Как определить тип и характеристики SMD транзистора по маркировке на корпусе. Какие бывают системы кодирования для поверхностного монтажа. Как расшифровать буквенно-цифровые обозначения на SMD компонентах.
Что такое SMD маркировка транзисторов
SMD (Surface Mounted Device) транзисторы — это миниатюрные полупроводниковые компоненты, предназначенные для поверхностного монтажа на печатные платы. Из-за малых размеров корпусов на них невозможно нанести полное наименование прибора. Поэтому производители используют специальные коды и сокращенные обозначения.
Маркировка SMD транзисторов обычно состоит из 2-3 символов и может включать:
- Буквы латинского алфавита
- Цифры
- Комбинации букв и цифр
Эти короткие коды позволяют идентифицировать тип транзистора, его основные характеристики и соответствие определенной серии приборов. Расшифровка маркировки дает возможность подобрать аналоги и замены для SMD транзисторов.
Основные системы маркировки SMD транзисторов
Существует несколько распространенных систем кодирования SMD транзисторов:
Европейская система
Используется многими европейскими производителями. Маркировка состоит из 3 элементов:
- 1-й символ — тип проводимости (N или P)
- 2-й символ — назначение транзистора
- 3-й символ — порядковый номер в серии
Например, маркировка BC847 расшифровывается как:
- B — биполярный транзистор
- C — для НЧ применений
- 847 — порядковый номер
Американская система JEDEC
Используется производителями из США. Включает буквенное обозначение типа прибора и цифровой код. Например:
- 2N — биполярные транзисторы
- 3N — полевые транзисторы
За буквами следует 3-4 значный цифровой код.
Японская система
Сочетает элементы европейской и американской систем. Обычно состоит из:
- Буквы, обозначающей тип прибора
- Буквы S (полупроводник)
- Цифрового кода
Например, 2SA1015 — транзистор PNP типа.
Расшифровка кодов основных производителей
Разные производители могут использовать собственные системы маркировки. Рассмотрим коды некоторых популярных брендов:
Philips/NXP
Маркировка состоит из 3 символов:
- 1-й символ: тип прибора (1-9, A-Z)
- 2-й символ: серия (A-Z)
- 3-й символ: порядковый номер в серии (1-9, A-Z)
Например, BC847 — биполярный NPN транзистор общего назначения.
Infineon/Siemens
Используется буквенно-цифровой код:
- Первые буквы обозначают тип и назначение
- Цифры — порядковый номер
Например, BCR108 — маломощный биполярный транзистор.
STMicroelectronics
Применяется 3-символьный код:
- 1-й символ: тип прибора
- 2-й символ: назначение
- 3-й символ: порядковый номер
Пример: 2N7002 — N-канальный МОП-транзистор.
Как определить тип транзистора по маркировке
Чтобы расшифровать тип SMD транзистора по его маркировке, можно воспользоваться следующим алгоритмом:
- Определите количество символов в маркировке (2-3 знака)
- Проверьте первую букву — она обычно указывает на тип прибора:
- B, C — биполярный транзистор
- J, K — полевой транзистор с p-n переходом
- M — МОП-транзистор
- Вторая буква или цифра часто обозначает назначение или серию
- Последний символ — как правило порядковый номер в серии
Используя эти принципы и справочные таблицы, можно с высокой вероятностью определить тип транзистора и его основные параметры.
Наиболее распространенные коды SMD транзисторов
Некоторые часто встречающиеся коды SMD транзисторов и их расшифровка:
- 1A, 1B, 1C — биполярные NPN транзисторы общего назначения
- 2A, 2B, 2C — биполярные PNP транзисторы общего назначения
- S1, S2 — N-канальные МОП-транзисторы
- J1, J2 — N-канальные полевые транзисторы с p-n переходом
- 2N — биполярные NPN/PNP транзисторы (JEDEC)
- 3N — полевые транзисторы (JEDEC)
Зная эти базовые обозначения, можно быстро определить тип прибора даже без подробных справочников.
Как найти аналоги и замены SMD транзисторов
Для поиска аналогов и замен SMD транзисторов можно использовать следующие способы:
- Воспользоваться онлайн-базами данных компонентов, где можно найти характеристики по коду маркировки
- Изучить даташиты производителей — там часто указываются рекомендуемые аналоги
- Использовать специальные программы по подбору замен электронных компонентов
- Сравнить основные параметры:
- Структура (NPN/PNP, N-канал/P-канал)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- Максимальный ток коллектора
- Коэффициент усиления по току
- Граничная частота
При выборе замены важно учитывать не только электрические параметры, но и размеры корпуса транзистора.
Особенности маркировки полевых SMD транзисторов
Полевые транзисторы в SMD корпусах имеют некоторые особенности маркировки:
- Часто начинаются с букв J, K (полевые с p-n переходом) или M (МОП-транзисторы)
- Могут содержать буквы F или G в обозначении
- N-канальные обычно маркируются нечетными цифрами, P-канальные — четными
Примеры маркировки полевых SMD транзисторов:
- J201 — N-канальный полевой транзистор с p-n переходом
- 2N7002 — N-канальный МОП-транзистор
- AO3400 — N-канальный МОП-транзистор
При расшифровке важно учитывать систему маркировки конкретного производителя.
Практические советы по идентификации SMD транзисторов
Несколько полезных рекомендаций по определению типа и параметров SMD транзисторов:
- Всегда сверяйтесь с актуальными справочниками и базами данных — системы маркировки могут меняться
- Учитывайте размер и тип корпуса — это поможет сузить круг поиска
- Обращайте внимание на дополнительные символы — они могут указывать на особенности прибора
- При замене проверяйте не только электрические параметры, но и распиновку выводов
- Используйте возможности современных поисковых систем и специализированных сайтов по электронным компонентам
Правильная расшифровка маркировки SMD транзисторов требует некоторого опыта, но эти навыки очень полезны при ремонте и проектировании электронной техники.
как расшифровать их кодовые обозначения
Все радиодетали постоянно миниатюризируются, в первую очередь из-за сложности строения новых плат и необходимости уместить на них большое количество элементов. Встает вопрос о том, как указать на корпусе все технические характеристики. Для этого разработана специальная маркировка smd транзисторов, которая помогает прочитать электронщику все свой параметры.
С каждым годом маркировка усложняется, увеличивается, а площадь, на которую она наносится постоянно сокращается. В данной статье будет подробно рассмотрена вся имеющаяся маркировка, из чего она состоит, как ее прочитать и использовать. В качестве дополнения содержатся видеоролики с полезным материалом, а также файл, в котором перечислены необходимые условные обозначения.
Различные тразисторы.
Зачем нужна маркировка
Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.
Маркировка на практике
Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся. Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений.
Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.
Разнообразные корпуса транзисторов.
Маркировка SMD компонентов
SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
Полезная информация: как проверить транзистор с помощью мультимера.
Маркировка импортных SMD
Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.
Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.
Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.
Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.
Какие бывают стандарты маркировки
Маркировка, которая наносится на корпус SMD-элементов, как правило, отличается от их фирменных названий. Причина банальная – нехватка места из-за миниатюрности корпуса. Проблема особенно актуальна для ЭРЭ, которые размещаются в корпусах с шестью и менее выводами.
Это миниатюрные диоды, транзисторы, стабилизаторы напряжения, усилители и т.д. Для разгадки “что есть что” требуется проводить настоящую экспертизу, ведь по одному маркировочному коду без дополнительной информации очень трудно идентифицировать тип ЭРЭ. С момента появления первых SMD-приборов прошло более 20 лет.
Несмотря на все попытки стандартизации, фирмы-изготовители до сих пор упорно изобретают все новые разновидности SMD-корпусов и бессистемно присваивают своим элементам маркировочные коды.
Материал в тему: прозвон транзистора своими руками.
Полбеды, что наносимые символы даже близко не напоминают наименование ЭРЭ, – хуже всего, что имеются случаи “плагиата”, когда одинаковые коды присваивают функционально разным приборам разных фирм.
Тип | Наименование ЭРЭ | Зарубежное название |
A1 | Полевой N-канальный транзистор | Feld-Effect Transistor (FET), N-Channel |
A2 | Двухзатворный N-канальный полевой транзистор | Tetrode, Dual-Gate |
A3 | Набор N-канальных полевых транзисторов | Double MOSFET Transistor Array |
B1 | Полевой Р-канальный транзистор | MOS, GaAs FET, P-Channel |
D1 | Один диод широкого применения | General Purpose, Switching, PIN-Diode |
D2 | Два диода широкого применения | Dual Diodes |
D3 | Три диода широкого применения | Triple Diodes |
D4 | Четыре диода широкого применения | Bridge, Quad Diodes |
E1 | Один импульсный диод | Rectifier Diode |
E2 | Два импульсных диода | Dual |
E3 | Три импульсных диода | Triple |
E4 | Четыре импульсных диода | Quad |
F1 | Один диод Шоттки | AF-, RF-Schottky Diode, Schottky Detector Diode |
F2 | Два диода Шоттки | Dual |
F3 | Три диода Шоттки | Tripple |
F4 | Четыре диода Шоттки | Quad |
K1 | “Цифровой” транзистор NPN | Digital Transistor NPN |
K2 | Набор “цифровых” транзисторов NPN | Double Digital NPN Transistor Array |
L1 | “Цифровой” транзистор PNP | Digital Transistor PNP |
L2 | Набор “цифровых” транзисторов PNP | Double Digital PNP Transistor Array |
L3 | Набор “цифровых” транзисторов | PNP, NPN | Double Digital PNP-NPN Transistor Array |
N1 | Биполярный НЧ транзистор NPN (f < 400 МГц) | AF-Transistor NPN |
N2 | Биполярный ВЧ транзистор NPN (f > 400 МГц) | RF-Transistor NPN |
N3 | Высоковольтный транзистор NPN (U > 150 В) | High-Voltage Transistor NPN |
N4 | “Супербета” транзистор NPN (г“21э > 1000) | Darlington Transistor NPN |
N5 | Набор транзисторов NPN | Double Transistor Array NPN |
N6 | Малошумящий транзистор NPN | Low-Noise Transistor NPN |
01 | Операционный усилитель | Single Operational Amplifier |
02 | Компаратор | Single Differential Comparator |
P1 | Биполярный НЧ транзистор PNP (f < 400 МГц) | AF-Transistor PNP |
P2 | Биполярный ВЧ транзистор PNP (f > 400 МГц) | RF-Transistor PNP |
P3 | Высоковольтный транзистор PNP (U > 150 В) | High-Voltage Transisnor PNP |
P4 | “Супербета” транзистор PNP (п21э > 1000) | Darlington Transistor PNP |
P5 | Набор транзисторов PNP | Double Transistor Array PNP |
P6 | Набор транзисторов PNP, NPN | Double Transistor Array PNP-NPN |
S1 | Один сапрессор | Transient Voltage Suppressor (TVS) |
S2 | Два сапрессора | Dual |
T1 | Источник опорного напряжения | “Bandgap”, 3-Terminal Voltage Reference |
T2 | Стабилизатор напряжения | Voltage Regulator |
T3 | Детектор напряжения | Voltage Detector |
U1 | Усилитель на полевых транзисторах | GaAs Microwave Monolithic Integrated Circuit (MMIC) |
U2 | Усилитель биполярный NPN | Si-MMIC NPN, Amplifier |
U3 | Усилитель биполярный PNP | Si-MMIC PNP, Amplifier |
V1 | Один варикап (варактор) | Tuning Diode, Varactor |
V2 | Два варикапа (варактора) | Dual |
Z1 | Один стабилитрон | Zener Diode |
Зарубежная маркировка SMD
В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.
Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.
Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.
Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.
Интересно почитать: что такое биполярные транзисторы.
Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.
Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.
Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.
Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACh2G и ACHT1G.
Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.
Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.
Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.
Материал в тему: как проверить полевой транзистор.
Самые длинные названия применяют:
- американская фирма Motorola,
- японская Seiko Instruments
- тайваньская Pan Jit.
Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. | Код | Тип | ЭРЭ | Фирма | Рис. |
7E | MUN5215DW1T1 | K2 | MO | 2Q | |||||
11 | MUN5311DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7F | MUN5216DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | MUN5312DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7G | MUN5230DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
12 | INA-12063 | U2 | HP | 2Q | 7H | MUN5231DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
13 | MUN5313DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7J | MUN5232DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
14 | MUN5314DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7K | MUN5233DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
15 | MUN5315DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7L | MUN5234DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
16 | MUN5316DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 7M | MUN5235DW1T1 | K2 | MO | 2Q |
1С | BC847S | N5 | SI | 2Q | 81 | MGA-81563 | U1 | HP | 2Q |
1P | BC847PN | P6 | SI | 2Q | 82 | INA-82563 | U1 | HP | 2Q |
31 | MUN5331DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 86 | INA-86563 | U1 | HP | 2Q |
32 | MUN5332DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 87 | INA-87563 | U1 | HP | 2Q |
33 | MUN5333DW1T1 | L3 | MO | 2Q | 91 | IAM-91563 | U1 | HP | 2Q |
34 | MUN5334DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A2 | MBT3906DW1T1 | P5 | MO | 2Q |
35 | MUN5335DW1T1 | L3 | MO | 2Q | A3 | MBT3906DW9T1 | P5 | MO | 2Q |
36 | ATF-36163 | A1 | HP | 2Q | A4 | BAV70S | E4 | SI | 2Q |
3C | BC857S | P5 | SI | 2Q | E6 | MDC5001T1 | U3 | MO | 2Q |
3X | MUN5330DW1T1 | L3 | MO | 2Q | H5 | MBD770DWT1 | F2 | MO | 2Q |
46 | MBT3946DW1T1 | P6 | MO | 2Q | II | AT-32063 | N2 | HP | 2Q |
51 | INA-51063 | U2 | HP | 2Q | M1 | CMY200 | U1 | SI | 2R |
52 | INA-52063 | U2 | HP | 2Q | M4 | MBD110DWT1 | F2 | MO | Q |
54 | INA-54063 | U2 | HP | 2Q | M6 | MBF4416DW1T1 | A3 | MO | 2Q |
6A | MUN5111DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MA | MBT3904DW1T1 | N5 | MO | 2Q |
6B | MUN5112DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MB | MBT3904DW9T1 | N5 | MO | 2Q |
6C | MUN5113DW1T1 | L2 | MO | 2Q | MC | BFS17S | N5 | SI | 2Q |
6D | MBF5457DW1T1 | A3 | MO | 2Q | RE | BFS480 | N5 | SI | 2Q |
6D | MUN5114DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RF | BFS481 | N5 | SI | 2Q |
6E | MUN5115DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RG | BFS482 | N5 | SI | 2Q |
6F | MUN5116DW1T1 | L2 | MO | 2Q | RH | BFS483 | N5 | SI | 2Q |
6G | MUN5130DW1T1 | L2 | MO | 2Q | T4 | MBD330DWT1 | F2 | MO | 2Q |
6H | MUN5131DW1T1 | L2 | MO | 2Q | W1 | BCR10PN | L3 | SI | 2Q |
6J | MUN5132DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WC | BCR133S | K2 | SI | 2Q |
6K | MUN5133DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WF | BCR08PN | L3 | SI | 2Q |
6L | MUN5134DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WK | BCR119S | K2 | SI | 2Q |
6M | MUN5135DW1T1 | L2 | MO | 2Q | WM | BCR183S | K2 | SI | 2Q |
7A | MUN5211DW1T1 | K2 | MO | 2Q | WP | BCR22PN | L3 | SI | 2Q |
7B | MUN5212DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y2 | CLY2 | A1 | SI | 2R |
7C | MUN5213DW1T1 | K2 | MO | 2Q | 6s | CGY60 | U1 | SI | 2R |
7D | MUN5214DW1T1 | K2 | MO | 2Q | Y7s | CGY62 | U1 | SI | 2R |
Заключение
Рейтинг автора
Автор статьи
Инженер по специальности «Программное обеспечение вычислительной техники и автоматизированных систем», МИФИ, 2005–2010 гг.
Написано статей
Информация о маркировочных кодах, содержащаяся в литературе, требует критического подхода и осмысления. К сожалению, красиво оформленный каталог с безукоризненной полиграфией не гарантируют от опечаток, ошибок, разночтений и противоречий, поэтому исходите из данных, что приведены в справочнике о маркировке радиоэлементов.
В заключение хотелось бы поблагодарить источники, которые были использованы для подбора материала к данной статье:
www.mp16.ru
www.rudatasheet.ru
www.texnic.ru
www.solo-project.com
www.ra4a.narod.ru
ПредыдущаяПолупроводникиЧто такое биполярный транзистор
СледующаяПолупроводникиSMD транзисторы
Маркировка SMD транзисторов
- Подробности
- Категория: Справочные данные
- Опубликовано 05.06.2015 14:43
- Автор: Admin
- Просмотров: 36702
Для обозначения SMD транзисторов используется специальная сокращенная кодировка. Тип транзистор соответствующий определенному обозначению на SMD корпусе приведет в таблице ниже.
Маркировка биполярный SMD транзисторов
Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
15 | MMBT3960 | 2N3960 |
1A | BC846A | BC546A |
1B | BC846B | BC546B |
1C | MMBTA20 | MPSA20 |
1D | BC846 | — |
1E | BC847A | BC547A |
1F | BC847B | BC547B |
1G | BC847C | BC547C |
1H | BC847 | — |
1J | BC848A | BC548A |
1K | BC848B | BC548B |
1L | BC848C | BC548C |
1M | BC848 | — |
1P | FMMT2222A | 2N2222A |
1T | MMBT3960A | 2N3960A |
1X | MMBT930 | — |
1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
2A | FMMT3906 | 2N3906 |
2B | BC849B | BC549B |
2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
2E | FMMTA93 | — |
2F | BC850B | BC550B |
2G | BC550C | |
2J | MMBT3640 | 2N3640 |
2K | MMBT8598 | — |
2M | MMBT404 | — |
2N | MMBT404A | — |
2T | MMBT4403 | 2N4403 |
2W | MMBT8599 | — |
2X | MMBT4401 | 2N4401 |
3A | BC856A | BC556A |
3B | BC856B | BC556B |
3D | BC856 | — |
3E | BC857A | BC557A |
3F | BC857B | BC557B |
3G | BC857C | BC557C |
3J | BC858A | BC558A |
3K | BC858B | BC558B |
3L | BC858C | BC558C |
3S | MMBT5551 | — |
4A | BC859A | BC559A |
4B | BC859B | BC559B |
4C | BC859C | BC559C |
4E | BC860A | BC560A |
4F | BC860B | BC560B |
4G | BC860C | BC560C |
4J | FMMT38A | — |
449 | FMMT449 | — |
489 | FMMT489 | — |
491 | FMMT491 | — |
493 | FMMT493 | — |
5A | BC807-16 | BC327-16 |
5B | BC807-25 | BC327-25 |
5C | BC807-40 | BC327-40 |
5E | BC808-16 | BC328-16 |
5F | BC808-25 | BC328-25 |
5G | BC808-40 | BC328-40 |
549 | FMMT549 | — |
589 | FMMT589 | — |
591 | FMMT591 | — |
593 | FMMT593 | — |
6A | BC817-16 | BC337-16 |
6B | BC817-25 | BC337-25 |
6C | BC817-40 | BC337-40 |
6E | BC818-16 | BC338-16 |
6F | BC818-25 | BC338-25 |
6G | BC818-40 | BC338-40 |
9 | BC849BLT1 | — |
AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
AB | BCW60B | — |
AC | BCW60C | BC548B |
AD | BCW60D | — |
AE | BCX52 | — |
AG | BCX70G | — |
AH | BCX70H | — |
AJ | BCX70J | — |
AK | BCX70K | — |
AL | MMBTA55 | — |
AM | BSS64 | 2N3638 |
AS1 | BST50 | BSR50 |
B2 | BSV52 | 2N2369A |
BA | BCW61A | BC635 |
BB | BCW61B | — |
BC | BCW61C | — |
BD | BCW61D | — |
BE | BCX55 | — |
BG | BCX71G | — |
BH | BCX71H | BC639 |
BJ | BCX71J | — |
BK | BCX71K | — |
BN | MMBT3638A | 2N3638A |
BR2 | BSR31 | 2N4031 |
C1 | BCW29 | — |
C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
C5 | MMBA811C5 | — |
C6 | MMBA811C6 | — |
C7 | BCF29 | — |
C8 | BCF30 | — |
CE | BSS79B | — |
CEC | BC869 | BC369 |
CF | BSS79C | — |
CH | BSS82B / BSS80B | — |
CJ | BSS80C | — |
CM | BSS82C | — |
D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
D6 | MMBC1622D6 | — |
D7 | BCF32 | — |
D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
DA | BCW67A | — |
DB | BCW67B | — |
DC | BCW67C | — |
DE | BFN18 | — |
DF | BCW68F | — |
DG | BCW68G | — |
DH | BCW68H | — |
E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
EA | BCW65A | — |
EB | BCW65B | — |
EC | BCW65C | — |
ED | BCW65C | — |
EF | BCW66F | — |
EG | BCW66G | — |
EH | BCW66H | — |
F1 | MMBC1009F1 | — |
F3 | MMBC1009F3 | — |
FA | BFQ17 | BFW16A |
FD | BCV26 | MPSA64 |
FE | BCV46 | MPSA77 |
FF | BCV27 | MPSA14 |
FG | BCV47 | MPSA27 |
GF | BFR92P | — |
h2 | BCW69 | — |
h3 | BCW70 | BC557B |
h4 | BCW89 | — |
H7 | BCF70 | — |
K1 | BCW71 | BC547A |
K2 | BCW72 | BC547B |
K3 | BCW81 | — |
K4 | BCW71R | — |
K7 | BCV71 | — |
K8 | BCV72 | — |
K9 | BCF81 | — |
L1 | BSS65 | — |
L2 | BSS70 | — |
L3 | MMBC1323L3 | — |
L4 | MMBC1623L4 | — |
L5 | MMBC1623L5 | — |
L6 | MMBC1623L6 | — |
L7 | MMBC1623L7 | — |
M3 | MMBA812M3 | — |
M4 | MMBA812M4 | — |
M5 | MMBA812M5 | — |
M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
M7 | MMBA812M7 | — |
O2 | BST82 | — |
P1 | BFR92 | BFR90 |
P2 | BFR92A | BFR90 |
P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
Q3 | MMBC1321Q3 | — |
Q4 | MMBC1321Q4 | — |
Q5 | MMBC1321Q5 | — |
R1 | BFR93 | BFR91 |
R2 | BFR93A | BFR91 |
S1A | SMBT3904 | — |
S1D | SMBTA42 | — |
S2 | MMBA813S2 | — |
S2A | SMBT3906 | — |
S2D | SMBTA92 | — |
S2F | SMBT2907A | — |
S3 | MMBA813S3 | — |
S4 | MMBA813S4 | — |
T1 | BCX17 | BC327 |
T2 | BCX18 | — |
T7 | BSR15 | 2N2907A |
T8 | BSR16 | 2N2907A |
U1 | BCX19 | BC337 |
U2 | BCX20 | — |
U7 | BSR13 | 2N2222A |
U8 | BSR14 | 2N2222A |
U9 | BSR17 | — |
U92 | BSR17A | 2N3904 |
Z2V | FMMTA64 | — |
ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Маркировка полевых SMD транзисторов
Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
6A | MMBF4416 | C92 | SST4392 |
6B | MMBF5484 | C93 | SST4393 |
6C | MMBFU310 | h26 | SST4416 |
6D | MMBF5457 | I08 | SST108 |
6E | MMBF5460 | I09 | SST109 |
6F | MMBF4860 | I10 | SST110 |
6G | MMBF4393 | M4 | BSR56 |
6H | MMBF5486 | M5 | BSR57 |
6J | MMBF4391 | M6 | BSR58 |
6K | MMBF4932 | P01 | SST201 |
6L | MMBF5459 | P02 | SST202 |
6T | MMBFJ310 | P03 | SST203 |
6W | MMBFJ175 | P04 | SST204 |
6Y | MMBFJ177 | S14 | SST5114 |
B08 | SST6908 | S15 | SST5115 |
B09 | SST6909 | S16 | SST5116 |
B10 | SST6910 | S70 | SST270 |
C11 | SST111 | S71 | SST271 |
C12 | SST112 | S74 | SST174 |
C13 | SST113 | S75 | SST175 |
C41 | SST4091 | S76 | SST176 |
C42 | SST4092 | S77 | SST177 |
C43 | SST4093 | TV | MMBF112 |
C59 | SST4859 | Z08 | SST308 |
C60 | SST4860 | Z09 | SST309 |
C61 | SST4861 | Z10 | SST310 |
C91 | SST4391 |
МОП — транзисторы
Маркировка | Тип прибора | Маркировка | Тип прибора |
6Z | MMBF170 | V01 | VN50300T |
701 | 2N7001 | V02 | VN0605T |
702 | SN7002 | V04 | VN45350T |
SA | BSS123 | V0AJ | TP610T |
SS | BSS138 | V50 | VP0610T |
- < Назад
- Вперёд >
Добавить комментарий
Таблица SMD транзисторов
Таблица условных обозначений (маркировки) на корпусах SMD транзисторов для поверхностного монтажа, их тип и аналоги
Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
15 | MMBT3960 | 2N3960 |
1A | BC846A | BC546A |
1B | BC846B | BC546B |
1C | MMBTA20 | MPSA20 |
1D | BC846 | — |
1E | BC847A | BC547A |
1F | BC847B | BC547B |
1G | BC847C | BC547C |
1H | BC847 | — |
1J | BC848A | BC548A |
1K | BC848B | BC548B |
1L | BC848C | BC548C |
1M | BC848 | — |
1P | FMMT2222A | 2N2222A |
1T | MMBT3960A | 2N3960A |
1X | MMBT930 | — |
1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
2A | FMMT3906 | 2N3906 |
2B | BC849B | BC549B |
2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
2E | FMMTA93 | — |
2F | BC850B | BC550B |
2G | BC850C | BC550C |
2J | MMBT3640 | 2N3640 |
2K | MMBT8598 | — |
2M | MMBT404 | — |
2N | MMBT404A | — |
2T | MMBT4403 | 2N4403 |
2W | MMBT8599 | — |
2X | MMBT4401 | 2N4401 |
3A | BC856A | BC556A |
3B | BC856B | BC556B |
3D | BC856 | — |
3E | BC857A | BC557A |
3F | BC857B | BC557B |
3G | BC857C | BC557C |
3J | BC858A | BC558A |
3K | BC858B | BC558B |
3L | BC858C | BC558C |
3S | MMBT5551 | — |
4A | BC859A | BC559A |
4B | BC859B | BC559B |
4C | BC859C | BC559C |
4E | BC860A | BC560A |
4F | BC860B | BC560B |
4G | BC860C | BC560C |
4J | FMMT38A | — |
449 | FMMT449 | — |
489 | FMMT489 | — |
491 | FMMT491 | — |
493 | FMMT493 | — |
5A | BC807-16 | BC327-16 |
5B | BC807-25 | BC327-25 |
5C | BC807-40 | BC327-40 |
5E | BC808-16 | BC328-16 |
5F | BC808-25 | BC328-25 |
5G | BC808-40 | BC328-40 |
549 | FMMT549 | — |
589 | FMMT589 | — |
591 | FMMT591 | — |
593 | FMMT593 | — |
6A | BC817-16 | BC337-16 |
6B | BC817-25 | BC337-25 |
6C | BC817-40 | BC337-40 |
6E | BC818-16 | BC338-16 |
6F | BC818-25 | BC338-25 |
6G | BC818-40 | BC338-40 |
9 | BC849BLT1 | — |
AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
AB | BCW60B | — |
AC | BCW60C | BC548B |
AD | BCW60D | — |
AE | BCX52 | — |
AG | BCX70G | — |
AH | BCX70H | — |
AJ | BCX70J | — |
AK | BCX70K | — |
AL | MMBTA55 | — |
AM | BSS64 | 2N3638 |
AS1 | BST50 | BSR50 |
B2 | BSV52 | 2N2369A |
BA | BCW61A | BC635 |
BB | BCW61B | — |
BC | BCW61C | — |
BD | BCW61D | — |
BE | BCX55 | — |
BG | BCX71G | — |
BH | BCX71H | BC639 |
BJ | BCX71J | — |
BK | BCX71K | — |
BN | MMBT3638A | 2N3638A |
BR2 | BSR31 | 2N4031 |
C1 | BCW29 | — |
C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
C5 | MMBA811C5 | — |
C6 | MMBA811C6 | — |
C7 | BCF29 | — |
C8 | BCF30 | — |
CE | BSS79B | — |
CEC | BC869 | BC369 |
CF | BSS79C | — |
CH | BSS82B / BSS80B | — |
CJ | BSS80C | — |
CM | BSS82C | — |
D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
D6 | MMBC1622D6 | — |
D7 | BCF32 | — |
D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
DA | BCW67A | — |
DB | BCW67B | — |
DC | BCW67C | — |
DE | BFN18 | — |
DF | BCW68F | — |
DG | BCW68G | — |
DH | BCW68H | — |
E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
EA | BCW65A | — |
EB | BCW65B | — |
EC | BCW65C | — |
ED | BCW65C | — |
EF | BCW66F | — |
EG | BCW66G | — |
EH | BCW66H | — |
F1 | MMBC1009F1 | — |
F3 | MMBC1009F3 | — |
FA | BFQ17 | BFW16A |
FD | BCV26 | MPSA64 |
FE | BCV46 | MPSA77 |
FF | BCV27 | MPSA14 |
FG | BCV47 | MPSA27 |
GF | BFR92P | — |
h2 | BCW69 | — |
h3 | BCW70 | BC557B |
h4 | BCW89 | — |
H7 | BCF70 | — |
K1 | BCW71 | BC547A |
K2 | BCW72 | BC547B |
K3 | BCW81 | — |
K4 | BCW71R | — |
K7 | BCV71 | — |
K8 | BCV72 | — |
K9 | BCF81 | — |
L1 | BSS65 | — |
L2 | BSS70 | — |
L3 | MMBC1323L3 | — |
L4 | MMBC1623L4 | — |
L5 | MMBC1623L5 | — |
L6 | MMBC1623L6 | — |
L7 | MMBC1623L7 | — |
M3 | MMBA812M3 | — |
M4 | MMBA812M4 | — |
M5 | MMBA812M5 | — |
M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
M7 | MMBA812M7 | — |
O2 | BST82 | — |
P1 | BFR92 | BFR90 |
P2 | BFR92A | BFR90 |
P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
Q3 | MMBC1321Q3 | — |
Q4 | MMBC1321Q4 | — |
Q5 | MMBC1321Q5 | — |
R1 | BFR93 | BFR91 |
R2 | BFR93A | BFR91 |
S1A | SMBT3904 | — |
S1D | SMBTA42 | — |
S2 | MMBA813S2 | — |
S2A | SMBT3906 | — |
S2D | SMBTA92 | — |
S2F | SMBT2907A | — |
S3 | MMBA813S3 | — |
S4 | MMBA813S4 | — |
T1 | BCX17 | BC327 |
T2 | BCX18 | — |
T7 | BSR15 | 2N2907A |
T8 | BSR16 | 2N2907A |
U1 | BCX19 | BC337 |
U2 | BCX20 | — |
U7 | BSR13 | 2N2222A |
U8 | BSR14 | 2N2222A |
U9 | BSR17 | — |
U92 | BSR17A | 2N3904 |
Z2V | FMMTA64 | — |
ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.
Тип прибора |
маркировка | структ. код п/п | аналог (прибл.) | Краткие параметры | |
---|---|---|---|---|---|
Типов. |
Рев. | ||||
ВА316 | А6 | Si-Di | BAW62, 1N4148 | Min, S, 85V, 0.1A, <6ns | |
BAS17 | А91 | Si-St | ВА314 | Min, Stabi, 0.75…0.83V/10mA | |
ВА319 | А8 | Si-Di | BAV19 | Min, S, Uni, 120V, 0.2A, <5ms | |
BAS20 | А81 | Si-Di | BAV20 | Min, S, Uni, 200V, 0.2A, <5ms | |
BAS21 | А82 | Si-Di | BAV21 | Min, S, Uni, 250V, 0.2A, <5ms | |
BAS29 | L20 | Si-Di | BAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
BAS31 | L21 | Si-Di | 2XBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
BAS35 | L22 | Si-Di | 2xBAX12 | Min, S, Uni, 300V, 0.25A, <4ms | |
ВАТ17 | A3 | Pin-Di | BA480 | VHF/UHF-Band-S, 4V, 30mA, 200MHz | |
ВАТ18 | А2 | Pin-Di | BA482 | VHF/UHF-Band-S, 35V, 0.1A, 200MHz | |
BAV70 | А4 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
BAV99 | А7 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, 70V, 0.1A, <6ns | |
BAW56 | А1 | Si-Di | 2xBAW62 1N4148 | Min, Dual, S, 70V, 0.1A, <6ns | |
BBY31 | 81 | C-Di | BB405, BB609 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=1.8 — 2.8pF | |
BBY40 | S2 | C-Di | BB809 | UHF-Tuning, 28V, 20mA, Cd=4.3-6pF | |
ВС807-16 | 5A | 5AR | Si-P | BC327-16 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
ВС807-25 | 5В | 5BR | Si-P | BC327-25 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
ВС807-40 | 5С | 5CR | Si-P | BC327-40 | Min, NF-Tr, 45V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
ВС808-16 | 5Е | 5ER | Si-P | BC328-16 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 100-250 |
ВС808-25 | 5F | 5FR | Si-P | BC328-25 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 160-400 |
BC808-40 | 5G | 5GR | Si-P | BC328-40 | Min, NF-Tr, 25V, 0.5A, 100MHz, B= 250-600 |
BC817-16 | 6A | 6AR | Si-N | BC337-16 | Min, NF-Tr, 5V, 0.5A, 200MHz, B= 100-250 |
BC846B | 1В | 1BR | Si-N | BC546B | Min, Uni, 80V, 0.1A, 300MHz |
BC847A | 1E | 1ER | Si-N | BC547A, BC107A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
BC847B | 1F | 1FR | Si-N | BC547B, BC107B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC847C | 1G | 1GR | Si-N | BC547C, BC107C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC848A | U | 1JR | Si-N | BC548A, BC108A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 110-220 |
BC848B | 1K | 1KR | Si-N | BC548B, BC108B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC848C | 1L | 1LR | Si-N | BC548C, BC108C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC849B | 2В | 2BR | Si-N | BC549B, ВС108В | Min, Uni, ra 30V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC849C | 2С | 2CR | Si-N | BC549C, BC109C | Min, Uni, ra, 30V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC850B | 2F | 2PR | Si-N | BC550B, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 200-450 |
BC850C | 2G | 2GR | Si-N | BC550C, BCY59 | Min, Uni, ra, 45V, 0.1A, 300MHz, B= 420-800 |
BC856A | ЗА | 3AR | Si-P | BC556A | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
BC856B | 3В | 3BR | Si-P | BC556B | Min, Uni, 65V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
BC857A | ЗЕ | 3ER | Si-P | BC557A, BC177A | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 125-250 |
BC857B | 3F | 3FR | Si-P | BC557B, BC177B | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС857С | 3G | 3GR | Si-P | BC557C | Min, Uni, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
ВС858А | 3J | 3JR | Si-P | BC558A, BC178A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 125-250 |
ВС858В | ЗК | 3KR | Si-P | BC558B, BC178B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 220-475 |
ВС858С | 3L | 3LR | Si-P | BC558C | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz B= 420-800 |
ВС859А | 4А | 4AR | Si-P | BC559A, BC179A, BCY78 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
ВС859В | 4В | 4BR | Si-P | BC559B, BCY79 | Min, Uni, rа,30V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС859С | 4С | 4CR | Si-P | BC559C, BCY79 | Min, Uni, га, 30V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
ВС860А | 4Е | 4ER | Si-P | BC560A, BCY79 | 45V, 0.1A, 150MHz, B= 150 |
ВС860В | 4F | 4FR | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 220-475 |
ВС860С | 4G | 4GR | Si-P | BC560C, BCY79 | Min, Uni, га, 45V, 0.1A, 150MHz, B= 420-800 |
BCF29 | С7 | С77 | Si-P | BC559A, BCY78, BC179 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
BCF30 | С8 | С9 | Si-P | BC559B, BCY78 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 150MHz, |
BCF32 | 07 | 077 | Si-N | BC549B, BCY58, BC109 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
BCF33 | D8 | D81 | Si-N | BC549C, BCY58 | Min, NF-V, га, 32V, 0.1A, 300MHz, |
BCF70 | Н7 | Н71 | Si-P | BC560B, BCY79 | Min, NF-V, га, 50V, 0.1A, 1500MHz, |
BCF81 | К9 | К91 | Si-N | BC550C | Min, NF-V, 50V, 0.1A, 300MHz, га |
BCV71 | К7 | К71 | Si-N | BC546A | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=110-220 |
BCV72 | К8 | К81 | Si-N | BC546B | NF/S, 80V,0.1A, 300MHz, B=200-450 |
BCW29 | С1 | С4 | Si-P | BC178A, BC558A | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, B= >120 |
BCW30 | С2 | С5 | Si-P | BC178B, BC558B | Min, Uni, 30V, 0.1A, 150MHz, В= >215 |
BCW31 | D1 | D4 | Si-N | ВС108А,ВС548А | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, В= >110 |
BCW32 | 02 | D5 | Si-N | ВС108В, ВС548 | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >200 |
BCW33 | D3 | 06 | Si-N | ВС108С, ВС548С | Min, Uni, 30V, 0.1A, 300MHz, B= >420 |
BCW60A | АА | Si-N | ВС548А | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 110-220 | |
BCW60B | АВ | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, S= 200-450 | |
BCW60C | АС | Si-N | ВС548В | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 420-600 | |
BCW60D | AD | Si-N | ВС548С | Min, Uni, 32V, 0.1A, 250MHz, B= 620-800 | |
BCW61A | ВА | Si-P | BC558A | Min, Uni, 32V, 0.2A, 180MHz, B= 110-220 | |
BCW61B | ВВ | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
BCW61C | ВС | Si-P | BC558B | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
BCW61D | BD | Si-P | BC558C | Min, Uni, 32V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
BCW69 | Н1 | Н4 | Si-P | ВС557А | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
BCW70 | Н2 | Н5 | Si-P | ВС557В | Min, Uni, 50V, 0.1A, 150MHz, B>215 |
BCW71 | К1 | К4 | Si-N | ВС547А | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>110 |
BCW72 | К2 | К5 | Si-N | ВС 547В | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>200 |
BCW81 | КЗ | К31 | Si-N | ВС547С | Min, NF, 50V, 0.1A, 300MHz, B>420 |
BCW89 | НЗ | Н31 | Si-P | ВС556А | Min, Uni, 80V, 0.1A, 150MHz, B>120 |
BCX17 | Т1 | Т4 | Si-P | ВС327 | Min, NF-Tr, 50V,0.5A, 100MHz |
BCX18 | Т2 | Т5 | Si-P | ВС328 | Min, NF-Tr, 30V.0.5A, 100MHz |
BCX19 | U1 | U4 | Si-N | BC337 | Min, NF-Tr, 50V.0.5A, 200MHz |
BCX20 | U2 | U5 | Si-N | ВС 33 8 | Min, NF-Tr, 30V,0.5A, 200MHz |
BCX70G | AG | Si-N | BC107A, BC547A | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 110-220 | |
BCX70H | AH | Si-N | ВС 107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 200-450 | |
BCX70J | AJ | Si-N | ВС107В, BC547B | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 420-620 | |
BCX70K | AK | Si-N | ВС107С, BC547C | Min, Uni, 45V, 0.2A, 250MHz, B= 600-800 | |
BCX71G | BG | Si-P | ВС177А, BC557A | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 125-250 | |
BCX71H | BH | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 220-475 | |
BCX71J | BJ | Si-P | ВС 177В, BC557B | Min, Uni, 45V, 0.2A,180MHz, B= 420-650 | |
BCX71K | BK | Si-P | ВС557С | Min, Uni, 45V, 0.2A.180MHz, B= 620-800 | |
BF510 | S6 | N-FET | BF410A | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 0.7-3mA, Vp= 0.8V | |
BF511 | S7 | N-FET | BF410B | Min, VHF-ra, 20V, !dss= 2.5-7mA, Vp= 1.5V | |
BF512 | S8 | N-FET | BF410C | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 6-12mA, Vp= 2.2V | |
BF513 | S9 | N-FET | BF410D | Min, VHF-ra, 20V, ldss= 10-18mA, Vp= 3V | |
BF536 | G3 | SI-P | BF936 | Min, VHF-M/0, 30V, 25mA, 350MHz | |
BF550 | G2 | G5 | Si-P | BF450 | Min, HF/ZF, 40V, 25mA, 325MHz |
BF569 | G6 | Si-P | BF970 | Min, UHF-M/0, 40V, 30mA, 900MHz | |
BF579 | G7 | Si-P | BF979 | Min, VHF/UHF, 20V, 25mA, 1.35GHZ | |
BF660 | G8 | G81 | Si-P | BF606A | Min, VHF-0, 40V, 25mA, 650MHz |
BF767 | G9 | Si-P | BF967 | Min, VHF/YHF-ra, 30V,20mA,900MHz | |
BF820 | S-N | BF420 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | ||
BF821 | 1W | Si-P | BF421 | Min, Vid, 300V, 25-50mA, >60MHz | |
BF822 | 1Х | Si-N | BF422 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
BF823 | 1Y | Si-P | BF423 | Min, Vid, 250V, 25-50mA, >60MHz | |
BF824 | F8 | Si-P | BF324 | Min, FM-V, 30V, 25mA, 450MHz | |
BF840 | F3 | Si-N | BF240 | Min, Uni, 15V, 0 1A, 0.3W,>90MHz | |
BF841 | F31 | SI-N | BF241 | Min, AM/FM-ZF, 40V,25mA, 400MHz | |
BFR30 | М1 | N-FET | BFW-11, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>4mA, YP<5V | |
BFR31 | М2 | N-FET | BFW12, BF245 | Min, Uni, 25V, ldss>1mA, YP<2 5V | |
BFR53 | N1 | N4 | Si-N | BFW30, BFW93 | Min, YNF-A, 18V, 50mA, 2GHz |
BFR92 | Р1 | Р4 | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFR92A | Р2 | РЬ | Si-N | BFR90 | Min, YHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFR93 | R1 | R4 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
BFR93A | R2 | R5 | Si-N | BFR91 | Min, YHF-A, 15V, 35mA, 5-6GHz |
BFS17, (BFS17A) | Е1 (Е2) | Е4 (F5) | Si-N | BFY90, BFW92(A) | Min, VHP/YHF, 25V, 25mA, 1-2GHz |
BFS18 | F1 | F4 | Si-N | BF185, BF495 | Min, HF, 30V, 30mA, 200MHz |
BFS19 | F2 | F5 | Si-N | BF184, BF494 | Min, HF, 30V, 30mA, 260MHz |
BFS20 | G1 | G4 | Si-N | BF199 | Min, HF, 30V, 30mA,450MHz |
BFT25 | V1 | V4 | Si-N | BFT24 | Min, UHF-A, 8v, 2.5mA, 2.3GHZ |
BFT46 | МЗ | NFT | BFW13, BF245 | Min, NF/HF, 25V, ldss>0.2mA, Up<1.2V | |
BFT92 | W1 | W4 | Si-P « | BFQ51, BFQ52 | Min, UHF-A, 20V, 25mA, 5GHz |
BFT93 | Х1 | Х4 | Si-P | BFQ23, BFQ24 | Min, UHF-A, 15V,35mA, 5GHz |
BRY61 | А5 | BYT | BRY56 | 70V | |
BRY62 | А51 | Tetrode | BRY56, BRY39 | Tetrode, Min, 70V, 0.175A | |
BSR12 | B5 | В8 | Si-P | 2N2894A | Min, S, 15V,0.1A,>1.5GHz <20/30ns |
BSR13 | U7 | U71 | Si-N | 2N2222, Ph3222 | Min, HF/S, 60V, 0.8A, <35/285ns |
BSR14 | U8 | U81 | Si-N | 2N2222A, Ph3222A | Min, HF/S, 75V, 0.8A, <35/285ns |
BSR15 | T7 | T71 | Si-P | 2N2907, Ph3907 | Min, HF/S, 60/40V, 0.6A, <35/110ns |
BSR16 | T8 | T81 | Si-P | 2N2907A, Ph3907A | Min, HF/S, 60/60V, 0.6A, <35/110ns |
BSR17 | U9 | U91 | Si-N | 2N3903 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/250ns, B-50-150 |
BSR17A | U92 | U93 | Si-N | 2N3904 | Min, HF/S, 60V, 0.2A, <70/225ns, B= 100-300 |
BSR18 | T9 | T91 | Si-P | 2N3905 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 200MHz |
BSR18A | T92 | T93 | Si-P | 2N3906 | Min, HF/S, 40V, 0.2A, 250MHz |
BSR19 | U35 | Si-N | 2N5550 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
BSR19A | U36 | Si-N | 2N5551 | Min, HF/S, 180V, 0.6A, >100MHz | |
BSR20 | T35 | Si-P | 2N5400 | Min, HF/S, 130V, 0.6A, >100MHz | |
BSR20A | T36 | Si-P | 2N5401 | Min, HF/S, 160V, 0.6A, >100MHz | |
BSR56 | M4 | N-FET | 2N4856 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >40mA, Up <10V | |
BSR57 | M5 | N-FET | 2N4857 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >20mA, Up <6V | |
BSR58 | M6 | N-FET | 2N4858 | Min, S, Chopper, 40V, Idss >8mA, Up <4V | |
BSS63 | T3 | T6 | Si-P | BSS68 | Min, Uni, 110V, 0.1A, 85MHz |
BSS64 | U3 | U6 | Si-N | BSS38 | Min, Uni, 120V, 0.1A, 100MHz |
BSV52 | B2 | B3 | Si-N | Ph3369, BSX20 | Min, S, 20V, 0.1A, <12/18ns |
BZX84-… | см.пр им. | Si-St | BZX79 | Min, Min/Vrg Uz= 2.4-75V, P=0.3W | |
PBMF4391 | M62 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 50mA, Up= 10V | |
PBMF4392 | M63 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 25mA, Up= 5V | |
PBMF4393 | M64 | N-FET | — | Min, 40V, ldss= 5mA, Up= 3V |
Поиск SMD компонентов по маркировке — DataSheet
Рис. 1 Слева направо: биполярный транзистор в корпусе SOT-23, танталовый конденсатор на 2.2 мкФ, керамический конденсатор и резистор 82 Ома.SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.
Перейти к онлайн поиску SMD компонентов по маркировке
Сопротивление резисторов с цветовой маркировкой можно определить, воспользовавшись онлайн калькулятором.
Маркировка SMD резисторов
SMD резисторы с допусками 5% и 2% маркируются следующим кодом из трех символов:
Сопротивление | Код |
0 Ом (перемычка) | 000 |
от 1 Ома до 9.1 Ома | XRX (например 9R1) |
от 10 Ом до 91 Ома | XXR (например 91R) |
A — первая цифра в значении сопротивления резистора
B — вторая цифра в значении сопротивления резистора
С — количество нулей
Код | Сопротивление |
101 | 100 Ом |
471 | 470 Ом |
102 | 1 кОм |
122 | 1.2 кОм |
103 | 10 кОм |
123 | 12 кОм |
104 | 100 кОм |
124 | 120 кОм |
474 | 470 кОм |
SMD резисторы с допуском 1% маркируются четырьмя символами.
Сопротивление | Код |
от 100 Ом до 988 Ом | XXXR |
от 1 кОм до 1 МОм | XXXX |
A — первая цифра в значении сопротивления резистора
B — вторая цифра в значении сопротивления резистора
С — третья цифра в значении сопротивления резистора
D — количество нулей
Код | Сопротивление |
100R | 100 Ом |
634R | 634 Ома |
909R | 909 Ом |
1001 | 1 кОм |
4701 | 4.7 кОм |
1002 | 10 кОм |
1502 | 15 кОм |
5493 | 549 кОм |
1004 | 1 мОм |
Маркировка SMD конденсаторов
Первая и вторая позиция значащие цифры значении емкости конденсатора. Третья — количество нулей. Общее значение дает емкость в пФ. К примеру емкость конденсатора, изображенного на рисунке выше 4700000 пФ или 4.7 мкФ.
Также применяется система маркировки из двух символов. Первый — буква, представляющая числовое значение; второй символ — множитель (степень десяти). Общее значение дает емкость в пФ.
Буква | A | B | C | D | E | F | G | H | J | K | a | L |
Значение | 1.0 | 1.1 | 1.2 | 1.3 | 1.5 | 1.6 | 1.8 | 2.0 | 2.2 | 2.4 | 25 | 2.7 |
Буква | M | N | b | P | Q | d | R | e | S | f | T | U |
Значение | 3.0 | 3.3 | 3.5 | 3.6 | 3.9 | 4.0 | 4.3 | 4.5 | 4.7 | 5.0 | 5.1 | 5.6 |
Буква | m | V | W | n | X | t | Y | y | Z | |||
Значение | 6.0 | 6.2 | 6.8 | 7.0 | 7.5 | 8.0 | 8.2 | 9.0 | 9.1 |
Цифра | 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 |
Множитель | 100 | 101 | 102 | 103 | 104 | 105 | 106 | 107 | 108 | 10-1 |
К примеру A5 = 1.0 x 105 = 100,000 пФ = 0.1 мкФ, или f9 = 5.0 x 10-1 = 0.5 пФ
Для танталовых конденсаторов часто первым символом указывается напряжение в соответствии с таблицей.
Напряжение (вольт) | 4 | 6.3 | 10 | 16 | 20 | 25 | 35 | 50 |
Код | G | J | A | C | D | E | V | H |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
SMD коды Wxx
Расшифровка диодов, стабилитронов, транзисторов в SMD типе кодов Wxx с их кратким описанием…
Код | Наименование | Фирма | Корпус | Цоколевка | Эквивалент/Краткое описание |
Диоды, стабилитроны | |||||
W74 | BAW74 | Zetex | SOT23 | D1j | dual hi speed sw diode 50V 0.15A |
WA | SMZG3789A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 10V 10% |
WB | SMZG3789B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 10V 5% |
WC | SMZG3790A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 11V 10% |
WD | SMZG3790B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 11V 5% |
WE | SMZG3791A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 12V 10% |
WF | SMZG3791B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 12V 5% |
WG | SMZG3792A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 13V 10% |
WH | SMZG3792B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 13V 5% |
WI | SMZG3793A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 15V 10% |
WJ | SMZG3793B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 15V 5% |
WK | SMZG3794A | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 16V 10% |
WL | SMZG3794B | GenSemi | SMB | D7 | zener 1.5W 16V 5% |
WO | BZX284-B2V4 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 2.4V E24 ±2% |
WP | BZX284-B2V7 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 2.7V E24 ±2% |
WQ | BZX284-B3V0 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.0V E24 ±2% |
WR | BZX284-B3V3 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.3V E24 ±2% |
WS | BZX284-B3V6 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.6V E24 ±2% |
WT | BZX284-B3V9 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 3.9V E24 ±2% |
WU | BZX284-B4V3 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 4.3V E24 ±2% |
WV | BZX284-B4V7 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 4.7V E24 ±2% |
WW | BZX284-B5V1 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 5.1V E24 ±2% |
WX | BZX284-B5V6 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 5.6V E24 ±2% |
WY | BZX284-B6V2 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 6.2V E24 ±2% |
WZ | BZX284-B6V8 | Philips | SOD110 | D6 | zener 0.4W 6.8V E24 ±2% |
Транзисторы | |||||
W* | 2SD1383K | Rohm | SMT3 | ||
W1(p,s) | BFT92 | Infin Phil | SOT23 | T1a | SI-P 15V 25mA BFQ51/BFQ76 |
W1(s) | BCR10PN | Infineon | SOT363 | NPN/PNP Digital Tansistor Array | |
W1(s) | BFT92W | Infin Phil | SOT323 | T1a | SI-P 15V 25mA BFQ51/BFQ76 |
W18 | BFP181TW | Telefunken | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 7.8GHz 10V 20mA |
W2 | PBR951 | Philips | SOT23 | ||
W2 | PBR957 | Philips | SOT323 | ||
W22 | S822TW | Temic | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA |
W28 | BFP280TW | Temic | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 7 GHz 8V 10mA |
W4(s) | BCR400R | Infineon | SOT143R | Active Bias Controller | |
W4(s) | BCR400W | Infineon | SOT343R | Active Bias Controller | |
W52 | S852TW | Telefunken | SOT143 | T4a | SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA |
W52 | S852TW | Temic | SOT323 | SI-N RF fT 5.2 GHz 6V 8mA | |
W67 | BFP67W | Temic | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 7.5 GHz 10V 50mA |
W82 | BFP182TW | Temic | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 7.5 GHz 10V 35mA |
W83 | BFP183TW | Temic | SOT343 | T4a | SI-N RF fT 7.4 GHz 10V 65mA |
W92 | BFP92AW | Temic | SOT343 | T5a | SI-N RF fT 6 GHz 15V 30mA |
WB | 2SD1383K | Rohm | SOT23 | T1a | SI-N darlington comp 2SB852K |
WC | BCR133 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k | |
WC | BCR133S | Infineon | SOT363 | ||
WC | BCR133W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k | |
WD | BCR141 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k | |
WD | BCR141S | Infineon | SOT363 | ||
WD | BCR141W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k | |
WE | BCR148 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k | |
WE | BCR148S | Infineon | SOT363 | ||
WE | BCR148W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k | |
WE1 | BFS17W | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 2.1GHz |
WE2 | BFS17AW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 3.2GHz |
WF | BCR08PN | Infineon | SOT363 | NPN/PNP Digital Tansistor Array | |
WF | BCR112 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=4.7k Rbe=4.7k | |
WF0 | TSDF1205W | Temic | SOT343 | T4a | SI-N 12GHz 5mA 4V |
WF2 | TSDF1220W | Temic | SOT343 | T4a | SI-N 12GHz 6V 20mA |
WFE | BFP93AW | Temic | SOT343 | T4a | SI-N BFP93A (FE) 6GHz |
WG | BCR116 | Infineon | SOT23 | ||
WG | BCR116W | Infineon | SOT323 | ||
WH | BCR108 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=2k2 Rbe=47k | |
WH | BCR108W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=2k2 Rbe=47k | |
WHs | BCR108S | Infineon | SOT363 | ||
WI | BCR158 | Infineon | SOT23 | ||
WI | BCR158W | Infineon | SOT323 | ||
WJ | BCR135 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k | |
WJ | BCR135S | Infineon | SOT363 | ||
WJ | BCR135W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k | |
WK | BCR119 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=4.7k Rbe=0 | |
WK | BCR119S | Infineon | SOT363 | ||
WL | BCR146 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=22k | |
WL | BCR146W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=47k Rbe=22k | |
WM | BCR183 | Infineon | SOT23 | SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=10k | |
WM | BCR183S | Infineon | SOT363 | ||
WN | BCR185 | Infineon | SOT23 | SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k | |
WN | BCR185S | Infineon | SOT363 | ||
WN | BCR185W | Infineon | SOT323 | SI-P 50V 0.1A Rb=10k Rbe=47k | |
WO | BCR191 | Infineon | SOT23 | SI-P 50V 0.1A Rb=22k Rbe=22k | |
WO | BCR191S | Infineon | SOT363 | ||
WP | BCR192 | Infineon | SOT23 | SI-P 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k | |
WP | BCR22PN | Infineon | SOT363 | NPN/PNP Digital Tansistor Array | |
WP2 | BFR92AW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N BRF90A |
WR | BCR198 | Infineon | SOT23 | SI-P 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k | |
WR | BCR198S | Infineon | SOT363 | ||
WR | BCR198W | Infineon | SOT323 | SI-P 50V 0.1A Rb=47k Rbe=47k | |
WR | MSD602R | Motorola | SC59 | T1a | SI-N gp 25V 150mA |
WR2 | BFR93AW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N BFR91A |
WRE | BFR280TW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 7.5GHz |
WRF | BFR181TW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 7.8GHz |
WRG | BFR182TW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 7GHz |
WRH | BFR183TW | Temic | SOT323 | T1a | SI-N RF fT 7.4GHz |
WS | BCR169 | Infineon | SOT23 | ||
WS | BCR169S | Infineon | SOT363 | ||
WT | BCR166 | Infineon | SOT23 | ||
WT | BCR166W | Infineon | SOT323 | ||
WT | BCR48PN | Infineon | SOT363 | NPN/PNP Digital Tansistor Array | |
WU | BCR162 | Infineon | SOT23 | ||
WU | BCR35PN | Infineon | SOT363 | NPN/PNP Digital Tansistor Array | |
WU | MRF2947A | Motorola | SOT363 | T6e | 2xSI-N MRF941 RF 9GHz |
WV2 | BFQ67W | Temic | SOT23 | T1a | SI-N RF fT 7.5GHz |
WX | BCR196 | Infineon | SOT23 | ||
WX | BCR196W | Infineon | SOT23 | ||
WZ | BCR142 | Infineon | SOT23 | SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k | |
WZ | BCR142W | Infineon | SOT323 | SI-N 50V 0.1A Rb=22k Rbe=47k |
A7 | SOT-23 | BAV99 | National | Переключающие диоды | |
A7 | SOT-23 | BAV99 | Zowie | Переключающие диоды | |
A7 | SOT-23 | BAV99 | Fairchild (Now ON) | Переключающие диоды | |
A7 | SOT-323 | BAV99WT1 | Motorola | Переключающие диоды | |
A7 | SOT-523 | MMBD4448HTC | BL Galaxy Electrical | Переключающие диоды | |
A7 | SOT-886 | NC7WZ04L6X | Fairchild (Now ON) | Инверторы | |
A7 | X2SON-4 1×1 | TPS3831G33DQNR | Texas Instruments | Детектор напряжения | |
A7 * | SOT-23 | BAV99LT1G | ON | Диоды | |
A7 * | SOT-23 | SBAV99LT1G | ON | Диоды | |
A7* | SOT-143 | HSMS-2807 | Agilent | Ограничительные диоды Шоттки | |
A7* | VDFN-8 2×2 | RT9011-GSPQV | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
A7** | SOT-23 | ST3407S23RG | Stanson | Полевой транзистор с P-каналом | |
A7** | SOT-25 | Si9183DT-33-T1 | Vishay | Стабилизатор напряжения | |
A7*** | SOT-23 | AO3407 | Alpha & Omega | Полевой транзистор с P-каналом | |
A7- | SOT-23 | BAV99 | NXP | Переключающие диоды | |
A7- | SOT-323 | BAV99W | NXP | Переключающие диоды | |
A7- | SOT-343R | BFG310W/XR | Philips (Now NXP) | NPN транзистор | |
A7- | SOT-89 | RT9161-40PX | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
A7-** | VDFN-10 3×3 | RT9014-GMPQV | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
A7-** | SOT-323 | RT9818A-25PU3 | Richtek | Детектор напряжения | |
A7-*** | SOT-26 | RT9011-GMPJ6 | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
A7-*** | SOT-353 | RT9198-28PU5 | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
A7-*** | SOT-343 | RT9818A-23PY | Richtek | Детектор напряжения | |
A7122A | SOT-25 | A7122AE5R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7122A | SOT-26 | A7122AE6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7221 | SOT-26 | A7221TE6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7221A | SOT-26 | A7221AE6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7221B | SOT-26 | A7221BE6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7231 | SOT-26 | A7231TE6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7312 | SOT-26 | A7312E6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A74 | SOT-353 | LMV931MG | National | Операционный усилитель | |
A7404 | SOT-26 | A7404E6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7406 | SOT-26 | A7406E6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A7407 | SOT-26 | A7407E6R | AiT | Понижающий преобразователь | |
A75 | SOT-26 | OPA373AIDBV | Texas Instruments | Операционный усилитель | |
A7525 | SOT-26 | A7525E6R-ADJ | AiT | Повышающий пребразователь | |
A75A | SOT-26 | LMV715MF | National | Операционный усилитель | |
A76 | SOT-26 | OPA374AIDBV | Texas Instruments | Операционный усилитель | |
A78 | SOT-363 | LMV341MG | National | Операционный усилитель | |
A785J | SO-16 | ACPL-785J | Avago | Изолирующий усилитель | |
A79A | SOT-25 | LMV931MF | National | Операционный усилитель | |
A7W | SOT-23 | BAV99 | NXP | Переключающие диоды | |
A7W | SOT-323 | BAV99W | NXP | Переключающие диоды | |
A7W | SOT-343R | BFG310W/XR | Philips (Now NXP) | NPN транзистор | |
A7p | SOT-23 | BAV99 | NXP | Переключающие диоды | |
A7p | SOT-323 | BAV99W | NXP | Переключающие диоды | |
A7p | SOT-343R | BFG310W/XR | Philips (Now NXP) | NPN транзистор | |
A7s | SOT-23 | BAV99 | Infineon | Переключающие диоды | |
A7s | SOT-363 | BAV99S | Infineon | Переключающие диоды | |
A7s | SOT-26 | BAV99U | Infineon | Переключающие диоды | |
A7s | SOT-323 | BAV99W | Infineon | Переключающие диоды | |
A7t | SOT-23 | BAV99 | NXP | Переключающие диоды | |
A7t | SOT-323 | BAV99W | NXP | Переключающие диоды | |
A7t | SOT-343R | BFG310W/XR | Philips (Now NXP) | NPN транзистор |
|
|
База данных кодов маркировки SMD компонентов
W2
AP1702GTW
Anachip
TSOT-23-3L
Детектор напряжения IC
2 & период; 25V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO
W2
AP1702GW
Anachip
SOT-23-3L
Детектор напряжения IC
2 & период; 25V ± 1 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO
W2
AP8822C-32GA
Anwell Semiconductor
SOT-23
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена
W2
AP8822C-32GI
Anwell Semiconductor
SC-82
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена
W2
AP8822C-32GS
Anwell Semiconductor
SC-82S
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена
W2
AP8822C-32GT
Anwell Semiconductor
SC-70
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс и запятая; Без галогена
W2
AP8822C-32PA
Anwell Semiconductor
SOT-23
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс
W2
AP8822C-32PI
Anwell Semiconductor
SC-82
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс
W2
AP8822C-32PS
Anwell Semiconductor
SC-82S
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс
W2
AP8822C-32PT
Anwell Semiconductor
SC-70
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 200 мс
W2
BCR189L3
Infineon Technologies
TSLP-3
Транзистор PNP
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 150 МГц
W2
BD46481G
Rohm
SSOP-5
Детектор напряжения IC
4 & период; 8V ± 1 & percnt; & comma; -MR & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 100 мс
W2
BZT52B2V7
PanJIT Semiconductor
SOD-123
Стабилитрон
2 & период; 7V ± 2 & percnt; & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 410 мВт
W2
BZT52C2V7-F
TAITRON Components
SOD-123F
стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 410 мВт
W2
BZT52C2V7-V
Vishay Semiconductor
SOD-123
Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 500 мВт
W2
BZT52C2V7S
PanJIT Semiconductor
SOD-323
Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт
W2
BZT52C2V7WS
Компоненты TAITRON
SOD-323F
Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно 5 & period; 0mA & comma; 200 мВт
W2
BZT52C2V7WT
TAITRON Компоненты
SOD-523
Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт
W2
BZT52C2V7WU
TAITRON Components
SOD-723
стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт
W2
BZT52C3V0
Диоды
SOD-123
Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 500 мВт
W2
BZT52C3V0
Диоды
SOD-123
Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 500 мВт
W2
BZT52C3V0LP
Диоды
DFN1006-2
Стабилитрон
3 & период; 0V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 250 мВт
W2
BZT52C3V0LP
Диоды
DFN1006-2
Стабилитрон
3 & период; 0V ± 5 & percnt; & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 250 мВт
W2
BZT52C3V0S
Диоды
SOD-323
Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт
W2
BZT52C3V0S
Диоды
SOD-323
Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт
W2
BZT52C3V0T
Диоды
SOD-523
Стабилитрон
3 & период; 0В ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 150 мВт
W2
BZV49-C0V8
Zetex
SOT-89
Стабилитрон
0 & период; 8V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 1Вт
W2
BZX384C2V7-V
Vishay Semiconductor
SOD-323
Стабилитрон
2 & период; 7V ± 5 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 75 & запятая; 200 мВт
W2
BZX584C2V7
PanJIT Semiconductor
SOD-523
Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт
W2
BZX784C2V7
PanJIT Semiconductor
SOD-723
Стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт
W2
BZX84B2V7
PanJIT Semiconductor
SOT-23
Стабилитрон
2 & период; 64 & период; & период; 2 & период; 75В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 410 мВт
W2
BZX84C2V7
Микрокоммерческие компоненты
SOT-23
Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 350 мВт
W2
BZX84C2V7TW
PanJIT Semiconductor
SOT-363
Стабилитрон
Тройной и запятая; 2 & период; 64 & период; & период; 2 & период; 75В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт
W2
BZX84C2V7W
Won-Top Electronics
SOT-323
Стабилитрон
2 & период; 5 & период; & период; 2 & период; 9В & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 200 мВт
W2
CZRW55C3V0-G
Comchip Technology
SOD-123
Стабилитрон
3 & период; 0 & период; & период; 3 & период; 20В & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 500 мВт
W2
ELM7632LBB
ELM Technology
SOT-23
Детектор напряжения IC
3 & период; 2В ± 2 & запятая; -Сбросить PPO и запятую; 500 мс
W2
ELM9732CAB
ELM Technology
SOT-89
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO
W2
ELM9732CBB
ELM Technology
SOT-23
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & период; 5 & percnt; & comma; & plus; Сбросить PPO
W2
FES3B
Fagor Electronica
DO-214AB
Диод
U-быстрое восстановление и запятая; 100 В и запятая; 3А и запятая; <50 нс
W2
FMW2
Rohm
SOT-23-5
Транзистор NPN
Двойной & запятая; GP & запятая; 60В и запятая; 150 мА и запятая; 180 МГц
W2
HD74LV1GW97ACM
Renessas
CMPAK-6
Емкостной диод
Настраиваемый многофункциональный вентиль
W2
LBZT52C3V0T1G
Leshan Radio Company
SOD-123
Стабилитрон
2 & период; 8 & период; & период; 3 & период; 2В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; 500 мВт
W2
MC74VHC1G126DF
ON Semiconductor
SOT-353
Емкостной диод
Затвор буфера шины с выходом с 3 состояниями
W2
MC74VHC1G126DT
ON Semiconductor
SOT-23-5
Емкостной диод
Затвор буфера шины с выходом с 3 состояниями
W2
MEZ02-2 & period; 7-D3
Matsuki Electronic Company
SOD-323
стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 83 & запятая; 200 мВт
W2
MM3Z3V0
Secos
SOD-323
Стабилитрон
2 & period; 8 & period; & period; 3 & period; 2V & comma; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 95 & запятая; 200 мВт
W2
PRF957
Philips
SOT-323
NPN транзистор
UHF & comma; LN & запятая; 20В и запятая; 100 мА и запятая; 270 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 200 & запятая; 8 & период; 5 ГГц
W2
R1210N321D
Ricoh
SOT-23-5
DC & sol; преобразователь напряжения постоянного тока IC
Повышающий ШИМ и запятая; 3 & точка; 2V & запятая; 180 кГц
W2
R3111Q321C
Ricoh
SC-82AB
Детектор напряжения IC
3 & период; 2V ± 2 & percnt; & comma; -Сбросить ODO
W2
R5325N002B
Ricoh
SOT-23-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; Двойной выход и запятая; Vout1 & sol; Vout2 & равно; 2 & period; 8V & sol; 2 & period; 8V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL
W2
RP103Q141B
Ricoh
SC-82AB
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 1 & период; 4V ± 1 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE
W2
TSDF1220RW
Vishay Semiconductor
SOT-343R
Транзистор NPN
UHF-VHF & comma; LN & запятая; 9В и запятая; 40 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 150 & запятая; 12 ГГц
W2
TZTC2V7WS
TAITRON Components
SOT-323
стабилитрон
2 & период; 57 & период; & период; 2 & период; 84В & запятая; Izt & равно; 5mA & запятая; Zzt & равно 100 & запятая; 200 мВт
W2-
RT9818C-30PB
Richtek Technology
SOT-23-5
Детектор напряжения IC
3 & период; 0В ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; -Сбросить ODO и запятую; Td & равно; 220 мс
W20
PDTC144WT
SOT-23
NPN транзистор
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k
W20
PDTC144WU
SOT-323
Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k
W20
R1163N201D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W20
TK11120M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; -CE
W20
TK11120S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & period; 0V ± 1 & period; 5 & percnt; & comma; 200 мА и запятая; -CE
W21
PDTA123ET
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 2 & period; 2k
W21
R1163N211D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W21
SMTPB120
SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB
Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно; 120V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;
W21
TK11121M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W21
TK11121S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 1V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W22
R1163N221D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 2V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W22
S822TRW
Vishay Semiconductor
SOT-343R
Транзистор NPN
UHF & comma; LN & запятая; 12 В и запятая; 8 мА и запятая; 30 мВт и запятая; B & равно; 40 & период; & период; 150 & запятая; 5 & период; 2 ГГц
W22
TK11122S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W23
PDTA114TU
SOT-323
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно; 10 тыс.
W23
PDTA123JT
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 47k
W23
R1163N231D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W23
SMTPB130
SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB
Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно; 130V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;
W23
TK11123M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W23
TK11123S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 3V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W24
PDTC114TU
SOT-323
Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно; 10 тыс.
W24
R1163N241D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W24
TK11124M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W24
TK11124S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 4V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W25
R1163N251D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W25
TK11125M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W25
TK11125S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 5V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W26
PDTC123ET
SOT-23
NPN транзистор
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 2 & period; 2k
W26
PDTC123JT
SOT-23
NPN транзистор
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 2 & period; 2k & sol; 47k
W26
R1163N261D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W26
TK11126M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W26
TK11126S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 6V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W27
PDTC114YT
SOT-23
Транзистор NPN
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 10k & sol; 47k
W27
R1163N271D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W27
TK11127M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W27
TK11127S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 7V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W28
BFP280TRW
Vishay Semiconductor
SOT-343
Транзистор NPN
UHF & запятая; 10В и запятая; 10 мА и запятая; 80 мВт и запятая; B & равно; 30 & период; & период; 200 & запятая; 7 ГГц
W28
BFP280TW
Vishay Semiconductor
SOT-343
Транзистор NPN
VHF & sol; UHF & comma; LN & запятая; 15В и запятая; 10 мА и запятая; 80 мВт и запятая; B & равно; 50 & период; & период; 150 & запятая; 5 ГГц
W28
MIC5255-2 & period; 8BML
Micrel
MLF-6
Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE
W28
MIC5255-2 & period; 8YML
Micrel
MLF-6
Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Без свинца
W28
PDTA144WU
SOT-323
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 47k & sol; 22k
W28
R1163N281D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W28
TK11128M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W28
TK11128S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 8V ± 1 & период; 5 & процент; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W29
PDTA114YT
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 10k & sol; 47k
W29
R1163N291D
Ricoh
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; CL & запятая; AE & lpar; Режим & rpar;
W29
SMTPB180
SGS-Thomson Microelectronics
DO-214AB
Ограничитель переходного напряжения
Vrwm & равно 180V & comma; 100А и запятая; 5 Вт & lpar; 1 мс & rpar; & запятая; Бидир и период;
W29
TK11129M
Toko America
SOT-23L-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W29
TK11129S
Toko America
SOT-23-5
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 9V ± 1 & период; 5 & percnt; & запятая; 200 мА и запятая; -CE
W2A
PMBT3906
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & comma; 40В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц
W2A
PMST3906
SOT-323
Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц
W2B
PMBT2907
SOT-23
Транзистор PNP
GP & comma; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц
W2D
PMBTA92
SOT-23
Транзистор PNP
Vid & comma; 300 & sol; 300V & запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц
W2D
PMSTA92
SOT-323
Транзистор PNP
Vid & comma; 300 & sol; 300V & запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц
W2E
PMBTA93
SOT-23
Транзистор PNP
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц
W2E
PMSTA93
SOT-323
Транзистор PNP
Vid & comma; 200 & sol; 200V & запятая; 500 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 25 & запятая; > 50 МГц
W2F
PMBT2907A
SOT-23
Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц
W2F
PMST2907A
SOT-323
Транзистор PNP
GP & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 330 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц
W2G
PMBTA56
SOT-23
Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц
W2G
PMSTA56
SOT-323
Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 80В и запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц
W2H
PMBTA55
SOT-23
Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 60В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц
W2H
PMSTA55
SOT-323
Транзистор PNP
AF-Drv & comma; 60В и запятая; 500 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B> 100 & запятая; > 50 МГц
W2J
MIC5255-2 & period; 85BML
Micrel
MLF-6
Линейный стабилизатор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE
W2J
MIC5255-2 & period; 85YML
Micrel
MLF-6
Линейный регулятор напряжения IC
LDO & comma; 2 & период; 85V ± 1 & percnt; & запятая; 150 мА и запятая; & плюс; CE & запятая; Без свинца
W2L
PMBT5401
SOT-23
Транзистор PNP
HV & comma; 160В и запятая; 300 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 240 & запятая; 100 & period; & period; 300 МГц
W2L
PMST5401
SOT-323
Транзистор PNP
HV & comma; 160В и запятая; 300 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 60 & период; & период; 240 & запятая; 100 & period; & period; 300 МГц
W2s
BCR189
Infineon Technologies
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 200 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 200 МГц
W2s
BCR189F
Infineon Technologies
TSFP-3
Транзистор PNP
Sw & запятая; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & равно 22k & запятая; 150 МГц
W2s
BCR189T
Infineon Technologies
SOT-416
Транзистор PNP
Sw & comma; 50 В и запятая; 100 мА и запятая; 250 мВт и запятая; R1 & sol; R2 & равно; 22k & запятая; 150 МГц
W2T
PMBT4403
SOT-23
Транзистор PNP
Sw & запятая; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц
W2T
PMST4403
SOT-323
Транзистор PNP
GP & comma; 40В и запятая; 600 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 200 МГц
W2U
PMBTA63
SOT-23
PNP Дарлингтон
GP & запятая; 30В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 5000 & запятая; > 125 МГц
W2V
PMBTA64
SOT-23
PNP darlington
GP & comma; 30В и запятая; 500 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B> 10000 & запятая; > 125 МГц
W2X
PMBT4401
SOT-23
Транзистор NPN
Sw & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 250 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц
W2X
PMST4401
SOT-323
Транзистор NPN
Sw & comma; 60В и запятая; 600 мА и запятая; 200 мВт и запятая; B & равно; 100 & период; & период; 300 & запятая; > 250 МГц