Как создавались первые советские транзисторы. Какие драгоценные металлы содержались в советских транзисторах. Почему советские транзисторы были богаты золотом и серебром. Какие марки советских транзисторов содержали наибольшее количество драгметаллов.
История создания первых советских транзисторов
Разработка полупроводниковых приборов в СССР началась практически одновременно с США. Уже в 1948 году группа советских ученых под руководством А.В. Красилова получила транзисторный эффект и опубликовала статью «Кристаллический триод» — первую публикацию о транзисторах в СССР.
В 1949 году лабораторией Красилова были разработаны и переданы в серийное производство первые советские точечные германиевые триоды С1-С4. В 1950 году образцы германиевых триодов были созданы в нескольких ведущих научных институтах страны.
Развитие производства транзисторов в СССР
В 1953 году был образован специализированный НИИ-35 (позже НИИ «Пульсар») для разработки полупроводниковых приборов. В 1955 году началось промышленное производство транзисторов на заводе «Светлана» в Ленинграде.
Объемы производства стремительно росли: если в 1955 году было выпущено 96 тысяч транзисторов, то в 1966 году — уже более 11 миллионов. Развивались новые технологии изготовления плоскостных транзисторов: сплавная, сплавно-диффузионная, меза-диффузионная.
Содержание драгоценных металлов в советских транзисторах
Советские транзисторы содержали значительное количество драгоценных металлов, прежде всего золота и серебра. Это было обусловлено стремлением обеспечить высокую надежность и долговечность приборов.
Золото и серебро являются идеальными проводниками электрического тока и очень устойчивы к окислению, в отличие от меди или олова. Поэтому их широко применяли для изготовления контактов и проводников в транзисторах.
Наиболее «богатые» золотом советские транзисторы
Содержание драгоценных металлов в разных моделях транзисторов сильно различалось. Некоторые транзисторы содержали очень большое количество золота:
- КТ118А, КТ118Б, КТ118В — 11,69 г золота
- КТ202Г — 0,88 г золота
Помимо золота, многие транзисторы содержали серебро и платину. Однако точное содержание драгметаллов зависело от конкретной модели.
Почему в современных транзисторах меньше драгметаллов
В современных транзисторах содержание драгоценных металлов значительно меньше по сравнению с советскими аналогами. Это связано с развитием технологий, в частности:
- Уменьшением размеров транзисторов до нанометровых масштабов
- Применением технологии плазменного напыления металлов
- Использованием новых материалов и сплавов
Современные методы позволяют использовать нанограммы драгоценных металлов вместо граммов, как это было в советскую эпоху, сохраняя при этом высокую надежность приборов.
Ценность советских транзисторов для коллекционеров и переработчиков
Старые советские транзисторы представляют значительную ценность из-за высокого содержания драгоценных металлов. Они пользуются спросом у коллекционеров и компаний, занимающихся переработкой электронного лома.
При обнаружении советской электронной техники с транзисторами рекомендуется сдать их на переработку, что может принести существенную прибыль. Однако найти наиболее ценные модели становится все сложнее из-за активного сбора таких компонентов в прошлые годы.
Влияние «холодной войны» на развитие электроники в СССР
Развитие полупроводниковой промышленности в СССР происходило в условиях «холодной войны» и экономической изоляции от западных стран. Это создавало определенные трудности, но также стимулировало развитие собственных технологий и производств.
Руководство СССР осознавало стратегическую важность развития электроники для обороноспособности страны. В 1961 году было принято специальное постановление о развитии полупроводниковой промышленности, предусматривавшее строительство новых заводов и НИИ в разных городах страны.
Сравнение развития транзисторной техники в СССР и США
Хотя первый транзистор был создан в США, советские ученые очень быстро догнали американских коллег. Уже через год после первой публикации о транзисторе в США, в СССР были получены аналогичные результаты.
В некоторых областях советская наука и промышленность даже опережала США. Например, первый в мире компьютер с производительностью выше 1 млн операций в секунду был создан в СССР.
Однако в целом развитие транзисторной техники в СССР шло несколько иными путями, чем в США, что было обусловлено как экономическими факторами, так и особенностями организации науки и промышленности.
Значение транзисторов для развития электроники
Изобретение транзистора стало одним из ключевых событий в истории техники XX века. Транзисторы позволили создать компактную, энергоэффективную и надежную электронику, что привело к революции в вычислительной технике, связи, бытовой электронике и многих других областях.
Для СССР развитие транзисторной техники имело особое значение в контексте «холодной войны» и необходимости поддержания паритета с США в области вооружений. Транзисторы позволили создать новые системы управления для ракет, самолетов, кораблей и другой военной техники.
60 лет транзистору
Б. М. Малашевич
Трудно найти такую отрасль науки и техники, которая так же стремительно развивалась и оказала такое–же огромное влияние на все стороны жизнедеятельности человека, каждого отдельного и общества в целом, как электроника.
Как самостоятельное направление науки и техники электроника сформировалась благодаря электронной лампе. Сначала появились радиосвязь, радиовещание, радиолокация, телевидение, затем электронные системы управления, вычислительная техника и т.п. Но электронная лампа имеет неустранимые недостатки: большие габариты, высокое энергопотребление, большое время вхождения в рабочий режим, низкую надежность. В результате через 2-3 десятка лет существования ламповая электроника во многих применениях подошла к пределу своих возможностей. Электронной лампе требовалась более компактная, экономичная и надежная замена. И она нашлась в виде полупроводникового транзистора. Его создание справедливо считают одним из величайших достижений научно-технической мысли двадцатого столетия, коренным образом изменившим мир.
Оно было отмечено Нобелевской премией по физике, присужденной в 1956 г. американцам Джону Бардину, Уолтеру Браттейну и Уильяму Шокли. Но у нобелевской тройки в разных странах были предшественники .
И это понятно. Появление транзисторов – результат многолетней работы многих выдающихся ученых и специалистов, которые в течении предшествующих десятилетий развивали науку о полупроводниках. Советские ученые внесли в это общее дело огромный вклад. Очень много было сделано школой физики полупроводников академика А.Ф. Иоффе – пионера мировых исследований по физике полупроводников. Еще в 1931 году он опубликовал статью с пророческим названием: «Полупроводники – новые материалы электроники». Немалую заслугу в исследование полупроводников внесли Б.В. Курчатов и В.П. Жузе. В своей работе – «К вопросу об электропроводности закиси меди» в 1932 году они показали, что величина и тип электрической проводимости определяется концентрацией и природой примеси. Советский физик Я.Н. Френкель создал теорию возбуждения в полупроводниках парных носителей заряда: электронов и дырок. В 1931 г. англичанину Уилсону удалось создать т еоретическую модель полупроводника, сформулировав при этом основы «зонной теории полупроводников». В 1938 г. Мотт в Англии, Б.Давыдов в СССР, Вальтер Шоттки в Германии независимо друг от друга предложили теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник. В 1939 году Б.Давыдов опубликовал работу «Диффузионная теория выпрямления в полупроводниках». В 1941 г. В. Е. Лашкарев опубликовал статью «Исследование запирающих слоев методом термозонда» и в соавторстве с К. М. Косоноговой – статью «Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди». Он описал физику «запорного слоя» на границе раздела «медь – закись меди», впоследствии названного «p-n» переходом. В 1946 г. В. Лошкарев открыл биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках. Им же был раскрыт механизм инжекции – важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы. Большой вклад в исследование свойств полупроводников внесли И. В.Курчатов, Ю.М.Кушнир, Л.Д.Ландау, В.М.Тучкевича, Ж.И.Алферов и др. Таким образом, к концу сороковых годов двадцатого века основы теоретической базы для создания транзисторов были проработаны достаточно глубоко, чтобы приступать к практическим работам.
Рис. Транзитрон Г.Матаре и Г.Велкера
Первой известной попыткой создания кристаллического усилителя в США предпринял немецкий физик Юлиус Лилиенфельд, запатентовавший в 1930, 1932 и 1933 гг. три варианта усилителя на основе сульфида меди. В 1935 г. немецкий у ченый Оскар Хейл получил британский патент на усилитель на основе пятиокиси ванадия. В 1938 г. немецкий физик Поль создал действующий образец кристаллического усилителя на нагретом кристалле бромида калия. В довоенные годы в Германии и Англии было выдано еще несколько аналогичных патентов. Эти усилители можно считать прообразом современных полевых транзисторов. Однако построить устойчиво работающие приборы не удавалось, т.к. в то время еще не было достаточно чистых материалов и технологий их обработки. В первой половине тридцатых годов точечные триоды изготовили двое радиолюбителей – канадец Ларри Кайзер и тринадцатилетний новозеландский школьник Роберт Адамс. В июне 1948 г. (до обнародования транзистора) изготовили свой вариант точечного германиевого триода, названный ими транзитроном, жившие тогда во Франции немецкие физики Роберт Поль и Рудольф Хилш. В начале 1949 г. было организовано производство транзитронов, применялись они в телефонном оборудовании, причем работали лучше и дольше американских транзисторов. В России в 20-х годах в Нижнем Новгороде О.В.Лосев наблюдал транзисторный эффект в системе из трех – четырех контактов на поверхности кремния и корборунда. В середине 1939 г. он писал: «…с полупроводниками может быть построена трехэлектродная система, аналогичная триоду», но увлекся открытым им светодиодным эффектом и не реализовал эту идею. К транзистору вело множество дорог.
Первый транзистор
Слава направо: Уильям Шокли,
Джон Бардин (сидит), Уолтер Бреттейн.
Фото из http://gete.ru/page_140.html
Выше описанные примеры проектов и образцов транзисторов были результатами локальных всплесков мысли талантливых или удачливых людей, не подкрепленные достаточной экономической и организационной поддержкой и не сыгравшие серьезной роли в развитии электроники. Дж. Бардин, У. Браттейн и У. Шокли оказались в лучших условиях. Они работали по единственной в мире целенаправленной долговременной (более 5 лет) программе с достаточным финансовым и материальным обеспечением в фирме Bell Telephone Laboratories, тогда одной из самых мощных и наукоемких в США. Их работы были начаты еще во второй половине тридцатых годов, работу возглавил Джозеф Бекер, который привлек к ней высококлассного теоретика У. Шокли и блестящего экспериментатора У. Браттейна. В 1939 г. Шокли выдвинул идею изменять проводимость тонкой пластины полупроводника (оксида меди), воздействуя на нее внешним электрическим полем. Это было нечто, напоминающее и патент Ю. Лилиенфельда, и позже сделанный и ставший массовым полевой транзистор. В 1940 г. Шокли и Браттейн приняли удачное решение ограничить исследования только простыми элементами – германием и кремнием. Однако все попытки построить твердотельный усилитель ни к чему не привели, и после Пирл-Харбора (практическое начало Второй мировой войны для США) были положены в долгий ящик. Шоккли и Браттейн были направлены в исследовательский центр, работавший над созданием радаров. В 1945 г. оба возвратились в Bell Labs. Там под руководством Шокли была создана сильная команда из физиков, химиков и инженеров для работы над твердотельными приборами. В нее вошли У. Браттейн и физик-теоретик Дж. Бардин. Шокли сориентировал группу на реализацию своей довоенной идеи. Но устройство упорно отказывалось работать, и Шокли, поручив Бардину и Браттейну довести его до ума, сам практически устранился от этой темы.
Два года упорного труда принесли лишь отрицательные результаты. Бардин предположил, что избыточные электроны прочно оседали в приповерхностных областях и экранировали внешнее поле. Эта гипотеза подсказала дальнейшие действия. Плоский управляющий электрод заменили острием, пытаясь локально воздействовать на тонкий приповерхностный слой полупроводника.
Первый транзистор У. Браттейна и Дж. Бардина
Однажды Браттейн нечаянно почти вплотную сблизил два игольчатых электрода на поверхности германия, да еще перепутал полярность напряжений питания, и вдруг заметил влияние тока одного электрода на ток другого. Бардин мгновенно оценил ошибку. А 16 декабря 1947 г. у них заработал твердотельный усилитель, который и считают первым в мире транзистором. Устроен он был очень просто – на металлической подложке-электроде лежала пластинка германия, в которую упирались два близко расположенных (10-15 мкм) контакта. Оригинально были сделаны эти контакты. Треугольный пластмассовый нож, обернутый золотой фольгой, разрезанной надвое бритвой по вершине треугольника. Треугольник прижимался к германиевой пластинке специальной пружиной, изготовленной из изогнутой канцелярской скрепки. Через неделю, 23 декабря 1947 г. прибор был продемонстрирован руководству фирмы, этот день и считается датой рождения транзистора. Все были рады результатом, кроме Шокли: получилось, что он, раньше всех задумавший полупроводниковый усилитель, руководивший группой специалистов, читавший им лекции по квантовой теории полупроводников – не участвовал в его создании. Да и транзистор получился не такой, как Шокли задумывал: биполярный, а не полевой. Следовательно на соавторство в «звездном» патенте он претендовать не мог.
Прибор работал, но широкой публике эту внешне несуразную конструкцию показывать было нельзя. Изготовили несколько транзисторов в виде металлических цилиндриков диаметром около 13 мм. и собрали на них «безламповый» радиоприемник. 30 июня 1948 г. в Нью-Йорке состоялась официальная презентация нового прибора – транзистора (от англ. Transver Resistor – трансформатор сопротивлений). Но специалисты не сразу оценили его возможности. Эксперты из Пентагона «приговорили» транзистор к использованию лишь в слуховых аппаратах для старичков. Так близорукость военных спасла транзистор от засекречивания. Презентация осталась почти незамеченной, лишь пара абзацев о транзисторе появилась в «Нью-Йорк Тайме» на 46 странице в разделе «Новости радио». Таким было явление миру одного из величайших открытий XX века. Даже изготовители электронных ламп, вложившие многие миллионы в свои заводы, в появлении транзистора угрозы не увидели.
Позже, в июле 1948 года, информация об этом изобретении появилась в журнале «The Physical Review». Но т олько через некоторое в ремя специалисты поняли, что произошло грандиозное событие, определившее дальнейшее развитие прогресса в мире.
Bell Labs сразу оформила патент на это революционное изобретение, но с технологией было масса проблем. Первые транзисторы, поступившие в продажу в 1948 году, не внушали оптимизма – стоило их потрясти, и коэффициент усиления менялся в несколько раз, а при нагревании они и вовсе переставали работать. Но зато им не было равных в миниатюрности. Аппараты для людей с пониженным слухом можно было поместить в оправе очков! Поняв, что вряд ли она сама сможет справиться со всеми технологическими проблемами, Bell Labs решилась на необычный шаг. В начале 1952 года она объявила, что полностью передаст права на изготовление транзистора всем компаниям, готовым выложить довольно скромную сумму в 25 000 долларов вместо регулярных выплат за пользование патентом, и предложила обучающие курсы по транзисторной технологии, помогая распространению технологии по всему миру. Постепенно росла очевидность важности этого миниатюрного устройства. Транзистор оказался привлекательным по следующим причинам: был дешев, миниатюрен, прочен, потреблял мало мощности и мгновенно включался (лампы долго нагревались). В 1953 г. на рынке появилось первое коммерческое транзисторное изделие – слуховой аппарат (пионером в этом деле выступил Джон Килби из ф. Centralab , который через несколько лет сделает первую в мире полупроводниковую микросхему), а в октябре 1954 г. – первый транзисторный радиоприе мник Regency TR1, в нем использовалось всего четыре германиевых транзистора. Немедленно принялась осваивать новые приборы и индустрия вычислительной техники, первой была фирма IBM . Доступность технологии дала свои плоды – мир начал стремительно меняться.
Польза конструктивного честолюбия
У честолюбивого У.Шокли случившееся вызвало вулканический всплеск его творческой энергии. Хотя Дж. Бардин и У.Браттейн нечаянно получили не полевой транзистор, как планировал Шокли, а биполярный, он быстро разобрался в сделанном. Позднее Шокли вспоминал о своей «страстной неделе», в течение которой он создал теорию инжекции, а в новогоднюю ночь изобрел плоскостной биполярный транзистор без экзотических иголочек.
Что бы создать что-то новое, Шокли по-новому взглянул на давно известное – на точечный и плоскостный полупроводниковые диоды, на физику работы плоскостного «p — n» перехода, легко поддающуюся теоретическому анализу. Поскольку точечный транзистор представляет собой два очень сближенные диода, Шокли провел теоретическое исследования пары аналогично сближенных плоскостных диодов и создал основы теории плоскостного биполярного транзистора в кристалле полупроводника, со держащего два «p — n» перехода. Плоскостные транзисторы обладают рядом преимуществ перед точечными: они более доступны теоретическому анализу, обладают более низким уровнем шумов, обеспечивают большую мощность и, главное, более высокие повторяемость параметров и надежность. Но, пожалуй, главным их преимуществом была легко автоматизируемая технология, исключающая сложные операции изготовления, установки и позиционирования подпружиненных иголочек, а также обеспечивавшая дальнейшую миниатюризацию приборов.
30 июня 1948 г. в нью-йоркском офисе Bell Labs изобретение было впервые продемонстрировано руководству компании. Но оказалось, что создать серийноспособный плоскостной транзистор гораздо труднее, чем точечный. Транзистор Браттейна и Бардина – чрезвычайно простое устройство. Его единственным полупроводниковым компонентом был кусочек относительно чистого и вполне тогда доступного германия. А вот техника легирования полупроводников в конце сороковых годов, необходимая для изготовления плоскостного транзистора, еще находилась в младенчестве, поэтому изготовление серийноспособного транзистора «по Шокли» удалось только в 1951 г. В 1954 году Bell Labs разработала процессы окисления, фотолитографии, диффузии, которые на многие годы стали основой производства полупроводниковых приборов.
Первый кремниевый транзистор, 1950 г.
Точечный транзистор Бардина и Браттейна – безусловно огромный прогресс по сравнению с электронными лампами. Но не он стал основой микроэлектроники, век его оказался короток, около 10 лет. Шокли быстро понял сделанное коллегами и создал плоскостной вариант биполярного транзистора, который жив и сегодня и будет жить, пока существует микроэлектроника. Патент на него он получил в 1951 г. А в 1952 г. У. Шокли создал и поле вой транзистор, так же им запатентованный. Так что свое участие в Нобелевской премии он заработал честно.
Число производителей транзисторов росло как снежный ком. Bell Labs, Shockley Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Western Electric, GSI (с декабря 1951 г. Texas Instruments), Motorola, Tokyo Cousin (С 1958 г. Sony), NEC и многие другие.
В 1950 г. фирма GSI разработала первый кремниевый транзистор, а с 1954 г., преобразившись в Texas Instruments , начала его серийное производство.
«Холодная война» и ее влияние на электронику
После окончания Второй мировой войны мир раскололся на два враждебных лагеря. В 1950-1953 гг. эта конфронтация вылилась в прямое военное столкновение – Корейскую войну. Фактически это была опосредованная война между США и СССР. В это же время США готовились к прямой войне с СССР. В 1949 г. в США был разработан опубликованный ныне план «Последний выстрел» (Operation Dropshot), фактически план Третье мировой войны, войны термоядерной. План предусматривал прямое нападение на СССР 1 января 1957 г . В течение месяца предполагалось сбросить на наши головы 300 50-килотонных атомных и 200 000 обычных бомб. Для этого план предусматривал разработку специальных баллистических ракет, подводных атомных лодок, авианосцев и многого другого. Так началась развязанная США беспрецедентная гонка вооружений, продолжавшаяся всю вторую половину прошлого века, продолжающаяся, не столь демонстративно, и сейчас.
В этих условиях перед нашей страной, выдержавшей беспрецедентную в моральном и экономическом отношении четырехлетнюю войну и добившейся победы ценой огромных усилий и жертв, возникли новые гигантские проблемы по обеспечению собственной и союзников безопасности. Пришлось срочно, отрывая ресурсы от измученного войной и голодного народа, создавать новейшие виды оружия, содержать в постоянной боеготовности огромную армию. Так были созданы атомные и водородные бомбы, межконтинентальные ракеты, система противоракетной обороны и многое другое. Наши успехи в области обеспечения обороноспособности страны и реальная возможность получения сокрушительного ответного удара вынудили США отказаться от реализации плана «Dropshot» и других ему подобных.
Одним из последствий «холодной войны» была почти полная экономическая и информационная изоляция противостоящих сторон. Экономические и научные связи были весьма слабы, а в области стратегически важных отраслей и новых технологий практически отсутствовали. Важные открытия, изобретения, новые разработки в любой области знаний, которые могли быть использованы в военной технике или способствовать экономическому развитию, засекречивались. Поставки прогрессивных технологий, оборудования, продукции запрещались. В результате советская полупроводниковая наука и промышленность, развивались в условиях почти полной изоляции, фактической блокады от всего того, что делалось в этой области в США, Западной Европе, а затем и Японии.
Следует также отметить, что советская наука и промышленность во многих направлениях тогда занимала лидирующее в мире положение. Наши истребители в корейской войне были лучше американских, наши ракеты были мощнее всех, в космосе в те годы мы были впереди планеты всей, первый в мире компьютер с производительностью выше 1 млн. оп/с был наш, водородную бомбу мы сделали раньше США, баллистическую ракету первой сбила наша система ПРО и т.п. Отстать в электронике означало потянуть назад все остальные отрасли науки и техники.
Значение полупроводниковой техники в СССР понимали прекрасно, но пути и методы ее развития были иными, чем в США. Руководство страны сознавало, что противостояние в холодной войне можно обеспечить путем развития оборонных систем, управляемых надежной, малогабаритной электроникой. В 1959 году были основаны такие заводы полупроводниковых приборов, как Александровский, Брянский, Воронежский, Рижский и др. В январе 1961 г. было принято Постановление ЦК КПСС и СМ СССР «О развитии полупроводниковой промышленности», в котором предусматривалось строительство заводов и НИИ в Киеве, Минске, Ереване, Нальчике и других городах. Причем базой для создания первых предприятий полупроводниковой промышленности стали совершенно не приспособленные для этих целей помещения (здания коммерческого техникума в Риге, Совпартшколы в Новгороде, макаронная фабрика в Брянске, швейная фабрика в Воронеже, ателье в Запорожье и т.д.). Но вернемся к истокам.
Первые советские транзисторы
В годы, предшествующие изобретению транзистора, в СССР были достигнуты значительные успехи в создании германиевых и кремниевых детекторов. В этих работах использовалась оригинальная методика исследования приконтактной области путем введения в нее дополнительной иглы, вследствие чего создавалась конфигурация, в точности повторяющая точечный транзистор. Иногда при измерениях выявлялись и транзисторные характеристики (влияние одного «p n» перехода на другой близко расположенный), но их отбрасывали как случайные и неинтересные аномалии. Мало в чем наши исследователи уступали американским специалистам, не было у них лишь одного нацеленности на транзистор, и великое открытие выскользнуло из рук. Начиная с 1947 г. интенсивные работы в области полупроводниковых усилителей велись в ЦНИИ-108 (лаб. С. Г. Калашникова) и в НИИ-160 (НИИ «Исток», Фрязино, лаб. А. В. Красилова). В 1948 г., группа А. В. Красилова, разрабатывавшая германиевые диоды для радиолокационный станций, также получила транзисторный эффект и попыталась объяснить его. Об этом в журнале «Вестник информации» в декабре 1948 ими была опубликована статья «Кристаллический триод» первая публикация в СССР о транзисторах.
Первый советские промышленные транзистор:
точечный С1Г (слева) и плоскостный П1А (справа)
В мае 1953 г. был образован специализированный НИИ (НИИ-35, позже – НИИ «Пульсар»), учрежден Межведомственный Совет по полупроводникам. В 1955 г. началось промышленное производство транзисторов на заводе «Светлана» в Ленинграде, а при заводе создано ОКБ по разработке полупроводниковых приборов. В 1956 г. московский НИИ-311 с опытным заводом переименован в НИИ «Сапфир» с заводом «Оптрон» и переориентирован на разработку полупроводниковых диодов и тиристоров.
На протяжении 50-х годов в стране были разработаны ряд новых технологий изготовления плоскостных транзисторов: сплавная, сплавно-диффузионная, меза-диффузионная.
Полупроводниковая промышленность СССР развивалась достаточно быстро: в 1955 г. было выпущено 96 тысяч, в 1957 г. – 2,7 млн, а в 1966 г. – более 11 млн. транзисторов. И это было только начало.
Статья помещена в музей 6.01.2008
Какие драгметаллы есть в транзисторах
16 февраля 2021
Современные транзисторы измеряются нанометрами, а полвека назад они имели внушительные размеры и для их изготовления использовалось солидное количество золота и прочих драгоценных металлов. Современные транзисторы уже не получится сдать скупщикам радиодеталей, так как в них количество ценных металлов ничтожно мало. Но старые советские транзисторы – это кладезь золота, серебра и платины. Если кому-то посчастливится найти советское электрооборудование любого назначения с транзисторами, то обязательно нужно сдать их, чтобы получить значительную прибыль.
Какие драгметаллы есть в транзисторах
Какие драгметаллы присутствуют в старых транзисторах?
Казалось бы, что золото благодаря своему яркому желтому цвету должно использоваться только в ювелирном деле. Но на самом деле этот металл является идеальным проводником, поэтому этот ценный металл часто добавляли в различные электронные детали, которые придавали работе любого оборудования надежность.
Продать транзисторы
Сейчас тоже используются драгоценные металлы, как золото и платину при изготовлении электроники, но в куда меньшем количестве. Все благодаря тому, что сейчас используется очень современная технология плазменного напыления металлов на различные материалы, что дает возможность использовать нанограммы драгоценных металлов, а не граммы, как это было в советскую эпоху.
Какие драгметаллы есть в транзисторах
Больше всего в старых советских транзисторах, естественно, серебра. Этот металл, как и золото, является идеальным проводником электрического сигнала, и при этом стоит намного дешевле золота. В отличие от олова серебряные и золотые контакты служат много дольше и очень долго не окисляются. Медь и олово имеют ограниченную службу и электротехника, в которых используются оловянные и медные контакты и припои, служат намного меньше той, в которой применяются драгоценные металлы.
Именно поэтому золота и серебра в советских транзисторах не просто много, а очень много. Например, в таком распространенном транзисторе советского периода, как КТ202Г золота почти один грамм – 0,88 г, но при этом ни серебра, ни платины в нем вообще нет.
Продать транзисторы
Самые «богатые» на золото транзисторы
Специалисты утверждают, что сейчас идет настоящая охота за самыми дорогими и ценными транзисторами, которые буквально напичканы золотом, серебром и платиной. Причем, как утверждают эксперты, радиодетали с драгметаллом в транзисторах хоть и были в своем время очень распространены, найти наиболее богатый на золото и платину транзисторы становится все сложнее.
Какие драгметаллы есть в транзисторах
Стоит отметить, что транзистор КТ118А считается одним из самых богатых на золото- в нем 11,69 граммов. Столько же золота и в транзисторах КТ118Б, и в КТ118В. Найти же их не так просто, так как использовались они чаще в спецэлектронике, которой осталось в наше время не так много.
Есть и чуть более богатые на золото транзисторы марки ЗП602А-2, где золота 16,16 граммов, но в отличие от КТ118А в них также присутствует и серебро в размере 11,84 граммов на транзистор. Таким образом, радиодетали с драгметаллом в транзисторах чрезвычайно были распространены в советское время, главное выявить самые «богатые».
Самые «богатые» на платину транзисторы
В наше время платина стоит в два раза дороже золота на биржах. Именно поэтому сейчас многие специалисты делают уклон на «охоту» за транзисторами, в которых наибольшее количество именно благородной платины. Эксперты утверждают, что радиодетали в транзисторах, где имеется платина, достаточно распространены и о них обязательно нужно знать.
Какие драгметаллы есть в транзисторах
Больше всего платины в старых транзисторах 2Т986А, где ее 0,06 граммов. Не стоит забывать, что радиодетали в транзисторах богаты золотом и серебром, с платиной не так легко найти. В среднем платины от 0,01 до 0,06 граммов на транзистор, но и этого количества хватает для окупаемости переработки и для получения выгоды!
◄Назад к статьямSoviet Transistor — Etsy.
deEtsy больше не поддерживает старые версии вашего веб-браузера, чтобы обеспечить безопасность данных пользователей. Пожалуйста, обновите до последней версии.
Воспользуйтесь всеми преимуществами нашего сайта, включив JavaScript.
Найдите что-нибудь памятное, присоединяйтесь к сообществу, делающему добро.
( 110 релевантных результатов, с рекламой Продавцы, желающие расширить свой бизнес и привлечь больше заинтересованных покупателей, могут использовать рекламную платформу Etsy для продвижения своих товаров. Вы увидите результаты объявлений, основанные на таких факторах, как релевантность и сумма, которую продавцы платят за клик. Узнать больше. )
КОМПЛЕКТ №2 из 10 советских военных транзисторов MP Сделано в
Продается полный набор СОВЕТСКИХ военных германиевых транзисторов !
Самые интересные транзисторы мы собрали в один набор из 10шт, эти транзисторы датированы 1967-1972 гг. , некоторые из них имеют маркировку «ВП» , что означает, что они были изготовлены для военной техники. Это крайне редкие транзисторы, и по большинству из них нет никакой информации, так как они производились для оборонной промышленности, но мы надеемся, что вы сможете построить супер звучащую 9.0138 FUZZ педаль, на основе этих неизвестных военных транзисторов, почему бы и нет? Итак, вот что мы имеем:
1ШТ МП26 [МП26] маркировка 1972 г.
1ШТ МП26 [МП26] маркировка 1969 г.
Транзистор германиевый сплав PNP PcmW
99; Утб: 70В; Uce: 70В; Uэб: 70В;
Ic/макс. имп./- 400 мА;
Ie-80ma Ft: 0,2 МГц; Hfe:10/25
1 ШТ. MP115 [МП115] с маркировкой 1967 год
Материал транзистора: кремний
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc), Вт: 0,15
Максимальное напряжение коллектор-база |Ucb|, В: 30 Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Uce|, В: 0
Максимальное напряжение эмиттер-база |Ueb|, В: 10
Максимальный ток коллектора |Ic max|, А: 0,05
Максимальная температура перехода (Tj), °С: 120
Частота перехода (ft), МГц: 0,1
КОЛЛЕКТОРЫЙ КОНСТРУКЦИЯ (CC), PF:
Коэффициент переноса переднего тока (HFE), мин: 9
1PS MP14B [MAMP14B] . : PNP
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 150 мВт
Максимальное напряжение коллектор-база (Ucb): 30 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база (Ueb ): 30 В
Максимальный ток коллектора (Ic max): 20 мА
Максимальная температура перехода (Tj): 75°C
Частота перехода (ft): 1 МГц
Емкость коллектора (Cc), Pf: 600 9015 Коэффициент передачи по прямому току (hFE), min/max: 30/60
Применение: малой мощности, общего назначения
1ШТ П403 [П403] с маркировкой 1969 г.
Тип — германий
0
ПК MAX, MW — 100
FH31B, MHZ — 100
U (BR) CBO, V — 10
IC MAX, MA -20 IC. — 40-100
1ШТ МП15А [МП15А] с маркировкой 1969 г.в.
фх31б — предельная частота коэффициента передачи тока транзистора
для с общим эмиттером и с общей базой: не менее 2 МГц;
Образцы Укбо — напряжение пробоя коллектор-база для заданного реверса
ток коллектора и эмиттера обрыва цепи: 15 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя эмиттер-база, обратный ток
при заданном обрыве эмиттерной и коллекторной цепи: 15 В;
Ik max — максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход
обратное напряжение для данного коллекторно-базового и открытого эмиттерного выхода: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малой сигнальной цепи для
с общим эмиттером и с общей базой соответственно: 50-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
1ШТ МП13Б [МП13Б] с маркировкой 1968 г.
Тип: германий
9015 Конструкция0152 Pk max — постоянная рассеиваемая мощность Коллектор: 150 мВт;
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для
с общим эмиттером и с общей базой: не менее 1 МГц;
Образцы Укбо — напряжение пробоя коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и эмиттерном обрыве цепи: 15 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя перехода эмиттер-база, обратный ток при заданном эмиттерном и коллекторном обрыве цепи: 15 В;
Ik max — максимальный постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход обратного напряжения при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для с общим эмиттером и с общей базой соответственно: 45-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
RM — Шумовой транзистор: менее 10 дБ при 1 кГц
1PCS MP25B [MP25B] Marked 1967 год
Тип: Германия
Структура: PNP 9015. 200 мВт;
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для
с общим эмиттером и с общей базой: не менее 0,5 МГц;
Образцы укбо — напряжение пробоя коллектор-база для данного коллектора обратного тока и обрыв цепи эмиттера: 40 В;
Уэбо пробы — напряжение пробоя перехода эмиттер-база, обратный ток
при заданном разомкнутой цепи эмиттера и коллектора: 40 В;
Ik и max — максимальный импульсный ток коллектора: 400мА;
Iкбо — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход
обратное напряжение при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 75 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для с общим эмиттером и с общей базой соответственно 30-80;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
Рке ус — сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером:
не более 1,8 Ом;
1 ШТ МП115 [МП115] маркировка 1970 год
Тип: Силикон
Состав: ПНП
Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc), Вт: 0,15
Максимальное напряжение коллектор-база |Ucb|, В: 30
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер |Uce|, В: 0
Максимальное напряжение эмиттер-база |Ueb|, В: 10
Максимальный ток коллектора |Ic max|, А: 0,05
Максимальная температура перехода (Tj), °С: 120
Частота перехода (ft), МГц: 0,1
Емкость коллектора (Кк), пФ:
Коэффициент передачи по прямому току (hFE), не менее: 9
1ШТ МП13Б [МП13Б] с маркировкой 1968
Тип: германиевый
Конструкция: p-n-p
Конструкция: p-n-p
Максимальная постоянная мощности коллектора: 1 мВт/с
фх31б — граничная частота коэффициента усиления по току транзистора для
с общим эмиттером и с общей базой: не менее 1 МГц;
Образцы укбо — напряжение пробоя коллектор-база для данного коллектора обратного тока и обрыв цепи эмиттера: 15 В;
Образцы Уэбо — напряжение пробоя перехода эмиттер-база, обратный ток
при заданном разомкнутой цепи эмиттера и коллектора: 15 В;
Ik max — максимальный постоянный ток коллектора: 20 мА;
Ikbo — обратный коллекторный ток — ток через коллекторный переход
обратное напряжение при заданном коллектор-база и открытом эмиттерном выходе: не более 30 мА;
х31э — статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для общего эмиттера и общебазовый соответственно: 45-100;
СК — емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
Rm — Шум Транзистор: менее 10 дБ на 1 кГц
Эти транзисторы находятся в состоянии New Old Stock и никогда не использовались.
