилитронов, транзисторов в SMD типе кодов Wxx с их кратким описанием…

 

Код

Наименование

Фирма

Корпус

Цоколевка

Эквивалент/Краткое описание

Диоды, стабилитроны

W74BAW74ZetexSOT23

D1j

dual hi speed sw diode 50V 0.15A
WASMZG3789AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 10V 10%
WBSMZG3789BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 10V 5%
WCSMZG3790AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 11V 10%
WDSMZG3790BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 11V 5%
WESMZG3791AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 12V 10%
WFSMZG3791BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 12V 5%
WGSMZG3792AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 13V 10%
WHSMZG3792BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 13V 5%
WISMZG3793AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 15V 10%
WJSMZG3793BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 15V 5%
WKSMZG3794AGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 16V 10%
WLSMZG3794BGenSemiSMB

D7

zener 1.5W 16V 5%
WOBZX284-B2V4PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 2.4V E24 ±2%
WPBZX284-B2V7PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 2.7V E24 ±2%
WQBZX284-B3V0PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 3.0V E24 ±2%
WRBZX284-B3V3PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 3.3V E24 ±2%
WSBZX284-B3V6PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 3.6V E24 ±2%
WTBZX284-B3V9PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 3.9V E24 ±2%
WUBZX284-B4V3PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 4.3V E24 ±2%
WVBZX284-B4V7PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 4.7V E24 ±2%
WWBZX284-B5V1PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 5.1V E24 ±2%
WXBZX284-B5V6PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 5.6V E24 ±2%
WYBZX284-B6V2PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 6.2V E24 ±2%
WZBZX284-B6V8PhilipsSOD110

D6

zener 0.4W 6.8V E24 ±2%

Транзисторы

W*2SD1383KRohmSMT3
W1(p,s)BFT92Infin PhilSOT23

T1a

SI-P 15V 25mA BFQ51/BFQ76
W1(s)BCR10PNInfineonSOT363NPN/PNP Digital Tansistor Array
W1(s)BFT92WInfin PhilSOT323

T1a

SI-P 15V 25mA BFQ51/BFQ76
W18BFP181TWTelefunkenSOT343

T4a

SI-N RF fT 7.8GHz 10V 20mA
W2PBR951PhilipsSOT23
W2PBR957PhilipsSOT323
W22S822TWTemicSOT343

T4a

SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA
W28BFP280TWTemicSOT343

T4a

SI-N RF fT 7 GHz 8V 10mA
W4(s)BCR400RInfineonSOT143RActive Bias Controller
W4(s)BCR400WInfineonSOT343RActive Bias Controller
W52S852TWTelefunkenSOT143

T4a

SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA
W52S852TWTemicSOT323SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA
W67BFP67WTemicSOT343

T4a

SI-N RF fT 7.5 GHz 10V 50mA
W82BFP182TWTemicSOT343

T4a

SI-N RF fT 7.5 GHz 10V 35mA
W83BFP183TWTemicSOT343

T4a

SI-N RF fT 7.4 GHz 10V 65mA
W92BFP92AWTemicSOT343

T5a

SI-N RF fT 6 GHz 15V 30mA
WB2SD1383KRohmSOT23

T1a

SI-N darlington comp 2SB852K
WCBCR133InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k
WCBCR133SInfineonSOT363
WCBCR133WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k
WDBCR141InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k
WDBCR141SInfineonSOT363
WDBCR141WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k
WEBCR148InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k
WEBCR148SInfineonSOT363
WEBCR148WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k
WE1BFS17WTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 2.1GHz
WE2BFS17AWTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 3.2GHz
WFBCR08PNInfineonSOT363NPN/PNP Digital Tansistor Array
WFBCR112InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=4.7k Rbe=4.7k
WF0TSDF1205WTemicSOT343

T4a

SI-N 12GHz 5mA 4V
WF2TSDF1220WTemicSOT343

T4a

SI-N 12GHz 6V 20mA
WFEBFP93AWTemicSOT343

T4a

SI-N BFP93A (FE) 6GHz
WGBCR116InfineonSOT23
WGBCR116WInfineonSOT323
WHBCR108InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=2k2 Rbe=47k
WHBCR108WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=2k2 Rbe=47k
WHsBCR108SInfineonSOT363
WIBCR158InfineonSOT23
WIBCR158WInfineonSOT323
WJBCR135InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k
WJBCR135SInfineonSOT363
WJBCR135WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k
WKBCR119InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=4.7k Rbe=0
WKBCR119SInfineonSOT363
WLBCR146InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=22k
WLBCR146WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=22k
WMBCR183InfineonSOT23SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k
WMBCR183SInfineonSOT363
WNBCR185InfineonSOT23SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k
WNBCR185SInfineonSOT363
WNBCR185WInfineonSOT323SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k
WOBCR191InfineonSOT23SI-P 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k
WOBCR191SInfineonSOT363
WPBCR192InfineonSOT23SI-P 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k
WPBCR22PNInfineonSOT363NPN/PNP Digital Tansistor Array
WP2BFR92AWTemicSOT323

T1a

SI-N BRF90A
WRBCR198InfineonSOT23SI-P 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k
WRBCR198SInfineonSOT363
WRBCR198WInfineonSOT323SI-P 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k
WRMSD602RMotorolaSC59

T1a

SI-N gp 25V 150mA
WR2BFR93AWTemicSOT323

T1a

SI-N BFR91A
WREBFR280TWTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 7.5GHz
WRFBFR181TWTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 7.8GHz
WRGBFR182TWTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 7GHz
WRHBFR183TWTemicSOT323

T1a

SI-N RF fT 7.4GHz
WSBCR169InfineonSOT23
WSBCR169SInfineonSOT363
WTBCR166InfineonSOT23
WTBCR166WInfineonSOT323
WTBCR48PNInfineonSOT363NPN/PNP Digital Tansistor Array
WUBCR162InfineonSOT23
WUBCR35PNInfineonSOT363NPN/PNP Digital Tansistor Array
WUMRF2947AMotorolaSOT363

T6e

2xSI-N MRF941 RF 9GHz
WV2BFQ67WTemicSOT23

T1a

SI-N RF fT 7.5GHz
WXBCR196InfineonSOT23
WXBCR196WInfineonSOT23
WZBCR142InfineonSOT23SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k
WZBCR142WInfineonSOT323SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k

Маркировка радиодеталей, Коды SMD A7, A7 *, A7*, A7**, A7***, A7-, A7-**, A7-***, A7122A, A7221, A7221A, A7221B, A7231, A7312, A74, A7404, A7406, A7407, A75, A7525, A75A, A76, A78, A785J, A79A, A7W, A7p, A7s, A7t. Даташиты A7122AE5R, A7122AE6R, A7221AE6R, A7221BE6R, A7221TE6R, A7231TE6R, A7312E6R, A7404E6R, A7406E6R, A7407E6R, A7525E6R-ADJ, ACPL-785J, AO3407, BAV99, BAV99LT1G, BAV99S, BAV99U, BAV99W, BAV99WT1, BFG310W/XR, HSMS-2807, LMV341MG, LMV715MF, LMV931MF, LMV931MG, MMBD4448HTC, NC7WZ04L6X, OPA373AIDBV, OPA374AIDBV, RT9011-GMPJ6, RT9011-GSPQV, RT9014-GMPQV, RT9161-40PX, RT9198-28PU5, RT9818A-23PY, RT9818A-25PU3, SBAV99LT1G, ST3407S23RG, Si9183DT-33-T1, TPS3831G33DQNR.

A7SOT-23BAV99NationalПереключающие диоды
A7SOT-23BAV99ZowieПереключающие диоды
A7SOT-23BAV99Fairchild (Now ON)Переключающие диоды
A7SOT-323BAV99WT1MotorolaПереключающие диоды
A7SOT-523MMBD4448HTCBL Galaxy ElectricalПереключающие диоды
A7SOT-886NC7WZ04L6XFairchild (Now ON)Инверторы
A7X2SON-4 1×1TPS3831G33DQNRTexas InstrumentsДетектор напряжения
A7 *SOT-23BAV99LT1GONДиоды
A7 *SOT-23SBAV99LT1GONДиоды
A7*SOT-143HSMS-2807AgilentОграничительные диоды Шоттки
A7*VDFN-8 2×2RT9011-GSPQVRichtekСтабилизатор напряжения
A7**SOT-23ST3407S23RGStansonПолевой транзистор с P-каналом
A7**SOT-25Si9183DT-33-T1VishayСтабилизатор напряжения
A7***SOT-23AO3407Alpha & OmegaПолевой транзистор с P-каналом
A7-SOT-23BAV99NXPПереключающие диоды
A7-SOT-323BAV99WNXPПереключающие диоды
A7-SOT-343RBFG310W/XRPhilips (Now NXP)NPN транзистор
A7-SOT-89RT9161-40PXRichtekСтабилизатор напряжения
A7-**VDFN-10 3×3RT9014-GMPQVRichtekСтабилизатор напряжения
A7-**SOT-323RT9818A-25PU3RichtekДетектор напряжения
A7-***SOT-26RT9011-GMPJ6RichtekСтабилизатор напряжения
A7-***SOT-353RT9198-28PU5RichtekСтабилизатор напряжения
A7-***SOT-343RT9818A-23PYRichtekДетектор напряжения
A7122ASOT-25A7122AE5RAiTПонижающий преобразователь
A7122ASOT-26A7122AE6RAiTПонижающий преобразователь
A7221SOT-26A7221TE6RAiTПонижающий преобразователь
A7221ASOT-26A7221AE6RAiTПонижающий преобразователь
A7221BSOT-26A7221BE6RAiTПонижающий преобразователь
A7231SOT-26A7231TE6RAiTПонижающий преобразователь
A7312SOT-26A7312E6RAiTПонижающий преобразователь
A74SOT-353LMV931MGNationalОперационный усилитель
A7404SOT-26A7404E6RAiTПонижающий преобразователь
A7406SOT-26A7406E6RAiTПонижающий преобразователь
A7407SOT-26A7407E6RAiTПонижающий преобразователь
A75SOT-26OPA373AIDBVTexas InstrumentsОперационный усилитель
A7525SOT-26A7525E6R-ADJAiTПовышающий пребразователь
A75ASOT-26LMV715MFNationalОперационный усилитель
A76SOT-26OPA374AIDBVTexas InstrumentsОперационный усилитель
A78SOT-363LMV341MGNationalОперационный усилитель
A785JSO-16ACPL-785JAvagoИзолирующий усилитель
A79ASOT-25LMV931MFNationalОперационный усилитель
A7WSOT-23BAV99NXPПереключающие диоды
A7WSOT-323BAV99WNXPПереключающие диоды
A7WSOT-343RBFG310W/XRPhilips (Now NXP)NPN транзистор
A7pSOT-23BAV99NXPПереключающие диоды
A7pSOT-323BAV99WNXPПереключающие диоды
A7pSOT-343RBFG310W/XRPhilips (Now NXP)NPN транзистор
A7sSOT-23BAV99InfineonПереключающие диоды
A7sSOT-363BAV99SInfineonПереключающие диоды
A7sSOT-26BAV99UInfineonПереключающие диоды
A7sSOT-323BAV99WInfineonПереключающие диоды
A7tSOT-23BAV99NXPПереключающие диоды
A7tSOT-323BAV99WNXPПереключающие диоды
A7tSOT-343RBFG310W/XRPhilips (Now NXP)NPN транзистор

Книга кодов SMD. SMD-

СМД-


(SMD),. :,.

120.000 SMD-,,,, лист данных.

  • SMD

    (SMD)
    СОТ-23, СК-59
    СОТ-323 / СК-70, СОТ-416 / СК-90
    СОТ-223, СОТ-89
    СОТ-143, СОТ-363

    SMD

  • СМД-

    SMD-
    SMD-

  • СМД-

    SMD- HP
    SMD-
    СОД-123
    СОД-80

  • СМД-

    SMD-
    SMD-
    SMD-

  • СМД-

    SMD-
    SMD- SMD-

  • СМД-

    A, B, C, D, E, F
    G, H, I, J, K
    Q, R, S, T, U, V
    AQ, BQ, CQ, DQ, EQ, FQ
    CS, CX, CY, CZ
    DA, DB, DC, DD, DE, DF
    DG, DH, DI, DJ, DK, DL
    DM, DN, DO, DP, DR, DS
    GQ, HQ, IQ, JQ, LQ, KQ
    MQ, NQ, PQ, QQ, RQ, SQ


Лист данных KAZUS.RU

• 10.000.000
• 300.000
• 500.000 PDF
• 700.000



лист данных
.

База данных кодов маркировки SMD компонентов

W2

AP1702GTW

Anachip
TSOT-23-3L

Детектор напряжения IC
2 & период; 25V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO

W2

AP1702GW

Anachip
SOT-23-3L

Детектор напряжения IC
2 & период; 25V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO

W2

AP8822C-32GA

Anwell Semiconductor
SOT-23

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена

W2

AP8822C-32GI

Anwell Semiconductor
SC-82

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена

W2

AP8822C-32GS

Anwell Semiconductor
SC-82S

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена

W2

AP8822C-32GT

Anwell Semiconductor
SC-70

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена

W2

AP8822C-32PA

Anwell Semiconductor
SOT-23

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс

W2

AP8822C-32PI

Anwell Semiconductor
SC-82

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс

W2

AP8822C-32PS

Anwell Semiconductor
SC-82S

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс

W2

AP8822C-32PT

Anwell Semiconductor
SC-70

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс

W2

BCR189L3

Infineon Technologies
TSLP-3

Транзистор PNP
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 150 МГц

W2

BD46481G

Rohm
SSOP-5

Детектор напряжения IC
4 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; -MR & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 100 мс

W2

BZT52B2V7

PanJIT Semiconductor
SOD-123

Стабилитрон
2 & период; 7V ± 2 & percnt; & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 410 мВт

W2

BZT52C2V7-F

TAITRON Components
SOD-123F

стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 410 мВт

W2

BZT52C2V7-V

Vishay Semiconductor
SOD-123

Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 500 мВт

W2

BZT52C2V7S

PanJIT Semiconductor
SOD-323

Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт

W2

BZT52C2V7WS

Компоненты TAITRON
SOD-323F

Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно 5 & period; 0mA & comma; 200 мВт

W2

BZT52C2V7WT

TAITRON Компоненты
SOD-523

Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт

W2

BZT52C2V7WU

TAITRON Components
SOD-723

стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт

W2

BZT52C3V0

Диоды
SOD-123

Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 500 мВт

W2

BZT52C3V0

Диоды
SOD-123

Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 500 мВт

W2

BZT52C3V0LP

Диоды
DFN1006-2

Стабилитрон
3 & период; 0V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 250 мВт

W2

BZT52C3V0LP

Диоды
DFN1006-2

Стабилитрон
3 & период; 0V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 250 мВт

W2

BZT52C3V0S

Диоды
SOD-323

Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт

W2

BZT52C3V0S

Диоды
SOD-323

Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт

W2

BZT52C3V0T

Диоды
SOD-523

Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 150 мВт

W2

BZV49-C0V8

Zetex
SOT-89

Стабилитрон
0 & период; 8V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 1Вт

W2

BZX384C2V7-V

Vishay Semiconductor
SOD-323

Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 75 & запятая; 200 мВт

W2

BZX584C2V7

PanJIT Semiconductor
SOD-523

Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт

W2

BZX784C2V7

PanJIT Semiconductor
SOD-723

Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт

W2

BZX84B2V7

PanJIT Semiconductor
SOT-23

Стабилитрон
2 & период; 64 & период; & период; 2 & период; 75В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 410 мВт

W2

BZX84C2V7

Микрокоммерческие компоненты
SOT-23

Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 350 мВт

W2

BZX84C2V7TW

PanJIT Semiconductor
SOT-363

Стабилитрон
Тройной и запятая; 2 & период; 64 & период; & период; 2 & период; 75В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт

W2

BZX84C2V7W

Won-Top Electronics
SOT-323

Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт

W2

CZRW55C3V0-G

Comchip Technology
SOD-123

Стабилитрон
3 & период; 0 & период; & период; 3 & период; 20В & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 500 мВт

W2

ELM7632LBB

ELM Technology
SOT-23

Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 500 мс

W2

ELM9732CAB

ELM Technology
SOT-89

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO

W2

ELM9732CBB

ELM Technology
SOT-23

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO

W2

FES3B

Fagor Electronica
DO-214AB

Диод
U-быстрое восстановление и запятая; 100 В и запятая; 3А и запятая; <50 нс

W2

FMW2

Rohm
SOT-23-5

Транзистор NPN
Двойной & запятая; GP & запятая; 60В и запятая; 150 мА и запятая; 180 МГц

W2

HD74LV1GW97ACM

Renessas
CMPAK-6

Емкостной диод
Настраиваемый многофункциональный вентиль

W2

LBZT52C3V0T1G

Leshan Radio Company
SOD-123

Стабилитрон
2 & период; 8 & период; & период; 3 & период; 2В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 500 мВт

W2

MC74VHC1G126DF

ON Semiconductor
SOT-353

Емкостной диод
Затвор буфера шины с выходом с 3 состояниями

W2

MC74VHC1G126DT

ON Semiconductor
SOT-23-5

Емкостной диод
Затвор буфера шины с выходом с 3 состояниями

W2

MEZ02-2 & period; 7-D3

Matsuki Electronic Company
SOD-323

стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 83 & запятая; 200 мВт

W2

MM3Z3V0

Secos
SOD-323

Стабилитрон
2 & period; 8 & period; & period; 3 & period; 2V & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт

W2

PRF957

Philips
SOT-323

NPN транзистор
UHF & comma; LN & запятая; 20В и запятая; 100 мА и запятая; 270 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 200 & запятая; 8 & период; 5 ГГц

W2

R1210N321D

Ricoh
SOT-23-5

DC & sol; преобразователь напряжения постоянного тока IC
Повышающий ШИМ и запятая; 3 & точка; 2V & запятая; 180 кГц

W2

R3111Q321C

Ricoh
SC-82AB

Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO

W2

R5325N002B

Ricoh
SOT-23-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 8V & sol; 2 & period; 8V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL

W2

RP103Q141B

Ricoh
SC-82AB

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE

W2

TSDF1220RW

Vishay Semiconductor
SOT-343R

Транзистор NPN
UHF-VHF & comma; LN & запятая; 9В и запятая; 40 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 150 & запятая; 12 ГГц

W2

TZTC2V7WS

TAITRON Components
SOT-323

стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт

W2-

RT9818C-30PB

Richtek Technology
SOT-23-5

Детектор напряжения IC
3 & период; 0В ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Td & равно; 220 мс

W20

PDTC144WT


SOT-23

NPN транзистор
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k

W20

PDTC144WU


SOT-323

Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k

W20

R1163N201D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W20

TK11120M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; -CE

W20

TK11120S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; -CE

W21

PDTA123ET


SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 2 & period; 2k

W21

R1163N211D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W21

SMTPB120

SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB

Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно; 120V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;

W21

TK11121M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W21

TK11121S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W22

R1163N221D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 2V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W22

S822TRW

Vishay Semiconductor
SOT-343R

Транзистор NPN
UHF & comma; LN & запятая; 12 В и запятая; 8 мА и запятая; 30 мВт и запятая; B & равно; 40 & период; & период; 150 & запятая; 5 & ​​период; 2 ГГц

W22

TK11122S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W23

PDTA114TU


SOT-323

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно; 10 тыс.

W23

PDTA123JT


SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 47k

W23

R1163N231D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W23

SMTPB130

SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB

Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно; 130V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;

W23

TK11123M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W23

TK11123S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W24

PDTC114TU


SOT-323

Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно; 10 тыс.

W24

R1163N241D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W24

TK11124M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W24

TK11124S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W25

R1163N251D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W25

TK11125M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W25

TK11125S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W26

PDTC123ET


SOT-23

NPN транзистор
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 2 & period; 2k

W26

PDTC123JT


SOT-23

NPN транзистор
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 47k

W26

R1163N261D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W26

TK11126M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W26

TK11126S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W27

PDTC114YT


SOT-23

Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 10k & sol; 47k

W27

R1163N271D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W27

TK11127M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W27

TK11127S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W28

BFP280TRW

Vishay Semiconductor
SOT-343

Транзистор NPN
UHF & запятая; 10В и запятая; 10 мА и запятая; 80 мВт и запятая; B & равно; 30 & период; & период; 200 & запятая; 7 ГГц

W28

BFP280TW

Vishay Semiconductor
SOT-343

Транзистор NPN
VHF & sol; UHF & comma; LN & запятая; 15В и запятая; 10 мА и запятая; 80 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 150 & запятая; 5 ГГц

W28

MIC5255-2 & period; 8BML

Micrel
MLF-6

Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE

W28

MIC5255-2 & period; 8YML

Micrel
MLF-6

Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Без свинца

W28

PDTA144WU


SOT-323

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k

W28

R1163N281D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W28

TK11128M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W28

TK11128S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W29

PDTA114YT


SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 10k & sol; 47k

W29

R1163N291D

Ricoh
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;

W29

SMTPB180

SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB

Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно 180V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;

W29

TK11129M

Toko America
SOT-23L-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W29

TK11129S

Toko America
SOT-23-5

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE

W2A

PMBT3906


SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; 40В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц

W2A

PMST3906


SOT-323

Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц

W2B

PMBT2907


SOT-23

Транзистор PNP
GP & comma; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц

W2D

PMBTA92


SOT-23

Транзистор PNP
Vid & comma; 300 & sol; 300V & запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц

W2D

PMSTA92


SOT-323

Транзистор PNP
Vid & comma; 300 & sol; 300V & запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц

W2E

PMBTA93


SOT-23

Транзистор PNP
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц

W2E

PMSTA93


SOT-323

Транзистор PNP
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 500 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц

W2F

PMBT2907A


SOT-23

Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц

W2F

PMST2907A


SOT-323

Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц

W2G

PMBTA56


SOT-23

Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц

W2G

PMSTA56


SOT-323

Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц

W2H

PMBTA55


SOT-23

Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 60В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц

W2H

PMSTA55


SOT-323

Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 60В и запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц

W2J

MIC5255-2 & period; 85BML

Micrel
MLF-6

Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE

W2J

MIC5255-2 & period; 85YML

Micrel
MLF-6

Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Без свинца

W2L

PMBT5401


SOT-23

Транзистор PNP
HV & comma; 160В и запятая; 300 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 240 & запятая; 100 & period; & period; 300 МГц

W2L

PMST5401


SOT-323

Транзистор PNP
HV & comma; 160В и запятая; 300 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 240 & запятая; 100 & period; & period; 300 МГц

W2s

BCR189

Infineon Technologies
SOT-23

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 200 МГц

W2s

BCR189F

Infineon Technologies
TSFP-3

Транзистор PNP
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 150 МГц

W2s

BCR189T

Infineon Technologies
SOT-416

Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 22k & запятая; 150 МГц

W2T

PMBT4403


SOT-23

Транзистор PNP
Sw & запятая; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц

W2T

PMST4403


SOT-323

Транзистор PNP
GP & comma; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц

W2U

PMBTA63


SOT-23

PNP Дарлингтон
GP & запятая; 30В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 5000 & запятая; > 125 МГц

W2V

PMBTA64


SOT-23

PNP darlington
GP & comma; 30В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 10000 & запятая; > 125 МГц

W2X

PMBT4401


SOT-23

Транзистор NPN
Sw & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц

W2X

PMST4401


SOT-323

Транзистор NPN
Sw & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *