Что такое L6561D. Каковы основные характеристики L6561D. Для чего применяется L6561D. Какие преимущества дает использование L6561D в схемах PFC. Как правильно подключить и настроить L6561D.
Обзор микросхемы L6561D
L6561D — это специализированная интегральная микросхема, разработанная компанией STMicroelectronics для применения в схемах корректоров коэффициента мощности (Power Factor Correction, PFC). Данный драйвер обладает рядом важных характеристик:
- Корпус SO8
- Выходной ток до 400 мА
- Мощность рассеивания 650 мВт
- Напряжение питания 11-18 В
- Рабочий ток 5.5 мА
- Диапазон рабочих температур от -20°C до +125°C
L6561D оптимизирована для построения эффективных импульсных источников питания с коррекцией коэффициента мощности. Рассмотрим подробнее назначение и преимущества применения данной микросхемы.
Назначение и применение L6561D
Основное назначение L6561D — реализация схем активной коррекции коэффициента мощности в импульсных источниках питания. Для чего это нужно?
Коэффициент мощности показывает, насколько эффективно устройство потребляет электроэнергию из сети. Идеальное значение — единица. У обычных источников питания без PFC он составляет около 0.5-0.7, что приводит к значительным потерям энергии.
L6561D позволяет повысить коэффициент мощности до значений 0.95-0.99. Это дает следующие преимущества:
- Снижение потерь энергии при преобразовании
- Уменьшение нагрузки на электросеть
- Соответствие современным стандартам энергоэффективности
- Снижение уровня гармонических искажений
Поэтому L6561D широко применяется в различных импульсных источниках питания, где требуется высокая эффективность — компьютерные блоки питания, зарядные устройства, LED-драйверы и т.д.
Принцип работы L6561D
L6561D реализует метод активной коррекции коэффициента мощности. Как это работает?
Микросхема управляет силовым ключом (обычно MOSFET-транзистором) таким образом, чтобы форма потребляемого тока максимально соответствовала форме входного напряжения. Это достигается за счет:
- Измерения входного напряжения и тока
- Формирования опорного сигнала
- ШИМ-модуляции для управления ключом
- Стабилизации выходного напряжения
В результате входной ток приобретает синусоидальную форму и совпадает по фазе с напряжением, что обеспечивает высокий коэффициент мощности.
Ключевые особенности L6561D
Рассмотрим основные технические характеристики и особенности микросхемы L6561D:
- Напряжение питания 11-18 В — позволяет работать от стандартных источников
- Выходной ток до 400 мА — достаточно для управления мощными MOSFET
- Низкий ток потребления 5.5 мА — обеспечивает высокий КПД
- Встроенный ШИМ-контроллер
- Защита от перегрузки и короткого замыкания
- Мягкий старт для ограничения пусковых токов
- Температурная защита
Такой набор функций делает L6561D универсальным решением для построения эффективных PFC-схем в широком диапазоне применений.
Преимущества использования L6561D
Применение L6561D в схемах корректоров коэффициента мощности дает ряд важных преимуществ:
- Высокий КПД преобразования — до 98%
- Коэффициент мощности до 0.99
- Низкий уровень гармонических искажений
- Стабильная работа в широком диапазоне входных напряжений
- Простота реализации PFC-схемы
- Снижение габаритов и стоимости источника питания
- Соответствие стандартам энергоэффективности
Это позволяет создавать компактные и экономичные источники питания, отвечающие современным требованиям.
Типовая схема включения L6561D
Для корректной работы L6561D требуется минимум внешних компонентов. Типовая схема включения выглядит следующим образом:
- Вход питания подключается к выводам VCC и GND
- Выход GATE управляет затвором силового MOSFET
- Вывод MULT используется для измерения входного напряжения
- CS — вход измерения тока через токовый шунт
- COMP — подключение компенсирующей RC-цепи
Также потребуются несколько внешних резисторов и конденсаторов для задания режимов работы. Подробная схема включения приводится в документации на микросхему.
Настройка и оптимизация PFC на L6561D
Для получения максимальной эффективности схемы PFC на L6561D требуется правильная настройка. Основные этапы:
- Выбор силового MOSFET с подходящими параметрами
- Расчет токоизмерительного шунта
- Настройка частоты ШИМ (обычно 65-130 кГц)
- Подбор компенсирующей RC-цепи
- Оптимизация запуска и мягкого старта
- Настройка защиты от перегрузки
Правильная настройка позволит добиться коэффициента мощности более 0.98 и КПД до 98% во всем диапазоне нагрузок.
Возможные проблемы при использовании L6561D
При работе с L6561D могут возникнуть некоторые сложности:
- Сложность разводки печатной платы для минимизации помех
- Необходимость точного подбора внешних компонентов
- Возможные проблемы с ЭМС при неправильной компоновке
- Сложность настройки при работе на высоких частотах
Для решения этих проблем рекомендуется тщательно следовать указаниям из документации и применять проверенные схемотехнические решения.
Заключение
L6561D является эффективным решением для реализации корректоров коэффициента мощности в современных импульсных источниках питания. Применение данной микросхемы позволяет значительно повысить энергоэффективность и соответствовать строгим стандартам. При правильном применении L6561D обеспечивает отличные характеристики и надежную работу PFC-схемы.
L6561D IC: driver; контроллер PFC; SO8; 400мА; 650мВт; 11÷18В; Iраб: 5,5мА производства STMicroelectronics L6561D
нет в наличии
по запросу
Запросить
Вы можете запросить у нас любое количество L6561D, просто отправьте нам запрос на поставку.
Мы работаем с частными и юридическими лицами.
L6561D описание и характеристики
IC: driver; контроллер PFC; SO8; 400мА; 650мВт; 11÷18В; Iраб: 5,5мА
Выходной ток
400мА
КорпусSO8
Вид микросхемы
контроллер PFC
Тип микросхемы
driverПроизводитель
STMicroelectronics
Мощность
650мВт
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-20. ..125°C
Применение
SMPS
Рабочее напряжение
11…18В
Рабочий ток
5,5мА
Вес
0. 078g
Бесплатная доставка
заказов от 5000 ₽
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
Смежные товары
FK 251 10 LF PAK
Радиатор: прессованный; L: 13мм; W: 15мм; H: 10мм; 24К/Вт; медь; SMT
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
5250
Тест-клипса; синий; Расст.между рядами: 10,92/6,6мм; позолота
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
MS-DIP/SO10
Плата: универсальная; односторонняя,макетная; W: 15,5мм; L: 21мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
SV-SOIC8
Тест-клипса; черный; позолота; SO8,SOIC8,SOJ8; макс.150°C; 10мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
WLSK200
Инструмент: вакуумный захват; SMD
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
RE932
Плата: универсальная; переходная; W: 58,5мм; L: 88мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
MS-DIP/SMD5
Плата: универсальная; односторонняя,макетная; W: 60мм; L: 80мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
UMSMD486
Плата: универсальная; макетная; W: 55мм; L: 103мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
MS-DIP/SMD3
Плата: универсальная; односторонняя,макетная; W: 100мм; L: 160мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
MS-DIP/SMD1
Плата: универсальная; односторонняя,макетная; W: 60мм; L: 100мм
от 20 240 ₽
+3036 баллов
Подробнее
Похожие товары
L6382D5
IC: driver; контроллер PFC; SO20; 15÷600кГц; 13÷15В
от 754 ₽
+28275 баллов
Подробнее
NCP1654BD200R2G
IC: PMIC; -1,5÷1,5А; SO8; 9÷20В; Топология: boost
от 240 ₽
+9000 баллов
Подробнее
XDPL8105XUMA1
IC: driver; flyback; AC/DC switcher,контроллер LED; PG-DSO-8
от 346 ₽
+12975 баллов
Подробнее
NCP1612ADR2G
IC: PMIC; контроллер PFC; -0,5÷0,8А; SO10; 9÷35В; бобина,лента
от 134 ₽
+20100 баллов
Подробнее
NCP360MUTBG
IC: driver; uDFN6; Uвх: 1,2÷20В; OUT: транзисторный
от 101 ₽
+90900 баллов
Подробнее
ULN2003APW
IC: driver; darlington,транзисторная матрица; TSSOP16; 0,5А; 50В
от 97 ₽
+72750 баллов
Подробнее
AT42QT1011-TSHR
IC: driver/sensor; емкостный датчик; 1,8÷5,5ВDC; SOT23-6
от 165 ₽
+111375 баллов
Подробнее
L6668
IC: driver; контроллер PFC; SO16; Uраб: 12,5÷14,5В; 107кГц
от 506 ₽
+3795 баллов
Подробнее
SI8230AD-D-IS
IC: driver; high-/low-side,контроллер затвора; SO16-W; 0,5А; Ch: 2
от 918 ₽
+34425 баллов
Подробнее
VND5050JTR-E
IC: power switch; high-side; 18А; PowerSSO12; 4,5÷36В
от 660 ₽
+24750 баллов
Подробнее
BUF602ID
IC: driver; буфер; SO8; Ch: 1
от 552 ₽
+6210 баллов
Подробнее
SI8235BB-D-IS1
IC: driver; контроллер затвора; SO16; 4А; Ch: 2; Uизол: 2,5кВ
от 950 ₽
+35625 баллов
Подробнее
Ваша заявка отправлена. В ближайшее время мы свяжемся с Вами по указанным контактам.
20800078
Enclosure, Accessory, Coding Pegs Срок поставки 3-4 недели
Поздравляем! Вы получили бесплатную доставку на ваш заказ!
Оформить заказ
Заказанное количество не является кратным. Правильное количество должно быть кратным .
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом для регистрации», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Введите номер вашего мобильного телефона
Нажимая на кнопку «Получить СМС с кодом доступа», Вы принимаете условия пользовательского соглашения.
Сохранение профиля
Данные сохранены!
Отменить удаление будет невозможно
Введите название Запись начинается на строке12
Предварительный просмотр вашего файла отображается ниже. Ваши столбцы были сопоставлены на основе содержания вашего файла. Пожалуйста, просмотрите выбранные варианты и используйте выпадающие списки над каждым столбцом, чтобы внести какие-либо изменения, а также сопоставить столбцы, которые мы не смогли отобразить автоматически. Требуется столбец как для номера детали, так и для количества.
Куда доставить заказ?
Москва
Добавьте точный адрес, удобный пункт выдачи или постамат, чтобы заранее увидеть условия доставки товаров
Выберите город
Разница размеров SOIC8 SOP8 150mil и 200mil, 208mil
- Последние новости
25/12/2022
768
Подробнее
01/12/2022
607
Подробнее
04/08/2022
982
Подробнее
26/07/2022
1. 0 K
Подробнее
22/07/2022
1.2 K
Подробнее
- Самые популярные статьи
01/10/2018 00:30 8.1 K Попов Вадим
Для работы с планарными (SMD) микросхемами 24 EEPROM, 25 SPI FLASH вам могут понадобиться адаптеры (переходники) TSU-D08/SO08-150 для 24xx и 93xx чипов или DIP08/SO08-208 для 25xx чипов:
Такие переходники могут быть разных размеров, отличаются шириной площадки. Более узкий переходник имеет маркировку 150mil и расчитан на микросхемы шириной 6 мм, обычно это микросхемы EEPROM серии для 24xx и 93xx.
- Ширина микросхемы без выводов: 3,9 мм (0,150″)
- Ширина микросхемы с выводами: 6,0 мм
- Шаг выводов: 1,27 мм (0,050″)
- Число выводов: 8
Широкий переходник маркируется 208mil и расчитаны на микросхемы шириной в 8 мм, зачастую это flash серии 25xx.
- Ширина микросхемы без выводов: 5,2 мм (0,208″)
- Ширина микросхемы с выводами: 7,9 мм
- Шаг выводов: 1,27 мм (0,050″)
- Число выводов: 8
Предыдущая новостьСледующая новость
Интересное в новостях
25/12/2022 11:38
768
Сначала у их подвала было два выхода – во второй и четвертый подъезд. Но к середине марта выходы уже были завалены, и люди пробирались в укрытие и выбирались из него через узкий лаз. Старикам и детям…
Читать полностью
01/12/2022 12:00
607
Момент бомбового удара авиации российских оккупантов по драматическому театру 16 марта 2022 г. в городе Мариуполь, Украина, унёсшего жизни нескольких сотен горожан (женщин и детей).
Читать полностью
04/08/2022 12:50
982
Из Крыма приехали волонтёры в Мариуполь и привезли гуманитарную помощь для оставшихся в городе жителей, немного пообщались с пожилыми жителями города, мамочками с детьми и другими, кто нуждается в помощи. …
Читать полностью
Компьютерный мирSector
Вся информация на страницах сайта предназначена только для личного не коммерческого использования, учёбы, повышения квалификации и не включает призывы к каким либо действиям.
Частичное или полное использование материалов сайта разрешается только при условии добавления ссылки на непосредственный адрес материала на нашем сайте.
Это интересно
SOIC-8PD.indd
%PDF-1.6 % 18 0 объект > эндообъект 15 0 объект >поток приложение/pdf
Практический пример: Периодизация состава тела у бегуньи на средние дистанции олимпийского уровня за 9-летнюю карьеру
. 2018 1 июля; 28 (4): 428-433.
doi: 10.1123/ijsnem.2017-0312. Эпаб 2018 25 мая.
Трент Стеллингверфф 1
принадлежность
- 1 Канадский институт спорта — Тихоокеанский университет и Университет Виктории.
- PMID: 29140157
- DOI: 10. 1123/ийснем.2017-0312
Бесплатная статья
Трент Стеллингверфф. Int J Sport Nutr Exerc Metab. .
Бесплатная статья
. 2018 1 июля; 28 (4): 428-433.
doi: 10.1123/ijsnem.2017-0312. Эпаб 2018 25 мая.
Автор
Трент Стеллингверфф 1
принадлежность
- 1 Канадский институт спорта — Тихоокеанский университет и Университет Виктории.
- PMID: 29140157
- DOI: 10. 1123/ийснем.2017-0312
Абстрактный
В этом тематическом исследовании представлена бегунья на средние дистанции олимпийского уровня, применяющая научно обоснованный подход к периодизации состава тела. Появляются данные, свидетельствующие о том, что с точки зрения здоровья и/или работоспособности нецелесообразно находиться на пике состава тела круглый год, поэтому необходимо стратегически периодизировать состав тела. Антропометрические (n = 44), гематологические, другие показатели состояния здоровья и результаты забега на 1500 м (n = 83) периодически оценивались в течение 9-год карьеры. Фаза общей подготовки (с сентября по апрель) показала, что масса тела (МТ) и телесный жир (%) спортсмена примерно на 2-4% превышает идеальную фазу соревнований, при этом приоритет отдавался оптимальной доступности энергии. Этап оптимизации состава тела для соревнований (с мая по август) включал создание индивидуальных временных рамок и дефицита калорий с различными показателями обратной связи (масса тела, производительность и голод), чтобы направлять процесс. Между фазами наблюдались значительные сезонные колебания антропометрических результатов (47,3 ± 0,8 по сравнению с 48,3 ± 0,9).кг массы тела; 53,6 ± 7,8 против 61,6 ± 9,7 мм Международное общество развития кинантропометрии сумма 8 кожных складок [So8]; p < 0,01) и значимая корреляция снижения So8 в пиковый соревновательный период ее карьеры (r = -0,838; p = 0,018). Диапазон телосложения в соревновательный период составлял 46,0-48,0 кг МТ, диапазон So8 - 42,0-55,9 мм. Также были выявлены значительные положительные корреляции между более медленным бегом на 1500 м и увеличением So8 (r = 0,437; p < 0,01), расчетной жировой массой (r = 0,445; p < 0,01) и массой тела (r = 0,511). ; р < 0,0001). У спортсмена было всего две травмы за карьеру. Это тематическое исследование демонстрирует подход к периодизации состава тела, который позволил достичь целевых пиковых годовых результатов, которые улучшались на протяжении всей ее карьеры, при этом максимизируя адаптацию к тренировкам и долгосрочное здоровье спортсмена за счет оптимальной доступности энергии.
Ключевые слова: анаэробный; антропометрия; элита; доступность энергии; здоровье; производительность.
Похожие статьи
Тренировки и состав тела во время подготовки к 48-часовому ультрамарафонскому забегу: пример опытного спортсмена.
Николаидис П.Т., Кнехтле С., Рамирес-Кампильо Р., Ванчини Р.Л., Роземанн Т., Кнехтле Б. Николаидис П.Т. и соавт. Общественное здравоохранение Int J Environ Res. 201913 марта; 16 (6): 903. дои: 10.3390/ijerph26060903. Общественное здравоохранение Int J Environ Res. 2019. PMID: 30871153 Бесплатная статья ЧВК.
Интегрированный многофакторный подход к периодизации для достижения оптимальных результатов в индивидуальных и командных видах спорта.
Муджика И., Халсон С., Берк Л.М., Балаге Г., Фэрроу Д. Муджика И. и др. Int J Sports Physiol Perform. 2018 1 мая; 13 (5): 538-561. doi: 10.1123/ijspp.2018-0093. Int J Sports Physiol Perform. 2018. PMID: 29848161 Обзор.
Влияние диетического вмешательства на состав тела и результаты у элитных спортсменов.
Garthe I, Raastad T, Refsnes PE, Sundgot-Borgen J. Гарте I и др. Евро J Sport Sci. 2013;13(3):295-303. дои: 10.1080/17461391.2011.643923. Epub 2012 1 марта. Евро J Sport Sci. 2013. PMID: 23679146 Клиническое испытание.
Количественная оценка и периодизация тренировок во время высокой тренировки в режиме реального времени на высоте 2100 м у элитных бегунов: наблюдательное когортное исследование.
Шарма А.П., Сондерс П.У., Гарвикан-Льюис Л.А., Периар Д.Д., Кларк Б., Гор С.Дж., Рэйсмит Б.П., Стэнли Дж., Робертсон Э.Ю., Томпсон К.Г. Шарма А.П. и др. J Sports Sci Med. 2018 20 ноября; 17 (4): 607-616. Электронная коллекция 2018 декабрь. J Sports Sci Med. 2018. PMID: 30479529 Бесплатная статья ЧВК.
Современные вмешательства в области питания для оптимизации результатов бегунов на средние дистанции.
Стеллингверфф Т., Бовим И.М., Уитфилд Дж. Стеллингверфф Т. и др. Int J Sport Nutr Exerc Metab. 2019 1 марта; 29 (2): 106-116. doi: 10.1123/ijsnem.2018-0241. Epub 2019 12 февраля. Int J Sport Nutr Exerc Metab. 2019. PMID: 30299184 Обзор.
Посмотреть все похожие статьи
Цитируется
Изменения состава тела и двигательной подготовленности юных волейболисток в годовом тренировочном цикле.
Серонь А., Стахонь А., Петрашевска Ю. Серонь А. и др. Общественное здравоохранение Int J Environ Res. 2023 30 января; 20 (3): 2473. дои: 10.3390/ijerph30032473. Общественное здравоохранение Int J Environ Res. 2023. PMID: 36767839Бесплатная статья ЧВК.
Самооценка истории расстройств пищевого поведения, тренировок, методов контроля веса и удовлетворенности телом у элитных бегунов, участвовавших в олимпийских марафонских испытаниях в США в 2020 году.
София Б., Келли П., Оган Д., Ларсон А. София Б. и др. Int J Exerc Sci. 2022 1 мая; 15 (2): 721-732. Электронная коллекция 2022. Int J Exerc Sci. 2022. PMID: 35992185 Бесплатная статья ЧВК.
Маркеры низкой доступности энергии у спортсменов с чрезмерными нагрузками: систематический обзор и метаанализ.
Куикман М.А., Коутс А.М., Берр Дж.Ф. Куикман М.А. и соавт. Спорт Мед. 2022 дек;52(12):2925-2941. doi: 10.1007/s40279-022-01723-x. Epub 2022 11 июля. Спорт Мед. 2022. PMID: 35819582
Соревнования в жарких условиях на Олимпийских играх в Токио: стратегии подготовки, используемые австралийскими пешеходами.
Карр А.Дж., Валланс Б.С., Ротвелл Дж., Ри А.Е., Берк Л.М., Гай Дж.Х. Карр А.Дж. и др. Фронт Физиол. 2022 23 марта; 13:836858. doi: 10.3389/fphys.2022.836858. Электронная коллекция 2022. Фронт Физиол. 2022. PMID: 35399272 Бесплатная статья ЧВК.
Рекомендации и рекомендации по питанию для спортсменок: здоровье и работоспособность.
Хольцман Б.