Sts5343 транзистор характеристики: Справочники

Содержание

Транзистор C3198 характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с NPN структурой общего назначения и для переключающих цепей. Конструктивное исполнение ТО-92.

Предназначение

Транзистор в основном предназначен для применения в усилителях низкой частоты и в усилителях с требованиями низкого уровня шума.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

  • Высокая линейность hFE – параметра: hFE (IC = 0,1 мА)/hFE (IC = 2 мА) = 0,95.
  • Высокое значение hFE – параметра: до 700.
  • Низкий уровень шума: 2SC3198A имеет NF = от 1 dB 10 dB; 2SC3198L имеет NF = от 0,2 dB до 3 dB.
  • Комплементарная пара: 2SA1266.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре окружающей среды Ta=25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВVCBO60
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВVCEO50
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВVEBO5
Ток коллектора, АIC0,15
Ток базы, АIB0,05
Рассеиваемая мощность, ВтPC0,625
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры (при T

a = 25°C)
ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Ток коллектора выключения, мкАICBOUCB = 60 В, IE = 0≤ 0,1
Ток базы выключения, мкАIEBOUEB = 5 В, IC =0≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭hFE(1)UCE = 6 В, IC = 0,002 А40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, ВUCE(sat)IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, ВUBE(sat)IC = 100мА, IB = 10 мА≤ 0,1
Частота среза, МГцfTUCE = 10 В, IC = 1 мА≥ 80
Выходная емкость, pFCobUCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Омrbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц50
Коэффициент шума (типовое значение), dB2SC3198ANF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм1
2SC3198LNF0,2

٭

транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе2SC3198 O2SC3198 Y2SC3198 GR2SC3198 BL
Диапазон величины hFE70…140120…240200…400350…700

Модификации и группы транзистора C3198

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFE ٭ NF (типовое) dBКорпус
C31980,625605050,15150803,525…700≤ 10TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)0,625605050,15125803,525…700≤ 10TO-92
FTC31980,625605050,15150803,5
25…700
≤ 10TO-92
KTC31980,625605050,15150803,525…700≤ 10TO-92
KTC3198A0,4605050,1515080225…7001TO-92
KTC3198L ٭٭0,625605050,1515080225…7000,5 (1)
0,2 (2)
TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

МодельPCUCBUCE
UBE
ICTJfTCChFE Корпус
C31980,625605050,15150803,525…700 TO-92
КТ604А/Б0,830025050,215040≤ 710…120 TO-92
КТ608А/Б0,8606040,4150200≤ 1520…160 TO-92
КТ611А/Б/В/Г0,820018040,1150≥ 60≤ 510…120TO-8
КТ61100,625402050,5150--60…200TO-92
КТ61110,45504550,11501503,560…1000TO-92
КТ6117А/Б0,625180160150,6150100≤ 660…250
TO-92
КТ61370,625604060,21503004100…300TO-92
КТ660А/Б0,550/3050,8150200≤ 10110…450TO-92
К125НТ10,44540,4--1510…150Транзисторная сборка

Зарубежное производство

МодельPCUCBUCEUBEICTJfTCChFEКорпус
C31980,625605050,15150803,5от 25 до 700TO-92
2SA12460,46050150,151501009100TO-92
2SC18150,4605050,15175803,5≥ 70TO-92
2SC33310,5605060,21502003≥ 100TO-92
2SC33820,4605060,21502502,7≥ 100TO-92
KTC31990,4505050,15150802270TO-92S
2N6428/A0,625605060,2150100-100TO-92
2SC5343T0,6256050-0,15-80-70TO-92
3DG13180,625605070,5150200-85TO-92
BC4310,62560-50,5150100-63TO-92
BC445A0,625606060,2150100-120TO-92
BC547BA30,625605060,2150100-200TO-92
BTC945A30,625605050,2150150-135TO-92
DTD113Z0,6256050-0,5150200-200TO-92
DTD143E0,625605050,5150200-47TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC13180,625605070,5150200-85TO-92
h24200,625606070,2150150-70TO-92
KSP80980,625606060,5150150-100TO-92
KTC18150,625605050,1515080-70TO-92
KTC945/B0,62560
50
50,15150300-90/70TO-92
STS53430,625605050,1515080-120TO-92
TEC9014A/B0,625605050,15150150-60/100TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE при различных значениях тока базы IB.

Характеристики сняты при температуре внешней среды Ta = 25°C.

Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы IB от напряжения эмиттер-база UBE.

Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды Ta и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 6 В.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U

BE(sat) от коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята при температуре внешней среды Ta = 25°C и соотношении токов IC/IB = 10.

Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при трех значениях температуры среды Ta.

Показан ход характеристик в области больших токов коллектора IC ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер UCE 1В и 6 В.

Рис. 6. Зависимость частоты среза fT (полосы пропускания) от тока эмиттера IE транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер UCE = 10 В и температуре среды Ta = 25°C.

Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности PC транзистора при увеличении температуры внешней среды Ta.

Транзистор bc547 аналоги, datasheet на русском, параметры, схема

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра
(режим измерения),
единица измерения
Буквенное обозначение Норма Температура, °С
КТ361Е КТ361Ж КТ361И КТ361К КТ361Л КТ361М КТ361Н КТ361П
не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более не менее не более
Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА IКБО 1 1 1 1 0,1 0,05 0,1 0,05 25; -60
25 25 25 25 2,5 5 2,5 5 100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В) h21Э 50 350 50 350 250 50 350 50 350 70 160 20 90 100 350 25
50 500 50 700 250 50 700 50 500 70 300 20 150 100 500 100
15 350 25 350 100 25 350 15 350 30 160 10 90 15 350 -60
Обратный ток коллектор-эмиттер
(RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА
(RБЭ=10 кОм UКЭ=20 В), мА
(RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА
(RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА
IКЭR 1 1 1 1 0,01 0,01 0,05 0,01 25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц) |h21Э| 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 1,5 3 25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс τк 800 800 800 400 400 400 150 500 25
Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361 Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(Jp∙500000)/(12∙tн)

где Jp – рабочий ток коллектора, мА;tн – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95% Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 60 В, IE = 0 ≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА IEBO UEB = 5 В, IC =0 ≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE(1) UCE = 6 В, IC = 0,002 А 40…250
hFE(2) UCE = 6 В, IC = 0,15 А ≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА 0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 100мА, IB = 10 мА ≤ 0,1
Частота среза, МГц fT UCE = 10 В, IC = 1 мА ≥ 80
Выходная емкость, pF Cob UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц ≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом rbb’ UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц 50
Коэффициент шума (типовое значение), dB 2SC3198A NF UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм 1
2SC3198L NF 0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе 2SC3198 O 2SC3198 Y 2SC3198 GR 2SC3198 BL
Диапазон величины hFE 70…140 120…240 200…400 350…700

Биполярный транзистор BC547B – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

BC547B


Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector – Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector – Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter – Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип VCEO, В IC, мA PC, мВт hFE fT, МГц Цоколевка (слева направо)
BC547 50 100 500 110-800 300 кбэ
Отечественное производство
КТ3102 20-50 100 250 100-1000 от 150 + (кбэ)
Импорт
BC171 45 100 350 120-800 150 + (кбэ)
BC182 50 100 350 120-500 100 + (кбэ)
BC237 45 100 500 120-460 100 + (кбэ)
BC414 45 100 300 120-800 200 + (кбэ)
BC447 80 300 625 50-460 от 100 + (кбэ)
BC550 45 200 500 110-800 300 + (кбэ)
2SC2474 30 100 310 20 2000 + (кбэ)
2SC828A 45 100 400 130-520 220 – (экб)
2SC945 50 100 250 150-450 от 150 – (экб)

Примечания:

  1. У КТ3102 значения VCEO и hFE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
  2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
  3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 TO-92
КТ604А/Б 0,8 300 250 5 0,2 150 40 ≤ 7 10…120 TO-92
КТ608А/Б 0,8 60 60 4 0,4 150 200 ≤ 15 20…160 TO-92
КТ611А/Б/В/Г 0,8 200 180 4 0,1 150 ≥ 60 ≤ 5 10…120 TO-8
КТ6110 0,625 40 20 5 0,5 150 60…200 TO-92
КТ6111 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ6117А/Б 0,625 180 160 15 0,6 150 100 ≤ 6 60…250 TO-92
КТ6137 0,625 60 40 6 0,2 150 300 4 100…300 TO-92
КТ660А/Б 0,5 50/30 5 0,8 150 200 ≤ 10 110…450 TO-92
К125НТ1 0,4 45 4 0,4 15 10…150 Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 от 25 до 700 TO-92
2SA1246 0,4 60 50 15 0,15 150 100 9 100 TO-92
2SC1815 0,4 60 50 5 0,15 175 80 3,5 ≥ 70 TO-92
2SC3331 0,5 60 50 6 0,2 150 200 3 ≥ 100 TO-92
2SC3382 0,4 60 50 6 0,2 150 250 2,7 ≥ 100 TO-92
KTC3199 0,4 50 50 5 0,15 150 80 2 270 TO-92S
2N6428/A 0,625 60 50 6 0,2 150 100 100 TO-92
2SC5343T 0,625 60 50 0,15 80 70 TO-92
3DG1318 0,625 60 50 7 0,5 150 200 85 TO-92
BC431 0,625 60 5 0,5 150 100 63 TO-92
BC445A 0,625 60 60 6 0,2 150 100 120 TO-92
BC547BA3 0,625 60 50 6 0,2 150 100 200 TO-92
BTC945A3 0,625 60 50 5 0,2 150 150 135 TO-92
DTD113Z 0,625 60 50 0,5 150 200 200 TO-92
DTD143E 0,625 60 50 5 0,5 150 200 47 TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318 0,625 60 50 7 0,5 150 200 85 TO-92
h2420 0,625 60 60 7 0,2 150 150 70 TO-92
KSP8098 0,625 60 60 6 0,5 150 150 100 TO-92
KTC1815 0,625 60 50 5 0,15 150 80 70 TO-92
KTC945/B 0,625 60 50 5 0,15 150 300 90/70 TO-92
STS5343 0,625 60 50 5 0,15 150 80 120 TO-92
TEC9014A/B 0,625 60 50 5 0,15 150 150 60/100 TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Новейшее из новостей

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение Параметр Значение
VCBO Напряжение коллектор-база, В BC546 80
(UCB max) BC547/550 50
BC548/549 30
VCEO Напряжение коллектор-эмиттер, В BC546 65
(UCE max) BC547/550 45
BC548/549 30
VEBO (UEB max) Напряжение эмиттер-база (обратное), В BC546/547 6
BC548-550 5
IC (ICmax) Ток коллектора, А 0,1
PC (PC max) Рассеиваемая мощность, Вт 0,5
Tj (tjmax) Температура кристалла, °С 150
Tstg Температура хранения, °С -65…+150

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при RБЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

  • напряжение между выводами Б-Э до 4В;
  • ток коллектора до 50мА;
  • мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
  • температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
  • статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

  • граничная частота по H21Э (если UKЭ=10 В и IЭ=5 мА) более 250 МГц;
  • обратные токи: между К-Э (при RБЭ=10 кОм и максимальном UKЭ) до 1 мкА; коллектора (при UKБ=10В) до 1 мкА;
  • возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
  • статический коэффициент усиления H21Э от 20 до 350.

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

  • большой разброс значений H21Э;
  • в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
  • внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при IК в районе 20…30 мА, в этот момент H21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Биполярный транзистор BC547C – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC547C


Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (IB) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (IC). Напряжение между базой и эмиттером (VBE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (IC).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать IC до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (VBE) может составлять около 200 мВ,а VBE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а VBE будет составлять около 650 мВ.

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение Параметр Условия измерений Значение
Мин. Тип. Макс.
ICBO Обратный ток коллектора, nA VCB =30В, IE =0 15
hFE (h21) Коэффициент усиления VCE =5В, IC =2мА 110 800
VCE(sat) (UBEsat) Напряжение насыщения к-э, мВ IC=10 мA, IB =0,5мA 90 250
IC=100 мA, IB =5мA 200 600
VBE(sat) (UBEsat) Напряжение насыщения б-э, мВ IC =10 мA, IB =0,5мA 700
IC =100 мA, IB =5мA 900
VBE (UBE) Напряжение б-э (прямое), В VCE =5 В, IC =2 мA 580 660 700
VCE =5 В, IC =10 мA 720
fT Граничная частота, МГц VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц 300
Cob Выходная емкость, пФ VCB =10В, IE =0, f= 1MГц 3,5 6
Cib Входная емкость, пФ VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц 9
NF (F) Коэффициент шума, дБ ВС546-548 VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц 2 10
ВС549, 550 1,2 4
ВС549 VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц 1,4 4
ВС550 1,4 3

Примечания:

  1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
  2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

BC547BA3 Datasheet (PDF)

0.1. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

STMicroelectronics - STS4DNF60 Интернет-дистрибьютор - Ventronchip.com

Введение

Изображения только для справки.
См. Технические характеристики изделия для деталей продукта.
Если вы заинтересованы в покупке STS4DNF60, просто напишите нам.
[email protected]
наш отдел продаж ответит вам в течение 24 часов

Вопросы и ответы

Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь STS4DNF60?

A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.

Q: Как платить деньги?

О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.

Q: Есть детали STS4DNF60 с гарантией?

A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.

Q: делать вы поддерживаете таблицу данных STS4DNF60 или модели САПР?

A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.

В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?

А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.

Вопрос: Можете ли вы доставить детали STS4DNF60 напрямую на наш завод OEM.

A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.

Q: Я просто нужен один кусок STS4DNF60, могу ли я заказать?

У него Зависит от MOQ STS4DNF60, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.

Q: Как Долго Могу ли я получить STS4DNF60 после оплаты?

А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.

STS5N15F4 Электронный дистрибьютор | STS5N15F4 STMicroelectronics на Y-IC.com

Все компоненты Eelctronics будут очень безопасно упаковываться благодаря антистатической защите от ESD.

Все продукты будут упаковываться в антистатический пакет. Корабль с антистатической защитой от ESD.
За пределами упаковки ESD-упаковки мы будем использовать информацию нашей компании: Part Mumber, Brand и Quantity.
Мы проверим все товары перед отправкой, обеспечим все продукты в хорошем состоянии и обеспечим детали новой оригинальной таблицей соответствия.
После того как все товары обеспечат никакие проблемы после упаковки, мы будем упаковывать безопасно и послать глобальным курьерским.

Глобальная отправка по DHL / FedEx / TNT / UPS

Срок поставки
Срок доставки потребуется 2-4 дня для большей части страны по всему миру для DHL / UPS / FEDEX / TNT.
Доставка сборы DHL.
1). Вы можете предложить свой экспресс-счет доставки для отправки, если у вас нет какой-либо экспресс-почты для отправки, мы можем предложить нашу учетную запись.
2). Используйте наш счет для отгрузки, Расходы на отправку (ReferenceDHL, разные страны имеют разную цену).
Плата за доставку: (Справочный DHL)
Вес (кг) Цена (USD $)
0.00kg-1.00kg USD $ 60,00
1.00kg-2.00kg USD $ 70,00
2.00kg-3.00kg USD $ 80.00

Подробнее: https: // WWW. y-ic.com /shipment-way.htm
Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам. Отправить любые запросы или вопрос на адрес электронной почты [email protected]
Мы можем сделать все возможное. Большое вам спасибо за вашу поддержку.
Способ оплаты: Wire Transfer = Телеграфный перевод (T / T) или PayPal или Western Union

Передача провода (T / T)



Наше имя банка HSBC: Hongkong и Shanghai Banking Corporation Limited (HSBC Гонконг)

Преимущества Название компании: YIC International Co., Limited
Банковские сборы и данные платежного счета, пожалуйста, нажмите "Способ оплаты».

Вестерн Юнион


Полная оплата Western Union.
Шаг 1. Перейдите в свой филиал Western Union или перейдите на их сайт (www.westernunion.com)
Шаг 2. Следуйте их инструкциям.

Банковские сборы и данные платежного счета, пожалуйста, нажмите "Способ оплаты».

Счет PayPal:

Счет PayPal:
Идентификатор учетной записи PayPal: [email protected]
Компания: YIC International Co., Limited

Если вы хотите оплатить через кредитную карту, пожалуйста, выберите «Оплатить с моей учетной записью PayPal», чтобы продолжить по PayPal. (www.paypal.com)

STS5343_3555467.PDF Datasheet Загрузить --- IC-ON-LINE

PART Описание Производитель
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Кремниевый транзистор высокой мощности NPN
Кремниевый переключающий транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN
Силовой транзистор PNP
Малосигнальный транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN средней мощности
Двойной комплементарный биполярный транзистор npn-pnp
Дополнительные силовые транзисторы
Мощность NPN транзисторы 模拟 IC
Аналог IC 模拟 IC
RECOM Electronic GmbH
Vishay Intertechnology, Inc.
BC550C BC549B BC549B-D BC549C BC550B ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45VV (BR) Генеральный директор | 100MAI (C) | TO-92
Малошумящие транзисторы NPN Silicon (硅 NPN 低 噪声 晶体管) 100 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
Малошумящий транзистор NPN Silicon (30 В, NPN 低 噪声 体管) 低 噪声 体管 NPN 硅 ( 30V 的 硅 npn 型 低 噪声 晶体管)
ON Semiconductor
http: //
2SD773 2SD773U4 2SD773-L2-AZ 2000 мА, 16 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 16V V (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | TO-221VAR
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Из старой системы технических данных
NEC Corp.
NEC [NEC]
2SC4900 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный
УВЧ-ДИАПАЗОН, Si, NPN, РЧ-транзистор МАЛЫЙ СИГНАЛ
Hitachi, Ltd.
HITACHI [Hitachi Semiconductor]
MJ802 Мощный кремниевый транзистор NPN 30 А, 90 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA
МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР 30 АМПЕР NPN КРЕМНИЙ 100 Вольт 200 Вт
Motorola, Inc.
ONSEMI [ON Semiconductor]
2SD1692 2SD1692L 2SD1692K КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР Дарлингтона
Из старой системы технических данных
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Маломощные, одно- / двухуровневые мониторы батарей с гистерезисом
ТРАНЗИСТОР | BJT | ДАРЛИНГТОН | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | TO-126 晶体管 | 体管 | 达林 顿 | 叩 | 100V 的 五 (巴西) 总裁 | 3A 条 一 (c) | 26
NEC Corp.
NEC, Corp.
2SD2017 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение)
Sanken Electric Co., ООО
SANKEN [Санкен электрик]
BFS466L6 BFS466L6E6327 NPN Silicon RF TWIN Transistor NPN 硅 射频 双 体
RF-Bipolar - Двойной кремниевый RF-транзистор NPN в корпусе TSLP-3, идеально подходящем для малошумящих усилителей и модулей VCO
INFINEON [Infineon Technologies AG]
2N1890 JAN2N1890S JAN2N1711S JANTX2N1711 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN
Транзистор NPN
500 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5
Microsemi Corporation
MICROSEMI CORP-LAWRENCE
2SD2495 Кремниевый планарный транзистор NPN с тройным рассеиванием (Дарлингтон) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 • • • • • • • • Sanken Electric Co., ООО
SANKEN [Санкен электрик]
FZT491 FZT491A NPN транзистор с низким уровнем насыщения
NPN транзистор средней мощности
SOT223 NPN КРЕМНИЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНИЙ МОЩНОСТИ
Тип: розетка для настенного монтажа; Расположение вставки: 18-11
Zetex Semiconductors
Diodes Incorporated
2SC2837 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (аудио и общего назначения)
SANKEN [Санкен электрический]

STS5343_218394.Загрузить техническое описание в формате PDF --- IC-ON-LINE

Эпитаксиальный кремниевый транзистор
ЧАСТЬ Описание Производитель
BC550C BC549B BC549B-D BC549C BC550B ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45VV (BR) Генеральный директор | 100MAI (C) | TO-92
Малошумящие транзисторы NPN Silicon (硅 NPN 低 噪声 晶体管) 100 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
Малошумящий транзистор NPN Silicon (30 В, NPN 低 噪声 体管) 低 噪声 体管 NPN 硅 ( 30V 的 硅 npn 型 低 噪声 晶体管)
ON Semiconductor
http: //
2SD2655 2SD655 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный строгальный низкочастотный усилитель мощности
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
Hitachi Semiconductor
TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
Rohm
2SD1000 2SD1000-T1 2SD1000-T2 2SD1000-AZ 700 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЙНЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN POWER MINI MOLD
Кремниевый транзистор
NEC [NEC]
FCX688B FCX688BTA ТРАНЗИСТОР NPN 12V 3000MA SOT-89 3000 mA, 12 V, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
NPN КРЕМНИЙ СИЛОВЫЙ (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ) ТРАНЗИСТОР
Zetex Semiconductor PLC
Zetex Semiconductors
2SD414 2SD415 2SB548 2SB549 2SD414Q 2SD414Q-AZ 800 мА, 80 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЙНЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP / NPN ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ
(2SB548) Кремниевый эпитаксиальный транзистор PNP / NPN
NEC [NEC]
FJPF13007h3TTU FJPF13007TU Кремниевый транзистор NPN 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
Кремниевый транзистор NPN; Пакет: ТО-220Ф; Количество контактов: 3; Контейнер: Рейка 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
Fairchild Semiconductor, Corp.
2SD2017 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение)
Sanken Electric Co., Ltd.
SANKEN [Санкен электрик]
BFS483 RF-Bipolar - Двойной кремниевый радиотранзистор NPN (2xBFR183W) для малошумящих широкополосных усилителей с высоким коэффициентом усиления
Кремниевый радиочастотный транзистор NPN
Infineon Technologies AG
2SC4130 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (импульсный регулятор и общего назначения)
SANKEN [Санкен электрический]
KSD471AYTA KSD471AYBUNL NPN; Пакет: ТО-92; Количество контактов: 3; Контейнер: боеприпасы 1000 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор 1000 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
Fairchild Semiconductor, Corp.
2SC2837 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (аудио и общего назначения)
SANKEN [Санкен электрический]

STS5343_ 技术 文档 _ 晶体 _ 晶体管 _NPN 硅 晶体管 NPN КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР

STS5343

Абсолютные максимальные значения

Характеристика

Напряжение коллектор-база

Коллектор-эмиттер

Коллектор-эмиттер

Рассеивание коллектора

Температура перехода

Температура хранения

(Ta = 25 ° C)

Символ

V

CBO

V

CEO

V

EBO

EBO

P

C

T

j

T

stg

Номинальные параметры

60

50

5

150

625

150

150

9055

9055

В

В

мА

мВт

° C

° C

Электрические характеристики

Характеристика

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отсечки коллектора

Ток отсечки эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Частота передачи

Выходная емкость коллектора

Коэффициент шума

(Ta = 25 ° C)

Символ

BV

CBO

BV

CEO

BV

EBO

I

CB32 I

h

FE

V

CE (насыщенный)

f

T

C

ob

NF

Условия тестирования

I

C

E

C

=

= 0

I

C

= 1 мА, I

B

= 0

I

E

= 10 мкА, I

C 9032 2

= 0

V

CB

= 60 В, I

E

= 0

V

EB

= 5 В, I

C

= 0

CE

CE

= 6 В, I

C

= 2 мА

I

C

= 100 мА, I

B

= 10 мА

В

CE

= 10 В, I

C = 1

В

CB

= 10 В, I

E

= 0, f = 1 МГц

V

CE

= 6 В, I

C

= 0.1 мА,

f = 1 кГц, Rg = 10 кОм

Мин. Тип. Максимум.

60

50

5

-

-

120

-

80

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

9032 -

-

2

-

-

-

-

0,1

0,1

240

0,25

-

3.5

10

Агрегат

V

V

V

мкА

мкА

-

V

МГц

пФ

дБ

пФ

дБ

STS5343

Кривые электрических характеристик

Рис. 1 P

C

–T

a

Рис. 2 I

C

-V

BE

C

-V

CE

Рис.4 ч

FE

-I

C

Рис.5 V

CE (sat)

-I

C

KST-9055-001

3

STS5343

Эти продукты AUK предназначены для использования в общем электронном оборудовании (офисное и

коммуникационное оборудование, измерительное оборудование, бытовая электрификация и т. Д.).

Пожалуйста, обязательно проконсультируйтесь с нами, прежде чем использовать эти продукты AUK в оборудовании, которое требует высокого качества и / или надежности, а также в оборудовании, которое может иметь

серьезное влияние на благосостояние человека (атомная энергия управление, самолет, космический корабль, движение

сигнал, центральное сгорание, все типы предохранительных устройств и т. д.).

AUK не несет ответственности за любой ущерб, который может возникнуть в случае использования этих продуктов AUK

в указанном оборудовании без предварительной консультации с AUK.

КСТ-9055-001

4

STS5343_571236.PDF Datasheet Загрузить --- IC-ON-LINE

Кремниевый четырехъядерный транзистор драйвера памяти Цифровые транзисторы
PART Описание Производитель
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Кремниевый транзистор высокой мощности NPN
Кремниевый переключающий транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN
Силовой транзистор PNP
Малосигнальный транзистор NPN
Кремниевый транзистор NPN средней мощности
Двойной комплементарный биполярный транзистор npn-pnp
Дополнительные силовые транзисторы
Мощность NPN транзисторы 模拟 IC
Аналог IC 模拟 IC
RECOM Electronic GmbH
Vishay Intertechnology, Inc.
2N6132 2N6101 2N6491 2N6486 2N6487 2N6489 2N6099 2 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 15 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB
(2N6130 - 2N6134) КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Силовой транзистор с выводами общего назначения
Силовой транзистор с выводами Darlington
http: //
ON Semiconductor
Central Semiconductor Corp.
Advanced Semiconductor
CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
Central Semiconductor C...
2SD2017 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение)
Sanken Electric Co., Ltd.
SANKEN [Санкен электрик]
CMLM2205 МНОГОДИСКРЕТНЫЙ МОДУЛЬ НА ПОВЕРХНОСТНОЙ КРЕПЛЕНИИ КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN-ТРАНЗИСТОРА И НИЗКОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТТКИ ВЧ 600 мА, 45 В, NPN, Si, ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МАЛЫХ СИГНАЛОВ
Central Semiconductor, Corp.
MHQ6001 MHQ6002 MPQ918 MHQ4002A MHQ4013 MHQ4014 MP NPN.
6367254 MOTOROLA SC (XSTRS / R F)
NPN-кремниевый четырехканальный усилитель-транзистор. Квадратный кремниевый транзистор
PNP.
http: //
MOTOROLA [Motorola, Inc]
2SD2495 Кремниевый планарный транзистор NPN с тройным рассеиванием (Дарлингтон) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 • • • • • • • • Sanken Electric Co., ООО
SANKEN [Санкен электрик]
JAN2N2219 JANS2N2219 JAN2N2218 2N2218 JANTX2N2218 МАЛЫЙ СИГНАЛ БИПОЛЯРНЫЙ КРЕМНИЙ NPN
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN
Транзистор NPN
MICROSEMI [Microsemi Corporation]
FMMTL618 FMMTL618TA FMMTL618-15 NPN Транзистор с низким уровнем насыщения
SOT23 КРЕМНИЙНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ NPN
КРЕМНИЙНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ транзистор с высоким коэффициентом усиления NPN 1250 мА, 20 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Список неклассифицированных мужчин...
Diodes Incorporated
ZETEX [Zetex Semiconductors]
Zetex Semiconductor PLC
2SC4130 Кремниевый NPN-транзистор
Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (импульсный регулятор и общего назначения)
SANKEN [Санкен электрический]
BC637L34Z BC637D26Z Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92
Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN; Пакет: ТО-92; Количество контактов: 3; Контейнер: лента & amp; Катушка 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-92
Fairchild Semiconductor, Corp.
BFP650 - ВЧ-транзистор NPN SiGe, усилители высокой мощности, малошумящий ВЧ-транзистор в корпусе SOT343, 4 В, 150 мА
Кремниево-германиевый ВЧ-транзистор NPN
Infineon Technologies AG

STS5343 Лист данных_PDFļ_оƬϲѯ_άг

  • ͺ

  • İ

    КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР

    AUK [AUK c...

  • İ

    N-КАНАЛ, 150 В - 0,045 ОМ - 5 А, SO-8, ЗАРЯДКА НИЗКОГО ЗАРЯДА ...

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    N-КАНАЛ 20В - 0.030 Ом - 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II ...

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    МОП-транзистор N-CH 150V 5A 8-SOIC

  • İ

    МОП-транзистор N-CH 60V 5A 8-SOIC

  • İ

    N - КАНАЛ 60V - 0.045ohm - МОП-транзистор SO-8, 5A,

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    N-КАНАЛ 150 В - 0,075 Ом - 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFE ...

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    Р-КАНАЛ 20 В - 0.065 Ом - 5A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET II P ...

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    МОП-транзистор P-CH 30V 5A 8-SOIC

  • İ

    P - КАНАЛ 30В - 0.053ohm - МОП-транзистор SO-8, 5A,

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    N - КАНАЛ 30 В - 0,039 Ом - 5A SO-8 МОП-транзистор с полевыми транзисторами

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    N-КАНАЛ 20В - 0.030 Ом - 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II ...

    СТМИКРОЭЛЕКТРОН ...

  • İ

    МОП-транзистор 2P-CH 20V 5A 8SOIC

  • İ

    МОП-транзистор P-CH 30V 5A 8SOIC

  • 184T2_4792734.Загрузить техническое описание в формате PDF --- IC-ON-LINE

    PART Описание Производитель
    BC818-16 BC818-25 BC818-40 Q62702-C1740 Q62702-C15 Кремниевые AF-транзисторы NPN 500 мА, 25 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
    Кремниевые AF-транзисторы NPN BC 817
    Из старой системы технических данных
    Diotec Semiconductor AG
    SIEMENS AG
    Infineon
    SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
    Siemens Semiconductor G...
    2N2220 2N2221 2N2222 Q68000-A4573 Q62702-F134 Q627 Кремниевые планарные транзисторы NPN 800 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-18
    Кремниевые планарные транзисторы NPN NPN 硅 平面 体管
    SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
    Siemens Group
    SIEMENS AG
    2SD1815 2SB1215 Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP Сильноточные коммутационные приложения
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN
    Sanyo
    MJE2955T03 MJE34003 MJE52103 MJE585203 MJE80203 MR ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
    КОМПЛЕКСНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
    КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР
    ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ PNP СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР
    КРЕМНИЙ NPN МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР Дарлингтона
    ВЧ силовые полевые транзисторы
    880 МГц, 40 Вт AVG.26 В, ОДИН N-CDMA, N-канальные полевые МОП-транзисторы с расширенным режимом работы
    RF LDMOS широкополосные интегрированные усилители мощности
    ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ L TO X-BAND GaAs MESFET
    10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
    FREESCALE
    NEC
    STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
    2SC2911 2SA1209 2SA120902 NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы 160 В / 140 мА, высоковольтная коммутация и AF 100 Вт с предварительным преобразователем
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN
    Устройство Sanyo Semicon
    BD675 BD679A BD677A BD677 ON0196 BD675A BD679 BD67 Из старой системы технических данных
    4.0 АМПЕРНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
    Пластиковый кремний средней мощности NPN Darlingtons
    СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона NPN SILICON
    MOTOROLA [Motorola, Inc]
    ON Semiconductor
    Motorola Inc
    Motorola, Inc.
    2SA1592 2SC4134 0107 Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Применения для переключения высокого напряжения
    Из старой системы технических данных
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN
    Sanyo
    2SD1999 Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Приложения для компактного драйвера двигателя
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN / NPN
    Sanyo
    MJW3281AG MJW3281A10 MJW1302AG Дополнительные кремниевые силовые биполярные транзисторы NPN-PNP
    ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 15 А, 230 В 200 ВАТТ 15 А, 230 В, NPN, Si, силовой транзистор, TO-247AD
    Дополнительные кремниевые силовые биполярные транзисторы NPN-PNP
    ОН Полупроводник
    ZXT11N15DF ZXT11N15DFTC ZXT11N15DFTA Дискретный - Биполярные транзисторы - Главный стол транзисторов (BJT) - Транзисторы
    3000 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 3 КОНТАКТА
    15 В NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ
    NPN Транзистор с низким уровнем насыщения
    Diodes, Inc.
    Diodes Incorporated
    Zetex Semiconductors
    2SA1521 2SC3915 PNP Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы
    NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы Коммутационные приложения (с сопротивлением смещения)
    Sanyo
    2SC3117 2SA1249 NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы 160 В / 1,5 A Коммутационные приложения
    Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN
    Sanyo

    z117 техническое описание и примечания по применению

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    2н2222 сот23

    Аннотация: Z117 Z123 Диодный диод z104 a105 транзистор Z16 SOT23 c60 эквивалент 2n2222 sot-23 b49 диодный транзистор z5
    Текст: P3V VDD VIO VDD P2 P1 NDA # P3V A1 1 VIO VIO 1 B1 TRST # A2 2 TCK A3 3 A4 4 2 B2 TOOL1 3 B3 TMS TDO A5 5 C52 10 16V 2 7227 6 B6 INTA # A7 7 7 B7 X28 A8 8 A9 9 9 B9 10 B10 A11 11 11 B11 A12 12 12 B12 A13 13 13 B13 A14 14 14 B14 GNT # A19 19 19 B19 AD30 AD26 25 B25


    Оригинал
    PDF CC0805 2н2222 сот23 Z117 Z123 Диод диод z104 a105 транзистор Z16 SOT23 эквивалент c60 2н2222 сот-23 b49 диод транзистор z5
    Z117

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: 101,3 ~ 96,8 Факс: +49 7157 / 125-120 32 www.telegaertner.com max.10 Телефон: +49 7157 / 125-0 af 23 SW 23 hex 8 SW 8 16 мм² с этикеткой / mit Aufkleber hex 32 SW 32 Alle Rechte vorbehalten / все права защищены Telegärtner K.Gärtner GmbH D-71144 Steinenbronn Lerchenstrasse 35


    Оригинал
    PDF J01028A0053 2002/95 / EC J01028A0053 Z117
    ST DB3 C702

    Аннотация: SIS 648 Z1212 SiS648 QT1608RL600 755SA1 ATC93LC46 Z1155 z1175 st DB3 c130
    Текст: 5 4 3 2 БЛОК-СХЕМА CPU 755SA5 + 3V Pentium 4 Socket 478 CPUCLK CPUCLK # 100/133 / 200MHZ 1 EC THERMAL Vcore ADM1032 Page 3 Page 3 HOST BUS D 100/133 / 166MHZ 755SA1 P / N: DDRCLK0 DDRKCLK1 DDRCLK1 DDRCLK0 # DDRCLK1 # DDRCLK2 # DDR 2 +2.5V DDRCLK0 DDRCLK1 DDRCLK2 DDR RAM BUS


    Оригинал
    PDF 755SA5 100/133/200 МГц ADM1032 755SA1 100/133/166 МГц SIS648CLK SIS648CLK # 66 МГц 648ZCLK ST DB3 C702 SIS 648 Z1212 SiS648 QT1608RL600 ATC93LC46 Z1155 z1175 ул DB3 c130
    79015P

    Абстракция: ria PD6 74HC14T sf hd62 xo 403 me 4Z701 R36118 KC332 ad 0803 pc dio-48
    Текст: Материнская плата 1 из 33 HA # [3.31] 3,5 24 24 ST PCLK # SLP # INT R NMI 5 8,10 10 T CK T DO T DI T MS T RST # T PREQ # T PRDY # RS # [ 0.2] 24 A20M # CPU_FERR # 24 IGNNE # PW RGOOD 10 SMI # HT RDY # HIT # HITM # DEFER # 3,5 3,5 3,5 3,5 BREQ0 # BPRI # BNR # HLOCK # ADS # V_CPU R579


    Оригинал
    PDF 1000P CORE / 13A ПК / 15А I3443 1005-4R 71-31C 79015P ria PD6 74HC14T SF HD62 xo 403 мне 4Z701 R36118 KC332 объявление 0803 пк ди-48
    CQ58

    Абстракция: VD58 Z247 Z258 qe r603 74hct373a DB25 90 коннектор MC140138 z232 78l05 so8
    Текст: Материнская плата 1 из 32 R51 R52 1 2 3 4 5 GNT # [0.3] 16,19,24,30 • 10 9 8 7 6 10 9 8 7 6 10K 10K T SMC8R-10K 1 2 3 4 5 RP9 VCC3 G NT # 4 G NT # 0 G NT # 1 G NT # 2 G NT # 3 REQ # 4 REQ # 0 REQ # 1 REQ # 2 REQ # 3 CLKRUN # PCIRST # GNT # [0.3] REQ # [0.4] 24 • 7 • 7 • FRAME #


    Оригинал
    PDF 71-85P00-D04A CQ58 VD58 Z247 Z258 qe r603 74hct373a Разъем DB25 90 MC140138 z232 78l05 so8
    T2200P

    Абстракция: 1820N 78l05 so8 gsm модем AZ210a jlvds1 Insyde Alc201A Z952 2z357
    Текст: Предисловие Ноутбук 1800N / 1820N Руководство по обслуживанию Предисловие I Предисловие Уведомление Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления.Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика. Они не несут ответственности за любые ошибки или неточности, которые могут появиться в этой публикации, а также


    Оригинал
    PDF 1800N / 1820N 18nrxxx T2200P 1820N 78l05 so8 GSM модем AZ210a jlvds1 Инсайд Alc201A Z952 2z357
    Z117

    Абстракция: 331 y55 z132 Y48311 y 718
    Текст: HM18TS402 HM18TS402 402Ch., ДРАЙВЕР ИСТОЧНИКА TFT ЖК-дисплея, 64 шкалы серого - 1- Предварительная информация HM18TS402 1. ОБЗОР HM18TS402 - это драйвер столбца источника сигнала со сверхнизким энергопотреблением на 402 канала для ЖК-панели TFT. Это устройство имеет цифро-аналоговый преобразователь, использующий 5 внешних опорных напряжений для отображения 262 144 цветов.


    Оригинал
    PDF HM18TS402 402Ch. HM18TS402 18-битный ( 64-серый 10 МГц Z117 331 год 55 z132 Y48311 y 718
    Схема
    блок питания ATX 500 Вт

    Реферат: Pioneer PAL 012A 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема Цифровые ИБП на 600 ВА winbond bios 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu TBE принципиальная схема инвертор 2000 Вт DK55 принципиальная схема светящегося 600 ВА ИБП
    Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель - см. Страницы 3-24 Цифровые сигнальные процессоры, iCoupler, iMEMS® и iSensor.. . . . 805, 2707, 2768-2769 Разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-568 RF разъемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Страницы 454-455


    Оригинал
    PDF P462-ND P463-ND LNG295LFCP2U LNG395MFTP5U US2011) принципиальная схема atx блок питания 500w pioneer PAL 012A Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт Цифровые схемы ИБП 600 ВА Winbond BIOS 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu Схема преобразователя TBE 2000w DK55 Принципиальная схема светящегося ИБП на 600 ВА
    Z117

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: 40 с этикеткой / mit Aufkleber J01125A0036 230 В 2.5 ГГц Телефон: +49 7157 / 125-0 SW 24 Германия D-71144 Steinenbronn Lerchenstrasse 35 K.Gärtner GmbH Alle Rechte vorbehalten / все права защищены Telegärtner M29x1,5 Факс: +49 7157 / 125-120 M29x1,5 www.telegaertner. ком


    Оригинал
    PDF M29x1 J01125A0036 25-35 Нм CuZn39Pb3 2002/95 / EC 7-16-Скачок J01125A0036 Z117
    Samtec QTH-060-02-F-D-A

    Аннотация: MOTHERBOARD Chip Level MANUAL mbx 204 sandisk micro sd card принципиальная схема Sandisk micro SD Card 2GB ps2 контроллер адаптер для usb hp g42 lcd led ic hd44780 PIC lcd controller hitachi hd44780 display PB926EJ-S ZU183
    Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM926EJ-S HBI-0117 Руководство пользователя Copyright 2003-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0224I Базовая плата платформы RealView для ARM926EJ-S Руководство пользователя Авторские права © 2003-2010 ARM Limited. Все права защищены. Информация о выпуске


    Оригинал
    PDF ARM926EJ-S HBI-0117 0224I Samtec QTH-060-02-F-D-A MOTHERBOARD Chip Level MANUAL mbx 204 принципиальная схема карты памяти sandisk micro sd карта памяти sandisk micro SD 2 ГБ адаптер контроллера ps2 к usb hp g42 жк-дисплей led ic hd44780 PIC жк-контроллер hitachi hd44780 дисплей PB926EJ-S ZU183
    ARM1176JF

    Аннотация: ARM1176JZF-S samsung ARM1176JZF-S PB1176 Модуль ЖК-дисплея 16x2 символа HD44780 J27B ARM1176JZF 10-контактный адаптер CTI JTAG ARM1176 z144
    Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM1176JZF-S HBI-0147 Руководство пользователя Напечатано: 6 марта 2010 г. Авторские права 2007-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0425E Базовая плата платформы RealView для ARM1176JZF-S Руководство пользователя Авторские права © 2007-2010 ARM Limited. Все права защищены.


    Оригинал
    PDF ARM1176JZF-S HBI-0147 0425E ARM1176JF ARM1176JZF-S Samsung ARM1176JZF-S PB1176 Модуль ЖК-дисплея 16x2 символа HD44780 J27B ARM1176JZF Переходник с 10-контактного на 20-контактный CTI JTAG ARM1176 z144
    Z247

    Абстракция: z233 Z178 z249 Z238 Z117 Z246 Z243 z232 x44 e 236
    Текст: Analyzer Tile HBI-0114 User Guide Copyright 2003.Все права защищены. ARM DUI 0189A Analyzer Tile Руководство пользователя Авторские права © 2003. Все права защищены. Информация о выпуске Описание Проблема Изменение 15 октября. Уведомление о правах собственности первого выпуска 2003 г. Слова и логотипы, отмеченные или являются зарегистрированными товарными знаками или товарными знаками, принадлежащими ARM Limited, за исключением


    Оригинал
    PDF HBI-0114 Z247 z233 Z178 z249 Z238 Z117 Z246 Z243 z232 х44 е 236
    АРМ DDI 0254

    Аннотация: PEX8114 PB11MPCore Z123 Diode arm11 nxp DVI-D Single Link Male Connector Распиновка ARM1176 ARM11 49 МГц схема передатчика дистанционного управления блок-схема южного моста
    Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM11 MPCore HBI-0159 HBI-0175 HBI-0176 Руководство пользователя Copyright 2007-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0351D Базовая плата платформы RealView для ARM11 MPCore Руководство пользователя Авторские права © 2007-2010 ARM Limited. Все права защищены.


    Оригинал
    PDF ARM11 HBI-0159 HBI-0175 HBI-0176 0351D ARM1176JZF-S ARM DDI 0254 PEX8114 PB11MPCБолее Z123 Диод arm11 nxp Распиновка штекерного разъема DVI-D Single Link ARM1176 Схема передатчика дистанционного управления 49 МГц блок-схема южного моста
    Cortex-A8

    Аннотация: код Verilog для двухпортовой оперативной памяти с блок-схемой южного моста интерфейса Axi ARM Cortex A8 ARM Cortex-A8 PEX8114 ARM Cortex A15 диод z104 южный мост 8a10 mic
    Текст: Базовая плата платформы RealView для Cortex-A8 HBI-0178 HBI-0176 HBI-0175 Руководство пользователя Copyright 2008-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0417C Базовая плата платформы RealView для Cortex-A8 Руководство пользователя Авторские права © 2008-2010 ARM Limited. Все права защищены.


    Оригинал
    PDF HBI-0178 HBI-0176 HBI-0175 0417C Cortex-A8 Код Verilog для двухпортовой оперативной памяти с интерфейсом Axi блок-схема южного моста ARM Cortex A8 ARM Cortex-A8 PEX8114 ARM Cortex A15 диод z104 южный мост 8a10 микрофон
    71-M2200-D06

    Аннотация: sis 962l SiS 961 toshiba hdd схема D22ES toshiba ноутбук схема жк-инвертора D27ES toshiba c640 схема toshiba dvd hdd схема MP1015
    Текст: Предисловие Ноутбук M22ES / M27ES / D22ES / D27ES Руководство по обслуживанию Предисловие I Предисловие Уведомление Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления.Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика. Они не несут ответственности за любые ошибки или неточности, которые могут появиться в этой публикации, а также


    Оригинал
    PDF M22ES M27ES D22ES / D27ES M22ESRXX 71-M2200-D06 sis 962l SiS 961 принципиальная плата toshiba hdd схема инвертора ноутбука toshiba lcd D27ES принципиальная схема toshiba c640 принципиальная схема toshiba dvd hdd MP1015
    Тензодатчик

    Аннотация: абстрактный текст недоступен
    Текст: ПРАКТИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДАТЧИКА ВВЕДЕНИЕ С учетом сегодняшнего акцента на ответственности за качество продукции и энергоэффективности конструкции должны быть не только легче и прочнее, но и более тщательно проверяться, чем когда-либо прежде.Это придает новое значение теме


    Оригинал
    PDF Z-128 Тензометрический датчик
    YL21

    Аннотация: YL162 LT-XC4VLX100 z144 YL162 дисплейный диод z104 красный 5мм светодиод с держателем Z170 YX8019 ZL212
    Текст: RealView LT-XC4VLX100 + Logic Tile HBI-0158 Руководство пользователя Напечатано: 27 сентября 2008 г. Авторские права 2006-2008 ARM Limited. Все права защищены. ARM DUI 0345D RealView LT-XC4VLX100 + Руководство пользователя Авторские права © 2006-2008 ARM Limited.Все права защищены. Информация о выпуске


    Оригинал
    PDF LT-XC4VLX100 + HBI-0158 0345D 150-01-F-D-A-K YL21 YL162 LT-XC4VLX100 z144 YL162 дисплей диод z104 красный светодиод 5мм с держателем Z170 YX8019 ZL212
    кора головного мозга a9

    Аннотация: cortex A9 cortex-a9 Двухъядерный процессор ARM Cortex-A9 DMC 269 HBI0183 ARM cortex A9 neon ПРОЦЕССОР CORTEX-A9 ARM JTAG cortex a9 ARM Cortex-A9
    Текст: Обзор основной платы платформы RealView для основной платы Cortex-A9 HBI-0182 и HBI0183 (дочерней платы) Руководство пользователя Copyright 2009 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0440A (ID042309) Базовая плата платформы RealView Explore для Cortex-A9 Руководство пользователя


    Оригинал
    PDF HBI-0182 HBI0183 ID042309) ID042309 кора головного мозга a9 кора A9 cortex-a9 Двухъядерный процессор ARM Cortex-A9 DMC 269 HBI0183 ARM cortex A9 неон ПРОЦЕССОР CORTEX-A9 ARM JTAG cortex a9 ARM Cortex-A9
    Диод DD54

    Аннотация: TM121SV-02L07 STR DD37 BU CLEVO CZ633 evo cn GP 502 mcl d01 display ST U1,3 Z224 Схема клавиатуры и тачпада intel dg 41 rq
    Текст: Модель 5100S / 5500S Руководство по техническому обслуживанию Материнская плата Плата D / D Плата инвертора Плата жесткого переноса Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.Октябрь 2000 г. Содержание Технические характеристики системы. 1


    Оригинал
    PDF 5100S / 5500S SiS630S 383 тыс. / Фут 71-51S00-D Диод DD54 TM121SV-02L07 STR DD37 BU CLEVO CZ633 evo cn GP 502 mcl d01 дисплей СТ У1,3 З224 схема клавиатуры и тачпада Intel DG 41 RQ
    Принципиальная схема стабилизатора переменного напряжения 220В

    Аннотация: Электрическая схема цветного телевизора LG tda 9370 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема принципиальная схема atx блок питания 500w TV SHARP IC TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводная шпионская камера 9744 mini mainboard v1.2 sony 279-87 транзистор E 13005-2 superpro lx
    Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель - см. Страницы 3-24 Аналоговый интерфейс AD9272, акселерометры и гироскопы iMEMS. . . . . . 782, 2583 разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-528 Датчики ускорения и давления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Стр. Решебника 2585


    Оригинал
    PDF AD9272 P462-ND LNG295LFCP2U P463-ND LNG395MFTP5U Принципиальная схема стабилизатора переменного напряжения 220В Схема цветного телевизора LG tda 9370 Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт принципиальная схема atx блок питания 500w Микросхема TV SHARP TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводной шпионской камеры Материнская плата 9744 mini v1.2 sony 279-87 транзистор Е 13005-2 superpro lx
    CLEVO

    Резюме: LP2600T РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ lg r500 71P26 71-P2205-001A Insyde bios manual LCD PC LP2600T LP-2600 CA194 71-P2205-001
    Текст: ПРЕДИСЛОВИЕ РУКОВОДСТВА ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ LCD PC LP2600C / LP2600T I УВЕДОМЛЕНИЕ ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления. Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика.Они предполагают


    Оригинал
    PDF LP2600C / LP2600T / LP200S / BIOS. / LP200S / BIOS CLEVO LP2600T РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ LG R500 71П26 71-P2205-001A Руководство по Insyde bios ЖК-ПК LP2600T LP-2600 CA194 71-P2205-001
    ND R433

    Аннотация: MC140138 VD58 78l05 so8 Z247 Z428 VD42 Z396 Z158 Z261
    Текст: 7,16,19, 24,30 • AD [0,31] AD [0,31] G _AD [0,31] 10 • G _AD [0,31] 5 • MDD [0,63] MDD [0,63] J1 | LINK | 0326-2 .SCH | 0326-3.SCH | 0326-4.SCH | 0326-5.SCH | 0326-6.SCH | 0326-7.SCH | 0326-8.SCH | 0326-9.SCH | 0326-10.SCH | 0326-11.SCH | 0326-11A.SCH | 0326-12.SCH | 0326-13.SCH


    Оригинал
    PDF 326-11A 71-85P00-D04A ND R433 MC140138 VD58 78l05 so8 Z247 Z428 VD42 Z396 Z158 Z261