Справочник по полевым транзисторам: Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Содержание

Справочник по полевым транзисторам и их импортным аналогам

Характеристики транзисторов с сортировкой по максимальному напряжению

Отечественный Корпус Тип Макс ток, A Импортный Корпус
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02    
КП302 ТО-92 n 0.04    
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
smd
TO-92
КП601 ТО-39 n 0.4    
КП507 ТО-92 p 1.1(0.6) TP2104 TO-92
    n 1.6 BSP295 smd
    n 2 RTR020N05 smd
    n 4 NTR4170NT1G smd
    n 5 PMV60EN smd
    n 6 BSP100 smd
КП921А TO-220 n 10    
КП954Г TO-220 n 20    
    n 34 BUZ11 TO-220
2П7160А TO-258 n 46(75) IRF2804 TO-220
    n 100 IRF1104 TO-220
    n 162 IRF1404 TO-220
    n 210 IRF2204 TO-220
    n 350 IRFP4004 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 60-75В:
    n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92
TO-92
КП804А ТО-39 n 1 IRFL014 smd
КП505 А-Г ТО-92 n 1.4    
КП961Г ТО-126 n 5    
КП965Г ТО-126 n 5    
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5    
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220
КП740 (А-В) ТО-220 n 17    
КП7174А ТО-220 n 18    
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 25    
КП727(А,Б)
 
ТО-220
 
n
p
30
31
 
IRF5305
ТО-220
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220
КП723(А-В) ТО-220 n 50    
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50    
2П7102Д ТО-220 n 50    
КП775(А-В) ТО-220 n 50    
КП742(А,Б)
-
ТО-218
-
n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
smd
ТО-220
ТО-220
ТО-220
    n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
    n 210 IRFB3077 ТО-220
    n 350 IRFP4368 ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5    
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6  
 
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220
КП801В ТО-3 n 8    
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220
2П7144А ТО-220 p 19    
КП954Б ТО-220 n 20    
2П912А ТО-3 n 20    
КП746(А-Г) ТО-220 n
28
IRF3315 ТО-220
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220
КП769 (А-Г) ТО-220 n 28    
КП150 ТО-218 n 38(34) IRF540NS
BUZ22
smd
TO-220
КП771(А-Г) ТО-220 n 40(47) PHB45NQ10
IRF1310
smd
ТО-220
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220
    n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
    n 72 IRFP4710 ТО-247
    n 171 IRFP4568 ТО-247
    n 290
IRFP4468
ТО-247
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92
КП508А ТО-92 p 0.15    
КП501А ТО-126 n 0.18 BS107 TO-92
КП960В ТО-126 p 0.2    
КП959В ТО-126 n 0.2    
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92
КП403А ТО-92 n 0.3    
КП932А ТО-220 n 0.3    
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220
КП961А ТО-126 n 5    
КП965А ТО-126 p 5    
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2    
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10    
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220
КП767 (А-В) ТО-220 n 18    
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A TO-220
КП250 ТО-218 n 30    
2П7145А,Б КТ-9 n 30    
КП7177 А,Б ТО-218 n 50    
    n 130 IRFP4668 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2    
КП796Б ТО-220 p 3.7    
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10  
 
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы на напряжение до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14    
КП733А ТО-220 n 1.5    
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220
КП707А1 ТО-220 n 6    
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6    
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5    
КП707А ТО-3 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP360 TO-247
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50 TO-247
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220
КП7173А ТО-220 n 4    
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5    
КП931Б
 
ТО-220
 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220
КП953Г ТО-218 n 15    
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60 ТО-220
КП973Б ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3    
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3    
КП810 (А-В) ТО-218 n 7    
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942Б ТО-3 n 10    
КП707В ТО-3 n 12.5    
КП953В ТО-218 n 15    
КП973А ТО-218 n 30    
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
    n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6    
2П942А ТО-3 n 10    
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15    
КП971Б ТО-218 n 25    
Полевые транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
КП971А ТО-218 n 25    

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.


Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и "хвоста", как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.








Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортн. Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом:
ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных
условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364 ТО-92 n 0.02     кп364 - полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302 ТО-92 n 0.04      транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А ТО-39 n 0.1(0.2) BSS138
2SK583
sot23
TO-92
полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601 ТО-39 n 0.4   полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А

КП507
ТО-92 p 0.6
1.1
TP2104
 
TO-92, sot23
sot23
полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
      n 1.6 BSP295 sot223 импортный полевой smd транзистор BSP295
      n 2 RTR020N05 sot23 полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
      n 4 NTR4170 sot23
      n 5 PMV60EN sot23
      n 6 BSP100 sot223
КП921А TO-220 n 10     мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г TO-220 n 20(18) FDD8424 TO-252 мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
      n 34 BUZ11 TO-220 импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А TO-258 n 46(42) IRFR4104 TO-252 характеристики мощного MOSFET IRF4104
n 100 IRF1104 TO-220 MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
n 162 IRF1404 TO-220 MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
n 210 IRF2204 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
n 280 IRF2804 TO-220 импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
n 350 IRFP4004 TO-247 мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
      n 0.2
0.5
2N7000
BS170
TO-92, sot23 smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А ТО-39 n 1    
КП505 А-Г
 
ТО-92 n 1.4
2.7

IRFL014

sot223
импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г ТО-126 n 5     транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г ТО-126 n 5     транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б) ТО-3 n 5      
КП739 (А-В) ТО-220 n 10 IRF520 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В) ТО-220 n 17 STP16NF06 TO-220 на 60В 15А
КП7174А ТО-220 n 18      
КП784А ТО-220 p 18    
КП954 В,Д ТО-220 n 20 STP20NF06 TO-220 мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А ТО-3 n 25     полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)
ТО-220
 

 
n
p
30
31
STP36NF06
IRF5305
ТО-220 мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б) ТО-220 n 50 IRFZ44 TO-220 мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В) ТО-220 n 50 STP55NF06 TO-220 отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1) ТО-220 n 50     отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д ТО-220 n 50     MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В) ТО-220 n 50(60) STP60NF06 TO-220 полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б) ТО-218 n
n
n
p
80
80
82
74
SPB80N08
IRF1010
IRF2807
IRF4905
TO-220, D2PAK
ТО-220
ТО-220
ТО-220
полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
n 140
169
IRF3808
IRF1405
ТО-220
ТО-220
MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
      n 210 IRFB3077 ТО-220 полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
      n 350 IRFP4368 ТО-247 мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В  ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В ТО-126 n 5      
КП965В ТО-126 p 5(6.8) IRF9520 ТО-220 p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1) ТО-126 n 5.6  
КП743 (А-В) ТО-220 n 5.6 IRF510 ТО-220 mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В ТО-3 n 8 IRFR120 DPAK  
КП744 (А-Г) ТО-220 n 9.2 IRF520 TO-220 импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б) ТО-3 n 10 BUZ72 TO-220 mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В) ТО-220 n 14 IRF530 ТО-220 транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А ТО-220 p 19 IRF9540 ТО-220 импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А ТО-220 p 19     мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б ТО-220 n 20 IRFB4212 TO-220 параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А ТО-3 n 20     мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г) ТО-220 n 28 IRF3315 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г ТО-220 n 28 IRF540 ТО-220 импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г) ТО-220 n 28     мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А

КП150

ТО-218

n 33
34
38
IRF540NS
BUZ22
 
TO-220, D2PAK
TO-220
 
мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б ТО-220 p 40 IRF5210 ТО-220 mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)

 

ТО-220

 

 

n 40
42
47

IRF1310
PHB45NQ10

ТО-220
TO-247, D2PAK
отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
      n 57 STB40NF10
IRF3710
smd
ТО-220
мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
      n 72 IRFP4710 ТО-247 mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
      n 171 IRFP4568 ТО-247 полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
      n 290 IRFP4468 ТО-247 мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А ТО-92 p 0.15 BSS92 TO-92  
КП508А ТО-92 p 0.15      
КП501А ТО-92 n 0.18 BS107 TO-92  
КП960В ТО-126 p 0.2      
КП959В ТО-126 n 0.2      
КП504В ТО-92 n 0.2 BS108 ТО-92  
КП403А ТО-92 n 0.3      
КП932А ТО-220 n 0.3      
КП748 (А-В) ТО-220 n 3.3 IRF610 ТО-220 mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В ТО-220 p 4.1 BUZ173 TO-220  
КП961А ТО-126 n 5 IRF620 TO-220 полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А ТО-126 p 5      
КП749 (А-Г) ТО-220 n 5.2      
КП737 (А-В) ТО-220 n 9 IRF630 ТО-220 mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б) ТО-220 n 10 mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В) ТО-220 n 18 IRF640
IRFB17N20
TO-220 mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В) ТО-220 n 18      
КП813А1,Б1 ТО-220 n 22 BUZ30A
IRFP264
TO-220
TO-247
мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250 ТО-218 n 30(25) IRFB4620 TO-220  
2П7145А,Б КТ-9 n 30 IRFB31N20 TO-220 мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б ТО-218 n 50(62) IRFS4227 D2PAK характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
      n 130 IRFP4668 TO-247 мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А ТО-126 p 0.2    
КП959А ТО-126 n 0.2  
КП796Б ТО-220 p 3.7  
2П917А ТО-3 n 5    
КП768 ТО-220 n 10    
КП934Б ТО-3 n 10    
КП7178А ТО-218
ТО-3
n 40    
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А ТО-92 n 0.12    
КП511А,Б ТО-92 n 0.14      
КП733А ТО-220 n 1.5      
КП731 (А-В) ТО-220 n 2 IRF710 ТО-220 mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В) ТО-220 n 3.3 BUZ76
IRF720
ТО-220
TO-220
mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В ТО-220 n 5 IRF734 ТО-220 mosfet транзистор IRF734
КП768 ТО-220 n 5.5 IRF730 ТО-220 mosfet транзистор IRF730
КП707А1 ТО-220 n 6      
КП809Б ТО-218
ТО-3
n 9.6      
КП934А ТО-3 n 10 IRF740 ТО-220 mosfet транзистор IRF740
КП350 ТО-218 n 14 BUZ61 TO-220 mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б ТО-3 n 16.5      
n 18.4 STW18NB40 TO-247 импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А ТО-3 n 25 IRFP360 TO-247 mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В) ТО-220 n 2.5 IRF820 ТО-220 mosfet транзистор IRF820
КП770 ТО-220 n 8 IRF840 TO-220 mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1 ТО-218
ТО-3
n 9.6 2SK1162 ТО-3Р mosfet транзистор 2SK1162
КП450 ТО-218 n 12 IRFP450 TO-247 мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А ТО-218 n 20 IRFP460 ТО-247  
КП460 ТО-218 n 20(23) IRFP22N50 TO-247 мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б ТО-218
ТО-3
n 26(31) IRFP31N50
STW30NM50
TO-247
TO-247,TO-220
мощный полевой транзистор 500В 31А
n 32 SPW32N50 TO-247 мощный полевой транзистор на 500В 32А
n 46 STW45NM50
IRFPS40N50
TO-247
S-247
мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:
Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А ТО-220 n 1.2 SPP02N60 TO-220 высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В) ТО-220 n 4(3) SPP03N60 TO-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б) ТО-220 n 4 IRFBC30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1 ТО-220 n 4 SPP04N60 ТО-220 мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А ТО-220 n 4      
КП726 (А,Б) smd
ТО-220
n 4.5      
КП931Б
 
ТО-220
 

 
n 5(6.2)
7
IRFBC40
SPP07N60
TO-220
TO-220
MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В ТО-218
ТО-3
n 9.6 IRFB9N65A TO-220 мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В ТО-3 n 10 SPP11N60 ТО-220 MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г ТО-218 n 15      
КП707Б ТО-3 n 16.5 SPP20N60
SPW20N60
ТО-220
TO-247
MOSFET транзистор 600В 15А
n 30 STW26NM60 TO-247 полевой транзистор 600В 30А
КП973Б ТО-218 n 30 IRFP22N60
IRFP27N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 30А
n 40 IRFPS40N60 S-247 MOSFET транзистор 600В 40А
n 47 SPW47NM60
FCh57N60
TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
n 60 IPW60R045 TO-247 MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1 ТО-220 n 3      
КП728 (Г1-С1) ТО-220 n 3.3      
КП810 (А-В) ТО-218 n 7      
КП809Е ТО-218
ТО-3
n 9.6     мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б ТО-3 n 10     MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В ТО-3 n 12.5     мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В ТО-218 n 15 MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А
 
ТО-218
 

 
n 30
39

IPW60R075

TO-247
полевой транзистор (IRF) 650В 25А
  n 60 IPW60R045 TO-247 полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
n 1.5 BUZ78
IRFBE20
ТО-220
TO-220
высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А ТО-220 n 5 IRFBE30 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В ТО-3 n 5.4 SPP06N80 ТО-220 высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д ТО-218
ТО-3
n 9.6 STP10NK80 TO-220 мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А ТО-3 n 10 STP12NK80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А ТО-218 n 15 SPP17N80 ТО-220 мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д ТО-218 n 15     MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б ТО-218 n 25(55) SPW55N80 TO-247 MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б   n 4.5(3.1) IRFBG30 TO-220 высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А ТО-3 n 5.4(8) IRFPG50
2SK1120
TO-247
TO-218
мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А ТО-218 n 25(36) IPW90R120 TO-247 высоковольтный mosfet 900В 30А

Справочник по полевым транзисторам

ОТ  СОСТАВИТЕЛЯ

   Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования. 
   Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полевых транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения полевых транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.
   В справочнике собраны параметры полевых транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
   Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

   Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.
   1. Большая избыточность:
     а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
     б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
     в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.
   2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.
   3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.
   4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

   Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.
 

    Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

    Надеюсь, что Вам понравится этот справочник.

Справочник полевые транзисторы

Справочник

Пары и сборки полевых транзисторов

2П101 — КПС203

 КП301 — КП312

 КП313 — 3П330

 3П331 — КП350

 3П351 — КП364

 КП501 — КП698

 КП150 — КП640 (транзисторы мощные)

 КП701 — КП730

 КП731 — КП771

 КП801 — КП840

 КП901 — 3П930

 КП931 — КП948

 КП951 — КП973

 

Цветовая маркировка полевых транзисторов

Цоколевка полевых транзисторов 1-12

КП101, КП314, КП333, КП102, КП103, КП308-9, КПС104, КП201,КПС202, КПС203, КП301, КП302, КП601, КП914, КП303, КП307, КП310, КП337, КП304

Цоколевка полевых транзисторов 13−24

КП305, КП306, КП350, КП312, КП341, КП313, КПС315, КП322, КП323-2, 2П335-2 , 3П324-2, 3П325-2, 3П343-2, 3П344-2, 3П320-2, 3П321-2, 3П326-2, 3П330-2, 3П331-2, 3П339-2, 3П605-2, 3П328-2…

Цоколевка полевых транзисторов 25−36

2П338-1, 3П345-2, 3П602-2, 3П910-2, 3П603-2, 3П604-2, 3П606-2, 3П608-2, 3П927-2,  2П103-9, КП346-9, 2П347-2, 2П601-9, 2П607-2, КП327, КП103-1

Цоколевка полевых транзисторов 37−48

КПС316, КП901, КП902, КП903, КП904, KP905, KP907, KP908, 2П909, 2П911, 2П913, КП705, КП801, КП802, КП912, КП921, КП926, КП934, КП937, 2П918, 2П923, 2П941, 3П915-2, 3П925-2, 2П920, 2П928, 3П930-2

Цоколевка полевых транзисторов 49−60

2П933, 2П701, 2П702, 2П703, 2П803, КП921, КП931, КП704, КП707-1, КП922-1, КП946, КП948, КП932, КП707, 504НТ1 — 504НТ4, КР504НТ1 — КР504НТ4, 2П706, КП150…

Справочник по полевым транзисторам

Транзистор Назначение
2П101  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КП102  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2П103 
2П103-9 
для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2ПС104  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2П201  для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
2ПС202  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КПС203  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КП301  для применения во входных каскадах малошумящих усилителей и нелинейных малосигнальных схемах с высоким входным сопротивлением 
КП302  для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах 
КП303  предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой (Д, Е, И) и низкой (А, Б, В, Ж) частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г предназначены для применения в зарядочувствительных усилител ях и других схемах ядерной спектрометрии 
КП304  предназначены для применения в переключающих и усилительных схемах с высоким входным сопротивлением 
2П305  предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП306  предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП307  предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП307Ж предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других схемах ядерной спектрометрии 
2П308-9  предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока (А, Б, В), в переключающих схемах и схемах коммутаторов (Г, Д) с высоким входным сопротивлением. 
КП310  для применения в приемно-передающих устройствах сверхвысокочастотного диапазона 
КП312  предназначены для применения во входных каскадах усилителей и преобразователей сверхвысокочастотного диапазона 
КП313  предназначены для применения в усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением 
КП314  для применения в охлаждаемых каскадах предусилителей устройств ядерной спектрометрии 
КПС315  для работы во входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением 
КПС316  для работы во входных каскадах дифференциальных усилителей, балансных схем различного назначения с высоким входным сопротивлением 
3П320-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц 
3П321-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц 
КП322  тетрод на основе p-n перехода для усилительных и смесительных каскадов на частотах до 400 МГц 
КП323-2  транзистор с p-n переходом для входных каскадов предварительных малошумящих предварительных усилителей низкой и высокой частот (до 400 МГц) 
3П324-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для СВЧ усилительных устройств с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц 
3П325-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для СВЧ устройств с малым уровнем шума, а также для фотоприемных устройств с малым уровнем собственных шумов 
3П326-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 17.4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
КП327  МОП тетрод с n-каналом и затворами, защищенными диодами, для селекторов телевизионных каналов метровых и дециметровых волн 
3П328-2  арсенидогаллиевые полевые двухзатворные транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 8 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
КП329  для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением 
3П330-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 25 ГГц (3П330А-2, 3П330Б-2) и 17.4 ГГц (3П330В-2) для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П331-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 10 ГГц для применения в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим диапазоном 
2П332  полевой p-канальный транзистор для переключающих и усилительных устройств 
2П333  полевой n-канальный транзистор для применения во входных каскадах усилителей низкой и высокой частот (до 200 МГц), в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением 
2П335-2  для усилительных устройств 
2П336-1  для переключающих и усилительных устройств 
2П337-Р  транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением на частотах до 400 МГц 
2П338-Р1  транзисторы подобранные в пары по электрическим параметрам предназначены для применения в балансных усилителях, дифференциальных усилителях с высоким входным сопротивлением 
3П339-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частотах 8 и 17.4 ГГц для применения в малошумящих усилителях, в усилителях с расширенным динамическим диапазоном и в широкополосных усилителях 
2П341  транзистор с p-n переходом для входных каскадов малошумящих усилителей в диапазоне частот 20 Гц - 500 МГц 
КП342  для переключающих устройств 
3П343-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 12 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П344-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с нормированных коэффициентом шума на частоте 4 ГГц для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей 
3П345-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки для применения в фотоприемных устройствах с малым уровнем собственных шумов
КП346-9  МОП n-канальный двухзатворный транзистор с затворами, защищенными диодами, для селекторов каналов ТВ приемником (А,Б- для дециметровых волн, В- для метровых волн) 
2П347-2  n-канальный двухзатворный транзистор для входных каскадов радиоприемных устройств 
КП350  предназначены для применения в усилительных, генераторных и преобразовательных каскадах сверхвысокой частоты (до 700 МГц) 
КП351  транзисторы с барьером Шоттки с двумя затворами (3П351А-2) и с одним затвором (3П351А1-2), предназначены для применения в малошумящих усилителях, смесителях и других устройствах в сантиметровом диапазоне 
КП365А  BF410C n-канальный транзистор 
КП382А  BF960 двухзатворный полевой транзистор селекторов каналов ЦТ 
КП501А  ZVN2120 высоковольтный полевой МОП-транзистор, используемый в качестве ключа для аналоговых средств связи 
КП601 
2П601-9 
полевые транзисторы с диффузионным затвором и n-каналом, работа во входных и выходных каскадах усилителей и преобразователей частоты
АП602-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-12 ГГц 
3П603-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц 
3П604-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот 3-18 ГГц 
3П605-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в малошумящих усилителях и усилителях с расширенным динамическим 
диапазоном 
3П606-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом, работа в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 12 ГГц 
3П607-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, преобразователях частоты в диапазоне частот до 10 ГГц 
3П608-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в выходных каскадах усилителей и генераторов 
КП701  полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств с частотой переключения до 1 МГц 
КП702  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов 
КП703  полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей, генераторов 
КП704  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в выходных каскадах оконечных видеоусилителей многоцветных графических дисплеев, во вторичных источниках энергопитания, в устройствах коммутации электрических цепей 
КП705  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах 
КП706  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках питания, в переключающих и импульсных устройствах 
КП709  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для использования в импульсных источниках электропитания ТВ приемников четвертого и пятого поколений, переключающих и импульсных устройствах радиоэлектронной аппар атуры, устройствах электропривода. Аналог BUZ90, BUZ90A Siemens. 
КП712  полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы в импульсных устройствах 
КП717Б  IRF350 МОП-транзистор с 400 В, 0.3 Ом 
КП718А  BUZ45 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом 
КП718Е1  IRF453 МОП-транзистор с 500 В, 0.6 Ом 
КП722А  BUZ36 МОП-транзистор с 200 В, 0.12 Ом 
КП723А  IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП723Б  IRF44 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП723В  IRF45 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП724Г  IRF42 МОП-транзистор с 60 В, 0.028 Ом 
КП724А  MTP6N60 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП724Б  IRF842 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП725А  TPF450 МОП-транзистор с 500 В, 0.4 Ом 
КП726А  BUZ90 МОП-транзистор с 600 В, 1.2 Ом 
КП728А  МОП-транзистор с 800 В, 3.0 Ом 
КП801  полевые транзисторы p-n переходом для применения в выходных каскадах усилителей звуковоспроизводящей аппаратуры 
КП802  полевые транзисторы p-n переходом работа в ключевых схемах преобразователей постоянного напряжения в качестве быстродействующего коммутатора 
КП803  полевые транзисторы с изолированным затвором для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых стабилизаторов и преобразователей напряжения, усилителей и генераторов 
КП804  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для быстродействующих импульсных схем 
КП805  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для построения источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, работающих от промышленной сети переменного тока с частотой 50 Гц и напряжением 220 В и для других устройств преобразования электрической энергии
КП809  МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП810 прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности
КП812  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания, регуляторов, усилителей звуковой частоты 
КП813 МОП транзисторы для работы на частотах до 3 МГц и выше в импульсных источниках питания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях
КП814  полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом для импульсных источников питания 
КП901  полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн (до 100 МГц) 
КП902  полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в приемно-передающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц 
КП903  полевые транзисторы p-n переходом для применения в приемно-передающих и переключающих устройствах в диапазоне частот до 30 МГц 
КП904 полевые транзисторы с изолированным затвором предназначены для применения в усилительных, преобразовательных и генераторных каскадах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн 
КП905  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц 
КП907  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона 
КП908  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 2.25 ГГц 
КП909  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах в непрерывном и импульсном режимах на частотах до 400 МГц 
АП910-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц 
КП911  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах 
КП912  полевые транзисторы с изолированным затвором для применения в ключевых стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных устройствах, усилителях и генераторах 
КП913  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц при напряжении питания до 45 В 
2П914  полевой транзистор с p-n переходом д для применения в усилителях, преобразователях и генераторах высокой частоты, а также в переключающих устройствах 
3П915-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в усилителях мощности, генераторах, в диапазоне частот до 8 ГГц 
КП918  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1 ГГц, а также для быстродействующих переключающих устройств 
КП920  полевые транзисторы с изолированным затвором для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц, а также для быстродействующих переключающих устройств 
КП921  полевые транзисторы с изолированным затвором, предназначен для применения в быстродействующих переключающих устройствах 
2П922 
2П922-1 
полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом, предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, быстродействующ их переключающих и импульсных устройствах, а также в стабилизаторах и преобразователях напряжения 
КП923  полевые транзисторы с изолированным затвором для работы в усилительных и генераторных устройствах, в линейных усилительных устройствах на частоты до 1 ГГц 
3П925-2  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 3.7-4.2 ГГц (3П925А) и 4.3-4.8 ГГц (3П925Б) в тракте с волновым сопротивлением 50 Ом и содержит внутренние соглассующие цепи 
2П926  полевые транзисторы для вторичных источников питания, переключающих и импульсных устройств, а также для ключевых и линейных устройств 
3П927  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки с n-каналом для работы в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частот ы в диапазоне частот 1-18 ГГц 
2П928  два МОП транзистора с n-каналом и общим истоком, генераторные, предназначены для применения в усилителях мощности и генераторах 
3П930  арсенидогаллиевые полевые транзисторы с барьером Шоттки и n-каналом для работы в диапазоне частот 5.7-6.3 ГГц 
КП932  высоковольтный транзистор для работы в каскадах видеоусилителей цветных дисплеев 
КП933  два МДП транзистора с n-каналом и общим истоком для работы в линейных и широкополосных усилительных устройствах и автогенераторах с высокой стабильностью частоты (для усиления и генерирования сигналов с частотой до 1 ГГц ) 
КП934  транзисторы со статической индукцией и n-каналом предназначенные для применения в источниках вторичного электропитания и в высоковольтных ключевых устройствах 
КП937  переключательные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, преобразователях напряжения, системах электропривода, импульсных генераторах электроискровых обрабат ывающих комплексов 
КП938  переключательные высоковольтные полевые транзисторы с p-n переходом и n-каналом для применения в источниках вторичного электропитания, для питания двигателей постоянного и переменного тока, в мощных коммутаторах, усилителях низкой частоты 
2П941  для генерирования сигналов и усиления мощности в радиоэлектронных схемах с рабочей частотой до 400-600 МГц при напряжении питания 12 В 
КП944 МДП транзистор с p-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП945 МДП транзистор с n-каналом для работы в схемах управления накопителей ЭВМ на магнитных дисках
КП946  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП948  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП953  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 
КП955  прибор со статической индукцией для применения в схемах высокочастотных источников питания с бестрансформаторным входом, ключевых усилителях мощности 

Справочник по полевым транзисторам

СОДЕРЖАНИЕ

Область применения
Условные обозначения
Справочные данные полевых транзисторов
    2П101 - КПС203
    КП301 - КП312
    КП313 - 3П330
    3П331 - КП350
    3П351 - КП364
    КП501 - КП698
    КП150 - КП640
    КП701 - КП730
    КП731 - КП771
    КП801 - КП840
    КП901 - 3П930
    КП931 - КП948
    КП951 - КП973
Пары и сборки полевых транзисторов
Цветовая маркировка и аналоги
Рисунки корпусов:
    Рисунки    1 - 15
    Рисунки  16 - 30
    Рисунки   31- 45
    Рисунки  46 - 60

ОТ  СОСТАВИТЕЛЯ

Настоящий справочник является попыткой совместить в одном издании полноту охвата приборов, компактность представления информации, а также удобство ее использования. 
Справочник предназначен для широкого круга пользователей от разработчиков радиоэлектронных устройств, до радиолюбителей. В справочнике представлены основные электрические параметры полевых транзисторов. Для компактности и удобства использования настоящего справочника, в нем использована табличная форма представления информации. Кроме электрических параметров в справочнике приводятся габаритные и присоединительные размеры, а также типовая область применения полевых транзисторов. Описанный подход позволил создать компактный, удобный и недорогой справочник, который принесет практическую пользу его владельцу.
   В справочнике собраны параметры полевых транзисторов, рассеянные по отечественной литературе. Поскольку главным принципом при составлении справочника являлась полнота охвата номенклатуры, то для некоторых приборов приведены всего несколько параметров (которые приводились в научной статье разработчиков прибора). По мере появления дополнительной информации, она включалась в справочник.
   Для некоторых приборов приводятся вместо предельных параметров типовые, когда информация о предельных параметрах отсутствует, а о типовых значениях есть.

   Как появился этот справочник? В середине 70-х годов, составитель справочника столкнулся в своей работе с отсутствием справочника, устраивающего его самого и его коллег. Существующие справочники обладали многими недостатками, наиболее очевидные из которых описываются ниже.
   1. Большая избыточность:
     а) Многие справочники имели массу графиков, которые либо достаточно хорошо описывались теоретическими кривыми, либо отражали малосущественные зависимости;
     б) Большинство разработчиков не интересуют такие параметры, как время хранения на складе и степень устойчивости полупроводниковых приборов против воздействия плесени и грибков;
     в) От 10% до 30% объема справочников занимали общеизвестные вещи- условные обозначения на электрических схемах, классификация приборов и тому подобные многократно описанные в разнообразной литературе понятия.
   2. Неполнота- долгий срок прохождения через издательства приводил к быстрому устареванию справочника. Большинство составителей имели тяготение к определенному кругу изготовителей полупроводниковых приборов и если изделия одного изготовителя были представлены достаточно полно, то изделия другого производителя не включали новых разработок. Для работы приходилось пользоваться одновременно несколькими справочниками одновременно (тем более что разные составители включали разное количество известных для данного прибора параметров) и рядом журнальных статей, в которых описывались новые полупроводниковые приборы.
   3. Неудобство в пользовании- большинство составителей вводили разбивку справочника на части по таким критериям как мощность рассеивания, рабочая частота, тип перехода. Кроме этого, очень часто внутри раздела материал дополнительно группировался по аналогичным принципам. Все это существенно затрудняло поиск нужного прибора и особенно сравнение нескольких полупроводниковых приборов по ряду параметров.
   4. Недостоверность- в процессе издания в любом справочнике накапливались ошибки. Если ошибки в обычном тексте легко обнаруживаются при вычитке, то ошибки в числовой информации даже специалистом обнаруживаются с трудом.

   Все описанные причины побудили составить справочник более удобный для разработчика электронной аппаратуры. Благодаря компактной форме, справочник получился достаточно дешевым и удовлетворяющим большинство потребностей. Если же разработчику потребуются более подробные характеристики какого-либо изделия (это случается достаточно редко), он всегда может обратиться либо к специализированному изданию, либо к отраслевому стандарту. В повседневной же работе ему достаточно этой маленькой книжечки.

Справочник составлен в 1993 году, переведен в HTML в 2000 году.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

    В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры - предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ - справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей.

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

  Марка Напряжение, B Сопротивление перехода, Ом Ток стока, A Мощность, Вт Корпус  
  1 2 3 4 5 6  
  STH60N0SFI 50 0,023 40,0 65 ISOWATT218  
  STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220  
  STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220  
  STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218  
  IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220  
  BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3  
  SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218  
  IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220  
  IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220  
  BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220  
  BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3  
  BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220  
  SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220  
  SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218  
  BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220  
  BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220  
  IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220  
  BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220  
  IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220  
  BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220  
  IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220  
  BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220  
  IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220  
  BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220  
  SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220  
  SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220  
  MTh50N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218  
  MTh50N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218  
  SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3  
  SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218  
  BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220  
  BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220  
  IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218  
  SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220  
  SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218  
  IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218  
  SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220  
  MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220  
  МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220  
  IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220  
  IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220  
  IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220  
  SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218  
  IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3  
  IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220  
  IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220  
  SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220  
  IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3  
  SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218  
  IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220  
  IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220  
  IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220  
  IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220  
  IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220  
  IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220  
  IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220  
  IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218  
  IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3  
  IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218  
  BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3  
  IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220  
  IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3  
  IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220  
  SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218  
  IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218  
  IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3  
  IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218  
  IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220  
  BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220  
  BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3  
  IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3  
  IRF542 100' 0,10 25,0 125 ТО-220  
  SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220  
  SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218  
  IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220  
  IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220  
  BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220  
  IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220  
  IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220  
  BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220  
  IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220  
  IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220  
  SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220  
  IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220  
  IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220  
  IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220  
  SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220  
  IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220  
  SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220  
  IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220  
  IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220  
  IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220  
  STh43N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220  
  SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3  
  SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218  
  8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3  
  SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220  
  BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220  
  SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220  
  IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220  
  IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220  
  IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220  
  IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220  
  IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220  
  IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220  
  IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220  
  IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220  
  IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220  
               
  IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220  
  IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218  
  IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3  
  IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218  
  IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220  
  IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220  
  SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218  
  IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220  
  IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220  
  BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220  
  IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220  
  IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220  
  BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220  
  IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220  
  IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220  
  IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220  
  SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220  
  IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218  
  SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218  
  IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220  
  IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220  
  IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220  
  SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220  
  IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220  
  IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220  
  SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220  
  IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220  
  IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220  
  IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218  
  IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3  
  IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218  
  IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218  
  IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3  
  IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218  
  BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218  
  BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3  
  SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3  
  SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218  
  BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218  
  BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3  
  IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220  
  IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220  
  IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218  
  IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220  
  IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220  
  IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220  
  BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220  
  SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220  
  IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220  
  BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220  
  IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220  
  BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220  
  IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220  
  SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220  
  IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220  
  BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220  
  IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220  
  SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220  
  MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218  
  MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220  
  MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220  
  MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220  
  STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218  
  STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218  
  STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218  
  STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218  
  STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218  
  STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218  
  BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220  
  BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220  
  BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220  
  BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220  
  STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218  
  STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218  
  STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218  
  STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218  
  SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240  
  SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240  
  SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240  
  SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240  
  TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop  
  TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop  
  TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop  
  TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop  
  TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop  
  TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop  
  TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop  
  TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop  
  TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop  
  TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

   Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) - к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 - 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения - полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.

   Справочники радиодеталей

Полевые транзисторы (современные)


дюйм 1945 г. у Шокли появилась идея сделать твердотельное устройство. полупроводников. Он рассудил, что сильное электрическое поле может вызвать электрический ток внутри соседнего полупроводника. Он попытался построить один, затем Уолтер Браттейн попытался построить его, но это не сработало.

Три года спустя Браттейн и Бардин построили первый рабочий транзистор, германиевый точечный транзистор, который выпускался как серия "А".Шокли тогда разработан переходной (сэндвич) транзистор, который был изготовлен в течение нескольких лет после этого. Но в 1960 году ученый из Белла Джон Аталла разработал новый дизайн, основанный на первоначальных теориях Шокли о полевом эффекте. К концу 1960-х производители перешли из интегральные схемы переходного типа к полевым устройствам. Cегодня, большинство транзисторов являются полевыми транзисторами. Вы используете миллионы из них сейчас.

МОП-транзисторы

Большинство современных транзисторов являются "МОП-полевыми транзисторами", или металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы. Они были разработан в основном Bell Labs, Fairchild Semiconductor и сотнями Кремниевой долины, японских и других производителей электроники.

Полевые транзисторы названы так потому, что слабый электрический сигнал, проходящий через один электрод, создает электрическое поле через остальную часть транзистора. Это поле меняется с положительного на отрицательное, когда входящий сигнал делает и управляет вторым током, проходящим через остальные транзистора. Поле модулирует второй ток, чтобы имитировать первый - но он может быть существенно больше.

Как это работает

На дне транзистора расположена П-образная секция. (хотя он более плоский, чем истинная буква "U") полупроводника N-типа с избытком электронов.В центре буквы U находится секция, известная как «база», сделанная из P-типа (положительно заряженная) полупроводник со слишком малым количеством электронов. (Собственно, N- и P-типы можно перевернуть, и устройство будет работать точно так же, за исключением того, что дырки, а не электроны, вызывают ток.)

Три электрода прикреплены к верхней части этого полупроводниковый кристалл: один к средней положительной секции и по одному в каждое плечо U.Подавая напряжение на электроды на U ток будет течь через него. Сторона, где электроны входящий известен как источник, и сторона, где электроны выходит называется стоком.

Если больше ничего не произойдет, ток будет течь от с одной стороны на другую. Из-за того, как электроны ведут себя при переход между полупроводниками N- и P-типа, однако ток не будет течь особенно близко к базе.Он путешествует только через тонкий канал посередине U.

К основанию прикреплен электрод, клин из полупроводника P-типа посередине, отделенный от остальная часть транзистора тонким слоем оксида металла, например в виде диоксида кремния (играющего роль изолятора). Этот электрод называется «затвор». Слабый электрический сигнал, который мы хотим усилить, проходит через гейт.Если заряд, проходящий через ворота, отрицательный, он добавляет больше электронов к базе. Поскольку электроны отталкиваются друг от друга, электроны в U отойдите как можно дальше от базы. Это создает зона обеднения вокруг основания - целая область, где электроны не может путешествовать. Канал посередине U через который может течь, становится еще тоньше. Добавить достаточно отрицательный заряд к базе и канал полностью перещипнется, остановка всего тока.Это как наступить на садовый шланг чтобы остановить поток воды. (Раньше транзисторы управлялись эту зону истощения, используя то, как движутся электроны, когда два полупроводниковые пластины кладут рядом друг с другом, создавая то, что известен как соединение P-N. В MOS-FET переход P-N заменен оксидом металла, который оказалось, что массовое производство микрочипов проще.)

А теперь представьте, если заряд проходит через ворота положительный.Положительное основание притягивает много электронов - внезапно территория вокруг базы, которая раньше была нейтральной зоной открывается. Канал для тока через U становится больше, чем было изначально, и может течь гораздо больше электроэнергии через.

Переменный заряд на базе, следовательно, меняется сколько тока проходит через U. Входящий ток может использоваться как кран для включения или выключения тока по мере его прохождения остальной транзистор.

С другой стороны, транзистор можно использовать в и более сложным способом - в качестве усилителя. Текущий путешествие через U становится больше или меньше в идеальной синхронизации с зарядом, входящим в базу, что означает, что он имеет идентичный шаблон как исходный слабый сигнал. А со второй ток подключен к другому источнику напряжения, это может быть сделано, чтобы быть больше.Ток, проходящий через U-образный идеальная копия оригинала, только в усилении. Транзистор используется таким образом для стереоусиления в динамиках и микрофонах, а также для усиления телефонных сигналов при их перемещении по Мир.

Сноска на Шокли

Шокли наблюдал за ростом Кремниевой долины, но мог не похоже, чтобы войти в Землю Обетованную, которую он вообразил.Он никогда удалось сделать полевые транзисторы, в то время как другие компании проектировали, росли и процветали. Фред Зейтц назвал Шокли Моисей из Кремниевой долины ».

Другие типы транзисторов:
- Точечный Транзистор
- Переходный («Сэндвич»). Транзистор

Ресурсы:
- Как все работает Дэвида Маколея
- Научная энциклопедия Ван Ностранда
- The Полевой транзистор
- Интервью, Уолтер Браун, 3 мая 1999 г.


Авторские права 1999 г., ScienCentral, Inc. и Американский институт физики.Нет часть этого веб-сайта может воспроизводиться без письменного разрешения. Все права защищены.

.

Полевой транзистор

Полевые транзисторы

Функция полевых транзисторов аналогична биполярным транзисторам (особенно того типа, который мы обсудим здесь), но есть несколько отличий. У них есть 3 клеммы, как показано ниже. Два основных типа полевых транзисторов - это полевые МОП-транзисторы с каналом «N» и «P». Здесь мы будем обсуждать только канал N. Фактически, в этом разделе мы будем обсуждать только наиболее часто используемый N-канальный MOSFET в режиме улучшения (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником).Его схематический символ находится ниже. Стрелки показывают, как НОЖКИ реального транзистора соответствуют условному обозначению.

Current Control:
Терминал управления называется воротами. Помните, что через базовый вывод биполярного транзистора проходит небольшой ток. Затвор на полевом транзисторе практически не пропускает ток при управлении постоянным током.При управлении затвором с помощью высокочастотных импульсных сигналов постоянного или переменного тока может протекать небольшой ток. "Включение" транзистора (a.k.a. пороговое) напряжение варьируется от одного полевого транзистора к другому, но составляет примерно 3,3 вольта по отношению к источнику.

Когда полевые транзисторы используются в секции аудиовыхода усилителя, Vgs (напряжение от затвора до источника) редко превышает 3,5 В. Когда полевые транзисторы используются в импульсных источниках питания, Vgs обычно намного выше (от 10 до 15 вольт). Когда напряжение затвора превышает примерно 5 вольт, он становится более эффективным (что означает меньшее падение напряжения на полевом транзисторе и, следовательно, меньшее рассеивание мощности).

Обычно используются полевые МОП-транзисторы, поскольку их легче использовать в сильноточных устройствах (например, в импульсных источниках питания в автомобильных аудиоусилителях). Если используется биполярный транзистор, часть тока коллектор / эмиттер должна протекать через базовый переход. В ситуациях с большим током, когда имеется значительный ток коллектора / эмиттера, ток базы может быть значительным. Полевые транзисторы могут работать при очень небольшом токе (по сравнению с биполярными транзисторами). Единственный ток, который течет из схемы возбуждения, - это ток, протекающий из-за емкости.Как вы уже знаете, когда к конденсатору подается постоянный ток, возникает первоначальный скачок, а затем ток прекращается. Когда затвор полевого транзистора приводится в действие высокочастотным сигналом, схема управления по существу видит только конденсатор малой емкости. Для низких и промежуточных частот схема возбуждения должна обеспечивать небольшой ток. На очень высоких частотах или когда задействовано много полевых транзисторов, схема возбуждения должна обеспечивать больший ток.

Примечание:
Затвор полевого МОП-транзистора имеет некоторую емкость, что означает, что он будет удерживать заряд (сохранять напряжение).Если напряжение затвора не разряжено, полевой транзистор будет продолжать проводить ток. Это не означает, что вы можете заряжать его и ожидать, что полевой транзистор будет продолжать проводить бесконечно долго, но он будет продолжать проводить, пока напряжение на затворе не станет ниже порогового напряжения. Вы можете убедиться, что он отключился, если вы подключите понижающий резистор между затвором и истоком.

Сильноточные клеммы:
«Управляемые» клеммы называются истоком и стоком. Это клеммы, отвечающие за пропускание тока через транзистор.

Пакеты транзисторов:
В полевых МОП-транзисторах используются те же «корпуса», что и в биполярных транзисторах. Наиболее распространенным в автомобильном стереоусилителе в настоящее время является корпус TO-220 (показан выше).


Транзистор в цепи:
На этой диаграмме показаны напряжения на резисторе и полевом транзисторе с 3 различными напряжениями затвора. Вы должны увидеть, что на резисторе нет напряжения, когда напряжение затвора составляет около 2,5 вольт. Это означает, что ток не течет, потому что транзистор не открыт.Когда транзистор частично включен, на обоих компонентах возникает падение напряжения (напряжения). Когда транзистор полностью открыт (напряжение затвора около 4,5 В), полное напряжение питания подается на резистор, и на транзисторе практически отсутствует падение напряжения. Это означает, что оба вывода (исток и сток) транзистора имеют по существу одинаковое напряжение. Когда транзистор полностью включен, нижний вывод резистора эффективно заземлен.

Напряжение на затворе Напряжение на резисторе Напряжение на транзисторе
2.5 вольт без напряжения примерно 12 вольт
3,5 В менее 12 вольт менее 12 вольт
4,5 В примерно 12 вольт практически нет напряжения

В следующей демонстрации вы можете увидеть, что к лампе подключен полевой транзистор. Когда напряжение ниже примерно 3 вольт, лампа полностью выключена. Нет тока, протекающего через лампу или полевой транзистор.Когда вы нажимаете кнопку, вы можете видеть, что конденсатор начинает заряжаться (на это указывает восходящая желтая линия и точка пересечения кривой зарядки конденсатора с белой линией, идущей слева направо. Когда полевой транзистор начинает включаться, напряжение на стоке начинает падать (обозначено спадающей зеленой линией и точкой, где зеленая кривая пересекается с белой линией). Когда напряжение затвора приближается к пороговому напряжению (~ 3,5 В), напряжение на лампе начинает снижаться. увеличение.Чем больше он увеличивается, тем ярче становится лампа. После того, как напряжение на затворе достигнет примерно 4 вольт, вы можете увидеть, что лампочка полностью горит (на ее выводах есть полные 12 вольт). Напряжение на полевом транзисторе практически отсутствует. Вы должны заметить, что полевой транзистор полностью выключен при падении напряжения ниже 3 вольт и полностью включен после четырех вольт. Любое напряжение затвора ниже 3 вольт практически не влияет на полевой транзистор. Выше 4 вольт мало влияет.


Расчетные параметры

Напряжение затвора:
Как вы уже знаете, полевой транзистор управляется напряжением затвора.Для этого типа полевого МОП-транзистора максимальное безопасное напряжение затвора составляет ± 20 вольт. Если на затвор (относительно источника) будет подано больше 20 вольт, это приведет к разрушению транзистора. Транзистор будет поврежден, потому что напряжение будет проходить через изолятор, который отделяет затвор от части стока / истока полевого транзистора.

Ток:
Как и биполярные транзисторы, каждый полевой транзистор предназначен для безопасной передачи определенного количества тока. Если температура полевого транзистора выше 25 ° C (примерно 77 градусов по Фаренгейту), "безопасные" токонесущие способности транзистора будут уменьшены.Безопасная рабочая зона (S.O.A) продолжает уменьшаться при повышении температуры. Когда температура приближается к максимальной безопасной рабочей температуре, номинальный ток транзистора приближается к нулю.

Напряжение:
полевых транзисторов будут повреждены, если будет превышено указанное максимальное напряжение сток-исток. Информационный листок можно получить у производителя. Технический паспорт предоставит вам всю информацию, необходимую для его использования.

Рассеиваемая мощность: полевые транзисторы
похожи на биполярные транзисторы по корпусам и рассеиваемой мощности, и вы можете вернуться по этой ссылке на страницу биполярных транзисторов для получения дополнительной информации.Нажмите кнопку «назад», чтобы вернуться.

.

Эпитаксиальный полевой транзистор с быстрым восстановлением - Wikipedia

Ein Эпитаксиальный полевой транзистор с быстрым восстановлением (auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor , abgekürzt FREDFET oder oder ) ist ein spezieller Leistungsfeldeffekttransistor, welcher besonders zum Schalten von индуктивен Ластен (Transformatoren, Elektromotoren) в Vollbrückenschaltung (Vierquadrantensteller или квазирезонансный Gegentakt-Schaeeignetzteile).

Schaltzeichen eines selbstsperrenden n-Kanal- und p-Kanal-MISFET mit zusätzlicher Inversdiode

Bei diesem Transistor ist die Halbleiterstruktur bedingte Inversdiode (auch Bodydiode genannt, siehe Aufbau eines n-MOSFET) mit im Vergleich zu gewöhnlichen Leistungs-MOSFETs, который поддерживает kurzen Schaltzeiten ausgestaten. Das wird durch die Dotierung mit Schwermetallen erreicht, welche die Speicherladung und die Sperrverzögerungszeit signifikant vermindert. [1]

Dadurch ist es möglich, индуктивный Lasten in sehr kurzen Zeitspannen zu schalten.Meist werden FredFETs in so genannten Vierquadrantenstellern und anderen Anwendungen mit einer Vollbrücke (H-Brücke) aus MOSFET-Schaltern eingesetzt. Он использует инверсионный диод, который используется в качестве источника энергии для индуктивного использования MOSFET, созданного с помощью специальных датчиков MOSFET. Teilweise lässt sich dies vermeiden, indem der MOSFET im Moment des Leitens der Bodydiode eingeschaltet wird, wodurch er den Stromfluss der Diode übernimmt und diese sich bereits erholen kann.Bei hohen Arbeitsfrequenzen oder geringem Aussteuergrad, kombiniert mit hohem Blindstrom, reicht diese Zeit für die Diode jedoch nicht aus, um freizuwerden. Bedeutender ist daher ein weiterer Zerstörmechanismus, der darauf beruht, dass es bei noch nicht freigewordener Bodydiode und einer an ihr erzwungenen Sperrspannung zum Durchbruch Welder parasitärenForderSystems, механическая структура в динамике. [2] [3]

Allerdings weisen schnelle Gleichrichterdioden, auch als Fast-Recovery-Gleichrichterdioden bezeichnet, die extern als Freilaufdiode parallel zu der internen Inversdiode weshalsereschelte nversdiode werdensereste.Dies folgt aus dem Umstand, dass eine externe Diode und deren Aufbau unabhängig von der MOSFET-Struktur auf geringe Schaltzeiten und Flussspannung optimiert werden kann. [4] Штамп позолоченный, изготовленный из шнеллена Gleichrichterdioden, штамп на основе Halbleitermaterial Карбид кремния (SiC) basieren. Bei geringen Arbeitsspannungen können als Freilaufdioden Silizium-Schottkydioden eingesetzt werden, die nicht nur wesentlich schneller sind, sondern aufgrund ihrer geringen Flussspannung den Inversen Stromfluss volüberstämende ödiode.

Die Abkürzung FREDFET bezeichnet manchmal auch den Begriff гаснущий диод FET (FET mit Freilauf-Löschdiode).

  • Джон Харпер: МОП-транзисторы с корпусным диодом Шнеллера . В: elektronik Industrie . № 5, 2007, S. 30–31 (PDF [abgerufen am 23. Februar 2013]).
  1. ↑ Ulrich Nicolai, Tobias Reimann, Jürgen Petzoldt, Josef Lutz: Applikationshandbuch IGBT- und MOSFET-Leistungsmodule . 1.Auflage. ISLE Verlag, 1998, ISBN 978-3-932633-24-9, S. 27 (версия в формате PDF). Версия в формате PDF (Memento des Originals vom 20. Dezember 2011 im Internet Archive ) i Информация: Der Archivlink wurde automatisch eingesetzt und noch nicht geprüft. Bitte prüfe Original- und Archivlink gemäß Anleitung und entferne dann diesen Hinweis. @ 1 @ 2Vorlage: Webachiv / IABot / www.semikron.com
  2. ↑ Hubert Aigner, Kenneth Dierberger, Denis Grafham: Улучшение полномостового преобразователя ZVT с фазовым сдвигом для безотказной работы в экстремальных условиях при сварке и подобных применениях .В: Отчет о конференции - Ежегодное собрание Общества отраслевых приложений IEEE . Группа 2. IEEE INC, 1998, S. 1341–1348, DOI: 10.1109 / IAS.1998.730318.
  3. ↑ Александр Фил, Томас Ву: Режимы отказа полевого МОП-транзистора в полномостовых импульсных источниках питания с переключением при нулевом напряжении . В: Конференция и выставка по прикладной силовой электронике, 2001. APEC 2001. Шестнадцатый ежегодный IEEE . Группа 2, 2001 г., С. 1247–1252, DOI: 10.1109 / APEC.2001.912525 (PDF).
  4. ↑ Джонатан Додж: Учебное пособие Power MOSFET .В: Джонатан . № 12, 2006, С. 1–4 (PDF).
    Auch: Джонатан Додж: Power MOSFET Tutorial . In: Application note APT (Advanced Power Technology) . Band 403, 2004 (PDF).
.

определение field_effect_transistor и синонимов field_effect_transistor (английский)

Мощный N-канальный полевой транзистор

Полевой транзистор (FET) - это транзистор, который использует электрическое поле для управления формой и, следовательно, проводимостью канала одного типа носителя заряда в полупроводниковом материале. Полевые транзисторы иногда называют униполярными транзисторами , чтобы противопоставить их работу с одной несущей и работу с двумя несущими биполярных (переходных) транзисторов (BJT).Концепция полевого транзистора предшествовала BJT, хотя физически он не был реализован до после BJT из-за ограничений полупроводниковых материалов и относительной простоты изготовления BJT по сравнению с полевыми транзисторами в то время.

История

Основная статья: История транзистора

Полевой транзистор был впервые запатентован Джулиусом Эдгаром Лилиенфельдом в 1925 году и Оскаром Хейлом в 1934 году, но практические полупроводниковые устройства (JFET, полевой транзистор с переходным затвором) были разработаны намного позже, после того, как эффект транзистора был обнаружен. и объяснена командой Уильяма Шокли из Bell Labs в 1947 году.MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник), который в значительной степени вытеснил JFET и оказал более сильное влияние на развитие электроники, был впервые предложен Давоном Кангом в 1960 году. [1]

Основная информация

полевых транзисторов - это устройства с основным носителем заряда. Устройство состоит из активного канала, по которому основные носители заряда, электроны или дырки, проходят от истока к стоку. Проводники истока и стока подключены к полупроводнику через омические контакты.Проводимость канала является функцией потенциала, приложенного к затвору, по отношению к источнику.

Три терминала FET: [2]

  • Источник (S), через который большинство носителей входят в канал. Обычный ток, поступающий в канал в точке S, обозначается I S .
  • Дренаж (D), через который большинство носителей покидают канал. Обычный ток, поступающий в канал в точке D, обозначается I D .Напряжение от стока к источнику составляет В DS .
  • Gate (G), терминал, который модулирует проводимость канала. Подавая напряжение на G, можно управлять I D .

Подробнее о терминалах

Поперечное сечение полевого МОП-транзистора n-типа

Все полевые транзисторы имеют затвор , сток и исток клеммы, которые примерно соответствуют базовому , коллектору и эмиттеру BJT.Большинство полевых транзисторов также имеют четвертый вывод, называемый корпусом , основанием , основанием или подложкой . Этот четвертый вывод служит для смещения транзистора в работу; редко используется нетривиальный вывод на корпусе в схемотехнике, но его наличие важно при настройке физической схемы интегральной схемы. Размер затвора, длина L на схеме - это расстояние между истоком и стоком. Ширина - это расширение транзистора, на схеме перпендикулярно поперечному сечению.Обычно ширина намного больше, чем длина ворот. Длина затвора 1 мкм ограничивает верхнюю частоту примерно до 5 ГГц, от 0,2 мкм до примерно 30 ГГц.

Названия терминалов относятся к их функциям. Терминал ворот можно рассматривать как управляющий открытием и закрытием физических ворот. Этот затвор позволяет электронам проходить через или блокирует их прохождение, создавая или устраняя канал между истоком и стоком. Электроны текут от вывода истока к выводу стока, если на них влияет приложенное напряжение.Тело просто относится к основной части полупроводника, в котором находятся затвор, исток и сток. Обычно клемма корпуса подключается к самому высокому или самому низкому напряжению в цепи, в зависимости от типа. Вывод на корпусе и вывод источника иногда соединяются вместе, поскольку источник также иногда подключается к наивысшему или наименьшему напряжению в цепи, однако есть несколько вариантов использования полевых транзисторов, которые не имеют такой конфигурации, например, затворы передачи и каскодные схемы. .

Работа на полевом транзисторе

ВАХ и выходной график n-канального JFET транзистора.

Полевой транзистор управляет потоком электронов (или электронных дырок) от истока к стоку, влияя на размер и форму «проводящего канала», создаваемого напряжением (или отсутствием напряжения), приложенным к клеммам затвора и истока (для простота обсуждения, это предполагает, что тело и источник связаны). Этот проводящий канал представляет собой «поток», по которому электроны текут от истока к стоку.

В устройстве с n-канальным режимом обеднения отрицательное напряжение затвор-исток заставляет область обеднения расширяться по ширине и вторгаться в канал с боков, сужая канал. Если область истощения расширяется, чтобы полностью закрыть канал, сопротивление канала от истока до стока становится большим, и полевой транзистор фактически выключается, как переключатель. Точно так же положительное напряжение затвор-исток увеличивает размер канала и позволяет электронам легко течь.

И наоборот, в n-канальном устройстве с расширенным режимом положительное напряжение затвор-исток необходимо для создания проводящего канала, поскольку он не существует естественным образом внутри транзистора. Положительное напряжение привлекает свободно плавающие электроны внутри тела к затвору, образуя проводящий канал. Но сначала необходимо привлечь достаточное количество электронов около затвора, чтобы противодействовать ионам легирующей примеси, добавленным в тело полевого транзистора; это формирует область, свободную от мобильных несущих, называемую областью истощения, и это явление упоминается как пороговое напряжение полевого транзистора.Дальнейшее увеличение напряжения затвор-исток привлечет к затвору еще больше электронов, которые смогут создать токопроводящий канал от истока к стоку; этот процесс называется инверсия .

Для устройств с расширенным или обедненным режимом при напряжениях сток-исток, намного меньших, чем напряжения затвор-исток, изменение напряжения затвора приведет к изменению сопротивления канала, а ток стока будет пропорционален напряжению стока (относительно напряжение источника). В этом режиме полевой транзистор работает как переменный резистор, и говорят, что полевой транзистор работает в линейном режиме или в омическом режиме . [3] [4]

Если напряжение сток-исток увеличивается, это создает значительное асимметричное изменение формы канала из-за градиента потенциала напряжения от истока к стоку. Форма области инверсии становится «защемленной» около дренажного конца канала. При дальнейшем увеличении напряжения сток-исток точка отсечки канала начинает перемещаться от стока к истоку. Сообщается, что полевой транзистор находится в режиме насыщения ; [5] некоторые авторы называют его активным режимом , для лучшей аналогии с рабочими областями биполярного транзистора. [6] [7] Режим насыщения или область между омическим состоянием и насыщением используется, когда необходимо усиление. Промежуточная область иногда считается частью омической или линейной области, даже если ток стока не является приблизительно линейным с напряжением стока.

Даже несмотря на то, что проводящий канал, образованный напряжением затвор-исток, больше не соединяет исток со стоком во время режима насыщения, поток носителей не блокируется. Рассматривая снова n-канальное устройство, в корпусе p-типа существует обедненная область, окружающая проводящий канал и области стока и истока.Электроны, составляющие канал, могут свободно выходить из канала через область обеднения, если они притягиваются к стоку напряжением сток-исток. Область обеднения свободна от носителей и имеет сопротивление, подобное кремнию. Любое увеличение напряжения сток-исток увеличит расстояние от стока до точки отсечки, увеличивая сопротивление из-за области истощения пропорционально приложенному напряжению сток-исток. Это пропорциональное изменение приводит к тому, что ток сток-исток остается относительно постоянным независимо от изменений напряжения сток-исток и в отличие от работы в линейном режиме.Таким образом, в режиме насыщения полевой транзистор ведет себя как источник постоянного тока, а не как резистор, и может наиболее эффективно использоваться в качестве усилителя напряжения. В этом случае напряжение затвор-исток определяет уровень постоянного тока через канал.

Композиция

Полевой транзистор может быть сконструирован из ряда полупроводников, из которых кремний является наиболее распространенным. Большинство полевых транзисторов изготавливаются с использованием обычных методов обработки объемных полупроводников с использованием монокристаллической полупроводниковой пластины в качестве активной области или канала.

Среди наиболее необычных материалов корпуса - аморфный кремний, поликристаллический кремний или другие аморфные полупроводники в тонкопленочных транзисторах или органические полевые транзисторы, основанные на органических полупроводниках; Часто изоляторы и электроды затворов OFET также изготавливаются из органических материалов. Такие полевые транзисторы изготавливаются из различных материалов, таких как карбид кремния (SiC), арсенид галлия (GaAs), нитрид галлия (GaN) и арсенид индия-галлия (InGaAs). В июне 2011 года IBM объявила, что успешно использовала полевые транзисторы на основе графена в интегральной схеме. [8] [9] Эти транзисторы имеют частоту отсечки 100 ГГц, что намного выше, чем у стандартных кремниевых полевых транзисторов. [10]

Типы полевых транзисторов

Полевые транзисторы истощенного типа при типичных напряжениях. JFET, поликремниевый MOSFET, MOSFET с двойным затвором, MOSFET с металлическим затвором, MESFET. обеднение, электроны, дырки, металл, изолятор. Вверху = источник, внизу = сток, слева = затвор, справа = масса. Напряжения, приводящие к образованию каналов, не показаны

Канал полевого транзистора легирован для получения полупроводника N-типа или полупроводника P-типа.Сток и исток могут быть легированы противоположным типом по отношению к каналу, в случае полевых транзисторов в режиме обеднения, или легированы легированием аналогичного типа по отношению к каналу, как в полевых транзисторах в режиме улучшения. Полевые транзисторы отличаются также методом изоляции между каналом и затвором. Типы полевых транзисторов:

  • CNTFET (полевой транзистор из углеродных нанотрубок)
  • DEPFET - это полевой транзистор, сформированный на полностью обедненной подложке, который одновременно действует как датчик, усилитель и узел памяти.Его можно использовать как датчик изображения (фотона).
  • DGMOSFET - это полевой МОП-транзистор с двойным затвором.
  • DNAFET - это специализированный полевой транзистор, который действует как биосенсор, использующий ворота, состоящие из одноцепочечных молекул ДНК, для обнаружения совпадающих цепей ДНК.
  • FREDFET (эпитаксиальный диодный полевой транзистор с быстрым обратным или быстрым восстановлением) - это специализированный полевой транзистор, предназначенный для обеспечения очень быстрого восстановления (выключения) основного диода.
  • HEMT (транзистор с высокой подвижностью электронов), также называемый HFET (гетероструктурный полевой транзистор), может быть изготовлен с использованием технологии запрещенной зоны в тройном полупроводнике, таком как AlGaAs.Полностью обедненный материал с широкой запрещенной зоной образует изоляцию между затвором и корпусом.
  • HIGFET (полевой транзистор с изолированным затвором) в настоящее время используется в основном в исследовательских целях. [1]
  • IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) - это устройство для управления мощностью. Он имеет структуру, похожую на полевой МОП-транзистор, связанный с биполярным основным проводящим каналом. Они обычно используются в диапазоне рабочего напряжения сток-исток 200–3000 В. Силовые МОП-транзисторы по-прежнему являются предпочтительным устройством для напряжений сток-исток от 1 до 200 В.
  • ISFET (ионно-чувствительный полевой транзистор), используемый для измерения концентрации ионов в растворе; когда концентрация ионов (например, H + , см. pH-электрод) изменяется, ток через транзистор соответственно изменяется.
  • В JFET (полевой транзистор) используется обратносмещенный p-n переход для отделения затвора от корпуса.
  • MESFET (полевой транзистор металл-полупроводник) заменяет p-n переход полевого транзистора с барьером Шоттки; используется в GaAs и других полупроводниковых материалах AIIIBV.
  • В MODFET (полевой транзистор с модуляцией легирования) используется структура с квантовыми ямами, образованная постепенным легированием активной области.
  • MOSFET (полевой транзистор металл – оксид – полупроводник) использует изолятор (обычно SiO 2 ) между затвором и корпусом.
  • NOMFET - полевой транзистор с органической памятью в виде наночастиц. [2]
  • OFET - это полевой транзистор с органическим эффектом, в канале которого используется органический полупроводник.
  • GNRFET - это полевой транзистор, в канале которого используется графеновая нанолента.
  • VeSFET (полевой транзистор с вертикальной щелью) представляет собой полевой транзистор квадратной формы без перехода с узкой щелью, соединяющей исток и сток в противоположных углах. Два затвора занимают другие углы и контролируют ток через щель. [3] [4]
  • TFET (туннельный полевой транзистор) основан на межполосном туннелировании [11]

Преимущества полевого транзистора

Основным преимуществом полевого транзистора является высокое входное сопротивление порядка 100 МОм или более.Таким образом, это устройство, управляемое напряжением, которое демонстрирует высокую степень изоляции между входом и выходом. Это униполярное устройство, зависящее только от тока большинства. Он менее шумный, поэтому его можно найти в FM-тюнерах для тихого приема. Он относительно невосприимчив к радиации. Он не показывает напряжения смещения при нулевом токе стока и, следовательно, представляет собой отличный прерыватель сигнала. Обычно он имеет лучшую термическую стабильность, чем BJT. [2]

Недостатки полевого транзистора

Он имеет относительно низкое произведение коэффициента усиления и полосы пропускания по сравнению с BJT.Недостатком полевого МОП-транзистора является то, что он очень чувствителен к перегрузкам, что требует особого обращения во время установки. [12]

Использует

БТИЗ

находят применение в переключении катушек зажигания двигателей внутреннего сгорания, где важны возможности быстрого переключения и блокировки напряжения.

Наиболее часто используемый полевой транзистор - это МОП-транзистор. Технологический процесс CMOS (дополнительный металлооксидный полупроводник) является основой для современных цифровых интегральных схем.В этом технологическом процессе используется схема, в которой (обычно «режим улучшения») p-канальный полевой МОП-транзистор и n-канальный полевой МОП-транзистор соединены последовательно, так что, когда один из них включен, другой выключен.

Хрупкий изолирующий слой полевого МОП-транзистора между затвором и каналом делает его уязвимым для электростатических повреждений во время работы. Обычно это не проблема после того, как устройство было установлено в правильно спроектированной цепи.

В полевых транзисторах электроны могут течь в любом направлении через канал при работе в линейном режиме, и соглашение об именах клемм стока и истока несколько произвольно, поскольку устройства обычно (но не всегда) построены симметрично от истока до стока. Аллен Моттерсхед (2004). Электронные устройства и схемы . Нью-Дели: Прентис-Холл Индии.

Внешние ссылки

.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о