Какие существуют отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Как правильно подобрать замену импортному транзистору. Где найти таблицу соответствия транзисторов разных производителей. На что обращать внимание при замене полупроводниковых приборов.
Типы и функции транзисторов в электронных схемах
Транзистор — ключевой элемент современной электроники, выполняющий функции усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Какие основные типы транзисторов используются в электронных устройствах.
- Биполярные транзисторы — имеют два p-n перехода и три вывода (эмиттер, база, коллектор). Широко применяются для усиления тока и напряжения.
- Полевые транзисторы — работают за счет эффекта поля, управляются напряжением. Используются как ключи и регуляторы тока.
- Однопереходные транзисторы — имеют один p-n переход и два базовых вывода. Применяются в генераторах и переключающих схемах.
В зависимости от типа проводимости полупроводника различают n-p-n и p-n-p биполярные транзисторы. Полевые транзисторы бывают с управляющим p-n переходом и с изолированным затвором.
![](/800/600/http/i2.wp.com/diagram.com.ua/list/sound/sound11-1.gif)
Параметры транзисторов, важные при замене
При подборе аналога транзистора необходимо учитывать его ключевые характеристики. На какие параметры следует обращать внимание в первую очередь.
- Структура (n-p-n или p-n-p для биполярных)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
- Максимальный ток коллектора
- Коэффициент усиления по току
- Граничная частота усиления
- Максимальная рассеиваемая мощность
- Корпус транзистора
Важно, чтобы параметры заменяющего транзистора были не хуже оригинального. Допускается незначительное превышение характеристик, но не в ущерб другим параметрам.
Отечественные аналоги зарубежных транзисторов
Для многих импортных транзисторов существуют отечественные аналоги с близкими характеристиками. Как подобрать российский эквивалент зарубежному полупроводнику.
Популярные соответствия:
- 2N3904 (NPN) — КТ315
- 2N3906 (PNP) — КТ361
- BC547 (NPN) — КТ3102
- BC557 (PNP) — КТ3107
- 2N2222 (NPN) — КТ3102
- BD139 (NPN) — КТ815
- BD140 (PNP) — КТ814
- TIP41 (NPN) — КТ818
- TIP42 (PNP) — КТ816
При выборе аналога важно сверять основные параметры по справочным данным. Не все транзисторы полностью взаимозаменяемы.
![](/800/600/https/i.pinimg.com/736x/7b/81/60/7b81603ca336e31eda86031d6610df42--electronics-components-electronics-projects.jpg)
Таблицы соответствия зарубежных и отечественных транзисторов
Для упрощения поиска аналогов существуют специальные таблицы соответствия. Где можно найти такие таблицы и как ими пользоваться.
Основные источники информации:
- Справочники по полупроводниковым приборам
- Онлайн-базы данных компонентов
- Сайты производителей электронных компонентов
- Форумы радиолюбителей
Особенности замены транзисторов в различных устройствах
При замене транзисторов в электронной аппаратуре следует учитывать специфику конкретных устройств. Какие нюансы важно принимать во внимание.
Замена в усилителях мощности:
- Подбирать транзисторы с идентичными частотными характеристиками
- Учитывать максимальную рассеиваемую мощность
- Проверять соответствие коэффициентов усиления
Замена в источниках питания:
- Особое внимание уделять максимальному напряжению и току
- Проверять рассеиваемую мощность и тепловой режим
- Учитывать быстродействие транзисторов
Замена в цифровых схемах:
- Подбирать транзисторы с близкими частотными свойствами
- Проверять время переключения и насыщения
- Учитывать входную емкость транзисторов
В каждом случае важно тщательно анализировать схему и режимы работы заменяемого транзистора.
![](/800/600/https/i3.wp.com/cxema.my1.ru/_pu/40/55430410.png)
Рекомендации по подбору аналогов транзисторов
При самостоятельном подборе замены транзистору важно придерживаться определенных правил. Какие рекомендации помогут правильно выбрать аналог.
- Сверяйте основные электрические параметры (напряжение, ток, мощность)
- Учитывайте частотные свойства и быстродействие
- Проверяйте совместимость цоколевки и корпуса
- При возможности выбирайте транзисторы той же серии
- Обращайте внимание на температурные характеристики
- Оценивайте влияние на режимы работы схемы
- По возможности проводите практическое тестирование
Важно понимать, что прямая замена не всегда возможна. Иногда требуется корректировка схемы или подбор нескольких вариантов.
Практические примеры замены транзисторов
Рассмотрим несколько конкретных примеров замены зарубежных транзисторов на отечественные аналоги. Как правильно подобрать замену в различных ситуациях.
Пример 1: Замена BC547 на КТ3102
BC547 — популярный маломощный NPN транзистор. Его отечественным аналогом является КТ3102.
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 45В (BC547), 50В (КТ3102)
- Максимальный ток коллектора: 100 мА (оба)
- Коэффициент усиления: 110-800 (BC547), 100-500 (КТ3102)
- Корпус: TO-92
КТ3102 имеет схожие характеристики и может использоваться как прямая замена BC547 в большинстве схем.
![](/800/600/https/radiocon-net.narod.ru/page62/transistors/tranz2.gif)
Пример 2: Замена TIP41C на КТ818А
TIP41C — мощный NPN транзистор. Близким отечественным аналогом является КТ818А.
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100В (TIP41C), 40В (КТ818А)
- Максимальный ток коллектора: 6А (TIP41C), 10А (КТ818А)
- Рассеиваемая мощность: 65Вт (TIP41C), 50Вт (КТ818А)
- Корпус: TO-220
КТ818А уступает по напряжению, но превосходит по току. Замена возможна, если не требуется высокое напряжение.
При замене транзисторов важно тщательно анализировать все параметры и учитывать особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка номиналов сопутствующих элементов.
Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:
Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:
В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Таблицы зарубежных аналогов транзисторовЕсли вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их — напишите об этом в комментариях внизу страницы! Таблица аналогов биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы до 40 В
Биполярные транзисторы до 60 В
Биполярные транзисторы до 70 В
Биполярные транзисторы до 80 В
Биполярные транзисторы до 130 В
Биполярные транзисторы до 160 В
Биполярные транзисторы до 200 В
Биполярные транзисторы до 250 В
Биполярные транзисторы до 300 В
Биполярные транзисторы до 400 В
Биполярные транзисторы до 500 В
Биполярные транзисторы до 600 В
Биполярные транзисторы до 700 В
Биполярные транзисторы до 800 В
Биполярные транзисторы до 900 В
Биполярные транзисторы до 1500 В
Биполярные транзисторы свыше 2000 В
Однопереходные транзисторы
Мощные полевые транзисторы
Слабые полевые транзисторы
Была ли статья полезна?Да Нет Оцените статью Что вам не понравилось? Другие материалы по темеАнатолий Мельник Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент. |
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ
АНАЛОГИ ТРАНЗИСТОРОВ
Очередной раз столкнувшись с необходимостью искать по справочникам замену импортным и отечественным транзисторам, решил создать таблицу аналогов. Полные и функциональные аналоги. Даташит на каждый транзистор можно посмотреть введя название в поисковую форму datasheet в правой части сайта. Цены на радиодетали смотрите в любом интернет магазине.
ИМПОРТНЫЙ — ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ
1561-1008 2Т874А
1561-1015 2Т874Б
2005A 2Т942Б
2023-1,5 2Т9155Б
2023-1,5T КТ9153А
2023-3 2Т9155А
2023-6 2Т9146А, 2Т9158Б
2023-12 2Т9146Б
2023-16 2Т9146В
2307(A) 2Т9103А
46120 2Т962Б
222430 2Т9158А
27AM05 КТ9170А
2L08 2Т937А
2L15A 2Т937Б
2L15B КТ937Б
2N656 КТ6111А, Б
2N657 КТ6111В, Г
2N709 КТ397А
2N735A 2Т3130Г
2N739 КТ117БМ
2N844 КТ117ГМ, 2Т3130Д
2N1051 КТ6110В, Г, Д
2N1573 КТ117ВМ
2N1820 2Т862А
2N1923 КТ117АМ
2N2218 2Т649А, КТ928А
2N2218A КТ647А
2N2219 КТ928Б
2N2219A КТ928В
2N2221 КТ3117А
2N2222A КТ3117Б
2N2224 КТ638А
2N2369 КТ3142А
2N2459 2Т3130В
2N2463 2Т3130Б
2N2615 КТ3132Д
2N2616 КТ3132Е
2N2646 КТ132А
2N2647 КТ132Б
2N2712 КТ315А, Б
2N2784 КТ3101АМ
2N2906 КТ313А
2N2906A КТ313Б, 2Т3160А
2N3054 КТ723А
2N3055 КТ819ГМ
2N3114 КТ6117А
2N3397 КТ315Ж…Р
2N3584 2Т881Д
2N3712 КТ6117Б
2N3725 КТ635Б
2N3737 КТ659А
2N3839 КТ370А
2N3903 КТ645А
2N3904 КТ3117Б, КТ6137А
2N3905 КТ313А
2N3906 КТ313Б, КТ6136А
2N4123 КТ503А
2N4124 КТ503Б
2N4125 КТ502А
2N4126 КТ502Б
2N4128 КТ997В
2N4237 КТ719А
2N4238 КТ721А
2N4260 2Т3135А
2N4261 2Т3135Б
2N4400 КТ660А
2N4401 КТ660А
2N4402 КТ685А
2N4403 КТ685В
2N4411 КТ3127А
2N4440 КТ972В
2N4870 КТ133А
2N4871 КТ133Б
2N4913 КТ866Б
2N4914 КТ890А
2N4915 КТ890Б
2N4934 2Т939А
2N4976 КТ996А
2N5050 2Т892В
2N5086 КТ3107Б
2N5087 КТ3107К
2N5088 КТ3102Е
2N5089 КТ3102Е
2N5102 КТ921А, В
2N5177 2Т998А
2N5210 КТ3102Б
2N5240 КТ898А
2N5400 КТ698И, КТ6116Б
2N5401 КТ698К, КТ6116А
2N5550 КТ6127И, КТ6117Б
2N5551 КТ6127К, КТ6117А
2N5642 2Т945В, Г
2N5643 2Т949А
2N5651 КТ390Б
2N5839 КТ862Б
2N5840 КТ862В
2N5995 КТ972Г
2N5996 2Т945А, Б
2N6077 КТ898Б
2N6180 2Т877Г, КТ9180А, Б
2N6181 КТ9180В, Г
2N6428 КТ3117Б
2N6428A КТ3117Б
2N6515 КТ504Б
2N6516 КТ504В
2N6517 КТ504А
2N6518 КТ505Б
2N6519 КТ505А
2N6520 КТ505А
2N6679 КТ640Б
2N6701 КТ647А
2N7002LT1 КП214А9
2N7089 2П712Б
2SA555 КТ361А, Г, Д
2SA556 КТ361Ж, И
2SA715B КТ664А
2SA715C КТ664Б
2SA715D КТ6102А
2SA733 G КТ3107И
2SA733 L КТ3107И
2SA733 O КТ3107А
2SA733 R КТ3107А
2SA733 Y КТ3107Б
2SA738B КТ6116А, Б
2SA876H КТ313Г
2SA1009AM 2Т887А, Б
2SA1015 КТ502Е
2SA1090 КТ313В
2SA1175 КТ3107
2SA1584 2Т9143А, 2Т974А, Б, В, Г
2SA1660 2Т3129Б, КТ3171А
2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В
2SA1815 КТ503Е
2SA2785 КТ3102
2SB596 КТ9176А
2SB834 КТ842В
2SB1220Q 2Т3129А
2SC40 КТ3101АМ
2SC64 КТ6110А, Б
2SC380 КТ315Г
2SC388 КТ315Г
2SC404 КТ359А
2SC495 КТ646А
2SC496 КТ646Б
2SC543-5 КП302А1-Г1
2SC601 КТ396А
2SC633 КТ315А, Б
2SC634 КТ315Д, Е
2SC641 КТ315Ж…Р
2SC651 2Т610А
2SC945G КТ3102Б
2SC945L КТ3102Б
2SC945O КТ3102А
2SC945R КТ3102А
2SC945Y КТ3102Б
2SC976 КТ996Б
2SC1173 КТ862Г
2SC1269 2Т642В
2SC1270 2Т642Г
2SC1334 КТ962А
2SC1365 КТ610А, Б
2SC1436 2Т862В
2SC1440 КТ945Б
2SC1443 КТ879Б
2SC1551 2Т682Б
2SC1552 2Т682В
2SC1624 КТ863Б
2SC1625 КТ863В
2SC1786 2Т862Б
2SC1815BL КТ3102Б
2SC1815GR КТ3102Б
2SC1815L КТ3102Б
2SC1815O КТ3102А
2SC1815Y КТ3102Б
2SC2027 КТ828Б
2SC2033 КТ934В, Д
2SC2093 2Т9102А, Б, 2Т9103Б
2SC2229 КТ940А
2SC2240BL КТ503Е
2SC2240GR КТ503Е
2SC2482 КТ940А
2SC2642 КТ934Б
2SC2688 КТ846
2SC2794 КТ866А
2SC3150K КТ8137А, КТ8144Б
2SC3271 КТ940А
2SC3272 КТ940А
2SC3306 КТ8144А
2SC3455L КТ878В
2SC3596F КТ9142А
2SC3994L КТ878А
2SC4055 КТ8146Б, КТ8150А
2SC4296 КТ858А
2SD401A КТ8146А, КТ8147Б
2SD405B 2Т9117Б
2SD675A КТ945В
2SD691 КТ945Г
2SD734 КТ660Б
2SD814 КТ3176А
2SD1220Q КТ3169А
2SD1279 КТ846Б
2SD1554 КТ838
2SD1761 КТ819
2SD1878 КТ838
2SK49 2П336А1, Б1
2SK444 2П340Б1
2SK508 2П340А1
2SK513 КП803Б
2SK653 3П345А2, Б2, КП364А…И
3SK132 КП403А
3SK162 КП333А
3SR137 КП333Б
A5916 КТ934А
A5918 КТ934Г
AD545 П216Б
A630 КТ946А
AD1202 П213Б
AD1203 П214Б
ADP665 ГТ403Б
ADP666 ГТ403Г
ADP670 П201АЭ
ADP671 П201АЭ
ADP672 П203Э
ADY27 ГТ703Б
AF106 ГТ328Б
AF106A ГТ328В
AF109 ГТ328А
AF139 ГТ346Б
AF178 ГТ309Б
AF200 ГТ328А
AF201 ГТ328А
AF202 ГТ328А
AF239 ГТ346А
AF239S ГТ346А
AF240 ГТ346Б
AF251 ГТ346А
AF252 ГТ346А
AF253 ГТ328А
AF256 ГТ348Б
AF260 П29А
AF261 П30
AF266 МП42Б, МП20А
AF271 ГТ322В
AF272 ГТ322В
AF275 ГТ322Б
AF279 ГТ330Ж
AF280 ГТ330И
AF426 ГТ322Б
AF427 ГТ322Б
AF428 ГТ322Б
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AF429 ГТ322Б
AF430 ГТ322В
AFY11 ГТ313А
AFY12 ГТ328Б
AFY13 ГТ305В
AFY15 П30
AFY29 ГТ305Б
AFZ11 ГТ309Б
AL100 ГТ806В
AL102 ГТ806В
AL103 ГТ806Б
AM1416-200 2Т975А, Б
AM1416200 2Т986А, Б, 2Т994А, Б, В 2Т9114А, Б
ASX11 МП42Б
ASX12 МП42Б
ASY26 МП42А, МП20А
ASY31 МП42А
ASY33 МП42А, МП20А
ASY34 МП42А, МП20А
ASY35 МП42Б, МП20А
ASY70 МП42
ASY76 ГТ403Б
ASY76 ГТ403Г
ASY80 ГТ403Б
ASZ15 П217А, ГТ701А
ASZ16 П217А
ASZ17 П217А
ASZ18 П217В, ГТ701А
ASZ1015 П217В
ASZ1016 П217В
ASZ1017 П217В
ASZ1018 П217В
AT00510 2Т657А
AT00535 2Т657Б
AT00570 2Т657В
AT270 МП42Б, МП20А
AT275 МП42Б, МП20А
AT12570-5 КТ648А
AU103 ГТ810А
AU104 ГТ810А
AU107 ГТ810А
AU108 ГТ806Б
AU110 ГТ806Д
AU113 ГТ810А
AUY10 П608А, ГТ905А
AUY18 П214А
AUY19 П217
AUY20 П217
AUY21 П210Б
AUY21A П210Б
AUY22 П210Б
AUY22A П210Б
AUY28 П217
AUY35 ГТ806А
AUY38 ГТ806В
BAL004100 КТ970А
BC11 КТ638
BC12 КТ638
BC13 КТ638
BC14 КТ638
BC15 КТ638
BC16 КТ638
BC100 КТ605А
BC101 КТ301Е
BC107 КТ342А
BC107A КТ342А
BC107AP КТ3102А
BC107B КТ342Б
BC107BP КТ3102Б
BC108 КТ342
BC108A КТ342А
BC108AP КТ3102В
BC108B КТ342Б
BC108BP КТ3102В
BC108C КТ342В
BC108CP КТ3102Г
BC109B КТ342Б
BC109BP КТ3102Д, И
BC109C КТ342В
BC109CP КТ3102Е, К
BC140 КТ630Г
BC141 КТ630Г
BC141-16 КТ630Г
BC147A КТ373А
BC147B КТ373Б
BC148A КТ373А
BC148B КТ373Б
BC148C КТ373В
BC149B КТ373Б
BC149C КТ373В
BC157 КТ361Г
BC158A КТ349В
BC160B КТ933Б
BC161B КТ933А
BC167A КТ373А
BC167B КТ373Б
BC168A КТ373А
BC168B КТ373Б
BC168C КТ373В
BC169B КТ373Б
BC169C КТ373В
BC170A КТ375Б
BC170B КТ375Б
BC171A КТ373А
BC171B КТ373Б
BC172A КТ373А
BC172B КТ373Б
BC172C КТ373В
BC173B КТ373Б
BC173C КТ373В
BC174 КТ3102
BC177AP КТ3107А, Б
BC177VIP КТ3107Б, Б
BC178A КТ349В
BC178AP КТ3107В
BC178BP КТ3107Д
BC178VIP КТ3107В, Г
BC179AP КТ3107Е, Д
BC179BP КТ3107Ж, И
BC182 КТ3102
BC182A КТ3102А
BC182B КТ3102Б
BC182C КТ3102Б
BC183A КТ3102А
BC183B КТ3102Б
BC183C КТ3102Б, КТ3102Г
BC184A КТ3102Д
BC184B КТ3102Е
BC192 КТ351Б
BC212A КТ3107Б
BC212B КТ3107И
BC212C КТ3107К
BC213A КТ3107Б
BC213B КТ3107И
BC213C КТ3107К
BC216 КТ351А
BC216A КТ351А
BC218 КТ340Б
BC218A КТ340Б
BC223A КТ660Б
BC223B КТ660Б
BC226 КТ351Б
BC226A КТ351Б
BC234 КТ342А
BC234A КТ342А
BC235 КТ342Б
BC235A КТ342Б
BC237 КТ373Б
BC237A КТ3102А
BC237B КТ3102Б
BC237C КТ3102Б
BC238 КТ373В, КТ3102В
BC238A КТ3102А, КТ3102В
BC238B КТ3102В
BC238C КТ3102В, Г
BC239A КД3102Д
BC239B КТ3102Д, Ж
BC239C КТ3102Д, Е
BC250A КТ361А
BC250B КТ361Б
BC285 П308
BC300 КТ630Б
BC307A КТ3107Б
BC307B КТ3107И
BC307C КТ3107И
BC308 КТ3107Г
BC308A КТ3107Г, КТ3107Б
BC308B КТ3107Д
BC308C КТ3107К
BC309A КТ3107Е
BC309B КТ3107Ж
BC309C КТ3107Л
BC320A КТ3107Б
BC320B КТ3107Д
BC321A КТ3107Б
BC321B КТ3107И
BC321C КТ3107К
BC322B КТ3107Ж
BC322C КТ3107Л
BC327 КТ685А, КТ313
BC327-16 КТ686А
BC327-25 КТ686Б
BC327-40 КТ686В
BC328 КТ313
BC328-16 КТ686Г
BC328-25 КТ686Д
BC328-40 КТ686Е
BC337 КТ3102Б, КТ660А
BC337-16 КТ660А
BC337-25 КТ660А
BC337-40 КТ660А
BC337C КТ660А, КТ928
BC338 КТ645, КТ646, КТ660Б
BC338-16 КТ660Б
BC338-25 КТ660Б
BC338-40 КТ660Б
BC338C КТ660Б
BC355 КТ352Б
BC355A КТ352А
BC382B КТ3102Б
BC382C КТ3102Г
BC383B КТ3102Д
BC383C КТ3102Е
BC384B КТ3102Д
BC384C КТ3102Е
BC440 КТ630
BC446 КТ3107
BC451 КТ3102В
BC453 КТ3102Д
BC454A КТ3107Б
BC454B КТ3107И
BC454C КТ3107К
BC455A КТ3107Г
BC455B КТ3107Д, Е
BC455C КТ3107К
BC456A КТ3107Е
BC456B КТ3107Ж, И
BC456C КТ3107Л
BC513 КТ345А
BC516 КТ686Ж
BC517 КТ645А
BC526C КТ3107К, Л
BC527 КТ342Б, КТ342В
BC527-6 КТ629А, КТ6112А, Б
BC524-10 КТ6112В
BC528 КТ342В
BC546A КТ503Д
BC546B КТ3102Б, КТ3117Б
BC546C КТ3117Б
BC547 КТ3103А
BC547A КТ3102А
BC547B КТ3102Б
BC547C КТ3102Б, Г
BC548 КТ373А
BC548A КТ3102А, В
BC548B КТ3102В
BC548C КТ3102В, Г
BC549A КТ3102В
BC549B КТ3102В
BC549C КТ3102В, КТ3102ДМ
BC550A КТ3102А
BC550B КТ3102Б
BC550C КТ3102Б
BC556 КТ3107Б
BC556A КТ502Д
BC556B КТ502Д
BC556C КТ502Д
BC557 КТ3107
BC557A КТ3107Б
BC557B КТ3107И
BC557C КТ3107И
BC558A КТ3107Г
BC558B КТ3107Д
BC558C КТ3107К
BC559A КТ3107Е
BC559B КТ3107Ж
BC559C КТ3107Л
BC560A КТ3107Б
BC560B КТ3107И
BC560C КТ3107И
BC635 КТ503Б
BC636 КТ502Б
BC637 КТ503Г
BC638 КТ502Г
BC639 КТ503Е
BC640 КТ502Е
BC847A КТ3189А9
BC847B КТ3189Б9
BC847C КТ3189В9
BC857A КТ3129Б9
BC858A КТ3129В9
BC858B КТ3129Г9
BCW31 КТ3130В9
BCW47B КТ3187А
BCW71 КТ3130А9
BCW72 КТ3130Б8
BD135 КТ815Б
BD136 КТ626А, Е, КТ814Б, КТ6109А
BD137 КТ815В
BD138 КТ814В, КТ6104А
BD139 КТ815Г
BD140 КТ626Ж, КТ814Г, КТ6109А
BD165 КТ728А
BD166 КТ720А
BD168 КТ722А
BD170 КТ724А
BD202 2Т818А
BD204 2Т818Б
BD223 КТ856А
BD233 КТ817Б
BD234 КТ816Б
BD235 КТ817В
BD236 КТ816В
BD237 КТ817Г
BD238 КТ816Г
BD243C КТ819
BD370A6 КТ639А
BD372 КТ639Б
BD372A6 КТ639В
BD372A10 КТ639Г, Д
BD522 КП932А
BD676 КТ852Г
BD677 КТ829В
BD678 КТ852В
BD825 2Т642А
BD875 КТ972А
BD876 КТ973А
BD944 КТ856Б
BD946 КТ896А
BD948 КТ896Б
BDT21(A) КТ8101Б
BDV64 КТ8159В
BDV65 КТ8158В
BDW94 КТ818В
BDX78 2Т818В
BDX85 2Т716В
BDX85B 2Т716Б
BDX85C 2Т716А
BF177 КТ671А, 2Т3130Е
BF179B КТ682Б
BF189 КТ3172А
BF244A КП307Ж
BF245 КП303Е
BF258 КТ638Б
BF336 КТ6103А
BF337 КТ6113А, Б, В
BF339 КТ6113Г, Д, Е
BF371 КТ633Б
BD386 КТ629А
BF391 КТ698К
BF392 КТ504Б
BF393 КТ504В
BF410A 2П337АР, БР
BF422 КТ940А
BF423 КТ9115А
BF423S КТ3107К, Л, 2Т3129В, Г, 2Т3152В
BF457 КТ940Б
BF458 КТ940А
BF459 КТ940А
BF469 КТ969А
BF471 КТ846
BF491 КТ6127К
BF492 КТ505Б
BF493 КТ505А
BF506 КТ3126А
BF569 КТ3192А9
BF599 КТ368А9
BF680 КТ3109А
BF970 КТ9109В
BF979 КТ9109Б
BF998 2П347А2, КП402А
BFJ57 КТ6105А
BFL545 КП954А, Б
BFP23 КТ868А, Б
BFP720 КТ315В
BFP722 КТ315Г
BFR30 КП302А1-Г1
BFR37 КТ939А
BFY80 2Т3130А
BLY47A 2Т892А, Б
BSS88 КП504А
BSS92 КП508А
BSS124 КП502
BSS129 КП503А
BSS295 КП505А
BSS315 КП507А
BSW62A КТ361К, Л, М
BSW63A КТ361Н, П
BU108 КТ8107А, Б
BU205 КТ838Б
BU208A КТ8104А
BU289 КТ8101А
BU505 2SD818, BU705, KSD5064
BU508 КТ872А, В
BU508A КТ872Б
BU508AD КТ872А, Б
BU508AW BU508, BU508A
BU508D КТ846, КТ872В
BU508DW BU508AD, BU508D, BU508DR
BU807 КТ8156А
BU2506D КТ8248А
BU2508A КТ8224А
BU2508D КТ8224Б
BU2520DW KSD5090
BU2720DX 2SD2523, 2SD2551, 2SD2552, 2SD2554, BUH517D
BU2725DX 2SD2553
BU4506AF 2SD2381
BU4506AX 2SD819, 2SD1883, 2SD2294, 2SD2368, 2SD2510, 2SD2511, KSD5065
BU4506DX 2SD869, 2SD1877, 2SD2293, 2SD2369, KSD5061, KSD5071
BU4507AX 2SD820, 2SD1884, 2SD2370, 2SD2372, KSD5062, KSD5066, KSD5076
BU4507DX 2SD870, 2SD1878, KSD5072
BU4508AF 2SD2301, 2SD2311
BU4508AX 2SD821, 2SD1885, 2SD2296, 2SD2298, 2SD2373, 2SD2498, 2SD2513
BU4508DF 2SD2299, 2SD2300
BU4508DX 2SD1879, 2SD2371, 2SD2512, BUH515D, KSD5086, S2055AF, S2055F
BU4508DZ 2SD2499, BU508DXI, BUH515 FP, BUH515DX1
BU4522AX 2SD1886, BUH615, KSD5078, KSD5088
BU4522DX 2SD1880, 2SD2348, 2SD2539, BUH615D, KSD5080
BU4523AX 2SD2500, 2SD2515, BUH715
BU4523DX 2SD2349, 2SD2514
BU4525AX 2SD1887
BU4525DX 2SD1881
BUX97 КТ8106А
BUX97A КТ8106Б
BUY90 КТ8107В, Г
BUZ71 КП727А
BV104P КТ8126А
BV2310 2П803А
BVK462 КП959А, Б, В
BVP38 КТ878Б
BVR11 КТ867А
BVT91 КТ879А
BVX14 КТ846В
BVZ90 КП809В, Г
BVZ90(A) КП809Д, Е
CD1412 2Т946А
CD6105 КТ930А
CDR075 2Т9118А
CX954 2Т370Б
D44H7 КТ9181А, Б
D62T4040 КТ886А
DC5108 2Т370А
DC5445 2Т642А
DI4044 КТ222АС-ВС
DVZ216 КП810А
F1014 КП953Г, Д
F1053 2П917А, Б, КП934А
FJ201E 2Т642Б
FLM5964-4C 3П927А2
FLV5964-8C 3П927Б2
HXTR4105 КТ640А
I02015A КТ9116Б
IRF510 КП743А
IRF520 КП744А
IRF530 КП745А, Б
IRF540 КП746А, Б
IRF610 КП748А
IRF620 КП749А
IRF630 КП737А
IRF634 КП737Б
IRF635 КП737В
IRF710 КП731А
IRF720 КП751А
IRF730 КП752А
IRF830 КП753А
IRF5532 КП719Б
IRFBG30 КП803А
IRFR024 КП945А, Б
IRFZ30 КП727Б
IRFZ34 КП727В
IRFZ35 КП727Г
IRFZ40 КП723В
IRFZ44 КП723А
IRFZ45 КП723Б
IRLZ44 КП723Г
IRLZ46 КП741А
IRLZ48 КП741Б
IXTP3N80(A) КП809А,Б
KC508 КТ342А
KF423 2Т3129Д, 2Т3152Б, Е
KSD882G КТ8296Г
KSD882O КТ8296Б
KSD882R КТ8296А
KSD882Y КТ8296В
LDR405B 2Т9118Б
LOT-1000D1-12B КТ979А
LT1739 КТ9171В
MA42181-510 КТ937А
MGF1802 3П606А2…В2
MI10000 КТ892Б, В
MI10004PF1 КТ892А
MIE13005 КТ8121А
MIL13004 КТ8121Б
MJE304 КТ504В
MJE350 КТ505А
MJE13001 КТ538А
MJE13002 КТ8170Б1
MJE13003 КТ8170А1
MJE13004 КТ8164Б
MJE13005 КТ8164А
MJE13007 КТ8126А
MJE2801T КТ9177А
MMBT3904 КТ3197А9
MMBT3906 КТ3196А9
MPF873 2Т987А
MPS706 КТ648А, КТ682А
MPS3866 2Т633А
MPS6512 КТ3184А
MPS6513 КТ3184Б
MPSL07 2Т3164А
MPS A-42 КТ604В
MPS A-43 КТ3127К
MPS A-92 КТ505А
MPS A-93 КТ698К
MRF136 2П942А, Б, В
MRF327 2Т970А
MRF422 КТ9160А, Б, В
MRF430 КТ9181В, Г
MRF515 КТ606А
MRF544 2Т9159А
MRF627 КТ606Б
MRF840 КТ962Б
MRF846 2Т9117В, Г, 2Т9118В
MRF1035MA 2Т962В
MRF1035MC КТ962В
MRF2016M 2Т948А
MSC0204100 КП934В
MSC81325M 2Т9127Д, Е
MSC81400M 2Т9127В, Г
MSC85853 2Т637А
MSM5964-2 3П927В2
MSM5964-5 3П927Г2
MSM5964-10 ЗП927Д2
MTP4N10 2П703Б
MTP5N05 КП932А
MTP8P10 2П712В
MTP12P08 2П712А
NE080481E-12 2Т9109А
NE1010E 2Т962А
NE3001 2Т9119А2
NE24318 2Т640А
NE56755 2Т647А, 2Т648А
NE56787 2Т642А
NE56854 2Т971А
NE56887 2Т634А, КТ634Б
NE57835 2Т682А
NE243188 КТ642А, 2Т643А
NE243287 2Т643Б
NE243499 2Т9108А
NEM2015 КТ948А
NTP7N05 КП922А, КП931 А, Б, В
PBC107B 2Т3158А
PBC108A 2Т3133А
PBC108B 2Т3133А
PDE1001 КТ607Б
PEE1000U 2Т607А
PEE1001T КТ607А
PFP12P08 КП719А
Ph2214-60 2Т9122Б
PKB20010U КТ948Б
PN3691 КТ3117Б
PN5132 КТ3117А
PWB2010U 2Т948Б
PXT2222 КТ3153А
PZB27020V 2Т9122А
S923TS 2Т3152А, Г, Д
S2055AF КТ838
SD1015 КТ9116А
SDR075 2Т9117А
SDT3207 КТ9171А, Б
SDT69504 2Т880Д
SE5035 КТ939Б
SF123A 2Т672А
SF123C КТ6107А
SG769 2Т3133А
SML723 КТ828В
SML804 КТ828А
SML55401 КТ886Б
SS8050B КТ968В, КТ6114А
SS8050C КТ968В, КТ6114Б
SS8050D КТ968В, КТ6114В
SS8550B КТ6127В, КТ6115А
SS8550C КТ6127В, КТ6115Б
SS8550D КТ6127В, КТ6115В
SS9012D КТ681А, КТ6109А
SS9012E КТ681А, КТ6109Б
SS9012F КТ681А, КТ6109В
SS9012G КТ681А, КТ6109Г
SS9012H КТ681А, КТ6109Д
SS9013D КТ680А, КТ6110А
SS9013E КТ680А, КТ6110Б
SS9013F КТ680А, КТ6110В
SS9013G КТ680А, КТ6110Г
SS9013H КТ680А, КТ6110Д
SS9014A КТ3102А, КТ6111А
SS9014B КТ3102Б, КТ6111Б
SS9014C КТ3102Б, КТ6111В
SS9014D КТ3102Б, КТ6111Г
SS9015A КТ3107А, КТ6112А
SS9015B КТ3107И, КТ6112Б
SS9015C КТ3107И, КТ6112В
SS9016D КТ6128А
SS9016E КТ6128Б
SS9016F КТ6128В
SS9016G КТ6128Г
SS9016H КТ6128Д
SS9016I КТ6128Е
SS9018D КТ6113А
SS9018E КТ6113Б
SS9018F КТ6113В
SS9018G КТ6113Г
SS9018H КТ6113Д
SS9018I КТ6113Е
ST1053 КП934Б
STD18202 КТ828Г
STD55476 КТ846А
STH75N05 КП742Б
STH75N05 КП742A
TBC547A КТ3186А
TCC1821G 2Т942А, КТ942В
TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В
THA-15 2Т9111А
THX-15 2Т9111Б
TIP31A КТ8176А
TIP31B КТ8176Б
TIP31C КТ8176В
TIP32A КТ8177А
TIP32B КТ8177Б
TIP32C КТ8177В
TIP41A КТ8212В
TIP41B КТ8212Б
TIP41C КТ8212А
TIP110 КТ8214В
TIP111 КТ8214Б
TIP112 КТ8214А
TIP120 КТ8116В
TIP121 КТ8116Б
TIP122 КТ8116А, КТ8147А
TIP125 КТ8115В
TIP126 КТ8115Б
TIP127 КТ8115А
TIP132 КТ8116А, КТ8147А
TIP150 КТ8111А
TIP151 КТ8111Б
TN20 2Т9130А
UMIL70 КТ930Б
Партнер статьи: Electronoff.ua
Транзистор — аналог | Транзистор — аналог | Транзистор — аналог |
2N1221 — КТ501Г | 2N4260 — КТ363АМ- Купить | 2N5875 — 2Т818Б- Купить |
2N1613 — КТ630Г — Купить | 2N4261 — КТ363ЕМ- Купить | 2N6034 — КТ8130А- Купить |
2N1715 — КТ630B — Купить | 2N4271 — 2Т653А — Купить | 2N6035 — КТ8130Б — Купить |
2N2218 — КТ928А — Купить | 2N4400 — КТ660А — Купить | 2N6036 — КТ8130В — Купить |
2N2219 — КТ928Б — Купить | 2N4401 — КТ660А — Купить | 2N6037 — КТ8131А — Купить |
2N2219A — КТ928В — Купить | 2N4402 — КТ685А — Купить | 2N6038 — КТ8131Б — Купить |
2N2221 — КТ3117А — Купить | 2N4403 — КТ685В — Купить | 2N6039 — КТ8131В — Купить |
2N2222A — КТ3117Б — Купить | 2N4411 — КТ3127А — Купить | 2N6047 — КТ947А — Купить |
2N2332 — 2Т208Б — Купить | 2N4440 — 2Т921А — Купить | 2N6053 — КТ825Б — Купить |
2N2334 — 2Т208Г — Купить | 2N4494 — KT645А — Купить | 2N6054 — КТ825А — Купить |
2N2335 — 2Т208Д — Купить | 2N4930 — КТ505Б — Купить | 2N6093 — КТ912А — Купить |
2N2336 — 2Т208Л — Купить | 2N4931 — КТ505А — Купить | 2N6202 — КТ934А — Купить |
2N2337 — 2Т208М — Купить | 2N4933 — КТ927А — Купить | 2N6203 — КТ934Б — Купить |
2N2369 — КТ3142А — Купить | 2N5069 — КТ3102Е — Купить | 2N6204 — КТ934В — Купить |
2N2405 — 2Т630А — Купить | 2N5086 — КТ3107Б — Купить | 2N6253 — 2Т818В — Купить |
2N2440 — 2Т630Б — Купить | 2N5087 — КТ3107К — Купить | 2N6278 — КТ879Б — Купить |
2N2904 — КТ692А — Купить | 2N5088 — КТ3102Е — Купить | 2N6279 — КТ879А — Купить |
2N3055 — КТ8150А — Купить | 2N5092 — КТ504А — Купить | 2N6362 — КТ930А — Купить |
2N3250 — КТ3108А — Купить | 2N5177 — КТ909А — Купить | 2N6364 — КТ930Б — Купить |
2N3250A — КТ3108Б — Купить | 2N5178 — КT909Б — Купить | 2N6369 — КТ931А — Купить |
2N3251 — КТ3108В — Купить | 2N5210 — КТ3102Б — Купить | 2N6388 — КТ899А — Купить |
2N3448 — 2Т504А — Купить | 2N5400 — КТ6116Б — Купить | 2N6428 — КТ3117Б — Купить |
2N3725 — КТ635Б — Купить | 2N5401 — КТ6116А — Купить | 2N6515 — КТ504Б — Купить |
2N3733 — КТ907А — Купить | 2N5483 — 2Т919А — Купить | 2N6516 — КТ504В — Купить |
2N3903 — КТ645А — Купить | 2N5550 — КТ6117Б — Купить | 2N6517 — КТ504А — Купить |
2N3904 — КТ6137А — Купить | 2N5551 — КТ6117А — Купить | 2N6518 — КТ505Б — Купить |
2N3905 — КТ313А — Купить | 2N5589 — КТ920А — Купить | 2N6519 — КТ505А — Купить |
2N3906 — КТ6136А — Купить | 2N5590 — КТ920Б — Купить | 2N6520 — КТ505А — Купить |
2N3939 — 2Т506А — Купить | 2N5591 — КТ920В — Купить | 2N6542 — КТ840Б — Купить |
2N4001 — 2Т653Б — Купить | 2N5641 — КТ922А — Купить | 2N6543 — КТ840А — Купить |
2N4060 — КТ681А — Купить | 2N5642 — КТ922Б — Купить | 2N6546 — 2Т878Б — Купить |
2N4123 — КТ503А — Купить | 2N5643 — КТ922В — Купить | 2N6618 — 2Т3132А — Купить |
2N4124 — КТ503Б — Купить | 2N5650 — 2Т3114А — Купить | 2N6721 — КТ504Б — Купить |
2N4125 — КТ502А — Купить | 2N5672 — 2Т974А — Купить | 2N6853 — 2Т708Б — Купить |
2N4126 — КТ502Е — Купить | 2N5709 — КТ944А — Купить | 2N6972 — КТ874А — Купить |
2N4236 — КТ830Г — Купить | 2N5758 — 2Т818А — Купить | 2N940 — 2Т208Ж — Купить |
2N4239 — КТ831Г — Купить | 2N5773 — КТ8101А — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
2SA1106 — КТ8101Б — Купить | 2SA7330 — КТ3107А — Купить | 2SA733R — КТ3107А — Купить |
2SA610 — КТ361А2 — Купить | 2SA733G — КТ3107И — Купить | 2SA733Y — КТ3107Б — Купить |
2SA611 — КТ361А3 — Купить | 2SA733L — КТ3107И — Купить | |
* * * | ||
2SB546A — КТ851В — Купить | 2SB710 — КТ3173А9 — Купить | 2SB970 — КТ3171А9 — Купить |
2SВ506A — 2Т842А — Купить | 2SB772 — КТ9176А — Купить | |
* * * | ||
2SC1618 — КТ808БМ — Купить | 2SC3150 — КТ8118А — Купить | 2SC4242 — КТ8110А — Купить |
2SC1619A — КТ808АМ — Купить | 2SC3217 — 2Т9155А — Купить | 2SC456 — КТ645А — Купить |
2SC1815BL — КТ3102Б — Купить | 2SC3218 — 2Т9155Б — Купить | 2SC544 — КТ315А1 — Купить |
2SC1815GR — КТ3102Б — Купить | 2SC3257 — КТ854А — Купить | 2SC546 — КТ315Б1 — Купить |
2SС1815L — КТ3102Б — Купить | 2SC3277M — 2Т718А — Купить | 2SC714 — КТ645Б — Купить |
2SC1815O — КТ3102А — Купить | 2SC3306 — КТ8117А — Купить | 2SC730 — КТ610А — Купить |
2SC1815Y — КТ3102Б — Купить | 2SC3360 — 2Т9155В — Купить | 2SC9110 — КТ637Б — Купить |
2SC1929 — КТ504В — Купить | 2SC3412 — КТ886А1 — Купить | 2SC9450 — КТ3102А — Купить |
2SC2122 — КТ841Б — Купить | 2SC3750 — КТ8108А — Купить | 2SC945G — КТ3102Б — Купить |
2SC216B — КТ850А — Купить | 2SC380 — КТ315Г — Купить | 2SC945L — КТ3102Б — Купить |
2SC2240BL — КТ503Е — Купить | 2SC388 — КТ315Г — Купить | 2SC945R — КТ3102А — Купить |
2SC2240GR — КТ503Е — Купить | 2SC4055 — KT8120A — Купить | 2SC945Y — КТ3102Б — Купить |
2SC2270 — КТ9157 — Купить | 2SC4173 — КТ645Б — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
2SD1172 — 2Т713А — Купить | 2SD415 — КТ683Д — Купить | 2SD882 — КТ9177А — Купить |
2SD1565 — 2Т9136АС — Купить | 2SD602 — КТ3176А9 — Купить | 2SD900B — КТ8183А — Купить |
2SD401A — КТ8123А — Купить | 2SD814 — КТ3179А9 — Купить | |
* * * | ||
ВС119 — КТ630Б — Купить | BC338-16 — КТ660Б — Купить | |
BC136 — КТ639Б — Купить | BC338-25 — КТ660Б — Купить | BC560B— КТ3107И — Купить |
ВС140 — КТ630Д — Купить | BCЗЗ8-40 — КТ660Б — Купить | BC560C — КТ3107И — Купить |
BC223A — КТ660Б — Купить | BC516 — КТ686Ж — Купить | BC635 — КТ503Б — Купить |
BC223B — КТ660Б — Купить | BC517 — КТ645А — Купить | BC636 — КТ684А — Купить |
ВС237А — КТ3102А — Купить | BC546A — КТ503Д — Купить | BC637 — КТ503Г — Купить |
BC237B — КТ3102Б — Купить | BC546B — КТ3117Б — Купить | BC638 — КТ684Б — Купить |
BC237C— КТ3102Б — Купить | BC546С — КТ3117Б — Купить | BC639 — КТ503Е — Купить |
BC238A— КТ645А — Купить | BC547A — КТ645А — Купить | BC640 — КТ684В — Купить |
BC238B— КТ3102В — Купить | BC547B — КТ3102БМ — Купить | BC847A — КТ3189А9 — Купить |
BC238C— КТ3102В — Купить | BC547C — КТ3102БМ — Купить | BC847B — КТ3189Б9 — Купить |
BC239A— КТ3102Д — Купить | BC548A — КТ3102ВМ — Купить | BC847C — КТ3189В9 — Купить |
BC239В — КТ3102Д — Купить | BC548B — КТ3102ВМ — Купить | BC857A — КТ3129Б9 — Купить |
BC239C— КТ3102Д — Купить | BC549A — КТ3102ВМ — Купить | BC857B — КТ3129Г9 — Купить |
BC307A— КТ3107Б — Купить | BC549B — КТ3102ВМ — Купить | BC858A — КТ3129В9 — Купить |
BC307B— КТ3107И — Купить | BC549C — КТ3102ВМ — Купить | |
BC307C— КТ3107И — Купить | BC54BC — КТ3102ВМ — Купить | BCF32 — КТ3172А9 — Купить |
BC308A— КТ3107Г — Купить | BC550A — КТ3102АМ — Купить | BCХ53 — 2Т664А9 — Купить |
BC308B— КТ3107Д — Купить | BC550B — КТ3102БМ — Купить | BCХ56 — КТ665А9 — Купить |
BC308С — КТ3107К — Купить | BC550C — КТ3102БМ — Купить | BCХ70 — КТ3153А9 — Купить |
BC309А — КТ3107Е — Купить | BC556A — КТ502Д — Купить | BCY38 — КТ501Д — Купить |
BC309В — КТ3107Ж — Купить | BC556B — КТ502Д — Купить | BCY39— КТ501М — Купить |
BC309С — КТ3107Л — Купить | BC556C — КТ502Д — Купить | BCY54— КТ501К — Купить |
BC327-16 — КТ686А — Купить | BC557A — КТ6б8Б — Купить | BCY92— 2Т3152А — Купить |
BC327-25 — КТ686Б — Купить | BC557B — КТ668В — Купить | BCY93B— КТ501Л — Купить |
BC327-40 — КТ686В — Купить | BC557C — КТ3107И — Купить | BCW31 — КТ3130Д9 — Купить |
BC328-16 — КТ686Г — Купить | BC558A — КТ3107Г — Купить | BCW33LT1— КТ3130Е9 — Купить |
BC328-25 — КТ686Д — Купить | BC558C — КТ3107К — Купить | BCW71— КТ3139А — Купить |
BC328-40 — КТ686Е — Купить | BC559A — КТ3107Е — Купить | BCW72— КТ3139Б — Купить |
BC337-16 — КТ660А — Купить | BC559B — КТ3107Ж — Купить | BCW73— КТ3139В — Купить |
BC337-25 — КТ660А — Купить | BC559C — КТ3107Л — Купить | |
BC337-40 — КТ660А — Купить | BC560A — КТ3107Б — Купить | |
* * * | ||
BD130 — КТ819БМ — Купить | BD233 — КТ817Б — Купить | BDW22 — КТ818БМ — Купить |
BD135 — КТ815Б — Купить | BD234 — КТ816Б — Купить | BDW51 — КТ819АМ — Купить |
BD136 — КТ814Б — Купить | BD235 — КТ817В — Купить | BDW51B — 2Т819А — Купить |
BD136-10 — КТ639В — Купить | BD236 — КТ816В — Купить | BDW64A — КТ896А — Купить |
BD136-16 — КТ639А — Купить | BD237 — КТ817Г — Купить | BDW65A — КТ8106А — Купить |
BD137 — КТ815В — Купить | BD238 — КТ816Г — Купить | BDX53 — КТ829Г — Купить |
BD138 — КТ814В — Купить | BD242B — КТ818Г — Купить | BDX53A — КТ829В — Купить |
BD138-10 — КТ639Е — Купить | BD291 — КТ819А — Купить | BDX53B — КТ829Б — Купить |
BD138-16 — КТ639Г — Купить | BD292 — КТ818А — Купить | BDX53E — КТ829Д — Купить |
BD138-6 — КТ639Д — Купить | BD293 — КТ819Б — Купить | BDX54 — КТ853Г — Купить |
BD139 — КТ815Г — Купить | BD295 — КТ819В — Купить | BDX54F — КТ712А — Купить |
BD140 — КТ814Г — Купить | ВD534 — КТ837А — Купить | BDX62 — КТ825Д — Купить |
BD140-10 — КТ639Ж — Купить | BD536 — КТ837Б — Купить | BDX63A — КТ827А — Купить |
BD140-6 — КТ639И — Купить | BD875 — КТ972А — Купить | BDY20 — 2Т819В — Купить |
BD142 — 2Т819Б — Купить | BD876 — КТ973А — Купить | BDY73 — КТ819ВМ — Купить |
BD202 — КТ818Б — Купить | BDV64 — КТ8159В — Купить | BDY98 — 2Т841Б — Купить |
BD203 — КТ819Г — Купить | BDV65 — КТ8158В — Купить | |
BD204 — КТ818В — Купить | BDW21 — КТ819ГМ — Купить | |
* * * | ||
BF391 — КТ698К — Купить | BF492 — КТ505Б — Купить | BF970 — КТ3165А — Купить |
BF392 — КТ504Б — Купить | BF493 — КТ505А — Купить | BF979S — КТ3109А — Купить |
BF393 — КТ504В — Купить | BF506 — КТ3126А — Купить | BFP194 — КТ6129А9 — Купить |
BF419 — КТ969А — Купить | BF554 — КТ3170А9 — Купить | BFR90 — КТ3198А — Купить |
BF422 — КТ940А — Купить | BF565 — КТ3169А9 — Купить | BFR90A — КТ3198Б — Купить |
BF423 — КТ9115А — Купить | BF569 — КТ3192А9 — Купить | BFR91 — КТ3198В — Купить |
BF458 — КТ940Б — Купить | BF595 — КТ3169А9 — Купить | BFR91A — КТ3198Г — Купить |
BF459 — КТ940А — Купить | BF599 — КТ368А9 — Купить | BFR92 — КТ3187А9 — Купить |
BF472 — КТ9115А — Купить | BF820S — КТ666А9 — Купить | BFT92 — КТ3191А9 — Купить |
BF491 — КТ6127К — Купить | BF821S — КТ867А9 — Купить | BFY68 — КТ630Е — Купить |
* * * | ||
BLX96 — КТ98ЗА — Купить | BLX98 — КТ983В — Купить | BLY53 — КТ925Б — Купить |
BLX97 — КТ983Б — Купить | BLY38 — КТ925А — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
BU106 — 2Т841А — Купить | BU426A — KT868A — Купить | BUX21 — 2T866A — Купить |
BU126 — КТ845А — Купить | BU508 — KT872A — Купить | BUX37 — KT848A — Купить |
BU207 — КТ846Б — Купить | BU508A — KT8107A — Купить | BUX48 — КТ856Б — Купить |
BU208 — КТ8127Б — Купить | BU508D — KT872B — Купить | BUX48A — 2T856A — Купить |
BU208A — КТ8127А — Купить | BU931PFI — KT898A1 — Купить | BUX54 — KT506A — Купить |
BU209 — КТ846Г — Купить | BU931Z — KT897A — Купить | BUX98 — KT878A — Купить |
BU406 — КТ8124А — Купить | BU931ZP — KT898A — Купить | BUX98A — KT878B — Купить |
BU406 — КТ858А — Купить | BU932Z — КТ892Б — Купить | BUY21 — KT867A — Купить |
BU407 — KT8124B — Купить | BUT92A — 2T891A — Купить | BUZ60 — КП707А1 — Купить |
BU407 — KT857A — Купить | BUW76 — KT847A — Купить | BUZ90 — КП707Б1 — Купить |
BU408 — КТ8124Б — Купить | BUX12 — 2T862A — Купить | |
BU426 — КТ868Б — Купить | BUX17B — 2Т718Б — Купить | |
* * * | ||
BV807 — KT8156A — Купить | BVS98A — 2T885A — Купить | |
* * * | ||
BY67A — KT630A — Купить | ||
* * * | ||
DTA124E — КР1054НК2Б — Купить | DTC114E — KP1054HK1B — Купить | DTC144E — KP1054HK1A — Купить |
DTA144E — KP1054HK2A — Купить | DTC124E — КР1054НК1Б — Купить | |
* * * | ||
FJ401E — 2T3115A-2 — Купить | ||
* * * | ||
KSA539 — KT502A — Купить | KSC5021 — КТ8108Б — Купить | KSD362 — КТ805БМ — Купить |
КSC4106 — Т8136А — Купить | KSD227 — KT503A — Купить | KSD363 — KT805AM — Купить |
* * * | ||
MD5000A — KTC3103A — Купить | MD5000F — КТС3103Б — Купить | |
* * * | ||
MJ2955 — KT8102A — Купить | MJE13004 — КТ8164Б — Купить | MJE2955T — KT8149A2 — Купить |
MJ4645 — 2Т505Б — Купить | MJE13005 — KT8164A — Купить | MJE3055T — KT8150A2 — Купить |
MJ4646 — 2T505A — Купить | MJE13006 — КТ8182Б — Купить | MJE340 — КТ504В — Купить |
MJE13002 — КТ8175Б — Купить | MJE13007 — KT8182A — Купить | MJE350 — КТ505А — Купить |
MJE13003 — KT8175A — Купить | MJE13009 — KT8145A — Купить | |
* * * | ||
MPS2923 — KT680A — Купить | MPSA43 — KT6135B — Купить | MPSL01 — KT638A — Купить |
MPS404 — KT209A — Купить | MPSA92 — КТ505А — Купить | MPSL51 — КТ632Б1 — Купить |
MPSA42 — КТ6135Б — Купить | MPSA93 — KT698K — Купить | |
* * * | ||
PN2905A — KT644A — Купить | PN2906A — КТ685Б — Купить | PN2907A — КТ644Г — Купить |
PN2906 — КТ644Б — Купить | PN2907 — KT644B — Купить | |
* * * | ||
SC558B — КТ3107Д — Купить | ||
* * * | ||
SS8050B — KT6114A — Купить | SS9013E — КТ6110Б — Купить | SS9016E — КТ6128Б — Купить |
SS8050C — КТ6114Б — Купить | SS9013F — KT6110B — Купить | SS9016F — KT6128B — Купить |
SS8050D — KT6114B — Купить | SS9013G — КТ6111Г — Купить | SS9016G — КТ6128Г — Купить |
SS8550B — KT6115A — Купить | SS9013H — КТ6111Д — Купить | SS9016H — КТ6128Д — Купить |
SS8550C — КТ6115Б — Купить | SS9014A — KT6111A — Купить | SS9016I — KT6128E — Купить |
SS8550D — KT6115B — Купить | SS9014B — КТ6111Б — Купить | SS9018C — КТ6113Г — Купить |
SS9012D — KT6109A — Купить | SS9014C — KT6111B — Купить | SS9018D — КТ6113А — Купить |
SS9012E — КТ6109Б — Купить | SS9014D — КТ6111Г — Купить | SS9018E — КТ6113Б — Купить |
SS9012F — KT6109B — Купить | SS9015A — KT6112A — Купить | SS9018F — KT6113B — Купить |
SS9012G — КТ6109Г — Купить | SS9015B — КТ6112Б — Купить | SS9018H — КТ6113Д — Купить |
SS9012H — КТ6109Д — Купить | SS9015C — KT6112B — Купить | SS9018I — KT6113E — Купить |
SS9013D — KT6110A — Купить | SS9016D — KT6128A — Купить | |
* * * | ||
STF143 — КТ501Ж — Купить | STF144 — КТ501И — Купить | |
Транзисторы | * * * | Транзисторы |
TIP110 — KT716B — Купить | TIP125 — KT8115B — Купить | TIP150 — КТ8109Б — Купить |
TIP111 — КТ716Б — Купить | TIP125 — KT853B — Купить | TIP151 — KT8109A — Купить |
TIP112 — KT716A — Купить | TIP126 — КТ8115Б — Купить | TIP3055 — KT8150A1 — Купить |
TIP115 — KT852B — Купить | TIP126 — КТ853Б — Купить | TIP41A — KT8125B — Купить |
TIP116 — КТ852Б — Купить | TIP127 — KT8115A — Купить | TIP41B — КТ8125Б — Купить |
TIP117 — KT852A — Купить | TIP127 — KT853A — Купить | TIP41C — KT8125A — Купить |
TIP120 — KT8116B — Купить | TIP140 — KT8111B — Купить | TIP48 — KT859A — Купить |
TIP121 — КТ8116Б — Купить | TIP141 — КТ8111Б — Купить | TIP661 — KT892A — Купить |
TIP122 — KT8116A — Купить | TIP142 — KT8111A — Купить | |
* * * | ||
VN1231 — KP1054HK3A — Купить |
Заменяемость транзисторов
Заменяемость транзисторовЗаменяемость отечественных транзисторов старых выпусков
на главнуюНОВАЯ ВЕРСИЯ САЙТА
КЛАССИФИКАЦИЯ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВВсем транзисторам, разработанным до 1964 года, присвоены условные обозначения по стандарту, установленному в 1959 году. Согласно этому стандарту условное обозначение транзисторов может состоять из трех элементов: первый — буквенный (П — плоскостной транзистор): второй — цифровой, указывающий на материал прибора (германий или кремний) и обычное применение или назначение транзистора. Основная классификация ведется по максимальной допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе Р
к.доп и частотным свойствам — частоте fa или /макс Классификация различает транзисторы малой мощности (Рк.доп < 0,25 вт) и большой мощности (Рк.доп > 0,25 вт.), низкочастотные (fa < 5 Мгц) и высокочастотные (fa> > 5 Мгц). Последний третий элемент обозначения — буквенный, указывающий разновидность прибора. Исключение из этого правила представляют транзисторы типа П4А—П4Д, которые являются транзисторами большой мощности.Например, условное обозначение П13 расшифровывается: «транзистор низкочастотный, германиевый, малой мощности, типа 13».
В настоящее время эта система классификации транзисторов устарела и не соответствует возросшему количеству и разнообразию приборов. В связи с этим с 1964 года была введена новая система классификации и условных обозначений на полупроводниковые приборы, в том числе и на транзисторы. Согласно новому стандарту основная классификация ведется по исходному материалу, рассеиваемой прибором мощности и частотным свойствам.
В зависимости от этого транзисторы могут называться германиевыми или кремниевыми, малой, средней или большой мощности; транзисторами низкой, средней или высокой частоты. Энергетической характеристикой транзистора является мощность, рассеиваемая на коллекторе Рк.доп,
а частотной — максимальная частота генерации fмакс.Условное обозначение транзистора по новому стандарту состоит из четырех элементов.
Первый элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал: Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия. Одновременно первый элемент обозначает верхний предел допустимой температуры корпуса прибора: Г-+ 60° С, 1-+70° С; К—+85° С, 2— +120° С.
Второй элемент — буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Т—транзистор (биполярный с проводимостью р-п-р или п-р-п).П—полевой транзистор (с каналом р или п типа).
Третий элемент — цифровой, характеризующий основные энергетические и частотные параметры транзистора.
Четвертый элемент обозначения — буквенный — указывает на разновидность прибора.
Например, условное обозначение прибора ГТ108А означает: «германиевый транзистор малой мощности, низкочастотный, подтипа А, предназначенный для работы при температуре не выше +60° С».
Все необходимые сведения о параметрах транзисторов можно найти в специальных справочниках по полупроводниковым приборам.
Следует заметить, что ряд транзисторов может иметь условные индексы, которых нет в приведенных выше классификациях. Это главным образом транзисторы, разработанные до 1964 года, но выпускаемые в модернизированном варианте. В этом случае дополнительные буквенные индексы означают следующее:
М — холодносварной корпус;
Э — улучшенная влагостойкость;
И — улучшенные импульсные свойства. Например, МП39Б означает, что это низкочастотный маломощный транзистор с холоднссварным корпусом; П601 А(И) — высокочастотный транзистор средней мощности с улучшенными импульсными свойствами.
ВЗАИМОЗАМЕНЯЕМОСТЬ ОТЕЧЕСТВЕННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Наличие значительного количества типов и подтипов транзисторов связано с большим разнообразием технологических средств и приемов, а также исходных материалов, используемых при изготовлении транзисторов. Производство транзисторов — очень сложный и трудоемкий процесс, требующий высокой точности, чистоты и жесткого соблюдения технологических режимов. Выполнение всех этих требований связано с большими техническими трудностями, чем и объясняется имеющийся большой разброс параметров выпускаемых транзисторов. В связи с этим обычно указываются средние либо минимальные значения параметров, гарантированные для данного типа транзисторов. Наибольший разброс наблюдается у коэффициента усиления по току бета в схеме с общим эмиттером, обратного тока коллектора /к0
и емкости коллекторного перехода Ск. Несколько меньшим разбросом обладают частотные параметры fа и fmакс.Большой разброс параметров транзисторов делает весьма условными границы между типами транзисторов, что позволяет в ряде случаев без особых затруднений заменять одни транзисторы другими. При такой замене в первую очередь обращается внимание на параметры в режиме, при котором транзистор будет работать в данной схеме Фк, /к, Рк). Исходя из этих сведений подбираются типы транзисторов, обладающие некоторым запасом по указанным параметрам и необходимыми частотными и усилительными свойствами (fa или fmakс и beta). Предпочтение при этом отдается более дешевым и доступным транзисторам.
Например, имеется описание схемы усилителя низкой частоты на двух транзисторах типа МП41. Постоянное напряжение источника питания составляет 9 в, постоянный ток коллектора каждого транзистора не превышает 1—2 ма, а сама схема допускает применение транзисторов с beta = 20—40.
Из приведенных в приложении справочных таблиц видно, что в данном случае возможно применение транзисторов типа МП40, МП42А, МП42Б, а также некоторых образцов транзисторов МП39 и МП39Б.
Другой пример. В приемнике прямого усиления, рассчитанном для работы в диапазоне средних волн (СВ), где максимальная частота сигнала 1,6Мгц, рекомендуется применение транзисторов типа ГТ313А, приобрести которые по тем или иным причинам не удалось. Учитывая сказанное ранее о том, что для устранения влияния зависимости усилительных свойств транзисторов от частоты сигнала необходимо применять транзисторы, у которых граничная частота усиления fm по крайней мере в 20—30 раз выше максимальной частоты усиливаемого сигнала, делаем вывод, что возможно использование транзисторов с граничной частотой от 50 Мгц и выше. Как видно из таблицы 5, этому условию удовлетворяют практически все высокочастотные транзисторы, кроме П401 и КТ301, КТ301А. Поскольку ГТ313А — германиевый р-п-р транзистор, то, для того чтобы не вносить в схему устройства каких-либо дополнительных изменений, следует применить такой же проводимости германиевый транзистор, например, П402 или П403. Если же германиевый транзистор заменяется кремниевым, хотя бы и той же проводимости, то в большинстве случаев требуется проведение дополнительных изменений в схеме смещения вследствие большого различия в характере зависимости тока коллектора от напряжения смещения.
К сожалению, дать какой-либо конкретный рецепт замены транзисторов на все случаи жизни нельзя из-за чрезмерно большого числа типов выпускаемых транзисторов, а также вследствие огромного множества различных вариантов схем. Можно только рекомендовать стремиться производить замену транзисторов внутри группы наиболее близких по своему устройству и параметрам транзисторов. При этом допускается замена с улучшением или ухудшением параметров транзисторов. Лучше всего, когда заменяющий транзистор не уступает заменяемому ни по одному из предельно
допустимых параметров (Рк.доп UK3, /K макс), а также по величине гарантированных значений усиления тока (а или бета) и предельной частоты усиления (fa или fbeta). В крайнем случае возможна замена транзисторов с несколько заниженными значениями beta и fa, что хотя и приведет к некоторому изменению параметров устройства, но ненамного.Особо следует сказать о замене транзисторов, выпуск и продажа которых давно прекращены, но упоминание на страницах радиолюбительской литературы еще иногда встречается. Кроме того, в употреблении находится большое количество бытовой радиоэлектронной аппаратуры, где применяются транзисторы старых выпусков, что создает определенные трудности при ремонте. Например, согласно табл. транзистор П15 заменяется через МП41, П105 — МП 115, П420 —П401 и т. д. При такой замене каких-либо дополнительных изменений в схемах не требуется.
Нужно отметить, что труднее всего находить замену транзисторов начинающим радиолюбителям, которые еще не накопили достаточного опыта обращения с параметрами транзисторов, чтобы свободно сравнить их между собой, находя лучшие и худшие варианты для взаимной замены транзисторов.
Граничная частота fm определяет частоту, где гарантируется усиление потоку не менее единицы, а f2 — характеризует максимальную частоту, выше которой наблюдается резкое возрастание внутренних шумов транзистора. Наилучшими шумовыми характеристиками обладают транзисторы ГТ322А—ГТ322Е, у которых коэффициент шума не превосходит 4 дб. Распространенные в любительской практике транзисторы типа П401 — П403, имеют значительно худшие свойства. Из низкочастотных транзисторов в лучшую сторону отличаются транзисторы типа П27А и П27. Эти транзисторы применяются, как правило, в промышленной аппаратуре. Конструктивно они оформлены точно так же, как МП35— МП42, но отличаются от них значительно меньшим шумом. Для сравнения можно указать, что наименее «шумящим» из доступных любителям транзисторов является МП39Б, у которого коэффициент шума не более 12 дб, тогда как у остальных транзисторов типов МП39—МП42 он может составлять до 24 дб. По этой причине в первых каскадах усиления низкой частоты всегда желательно применение малошу-мящих транзисторов типа МП39Б, а еще лучше- П27А и П28.
Можно, конечно, производить разбраковку транзисторов по величине интересующих параметров и выбирать наилучшие из них. Иногда это бывает полезным или необходимым. Но ввиду влияния на транзисторы различных внешних факторов и процесса естественного старения транзисторов, при конструировании аппаратуры целесообразно ориентироваться на средние, а еще лучше — на минимальные значения параметра.
Замена | Замена | Замена | |||
Старый | Новый | Старый | Новый | Старый | Новый |
П4А | П216А | П10Б | МП37Б | П201 | П213А |
П4Б | П216Г | П11 | МП38 | П201А | П213Б |
П4В | П216Б | П11А | МП38А | П202 | П214Б |
П4Г | П216Г | П13 | МП39 | П202А | П214В |
П4Д | П216Д | П13А | МП39А | П203 | П214Г |
П4Д | П216Д | П13Б | МП39Б | П203А | П214В |
П5А | ГТ108А | П14 | МП40 | П410 | ГТ313А |
П5Б | ГТ108Б | П14А | МП40А | П410 | ГТ313А |
П5В | ГТ108В | П14Б | МП40Б | П410А | ГТ313Б |
П5Г | ГТ108Г | П15 | МП41 | П411 | ГТ313Б |
П5Д | ГТ108Д | П15А | МП41А | П411А | ГТ313Б |
П5Е | ГТ108Г | П16 | МП42 | П417 | ГТ313А |
П6А | МП39 | П16А | МП42А | П417А | ГТ313Б |
П6Б | МП39А | П16Б | МП42Б | П420 | П401 |
П6В | МП40 | П101 | МП111 | П421 | П402 |
П6Г | МП41 | П101А | МП111А | П501 | КТ315А |
П6Д | МП39Б | П102 | МП112 | П502 | КТ315Б |
П8 | МП35 | П103 | МП113 | П503 | КТ315В |
П9 | МП36 | П103А | МП113А | П504 | КТ315Г |
П9А | МП36А | П104 | МП114 | П504А | КТ315Г |
П10 | МП37 | П105 | МП115 | П505 | КТ315В |
П10А | МП37А | П106 | МП116 | П505А | КТ315В |
Форум на сайте
на главную
пишите пожалуйста на
[email protected]
Таблица взаимозаменяемости IGBT модулей разных производителей — Searchip
Аналоги сборок Биполярных транзисторов с изолированным затвором ведущих мировых производителей:
IXYS | Semikron | Infineon | Fuji | ABB | Mitsubishi | StarPower |
1200V | ||||||
MITH 120PF1200YI | SKM100GB12V | FF100R12RT4 | 2MBI100VA-120-50 | — | CM100DY-24A | GD100HFT120C1S_G8 |
MITH 175PF1200YI | SKM150GB12V SKM195GB126D | FF150R12RT4 | 2MBI150VA-120-50 | — | CM150DY-24A CM100DY-24NF | GD150HFT120C1S_G8 |
MITH 225PF1200YI | — | — | — | — | CM200DY-24 CM150DY-24NF | GD200HFT120C1S_G8 |
MITH 225PF1200LP | SKM200GB12E4 SKM200GB12V | FF200R12KE4 | 2MBI200VH-120-50 | — | CM200DY-24NF | GD200HFT120C2S_G8 |
MITH 300PF1200LP | SKM300GB12E4 SKM300GB12V | FF300R12KE4 FF300R12KE4_B2 | 2MBI300VH-120-50 | — | CM300DY-24S CM300DY-24A | GD300HFT120C2S_G8 |
MITH 450PF1200LP | SKM400GB12E4 SKM400GB12V | FF450R12KT4 | 2MBI450VH-120-50 2MBI450VH-120F-50 | — | — | GD400HFT120C2S_G8 |
1700V | ||||||
MITH 100PF1700YI | SKM75GB17E4 | — | 2MBI75VA-170-50 | — | — | GD75HFT170C1S |
MITH 125PF1700YI | SKM100GB17E4 | — | 2MBI100VA-170-50 | — | CM100DY-34A | GD100HFT170C1S |
MITH 200PF1700YI | SKM150GB17E4 | — | — | — | — | — |
MITH 200PF1700LP | SKM200GB176D | FF150R17KE4 | 2MBI150VH-170-50 | 5SNG0150Q170300 | CM150DY-34A | GD150HFT170C2S GD150HFL170C2S |
MITH 250PF1700LP | SKM200GB17E4 | FF200R17KE4 | 2MBI200VH-170-50 | 5SNG0200Q170300 | CM200DY-34A | GD200HFT170C2S GD200HFL170C2S |
MITH 350PF1700LP | SKM300GB17E4 SKM400GB176D | FF300R17KE4 | 2MBI300VH-170-50 | 5SNG0300Q170300 | — | GD300HFT170C2S GD300HFL170C2S |
Как подобрать замену для MOSFET-транзистора || AllTransistors.com
Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить неисправный MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:
- Узнать полное наименование транзистора по его маркировке. Для MOSFET-транзистора в корпусе СМД название можно расшифровать по маркировке: СМД-коды 🔗.
- Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).
- Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.
- Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.
На что нужно обратить внимание
Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).
Из числовых параметров это, прежде всего предельные характеристики, такие как Pd — максимальная рассеиваемая мощность, Vds — максимальное напряжение сток-исток, Vgs — максимальное напряжение затвор-исток, Id — максимальный ток стока. У подбираемого транзистора эти параметры должны быть не меньше чем у исходного транзистора.
Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.
Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.
Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов
Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).
Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.
Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th) имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.
Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить, срок службы транзистора может сократиться.
Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.
Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.
Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.
Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора
При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.
Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet
Справочники по отечественным электронным компонентам с DatasheetКраткое содержание справочников по электронике.
В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.
В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.
В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.
В справочники по транзисторам кт… включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.
Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.
В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.
В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.
В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.
В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.
В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.
В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.
В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.
В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.
В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.
Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.
В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.
Отечественные операционные усилители. Справочник.
В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets. Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.
В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.
В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.
Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания
В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.
Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.
Отечественные оптроны. Справочник.
В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.
В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.
В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.
Примеры расчетов параметров схем с использованием документации:
*параметры транзисторы справочник условных обозначений* карта сайта
контактный адрес:
Выбор замены транзистора »Примечания по электронике
При ремонте схемы или даже при создании новой часто невозможно найти точный компонент электроники — мы расскажем, как выбрать подходящую замену.
Transistor Tutorial:
Основы транзисторов
Усиление: HFE, HFE и бета
Характеристики транзистора
Коды нумерации транзисторов и диодов
Выбор транзисторов на замену
При работе с электронным оборудованием, будь то проектирование электронных схем, сборка или ремонт, иногда необходимо выбрать транзистор для замены.Либо тип транзистора может не быть под рукой, либо он может быть недоступен.
К счастью, обычно можно использовать заменяющий тип транзистора, поскольку часто существует значительная степень перекрытия между спецификациями различных типов транзисторов, и, глядя на основные характеристики, обычно можно выбрать правильные замены транзистора.
Это объяснение сосредоточено на биполярных транзисторах, но можно применить аналогичную логику к другим электронным компонентам, включая полевые транзисторы, чтобы гарантировать, что можно найти подходящую замену.
При поиске подходящей замены транзистора необходимо ознакомиться с основными техническими характеристиками транзистора. После определения характеристик и параметров транзистора можно проверить наличие других типов транзисторов для замены с аналогичными параметрами, которые смогут работать в рассматриваемой схеме.
При рассмотрении возможных замен транзисторов необходимо учитывать множество параметров. Сюда войдут основные параметры работы транзистора.Они также будут включать параметры, связанные с окружающей средой, и физические параметры. Все это необходимо учитывать при выборе подходящего транзистора на замену.
BC547 Транзистор с пластиковыми выводамиРассмотрим основные параметры транзистора
К счастью, многие транзисторы, используемые в электронных схемах, относятся к типам общего назначения. Их спецификации не особенно строгие, и можно использовать различные транзисторы общего назначения. Сегодня характеристики даже транзисторов общего назначения чрезвычайно высоки, и их можно использовать в самых разных приложениях.
Однако следует более пристально рассмотреть транзисторы, которые выполняют более требовательную роль. Их спецификации необходимо изучить более внимательно, чтобы гарантировать, что любые заменители будут иметь аналогичную спецификацию.
При поиске подходящей замены транзистора необходимо учитывать следующие основные параметры транзистора:
Используемый полупроводниковый материал: Большинство транзисторов изготовлены из германия или кремния.Другие типы обычно используются только в очень специализированных приложениях.
Важно знать, какого типа транзистор, потому что существует разница в падении напряжения прямого смещения базы-эмиттера. Для германия оно составляет около 0,2 — 0,3 вольт, а для кремния — около 0,6 вольт. Схема будет рассчитана на конкретное падение напряжения.
- Полярность: Совершенно необходимо выяснить, является ли транзистор типом NPN или PNP.Установите неправильный тип, и он испытает напряжение, обратное всем ожидаемым, и, вероятно, будет разрушено. Типы транзисторов: символы цепи транзистора NPN и транзистора PNP
Общее применение: Хотя не всегда необходимо точно соответствовать предполагаемому назначению транзистора, различные области его характеристик будут адаптированы к его предполагаемому применению.
Возможные типы приложений могут включать: коммутационные, аналоговые, маломощные, ВЧ-усилители, малошумящие и т. Д.Введите правильный шрифт, и он может не работать. Например, маломощный транзистор общего назначения вряд ли будет хорошо работать в коммутационном приложении, даже если он имеет высокий предел или предел частоты.
- Корпус и распиновка: У транзисторов много корпусов. Часто бывает необходимо подобрать заменяющий транзистор как можно точнее, чтобы транзистор мог физически соответствовать. Также в пакете могут быть указаны другие параметры.
- Пробой напряжения: Необходимо убедиться, что транзистор способен выдерживать напряжения, которые он может увидеть. Необходимо проверить параметры транзистора, такие как Vceo и т. Д.
Коэффициент усиления по току: . Параметр усиления по току транзистора обычно имеет очень широкий разброс. Обычно это цитируется как Β или hfe. Хотя они немного отличаются, для всех подобных схемных эквивалентов параметры транзисторов одинаковы.
Необходимо выбрать транзистор на замену с примерно таким же коэффициентом усиления по току. Обычно не проблема подобрать транзистор на замену с более высоким коэффициентом усиления. Часто может быть приемлемо меньшее усиление по току.
- Предел частоты: Верхний предел частоты для транзистора обычно указывается как его фут. Обычно важно обеспечить соответствие транзистора любым частотным ограничениям.
- Рассеиваемая мощность: Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор может рассеивать достаточную мощность.Часто тип упаковки является хорошим показателем этого.
Это основные параметры, которые важны для большинства приложений, но обратите внимание на любые другие параметры транзистора, которые могут потребоваться при выборе транзистора для замены.
Подбор транзистора на замену
При выборе подходящего заменяющего транзистора для использования в электронной схеме необходимо учитывать несколько этапов при выборе.Их можно продвигать в логическом порядке, чтобы сузить выбор и сделать лучшую альтернативу замене транзистора.
Пошаговая инструкция:
- Выберите транзистор той же полярности: Первый главный критерий выбора — это транзистор PNP или NPN.
- Выберите транзистор для замены из того же материала: Большинство транзисторов либо кремниевые, либо германиевые.Поскольку напряжения смещения и другие характеристики различаются, необходимо выбрать транзистор для замены из того же материала.
- Выберите тот же функциональный тип транзистора: Транзисторы обычно имеют указание на их применение в технических описаниях. Если возможно, замена должна иметь такое же применение.
Выберите замену в том же корпусе: Выбор транзистора для замены с тем же корпусом и распиновкой значительно упростит замену.Различия в корпусе для транзисторов с малым сигналом обычно не являются проблемой, но для более крупных, где могут быть задействованы радиаторы и т. Д., Разные пакеты могут вызвать серьезные проблемы.
Также, если соединения контактов различны, следует позаботиться о том, чтобы правильные контакты были выбраны правильными соединениями. Распиновка многих транзисторов — EBC, но есть и другие конфигурации выводов, которые могут легко запутать многих людей.
- Выберите транзистор на замену с таким же напряжением пробоя: Убедитесь, что значения для V CEO и V CBO и т. Д. Не меньше, чем у исходного транзистора.
- Проверьте, может ли он принимать ток: Убедитесь, что новый транзистор может пропускать требуемый ток — он должен иметь I Cmax больше или равное исходному транзистору.
- Выберите транзистор с аналогичным Hfe: Необходимо убедиться, что коэффициент усиления по току заменяющего транзистора примерно такой же, как у исходного. Значения коэффициента усиления по току обычно сильно различаются даже для транзисторов одного типа, поэтому допустимы некоторые вариации.
- Выберите заменяющий транзистор с эквивалентным Ft: . Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий Ft. Не выбирайте транзистор с гораздо более высоким Ft, так как это может увеличить риск колебаний.
- Выберите транзистор с аналогичной рассеиваемой мощностью: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор может справиться с мощностью, рассеиваемой в цепи.Выбор транзистора на замену с похожим стилем банки часто означает, что оба транзистора имеют одинаковую рассеиваемую мощность.
- Проверьте наличие каких-либо специальных функций: Убедитесь, что выбраны перечисленные выше функции, но могут быть некоторые дополнительные функции, которые необходимо учитывать. Обычно они требуются, когда транзисторы используются в специализированных приложениях.
После выбора транзистора для замены его можно установить в схему и проверить работоспособность.В большинстве случаев он будет работать удовлетворительно, но иногда могут возникать проблемы. В этом случае необходимо повторно изучить способ, которым был сделан выбор транзистора для замены, и посмотреть, были ли допущены какие-либо ошибки, или поискать другие параметры, которые могут повлиять на работу схемы транзистора.
Что делать, если я не могу найти оригинальные детали транзистора?
Иногда очень легко узнать параметры конкретного транзистора, поскольку их можно найти в Интернете или в справочнике транзисторов.Если это невозможно, потому что маркировка не видна, или данные не могут быть найдены, то не все потеряно.
По-прежнему можно многое узнать о транзисторе из его корпуса, а также о схеме, в которой он используется. Таким образом обычно можно найти подходящий транзистор на замену. Приведенные ниже пошаговые инструкции помогут определить основные параметры транзистора.
Пошаговая инструкция:
Эти инструкции изложены в примерном порядке: сначала наиболее важные параметры следуют за менее значимыми:
- Это транзистор? Это может показаться очевидным вопросом, но иногда некоторые устройства могут показаться транзисторами на первый взгляд.Это может быть полевой транзистор, транзистор Дарлингтона или даже какое-то другое устройство. В качестве альтернативы, иногда небольшие регуляторы напряжения содержатся в корпусах, подобных корпусу транзистора. Другие устройства также могут появляться в корпусах, которые на первый взгляд могут показаться транзисторными. Тщательное изучение заявки позволит убедиться в этом.
- Кремний или германий: Важно выяснить, является ли транзистор кремниевым или германиевым.Обнаружить это можно несколькими способами. Если исходный транзистор все еще работает, это можно обнаружить, измерив напряжение на переходе база-эмиттер, когда он смещен в прямом направлении. Это должно быть от 0,2 до 0,3 В для германиевого транзистора и 0,6 В для других разновидностей. В качестве альтернативы можно определить тип, посмотрев на другие транзисторы в схеме. Часто во всем оборудовании используется одна и та же технология. Это не всегда так, так что будьте осторожны!
- Рассеиваемая мощность: Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор.Посмотрите спецификации других транзисторов в тех же корпусах, и это послужит хорошим ориентиром. Пакеты, предназначенные для установки на радиаторах, будут более гибкими, поскольку они часто могут рассеивать больше мощности в зависимости от радиатора. С этими пакетами лучше быть осторожнее.
- Максимальное напряжение: Представление о максимальном напряжении можно получить из схемы, в которой оно используется. На всякий случай убедитесь, что максимальное рабочее напряжение заменяемого транзистора как минимум вдвое превышает напряжение шины цепи, в которой он работает.
- Текущее усиление: Текущее усиление транзисторов, как известно, трудно определить.Транзисторы большой мощности часто предлагают более низкий коэффициент усиления — более старые типы силовых транзисторов могут иметь всего 20-50, тогда как транзисторы меньшего размера могут обеспечивать коэффициент усиления где-то между 50 и 1000.
- Максимальная частота: Необходимо убедиться, что заменяющий транзистор способен работать на требуемой частоте. Посмотрите на компоненты в цепи и функции цепи. Обычно можно оценить частоту срабатывания. Затем возьмите это и выберите транзистор на замену, который может легко работать на этой частоте.
- Что-нибудь еще: Хотя большинство основных моментов было рассмотрено в пунктах выше, всегда лучше следить за другими параметрами, которые могут повлиять на выбор замены транзистора. Это особенно верно для специализированных схем, где некоторые особенности производительности могут быть критичными.
Выбрать транзистор для замены обычно довольно просто. Доступно огромное количество типов транзисторов, а спецификации многих типов транзисторов совпадают, что во многих случаях делает выбор транзистора для замены довольно простым.
Часто бывает полезно проверить складские запасы у местных продавцов или надежных дистрибьюторов электронных компонентов. Часто бывает необходимо выбрать транзистор, который можно получить быстро и легко. Проверка того, что может быть доступно у продавца или дистрибьютора электронных компонентов, поможет принять окончательное решение.
Возможность выбора транзистора на замену может быть очень полезной, если не удается найти точный тип транзистора. Вполне вероятно, что похожий может быть доступен под рукой или, возможно, у местного продавца.В любом случае полезно иметь возможность выбрать заменяющий транзистор с хорошей возможностью его работы.
Другие электронные компоненты:
Резисторы
Конденсаторы
Индукторы
Кристаллы кварца
Диоды
Транзистор
Фототранзистор
Полевой транзистор
Типы памяти
Тиристор
Разъемы
ВЧ разъемы
Клапаны / трубки
Аккумуляторы
Переключатели
Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .
|
Из вопросов и ответов
с TJ Byers
Полупроводник, объяснение пола
Вопрос:
Можно ли подключить NPN-транзистор как PNP-транзистор? Дело в том, чтобы поменять местами соединения?
Леонард Мэри Томас
Ответ:
ТранзисторыNPN и PNP взаимозаменяемы, если вы помните одно простое правило: биполярный транзистор — это, по сути, два встречных диода с базой, являющейся общим соединением.Чтобы транзистор работал, один диод смещен в прямом направлении, а другой — в обратном. Возьмем, к примеру, усилитель с общим эмиттером, как показано ниже. Слева находится транзистор NPN (отрицательно-положительно-отрицательный), а справа — транзистор PNP (положительно-отрицательно-положительный). Обратите внимание, что обе схемы идентичны, за исключением одного. Обратная полярность источника питания.
В конфигурации NPN эмиттер (вывод, который выглядит как стрелка диода, обозначенный (E) , идет на минус (земля).База (B) подключается к + V через резистор Rb. Это смещает в прямом направлении диод база-эмиттер, который демонстрирует характерное падение напряжения 0,7 В. Коллектор (C) , с другой стороны, переходит на + V — фактически, смещая этот диод в обратном направлении.
Напряжение переключения этого диода является параметром VCE, указанным в спецификации, и варьируется от одного типа транзистора к другому. Ток через коллектор-эмиттер контролируется током, протекающим через переход база-эмиттер.Величина влияния называется усилением транзистора или hFE.
Замена PNP в цепи меняет местами ток, протекающий через диод база-эмиттер, и напряжение на коллекторе. В итоге, большинство усилителей слабого сигнала будут работать одинаково хорошо, если вы замените NPN на PNP и измените полярность источника питания. А это означает, что если у вас смешанный пол, каждый транзистор должен иметь смену пола. Обратите внимание, я сказал, что большинство — не все — усилители будут работать с этой АТС.(Подвижность электронов и дырок не равны, особенно на более высоких частотах.)
Если ваше приложение предназначено для переключения логики, все, что вам нужно сделать, это поменять местами эмиттер и коллектор в вашей конструкции, чтобы соблюдались правила прямого / обратного смещения, как показано на двух нижних схемах. Загвоздка в том, что когда вы меняете пол, вы меняете и логику. В конфигурации NPN транзистор включается логическим ВЫСОКИМ уровнем. В версии PNP транзистор включается логическим значением LOW. Убедитесь, что вы настроили соответствующим образом.
Историческая справка. Когда я был новичком и новичком в транзисторах — нарезав себе зубы на электронных лампах с регулируемым напряжением — я услышал об этой аналогии с транзисторами, соединенными спина к спине, и попытался построить сам, используя диоды 1N34A. Угадай, что? Не сработало.
Секрет крутизны транзистора — это крошечный зазор между коллектором и эмиттером, называемый базой, который управляет током, протекающим через транзистор. Разрыв настолько мал, что с 1948 по 1953 год потребовалось почти шесть лет, чтобы усовершенствовать первый надежный коммерческий транзистор: CK722.
Выбор дискретных транзисторов [Analog Devices Wiki]
Джеймс Брайант
Один из распространенных вопросов, которые задают автору и его коллегам из отдела приложений: «В примечании к применению для XXXX требуется транзистор 3N14159 — где я могу его получить?» Исследования показывают, что 3N14159 был устаревшим в течение многих лет — или его можно получить (при минимальном заказе в 1 000 000 штук) со сроком выполнения 21 месяц на заводе в Тимбукту.Правильный вопрос — не «Где мне взять это конкретное устройство?» но «Какие другие, легко доступные устройства будут работать в этом приложении?»
Существуют десятки тысяч, возможно, сотни тысяч различных типов дискретных транзисторов, и почти всегда в системе есть несколько мест, где дискретный транзистор необходим. Что мы выбираем и почему?
Для многих приложений нет необходимости выбирать конкретный транзистор — мы должны просто использовать первый разумно подходящий транзистор, который попадется под руку.Как правильно выбрать транзистор, не тратя время на ненужные детали?
Мы не будем здесь обсуждать физику транзисторов. Существует множество учебников, в которых дается хорошее изложение основ, и есть бесчисленное множество других книг и статей как по основным принципам, так и по подробным исследованиям конкретных вопросов. Но нам действительно нужно знать, что они делают, и может быть полезно узнать немного о том, почему они ведут себя именно так, поэтому мы немного поговорим о транзисторных структурах.
ТРАНЗИСТОРЫ
Транзистор — это твердотельное трехполюсное усилительное устройство. Для входных и выходных сигналов имеется общая клемма, а сигнал на одной из оставшихся клемм управляет током на другой.
Рисунок 1 Основная функция транзистора
Существует два основных типа транзисторов — транзисторы с биполярным переходом и полевые транзисторы, известные соответственно как BJT и FET.
Однако самый основной вопрос при выборе транзистора заключается не в том, BJT это или полевой транзистор, а в его полярности — используется ли его выходной вывод положительным или отрицательным по отношению к его общему выводу? Если ответ положительный, нам нужен NPN BJT или N-канальный полевой транзистор, в противном случае нам нужен PNP или P-канал.Это критически важно, но настолько очевидно, что дальнейшего обсуждения этой темы не требуется. В остальной части статьи, за исключением случаев, когда конкретно рассматривается этот вопрос, мы будем использовать положительные случаи (NPN & N-канал) для всех наших примеров.
Хотя полевые транзисторы были продемонстрированы и запатентованы почти на двадцать лет раньше, чем биполярные транзисторы 1 , первые практические транзисторы были биполярными 2 . Транзистор NPN состоит из тонкой базы полупроводника P-типа, зажатой между двумя областями N-типа, эмиттером и коллектором.Если ток течет от базы к эмиттеру и на коллекторе присутствует положительное смещение, в коллекторе протекает больший ток, пропорциональный току базы.
Рисунок 2 Биполярный переходной транзистор NPN (BJT)
Из рисунка 2 мы видим, что BJT — это усилитель тока — выходной ток в ß раз превышает входной ток, а ß может незначительно изменяться в зависимости от базового тока, так что усилитель не является полностью линейным. (Ss или h fe — это коэффициент усиления по току транзистора.Входное сопротивление не является ни низким, ни линейным, поэтому мы также можем рассматривать BJT как выход I из / V в усилителе (крутизна) с кремниевым диодом в качестве входного устройства. Понятно, что чем больше значение ß, тем лучше усилитель тока. Для большинства приложений достаточно минимального значения 80–100, но нередки значения, превышающие несколько сотен. (Возможны «супер-бета» транзисторы с ß до нескольких тысяч, но они имеют очень узкую базовую область и низкие напряжения пробоя и настолько хрупки, что используются редко, за исключением аналоговых интегральных схем.)
Существует два типа полевых транзисторов, полевые транзисторы с переходом (JFET) и полевые транзисторы с изолированным затвором (IGFET), более часто, но менее точно, называемые металлооксидно-кремниевыми полевыми транзисторами (MOSFET), которые я буду использовать здесь, и оба имеют любую полярность. (N-канал для положительного питания, P-канал для отрицательного). Полевые транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление (но их входная емкость может быть довольно большой — десятки или даже сотни пФ ) и, следовательно, являются устройствами крутизны (I из / V в ).
Сегодня MOSFET — более распространенное устройство. Версия с N-каналом состоит из полоски кремния P-типа с двумя диффузорами N-типа. Поверх полоски между диффузорами находится очень тонкий слой диоксида кремния (или другого изолятора), покрытый проводящей пленкой (обычно из алюминия или поликристаллического кремния). Положительный потенциал на этом проводящем затворе приводит к тому, что материал P-типа непосредственно под изолятором становится N-типом, соединяя диффузию стока и истока и позволяя току течь.Величина тока зависит от приложенного напряжения, поэтому устройство работает как усилитель, а также как переключатель.
Рис.3 МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения
Обычно полевые МОП-транзисторы относятся к этому типу — отключены при несмещении и включены напряжением смещения. Такие устройства известны как устройства расширенного режима. Однако можно сделать полевые транзисторы, которые включаются без смещения и выключаются отрицательным (положительным для P-канала) напряжением. Все полевые полевые транзисторы (полевые транзисторы) относятся к этому типу, но есть и некоторые полевые МОП-транзисторы в режиме истощения.
MOSFET в режиме истощения имеет неглубокую диффузию под оксидом затвора, соединяя сток и исток и позволяя току течь без смещения затвора. Когда затвор смещен отрицательно (для N-канала), эта диффузия ограничивается результирующим электрическим полем, и устройство перестает проводить.
Рисунок 4 МОП-транзистор с N-канальным режимом истощения
N-канальный JFET состоит из полоски кремния N-типа с соединениями (сток и исток) на каждом конце и диффузией затвора P-типа между ними.Без смещения на затворе ток может течь в канале N-типа ниже диффузионного. Когда затвор смещен отрицательно, зона истощения расширяется, заполняя канал, и ток стока прекращается.
Рисунок 5 JFET-транзистор с N-канальным режимом истощения
ВЫБОР ТРАНЗИСТОРОВ
Для большинства транзисторных приложений общего назначения нам нужны непроводящие устройства с нулевым смещением на управляющем входе (база или затвор). Такими устройствами являются BJT или полевые МОП-транзисторы в режиме улучшения.В оставшейся части этой статьи не будут рассматриваться полевые транзисторы в режиме истощения — хотя они являются ценными компонентами в ряде приложений, они настолько менее распространены, чем BJT и устройства режима улучшения, что отдельный раздел для них на самом деле не нужен, особенно когда большинство из них Вопросы, которые мы обсудим, являются общими для всех транзисторов любого типа.
Итак, нам нужен транзистор. Мы знаем, является ли его питание положительным или отрицательным, и поэтому, нужно ли нам устройство с каналом NPN / N или с каналом PNP / P.Но нужен ли нам BJT или MOSFET?
Во многих случаях это не имеет значения. Дискретные полевые МОП-транзисторы, возможно, на десять или двадцать процентов дороже, чем биполярные транзисторы, но им не нужны базовые резисторы, которые стоят дорого и занимают дорогую площадь на плате. Они немного более уязвимы для электростатических повреждений ( ESD ) во время обращения, но они не потребляют базовый ток и не нагружают цепи постоянного тока (поскольку они имеют относительно большую входную емкость, они могут вызвать проблемы с емкостной нагрузкой в более высокочастотных цепях).Когда-то пороговое напряжение затвора (значение В gs , при котором MOSFET начинает проводить) составляло несколько вольт, поэтому их нельзя было использовать с очень низкими напряжениями питания, но сегодня пороговые напряжения многих устройств равны сравнимо с базовым напряжением включения 0,7 В кремниевого биполярного транзистора. Так что, где нам нужен усилитель или логический переключатель, нам, вероятно, все равно.
Но вход BJT — кремниевый диод. Мы можем использовать его тепловые свойства для измерения температуры и его высокий ток при перегрузке, чтобы действовать как фиксирующая или ограничивающая цепь, поэтому есть некоторые схемы, в которых мы должны иметь BJT.
В течение примерно двадцати лет журнал Elektor 3 публиковал схемы, созданные на основе транзисторов, которые он называет TUN и TUP («Transistor Universal NPN» и «Transistor Universal PNP»). Эти транзисторы являются кремниевыми планарными BJT, и любой транзистор, который превышает следующие спецификации, соответствует требованиям:
Устройство | Тип | BV ceo | I c (макс.) | ß [h fe ] (мин.) | P tot (макс. F) | 902 t64 (Мин.)|
---|---|---|---|---|---|---|
TUN | NPN | 20 V | 100 мА | 100 | 100 мВт | 100 МГц |
TUP | PNP | -20 V | -100 мА | 100 | 100 мВт | 100 МГц |
Подходят самые дешевые кремниевые малосигнальные транзисторы.Я должен предложить добавить в список MUN и MUP («универсальный N-канал MOSFET» и «универсальный P-канал MOSFET») — и самые дешевые малые полевые МОП-транзисторы соответствуют этой спецификации:
Устройство | Тип | BV ds | I c (макс.) | V GS (th) | P до (макс.) T 902 t выкл (макс.) | |
---|---|---|---|---|---|---|
MUN | N-канал | 20 V | 100 мА | 0.5 В до 2 В | 100 мВт | 20 нСм |
MUP | P-канал | -20 V | -100 mA | -0,5 V до -2V | 100 мВт | 20 nS |
Большинство версий SPICE содержат стандартные BJT и MOSFET, похожие на эти «универсальные» устройства. Поэтому при разработке системы, содержащей дискретные малосигнальные транзисторы, используйте эти универсальные схемы на этапе проектирования и выберите наиболее удобный ( i.е. лучшая комплектация, доступность и невысокая стоимость) при заказе. Однако при публикации или описании дизайна используйте общую терминологию, чтобы было ясно, что точный выбор устройства вряд ли будет иметь значение.
Конечно, многие конструкции не могут использовать эти стандартные устройства — некоторые спецификации должны выходить за рамки простого стандарта. В таких случаях укажите исключения, например: —
MUN кроме выше BV DS = 250 В
ТУП кроме выше ß = 200
Когда в опубликованном проекте используется конкретный транзистор, разумно подумать о том, необходимо ли выбранное устройство для дизайна или это просто первый транзистор, выпавший из ящика для мусора 4 , когда дизайнер построил свой прототип 5 .Изучите технический паспорт (если транзистор настолько загадочен, что вы не можете найти технический паспорт, изучите схему, в которой он используется): —
Есть ли у устройства какие-то необычные характеристики?
Используется ли эта характеристика в схеме?
Ожидаете ли вы, что схема будет работать с TUN / TUP?
Предлагает ли быстрая проверка программного обеспечения (SPICE), что оно будет работать с TUN / TUP?
Можно ли предположить, что немного менее быстрая проверка оборудования (макетной платы) будет работать с TUN / TUP?
Если ответы на все вопросы «Да», то, вероятно, будет разумно изучить пункты 1 и 2 немного более внимательно, но если ответы «Нет, нет, да, да, да», почти наверняка безопасно заменить устройство. с общим.
ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРА
Максимально допустимое напряжение коллектор / сток. BVceo или BVds Если максимальное напряжение питания меньше, чем BV ceo или BV ds , и в коллекторе / стоке нет индуктивной цепи, которая могла бы вызвать более высокие переходные процессы напряжения, и нет внешнего источника сигнала, который мог бы применяться более высоким напряжения, то нам не нужно беспокоиться об этой спецификации.
С другой стороны, существует много схем, в которых можно ожидать, что транзистор будет работать с высокими значениями В ce или В ds , либо в установившемся состоянии, либо в переходных процессах, и очень важно, чтобы там, где это было В этом случае выбирается правильный максимум.Старые учебники склонны предполагать, что транзисторы являются устройствами низкого напряжения и что за редким исключением они дороги — полезно помнить, что сегодня
Биполярные транзисторы и полевые МОП-транзисторы с пробивным напряжением более 500 В недороги и легко доступны, хотя коэффициент усиления по току ß высоковольтных транзисторов чаще находится в диапазоне 40–100, а не = 100 для TUN / TUP. Точно так же пороговое напряжение затвора высоковольтного полевого МОП-транзистора с большей вероятностью будет в диапазоне 2–5 В, а не 500–2000 мВ для MUN / MUP.
Абсолютный максимальный ток коллектора / стока. Ic (max) или Id (max) Максимальный ожидаемый ток коллектора / стока не должен превышать абсолютный максимальный номинальный ток устройства. Учитывая, что значение TUN / etc для этого составляет 100 мА , это маловероятно для схем со слабым сигналом, но если транзистор требуется для подачи питания на нагрузку, необходимо проверить максимальный ток.
Абсолютный максимальный номинальный ток некоторых устройств можно разделить на номинальный ток постоянного (или, возможно, средний) ток и более высокий рейтинг переходных процессов для коротких импульсов.Важно убедиться, что пиковые переходные токи находятся в номинальных пределах.
Большинство малосигнальных транзисторов имеют номиналы I max , превышающие 100 мА — обычно 300-1000 мА — и многие устройства, которые соответствуют спецификации TUN и т. Д., Действительно имеют такой рейтинг и могут использоваться при таких средних токах необходимы. Если требуются более высокие токи, устройства TUN и т. Д. Будут неадекватными, и необходимо выбрать устройство питания. При более высоких токах важно соблюдать номинальную мощность, а также номинальный ток, пакеты, вероятно, будут больше, и может потребоваться радиатор.Биполярные транзисторы с более высокими максимальными токами могут иметь более низкие значения ß при больших токах.
Пакеты и мощность. Существует бесчисленное множество различных корпусов транзисторов от почти микроскопических корпусов для поверхностного монтажа до больших пластиковых и металлических корпусов, способных выдерживать несколько кВт при соответствующем охлаждении. Выберите тот, который наиболее удобен для вашего применения — поверхностный монтаж для массового производства, свинцовый для прототипирования и мелкосерийного производства, где удобна простота ручной пайки, и любой блок питания, подходящий, когда необходимо учитывать рассеивание и радиаторы.
Некоторые из наиболее распространенных корпусов транзисторов показаны на рис. 6 вместе с парой германиевых транзисторов с германиевым переходом очень ранних британских «красных пятен» (f t = 700 кГц) в кованых алюминиевых банках конца 1950-х годов. («Красные пятна» включены для исторического интереса — в подростковом возрасте автор этой статьи использовал эти транзисторы «Красных пятен», которые были бракованными с производственной линии, производящей устройства с номерами типов — несмотря на то, что они бракованные, они все еще стоили около 1 фунт стерлингов за штуку [более 20 долларов в текущих ценах] для создания ряда различных радиоприемников и усилителей, а также счетчика Гейгера.)
Рисунок 6 Некоторые корпуса транзисторов
Тепло уходит от большинства корпусов через их выводы, поэтому фактические тепловые характеристики малосигнального транзистора зависят как от печатной платы, на которой он установлен, так и от корпуса. Даже самые маленькие транзисторы для поверхностного монтажа могут рассеивать несколько сотен мВт, что намного больше максимального предела, указанного в спецификации TUN / etc. Одно и то же устройство в разных корпусах может иметь разную максимальную мощность — RTFDS 6 осторожно.
В корпусах более мощных устройств есть металлические области, обеспечивающие теплопроводность к радиатору, поэтому внимательно ознакомьтесь с характеристиками рассеивания и требованиями к радиатору для этих устройств. Корпус TO-264 на рисунке 6 может рассеивать 2,5 кВт на подходящем радиаторе.
Разные устройства в одном корпусе могут иметь разную распиновку. Важно понимать, что два транзистора с одинаковыми электрическими характеристиками и корпусом могут иметь разные выводы и, следовательно, не могут быть взаимозаменяемыми сразу.На рисунке 7 показаны шесть возможных BJT-соединений корпусов TO-92 и SOT-23. Еще в 1990-х автору удалось найти хотя бы одно устройство с каждой из этих выводов, и хотя этот список был утерян, у него нет оснований предполагать, что современные транзисторы менее разнообразны.
Рисунок 7 На корпусе возможно шесть выводов
В высокочастотной конструкции может быть полезно выбрать устройство с распиновкой, обеспечивающей наименьшее паразитное реактивное сопротивление в разводке печатной платы.
Ток утечки коллектора / стока. Ice0 или Idss0 (иногда называется «ток отсечки» ). Это небольшой ток утечки, который течет от коллектора к эмиттеру или от стока к истоку, когда транзистор выключен. Обычно он составляет порядка десятков нА, но в таблицах данных иногда устанавливаются довольно большие максимальные значения для худшего случая, чтобы снизить затраты на тестирование. Транзисторы, используемые в качестве переключателей или усилителей очень низкого уровня, следует выбирать для утечки менее 50 нА, но для большинства приложений 200 нА или даже более вполне приемлемы.
Рис.8 Инвертор с очень низким энергопотреблением, использующий полевой МОП-транзистор с малой утечкой.
Инвертор малой мощности, показанный на рисунке 8, является примером схемы, требующей очень низкой утечки коллектора / стока. Утечка стока 100 нА дает падение напряжения 1 В и выходное напряжение 2,0 В, только на пороге разрешенных уровней логической 1, поэтому в практических конструкциях следует использовать полевые МОП-транзисторы с утечкой стока / истока = 50 нА. (Обратите внимание, что хотя этот инвертор очень маломощный [300 нА = 0.9 мкВт, когда транзистор включен], это также очень медленно — если предположить, что выходная емкость транзистора плюс емкость дорожки плюс входная емкость следующего каскада составляет 20 пФ , что не является необоснованным, время нарастания этого транзистора составляет около 0,2 мс, а не время нарастания. проблема для приложений постоянного тока, но бесполезна даже для цепей переключения средней скорости.)
Текущее усиление. ß или hfe Коэффициент усиления по току BJT — это отношение тока коллектора к току базы, когда устройство не находится в режиме насыщения ( i.е. , напряжение коллектор / база положительное [для устройства NPN]). ß обычно довольно постоянен в широком диапазоне токов, но он может быть немного ниже при очень низких базовых токах и почти наверняка начнет падать, когда ток коллектора приблизится к своему абсолютному максимальному значению. Поскольку это соотношение, это безразмерная величина.
TUN и TUP имеют ß = 100, но сильноточные и высоковольтные BJT могут иметь несколько более низкие (= 40 или 50) минимальные заданные значения.
Рис.9 Транзисторный (BJT или MOSFET) эмиттер / истоковый повторитель
Выходной каскад эмиттерного повторителя / истокового повторителя, показанный на рисунке 9, одинаково точен как с BJT, так и с MOSFET.В простых эмиттерных повторителях предполагается, что напряжения базы / эмиттера или затвора / истока В, , равны или В, gs , остаются постоянными, обеспечивая фиксированное смещение между входным напряжением и напряжением нагрузки, но в более точных схемах. обратная связь может быть получена от соединения эмиттер (источник) / нагрузка.
Рисунок 10 Поскольку базовый ток не течет по их выходам, BJT менее точны, чем полевые транзисторы, как токовые выходные каскады.
Поскольку часть эмиттерного тока должна протекать в базе, коллекторный и эмиттерный токи BJT не идентичны, что означает, что токовый выходной каскад на рисунке 10 должен быть выполнен с использованием MOSFET, а не BJT, поскольку MOSFET имеют практически нулевой ток затвора. .
Прямая крутизна. gfs Прямая крутизна полевого транзистора — это отношение ΔI ds / ΔV gs , когда устройство включено и цепь стока не ограничена по току. Он измеряется в сименсах (S) (или, для традиционалистов среди нас, в mhos или обратных омах [Ʊ], которые являются устаревшим названием и символом одного и того же). Малосигнальные полевые транзисторы и полевые МОП-транзисторы могут иметь g fs всего в несколько мс, но более крупные могут иметь усиление от больших долей сименса до нескольких сименсов и более.
Как правило, изменения напряжения затвора на несколько вольт достаточно для изменения тока стока с минимального (выключенного) до его абсолютного максимального значения. Также важно знать, при каком напряжении на затворе начинается проводимость — см .:
Пороговое напряжение затвора. Vgs (th) Пороговое напряжение затвора полевого МОП-транзистора — это напряжение затвора / истока, при котором правильно смещенный сток начинает потреблять ток. Определение «запусков» будет указано в листе данных и может составлять всего несколько мкА, но более вероятно, что оно будет определено как 1 мА или даже больше для полевого МОП-транзистора высокой мощности.Выше этого порогового значения ток стока будет очень быстро расти с небольшим увеличением напряжения затвора.
Если полевой МОП-транзистор должен управляться логикой, важно, чтобы его пороговое напряжение было выше наихудшего значения логического 0 в диапазоне температур схемы, которое, вероятно, составит не менее нескольких сотен мВ , иначе это может начать включаться, когда его предполагается выключить.
Напряжение насыщения. Vce (sat) Когда BJT включается достаточно сильно, чтобы падение напряжения на его нагрузке коллектора было достаточным, чтобы понизить потенциал коллектора ниже потенциала базы (другими словами, переход база-коллектор смещен в прямом направлении), это называется насыщенный .Это напряжение насыщения не пропорционально току коллектора, поэтому модель насыщенного транзистора — это не просто сопротивление между его коллектором и эмиттером.
Два примера важности низкого напряжения насыщения:
[A] В классической логике TTL каждый входной сигнал направляет 1,6 мА в управляющий им выход логического 0. При полном разветвлении 10 это означает, что выходной транзистор TTL может потребоваться для потребления около 16 мА с напряжением насыщения не более 400 мВ .
[B] Когда силовой BJT используется для переключения сильноточных нагрузок, его рассеяние при заданном токе нагрузки пропорционально его напряжению насыщения. Чем ниже напряжение насыщения, тем меньше тепла необходимо отводить от транзистора.
Обратите внимание, что когда вы снимаете входной привод с насыщенного транзистора, возникает задержка (обычно нсек или десятки нсек, но может быть больше), прежде чем он начнет отключаться. Это его время восстановления насыщения и может быть указано, при четко определенных условиях, в его техническом паспорте.
О сопротивлении. МОП-транзисторы Ron не насыщаются, потому что они являются основными носителями. Когда они включаются с напряжением затвора, значительно превышающим пороговое напряжение затвора, они ведут себя как резисторы низкого номинала, а их сопротивление на сопротивлении указано в их технических характеристиках. Применяется закон Ома — падение напряжения пропорционально току и включенному сопротивлению, а их рассеяние составляет I 2 R.
Коэффициент шума. NF Большинство применений транзисторов имеют относительно высокий уровень шума, и шум не является проблемой.Но если это проблема, то это критически важно. Многие транзисторы, как BJT, так и FET, имеют коэффициент шума, указанный и гарантированный их производителями. При сравнении коэффициентов шума различных устройств очень важно, чтобы коэффициенты шума измерялись при одинаковом импедансе источника. Если транзисторы предназначены для использования в радиосистемах, вероятно, что их NF будет измерена при 50 Ом, поэтому сравнение простое, но бессмысленно сравнивать NF двух устройств, у которых NF были измерены при разных импедансах.В документе, относящемся к более раннему RAQ 7 , подробно рассматриваются эти и другие проблемы шума, и к нему следует обращаться, если вам интересна эта тема.
Частота перехода. ft f t BJT — это частота, на которой коэффициент усиления по току при коротком замыкании (на ВЧ) на выходе равен единице. Опять же, я не предлагаю обсуждать, как это можно измерить 8 , а просто хочу отметить, что f t является наиболее широко используемым показателем качества для сравнения частотной характеристики BJT.Большинство TUN и TUP будут иметь f t значительно выше минимума 100 МГц , но транзисторы высокой мощности и высокого напряжения часто будут иметь довольно низкие значения.
Полевые транзисторы представляют собой крутильные устройства с бесконечно малым входным постоянным током, поэтому неправильно учитывать их усиление по постоянному току. Но поскольку они имеют входную емкость (C gs ) от пФ до сотен пФ , их емкостное входное сопротивление относительно низкое на ВЧ, поэтому их входной ток ВЧ может быть измерен, а их f t получен.Иногда лист данных FET или MOSFET будет содержать значение f t , полученное таким образом, и его, безусловно, допустимо использовать, если доступно, для оценки частотной характеристики FET, но обычно скорость полевых транзисторов указывается с точки зрения переключения раз.
Время переключения. t (on) & t (off) Большинство полевых транзисторов и многие BJT имеют спецификации времени переключения, определяемые как время, затрачиваемое при определенных условиях (RTFDS 9 ) для повышения выходного тока от нуля до заданного значения, или вернуться к нулю соответственно.Предполагается, что сигнал переключения является мгновенным (юридическая фикция) или определяется как несколько нсек. Сравнение времени переключения — надежный способ сравнения относительных скоростей транзисторов при условии, что они испытываются в аналогичных условиях.
Емкости. C ?? Есть три емкости, связанные с транзистором: входная емкость C в , выходная емкость C из и емкость Миллера 10 (или обратная связь) C fb .Разные производители используют разные названия (поэтому C ?? в заголовке), но какое именно название должно быть ясно видно из рисунка 11.
Рисунок 11 Паразитные емкости транзисторов (разные производители используют разные названия / символы)
Как мы уже видели, полевые транзисторы, особенно силовые полевые МОП-транзисторы, могут иметь значения Cin до 1 нФ или даже больше, хотя малосигнальные полевые МОП-транзисторы будут иметь гораздо меньшие значения, вероятно, в диапазоне 15-50 пФ .Тем не менее, при проектировании схем, в которых такая емкость может влиять на время нарастания или стабильность схемы, важно убедиться, что конструкция учитывает такие значения и что устройства выбираются с емкостями, допускаемыми конструкцией схемы.
ВЫБОР ТРАНЗИСТОРА
Итак, нам нужен транзистор для конструкции. Как мы выбираем?
Было бы неплохо иметь базу данных по каждому транзистору в мире, прикрепленную к электронной таблице, чтобы после ввода предельных значений каждого важного параметра мы видели список каждого из них, который соответствует нашим требованиям.К сожалению, такой список невозможно составить — он огромен и будет меняться день ото дня по мере появления новых транзисторов и устаревания старых. Однако такие дистрибьюторские компании, как Avnet, Arrow, Digi-Key, Mouser, Premier Farnell и RS Components, имеют на своих веб-сайтах системы параметрического поиска 11 , которые позволяют нам делать то же самое с тем преимуществом, что, хотя они и не показывают все устройства в мире, те, которые они показывают, вероятно, будут легко доступны.У многих производителей тоже есть такие параметрические поисковые системы, которые даже более актуальны, но преимущество дистрибьюторских систем в том, что они позволяют нам сравнивать устройства многих производителей на одном сайте и, как правило, также дают некоторое представление. фактического наличия.
Итак, ответ на вопрос — составить список необходимых параметров и выйти в онлайн. Поисковая система каждого дистрибьютора немного отличается, и, конечно, акции каждого дистрибьютора (и, возможно, цены) также различаются, поэтому, вероятно, лучше использовать более одного и сравнивать результаты.
Мы уже обсудили, какие параметры выбрать, но суммируем основные по порядку: —
Полярность: — Канал NPN / N или Канал PNP / P?
Тип: — BJT или FET?
Рабочее напряжение: — Выберите минимальное безопасное значение BV ceo или BV ds (Также может быть хорошей идеей выбрать максимальное значение, так как транзисторы с очень высоким напряжением могут иметь меньшее значение.
усиление и выше V ce (sat) или R на и обязательно будут немного дороже.)
Максимальный ток: — Выберите значение = 33% выше максимального ожидаемого тока коллектора / стока.
(Возможно, вам придется учитывать пиковые переходные токи, а также максимальные токи в установившемся режиме.)
Пакет: — Какой корпус, и распиновка , вам требуются?
(Если устройство поставляется в нескольких упаковках, абсолютный максимальный ток и номинальная мощность могут варьироваться в зависимости от
пакет выбран — проверьте это. Также в руководстве по параметрическому выбору может не быть деталей о распиновке.)
Мощность: — Какое максимальное рассеивание?
(Помните, что выключатель рассеивает очень мало энергии в выключенном состоянии, а когда он включен, большая часть мощности приходится на нагрузку, а не на сам выключатель.Во время переключения рассеиваемая мощность выше, но это важно только в том случае, если устройство постоянно переключается с высокой скоростью.)
Каждый раз, когда мы выбираем транзистор, необходимо определять указанные выше параметры. Остальные могут иметь решающее значение для одних приложений и не иметь значения для других, поэтому вы должны решить для себя, какие из них имеют значение для вашего приложения, и выбрать устройства, которые соответствуют вашим требованиям. Рассмотрите весь оставшийся список, но укажите только те, которые вам действительно интересны: —
Ток утечки: — I ce0 или I ds0
Коэффициент усиления по току: — ß или h fe — Для некоторых приложений требуется ß = 100
Крутизна: — г — Редко подлежит уточнению.
Пороговое напряжение затвора: — В gs (th) — Оно должно быть совместимо с уровнями любой логики, используемой для управления MOSFET в качестве переключателя, и не должно быть слишком большим, если MOSFET используется с низкое напряжение питания.
Напряжение насыщения: — В ce (sat) — Важно только тогда, когда BJT используется в качестве переключателя (логического или силового).
На сопротивлении: — R на — Важно, когда полевой МОП-транзистор используется в качестве переключателя питания, но не обычно в усилителях или логических приложениях
Коэффициент шума: — NF — Важно только в усилителях (очень) малых сигналов или малошумящие генераторы.
Частота перехода: — f t — Важна только в ВЧ усилителях или генераторах.
Время переключения: — t (вкл.) & t (выкл.) Этот параметр редко имеет значение, за исключением транзисторов, используемых в быстрых логических интерфейсах и быстром переключении мощности.
Емкость: — C на , C на выходе и C fb (или их версии от разных производителей.) — Эти параметры редко нужно указывать для приложений LF BJT, но поскольку полевые МОП-транзисторы могут иметь довольно большую C в имеет смысл помещать значения наихудшего случая в SPICE-модели схем с дискретными полевыми МОП-транзисторами, чтобы гарантировать, что их емкость не является проблемой.
Когда вы введете выбранные вами параметры в поисковую систему, вы, если повезет, получите список устройств с нужными вам характеристиками. Если вы уверены, что правильно выбрали параметры, выберите от пяти до десяти самых дешевых, которые есть в наличии. Сделайте то же самое с еще парой поисковых систем дистрибьюторов, а затем сравните свои списки. Вы должны обнаружить, что они похожи — в таком случае выберите самое дешевое устройство, доступное у большинства поставщиков.
Получите SPICE-модель этого устройства и убедитесь, что она совместима с SPICE-симуляцией вашей конструкции.Если это так, создайте прототип оборудования с этим устройством и также проверьте его производительность. Если все в порядке, вы выбрали транзистор.
Однако, когда вы публикуете свой дизайн или отправляете его в производство, не указывайте устройство, которое вы выбрали, как если бы это был единственно возможный выбор. Спецификация должна выглядеть примерно так: «Транзистор TR3 представляет собой N-канальный MOSFET в корпусе TO-92 (распиновка s- g -d на контактах 1-2-3), его BV ds0 должен быть не менее + 25V, I ds (max) не должно быть меньше 250 мА , V gs (th) должно быть в пределах 600 мВ — 1.8V и C в должны быть меньше 65 пФ . Большинство полевых МОП-транзисторов, соответствующих этому описанию, должны работать в этой схеме, но анализ SPICE и создание прототипов были выполнены с помощью 2Nxxxx. Анализ SPICE 2Nyyyy, 2Nzzzz и VNaaaa предполагает, что эти устройства также должны работать хорошо, но многие другие NMOSFET-транзисторы с аналогичными характеристиками также могут быть удовлетворительными ». Конечно, вам действительно стоит провести SPICE-анализ 2Nyyyy, 2Nzzzz и VNaaaa, которые, конечно же, будут одними из самых дешевых и наиболее доступных устройств из вашего списка.
Аналогичная процедура применяется, если проект, который вы хотите использовать, требует 3N14159. и вы не можете его найти. Если у вас есть его данные, изучите схему и решите, какие из параметров устройства важны. Если вы не можете найти его данные, изучите схему и попытайтесь определить, какие параметры транзистора необходимы для правильной и безопасной работы. Попробуйте симуляцию SPICE, чтобы проверить работоспособность, но будьте немного консервативны в выборе бездымных (, т.е. безопасных — он не взорвется) значений напряжения пробоя, тока и мощности, поскольку это не ваша конструкция, и может быть что-то вы упускается из виду.Используйте выбранные вами значения в параметрическом поиске с последующей проверкой программного и аппаратного обеспечения, как описано выше. Если все пойдет хорошо, у вас есть запасные части для 3N14159, и вам не придется ехать в Тимбукту.
Джеймс Брайант Калшот — Англия Апрель 2014 г.
Вернуться к предыдущей главе
Перейти к следующей Глава
Вернуться к содержанию
Список литературы
[1] Джулиус Лиллиенфилд — Заявка на патент Канады CA272437 (1925) / Патент США US1745175 — Способ и устройство для управления электрическими токами 1930-01-28
[2] Shockley, Brattain & Bardeen — Bell Telephone Labs 1947
John Bardeen & Walter Brattain: — Патент США US2524035 — Трехэлектродный элемент схемы с использованием полупроводниковых материалов 1948-02-26 (выпущен 1950-10-03)
Уильям Шокли: — Патент США US2569347 — Элемент схемы, использующий полупроводниковый материал, 1948-06-26 (выдан 25.09.1951)
[3] http: // www.elektor.com/
[4] У каждого инженера должна быть коробка с использованными компонентами, оставшимися от предыдущих проектов, в качестве источника внезапно необходимых деталей для новых. В идеале у них должен быть разумный набор вещей, но не настолько, чтобы их было трудно искать. Спичечный коробок слишком мал, 40-футовый интермодальный контейнер обычно слишком велик (если вы не морской инженер, работающий на морских буровых установках).
[5] Разработчики интегральных схем делают это слишком часто при написании таблиц данных.Вместо того, чтобы указывать общую часть, они указывают ту, которую они фактически использовали — это был предварительный образец патагонского стартапа, который обанкротился в 1976 году, или что-то столь же нелепое. Это одна из причин высокого уровня безумия среди людей. инженеры-прикладники, которые должны убедить клиентов, что использование заменителя на самом деле не является признанием поражения и не может ускорить Армагеддон или дождь из лягушек и рыб.
[6] «Прочтите Friendly Data Sheet!»
[7] В этих ссылках обсуждается тепловой шум и коэффициенты шума в контексте резисторов и операционных усилителей, но физика в равной степени применима и для транзисторов.
http://www.analog.com/en/high-speed-op-amps/low-noise-low-distortion-amplifiers/products/raq_jb_resistor_noise_can_be_deafening_issue25/resources/faq.html?display=popup
http://www.analog.com/en/all-operational-amplifiers-op-amps/operational-amplifiers-op-amps/products/RAQ_JB_Op_Amp_Noise_can_be_Deafening_Too_Issue26/resources/faq.html?display=popup
http://www.analog.com/static/imported-files/rarely_asked_questions/moreInfo_raq_opAmpNoise2.html
[8] Cadence отлично справляется с работой по телефону
http: // www.cadence.com/Community/blogs/rf/archive/2008/07/16/measuring-transistor-ft.aspx
[9] «Прочтите дружественный технический паспорт»
[10] Назван в честь Джона Милтона Миллера, который впервые описал его эффекты в 1920 году.
https://en.wikipedia.org/wiki/John_Milton_Miller Миллер, конечно, работал с термоэмиссионными клапанами (лампами), но название и эффект до сих пор актуальны для полупроводниковых триодов (БЮТ и полевые транзисторы).
[11] Источники транзисторов
https: // avnetexpress.avnet.com/store/em/EMController/Discrete/Bipolar-Transistor/GP-BJT/_/N-100083?action=products&cat=1&catalogId=500201&categoryLink=true&cutTape=&inStock=&langId=-1&myCatalog=&ropi=html = & storeId = 500201 & term = & topSellers = & categoryLink = true и
https://avnetexpress.avnet.com/store/em/EMController/Discrete/Transistor/MOSFET/_/N-100099?action=products&cat=1&catalogId=500201&category&categoryLink=tape & inStock = & langId = -1 & myCatalog = & npi = & proto = & RegionalStock = & rohs = & storeId = 500201 & term = & topSellers = & categoryLink = true
http: // компоненты.arrow.com/semiconductor-discrete/transistors/ и
http://components.arrow.com/part/search/%5E7/42/855?region=na&whereFrom=gnav и
http://components.arrow.com/ part / search /% 5E7 / 42/942? region = na & whereFrom = gnav
http://www.digikey.com/product-search/en/discrete-semiconductor-products/transistors-bjt-single/1376376?k=transistor и
http://www.digikey.com/product-search/en / Discrete-Semiconductor-Products / Fets-Single / 1376381? k = транзистор
http: // www.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/Transistors-Bipolar-BJT/_/N-ax1sh/ и
http://www.mouser.com/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/MOSFET/_/N- ax1sf /
http://uk.farnell.com/transistors-bipolar-bjt-single и http://uk.farnell.com/mosfets
http://uk.rs-online.com/web/c/semiconductors/discrete-semiconductors/bipolar-transistors/ и
http://uk.rs-online.com/web/c/semiconductors/discrete-semiconductors/ МОП-транзисторы /
Все транзисторы.Техническая спецификация. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов.
BJT TOP50: 2N2222 | 2N3055 | BC547 | 2N3904 | 2N2222A | BC107 | C945 | BC548 | BD139 | 8050 | S8050 | BC557 | BC337 | TIP31 | D882 | AC128 | BC108 | S9014 | C1815 | BD140 | 2N3906 | S8550 | 8550 | 2SC945 | 2SC5200 | BC547B | 2N5551 | MJE13003 | 9014 | BC549 | BC148 | TIP122 | 9013 | 2N2907 | BC558 | BC327 | C102 | A733 | 2SC1815 | 2N60C | 2N222 | 2N4401 | BC109 | BD135 | S9013 | BC546 | A1015 | 9012 | 431 | 2N3773
MOSFET TOP30: IRF3205 | IRFZ44N | IRF740 | IRF540 | IRF840 | BS170 | IRFZ44 | IRF640 | IRF540N | 2N7000 | IRF630 | IRFP460 | IRFZ46N | IRF530 | IRF1404 | IRF3710 | IRFZ34N | IRFP250 | BUZ11 | RFP50N06 | IRF520 | IRFP450 | IRFB3306 | IRF510 | IRF830 | 2N5484 | IRF730 | IRF150 | STF5N52U | 2360
IGBT TOP15: IRGP4086 | CT60AM-18F | FGPF4633 | G40N60B3 | IRG7IC28U | G20N60B3D | IXGR40N60C2D1 | G7N60C3D | РДЖП30х2ДПД | ИКВ50Н60х4 | 10Н40Ф1Д | GT60M303 | ФГх50Н60СФД | IRG4BC30W-S | IRG4PC50UD
КУПИТЬ ТРАНЗИСТОРЫ
Выбор замены биполярного транзистора
Материал =
Структура =
Pc> W
Vcb> V
Vce> V
Вэб> В
Ic> А
Tj> C
футов> МГц
куб.см пФ
Hfe>
Колпачки =
R1 = кОм
R2 = кОм
R1 / R2 =
Пустые или нулевые поля при поиске игнорируются!
Как выбрать замену биполярному транзистору 🔗
ИТОГО: 127275 транзисторов
Как выбрать замену биполярному транзистору || AllTransistors.com
Биполярных транзисторов много, и большинство из них имеет множество аналогов, близких по своим параметрам, так что поиск замены обычно не вызывает никаких затруднений. Конечно, лучший вариант — заменить перегоревший транзистор на такой же, но если достать не получится, то с выбором аналога не возникнет никаких трудностей. Вот что нужно сделать для этого:
- Чтобы узнать название транзистора.Если это SMD-устройство — его код нужно расшифровать в разделе SMD-кодов 🔗.
- Проанализировать схему транзистора (связка).
- Найдите техническое описание неисправного транзистора и введите его основные параметры в форму аналогового поиска.
- Просматривая паспорта предлагаемых транзисторов, выбрать наиболее подходящий по параметрам аналог, учитывая режимы его работы в устройстве.
На что обратить внимание?
Открыв PDF-Datasheet, в первую очередь выясним тип транзистора — биполярный или полевой, p-n-p или n-p-n, тип корпуса, расположение распиновок.
Из числовых параметров, в первую очередь, это максимальные ток и напряжение. Максимальный ток и напряжение при замене транзистора должны быть больше или равны исходному.
Для биполярного транзистора важным параметром является коэффициент передачи тока hFE. Если транзистор находится в ключевых цепях (требует включения-выключения) hFE должен быть больше или равен требуемому коэффициенту. Если он есть в аналоговых усилителях или аналогичных устройствах, он должен быть близок к hFE.В импульсных источниках питания аналоговые транзисторы следует выбирать с близким hFE (нужно будет менять еще и рабочий транзистор, стоящий в паре).
Необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения прибора. Если транзистор чрезмерно горячий, проблема может быть как в транзисторе, так и в нерабочих элементах его связки.
Основные параметры декодирования биполярных транзисторов
Полупроводниковый материал: большинство транзисторов будет из германия или кремния.Другие типы не используются в обычных устройствах. С учетом этого параметра будет создана связка транзисторов.
Полярность: при установке транзистора другой полярности выходит из строя.
Pc — Максимальная мощность: необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная мощность снижается.Если рассеиваемая мощность недостаточна — ухудшаются другие характеристики транзистора, например, резкое увеличение тока коллектора, что приводит к еще большему нагреву и выходу транзистора из строя.
Ucb — Максимально допустимое напряжение коллектор-база, определяемое значением напряжения пробоя p-n перехода. Это зависит от тока коллектора и температуры транзистора.
Uce — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер. Для Uce необходимо на треть больше напряжения коллекторной цепи.Если в схеме требуется катушка реле, необходимо предусмотреть защиту от перенапряжения транзистора, например диодную.
Ic — Максимальный постоянный ток коллектора. Ток транзистора также берется с запасом не менее 30%. Его значение зависит от температуры транзистора или окружающей среды.
Tj — максимальная температура PN-перехода. Этот параметр важно учитывать, если транзистор работает в экстремальных условиях, например в автомобиле, где его температура может достигать 100 градусов.
ft — Граничная частота коэффициента передачи тока — частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером стремится к единице. Этот параметр важен, потому что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления уменьшается.
Cc — емкость коллекторного перехода. От этого параметра зависит скорость транзистора (поэтому чем ниже, тем лучше).
hfe — Статический коэффициент передачи тока — отношение тока коллектора Iс к току базы Ib.
Выше описаны только самые важные параметры транзистора. Производитель указывает в паспортах множество дополнительных параметров: напряжение насыщения коллектор-эмиттер, максимально допустимый импульсный ток коллектора, обратный ток эмиттера, максимально допустимый базовый ток и т. Д.
Метр проверки транзистора (BJT) | Биполярные переходные транзисторы
Биполярные транзисторы состоят из трехслойного полупроводникового «сэндвича» PNP или NPN.Таким образом, транзисторы регистрируются как два диода, подключенных друг к другу при тестировании с помощью функции «сопротивления» или «проверки диода» мультиметра, как показано на рисунке ниже. Показания низкого сопротивления на базе с черными отрицательными (-) выводами соответствуют материалу N-типа в базе транзистора PNP. На символе на материал N-типа «указывает» стрелка перехода база-эмиттер, которая является базой для этого примера. Эмиттер P-типа соответствует другому концу стрелки перехода база-эмиттер, эмиттеру.Коллектор очень похож на эмиттер и также является материалом P-типа PN перехода.
Проверка счетчика транзисторов PNP: (а) прямой B-E, B-C, сопротивление низкое; (б) обратные B-E, B-C, сопротивление ∞.
Здесь я предполагаю использовать мультиметр с функцией только одного диапазона (сопротивления) для проверки PN-переходов. Некоторые мультиметры оснащены двумя отдельными функциями проверки целостности цепи: сопротивлением и «проверкой диодов», каждая из которых имеет собственное назначение.Если ваш измеритель имеет назначенную функцию «проверки диодов», используйте ее, а не диапазон «сопротивления», и измеритель будет отображать фактическое прямое напряжение PN-перехода, а не только то, проводит ли он ток.
Показания счетчика, конечно, будут прямо противоположными для NPN-транзистора, с обоими PN-переходами, обращенными в другую сторону. Показания низкого сопротивления с красным (+) выводом на базе являются «противоположным» состоянием для NPN-транзистора.
Если в этом тесте используется мультиметр с функцией «проверки диодов», будет обнаружено, что переход эмиттер-база имеет немного большее прямое падение напряжения, чем переход коллектор-база.Эта прямая разница напряжений возникает из-за несоответствия в концентрации легирования между эмиттерной и коллекторной областями транзистора: эмиттер представляет собой гораздо более легированный кусок полупроводникового материала, чем коллектор, в результате чего его соединение с базой создает более высокое прямое напряжение. уронить.
Зная это, становится возможным определить, какой провод какой на немаркированном транзисторе. Это важно, потому что упаковка транзисторов, к сожалению, не стандартизирована.Конечно, все биполярные транзисторы имеют три провода, но расположение трех проводов на физическом корпусе не организовано в каком-либо универсальном стандартизированном порядке.
Предположим, технический специалист находит биполярный транзистор и приступает к измерению целостности цепи с помощью мультиметра, установленного в режиме «проверки диодов». Измеряя между парами проводов и записывая значения, отображаемые измерителем, технический специалист получает данные, показанные на рисунке ниже.
|
Неизвестный биполярный транзистор. Какие терминалы являются эмиттерным, базовым и коллекторным? Показания омметра между клеммами.
Единственными комбинациями контрольных точек, дающими проводящие показания измерителя, являются провода 1 и 3 (красный измерительный провод на 1 и черный измерительный провод на 3) и провода 2 и 3 (красный измерительный провод на 2 и черный измерительный провод на 3).Эти два показания должны указывать на прямое смещение перехода эмиттер-база (0,655 В) и перехода коллектор-база (0,621 В).
Теперь ищем один провод, общий для обоих наборов показаний проводимости. Это должно быть базовое соединение транзистора, потому что база является единственным слоем трехслойного устройства, общим для обоих наборов PN-переходов (эмиттер-база и коллектор-база). В этом примере этот провод имеет номер 3 и является общим для комбинаций контрольных точек 1-3 и 2-3.В обоих наборах показаний измерителя тестовый провод черный (-) касался провода 3, что говорит нам о том, что база этого транзистора сделана из полупроводникового материала N-типа (черный = отрицательный). Таким образом, транзистор представляет собой PNP с базой на проводе 3, эмиттером на проводе 1 и коллектором на проводе 2, как показано на рисунке ниже.
|
Клеммы BJT, идентифицируемые омметром.
Обратите внимание, что базовый провод в этом примере — это , а не — средний вывод транзистора, как можно было бы ожидать от трехслойной «сэндвич-модели» биполярного транзистора. Это довольно частый случай, который сбивает с толку новичков в области электроники.Единственный способ узнать, какой именно провод — это проверить счетчик или обратиться к документации производителя на этот конкретный номер детали транзистора.
Знание того, что биполярный транзистор ведет себя как два встречных диода при тестировании с помощью измерителя проводимости, полезно для идентификации неизвестного транзистора исключительно по показаниям измерителя. Это также полезно для быстрой функциональной проверки транзистора. Если бы техник должен был измерить непрерывность в более чем двух или любых менее чем двух из шести комбинаций измерительных выводов, он или она немедленно узнал бы, что транзистор неисправен (или что это не биполярный транзистор, а скорее что-то еще — отличная возможность, если для точной идентификации нельзя сослаться на номера деталей!).Однако модель транзистора с «двумя диодами» не может объяснить, как и почему он действует как усилительное устройство.
Чтобы лучше проиллюстрировать это, давайте рассмотрим одну из схем транзисторного переключателя, используя физическую схему на рисунке ниже, а не схематический символ, представляющий транзистор. Таким образом будет легче увидеть два PN-перехода.
Небольшой ток базы, протекающий в переходе база-эмиттер с прямым смещением, позволяет протекать большому току через переход база-коллектор с обратным смещением.
Диагональная стрелка серого цвета показывает направление тока через переход эмиттер-база. Эта часть имеет смысл, поскольку ток течет от базы P-типа к эмиттеру N-типа: переход явно смещен в прямом направлении. А вот переход база-коллектор — совсем другое дело. Обратите внимание, как толстая стрелка серого цвета указывает в направлении потока тока (вниз) от коллектора к базе. С основанием из материала P-типа и коллектором из материала N-типа.База и коллектор имеют обратное смещение, которое препятствует прохождению тока. Однако насыщенный транзистор оказывает очень слабое сопротивление току на всем пути от коллектора до эмиттера, о чем свидетельствует свечение лампы!
Очевидно, что здесь происходит что-то, что противоречит простой объяснительной модели «двух диодов» биполярного транзистора. Когда я впервые узнал о работе транзисторов, я попытался построить свой собственный транзистор из двух последовательно включенных диодов, как показано на рисунке ниже.
Пара встречных диодов не работает как транзистор, и ток не может протекать через лампу!
В транзисторе обратное смещение перехода база-коллектор предотвращает ток коллектора, когда транзистор находится в режиме отсечки (то есть, когда ток базы отсутствует). Если соединение база-эмиттер смещено в прямом направлении управляющим сигналом, обычно блокирующее действие перехода база-коллектор отменяется, и ток разрешается через коллектор, несмотря на тот факт, что ток идет «неправильным путем» через этот PN соединение.Это действие зависит от квантовой физики полупроводниковых переходов и может иметь место только тогда, когда два перехода должным образом разнесены и концентрации легирования трех слоев правильно пропорциональны. Два диода, соединенные последовательно, не соответствуют этим критериям; верхний диод никогда не может «включиться» при обратном смещении, независимо от того, сколько тока проходит через нижний диод в контуре базового провода. См. Раздел «Биполярные переходные транзисторы», глава 2, для получения более подробной информации.
То, что концентрации легирования играют решающую роль в особых возможностях транзистора, также подтверждается тем фактом, что коллектор и эмиттер не являются взаимозаменяемыми.Если рассматривать транзистор просто как два соединенных друг с другом PN перехода или просто как простой сэндвич из материалов N-P-N или P-N-P, может показаться, что любой конец транзистора может служить коллектором или эмиттером. Однако это не так. При подключении «в обратном направлении» в цепи ток база-коллектор не сможет управлять током между коллектором и эмиттером. Несмотря на то, что эмиттерный и коллекторный слои биполярного транзистора имеют одно и то же легирование типа (N или P), коллектор и эмиттер определенно не идентичны!
Переход база-эмиттер допускает ток, поскольку он смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор имеет обратное смещение.Действие базового тока можно представить как «открытие затвора» для тока через коллектор. Более конкретно, любая заданная величина тока от базы к эмиттеру допускает ограниченную величину тока от базы к коллектору.
В следующем разделе это ограничение тока транзистора будет исследовано более подробно.
ОБЗОР:
- При тестировании мультиметром в режимах «сопротивление» или «проверка диодов» транзистор ведет себя как два встречных PN (диодных) перехода.
- PN-переход эмиттер-база имеет немного большее прямое падение напряжения, чем PN-переход коллектор-база, из-за более сильного легирования полупроводникового слоя эмиттера.