Sts5343 транзистор характеристики: Справочники

Транзистор C3198 характеристики (параметры), отечественные аналоги, цоколевка

C3198 — кремниевый, планарно-эпитаксиальный транзистор с NPN структурой общего назначения и для переключающих цепей. Конструктивное исполнение ТО-92.

Предназначение

Транзистор в основном предназначен для применения в усилителях низкой частоты и в усилителях с требованиями низкого уровня шума.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

• Высокая линейность hFE – параметра: hFE (IC = 0,1 мА)/hFE (IC = 2 мА) = 0,95.
• Высокое значение hFE – параметра: до 700.
• Низкий уровень шума: 2SC3198A имеет NF = от 1 dB 10 dB; 2SC3198L имеет NF = от 0,2 dB до 3 dB.
• Комплементарная пара: 2SA1266.

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре окружающей среды Ta=25°C.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	VCBO	60
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	VCEO	50
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	VEBO	5
Ток коллектора, А	IC	0,15
Ток базы, А	IB	0,05
Рассеиваемая мощность, Вт	PC	0,625
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	Tj	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	Tstg	-55…+150

Электрические параметры (при T

_a = 25°C)

Характеристика		Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА		ICBO	UCB = 60 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА		IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭		hFE(1)	UCE = 6 В, IC = 0,002 А	40…250
		hFE(2)	UCE = 6 В, IC = 0,15 А	≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В		UCE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В		UBE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	≤ 0,1
Частота среза, МГц		fT	UCE = 10 В, IC = 1 мА	≥ 80
Выходная емкость, pF		Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом		rbb’	UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц	50
Коэффициент шума (типовое значение), dB	2SC3198A	NF	UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм	1
	2SC3198L	NF		0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе	2SC3198 O	2SC3198 Y	2SC3198 GR	2SC3198 BL
Диапазон величины hFE	70…140	120…240	200…400	350…700

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE ٭	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	TO-92
КТ604А/Б	0,8	300	250	5	0,2	150	40	≤ 7	10…120	TO-92
КТ608А/Б	0,8	60	60	4	0,4	150	200	≤ 15	20…160	TO-92
КТ611А/Б/В/Г	0,8	200	180	4	0,1	150	≥ 60	≤ 5	10…120	TO-8
КТ6110	0,625	40	20	5	0,5	150	—	—	60…200	TO-92
КТ6111	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ6117А/Б	0,625	180	160	15	0,6	150	100	≤ 6	60…250	TO-92
КТ6137	0,625	60	40	6	0,2	150	300	4	100…300	TO-92
КТ660А/Б	0,5	50/30		5	0,8	150	200	≤ 10	110…450	TO-92
К125НТ1	0,4	45		4	0,4	—	—	15	10…150	Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	от 25 до 700	TO-92
2SA1246	0,4	60	50	15	0,15	150	100	9	100	TO-92
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	175	80	3,5	≥ 70	TO-92
2SC3331	0,5	60	50	6	0,2	150	200	3	≥ 100	TO-92
2SC3382	0,4	60	50	6	0,2	150	250	2,7	≥ 100	TO-92
KTC3199	0,4	50	50	5	0,15	150	80	2	270	TO-92S
2N6428/A	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	100	TO-92
2SC5343T	0,625	60	50	—	0,15	—	80	—	70	TO-92
3DG1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
BC431	0,625	60	—	5	0,5	150	100	—	63	TO-92
BC445A	0,625	60	60	6	0,2	150	100	—	120	TO-92
BC547BA3	0,625	60	50	6	0,2	150	100	—	200	TO-92
BTC945A3	0,625	60	50	5	0,2	150	150	—	135	TO-92
DTD113Z	0,625	60	50	—	0,5	150	200	—	200	TO-92
DTD143E	0,625	60	50	5	0,5	150	200	—	47	TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	—	85	TO-92
h2420	0,625	60	60	7	0,2	150	150	—	70	TO-92
KSP8098	0,625	60	60	6	0,5	150	150	—	100	TO-92
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	70	TO-92
KTC945/B	0,625	60	50	5	0,15	150	300	—	90/70	TO-92
STS5343	0,625	60	50	5	0,15	150	80	—	120	TO-92
TEC9014A/B	0,625	60	50	5	0,15	150	150	—	60/100	TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик транзистора

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ): зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

Характеристики сняты при температуре внешней среды T_a = 25°C.

Рис. 2. Входная характеристика транзистора в схеме ОИ: зависимость тока базы I_B от напряжения эмиттер-база U_BE.

Характеристика снята при трех значениях температуры внешней среды T_a и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 6 В.

Рис. 4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер U_BE(sat) от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при температуре внешней среды T_a = 25°C и соотношении токов I_C/I_B = 10.

Рис. 5. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при трех значениях температуры среды T_a.

Показан ход характеристик в области больших токов коллектора I_C ˃ 50мА при двух значениях напряжения коллектор-эмиттер U_CE 1В и 6 В.

Рис. 6. Зависимость частоты среза f_T (полосы пропускания) от тока эмиттера I_E транзистора в схеме ОЭ при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 10 В и температуре среды T_a = 25°C.

Рис. 7. Ограничение рассеиваемой мощности P_C транзистора при увеличении температуры внешней среды T_a.

Транзистор bc547 аналоги, datasheet на русском, параметры, схема

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361А, КТ361М, КТ361Н и КТ361П при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения), единица измерения	Буквенное обозначение	Норма	Температура, °С
		КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К	КТ361Л	КТ361М	КТ361Н	КТ361П
не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более	не менее	не более
Обратный ток коллектора (UКБ=10 В), мкА	IКБО		1		1		1		1		0,1		0,05		0,1		0,05	25; -60
	25		25		25		25		2,5		5		2,5		5	100
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (IЭ=1 мА, UКБ=10 В)	h21Э	50	350	50	350	250	–	50	350	50	350	70	160	20	90	100	350	25
50	500	50	700	250	–	50	700	50	500	70	300	20	150	100	500	100
15	350	25	350	100	–	25	350	15	350	30	160	10	90	15	350	-60
Обратный ток коллектор-эмиттер (RБЭ=10 кОм UКЭ=25 В), мА (RБЭ=10 кОм U КЭ=20 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=40 В), мА (RБЭ=10 кОм UКЭ=35 В), мА	IКЭR		1		1		1		1		0,01		0,01		0,05		0,01	25
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (UКБ = 10 В, IЭ= 5 мА, f = 100 МГц)	|h21Э|	2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		2,5		1,5		3		25
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (IЭ= 5 мА, UКБ=10 В, f=5 МГц), пс	τк		800		800		800		400		400		400		150		500	25

Рисунок 3 – Типовые выходные характеристики транзисторовКТ361А, КТ361В, КТ361Д, КТ361А1, КТ361Д1, КТ361Н Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов КТ361Б, КТ361Г,КТ361Г1, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К, КТ361Л, КТ361М, КТ361П

Рисунок 5 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ361 Рисунок 6 – Зависимость обратного тока коллектора транзисторов КТ361от температуры окружающей среды с границами 95% разброса Рисунок 7 – Зависимость напряжения между коллектором и эмиттером транзисторовКТ361, в режиме насыщения от температуры окружающей среды с 95% разбросом Рисунок 8 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361А, КТ361В, КТ361Д,КТ361Д1, КТ361А1, КТ361Н и КТ361М Рисунок 9 – Зависимость статического коэффициента передачи тока в режиме большогосигнала с границами 95% разброса для транзисторов КТ361Б, КТ361Е, КТ361Ж,КТ361И, КТ361К, КТ361Л и КТ361Г Рисунок 10 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами 95% разброса Рисунок 11 – Зависимость минимальной наработки от режимаэксплуатации при токе коллектора 12 мА

В любом режиме, из указанных на рисунке 11, при конкретном применении максимальная ожидаемая интенсивность отказов может быть определена по следующей формуле:

λ ≤ 2∙10-8∙(J_p∙500000)/(12∙t_н)

где J_p – рабочий ток коллектора, мА;t_н – наработка, часов, определенная по рисунку 11, при конкретной рассеиваемой мощности.

Рисунок 12 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте оттока эмиттера транзистора КТ361 с границами разброса 95% Рисунок 13 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте отнапряжения на коллекторе транзистора КТ361 с 95% разбросом Рисунок 14 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором иэмиттером транзистора КТ361 от температуры окружающей среды Рисунок 15 – Зависимость максимально допустимого напряжения между коллектором ибазой транзистора КТ361 от температуры окружающей среды

Справка об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного npn транзистора BC547 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор BC547 транзистором 2N5818; транзистором 2SC828A; транзистором 2SC945; транзистором КТ3102Б;

транзистором GS9022; транзистором 2SC4360; транзистором 2SC3653; транзистором 2SC4363; транзистором 2SC3901; транзистором 2SC4070; транзистором 2SC3655; транзистором 2SC4361; транзистором 2SC3654; транзистором 2SC4048;

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Ток коллектора выключения, мкА	ICBO	UCB = 60 В, IE = 0	≤ 0,1
Ток базы выключения, мкА	IEBO	UEB = 5 В, IC =0	≤ 0,1
Статический коэффициент усиления по току ٭	hFE(1)	UCE = 6 В, IC = 0,002 А	40…250
hFE(2)	UCE = 6 В, IC = 0,15 А	≥ 25
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	UCE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	0,1…0,25
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	UBE(sat)	IC = 100мА, IB = 10 мА	≤ 0,1
Частота среза, МГц	fT	UCE = 10 В, IC = 1 мА	≥ 80
Выходная емкость, pF	Cob	UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц	≤ 3
Внутреннее сопротивление базового перехода, Ом	rbb’	UCB = 10 В, IE = 1 мА, f = 30 МГц	50
Коэффициент шума (типовое значение), dB	2SC3198A	NF	UCE = 6 В, IC = 0,1 мА, f = 1 кГц, Rg = 10 кОм	1
2SC3198L	NF	0,2

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Обозначение транзистора в группе	2SC3198 O	2SC3198 Y	2SC3198 GR	2SC3198 BL
Диапазон величины hFE	70…140	120…240	200…400	350…700

Биполярный транзистор BC547B – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547B

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

BC547B

Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

0.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546A
, BC546AP
, BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, 2N3904
, BC547BP
, BC547C
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
.

BC547A Datasheet (PDF)

0.1. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

0.2. bc546b bc547a-b-c bc548b-c.pdf Size:72K _onsemi

BC546B, BC547A, B, C,BC548B, CAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS2BASERating Symbol Value UnitCollector – Emitter Voltage VCEO VdcBC546 653BC547 45EMITTERBC548 30Collector – Base Voltage VCBO VdcBC546 80BC547 50BC548 30TO-92Emitter – Base Voltage VEBO 6.0 VdcCASE 2

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	VCEO, В	IC, мA	PC, мВт	hFE	fT, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	– (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	– (экб)

Примечания:

1. У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
2. В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
3. Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	TO-92
КТ604А/Б	0,8	300	250	5	0,2	150	40	≤ 7	10…120	TO-92
КТ608А/Б	0,8	60	60	4	0,4	150	200	≤ 15	20…160	TO-92
КТ611А/Б/В/Г	0,8	200	180	4	0,1	150	≥ 60	≤ 5	10…120	TO-8
КТ6110	0,625	40	20	5	0,5	150	–	–	60…200	TO-92
КТ6111	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ6117А/Б	0,625	180	160	15	0,6	150	100	≤ 6	60…250	TO-92
КТ6137	0,625	60	40	6	0,2	150	300	4	100…300	TO-92
КТ660А/Б	0,5	50/30	5	0,8	150	200	≤ 10	110…450	TO-92
К125НТ1	0,4	45	4	0,4	–	–	15	10…150	Транзисторная сборка

Зарубежное производство

Модель	PC	UCB	UCE	UBE	IC	TJ	fT	CC	hFE	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	от 25 до 700	TO-92
2SA1246	0,4	60	50	15	0,15	150	100	9	100	TO-92
2SC1815	0,4	60	50	5	0,15	175	80	3,5	≥ 70	TO-92
2SC3331	0,5	60	50	6	0,2	150	200	3	≥ 100	TO-92
2SC3382	0,4	60	50	6	0,2	150	250	2,7	≥ 100	TO-92
KTC3199	0,4	50	50	5	0,15	150	80	2	270	TO-92S
2N6428/A	0,625	60	50	6	0,2	150	100	–	100	TO-92
2SC5343T	0,625	60	50	–	0,15	–	80	–	70	TO-92
3DG1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	–	85	TO-92
BC431	0,625	60	–	5	0,5	150	100	–	63	TO-92
BC445A	0,625	60	60	6	0,2	150	100	–	120	TO-92
BC547BA3	0,625	60	50	6	0,2	150	100	–	200	TO-92
BTC945A3	0,625	60	50	5	0,2	150	150	–	135	TO-92
DTD113Z	0,625	60	50	–	0,5	150	200	–	200	TO-92
DTD143E	0,625	60	50	5	0,5	150	200	–	47	TO-92, SOT-23, SOT-323
FTC1318	0,625	60	50	7	0,5	150	200	–	85	TO-92
h2420	0,625	60	60	7	0,2	150	150	–	70	TO-92
KSP8098	0,625	60	60	6	0,5	150	150	–	100	TO-92
KTC1815	0,625	60	50	5	0,15	150	80	–	70	TO-92
KTC945/B	0,625	60	50	5	0,15	150	300	–	90/70	TO-92
STS5343	0,625	60	50	5	0,15	150	80	–	120	TO-92
TEC9014A/B	0,625	60	50	5	0,15	150	150	–	60/100	TO-92

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Аналоги

Транзистор BC557 можно заменить на BC556 , BC560

Новейшее из новостей

Конкурс персональных сайтов среди учителей БСОШ №1.

Admin 11 Апр 2019 Просмотров:453 КОНКУРС САЙТОВ 2019

Видео для подготовки к ЕГЭ

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Видео для подготовки к ЕГЭ: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:292 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Задания на ЕГЭ в 2019 году

Единый Государственный Экзамен по информатике и ИКТ в 2019 году Задания по категориям: При подготовке данного метериала были использованы ресурсы: https://inf-ege.sdamgia.ru – РЕШУ ЕГЭ. Информатика. Видеоуроки. Подготовка к ЕГЭ(Ч.1 и Ч.2).

Admin 26 Ноя 2018 Просмотров:274 ‘Подготовка к ЕГЭ (11 класс)

Как узнать сколько знаков в тексте Word?

Как узнать сколько знаков в тексте Word? Когда требуется написание текста определенного объема, нужно периодически узнавать сколько знаков уже написано в текстовом документе Word. Многие пользователи не знают как это.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1005 КОМПЬЮТЕРы

Как в ворде вставить формулу суммы?

Как в ворде вставить формулу суммы? Несмотря на то, что Microsoft Word является текстовым редактором таблицы в нем встречаются довольно часто. А таблицы, как правило, состоят из числовых значений, которые зачастую.

Admin 07 Ноя 2018 Просмотров:1298 КОМПЬЮТЕРы

BC547BP Datasheet (PDF)

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.4. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Предельно допустимые значения

В таблице указаны величины параметров транзистора, при превышении каждого из которых производитель не гарантирует не только соблюдения цифр, указанных в следующей таблице и выполнения функциональных зависимостей, приведенных в графиках, но и целостности самой детали.

Обозначение	Параметр	Значение
VCBO	Напряжение коллектор-база, В	BC546	80
(UCB max)	BC547/550	50
BC548/549	30
VCEO	Напряжение коллектор-эмиттер, В	BC546	65
(UCE max)	BC547/550	45
BC548/549	30
VEBO (UEB max)	Напряжение эмиттер-база (обратное), В	BC546/547	6
BC548-550	5
IC (ICmax)	Ток коллектора, А	0,1
PC (PC max)	Рассеиваемая мощность, Вт	0,5
Tj (tjmax)	Температура кристалла, °С	150
Tstg	Температура хранения, °С	-65…+150

Технические характеристики

Транзисторы КТ361 распределены по параметрам группам усиления и отличаются между собой преимущественно такими основными характеристиками: максимальное постоянное напряжения между выводами К-Э, К-Б (при R_БЭ=10 кОм) от 20 до 50 В; статическим коэффициентом передачи тока (H_21Э) от 20 до 350. При этом разброс возможного H_21Э, даже в одинаково промаркированных устройствах, может значительно варьироваться. У них также разные напряжения между К-Э от 10 до 60 В, при обратном токе К-Э не более 1 мА. Другие значения параметров похожие и являются типовыми для всего семейства.

Предельно допустимые

Рассмотрим предельно допустимые параметры, характерные для серии КТ361:

• напряжение между выводами Б-Э до 4В;
• ток коллектора до 50мА;
• мощность рассеивания: 150мВт, если Т>+100оС до 30мВт;
• температуры: кристалла до 120 оС; окружающей среды – 60…+100 оС;
• статический потенциал до 200 В.

При повышении нагрева устройства свыше +100 оС отдельные параметры ухудшаются. Особенно это сильно влияет на мощность рассеивания.

Типовые электрические

К типовым электрическим параметрам у КТ361 относятся:

• граничная частота по H_21Э (если U_KЭ=10 В и I_Э=5 мА) более 250 МГц;
• обратные токи: между К-Э (при R_БЭ=10 кОм и максимальном U_KЭ) до 1 мкА; коллектора (при U_KБ=10В) до 1 мкА;
• возможная емкость перехода на коллекторе-7..9 пФ;
• статический коэффициент усиления H_{21Э от 20 до 350.}

Исходя из вышесказанного, КТ361 можно отнести к высокочастотным полупроводниковым триодам p-n-p-структуры малой мощности. В таблице представлены основные значения наиболее распространенных его групп.

Особенности работы

Из-за специфичной эпитаксиально-планарной технологии изготовления, КТ361 получился не столь хорош, как его «старший брат» КТ315. К основным его недостаткам можно отнести:

• большой разброс значений H_21Э;
• в два раза меньший предельно допустимый коллекторный ток;
• внезапно появляющиеся/пропадающие шумы.

Вместе эти транзисторы выгодней использовать при I_К в районе 20…30 мА, в этот момент H_21Э у них самый высокий. Но при одинаковых условиях и режимах эксплуатации КТ 361 выходит из строя быстрее. Как следствие альтернативу ему приходится искать чаще. Но многое зависит от схемы и её назначения.

Аналоги

Импортные аналоги для кт361 обычно подбирают из следующих устройств: BC556, 2N3905, BC557, BC308A, BC327, SS9012, 2N3906, Из отечественных в качестве замены можно рассмотреть: КТ3107, КТ502. В SMD-корпусе импортные ВС857, ВС858 и российский или белорусский КТ3129.

Маркировка

Первоначальная кодовая маркировка пластиковой упаковки КТ-13 состояла всего из одного символа, размещенного прямо по центру. Она могла запутать многих радиолюбителей, так как в начальный период производства (с 1967 г.) уже были похожие изделия в аналогичном исполнении, но с другими параметрами.

Поэтому с 1971г. обозначение группы коэффициента усиления по току у КТ361, состоящее всего из одной буквы, стали наносить посередине корпуса. Чуть ниже — дату выпуска. Данный транзистор легко отличить от КТ315, групповая принадлежность которого указана в левом верхнем углу на пластике. Таким образом, производители продолжают делать и сейчас.

Транзисторы в корпусе КТ-26 имеют полную цифро-буквенную маркировку и их идентификация обычно не вызывает трудностей.

Биполярный транзистор BC547C – описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC547C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC547C

Datasheet (PDF)

0.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

0.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 0.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Другие транзисторы… BC546B
, BC546BP
, BC546VI
, BC547
, BC547A
, BC547AP
, BC547B
, BC547BP
, BC107
, BC547VI
, BC548
, BC548A
, BC548AP
, BC548B
, BC548BP
, BC548C
, BC548CP
.

Принцип работы

Когда на клеммы подается входное напряжение, некоторое количество тока (I_B) начинает течь от базы к эмиттеру и управляет током на коллекторе (I_C). Напряжение между базой и эмиттером (V_BE) для NPN-структуры должно быть прямым. Т.е. на базу прикладывается положительный потенциал, а на эмиттер отрицательный. Полярность напряжения, приложенного к каждому выводу, показана на рисунке ниже.

Входной сигнал усиливается на базе, а затем передается на эмиттер. Меньшее количество тока в базе используется для управления большим, между коллектором и эмиттером (I_C).

Когда транзистор открыт, он способен пропускать I_C до 100 мА. Этот этап называется областью насыщения. При этом допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (V_BE) может составлять около 200 мВ,а V_BE достигать 900 мВ. Когда ток базы перестает течь, транзистор полностью отключается, эта ступень называется областью отсечки, а V_BE будет составлять около 650 мВ.

Электрические параметры

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.

Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.

Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.

Граничная частота – частота сигнала, при которой h_FE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 f_T.

Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.

Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. R_G – выходное сопротивление источника сигнала.

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Значение
			Мин.	Тип.	Макс.
ICBO	Обратный ток коллектора, nA	VCB =30В, IE =0			15
hFE (h21)	Коэффициент усиления	VCE =5В, IC =2мА	110		800
VCE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения к-э, мВ	IC=10 мA, IB =0,5мA		90	250
IC=100 мA, IB =5мA		200	600
VBE(sat) (UBEsat)	Напряжение насыщения б-э, мВ	IC =10 мA, IB =0,5мA		700
IC =100 мA, IB =5мA		900
VBE (UBE)	Напряжение б-э (прямое), В	VCE =5 В, IC =2 мA	580	660	700
VCE =5 В, IC =10 мA			720
fT	Граничная частота, МГц	VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц		300
Cob	Выходная емкость, пФ	VCB =10В, IE =0, f= 1MГц		3,5	6
Cib	Входная емкость, пФ	VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц		9
NF (F)	Коэффициент шума, дБ	ВС546-548	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц		2	10
ВС549, 550		1,2	4
ВС549	VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц		1,4	4
ВС550		1,4	3

Примечания:

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

BC547BA3 Datasheet (PDF)

0.1. bc547ba3.pdf Size:412K _cystek

Spec. No. : C204A3 Issued Date : 2015.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1 / 7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BC547BA3Description The BC547BA3 is designed for use in driver stage of AF amplifier and low speed switching. Complementary to BC557BA3. Pb-free package Symbol Outline BC547BA3 TO-92 BBase CCollector

8.1. bc547b bc547c.pdf Size:60K _st

BC547BBC547CSMALL SIGNAL NPN TRANSISTORSOrdering Code Marking Package / ShipmentBC547B BC547B TO-92 / BulkBC547B-AP BC547B TO-92 / AmmopackBC547C BC547C TO-92 / BulkBC547C-AP BC547C TO-92 / Ammopack SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTORS TO-92 PACKAGE SUITABLE FORTHROUGH-HOLE PCB ASSEMBLYTO-92 TO-92 BC547B – THE PNP COMPLEMENTARYBulk AmmopackTYPE IS BC557BAP

8.2. bc547 bc547a bc547b bc547c.pdf Size:26K _fairchild_semi

Discrete POWER & SignalTechnologiesBC547BC547ABC547BBC547CE TO-92BCNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced fromProcess 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-

 8.3. bc546abk bc547abk bc548abk bc549abk bc546bbk bc547bbk bc548bbk bc549bbk bc546cbk bc547cbk bc548cbk bc549cbk.pdf Size:81K _diotec

BC546xBK … BC549xBKBC546xBK … BC549xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial Planar TransistorsNPN NPNSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-030.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

STMicroelectronics — STS4DNF60 Интернет-дистрибьютор — Ventronchip.com

Введение

Изображения только для справки.
См. Технические характеристики изделия для деталей продукта.
Если вы заинтересованы в покупке STS4DNF60, просто напишите нам.
[email protected]
наш отдел продаж ответит вам в течение 24 часов

Вопросы и ответы

Q: Это это мой первый заказ из Интернета, как я могу заказать эту деталь STS4DNF60?

A: Пожалуйста отправьте предложение или отправьте нам электронное письмо, наш отдел продаж поможет вам как сделать.

Q: Как платить деньги?

О: Обычно мы принимаем банковский перевод, PayPal, кредитную карту и Western Union.

Q: Есть детали STS4DNF60 с гарантией?

A: с Гарантия качества не менее 90 дней для каждого заказа. Просто напишите нам, если вы столкнетесь любая проблема качества.

Q: делать вы поддерживаете таблицу данных STS4DNF60 или модели САПР?

A: Да, Наш технический инженер расскажет, какие таблицы или модели САПР у нас есть.

В: Является ли эта деталь оригинальной заводской упаковкой?

А: Да, как правило, если вы заказываете детали с SPQ (стандартная упаковка), мы отправим Детали в заводской упаковке. Если вы заказываете не полную упаковку, мы отправляйте детали в стандартной вакуумной упаковке нашей компании.

Вопрос: Можете ли вы доставить детали STS4DNF60 напрямую на наш завод OEM.

A: Да, мы Могу отправить детали по адресу вашего корабля.

Q: Я просто нужен один кусок STS4DNF60, могу ли я заказать?

У него Зависит от MOQ STS4DNF60, большинство деталей мы можем поддержать заказ образца.

Q: Как Долго Могу ли я получить STS4DNF60 после оплаты?

А: Мы отправляем заказы через FedEx, DHL или UPS, обычно это занимает 2 или 5 дней, чтобы прибыть к вам в руки.

STS5N15F4 Электронный дистрибьютор | STS5N15F4 STMicroelectronics на Y-IC.com

Все компоненты Eelctronics будут очень безопасно упаковываться благодаря антистатической защите от ESD.

Все продукты будут упаковываться в антистатический пакет. Корабль с антистатической защитой от ESD.
За пределами упаковки ESD-упаковки мы будем использовать информацию нашей компании: Part Mumber, Brand и Quantity.
Мы проверим все товары перед отправкой, обеспечим все продукты в хорошем состоянии и обеспечим детали новой оригинальной таблицей соответствия.
После того как все товары обеспечат никакие проблемы после упаковки, мы будем упаковывать безопасно и послать глобальным курьерским.

Глобальная отправка по DHL / FedEx / TNT / UPS

Срок поставки

Срок доставки потребуется 2-4 дня для большей части страны по всему миру для DHL / UPS / FEDEX / TNT.

Доставка сборы DHL.
1). Вы можете предложить свой экспресс-счет доставки для отправки, если у вас нет какой-либо экспресс-почты для отправки, мы можем предложить нашу учетную запись.
2). Используйте наш счет для отгрузки, Расходы на отправку (ReferenceDHL, разные страны имеют разную цену).

Плата за доставку:	(Справочный DHL)
Вес (кг)	Цена (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD $ 60,00
1.00kg-2.00kg	USD $ 70,00
2.00kg-3.00kg	USD $ 80.00

Подробнее: https: // WWW. y-ic.com /shipment-way.htm
Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нам. Отправить любые запросы или вопрос на адрес электронной почты [email protected]
Мы можем сделать все возможное. Большое вам спасибо за вашу поддержку.
Способ оплаты: Wire Transfer = Телеграфный перевод (T / T) или PayPal или Western Union

Передача провода (T / T)

Наше имя банка HSBC: Hongkong и Shanghai Banking Corporation Limited (HSBC Гонконг)

Преимущества Название компании: YIC International Co., Limited
Банковские сборы и данные платежного счета, пожалуйста, нажмите «Способ оплаты».

Вестерн Юнион

Полная оплата Western Union.
Шаг 1. Перейдите в свой филиал Western Union или перейдите на их сайт (www.westernunion.com)
Шаг 2. Следуйте их инструкциям.

Банковские сборы и данные платежного счета, пожалуйста, нажмите «Способ оплаты».

Счет PayPal:

Счет PayPal:
Идентификатор учетной записи PayPal:	[email protected]
Компания:	YIC International Co., Limited

Если вы хотите оплатить через кредитную карту, пожалуйста, выберите «Оплатить с моей учетной записью PayPal», чтобы продолжить по PayPal. (www.paypal.com)

STS5343_3555467.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

PART	Описание	Производитель
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B	ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кремниевый транзистор высокой мощности NPN Кремниевый переключающий транзистор NPN Кремниевый транзистор NPN Силовой транзистор PNP Малосигнальный транзистор NPN Кремниевый транзистор NPN средней мощности Двойной комплементарный биполярный транзистор npn-pnp Дополнительные силовые транзисторы Мощность NPN транзисторы 模拟 IC Аналог IC 模拟 IC	RECOM Electronic GmbH Vishay Intertechnology, Inc.
BC550C BC549B BC549B-D BC549C BC550B	ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45VV (BR) Генеральный директор | 100MAI (C) | TO-92 Малошумящие транзисторы NPN Silicon (硅 NPN 低 噪声 晶体管) 100 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 Малошумящий транзистор NPN Silicon (30 В, NPN 低 噪声 体管) 低 噪声 体管 NPN 硅 （ 30V 的 硅 npn 型 低 噪声 晶体管）	ON Semiconductor http: //
2SD773 2SD773U4 2SD773-L2-AZ	2000 мА, 16 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 16V V (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | TO-221VAR КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN Из старой системы технических данных	NEC Corp. NEC [NEC]
2SC4900	Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный УВЧ-ДИАПАЗОН, Si, NPN, РЧ-транзистор МАЛЫЙ СИГНАЛ	Hitachi, Ltd. HITACHI [Hitachi Semiconductor]
MJ802	Мощный кремниевый транзистор NPN 30 А, 90 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР 30 АМПЕР NPN КРЕМНИЙ 100 Вольт 200 Вт	Motorola, Inc. ONSEMI [ON Semiconductor]
2SD1692 2SD1692L 2SD1692K	КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР Дарлингтона Из старой системы технических данных КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN Маломощные, одно- / двухуровневые мониторы батарей с гистерезисом ТРАНЗИСТОР | BJT | ДАРЛИНГТОН | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | TO-126 晶体管 | 体管 | 达林 顿 | 叩 | 100V 的 五 （巴西） 总裁 | 3A 条 一 （c） | 26	NEC Corp. NEC, Corp.
2SD2017	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение)	Sanken Electric Co., ООО SANKEN [Санкен электрик]
BFS466L6 BFS466L6E6327	NPN Silicon RF TWIN Transistor NPN 硅 射频 双 体 RF-Bipolar — Двойной кремниевый RF-транзистор NPN в корпусе TSLP-3, идеально подходящем для малошумящих усилителей и модулей VCO	INFINEON [Infineon Technologies AG]
2N1890 JAN2N1890S JAN2N1711S JANTX2N1711	КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN Транзистор NPN 500 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5	Microsemi Corporation MICROSEMI CORP-LAWRENCE
2SD2495	Кремниевый планарный транзистор NPN с тройным рассеиванием (Дарлингтон) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 • • • • • • • •	Sanken Electric Co., ООО SANKEN [Санкен электрик]
FZT491 FZT491A	NPN транзистор с низким уровнем насыщения NPN транзистор средней мощности SOT223 NPN КРЕМНИЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНИЙ МОЩНОСТИ Тип: розетка для настенного монтажа; Расположение вставки: 18-11	Zetex Semiconductors Diodes Incorporated
2SC2837	Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (аудио и общего назначения)	SANKEN [Санкен электрический]

STS5343_218394.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

Эпитаксиальный кремниевый транзистор ЧАСТЬ Описание Производитель BC550C BC549B BC549B-D BC549C BC550B ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45VV (BR) Генеральный директор | 100MAI (C) | TO-92 Малошумящие транзисторы NPN Silicon (硅 NPN 低 噪声 晶体管) 100 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 Малошумящий транзистор NPN Silicon (30 В, NPN 低 噪声 体管) 低 噪声 体管 NPN 硅 （ 30V 的 硅 npn 型 低 噪声 晶体管） ON Semiconductor http: // 2SD2655 2SD655 Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный строгальный низкочастотный усилитель мощности TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) Hitachi Semiconductor TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] Rohm 2SD1000 2SD1000-T1 2SD1000-T2 2SD1000-AZ 700 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЙНЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN POWER MINI MOLD Кремниевый транзистор NEC [NEC] FCX688B FCX688BTA ТРАНЗИСТОР NPN 12V 3000MA SOT-89 3000 mA, 12 V, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЙ СИЛОВЫЙ (ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ) ТРАНЗИСТОР Zetex Semiconductor PLC Zetex Semiconductors 2SD414 2SD415 2SB548 2SB549 2SD414Q 2SD414Q-AZ 800 мА, 80 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЙНЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP / NPN ДЛЯ НИЗКОЧАСТОТНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ (2SB548) Кремниевый эпитаксиальный транзистор PNP / NPN NEC [NEC] FJPF13007h3TTU FJPF13007TU Кремниевый транзистор NPN 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB Кремниевый транзистор NPN; Пакет: ТО-220Ф; Количество контактов: 3; Контейнер: Рейка 8 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB Fairchild Semiconductor, Corp. 2SD2017 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение) Sanken Electric Co., Ltd. SANKEN [Санкен электрик] BFS483 RF-Bipolar — Двойной кремниевый радиотранзистор NPN (2xBFR183W) для малошумящих широкополосных усилителей с высоким коэффициентом усиления Кремниевый радиочастотный транзистор NPN Infineon Technologies AG 2SC4130 Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (импульсный регулятор и общего назначения) SANKEN [Санкен электрический] KSD471AYTA KSD471AYBUNL NPN; Пакет: ТО-92; Количество контактов: 3; Контейнер: боеприпасы 1000 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 NPN Эпитаксиальный кремниевый транзистор 1000 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 Fairchild Semiconductor, Corp. 2SC2837 Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (аудио и общего назначения) SANKEN [Санкен электрический]

STS5343_ 技术 文档 _ 晶体 _ 晶体管 _NPN 硅 晶体管 NPN КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР

STS5343

Абсолютные максимальные значения

Характеристика

Напряжение коллектор-база

Коллектор-эмиттер

Коллектор-эмиттер

Рассеивание коллектора

Температура перехода

Температура хранения

(Ta = 25 ° C)

Символ

V

CBO

V

CEO

V

EBO

EBO

P

C

T

j

T

stg

Номинальные параметры

60

50

5

150

625

150

150

9055

9055

В

В

мА

мВт

° C

° C

Электрические характеристики

Характеристика

Напряжение пробоя коллектор-база

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

Напряжение пробоя эмиттер-база

Ток отсечки коллектора

Ток отсечки эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Частота передачи

Выходная емкость коллектора

Коэффициент шума

(Ta = 25 ° C)

Символ

BV

CBO

BV

CEO

BV

EBO

I

CB32 I

h

FE

V

CE (насыщенный)

f

T

C

ob

NF

Условия тестирования

I

C

E

C

=

= 0

I

C

= 1 мА, I

B

= 0

I

E

= 10 мкА, I

C 9032 2

= 0

V

CB

= 60 В, I

E

= 0

V

EB

= 5 В, I

C

= 0

CE

CE

= 6 В, I

C

= 2 мА

I

C

= 100 мА, I

B

= 10 мА

В

CE

= 10 В, I

C = 1

В

CB

= 10 В, I

E

= 0, f = 1 МГц

V

CE

= 6 В, I

C

= 0.1 мА,

f = 1 кГц, Rg = 10 кОм

Мин. Тип. Максимум.

60

50

5

—

—

120

—

80

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

9032 —

—

2

—

—

—

—

0,1

0,1

240

0,25

—

3.5

10

Агрегат

V

V

V

мкА

мкА

—

V

МГц

пФ

дБ

пФ

дБ

STS5343

Кривые электрических характеристик

Рис. 1 P

C

–T

a

Рис. 2 I

C

-V

BE

C

-V

CE

Рис.4 ч

FE

-I

C

Рис.5 V

CE (sat)

-I

C

KST-9055-001

3

STS5343

Эти продукты AUK предназначены для использования в общем электронном оборудовании (офисное и

коммуникационное оборудование, измерительное оборудование, бытовая электрификация и т. Д.).

Пожалуйста, обязательно проконсультируйтесь с нами, прежде чем использовать эти продукты AUK в оборудовании, которое требует высокого качества и / или надежности, а также в оборудовании, которое может иметь

серьезное влияние на благосостояние человека (атомная энергия управление, самолет, космический корабль, движение

сигнал, центральное сгорание, все типы предохранительных устройств и т. д.).

AUK не несет ответственности за любой ущерб, который может возникнуть в случае использования этих продуктов AUK

в указанном оборудовании без предварительной консультации с AUK.

КСТ-9055-001

4

STS5343_571236.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

Кремниевый четырехъядерный транзистор драйвера памяти Цифровые транзисторы

PART	Описание	Производитель
TWT4805-15BI TWT1205-15BI TWT4805-15BZ TWT2405-15B	ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Кремниевый транзистор высокой мощности NPN Кремниевый переключающий транзистор NPN Кремниевый транзистор NPN Силовой транзистор PNP Малосигнальный транзистор NPN Кремниевый транзистор NPN средней мощности Двойной комплементарный биполярный транзистор npn-pnp Дополнительные силовые транзисторы Мощность NPN транзисторы 模拟 IC Аналог IC 模拟 IC	RECOM Electronic GmbH Vishay Intertechnology, Inc.
2N6132 2N6101 2N6491 2N6486 2N6487 2N6489 2N6099 2	КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 15 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-220AB (2N6130 — 2N6134) КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN Силовой транзистор с выводами общего назначения Силовой транзистор с выводами Darlington	http: // ON Semiconductor Central Semiconductor Corp. Advanced Semiconductor CENTRAL [Central Semiconductor Corp] Central Semiconductor C…
2SD2017	Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Darlington) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 »» »» Назначение)	Sanken Electric Co., Ltd. SANKEN [Санкен электрик]
CMLM2205	МНОГОДИСКРЕТНЫЙ МОДУЛЬ НА ПОВЕРХНОСТНОЙ КРЕПЛЕНИИ КРЕМНИЙ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN-ТРАНЗИСТОРА И НИЗКОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТТКИ ВЧ 600 мА, 45 В, NPN, Si, ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МАЛЫХ СИГНАЛОВ	Central Semiconductor, Corp.
MHQ6001 MHQ6002 MPQ918 MHQ4002A MHQ4013 MHQ4014 MP	NPN. 6367254 MOTOROLA SC (XSTRS / R F) NPN-кремниевый четырехканальный усилитель-транзистор. Квадратный кремниевый транзистор PNP.	http: // MOTOROLA [Motorola, Inc]
2SD2495	Кремниевый планарный транзистор NPN с тройным рассеиванием (Дарлингтон) (硅 NPN 三倍 扩散 平面 达林 • • • • • • • •	Sanken Electric Co., ООО SANKEN [Санкен электрик]
JAN2N2219 JANS2N2219 JAN2N2218 2N2218 JANTX2N2218	МАЛЫЙ СИГНАЛ БИПОЛЯРНЫЙ КРЕМНИЙ NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ NPN Транзистор NPN	MICROSEMI [Microsemi Corporation]
FMMTL618 FMMTL618TA FMMTL618-15	NPN Транзистор с низким уровнем насыщения SOT23 КРЕМНИЙНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ NPN КРЕМНИЙНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ транзистор с высоким коэффициентом усиления NPN 1250 мА, 20 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР	Список неклассифицированных мужчин… Diodes Incorporated ZETEX [Zetex Semiconductors] Zetex Semiconductor PLC
2SC4130	Кремниевый NPN-транзистор Кремниевый NPN-эпитаксиальный планарный транзистор (импульсный регулятор и общего назначения)	SANKEN [Санкен электрический]
BC637L34Z BC637D26Z	Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92 Эпитаксиальный кремниевый транзистор NPN; Пакет: ТО-92; Количество контактов: 3; Контейнер: лента & amp; Катушка 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-92	Fairchild Semiconductor, Corp.
BFP650	— ВЧ-транзистор NPN SiGe, усилители высокой мощности, малошумящий ВЧ-транзистор в корпусе SOT343, 4 В, 150 мА Кремниево-германиевый ВЧ-транзистор NPN	Infineon Technologies AG

STS5343 Лист данных_PDFļ_оƬϲѯ_άг

ͺ

汾

İ

КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР

AUK [AUK c…

İ

N-КАНАЛ, 150 В — 0,045 ОМ — 5 А, SO-8, ЗАРЯДКА НИЗКОГО ЗАРЯДА …

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

N-КАНАЛ 20В — 0.030 Ом — 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II …

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

МОП-транзистор N-CH 150V 5A 8-SOIC

İ

МОП-транзистор N-CH 60V 5A 8-SOIC

İ

N — КАНАЛ 60V — 0.045ohm — МОП-транзистор SO-8, 5A,

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

N-КАНАЛ 150 В — 0,075 Ом — 5A SO-8 LOW GATE CHARGE STripFE …

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

Р-КАНАЛ 20 В — 0.065 Ом — 5A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET II P …

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

МОП-транзистор P-CH 30V 5A 8-SOIC

İ

P — КАНАЛ 30В — 0.053ohm — МОП-транзистор SO-8, 5A,

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

N — КАНАЛ 30 В — 0,039 Ом — 5A SO-8 МОП-транзистор с полевыми транзисторами

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

N-КАНАЛ 20В — 0.030 Ом — 5A SO-8 2.7V-DRIVE STripFET II …

СТМИКРОЭЛЕКТРОН …

İ

МОП-транзистор 2P-CH 20V 5A 8SOIC

İ

МОП-транзистор P-CH 30V 5A 8SOIC

184T2_4792734.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

PART	Описание	Производитель
BC818-16 BC818-25 BC818-40 Q62702-C1740 Q62702-C15	Кремниевые AF-транзисторы NPN 500 мА, 25 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР Кремниевые AF-транзисторы NPN BC 817 Из старой системы технических данных	Diotec Semiconductor AG SIEMENS AG Infineon SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] Siemens Semiconductor G…
2N2220 2N2221 2N2222 Q68000-A4573 Q62702-F134 Q627	Кремниевые планарные транзисторы NPN 800 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-18 Кремниевые планарные транзисторы NPN NPN 硅 平面 体管	SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] Siemens Group SIEMENS AG
2SD1815 2SB1215	Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP Сильноточные коммутационные приложения Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN	Sanyo
MJE2955T03 MJE34003 MJE52103 MJE585203 MJE80203 MR	ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КОМПЛЕКСНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЙ NPN ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ PNP СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР КРЕМНИЙ NPN МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР Дарлингтона ВЧ силовые полевые транзисторы 880 МГц, 40 Вт AVG.26 В, ОДИН N-CDMA, N-канальные полевые МОП-транзисторы с расширенным режимом работы RF LDMOS широкополосные интегрированные усилители мощности ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ L TO X-BAND GaAs MESFET 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB	FREESCALE NEC STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
2SC2911 2SA1209 2SA120902	NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы 160 В / 140 мА, высоковольтная коммутация и AF 100 Вт с предварительным преобразователем Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN	Устройство Sanyo Semicon
BD675 BD679A BD677A BD677 ON0196 BD675A BD679 BD67	Из старой системы технических данных 4.0 АМПЕРНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Пластиковый кремний средней мощности NPN Darlingtons СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Дарлингтона NPN SILICON	MOTOROLA [Motorola, Inc] ON Semiconductor Motorola Inc Motorola, Inc.
2SA1592 2SC4134 0107	Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Применения для переключения высокого напряжения Из старой системы технических данных Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN	Sanyo
2SD1999	Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Приложения для компактного драйвера двигателя Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN / NPN	Sanyo
MJW3281AG MJW3281A10 MJW1302AG	Дополнительные кремниевые силовые биполярные транзисторы NPN-PNP ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 15 А, 230 В 200 ВАТТ 15 А, 230 В, NPN, Si, силовой транзистор, TO-247AD Дополнительные кремниевые силовые биполярные транзисторы NPN-PNP	ОН Полупроводник
ZXT11N15DF ZXT11N15DFTC ZXT11N15DFTA	Дискретный — Биполярные транзисторы — Главный стол транзисторов (BJT) — Транзисторы 3000 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 3 КОНТАКТА 15 В NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ NPN Транзистор с низким уровнем насыщения	Diodes, Inc. Diodes Incorporated Zetex Semiconductors
2SA1521 2SC3915	PNP Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы Коммутационные приложения (с сопротивлением смещения)	Sanyo
2SC3117 2SA1249	NPN Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы 160 В / 1,5 A Коммутационные приложения Эпитаксиальные планарные кремниевые транзисторы PNP / NPN	Sanyo

z117 техническое описание и примечания по применению

2н2222 сот23 Аннотация: Z117 Z123 Диодный диод z104 a105 транзистор Z16 SOT23 c60 эквивалент 2n2222 sot-23 b49 диодный транзистор z5 Текст: P3V VDD VIO VDD P2 P1 NDA # P3V A1 1 VIO VIO 1 B1 TRST # A2 2 TCK A3 3 A4 4 2 B2 TOOL1 3 B3 TMS TDO A5 5 C52 10 16V 2 7227 6 B6 INTA # A7 7 7 B7 X28 A8 8 A9 9 9 B9 10 B10 A11 11 11 B11 A12 12 12 B12 A13 13 13 B13 A14 14 14 B14 GNT # A19 19 19 B19 AD30 AD26 25 B25	Оригинал	PDF	CC0805 2н2222 сот23 Z117 Z123 Диод диод z104 a105 транзистор Z16 SOT23 эквивалент c60 2н2222 сот-23 b49 диод транзистор z5
Z117 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: 101,3 ~ 96,8 Факс: +49 7157 / 125-120 32 www.telegaertner.com max.10 Телефон: +49 7157 / 125-0 af 23 SW 23 hex 8 SW 8 16 мм² с этикеткой / mit Aufkleber hex 32 SW 32 Alle Rechte vorbehalten / все права защищены Telegärtner K.Gärtner GmbH D-71144 Steinenbronn Lerchenstrasse 35	Оригинал	PDF	J01028A0053 2002/95 / EC J01028A0053 Z117
ST DB3 C702 Аннотация: SIS 648 Z1212 SiS648 QT1608RL600 755SA1 ATC93LC46 Z1155 z1175 st DB3 c130 Текст: 5 4 3 2 БЛОК-СХЕМА CPU 755SA5 + 3V Pentium 4 Socket 478 CPUCLK CPUCLK # 100/133 / 200MHZ 1 EC THERMAL Vcore ADM1032 Page 3 Page 3 HOST BUS D 100/133 / 166MHZ 755SA1 P / N: DDRCLK0 DDRKCLK1 DDRCLK1 DDRCLK0 # DDRCLK1 # DDRCLK2 # DDR 2 +2.5V DDRCLK0 DDRCLK1 DDRCLK2 DDR RAM BUS	Оригинал	PDF	755SA5 100/133/200 МГц ADM1032 755SA1 100/133/166 МГц SIS648CLK SIS648CLK # 66 МГц 648ZCLK ST DB3 C702 SIS 648 Z1212 SiS648 QT1608RL600 ATC93LC46 Z1155 z1175 ул DB3 c130
79015P Абстракция: ria PD6 74HC14T sf hd62 xo 403 me 4Z701 R36118 KC332 ad 0803 pc dio-48 Текст: Материнская плата 1 из 33 HA # [3.31] 3,5 24 24 ST PCLK # SLP # INT R NMI 5 8,10 10 T CK T DO T DI T MS T RST # T PREQ # T PRDY # RS # [ 0.2] 24 A20M # CPU_FERR # 24 IGNNE # PW RGOOD 10 SMI # HT RDY # HIT # HITM # DEFER # 3,5 3,5 3,5 3,5 BREQ0 # BPRI # BNR # HLOCK # ADS # V_CPU R579	Оригинал	PDF	1000P CORE / 13A ПК / 15А I3443 1005-4R 71-31C 79015P ria PD6 74HC14T SF HD62 xo 403 мне 4Z701 R36118 KC332 объявление 0803 пк ди-48
CQ58 Абстракция: VD58 Z247 Z258 qe r603 74hct373a DB25 90 коннектор MC140138 z232 78l05 so8 Текст: Материнская плата 1 из 32 R51 R52 1 2 3 4 5 GNT # [0.3] 16,19,24,30 • 10 9 8 7 6 10 9 8 7 6 10K 10K T SMC8R-10K 1 2 3 4 5 RP9 VCC3 G NT # 4 G NT # 0 G NT # 1 G NT # 2 G NT # 3 REQ # 4 REQ # 0 REQ # 1 REQ # 2 REQ # 3 CLKRUN # PCIRST # GNT # [0.3] REQ # [0.4] 24 • 7 • 7 • FRAME #	Оригинал	PDF	71-85P00-D04A CQ58 VD58 Z247 Z258 qe r603 74hct373a Разъем DB25 90 MC140138 z232 78l05 so8
T2200P Абстракция: 1820N 78l05 so8 gsm модем AZ210a jlvds1 Insyde Alc201A Z952 2z357 Текст: Предисловие Ноутбук 1800N / 1820N Руководство по обслуживанию Предисловие I Предисловие Уведомление Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления.Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика. Они не несут ответственности за любые ошибки или неточности, которые могут появиться в этой публикации, а также	Оригинал	PDF	1800N / 1820N 18nrxxx T2200P 1820N 78l05 so8 GSM модем AZ210a jlvds1 Инсайд Alc201A Z952 2z357
Z117 Абстракция: 331 y55 z132 Y48311 y 718 Текст: HM18TS402 HM18TS402 402Ch., ДРАЙВЕР ИСТОЧНИКА TFT ЖК-дисплея, 64 шкалы серого — 1- Предварительная информация HM18TS402 1. ОБЗОР HM18TS402 — это драйвер столбца источника сигнала со сверхнизким энергопотреблением на 402 канала для ЖК-панели TFT. Это устройство имеет цифро-аналоговый преобразователь, использующий 5 внешних опорных напряжений для отображения 262 144 цветов.	Оригинал	PDF	HM18TS402 402Ch. HM18TS402 18-битный ( 64-серый 10 МГц Z117 331 год 55 z132 Y48311 y 718
Схема блок питания ATX 500 Вт Реферат: Pioneer PAL 012A 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема Цифровые ИБП на 600 ВА winbond bios 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu TBE принципиальная схема инвертор 2000 Вт DK55 принципиальная схема светящегося 600 ВА ИБП Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель — см. Страницы 3-24 Цифровые сигнальные процессоры, iCoupler, iMEMS® и iSensor.. . . . 805, 2707, 2768-2769 Разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-568 RF разъемы. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Страницы 454-455	Оригинал	PDF	P462-ND P463-ND LNG295LFCP2U LNG395MFTP5U US2011) принципиальная схема atx блок питания 500w pioneer PAL 012A Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт Цифровые схемы ИБП 600 ВА Winbond BIOS 25064 TLE 9180 Infineon smsc MEC 1300 Nu Схема преобразователя TBE 2000w DK55 Принципиальная схема светящегося ИБП на 600 ВА
Z117 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: 40 с этикеткой / mit Aufkleber J01125A0036 230 В 2.5 ГГц Телефон: +49 7157 / 125-0 SW 24 Германия D-71144 Steinenbronn Lerchenstrasse 35 K.Gärtner GmbH Alle Rechte vorbehalten / все права защищены Telegärtner M29x1,5 Факс: +49 7157 / 125-120 M29x1,5 www.telegaertner. ком	Оригинал	PDF	M29x1 J01125A0036 25-35 Нм CuZn39Pb3 2002/95 / EC 7-16-Скачок J01125A0036 Z117
Samtec QTH-060-02-F-D-A Аннотация: MOTHERBOARD Chip Level MANUAL mbx 204 sandisk micro sd card принципиальная схема Sandisk micro SD Card 2GB ps2 контроллер адаптер для usb hp g42 lcd led ic hd44780 PIC lcd controller hitachi hd44780 display PB926EJ-S ZU183 Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM926EJ-S HBI-0117 Руководство пользователя Copyright 2003-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0224I Базовая плата платформы RealView для ARM926EJ-S Руководство пользователя Авторские права © 2003-2010 ARM Limited. Все права защищены. Информация о выпуске	Оригинал	PDF	ARM926EJ-S HBI-0117 0224I Samtec QTH-060-02-F-D-A MOTHERBOARD Chip Level MANUAL mbx 204 принципиальная схема карты памяти sandisk micro sd карта памяти sandisk micro SD 2 ГБ адаптер контроллера ps2 к usb hp g42 жк-дисплей led ic hd44780 PIC жк-контроллер hitachi hd44780 дисплей PB926EJ-S ZU183
ARM1176JF Аннотация: ARM1176JZF-S samsung ARM1176JZF-S PB1176 Модуль ЖК-дисплея 16×2 символа HD44780 J27B ARM1176JZF 10-контактный адаптер CTI JTAG ARM1176 z144 Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM1176JZF-S HBI-0147 Руководство пользователя Напечатано: 6 марта 2010 г. Авторские права 2007-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0425E Базовая плата платформы RealView для ARM1176JZF-S Руководство пользователя Авторские права © 2007-2010 ARM Limited. Все права защищены.	Оригинал	PDF	ARM1176JZF-S HBI-0147 0425E ARM1176JF ARM1176JZF-S Samsung ARM1176JZF-S PB1176 Модуль ЖК-дисплея 16×2 символа HD44780 J27B ARM1176JZF Переходник с 10-контактного на 20-контактный CTI JTAG ARM1176 z144
Z247 Абстракция: z233 Z178 z249 Z238 Z117 Z246 Z243 z232 x44 e 236 Текст: Analyzer Tile HBI-0114 User Guide Copyright 2003.Все права защищены. ARM DUI 0189A Analyzer Tile Руководство пользователя Авторские права © 2003. Все права защищены. Информация о выпуске Описание Проблема Изменение 15 октября. Уведомление о правах собственности первого выпуска 2003 г. Слова и логотипы, отмеченные или являются зарегистрированными товарными знаками или товарными знаками, принадлежащими ARM Limited, за исключением	Оригинал	PDF	HBI-0114 Z247 z233 Z178 z249 Z238 Z117 Z246 Z243 z232 х44 е 236
АРМ DDI 0254 Аннотация: PEX8114 PB11MPCore Z123 Diode arm11 nxp DVI-D Single Link Male Connector Распиновка ARM1176 ARM11 49 МГц схема передатчика дистанционного управления блок-схема южного моста Текст: Базовая плата платформы RealView для ARM11 MPCore HBI-0159 HBI-0175 HBI-0176 Руководство пользователя Copyright 2007-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0351D Базовая плата платформы RealView для ARM11 MPCore Руководство пользователя Авторские права © 2007-2010 ARM Limited. Все права защищены.	Оригинал	PDF	ARM11 HBI-0159 HBI-0175 HBI-0176 0351D ARM1176JZF-S ARM DDI 0254 PEX8114 PB11MPCБолее Z123 Диод arm11 nxp Распиновка штекерного разъема DVI-D Single Link ARM1176 Схема передатчика дистанционного управления 49 МГц блок-схема южного моста
Cortex-A8 Аннотация: код Verilog для двухпортовой оперативной памяти с блок-схемой южного моста интерфейса Axi ARM Cortex A8 ARM Cortex-A8 PEX8114 ARM Cortex A15 диод z104 южный мост 8a10 mic Текст: Базовая плата платформы RealView для Cortex-A8 HBI-0178 HBI-0176 HBI-0175 Руководство пользователя Copyright 2008-2010 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0417C Базовая плата платформы RealView для Cortex-A8 Руководство пользователя Авторские права © 2008-2010 ARM Limited. Все права защищены.	Оригинал	PDF	HBI-0178 HBI-0176 HBI-0175 0417C Cortex-A8 Код Verilog для двухпортовой оперативной памяти с интерфейсом Axi блок-схема южного моста ARM Cortex A8 ARM Cortex-A8 PEX8114 ARM Cortex A15 диод z104 южный мост 8a10 микрофон
71-M2200-D06 Аннотация: sis 962l SiS 961 toshiba hdd схема D22ES toshiba ноутбук схема жк-инвертора D27ES toshiba c640 схема toshiba dvd hdd схема MP1015 Текст: Предисловие Ноутбук M22ES / M27ES / D22ES / D27ES Руководство по обслуживанию Предисловие I Предисловие Уведомление Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления.Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика. Они не несут ответственности за любые ошибки или неточности, которые могут появиться в этой публикации, а также	Оригинал	PDF	M22ES M27ES D22ES / D27ES M22ESRXX 71-M2200-D06 sis 962l SiS 961 принципиальная плата toshiba hdd схема инвертора ноутбука toshiba lcd D27ES принципиальная схема toshiba c640 принципиальная схема toshiba dvd hdd MP1015
Тензодатчик Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: ПРАКТИЧЕСКИЕ ИЗМЕРЕНИЯ ДАТЧИКА ВВЕДЕНИЕ С учетом сегодняшнего акцента на ответственности за качество продукции и энергоэффективности конструкции должны быть не только легче и прочнее, но и более тщательно проверяться, чем когда-либо прежде.Это придает новое значение теме	Оригинал	PDF	Z-128 Тензометрический датчик
YL21 Аннотация: YL162 LT-XC4VLX100 z144 YL162 дисплейный диод z104 красный 5мм светодиод с держателем Z170 YX8019 ZL212 Текст: RealView LT-XC4VLX100 + Logic Tile HBI-0158 Руководство пользователя Напечатано: 27 сентября 2008 г. Авторские права 2006-2008 ARM Limited. Все права защищены. ARM DUI 0345D RealView LT-XC4VLX100 + Руководство пользователя Авторские права © 2006-2008 ARM Limited.Все права защищены. Информация о выпуске	Оригинал	PDF	LT-XC4VLX100 + HBI-0158 0345D 150-01-F-D-A-K YL21 YL162 LT-XC4VLX100 z144 YL162 дисплей диод z104 красный светодиод 5мм с держателем Z170 YX8019 ZL212
кора головного мозга a9 Аннотация: cortex A9 cortex-a9 Двухъядерный процессор ARM Cortex-A9 DMC 269 HBI0183 ARM cortex A9 neon ПРОЦЕССОР CORTEX-A9 ARM JTAG cortex a9 ARM Cortex-A9 Текст: Обзор основной платы платформы RealView для основной платы Cortex-A9 HBI-0182 и HBI0183 (дочерней платы) Руководство пользователя Copyright 2009 ARM Limited.Все права защищены. ARM DUI 0440A (ID042309) Базовая плата платформы RealView Explore для Cortex-A9 Руководство пользователя	Оригинал	PDF	HBI-0182 HBI0183 ID042309) ID042309 кора головного мозга a9 кора A9 cortex-a9 Двухъядерный процессор ARM Cortex-A9 DMC 269 HBI0183 ARM cortex A9 неон ПРОЦЕССОР CORTEX-A9 ARM JTAG cortex a9 ARM Cortex-A9
Диод DD54 Аннотация: TM121SV-02L07 STR DD37 BU CLEVO CZ633 evo cn GP 502 mcl d01 display ST U1,3 Z224 Схема клавиатуры и тачпада intel dg 41 rq Текст: Модель 5100S / 5500S Руководство по техническому обслуживанию Материнская плата Плата D / D Плата инвертора Плата жесткого переноса Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.Октябрь 2000 г. Содержание Технические характеристики системы. 1	Оригинал	PDF	5100S / 5500S SiS630S 383 тыс. / Фут 71-51S00-D Диод DD54 TM121SV-02L07 STR DD37 BU CLEVO CZ633 evo cn GP 502 mcl d01 дисплей СТ У1,3 З224 схема клавиатуры и тачпада Intel DG 41 RQ
Принципиальная схема стабилизатора переменного напряжения 220В Аннотация: Электрическая схема цветного телевизора LG tda 9370 1000w инвертор PURE SINE WAVE принципиальная схема принципиальная схема atx блок питания 500w TV SHARP IC TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводная шпионская камера 9744 mini mainboard v1.2 sony 279-87 транзистор E 13005-2 superpro lx Текст: БЫСТРЫЙ ИНДЕКС НОВИНКА В НОМЕРЕ! Подробный указатель — см. Страницы 3-24 Аналоговый интерфейс AD9272, акселерометры и гироскопы iMEMS. . . . . . 782, 2583 разъемы, кабельные сборки, гнезда для микросхем. . . . . . . . . . . 28-528 Датчики ускорения и давления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Стр. Решебника 2585	Оригинал	PDF	AD9272 P462-ND LNG295LFCP2U P463-ND LNG395MFTP5U Принципиальная схема стабилизатора переменного напряжения 220В Схема цветного телевизора LG tda 9370 Принципиальная схема инвертора PURE SINE WAVE мощностью 1000 Вт принципиальная схема atx блок питания 500w Микросхема TV SHARP TDA 9381 PS принципиальная схема беспроводной шпионской камеры Материнская плата 9744 mini v1.2 sony 279-87 транзистор Е 13005-2 superpro lx
CLEVO Резюме: LP2600T РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ lg r500 71P26 71-P2205-001A Insyde bios manual LCD PC LP2600T LP-2600 CA194 71-P2205-001 Текст: ПРЕДИСЛОВИЕ РУКОВОДСТВА ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ LCD PC LP2600C / LP2600T I УВЕДОМЛЕНИЕ ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ Компания оставляет за собой право пересматривать данную публикацию или изменять ее содержание без предварительного уведомления. Информация, содержащаяся в данном документе, предназначена только для справки и не является обязательством со стороны производителя или любого последующего поставщика.Они предполагают	Оригинал	PDF	LP2600C / LP2600T / LP200S / BIOS. / LP200S / BIOS CLEVO LP2600T РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ LG R500 71П26 71-P2205-001A Руководство по Insyde bios ЖК-ПК LP2600T LP-2600 CA194 71-P2205-001
ND R433 Аннотация: MC140138 VD58 78l05 so8 Z247 Z428 VD42 Z396 Z158 Z261 Текст: 7,16,19, 24,30 • AD [0,31] AD [0,31] G _AD [0,31] 10 • G _AD [0,31] 5 • MDD [0,63] MDD [0,63] J1 | LINK | 0326-2 .SCH | 0326-3.SCH | 0326-4.SCH | 0326-5.SCH | 0326-6.SCH | 0326-7.SCH | 0326-8.SCH | 0326-9.SCH | 0326-10.SCH | 0326-11.SCH | 0326-11A.SCH | 0326-12.SCH | 0326-13.SCH	Оригинал	PDF	326-11A 71-85P00-D04A ND R433 MC140138 VD58 78l05 so8 Z247 Z428 VD42 Z396 Z158 Z261