Что такое SMD полевой транзистор MOSFET. Как работает полевой транзистор. Какие бывают типы MOSFET транзисторов. Где применяются полевые транзисторы в электронике. Как маркируются SMD полевые транзисторы.
Принцип работы полевого транзистора MOSFET
Полевой транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) — это полупроводниковый прибор, работа которого основана на эффекте поля. В отличие от биполярных транзисторов, в полевых транзисторах ток управляется электрическим полем.
Основные элементы MOSFET транзистора:
- Исток (Source) — электрод, из которого поступают основные носители заряда
- Сток (Drain) — электрод, к которому движутся основные носители заряда
- Затвор (Gate) — управляющий электрод
- Канал — область полупроводника между истоком и стоком
Принцип работы MOSFET основан на управлении проводимостью канала с помощью электрического поля, создаваемого напряжением на затворе. При подаче напряжения на затвор изменяется концентрация носителей заряда в канале, что приводит к изменению его проводимости.
Основные типы MOSFET транзисторов
Существует несколько основных типов MOSFET транзисторов:
1. По типу проводимости канала:
- N-канальные — канал образован электронами
- P-канальные — канал образован дырками
2. По режиму работы:
- Обогащенного типа — канал образуется при подаче напряжения на затвор
- Обедненного типа — канал существует изначально и обедняется при подаче напряжения
3. По конструкции:
- Планарные — все области расположены в одной плоскости
- Вертикальные — области расположены вертикально
Какой тип MOSFET выбрать? Это зависит от конкретного применения. N-канальные транзисторы обычно имеют лучшие характеристики по быстродействию и проводимости. P-канальные удобны в схемах с отрицательным питанием.
Преимущества и недостатки MOSFET транзисторов
MOSFET транзисторы обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными:
- Высокое входное сопротивление
- Низкое энергопотребление в статическом режиме
- Хорошее быстродействие
- Возможность работы как в ключевом, так и в линейном режиме
- Отсутствие эффекта накопления заряда
К недостаткам можно отнести:
- Чувствительность к статическому электричеству
- Меньшую линейность характеристик по сравнению с биполярными транзисторами
- Более высокую стоимость
Применение SMD MOSFET транзисторов в электронике
SMD MOSFET транзисторы широко применяются в современной электронике благодаря своим преимуществам. Основные области применения:
- Цифровые схемы и микропроцессоры
- Источники питания и преобразователи напряжения
- Усилители мощности
- Драйверы двигателей
- Аналоговые ключи
- Схемы защиты от перегрузок
В каких случаях лучше использовать MOSFET, а не биполярный транзистор? MOSFET предпочтительнее в следующих ситуациях:
- Требуется высокое входное сопротивление
- Необходимо минимальное энергопотребление
- Нужна работа на высоких частотах
- Требуется управление большими токами
Маркировка SMD полевых транзисторов
SMD (Surface Mounted Device) MOSFET транзисторы имеют специальную маркировку, которая позволяет идентифицировать их характеристики. Типичная маркировка состоит из буквенно-цифрового кода.
Примеры маркировки SMD MOSFET транзисторов:
- BSS123 — N-канальный MOSFET
- BSS84 — P-канальный MOSFET
- 2N7002 — N-канальный MOSFET
- AO3400 — N-канальный MOSFET повышенной мощности
Как расшифровать маркировку SMD MOSFET? Обычно первые буквы указывают на производителя и тип транзистора, а цифры — на конкретную модель. Для точной идентификации следует обратиться к документации производителя.
Особенности монтажа SMD MOSFET транзисторов
Монтаж SMD MOSFET транзисторов имеет свои особенности:
- Чувствительность к статическому электричеству требует соблюдения мер защиты
- Необходимо точное позиционирование на плате
- Пайка должна производиться с контролем температуры
- Важно обеспечить хороший теплоотвод, особенно для мощных транзисторов
Какие инструменты нужны для монтажа SMD MOSFET? Основные инструменты включают:
- Паяльную станцию с регулировкой температуры
- Пинцет для позиционирования
- Антистатический браслет
- Увеличительное стекло или микроскоп
- Флюс и припой для SMD-монтажа
Параметры и характеристики MOSFET транзисторов
Основные параметры MOSFET транзисторов, которые необходимо учитывать при выборе:
- Максимальное напряжение сток-исток (VDS)
- Максимальный ток стока (ID)
- Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on))
- Пороговое напряжение (VGS(th))
- Входная емкость (Ciss)
- Время включения и выключения
Как выбрать MOSFET для конкретного применения? Следует учитывать:
- Требуемое рабочее напряжение и ток
- Допустимые потери мощности
- Быстродействие схемы
- Тип нагрузки (активная, индуктивная)
- Температурный режим работы
Схемы включения MOSFET транзисторов
Существует несколько основных схем включения MOSFET транзисторов:
1. Схема с общим истоком
Наиболее распространенная схема. Обеспечивает усиление по напряжению и току. Применяется в усилителях и ключевых схемах.
2. Схема с общим стоком
Используется как повторитель напряжения. Обеспечивает согласование высокоомного входа с низкоомной нагрузкой.
3. Схема с общим затвором
Применяется реже. Используется в высокочастотных усилителях и смесителях.
Какую схему включения выбрать? Это зависит от требуемых характеристик устройства:
- Для усиления сигнала — схема с общим истоком
- Для согласования импедансов — схема с общим стоком
- Для работы на высоких частотах — схема с общим затвором
Тенденции развития MOSFET технологий
Технологии MOSFET транзисторов продолжают развиваться. Основные направления развития:
- Уменьшение размеров транзисторов для повышения плотности интеграции
- Снижение рабочего напряжения для уменьшения энергопотребления
- Улучшение теплоотвода для повышения мощности
- Разработка новых материалов для улучшения характеристик
- Создание 3D-структур для увеличения производительности
Какие инновации ожидаются в ближайшем будущем? Среди перспективных направлений:
- Квантовые транзисторы
- Транзисторы с высокой подвижностью электронов (HEMT)
- Нанопроволочные транзисторы
Развитие MOSFET технологий продолжает играть ключевую роль в прогрессе электроники, обеспечивая создание более мощных, экономичных и компактных устройств.
Маркировка полевых SMD — транзисторов | SMD — поверхностный монтаж
Маркировка полевых SMD — транзисторов | SMD — поверхностный монтаж | Компоненты |Справочник| Маркировка SMD — диодов |
| Маркировка SMD — конденсаторов |
| Маркировка SMD — резисторов |
| SMD — транзисторы |
| Приборы, маркировка которых начинается с символа: | |||||||||
| Цоколевка SMD — компонентов: | ||||
МОП — транзисторы
|
| Резисторы | Конденсаторы | Индуктивности | Динамики | Разъемы | Кабели |
| Диоды | Стабилитроны | Варикапы | Тиристоры | Транзисторы | Оптроны |
| Микроконтроллеры [ КР1878ВЕ1, PIC ] | Микросхемы | SMD | |||
Транзисторы SMD в категории «Электрооборудование»
Транзистор FGh50N60 SMD TO-247 оригинал
На складе в г.
Днепр
Доставка по Украине
182 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
На складе в г. Полтава
Доставка по Украине
89.99 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD (TO-247A03)
Доставка по Украине
358.30 грн
Купить
Транзистор FGY75N60SMD
Доставка по Украине
364.40 грн
Купить
Транзистор FGh50N60SMD (TO-247A03)
Доставка по Украине
250 грн
Купить
Транзистор MMBT3904 NPN SMD 40V 0.2A SOT-23-3 10шт (12603)
Доставка по Украине
11 грн
Купить
Транзистор MMBT2222A 2N2222 1P SMD NPN 0.6A 40V SOT23 10шт (12604)
Доставка по Украине
11 грн
Купить
IGBT-транзистор FGH60N60SFD оригинал ( замена для K60B60D1 , AOK60B60D1 , FGH60N60UFD , FGH60N60SMD , IRGP50B6
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
291.
45 грн
Купить
Транзистор 2SC5706 smd
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
24.80 грн
Купить
Транзистор PDTA114TT smd
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
3.04 грн
Купить
IGBT-транзистор GW60V60DF ( STGW60V60DF ) оригинал , TO-247(замена для Nh38AB , HGTG20N60B3D , SGA45T60SMD )
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
350.18 грн
Купить
IGBT-транзистор FGh50T120SMD ( FGh50T120 ) оригинал демонтаж (40A,1200V), TO247
На складе в г. Запорожье
Доставка по Украине
261 грн
Купить
Транзистор 6C smd. RN4983FE SOT563. Модуль Gorenje.
Доставка из г. Черкассы
45 грн
Купить
Транзистор 2SD992 /SMD/
Доставка по Украине
65.67 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD
Доставка по Украине
237.
39 грн
Купить
Смотрите также
Транзистор FGY75N60SMD
Доставка по Украине
424.19 грн
Купить
Транзистор FGA60N65SMD
Доставка по Украине
379.43 грн
Купить
Транзистор FGh50T120SMD
Доставка по Украине
764.03 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
Доставка из г. Полтава
89.99 грн
Купить
BF998 (smd) транзистор польовий SOT143B (N; 12V; 0.03A; 0.2W; 1Ghz; 1.0dB) два затвора
Под заказ
Доставка по Украине
7.48 грн
Купить
BC847B(smd) транзистор SOT23(NPN; 45V; 0.1A; 0.25W; 100MHz; h31=200-450)
Под заказ
Доставка по Украине
3.36 грн
Купить
Транзистор FGh50T120SMD
Доставка по Украине
817.36 грн
Купить
Транзистор FGh50N60SMD
Доставка по Украине
206.27 грн
Купить
Транзистор 2SD992 /SMD/
Доставка по Украине
50.
30 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD FGH60N60 600V 60A IGBT 60N60 TO-3P
Доставка из г. Днепр
200 грн
Купить
Транзистор FGH60N60SMD, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
Доставка из г. Полтава
89.99 грн
Купить
FGH60N60SMD польовий транзистор з ізольованим затвором (IGBT) 60A 600V Ultra Fast IGBT
Под заказ
Доставка по Украине
252 грн
Купить
Транзистор MMBT3906 PNP 40В 0.2 А SMD SOT23
Доставка из г. Черкассы
Купить
Транзистор PTF180101M Транз. Пол. БМ ВЧ LDMOS PG-RFP-10 (TSSOP10 SMD) 10 W 1.0-2.0 GHz Udss=65V Id=0.001A
Заканчивается
Доставка по Украине
722 грн
Купить
Транзистор — полевой транзистор и транзистор с биполярным переходом
Об этом курсе
6 801 недавних просмотров
Этот курс также может быть принят для академического кредита как ECEA 5632, часть степени магистра наук в области электротехники CU Boulder.
Гибкие сроки
Сброс сроков в соответствии с вашим графиком.
Общий сертификатОбщий сертификат
Получите сертификат по завершении
100% онлайн100% онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному графику.
СпециализацияКурс 3 из 3 в рамках специализации
«Полупроводниковые устройства»
Продвинутый уровеньПродвинутый уровень
Часов для прохожденияПрибл. 12 часов, чтобы закончить
Доступные языкиАнглийский
Субтитры: Французский, Португальский (Европейский), Русский, Английский, Испанский
Гибкие срокиГибкие сроки
Сброс сроков в соответствии с вашим расписанием.
Общий сертификат
Получите сертификат по завершении
100% онлайн100% онлайн
Начните сразу и учитесь по собственному графику.
СпециализацияКурс 3 из 3 в рамках специализации 9
«Полупроводниковые устройства»0005 Продвинутый уровень
Продвинутый уровень
Часов на прохождениеПрибл. 12 часов до завершения
доступных языковАнглийский
Субтитры: французский, португальский (европейский), русский, английский, испанский
Инструктор
Wounjhang Park
Профессор
Электромация, Компьютер и энергетическое проектирование
35,436 35,436 3565 .
6 Курсы
Предлагает
Университет Колорадо в Боулдере
CU-Boulder — динамичное сообщество ученых и учащихся в одном из самых живописных университетских городков страны.
Являясь одним из 34 государственных учреждений США, входящих в престижную Ассоциацию американских университетов (AAU), мы гордимся традициями академического превосходства, в котором пять лауреатов Нобелевской премии и более 50 членов престижных академических академий.
Начните работать над получением степени
Этот курс является частью онлайн-программы получения степени, предлагаемой Университетом Колорадо в Боулдере. Когда вы записываетесь на платный курс без получения степени в университете и завершаете его онлайн, это засчитывается как кредитные часы для получения степени в CU-Boulder. Все, что вам нужно сделать, это подать заявление через университет.
Магистр наук в области электротехники
Университет Колорадо в Боулдере
Зачисление на кредит
О специализации полупроводниковых устройств
Курсы по этой специализации также могут быть приняты для академического кредита как ECEA 5630-5632, часть Степень магистра наук в области электротехники CU Boulder.
Зарегистрируйтесь здесь.
Часто задаваемые вопросы
Еще вопросы? Посетите Справочный центр для учащихся.
Полевые транзисторы-Dummies
BY: Cathleen Shamieh и
Обновлены: 03-26-2016
Из книги: Electronics для Dummies
Electronics For Dummies 9070 Dumbies
. Электронные Dummies
9. Amazon
Полевой транзистор (FET) состоит из канала из полупроводникового материала N- или P-типа, через который может протекать ток, с другим материалом (наложенным поперек участка канала), контролирующим проводимость канал.
В полевом транзисторе (FET) напряжение, подаваемое на затвор, управляет протеканием тока по каналу от истока к стоку.
Один конец канала известен как исток, другой конец канала называется стоком, , а механизм управления называется вентилем. Подавая напряжение на затвор, вы управляете потоком тока от истока к стоку.
Выводы присоединяются к истоку, стоку и затвору. Некоторые полевые транзисторы включают четвертый вывод, поэтому вы можете заземлить часть полевого транзистора на шасси схемы. (Но не путайте этих четвероногих существ с МОП-транзисторы с двумя затворами, , которые также имеют четыре вывода.)
(произносится как «fetts») бывают двух видов — N-канальные и P-канальные — в зависимости от типа полупроводникового материала (N-типа или P-типа соответственно), через который протекает ток. Существует два основных подтипа полевых транзисторов: MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) и JFET (переходной полевой транзистор). То есть то, что зависит от того, как сконструированы ворота, что, в свою очередь, приводит к различным электрическим свойствам и различным применениям для каждого типа.
Полевые транзисторы (в частности, полевые МОП-транзисторы) стали намного более популярными, чем биполярные транзисторы, для использования в интегральных схемах (ИС ), где тысячи транзисторов работают вместе для выполнения задачи.
