Таблица взаимозаменяемости транзисторов: Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги — замена транзисторов на отечественные

Содержание

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги - замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:

  • Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом;
  • Биполярные – имеют два p-n перехода;
  • Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока.

Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:

  • Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание.
    Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь.
  • Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров.

В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов.

Таблицы зарубежных аналогов транзисторов

Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их - напишите об этом в комментариях внизу страницы!

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Зарубежные Отечественные
2SC3217 2T9155A
2SC3660 2T9155B
2SC3218 2T9155Б
Bak0510-50 2T9156БС
BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В
KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б
BFY80 2Т3130А9
2N2463 2Т3130Б9
2N2459 2Т3130В9
2N735A 2Т3130Г9
2N844 2Т3130Д9
PBC108A, B 2Т3133А2
2N4260 2Т3135А1
2N4261 2Т3135Б1
S923TS 2Т3152А, Г, Д
PBC107B 2Т3158А2
2N2906A 2Т3160А2
DC5108 2Т370А9
CX954 2Т370Б9
BD825 2Т642А2
2N2218 2Т649А2
SF123A 2Т672А2
BD202 2Т818А
1561-1015 2Т874А
1561-1008 2Т874Б
SDT69504 2Т880Д
2N3584 2Т881Д
2SA1009AM 2Т887А, Б
BLY47A 2Т892А, 2Т892Б
2N5050 2Т892В
2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2
2307(A) 2Т9103А2
NE243499 2Т9108А2
NE080481E-12 2Т9109А
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
AM1416200 2Т9114А, Б
SDR075 2Т9117А, 2Т9118А
2DR405B 2Т9117Б
MRF846 2Т9117В
LDR405B 2Т9118Б
MRF846 2Т9118В
NE3001 2Т9119А2
PZB27020V 2Т9122А
Ph2214-60 2Т9122Б
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC81325M 2Т9127Д, Е
TN20 2Т9130А
2SA1584 2Т9143А
2023-6 2Т9146А
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2SC3217 2Т9155А
2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А
2SC3660 2Т9155В, КТ9152А
222430 2Т9158А
2023-6 2Т9158Б
MRF544 2Т9159А
AM1416200 2Т986А, Б
MPF873 2Т987А
AM1416200 2Т994А2—2Т994В2
2N5177 2Т998А
2SC3218* KT9142A
2SC3660* KT9152A
SD1483 KT9174A
SD1492* Г101A
ADY25 ГТ 701А, П210Б
SD1492 ГТ101А
AC128 ГТ402И
AC127 ГТ404Б
AD162 ГТ703Г
AU106 ГТ810А, КТ812Б
BC239B КТ 3102Ж
SS9012 КТ209
2N2784 КТ3101АМ
BC109BP КТ3102И
BC455D КТ3107Е1
BC456B КТ3107И1
BC526C КТ3107К1-Л1
BF680 КТ3109А1
BF979 КТ3109Б1
BF970 КТ3109В1
2N2615 КТ3132Д2
2N2616 КТ3132Е2
2N2906 КТ313А1
2N2906A КТ313Б1
2SA1090 КТ313В1
2SA876H КТ313Г1
PXT2222 КТ3153А9
BFP720 КТ315В1
2N3397 КТ315Р1
2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9
2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9
2SD814 КТ3176А9
MPS6513 КТ3184Б9
TBC547A КТ3186А
BCW47B КТ3187А
BC408 КТ342А
BC107B КТ342Б, КТ3102Б
2SC404 КТ359А3
SS9015 КТ361, КТ3107
2SA556 КТ361Ж (И)
BSW62A КТ361К (Л, М)
BSW63A КТ361Н (П)
MD5000A КТ363А
2N3839 КТ370А9
2N5651 КТ370Б9
BC147 КТ373А
2N3904 КТ375А, КТ375Б
2SC601 КТ396А2
2N709 КТ397А2
MJE13001 КТ538А
2SC64 КТ6110А (Б)
2N1051 КТ6110В (Г, Д)
BF337 КТ6113А (Б, В)
BF338 КТ6113Г (Д, Е)
2SA738B КТ6116А (Б)
2N3114 КТ6117А
2N3712 КТ6117Б
BD136 КТ626Е, КТ6109А
BC527-6 КТ629А2
BD386 КТ629А3
2N2368 КТ633А
2N3303 КТ635А
BD370A6 КТ639А1
BD372 КТ639Б1
2N2218A КТ647А2
MPS706 КТ648А2
2SA715C КТ664Б9
BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9
BF179B КТ682Б2
BD166 КТ720А
2N4238 КТ721А
BD168 КТ722А
2N3054 КТ723А
BD170 КТ724А
BD165 КТ728А
BUY90 КТ8107В (Г)
MIE13005 КТ8121А2
MIE13004 КТ8121Б2
2SD401A КТ8146А
2SC4055 КТ8146Б
TIP41C КТ8212А—В
BU2506D КТ8248А1
BUD44D2 КТ8261А
STD18202 КТ828Г
BU205 КТ838Б
2SB834 КТ842В
2SD1279 КТ846Б
BVX14 КТ846В
BD223 КТ856А1
BD944 КТ856Б1
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2SC1173 КТ862Г
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC2794 КТ866А
2N4913 КТ866Б
BU508 КТ872
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
SD1015 КТ9116А
MRF422 КТ9116А, В
I02015A КТ9116Б
2SC3596F КТ9142А
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
2SC3812 КТ9151АС
2023-15T КТ9152А
27AM05 КТ9170А
SDT3207 КТ9171А, Б
LT1739 КТ9171В
2SB596 КТ9176А
MJE2801T КТ9177А
SD1483 КТ917А
2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г
2N6181 КТ9180В, Г
D44H7 КТ9181А, Б
MRF430 КТ9181В, Г
2N5102 КТ921А, В
2N2219 КТ928Б
BC303 КТ933А
2N5996
КТ945Б
2N5642 КТ945В, Г
2N5643 КТ949А
2SC2331 КТ961, КТ9171
2N4440 КТ972В
2N5995 КТ972Г
LOT-1000D1-12B КТ979А
2N4976 КТ996А2
2SC976 КТ996Б2
2N4128 КТ997В
MP42 МП42Б
ASZ18 П217В, ГТ711

Биполярные транзисторы до 40 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
SG769 2Т3133А npn 0. 3 ТО-126
2Т837В,Е pnp 8 ТО-220
2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39
2Т877В pnp 20 ТО-3
KT315H n-p-n 20 0.1
KT503A n-p-n 25 0.15
KT503B n-p-n 25 0.15
KT686F p-n-p 25 0.8
KTJ107B p-n-p 25 0.1
авзтт p-n-p 30 7.5
ГТ313А p-n-p 15 0.03
ГТ313Б p-n-p 15 0. 03
ГТ313В p-n-p 15 0.03
ГТ328А p-n-p 15 0.01
ГТ328Б p-n-p 15 0.01
ГТ328В p-n-p 15 0.01
ГТ346А p-n-p 20 0.01
ГТ346Б p-n-p 20 0.01
ГТ346В p-n-p 20 0.01
К13115Г-2 n-p-n 7 0.08
КГ117Г n-база 30 0.05
КГ201А(М) n-p-n 20 0.02
КТ117А n-баэа 30 0. 05
КТ117Б n-баэа 30 0.05
КТ117В n-база 30 0.05
КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02
КТ201В(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02
КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02
КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01
КТ203В(М) p-n-p 15 0.01
КТ208А(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Б(1) p-n-p 20 0. 3
КТ208В(1) p-n-p 20 0.3
КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3
КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3
КТ209А p-n-p 15 0.3
КТ209Б p-n-p 15 0.3
КТ209Б1 p-n-p 15 0.3
КТ209В p-n-p 15 0.3
КТ209В1 p-n-p 15 0.3
КТ209В2 p-n-p 15 0.3
КТ209Г p-n-p 30 0. 3
КТ209Д p-n-p 30 0.3
КТ209Е p-n-p 30 0.3
КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03
кт306в(М) n-p-n 10 0.03
кт306г(М) n-p-n 10 0.03
кт306д(М) n-p-n 10 0.03
КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02
КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1
КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Г(М) n-p-n 20 0. 1
КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1
КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1
КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1
КТ3107Г p-n-p 25 0.1
BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1
BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1
КТ3107Ж p-n-p 20 0.1
КТ3107К p-n-p 25 0.1
КТ3107Л p-n-p 20 0. 1
КТ3109А p-n-p 25 0.05
КТ3109Б p-n-p 20 0.05
КТ3109В p-n-p 20 0.05
КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08
КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08
КТ3120А n-p-n 15 0.02
КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03
КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03
КТ3126А p-n-p 20 0.02
КТ3126Б p-n-p 20 0. 02
КТ3127А p-n-p 20 0.02
кт3128А(1) p-n-p 40 0.02
КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1
КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1
КТ312А n-p-n 20 0.03
BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03
КТ312В n-p-n 20 0.03
КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Г-9 n-p-n 20 0. 1
КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1
КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1
КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1
2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1
2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1
КТ315В n-p-n 40 0.1
КТ315Г n-p-n 35 0.1
BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1
2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1
КТ315Е n-p-n 35 0. 1
2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05
КТ315Р n-p-n 35 0.1
КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03
КТ316А(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05
КТ316В(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05
КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05
КТ325А(М) n-p-n 15 0.03
КТ325Б(М) n-p-n 15 0. 03
КТ325В(М) n-p-n 15 0.03
КТ326А(М) p-n-p 15 0.05
КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05
КТ339А(М) n-p-n 25 0.03
КТ339Б n-p-n 15 0.03
КТ339В n-p-n 25 0.03
КТ339Г n-p-n 25 0.03
КТ339Д n-p-n 25 0.03
КТ342А(М) n-p-n 30 0.05
КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05
КТ342В(М) n-p-n 10 0. 05
КТ342ГМ n-p-n 30 0.05
КТ342ДМ n-p-n 25 0.05
КТ345А p-n-p 20 0.2
КТ345Б p-n-p 20 0.2
КТ345В p-n-p 20 0.2
КТ347А p-n-p 15 0.05
КТ347Б p-n-p 9 0.05
КТ347В p-n-p 6 0.05
КТ349А p-n-p 15 0.05
BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05
КТ349В p-n-p 15 0. 05
КТ350А p-n-p 20 0.6
КТ351А p-n-p 15 (-0.4)
КТ351Б p-n-p 15 (-0.4)
КТ352А p-n-p 15 (-0.2)
КТ352Б p-n-p 15 (-0.2)
КТ355АМ n-p-n 15 0.03
2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1
КТ361Б p-n-p 20 0.1
КТ361В p-n-p 40 0.1
КТ361Г p-n-p 35 0.1
КТ361Г1 p-n-p 35 0. 1
КТ361Д p-n-p 40 0.05
КТ361Е p-n-p 35 0.05
BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05
КТ363А(М) p-n-p 15 0.03
КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03
КТ368А(М) n-p-n 15 0.03
КТ371А n-p-n 10 0.02
КТ372А n-p-n 15 0.01
КТ372Б n-p-n 15 0.01
КТ382А(М) n-p-n 10 0.02
КТ382Б(М) n-p-n 10 0. 02
КТ391А-2 n-p-n 10 0.01
КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01
КТ391В-2 n-p-n 10 0.01
КТ399А n-p-n 15 0.02
КТ399АМ n-p-n 15 0.03
2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92
КТ501А p-n-p 15 0.3
КТ501Б p-n-p 15 0.3
КТ501В p-n-p 15 0.3
КТ501Г p-n-p 30 0.3
КТ501Д p-n-p 30 0. 3
КТ501Е p-n-p 30 0.3
КТ502А p-n-p 25 0.15
КТ502Б p-n-p 25 0.15
КТ502В p-n-p 40 0.15
КТ502Г p-n-p 40 0.15
2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92
КТ503В n-p-n 40 0.15
КТ503Г n-p-n 40 0.15
КТ603А n-p-n 30 0.3
КТ603Б n-p-n 30 0.3
Кт603в n-p-n 15 0. 3
КТ603Г n-p-n 15 0.3
Кт603д n-p-n 10 0.3
КТ603Е n-p-n 10 0.3
Кт603и n-p-n 30 0.3
BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92
2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ6127Г p-n-p 30 2
КТ6127Д p-n-p 12 2
КТ6127Е p-n-p 12 2
2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126
КТ626Г p-n-p 20 0. 5
КТ626Д p-n-p 20 0.5
BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126
КТ639И p-n-p 30 1.5
КТ644В p-n-p 40 0.6
КТ644Г p-n-p 40 0.6
2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92
2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126
BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92
КТ660Б n-p-n 30 0.8
BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92
КТ680А n-p-n 25 0.6
КТ681А p-n-p 25 0.6
BC635 КТ684А npn 1 ТО-92
КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92
КТ685д p-n-p 25 0.6
КТ685Е p-n-p 25 0.6
КТ685Ж p-n-p 25 0.6
BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92
КТ686Г p-n-p 25 0.8
КТ686Д p-n-p 25 0.8
КТ686Ж p-n-p 25 0.8
BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39
КТ695А n-p-n 25 0.03
КТ698Г n-p-n 30 2
КТ698Д n-p-n 12 2
КТ698Е n-p-n 12 2
КТ8111Б' n-p-n 40 0.02
КТ8111В" n-p-n 30 0.02
КТ8130А* p-n-p 40 4
КТ8131А* n-p-n 40 4
КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126
КТ814Б p-n-p 40 1.5
BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126
BD434 КТ816А p-n-p 40 3
КТ816А2 p-n-p 40 3
2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126
BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126
TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220
КТ818АМ p-n-p 40 15
TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220,
9527 КТ819АМ n-p-n 40 15
КТ825Е* p-n-p 30 0.02
КТ829Г npn 8 ТО-220
КТ835А p-n-p 30 3
КТ835Б pnp 7.5 ТО-220
КТ837Ж p-n-p 30 7.5
КТ837И p-n-p 30 7.5
КТ837К p-n-p 30 7.5
FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220
КТ853Г pnp 8 ТО-220
2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220
КТ896В* p-n-p 30 0.02
КТ943А npn 2 ТО-126
КТ972Б npn 4 ТО-126
2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126
ктзб1Ж p-n-p 10 0.05
ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03
КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03
КТЭ72В n-p-n 15 10
СТ837У p-n-p 30 7.5
СТ837Ф p-n-p 30 7.5

Биполярные транзисторы до 60 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т708Б pnp 2.5 ТО-39
MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3
2Т709В2* p-n-p 60 10
BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3
BDX78 2Т818В p-n-p 60 15
2Т819В p-n-p 60 15
2Т825В pnp 20 ТО-3
2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220
2Т830Б pnp 2 ТО-39
2Т831Б npn 2 ТО-39
2Т836В pnp 3 ТО-39
2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220
MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3
2Т877Б pnp 20 ТО-3
2Т880В pnp 2 ТО-39
2Т881В npn 2 ТО-39
2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92
ICT814B p-n-p 60 1.5
KT6S8B n-p-n 50 2
ГТ806Г p-n-p 50 15
ГТ905Б p-n-p 60 3
КТ203А(М) p-n-p 60 0.1
КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3
КТ208И(1) p-n-p 45 0.3
КТ208К(1) p-n-p 45 0.3
КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3
КТ208М(1) p-n-p 60 0.3
КТ209Ж p-n-p 45 0.3
КТ209И p-n-p 45 0.3
КТ209К p-n-p 45 0.3
КТ209Л p-n-p 60 0.3
КТ209М p-n-p 60 0.3
BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1
КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1
BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1
BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1
КТ3108А p-n-p 60 0.2
КТ3108Б p-n-p 45 0.2
КТ3108В p-n-p 45 0.2
PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4
КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1
КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1
КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1
КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1
КТ313А(М) p-n-p 60 0.35
2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35
КТ315И n-p-n 60 0.05
КТ361К p-n-p 60 0.05
КТ501Ж p-n-p 45 0.3
КТ501И p-n-p 45 0.3
КТ501К p-n-p 45 0.3
КТ501Л p-n-p 60 0.3
КТ501М p-n-p 60 0.3
КТ502Д p-n-p 60 0.15
КТ502Е p-n-p 60 0.15
BSR41 КТ530А npn 1 TO-92
КТ6127В p-n-p 50 2
BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126
BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39
КТ639А p-n-p 45 1.5
КТ639Б p-n-p 45 1.5
КТ639В p-n-p 45 1.5
КТ639Г p-n-p 60 1.5
BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126
2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126
КТ645А npn 60 0.3 ТО-92
BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126
КТ659А npn 1.2 ТО-39
2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39
BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39
КТ668А p-n-p 45 0.1
КТ668Б p-n-p 45 0.1
КТ668В p-n-p 45 0.1
КТ683Д n-p-n 60 1
2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126
КТ685Б p-n-p 60 0.6
BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92
SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8
КТ686Б p-n-p 45 0.8
КТ686В p-n-p 45 0.8
2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92
КТ801Б n-p-n 60 2
КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220
КТ8111А' n-p-n 50 0.02
КТ8111В9 npn 20 ТО-218
КТ8116В npn 8 ТО-220
КТ8118Б* n-p-n 60 8
2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126
КТ8131Б' n-p-n 60 4
КТ815Б n-p-n 45 1.5
2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126
КТ817Б n-p-n 45 3
КТ817Б2 n-p-n 45 3
2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126
КТ818Б p-n-p 50 10
9535 КТ818БМ p-n-p 50 15
КТ819Б n-p-n 50 10
2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15
КТ825Д* p-n-p 60 20
КТ827В npn 60 20 ТО-3
TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220
TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220
КТ837Б p-n-p 60 7.5
КТ837В p-n-p 60 7.5
КТ837Г p-n-p 45 7.5
КТ837Д p-n-p 45 7.5
КТ837Л p-n-p 60 7.5
КТ837М p-n-p 60 7.5
КТ852В pnp 2 ТО-220
КТ853В pnp 8 ТО-220
КТ896Б pnp 20 ТО-220
КТ908А n-p-n 60 10
КТ908Б n-p-n 60 10
BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126
BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126
BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126
КТ973А' p-n-p 60 4
КТ997А n-p-p 45 10
КТ997Б n-p-n 45 10
КТМ7Е p-n-p 45 7.5
ОГ837Н p-n-p 60 7.5
СГ837П p-n-p 45 7.5
СГ837Р p-n-p 45 7.5
Т852В* p-n-p 60 2.5
Т852Г p-n-p 45 2.5
Т853В* p-n-p 60 8
Т853Г p-n-p 45 8
Тв37С p-n-p 45 7.5

Биполярные транзисторы до 70 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т831В npn 2 ТО-39
2Т837А,Г pnp 8 ТО-220
2Т860Б pnp 2 ТО-39
2Т875Б npn 10 ТО-3
2Т876Б pnp 10  ТО-3
КТ6127Б p-n-p 70 2
КТ698Б npn 2 ТО-92
КТ69ВБ n-p-n 70 2
КТ808ГМ npn 10 ТО-3
КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126
КТ815В npn 1.5 ТО-126
КТ818В pnp 70 10 ТО-220,
КТ818ВМ p-n-p 70 15
КТ919В n-p-n 70 10
КТ919ВМ n-p-n 70 15
КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126

Биполярные транзисторы до 80 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3
2Т709Б2* p-n-p 80 10
2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3
2Т716б1* n-p-n 80 10
BD204 2Т818Б p-n-p 80 15
2Т819Б p-n-p 80 15
2Т825Б pnp 20 ТО-3
2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220
BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39
2Т836А,Б pnp 3 ТО-39
2Т875А,Г npn 10 ТО-3
2Т876А,Г pnp 10 ТО-3
2Т877А pnp 20 ТО-3
2Т880Б pnp 2 ТО-39
BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39
ГТ806А p-n-p 75 15
ГТ905А p-n-p 75 3
ГТ906А(М) p-n-p 75 6
КДТ8281А pnp 60 ТО-218
PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4
2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92
КТ602В n-p-n 80 0.075
КТ602Г n-p-n 80 0.075
2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126
КТ684Б npn 1 ТО-92
КТ801А n-p-n 80 2
КТ808ВМ npn 10 ТО-3
КТ8106А npn 80 20 ТО-220
TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218
2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220
КТ8130В* p-n-p 80 4
КТ8131В* n-p-n 80 4
TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220
КТ827Б npn 80 20 ТО-3
КТ8284Б npn 12 ТО-220
BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220
КТ837А p-n-p 80 7.5
КТ852Б pnp 2 ТО-220
BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220
2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126
КТ961Б npn 1.5 ТО-126
КТД8280А npn 60 ТО-218
КТД8283А pnp 60 ТО-218
Т852Б* p-n-p 80 2.5
Т853Б' p-n-p 80 8

Биполярные транзисторы до 130 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813А p-n-p 100 30
1Т813Б p-n-p 125 30
2Т708А pnp 2.5 ТО-39
BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3
BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3
2Т716АГ* n-p-n 100 10
2Т819А p-n-p 100 15
2Т825А pnp 20 ТО-3
2Т825А2 pnp 15 ТО-220
2Т830Г pnp 2 ТО-39
SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39
2Т860А pnp 2 ТО-39
2Т880А,Г pnp 2 ТО-39
2Т881А,Г npn 2 ТО-39
2Т935Б npn 20 ТО-220
ГТ806Б p-n-p 100 15
ГТ806В p-n-p 120 15
КТ503Е npn 0.15 ТО-92
SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126
КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126
КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075
2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92
BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92
КТ6127А p-n-p 90 2
КТ6127Ж p-n-p 120 2
BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39
КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39
2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39
2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92
КТ639Е p-n-p 100 1.5
КТ6836 n-p-n 120 1
КТ683Б npn 120 1 ТО-126
КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126
КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126
BC639 КТ684В npn 1 ТО-92
BD237 КТ698А npn 2 ТО-92
КТ698Ж n-p-n 120 2
2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126
КТ802А n-p-n 130 5
КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220
КТ807А n-p-n 100 0.5
КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126
КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3
TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218
КТ8115А pnp 8 ТО-220
КТ8116А npn 100 8 ТО-220
2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126
КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126
TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126
КТ817Г npn 90 3 ТО-126
КТ817Г2 n-p-n 90 3
TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220
КТ818ГМ p-n-p 90 15
TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220
2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15
КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220
КТ825* p-n-p 90 20
КТ827А npn 100 20 ТО-3
КТ8284В npn 12 ТО-220
TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220
КТ852А pnp 2 ТО-220
КТ853А pnp 8 ТО-220
BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220
КТ961А npn 1.5 ТО-126
ктвзэж p-n-p 100 1.5
КТД8257А npn 20 ТО-220
КТД8278Б,В npn 20 ТО-220
КТД8280Б npn 60 ТО-218
КТД8281Б pnp 60 ТО-218
КТД8283Б pnp 60 ТО-218
ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220
Т852А- p-n-p 100 2.5
Т853А- p-n-p 100 8

Биполярные транзисторы до 160 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
1Т813В p-n-p 150 30
ГТ806Д p-n-p 140 15
2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92
2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92
2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39
КТ663А n-p-n 150 1
КТ683А npn 1 ТО-126
КТ698И n-p-n 160 2
2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220
КТ805АМ npn 5 ТО-220
BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218
КТ8101Б npn 16 ТО-218
2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218
2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218
КТ8123А npn 150 2 ТО-220
КТ8246В,Г npn 15 ТО-220
КТ850В npn 2 ТО-220
2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220
КТ855Б p-n-p 150 5
КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220
2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220
КТ899А npn 150 8 ТО-220
КТ940В npn 160 0.1 ТО-126
2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3
КТД8257Б npn 20 ТО-220
ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220
2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126
Т850В n-p-n 150 2
Т851В p-n-p 150 2

Биполярные транзисторы до 200 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КГвИ AM n-p-n 180 0.1
КТ504Б npn 200 1 ТО-39
2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126
КТ611БМ n-p-n 180 0.1
КТ6127К p-n-p 200 2
КТ698К n-p-n 200 2
КТ712А pnp 10  ТО-220
КТ8105А n-p-n 200 20
КТ8124А n-p-n 200 7
КТ8124Б n-p-n 200 7
КТ8140А n-p-n 200 7
КТ842Б pnp 5 ТО-3
КТ851А pnp 2 ТО-220
BU406 КТ864А npn 10 ТО-3
КТ865А pnp 10 ТО-3
BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3
КТ879А npn 200 50 КТ-5
BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50
КТ897Б npn 200 20 ТО-218
2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218
КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220
КТД8278А npn 20 ТО-220
Т850А n-p-n 200 2
Т851А p-n-p 200 2

Биполярные транзисторы до 250 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т862А,Б npn 15 ТО-3
2Т882В npn 1 ТО-220
2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220
КТ3157А p-n-p 250 0.03
КТ504В npn 1 ТО-39
КТ505Б pnp 250 1 ТО-39
КТ604А(М) n-p-n 250 0.2
КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2
КТ605А(М) n-p-n 250 0.1
0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ844А npn 10 ТО-3
КТ850А,Б npn 2 ТО-220
КТ851Б pnp 2 ТО-220
КТ855А pnp 5 ТО-220
MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220
КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126
КТ969А npn 0.1 ТО-126
КТ999А n-p-n 250 0.05
КТЭвЭА n-p-n 250 0.1
Т850Б n-p-n 250 2
Т851Б p-n-p 250 2
Т855А p-n-p 250 5

Биполярные транзисторы до 300 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220
2Т883А pnp 1 ТО-220
MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39
КТ505А p-n-p 300 1
2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92
BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92
КТ8109А,Б npn 7 ТО-220
КТ8109Б* n-p-n 300 7
КТ8121Б npn 300 4 ТО-220
КТ8124В npn 7 ТО-220
КТ812В n-p-n 300 8
КТ8232А,Б npn 20 ТО-218
КТ8258Б npn 4 ТО-220
КТ8259Б npn 8 ТО-220
КТ8260А npn 15 ТО-220
КТ8285А npn 30 ТО-218
КТ842А pnp 5 ТО-3
КТ854Б npn 10 ТО-220
КТ890(А-В) npn 20 ТО-218
КТ892А,В npn 15 ТО-3
КТ897А npn 20 ТО-218
КТ898А npn 20 ТО-218
2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126
КТ940А n-p-n 300 0.1
КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220
КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220
КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220
MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39
2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126

Биполярные транзисторы до 400 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39
MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3
2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3
MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220
2Т885А npn 40 ТО-3
ав40Б n-p-n 350 8
BUX84 КТ704Б,В npn 2.5
КТ809А n-p-n 400 3
BU208A КТ8104А n-p-n 350 20
2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218
КТ8121А npn 400 4 ТО-220
2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220
MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220
КТ8136А n-p-n 400 10
MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220
2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220
КТ8260Б npn 15 ТО-220
КТ8285Б npn 30 ТО-218
КТ834В npn 400 15 ТО-3
2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3
2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3
BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3
КТ848А npn 15 ТО-3
2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220
2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20
2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20
КТ890В* n-p-n 350 20
MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3
КТД8279А npn 10 ТО-220
Т840А n-p-n 400 6
Т848А n-p-n 400 15
Т854Б n-p-n 400 10

Биполярные транзисторы до 500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812Б n-p-n 500 10
2Т856В npn 10 ТО-3
2Т885Б npn 40 ТО-3
ICT8110B n-p-n 450 7
KT8120A n-p-n 450 8
SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92
BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92
2SC3970 КТ704А npn 2.5
КТ8108А n-p-n 500 5
КТ8108Б n-p-n 500 5
КТ8110А n-p-n 450 7
КТ8110Б n-p-n 450 7
BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220
КТ812Б npn 500 8 ТО-3
КТ8260В npn 15 ТО-220
КТ8285В npn 30 ТО-218
КТ834А n-p-n 500 15
КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3
КТ854А npn 10 ТО-220
ПИР-1 npn 20 ТО-218

Биполярные транзисторы до 600 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220
КТ506Б npn 600 2 ТО-39
КТ8107В n-p-n 600 5
КТ8144Б npn 25 ТО-3
2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218
2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5
2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3
2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3
2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3
ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218
КТ878В npn 600 30 ТО-3
2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3
КТ888Б pnp 0.1 ТО-39
СТ841А n-p-n 600 10
СТ841В n-p-n 600 10
Т854А n-p-n 600 10

Биполярные транзисторы до 700 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т812А n-p-n 700 10
2Т856Б npn 10 ТО-3
КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220
КТ8114А n-p-n 700 8
КТ8127А(1) n-p-n 700 5
КТ8127Б(1) n-p-n 700 5
КТ8127В(1) n-p-n 700 5
КТ8129А n-p-n 700 5
BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3
КТ8137А npn 1.5 ТО-126
КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3
КТ8286Б npn 5 ТО-218
КТ887А pnp 2 ТО-3
Т847А n-p-n 650 15

Биполярные транзисторы до 800 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т884А npn 2 ТО-220
КТ506А npn 2 ТО-39
КТ8118А npn 800 3 ТО-220
2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3
КТ8286В npn 5 ТО-218
SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3
2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220
2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9
BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3
СТ841Б n-p-n 800 10

Биполярные транзисторы до 900 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
КТ888А pnp 0.1 ТО-39
2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9
2Т856А npn 10 ТО-3
КТ878А npn 30 ТО-3

Биполярные транзисторы до 1500 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8
BU508 КТ838А npn 5 ТО-3
BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3
BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3
BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218
2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218
BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218
Т846А n-p-n 1500 5
Т846В n-p-n 1500 5
Т848Б n-p-n 1200 5

Биполярные транзисторы свыше 2000 В

Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус
2Т713А npn 2500 3 ТО-3
КТ710А npn 5 ТО-3

Однопереходные транзисторы

Зарубежные Отечественные
2N1573 КТ117ВМ
2N1923 КТ117АМ

Мощные полевые транзисторы

Импортные Отечественные
IRFZ10 КП739Б
IRFZ15 КП739В
IRF740 КП740
IRFZ24 КП740А
IRFZ20 КП740Б
IRFZ25 КП740В
IRFZ48 КП741А
IRFZ46 КП741Б
STH75N06 КП742А
STH75N05 КП742Б
IRF510 КП743А
IRF511 КП743Б
IRF512 КП743В
IRF520 КП744А
IRF521 КП744Б
IRF522 КП744В
IRL520 КП744Г
IRF530 КП745А
IRF531 КП745Б
IRF532 КП745В
IRL530 КП745Г
IRF540 КП746А
IRF541 КП746Б
IRF542 КП746В
IRL540 КП746Г
IRFP150 КП747А
IRF610 КП748А
IRF611 КП748Б
IRF612 КП748В
IRF620 КП749А
IRF621 КП749Б
IRF622 КП749В
IRF640 КП750А
IRF641 КП750Б
IRF642 КП750В
IRL640 КП750Г
IRF720 КП751А
IRF721 КП751Б
IRF722 КП751В
IRF730 КП752А
IRF731 КП752Б
IRF732 КП752В
IRF830 КП753А
IRF831 КП753Б
IRF832 КП753В
STP40N10 КП771А
IRF820 КП820
IRF830 КП830
IRF840 КП840
IRF150 КП150
IRF240 КП240
IRF250 КП250
IRF340 КП340
IRF350 КП350
BF410C КП365А
BF960 КП382А
IRF440 КП440
IRF450 КП450
ZVN2120 КП501А
BSS124 КП502
BSS129 КП503
BSS88 КП504
BSS295 КП505
IRF510 КП510
IRF520 КП520
IRF530 КП530
IRF540 КП540
IRF610 КП610
IRF620 КП620
IRF630 КП630
IRF640 КП640
BUZ90 КП707Б1
IRF710 КП710
IRF350 КП717Б
BUZ45 КП718А
IRF453 КП718Е1
IRF720 КП720
BUZ36 КП722А
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRFZ40 КП723В
IRLZ44 КП723Г
MTP6N60 КП724А
IRF842 КП724Б
TPF450 КП725А
BUZ90A КП726А
BUZ71 КП727А
IRFZ34 КП727Б
IRLZ34 КП727В
BUZ80A КП728А
IRF730 КП730
IRGPH50F КП730А
IRF710 КП731А
IRF711 КП731Б
IRF712 КП731В
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRFZ14 КП739А

Слабые полевые транзисторы

Импортные Отечественные
U1899E КП329A
2N2841 КП301Г
2N3332 КП301Б
2N3365 КП329A
2N3368 КП329A
2N3369 КП333A
2N3331 КП307B
2N3370 КП329A
2N3436 КП329A
2N3438 КП333A
2N3458 КП333A
2N3459 КП329A
2N3460 КП329A
2N3796 КП303B
2N3797 КП303Г
2N3819 КП307Б
2N3823 КП329A
2N3909 КП301B
2N3971 КП902A
2N3972 КП902A
2N4038 КП329A
2N4091 КП902A
2N4092 КП902A
2N4220 КП329Б
2N4220A КП329Б
2N4221 КП333A
2N4221A КП329A
2N4222A КП329A
2N4224 КП329A
2N4302 КП329Б
2N4303 КП329Б
2N4304 КП329Б
2N4351 КП333A
2N4352 КП304A
2N4360 КП301B
2N4393 КП902A
2N4416A КП329A
2N4860 КП333Б
2N4867 КП333A
2N5078 КП333A
2N5163 КП307Ж
2N5458 КП304A
2N5457 КП307E
2N5459 КП307Б
2N5654 КП329Б
2N6656 КП801Б
2SK11 КП303Д
2SK12 КП303Г
2SK15 КП303Г
2SK68A КП329A
2SK21H КП306A
2SK39 КП350A
BFW11 КП333Б
BF244 КП329А
BF245 КП329А
BF256B КП329А
BF960 КП327А
BF981 КП327Б
BSV79 КП333А
BSV80 КП333А
BUZ20 КП704А
CP652 КП907B
E100 КП333Б
E102 КП333Б
E111 КП329Б
E112 КП333Б
IRF120 КП922Б
MPF103 КП307Б
MPF102 КП303E
M103 КП304A
TIS68 КП307E
UC714 КП329Б
U1897E КП333A

Была ли статья полезна?

Да

Нет

Оцените статью

Что вам не понравилось?


Другие материалы по теме


Анатолий Мельник

Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.


АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ

     Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.

ИМПОРТНЫЙ - ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ


1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б

Партнер статьи: Electronoff.ua

Заменяемость транзисторов

Заменяемость транзисторов

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков

  на главную

НОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА

КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Всем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р

к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25 вт) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц).  Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.

Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».

В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.

В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.доп,

а частотной — максимальная частота генерации fмакс.

Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.

Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.

Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).

Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.

Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.

Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».

Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.

Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:

М — холодносварной корпус;

Э — улучшенная влагостойкость;

И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.

ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /к0

и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.

Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.

Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.

Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.

Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.

К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно

допустимых параметров (Рк.доп UK3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.

Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.

Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.

Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.

Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.

 

 

Замена Замена Замена
Старый Новый Старый Новый Старый Новый
П4А     П216А П10Б МП37Б П201 П213А
П4Б П216Г П11 МП38 П201А П213Б
П4В П216Б П11А МП38А П202 П214Б
П4Г П216Г П13 МП39 П202А П214В
П4Д П216Д П13А МП39А П203 П214Г
П4Д П216Д П13Б МП39Б П203А П214В
П5А   ГТ108А П14 МП40 П410 ГТ313А
П5Б   ГТ108Б П14А МП40А П410 ГТ313А
П5В ГТ108В П14Б МП40Б П410А ГТ313Б
П5Г ГТ108Г П15 МП41 П411 ГТ313Б
П5Д ГТ108Д П15А МП41А П411А ГТ313Б
П5Е ГТ108Г П16 МП42 П417 ГТ313А
П6А МП39 П16А МП42А П417А ГТ313Б
П6Б МП39А П16Б МП42Б П420 П401
П6В МП40 П101 МП111 П421 П402
П6Г МП41 П101А МП111А П501 КТ315А
П6Д МП39Б П102 МП112 П502 КТ315Б
П8 МП35 П103 МП113 П503 КТ315В
П9 МП36 П103А МП113А П504 КТ315Г
П9А МП36А П104 МП114 П504А КТ315Г
П10 МП37 П105 МП115 П505 КТ315В
П10А МП37А П106 МП116 П505А КТ315В
 

Форум на сайте

на главную

пишите пожалуйста на

[email protected]



Как подобрать замену для MOSFET-транзистора || AllTransistors.com

 

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить неисправный MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

  1. Узнать полное наименование транзистора по его маркировке. Для MOSFET-транзистора в корпусе СМД название можно расшифровать по маркировке: СМД-коды 🔗.
  2. Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
  3. Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
  4. Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Из числовых параметров это, прежде всего предельные характеристики, такие как Pd - максимальная рассеиваемая мощность, Vds - максимальное напряжение сток-исток, Vgs - максимальное напряжение затвор-исток, Id - максимальный ток стока. У подбираемого транзистора эти параметры должны быть не меньше чем у исходного транзистора.

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

 

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность - полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) - необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора - при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна - ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) - если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th) имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) - этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить, срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) - время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) - сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

 

 

 

Таблица взаимозаменяемости IGBT модулей разных производителей — Searchip

Аналоги сборок Биполярных транзисторов с изолированным затвором ведущих мировых производителей:

IXYS Semikron Infineon Fuji ABB Mitsubishi StarPower
1200V
MITH 120PF1200YI SKM100GB12V FF100R12RT4 2MBI100VA-120-50 CM100DY-24A GD100HFT120C1S_G8
MITH 175PF1200YI SKM150GB12V
SKM195GB126D
FF150R12RT4 2MBI150VA-120-50 CM150DY-24A
CM100DY-24NF
GD150HFT120C1S_G8
MITH 225PF1200YI CM200DY-24
CM150DY-24NF
GD200HFT120C1S_G8
MITH 225PF1200LP SKM200GB12E4
SKM200GB12V
FF200R12KE4 2MBI200VH-120-50 CM200DY-24NF GD200HFT120C2S_G8
MITH 300PF1200LP SKM300GB12E4
SKM300GB12V
FF300R12KE4
FF300R12KE4_B2
2MBI300VH-120-50 CM300DY-24S
CM300DY-24A
GD300HFT120C2S_G8
MITH 450PF1200LP SKM400GB12E4
SKM400GB12V
FF450R12KT4 2MBI450VH-120-50
2MBI450VH-120F-50
GD400HFT120C2S_G8
1700V
MITH 100PF1700YI SKM75GB17E4 2MBI75VA-170-50 GD75HFT170C1S
MITH 125PF1700YI SKM100GB17E4 2MBI100VA-170-50 CM100DY-34A GD100HFT170C1S
MITH 200PF1700YI SKM150GB17E4
MITH 200PF1700LP SKM200GB176D FF150R17KE4 2MBI150VH-170-50 5SNG0150Q170300 CM150DY-34A GD150HFT170C2S
GD150HFL170C2S
MITH 250PF1700LP SKM200GB17E4 FF200R17KE4 2MBI200VH-170-50 5SNG0200Q170300 CM200DY-34A GD200HFT170C2S
GD200HFL170C2S
MITH 350PF1700LP SKM300GB17E4
SKM400GB176D
FF300R17KE4 2MBI300VH-170-50 5SNG0300Q170300 GD300HFT170C2S
GD300HFL170C2S

Поиск аналогов радиодеталей - Аналоги

КТ3102 2SA2785 Отечественный и зарубежный аналоги
КТ3102 BC174 Отечественный и зарубежный аналоги
КТ3102 BC182 Отечественный и зарубежный аналоги
NE555 1006ВИ1 Отечественный и зарубежный аналоги
NE555 1087ВИ2 Отечественный и зарубежный аналоги
NE555 AN1555 Полный аналог
NE555 AN1555N Полный аналог
NE555 GL555 Полный аналог
NE555 LB8555D Полный аналог
NE555 LB8555P Полный аналог
NE555 LM555 Полный аналог
NE555 MC1455 Полный аналог
NE555 NJM555D Полный аналог
NE555 RC555 Полный аналог
NE555 TA7555P Полный аналог
NE555 UPC1555 Полный аналог
NE555 UPC1555C Полный аналог
NE555 UPC617C Полный аналог
NE555 КР1006ВИ1 Отечественный и зарубежный аналоги
NE555 КР1006ВИ1А Отечественный и зарубежный аналоги
NE555 КФ1006ВИ1 Отечественный и зарубежный аналоги
LM358 1040УД1 Отечественный и зарубежный аналоги
LM358 1053УД2 Отечественный и зарубежный аналоги
LM358 1401УД5 Отечественный и зарубежный аналоги
LM358 GL358 Полный аналог
LM358 HA17358A Ближайший аналог
LM358 HA17358A Ближайший аналог
LM358 NE532 Полный аналог
LM358 OP04 Полный аналог
LM358 OP200 Возможный аналог
LM358 OP221 Полный аналог
LM358 OP290 Полный аналог
LM358 OP295 Полный аналог
LM358 OPA1013 Возможный аналог
LM358 OPA2237 Полный аналог
LM358 TA75358P Полный аналог
LM358 UPC358C Полный аналог
LM358 КР1040УД1 Отечественный и зарубежный аналоги
LM317 142ЕН12 Отечественный и зарубежный аналоги
LM317 GL317 Полный аналог
LM317 SG31 Полный аналог
LM317 SG317 Полный аналог
LM317 UPC317 Полный аналог

Нефедов А.В. Аксенов А.И. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры

Нефедов А.В. Аксенов А.И. Отечественные транзисторы для бытовой, промышленной и специальной аппаратуры

Предисловие

В справочном пособии представлена информация об особенностях применения, параметрах и характеристиках биполярных и полевых транзисторов, изготовленных в странах СНГ и Балтии.

Справочное пособие состоит из пяти разделов. В первом разделе даны классификация и условные обозначения полупроводниковых приборов. Приведены условные графические обозначения биполярных и полевых транзисторов, указатель транзисторов и их изготовители.

Во втором разделе описаны свойства, специфические особенности, основные электрические параметры, области применения, буквенные обозначения параметров, а также электрические параметры биполярных транзисторов широкого применения и специального назначения.

В третьем разделе рассмотрены основные свойства и особенности полевых транзисторов (с p-n переходом, МОП-транзисторов), а также транзисторов со статической индукцией, биполярных транзисторов с изолированным затвором, относящихся к классу полевых транзисторов, области применения. буквенные обозначения параметров, электрические параметры кремниевых полевых и арсенидгаллиевых транзисторов, в том числе со структурой НЕМТ (High Electron-mobllity Transistor) GaAIAs/ GaAs, широкого применения и специального назначения.

В четвертом разделе даны корпуса транзисторов.

В пятом разделе рассматривается взаимозаменяемость отечественных и зарубежных транзисторов, буквенные обозначения зарубежных транзисторов и их изготовителей. Кроме того, приведены таблицы отечественных транзисторов и их зарубежных аналогов и зарубежных транзисторов и их отечественных аналогов.

В справочное пособие включены как современные типы транзисторов, так и снятые по разным причинам с производства, и используемые для применения в бытовой, промышленной и специальной радиоэлектронной аппаратуре.

Выбор замены транзистора »Примечания по электронике

При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники - мы расскажем, как выбрать подходящую замену.


Transistor Tutorial:
Основы транзисторов Усиление: HFE, HFE и бета Характеристики транзистора Коды нумерации транзисторов и диодов Выбор транзисторов на замену


При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены.Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.

К счастью, обычно можно использовать заменяющий тип транзистора, так как часто существует значительная степень перекрытия между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на базовые спецификации, обычно можно выбрать правильную замену транзистора.

Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.

При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. К ним будут относиться основные параметры работы транзистора.Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.

BC547 Транзистор с пластиковыми выводами

Рассмотрим основные параметры транзистора

К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения. Их спецификации не особенно строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.

Однако необходимо более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более строгую роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.

При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:

  1. Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.

    Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 - 0,3 вольт, а для кремния - около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.

  2. Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено. Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP
  3. Общее применение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать предполагаемому назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к его предполагаемому применению.

    Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.

  4. Корпус и распиновка: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
  5. Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
  6. Коэффициент усиления по току: , Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.

    Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же коэффициентом усиления по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.

  7. Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его фут. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым частотным ограничениям.
  8. Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.

Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.

Подбор транзистора на замену

При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Их можно продвигать в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.

Пошаговая инструкция:
  1. Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора - это транзистор PNP или NPN.
  2. Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов либо кремниевые, либо германиевые.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различны, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
  3. Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание на их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь то же применение.
  4. Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора для замены с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.

    Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные выводы были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов - EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.

  5. Выберите транзистор на замену с тем же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V CEO и V CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
  6. Проверьте, может ли он принимать ток: Убедитесь, что новый транзистор может пропускать требуемый ток - он должен иметь I Cmax больше или равное исходному транзистору.
  7. Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у исходного. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
  8. Выберите транзистор для замены с эквивалентным Ft: Необходимо убедиться, что транзистор для замены будет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
  9. Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор может справиться с мощностью, рассеиваемой в цепи.Выбор транзистора на замену с похожим стилем банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
  10. Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбраны перечисленные выше функции, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.

После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. В этом случае необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.

Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?

Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.

По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.

Пошаговая инструкция:

Эти инструкции изложены в примерном порядке: сначала наиболее важные параметры следуют за менее значимыми:

  1. Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться транзисторами на первый взгляд.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
  2. Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, так что будьте осторожны!
  3. Рассеиваемая мощность: Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, поскольку они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
  4. Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум в два раза превышает напряжение шины цепи, в которой он работает.
  5. Текущее усиление: Текущее усиление транзисторов, как известно, трудно определить.Транзисторы большой мощности часто предлагают более низкий коэффициент усиления - более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
  6. Максимальная частота: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты схемы и функции схемы. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите на замену транзистор, который может легко работать на этой частоте.
  7. Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.

Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.

Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.

Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей возможностью его работы.

Другие электронные компоненты:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы ВЧ разъемы Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .

Замена транзистора

Распайка и замена транзистора занимает совсем немного времени. Больше времени уходит на то, чтобы выяснить, какой из них заменить, а иногда и чем заменить!

Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным.Зная, как замена транзистора на другой может ускорить ремонт, или сделать возможным ремонт, который в противном случае невозможен.

Типы транзисторов

Регистрационные номера типов транзисторам присваиваются организацией Joint Electron Device. Инженерный совет (JEDEC).Номер типа часто печатается на транзистор, хотя производители продуктов иногда печатают свои собственные номера деталей вместо. В этом случае в руководстве по обслуживанию продукта или в списке запчастей может быть указано вы с типом транзистора.

Если у вас нет этого конкретного типа, перекрестная ссылка на транзисторы Книга иногда может помочь вам найти совместимую деталь. Но, возможно, у вас уже есть подходящий заменитель в ящиках с деталями.

Мы располагаем наши запасы транзисторов не по их типовым номерам, а по их типу. технические характеристики Это позволяет легко перейти к ящикам наличие хороших кандидатов на замену.

Вы можете найти спецификации транзисторов в технических паспортах, доступных в Интернете. Используйте свой браузер для поиска типа транзистора JEDEC или воспользуйтесь поисковой системой, например AllDataSheet.com.

Первая спецификация, которую следует рассмотреть, - это схема транзистора. Это единственный spec вы действительно можете увидеть.

Контуры транзисторов

Номер схемы транзистора, или от до , относится к транзистору. физический размер, форма и стиль монтажа.Здесь показаны некоторые номера TO:

Схема транзистора обычно не говорит вам, какой из трех выводов транзистора подключается к своей базовой клемме (B), ее клемме эмиттера (E) или клемме коллектора (C). Однако паспорт транзистора покажет вам это.

Если расположение выводов небольшого заменяющего транзистора отличается от что у оригинала, вы можете иногда согнуть выводы транзистора друг над другом, чтобы направить их в исправьте отверстия в печатной плате. Просто возьми трубочку для спагетти. на выводах, чтобы они не касались друг друга.

Биполярные транзисторы (BJT)

«Биполярный транзистор», технически «биполярный транзистор» или BJT, это обычная разновидность транзисторов.

«Биполярные» транзисторы используют в качестве носителей заряда как электроны, так и дырки (электронные вакансии).

При выборе альтернативного BJT важны следующие электрические характеристики.

Полярность

"Переходные" транзисторы используют поведение переходов между "N-типом" и Полупроводники "P-типа".Полуфабрикаты N-типа содержат избыточные электроны в то время как полуфабрикаты P-типа содержат лишние дыры.

"NPN" транзисторы помещают P-область между двумя N регионов, создавая две развязки. Аналогично транзисторы "PNP" сэндвич с областью N между два P-региона.


Центральная область называется базой (символ B). Небольшой ток между эмиттером (символ E) и базой контролирует больший ток между эмиттером и коллектором (символ C).

Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (NPN или PNP), что и оригинал. Если у него неправильная полярность, он не будет работать должным образом в его цепи.

Максимальное напряжение

Если на транзистор подается напряжение, превышающее максимально допустимое, он могут быть безвозвратно повреждены.При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя ( BV ), в транзисторе начинается лавина электронов.

Во время лавины электроны в областях перехода P-N разогнались до таких высоких энергий, что ударяли связанные электроны с достаточно силы, чтобы освободить их, создавая дополнительные носителей заряда и значительно увеличивая ток транзистора.

Есть три напряжения пробоя:

  • В CB - максимальное напряжение на клеммах Коллектор-База
  • В CE - максимальное напряжение на клеммах коллектор-эмиттер
  • В EB - максимальное напряжение на клеммах Emitter-Base

В каждом из этих рейтингов предполагается, что 3-й вывод электрически открыт (не подключен). В CE , например, может быть записано как V CEO , BV CEO или правильнее всего как V (BR) CEO .

Рейтинг V EB обычно не является фактором в выборе замены транзистора.

В CB всегда равно или больше В CE и ты можешь используйте любое из этих максимальных напряжений для сравнения транзисторов.Выбирать заменяющий транзистор с номинальным напряжением пробоя не менее оригинального.

Максимальный ток

Максимальный ток - это максимальный продолжительный ток коллектора ( I C ) что транзистор может выдержать без необратимых повреждений.

Маленькие транзисторы TO-92 или TO-98, в зависимости от их изготовления, могут работать примерно от 100 и 1000 мА. Пакет ТО-5 может быть рассчитан на 5 ампер; ТО-220, до 25 А; и ТО-3, до 500 А.

Обязательно выберите заменяющий транзистор с максимальным номинальным током не менее как оригинал.

Максимальная мощность

Максимальная мощность, называемая P D , - это общая мощность, которую транзистор может рассеять через тепло, не пригорая.

Радиаторы и вентиляторы увеличивают рассеивающую способность транзистора. нагревать. Транзистор ТО-5 с P D 3 Вт могут рассеивать 8–10 Вт с радиатором.

Выберите заменяющий транзистор с максимальной номинальной мощностью как минимум такой же, как у оригинала.

Текущая прибыль

При выборе заменяющего транзистора коэффициент усиления по току бывает значительным только изредка. Фактическое усиление схемы зависит от других компонентов. Но если оригинальный транзистор имеет высокий коэффициент усиления, постарайтесь ему соответствовать.

Коэффициент усиления по току падает на более высоких частотах, поэтому транзистор с высоким коэффициентом усиления может обеспечивают более широкую частотную характеристику, чем транзисторы с низким коэффициентом усиления.

Одна мера усиления, называемая h FE , часто используется для сравнение транзисторов.Заглавный индекс FE относится к в F или более коэффициент передачи постоянного тока в общем E схема миттера. Другими словами, I C / I B .

В технических паспортах часто указывается минимальное или типичное значение h FE , или же диапазон значений, применимый при определенном токе коллектора (I C ).

Транзисторы Дарлингтона состоят из двух последовательно соединенных транзисторов. и имеют прибыль в тысячах, а не в десятках или сотнях.У них также есть двойные падение входного напряжения, поскольку имеется два последовательно соединенных полупроводниковых перехода.

Заменять транзистор Дарлингтона на транзистор не Дарлингтона - плохая идея. типа или наоборот.

Полевые транзисторы (FET)

Полевые транзисторы (FET) используют электрическое поле для управления потоком заряда через проводящий канал. Как и в случае с BJT, вентиль (символ G) - это терминал, который управляет ток транзистора.

Однако в полевом транзисторе управляемый ток течет между исток транзистора (символ S) и его сток (символ D).

Полевые транзисторы однополярные, не биполярный, с использованием в качестве носителей заряда либо электронов, либо дырок, но не обоих одновременно.

Полевые транзисторы встроены в те же схемы транзисторов, что и BJT, но их электрические характеристики различаются:

Типы полевых транзисторов

Полевые транзисторы бывают трех основных типов:

  • Тип А - Соединительный затвор на полевом транзисторе (JFET)
  • Тип B - полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
    «режим истощения»
  • Тип C - полевой транзистор с изолированным затвором (IGFET) в
    "режим улучшения"

IGFET обычно называют MOSFET (полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник), потому что изначально все полевые транзисторы с изолированным затвором имел металлических ворот , покрытых оксидной изоляцией .

Аббревиатуры FET сейчас изобилуют, но они только описать, как построен или улучшен полевой транзистор; они не определяют новый базовый тип.

Каждый тип полевого транзистора может быть изготовлен как с N-образным, так и с P-типом. канал проводимости. Итак, всего существует шесть типов полевых транзисторов. Ниже приведены их обозначения схем:


Обязательно используйте полевой транзистор того же типа, что и оригинал.

Максимальное напряжение

Одно из следующих напряжений пробоя обычно включается в спецификации для полевого транзистора:

  • BV GSS - напряжение пробоя между Gate и Исток клеммы при коротком замыкании стока на источник.(Этот рейтинг используется в основном с JFET-транзисторами.)
  • BV DSS - напряжение пробоя между стоком и клеммы Source , когда затвор замкнут накоротко на источник. (Этот рейтинг используется в основном с силовыми МОП-транзисторами.)

Напряжение пробоя также можно записать как В (BR) GSS или просто V GSS .

Вы можете использовать любое из вышеуказанных напряжений при сравнении полевых транзисторов. Просто обязательно сравнивайте яблоки с яблоками. Выберите заменяющий полевой транзистор с рейтингом не ниже оригинального.

Текущий

I DSS - ток утечки сток-исток, часто предусмотренный для малосигнальных полевых транзисторов. Это постоянный ток, который течет через вывод стока, когда затвор к источнику напряжение равно нулю.

В устройстве обедненного типа I DSS - это ток в открытом состоянии. В устройство типа улучшения, это ток в выключенном состоянии. Обычно указываются минимальные и максимальные значения. Выберите замену с таким же общим диапазоном значений.

I D (продолжение) , Непрерывный ток утечки, обычно предусмотрены для силовых полевых МОП-транзисторов.Это максимальный текущий рейтинг, поэтому выберите замену с рейтингом не ниже оригинала.

Максимальная мощность

P D - общая мощность, которую полевой транзистор может рассеять за счет тепла. Это та же спецификация, которая используется для биполярных транзисторов. Выберите замену с рейтингом не ниже оригинала.

"Вкл" Сопротивление

r DS (on) - DC сопротивление между клеммами слива и источника при заданном Напряжение затвор-исток подается для смещения полевого транзистора во включенное состояние.

Для полевого транзистора обедненного типа напряжение смещения затвор-исток может быть 0 В (т. Е. ворота к источнику короткие).

r DS (on) может оказаться важным при замене силового MOSFET.

Резюме

Найти заменяющий транзистор на замену несложно, если вы знаете спецификации оригинального транзистора и систематизируйте свои запасы по спецификациям, а не по номерам типов. Вы обнаружите, что необходимо хранить меньше устройств, а время выполнения заказа может быть сокращено.

Вы можете организовать транзисторы в группы ящиков, каждый из которых предназначен для определенного транзистора. контур. Разделите группы ТО по электрическим параметрам, например V CEO , I C и P D , в любом порядке, который вы выберете.

Затем, когда вам нужно подобрать замену оригинальному транзистору, вы сможете быстро домой ко всем ваши потенциальные кандидаты.


Из вопросов и ответов

с TJ Byers


Полупроводник, объяснение пола

Вопрос:

Можно ли подключить NPN-транзистор как PNP-транзистор? Дело в том, чтобы поменять местами соединения?

Леонард Мэри Томас


Ответ:

Транзисторы

NPN и PNP взаимозаменяемы, если вы помните одно простое правило: биполярный транзистор - это, по сути, два встречных диода с базой, являющейся общим соединением.Чтобы транзистор работал, один диод смещен в прямом направлении, а другой - в обратном. Возьмем, к примеру, усилитель с общим эмиттером, как показано ниже. Слева находится транзистор NPN (отрицательно-положительно-отрицательный), а справа - транзистор PNP (положительно-отрицательно-положительный). Обратите внимание, что обе схемы идентичны, за исключением одного. Обратная полярность источника питания.

В конфигурации NPN эмиттер (вывод, который выглядит как стрелка диода, обозначенный (E) , идет на минус (земля).База (B) подключается к + V через резистор Rb. Это смещает в прямом направлении диод база-эмиттер, который демонстрирует характерное падение напряжения 0,7 В. Коллектор (C) , с другой стороны, переходит на + V - фактически, смещая этот диод в обратном направлении.

Напряжение переключения этого диода является параметром VCE, указанным в спецификации, и варьируется от одного типа транзистора к другому. Ток через коллектор-эмиттер контролируется током, протекающим через переход база-эмиттер.Величина влияния называется усилением транзистора или hFE.

Замена PNP в цепи меняет местами ток, протекающий через диод база-эмиттер, и напряжение на коллекторе. В итоге, большинство усилителей слабого сигнала будут работать одинаково хорошо, если вы замените NPN на PNP и измените полярность источника питания. А это означает, что если у вас смешанный пол, каждый транзистор должен иметь смену пола. Обратите внимание, я сказал, что большинство - не все - усилители будут работать с этой АТС.(Подвижность электронов и дырок не равны, особенно на более высоких частотах.)

Если ваше приложение предназначено для переключения логики, все, что вам нужно сделать, это поменять местами эмиттер и коллектор в своей конструкции, чтобы соблюдались правила прямого / обратного смещения, как показано на двух нижних схемах. Загвоздка в том, что когда вы меняете пол, вы меняете и логику. В конфигурации NPN транзистор включается логическим ВЫСОКИМ уровнем. В версии PNP транзистор включается логическим значением LOW. Убедитесь, что вы настроили соответствующим образом.


Историческая справка. Когда я был новичком и новичком в транзисторах - нарезав себе зубы на электронных лампах с регулируемым напряжением - я слышал об этой аналогии с транзисторами, соединенными спина к спине, - и попытался построить сам, используя диоды 1N34A. Угадай, что? Не сработало.

Секрет крутизны транзистора - это крошечный зазор между коллектором и эмиттером, называемый базой, который управляет током, протекающим через транзистор. Разрыв настолько мал, что с 1948 по 1953 год потребовалось почти шесть лет, чтобы усовершенствовать первый надежный коммерческий транзистор: CK722.


Выбор дискретных транзисторов [Analog Devices Wiki]

Джеймс Брайант

Один из распространенных вопросов, которые задают автору и его коллегам из отдела приложений: «В примечаниях к применению для XXXX требуется транзистор 3N14159 - где я могу его получить?» Исследования показывают, что 3N14159 был устаревшим в течение многих лет - или его можно получить (при минимальном заказе в 1 000 000 штук) со сроком выполнения заказа 21 месяц на заводе в Тимбукту.Правильный вопрос - не «Где мне взять это конкретное устройство?» но «Какие другие, легко доступные устройства будут работать в этом приложении?»

Существуют десятки тысяч, возможно, сотни тысяч различных типов дискретных транзисторов, и почти всегда в системе есть несколько мест, где дискретный транзистор необходим. Что мы выбираем и почему?

Для многих приложений нет необходимости выбирать конкретный транзистор - мы должны просто использовать первый разумно подходящий транзистор, который попадется под руку.Как правильно выбрать транзистор, не тратя время на ненужные детали?

Мы не будем здесь обсуждать физику транзисторов. Существует множество учебников, в которых дается хорошее изложение основ, и есть бесчисленное множество других книг и статей, посвященных как основным принципам, так и подробным исследованиям конкретных вопросов. Но нам действительно нужно знать, что они делают, и может быть полезно узнать немного о том, почему они ведут себя именно так, поэтому мы поговорим немного о транзисторных структурах.

ТРАНЗИСТОРЫ

Транзистор - это твердотельное трехполюсное усилительное устройство. Для входных и выходных сигналов имеется общая клемма, а сигнал на одной из оставшихся клемм управляет током на другой.

Рисунок 1 Основная функция транзистора

Существует два основных типа транзисторов - транзисторы с биполярным переходом и полевые транзисторы, известные соответственно как BJT и FET.

Однако самый основной вопрос при выборе транзистора заключается не в том, BJT это или полевой транзистор, а в его полярности - используется ли его выходной вывод положительным или отрицательным по отношению к его общему выводу? Если ответ положительный, нам нужен NPN BJT или N-канальный полевой транзистор, в противном случае нам нужен PNP или P-канал.Это критически важно, но настолько очевидно, что дальнейшего обсуждения этой темы не требуется. В остальной части статьи, за исключением случаев, когда конкретно рассматривается этот вопрос, мы будем использовать положительные случаи (NPN & N-канал) для всех наших примеров.

Хотя полевые транзисторы были продемонстрированы и запатентованы почти на двадцать лет раньше, чем биполярные транзисторы 1 , первые практические транзисторы были биполярными 2 . Транзистор NPN состоит из тонкой базы полупроводника P-типа, зажатой между двумя областями N-типа, эмиттером и коллектором.Если ток течет от базы к эмиттеру и на коллекторе присутствует положительное смещение, в коллекторе протекает больший ток, пропорциональный току базы.

Рисунок 2 Биполярный переходной транзистор NPN (BJT)

Из рисунка 2 мы видим, что BJT - это усилитель тока - выходной ток в ß раз превышает входной ток, а ß может незначительно изменяться в зависимости от базового тока, так что усилитель не является полностью линейным. (Ss или h fe - это коэффициент усиления по току транзистора.Входное сопротивление не является ни низким, ни линейным, поэтому мы также можем рассматривать BJT как выход I из / V в усилителе (крутизна) с кремниевым диодом в качестве входного устройства. Понятно, что чем больше значение ß, тем лучше усилитель тока. Для большинства приложений достаточно минимального значения 80–100, но нередки значения, превышающие несколько сотен. (Возможны "супер-бета" транзисторы с ß до нескольких тысяч, но они имеют очень узкую базовую область и низкие напряжения пробоя и настолько хрупки, что используются редко, за исключением аналоговых интегральных схем.)

Существует два типа полевых транзисторов, полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET), более часто, но менее точно, называемые металлооксидно-кремниевыми полевыми транзисторами (MOSFET), которые я буду использовать здесь, и оба имеют любую полярность. (N-канал для положительного питания, P-канал для отрицательного). Полевые транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление (но их входная емкость может быть довольно большой - десятки или даже сотни пФ ) и, следовательно, являются устройствами крутизны (I из / V в ).

Сегодня MOSFET - более распространенное устройство. Версия с N-каналом состоит из полоски кремния P-типа с двумя диффузорами N-типа. Поверх полосы между диффузорами находится очень тонкий слой диоксида кремния (или другого изолятора), покрытый проводящей пленкой (обычно из алюминия или поликристаллического кремния). Положительный потенциал на этом проводящем затворе приводит к тому, что материал P-типа непосредственно под изолятором становится N-типом, соединяя диффузию стока и истока и позволяя току течь.Сила тока зависит от приложенного напряжения, поэтому устройство работает как усилитель, а также как переключатель.

Рис.3 МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения

Обычно полевые МОП-транзисторы относятся к этому типу - отключены при несмещении и включены напряжением смещения. Такие устройства известны как устройства расширенного режима. Однако можно сделать полевые транзисторы, которые включаются без смещения и выключаются отрицательным (положительным для P-канала) напряжением. Все полевые полевые транзисторы (полевые транзисторы) относятся к этому типу, но есть и некоторые полевые МОП-транзисторы в режиме истощения.

MOSFET в режиме истощения имеет неглубокую диффузию под оксидом затвора, соединяя сток и исток и позволяя току течь без смещения затвора. Когда затвор смещен отрицательно (для N-канала), эта диффузия ограничивается результирующим электрическим полем, и устройство перестает проводить.

Рисунок 4 МОП-транзистор с N-канальным режимом истощения

N-канальный JFET состоит из полоски кремния N-типа с соединениями (сток и исток) на каждом конце и диффузией затвора P-типа между ними.Без смещения на затворе ток может течь в канале N-типа ниже диффузионного. Когда затвор смещен отрицательно, зона истощения расширяется, заполняя канал, и ток стока прекращается.

Рисунок 5 JFET-транзистор с N-канальным режимом истощения

ВЫБОР ТРАНЗИСТОРОВ

Для большинства транзисторных приложений общего назначения нам нужны непроводящие устройства с нулевым смещением на управляющем входе (база или затвор). Такими устройствами являются BJT или полевые МОП-транзисторы в режиме улучшения.В оставшейся части этой статьи не будут рассматриваться полевые транзисторы в режиме истощения - хотя они являются ценными компонентами в ряде приложений, они настолько менее распространены, чем BJT и устройства режима улучшения, что отдельный раздел для них на самом деле не нужен, особенно когда большинство Вопросы, которые мы обсудим, являются общими для всех транзисторов любого типа.

Итак, нам нужен транзистор. Мы знаем, является ли его питание положительным или отрицательным, и поэтому, нужно ли нам устройство с каналом NPN / N или с каналом PNP / P.Но нужен ли нам BJT или MOSFET?

Во многих случаях это не имеет значения. Дискретные полевые МОП-транзисторы, возможно, на десять или двадцать процентов дороже, чем биполярные транзисторы, но им не нужны базовые резисторы, которые стоят дорого и занимают дорогую площадь на плате. Они немного более уязвимы к электростатическим повреждениям ( ESD ) во время обращения, но они не потребляют базовый ток и не нагружают цепи постоянного тока (поскольку они имеют относительно большую входную емкость, они могут вызвать проблемы емкостной нагрузки в более высокочастотных цепях).Когда-то пороговое напряжение затвора (значение В, gs , при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить ток) составляло несколько вольт, поэтому их нельзя было использовать с очень низкими напряжениями питания, но сегодня пороговые напряжения многих устройств равны сравнимо с базовым напряжением включения 0,7 В кремниевого биполярного транзистора. Так что, где нам нужен усилитель или логический переключатель, нам, вероятно, все равно.

Но вход BJT - кремниевый диод. Мы можем использовать его тепловые свойства для измерения температуры и его высокий ток при перегрузке, чтобы действовать как фиксирующая или ограничивающая цепь, поэтому есть некоторые схемы, в которых мы должны иметь BJT.

В течение примерно двадцати лет журнал Elektor 3 публиковал схемы, созданные на основе транзисторов, которые он называет TUN и TUP («Transistor Universal NPN» и «Transistor Universal PNP»). Эти транзисторы являются кремниевыми планарными BJT, и любой транзистор, который превышает следующие спецификации, соответствует требованиям:

902 t64 (Мин.)
Устройство Тип BV ceo I c (макс.) ß [h fe ] (мин.) P tot (Max)
TUN NPN 20 V 100 мА 100 100 мВт 100 МГц
TUP PNP -20 V -100 мА 100 100 мВт 100 МГц

Подходят самые дешевые кремниевые малосигнальные транзисторы.Я должен предложить добавить в список MUN и MUP («универсальный N-канал MOSFET» и «универсальный P-канал MOSFET») - и самые дешевые малые полевые МОП-транзисторы соответствуют этой спецификации:

Устройство Тип BV DS I c (макс.) V GS (th) P до (макс.) T 902 t выкл (макс.)
MUN N-канал 20 V 100 мА 0.5 В до 2 В 100 мВт 20 нСм
MUP P-канал -20 V -100 mA -0,5 V до -2V 100 мВт 20 nS

Большинство версий SPICE содержат стандартные BJT и MOSFET, похожие на эти «универсальные» устройства. Поэтому при разработке системы, содержащей дискретные малосигнальные транзисторы, используйте эти универсальные схемы на этапе проектирования и выберите наиболее удобный ( i.е. лучшая комплектация, доступность и невысокая стоимость) при заказе. Однако при публикации или описании дизайна используйте общую терминологию, чтобы было ясно, что точный выбор устройства вряд ли будет иметь значение.

Конечно, многие конструкции не могут использовать эти стандартные устройства - некоторые спецификации должны выходить за рамки простого стандарта. В таких случаях укажите исключения, например: -

MUN кроме выше BV DS = 250 В

ТУП кроме выше ß = 200

Когда в опубликованном проекте используется конкретный транзистор, разумно подумать, необходимо ли выбранное устройство для проекта или это был просто первый транзистор, выпавший из ящика для мусора 4 , когда конструктор построил свой прототип 5 .Изучите технический паспорт (если транзистор настолько загадочен, что вы не можете найти технический паспорт, изучите схему, в которой он используется): -

  1. Есть ли у устройства какие-то необычные характеристики?

  2. Используется ли эта характеристика в схеме?

  3. Ожидаете ли вы, что схема будет работать с TUN / TUP?

  4. Предлагает ли быстрая проверка программного обеспечения (SPICE), что оно будет работать с TUN / TUP?

  5. Можно ли предположить, что немного менее быстрая проверка оборудования (макетной платы) будет работать с TUN / TUP?

Если ответы на все вопросы «Да», то, вероятно, было бы разумно изучить пункты 1 и 2 немного более внимательно, но если ответы «Нет, нет, да, да, да», почти наверняка безопасно заменить устройство. с общим.

ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА

Максимально допустимое напряжение коллектор / сток. BVceo или BVds Если максимальное напряжение питания ниже, чем BV ceo или BV ds , и в коллекторе / стоке нет индуктивной схемы, которая могла бы вызвать более высокие переходные процессы напряжения, и нет внешнего источника сигнала, который мог бы применяться более высоким напряжения, то нам не нужно беспокоиться об этой спецификации.

С другой стороны, существует много схем, в которых можно ожидать, что транзистор будет работать с высокими значениями В ce или В ds , либо в установившемся состоянии, либо в переходных процессах, и очень важно, чтобы там, где это было в этом случае выбирается правильный максимум.Старые учебники склонны предполагать, что транзисторы являются устройствами низкого напряжения и что за редким исключением они дороги - полезно помнить, что сегодня

Биполярные транзисторы и полевые МОП-транзисторы с пробивным напряжением более 500 В недороги и легко доступны, хотя коэффициент усиления по току ß высоковольтных биполярных транзисторов чаще находится в диапазоне 40–100, а не = 100 для TUN / TUP. Точно так же пороговое напряжение затвора высоковольтного полевого МОП-транзистора с большей вероятностью будет в диапазоне 2–5 В, а не 500–2000 мВ для MUN / MUP.

Абсолютный максимальный ток коллектора / стока. Ic (max) или Id (max) Максимальный ожидаемый ток коллектора / стока не должен превышать абсолютный максимальный номинальный ток устройства. Учитывая, что значение TUN / etc для этого составляет 100 мА , это маловероятно для схем со слабым сигналом, но если транзистор требуется для подачи питания на нагрузку, необходимо проверить максимальный ток.

Абсолютный максимальный номинальный ток некоторых устройств можно разделить на номинальный ток постоянного (или, возможно, средний) ток и более высокий рейтинг переходных процессов для коротких импульсов.Важно убедиться, что пиковые переходные токи находятся в номинальных пределах.

Большинство малосигнальных транзисторов имеют номиналы I max , превышающие 100 мА - обычно 300-1000 мА - и многие устройства, которые соответствуют спецификации TUN и т. Д., Действительно имеют такой рейтинг и могут использоваться при таких средних токах необходимы. Если требуются более высокие токи, устройства TUN / etc будут неадекватными, и необходимо выбрать устройство питания. При более высоких токах важно соблюдать номинальную мощность, а также номинальный ток, корпусы, вероятно, будут больше, и может потребоваться радиатор.Биполярные транзисторы с более высокими максимальными токами могут иметь более низкие значения ß при больших токах.

Пакеты и мощность. Существует бесчисленное множество различных корпусов транзисторов от почти микроскопических корпусов для поверхностного монтажа до больших пластиковых и металлических корпусов, способных выдерживать несколько кВт при соответствующем охлаждении. Выберите тот, который наиболее удобен для вашего применения - поверхностный монтаж для массового производства, свинцовый для прототипирования и мелкосерийного производства, где удобна простота ручной пайки, и любой блок питания, подходящий, когда необходимо учитывать рассеивание и радиаторы.

Некоторые из наиболее распространенных корпусов транзисторов показаны на рис. 6 вместе с парой германиевых транзисторов с германиевым переходом очень ранних британских «красных пятен» (f t = 700 кГц) в кованых алюминиевых банках конца 1950-х годов. («Красные пятна» включены для исторического интереса - в подростковом возрасте автор этой статьи использовал эти транзисторы «Красного пятна», которые были отбракованы от производственной линии, производящей устройства, которые на самом деле имели номера типов - несмотря на то, что они бракованные, они все еще стоили около 1 фунт стерлингов за штуку [более 20 долларов в текущих ценах] для создания ряда различных радиоприемников и усилителей, а также счетчика Гейгера.)

Рисунок 6 Некоторые корпуса транзисторов

Тепло уходит от большинства корпусов через их выводы, поэтому фактические тепловые характеристики малосигнального транзистора зависят как от печатной платы, на которой он установлен, так и от корпуса. Даже самые маленькие транзисторы для поверхностного монтажа могут рассеивать несколько сотен мВт, что намного больше максимального предела, указанного в спецификации TUN / etc. Одно и то же устройство в разных корпусах может иметь разную максимальную мощность - RTFDS 6 осторожно.

В корпусах более мощных устройств есть металлические области, обеспечивающие теплопроводность к радиатору, поэтому внимательно ознакомьтесь с характеристиками рассеивания и требованиями к радиатору для этих устройств. Корпус TO-264 на рисунке 6 может рассеивать 2,5 кВт на подходящем радиаторе.

Разные устройства в одном корпусе могут иметь разную распиновку. Важно понимать, что два транзистора с одинаковыми электрическими характеристиками и корпусом могут иметь разные выводы и, следовательно, не могут быть взаимозаменяемыми сразу.На рисунке 7 показаны шесть возможных BJT-соединений корпусов TO-92 и SOT-23. Еще в 1990-х автору удалось найти хотя бы одно устройство с каждой из этих выводов, и хотя этот список был утерян, у него нет оснований предполагать, что современные транзисторы менее разнообразны.

Рисунок 7 На корпусе возможно шесть выводов

В высокочастотной конструкции может быть полезно выбрать устройство с распиновкой, обеспечивающей наименьшее паразитное реактивное сопротивление в разводке печатной платы.

Ток утечки коллектора / стока. Ice0 или Idss0 (иногда называется «ток отсечки» ). Это небольшой ток утечки, который течет от коллектора к эмиттеру или от стока к истоку, когда транзистор выключен. Обычно он составляет порядка десятков нА, но в таблицах данных иногда устанавливаются довольно большие максимальные значения для худшего случая, чтобы снизить затраты на тестирование. Транзисторы, используемые в качестве переключателей или усилителей очень низкого уровня, следует выбирать для утечки менее 50 нА, но для большинства приложений 200 нА или даже более вполне приемлемы.

Рис.8 Инвертор с очень низким энергопотреблением, использующий полевой МОП-транзистор с малой утечкой.

Инвертор малой мощности, показанный на рисунке 8, является примером схемы, требующей очень низкой утечки коллектора / дренажа. Утечка стока 100 нА дает падение напряжения 1 В и выходное напряжение 2,0 В, только на пороге разрешенных уровней логической 1, поэтому в практических конструкциях следует использовать полевые МОП-транзисторы с утечкой стока / истока = 50 нА. (Обратите внимание, что хотя этот инвертор очень маломощный [300 нА = 0.9 мкВт, когда транзистор включен], это также очень медленно - если предположить, что выходная емкость транзистора плюс емкость дорожки плюс входная емкость следующего каскада составляет 20 пФ , что не является необоснованным, то время нарастания составляет около 0,2 мс, а не проблема для приложений постоянного тока, но бесполезна даже для цепей переключения средней скорости.)

Текущее усиление. ß или hfe Коэффициент усиления по току BJT - это отношение тока коллектора к току базы, когда устройство не находится в режиме насыщения ( i.е. , напряжение коллектор / база положительное [для устройства NPN]). ß обычно довольно постоянен в широком диапазоне токов, но он может быть немного ниже при очень низких базовых токах и почти наверняка начнет падать, когда ток коллектора приблизится к своему абсолютному максимальному значению. Поскольку это соотношение, это безразмерная величина.

TUN и TUP имеют ß = 100, но сильноточные и высоковольтные BJT могут иметь несколько более низкие (= 40 или 50) минимальные заданные значения.

Рис.9 Транзисторный (BJT или MOSFET) эмиттер / истоковый повторитель

Выходной каскад эмиттерного повторителя / истокового повторителя, показанный на рисунке 9, одинаково точен как с BJT, так и с MOSFET.В простых эмиттерных повторителях предполагается, что напряжения базы / эмиттера или затвора / истока В, , равны или В, GS , остаются постоянными, обеспечивая фиксированное смещение между входным напряжением и напряжением нагрузки, но в более точных схемах. обратная связь может быть получена от соединения эмиттер (источник) / нагрузка.

Рисунок 10 Поскольку базовый ток не течет по их выходам, BJT менее точны, чем полевые транзисторы, как токовые выходные каскады.

Поскольку часть эмиттерного тока должна протекать в базе, коллекторный и эмиттерный токи BJT не идентичны, что означает, что токовый выходной каскад на рисунке 10 должен быть выполнен с использованием MOSFET, а не BJT, поскольку MOSFET имеют практически нулевой ток затвора. .

Прямая крутизна. gfs Прямая крутизна полевого транзистора - это отношение ΔI ds / ΔV gs , когда устройство включено и цепь стока не ограничена по току. Он измеряется в сименсах (S) (или, для традиционалистов среди нас, в mhos или обратных омах [Ʊ], которые являются устаревшим названием и символом для одного и того же). Малосигнальные полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы могут иметь g fs всего в несколько мс, но более крупные могут иметь усиление от больших долей сименса до нескольких сименсов и более.

Как правило, изменения напряжения затвора на несколько вольт достаточно для изменения тока стока с минимального (выключенного) до его абсолютного максимального значения. Также важно знать, при каком напряжении на затворе начинается проводимость - см .:

Пороговое напряжение затвора. Vgs (th) Пороговое напряжение затвора полевого МОП-транзистора - это напряжение затвора / истока, при котором правильно смещенный сток начинает потреблять ток. Определение «запусков» будет указано в листе данных и может составлять всего несколько мкА, но более вероятно, что оно будет определено как 1 мА или даже больше для полевого МОП-транзистора высокой мощности.Выше этого порогового значения ток стока будет очень быстро расти с небольшим увеличением напряжения затвора.

Если полевой МОП-транзистор должен управляться логикой, важно, чтобы его пороговое напряжение было выше наихудшего значения логического 0 в диапазоне температур схемы, которое, вероятно, составит не менее нескольких сотен мВ , иначе это может начать включаться, когда его предполагается выключить.

Напряжение насыщения. Vce (sat) Когда BJT включается достаточно сильно, чтобы падение напряжения на его нагрузке коллектора было достаточным, чтобы понизить потенциал коллектора ниже потенциала базы (другими словами, переход база-коллектор смещен в прямом направлении), это называется насыщенный .Это напряжение насыщения не пропорционально току коллектора, поэтому модель насыщенного транзистора - это не просто сопротивление между его коллектором и эмиттером.

Два примера важности низкого напряжения насыщения:

[A] В классической логике TTL каждый входной сигнал направляет 1,6 мА в управляющий им выход логического 0. При полном разветвлении 10 это означает, что выходной транзистор TTL может потребоваться для потребления около 16 мА с напряжением насыщения не более 400 мВ .

[B] Когда силовой BJT используется для переключения сильноточных нагрузок, его рассеивание при заданном токе нагрузки пропорционально его напряжению насыщения. Чем ниже напряжение насыщения, тем меньше тепла необходимо отводить от транзистора.

Обратите внимание, что когда вы снимаете входной привод с насыщенного транзистора, возникает задержка (обычно нсек или десятки нсек, но может быть больше), прежде чем он начнет отключаться. Это его время восстановления насыщения и может быть указано, при четко определенных условиях, в его техническом паспорте.

О сопротивлении. МОП-транзисторы Ron не насыщаются, потому что они являются основными носителями. Когда они включаются с напряжением затвора, значительно превышающим пороговое напряжение затвора, они ведут себя как резисторы низкого номинала, и их на сопротивлении указано в их технических характеристиках. Применяется закон Ома - падение напряжения пропорционально току и включенному сопротивлению, а их рассеяние составляет I 2 R.

Коэффициент шума. NF Большинство применений транзисторов имеют относительно высокий уровень шума, и шум не является проблемой.Но если это проблема, то это критически важно. Многие транзисторы, как BJT, так и FET, имеют коэффициент шума, указанный и гарантированный их производителями. При сравнении коэффициентов шума различных устройств очень важно, чтобы коэффициенты шума измерялись при одинаковом импедансе источника. Если транзисторы предназначены для использования в радиосистемах, вероятно, что их NF будет измерена при 50 Ом, поэтому сравнение простое, но бессмысленно сравнивать NF двух устройств, у которых NF были измерены при разных импедансах.В документе, относящемся к более ранней версии RAQ 7 , подробно рассматриваются эти и другие проблемы шума, и к нему следует обращаться, если вам интересна эта тема.

Частота перехода. ft f t BJT - это частота, на которой коэффициент усиления по току при коротком замыкании (на ВЧ) на выходе равен единице. Опять же, я не предлагаю обсуждать, как это можно измерить 8 , а просто хочу отметить, что f t является наиболее широко используемым показателем качества для сравнения частотной характеристики BJT.Большинство TUN и TUP будут иметь f t значительно выше минимума 100 МГц , но транзисторы высокой мощности и высокого напряжения часто будут иметь довольно низкие значения.

Полевые транзисторы представляют собой крутильные устройства с бесконечно малым входным постоянным током, поэтому неправильно учитывать их усиление по постоянному току. Но поскольку они имеют входную емкость (C gs ) от пФ до сотен пФ , их емкостное входное сопротивление относительно низкое на ВЧ, поэтому их входной ток ВЧ может быть измерен, а их f t получен.Иногда лист данных полевого или полевого транзистора будет содержать значение f t , полученное таким образом, и его, безусловно, допустимо использовать, если он доступен, для оценки частотной характеристики полевого транзистора, но обычно скорость полевых транзисторов указывается в терминах переключения. раз.

Время переключения. t (on) & t (off) Большинство полевых транзисторов и многие BJT имеют спецификации времени переключения, определяемые как время, затрачиваемое при определенных условиях (RTFDS 9 ) для повышения выходного тока от нуля до заданного значения, или вернуться к нулю соответственно.Предполагается, что сигнал переключения является мгновенным (юридическая фикция) или определяется как несколько нсек. Сравнение времени переключения - надежный способ сравнения относительных скоростей транзисторов при условии, что они испытываются в аналогичных условиях.

Емкости. C ?? Есть три емкости, связанные с транзистором: входная емкость C в , выходная емкость C из и емкость Миллера 10 (или обратная связь) C fb .Разные производители используют разные названия (поэтому C ?? в заголовке), но какое именно название должно быть ясно видно из рисунка 11.

Рисунок 11 Паразитные емкости транзисторов (разные производители используют разные названия / символы)

Как мы уже видели, полевые транзисторы, особенно силовые полевые МОП-транзисторы, могут иметь значения Cin до 1 нФ или даже больше, хотя малосигнальные полевые МОП-транзисторы будут иметь гораздо меньшие значения, вероятно, в диапазоне 15-50 пФ .Тем не менее, при проектировании схем, в которых такая емкость может влиять на время нарастания или стабильность схемы, важно обеспечить, чтобы конструкция учитывала такие значения и чтобы устройства были выбраны с емкостями, допускаемыми конструкцией схемы.

ВЫБОР ТРАНЗИСТОРА

Итак, нам нужен транзистор для конструкции. Как мы выбираем?

Было бы неплохо иметь базу данных по каждому транзистору в мире, прикрепленную к электронной таблице, чтобы после ввода предельных значений каждого важного параметра мы видели список каждого из них, который соответствует нашим требованиям.К сожалению, такой список невозможно составить - он огромен и будет меняться день ото дня по мере появления новых транзисторов и устаревания старых. Однако такие дистрибьюторские компании, как Avnet, Arrow, Digi-Key, Mouser, Premier Farnell и RS Components, имеют на своих веб-сайтах системы параметрического поиска 11 , которые позволяют нам делать то же самое с тем преимуществом, что, хотя они и не показывают все устройства в мире, те, которые они показывают, вероятно, будут легко доступны.У многих производителей тоже есть такие параметрические поисковые системы, которые даже более актуальны, но преимущество дистрибьюторских систем в том, что они позволяют нам сравнивать устройства многих производителей на одном сайте и, как правило, также дают некоторое представление. фактической доступности.

Итак, ответ на вопрос - составить список необходимых параметров и выйти в онлайн. Поисковая система каждого дистрибьютора немного отличается, и, конечно, акции каждого дистрибьютора (и, возможно, цены) также различаются, поэтому, вероятно, лучше использовать более одного и сравнивать результаты.

Мы уже обсудили, какие параметры выбрать, но суммируем основные по порядку: -

Полярность: - Канал NPN / N или Канал PNP / P?
Тип: - BJT или FET?
Рабочее напряжение: - Выберите минимальное безопасное значение BV ceo или BV ds (Также может быть хорошей идеей выбрать максимальное значение, так как транзисторы с очень высоким напряжением могут иметь более низкое значение. усиление и выше V ce (sat) или R на и обязательно будут немного дороже.)
Максимальный ток: - Выберите значение = 33% выше максимального ожидаемого тока коллектора / стока. (Возможно, вам придется учитывать пиковые переходные токи, а также максимальные токи в установившемся режиме.)
Пакет: - Какой корпус, и распиновка , вам нужен? (Если устройство поставляется в нескольких упаковках, абсолютный максимальный ток и номинальная мощность могут варьироваться в зависимости от пакет выбран - проверьте это. Также в руководстве по параметрическому выбору может не быть деталей о распиновке.)
Мощность: - Какое максимальное рассеивание? (Помните, что выключатель рассеивает очень мало энергии в выключенном состоянии, а когда он включен, большая часть мощности приходится на нагрузку, а не на сам выключатель.Во время переключения рассеиваемая мощность выше, но это важно только в том случае, если устройство постоянно переключается с высокой скоростью.)

Каждый раз, когда мы выбираем транзистор, необходимо определять указанные выше параметры. Остальные могут иметь решающее значение для одних приложений и не иметь значения для других, поэтому вы должны решить для себя, какие из них имеют значение для вашего приложения, и выбрать устройства, которые соответствуют вашим требованиям. Рассмотрите весь оставшийся список, но укажите только те, которые вам действительно интересны: -

Ток утечки: - I ce0 или I ds0
Коэффициент усиления по току: - ß или h fe - Для некоторых приложений требуется ß = 100
Крутизна: - г - Редко требуется подлежит уточнению.
Пороговое напряжение затвора: - В gs (th) - Оно должно быть совместимо с уровнями любой логики, используемой для управления MOSFET в качестве переключателя, и не должно быть слишком большим, если MOSFET используется с низкое напряжение питания.
Напряжение насыщения: - В ce (sat) - Важно только тогда, когда BJT используется в качестве переключателя (логического или силового).
На сопротивлении: - R на - Важно, когда полевой МОП-транзистор используется в качестве переключателя питания, но не обычно в усилителях или логических приложениях
Коэффициент шума: - NF - Важно только в усилителях (очень) малых сигналов или малошумящие генераторы.
Частота перехода: - f t - Важна только в ВЧ усилителях или генераторах.
Время переключения: - t (on) & t (off) Этот параметр редко имеет значение, за исключением транзисторов, используемых в быстрых логических интерфейсах и быстром переключении мощности.
Емкость: - C на , C на выходе и C fb (или их версии от разных производителей.) - Эти параметры редко нужно указывать для приложений LF BJT, но поскольку MOSFET могут иметь довольно большую C в имеет смысл помещать значения наихудшего случая в SPICE-модели схем с дискретными полевыми МОП-транзисторами, чтобы гарантировать, что их емкость не является проблемой.

Когда вы введете выбранные вами параметры в поисковую систему, вы, если повезет, получите список устройств с нужными вам характеристиками. Если вы уверены, что правильно выбрали параметры, выберите от пяти до десяти самых дешевых, которые есть в наличии. Сделайте то же самое с еще парой поисковых систем дистрибьюторов, а затем сравните свои списки. Вы должны обнаружить, что они похожи - в таком случае выберите самое дешевое устройство, доступное у большинства поставщиков.

Получите SPICE-модель этого устройства и убедитесь, что она совместима с SPICE-симуляцией вашей конструкции.Если это так, создайте прототип оборудования с этим устройством и также проверьте его производительность. Если все в порядке, вы выбрали транзистор.

Однако, когда вы публикуете свой дизайн или отправляете его в производство, не указывайте устройство, которое вы выбрали, как если бы это был единственно возможный выбор. Спецификация должна выглядеть примерно так: «Транзистор TR3 представляет собой N-канальный MOSFET в корпусе TO-92 (распиновка s- g -d на контактах 1-2-3), его BV ds0 должен быть не менее + 25V, I ds (max) не должно быть меньше 250 мА , V gs (th) должно быть в пределах 600 мВ - 1.8V и C в должны быть меньше 65 пФ . Большинство полевых МОП-транзисторов, соответствующих этому описанию, должны работать в этой схеме, но анализ SPICE и создание прототипов были выполнены с помощью 2Nxxxx. Анализ SPICE для 2Nyyyy, 2Nzzzz и VNaaaa показывает, что эти устройства также должны работать хорошо, но многие другие NMOSFET-транзисторы с аналогичными характеристиками также могут быть удовлетворительными ». Конечно, вам действительно стоит провести SPICE-анализ 2Nyyyy, 2Nzzzz и VNaaaa, которые, конечно же, будут одними из самых дешевых и наиболее доступных устройств из вашего списка.

Аналогичная процедура применяется, если проект, который вы хотите использовать, требует 3N14159. и вы не можете его найти. Если у вас есть его данные, изучите схему и решите, какие из параметров устройства важны. Если вы не можете найти его данные, изучите схему и попытайтесь определить, какие параметры транзистора необходимы для правильной и безопасной работы. Попробуйте симуляцию SPICE, чтобы проверить работоспособность, но будьте немного консервативны в выборе бездымных (, т.е. безопасных - он не взорвется) значений напряжения пробоя, тока и мощности, поскольку это не ваша конструкция, и может быть что-то вы упускается из виду.Используйте выбранные вами значения в параметрическом поиске с последующей проверкой программного и аппаратного обеспечения, как описано выше. Если все пойдет хорошо, у вас есть запасные части для 3N14159, и вам не придется ехать в Тимбукту.

Джеймс Брайант Калшот - Англия Апрель 2014 г.

Вернуться к предыдущей главе

Перейти к следующей Глава

Вернуться к содержанию

Список литературы

[1] Джулиус Лиллиенфилд - Заявка на патент Канады CA272437 (1925) / Патент США US1745175 - Способ и устройство для управления электрическими токами 1930-01-28

[2] Shockley, Brattain & Bardeen - Bell Telephone Labs 1947
John Bardeen & Walter Brattain: - Патент США US2524035 - Трехэлектродный элемент схемы с использованием полупроводниковых материалов 1948-02-26 (выпущен 1950-10-03)
Уильям Шокли: - Патент США US2569347 - Элемент схемы, использующий полупроводниковый материал, 1948-06-26 (выдан 25.09.1951)

[3] http: // www.elektor.com/

[4] У каждого инженера должна быть коробка с использованными компонентами, оставшимися от предыдущих проектов, в качестве источника внезапно необходимых деталей для новых. В идеале у них должен быть разумный набор вещей, но не настолько, чтобы их было трудно искать. Спичечный коробок слишком мал, 40-футовый интермодальный контейнер обычно слишком велик (если вы не морской инженер, работающий на морских буровых установках).

[5] Разработчики интегральных схем делают это слишком часто при написании таблиц данных.Вместо того, чтобы указывать общую часть, они указывают ту, которую они фактически использовали - это был предварительный образец патагонского стартапа, который обанкротился в 1976 году, или что-то столь же нелепое. Это одна из причин высокого уровня безумия среди людей. инженеры-прикладники, которые должны убедить клиентов, что использование заменителя на самом деле не является признанием поражения и не может ускорить Армагеддон или дождь из лягушек и рыб.

[6] «Прочтите Friendly Data Sheet!»

[7] В этих ссылках обсуждается тепловой шум и коэффициенты шума в контексте резисторов и операционных усилителей, но физика в равной степени применима и для транзисторов.

http://www.analog.com/en/high-speed-op-amps/low-noise-low-distortion-amplifiers/products/raq_jb_resistor_noise_can_be_deafening_issue25/resources/faq.html?display=popup

http://www.analog.com/en/all-operational-amplifiers-op-amps/operational-amplifiers-op-amps/products/RAQ_JB_Op_Amp_Noise_can_be_Deafening_Too_Issue26/resources/faq.html?display=popup

http://www.analog.com/static/imported-files/rarely_asked_questions/moreInfo_raq_opAmpNoise2.html

[8] Cadence отлично справляется с работой по телефону
http: // www.cadence.com/Community/blogs/rf/archive/2008/07/16/measuring-transistor-ft.aspx

[9] «Прочтите дружественный технический паспорт»

[10] Назван в честь Джона Милтона Миллера, который впервые описал его эффекты в 1920 году.

https://en.wikipedia.org/wiki/John_Milton_Miller Миллер, конечно, работал с термоэмиссионными клапанами (лампами), но название и эффект до сих пор актуальны для полупроводниковых триодов (БЮТ и полевые транзисторы).

[11] Источники транзисторов
https: // avnetexpress.avnet.com/store/em/EMController/Discrete/Bipolar-Transistor/GP-BJT/_/N-100083?action=products&cat=1&catalogId=500201&categoryLink=true&cutTape=&inStock=&langId=-1&myCatalog=&ropi=html = & storeId = 500201 & term = & topSellers = & categoryLink = true и
https://avnetexpress.avnet.com/store/em/EMController/Discrete/Transistor/MOSFET/_/N-100099?action=products&cat=1&catalogId=500201&category&categoryLink=tape & inStock = & langId = -1 & myCatalog = & npi = & proto = & RegionalStock = & rohs = & storeId = 500201 & term = & topSellers = & categoryLink = true

http: // компоненты.arrow.com/semiconductor-discrete/transistors/ и
http://components.arrow.com/part/search/%5E7/42/855?region=na&whereFrom=gnav и
http://components.arrow.com/ part / search /% 5E7 / 42/942? region = na & whereFrom = gnav

http://www.digikey.com/product-search/en/discrete-semiconductor-products/transistors-bjt-single/1376376?k=transistor и
http://www.digikey.com/product-search/en / Discrete-Semiconductor Products / fets-single / 1376381? k = транзистор

http: // www.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Transistors-Bipolar-BJT/_/N-ax1sh/ и
http://www.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET/_/N- ax1sf /

http://uk.farnell.com/transistors-bipolar-bjt-single и http://uk.farnell.com/mosfets

http://uk.rs-online.com/web/c/semiconductors/discrete-semiconductors/bipolar-transistors/ и
http://uk.rs-online.com/web/c/semiconductors/discrete-semiconductors/ МОП-транзисторы /

Все транзисторы.Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов.

BJT TOP50: 2N2222 | 2N3055 | BC547 | 2N3904 | 2N2222A | BC107 | C945 | BC548 | BD139 | 8050 | S8050 | BC557 | BC337 | TIP31 | D882 | AC128 | BC108 | S9014 | C1815 | BD140 | 2N3906 | S8550 | 8550 | 2SC945 | 2SC5200 | BC547B | 2N5551 | MJE13003 | 9014 | BC549 | BC148 | TIP122 | 9013 | 2N2907 | BC558 | BC327 | C102 | A733 | 2SC1815 | 2N60C | 2N222 | 2N4401 | BC109 | BD135 | S9013 | BC546 | A1015 | 9012 | 431 | 2N3773

MOSFET TOP30: IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 | IRF540 | IRF840 | BS170 | IRFZ44 | IRF640 | IRF540N | 2N7000 | IRF630 | IRFP460 | IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 | IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 | BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 | IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 | IRF830 | 2N5484 | IRF730 | IRF150 | STF5N52U | 2360

IGBT TOP15: IRGP4086 | CT60AM-18F | FGPF4633 | G40N60B3 | IRG7IC28U | G20N60B3D | IXGR40N60C2D1 | G7N60C3D | РДЖП30х2ДПД | ИКВ50Н60х4 | 10Н40Ф1Д | GT60M303 | ФГх50Н60СФД | IRG4BC30W-S | IRG4PC50UD

КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ

Выбор замены биполярного транзистора

Материал =

Структура =

Пк> Вт

Vcb> V

Vce> V

Вэб> В

Ic> А

Tj> C

футов> МГц

куб.см пФ

Hfe>

Колпачки =

R1 = кОм

R2 = кОм

R1 / R2 =

Пустые или нулевые поля при поиске игнорируются!

Как выбрать замену биполярному транзистору 🔗

ИТОГО: 127237 транзисторов


5.2: Соединительный полевой транзистор (JFET) в качестве переключателя

Как и его биполярный собрат, полевой транзистор может использоваться в качестве переключателя включения / выключения, управляющего подачей электроэнергии на нагрузку. Давайте начнем наше исследование JFET как переключателя с нашей знакомой схемы переключатель / лампа:

Помня, что управляемый ток в полевом транзисторе JFET протекает между истоком и стоком, мы заменяем соединения истока и стока полевого транзистора на два конца переключателя в приведенной выше схеме:

Если вы еще не заметили, соединения истока и стока на полевом транзисторе JFET выглядят идентично на условном обозначении.В отличие от транзистора с биполярным переходом, где эмиттер четко отделен от коллектора стрелкой, линии истока и стока полевого транзистора проходят перпендикулярно полосе, представляющей канал полупроводника. Это не случайно, так как линии истока и стока полевого транзистора на практике часто взаимозаменяемы! Другими словами, полевые транзисторы JFET обычно способны обрабатывать ток в канале в любом направлении, от истока к стоку или от стока к истоку.

Теперь все, что нам нужно в схеме, - это способ контролировать проводимость полевого транзистора.Если между затвором и истоком приложено нулевое напряжение, канал полевого транзистора будет «открыт», пропуская полный ток к лампе. Чтобы выключить лампу, нам нужно будет подключить другой источник постоянного напряжения между затвором и истоком полевого транзистора, например:

Замыкание этого переключателя приведет к «защемлению» канала JFET, заставляя его отключаться и выключая лампу:

Обратите внимание, что через ворота не проходит ток. Как PN-переход с обратным смещением, он препятствует прохождению через него любых электронов.Как устройство, управляемое напряжением, JFET требует незначительного входного тока. Это преимущество JFET по сравнению с биполярным транзистором: управляющий сигнал практически не требует мощности.

При повторном открытии управляющего переключателя на затворе должно отключаться постоянное напряжение обратного смещения, что позволяет транзистору снова включиться. Во всяком случае, в идеале это работает так. На практике это может вообще не работать:

Почему это? Почему канал JFET не открывается снова и не пропускает ток лампы, как это было раньше, без напряжения между затвором и истоком? Ответ кроется в работе перехода затвор-исток с обратным смещением.Область истощения внутри этого перехода действует как изолирующий барьер, отделяющий затвор от источника. Таким образом, он обладает определенной емкостью , способной сохранять потенциал электрического заряда. После того, как этот переход был принудительно смещен в обратном направлении посредством приложения внешнего напряжения, он будет иметь тенденцию удерживать это напряжение обратного смещения в качестве накопленного заряда даже после того, как источник этого напряжения был отключен. Чтобы снова включить полевой транзистор, необходимо сбросить накопленный заряд между затвором и истоком через резистор:

Значение этого резистора не имеет большого значения.Емкость перехода затвор-исток полевого транзистора очень мала, и поэтому даже довольно большой резистор утечки создает быструю постоянную времени RC, позволяя транзистору возобновлять проводимость с небольшой задержкой после размыкания переключателя.

Как и биполярный транзистор, не имеет значения, откуда и какое управляющее напряжение исходит. Мы могли бы использовать солнечную батарею, термопару или любое другое устройство, генерирующее напряжение, для подачи напряжения, контролирующего проводимость полевого транзистора. Все, что требуется от источника напряжения для работы переключателя JFET, - это , достаточное напряжение , чтобы обеспечить отсечку канала JFET.Этот уровень обычно находится в области нескольких вольт постоянного тока и называется напряжением отсечки или отсечки . Точное напряжение отсечки для любого данного JFET зависит от его уникальной конструкции и не является универсальной величиной, например 0,7 В для напряжения перехода база-эмиттер кремниевого BJT.

Обзор

  • Полевые транзисторы регулируют ток между соединениями истока и стока с помощью напряжения, приложенного между затвором и истоком. В полевом транзисторе (JFET) с переходом и существует PN переход между затвором и истоком, который обычно имеет обратное смещение для управления током исток-сток.
  • JFET
  • - это нормально включенные (нормально насыщенные) устройства. Приложение напряжения обратного смещения между затвором и истоком вызывает расширение обедненной области этого перехода, тем самым «защемляя» канал между истоком и стоком, через который проходит управляемый ток.
  • Может потребоваться установить «отводящий» резистор между затвором и истоком, чтобы разрядить накопленный заряд, накопленный на естественной емкости перехода при снятии управляющего напряжения.В противном случае может остаться заряд, чтобы JFET оставался в режиме отсечки даже после отключения источника напряжения.

Методология систематического проектирования надежных генетических транзисторов на основе спецификаций ввода-вывода с использованием библиотек промотор-RBS | BMC Systems Biology

Конструирование библиотек промотор-RBS для генетических транзисторов

В этом разделе мы представляем характеристику и стандартизацию библиотек промотор-RBS и используем динамическую математическую модель для конструирования библиотек промотор-RBS в соответствии с идентифицированной кинетикой. сильные стороны компонентов промотор-RBS, полученные с помощью экспериментальных данных.

Библиотеки промотор-RBS на основе идентифицированной кинетической силы компонентов промотор-RBS

В систематической процедуре проектирования характеристика и стандартизация компонентов являются важными подготовительными задачами перед практическим процессом проектирования. Это может сэкономить дизайнерам значительное количество времени и избежать ненужных попыток проб и ошибок. В области синтетической биологии был разработан особый метод создания стандартных взаимозаменяемых биологических компонентов под названием BioBricks [30, 31].Это позволяет биологам-синтетикам сосредоточиться на разработке более сложных генетических цепей, а не на базовой конструкции компонентов генов.

BioBricks - это фрагменты ДНК со специфическими функциями, которые включают промоторы, сайты связывания рибосом (RBS), репрессоры, активаторы, репортеры и терминаторы. В базе данных есть только несколько хорошо охарактеризованных компонентов BioBrick. Хорошо охарактеризованные компоненты BioBrick способствуют систематическому проектированию синтетических генетических цепей.Чтобы облегчить проектирование цепей синтетических генов, необходимо создать более широкие библиотеки хорошо охарактеризованных BioBricks.

В наших библиотеках промотор-RBS библиотечные индексы представляют собой кинетические силы промотора и RBS, которые вместе рассматриваются как компонент промотор-RBS, поскольку экспрессия гена регулируется компонентом промотор-RBS. Кинетическая сила компонента промотор-RBS может быть систематически идентифицирована с помощью стохастической модели, которая имитирует динамическое поведение компонентов RBS-промотор при некоторых внешних молекулярных шумах или шумах окружающей среды.Чтобы определить кинетическую силу компонента промотор-RBS, ген зеленой флуоресценции встраивают ниже по ходу потока компонента промотор-RBS. Измеряя динамический временной профиль флуоресценции и используя метод нелинейных наименьших квадратов [32], мы определяем кинетические силы компонентов промотор-RBS, которые будут использоваться в качестве индексов библиотек промотор-RBS.

Процедуру конструирования библиотек промотор-RBS можно в целом разделить на четыре этапа [33]: (i) выбрать необходимые компоненты промотор-RBS, (ii) выбрать подходящий репортерный белок и условия роста, (iii) измерить данные временного профиля динамического поведения и (iv) построение динамической регуляторной модели для определения кинетической силы компонентов промотор-RBS, которые будут использоваться в качестве библиотечных индексов, согласно нелинейному методу наименьших квадратов.На первом этапе некоторые промоторы могут регулироваться специфическими факторами транскрипции, а различные комбинации промоторов с RBS дают разную кинетическую силу компонентов промотор-RBS, что увеличивает разнообразие библиотек. Чтобы быстро получить различные кинетические силы компонентов промотор-RBS, была использована методика мутаций для создания различной кинетической силы промоторов и RBS для увеличения разнообразия компонентов промотор-RBS посредством мутации определенной области на промоторах или RBS. [18, 33].На втором и третьем этапе, поскольку разные репортерные белки, такие как зеленый флуоресцентный белок или красный флуоресцентный белок, имеют разные скорости разложения, время измерения может отличаться. Кроме того, на результаты измерения влияют условия роста клеток. Биологический компонент можно охарактеризовать на разных фазах клеточного роста, в разных условиях культивирования или в разных разрешениях. В нашем эксперименте GFP выбран в качестве репортерного белка, и временные профили флуоресценции измеряются считывателем микропланшетов.На последнем этапе создается математическая динамическая модель для описания временного профиля экспрессии белка. Используя измерения временного профиля экспрессии белка, нелинейный метод наименьших квадратов используется для определения кинетической силы компонентов промотор-RBS, которые должны использоваться в качестве библиотечных индексов с математической моделью. Для систематического дизайна генетических транзисторов мы сконструировали три вида библиотек промотор-RBS: , т.е. , конститутивные, регулируемые репрессором и регулируемые активатором библиотеки промотор-RBS.Компоненты промотор-RBS в библиотеках промотор-RBS и все компоненты BioBrick, использованные в этом исследовании, перечислены в дополнительном файле 1 соответственно. Подробные процедуры конструирования конститутивных, регулируемых репрессором и регулируемых активатором библиотек промотор-RBS описаны в дополнительном файле 1.

Конструирование и конструирование генетического транзистора

После введения регуляторных функций компонентов промотор-RBS и конструкции библиотек промотор-RBS мы проектируем синтетическую генетическую схему, похожую на транзистор, с заданными характеристиками ввода / вывода для усиления или переключения через внешний индуктор.Перед созданием синтетического генетического транзистора мы вводим простую работу электронного транзистора в Дополнительный файл 1, для которого генетический транзистор будет разработан соответствующим образом.

Конструкция генетического транзистора

Генетический транзистор показан на рисунке 1 (а). Транзистор сконструирован для получения выходной концентрации белка x белка транзистора для усиления или переключения.Генетический транзистор состоит из регулируемого репрессором промоторного компонента RBS c 3 и гена, кодирующего репрессор. Входной репрессор x репрессор 2 для генетического транзистора контролируется репрессор-регулируемым промотором-компонентом RBS c 2 , который регулируется соответствующим репрессором. Входной репрессор x репрессор 2 будет формировать комплекс и ограничивать производство выходного белка x белка путем связывания соответствующего регулируемого репрессором промотора-компонента RBS c 3 для уменьшения его кинетической силы.Однако при добавлении индуктора этот индуктор будет связывать входной репрессор x репрессор 2 и предотвращать его связывание с регулируемым репрессором компонентом промотор-RBS c 3 . Затем, как кинетическая сила регулируемого репрессором промотора-компонента RBS c 3 , так и продукция выходящего белка x белка увеличится. Динамическая модель генетического транзистора описывается следующим образом:

x˙repressor2c2, t = prepressorPM, c2, Pm, c2,0,0-μ + γrepressor2xrepressor2c2, tx˙proteinc3, t = prepressorPM, c3, Pm, c3, xrepressor2, I2-μ + γproteinxproteinc3, т

(1)

где x репрессор 2 и x белок обозначают концентрации входящего репрессора2 и выходного белка генетического транзистора соответственно, а γ белка обозначает скорость разложения белка.

Рисунок 1

Представление цепи синтетического генетического транзистора. (а) Генетический транзистор. (б) Генетический транзистор с измерительной схемой. Входной сигнал генетического транзистора измеряется репортером RFP, а выходной сигнал генетического транзистора измеряется репортером GFP.

Однако концентрацию белка трудно измерить напрямую и количественно. Для определения характеристик синтетического генетического транзистора создается генетический транзистор с измерительной схемой, как показано на рисунке 1 (b).На рисунке 1 (b) мы конструируем дополнительный регулируемый репрессором промотор-компонент RBS c 2 так, чтобы входной репортерный белок x 1 можно было измерить с помощью входной флуоресценции g 1 и выходной репортерный белок x 2 можно измерить по выходной флуоресценции г 2 . Обратите внимание, что RFP используется для измерения входных данных, а GFP - для измерения выходных данных. Дополнительно, для удобства регулирования входа, мы сконструируем устройство генерации входного сигнала с концентрацией индуктора I 1 для управления входом g 1 цепи генетического транзистора.Тогда динамическая модель цепи синтетического генетического транзистора с измерительными устройствами ввода-вывода в условиях окружающей среды описывается следующей системой уравнений:

x˙repressor1c1, t = pconstPc1-μ + γrepressor1xrepressor1c1, t + v1tx˙repressor2c2, t = препрессорPM, c2, Pm, c2, xrepressor1, I1-μ + γrepressor2xrepressor2c2, t + v2tx˙1c2, t = prepressorPM, c2, Pm, c2, xrepressor1, I1-m1 + μ + γim, x1x1c2, t + v3 , t = m1⋅x1c2, t-μ + γm, x1g1 (c2, t) + v4 (t) x˙2c3, t = prepressorPM, c3, Pm, c3, xrepressor2, I2-m2 + μ + γim, x2x2c3, t + v5tg˙2c3, t = m2⋅x2c3, t-μ + γm, x2g2c3, t + v6 (t), c1∈Libconst, c2andc3∈Librepressor

(2)

, где м 1 и м 2 обозначают темпы созревания репортера1 x 1 и репортера2 x 2 , соответственно, и v i ( t ), i = 1, 2, ⋯, 6 обозначают шумы.

Чтобы исследовать характеристики ввода / вывода синтетического генетического транзистора с функцией усиления или переключения, модель устойчивого состояния (2) задается формулой

xrepressor1c1 = pconstPc1 / μ + γrepressor1 + vs1xrepressor2c2, I1 = prepressorPM, c2 , Pm, c2, xrepressor1, I1 / μ + γrepressor2 + vs2x1c2, I1 = prepressorPM, c2, Pm, c2, xrepressor1, I1 / m1 + μ + γim, x1 + vs3g1c2, I1 = m1⋅x1c2 / μ + γm, x1 + vs4x2c3, I1, I2 = препрессор PM, c3, Pm, c3, xrepressor2, I2 / m2 + μ + γim, x2 + vs5g2c3, I1, I2 = m2⋅x2c3 / μ + γm, x2 + vs6, c1∈Libconst, c2andc3 ∈Либрепрессор

(3)

где vsi, i = 1, 2, ⋯, 6 обозначают шумы в установившемся режиме.

Из (3), если м 1 м 2 , γm, x1≈γm, x2 и γim, x1≈γim, x2, то характеристика ввода / вывода может рассматриваться как входная / выход = x репрессор 2 / x белок x 1 / x 2 г 1 / г 2 , то есть мы могли бы использовать x 1 / x 2 или г 1 / г 2 соотношение для замены характеристики ввода / вывода синтетического генетического транзистора.Кроме того, характеристику ввода-вывода можно контролировать и регулировать путем выбора компонентов промотор-RBS c 3 и концентрации индуктора I 2 . Следовательно, нам необходимо определить характеристики ввода-вывода синтетических схем генетических транзисторов, чтобы разработать генетический транзистор с желаемой характеристикой ввода-вывода. Это делается следующим образом:

yssc3, I2, g1c2, I1 = g2c3, I1, I2, g1∈g1e, g1na.u.

(4)

где y ss ( c 3 , I 2 , g 1 ) обозначает ответ ввода-вывода цепи синтетического генетического транзистора между входным сигналом g 1 и выходным сигналом g 2 и g 1e и g 1 n обозначают нижнюю и верхнюю границы g 1 .а.е. обозначает произвольную единицу.

На рисунке 1 (b), компоненты промотор-RBS c 1 и c 2 могут быть выбраны для управления входными сигналами x репрессор 1 ( c 1 ) и x репрессор 2 ( c 2 , I 1 ) в (3). В общем, генетические компоненты в биологической системе по своей природе неопределенны в результате шумов экспрессии генов в процессах транскрипции или трансляции, тепловых флуктуаций, мутаций ДНК, эволюции, зависимости от контекста между промоторами, 5'UTR и кодирующих последовательностей, а также ошибки оценки параметров [34–37].Следовательно, мы моделируем неопределенную кинетическую силу компонентов промотор-RBS, скорость деградации белков и скорости транскрипции / трансляции как стохастические процессы в следующей модели:

Pc1 → Pc1 + ΔPc1n1t, PM, c2 → PM, c2 + ΔPM, c2n2t , Pm, c2 → Pm, c2 + ΔPm, c2n2t, PM, c3 → PM, c3 + ΔPM, c3n3t, Pm, c3 → Pm, c3 + ΔPm, c3n3t, γrepressor1 → γrepressor1 + Δγrepressor1n1t, γ∆repressor2 + γrepressor2 → γrepressor2 → γrepressor2 , x1 → γim, x1 + Δγim, x1n2t, γm, x1 → γm, x1 + Δγim, x1n2t, γim, x2 → γim, x2 + Δγim, x2n3t, γm, x2 → γm, x2 + Δγm, x2n3t, m1 → m1 + Δm1n2t, m2 → m2 + Δm2n3t, μ → μ + Δμn1t

(5)

где ΔPc1, ΔPM, c2, ΔPm, c2, ΔPM, c3, ΔPm, c3, Δ γ репрессор 1 , Δ γ репрессор 2 , Δγim, x1 , Δγim, x2, Δγm, x2, Δ м 1 , Δ м 2 и Δ μ обозначают стандартные отклонения стохастических параметров, которые допускаются и могут быть указаны перед проектированием, а n и ( t ), i = 1, 2, 3 обозначают гауссовские шумы с нулевым средним и единичной дисперсией.Следовательно, ΔPc1, ΔPM, c2, ΔPm, c2, ΔPM, c3, ΔPm, c3, Δ γ репрессор 1 , Δ γ репрессор 2 , Δγim, x1, Δγm, Δγim, x2, Δγm, x2, Δ м 1 , Δ м 2 и Δ μ обозначают детерминированные части вариаций параметров, а n i ( t ), i = 1, 2, 3 обозначают различные источники случайных колебаний. Для надежного проектирования схемы генетического транзистора эти колебания параметров в (5) впредь будут учитываться в процедуре проектирования, чтобы синтетический генетический транзистор мог выдерживать такие колебания параметров in vivo .

При фиксированной концентрации индуктора I 2 , мы ожидаем, что входной сигнал g 1 / выходной сигнал g 2 (I / O) характеристики синтетического генетического транзистора в (4) будет аналогична характеристикам ввода-вывода электронного транзистора, показанным в Дополнительном файле 1. Когда концентрация индуктора I 1 увеличивается, кинетическая сила компонента промотор-RBS c 2 увеличивается вместе с флуоресценция входного сигнала g 1 , что означает, что концентрация репрессора x репрессора 2 увеличивается.Из-за фиксированной концентрации индуктора I 2 избыточные репрессоры x репрессор 2 , которые не связаны индуктором I 2 , будут репрессировать компонент промотор-RBS c 3 , а флуоресценция выходного сигнала g 2 уменьшится. Следовательно, характеристика ввода / вывода синтетического генетического транзистора аналогична Дополнительному файлу 1. Кроме того, из Дополнительного файла 1 мы видим, что если входной сигнал находится в рабочем диапазоне линейного усиления, входной сигнал будет усилен обратно.

Теперь рассмотрим альтернативную точку зрения, , то есть , характеристики ввода / вывода напряжения электронного транзистора. Когда R 2 / R 1 увеличивается, усиление обратного усиления станет большим, и рабочая область линейного усиления сузится, как показано в (B1) - (B3) и дополнительном файле 1. В синтетическом генетический транзистор, мы ожидаем, что когда концентрация индуктора I 2 изменится в соответствии с соотношением R 2 / R 1 в (B2) - (B3), характеристики ввода / вывода будут быть аналогичным характеристикам напряжения ввода / вывода электронного транзистора в дополнительном файле 1.Из-за различных концентраций индуктора I 2 влияние индуктора на входной репрессор может варьироваться. Когда концентрация индуктора I 2 уменьшается, характеристики ввода / вывода будут более резкими, поэтому коэффициент обратного усиления становится большим в рабочей области линейного усиления.

Наконец, когда R 2 / R 1 достаточно велик в (B2) - (B3), рабочая область линейного усиления станет слишком узкой и приведет к резкому изменению в этой области.Соответственно, с синтетическим генетическим транзистором, когда концентрация индуктора I 2 достаточно низкая, входной сигнал g 1 будет давать небольшое изменение, а выходной сигнал g 2 будет иметь острый изменится как выключатель. Следовательно, согласно приведенному выше анализу, мы можем получить различные коэффициенты усиления обратного усиления и уровни переключения, изменяя концентрацию индуктора I 2 .

Систематический дизайн генетического транзистора на основе проектной спецификации

Согласно приведенному выше анализу на Рисунке 1 (b), мы можем получить различные коэффициенты усиления обратного усиления или поведения переключения посредством регулирования различных концентраций индуктора I 2 .Кроме того, из-за того, что выходной сигнал g 2 находится под контролем компонента промотор-RBS c 3 , мы можем изменить выходной диапазон, выбрав различные компоненты промотор-RBS, регулируемые репрессором c 3 из репрессор-регулируемых промоторных библиотек RBS. Таким образом, мы можем управлять характеристиками ввода-вывода синтетического генетического транзистора для получения различных коэффициентов усиления обратного усиления или переключения уровней путем выбора различных концентраций индуктора I 2 и выбора различных компонентов промотор-RBS, регулируемых репрессором c 3 из репрессор-регулируемых промоторных библиотек RBS.

На рисунке 1 (b) устройство генерации входного сигнала состоит из конститутивного компонента промотор-RBS c 1 и регулируемого репрессором компонента RBS-промотора c 2 и индуктора I 1 . Составной промотор-компонент RBS c 2 выбран для непрерывного получения входного репрессора. Кроме того, для удобства конструирования компонент c промотор-RBS, регулируемый репрессором, 2 выбран из соответствующей библиотеки промотор-RBS, чтобы иметь достаточную кинетическую силу для получения адекватного максимального диапазона регуляции входного сигнала, регулируемого индуктором I. 1 .Однако рабочая область линейного усиления все еще ограничена в конструкции усилителя генетического транзистора, и диапазон входного сигнала может не полностью содержаться в рабочей области линейного усиления. Следовательно, диапазон входного сигнала следует рассматривать в зависимости от цели проектирования. В процедуре проектирования усилителя рабочий диапазон входа g 1 ∈ [ g 1, l , g 1, u ] может быть установлен путем преобразования концентрации индуктора I 1 во входную флуоресценцию в соответствии с (2) или (3) следующим образом

Рабочий диапазон ввода:

I1∈I1, l, I1, u⇒g1∈g1, l, g1, ua.u.

(6)

, где I 1 и г 1 обозначают концентрацию индуктора и входную флуоресценцию, соответственно, I 1, l и I 1, u обозначают нижнюю и верхняя граница концентраций индуктора, соответственно, и г 1, г и г 1, и обозначают нижнюю и верхнюю границу входной флуоресценции соответственно.

Обратите внимание, что в будущем, когда библиотеки RBS-промотора станут достаточно большими, компоненты RBS-промотора c 1 и c 2 могут быть спроектированы и выбраны в соответствии с диапазоном операций ввода. Однако из-за ограниченного размера наших библиотек промотор-RBS и для удобства проектирования мы выберем регулируемый репрессором компонент промотор-RBS c 2 из соответствующей библиотеки промотор-RBS.

Исходя из приведенного выше анализа, назначение усилителя приведет к выбору подходящего компонента промотор-RBS, регулируемого репрессором, c 3 из библиотек, регулируемых репрессором, промотор-RBS и концентрации индуктора I 2 , и.е. , { c 3 , I 2 }, так что характеристики ввода-вывода синтетического генетического транзистора в (4) в определенном диапазоне ввода г 1 ∊ [ г 1, l , g 1, u ] может соответствовать желаемому отклику ввода / вывода аналогично (B2), , т.е. ,

ydg1 = gain⋅g1-g1, l + g2 , u, g1∈g1l, g1ua.u.

(7)

, где g 1, l и g 2, u обозначают нижнюю границу входной флуоресценции g 1 и верхнюю границу выходной флуоресценции g 2 , соответственно, а усиление обозначает усиление генетического транзистора.

С другой стороны, переключение будет происходить, когда входной сигнал имеет небольшое изменение (см. Дополнительный файл 1), то есть , сигнал высокого уровня может быть переключен на сигнал низкого уровня и наоборот. При переключении синтетического генетического транзистора каждый компонент промотор-RBS имеет свой собственный базальный уровень. Таким образом, когда входной сигнал увеличивается, выходной сигнал быстро снижается до базового уровня. Следовательно, желаемый отклик ввода-вывода коммутатора описывается следующим образом:

ydg1 = Ls + Hs-Ls1 + g1 / gt2, g1∈g1l, g1ua.u.

(8)

где H s и L s обозначают соответственно высокий и низкий уровень переключения, а g t обозначает точку перехода входной флуоресценции. Кроме того, диапазон входного сигнала характеристик ввода / вывода коммутатора может быть установлен с помощью (6).

Наконец, для согласования желаемой реакции ввода-вывода усилителя или переключателя используется генетический алгоритм (GA) для выбора адекватного регулируемого репрессором промотора-компонента RBS c 3 в регулируемом репрессором промоторе. Библиотеки RBS и концентрация индуктора I 2 для минимизации следующей функции стоимости [38], соответственно, i.е. ,

minc3∈Librepressor, I2∈I2, l, I2, uJc3, I2 = minc3∈Librepressor, I2∈I2, l, I2, uE∫g1, lg1, uyssc3, I2, g1-ydg12dg1

(9)

Чтобы обобщить описанную выше процедуру проектирования биологического усилителя и переключателя, предлагается следующая процедура проектирования генетического транзистора с помощью метода поиска в библиотеке промотор-RBS с использованием ГА [38]:

  1. 1.

    Постройте схему генетического транзистора, как показано на рисунке 1 (а).

  2. 2.

    Постройте динамическую и установившуюся математические модели в (2) и (3) соответственно.

  3. 3.

    Предоставьте проектную спецификацию усилителя с желаемой характеристикой ввода / вывода, как в (6) и (7), или переключите с желаемой характеристикой ввода / вывода, как в (6) и (8).

  4. 4.

    Приведите стандартные отклонения флуктуаций параметров и нарушений окружающей среды, которые должны быть допустимы in vivo в (5).

  5. 5.

    Минимизируйте функцию затрат J ( c 3 , I 2 ) в (9), выбрав оптимальный набор { c 3 , I 2 } через GA.

На основе процедуры конструирования генетического транзистора с использованием метода поиска в библиотеке промотор-RBS с GA, компонент промотор-RBS c 3 выбран из соответствующей библиотеки промотор-RBS, регулируемой репрессором, и концентрации индуктора I 2 выбирается в пределах [ I 2, l , I 2, u ], а функция стоимости вычисляется на каждой итерации процесса выбора.Затем GA выберет наиболее подходящий компонент промотор-RBS c 3 из соответствующей регулируемой репрессором библиотеки промотор-RBS и концентрацию индуктора I 2 ∊ [ I 2, 1 , I 2, u ], чтобы минимизировать функцию стоимости.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *