Ss9014: s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

s9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Содержание

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Распиновка s9014

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H

FE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с  параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).Максимальные параметры ss9014

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Значения электрических параметров s9014

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Группы h31Э у серии s9014

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

 Отечественная замена s9014

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

SMD-корпус s9014h

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках  и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F

Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация HFE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи токаот 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока.2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт "Электрика это просто".

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
2SC1623-L6  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.1 150,00 250,00 200,00  SOT23
2SC1623-L7  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.1 150,00 250,00 300,00  SOT23
2SC1623SLT1  Si  NPN  0.3 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC2412-S  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC2412KSLT1  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
2SC945LT1  Si  NPN  0.23 60,00 50,00 5,00  0.15 150,00 150,00 200,00  SOT23
2SD1501  Si  NPN 1,00 70,00 1,00 150,00 250,00  SOT23
2SD1938  Si  NPN 1,00 50,00  0.3 150,00 1000,00  SOT23
2STR1160  Si  NPN  0.5 60,00 60,00 5,00 1,00 150,00 250,00  SOT23
3DG847B  Si  NPN  0.33 50,00 45,00 6,00  0.2 150,00 250,00 200,00  TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E  Si  NPN  0.7 60,00 50,00 5,00  0.5 150,00 500,00 300,00  SOT23
9014RLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
9014SLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 300,00  SOT23
BC817-40  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
BC817-40LT1  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
BC846BLT1  Si  NPN  0.3 80,00 60,00 6,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC846BR  Si  NPN  0.31 80,00 65,00 6,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC847BLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC847BR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC847C  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC847CLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC847CR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 6,00  0.1 150,00 300,00 420,00  SOT23
BC850  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
BC850A  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850B  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850BLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 290,00  SOT23
BC850BR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BC850C  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC850CLT1  Si  NPN  0.3 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 520,00  SOT23
BC850CR  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 420,00  SOT23
BCF81  Si  NPN  0.35 50,00 45,00 5,00  0.1 175,00 300,00 420,00  SOT23
BCF81R  Si  NPN  0.35 50,00 45,00 5,00  0.1 175,00 300,00 420,00  SOT23
BCV47  Si  NPN  0.36 80,00 60,00 10,00  0.5 150,00 170,00 10000,00  SOT23
BCV72  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00  0.1 175,00 300,00 200,00  SOT23
BCV72R  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00  0.1 175,00 300,00 200,00  SOT23
BCW66KH  Si  NPN  0.5 75,00 45,00 5,00  0.8 170,00 250,00  SOT23
BCW72L  Si  NPN  0.225 45,00  0.1 200,00  SOT23
BCW72LT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
BCW72R  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
BCW81  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00 420,00  SOT23
BCW81R  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00 420,00  SOT23
BCW82B  Si  NPN  0.225 60,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 240,00  SOT23
BRY61  Si  PNPN  0.25 70,00 70,00 70,00  0.175 150,00 1000,00  SOT23
BSP52T1  Si  NPN  1.5 100,00 80,00 5,00  0.5 150,00 150,00 5000,00  SOT23
BSP52T3  Si  NPN  1.5 100,00 80,00 5,00  0.5 150,00 150,00 5000,00  SOT23
BTD2150N3  Si  NPN  0.225 80,00 50,00 6,00 4,00 150,00 175,00 270,00  SOT23
BTN6427N3  Si  NPN  0.225 100,00 60,00 12,00  0.5 150,00 10000,00  SOT23
CMPT3820  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00  SOT23
CMPT491E  Si  NPN  0.35 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 200,00  SOT23
DMBT9014  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
DNLS160  Si  NPN  0.3 60,00 1,00 150,00 200,00  SOT23
DTD123  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00  0.5 150,00 200,00 250,00  SOT23
ECG2408  Si  NPN  0.2 60,00 65,00  0.3 150,00 300,00 300,00  SOT23
FMMT493A  Si  NPN  0.5 60,00 1,00 150,00 500,00  SOT23
FMMTL619  Si  NPN  0.5 50,00  1.25 180,00 300,00  SOT23
INC5006AC1  Si  NPN  0.2 100,00 50,00 7,00 3,00 150,00 250,00 400,00  SOT23
KC817A-40  Si  NPN  0.31 50,00 45,00 5,00  0.5 150,00 170,00 250,00  SOT23
KST9014  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
KST9014-D  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 300,00  SOT23
KTC9014SC  Si  NPN  0.35 80,00 50,00 8,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
L2SC1623SLT1G  Si  NPN  0.225 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 250,00 270,00  SOT23
L2SC2412KSLT1G  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.15 150,00 180,00 270,00  SOT23
L9014RLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
L9014SLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00  SOT23
L9014TLT1G  Si  NPN  0.225 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 400,00  SOT23
MMBT2484L  Si  NPN  0.225 60,00  0.1 250,00  SOT23
MMBT2484LT1G  Si  NPN  0.225 60,00 60,00 6,00  0.1 150,00 250,00  SOT23
MMBT945-H  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 5,00  0.15 150,00 150,00 200,00  SOT23
MMS9014-H  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 450,00  SOT23
MMS9014-L  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
MSD601  Si  NPN  0.2 60,00 50,00 7,00  0.1 150,00 210,00  SOT23
PBSS4041NT  Si  NPN  0.3 60,00 60,00 5,00  3.8 150,00 175,00 300,00  SOT23
PBSS4160T  Si  NPN  0.3 80,00 60,00 5,00 1,00 150,00 150,00 250,00  SOT23
PDTC114TT  Si  Pre-Biased-NPN  0.25 50,00 50,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
PDTC143TT  Si  Pre-Biased-NPN  0.25 50,00 50,00 5,00  0.1 150,00 200,00  SOT23
S9014  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
SBCW72LT1G  Si  NPN  0.23 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 300,00 200,00  SOT23
SSTA28  Si  NPN  0.2 80,00 80,00 12,00  0.3 150,00 200,00 10000,00  SST3 SOT23
TBC850  Si  NPN  0.2 50,00 45,00 5,00  0.1 150,00 150,00 200,00  SOT23
UN2210R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2210S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2215R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2215S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2216R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2216S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
UN2217R  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 210,00  SOT23 SC59
UN2217S  Si  Pre-Biased-NPN  0.2 50,00 50,00 6,00  0.1 150,00 150,00 290,00  SOT23 SC59
ZXTN07045EFF  Si  NPN  1.5 45,00 4,00 150,00 400,00  SOT23F
ZXTN19100CFF  Si  NPN  1.5 100,00  4.5 150,00 200,00  SOT23F
ZXTN25050DFH  Si  NPN  1.25 50,00 4,00 200,00 240,00  SOT23
ZXTN25100DFH  Si  NPN  1.25 100,00  2.5 175,00 300,00  SOT23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

  • Маркировка: L6
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

  • Маркировка: L7
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

  • Маркировка: BS
  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
  • Корпус транзистора: SOT-23

Автор: Редакция сайта

SS9014D Карточка товара: Цена, Наличие, Описание

Перед покупкой рекомендуем уточнить на сайте изготовителя

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

RoHS

Подробности

Конфигурация

Single

Полярность транзистора

NPN

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.14 V

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

270 MHz

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Вид монтажа

Through Hole

Упаковка блок

TO-92-3 Kinked Lead

Торговая марка

Fairchild Semiconductor

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Коллектор постоянного токаМин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

60

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

1000

Максимальное рассеяние мощности

450 mW

Минимальная рабочая температура

- 55 C

Упаковка

Ammo Pack

Размер фабричной упаковки

2000

Вес изделия

240 mg

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) - высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H - SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно - цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 - код J6 сверху .
На рисунке ниже - цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц - не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 - от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 - от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 - от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА - - не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 - 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H - 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 - 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H - 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 - 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H - 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 - 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H - 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в - не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в - не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в - не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 - STS9015.


На главную страницу

SS9014 Двухполюсная схема контактов транзистора NPN, эквивалент, характеристики и спецификация

SS9014 Конфигурация контактов выводов

Контактный №

ПИН-код

Описание

1

Излучатель

Ток Сливается через эмиттер, нормально подключенный к земле

2

База

Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора

3

Коллектор

Ток протекает через коллектор, нормально подключенный к нагрузке

Особенности

  • Предусилитель, Низкий Уровень, Низкий Уровень Шума NPN Транзистор
  • Усиление тока (hFE), от 60 до 1000 (хорошая линейность)
  • Непрерывный ток коллектора (IC) составляет 100 мА
  • Напряжение коллектора-эмиттера (VCEO) составляет 45 В
  • Базовое напряжение коллектора (VCB0) составляет 50 В
  • Базовое напряжение излучателя (VBE0) составляет 5 В
  • Частота Перехода 150 МГц
  • Доступный в Пакете To-92

Примечание: Полные технические подробности можно найти в таблице данных, приведенной в конце этой страницы.

Дополнительный PNP для SS9014

SS9015

SS9014 Эквивалентные транзисторы

KSP06, KSP42, MPSA42, MPSW06

Альтернативные NPN Транзисторы

BC549, BC636, BC639, BC547, 2N2369, 2N3055, 2N3904, 2N3906, 2SC5200,2N551

Где использовать транзисторы SS9014?

SS9014 - это NPN-транзистор с низким сигналом и низким уровнем шума с хорошим значением hfe до 1000 высокой линейности, что делает этот транзистор идеальным выбором для проектирования усилителей или предварительных усилителей звуковой частоты (AF).Этот NPN-транзистор также имеет свой встречный PNP-транзистор ( SS9015 ), который можно использовать для проектирования усилителя класса B в двухтактной конфигурации. Он также имеет хорошее рассеивание коллектора (рассеиваемая мощность) 0,4 Вт для динамиков водителя приличного уровня.

Транзистор имеет очень низкий ток коллектора, равный 100 мА, и поэтому он не рекомендуется для коммутации или управления цепями. Я лично обнаружил, что эти транзисторы используются в беспроводных камерах безопасности и небольших игровых приставках, где требуется предварительное усиление звука.

Как использовать транзисторы SS9014?

SS9014 обычно используется для создания предварительного усилителя, но вы можете спроектировать свою схему на основе ваших требований. Чтобы построить предварительный усилитель с использованием транзистора, нам нужно выбрать транзистор с низким уровнем сигнала и низким уровнем шума с хорошим значением hfe и рассеиванием коллектора. SS9014, кажется, удовлетворяет нас всеми этими параметрами. Типичная схема предварительного усилителя с использованием SS9014 показана ниже.

Pre-Amplifier Transistor Application

Значения резисторов R1, R2, R3 и R4 могут быть рассчитаны с использованием значений Vcc, Hfe и Ic.Некоторые полезные формулы для расчета приведены ниже

Ib = Ic / hfe R1 = 1 / 2Vcc / .005 R2 = 1 / (Ic + Ib)

Вы можете найти руководство по созданию собственной схемы в данной ссылке.

Приложения

  • AF предусилители
  • Используется как усилитель класса B
  • Аудиооборудование с низким уровнем шума
  • Двухтактные схемы

2D Модель SS9014

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, то вам будет полезно узнать следующее изображение из таблицы данных, чтобы узнать тип и размеры упаковки.

,
ss9014 Техническое описание и примечания к применению
2002 - транзистор SS9014

Аннотация: ss9014 NPN-транзистор к-92 ss9014d NPN-транзистор к-92 с высоким коэффициентом усиления SS9014DBU
Текст: компания Fairchild наверх Состояние продукта / цены / упаковка Продукт SS9014CTA SS9014DIUBU SS9014ABU SS9014BTA SS9014CCHTA SS9014BCH SSB SS

BBUBBUBBUBBD4BUBBUKBBUBBUKBKBBUKBDBBUBBKBBKBBBBBKBBKBBBBKBBKBBRBRKBRK N SS9014 - NPN эпитаксиальный кремниевый транзистор SS9014DCHBU ​​SS9014DTA Полное производство полностью, предварительный усилитель SS9014 SS9014, низкий уровень и низкий уровень шума · Высокое полное рассеивание мощности.(PT, Rev. A3, май 2002 г., SS9014 Типичные характеристики 100 90 1000 IC [мА], ТОК КОЛЛЕКТОРА


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014 SS9014DCHBU SS9014DTA транзистор SS9014 NPN транзистор к-92 ss9014d NPN транзистор до-92 с высоким коэффициентом усиления SS9014DBU
2002 - SS9014

Аннотация: SS9015
Текст: SS9014 SS9014 Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума · Высокое полное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное, SS9014 Типичные характеристики 100 1000 VCE = 5 В IB = 160 мкА IB = 140 мкА IB = 120 мкА 80, Редакция изделия A4, ноябрь 2002 SS9014 Размеры упаковки TO-92 + 0,25 4,58 ± 0,20 4,58


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014 SS9015
2002 - SS9014

Аннотация: SS9015
Текст: SS9014 SS9014 Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума · Высокое полное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное, SS9014 Типичные характеристики 100 1000 VCE = 5 В IB = 160 мкА IB = 140 мкА IB = 120 мкА 80, Ред. Изделия A3, май 2002 SS9014 Габаритные размеры TO-92 + 0,25 4,58 ± 0,20 4,58 0,15


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014 SS9015
2001 - SS9014

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: SS9014 SS9014 Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума • Высокое рассеивание общей мощности.(PT = 450 мВт) • Высокая hFE и хорошая линейность • Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное, SS9014 Типично Характеристики 100 1000 VCE = 5 В IB = 160 мкА IB = 140 мкА IB = 120 мкА 80, Ред. A1, июль 2001 SS9014 Размеры упаковки TO-92 + 0,25 4,58 ± 0,20 4,58 - 0,15 Â


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014
1998 - транзистор сс9014

Аннотация: SS9014 SS9014 эквивалент SS9015 транзистор SS9015
Текст: SS9014 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНОВЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПРЕДУСИЛИТЕЛЬ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ TO-92 · Высокое полное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · Дополняет SS9015 Î) АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA = 25 Характерный символ Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Ток коллектор Рассеяние Рассеяние Температура накопления, 0,7 3,5 270 0,9 10 Единица VVV нА нА ВВ пФ МГц дБ SS9014 NPN EPITAXIAL


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 100мА, транзистор сс9014 ss9014 SS9014 эквивалент SS9015 транзистор SS9015
2002 - Недоступно

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: SS9014 SS9014 Предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума • Высокое рассеивание общей мощности.(PT = 450 мВт) • Высокая hFE и хорошая линейность • Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное, SS9014 Типично Характеристики 100 1000 VCE = 5 В IB = 160 мкА IB = 140 мкА IB = 120 мкА 80, Ред. Изделия A2, апрель 2002 SS9014 Размеры упаковки TO-92 + 0,25 4,58 ± 0,20 4,58 €


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015
SS9014

Аннотация: Транзистор SS9015 SS9014
Текст: »SS9014 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНОВЫЙ ТРАНЗИСТОР ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ • Высокое суммарное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) • Высокая hFE и хорошая линейность • В дополнение к SS9015 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA = 25 ° C) Характеристика Символ Номинальная единица Напряжение на коллекторе VcbO 50 V Напряжение на коллекторе-эмиттере VcEO 45 V На эмиттерной базе Напряжение Vebo 5 В Ток коллектора lc 100 мА Коллектор, Производитель SS9014 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЯ ТРАНЗИСТОР СТАТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ VceIV), напряжение коллектор-эмиттер


OCR Scan
PDF SS9014 450mw) SS9015 100о, SS9014 SS9015 транзистор SS9014
Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9014 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ T O-9 2 • Высокая суммарная рассеиваемая мощность.(PT = 450 мВт) • Высокий HPE и хорошая линейность • Не допускается использование SS 9015 АБСОЛЮТНЫХ МАКСИМАЛЬНЫХ РЕЙТИНГОВ (TA = 25 ° C) C Характерная характеристика C Напряжение на базе выборки C Селектор-E m itter Напряжение Em Базовое напряжение itter COLOR COTRER COLER COTER D, SS9014 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ КРЕМНИЯ ТРАНЗИСТОР СТАТИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА 1 Vce (V), COL LEC T-EM ITT ER VO


OCR Scan
PDF SS9014 450mw
2000 - SS9014

Аннотация: SS9014 эквивалент SS9015
Текст: SS9014 SS9014 Предварительный усилитель, низкий уровень и низкий уровень шума · Высокое рассеивание общей мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · Дополняет SS9015 TO-92 1 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное, Semiconductor International Rev. A, Февраль 2000 SS9014 Типичные характеристики 100 1000 VCE =, SS9014 Размеры упаковки TO-92 + 0,25 4,58 ± 0,20 4,58 0,15 ± 0,10 14,47 ± 0,40 0,46


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014 SS9014 эквивалент SS9015
1999 - SS9014

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9014 NPN EPITAXIAL PRE-AMPLIFIER КРЕМНИЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ · Высокое полное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · В дополнение к АБСОЛЮТНЫМ МАКСИМАЛЬНЫМ РЕЙТИНГАМ SS9015 TO-92 (TA = 25 ° C) Характеристика Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Ток коллектор Ток рассеивания Распределительная температура Температура хранения Символ хранения , C 200-600 D 400-1000 Ред. B © 1999 Fairchild Semiconductor Corporation SS9014 NPN


Оригинал
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014
Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9014 NPN EPITAXIAL PRE-AMPLIFIER КРЕМНИЯ КРЕМНИЯ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ • Высокое суммарное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) • Высокая Iife и хорошая линейность • В дополнение к SS9015 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (Ta = 25 ° C) Характерный символ Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Коллектор Ток Коллектор Рассеяние Распределительная температура Температура хранения Температура, ДЕЙСТВИТЕЛЬНО NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР SS9014 STAT IC CH ARA CTERISTIC Все


OCR Scan
PDF SS9014 450mw) SS9015
SS9014

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9014 NPN EPITAXIAL PRE-AMPLIFIER КРЕМНИЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ · Высокое полное рассеивание мощности.(fVM SOm W) · Высокая Hfe и хорошая линейность · Дополняет SS9015 TO -9 2 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA "25t 🙂 Характеристическое напряжение на коллекторе Напряжение на коллекторе-эмиттере Напряжение на базе эмиттера Ток коллектора Ток коллектора Рассеяние Распределительная температура Температура хранения Sym бол, л.с. A 60-150 B 100-300 C 200-600 D 400-1000 661 ЭЛЕКТРОНИКА SS9014 СТАТИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА


OCR Scan
PDF SS9014 SS9015 SS9014
1998 - SS9014

Аннотация: Транзистор SS9015 SS9015 Эквивалент SS9015
Текст: SS9015 PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКАЯ ЧАСТОТА, УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА · Дополнение к SS9014 TO-92 Î) АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ-TA-25 Характерный символ -50-150-4545 -55 ~ 150 VCBO VCEO VEBO IC PC TJ T STG Напряжение на коллекторе-коллекторе Напряжение на коллекторе-эмиттере Напряжение на коллекторе-эмиттере Ток коллектора Рассеиваемая развязка Температура хранения Номинальная температура VVV мА мВт Î Î 1.Эмиттер 2. База 3. Коллектор №


Оригинал
PDF SS9015 SS9014 -100mA, -10mA SS9014 SS9015 транзистор SS9015 SS9015 эквивалент
2002 - транзистор SS9015

Аннотация: SS9015 SS9015-DBU
Текст: SS9015 SS9015 Низкочастотный усилитель с низким уровнем шума · Дополнение к SS9014 1 TO-92 1. Эмитент 2. База 3. Коллектор PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное Символ VCBO VCEO VEBO IC PC TJ TSTG Параметр Коллектор-напряжение Напряжение Коллектор-эмиттер Напряжение Коллектор напряжения эмиттер-база Коллектор тока Коллектор тока Рассеяние мощности Накопитель температуры, энергонезависимые функции Пространство памяти Оптоэлектроника Рынки и q Дополнение к приложениям SS9014 Новые продукты


Оригинал
PDF SS9015 SS9014 SS9015 транзистор SS9015 SS9015-ДБУ
SS9014

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9014 NPN EPITAXIAL PRE-AMPLIFIER КРЕМНИЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ И НИЗКИЙ ШУМ · Высокое полное рассеивание мощности.(PT = 450 мВт) · Высокая hFE и хорошая линейность · В дополнение к SS9015 TO-92 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA = 25 ° C) C ХАРАКТЕРИСТИКА Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Ток коллектора-эмиттера Напряжение коллектора Ток коллектора Рассеяние Распределительная температура Температура хранения Symbol, OR tm © 1999 Fairchild Semiconductor Corporation SS9014 ST AT IC CHA RA CT ERISTIC


OCR Scan
PDF SS9014 450mw) SS9015 SS9014
SS9014

Аннотация: транзистор SS9015 SS9015
Текст: ï »¿SS9015 PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКАЯ ЧАСТОТА, УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА • Дополнение к SS9014 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA = 25 ° C, V50, V50, V50) Класс характеристик символов Напряжение коллектора-эмиттера VcEO -45 В Напряжение эмиттера-базы Vebo -5 В Ток коллектора lc -100 мА Рассеяние коллектора Pc 450 мВт Температура перехода Tj 150 ° C Температура хранения Tstg -55 ~ 150 ° C ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25Â ° C) Характерный символ Условия испытаний Мин. Тип Макс. Единица измерения


OCR Scan
PDF SS9015 SS9014 -100nA, -100HA, SS9014 транзистор SS9015 SS9015
2ss9014

Аннотация: ss8015 Транзистор 671 SS9014 Транзистор SS9013 U007 ss9014 SS9012 T-31-21 50nr
Текст: SEMICONDUCTOR INC 11E D | 7 ^ 4145 0007403 2 | SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ, 400-1000 SAMSUNG ПОЛУПРОВОДНИК 673 SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC 11E 0 | 7 ^ 4142 0007404 q SS9014 NPN


OCR Scan
PDF 71b4142 SS9012 825mW) -500mA) SS9013 Breakdo4142 SS9014 Fe-14 1-10C 2ss9014 ss8015 Транзистор 671 SS9013 U007 транзистор сс9014 Т-31-21 50nr
1999 - Недоступно

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: SS9015 PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКАЯ ЧАСТОТА, УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА · Дополнение к SS9014 TO-92 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TA = 25 ° C) Характеристика Коллектор-Базовое напряжение Базовое напряжение Коллектор-эмиттер Напряжение-эмиттер Коллектор Ток Коллектор Температура рассеяния Температура хранения Символ VCBO VCEO VEBO IC ПК TJ T STG Номинал -50 -45 -5 -100 450 150 -55 ~ 150 Единица VVV мА мВт ° C ° C 1.Эмиттер 2. База 3. Коллектор ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TA = 25 ° C) Характеристика


Оригинал
PDF SS9015 SS9014
PCR406

Аннотация: PCR406 эквивалент HIT5609 2SA928A эквивалент pcr406 2212PA 9601KA 9103N 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2SC3807 эквивалент
Текст: 160 320 500 2 2 1500 30 TO-92 2110NM SS9014 N 0,15 0,4 90, 50 TO-92 Y2110NA 139S 5015 9215NS 139019SNS9 0,4 70 52 6 120, 5.5 120 450 2 6 0,3 100 10 TO-92 Y2215NA SS9014 N 0,15 0,4,) VCESAT (V) МАКС VCESAT (V) IC (мА) VCESAT (V) IB (мА) Y4030NA SS9014 N 0,15 0,4 70


Оригинал
PDF 2007NA 2N3904 2007PA 2N3906 2110NA 2SC1815 2110PA 2SA1015 2215NA PCR406 PCR406 эквивалент HIT5609 2SA928A эквивалент pcr406 2212PA 9601KA 9103N 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2SC3807 эквивалент
Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации недоступен
Текст: 10 0.7 1,6 0,3 0,25 KSC2002 KSC853 KSD1616 KSC1072 KSC815 SS9014 KSA953 KSA545


OCR Scan
PDF 0Q11524 OT-23 KST1009F2 KST1009F3 KST1009F4 KST1009F5 KST4124 KST4126 BCW29 O-92S
транзисторная перекрестная ссылка

Аннотация: транзистор c1008 npn транзистор c1008 NPN C1008 s8550 npn SS8550 перекрестная ссылка S9014 перекрестная ссылка c1008 транзистор s9014 эквивалент S8050 эквивалент
Текст: 150 150 100 300 600 100 100 100 100 80 80 150 SS9011 SS9012 SS9013 SS9014 SS9015, 0.3 100 5 150 EBC SS9014 S9015 PNP 450 -100 -50 -45 60 1000


Оригинал
PDF OT-23 S9011 S9012 S9013 S9014 S9015 S9016 S9018 S8050 S8550 перекрестная ссылка транзистора транзистор с1008 NPN транзистор C1008 NPN C1008 S8550 NPN Перекрестная ссылка SS8550 Перекрестная ссылка S9014 транзистор с1008 S9014 эквивалент S8050 эквивалент
2000 - транзистор SS9015

Аннотация: SS9014 SS9015
Текст: SS9015 SS9015 Низкочастотный усилитель с низким уровнем шума · Дополнение к SS9014 TO-92 1 1.Эмиттер 2. База 3. Коллектор PNP Эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное Символ Номинальные параметры Единицы VCBO Напряжение на коллекторной базе -50 В VCEO Напряжение на коллекторе-эмиттере -45 В VEBO Напряжение на базе эмиттера -5 В Ток коллектора микросхемы -100 A Рассеяние коллектора 450 TJ Температура перехода 150


Оригинал
PDF SS9015 SS9014 транзистор SS9015 SS9014 SS9015
2000 - SS9014

Аннотация: MPSA18 BC550 SS9018 малошумящие транзисторы MPS4250 "перекрестная ссылка" KSP6521 BC239 MPS6521 BC212 PN2484
Текст: BC239 BC550 SS9014 - @ VC E & IC IC (V) (мА) (V) (мА) (мА) Массовая / катушка 10


Оригинал
PDF MPS6523 MPS4250A MPS4250 PN4248 PN4250 BC212 BC308 BC309 BC560 SS9015 SS9014 MPSA18 BC550 SS9018 малошумящие транзисторы MPS4250 "перекрестная ссылка" KSP6521 BC239 MPS6521 BC212 PN2484
2002 - SS9014

Аннотация: SS9015
Текст: SS9015 SS9015 Низкочастотный усилитель с низким уровнем шума · Дополнение к SS9014 TO-92 1 1.Эмиттер 2. База 3. Коллектор PNP. Эпитаксиальный кремниевый транзистор. Абсолютные максимальные значения Ta = 25 ° C, если не указано иное. Символ VCBO Напряжение на базе коллектора Номинальные параметры -50 единиц V VCEO VEBO Напряжение на коллекторе-эмиттере -45 В Напряжение на базе эмиттера -5 IC Ток коллектора V -100 мА Рассеиваемая мощность коллектора ПК 450 мВт TJ Температура перехода


Оригинал
PDF SS9015 SS9014 SS9014 SS9015
Нет в наличии

Аннотация: Текст аннотации не доступен
Текст: PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР SS9015 НИЗКАЯ ЧАСТОТА, УСИЛИТЕЛЬ НИЗКОГО ШУМА ДО -92 • Дополнение к SS9014 АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (Ta = 25 ° C) Характерный символ Коллектор-напряжение Напряжения Источник напряжения Коллектор Напряжение-излучатель Коллектор напряжения Напряжение Коллектор Напряжение Коллектор тока Коллектор рассеяния Температура хранения Номинальная температура -5 0 -4 5 -5 -1 0 0 450 150 -5 5 ^ 1 5 0 VcBO VcEOV ebo lc Pc Tj Tstg Единица VVV мА мВт мВ ° C ° C 1.Эмиттер 2. База 3. Коллектор


OCR Scan
PDF SS9015 SS9014
.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о